Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кушнарев, Павел Иванович

• Кушнарев, Павел Иванович
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кушнарев, Павел Иванович

Введение.

Глава 1. Домены, дефекты и полярная структура сегнетоэлектриков.

1.1. Доменная структура и переключение поляризации.

1.2. Тепловые свойства сегнетоэлектриков.

1.3. Пироэлектрический эффект и методы его измерения.

1.4. Температурно-частотная зависимость диэлектрической проницаемости.

1.5. Влияние дефектов и примесей на электрофизические свойства сегнетоэлектрических кристаллов.

1.6. Структура и свойства триглицинсульфата.

Выводы по главе.

Глава 2. Исследование пироэлектрических и диэлектрических свойств номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС.

2.1. Исследование полярных свойств ТГС методом динамического пироэффекта.

2.2. Исследование диэлектрических свойств, предварительно поляризованных кристаллов ТГС.

2.3. Исследование полярных свойств ТГС в диапазоне инфранизких частот переполяризующего электрического поля.

Выводы по главе.

Глава 3. Моделирование распределения пирокоэффициента по толщине кристалла.

3.1. Постановка задачи математического моделирования.

3.2. Метод регуляризации для решения интегральных уравнений Фредгольма I рода.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС»

Интерес к изучению закономерностей переполяризации кристаллов группы триглицинсульфата имеет давнюю предысторию [1,2]. Процесс выращивания кристаллов триглицинсульфата сопровождается возникновением внутреннего смещающего электрического поля, которое образуется распределением по его объему составных дипольных комплексов и заряженных примесей [43,44]. При этом кристалл, выращенный выше точки Кюри, будет иметь систему полярных дефектов, распределенных по объему кристалла с равновероятным направлением дипольных моментов по и против полярной оси [31]. Напротив, кристалл, полученный ниже точки Кюри, будет иметь полярные примеси с преимущественной ориентацией дипольных моментов по одному направлению - вдоль вектора спонтанной поляризации. Каждый полярный дефект при Т<ТС представляет собой как бы зародыш несимметричной полярной фазы и при охлаждении кристалла ниже Тс определяет направление установления спонтанной поляризации.

Изменение температуры поверхности и внутренних слоев сегнетоэлектрического материала порождает многочисленные электрические эффекты, анализ которых позволяет оценить степень униполярности и наличие собственного электрического поля в исследуемых образцах. Тепловая волна, проникая в глубь кристалла, является аналитическим тепловым зондом, который может выявить неоднородности кристалла и особенности его теплофизических характеристик, что важно с точки зрения построения методик исследования свойств пироэлектриков. В литературе представлены данные, свидетельствующие об основной роли специально вводимых в образец примесей в формировании собственного электрического поля сегнетоэлектриков [147-149]. Однако особенности формирования внутреннего электрического поля в номинально чистых ТГС исследованы не в полном объеме.

Поэтому исследование униполярных и электрофизических свойств номинально чистых кристаллов группы ТГС, понимание особенностей формирования собственного электрического поля - актуальные направления в области сегнетоэлектрических явлений.

Целью диссертационной работы является исследование влияния внутреннего поля ТГС на формирование полярной структуры кристалла вблизи фазового перехода. Исследование свойств естественной и наведенной с помощью постоянного электрического поля униполярности номинально чистого ТГС.

В качестве объекта исследования были выбраны номинально чистые кристаллы ТГС с естественной униполярностью и образцы ТГС, предварительно поляризованные в постоянном электрическом поле.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать экспериментальную установку для исследования поляризационных процессов образцов методом динамического пироэффекта.

2. Исследовать распределение поляризованности по толщине номинально чистого ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле полярной структурой методом динамического пироэффекта в условиях импульсного нагрева.

3. Исследовать влияние внутреннего поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле.

4. Провести исследование токовых петель гистерезиса различно поляризованных образцов ТГС, используя инфра низкие частоты переполяризации.

5. Построить модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием экспериментальных зависимостей пироэлектрического тока. Провести анализ температурной зависимости пирокоэффициента ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле по ляризованностью.

Научная новизна

1. Впервые исследована температурная зависимость пирокоэффициента номинально чистого ТГС поляризованного в направление, противоположном собственному электрическому полю.

2. Впервые обнаружено явление инверсии полярности пироотклика в процессе нагрева ТГС с наведенной поляризованностью. Проведен расчет толщины переходного слоя кристалла и температуры, при которой происходит инверсия поляризованности.

3. Обнаружено что, исследуя действительную диэлектрическую проницаемость на низких частотах, можно оценить ход спонтанной поляризации, подвижность доменных стенок и дефектность кристаллов ТГС.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Для ТГС с наведенной поляризованностью против собственного поля кривая зависимости амплитуды пиротока от температуры в процессе нагрева имеет два пика. Первый пик лежит в области положительных значений, второй - в области отрицательных. В интервале температур ДТ -39 н- 41 °С происходит инверсия полярности пироотклика.

2. Форма кривых координатной зависимости пирокоэффициента подтверждает наличие слоя с инверсной поляризацией и его увеличение с ростом температуры. Предложенная модель позволяет рассчитать толщину переходного слоя кристалла и температуру, при которой происходит инверсия поляризованности.

