Магнитосопротивление наногетероструктур различной геометрии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.11, кандидат физико-математических наук Жуков, Илья Владимирович

• Жуков, Илья Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Жуков, Илья Владимирович

Введение

Глава 1 Литературный обзор

1.0.1 Спинтроника.

1.1 Эффект гигантского магнитосопротивления (ГМС)

1.1.1 Открытие эффекта ГМС

1.1.2 CIP и СРР геометрия.

1.1.3 Спин-вентильные структуры.

1.1.4 Обзор теоретических работ.

1.1.5 Ламинированные структуры

1.1.6 Применение.

1.2 Инжекция спин-поляризованного тока в полупроводник

1.2.1 Инжекция спин-поляризованного тока.

1.2.2 Способы инжекции.

1.2.3 Использование ферромагнетиков.

1.2.4 Эксперименты с инжекцией из ферромагнетика в полупроводник.

1.2.5 Проблема несовместимости сопротивлений металла и полупроводника

1.2.6 Использование барьера Шоттки.

Глава 2 Методика расчета

2.1 Модель

2.1.1 Когерентный потенциал.

2.2 Вычисление проводимости.

2.2.1 Расчет функций Грина для многослойной системы

2.2.2 Формула Кубо для нелокальной проводимости

2.3 Вершинная поправка.

2.3.1 Общее уравнение для вершинной поправки.

2.3.2 Введение эффективного поля.

2.4 Вычисление проводимости при наличии рассеяния с переворотом спина на интерфейсках.

2.4.1 Вершинная поправка на одном интерфейсе.

2.4.2 Проводимость и вершинная поправка на интерфейсе

Глава 3 Гигантское магнетосопротивление (ГМС)

3.1 Отражение от барьера.

3.1.1 Одинаковый квазиимпульс Ферми электронов в различных слоях многослойной структуры.

3.1.2 Учет конечных размеров многослойки.

3.1.3 Отражение электронов от потенциального барьера

3.2 Ламинированные структуры

3.2.1 Методика расчета

3.2.2 Обсуждение результатов.

Глава 4 Инжекция спин-поляризованного тока в полупроводник

4.1 Барьер Шоттки.

4.2 Методика расчета

4.3 Обсуждение результатов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитосопротивление наногетероструктур различной геометрии»

Бурное развитие в области нанотехнологий привело к созданию новой области в физике твердого тела - спинтроники, основная идея которой состоит в том, чтобы использовать не только заряд электрона, но его спин. Наличие такой дополнительной «степени свободы», а также возможность управлять устройствами спинтроники с помощью внешнего магнитного поля, может позволить подобным устройствам расширить функциональные возможности уже существующих и будущих устройств микроэлектроники.

Спинтроника имеет хорошие перспективы в таких областях как запись и считывание информации, создание магнитной памяти. Более того, открываются фантастические возможности в новых областях физики, а именно, в квантовых вычислениях и для квантовой передачи информации [1, 2].

Основой для создания элементов спинтроники являются - эффект гигантского магнитосопротивления (ГМС), наблюдающийся в слоистых структурах, в которых магнитные слои (Fe, Со, Ni и др.) разделены немагнитными металлическими слоями (например Си, Сг). Эффект магнитосопротивления заключается в изменении электрического сопротивления образцов во внешнем магнитном поле. Физической основой ГМС является спин-зависящее рассеяние электронов проводимости в объеме ферромагнитного материала и на поверхности раздела слоев (интерфейсе).

Эффект ГМС был открыт сравнительно недавно в 1988 году [3, 4]. За этим открытием последовали многочисленные экспериментальные и теоретические исследования. К настоящему моменту основные особенности эффекта исследованы экспериментально и уже созданы устройства на их основе. Имеется обширная литература по теоретической интерпретации этого эффекта. Однако дальнейшее развитие устройств на его основе, требует создания новых структур, сочетающих высокую величину эффекта и удовлетворяющих дополнительным требованиям (минимальный размер, низкие поля, хорошая воспроизводимость). Возникают новые задачи корректного описания эффекта в таких усложненных структурах.

