Математическое моделирование процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.18, кандидат наук Масловская, Анна Геннадьевна

• Масловская, Анна Геннадьевна
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Масловская, Анна Геннадьевна

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1 Теоретические основы и модельные представления процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками

при диагностике методами растровой электронной микроскопии

1.1 Принципы работы растрового электронного микроскопа

1.2 Основные подходы к оценке эффектов энергетического 24 воздействия электронного зонда на образец

1.2.1 Механизмы потерь энергии электронов в веществе

1.2.2 Расчет геометрических размеров области взаимодействия электронного пучка с облучаемой мишенью

1.2.3 Модельный расчет тепловой нагрузки электронного зонда

на исследуемые материалы

1.2.4 Оценка ионизационного воздействия зонда на образец

1.2.5 Зарядка непроводящих поверхностей при электронном облучении

1.3 Теоретические и экспериментальные исследования свойств полярных диэлектрических материалов

1.3.1 Общие характеристики сегнетоэлектрических явлений

в кристаллах

1.3.2 Пироэлектрические измерения

1.3.3 Теоретические подходы и модельные представления доменной структуры и переключения поляризации

1.3.4 Изучение доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе: типы контраста

и формирование видеосигналов

1.4 Основные результаты и выводы

2 Стохастические и детерминированные математические модели процессов взаимодействия электронного зонда с полярными материалами

2.1 Моделирование транспорта электронов в твердых телах

при электронном облучении

2.1.1 Концептуальная постановка задачи моделирования случайных электронных блужданий в облучаемой мишени

2.1.2 Применение метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия электронов с твердым телом

2.1.3 Аппроксимация области взаимодействия электронов

с веществом и задание функции плотности распределения

источника

2.2 Математическое моделирование тепловых процессов взаимодействия электронного зонда с полярными материалами

2.2.1 Применение аналитических методов в оценках теплового воздействия электронного зонда на исследуемые материалы

75

2.2.1.1 Концептуальная постановка задачи моделирования

2.2.1.2 Применение метода источников для моделирования температурной динамики

2.2.2 Численное моделирование тепловых процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками

2.2.2.1 Математическая постановка задачи моделирования

2.2.2.2 Конечно-элементная дискретизация задачи. Общая схема численного решения эволюционной многомерной

задачи теплопроводности

2.3 Математическое моделирование процессов зарядки сегнетоэлектрических образцов при электронном облучении

2.3.1 Концептуальная постановка задачи моделирования

2.3.2 Математическая постановка задачи моделирования динамических процессов зарядки диэлектрических образцов

при облучении пучком электронов

2.3.3 Применение сеточных методов для решения эволюционной задачи моделирования процесса зарядки

2.4 Основные результаты и выводы 119 3 Имитационные модели формирования отклика полярных диэлектриков на воздействие электронного зонда

3.1 Моделирование равновесной конфигурации и динамики доменной границы в неоднородном тепловом поле

3.1.1 Физико-математическая постановка задачи моделирования

3.1.2 Решение вариационной задачи о форме фазовой границы

в неоднородном тепловом поле методом локальных вариаций

3.1.3 Оценка компонеты поляризационного тока, обусловленной движением доменной границы

3.1.4 Динамическое моделирование конфигурации фазовой

границы методом Монте-Карло

3.2 Моделирование пироэлектрического отклика

сегнетоэлектрического кристалла на локальное воздействие

электронного зонда

3.2.1 Математическая формализация пироэлектрического сигнала. Составляющие пиросигнала

3.2.2 Модельное представление пироотклика в кристаллах различных конфигураций

3.2.3 Модель формирования видеосигнала в режиме пульсирующего электронного зонда

3.3 Применение методов математического моделирования для решения задач исследования пироэлектрических свойств сегнетоэлектрических кристаллов в окрестности фазового перехода

3.3.1 Моделирование формирования пироэлектрического отклика сегнетоэлектрического кристалла

3.3.2 Решение обратной задачи пироэффекта в постановке интегрального уравнения Фредгольма I рода

158

3.4 Имитационное моделирование процесса переключения поляризации сегнетоэлектриков под действием 170 инжектированных зарядов

3.4.1 Теоретическое описание полевых эффектов

инжектированных зарядов в сегнетоэлектриках

3.4.2 Математическая модель поляризационного тока сегнетоэлектрического кристалла в режиме инжекции

электронов под электрод

3.4.2.1 Математическая постановка задачи моделирования

3.4.2.2 Имитационная модель динамики доменной структуры сегнетоэлектрика под действием инжектированных зарядов

3.4.3 Модификация математической модели формирования тока переключения поляризации на основе фрактального подхода

3.4.3.1 Фрактальный анализ РЭМ-изображений доменных структур и токов переключения сегнетоэлектрических кристаллов

3.4.3.2 Фрактальная модель динамики доменной структуры сегнетоэлектрика в инжекционном режиме

3.5 Основные результаты и выводы 191 4 Комплексы программ для компьютерного и имитационного моделирования эффектов последействия электронного облучения на полярные диэлектрические материалы

4.1 Система имитационного моделирования транспорта электронов

в облучаемой мишени

4.1.1 Формализация алгоритма реализации программы моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло

4.1.2 Структура и основные режимы работы программного комплекса

4.2 Программное приложение для моделирования тепловых процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками

4.2.1 Формализация алгоритма численного решения эволюционной задачи теплопроводности

4.2.2 Описание структуры и функциональных возможностей программного приложения

4.3 Программный комплекс моделирования эффектов зарядки

при воздействии электронных пучков на диэлектрики

4.3.1 Формализация алгоритма программы моделирования динамических процессов зарядки

4.3.2 Структура программного комплекса

4.4 Программа моделирования конфигурации и динамики доменной границы в поле градиента температуры

4.5 Система имитационного моделирования теоретических микрофотографий сегнетоэлектрических доменных структур

в пироэлектрическом режиме

199 201

207

4.6 Программы моделирования формы пироотклика сегнетоэлектрика

в нелинейном режиме и восстановления профиля пирокоэффициента

4.7 Программа моделирования тока переключения поляризации сегнетоэлектрика в режиме инжекции электронного пучка

4.8 Основные результаты и выводы 227 5 Комплексное исследование динамических процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками на основе вычислительных экспериментов

5.1 Инжекционные эффекты воздействия электронного облучения на полярные диэлектрические материалы и анализ результатов моделирования

5.1.1 Визуализация электронных траекторий в образцах типичных сегнетоэлектриков

5.1.2 Расчет потерь энергии электронов и аппроксимация накопленной дозы облучения

5.2 Вычислительные эксперименты по оценке тепловых эффектов взаимодействия электронных пучков с сегнетоэлектриками

5.2.1 Инициализация параметров моделирования

5.2.2 Расчет температурных конфигураций в модельных образцах

при вариации режимов зондирования

5.3 Результаты расчета характеристик процесса зарядки сегнетоэлектриков, индуцируемого электронным облучением,

с использованием вычислительного эксперимента

5.4 Анализ и интерпретация результатов моделирования динамики доменной границы в поле градиента температуры

5.5 Исследование особенностей формирования изображения доменных структур сегнетоэлектриков в режиме

пироэлектрического зонда

5.5.1 Интерпретация результатов модельного эксперимента по расчету видеосигналов

5.5.2 Анализ результатов моделирования теоретических микрофотографий сегнетоэлектрических доменов в режиме пирозонда постоянной интенсивности

5.5.3 Анализ результатов конструирования РЭМ-изображений доменных структур сегнетоэлектриков в режиме пульсирующего пирозонда

5.6 Анализ результатов моделирования нелинейных пироэлектрических свойств сегнетоэлектрических кристаллов в условиях сильного прогрева

5.7 Результаты имитационного моделирования процесса переключения поляризации сегнетоэлектриков в инжекционном

режиме и модельный расчет токов переключения

5.8 Основные результаты и выводы 295 Заключение 300 Библиографический список

261

272

274

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Математическое моделирование процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В настоящее время методы компьютерного моделирования являются одними из важнейших составляющих в решении различных фундаментальных и прикладных научных задач, позволяющих с помощью программных средств глубоко и всесторонне изучать наблюдаемые физические процессы и явления, проектировать системы имитационного моделирования, алгоритмы проведения и интерпретации результатов вычислительных экспериментов. Интеграция научных областей математического моделирования и физики взаимодействия заряженных частиц с твердым телом позволяет исследовать процессы, которые ранее не поддавались изучению чисто теоретическими или экспериментальными методами.

Исследование явлений, возникающих при облучении диэлектриков электронными пучками средних энергий (1-40кэВ), представляет как фундаментальный научный, так и практический интерес в связи с необходимостью создания новых диэлектрических и композиционных материалов с прогнозируемыми физическими свойствами, а также применением диэлектрических материалов различного функционального назначения в приборах и устройствах, работающих в полях ионизирующих излучений. Одним из распространенных аналитических методов исследования и технологической обработки различных полярных материалов является метод растровой электронной микроскопии (РЭМ). Это обусловлено широким спектром эффектов, наблюдаемых при воздействии электронных пучков на твердые тела, а также высокой чувствительностью полярных диэлектриков к электрическим и тепловым воздействиям электронного зонда, что позволяет получать отклик и создавать способы формирования изображения и исследования электрических свойств образцов. Особую значимость данное направление исследований приобретает в связи с практическими задачами применения аналитических методик растровой электронной микроскопии для исследования и модификации свойств сегнетоэлектрических материалов, а также созданием сегнетоэлек-триков с субмикронными и наноразмерными доменными структурами. Однако при исследовании полярных диэлектриков с помощью методик растровой электронной микроскопии требуется учитывать изменения, которые могут происходить в исследуемых образцах при электронном облучении. Взаимо-

б

действие электронного зонда с образцом подлежит тщательному анализу для правильной интерпретации изображения и развития нестандартных методик РЭМ, применяемых для исследования свойств полярных материалов.

Многие эффекты взаимодействия электронного облучения с твердыми телами не всегда удается исследовать экспериментально, ряд результатов имеет качественный характер и получаемые оценки оказываются приближенными. Поэтому на практике часто прибегают к использованию средств и методов математического и компьютерного моделирования, основанных на физических законах взаимодействия излучения с веществом, механизмах формирования изображения в зондовых приборах и верифицированных принципах построения и реализации таких моделей. Специфика взаимодействия электронных пучков с полярными материалами при диагностике и модификации их свойств методами РЭМ приводит к необходимости разработки новых и модификации известных математических методов моделирования физических процессов, протекающих в облученной мишени, а также требует проектирования программных комплексов по проведению вычислительных экспериментов для моделирования карты сопутствующих эффектов с использованием современного программного обеспечения.

Основная цель диссертационного исследования заключалась в разработке математических моделей инжекционных, тепловых и поляризационных процессов, протекающих в полярных диэлектрических материалах при облучении электронными пучками средних энергий, а также в проведении комплексных исследований рассматриваемых проблем с применением созданных моделей и алгоритмов на основе вычислительных экспериментов.

В соответствии с целью работы были поставлены и решены следующие научные задачи'.

1. Разработка математических моделей инжекционных, тепловых и поляризационных процессов воздействия электронных пучков средних энергий на полярные диэлектрические материалы и вычислительных алгоритмов для их реализации.

2. Создание имитационных моделей, развитие методов и разработка алгоритмов моделирования отклика сегнетоэлектриков на воздействие электронного зонда: движение доменной границы в поле градиента температуры;

формирование пироэлектрического тока и растровых изображений доменных структур в пироэлектрических режимах; переключение поляризации и образование видеосигнала в инжекционном режиме.

3. Реализация вычислительных методов и алгоритмов в виде комплексов программ динамического моделирования процессов зарядки, инжекцион-ных и тепловых процессов воздействия электронного облучения на полярные материалы.

4. Разработка прикладных программ и систем имитационного моделирования формирования отклика сегнетоэлектриков на электронное облучение.