3. Действительная часть диэлектрической проницаемости зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла, и лежат в районе 10-102 Гц.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на V Международной научно-технической школы-конференции

Молодые ученые-2008» (Москва, 2008); VIII Российско-Китайском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Китай, Гуан-Чжоу, 2005); XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005); XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (С-Петербург, 2008); XIII региональной научно - практической конференции «Молодёжь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2007); региональных конференциях по физике (Владивосток 2004, 2006).

Публикации и личный вклад автора. По материалам диссертации опубликовано 13 работ: 7 статей (из них две в журналах, входящих в список ВАК), свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ, 5 тезисов докладов. Все основные результаты работы, отраженные в соавторских публикациях, получены непосредственно диссертантом. Выбор направлений исследования, постановка задач, анализ и обобщение результатов, а также формулировка выводов по работе осуществлены совместно с научным руководителем. Соавторы совместных публикаций принимали участие в создании некоторых физических моделей и проведении вычислительных экспериментов.

Практическая и научная значимость. Сегнетоэлектрические материалы обладают многочисленными электрофизическими свойствами и широко применяются в современных областях электроники и приборостроения. В связи с этим становится принципиально важным выращивание и использование бездефектных кристаллов или кристаллов со специально введенными примесями для улучшения каких-либо физических характеристик. В процессе роста номинально чистого образца все же возникают неконтролируемые примеси, которые влияют на структуру и свойства кристалла.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представления о наличие в номинально чистых образцах ТГС собственного электрического поля и его влияния на пироэлектрические, диэлектрические и униполярные свойства, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Структура диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка цитируемой литературы и одного приложения. Рукопись диссертации содержит 134 машинописных страниц основного текста, 3 таблицы, 39 рисунков, библиографию из 199 наименований и 6 страниц приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кушнарев, Павел Иванович

Выводы по главе

Установлена некорректность задачи по восстановлению профиля распределения пироэлектрического коэффициента. Рассмотрены способы решения интегральных уравнений Фредгольма I рода.

Используя экспериментальные зависимости пироэлектрического тока от времени нагрева образца, построена модель, реализующая решение обратной задачи пироэффекта методом регуляризации по Тихонову. Восстановлен профиль распределения пироэлектрического коэффициента по толщине кристалла. Построена зависимость пирокоэффициента от температуры поляризованного образца, что позволило точно определить температуру инверсии поляризованности и толщину переходного слоя.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Экспериментально исследованы диэлектрические и пироэлектрические свойства номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Разработана модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла.

Основные научные результаты, полученные автором:

1. Разработана экспериментальная установка для исследования поляризационных процессов сегнетоэлектрических образцов методом динамического пироэффекта.

2. Исследовано распределение поляризованности по толщине номинально чистого ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле полярной структурой методом динамического пироэффекта в условиях импульсного нагрева. Установлено, что для образца с наведенной поляризованностью против собственного поля кривая зависимости амплитуды пиротока от температуры в процессе нагрева имеет два пика. Первый пик лежит в области положительных значений, второй - в области отрицательных.

3. В интервале температур АТ -39 - 41°С обнаружено явление инверсии полярности пироотклика в процессе нагрева ТГС с наведенной поляризованностью.

4. Построена модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием экспериментальных зависимостей пироэлектрического тока.

5. Установлено, что форма кривых координатной зависимости пирокоэффициента подтверждает наличие слоя с инверсной поляризацией в кристалле и его увеличение с ростом температуры. Проведен расчет толщины переходного слоя и температуры, при которой происходит инверсия поляризованности.

6. Исследовано влияние внутреннего поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Обнаружено что, исследуя действительную диэлектрическую проницаемость на низких частотах, можно оценить ход спонтанной поляризации, подвижность доменных стенок и дефектность кристаллов ТГС.

7. Установлено, что действительная часть диэлектрической проницаемости зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла, и лежат в районе 10-102 Гц.

8. Проведено исследование полярных свойств различно поляризованных сегнетоэлектрических кристаллов ТГС в диапазоне инфранизких частот переполяризующим переменным электрическим полем. Выявлена несимметричность формы петли диэлектрического гистерезиса поляризованных образцов, что позволяет делать вывод о наличие собственного электрического поля в кристалле.

9. Используя экспериментальные токовые петли гистерезиса, проведено вычисление интегральных поляризационных кривых. Рассчитана величина собственного электрического поля кристаллов. Установлено, что собственные электрические поля образцов с инверсной и наведенной поляризацией различны по величине и знаку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кушнарев, Павел Иванович, 2009 год

1. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. -М.: Наука, 1971.-465 с.

2. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1995. - 304 с.

3. Л айне М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.- 725 с.

4. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука, 1986.-248 с.

5. Барфут Д., Тейлор Д. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир,1981.-526 с.

6. Гаврилова Н.Д., Данилычева М.Н., Новик В.К. Пироэлектричество. М.: Знание, 1989.-64 с.

7. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. М.: Атомиздат, 1973. -463 с.

8. Шувалов Л.А. Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград: Изд. «Волгоградская правда», 1978. - 198с.

9. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. -555 с.

10. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. - М.: Наука, 1976. -408 с.

11. Пешиков Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Ташкент: «ФАН», 1972.- 150 с.

12. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты на сегнетоэлектриках. Ташкент: «ФАН», 1986. - 139с.

13. Малышкина О.В. Определение коэффициента униполярности почастотным зависимостям пиротока.//Конденсированные среды и межфазные границы. -2000. Т.2. - № 4. - С.299-300.

