Люминесцентные свойства имплантированных пленок SiO2 с квантовыми точками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Бунтов, Евгений Александрович

• Бунтов, Евгений Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Бунтов, Евгений Александрович

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. НАНОКЛАСТЕРЫ В ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ

1Л. Формирование наночасгиц и кластеров в диэлектрических матрицах

1.1.1. Нанокластеры в оптоэлектроиике

1.1.2. Имплантация как метод формирования нанокластеров в материалах

1.2. Спектроскопия и оптические свойства наноструктурированных тонконленочных структур

1.2.1. Интерференционные эффекты

1.2.2. Размерные эффекты и люминесценция

1.2.3. Проблема модификации структуры и свойств матрицы

1.2.4. ФСЭЭ-спектроскопия стекол 8Ю

1.3. Полупроводниковые квантовые точки в 8Ю

1.3.1. Кремниевые нанокристаллы

1.3.2. Квантовые точки сложного состава.

1.4. Постановка задач исследования

2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Объекты исследования и их аттестация

2.1.1. Пленки ЯЮг^

2.1.2. Пленки БЮз^п

2.1.3. Пленки 8Ю2:8кС

2.2. Фотолюминесцентные измерения

2.2.1. Стационарная люминесценция

2.2.2. Время-разрешепная фотолюминесценция

2.2.3. Разработка методики коррекции спектров возбуждения ФЛ с учетом интерференции падающего света

2.3. Фотоэмиссионная спектроскопия

2.3.1. Экспериментальный комплекс для регистрации ФСЭЭ

2.3.2. Разработка методики обработки спектров ФСЭЭ

2.3.3. Разработка программного обеспечения для анализа спектров ФСЭЭ

2.4. Выводы к главе

3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ФОТОЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПЛЕНОК 8Ю

3.1. Особенности фотовозбуждения электронной эмиссии и люминесценции пленок 8Ю2:81+

3.1.1. Электронная эмиссия

3.1.2. Люминесценция

3.2. Люминесцирующие кластеры в пленках и стеклах 8Ю2:8п+

3.3. Анализ экспериментальных спектров возбуждения ФЛ

3.4. Выводы к главе

4. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В ПЛЕНКАХ 8Ю2:81:С

4.1. Спектры люминесценции кластеров 81, С и 81С

4.2. Темпера гурнан зависимость ФЛ

4.3. Возбужденные состояния углеродных нанокласгеров

4.4. Подвижные экситоны в фотолюминесценции

4.4.1. Экситоппая полоса ВФЛ

4.4.2. Схема оптических переходов

4.5. Выводы к главе

5. МОДИФИКАЦИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК 8Ю2 ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ КИСЛОРОДА И СЕРЫ

5.1. Фотолюминесценция

5.1.1. Структура Si02:0+

5.1.2. Структуры Si02:S+ 113 5.2. Колебательные состояния молекулярных ионов

5.2.1. Ионы кислорода

5.2.2. Молекулы серы 120 Выводы к главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Люминесцентные свойства имплантированных пленок SiO2 с квантовыми точками»

Актуальность проблемы. Исследования низкоразмерных и наноструктурированных материалов относятся к наиболее активно развивающемуся направлению современной физики конденсированного состояния. В таких исследованиях важное место отводится изучению люминесцентно-оптических свойств квантово-размерных систем, что связано с необходимостью решения качественно новых фундаментальных и прикладных проблем оптоэлектроники и нанофотоники. В круг подобных проблем входят ионно-лучевой синтез эффективных светоизлучающих структур на базе непрямозонных полупроводников, интеграция на одном чипе световодов, оптических усилителей, элементов памяти и др.

Благодаря уникальным свойствам и возможности регулирования спектральных характеристик, наибольший научный и практический интерес представляют композитные структуры с квантовыми точками (КТ) в диэлектрических матрицах. Под квантовыми точками понимаются квазинульмерпые образования (013) с дискретным спектром электронных состояний, в которых электронные возбуждения (носители заряда или экситоны) претерпевают квантовое ограничение по всем трем измерениям. Варьирование размеров, формы, структуры и состава полупроводниковых КТ (сульфидных, карбидных, оксидных и др.) позволяет управлять целым комплексом их электронно-оптических свойств.

Свойства пизкоразмерпых структур сильно отличаются от таковых для объемных материалов, характеризуются квантовыми эффектами и могут быть адекватно описаны лишь с применением комплекса современных методов исследования. В настоящее время использование оксидных структур с полупроводниковыми квантовыми точками ограничивается недостаточным знанием их энергетического строения и природы оптических переходов. Дисперсия размеров наночастиц и кластеров, получаемых методами ионно-лучевых технологий, приводит к статистическому распределению их спектрально-кинетических параметров, обеспечивая многообразие механизмов переноса и диссипации энергии в подобных структурах. Внедрение наночастиц в структуру твердого тела дополнительно ставит проблему взаимодействия в системе «частица-матрица». Использование широкозонных диэлектрических матриц пониженной размерности, характерных для современной полупроводниковой технологии, таких как тонкие пленки 8Ю2, 7 значительно расширяет спектр возможных взаимодействий между элементарными возбуждениями матрицы, имплантационными дефектами и квантовыми точками, которые в настоящее время не изучены. Таким образом, исследование электронно-оптических свойств квантовых точек и их взаимодействий с диэлектрической матрицей является актуальной проблемой физики конденсированного состояния.

Целью диссертационной работы является комплексное исследование закономерностей формирования люминесцентных свойств квантовых точек Бц С, а также фоточувствительпых молекулярных ионов кислорода и серы в ионно-имплантированных пленках диоксида кремния.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие основные задачи:

1. Адаптация экспериментальных методик нестационарной фотолюминесцентной и фотоэмиссионной спектроскопии для исследования ионно-имплантировапных пленок 8Ю2 с люминесцирующими квантовыми точками. Разработка методики моделирования эффектов интерференции в спектрах УФ и ВУФ возбуждения фотолюминесценции тонких пленок.

2. Изучение спектрально-люминесцентных и фотоэмиссионных свойств нанокластеров элементарного состава, сформированных в пленках диоксида кремния при имплантации ионов 8Г, 8п+.

3. Исследование закономерностей низкотемпературной люминесценции кластеров 81, С, 81С в имплантированных пленках 8Ю2.

4. Анализ энергетической структуры молекулярных центров кислорода и серы как модификаторов люминесценции имплантированных пленок 8Ю2.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые на примере тонких пленок 8Ю2 предложена и реализована в программных кодах новая методика моделирования и коррекции эффектов интерференции в спектрах УФ- и ВУФ-возбуждения квантовых точек.