5. Постановка, проведение и интерпретация результатов вычислительных экспериментов. Проверка адекватности математических моделей физическим процессам на основе сравнения результатов с решениями эталонных задач и экспериментальными данными.

6. Комплексные исследования процессов взаимодействия электронного облучения с полярными диэлектриками при параметрах, отвечающих различным объектам исследования и режимам сканирования, на основе проведенных вычислительных экспериментов.

Новизна научного исследования.

1. Предложен обобщенный подход к моделированию тепловых эффектов воздействия сфокусированного электронного зонда на полярные диэлектрики, основанный на численном конечно-элементном решении нестационарного уравнения теплопроводности, с учетом определенной с помощью метода Монте-Карло аппроксимации области взаимодействия электронов с веществом. Разработана система компьютерного моделирования, позволяющая проводить динамическое моделирование тепловых процессов в образцах при различных параметрах вычислительного эксперимента, отвечающих различным объектам исследования и режимам сканирования.

2. Разработана комбинированная математическая модель процесса зарядки при диагностике сегнетоэлектриков методами РЭМ, основанная на детерминированном диффузионно-дрейфовом подходе, с учетом собственной радиационно-стимулированной проводимости облученного образца при наличии первоначального распределения объемной плотности зарядов, определенного с помощью метода Монте-Карло. Предложен оригинальный про-

8

граммный комплекс, предназначенный для трехмерного динамического моделирования процесса зарядки с одновременным расчетом и визуализацией основных электрических характеристик.

3. Разработана математическая модель конфигурации 180-градусной доменной границы сегнетоэлектрика с фазовым переходом П-го рода в поле градиента температуры на основе вариационного подхода. Предложена методика расчета конфигурации границы и формирования поляризационного тока с использованием метода локальных вариаций. Разработан метод стохастического компьютерного моделирования движения доменной границы в неоднородном тепловом поле.

4. Предложена математическая модель формирования пироэлектрического отклика сегнетоэлектрического кристалла на локальное воздействие постоянного и пульсирующего электронного зонда. Разделение пироотклика в модельном представлении на две компоненты и анализ соответствующих вкладов позволили наглядно интерпретировать факторы, влияющие на формирование результирующего пиросигнала, а также оптимизировать расчеты модельных зависимостей.

5. Разработан метод расчета растровых изображений доменных структур сегнетоэлектриков, в основе которого лежат законы формирования видеосигнала для пироэлектрического режима РЭМ. Получены новые научные данные о возможностях использования пироэлектрического отклика в качестве видеосигнала. Установлена роль скорости сканирования электронного зонда в формировании контраста изображения продольных и перпендикулярных доменных границ; определены критерии, ограничивающие разрешение изображения. Методами математического моделирования впервые исследован характер изображений доменов, полученных в режиме пульсирующего теплового зонда при различных способах детектирования отклика кристаллов, являющегося видеосигналом.

6. Предложена вычислительная схема реализации модели, предназначенной для исследования особенности формирования отклика пироэлектрика в окрестности фазового перехода при наличии зависимостей пироэлектрических и теплофизических характеристик от температуры. Представлен вычислительный алгоритм решения обратной задачи восстановления профиля пи-

рокоэффициента сегнетоэлектрика по экспериментальным данным пироэлектрического тока.

7. На основе анализа основных механизмов переключения поляризации сегнетоэлектрических образцов, индуцированных электронным облучением, предложена оригинальная модель формирования тока переполяризации, воспроизводящая основные особенности экспериментальных импульсов в ин-жекционном режиме. Предложена модификация модели формирования тока переключения поляризации сегнетоэлектрика, как конечной среды с фрактальным характером, основанная на численном решении дифференциального уравнения с дробной производной по времени. Разработаны вычислительная схема и система имитационного моделирования динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме инжекции электронного пучка.

Методы исследования. Для решения научных задач использованы средства и методы математического и компьютерного моделирования. Технологии компьютерного моделирования сосредоточенных воздействий на полярные материалы основаны на фундаментальных законах природы, использовании принципов аналогии, иерархических и вариационных принципах моделирования. Теоретические методы применены в сочетании с алгоритмическими и графическими возможностями современных математических пакетов прикладных программ. Для расчетных оценок области электронного возбуждения в твердых телах использован метод Монте-Карло. Построение моделей тепловых и зарядовых эффектов воздействия электронного зонда основано на применении сеточных методов решения эволюционных задач математической физики. Для решения задачи о моделировании конфигурации доменной границы использованы метод Монте-Карло и метод локальных вариаций. Задача о восстановлении профиля пирокоэффициента в постановке интегрального уравнения решена методом регуляризации. Для оценок фрактальных характеристик сложных систем использованы методы фрактального анализа двухмерных изображений и временных рядов; математический аппарат решения дробно-дифференциальных уравнений.

Теоретическая значимость исследования состоит в разработке научных и методологических подходов к математическому описанию динамических процессов взаимодействия электронных пучков с полярными диэлек-

трическими материалами; в многоаспектном анализе отклика исследуемых физических систем, находящихся в неравновесных условиях электронного облучения. Методы математической формализации исследуемых систем, разработанные с использованием детерминированных, стохастических и имитационных подходов и концепций, а также прикладные программы по математическому моделированию служат целям создания фундаментальной теории, описывающей механизмы взаимодействия электронных пучков с полярными материалами, а также эффекты последействия.

Практическая значимость исследований заключается в научном обосновании уже используемых и в возможности разработки новых методик электронного зондирования полярных диэлектриков; в выработке практических рекомендаций для подбора оптимальных режимов исследования морфологии, потенциального контраста и модификации свойств полярных диэлектриков методами растровой электронной микроскопии.

Проведенные вычислительные эксперименты показали, что в ряде случаев электронный зонд не только регистрирует существующий потенциальный рельеф, но и сам оказывает влияние на формирование наблюдаемого контраста, создавая «активные» режимы зондирования. Изучение подобных режимов и их теоретическое обоснование позволяют решать принципиально новые задачи, заключающиеся в создании и комплексном анализе доменной структуры сегнетоэлектриков с заранее заданной конфигурацией и размерностью.

Достоверность и обоснованность результатов. Достоверность полученных результатов и адекватность математических моделей обеспечиваются использованием фундаментальных принципов при формализации процессов и явлений, применением современных математических методов расчета, ясной физической интерпретацией описываемых физических систем, совпадением результатов с решениями эталонных задач. Для верификации полученных результатов моделирования использованы также известные данные, основанные на экспериментальных методиках растровой электронной микроскопии с вариацией режимов аналитического исследования полярных диэлектриков.

Реализация и внедрение результатов работы. Основные результаты диссертационной работы были получены автором при проведении исследований, выполнявшихся в 2001-2013 гг. в рамках следующих НИР: «Исследование взаимодействия электронного зонда РЭМ с сегнетоэлектрическими материалами» - НИР по заданию Министерства образования и науки РФ вузу на проведение научных исследований по тематическому плану (per. №01200101676, инв. №02200501048), 2001-2004гг.; проект «Исследование процессов инжекции и релаксации электронных пучков в полярных материалах» аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (per. №01200509108, инв. №02200601858), 2005г.; проект «Воздействие тепловых полей и высококонцентрированных потоков энергии на неорганические материалы» аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (per. №01200962619, инв. №02201254310), 2009-2011гг.; «Исследование физических свойств, структуры и процессов самоорганизации диэлектрических систем» — НИР по государственному заданию Министерства образования и науки РФ вузу в части проведения научно-исследовательских работ (per. №01201052379), 2012г.; а также в рамках плана научно-исследовательской работы кафедры математического анализа и моделирования ФГБОУ ВПО «АмГУ» по теме «Разработка численных алгоритмов исследования и компьютерное моделирование физических систем» (per. №01201251796), 20122013гг.

Математические модели и программные средства, отраженные в диссертации, используются в учебном процессе ФГБОУ ВПО «АмГУ» при выполнении научно-исследовательских работ, в курсовом проектировании, при написании выпускных квалификационных работ студентов, обучающихся по направлениям подготовки 010400.62 - «Прикладная математика и информатика», 010900.68 - «Прикладные математика и физика». Полученные в диссертации модели взаимодействия концентрированных потоков энергии с твердыми телами, описание физических систем, находящихся в неравновесных условиях электронного облучения, во многом расширяют существующие представления о динамических свойствах этих систем и являются важной составной частью учебных курсов «Моделирование физических процессов»,

«Компьютерное моделирование систем», «Математические методы обработки данных».

Соответствие паспорту специальности 05.13.18. В исследованиях, выполненных в рамках диссертации, присутствуют оригинальные научные результаты одновременно из трех областей: математического моделирования, численных методов и комплексов программ. Эти области соответствуют четырем пунктам паспорта специальности 05.13.18 - «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ» (физико-математические науки):

п.З. - разработка, обоснование и тестирование эффективных вычислительных методов с применением современных компьютерных технологий;

п.4. - реализация эффективных численных методов и алгоритмов в виде комплексов проблемно-ориентированных программ для проведения вычислительного эксперимента;

п.5. - комплексные исследования научных и технических проблем с применением современной технологии математического моделирования и вычислительного эксперимента;

п.8. - разработка систем компьютерного и имитационного моделирования.

Основные результаты, выносимые на защиту

1. Класс математических моделей в задачах исследования закономерностей инжекционных, тепловых и поляризационных процессов взаимодействия электронных пучков средних энергий с полярными диэлектрическими материалами с помощью применения вычислительного эксперимента.

2. Вычислительная схема моделирования тепловых эффектов воздействия электронного зонда на полярные материалы, основанная на комбинированном подходе, сочетающем методы численного моделирования процесса теплопроводности и стохастического моделирования транспорта электронов в облученном материале.

3. Вычислительный алгоритм для реализации модели процесса зарядки полярных диэлектриков электронным зондом, построенный на основе синтеза сеточных методов решения детерминированной динамической модельной

задачи и метода Монте-Карло для расчета первоначального распределения объемной плотности инжектированных зарядов.

4. Методики расчетов конфигурации и движения доменной границы сегнетоэлектрика в тепловом поле для детерминированной и стохастической вариационных моделей.

5. Алгоритм решения обратной задачи восстановления профиля пиро-коэффициента сегнетоэлектрика в условиях нелинейного пироэлектрического режима, основанный на численном решении интегрального уравнения Фредгольма I рода.

6. Математическая модель формирования видеосигнала в пироэлектрических режимах растрового электронного микроскопа и метод расчета растровых изображений доменных структур сегнетоэлектрических кристаллов.

7. Вычислительный алгоритм имитационного моделирования формирования тока переключения поляризации сегнетоэлектриков под действием инжектированных электронов, основанный на численном решении дробно-дифференциального уравнения с организацией процедуры случайного выбора областей переключения в кристалле.

8. Установленные в результате вычислительных экспериментов закономерности процессов зарядки, инжекционных и тепловых процессов воздействия электронного облучения на полярные материалы, выраженные в аналитическом описании области потерь энергии электронов в типичных сегнетоэлектриках; оценках тепловых нагрузок электронного зонда на исследуемые объекты; определении характеристик процесса зарядки, индуцированного электронным облучением.