14. Струков Б. А. Сегнетоэлектричество в кристаллах и жидких кристаллах: природа явлений, фазовые переходы, нетрадиционные состояния вещества//Соросовский Образовательный Журнал. 1996. - № 4. - С.81-89.

15. Попов Э.С., Рапопорт C.JI. К вопросу о переполяризации сегнетоэлектриков в слабых переменных полях//Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград, 1970. С. 45-54.

16. Шильников А.В. К вопросу о переполяризации кристаллов триглицинсульфата в переменных полях низкой частоты//Физика диэлектриков и полупроводников: Сб. Волгоград, 1970. Вып. 29. - С. 95106.

17. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Шувалов JI.A. Исследование динамики доменной структуры ТГС в синусоидальных электрических полях//Физика диэлектриков и полупроводников: Сб. Волгоград, 1978. С. 92-106.

18. Шильников А.В., Галиярова Н.М., Поздняков А.П. О закономерностях переполяризации кристаллов ДТГС в синусоидальных электрических полях//Изв. РАН. Сер. физ. 2003. Т. 67. - № 8. - С. 1113-1116.

19. Merz W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric BaTi03 single crystals.//Phys. Rev. 1954. - V. 95. - P. 690 - 698.

20. Копылова И.Б. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы ТГС. Дис. канд. физ.-мат. наук., Благовещенск: АмурКНИИ, 1996. 113с.

21. Шувалов JI.А. Кристаллография. М.: Наука, 1963. - 617с.

22. Шувалов JI.A., Урусовская А.А, Желудев И.С., Залесский A.B., Семилетов С.А., Гречушников Б.Н., Чистяков И.Г., Пикин С.А. Современная кристаллография. М.: Наука, 1981. - Т.4. - 472 с.

23. Струков Б.А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами//Соросовский Образовательный Журнал. 1997. - № 12. - С. 95-101.

24. Косоротов В.Ф., Кременчугский JI.C., Самойлов Б.Ф., Щедрина JI.B. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. Киев: Наука, 1989. -224с.

25. Пельц С.Д., Карпельсон А.Е. Третичный пироэффект и распределение потенциала в пьезоэлектриках//ФТТ. 1971. - Т. 13. - Вып. 10. - С. 31043106.

26. Масловская А.Г., Согр A.A. Влияние нелинейных пироэлектрических свойств на форму пироэлектрического отклика//Тез докл. регион, школы -симпозиума Физика и химия твердого тела. Благовещенск, 2003. - С 5758.

27. Смоленский Г.А. Физика сегнетоэлектрических явлений. М.: Наука, 1985.- 396 с.

28. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Минск: Наука и техника, 1986. - 185 с.

29. Струков Б.А. Пироэлектрические материалы: свойства и применение//Соросовский Образовательный Журнал. 1998. № 5. - С. 96101.

30. Chynoweth A.G., Journ. Appl. Phys, 27, 78 (1956).

31. Bhalla A.S., Fang С.S., Xi Y., Cross L.E. Pyroelectric properties of the alanineand arsenic doped TGS single crystals//Appl. Phys. Left. 1983. Vol. 43 - № 10,- P. 932-934.

32. Rez J.S., Tsedrik M.S., Vasilevsry S.A. Growth and properties of new ferroelectric crystal L a - ADTGSP//6-th Intern. Meet, on Ferroelectricity, Abstr. Kobe, 1985. - P 11 - 403.

33. Стукова Е.В., Барышников C.B. Диэлектрическая проницаемость пористых матриц, заполненных триглицинсульфатом//Современные наукоемкие технологии. 2006. - № 1. - С.63-64.

34. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь. - 1989 - 288 с.

35. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев. 1980. - С. 347.

36. Богомолов A.A., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Фото пироэлектрический эффект в плёнках ЦТС// Материалы международной научной конф. «Тонкие пленки и наноструктуры». МИРЭА.: Москва, 2004. - 4.1. - С.31-33.

37. Богомолов A.A., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П. Пироэлектрический эффект в плёнках ЦТС с избыточным содержанием свинца//Материалы Межд. научной конф. «Тонкие пленки и наноструктуры». Москва, 2004. 4.1. - С. 159-161.

38. Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома//ФТТ. 2008. - Т. 50. - Выпуск 1. - С. 115-118.

39. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин A.C., Сидоркин A.A. Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата//ФТТ. 2001. - Т. 43. - Вып. 7. - С. 1272 - 1274.

40. Сидоркин А.С., Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в сегиетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами. //ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. Выпуск 8. С. 2458-2460.

41. Бородин В.З., Гах С.Г. Изв. АН СССР. Сер. физ.,46, 6, 1081 (1984).

42. Darinskii В.М., Sidorkin A.S., Milovodova S.D. Ferroelectrics 142, 45 (1993).

43. Миловидова С.Д., Сидоркин A.C., Рогазинская О.В. Кристаллография 47, 5, 876 (2002).

44. Miller R.C., Savage A. Further experiments on the sidewise motion of 180° domain walls in BaTi03//Phys. Rev. 1959. - V. 115. - P. 1176 - 1180.о

45. Miller R.C., Savage A. Motion of 180 domain walls in metal electroded barium titanat crystals as a function on electron field and sample thikness//J. Appl. Phys. 1960. - V. 31. - P. 662 - 669.

46. Merz W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric BaTi03 single crystals//Phys. Rev. 1954. - V. 95. - P. 690 - 698.