2. Впервые получены спектры фотолюминесценции (ФЛ), возбуждения ФЛ, температурные и кинетические зависимости пленок 8Ю2 с нанокластерами 8й С, 8Ю при возбуждении синхротронным излучением в области ближнего и вакуумного ультрафиолета.

3. Впервые методом фотолюминесценции с селективным возбуждением исследовано влияние термической обработки на свойства углеродсодержащих кластеров в пленках 8Ю2.

4. Впервые методами фотолюминесценции и комбинационного рассеяния обнаружены и изучены электронно-колебательные состояния молекулярных ионов серы и кислорода в имплантированных пленках 8Ю2.

Основные защищаемые положения:

1. Разработанная методика моделирования и учета эффектов интерференции обеспечивает достоверность спектральных измерений и повышает информативность спектров возбуждения фотолюминесценции ионно-имплантированных пленок 8Ю2 толщиной 300 - 800 им в УФ и ВУФ диапазонах.

2. Экспериментально установленные температурные зависимости фотолюминесценции кластеров кремния и углерода при возбуждении в ВУФ-области спектра в интервале 7 - 300 К характеризуются двумя стадиями, обусловленными различными механизмами тушения.

3. Схема фотовозбуждения люминесцирующих нанокластеров углерода включает каналы переноса энергии с участием подвижных и автолокализованных экситонов тонкопленочной матрицы 8Ю2.

4. Имплантация ионов 0+ и 8+ с последующим отжигом при температуре 900 °С приводит к образованию в пленках 8Ю2 оптически активных молекулярных центров, идентифицированных как 02, 02\ 82.

Практическая значимость.

1. Разработана методика и соответствующая компьютерная программа, обеспечивающие повышенную информативность при моделировании эффектов интерференции и коррекции УФ (ВУФ)-спектров возбуждения фотолюминесценции, искаженных вследствие неоднородного распределения возбуждающего света в тонкопленочных структурах с квантовыми точками.

2. Установленные физические закономерности формирования электронно-оптических свойств люминесцирующих квантовых точек, встроенных в матрицу 9 диоксида кремния, могут быть использованы при прогнозировании параметров наноструктурированных объектов подобного класса, а также при проектировании перспективных устройств и приборов оптоэлектроники и нанофотоники.

3. Предложен новый наноструктурный материал на основе пленок Si02 с наночастицами олова с повышенным выходом люминесценции и расширенной областью спектрального возбуждения, предназначенный для использования в качестве элементов волоконной техники и интегральной оптики (микроминиатюрных источников света и конверторов коротковолнового излучения).

4. Оригинальные методики для анализа спектральных зависимостей ФЛ и фотостимулированной электронной эмиссии (ФСЭЭ), реализованные в виде специализированного пакета зарегистрированных в государственном реестре РФ программ для ЭВМ, представляют интерес для фотолюминесцентной и фотоэмиссионной спектроскопии широкого класса объектов.

Личный вклад автора.

Автор выполнил весь комплекс измерений стационарной фотолюминесценции, фотостимулированной электронной эмиссии, описание результатов, обработку и анализ спектров люминесценции с возбуждением синхротропным излучением. Время-разрешенные ВУФ-спектры ФЛ и ВФЛ измерены В.А. Пустоваровым. Изготовление и первичная аттестация образцов проведена в научных группах Г.И. Фиттинга (Германия) и Д.И. Тетельбаума (г. Нижний Новгород).

Автором разработаны и реализованы в виде компьютерных программ методики учета интерференционных эффектов и коррекции спектров возбуждения фотолюминесценции. Автору лично принадлежат формулировки защищаемых положений, выводов по главам и заключения диссертации.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены на следующих конференциях: на 18 семинаре «Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-18)» (Гатлинбург, США. 2010); на 7, 8 и 9 международных симпозиумах «Si02, Advanced Dielectrics and Related Devices» (Сен-Этьен, Франция, 2008, Варенна, Италия, 2010, Йер, Франция, 2012); па 15 международной конференции «Luminescence and Optical

10 spectroscopy of Condensed Matter» (Лион, Франция, 2008); на 19 и 20 Международных конференциях «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 2009, 2011); на Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации - ФФХОИ-2010» (Нижний Новгород, 2010); на третьей всероссийской конференции по наномагериалам «НА1Ю-2009» (Екатеринбург, 2009); на 12, 13, 14 и 17 Всероссийских научных конференциях студентов-физиков и молодых ученых (Новосибирск, 2006; Ростов-на-Дону, Таганрог, 2007; Уфа, 2008; Екатеринбург, 2011); па международной научно-технической школе-конференции «Молодые ученые -науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (Москва, 2006, 2008); на международной школе-семинаре для молодых ученых «Сцинтилляционные материалы и детекторы ионизирующих излучений» (Харьков, Украина, 2008).

Исследования по тематике диссертационной работы проводились в рамках проектов РФФИ:

- № 08-02-01072 «Электронно-колебательные состояния и радиационные дефекты в неупорядоченных, пизкоразмерных и наноструктурированных оксидных матрицах на основе кремния и его аналогов»;

- № 08-02-99080 «Синтез и радиационно-оптические свойства наноразмерных кристаллов широкозонных оксидов».

Публикации. Результаты исследований представлены в 10 статьях в зарубежных и отечественных реферируемых журналах, 3 статьях в сборниках трудов и 11 тезисах докладов международных и российских конференций, в 4 свидетельствах о государственной регистрации программ для ЭВМ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Бунтов, Евгений Александрович

Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем:

1. Разработаны новые методики автоматического анализа сложных спектров ФЛ и ФСЭЭ. Методики реализованы в виде комплекса программных модулей («SemiFit», «ФСЭЭ fitter»), внесенных в государственный реестр программ для ЭВМ. Методики и программный комплекс успешно использованы для анализа электронно-оптических свойств систем Si02:Si, Si02:Sn. Si02:Si:C.

2. Обоснована и подтверждена необходимость применения время-разрешенной фотолюминесцентной спектроскопии с импульсным синхротронным возбуждением для исследования закономерностей люминесценции полупроводниковых наночастиц в тонкопленочной матрице Si02.

3. Характерная особенность фотолюминесцентной спектроскопии имплантированных тонкопленочных наноструктур с синхротронным ВУФ-возбуждением состоит в том, что получаемая в эксперименте информация искажена эффектами интерференции. Для анализа указанных эффектов разработан и реализован расчетный метод моделирования интерференционных явлений, учитывающий пространственное распределение люминесцирующих кластеров (квантовых точек) по толщине тонкопленочной матрицы. С использованием разработанного метода и оригинального программного обеспечения выполнена коррекция экспериментальных спектров, на основе которых определены достоверные значения спектроскопических параметров люминесцирующих пленок 8Ю2:81+, 8Ю2:8п+.