9. Определенные по данным модельного расчета закономерности формирования отклика сегнетоэлектриков на воздействие электронного зонда, состоящие в особенностях движения доменной стенки в тепловом поле; выводе о влиянии эволюции температурного поля на контраст изображений сегнетоэлектрических доменов и роли характерных параметров; установлении приоритетного фактора, обусловливающего поведение пироотклика в нелинейном режиме; принципах формирования токов переключения поляризации в инжекционном режиме, отвечающих экспериментальным данным.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы были представлены и обсуждались на 30 различных конференциях, симпозиумах, на заседаниях научных школах и семинарах:

- Всероссийской научной Internet-конференции «Компьютерное и математическое моделирование в естественных и технических науках» (Тамбов, 2001);

- XV Международной научно-практической конференции «Математические методы в технике и технологиях» (Ангарск, 2002);

- Ill, IV, V, VI, VII, VIII, IX, X региональных научных конференциях «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, Хабаровск, Владивосток, 2002-2011);

- XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков «Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках» (Тверь, 2002);

- региональной школе-симпозиуме «Физика и химия твердого тела» (Благовещенск, 2003);

- Международной научно-практической конференции «Моделирование: теория, методы и средства» (Новочеркасск, 2003);

- научном семинаре математико-физико-химического факультета университета прикладных наук им. Бойта (Берлин, Германия, 2004);

- Международных научно-практических конференциях «Fundamental Problems of Opto and Microelectronics» (Хабаровск, 2004, и Владивосток, 2005);

- Международной конференции «Оптика кристаллов и наноструктур» (Хабаровск, 2008);

- Российском симпозиуме по РЭМ и аналитическим методам исследования твердых тел (г. Черноголовка, XVI, 2003 и XXI, 2009);

- научном семинаре факультета материаловедения Харбинского технического университета (Харбин, КНР, 2008);

- Международных симпозиумах "Micro- and nano-scale domain structuring in ferroelectrics" (Екатеринбург, 2005 и 2009);

- Международной научной конференции «Физика диэлектриков» (Санкт-Петербург, 2008);

- XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков «Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках» (Санкт-Петербург, 2008);

- XV Международной конференции "Dynamic system modeling and stability investigation' (Киев, Украина, 2011);

- Международной конференции "International Conference on Applied Mathematics and Interdisciplinary Research" (Тяньцзинь, КНР, 2011);

- Международной научной школе-конференции "Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials" (Владивосток, 2011);

- XVI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2012);

- Всероссийской молодежной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, 2012);

- Международном симпозиуме "11th International Symposium on Ferroic Domains and Micro- to Nanoscopic Structures and 11th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity" (Екатеринбург, 2012).

Результаты работы неоднократно докладывались и обсуждались на научно-методических семинарах кафедр «Математический анализ и моделирование» и «Теоретическая и экспериментальная физика» Амурского государственного университета.

Публикации. По материалам диссертации опубликованы 64 работы, в том числе одна монография, 23 статьи - в ведущих рецензируемых отечественных и зарубежных журналах, входящих в перечень ВАК РФ (статьи [47, 48, 51, 78, 79] и переводные версии статей [155, 167, 168, 172, 196, 241, 242] в журналах, цитируемых международными базами Web of Science и Scopus), 33 статьи - в региональных журналах и в сборниках материалов Всероссийских и Международных конференций, получены 7 свидетельств о государственных регистрациях программ для ЭВМ.

Личный вклад автора состоит в определении концепции работы и направлений исследований, в создании математических моделей, выборе методов решения, проведении компьютерных экспериментов, анализе и интерпретации полученных результатов. Все исследования, результаты которых изложены в диссертации, проведены лично соискателем или под его научным

руководством. Из совместных публикаций в диссертацию включен только тот материал, который непосредственно принадлежит соискателю.

Вклад соискателя в подготовку работ, опубликованных в соавторстве, состоит в следующем. В монографии [165] оригинальные исследования соискателя представлены в третьей и пятой главах; кроме того, автором подготовлена первая обзорная глава и осуществлена общая редакторская и научная правка монографии.

Работы [169, 185] опубликованы в соавторстве с научным консультантом диссертации, при определяющем вкладе диссертанта в представленные результаты.

В совместных публикациях [78, 79, 155, 156, 167, 179, 180, 182, 198, 199, 241-246] автором разработаны алгоритмы и программно реализованы принципиально новые математические модели: формирования изображения доменных структур сегнетоэлектриков в пироэлектрическом режиме [78-79, 179, 198, 241-243, 246], движения доменной границы в поле градиента температуры [244-245], формирования тока переключения поляризации в инжек-ционном режиме [167, 180, 182], нелинейного пироотклика и восстановления профиля пирокоэффицента [155, 156, 199]. Соавторам данных работ принадлежат оригинальные методики экспериментального зондирования сегнетоэлектриков в РЭМ (A.A. Согр, И.Б. Копылова) и результаты экспериментального исследования пироэлектрических свойств полярных диэлектриков (A.A. Согр, П.И. Кушнарев, C.B. Барышников).

Остальные совместные работы опубликованы в соавторстве с учениками соискателя. Автору диссертации в этих работах принадлежит ведущая роль в построении математических моделей физических процессов и вычислительных алгоритмов для их реализации. Аспирант A.B. Сивунов принимал участие в разработке систем компьютерного моделирования инжекционных и тепловых процессов в облученных материалах. Аспиранту Т.К. Барабаш принадлежат результаты исследования фрактальных и мультифрактальных свойств динамических характеристик сегнетоэлектрических материалов.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и библиографического списка. Рукопись диссертации содержит 329 страниц основного текста, 108 рисунков, библиографический список из 280 наименований.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Масловская, Анна Геннадьевна, 2014 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Akarsu, М. Monte Carlo simulation for electron dynamics in semiconductor devices [Текст] / M. Akarsu, O. Ozbas // Mathematical and Computational Applications. -2005.-V. Ю.-No. l.-P. 19-26.

2. Aristov, V.V. Scanning electron microscopy investigation of lithium ni-obate properties [Текст] / V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik // Ferroelectrics. - 1992. - V. 126.-P. 353-358.

3. Aristov, V.V. Voltage contrast of ferroelectric domains of lithium nio-bate in SEM [Текст] / V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, Yu.I. Voronovskii // Phys. stat. sol. (a). - 1984.-V. 86.-P. 133-141.

4. Aristov, V.V. Investigation of domain contrast in Pb5Ge30n with a scanning electron microscope [Текст] / V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, V.G. Monya//Ferroelectrics.- 1986.-V. 70.-No. 1-2.-P. 15-25.

5. Banbury, J.R. The direct observation of domain structure and magnetic fields in the scanning electron microscope [Текст] / J.R. Banbury, W.C. Nixon // J. Scient. Instrum. - 1967. - V. 44. - No. 11. - P. 889-892.

6. Barabash, Т.К. Multifractal detrended fluctuation analysis of polarization reversal processes in ferroelectrics [Текст] / Т.К. Barabash, A.G. Maslovs-kaya // In: Proc. of International Russian-Chinese Symposium 'Modern materials and technologies-2011'. — Khabarovsk: Pacific National University, Russia. — 2011.-P. 13-18.

7. Bogomolov, A.A. Effect of temperature gradient on the surface domain structure in DTGS crystals [Текст] / A.A. Bogomolov, O.V. Malyshkina, A.V. Solnyshkin // Ferroelectrics. - 1997. - V. 191. - P. 313-317.

8. Brody, P. Photovoltaic and other outputs from pulsed illuminated ferroelectrics [Текст] / P. Brody // Ferroelectrics. - 1981. - V. 38. - P. 939-942.

9. Callaby, D.R. Domain wall velocities and the surface layer in BaTi03. [Текст] / D.R. Callaby // J. Appl. Phys. - 1965. - V. 36. - No. 9. - P. 2751-2760.

10.Castaing, R. Adv. in Electronics and Electron Physics [Текст] / R. Cas-taing // N.Y. Acad. Press.- 1960,- V. 13,- P. 317.

11. Cazaux, J. Some considerations on the electric field induced in insulators by electron bombardment [Текст] / J. Cazaux // J. Appl. Phys. -1986. - V. 59. -No. 5.-P. 1418-1430.

12. Cazaux, J. Mechanisms of charging in electron spectroscopy [Текст] / J. Cazaux // Journal of electron spectroscopy. - 1999. - V. 105. - P. 155-185.

13. Chan, DSH. A simulation model for electron irradiation induced specimen charging in a scanning electron microscope [Текст] / DSH Chan, KS Sim, JCH Phang // Scanning spectroscopy. - 1993. - V. 7. - No. 31. - P. 847-859.

14. Cummins, S.E. Electron-beam writing of ferroelectric domains in Bi4Ti30i2 single crystals [Текст] / S.E. Cummins, B.II. Hill // Proc. IEEE. - 1970. -V. 58. -No. 6.-P. 158.

15. Czyzewski, Z. Calculations of Mott scattering cross section [Текст] / Z. Czyzewski, D.O. MacCallum, A. Roming, D.C. Joy // J. Appl. Phys. - 1990. - V. 68.-P. 3066-3072.

16. Distler, G.I. New method for visualization of domain and defect structure of ferroelectrics [Текст] / G.I. Distler, L.A. Shenyavskaya // Krist. Und Techn. - 1976. - V. 11.-No. 4.-P. 383-389.

17.Drouin, D. Casino V2.42 - A fast and Easy-to-use modeling tool for scanning electron microscopy and microanalysis users [Текст] / D. Drouin, A.R. Couture, D. Joly, X. Tastet, V. Aimez, R. Gauvin // Scanning. - 2007. - V. 29. - P. 92-101.

18.Eng, L.M. Ferroelectric domains and domain boundaries observed by scanning force microscopy [Текст] / L.M. Eng, J. Fousek, P. Gunter // Ferroelectrics. - 1997. - V. 191.-P. 211-218.

19. English, F.L. Electron-mirror microscope analysis of surface potential on ferroelectrics [Текст] / F.L. English // J. Appl. Phys. - 1968. - V. 39. - No. 1. - P. 128-132.

20. Fujioka, II. A new method for measuring charging characteristics of an electrically floating target under electron beam irradiation [Текст] / H. Fujioka, K. Miyaji, K. Ura // Sci. Instrum. - 1988. - V. 21. - P. 583-586.

21. Galiyarova, N. Fractal features of ferroelectrics with domains and clusters [Текст] / N. Galiyarova, S. Gorin, L. Dontsova // Journal of the Korean Physical Society. - 1998. - V. 32. - P. 771-773.

22. Galiyarova, N.M. Fractal Dimensionalities and Microstructure Parameters of Piezoceramic PZTNB-1 / N. Galiyarova, A.B. Bey, E.A. Kuznetzov, Ya.U. Korchmariyuk // Ferroelectrics. - 2004. V. 307. - P. 205-211.

23. Grechishkin, R. M. Effect of domain structure realignment on the py-roelectric current temperature dependence in gadolinium molybdate crystals. [Текст] / R.M. Grechishkin, O.V. Malyshkina, N.B. Prokofieva, S.S. Soshin // Ferroelectrics. - 2001. - V. 251. - P. 207-212.

24. Gressus, C.Le. Charging phenomena on insulating materials: mechanisms and applications. [Текст] / C.Le. Gressus, F. Valin, M. Gautier, J.P. Duraud, J. Cazaux, H. Okuzumi//Scanning. - 1990.-V. 12.-P. 203-210.

25. Gross, B. Charge diagnostics for electron - irradiated polymer foils. [Текст] / В. Gross, G.M. Sessler, J.E. West // Appl. Phys. Lett. - 1973. - V. 22. -P. 315-316.

26. Hadni, A. Etude de deplacement d un murseparant deux domaines ferroelectriques dans un cristal de sulfate de glycocole [Текст] / A. Hadni, R. Thomas // C.R. Acad. Sci. - 1975. - V. 280. - P. 95-98.

27. Hadni, A. Drastic modifications of electrical properties of ferroelectric crystal plates with thickness. The cast of triglycine sulphate. [Текст] / A. Hadni, R. Thomas, S. Ungar, X. Grbaux//Ferroelectrics. - 1983. - V. 47.-P. 201-220.

28. Hadni, A. Laser study and applications to pyroelectric detectors. [Текст] / A. Hadni, R. Thomas // Ferroelectrics. - 1972. - V. 49. - P. 39^19.

29. Hadni, A. Direct study of nucleation and domain wall motion in ferroelectric triglycine sulphate [Текст] / A. Hadni, R. Thomas // Phys. stat. sol. (a). - 1975.-V. 31.-No. 1.-P. 71-81.