47. Подольский B.A., Дуда B.M., Дудник Е.Ф., Синяков Е.В. Динамика доменных границ в монокристаллах титаната висмута//ФТТ. 1974. -Т. 16. - Вып. 9.-С. 2787-2789.

48. Донцова Л.И., Попов Э.С. Плотность поверхностной энергии и спонтанное движение доменных стенок в кристаллах ТГС//Изв. АН СССР, Сер физич. -1975. Т. 39. - № 4. - С. 854-856.

49. Белугина Н.В. Доменная структура, неоднородность поляризации и некоторые физические свойства кристаллов ТГС с различной степенью дефектности//Автореф.канд. физ.-мат. наук. Москва, 1997.о

50. Донцова Л.И. Доменная структура и процессы 180 переполяризации модельных сегнетоэлектриков//Автореф.д-ра физ.-мат. наук. Воронеж, 1991.

51. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Бачко Р.Г., Миллер Г.Д., Фейер М. М., Байер Р.Л. Кинетика доменов при создании периодической доменной структуры в ниобате лития//ФТТ. 1999. - Т. 41. - Вып. 10. - С. 1831-1837.

52. Lupascu D.C., Utschig N., Shur V.Ya and ShurA.G. The dynamics of domain walls determinet from acoustic emission measurements//Ferroelectrics. -2003. -V. 290. P. 207-215.

53. Shur V.Ya., Rumyantsev E.L., Nikolaeva E.V. and Shihkin E.I. Formation and evolution of charged domain walls in congruent lithium niobate//J. Appl.Phis. -2000,-V. 77,-P. 3636-3638.

54. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Куминов В.П., Субботин А.Л., Николаева Е.В. Движение плоской доменной стенки в сегнетоэлектрике сегнетоэластике молибдате гадолиния//ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып. 1. - С. 126-129.

55. Шур В.Я., Николаева Е.В., Шишкин Е.И., Кожевников В.Л., Черных А.П. Кинетика доменной структуры и токи переключения в монокристаллах конгруэнтного и стехиометрического танталата лития//ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 11. - С. 2055-2060.

56. Шур В.Я., Кожевников В.Л., Пелегов Д.В., Николаева Е.В., Шишкин Е.И. Скачки Баркгаузена при движении одиночной сегнетоэлектрической доменной стенки//ФТТ. 2001. - Т. 43. - Вып.6. - С. 1089-1092.

57. Shur V.Ya. And Rumyantsev E.L. Kinetics of ferroelectric domain structure: retardation effects//Ferroelectrics. 1997. - V. 191. - P. 527 - 541.

58. Шур В.Я., Ломакин Г.Г., Куминов В.П., Пелегов Д.В., Белоглазов С.С., Словиковский С.В., Соркин И.Л. Кинетика фрактальных кластеров прифазовых приращениях в релаксорной PLZT керамике//ФТТ. 1999. - Т. 41. -Вып.З. - С. 505-509.

59. Шур В.Я., Негашев С.А., Субботин А.Л., Пелегов Д.В., Борисова Е.А., Бланкова Е.Б., Тролиер Маккинстри С. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата - титаната свинца при кристаллизации//ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып.2. - С. 306-309.

60. Шур В.Я., Кожевников B.JX, Пелегов Д.В., Николаева Е.В., Шишкин Е.И. Фрактальная природа скачков Баркгаузена в сегнетоэлектриках. Тезисы XI Всер.конф. по физике сегнетоэектриков, Ростов на Дону, г. Азов, -1999. -с.70.

61. Shilnikov A.V., Nesterov V.N., Burkhanov A.I. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribution to the dielectric propities of ferroelectrics//Ferroelectrics. 1996. - V. 175. - P. 145-151.

62. Алешин В.И., Лучанинов А.Г. Моделирование переполяризации кристалла и керамики типа BaTi03// Изв АН. Сер. Физич. 2001. - Т 65. -№8. - С.1114.

63. Бурханов А.И., Нестеров В.Н., Шильников A.B., Димза В.И. Процессы поляризации и переключение в неупорядоченных материалах типа керамики PLZT в присутствии примеси металлов//Изв. РАН Сер физич. -1995 -Т 59. №9.-С. 93 -96.

64. Нестеров В.Н, Шильников A.B. Моделирование на ЭВМ лапласового давления и его роль в некоторых процессах перестройки доменной структуры сегнетоэлектриков//Х1У Веер. конф. по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Иваново, 1995. С. 340.

65. Нестеров В.Н., Шильников A.B., Бурханов А.И. Процессы переключения в сегнетоэлектриках и их моделирование//Сб. трудов Междунар. Научно-практической конф. «Пьезотехника-95». МП Книга. Ростов, 1995. Т1. -С. 126-137.

66. Parlunsi К. Domain pattern formation near phase translation challenge for computer simulations//Ferroelectrics. - 1997. - V. 191. - P. 245 - 253.

67. Ломаев Г.В., Ходырев А.В. Моделирование движения доменной границы в конденсированных средах//Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках. Тез. докл. семинара, поев, памяти В. М. Рудяка. Тверь, 2002. С. 15.

68. Донцова Л.И., Булатова Л.Г., Попов Э.С., Шильников А.В., Чеботарев А.А., Тихомирова Н.А., Баранов А.И., Шувалов Л.А. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС//Кристаллография. 1982. - Т.27. - Вып. 2. - С. 305-312.

69. Донцова Л.П., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата//ФТТ. 1988. - Т. 30. - Вып. 9. - С. 2692-2697.

