Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Петров, Юрий Владимирович

• Петров, Юрий Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Петров, Юрий Владимирович

Введение.

Глава 1. СПОСОБЫ МОДИФИКАЦИИ И СВОЙСТВА

МОДИФИЦИРОВАННЫХ СТРУКТУР Si-Si02.

1.1. Способы получения наноструктур.

1.2. Моделирование роста кластеров в процессе отжига.

1.3. Свойства модифицированных слоев Si02.

1.3.1. Люминесцентные свойства.

Структуры Si-Si02 подвергнутые имплантации Si.

Структуры Si-SiOx.

Структуры Si-Si02, подвергнутые имплантации Ge, С.

1.3.2. Структурные свойства.

Структуры Si-Si02 подвергнутые имплантации Si.

Структуры Si-SiOx.

Структуры Si-Si02, подвергнутые имплантации Ge, С.

1.4. Модели центров люминесценции в Si02.

1.5. Электронная структура кластеров.

Выводы из главы 1.

Глава 2. ИССЛЕДУЕМЫЕ СТРУКТУРЫ И МЕТОДЫ

ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Исследуемые образцы.

2.2. Метод электролюминесценции.

2.2.1. Общая схема и принцип работы экспериментальной установки.

2.2.2. Методика исследования электролюминесценции в системе электролит-диэлектрик-полупроводник.

2.3. Метод вольт-фарадных характеристик.

2.4. Система электролит-диэлектрик-полупроводник.

Глава 3. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ

Si-Si02, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ.

3.1. Люминесцентные свойства структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации.

3.2. Зарядовые характеристики структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации.

3.3. Дефектообразование в структурах Si-Si02 в процессе ионной имплантации.

3.3.1. Особенности дефектообразования при ионной имплантации.

3.3.2. Образование центров люминесценции в результате ионной имплантации.

3.3.3 Возбуждение электролюминесценции в структурах

Si-SK>2, подвергнутых ионной имплантации.

Выводы из главы 3.

Глава 4. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ

Si-Si02, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

И ПОСТИМПЛАНТАЦИОННОМУ ОТЖИГУ.

4.1. Люминесцентные свойства структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации и отжигу.

4.2. Зарядовые характеристики структур Si-SiC>2, подвергнутых ионной имплантации и отжигу.

4.3. Влияние отжига на люминесцентные свойства модифицированных слоев SiCh.

4.3.1. Поведение центров люминесценции образованных ионной имплантацией при отжиге.

4.3.2. Формирование центров люминесценции в результате отжига.

4.3.3. Возбуждение электролюминесценции в структурах, подвергнутых постимплантационному отжигу.

Выводы из главы 4.

Глава 5. КИНЕТИКА ЗАТУХАНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ Si-Si02, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ.

5.1. Модели основных механизмов возбуждения ЭЛ.

5.2. Кинетика затухания полосы 2,7 эВ.

Выводы из главы 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига»

Развитие нанотехнологий и наноиндустрии является приоритетным направлением развития науки и техники, как в России [1-4], так и за рубежом [5-7]. Проблема перехода к нанометровым масштабам связана в первую очередь с тенденцией миниатюризации современных электронных приборов, что требует уменьшения размеров отдельных элементов интегральных схем. Одновременно с уменьшением размеров приборов происходит увеличение скорости обработки и передачи данных, т.е. быстродействия электроники. На пути одновременного увеличения быстродействия и миниатюризации возник ряд проблем, связанных с эффектами интерференции электромагнитных полей, создаваемых током, протекающим в близкорасположенных проводниках интегральной схемы, а также связанных с эффектом Джоуля-Ленца при протекании тока. Одним из возможных путей развития, позволяющим обойти возникшие проблемы является переход к оптоэлектронике - использование оптического излучения для передачи данных. Это требует создания эффективных источников излучения, соответствующих им приемников, а также отработки процесса переноса излучения внутри интегральной схемы. Проблема создания эффективных источников излучения связана с разработкой новых материалов, совместимых с современными технологиями производства микроэлектронных схем на основе кремния. Кремний обладает низкой эффективностью свечения, т.к. является непрямозонным полупроводником, а обладающие достаточной излучательной способностью материалы (SiC, GaAs) требуют внесения изменений в технологию, что существенно усложняет процесс производства интегральных оптоэлектронных схем на их основе.