30. Hadni, A. Laser study and applications to pyroelectric detectors [Текст] / A. Hadni, R. Thomas // Ferroelectrics. - 1972. - V. 49. - P. 39-^9.

31. He, J. Two-dimensional structures of ferroelectric domain inversion in LiNb03 by direct electron beam lithography [Текст] / J. He, S.H. Tang, Y.Q. Qin, P. Dong, H.Z. Zhang, C.H. Kang, W.X. Sun, Z.X. Shen // J. Appl. Phys. - 2003. -V. 93.-P. 9943-9947.

32. Hwu, J.J. Dynamic charging in the low voltage SEM [Текст] / J.J. Hwu, D.C. Joy // Electron Microscopy. - 1998. - V. 1. - P. 467-465.

33. Ikeda, S. SEM imaging of ferroelectric domains [Текст] / S. Ikeda, Y. Uchikawa // J. Electron Microsc. - 1980. - V. 29, - No. 3, - P. 209-217.

34. Ivanov, V. V. On the relation of macroscopic polarization in DTGS crystals. [Текст] / V.V. Ivanov, M.V. Kolysheva, E.A. Klevtsova // Ferroelectrics. -2000.-V. 238.-P. 65-72.

35. Joy, D.C. Monte-Carlo Modeling for Electron Microscopy and Microanalysis. [Текст] / D.C. Joy - New: YorkOxford University Press. - 1995. - 216

P-

36. Kantelhardt, J.W. Fractal and multifractal time series. [Текст] / J.W. Kantelhardt. - Halle: Martin-Luther-University Press. -2010.-41 p.

37. Kamlott, G.W. Observation of ferromagnetic domains with the scanning electron microscope [Текст] / G.W. Kamlott // J. Appl. Phys. - 1971. - V. 42. -No. 12.-P. 5156-5160.

38. Kotera, M. Dynamic simulation of electron-beam-induced chargingup of insulators [Текст] / M. Kotera, K. Yamaguchi, H. Suga // Jpn. J. Appl. Phys. -1999.-V. 38.-P. 7176-7179.

39. Latham, R.V. A theoretical interpretation of the pyroelectric response from a scanning micro heat probe [Текст] / R.V. Latham // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1976.-V. 9.-No. 15.-P. 2295-2304.

40. Le Bihan, R. Study of domains of ferroelectric crystals with the scanning electron microscope [Текст] / R. Le Bihan, C. Sella // J. Phys. Soc. Japan. - 1970. -V.28.-P. 377-379.

41. Le Bihan, R. Study of ferroelectrics domain structure on BaTi03 crystals by pulling methods [Текст] / R. Le Bihan, D. Beudon // Ferroelectrics. - 1984. -V. 77.-P. 185-188.

42. Le Bihan, R. Study of Ferroelectric and Ferroelastic Domain Structures by Scanning Electron Microscopy [Текст] // Ferroelectrics. - 1989. - V. 97. - P. 19.

43. Le Bihan, R. Study of ferroelectrics domain structure on BaTi03 crystals by pulling methods [Текст] / R. Le Bihan, D. Beudon // Ferroelectrics. - 1984. -V. 77.-P. 185-188.

44. Le Bihan, R. Study of the charging of TGS crystals during direct observation in a scanning electron microscope [Текст] / R. Le Bihan, H. Boudjema // Ferroelectrics. - 1988. - V. 81. - P. 119-122.

45. Li, D.B. Polarization reorientation in ferroelectric lead zirconate titanate thin films with electron beams [Текст] / D.B. Li, J.H. Ferris, R. Strachan Douglas, A. Bonnell Dawn // J.Mater.Res. - 2006. - V. 21. - P. 935-941.

46. Li, X. Domain Engineering in LiTaC^ by focused charge beam: from micro to nanoscale [Текст] / X. Li, K. Terabe, H. Hatano, K. Kitamura // In: Proc. OSA/QELS. - 2006. - P. 1-3.

47. Maslovskaya, A.G. Simulation of ferroelectric domain structure imaging in pyroelectric mode by scanning electron microscopy [Текст] / A.G. Maslovskaya //Ferroelectrics. -2010. - V. 398.-P. 55-63.

48. Maslovskaya, A.G. Multifractal analysis of electron beam stimulated process of polarization reversal in ferroelectrics [Текст] / A.G. Maslovskaya, Т.К. Barabash//Physics Procedia. -2012. - V. 23.-P. 81-85.

49. Maslovskaya, A.G. Multifractal analysis of electron beam induced polarization switching processes in ferroelectrics [Текст] / A.G. Maslovskaya, Т.К. Barabash // In: Proc. of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - Vladivostok, Russia. - 2011. - P. 163-164.

50. Maslovskaya, A.G. Simulation of charging processes in polar dielectrics irradiated by the scanning electron microscope [Текст] / A.G. Maslovskaya, A.A. Krasnovid, A.V. Sivunov // In: Proc. of International Russian-Chinese Symposium 'Modern materials and technologies-2011'. - Khabarovsk: Pacific National University, Russia. - 2011. - P. 19-24.

51. Maslovskaya A. Dynamic simulation of polarization reversal processes in ferroelectric crystals under electron beam irradiation [Текст] / A. Maslovskaya, T. Barabash // Ferroelectrics. - 2013. - V. 442 - P. 18-26.

52. Maussion, M. Study of surface and domain structure of pure and doped ВаТЮз crystals by auger electron spectroscopy and scanning electron microscopy [Текст] / M. Maussion, R. Le Bihan // Ferroelectrics. - 1980. - V. 26. - P. 847850.

53. McMullan, D. Scanning Electron Microscopy 1928-1965 [Текст] // Scanning.- 1995,-V. 17.-P. 175-185.

54. Melchiger, A. Dynamic double layer model. Description of time dependent charging phenomena in insulators under electron beam irradiation [Текст] / A. Melchiger, S. Hofmann // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - No. 10. - P. 6224-6232.

55. Merz, W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric BaTi03 single crystals [Текст] / W.J. Merz // Phys. Rev. - 1954. - V. 95. - P. 690698.

56. Miller, R.C. Interaction of low-energy electrons with ferroelectric materials [Текст] / R.C. Miller, R.D. Heidenreich // J. Appl. Phys. - 1958. - V. 29. -No. 6.-P. 957-963.

57.Molina, P. Effect of electron beam writing parameters for ferroelectric domain structuring LiNbCb:Nd3+ [Текст] / P. Molina, M.O. Ramirez, J. GarciaSole, L.E. Bausa // Optical Materials. - 2009. - V. 31. - P. 1777-1780.

58. Morin, P. Direct observation of insulators with the scanning electron microscope [Текст] / P. Morin, M. Pitaval, E. Vicario // J. Phys. E: Sci. Instr. -1976.-V. 9.-No. 11.-P. 1017-1020.

59. Nakatani, N. Observation of Ferroelectric Domain Structure in TGS [Текст] /N. Nakatani // Ferroelectrics. - 2011. - V. 413. - P. 238-265.

60. Napchan, E. Monte Carlo Simulation of Electron Trajectory [Текст] / E. Napchan // European Microscopy and Analysis. - 1992. — V. 2. - P. 21-23.

61.0zaki, T. Fractal aspects of the ferroelectric domain structures in КИ2Р04 crystals [Текст] / Т. Ozaki, Т. Senju, E. Nakamura // Journal of the physical Society of Japan. - 1993.-V. 62.-P. 3027-3030.

62. Ozaki, T. Fractal Aspects of Lamellar Ferroelectric Domain Structures Formed under the Influence of Depolarization Fields in CsH2P04 and (NH2CH2C00H)3H2S04 [Текст] / Т. Ozaki, К. Fujii, J. Ohgami // Journal of the physical Society of Japan. - 1995.-V. 64.-No. 7. - P 2282-2285.

63. Patrin, A.A. Anomalous EBIC contrast in Si wafers [Текст] / A.A. Patrin, A.E. Lukjanov // Scanning electron microscopy. - 1990. — V. 12. — P. 343336.

64. Parlunski, K. Domain pattern formation near phase transation — challenge for computer simulations [Текст] / К. Parlunski // Ferroelectrics. - 1997. -V. 191.-P. 245-253.

65. Postek, M.T. Digital Imaging for Scanning Electron Microscopy [Текст] / M.T. Postek, A.E. Vladar // Scanning. - 1996. - V. 18. - P. 1-7.

66. Renoud, R. Influence on the secondary electron yield of the surface charge induced in an insulating target by an electron beam [Текст] / R. Renoud, C. Attard, J-P. Canachaud, S. Bartholome, A. Dubus // J. Phys. - 1998. - V. 10. - P. 5821-5832.

67. Robinson, G.Y. Scanning electron microscopy of ferroelectric domains in barium titanate [Текст] / G.Y. Robinson, R.M. White // Appl. Phys. Lett. -1967. - V. 10. - No. 11. - P. 320-323.

68. Sanger, C.C. The mechanism of voltage contrast [Текст] / С.С. Sanger, A. Gopinath // In: Proc. 5-th Europ. Congress on Electron Microscopy. — 1972. -P. 482^483.

69. Sechar, K.C. Polarization switching in ferroelectric sodium nitrite thick film [Текст] / K.C. Sechar, A. Nautiyal, R. Nath // Applied Physics Express. -2008.-V. l.-P. 601-604.

70. Sessler, G.M. Charging of polymer foils with monoenergetic low-energy electron beams [Текст] / G.M. Sessler, J.E. West // Appl. phys. lett. - 1970. - V. 17.-No. 12.-P. 507-509.

71. Shilnikov, A.V. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribition to the dielectric propities of ferroelectrics [Текст] / A.V. Shilnikov, V.N. Nesterov, A.I. Burkhanov // Ferroelectrics. - 1996. - V. 175. - P. 145-151.

72. Shur, V.Ya. Formation and evolution of charged domain walls in congruent lithium niobate [Текст] / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, E.V. Nikolaeva, E.I. Shihkin // J. Appl. Phis. - 2000. - V. 77. - P. 3636-3638.

73. Shur, V.Ya. Kinetics of ferroelectric domain structure: retardation effects / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev [Текст] // Ferroelectrics. - 1997. - V. 191. - P. 527-541.

74. Shur, V.Ya. Formation of self-organized nanoscale domain patterns during spontaneous backswitching in lithium niobate [Текст] / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, E.V. Nikolaeva, E.I. Shishkin, D.V. Fursov, R.G. Batchko, L.A. Eyres, M.M. Fejer, R.L. Byer, J. Sindel // Ferroelectrics. - 2001. - V. 253. - P. 105-114.

75. Sogr, A.A. The domain contrast and polarization reversal of TGS crystals by scanning electron microscopy in IBIC mode [Текст] / A.A. Sogr, I.B. Кору lova//Ferroelectrics. - 1995. - V. 172.-P. 217-220.

76. Sogr, A.A. Domain Structure of Ferroelectrics Observed in the Scanning Electron Microscope [Текст] / A.A. Sogr // Ferroelectrics. - 1989. - V. 97. - P. 47-57.

77. Sogr, A.A. Observation of the Domain Structure of Ferroelectrics with the Scanning Electron Microscope [Текст] / A.A. Sogr, I.B. Kopylova // Ferroelectrics. - 1997. - V. 191.-P. 193-198.

78. Sogr, A.A. Advanced Modes of Imaging of Ferroelectric Domain in SEM [Текст] / A.A. Sogr, A.G. Maslovskaya, I.B. Kopylova // Ferroelectrics. -2006.-V. 341.-P. 29-37.

79. Sogr, A.A. Modification of an EBIC mode in the SEM for imaging of ferroelectric domains [Текст] / A.A. Sogr, A.G. Maslovskaya, I.B. Kopylova // Fundamental problems of opto- and microelectronics II. Proc. SPIE. - 2005. - V. 5851.-P. 246-250.