70. Коханчик Л.С. Методические особенности исследования сегнетоэлектрических материалов в РЭМ//Заводская лаборатория. -1994.-№7.- С. 21-25

71. Олейник А.С. Взаимодействие поверхности кристалла РЬ2п13М)2зОз с электронным лучом в РЭМ//Тез. докл. XI Веер. конф. по электронной микроскопии. М.: Наука, 1979. - 78 с.

72. Коханчик Л.С. Развитие метода растровой электронной микроскопии для исследования сегнетоэлектрических доменов разного типа//В кн.: Тез. докл. XIII Всес. Конф. По электронной микроскопии. -1987. С. 481- 482.

73. Uchicawa Y., Ikeda S. Application of scanning electron microscopy (SEM) to analisis of surface domain structure of ferroelectrics//Scanning electron microscopy. 1981. - № 1. - P. 209-220.

74. Le Bihan R. and Beudon D. Study of ferroelectrics domain structure on BaTi03 crystals by pulling methods//Ferroelectrics. 1984. - V. 77. - P. 185-188.

75. Le Bihan R. Study of Ferroelectric Domain Structure by Scanning Electron Microscopy//Ferroelectrics. 1989. - V. 97. - P. 19.

76. Aristov V.V., Kazmiruk V.V., Ushakov N.G., Yakimov E.B. and Zaitsev S.I. Scanning electron microscopy in submicron structure diagnostics//Vakuum. -1988. -V. 38. P. 1045-1050.

77. Corp А.А., Бородин В.З. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе//Изв. АН СССР. Сер. физич. 1984. - Т. 4. - № 6. - С. 1086-1089.

78. Согр А.А. Исследование сегнетоэлектриков при помощи РЭМ//Автореф. канд. физ.-мат. наук. Ростов-на Дону, 1981.

79. Sogr A.A. Domain Structure of Ferroelectrics Observed in the Scanning Electron Microscopy/VFerroelectrics. 1989. - V 97. - P. 47-57.

80. Corp A.A. Использование режима электронно-стимулированной поляризации в сегнетоэлектриках для формирования изображения доменной структуры в РЭМ//Изв. РАН. Сер. физич. 1996. - Т. 60. -№2. - С. 174-179.

81. Sogr A.A. and Kopylova I.B. Observation of the Domain Structure of Ferroelectrics with the Scanning Electron Microscope. 1997. - V. 191. - P. 193-198.

82. Corp А.А., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС//Изв. РАН. Сер. физич. 2000. - Т. 64. - № 6. - С. 1199-1202.

83. Копылова И.Б. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата//Автореф.канд. физ.-мат. наук. Благовещенск, 1996.

84. Eng L.M., Fousek J. and Gunter P. Ferroelectric domains and domain boundaries observed by scanning force microscopy//Ferroelectrics. 1997. - V. 191.-P.211-218.

85. Большакова H.H., Зазнобин Т.О., Иванов В.В., Муравьева Е.Б., Педько Б.Б. Исследование процессов переключения кристаллов ниобата бария-стронция методов теплового эффекта Баркгаузена//ФТТ. 2006. - Т. 48. -Вып. 6. - С. 967-968.

86. Самедов О.А. Сегнетоэлектрические свойства TIInS2<Ge>. Институт Радиационных проблем НАН Азербайджана, 2003. №2. - С.60-64

87. Handi A., Thomas R., Laser stydy of reversible nucleation sites in triglicine sulphate and applications to pyroelectric detectors//Ferroelectrics. 1972. -V.4. -P. 39-49.

88. Богомолов A.A., Дабижа Т.А., Жаров С.Ю. Процессы локальной переполяризации термического происхождения в монокристаллах ТГС различной толщины/УСегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин: Калининский государственный университет. 1983. - С. 70-74.

89. Гриднев С.А., Попов В.М., Шувалов JI.A. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата//Известия РАН. Сер. физич. 1984. - Т. 48. - № 6. - С. 1226-1229.

90. Эпштейн Э.М. Влияние модуляции температуры на спонтанную поляризацию сегнетоэлектрика//ФТТ. 1986. - Т. 28. - С. 1268-1270.

91. Малышкина О.В. Исследование пироэлектрических свойств поверхностного слоя кристаллов германата свинца//Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: Изд-во ТвГУ. - 1995. - С.79-84.

92. Дрождин С.Н., Куянцев М. А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата//ФТТ. 1998. - Т.40. - Вып. 8. -С. 1542-1545.

93. Grechishkin R.M., Malyshkina O.V., Prokofieva N.B. Effect of domain structure realignment on the pyroelectric current temperature dependence in gadolinium molybdate crystals//Ferroelectrics. 2001. - V. 251. - P. 207-212.

94. Новик В.К., Гаврилова Н.Д. Низкотемпературное пироэлектричество (Обзор)//ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 6. - С. 961-978.

95. Богомолов А.А., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Пиро- и фотоотклик в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 1123-1126.

96. Handi A., Thomas R., Ungar S. and Grbaux X. Drastic modifications of electrical properties of ferroelectric crystal plates with thickness. The cast of triglicine sulphate//Ferroelectrics. V. 47. - 1983. - P. 201-220.

97. Handi A., Thomas R. Laser study and applications to pyroelectric detectors//Ferroelectrics. V. 49. - 1972. - P. 39-49.