4. Изучены закономерности низкотемпературной люминесценции имплантированных пленок, обнаружено проявление квантово-размерных эффектов в люминесценции кластеризованных ионов-имплантантов, идентифицированы квантовые точки простого (81, С) и бинарного (8Ю) составов. В рамках модели пространственно-ограниченных экситонов рассчитаны размерные характеристики люминесцирующих наночастиц (3 - 5 нм), согласующиеся с результатами электронно-микроскопических измерений.

5. Показано, что при температурах жидкого гелия в процессе возбуждения люминесценции квантовых точек значительную роль играют подвижные экситоны матрицы 8Ю2. Вывод о высокой подвижности экситонов базируется на анализе лоренцевой формы полосы возбуждения 10.2 эВ и микросекундной кинетике затухания свечения. Для системы «матрица 8Ю2 - кластер углерода» предложена соответствующая схема оптических переходов.

6. Исследована энергетическая структура имплантированных пленок 8Ю2:0+, 8Ю2:8+. Идентифицированы молекулярные центры свечения 02, 02", 802 и детально изучены их спектроскопические свойства. Общая закономерность люминесценции центров кислорода и серы состоит в проявлении внутримолекулярных электронно-колебательных взаимодействий. Отличительная особенность люминесценции центров 02 заключается в аномально большом интервале между энергетическим положением полос возбуждения и излучения.

7. Совокупность полученных экспериментальных данных позволяет прогнозировать потенциальную возможность использования квантовых точек и С в имплантированных пленках БЮ2 для сенсибилизации люминесценции молекулярных центров 02, 02" и 82. Совпадение энергетического положения возбужденных состояний молекулярных центров, кремниевых и углеродных кластеров обеспечивает

126 благоприятные условия для безызлучательиой передачи энергии между возбужденными состояниями ne-Si—>02(02"), nc-C*—>S2* и nc-C*—>S02* при повышенных (комнатных) температурах.

Автор выражает глубокую благодарность:

1. Научному руководителю Кортову Всеволоду Семеновичу за помощь и поддержку в ходе подготовки диссертационной работы.

2. Научному консультанту Зацепину Анатолию Федоровичу за многочисленные плодотворные консультации по тематике диссертационной работы и помощь в проведении научных исследований.

3. Профессору Пустоварову Владимиру Алексеевичу за осуществление люминесцентных экспериментов на синхротроне ОЕБУ.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Бунтов, Евгений Александрович, 2012 год

1. Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of porous silicon films / A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Ilerino, M. Ligeon, F. Muller // Appl. Phys.Lett. 1991. - Vol.59. - P.304-306.

2. Lalic, N. Characterization of a porous silicon diode with efficient and tunable electroluminescence / N. Lalic, J. Linnros // J. Appl. Phys. 1996. - Vol.80, №10. -P.5971-5977.

3. Red electroluminescence in Si+-implantcd sol-gel-derived Si02 films / K. Luterova, I. Pclant, J. Valenta, J.-L. Rehspringer, D. Muller, J.J. Grob, J. Dian, B. Honerlage // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol.77, №19. - P.2952-2954.

4. Optical properties of silicon nanocrystal LEDs / J. De La Torre, A. Soui, A. Poncet, C. Busseret, M. Lemiti, G. Bremond, G. Guillot, O. Gonzalez, B. Garrido, J.R. Morante, C. Bonafos // Physica E. 2003. - Vol.16. - P.326-330.

5. Light emitting devices based on nanocrystalline-silicon multilayer structure / M. Wang, A. Anopchenko, A. Marconi, E. Moser, S. Prezioso, L.Pavesi, G. Pucker, P.Bellutti, L.Vanzetti // Physica E. 2009. - Vol.41, - P.911-915.

6. Enhancement of electroluminescence in p-i n structures with nano-crystalline Si/Si02 multilayers / D.Y. Chen, D.Y. Wei, J. Xu, P.G. Han, X. Wang, Z.Y. Ma, K.J. Chen, W.H. Shi, Q.M. Wang // Semicond. Sei. Technol. 2008. - Vol.23. - P. 015013.

7. Optical gain in silicon nanocrystals / L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo // Nature (London). 2000. - Vol.408. - P.440-444.

8. Optical gain in Si/Si02 lattice: Experimental evidence with nanosecond pulses / L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol.79, №9. - P. 1249-1251.

9. Electroluminescence of silicon nanocrystals in MOS structures / G. Franzo, A. Irrera. E.C. Moreira, M. Miritello, F. lacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo // Appl. Phys. A. 2002. - Vol.74. - P. 1-5.

10. Optical gain in silicon nanocrystals / L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo // Nature (London). 2000. - Vol.408. - P.440-444.

11. A silicon nanocrystals based memory / S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E.F. Crabbe, K. Chan // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol.68. - P. 1377-1379.

12. De Blauwe, J. Nanocrystal nonvolatile memory devices / Jan De Blauwe // IEEE 'frans. Nanotechnology. 2002. - Vol.1, №1. - P.72-77.

13. Volatile and nonvolatile memories in silicon with nano-crystal storage / S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, C. Wei, D. Buchanan // IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. 1995. P. 521-524.

14. Елисеев A.A., Лукашин A.B. Функциональные наноматериалы / под. ред. Ю.Д. Третьякова, М.:Физматлит, 2010. 456 е.

15. М. Nastasi J.W. Mayer (2006) Ion Implantation and Synthesis of Materials, Springer, Berlin Heidelberg New York.

16. Зацепин А.Ф., Касчиева С., Бирюков Д.Ю. и др. Образование и электроннолучевой отжиг имплантациоппых дефектов в тонкопленочной гетероструктуре Si-Si02 // Журнал технической физики. 2009. Т.79. №2. С. 155-158.

17. Weeks R.A. Optical and magnetic properties of ion implanted glasses, in: J. Zarzychi (Ed.), Materials Science and Technology, vol. 9, VCII, Weinheim, 1991, p. 331, and references therein.

18. Salh R., Fitting L., Kolesnikova E.V. и др. Si and Ge nanocluster formation in Silica matrix // Физика и техника полупроводников. 2007. Т.41, №4. С.397-402.

19. R.T. Holm, S.W. McKnight, E.D. Palik, W. Lukosz. Applied Optics V. 21. No. 14 (1982) p.2512-2519.

20. Zatsepin, A.F. Buntov, E.A., Kortov, V.S. et al. J. Phys.: Condens. Matter, 24 (2012) 045301.

21. Ekimov, A.I. Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots in Glass Matrix // Physica Scripta. 1991. T39, P.217.