Одним из решений проблемы создания эффективных источников излучения, совместимых с кремниевой технологией производства интегральных схем, является использование кремниевых наноразмерных структур. Толчком к исследованиям в данной области послужило открытие эффективной фотолюминесценции пористого кремния [8]. Проведенные в последнее время исследования показали возможность увеличения излучательной способности кремния при уменьшении размеров его частиц. С этим в первую очередь был связан интерес к кремниевым наноструктурам, возникший в последнее время. Одним из недостатков пористого кремния и кремниевых наноструктур является их нестабильность по отношению к влиянию окружающей атмосферы и механических воздействий. В качестве альтернативного материала было предложено использование кремниевых кластеров, сформированных в матрице диэлектрика, в качестве которого было предложено использование слоев двуокиси кремния. Выбор этого диэлектрика был обусловлен как его электрическими и оптическими свойствами (высокая электрическая прочность, прозрачность в широком спектральном диапазоне), так и совместимостью технологии производства с кремниевой.

Большой объем исследований, посвященных кремниевым наноструктурам, открыл дополнительные возможности их применения. Пристальный интерес к оптическим свойствам привел к созданию светоизлучающего устройства на основе кластеров кремния в матрице оксида [9]. Кроме того, была показана возможность получения активного световода на основе кластеросодержащей матрицы SiC>2 [10,11] и предложена конструкция лазера на кремниевых наноструктурах [12]. Также предлагалось использование кремниевых кластеров в матрице оксида, карбида и нитрида кремния [13], а также в нестехиометрическм оксиде и нитриде [14] для преобразования солнечной энергии в электрическую. Авторами [15] был предложен принцип хранения оптической информации с использованием кремниевых наноструктур.

Исследование электрических свойств кластеросодержащей диэлектрической матрицы и кремниевых наноструктур, также привело к ряду практически значимых результатов. Были получены слои Si02, содержащие кластеры, пригодные для использования в элементах электрически перезаписываемой памяти [16,17]. Также была показана возможность использования кремниевых нанокластеров в спиновом квантовом компьютере [18]. В работе [19] наблюдалась сверхпроводимость системы наноразмерных квантовых ям, сформированных на границе кремния и SiC>2. Авторами [20,21] была показана возможность создания биочипов для улучшения чувствительности флюоресцентного детектирования ДНК с использованием кремниевых наноструктур, окруженных слоем оксида.

Таким образом, в настоящее время, кремниевые наноструктуры, в частности кластеры, сформированные в диэлектрической матрице, являются перспективным материалом, обладающим свойствами, позволяющими его потенциальное использование в различных отраслях промышленности и народного хозяйства. В зависимости от предполагаемого применения, требуется получение материалов, отличающихся по определенным свойствам, которые определяются особенностями технологии производства. Следовательно, необходимо установление взаимосвязи между технологическим процессом создания наноструктур и их практически значимыми свойствами.

Одним из способов формирования полупроводниковых кластеров в матрице Si02 является ионная имплантация (ИИ) в окисный слой, с последующим высокотемпературным отжигом. Данная работа посвящена исследованию электролюминесцентных и зарядовых свойств структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации кремния и последовательной имплантации кремния и углерода, и влияния высокотемпературного постимплантационного отжига на люминесцентные и зарядовые свойства. Выбор метода электролюминесценции, как основного метода исследования обусловлен его информативностью, а также непосредственной связью с практическим применением в оптоэлектронных устройствах.

Цель и задачи исследования. Цель данной работы - установление основных закономерностей формирования центров люминесценции в структурах Si-Si02, в результате ионной имплантации и постимплантационного отжига. Исходя из цели работы, были поставлены следующие задачи:

- изучение спектрального распределения электролюминесценции структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации аргона, кремния и последовательной имплантации кремния и углерода;

- изучение спектрального распределения электролюминесценции структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации аргона, кремния и последовательной имплантации кремния и углерода и последующему высокотемпературному отжигу;

- изучение зарядовых свойств структур Si-SiC>2, подвергнутых ионной имплантации аргона, кремния и последовательной имплантации кремния и углерода и последующему высокотемпературному отжигу и получение сведений о зарядовом состоянии центров люминесценции;

- разработка модельных представлений о процессах образования центров люминесценции в структурах, подвергнутых ионной имплантации и постимплантационному отжигу, и механизмах их возбуждения.