Кроме того, важной проблемой является возможность совмещения новых элементов спинтроники и традиционных полупроводниковых компонентов в одном устройстве, что позволило бы значительно расширить возможности спинтроники. Одной из важнейших задач в этом направлении является инжекция спин-поляризованного тока в полупроводник, что позволит совместить магнитное накопление информации и электрическое считывание в одном полупроводниковом устройстве.

Таким образом, актуальность темы диссертации определяется не только перспективами практического использования исследуемых эффектов, но и немаловажным фундаментальным аспектом этих исследований. Данная диссертация и посвящена теоретическому исследованию этих проблем.

В главе 1 дан обзор теоретических и экспериментальных работ, относящихся к теме диссертации.

Вторая оригинальная глава посвящена развитию метода Кубо и функций Грина для расчета проводимости многослойных наноструктур. Обосновывается использование понятия «эффективного поля» вместо вычисления «вершинной поправки», а также возможность применения данного метода для учета рассеяния с переворотом спина.

В третьей главе проводится расчет зависимости проводимости ламинированной многослойной структуры от величины ее параметров.

Четвертая глава посвящена теоретическому обоснованию возможности инжекции спина из ферромагнитного металла в полупроводник через потенциальный и барьеры Шоттки. Представлены результаты численного расчета коэффициента инжекции спин-поляризованного тока при наличии потенциального и барьера Шоттки.

В связи со сказанным выше, все эти проблемы являются актуальными, и их решение может помочь и в совершенствовании современных электронных устройств.

Целью данной работы является:

1. Обоснование использования представления «эффективного поля» для расчета кинетических эффектов в многослойных структурах.

2. Исследование гигантского магнитосопротивления (ГМС) ламинированных структур.

3. Расчет эффективности инжекции спин-поляризованного тока из ферромагнитного метала в полупроводник через потенциальный барьер в присутствии барьера Шоттки.

Научная новизна и практическая ценность работы состоит в следующем:

1. В диссертации впервые в рамках формализма Кубо и метода функций Грина показана эквивалентность вычисления «вершинной поправки» и нахождения «эффективного поля» при расчете проводимости гетероструктур.

2. Разработана методика расчета проводимости многослойных структур методом Кубо при наличии процессов рассеяния электронов с переворотом спина (спин-флипа).

3. Проведен квантовомеханический расчет гигантского магнитосопро-тивления ламинированной многослойной структуры. Данные материалы перспективны для создания датчиков и магнитных считывающих устройств. Впервые в расчете в рамках; формализма Кубо и метода функций Грина учтены процессы рассеяния электронов с переворотом спина.

4. Исследовано влияние туннельного и Шоттки барьеров на инжекцию спин-поляризованного тока из ферромагнитного металла в полупроводник.

Результаты, полученные в диссертации, могут послужить стимулом для создания наногетероструктур с повышенным значением ГМС, а также к дальнейшему развитию теории туннелирования через неоднородные изолирующие барьеры.

Основные результаты диссертации, которые выносятся на защиту, можно сформулировать следующим образом:

1. Усовершенствована методика расчета проводимости многослойных структур методом Кубо. Это позволило корректно учесть вклад от так называемой «вершинной поправки» в проводимость. Получено явное выражение эффективного поля через вершинную поправку. Также была получена возможность учесть процессы рассеяния электронов с переворотом спина.

2. Теоретически показана возможность получения большой величины гигантского магнитосопротивления в ламинированной наногетероструктуре вида (M/F)n/Mbu//er/(F/M)OT, где F - слои ферромагнитного металла, а М - немагнитного металла, n, m - число повторяющихся бислоев. Толщины F слоев в наборах (M/F)n выбираются достаточно малыми бА) так, чтобы соседние F слои имели ферромагнитную связь, а толщина (Мег слоя — большая 20А), для того чтобы общие намагниченности (M/F)n и (F/M)m могли меняться от параллельной до антипараллельной ориентации внешним магнитным полем порядка нескольких эрстед. В такой структуре свойства спин-вентильных структур с гигантским магнитосопротивле-нием усиливаются из-за наличия дополнительного спин-зависящего рассеяния и отражения электронов от интерфейсов M/F, поэтому в них можно ожидать значительного увеличения величины ГМС. Это связано с тем, что ввиду обменного расщепления зон для электронов со спинами «вверх» и «вниз» условия отражения от интерфейсов для них различны. В диссертации с помощью численных методов расчета с использованием формализма Кубо и метода функций Грина была найдена нелокальная проводимость системы при двух взаимных ориентациях намагниченностей и при различных толщинах М - слоев в наборах (M/F)n. Расчет показал, что действительно наблюдается усиление эффекта гигантского магнитосопротивления, хотя и не такое значительное, как можно было ожидать, если учесть наличие процессов спин-флипа.