80.Suga, H. A simulation of electron beam induced charging-up of insulators [Текст] / H. Suga, H. Tadokoro, M. Kotera // Electron microscopy. - 1998. -V. l.-P. 177-178.

81. Szczesniak, L. Ferroelectric domain wall studied by scanning electron microscopy and electron microscope decoration technique [Текст] / L. Szczesniak, B. Hilczer, K.-P. Meyer // Ferroelectrics. -1995. - V. 172. - No. 1-4. - P. 227231.

82. Tadie, B. Switching current noise and relaxation of ferroelectric domains [Текст] / В. Tadie // European Physic Journal B. - 2002. - V. 28. - P. 81-89.

83. Toth, M. The effects of space charge on contrast in images obtained using the enveromental scanning electron microscope [Текст] / M. Toth, M.R. Phillips //Scanning.- 2000. -V. 22.-P. 319-325.

84. Tribwasser, S. Space charge fields in ВаТЮЗ [Текст] / S. Tribwasser // Phys Rev. - I960.-V. 118.-No. 1.-P. 100-105.

85. Uchicawa, Y. Application of scanning electron microscopy (SEM) to analisis of surface domain structure of ferroelectrics [Текст] / Y. Uchicawa, S. Ikeda // Scanning electron microscopy - 1981.-No. l.-P. 209-220.

86. Yong, Y.C. Determination of secondary electron yield from insulators due to low-kV electron beam [Текст] / Y.C. Yong, J.T. Yhong, J.C. Phang // J. Appl. Phys. - 1998. - V. 84. - P. 4543-4548.

87. Young, W.K. Finite Element Method Using MATLAB (Mechanical Engineering) [Текст] / W.K. Young, FI. Bang // CRC-Press. - 1996. - 544p.

88. Аккерман, А.Ф. Моделирование траекторий заряженных частиц в веществе. [Текст] / А.Ф. Аккерман. - М.: Энергоатомиздат, 1991. -200с.

89. Алешин, В.И. Моделирование переполяризации кристалла и керамики типа ВаТЮз [Текст] / В.И. Алешин, А.Г. Лучанинов // Известия АН, сер. физ. - 2001. - Т. 65. -№ 8.-С. И 14-1118.

90. Андрианов, М.В. Исследование эффектов зарядки массивных диэлектриков и диэлектрических микроструктур электронными пучками средних энергий. [Текст] / М.В. Андрианов // Дис. канд. физ.-мат. наук. - Черноголовка. - 2005. - 133 с.

91. Антошин, М.К. Наблюдение в растровом электронном микроскопе влияния температуры на доменную структуру сегнетоэлектриков [Текст] / М.К. Антошин, Г.В. Спивак // Известия АН СССР, сер. физ. - 1972. - Т. 36. -№9.-С. 1901-1905.

92. Антошин, М.К. Наблюдение сегнетоэлектриков в катодолюминес-центном режиме растрового электронного микроскопа [Текст] / М.К. Антошин, M.II. Филиппов // В кн.: Тез. X Всес. конференции по электронной микроскопии. - Ташкент. - 1976. - Т. 1. - С. 117-118.

93. Ануфриев, И.Е. Matlab 7. [Текст] / И.Е. Ануфриев, А.Б.Смирнов, E.H. Смирнова - СПб.: БХВ - Петербург, 2005. - 1104 с.

94. Бакалейников, Л.А. Расчет теплового воздействия электронного зонда на образец нитрида галлия [Текст] / Л.А. Бакалейников, Е.В. Галактионов, В.В. Третьяков, Э.А. Троп // Физика твердого тела. - 2001. — №5. — С. 779-785.

95. Барабаш, Т.К. Компьютерное моделирование фрактальных временных рядов [Текст] / Т.К. Барабаш, А.Г. Масловская // Вестник АмГУ. - 2010. -№49.-С. 31-38.

96. Барабаш, Т.К. Применение фрактальных и мультифрактальных методов анализа временных рядов для исследования тока переключения поляризации сегнетоэлектрических кристаллов [Текст] / Т.К. Барабаш, А.Г. Масловская // В кн.: Материалы I Всероссийский конференции молодых ученых «Математическое моделирование фрактальных процессов, родственные проблемы анализа и информатики». - Терскол. - 2010. - С. 41-44.

97. Барабаш, Т.К. Исследование спектральных характеристик токов переключения сегнетоэлектриков методом вейвлет-анализа [Текст] / Т.К. Барабаш, А.И. Бурдина, А.Г. Масловская // Вестник АмГУ. - 2012. - № 57. - С. 23-26.

98. Барабаш Т.К. «Программа мультифрактального анализа динамических характеристик физических систем» / Т.К. Барабаш, А.Г. Масловская Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2012660562 (Российская Федерация). - 2012.

99. Баранов, В.Ф. Современные физические методы в геохимии [Текст] / В.Ф. Баранов, Г.Н. Гончаров, М.Л. Зорина, А.Н. Сахаров, Н.Д. Сорокин, С.М. Сухаржевский. - Л.: Изд-во Ленинградского университета, 1990. - 391 с.

100. Барыбин, A.A. Релаксация заряда в проводящих диэлектрических пленках с мелкими и глубокими ловушками [Текст] / A.A. Барыбин, В.И. Шаповалов //ФТТ. -2008.-Т. 50.-№5. -С. 781-793.

101. Барфут, Дж. Полярные диэлектрики и их применения [Текст] / Дж. Барфут, Дж. Тейлор. -М.: Мир, 1981.-526 с.

102. Бездетный, Н.М. Исследование распределения поляризации в сег-нетоэлектриках методом динамического пироэффекта [Текст] / Н.М. Бездетный, А.Х. Зейналлы, В.Е. Хуторский // Известия РАН., сер. физ. - 1984. - Т. 48. - № 1.-С. 200-203.

103. Белугина, Н.В. Доменная структура, неоднородность поляризации и некоторые физические свойства кристаллов ТГС с различной степенью дефектности [Текст] / Н.В. Белугина // Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. -1977.- 19 с.

104. Бете, Г. Квантовая механика [Текст] / Г. Бете. - М.: Мир, 1965. -

336 с.

105. Богомолов, A.A. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента [Текст] / A.A. Богомолов, Т.А. Даби-жа, О.В. Малышкина, A.B. Солнышкин // Известия РАН, сер. физ. - 1996. -Т. 60.-№ 10.-С. 186.

106. Божокин, C.B. Фракталы и мультифракталы [Текст] / C.B. Божо-кин, Д.А. Паршин. - Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001.- 128 с.

107. Борисов, С.С. Вычисления распределений по глубине энергии и заряда выделенных при облучении мишени электронным пучком в приближении дискретных потерь [Текст] / С.С. Борисов, Е.А. Грачев, С.И. Зайцев // Прикладная физика. - 2007. - № 1. - С. 50-54.

108. Борисов, С.С. Моделирование поляризации диэлектрика в процессе облучения электронным пучком [Текст] / С.С. Борисов, Е.А. Грачев, H.H. Негуляев, Е.А. Черемухин, С.И. Зайцев // Прикладная физика. - 2004. - № 1. -С. 113-121.

109. Бородин, В.З. Геометрия фазовой границы и особенности экранирования поля спонтанной поляризации в кристаллах ВаТЮз [Текст] / В.З. Бородин, A.A. Corp, В.А. Бородина, Ю.Ф. Мальцев, И .Я. Никифоров // Известия АН СССР, сер. физ. - 1975. - Т. 39. - № 4. - С. 766-769.

110. Бронштейн, И.М. Вторичная электронная эмиссия [Текст] / И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. - М.: Наука, 1969. - 407 с.

111. Встовский, Г.В. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов [Текст] / Г.В. Встовский, А.Г. Колмакова, И.Ж. Бунин // НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». - 2001. - Ч. 5. — № 2. — С. 116120.

112. Гаврилова, Н.Д. Пироэлектричество [Текст] / Н.Д. Гаврилова, М.Н. Данилычева, В.К. Новик. - М.: Знание, 1989. - 64с.

113. Галиярова, Н.М. Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектри-ков, фрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ:

дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07. [Текст] / Н.М. Галиярова. - ВГАСУ, 2006. -399 с.

114. Гельфанд, И.М. Вариационное исчисление [Текст] / И.М. Гель-фанд, C.B. Фомин. — М.: Изд-во физико-математической литературы, 1961. -228 с.

115. Гершберг, А.Е. Электронный луч и потенциальный рельеф в электроннолучевых приборах. [Текст] / А.Е. Гершберг. - JL: Энергоиздат. Jle-нингр. отд-ние, 1981.-312 с.

116. Гоулдетейн, Дж. Практическая растровая электронная микроскопия [Текст] / Дж. Гоулдстейн, X. Яковиц. - М.: Мир, 1978. - 656 с.

117. Гоулдстейн, Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ [Текст] / Дж. Гоулдстейн, Д. Ныобери, П. Эчлин. - М.: Мир, 1984.-348 с.

118. Деркач, В.П. Электронно-зондовые устройства [Текст] / В.П. Дер-кач, Г.Ф. Кияшко, М.С. Кухарчук. - Киев.: Наукова думка, 1974. -267 с.

119. Донцова, Л.И. Доменная структура и процессы 180° переполяризации модельных сегнетоэлектриков. [Текст] / Л.И. Донцова // Автореф. д-ра физ.-мат. наук. - Воронеж, 1991.-20 с.

120. Донцова, Л.И. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата [Текст] / Л.И. Донцова, H.A. Тихомирова, A.B. Гинзберг // ФТТ. - 1998. - Т. 30. - Вып. 9. - С. 2692-2697.

121. Донцова, Л.И. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС [Текст] / Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, Э.С. Попов, A.B. Шильников, A.A. Чеботарев, H.A. Тихомирова, А.И. Баранов, Л.А. Шувалов//Кристаллография. - 1982.-Т. 27.-Вып. 2.-С. 305-312.

122. Дремова, H.H. Визуализация в растровом электронном микроскопе взаимодействия поверхностных акустических волн с регулярной доменной структурой в кристалле LiNb03 [Текст] / H.H. Дремова, А.Н. Полагушкин, Д.В. Рощупкин, A.A. Шестаков // В кн.: Тез. докл. VII Всес. симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел "РЭМ-91".- Звенигород. - 1991. -С. 143.

123. Дрождин, С.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейте-рированного триглицинсульфата [Текст] / С.Н. Дрождин, М.А. Куянцев // ФТТ. - 1998. - Т. 40. - Вып. 8. - С. 1542-1545.

124. Дуда, В.М. Доменная структура и процессы переполяризация монокристаллов титаната бария [Текст] /В.М. Дуда // Дис. канд. физ.-мат. наук. -Днепропетровск, - 1972. - 175 с.

125. Еловиков, С.С. Получение тонких пленок с помощью электронного облучения и исследование их свойств. [Текст] / С.С. Еловиков // Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук,-М. 1974.- 17 с.

126. Еловиков, С.С. Электронно-стимулированные процессы поверхности монокристаллов нитрида бора [Текст] / С.С. Еловиков, P.C. Гвоздовер, Ю.В. Сушкова, Г.Р. Тажиева, С.А. Постников // Известия РАН, сер. физ. -1996. - Т. 60. - № 7. - С. 173-179.

127. Ефимов, B.B. Оптические структурные исследования кристалла ТГС, облученного импульсным сильноточным пучком электронов [Текст] / В.В. Ефимов, В.В. Иванов, Е.А. Клевцова, H.H. Новикова // Известия РАН, сер. физ. -2003. - Т. 67.-№ 8.-С. 1201-1205.

128. Желудев, И.С. Основы сегнетоэлектричества [Текст] / И.С. Желу-дев. -М.: Атомиздат, 1973. -463с.

129. Жирнов, В.А. К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках [Текст] /В.А. Жирнов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1958. - Т. 35. - Вып 5(1). - С. 1175-1180.