22. Borelli N.F., Flail D. W., Holland H.J., Smith D.W. Quantum confinement effects of semiconducting microcrystallites in glass //J. Appl. Phys. 1987. V.61. P.5399.

23. Brus L.E. Quantum crystallites and nonlinear optics // Appl. Phys. A. 1991. V.53. P.465-474.

24. Bawendi M.G., Steigerwald M.L. Brus L.E. The Quantum Mechanics of Larger Semiconductor Clusters ("Quantum Dots") И Annual Rev. Phys. Chem. 1990. V.41 P.477.

25. Wang Y. Nonlinear optical properties of nanometer-sized semiconductor clusters // Acc. Chem. Res. 1991. V.24. P.133.

26. Banyai, L. and S.W. Koch (1993): Semiconductor Quantum Dots, Series on Atomic, Molecular and Optical Physics Vol. 2, World Scientific, Singapore.

27. Haug, H. and L. Banyai, (eds.) (1989): Optical Switching in Low-Dimensional Systems, Plenum Press, New York.

28. DAndrea, A., R. Del Sole, R. Girlanda, and A. Quattropani (eds.) (1992): Optics of Excitons in Confined Systems, IOP Conf. Ser. 123, IOP Publishing Ltd. Bristol.

29. Identification of radiative transitions in highly porous silicon / P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead // J. Phys: Condens. Matter. 1993. - Vol.5. -P.L91-L98.

30. Brus L. E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: The size dependence of the lowest excited electronic state // J. Chem. Phys. 1984. V.80. P.4403-4410.

31. Vasilevskiy M. I. "Exciton-phonon interaction in semiconductor nanocrystals" in A. L. Rogach (Ed.) "Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots Synthesis, Assembly, Spectroscopy and Applications", Springer-Verlag/Wicn (2008).

32. Bockelmann U„ Bastard G. Phonon scattering and energy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases // Physical Review B. 1990. V.42 P.8947-8951.

33. Fomin V.M., Gladilin V.N., Devreese J.T. et al. Photoluminescence of spherical quantum dots. // Phys. Rev. B. 1998. V.57. P.2415-2425.

34. Devreese J.T. Frohlich polaron from 0D to 3D: concepts and recent developments. // J. of Physics Condensed Matter. 2007. V.19. P.255201.

35. Vasilevskiy M.I., Anda E.V. Makler S.S. Electron-phonon interaction effects in semiconductor quantum dots: a non-perturbative approach. // Phys. Rev. B. 2004. V.70. P.035318.

36. Jacak L. Machnikowski P., Krasnyi J., Zoller P. Coherent and incoherent phonon processes in artificial atoms. // European Physical Journal D. 2003. V.22 P.319- 331.

37. Besombes L., Kheng K., Marsal L., Mariette II. Acoustic phonon broadening mechanism in single quantum dot emission. // Phys. Rev. B. 2001. V.63. P. 155307.

38. Krummheuer B., Axt V.M., Kuhn T. Theory of pure dephasing and the resulting absorption line shape in semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B. 2002. V.65 P.195313.

39. Henderson B., Imbusch G.F. (1989) Optical spectroscopy of solids. Oxford University Press.

40. Allan G., Delercu C. Energy transfer between semiconductor nanocrystals: validity of Forster's theory. // Phys. Rev. B 2007. V.75. P. 19531 1.

41. Magruder R.H. Ill, Weeks R. A., Weller R. A., Zuhr R. A. Effects of multi-energy Si and O ion implantation on the optical properties of silica // J. of Non-Cryst. Solids. 2002. V.304. P.224-232.

42. Magruder R.II. Ill, Weeks R. A. Weller R. A. Luminescence and absorption in type III silica implanted with multi-energy Si, O and Ar ions // J. of Non-Cryst. Solids. 2003. V.322. P.58-67.

43. Carvalho W., Dumas P., Corset J., Newman V. Raman spectra and oxygen-related absorption bands in pure silica core fibres // J. Raman Spectroscopy. 1985. V.16 P.330-331.

44. L. Skuja, in: G. Pacchioni, L. Skuja, D.L. Griscom (Eds.), Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, NATO Science Series, Kluwer Academic, Dordrecht, Netherlands, 2000, p. 73.

45. Skuja L., Guttler B. Detection of Interstitial Oxygen Molecules in Si02 Glass by a Direct Photoexcitation of the Infrared Luminescence of Singlet 02 // Phys. Rev. Lett. 1996. V.77. P.2093.

46. Badger R.M., Wright A.C., Whitlock R.F. Absolute Intensities of the Discrete and Continuous Absorption Bands of Oxygen Gas at 1.26 and 1.065 p and the Radiative Lifetime of the 1 Ag State of Oxygen // J. Chem. Phys. 1965. V.43 P.4345.

47. Schweitzer C., Schmidt R. Physical Mechanisms of Generation and Deactivation of Singlet Oxygen//Chem. Rev. 2003. V.103. P.1685-1758.

48. Mochizuki, K., Nainihira, Y., Kuwazuru, M., and Nunokawa, M., Influence of Hydrogen on Optical Fiber Loss in Submarine Cables, J. Lightwave Technol., 1984, vol. 2, pp. 802-807.

49. Герасимова В. П., Заворотный 10. С., Рыбалтовский А. О. и др. Центры окраски кварцевых стекол, легированных серой: спектроскопические проявления междоузельпого молекулярного иона S2+ // Физика и химия стекла. 2002. Т.28. №1. С.8-16.

50. Герасимова В. И., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В. и др. Центры окраски кварцевых стекол, легированных серой: спектроскопические проявления междоузельной молекулы S02 // Физика и химия стекла. 2003. Т.29. №3. С.329-334.

51. Герасимова В. П., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В., Циммерер Г. Влияние матрицы кварцевого стекла на спектры междоузельпых молекул S2 // Физика и химия стекла. 2002. Т.28. №2. С.89-98.

52. Е. Gross, D. Kovalev, N. Kunzner, J. Diener, and F. Koch. Spectrally resolved electronic energy transfer from silicon nanocrystals to molccular oxygen mediated by direct electron exchange // Physical Review В 68, 115405 (2003).

53. Кортов B.C., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссиоиный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Паукова думка (1986).

54. Арбузов В.И., Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Толстой М.Н. Физика и химия стекла, 19 (1994) 475-481.

55. Зацепин, А.Ф. Анализ неселективных спектров фотостимулированной электронной эмиссии с поверхности облученных диэлектриков / А.Ф. Зацепин, Д.Ю. Бирюков, B.C. Кортов // ЖПС. 2005. Т. 72, № 3, с. 381-385.