3. Теоретически исследована возможность достижения значительной величины инжекции спин-поляризованного тока в полупроводник с использованием структуры ферромагнетик/туннельный контакт/барьер Шоттки/полупроводник. Расчет производился численно с использованием той же техники функций Грина, что и для ламинированных структур, с соответствующими модификациями, для учета непрерывного изменения потенциала в барьере Шоттки. С помощью перечисленных методов исследована зависимость коэффициента инжекции тока от параметров структуры. Расчет показал, что в подобной системе коэффициент инжекции спин-поляризованного тока может достигать значительной величины. Полученные результаты могут служить стимулом для создания устройств спиновой электроники на базе обычных полупроводников, например, магнитной оперативной памяти.

Заключение диссертации по теме «Физика магнитных явлений», Жуков, Илья Владимирович

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Ведяев А. В., Жуков И. В., Котельникова О. А., Пугач Н. Г. Баллистическое контактное магнетосопротивление в магнитных сэндвичах // Школа-Семинар новые магнитные материалы микроэлектроники НМММ XVII, МГУ им. М. В. Ломоносова физический факультет. - Москва, 20 июня - 23 июня 2000. - С. 638.

2. Жуков И. В., Ведяев А. В. Формализм Кубо в теории электронного транспорта в наногетероструктрах // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2003. - N. 2. - С. 46-50.

3. Vedyayev А. V., Zhukov I. V. Formalism Kybo in theory of electronic transport in nanogeterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. - Moscow, 2002. - P. 63.

4. Vedyayev A. V., Dieny В., Ryzhanova N. V., Zhukov I. V., Zhuravlev M. Ye., Lutz H. O. Injection of spin-polarized current into semiconductor // Moscow International Symposium on Magnetism. - Moscow, 2002. - P. 11.

5. Vedyayev A. V., Dieny В., Ryzhanova N. V., Zhukov I. V., Zhuravlev M. Ye., Lutz H. O. Injection of spin-polarized current into semiconductor // J. Magn. Magn. Mater. - 2003. - Vol. 258. - P. 77-79.

6. Vedyayev A.V., Zhukov I., Dieny B. Giant magnetoresistance in magnetic bi-multilayers // XVIII International Colloquium on Magnetic Films and Surfaces. - July 22 to 25 2003, Madrid. - P. 18.

7. Ведяев А. В., Жуков И. В. Гигантское магнитосопротивление ламинированных наногетероструктур // XXX Международная зимняя школа физиков-теоретиков. - «Коуровка-2004». - 2004. - С. 137.

8. Ведяев А. В., Жуков И. В. Гигантское магнитосопротивление ламинированных наногетероструктур // Школа-Семинар новые магнитные материалы микроэлектроники НМММ XIX, МГУ им. М. В. Ломоносова физический факультет. - Москва, 28июня - 2 июля 2004. - Р. 880.

9. Vedyayev A., Zhukov I., Dieny В. Current perpendicular to plane Giant Magnetoresistance (GMR) in laminated nanostructures // Joint European

Magnetic Symposia. - Dresden, 2004. - P. 67.

10. Vedyayev A., Zhukov I., Dieny B. Current perpendicular to plane Giant Magnetoresistance (GMR) in laminated nanostructures. // Arxiv. -2004. - cond-matt/0411571.

В заключение я искренне благодарю своего научного руководителя профессора А. В. Ведяева за руководство, всестороннюю помощь и внимание при выполнении данной работы. Я хочу также искренне поблагодарить Котельникову О. А.за постоянную поддержку во время моего обучения в аспирантуре на кафедре магнетизма, неизменный интерес к работе и всестороннюю помощь.

Заключение

В заключение работы суммируем основные результаты работы.