130. Иванов, В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении внешнего электрического поля и температуры [Текст] / В.В. Иванов, М.В. Колышева, Е.А. Клевцова, В.В. Макаров // Материаловедение. - 2001. - № 7. - С. 6-8.

131.Иванцов, В.А. Наблюдение развития доменной структуры монокристаллов NaN02 в растровом электронном микроскопе [Текст] / В.А. Иванцов, В.И. Николаев, И.Н. Попов // Физ. твердого тела. - 1987. — Т. 29. — №6.-С. 1855-1857.

132. Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы [Текст] / Ф. Иона, Д. Ширане. -М.: Мир, 1975. - 555с.

133. Иоссель, Ю.Я. Расчет электрической емкости [Текст] / Ю.Я. Иос-сель, Э.С. Кочанов, М.Г. Струнский. - JL: Энергия, 1969. - 240 с.

134. Карслоу, Г. Теплопроводность твердых тел [Текст] / Г. Карелоу, Д. Егер. - М.: Наука, 1964. - 490 с.

135. Карташов, Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел [Текст] / Э.М. Карташов. - М.: Наука, 1985 - 480 с.

136. Каспаров, К.Н. Диэлектрик в РЭМ как электронное зеркало [Текст] / К.Н. Каспаров // Известия РАН, сер. физ. - 1996. - Т. 60. - № 2. - С. 158162.

137. Келли, Б. Радиационное повреждение твердых тел. [Текст] / Б. Келли. - М.: Атомиздат, 1970. - 240с.

138. Кетков, Ю. Matlab 6.x: программирование численных методов [Текст] / Ю. Кетков, А. Кетков, М. Шульц. - Санкт-Петербург: БХВ - Петербург, 2004. - 660с.

139. Кикоин, И.К. Таблицы физических величин [Текст] / И.К. Кикоин. -М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.

140. Китель, Ч. Физика кристаллических диэлектриков [Текст] / Ч. Китель. - М.: Изд-во ин. лит-ры, 1978. - 512 с.

141. Клевцова, Е.А. Диэлектрические свойства монокристаллов ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов [Текст] / Е.А. Клевцова // Автореф. канд. физ.-мат. наук. - Тверь, 2002 - 20с.

142. Копылова, И.Б. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата [Текст] / И.Б. Копылова // Дис. канд. физ.-мат. наук. - Благовещенск, 1996. - 180с.

143. Кортов, B.C. Моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриков

[Текст] / B.C. Кортов, C.B. Звонарев // Математическое моделирование. -2009. - Т. 20. - № 6. - С. 79-85.

144. Косоротов, В. Ф. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. [Текст] / В.Ф. Косоротов, J1.C. Кременчугский, Б.Ф. Самойлов, J1.B. Щедрина. - Киев: Наукова думка, 1989. -224с.

145. Коханчик, J1.C. Деградация образцов YBaCuO, вызванная низкотемпературным облучением электронами в РЭМ [Текст] / JI.C. Коханчик, A.B. Черных // Известия РАН, сер. физ. - 1992. - Т. 56. - № 3. - С. 99-103.

146. Коханчик, J1.C. Оценка эффективного потенциала между сенгето-электрическими доменами в LiNb03 методом растровой электронной микроскопии [Текст] / JI.C. Коханчик // Известия РАН, сер. физ. - 1993. - Т. 57. —№ 8.-С. 62-66.

147. Коханчик, J1.C. Влияние температуры на сигнал вторичной электронной эмиссии в пироэлектрике LiNb03 [Текст] / J1.C. Коханчик, Е.Б. Якимов // Известия РАН, сер. физ. - 1998. - Т. 62. - № 3. -С. 635-640.

148. Коханчик, J1.C. Методические особенности исследования сегнето-электрических материалов в растровом электронном микроскопе. [Текст] / J1.C. Коханчик // Заводская лаборатория. - 1994. - № 7. - С. 21-25.

149. Коханчик, J1.C. Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами [Текст] / J1.C. Коханчик, Д.В. Иржак // ФТТ. - 2010. - Т. 52. - № 2 - С. 285-289.

150. Кузнецов, Д.К. Влияние облучения на доменную структуру и переключение поляризации в сегнетоэлектриках [Текст] / Д.К. Кузнецов // Ав-тореф. дис. канд. физ.-мат. наук. - Екатеринбург, 2006 - 24с.

151. Кукушкин, С.А. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках [Текст] / С.А. Кукушкин, A.B. Осипов // ФТТ. - 2001. - Т. 43. -№ 1. - С. 80-87.

152. Кукушкин, С.А. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках [Текст] / С.А. Кукушкин, A.B. Осипов // ФТТ. - 2001. - Т. 43. - № 1. - С. 8895.

153. Куликов, В.Д. Электризация неорганических диэлектриков при импульсном электронном облучении [Текст] / В.Д. Куликов // Дисс. д-ра физ.-мат. наук. - Челябинск, 2007 - 275с.

154. Куликова, Н.В. Компьютерный анализ процессов самоорганизации в металлических материалах [Текст] / Н.В. Куликова, B.C. Хмелевская, В.В. Бондаренко // Математическое моделирование. - 2006. - Ч. 18. - № 1. - С. 88-98.

155. Кушнарев, П.И. Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов TTC [Текст] / П.И. Кушнарев, А.Г. Масловская, C.B. Барышников // Известия вузов. Физика. - 2011. — № 1. — С. 78-82.

156. Кушнарев, П.И. Моделирование пироотклика в окрестности фазового перехода [Текст] / П.А. Кушнарев, А.Г. Масловская, A.A. Согр // Информатика и системы управления. — 2004. - № 7. — С. 57-64.

157. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы [Текст] /М. Лайнс, А. Гласс.-М.: Мир, 1981.-725 с.

158. Лебедь, В.И. Моделирование методом Монте-Карло процессов взаимодействия пучка электронов с твердым телом и возбуждения рентгеновского излучения [Текст] / В.И. Лебедь // Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. - Москва, 2004. - 190 с.

159. Ломаев, Г.В. Моделирование движения доменной границы в конденсированных средах [Текст] / Г.В.Ломаев, A.B. Ходырев // Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках: Тез. докл. семинара, поев, памяти В. М. Рудяка. - Тверь - 2002. - С. 15.

160. Лущик, Ч.Б. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах [Текст] / Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. -М.: Наука, 1989. -264 с.

161. Малышкина, О.В. Пространственное распределение поляризации и пироэлектрический эффект в сегнетоактивных материалах [Текст] / О.В. Малышкина // Автореф. дис. д-ра. физ.-мат. наук. - Воронеж, 2009. - 32 с.

162. Малышкина, О.В. Новый метод определения координатных зависимостей пиротока в сегнетоэлектрических материалах [Текст] / О.В. Малышкина, A.A. Мовчикова, G. Suchaneck // ФТТ. - 2007. - Т. 49. - № 11. - С. 2045-2048.

163. Мандельброт, Б. Фрактальная геометрия природы: учеб. пособие [Текст] / Б. Мандельброт. — М.: Институт компьютерных исследований, 2002. -656 с.

164. Мартисон, Л.К. Дифференциальные уравнения математической физики. [Текст] / Л.К. Мартисон, Ю.И. Малов. - М.: МГТУ им. Баумана, 1996.-350 с.

165. Масловская, А.Г. Взаимодействие электронных пучков средних энергий с сегнетоэлектрическими материалами [Текст] / А.Г. Масловская, И.Б. Копылова. - Владивосток: изд-во Дальнаука, 2010. - 204с.

166. Масловская, А.Г. Моделирование теплового воздействия электронного зонда в растровой электронной микроскопии [Текст] / А.Г. Масловская // Информатика и системы управления. - 2007. - № 2 (14). - С. 40-51.

167. Масловская, А.Г. Исследование процесса переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов в инжекционном режиме [Текст] / А.Г. Масловская, И.Б. Копылова // Журнал экспериментальной и теоретической физики. -2009.-Т. 136.-Вып. 1(7).-С. 105-109.

168. Масловская, А.Г. Анализ тепловых эффектов, возникающих при взаимодействии электронных пучков с сегнетоэлектрическими кристаллами [Текст] / А.Г. Масловская // Известия вузов. Физика. — 2010. — № 1. - С. 3440.

169. Масловская, А.Г. Упорядоченное движение доменных границ сегнетоэлектрических кристаллов в неоднородном тепловом поле [Текст] / А.Г. Масловская, Е.А. Ванина // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Серия «Физико-математические науки». - 2010. - № 2(98). - С. 7-11.

170. Масловская, А.Г. Расчет тепловой нагрузки на кристалл ниобата лития при электронном облучении [Текст] / А.Г. Масловская, A.B. Сивунов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54. - № 1/3. - С. 80-86.

171. Масловская, А.Г. Имитационное моделирование процесса переключения поляризации сегнетоэлектрических кристаллов под действием инжектированных зарядов [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш // Вестник МГОУ. - 2011. - № 2. - С.53-60.

172. Масловская, А.Г. Исследование фрактальных закономерностей процессов переключения поляризации сегнетоэлектрических кристаллов в инжекционном режиме [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2012. -№ 1. - С.42—49.

173. Масловская А.Г. Имитационное моделирование формирования контраста РЭМ-изображений доменных структур сегнетоэлектриков [Текст] / А.Г. Масловская // Информатика и системы управления. - 2013. - №3(37). -С. 44-53.

174. Масловская, А.Г. Исследование распределения поляризации в сегнетоэлектрических кристаллах на основе решения обратной задачи пироэф-фекта [Текст] / А.Г. Масловская // Известия вузов. Поволжский регион. Серия физико-математические науки. - 2012. - № 3(23). - С. 98-107.

175. Масловская, А.Г. Вейвлет-мультифрактальный анализ индуцированного электронным зондом тока переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш // Вестник СГТУ. - 2012. — в печати.

176. Масловская, А.Г. Компьютерное моделирование методом Монте-Карло электронных траекторий в полярных диэлектриках при воздействии электронными пучками средних энергий [Текст] / А.Г. Масловская, A.B. Сивунов // Вестник СГТУ. - 2012. - №2. - С.53-58.

177. Масловская А.Г., Сивунов A.B. Применение метода конечных элементов для моделирования эволюционных процессов теплопроводности в облученных электронными пучками полярных диэлектриках // Компьютерные исследования и моделирование. - 2012. - №4. - С. 767-181.

178. Масловская, А.Г. Моделирование отклика пироэлектрического кристалла с переменными теплофизическими характеристиками на воздействие теплового зонда [Текст] / А.Г. Масловская //В кн.: Материалы международной научно-практической конференции «Моделирование, теория, методы и средства». — Новочеркасск. -2003. -Ч. 2. - С. 40-41.

179. Масловская, А.Г. Характер контраста изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме пульсирующего теплового зонда [Текст] / А.Г. Масловская, A.A. Согр // В кн.: Сб. трудов XVII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». - Кострома. - 2004. - Т. 8. - С. 39-42.

180. Масловская, А.Г. Моделирование тока переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов в режиме инжекционного контакта [Текст] / А.Г.

Масловская, A.A. Corp, И.Б. Копылова // Вестник АмГУ. - 2004. - № 27. - С. 21-24.

181. Масловская, А.Г. Моделирование процесса зарядки при исследовании сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе [Текст] / А.Г. Масловская // В кн.: Сборник трудов XXI Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». - Саратов. -2008.-С. 60-62.

182. Масловская, А.Г. Процесс переполяризации сегнетоэлектрическо-го кристалла ТГС в инжекционном режиме [Текст] / А.Г. Масловская, И.Б. Копылова, П.И. Кушнарев // В кн.: Материалы XI Международной научной конференции «Физика диэлектриков». - Санкт-Петербург. - 2008. - С. 75-78.