Научная новизна полученных результатов:

В данной работе впервые:

1. Проведено сопоставительное исследование ЭЛ в широком спектральном диапазоне (250-830 нм) и зарядового состояния структур подвергнутых имплантации аргона, кремния и последовательной имплантации кремния и углерода и последующему высокотемпературному отжигу.

2. Показано, что спектральное распределение структур Si-SiC>2, подвергнутых ионной имплантации аргона, кремния и последовательной имплантации кремния и углерода содержит полосы излучения 2,7 эВ и 4,3 эВ независимо от типа имплантируемой примеси.

3. Показано, что постимплантационный отжиг приводит к появлению в спектре ЭЛ структур, подвергнутых имплантации кремния, полосы 1,6 эВ, положение максимума которой не зависит от дозы имплантации.

4. Показано, что постимплантационный отжиг приводит к появлению в спектре ЭЛ структур, подвергнутых последовательной имплантации кремния и углерода, полосы 3,2 эВ.

5. Изучены кинетики затухания полосы электролюминесценции 2,7 эВ в режиме постоянного тока.

6. Предложена модель, описывающая процесс возбуждения центров люминесценции, при протекании тока.

Практическая ценность работы.

1. Показана возможность создания стабильных центров люминесценции, характеризующихся полосой 2,7 эВ, путем ионной имплантации кремния в окисный слой.

2. Показана возможность создания стабильных центров люминесценции, характеризующихся полосой 1,6 эВ, путем ионной имплантации кремния в окисный слой и последующим постимплантационным отжигом.

3. Показано, что совместная имплантация кремния и углерода приводит к появлению широкой полосы ЭЛ, состоящей из полос 2,7 эВ и 3,2 эВ.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Ионная имплантация в слой SiC>2 приводит, независимо от типа имплантируемой примеси, к образованию центров люминесценции типа двухкоординированного по кислороду кремния, характеризующихся полосами электролюминесценции 2,7 эВ и 4,3 эВ.

2. Высокотемпературный отжиг структур Si-SiC>2, подвергнутых ионной имплантации кремния приводит к появлению центров люминесценции, характеризующихся полосой ЭЛ 1,6 эВ.

3. Высокотемпературный отжиг структур Si-Si02, подвергнутых совместной ионной имплантации кремния и углерода приводит к появлению полосы ЭЛ с максимумом 3,2 эВ, связанной с углеродсодержащими центрами люминесценции.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Петров, Юрий Владимирович

Заключение.

Таким образом, в данной работе проведено исследование формирования центров люминесценции в структурах Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации и последующему отжигу и их возбуждения в процессе электролюминесценции. Показано, что ионная имплантация в окисный слой приводит, независимо от типа имплантируемых ионов, к формированию центров люминесценции типа двухкоординированного по кислороду кремния, характеризующихся двумя полосами в спектре электролюминесценции, положение максимумов которых 2,7 эВ и 4,3 эВ. Сформированные имплантацией центры люминесценции сохраняются после длительного высокотемпературного отжига. Процесс образования центров связан с дефектообразованием в окисном слое в процессе ионной имплантации. Кроме того, в окисном слое образуются дефекты типа кремний-кремниевой связи, возбуждение которых приводит к появлению дополнительных центров свечения в возбужденном состоянии. Возбуждение центров люминесценции и предцентров в процессе электролюминесценции происходит за счет передачи им энергии от электронов, разогретых электрическим полем. Рассмотрение модели процесса возбуждения ЭЛ и сопоставление с кинетиками затухания подтверждают одновременное возбуждение ЦЛ и предцентров. Сублинейная зависимость интенсивности полосы ЭЛ 2,7 эВ от плотности тока свидетельствует об изменении распределения электронов по энергиям при изменении приложенного напряжения.

Высокотемпературный отжиг структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации кремния приводит к образованию центров люминесценции, характеризующихся полосой 1,64 эВ, положение максимума которой не зависит от дозы имплантации. Данные ЦЛ локализованы на границе образующихся при отжиге кластеров кремния с окисным слоем.