98. Ярмаркин В.К., Шульман С.Г., Панкова Г.А., Леманов В.В. Пироэлектрические свойства кристаллов некоторых соединений на основе белковых аминокислот//ФТТ. 2005. - Т. 47. - Вып. 11. - С. 20472049.

99. Юрин В.А., Сильвестрова И.М., Желудев И.С. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата, облученных у-квантами//Кристаллография. 1962. - Т. 7. - Вып. 3. - С. 394-402.

100. Пешиков Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Ташкент: Фан. -1972. 137 с.

101. Hilczer В. Influence of lattice defects on the properties of ferroelectrics//Mater. Sci. (PRL). 1976. - V. 2. - № 1-2. - P. 3-12.

102. Tsedrik M.S., Zaborovski G.A. Critical behavior and internal bias of TGS and isomorphous crystals depending on growth conditions//Krist. und Techn. -1976.-V. 11,-№4,-C. 373-381.

103. Brezina В., Havrankova M. L-alanine distribution in the growth pyramids of TGS crystals and its influence on the growth, switching and domain structure//Crystal Res. Technol. 1985. - V. 20. - № 6. - C. 787-794.

104. Цедрик M.C., Кравченя Э.М. Влияние примесей и условий выращивания на скорость роста и форму кристаллов триглицинсульфата//Свойства и структура газов, жидкостей и твердых тел. Минск.: Пед. Ин-т. Мн.,1974. С 83-89.

105. ПЗ.Белюстин А.В., Степанова Н.С., Горюнова А.В. Влияние примесей на регенерацию пластинок z-среза кристаллов дигидрофосфата калия//Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1978. - Т. 14. - № 2. - С. 280-283.

106. Желудев И.С., Лудупов Ц.Ж. Динамические диэлектрические свойства ТГС с примесями СгЗ+ и Си2+//Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1967. - Т. 31. -№7.-С. 1184-1187.

107. Камышева Л.Н., Годованная О.А., Миловидова С.Д., Константинова В.П. Исследование свойств триглицинсульфата, легированного хромом и а-аланином//Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. - Т. 39. - № 4. - С. 857-860.

108. Корина Р.В. О формах роста монокристаллов триглицинсульфата, легированных ионами железа и меди//Структура и свойства сегнетоэлектриков / Минск пед. Ин-т. Мн. 1975. - С. 14-17.

109. Корина Р.В., Афонская И.А., Иодковская К.В. Особенности роста и некоторые физические свойства монокристаллов триглицинсульфата с таллием // Свойства и структура сегнетоэлектриков. Минск.: Пед. Ин-т. Мн., 1977. - С. 15-26.

110. Цедрик М.С., Кравченя Э.М. Распределение примесей ионов меди в монокристаллах триглицинсульфата и триглицинселената//Структура и свойства сегнетоэлектриков. Минск.: Пед. Ин-т. Мн., 1975. - С. 71-78.

111. Tsedrik M.S., Kravchenya Е.М. Triglycine sulphate single crystals growing doped with copper and cobalt ions and study of their dielectric properties//Krist. and Techn. 1976. - V. 11. - № 1. - С 49-58.

112. Цедрик M.C., Кравченя Э.М. Выращивание монокристаллов группы триглицинсульфата из растворов, содержащих примеси//Свойства и структура сегнетоэлектриков. Минск.: пед. Ин-т. Мн., 1978. - С. 94-109.

113. Близнаков Г.М. Адсорбция посторонних примесей и механизм роста кристаллов//Кристаллография. 1959. - Т. 4. - Вып. 2. - С 150-156.

114. Huong P.V., Cornut J.C. The interconversion of the zwitterions and uncharged form of y-aminobutyric acid (GABA) at low temperatures//J.

115. Chem. Phys. 1976.-Y. 61.-P. 1087-1103.

116. Albrecht G., Corey R.B. The crystal structure of glycine//J. Amer. Chem. Soc. 1939.-V. 61.-P. 1087-1103.

117. Brezina В., Havrankova M. Orientation of structure and crystals of TGS and TGS doped with D, al or L, al.//Cryst. Res. Technol. 1985. - V. 20. - № 6. -P. 781-786.

118. Бакли Г. Рост кристаллов: Пер. с англ. М: Изд-во иностр. лит., 1954. -407 с.

119. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом B.JI. Структура кристаллов. -М.: Наука, 1979. Т 2. - 360 с.

120. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов A.C., Собянин A.A. Изменения структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов//Журн. Эксперим. и теор. физики. -1979. Т. 76. - Вып. 1. - С. 345-386.

121. Леванюк А.П., Сигов A.C., Собянин A.A. Сегнетоэлектрический фазовый переход в реальном кристалле//Сегнетоэлектрики. Ростов на Дону: Изд-во Рост. Ун-та. 1983. - С. 54-64.

122. Ван Бюрен Х.Г. Дефекты в кристаллах. Пер. с англ. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. 584 с.

123. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. Пер.с англ. М.: Мир, 1969.- 64 с.

124. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах: Электрон, структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках: Пер.с англ. М.: Мир, 1978.-Т. 1.- 569 с;-Т. 2.- 357 с.

125. Цедрик М.С., Заборовский Г.А., Кравченя Э.М., Марголин Л.Н. Диэлектрические свойства монокристаллов ТГС, легированных ионами Си, Cu-Ni и Na-K/УСегнетоэлектрики. Минск. Пед ин-т. Мн. 1985. - С.З-15.