183. Масловская, А.Г. Моделирование координатных зависимостей пи-рокоэффициента сегнетоэлектрических кристаллов методом регуляризации по Тихонову [Текст] / А.Г. Масловская // Вестник АмГУ. - 2009. - № 45. - С. 23-25.

184. Масловская, А.Г. Модель восстановления поляризованное™ по толщине сегнетоэлектрического кристалла [Текст] / Масловская А.Г. // В кн.: Сборник трудов XXII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». - Псков, ППИ. - 2009. - С. 143-145.

185. Масловская, А.Г. Анализ тепловых эффектов, возникающих в полярных материалах при электронном облучении [Текст] / А.Г. Масловская, Е.А. Ванина // Физические и оптические свойства кристаллов и наноструктур. - Хабаровск ДВГУПС. - 2009. - С. 67-74.

186. Масловская, А.Г. Применение фрактальных методов для анализа динамических данных [Текст] / А.Г. Масловская, Т.Р. Осокина, Т.К. Барабаш // Вестник АмГУ. - 2010. - № 51. - С. 13-20.

187. Масловская, А.Г. Расчет фрактальных характеристик тока переключения в сегнетоэлектриках на основе метода R/S-анализа [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш //В кн.: Сборник трудов XXIII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». -Саратов.-2010.-С. 129-132.

188. Масловская, А.Г. Моделирование электронных траекторий в твердых телах методом Монте-Карло [Текст] / А.Г. Масловская, С.Н. Илика, A.B. Сивунов // Вестник АмГУ. - 2010. - № 51. - С. 23-32.

189. Масловская, А.Г. Применение вейвлет-преобразования для цифровой обработки токов переполяризации сегнетоэлектриков с самоподобной структурой [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш, А.И. Бурдина // Вестник АмГУ. - 2011. - № 53. - С. 42-49.

190. Масловская, А.Г. Оценка мультифрактальных характеристик процесса переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов при электронном облучении [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш, A.B. Сивунов // В кн.: Материалы XII Международной научной конференции «Физика диэлектриков». - Санкт-Петербург. - 2011. - С. 96-99.

191. Масловская, А.Г. Применение сеточных методов решения эволюционных задач для математического моделирования индуцированной элек-

тронным зондом зарядки диэлектриков [Текст] / А.Г. Масловская, A.A. Крас-новид, A.B. Сивунов // Вестник АмГУ. - 2011. - № 55. - С. 43-52.

192. Масловская, А.Г. Динамическая модель процесса зарядки полярных диэлектриков электронными пучками средних энергий [Текст] / А.Г. Масловская // В кн.: Сборник трудов IX Международной научной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». - Минск. - 2011. - С. 6264.

193. Масловская, А.Г. Мультифрактальный вейвлет-анализ токов переключения поляризации в сегнетоэлектрических кристаллах. [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш // В кн.: Сборник трудов XXIII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». -Саратов.-2011.-С. 144-146.

194. Масловская, А.Г. Динамическое ЗО-моделирование транспорта электронов в облученных сегнетоэлектрических кристаллах [Текст] / А.Г. Масловская, A.B. Сивунов // В кн.: Сборник трудов XXIII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». -Саратов.-2011.-С. 126-129.

195. Масловская, А.Г. Расчет скейлинговых характеристик РЭМ-изображений доменных структур сегнетоэлектриков методом фрактальной параметризации двумерных структур [Текст] / А.Г. Масловская, Т.К. Барабаш // Вестник АмГУ. - 2011. - № 55. - С. 35-42.

196. Масловская А.Г. Физико-математическое моделирование индуцированной электронным зондом зарядки сегнетоэлектриков в процессе переключения доменной структуры [Текст] / А.Г. Масловская // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2013. - №7. -С. 84-88.

197. Масловская А.Г. Применение вариационных принципов для компьютерного моделирования динамики доменной границы сегнетоэлектрика в поле градиента температуры [Текст] / А.Г. Масловская // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Информатика. Телекоммуникации. Управление. -2013.-№1(164).-С. 68-75.

198. Масловская, А.Г. «Программа расчета теоретической микрофотографии растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектриков» / А.Г. Масловская, A.A. Согр // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2004610571 (Российская Федерация). - 2004.

199. Масловская, А.Г. «Программа моделирования координатных зависимостей пирокоэффициента сегнетоэлектрических кристаллов методом регуляризации по Тихонову» / А.Г. Масловская, П.И. Кушнарев // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2009610969 (Российская Федерация). - 2009.

200. Масловская, А.Г. «Программа имитационного моделирования кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках при электронном облучении» / А.Г. Масловская // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2011613314.-2011.

201. Масловская, А.Г. «Программа моделирования процесса зарядки сегнетоэлектрических материалов при электронном облучении» / А.Г. Масловская, A.B. Сивунов // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №20122012612865.-2012.

202. Мелешина, В.А. Движение доменных стенок и зарождение доменов в кристалле триглицинсульфата [Текст] / В.А. Мелешина // Кристаллография. - 1971.-Т. 16. -№ 3. - С. 557-562.

203. Нестеров, В.Н. Моделирование на ЭВМ лапласового давления и его роль в некоторых процессах перестройки доменной структуры сегнето-электриков [Текст] / В.Н. Нестеров, A.B. Шильников // XIV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. - Иваново. -1995.-С. 340.

204. Мейланов, Р.П. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках [Текст] / Р.П. Мейланов, С.А. Садыков // Журнал технической физики. - 1999. - Т. 69. -№ 5. - С. 128-129.

205. Мельников, A.A. Математическое моделирование тепловых явлений, возникающих при взаимодействии электронного пучка с полупроводниковыми объектами [Текст] / A.A. Мельников, А.Д. Потапкин // В кн.: Материалы XVI Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. - Черноголовка. — 2005. -С. 34.

206. Михайлов, Г.А. Численное статистическое моделирование. Методы Монте-Карло: учеб. пособие для вузов [Текст] / Г.А. Михайлов, A.B. Вой-тишек. - М.: Академия, 2006. - 368 с.

207. Морозов, В.А. Алгоритмические основы методов решения некорректно поставленных задач [Текст] / В.А. Морозов // Вычислительные методы и программирование. - 2003. - Т. 4. - С. 130-141.

208. Нахушев, A.M. Дробное исчисление и его применение [Текст] /

A.M. Нахушев. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. - 272 с.

209. Нестеров, В.Н. Процессы переключения в сегнетоэлектриках и их моделирование. [Текст] / В.Н. Нестеров, A.B. Шильников, А.И. Бурханов // Сб. трудов Международной научно-практической конференции «Пьезотех-ника-95».-Ростов. - 1995.-Т 1.-С. 126-137.

210. Нечаев, В.Н. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках-сегнетоэлектриках [Текст] / В.Н. Нечаев, A.M. Рощупкин // Известия РАН, сер. физ. - 1995. - Т. 59.-№9.-С. 11-25.

211.0лейник, A.C. Метод роста и исследований равновесных форм доменов сегнетоэлектриков в РЭМ [Текст] / A.C. Олейник // В кн.: XII Всес. конференции по электронной микроскопии. - 1982. — С. 78-79.

212. Олейник, A.C. Наблюдение доменной структуры сегнетоэлектриков с помощью растрового электронного микроскопа [Текст] / A.C. Олейник,

B.А. Боков//ФТТ.- 1975.-Т. 17.-№3.-С. 883-885.

213. Олемской, А.И. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды [Текст] / А.И. Олемской, А.Я. Флат // УФН. - 1993. -№5.-С. 1-50.

214. Павлов, А.Н. Мультифрактальный анализ сложных сигналов [Текст] / А.Н. Павлов, B.C. Анищенко // Успехи физических наук. - 2007. - Т. 177. - № 8.-С. 859-876.

215. Пелегов, Д.В. Использование фрактального формализма для описания кинетики фазовых превращений в конечных системах [Текст] / Д.В. Пелегов // Дис. канд. физ.-мат. наук. - Екатеринбург, 2000. - 115 с.

216. Пельц, С.Д. Третичный пироэффект и распределение потенциала в пьезоелектриках. [Текст] / С.Д. Пельц, А.Е. Карпельсон // ФТТ. - 1971. - Т. 13.-Вып. 10.-С. 3104-3106.

217. Петухов, A.A. Алгоритмы численного решения дробно-дифференциальных уравнений [Текст] / A.A. Петухов, Д.Л. Ревизников // Вестник МАИ. - 2009. - Т. 16. - № 6. - С. 228-234.

218. Пешиков, Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках [Текст] / Е.В. Пешиков. - Ташкент: «ФАН», 1986. - 139 с.

219. Попова, Т.Б. Рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых эпитаксиальных микроструктур на основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло [Текст] / Т.Б. Попова, Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, ЕЛО. Флегонтова // Физика и техника полупроводников. — 2008. - Т. 42. - Вып.6. - С. 686-961.

220. Пронина, A.A. Коэффициент тепловой диффузии кристаллов ТГС с различными примесями [Текст] / A.A. Пронина, A.A. Богомолов, H.H. Чернышева // В кн.: Тез. докл. XVI Всероссийской конференции по физике сег-нетоэлектриков. - 2003. - С. 50.

221. Рабе, K.M. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд [Текст] / K.M. Рабе, Ч.Г. Анна, Ж.-М. Трискона. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011.-440 с.

222. Pay, Э.И. Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий [Текст] / Э.И. Pay, E.H. Евстафьева, М.В. Андрианов // ФТТ. - 2008. - Т. 50. - № 4. - С. 599-607.

223. Рез, И.С. Экзоэмиссия пироэлектриков [Текст] / И.С. Рез, Г.И. Ро-зенман, Ю.А. Чепелев, II. Б. Ангерт, A.A. Жашков // В кн.: IX Всес. совещание по сегнетоэлектричеству: Тез. докладов. - Ростов-на-Дону. - 1979. — Ч. 2. -С. 61.

224. Розенман, Г.И. Эмиссия электронов при переключении сегнето-электрика германата свинца [Текст] / Г.И. Розенман, В.А. Охапкин, ЮЛ. Чепелев, В.Я. Шур // Письма в ЖТФ. - 1984. - Т. 39. - № 9. - С. 397-399.

225. Рудяк, В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах [Текст] / В.М. Рудяк. - М.: Наука, 1986. - 248 с.

226. Самарский, A.A. Математическое моделирование. Идеи, методы, проблемы: монография [Текст] / A.A. Самарский, А.П. Михайлов. - М.: Москва: Физматлит, 2005. - 320 с.

227. Сегерлинд, Л.Дж. Применение метода конечных элементов [Текст] / Л.Дж. Сегерлинд. - М.: Мир, 1979. - 388 с.

228. Сесслер, Г. Электреты [Текст] / Г. Сесслер. - М.: Мир, 1983. - 486

с.

229. Сивунов, A.B. Компьютерное моделирование области взаимодействия пучков электронов с облученными сегнетоэлектрическими материалами [Текст] / A.B. Сивунов, А.Г. Масловская // Вестник Иркутского государственного технического университета. - 2013. - №3. - С. 73-79.

230. Сивунов, A.B. «Программа моделирования процесса теплопроводности в полярных диэлектриках при электронном облучении» / A.B. Сивунов, А.Г. Масловская // Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011611526. -2011.

231. Сидоркин, A.C. Доменная структура и процессы переключения в сегнетоэлектриках [Текст] / A.C. Сидоркин // Соросовский образовательный журнал. - 1999. - № 8. - С. 103-109.

232. Силаков, М.В. Использование численного моделирования на основе метода Монте-Карло для исследования и оптимизации процессов высокоэнергетической электронной литографии [Текст] / М.В. Силаков // Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук 05.27.01. - Москва, 2003. - 151 с.

233. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики [Текст] / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, H.H. Крайник, P.E. Пасынков, М.С. Шур. -М: Наука, 1971.-465 с.

234. Соболь, И.М. Метод Монте-Карло [Текст] / И.М. Соболь. - М.: Наука, 1985.- 80 с.