1.Усовершенствована методика расчета проводимости многослойных структур методом Кубо. Это позволило корректно учесть вклад от так называемой «вершинной поправки» в проводимость. Получено явное выражение эффективного поля через вершинную поправку. Также была получена возможность учесть процессы рассеяния электронов с переворотом спина.

2.Теоретически показана возможность получения большой величины гигантского магнитосопротивления в ламинированной наногетерострук-туре вида (M/F)n/Mbu//er/(F/M)m, где F - слои ферромагнитного металла, а М - немагнитного металла, n, m - число повторяющихся бисло-ев. Толщины F слоев в наборах (M/F)n выбираются достаточно малыми

5А) так, чтобы соседние F слои имели ферромагнитную связь, а толщина (М)би//ег слоя - большой (~20А), для того чтобы общие намагниченности (M/F)n и (F/M)m могли меняться от параллельной до антипараллельной ориентаций внешним магнитным полем порядка нескольких эрстед. В такой структуре свойства спин-вентильных структур с гигантским магнитосопротивлением усиливаются из-за наличия дополнительного спин-зависящего рассеяния и отражения электронов от интерфейсов M/F, поэтому в них можно ожидать значительного увеличения величины ГМС. Это связано с тем, что ввиду обменного расщепления зон для электронов со спинами «вверх» и «вниз» условия отражения от интерфейсов для них различны. В диссертации с помощью численных методов расчета с использованием формализма Кубо и метода функций Грина была найдена нелокальная проводимость системы при двух взаимных ориентациях намагниченностей и при различных толщинах М -слоев в наборах (M/F)n. Расчет показал, что действительно наблюдается усиление эффекта гигантского магнитосопротивления, хотя и не такое значительное, как можно было ожидать, если учесть наличие процессов спин-флипа.

3.Теоретически исследована возможность достижения значительной величины инжекции спин-поляризованного тока в полупроводник с использованием структуры ферромагнетик/туннельный контакт/барьер Шотт-ки/полупроводник. Расчет производился численно с использованием той же техники функций Грина, что и для ламинированных структур, с соответствующими модификациями, для учета непрерывного изменения потенциала в барьере Шоттки. С помощью перечисленных методов исследована зависимость коэффициента инжекции тока от параметров структуры. Расчет показал, что в подобной системе коэффициент инжекции спин-поляризованного тока может достигать значительной величины. Полученные результаты могут служить стимулом для создания устройств спиновой электроники на базе обычных полупроводников, например, магнитной оперативной памяти.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Жуков, Илья Владимирович, 2005 год

1. DiVincenzo D. P. Quantum computation // Science 1995. - Vol. 270. - P. 255-261.

2. Das Sarma S., Fabian J., Ни X., Zutic I. Spintronics: electron spin coherence, entanglement, and transport // Superlattices Microstruct. -2000. Vol. 27. - P. 289-295.

3. Baibich M. N., Broto J. M., Fert A., Nguyen Van Dau F., Petroff F., Etienne P., Creuzet G., Friederich A., Chazelas J. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices // Phys. Rev. Lett. 1988. - Vol. 61. - P. 2472-2475.

4. Bisnach G., Grunberg P., Saurenbach F., Zinn W. Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange // Phys. Rev. В 1989. - Vol. 39. - P. 4828-4830.

5. Prinz G.A. Spin-polarized transport // Physics Today. 1995. - Vol. 48., N 4.- P. 58-63.

6. Prinz G.A. Magnetoelectronics // Science. 1998. - Vol. 282. - P. 16601663.

7. DiVincenzo D. P. Quantum computing and singlequbit measurements using the spin-filter effect // J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 85. - P. 47854787.

8. DiVincenzo D. P. The physical implementation of quantum computation // Fortschr. Phys. 2000. - Vol. 48. - P. 771-783.

9. Pratt W. P. Jr., Lee S. F., Slaughter J. M., Loloee R., Schoeder P. A., Bass J. Perpendicular giant magnetoresistances of Ag/Co multilayers // Phys. Rev. Lett. 1991. - Vol. 66. - P. 3060-3063.

10. Lee S.F., Pratt W. P., Yang Q., Holody P., Schroeder P. A., Bass J. Two-channel analysis of CPP-MR data for Ag/Co and AgSn/Co multilayers // J. Magn. Magn. Mater. 1993. - Vol. 118. - P. L1-L5.