126. Новик В.К., Гаврилова Н.Д. Низкотемпературное пироэлектричество (обзор)//ФТТ. 2000. - Т. 42. - С. 961 - 978.

127. Богомолов А.А, Сергеева О.Н., Киселев И.П., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Пиро- и фотоотклик в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 1123 -1126.

128. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата//ФТТ. 2004. -Т. 46.-Вып. 7.-С. 1256- 1251.

129. Сидоркин A.C., Косцов А.М, Зальцберг B.C. ФТТ. 27, 2200 (1985).

130. Косцов А.М, Сидоркин A.C., Зальцберг B.C., Грибков С.П. ФТТ. 24, 3436 (1982).

131. Жуков O.K., Солодуха A.M. Влияние ионов хрома и железа на дисперсию диэлектрической проницаемости в триглицинсульфате. Воронеж, гос. ун-т. Воронеж, 1979. - 5 с. - Деп. ВИНИТИ № 4152-79 от 06.12.79

132. Жуков O.K., Солодуха A.M. Влияние процесса старения и примеси ионов хрома на диэлектрическую дисперсию в триглицинсульфате/ Воронеж, гос. ун-т. Воронеж, 1979. - 6 с. - Деп. ВИНИТИ № 4143-79 от 05.12.79

133. Солодуха A.M., Жуков O.K. Релаксация доменных стенок кристалла триглицинсульфата в слабых переменных полях// Фазовые превращения в твердых телах: Межвуз. сб. научных трудов. ВНИ. Воронеж, 1982. -С. 24 28.

134. Жуков O.K., Солодуха A.M., Косцов A.M. О кристаллической форме и диэлектрических свойствах триглицинсульфата, легированного ионамипереходных элементов//Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Межвуз. сборник научн. трудов. Калинин, 1985. - С. 73 - 77.

135. Саввинов A.M., Солодуха A.M. Диэлектрические свойства приповерхностных слоев кристалла триглицинсульфата//Х1У Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков, Иваново, 19-23 сент.1995 г.: Тез. докл.- Иваново, 1995. С. 148.

136. Solodukha A.M. Influence of surface on the dielectric relaxation in TGS crystal / A.M. Solodukha//10 Int. Meet. Ferroel., Madrid, Sept.3-7,2001: Abstr. Spain, 2001. - P.54.

137. Солодуха A.M. Перенос и релаксация заряда в неоднородных сегнетоэлектриках и родственных материалах: Дис. .д-ра физ.-мат. наук: Воронеж: РГБ, 2006.

138. Струков Б.А., Якушин Е.Д. Влияние крупномасштабных неоднородностей на фазовый переход в сегнетоэлектрических монокристаллах триглицинсульфата//Письма в ЖЭТФ. Т. 28. - Вып. 1. -С. 16-19.

139. Дистлер Г.И., Константинова В.П., Герасимов Ю.М., Толмачева Г.А. Дефектная структура кристаллов триглицинсульфата в сегнетоэлектрическом параэлектрическом состоянии//Письма в ЖЭТФ. -Т. 6.-Вып. 9.-С. 868-870.

140. Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома//ФТТ. 2008. - Т. 50. - Вып. 1. - С. 115-118.

141. Голицина О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате//ФТТ. 1998. - Т. 40.-Вып. 1,-С. 116-117.

142. Камышева JI.H., Дрождин С.Н., Голицына О.М. Влияние малых доз рентгеновского излучения на свойства триглицинсульфата, легированного хромом//ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 347-350.

143. Никишина А.И., Дрождин С.Н., Голицина О.М. Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего ПОЛЯ//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 1073-1074.

144. Дрождин С.Н., Хоник C.B., Денисова В.Е. Пороговое поведение диэлектрической нелинейности сегнетоэлектрических кристаллов семейства триглицинсульфата//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 10751076.

145. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата//ФТТ. 2004. -Т. 46.-Вып. 7. - С. 1246-1251.

146. Глинчук М.Д., Зауличный В.Я., Стефанович В.А. Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов. //ФТТ. 2005. - Т. 47. - Вып. 7. - С. 1285-1292.

147. Sekido Т., Mitsui Т. Dielectric constant of Curie point//J.Phys. Chem. Sol. -1967. V. 28. - № 6. - C. 967-970.

148. Chincholkar V.S., Unruh H. G. Surface layers of triglycine sulfate single crystals//Phus. Stat. Sol. 1968. - V. 29. - № 2. - C. 669-673.

149. Toshev S.D.,Amov I.G., Kirov K.I. Effect of cample treatment and electrode nature on some triglycine sulfate parametersZ/Докл. Болг. AH. 1972. - T. 25. - № п. - p. 1479-1481.

150. Шувалов Л.А., Мнацаканян A.B. Изучение аномалий внутреннего трения сегнетоэлектрических фосфатов в окрестностях их точек Кюри//Изв. АН СССР. Сер.физ. 1965. - Т. 29. -№ 11. - С. 1974-1981.

151. Рез И.С. Кристаллы с нелинейной поляризуемостью/УУспехи физ. Наук. -1967. Т. 93. - № 4. - С. 633-674.

152. Юрьев А.Н. Электрические свойства кристаллов триглицинсульфата,выращенных при температуре ниже 0°С. Автореф. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 2007.

153. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. -490 с.

154. Пронина A.A., Богомолов A.A., Чернышева H.H. Коэффициент тепловой диффузии кристаллов ТГС с различными примесями//В кн.:Тэз. докл. XVI Веер. конф. по физике сегнетоэлектриков. 2003. - С. 50.