235. Согр, A.A. Переполяризация сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе [Текст] / A.A. Согр, В.З. Бородин // Известия АН СССР, сер. физ.- 1977.-Т. 41.-№ 7.-С. 1498-1501.

236. Согр, A.A. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе [Текст] / A.A. Согр, В.З. Бородин //Известия АН СССР, сер. физ. - 1984. - Т. 4. -№ 6. - С. 1086-1089.

237. Согр, A.A. Исследование сегнетоэлектриков при помощи РЭМ [Текст] / A.A. Согр // Дис. кан. физ.-мат. наук. - Ростов-на Дону, 1981 - 200 с.

238. Согр, A.A. Использование режима электронно-стимулированной поляризации в сегнетоэлектриках для формирования изображения доменной структуры в РЭМ [Текст] / A.A. Согр // Известия РАН, сер. физ. - 1996. - Т. 60.-№2.-С. 174-179.

239. Согр, A.A. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС [Текст] / A.A. Согр, И.Б. Копылова // Известия РАН, сер. физ. - 2000. - Т. 64. - № 6. - С. 1199-1202.

240. Согр, A.A. Униполярность диэлектрического гистерезиса в монокристаллах ТГС, индуцированная электронным облучением в РЭМ [Текст] / A.A. Согр, И.Б. Копылова // Известия РАН, сер. физ. - 1996. - Т. 60. - № 10. -С. 150-152.

<п

241. Corp, A.A. Влияние пироэффекта на формирование изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в РЭМ [Текст] / A.A. Согр, А.Г. Масловская // Известия РАН, сер. физ. - 2003. - Т 67. - № 8. - С. 1191-1194.

242. Согр, A.A. Оценка разрешения РЭМ-изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме теплового воздействия [Текст] / A.A. Согр, А.Г. Масловская // Журнал технической физики. - 2004. - Т 74. - № 11. -С. 111-114.

243. Согр, A.A. Моделирование пироэлектрического отклика сегнето-электрического кристалла при локальном воздействии теплового зонда [Текст] / A.A. Согр, А.Г. Масловская // Вестник АмГУ. - 2001. - № 11. - С. 19-22.

244. Согр, A.A. Автоколебания в статистической модели доменной границы в поле градиента температуры [Текст] / A.A. Согр, А.Г. Масловская, Л.Г. Колотова // Вестник АмГУ. - 2002. - № 19. - С. 22-24.

245. Согр, A.A. Моделирование равновесной конфигурации и динамики доменной границы в неоднородном тепловом поле [Текст] / A.A. Согр, А.Г. Масловская // В кн.: Материалы III Всероссийской научной internet-конференции «Компьютерное и математическое моделирование в естественных и технических науках». - Тамбов. - 2001. — № 12. - С. 60-62.

246. Согр, A.A. Моделирование отклика пироэлектрического кристалла на воздействие постоянного и пульсирующего теплового зонда [Текст] / A.A. Согр, А.Г. Масловская // В кн.: Сб. трудов XV международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях». - Тамбов. — 2002.-Т. 1.-С. 106-110.

247. Спивак, Г.В. Наблюдение в растровом электронном микроскопе сегнетоэлектрических доменных структур, модулированных фазовым переходом [Текст] / Г.В. Спивак, М.К. Антошин // Радиотехника и электроника. -1971.-Т. 16.-№9.-С. 1742-1745.

248. Спивак, Г.В. О наблюдении диэлектриков в растровом электронном микроскопе [Текст] / Г.В. Спивак, М.В. Быков, Г.В. Сапарин, Ю.А. Анд-реенко // Радиотехника и электроника. - 1971. - Т. 16. - № 8. - С. 1530-1532.

249. Струков, Б.А. О логарифмической сингулярности теплоемкости вблизи фазовых переходов в одноосных сегнетоэлектриках [Текст] / Б.А. Струков, Е.П. Рагула, C.B. Архангельская, И.В. Шнайдшейн // ФТТ. - 1998. -Т. 40.-Вып. 1,-С. 106-108.

250. Струков, Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах [Текст] / Б.А. Струков, А.П. Леванюк. -М: Наука, 1995. - 304 с.

251. Струков, Б.А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами [Текст] / Б.А. Струков // Соросовский образовательный журнал. - 1997.-№ 12.-С. 95-101.

252. Струков, Б.А. Пироэлектрические материалы: свойства и применения. [Текст] / Б.А. Струков // Соросовский образовательный журнал. -1998.-№ 5.-С. 96-101.

253. Тихомирова, H.A. О причинах ориентирования нематических жидких кристаллов на поверхности скола кристалла триглицинсульфата [Текст] /

H.A. Тихомирова, Л.И. Донцова, С.А. Пикин, A.B. Гинзберг, П.В. Адоменас // Кристаллография. - 1978. - Т. 23. - № 6. - С. 1239-1247.

254. Тихонов, А.Н. Методы решения некорректных задач [Текст] / А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин.-М.: Наука, 1979.-285 с.

255. Томашпольский, Ю.Я. Аномалия вторично-электронной эмиссии в окрестности точки Кюри титаната бария [Текст] / Ю.Я. Томашпольский, М.А. Севастьянов // Доклады АН СССР. - 1985. - Т. 184.-№3.-С. 610-612.

256. Фарлоу, С. Уравнения с частными производными для научных работников и инженеров [Текст] / С. Фарлоу. -М.: Мир, 1985. - 383 с.

257. Филиппов, М.Н. Оценка теплового воздействия электронного зонда в растровой электронной микроскопии рентгеноспектральном анализе. [Текст] / М.Н. Филиппов // Известия РАН, сер. физ. - 1993. - Т. 57. - № 8. -С. 163-171.

258. Филиппов, М.Н. Количественный микрозондовый анализ фазово-неустойчивых объектов [Текст] / М.Н. Филиппов // Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук. - М.: МИТХТ, 1992. - 48 с.

259. Формалев, В.Ф. Численные методы [Текст] / В.Ф. Формалев, Д.Л. Ревизников. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 400 с.

260. Фридкин, В.М. Сегнетоэлектрики - полупроводники [Текст] /В.М. Фридкин. - М.: Наука, 1976. - 408 с.

261. Черноусько, Ф.Л. Вариационные задачи механики и управления [Текст] / Ф.Л. Черноусько, Н.В. Баничук. - М.: Наука, 1973. - 240 с.

262. Шейкин, Е.Г. Модельное дифференциальное сечение упругого рассеяния электронов на атомах для моделирования прохождения электронов в веществе методом Монте-Карло [Текст] / Е.Г. Шейкин // ЖТФ. - 2010. - Т. 80.-Вып. 1.-С. 3-11.

263. Шенявская, Л.А. Визуализация электрической структуры кристаллов триглицинсульфата [Текст] / Л.А. Шенявская, Г.И. Дистлер //Физика твердого тела.- 1976.-Т. 18.-№5.-С. 1451-1454.

264. Шильников, A.B. О закономерностях переполяризации кристаллов ДТГС в синусоидальных электрических полях [Текст] / A.B. Шильников, Н.М. Галиярова, А.П. Поздняков, В.А. Федорихин, Л.А. Шувалов // Известия РАН, сер. физ. - 2003. - Т. 67. - № 8. - С. 1113-1116.

265. Шильников, A.B. О вкладе различных механизмов движения доменных границ в эффективную диэлектрическую проницаемость кристаллов триглицинсульфата с средних (промежуточных), низко- и инфранизкочастот-ных полях [Текст] / A.B. Шильников, А.П. Поздняков, В.Н. Нестеров, В.А. Федорихин, Л.А. Шувалов // ФТТ. - 2001. - Т. 54. - № 8. - С. 1516-1519.

266. Шнейдер, Э.Я. Особенности переполяризации кристаллов титаната бария, содержащих вольфрам [Текст] / Э.Я. Шнейдер, Б.Ц. Шпитальник, Б.Ф. Проскуряков, Ю.Н. Захаров, В.З. Бородин // Известия АН СССР, сер. физ. -1975.-Т. 39,-№4.-С. 861-865.

267. Шувалов, Л.А. Физика диэлектриков и полупроводников [Текст] / Л.А. Шувалов. Волгоград: изд. «Волгоградская правда», 1978. - 198 с.

268. Шувалов, J1.A. Современная кристаллография [Текст] / J1.A. Шувалов, A.A. Урусовская, И.С. Желудев, A.B. Залесский, С.А. Семилетов, Б.Н. Гречушников, И.Г. Чистяков, С.А. Пикин.-М.: Наука, 1981. -472 с.

269. Шульман, А.Р. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела [Текст] / А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов. - М.: Наука, 1977. -

270. Шур, В.Я. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектри-ках конечных размеров [Текст] / В.Я. Шур, E.J1. Румянцев, С.Д. Макаров // Физика твердого тела. - 1995. - Т. 37. -№ 6. - С. 1687-1692.

271. Шур, В.Я. Кинетика доменов при создании периодической доменной структуры в ниобате лития [Текст] / В.Я. Шур, E.J1. Румянцев, Р.Г. Бач-ко, Г.Д. Миллер, М.М. Фейер, Р.Л. Байер // ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып. 10. -С. 1831-1837.

272. Шур, В.Я. Движение плоской доменной стенки в сегнетоэлектрике - сегнетоэластике молибдате гадолиния [Текст] / В.Я. Шур, Е.Л. Румянцев, В.П. Куминов, А.Л. Субботин, Е.В. Николаева // ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып. 1.-С. 126-129.

273. Шур, В.Я. Кинетика доменной структуры и токи переключения в монокристаллах конгруэнтного и стехиометрического танталата лития [Текст] / В.Я. Шур, Е.В. Николаева, E.H. Шишкин, В.Л. Кожевников, А.П. Черных // ФТТ. - 2002. - Т. 44. - Вып. 11. - С. 2055-2060.

274. Шур, В.Я. Скачки Баркгаузена при движении одиночной сегнето-электрической доменной стенки [Текст] / В.Я. Шур, В.Л. Кожевников, Д.В. Пелегов, Е.В. Николаева, Е.И. Шишкин // ФТТ. - 2001. - Т. 43. - Вып.6. - С. 1089-1092.

275. Шур, В.Я. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых приращениях в релаксорной PLZT керамике. [Текст] / В.Я. Шур, Г.Г. Ломакин,

B.П. Куминов, Д.В. Пелегов, С.С. Белоглазов, C.B. Словиковский, И.Л. Сор-кин // ФТТ. — 1999. — Т. 41. — Вып.З. — С. 505-509.

276. Шур, В.Я. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата-титаната свинца при кристаллизации. [Текст] / В.Я. Шур, С.А. Не-гашев, А.Л. Субботин, Д.В. Пелегов, Е.А. Борисова, Е.Б. Бланкова, С. Троли-ер - МакКинстри // ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып.2. - С. 306-309.

277. Шур, В.Я. Фрактальная природа скачков Баркгаузена в сегнето-электриках. [Текст] / В.Я. Шур, В.Л. Кожевников, Д.В. Пелегов, Е.В. Николаева, Е.И. Шишкин // Тезисы XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. - Азов. - 1999. - С. 70.

278. Щекотов, АЛО. Хаотическое поведение кристаллов триглицин-сульфата с радиационными дефектами [Текст] / АЛО. Щекотов, С.Н. Дрож-дин // ФТТ. - 1998. - Т. 40. - № 4. - С. 716-718.

279. Эпштейн, Э.М. Влияние модуляции температуры на спонтанную поляризацию сегнетоэлектрика. [Текст] / Э.М. Эпштейн // ФТТ. - 1986. - Т. 28. -

C. 1268-1270.

280. Яненко, H.H. Метод дробных шагов решения многомерных задач математической физики [Текст] / H.H. Яненко. - Новосибирск: Наука, 1967. -

552 с.

197 с.