Напряжение возбуждения ЭЛ в структурах Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации кремния зависит от дозы имплантированных ионов. Данная зависимость связана с перераспределением электрического поля в диэлектрическом слое, обусловленном локальным изменением диэлектрической проницаемости в результате ионной имплантации.

Высокотемпературный отжиг структур Si-SiC>2, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода приводит к формированию центров люминесценции, характеризующихся полосой ЭЛ с положением максимума 3,2 эВ, связанных с образованием кластеров карбида кремния. Выход на насыщение зависимости интенсивности полосы 3,2 эВ от плотности тока свидетельствует о том, что имеет место переход типа зона-уровень.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Петров, Юрий Владимирович, 2008 год

1. Распоряжение Правительства РФ от 25.08.2006 N 1188-р «О программе координации работ в области нанотехнологий и наноматериалов в Российской Федерации».

2. Послание Президента России Федеральному Собранию 26.04.2007 года.

3. Федеральный закон «О Российской Корпорации Нанотехнологий» № 139-Ф3 от 19.07.2007 г.

4. Постановление Правительства РФ №498 от 02.08.2007 г. Федеральная целевая программа «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2010 годы».

5. National Nanotechnology Infrastructure Network (NNIN) Program, NSF 03-519, USA National Science Foundation, April 07, 20036. 21st Century Nanotechnology Research and Development Act, Public Law 108153, USA Congress, December 3, 2003

6. Постановление Правительства Кыргызской Республики № 311 от 07.08.2007 года.

7. L.T. Canham. Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers. Appl. Phys. Lett. v. 57 (1990) 1046-1048

8. A. Irrera, G. Franzo, F. Iacona, A. Canino, G. Di Stefano, D. Sanfilippo, A. Piana, P.G. Fallica and F. Priolo. Light emitting devices based on silicon nanostructures. Physica E 38 (2007) 181-187

9. P. Janda, J. Valenta, T. Ostatnickya, E. Skopalova, I. Pelant, R.G. Elliman and R. Tomasiunas. Silicon nanocrystals in silica — Novel active waveguides for nanophotonics. Journal of Luminescence v. 121 (2006) 267-273

10. J. Valenta, I. Pelant, K. Luterova, R. Tomasiunas, S. Cheylan, R. G. Elliman, J. Linnros and B. Honerlage. Active planar optical waveguide made from luminescent silicon nanocrystals. Appl. Phys. Lett, v.82 N.6 (2003) 955-957

11. S.L.Jaiswal, J.T.Simpson, S.S.Withrow, C.W.White, P.M.Norris. Design of a nanoscale silicon laser. Appl. Phys. A 77 (2003) 57-61

12. J.De laTorre, G.Bremond, M.Lemiti, G.Guillot, P.Mur, N.Buffet. Using silicon nanostructures for the improvement of silicon solar cells' efficiency. Thin Solid Films 511 -512 (2006) 163-166

13. K. Ueno and N. Koshida. Optical Accessibility of Light-Emissive Nanosilicon Memory. Phys. Stat. Sol. (a) 182, 579-583 (2000)

14. C.Y. Ng, T.P. Chen, D. Sreeduth, Q. Chen, L. Ding and A. Du. Silicon nanocrystal-based non-volatile memory devices. Thin Solid Films 504 (2006) 25 -27

15. S.D.Sarma, R.de Sousa, X.Hu, B.Koiller. Spin quantum computation in silicon nanostructures. Solid State Communications 133 (2005) 737-746

16. N.T.Bagraev, W.Gehlho, L.E.Klyachkin, A.M.Malyarenko, V.V.Romanov, S.A.Rykov. Superconductivity in silicon nanostructures. Physica С 437^4-38 (2006) 21-24

17. C.Oillic, P.Mur, E.Blanquet, G.Delapierre, F.Vinet, T.Billon. Silicon nanostructures for DNA biochip applications. Materials Science and Engineering С v.27 5-8 (2006) 1500-1503

18. C.Oillic, P.Mur, E.Blanquet, G.Delapierre, F.Vinet, T.Billon. DNA microarrays on silicon nanostructures: Optimization of the multilayer stack for fluorescence detection. Biosensors and Bioelectronics 22 (2007) 2086-2092