11. Pratt W. P. Jr., Lee S. F., Holody P., Yang Q., Loloee R., Bass J., Schroeder P. A. Giant magnetoresistance with current perpendicular to the multilayer planes //J. Magn. Magn. Matter. 1993. - Vol. 126. -P. 406-409.

12. Gijs M. A. M., Lenczowski S. K. J., Giesbersk J. B. Perpendicular giant magnetoresistance of microstructured Fe/Cr magnetic multilayers from 4.2 to 300 К // Phys. Rev. Lett. 1993. - Vol. 70. - P. 3343-3346.

13. Dieny B. Classical theory of giant magnetoresistance in spin-valve multilayers: influence of thicknesses, number of periods, bulk and interfacial spin-dependent scattering //J. Phys. Cond. Matt. 1992. - Vol. 4. - P. 8009-8020.

14. Daughton J.M. GMR applications //J. Magn. Magn. Mater. 1999. -Vol. 192. - P. 334-342.

15. Dieny B. Giant magnetoresistance in spin-valve multilayers //J. Magn. Magn. Mater. 1994. - Vol. 136. - P. 335-359.

16. Barnas J., Fert A. Interfacial scattering and interface resistance for penpendicular transport in magnetic multilayers // J. Magn. Magn. Mater. 1994. - Vol. 136. - P. 260-268.

17. Camley R. E., Barnas J. Theory of giant magnetoresistance effects in magnetic layered structures with antiferromagnetic coupling //J. Phys. Rev. Lett. 1989. - Vol. 63. - P. 664-667.

18. Barthelemya A., Fert A. Theory of the magnetoresistance in magnetic multilayers: Analytical expressions from a semiclassical approach // Phys. Rev. В 1991. - Vol. 43. - P. 13124-13129.

19. Hood R. Q., Falicov L. M. Boltzmann-equation approach to the negative magnetoresistance of ferromagneticljnormal-metal multilayers // Phys. Rev. В 1992. - Vol. 46. P. 8287-8296.

20. Levy P. M., Zang S., Fert A. Electrical conductivity of magnetic multilayered structures // Phys. Rev. Lett. 1990. - Vol. 65. - P. 16431646.

21. Levy P. M., Zang S., Fert A. Conductivity and magnetoresistance of magnetic multilayered structures // Phys. Rev. В 1992. - Vol. 45. P. 8689-8702.

22. Vedyayev A. V., Dieny В., Ryzhanova N. Quantum theory of giant magnetoresistance in spin-valve sandwiches // Europh. Lett. 1992.- Vol. 19. P. 329-335.

23. Vedyayev A. V., Cowache C., Ryzhanova N. Dieny B. Quantum effects in the giant magnetoresistance of magnetic multilayered structures //J. Phys. Cond. Matt. 1993. - Vol. 5. - P. 8289-8304.

24. Camblong H. E., Levy P. M. Novel results for quasiclassical linear transport in metallic multilayers // Phys. Rev. Lett. 1992. - Vol. 69.- P. 2835-2838.

25. Mott N. F., Wills H. H. Resistance and thermoelectric properties of the transition metals // Proc. Roy. Soc. A 1936. - Vol. 156. - P. 368-382.

26. Mott N. F. The Resistance and Thermoelectric Properties of the Transition Metals // Proc. Roy. Soc. A 1936. - Vol. 156. - P. 368382.

27. Dorleijn J. W. F. Electrical conduction in ferromagnetic metals // Philips Res. Rep. 1976. - Vol. 31. - P. 287-410.

28. Gurney B. A., Speriosu V. S., Nozieres J. P., Lefakis H., Wilhoit D. R., Need O. U. Direct measurement of spin-dependent conduction-electron mean free paths in ferromagnetic metals // Phys. Rev. Lett. 1993. -Vol. 71. - P. 4023-4026.

29. Falet Т., Fert A. Theory of the perpendicular magnetoresistance in the magnetic multilayers // Phys. Rev. В 1993. - Vol. 48. - P. 7099-7112.

30. Kubo R. Statistical-mechanical theory of irreversible processes //J. Phys. Soc. Jap. 1957. - Vol. 12. - P. 570-586.

31. P. Кубо. Вопросы квантовой теории необратимых процессов. Сб. статей / Под ред. B.JI. Бонч-Бруевича. М., ИЛ, 1961. С. 39.