155. Струков Б.А., Рагула Е.П., Архангельская C.B., Шнайдштейн И.В. О логарифмической сингулярности теплоемкости вблизи фазовых переходов в одноосных сегнетоэлектриках//ФТТ. 1998. - Т. 40. - № 1. -С. 106-108.

156. Струков Б.А., Спиридонов Т.П., Минаева К.А., Федорихин В.А., Давтян A.B. О характере аномалий тепловых и упругих свойств кристаллов триглицинсульфата с примесями//Кристаллография. 1982. - Т. 27. - №2. - С.313-319

157. Богомолов A.A., Дабижа Т.А., Малышкина О.В., Солнышкин A.B. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента//Известия РАН. Сер. физич. 1996. - Т. 60. -№10.-С. 186

158. Сидоркин A.A., Сидоркин A.C., Рогазинская О.В., Миловидова С.Д. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью//ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 344-346.

159. Сидоркин A.C., Пономарева Н.Ю., Миловидова С.Д., Сигов A.C. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрического кристалла ТГС//ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 4. -С. 721-724.

160. Сидоркин A.A., Миловидова С.Д., Рогазинская О.В., Сидоркин A.C. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС//ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 4. - С. 725-726.

161. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Сидоркин А.А. Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата//ФТТ. 2001. - Т. 43. - Вып. 7. - С. 1272-1274.

162. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. - М.: Наука, 1976. -264 с.

163. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. - 408 с.

164. Brody P.S., Crowne F. Journal of Electronic Materials 4. 955 (1975).

165. Kholkin A., Boarkine O., Setter N. Appl. Phys. Lett. 72, 1, 130 (1998).

166. Ярмаркин B.K., Гольцман Б.М., Казанин M.M., Леманов В.В. ФТТ 42, 3, 511 (2000).

167. Kocinski J., Wojtczak L. The dependence of critical scattering on crystallattice structure//Phys. Lett. A. 1973. - V.43 - P.215-216.

168. Hill R.M., Ichiki S.K. High-Frequency Behavior of Hydrogen-Bonded Ferroelectrics: Triglycine Sulphate and KD2P04//Phys. Rev. 1963. -V.132. -P.1603-1608.

169. Mansingh A., Lim K.O. Dielectric Dispersion in Order-Disorder Ferroelectrics//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1972. - V.33. -P.747-749.

170. Турик A.B., Хасабова Г.И., Сидоренко Е.Н. О релаксационном вкладе в диэлектрические и пьезоэлектрические константы кристаллов ВаТіОЗ//ФТТ. 1985. - Т.ЗО. - Вып. 4. - С. 1079 - 1081

171. Овчинникова Г.И., Коростелева Ю.Ф., Сандалов А.Н. Микроволновые диэлектрические спектры триглицинсульфата//ФТТ. 1993. - Т.35. -Вып. 4.-С. 2542-2547

172. Садыков С. А., Бородин В.З., Агаларов А.Ш. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле//ФТТ. 2000. - Т.70. - №6. - С. 108 - 112

173. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1979.-285 с.

174. Крылов В.И., Бобков В.В., Монастырный П.И. Интегральные уравнения, некорректные задачи и улучшение сходимости. Минск: Наука и техника, 1984. - 263 с.

175. Краснов M.JI. Интегральные уравнения / M.JL Краснов. М.: Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1975. -305 с.

176. Васильева А.Б., Тихонов H.A. Интегральные уравнения. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 160 с.

177. Морозов В.А. Регулярные методы решения некорректно поставленных задач. М.: Наука, 1987. - 240 с.

178. Цлаф Л .Я. Вариационное исчисление и интегральные уравнения. М.: Наука, 1993.-201 с.

179. Масловская А.Г., Согр A.A. Влияние нелинейных пироэлектрических свойств на форму пироэлектрического отклика//Тез докл. регион, школы- симпозиума Физика и химия твердого тела. Благовещенск. - 2003. - С 57-58.

180. Кушнарев П.А., Масловская А.Г., Согр A.A. Моделирование пироотклика в окрестности фазового перехода//Информатика и системы управления. Благовещенск, 2004. №7. С. 57-64.

181. Кушнарев П.И., Барышников C.B. Униполярные свойства поляризованных кристаллов триглицинсульфата. // Материалы VI региональной научной конференции. Благовещенск, 2006. С.43-45.

182. Кушнарев П.И. Термостимулированная инверсия поляризованности поверхностного слоя ТГС. // Материалы VIII Региональной межвузовской научно-практической конференции Молодежь XXI века: шаг в будущее. Благовещенск, 2007. С.254-255.

183. Kushnarev P.I., Baryshnikov S.V. Studies of ferroelectric crystals TGS surface layers inverse polarization. // "Перспективные материалы" специальный выпуск (сентябрь 2007). M, 2007.С.381- 384.

184. Масловская А.Г., Копылова И.Б., Кушнарев П.И. Процесс переполяризации сегнетоэлектрического кристалла ТГС в инжекционном режиме. // Материалы XI Международной конференции по физике диэлектриков. Диэлектрики-2008. С-Петербург, 2008. С.75-78.

185. Кушнарев П.И. Температурная зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости поляризованных кристаллов ТГС. // Материалы V Международной научно-технической конференции Молодые ученые-2008.- М, 2008. С.137-140.