19. U. Serincan, G. Aygun and R. Turan. Spatial distribution of light-emitting centers in Si-implanted Si02. Journal of Luminescence v. 113 (2005) 229-234

20. J. De la Torre, A. Souifi, A. Poncet, G. Bremond, G. Guillot, B. Garrido and J.R. Morante. Ground and first excited states observed in silicon nanocrystal by photocurrent technique. Solid-State Electronics 49 (2005) 1112-1117

21. J.Y. Fan, X.L. Wu and Paul K. Chu. Low-dimensional SiC nanostructures: Fabrication, luminescence, and electrical properties. Progress in Materials Science 51 (2006) 983-1031

22. C. Garcia, B. Garrido, P. Pellegrino, R. Ferre, J. A. Moreno, J. R. Morante, L. Pavesi and M. Cazanelli. Size dependence of lifetime and absorption cross section of Si nanocrystals embedded in Si02. Appl. Phys. Lett, v.82 N.10 (2003) 15951597

23. T.Muller, K.-H. Heinig and W. Moller. Size and location control of Si nanocrystals at ion beam synthesis in thin Si02 films. Appl. Phys. Lett. V.81, N.16 (2002) 3049-3051

24. C.Y. Ng, G.S. Lum, S.C. Tan, T.P. Chen, L. Ding, O.K. Tan and A. Du. An electrical study of behaviors of Si nanocrystals distributed in the gate oxide near the oxide/substrate interface of a MOS structure. Thin Solid Films 504 (2006) 32 -35

25. A. Perez-Rodriguez, O. Gonzalez-Varona, B. Garrido, P. Pellegrino, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada and A. Claverie. White luminescence from Si+ and C+ ion-implanted Si02 films. J. of Appl. Phys. V.94, N. 1 (2003) 254-262

26. W. Skorupa, L. Rebohle and T. Gebel. Group-IV nanocluster formation by ion-beam synthesis. Appl. Phys. A 76 (2003) 1049-1059

27. T. Shimizu-Iwayama, M. Oshima, T. Niimi, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita and N. Itoh. Visible photoluminescence related to Si precipitates in Si+-implated Si02. J. Phys. Condens. Matter, v.5 (1993) L375-L380

28. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita and N. Itoh. J. Appl. Phys. v.75 N.12 (1994) 7779-7783

29. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao and K. Saitoh. Appl. Phys. Lett. v. 65 N.14 (1994) 1814-1816

30. A. L. Tchebotareva, M. J.A. de Dood, J. S. Biteen, H. A. Atwater and A. Polman. Journal of Luminescence 114 (2005) 137-144

31. D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushun, D.G. Revin, D.M. Gaponova and W. Eckstein. The enhancement of luminescence in ion implanted Si quantum dots in Si02 matrix by means of dose alignment and doping. Nanotechnology 11 (2000) 295-297

32. S. Cheylan, R. G. Elliman, K. Gaff and A. Durandet. Luminescence from Si nanocrystals in silica deposited by helicon activated reactive evaporation. Appl. Phys. Lett. V. 78, N. 12 (2001) 1670-1672

33. Е.Н. Вандышев, A.M. Гилинский, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля. Физика и техника полупроводников, т.39, вып. 11 (2005)1365-1369

34. М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков. АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле Si02 с помощью селективного травления. Физика и техника полупроводников, т.38, вып. 11 (2004) 1294-1300

35. И.Е. Тысченко, JI. Реболе. Излучательная рекомбинация в пленках Si02, имплантированных ионами Ge и отожженных в условиях гидростатического сжатия. Физика и техника полупроводников, т.38, вып. 7 (2004) 852-857

36. В. Gonzalez-Diaz, R. Guerrero-Lemus, Р. Наго-Gonzalez, D. Borchert and C. Hernandez-Rodriguez. Down-conversion properties of luminescent silicon nanostructures formed and passivated in HN03-based solutions. Thin Solid Films 511-512(2006)473-477

37. G.S. Chang, J.H. Son, K.H. Chae, C.N. Whang, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, V.R. Galakhov, A. Moewes, D.L. Ederer. Soft X-ray fluorescence and photoluminescence of Si nanocrystals embedded in Si02. Appl. Phys. A 72 (2001) 303-306