56. Зацепин, А.Ф. Учет нестационарпости при анализе спектров фотостимулированной электронной эмиссии с поверхности облученных диэлектриков / А.Ф. Зацепин, Д.Ю. Бирюков, B.C. Кортов // ЖПС, 2005. Т. 72. № 5. с. 615-621.

57. Zatsepin, A.F. Method for the analysis of nonselective spectra of optically stimulated electron emission from irradiated dielectrics Текст. / A. F. Zatsepin, D. Yu. Biryukov, and V. S. Kortov // phys. stat. sol. (a). 2005. 202, No. 10, 1935-1947

58. А.Ф. Зацепин, Д.Ю. Бирюков, B.C. Кортов. Фотоэлектронная спектроскопия Е'-центров в кристаллическоми стеклообразном диоксиде кремния // Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2, с.229-238

59. A.F. Zatsepin, V.S. Kortov, D.Yu. Biryukov. Non-radiative relaxation of excited states of non-bridging oxygen hole centcrs in silica // Phys. stat. sol. (c) 4, No. 3, 789- 792 (2007)

60. А.Ф. Зацепин. Статика и динамика возбужденных состояний кислородно-дефицитных центров в Si02 // Физика твердого тела, 2010, том 52, вып. 6, с.1104-1114.

61. А.Ф. Зацепин, B.C. Кортов, Н.В. Гаврилов, Д.Ю. Бирюков. Фотоэмиссионные и люминесцентные свойства кварцевого стекла, имплантированного Cuf ионами // Поверхность. Рентгеновские, синхротроппые и нейтронные исследования, 2008, вып. 6. с. 31-34.

62. U. Woggon. Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots. Springer Tracts in Modern Physics. Volume 136. (1997) Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York.

63. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. P. 1046-1049.

64. Shimizu-Kvayama Т., Oshima M., Niimi T. et al. Visible photoluminescence related to Si precipitates in Si+-implanted Si02 // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V.5. P.L375.

65. Guo L., Leobandung E., Cliou S. Y. A room-temperature silicon single-electron metal-oxide-semiconductor memory with nanoscale floating-gate and ultranarrow channel. // Appl. Phys. Lett. 1997. V.70. P.850-853.

66. Tiwari S., Rana F., Hanafi II. et al. A silicon nanocrystals based memory. // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. P.1377-1380.

67. Lalic N., Linnros J. Light emitting diode structure based on Si nanocrystals formed by implantation into thermal oxide. //J. of Luminescence 1999. V.80. P.263-267.

68. Normand P., Tsoukalas D., Kapetanakis E. et al. Formation of 2-D Arrays of Silicon Nanocrystals in Thin Si02 Films by Very-Low Energy Si+ Ion Implantation // Electrochem. Solid State Lett. 1998. V.l. P.88-90.

69. Pavesi L., Dal Negro L., Mazzoleni C. et al. Optical gain in silicon nanocrystals // Nature 2000. V.408. P.440-444.

70. Fujii M., Yoshida M., Kanzavva Y. et al. 1.54 pm photoluminescence of Er3+ doped into Si02 films containing Si nanocrystals: Evidence for energy transfer from Si nanocrystals to Er3+ // Appl. Phys. Lett. 1997. V.71. P.l 198.

71. Brongersma M. L., Polman A., Min K. S., Atvvater H. A. Depth distribution of luminescent Si nanocrystals in Si implanted Si02 films on Si // J. Appl. Phys. 1999. V.86. P.759.

72. Brongersma M. L., Polman A., Min K. S. et al. Tuning the emission wavelength of Si nanocrystals in Si02 by oxidation. //Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. P.2577-2580.

73. Neufeld E., Wang S., Apetz R. et al. Effect of annealing and H2 passivation on the photoluminescence of Si nanocrystals in Si02 // Thin Solid Films 1997. V.294. P.238-241.

74. Brongersma M. L., Kik P. G., Polman A., Min K. S., Atwater H. A. Size-dependent electron-hole exchange interaction in Si nanocrystals // Appl. Phys. Lett. 2000. V.76. P.351-354.

75. Zhuralev K. S., Gilinsky A. M., Kobitsky A. Y. Mechanism of photoluminescence of Si nanocrystals fabricated in a Si02 matrix // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. P.2962-2965.

76. Shimizu-Iwayama T., Hole D.E. Boyd I.W. Mechanism of photoluminescence of Si nanocrystals in Si02 fabricated by ion implantation: the role of interactions of nanocrystals and oxygen // J. Phys.: Condens. Matter 1999. V.l 1, P.6595.

77. White C. W., Withrovv S. P., Meldrum A. et al. Optical Properties Of Si Nanocrystals Formed In Si02 By Ion Implantation // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. V.507. P.249.

78. Kovalev D., Diener J., Heckler H. et al. Optical absorption cross sections of Si nanocrystals //Phys. Rev. B 2000. V.61. P.4485-4487.

79. Wolkin M. V., Jörne J. Fauchet P. M., Allan G., Delerue C. Electronic States and Luminescence in Porous Silicon Quantum Dots: The Role of Oxygen // Phys. Rev. Lett. 1999. V.82. P.197-200.

80. Kim S., Choi S.-H. Size-Dependent Correlation of the Photoluminescence Lifetime with Si Suboxide States at Si nanocrystal // J. of the Korean Phys. Soc. 2008. V.52. No.2. P.462-465.

81. Cooke D. W., Bennet B. L., Farnum E. H. et al. SiOx luminescence from light-emitting porous silicon: Support for the quantum confinement/luminescence center model // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. P.1663-1665.

82. Filonov A. B., Kholod A. N., Borisenko V. E. et al. Oxygen effect on optical properties of nanosize silicon clusters//Phys. Rev. B 1998. V.57. P. 1394-1397.

83. Min K.S., Schcglov K.V., Yang C.M. et al. Defect-related versus excitonic visible light emission from ion beam synthesized Si nanocrystals in Si02 // Appl. Phys. Lett. 1996. V.69. P.2033-2036.

84. Withrow S.P., White C.W., Meldrum A. et al. Effects of hydrogen in the annealing environment on photoluminescence from Si nanoparticles in Si02 // J. Appl. Phys. 1999. V.86. P.396.

85. López M., Garrido B., Bonafos C. et al. Model for efficient visible emission from Si nanocrystals ion beam synthesized in Si02 // Nucl. Instrum. Methods B 2001. V.178. P.89-92.

86. Yanagiya S. Ishida M. Optical and electrical properties of A1203 films containing silicon nanocrystals //J. Electron. Mater. 1999. V.28. P.496-502.