32. Levy М., Camblong Е., Zhang S. Theory of transport in inhomogeneous Magnetic Structures //J. Appl. Phys. 1994. - Vol. 75. - P. 6906-6908.

33. Vedyaev A., Cowache C., Ryzhanova N., Dieny B. Quantum oscillations in electrical field in the perpendicular transport through an interfacebetween two metallic layers // Phys. lett. A 1995. - Vol. 198. - P. 267273.

34. Vedyaev A., Ryzhanova N., Dieny B. Quantum effects in the giant magnetoresistance (GMR) of magnetic multilayers // Physica. A 1997.- Vol. 241. P. 207-215.

35. Vedyaev A., Chshiev M., Cowache C., Ryzhanova N., Dieny В., Cowache C., Brouers F. A unified theory of CIP and CPP giant magnetoresistance in magnetic sandwiches //J. Magn. Magn. Matter. 1997. - Vol. 172.- P. 53-60.

36. Vedyayev A. V., Chshiev M., Ryzhanova N., Dieny B. Magnetoresistance of magnetic tunnel junctions in the presence of a nonmagnetic layer // Phys. Rev. В 2000. - Vol. 61. - P. 1366-1370.

37. Camblong E., Zhang S., Levy M. Electron transport in magnetic inhomogeneous media // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 51., N. 22. -P. 16052-16072.

38. Sun J. J., Shimazawa K., Kasahara N., Sato K., Kagami Т., Saruki S., Araki S. Magnetic tunnel junctions on magnetic shield smoothed by gas cluster ion beam // J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89. - P. 6653-6656.

39. Bass J., Eid K., Loloee R., Pratt W. P. Jr. // Bull. Am. Phys. Soc. -2000. Vol. 45. - P. 223.

40. Oshima H., Nagasaka K., Seyama Y., Shimizu Y., Eguchi S., Tanaka A. Perpendicular giant magnetoresistance of CoFeB/Cu singleand dual spin-valve films //J. Appl. Phys. 2002. - Vol. 91., N. 10. - P. 81058107.

41. Eid К., Pratt W. P. Jr., Bass J. Enhancing current-perpendicular-to-plane magnetoresistance by adding interfaces within ferromagnetic layers // J. Appl. Phys. 2003. - Vol. 93., N. 6. - P. 3445-3449.

42. Parkin S. S. P., Bhadra R., Roche K. P. Oscillatory magnetic exchange coupling through thin copper layers // Phys. Rev. Lett. 1991. - Vol. 66.- P. 2152-2155.

43. Nagasaka K., Seyama Y., Varga L., Shimizu Y., Tanaka A. Giant magnetroresistance properties of specular spin valve films in a current perpendicular to plane structure //J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89. -P. 6943-6945.

44. Kikkawa J. M., Awschalom D. D. Lateral drag of spin coherence in gallium arsenide. // Nature (London) 1999. - Vol. 397. - P. 139-141.

45. Hagele D., Oestreich M., Ruhle W., Nestle N., Eberl K. Spin transport in GaAs // Appl. Phys. Lett. 1998. - Vol. 73. - P. 1580-1582.

46. Oestereich M., Hubner J., Hagele D., Clar P. J., Heimbrodt W., Ruhle W. W., Ashenford D. E., Lunn B. // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol. 74.- P. 1251-1253.

47. Fiederling R., Keim M., Reuscher G., Ossau W., Schmidt G., Waag A., Molenkamp L. W. Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode // Nature (London). 1999 - Vol. 402. - P. 787-790.

48. Jonker В. Т.", Park Y. D., Bennett B. R., Cheong H. D., Kioseoglou G., Petrou A. Robust electrical spin injection into a semiconductor heterostructure // Phys. Rev. B. 2000. - Vol. 62. - P. 8180-8183.

49. Ohno Y., Young D. K., Beschoten В., Matsukura F., Ohno H., Awschalom D. Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure // Nature (London) 1999. - Vol. 402. - P. 790-792.

50. Lee W. Y., Gardelis S., Choi В. C., Xu Y. B., Smith C. G., Barnes С. H. W., Ritchie D. A., Linfield E. H., Bland J. A. C. Magnetization reversal spin-injection device // Appl. Phys. 1999. - Vol. 85. - P. 6682-6685.