38. G. Franzo, A. Irrera, E.C.Moreira, M. Miritello, F. Iacona, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica and F. Priolo. Electroluminescence of silicon nanocrystals in MOS structures. Appl. Phys. A 74 (2002) 1-5

39. P.T. Huy, Y.V. Thu, N.D. Chien, C.A.J. Ammerlaan and J. Weber. Structural and optical properties of Si-nanoclusters embedded in silicon dioxide. Physica В 376377 (2006) 868-871

40. U.Kahler, H.Hofmeister. Size evolution and photoluminescence of silicon nanocrystallites in evaporated SiOx thin films upon thermal processing. Appl.Phys.A 74 (2002) 13-17

41. B.C. Кортов, А.Ф. Зацепин, С.В. Горбунов, A.M. Мурзакаев. Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния. ФТТ, т.48, вып.7 (2006) 1205-1211

42. S.K. Ray and К. Das. Luminescence characteristics of Ge nanocrystals embedded in Si02 matrix. Optical Materials 27 (2005) 948-952

43. K. Dohnalova, K. Luterova, J. Valenta, J. Bursfk, M. Prochazka, V. Kresalek, B. Honerlage, I. Pelant. Grains of Porous Silicon Embedded in Si02: Studies of

44. Optical Gain and Electroluminescence. Solid State Phenomena V. 99-100 (2004) 31-36

45. А. Ф. Лейер, Л.Н. Сафронов, Г.А. Качурин. Физика и техника полупроводников, т.ЗЗ, вып.4 (1999) 389-394

46. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, L. Rebohle, W. Skorupa, R.A. Yankov, H. Froeb, T. Boehme and K. Leo. Short-wavelength photoluminescence of Si02 layers implanted with high doses of Si, Ge, and Ar ions. Semicond. v.32 N. 4 (1998) 392-396

47. L. Rebohle, J. von Borany, H. Froeb and W. Skorupa. Blue photo- and electroluminescence of silicon dioxide layers ion-implanted with group IV elements. Appl. Phys. В 71 (2000) 131-151

48. К. Luterova, I. Pelant, J. Valenta, Appl. Phys. Lett, v.77 N.19 (2000) 2952-2955

49. K. Luterova, I. Pelant, I. Mikulskas, J. Appl. Phys. v.91 N.5 (2002) 2896-2900

50. L. Rebohle, T. Gebel, H. Frob, H. Reuther and W. Skorupa. Ion beam processing for Si/C-rich thermally grown Si02 layers: photoluminescence and microstructure. Applied Surface Science v. 184 (2001) 156-160

51. H. Z. Song, X. M. Bao, N. S. Li, X.L. Wu, J. Appl. Phys. v. 82 (1997) 4028-4031

52. G. A. Kachurin, S. G. Yanovskaya, V. A. Volodin, V. G. Kesler, A. F. Leier and M.-O. Ruault. Silicon Nanocrystal Formation upon Annealing of Si02 Layers Implanted with Si Ions. Semicond. v.36 N.6 (2002) 647-651

53. В. Garrido, М. Lopez, О. Gonzalez, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante and C. Bonafos. Appl. Phys. Lett, v.77 N. 20 (2000) 1-3

54. H. S. Bae, T. G. Kim, C. N. Whang, S. Im, J. S. Yun and J. H. Song. Electroluminescence mechanism in SiOx layers containing radiative centers J. of Appl. Phys. v. 91, N. 7 (2002) 4078-4081

55. F. Iacona, G. Franzo, S. Spinella, J. Appl. Phys. v. 87 (2000) 1295

56. A. Sa'ar, M. Dovrat, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Optical inter- and intra-band transitions in silicon nanocrystals: The role of surface vibrations. Physica E 38 (2007)122-127

57. Y. Q. Wang, G. L. Kong, W. D. Chen. Getting high-efficiency photoluminescence from Si nanocrystals in Si02 matrix. Appl. Phys. Lett, v.81 N.22 (2002) 4174-4177

58. A. P. Li, G. F. Bai, К. M. Chen, Thin Solid Films v. 325 (1998) 137-141

59. G. G. Qin, A. P. Li, B. R. Zhang, J. Appl. Phys. v. 78 (1995) 2006-2008

60. L. Rebohle, J. Von Borany, R. A. Yankov, Appl. Phys. Lett, v.71 (1997) 28092811

61. O. Gonzalez-Varona, C. Bonafos, M. Lopez, B. Garrido, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, J. Montserrat and R. Rodriguez. Microel. Reliability v. 40 (2000) 885-888