87. Godefroo S., Hayne M., Jivanescu M. et al. Classification and control of the origin of photoluminescence from Si nanocrystals // Nature Nanotechnology 2008. V.3. P. 174178.

88. Zatsepin A.F., Pustovarov V.A., Kortov V.S., Buntov E.A., Fitting H.-J. Time-resolved photoluminescence of implanted Si02:Si+ films // J. of Non-Cryst. Sol. 2009. V.355. P.l 119-1122.

89. White C.W., Budai J.D., Withrow S.P. et al. Encapsulated semiconductor nanocrystals formed in insulators by ion beam synthesis // Nucl. Instrum. Methods B 1998. V.141. P.228-240.

90. A. Meldrum, E. Sonder, R. A. Zuhr, I. M. Anderson, J. D. Budai, C. W. White, L. A. Boatner,D. O. Henderson / A transmission electron microscopy investigation of sulfide nanocrystals formed by ion implantation // J. Mater. Res. 1999, 14, 4489.137

91. D. Matsuura, Y. Kanemitsu, T. Kushida, C. W. White, J. D. Budai, A. Meldrum / Optical characterization of CdS nanocrystals in A1203 matrices fabricated by ion-beam synthesis // Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2289.

92. J.Y. Fan, X.L. Wu, Paul K. Chu / Low-dimensional SiC nanostructures: Fabrication, luminescence, and electrical properties // Progress in Materials Science 51 (2006) 9831031.

93. Devaty RP, Choyke WJ. / Optical Characterization of Silicon Carbide Polytypes // Phys Stat Sol (a) 1997;162:5-38.

94. Canham LT. / Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. //Appl Phys Lett 1990;57:1046-1048.

95. Cullis AG, Canham LT, Calcott DJ. / The structural and luminescence properties of porous silicon. // J Appl Phys 1997;82: 909-965.

96. Brus LB, Szajowski PF, Wilson WL, Harris TD, Schupler S, Citrin PH. / Electronic Spectroscopy and Photophysics of Si Nanocrystals: Relationship to Bulk c-Si and Porous Si.//J. Am Chem Soc 1995;117:2915-2922.

97. Liao LS, Bao XM, Yang ZF, Min NB. / Intense blue emission from porous |i-SiC formed on C-t-implanted silicon. //Appl. Phys. Lett. 66, 2382-2384 (1995).

98. Zhao J, Mao DS, Lin ZX, Jiang BY, Yu YII, Liu XII, et al. / Intense short-wavelength photoluminescence from thermal Si02 films co-implanted with Si and С ions. Appl. Phys. Lett. 73, 1838-1840 (1998).

99. Wu XL, Siu GG, Stokes MJ, Fan DL, Gu Y, Bao XM. / Blue-emitting (3-SiC fabricated by annealing C60 coupled on porous silicon. // Appl. Phys. Lett. 77, 12921294 (2000).

100. Petrova-Koch V, Sreseli O, Polisski G, Kovalev D, Muschik T, Koch F. / Luminescence enhancement by electrochemical etching of SiC(6H). // Thin Solid Films. 255, 107-1 10 (1995).

101. Tetelbaum, D.I., Mikhaylov, A.N., Vasiliev, V.K. et al: Effect of carbon implantation on visible luminescence and comosition of Si-implanted Si02 layers. Surface & Coatings Technology. 203. 2658 2663 (2009).

102. А.И. Белов, A.H. Михайлов и др. / Формирование и «белая» фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiOx, имплантированных ионами углерода // Физика и Техника Полупроводников, 2010, т. 44, вып. 11, с. 1498-1503.138

103. Perez-Rodriguez A, Gonzalez-Varona O, Garrido B, Pellegrino P, Morante JR, Bonafos C, et al. / White luminescence from Si+ and C+ ion-implanted Si02 films // J Appl Phys 2003;94:254.

104. Hosono H., Matsunami N. Structural defects and chemical interaction of implanted ions with substrate structure in amorphous Si02 // Phys. Rev. B. 1993. V.48. No. 18. P.13469-13473.

105. Ziegler J.F., Biersack J.P., Ziegler M.D. SRIM The Stopping and Range of Ions in Matter // http://srim.org.

106. H.-J. Fitting, L. Fitting Kourkoutis, R. Salh. M. V. Zamoryanskaya, and B. Schmidt. / Silicon nanocluster aggregation in Si02:Si layers. // Phys. Status Solidi A 207, No. 1, 117-123 (2010).

107. H.-J. Fitting, L. Fitting Kourkoutis, R. Salh, M. V. Zamoryanskaya, B. Schmidt. / Silicon nanocluster aggregation in Si02:Si layers // Phys. Status Solidi A 207, No. 1, 117-123 (2010).

108. Galeener F. L. / Planar rings in glasses // Solid State Commun., 1982. V.44. P. 1037.

109. Galeener F.L. / Band limits and the vibrational spectra of tetrahedral glasses // Phys. Rev. B, 1978. V.19. P.4292.

110. Murray R. A., Ching W. Y. / Electronic- and vibrational-structure calculations in models of the compressed Si02 glass system // Phys. Rev. B, 1989. V.39. P. 1320.

111. Kuiri P. K„ Lenka H. P., Ghatak J., Sahu G., Joseph B„ Mahapatra D. P. / Formation and growth of Sn02 nanoparticles in silica glass by Sn implantation and annealing // J. Appl. Phys. 2007. V.102. P.024315.

112. Meier C., Ltittjohann S., Kravets V. G. / Vibrational and defect states in SnOx nanoparticles // J. Appl. Phys., 2006. V.99. P. 113108.

113. Katiyar R. S., Dawson P., Hargreave M. M., Wilkinson G. R. / Dynamics of the rutile structure. III. Lattice dynamics, infrared and Raman spectra of Sn02 // J. Phys. C: Sol. State Phys., 1971. V.4. P.2421.

114. Ansari S. G„ Dar M. A., Dhage M. S„ Kim Y. S„ Ansari Z. A., Al-Hajry A., Shin H.-S. / A novel method for preparing stoichiometric Sn02 thin films at low temperature // Rev. Sci. Instr., 2009. V.80. P.045112.

115. Seats M. G., Atkins G. R„ Poole S. B. / Photolytic Index Changes in Optical Fibers // Annu. Rev. Mater. Sci., 1993. V.23. P.381.

116. Пустоваров, В.А. / Электронные возбуждения и радиационные процессы в неорганических сцинтилляторах. индуцированные синхротронным излучением // Дисс. Д.ф.-м.н., Екатеринбург, 1994 г.