51. Johnson M, Silsbee R. H. Interfacial charge-spin coupling: Injection and detection of spin magnetization in metals // Phys. Rev. Lett. 1985. -Vol. 55. - P. 1790-1793.

52. Filip А. Т., Hoving В. H., Jedema F. J., van Wees B. J., Dutta В., Borghs S. Experimental search for the electrical spin injection in a semiconductor // Phys. Rev. B. 2000. - Vol. 62. - P. 9996-9999.

53. Hammar P. R., Bennett B. R., Yang M. J., Johnson M. Observation of spin injection at a ferromagnetsemiconductor interface // Phys. Rev. Lett. 1999. - Vol. 83. - P. 203-206.

54. Gardelis S., Smith C. G., Barnes С. H. W., Linfield E. H., Ritchie D. A. Spin-valve effects in a semiconductor field-effect transistor: A spintronic device // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60. - P. 7764-7767.

55. Hammar P. R., Bennett B. R., Yang M. J., Johnson M. A Reply to the Comment by F. G. Monzon, H. X. Tang, and M. L. Roukes, and also to the Comment by B. J. van Wees // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol .84.- P. 5024

56. Schmidt G., Ferrand D., Molenkamp L. W., Filip А. Т., van Wees B. J. Fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor // Phys. Rev. В 2000. - Vol. 62.- P. R4790-R4793.

57. Rashba E. I. Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem // Phys. Rev. В 2000.- Vol. 62. P. R16 267-R16 270.

58. Rashba E. I. Diffusion theory of spin injection through resistive contacts // Eur. Phys. J. В 2002. - Vol. 29. - P. 513-527.

59. LaBella V. P., Bullock D. W., Ding Z., Emery C., Venkatesan A., Oliver W. F., Salamo G. J., Thibado P. M., Mortazavi M. Spatially resolved spin-injection probability for gallium arsenide // Science. 2001. -Vol. 292. - 1518-1521.

60. LaBella V. P., Bullock D. W., Ding Z., Emery C., Venkatesan A., Oliver W. F., Salamo G. J., Thibado P. M., Mortazavi M. Spin polarization of injected electrons (reply) // Science. 2002. - Vol. 292. P. 1195.

61. Heersche H. В., Schapers Th., Nitta J., Takayanagi H. Enhanxment of spin injection from metal into a two-dimentional electron gas using a tunnel barrier // Phys. Rev. В 2001. - Vol. 64. - P. 161307-1 - 1613074.

62. Kravchenko V. Y., Rashba E. I. Spin injection into a ballistic semiconductor microstructure // Phys. Rev. В 2003. - Vol. 67. -P. 121310-1 - 121310-4.

63. Rudiger U., Calarco R., May U., Samm K., Hauch J., Kittur H., Sperlich M., Gunterodt G. Temperature dependent resistance of magnetic tunnel junctions // J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89. - P. 7573-7573.

64. Prins J. M. W., van Kempen H., van Leuken H., de Groot R. A., van Roy W., De Boeck J. Spin-dependent transport in metal/semiconductor tunnel junctions // J. Phys.: Condens. Matter. -1995. Vol. 7 - P. 94479464.

65. Zhu H. J., Ramsteiner M., Kostial H., Wassermeier M., Schonherr H.-P., Ploog К. H. Room-temperature spin injection from Fe into GaAs // Phys. Rev. Lett. 2001. - Vol. 87. - P. 016601-1 - 016601-4.

66. Flederling R., Kelm M., Reuseher G., Ossau W., Schmidt G., Waag A., Molenkamp L. W. Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode // Nature, 1999. - Vol. 402. - P. 787-790.

67. Kane C. L., Serota R. A., Lee P. A. Long-range correlations in disordered metals // Phys. Rev. В 1988. - Vol. 37. - P. 6701-6710.

68. Velicky B. Theory of Electron Transport in Disodered Binary Alloy: Coherent potential Approximation // Phys. Rev. B. 1969 - Vol. 184., N 3 - P. 614-627.

69. Slonczewski J. S., Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier // Phys. Rev. В 1989. - Vol. 39. - P. 6995-7002.