62. J. Y. Jang. Y. H. Ye and X. L. Tan, Appl. Phys. Lett. v. 74 N.17 (1999) 24592462

63. A. Perez-Rodriguez, В. Garrido, С. Bonafos, М. Lopez, О. Gonzalez-Varona, J. R. Morante, J. Montserrat and R. Rodriguez. J. Material Sci.: Mat. in Electr. v. 10 (1999) 385-391

64. O. Gonzalez-Varona, A. Perez-Rodriguez, B. Garrido, C. Bonafos, M. Lopez, J. R. Morante, J. Montserrat and R. Rodriguez. Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Research В 161-163 (2000), 904-908

65. M. Cervera, MJ. Hernandez, P. Rodriguez, J. Piqueras, M. Avella, M.A. Gonzalez and J. Jimenez. Blue-cathodoluminescent layers synthesis by high-dose N, С and В Si02 implantation. Journal of Luminescence 117 (2006) 95-100

66. S. Guha, S. B. Quadri, R. G. Musket, J. Appl. Phys. v. 88 N.7 (2000) 3954-3957

67. B. Garrido Fernandez, M Lopez, J. Appl. Phys. v. 91 N.2 (2002) 798-800

68. Q. Zhang, S. C. Bayliss, D. A Hutt, Appl. Phys. Lett. v. 66 (1995) 1997-2000

69. L. Skuja. Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide. J. Non-Cryst. Solids, v.239 (1998) 16-48

70. E.P. O'Reilly, J. Robertson. Theory of defects in vitreous silicon dioxide. Phys. Rev. B, v.27, N.6 (1983) 3780-3795

71. L. Skuja. The origin of the intrinsic 1,9 eV luminescence band in glassy Si02. J. Non-Cryst. Solids v.179 (1994) 51-69

72. L. Skuja, M. Hirano, H. Hosono, and K. Kajihara. Defects in oxide glasses. Phys. Stat. Sol. v.2, N. 1, (2005) 15-24

73. R. Tohmon, Ya. Shimogaichi, S. Munekuni, Yo. Ohki and Yo. Hama. Relation between the 1,9 eV luminescence and 4,8 eV absorption bands in high-purity silica glass. Appl. Phys. Lett. v. 54 N.17 (1989) 1650-1652

74. L. Rebohle, J. von Borany, R. Grotzschel, A. Markwitz, B. Schmidt, I. E. Tyschenko, W. Skorupa, H. Frob and K. Leo. Strong blue and violet photo- andelectroluminescence from Ge- and ST-implanted silicon dioxide. Phys. Stat. Sol. (a) 165 (1998)31-35

75. L. Rebohle, T. Gebel, J. von Borany, W. Skorupa, M. Helm, D. Pacifici, G. Franzo and F. Priolo. Transient behavior of the strong violet electroluminescence of Ge-implanted Si02 layers. Appl. Phys. В 74, (2002) 53-56

76. V.A. Radtsig, Kin. Katal. v.20 (1979) 456

77. C. Bulutay. Electronic structure and optical properties of silicon nanocrystals along their aggregation stages. Physica E 38 (2007) 112-117

78. V. A. Burdov. Dependence of the Optical Gap of Si Quantum Dots on the Dot Size. Semiconductors, V. 36, N. 10 (2002) 1154-1158.

79. B.A. Беляков, B.A. Бурдов, Д.М. Гапонова, A.H. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин. Излучательная электронно-дырочная рекомбинация в кремниевых квантовых точках с участием фононов. ФТТ, т.46, вып.1 (2004)31-34

80. А.С. Москаленко, И.Н. Яссиевич. Экситоны в нанокристаллах Si. ФТТ, т.46, вып.8 (2004) 1465-1475

81. Малышев В. И. Введение в экспериментальную спектроскопию, Москва, Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979 г. с. 16101.

82. А.Р. Baraban, Е.А. Semykina and М.В. Vaniouchov. Semicond. Sci. Technol. v.21 (2006) 881-885