117. Zimmerer, G., 2007. / SUPERLUMI: a unique setup for luminescence spectroscopy with synchrotron radiation. // Radiation Measurements 42, 859-864.

118. G. Zimmerer / Status report on luminescence investigations with synchrotron radiation at HASYLAB // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. A308 (1991) 178.

119. R. Smirani, F. Martin, G. Abel, Y.Q. Wang, M. Chicoine, G.G. Ross / The effect of size and depth profile of Si-nc imbedded in a Si02 layer on the photoluminescence spectra // J. Luminescence 115, 62-68 (2005).

120. D.L. Windt. / IMD—Software for modeling the optical properties of multilayer films // Computers in Physics, 12, 360 (1998).

121. S.W. Smith. The Scientist and Engineer's Guide to Digital Signal Processing. California Technical Publishing, San Diego, 1997.

122. Зайдель A.H., Шрейдер Е.Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М.: Наука, 1976.432 с.

123. Ушкова В.И., Кортов B.C. Некоторые вопросы метрологии экзоэмиссионного контроля // VIII Всесоюзн. науч.-техн. конф. по неразрушающим физическим методам и средствам контроля: Тез. докл. Кишинев, 1977. Т.З. С.539-541.

124. Arbuzov V.I., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Tolstoi M.N., Tyukov V.V. / Electronic spectroscopy of intrinsic and extrinsic color centers in surface layers of alkali silicate glasses//J. Non-Crystalline Solids. 1991. v. 134. P.208-217.

125. Zatsepin A.F., Shchapoba J.V., Kortov V.S. Biryukov D.Yu. / Structural disordering effects in optical and electronic properties of phosphate glass. // Proc. XVII Intern. Congress on Glass, Beijing, China, 1995, v.2., p.449-454

126. Zatsepin A.F., Biryukov D.Yu., Kortov V.S. / Method for the analysis of nonselective spectra of optically stimulated electron emission from irradiated dielectrics //Phys. Status Solidi. A202, 10, 1935 (2005).

127. Weinstein, I.A., Zatsepin, A.F. / Modified Urbach's rule and frozen phonons in glasses // Physica Status Solidi C: Conferences 1 (11), pp. 2916-2919

128. Zatsepin A.F., Kortov V.S., Shchapova J.V. / Electron-Phonon Interactions and "Frozen" Phonons during ФСЭЭ of Amorphous Materials. // Scientific Reports of Technical University of Opole, Ser. Physics. 1995. V.16. N215. P.5-14.

129. A.F. Zatsepin, E.A. Buntov / Time-resolved photoluminescence of implanted Si02:Si+films//J. Non-Cryst. Solids. 2009. V. 355. N. 18-21. P. 1123.

130. А.Ф. Зацепин, E.A. Бунтов. Программа для анализа неселективпой компоненты спектров ФСЭЭ «OSEE fitter». Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №2008615379 от 11 ноября 2008 г.

131. М. Kranjcec, LP. Studenyak, M.V. Kurik / On the Urbach rule in non-crystalline solids //J. Non-Cryst. Solids. 2009. V. 355. N. 1. P. 54.

132. D.L. Griscom, in: G. Pacchioni, L. Skuja, D.L. Griscom (Eds.), Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, Kluvver Academic Publishers, 2000, p. 117.

133. Yu. D. Glinka, S.-H. Lin., Y.-T. Chen, / The photoluminescence from hydrogen-related species in composites of Si02 nanoparticles // Appl. Phys. Lett., 75, (1999) p.778-780.

134. S.W. Smith. The Scientist and Engineer's Guide to Digital Signal Processing. California Technical Publishing, San Diego, 1997.

135. Y.Q. Wang, R. Smirani, G.G. Ross, Nanotechnology 15 (2004) 1554.

136. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, M. Akai. S. Nakao, K. Saitoh, J. Non-Cryst. Solids 187 (1995) 1 12.

137. S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Dubai, D.M. Hambree Jr., J.C. Barbour, J. Appl. Phys. 86 (1999) 396.

138. L. Ding, T. P. Chen, Y. Liu, C. Y. Ng, S. Fung. / Optical properties of silicon nanocrystals embedded in a Si02 matrix. // Physical Review В 72, 125419 (2005).

139. Lopes J.M.J., Kremer F., Fichtner P.F.P., Zawislak F.C. / Correlation between structural evolution and photoluminescence of Sn nanoclusters in Si02 layers // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 2006. V.242. P. 157.

140. L. Rebohle, J. von Borany. H. Frob. et al. / Ion beam synthesized nanoclusters for silicon-based light emission // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research В 188, 28 (2002).

141. Huang S., Chen Y., Xiao H., Lu F. / Characterization of Sn and Si nanocrystals embedded in Si02 matrix fabricated by magnetron co-sputtering // Surf. & Coat. Techn., 2010. V.205. P.2247-2250.

142. A.N. Trukhin et al. / Silicon dioxide thin film luminescence in comparison with bulk silica//Journal of Non-Crystalline Solids 223 (1998) 1 14-122.

143. F. Messina, E. Vella, M. Cannas, and R. Boscaino / Evidence of Delocalized Excitons in Amorphous Solids // Phys. Rev. Lett. 105, 116401 (2010).

144. E. Vella, F. Messina, M. Cannas, R. Boscaino / Unraveling exciton dynamics in amorphous silicon dioxide: Interpretation of the optical features from 8 to 11 eV // Phys. Rev. B 83, 174201 (2011).

145. D'Amico M., Messina F., Cannas M., Leone M., Boscaino R. / Isoelectronic Series of Oxygen Deficient Centers in Silica: Experimental Estimation of Homogeneous and Inhomogeneous Spectral Widths //J. Phys. Chem. A, 2008. V.112. P.12104.

146. Y. Toyozawa / Dynamics and instabilities of an exciton in the phonon field and the correlated absorption-mission spectra // Pure & Appl. Chern., Vol. 69, No. 6, pp. 1171-1 178, 1997.

147. A. N. Trukhin, in Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, edited by G. Pacchioni, L. Skuja, and D. L. Griscom (Kluwer Academic, New York. 2000), p. 235.

148. C. Itoh, K. Tanimura, N. Itoh, and M. Itoh / Threshold energy for photogeneration of self-trapped excitons in Si02 // Phys. Rev. B 39, 11 183 (1989).

149. C. Mathioudakis, G. Kopidakis. P. Patsalas. P.C. Kelires / Disorder and optical properties of amorphous carbon // Diamond Relat. Mater. 16 (2007) 1788.

150. V.V. Afanas'ev. M. Bassler, G. Pensl, M.J. Schulz, E. Stein von Kamienski / Band offsets and electronic structure of SiC/Si02 interfaces //J. Appl. Phys. 79 (1996) 3108.

151. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka Kumar, et al / Effect of different preparation conditions on light emission from silicon implanted Si02 layers // J. Appl. Phys. 79 (1996)8660.

152. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa / Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiOx films //J. Appl. Phys. 83 (1998) 2228.

153. L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias / Tailoring the electronic properties of GaAs/AlAs superlattices by InAs layer insertions // Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 661.

154. U. Serincan, G. Aygun, R. Turan / Spatial distribution of light-emitting centers in Si-implanted Si02 // J. Lumin. 113 (2005) 229.

155. A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, A.L. Ageev. / The relation between static disorder and photoluminescence quenching law in glasses: A numerical technique // J. of Luminescence 130 (2010) 1721-1724.

156. R.A. Street / Recombination in a-Si:H: Defect luminescence // Adv. Phys. 1976 V.25 P.397.

157. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials, Oxford University Press, 1979, 604 p.

158. Wang, M. Righini, A. Gnoli, S. Foss, T. Finstad, U. Serincan, R. Turan / Thermal activation energy of crystal and amorphous nano-silicon in Si02 matrix // Solid State Communications. 2008. - Vol.147. - P.461-464.

159. S. Agnello, R. Boscaino, M. Cannas et al. / Competitive relaxation processes of oxygen deficient centers in silica // Physical review B 67, 033202 (2003).

160. L. Vaccaro, M. Cannas, V. Radzig, and R. E^oscaino / Luminescence of the surface nonbridging oxygen hole center in silica: Spectral and decay properties // Physical review B 78. 075421 (2008).

161. L. Vaccaro. M. Cannas. and V. Radzig. / Vibrational properties of the surface-nonbridging oxygen in silica nanoparticles // Physical review B 78, 233408 (2008).

162. A.F. Zatsepin, D.Yu. Biryukov, V.S. Kortov / Method for the analysis of nonselective spectra of optically stimulated electron emission from irradiated dielectrics //Phys. Stat. Sol. (a). 2005. V. 202. N. 10. P.1935.

163. A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, V.S. Kortov, D.l. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.L Belov / Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted Si02:Si:C films // J. Phys.: Condens. Matter 24 (2012) 045301 (1 Opp)

164. Defccts in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, edited by G. Pacchioni, L. Skuja, and D. L. Griscom (Kluvver Academic Publishers, USA, 2000).

165. K. Platzoder. / Temperature Effects on the Vacuum Ultraviolet Reflectance of a-Quartz // Phys. Status Solidi 29, K63 (1968).

166. H. R. Philipp / Optical properties of non-crystalline Si, SiO, SiOx and Si0211 J. Phys. Chem. Solids 32, 1935 (1971).

167. S. M. Vlaming, V. A. Malyshev, and J. Knoester / Localization properties of one-dimensional Frenkel excitons: Gaussian versus Lorentzian diagonal disorder // Phys. Rev. B 79, 205121 (2009).

168. A. Huijser et al. / The Mechanism of Long-Range Exciton Diffusion in a Nematically Organized Porphyrin Layer // J. Am. Chem. Soc. 130, 12 496 (2008).

169. M. Schreiber and Y. Toyozawa / Numerical Experiments on the Absorption Lineshape of the Exciton under Lattice Vibrations. I. The Overall Lineshape. // J. Phys. Soc. Jpn. 51, 1528 (1982).

170. R. Kubo / Stochastic Liouville Equations // J. Math. Phys. (N.Y.) 4, 174 (1963).

171. A. N. Trukhin / Excitons in Si02: a review // J. Non-Cryst. Solids 149, 32 (1992).

172. E. I. Rashba, in Excitons; Selected Chapters, edited by E. I. Rashba and M. D. Sturge -Elsevier, Amsterdam, (1987), p. 273.

173. Yu. D. Glinka et al. / Size effect in self-trapped exciton photolumincsccnce from Si02-based nanoscale materials // Physical Review B, V. 64, (2001) 085421

174. S. R. George, J. A. Leraas, S. C. Langford, J. T. Dickinson / Interaction of vacuum ultraviolet excimer laser radiation with fused silica. I. Positive ion emission // J. of Applied Physics 107, 033107 (2010)

175. A. J. Kenyon, M. Wojdak, I. Ahmad, W. H. Loh, C. J. Oton. / Generalized rate-equation analysis of excitation exchange between silicon nanoclusters and erbium ions. // Phys. Rev. B 77, 035318, 2008

176. M.J.L. Portoles, P.M.D. Gara, M.L. Kotler, S. Bertolotti, E.S. Roman, H.B. Rodriguez, M.C. Gonzalez / Silicon Nanoparticle Photophysics and Singlet Oxygen Generation //Langmuir 2010, 26(13), 10953 10960.

177. K. Kajihara, et al / Diffusion and reactions of interstitial oxygen species in amorphous Si02: A review // J. Non-Cryst. Solids 354 (2008) 224-232.

178. K.-P. Huber, G. Herzberg, Molecular Spectra and Molecular Structure: IV. Constants of Diatomic Molecules, Van Nostrand, New York, 1979.

179. F. Messina, et al. / Generation and excitation of point defccts in silica by synchrotron radiation above the absorption edge // Phys. Rev. B 81 (2010) 035212.

180. H.-J. Fitting, et al / Multimodal electronic-vibronic spectra of luminescence in ion-implanted silica layers // J. Luminescence 122-123 (2007) 743-746.

181. Герасимова В. И., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В. и др. / Влияние матрицы кварцевого стекла на спектры междоузельных молекул S2 // Физика и химия стекла., 28 (2) (2002) 89-98.

182. Герасимова В. И., Рыбалтовский А. О., Чернов П. В. и др. / Центры окраски кварцевых стекол, легированных серой: спектроскопические проявления междоузельной молекулы S02 Н Физика и химия стекла. 29 (3) (2003) 329-334.

183. К. Yoshino, et al. / Absolute absorption cross-section measurements of Schumann -Runge continuum of 02 at 90 and 295 К // J. Mol. Spectrosc. 229 (2005) 238-243.

184. Brewer, L., Brabson, G.D., and Meyer, B. / Uv Absorption Spectrum of Trapped S2 // J. Chem. Phys., 1965. vol. 42, pp. 1385 1389.

185. Brewer, L. and Brabson, G.D. / Ultraviolet Fluorescent and Absorption Spectra of S2 Isolated in Inert-Gas Matrices // J. Chem. Phys. 1966, vol. 44, pp. 3274-3278.

186. Ораевский A.H. / Спонтанное излучение в резонаторе // УФН. 1994. Т. 164. № 4.1. С. 415.