Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Красильникова, Людмила Владимировна

• Красильникова, Людмила Владимировна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Красильникова, Людмила Владимировна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1.

1.1. 1.2. 1.3.

ГЛАВА 2.

ГЛАВА 3.

ГЛАВА 4.

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ Si:Er, SiGe и SiGe:Er (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

Люминесценция ионов Ег^ в кремниевых матрицах Оптические свойства гетероструктур Si/SiGe Люминесценция ионов Ег3+ в структурах с гетерослоями SiGe ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР Si/Sii.xGex:Er/Si Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа

Условия роста и параметры гетероструктур Si/Sii-xGex:Er/Si Структурный и элементный анализ гетероструктур Si/Sii.xGex:Er/Si Выводы к Главе

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР Si/Sii.xGex:Er/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В АТМОСФЕРЕ ГЕРМАНА Методика эксперимента

Люминесцентные свойства структур Si/Sii-xGex:Er/Si, выращенных в различных условиях Оптически активные центры иона Ег3+ в гетероструктурах Si/Sii.xGex:Er/Si

Квантовая эффективность люминесценции гетероструктур Si/Si 1 -xG^x:Er/Si в условиях оптического возбуждения Температурная зависимость фотолюминесценции Выводы к Главе

ВОЛНОВОДНЫЕ СТРУКТУРЫ Si/Sii-xGex:Er/Si Теоретический анализ планарных и гребенчатых волноводов на основе гетероструктур Si/Sii.xGex:Er/Si Исследование волноводных свойств структур Si/Sii.xGex:Er/Si

ГЛАВА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия»

Актуальность темы

Создание эффективного источника излучения на кремнии является одной из приоритетных задач оптоэлектроники. Интенсивные исследования, проводимые в последнее время в этой области, открывают новые возможности и решения в создании светоизлучающих структур на кремнии. Особый интерес здесь представляют структуры кремния, легированного редкоземельной примесью эрбия. Излучательный переход 4Ii3/2->4Ii5/2 иона Ег3+ на длине волны 1.54 мкм совпадает с окном прозрачности кварцевого волокна, что позволяет говорить о перспективах использования структур на основе Si:Er в системах волоконно-оптической связи. К настоящему времени на основе кремния, легированного эрбием, разработан целый ряд приборных структур, работающих в диапазоне температур от 4.2 до 300 К [1]. Кроме того, как показывают результаты теоретического анализа [А1], коэффициент усиления в структурах Si:Er с выделенным типом оптически активных центров может достигать значительной величины, порядка 30 см'1, что позволяет говорить о перспективах создания лазера.

Одним из необходимых условий для создания лазерных структур на основе Si:Er является эффективная локализация излучения в активном слое. Возможным вариантом реализации этого условия может быть использование гетероструктур Si/Sii-xGex:Er/Si с активным волноведущим каналом Sii-xGex, легированным эрбием. Показатель преломления слоев Sii-xGex зависит от содержания германия (X) и составляет nsn-xGex > 3.53 при X > 10% [2], обеспечивая, таким образом, необходимый для формирования эффективного волновода скачок показателя преломления.

К моменту проведения исследований, результаты которых приведены в данной диссертации, было известно лишь незначительное число работ, посвященных изучению люминесцентных свойств легированных эрбием структур с гетерослоями Sii-xGex- В частности, авторы работы [3] показали, что интенсивность эрбиевой фотолюминесценции многослойных, периодических структур Si/Sii-xGex/. значительно возрастает в случае легирования ионами Ег3"1" слоев Sii-xGex. В литературе обсуждалось влияние упругих напряжений, возникающих в структурах Si:Er/Sii-xGex и Sii.xGex:Er/Si на интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия [4, 5] и увеличение эффективности электролюминесценции в содержащих слой Si].xGex светоизлучающих диодных и транзисторных структурах с активным слоем Si:Er [6, 7]. Содержание германия во всех исследовавшихся слоях Sii-xGex не превышало 16.5%. Отсутствовали систематические исследования люминесцентных свойств легированных эрбием слоев Sij.xGex, в том числе с достаточной для волноводного распространения излучения толщиной слоя и содержанием германия в нем.

В данной диссертационной работе изучены люминесцентные свойства структур с легированными эрбием гетерослоями Sii-xGex толщиной до 2.3 мкм и содержанием германия до 30%. Исследованы процессы формирования оптически активных центров иона еЛ вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции. В исследованных гетероструктурах проведен теоретический и экспериментальный анализ таких важных, с точки зрения оптоэлектронных приложений, характеристик, как волноводное распространение излучения, квантовая эффективность фотолюминесценции и условия достижения инверсной населённости энергетических состояний иона Ег34".

Цели работы:

1. Изучение люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Экспериментальное исследование эффективности эрбиевой фотолюминесценции (ФЛ) и особенностей ФЛ ионов Ег3"1" в слоях Sii-xGex:Er в зависимости от их структурных параметров.

2. Изучение оптически активных центров иона Ег3"1", преобладающих в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Определение условий их формирования и температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции.

3. Проведение теоретического анализа и экспериментальных исследований волноведущих свойств гетероструктур Si/Sii-xGex:Er/Si на длине волны 1.54 мкм.

4. Поиск условий достижения инверсной населенности энергетических уровней иона Ег3"1" при оптическом возбуждении.

Научная новизна работы

1. Проведено исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Sii-xGex:Er с содержанием германия до 30%, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и эрбия из поликристаллических источников в атмосфере германа.

2. Определена внешняя и внутренняя квантовая эффективность фотолюминесценции в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si при температурах Т = 4.2 К и Т= 77 К.

3. В структурах Si/Sii-xGex'.Er/Si обнаружен новый оптически активный центр иона Ег3"1" -центр Er-Gel. Определены условия формирования данного центра в зависимости от состава твердого раствора Sii-xGex.

4. Экспериментально показано наличие волноводного характера распространения излучения на длине волны 1.54 мкм в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si.

5. Показана возможность достижения инверсной населённости уровней ионов Ег3+ в структурах Si/Sij-xGex:Er/Si. Проведены детальные исследования зависимости концентрации оптически активных центров иона эрбия, находящихся в возбужденном состоянии, от плотности мощности оптического возбуждения.

Научная и практическая значимость работы

Научная значимость полученных результатов заключается в определении основных закономерностей люминесценции эрбиевой примеси в гетероструктурах Si/Sii-xGex:Er/Si с содержанием германия до 30%, выявлении условий формирования оптически активных центров редкоземельной примеси в этих материалах, их взаимодействия с другими примесями и дефектами структуры. Установлено, что при X > 25% в спектре фотолюминесценции структур Si/Sii.xGex:Er/Si доминирует германий-содержащий оптически активный эрбиевый центр Er-Gel, не характерный для легированных эрбием слоев кремния. Определена внутренняя квантовая эффективность ФЛ ионов Ег3+ в структурах Si/Sii-xGex:Er/Si, значение которой достигает 15% при Т= 4.2 К.

Практическая значимость работы заключается в обнаружении таких важных, с точки зрения приборных применений, свойств, как достижение инверсной заселенности уровней иона Ег3+ и волноводное распространение излучения с длиной волны 1.54 мкм в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si.

Полученные в работе новые результаты являются важными, как для понимания фундаментальных свойств легированных эрбием кремний-германиевых структур, так и для изучения физических основ их возможных оптоэлектронных приложений.

Основные положения, выносимые на защиту

1. В слоях Si/Sii-xGex:Er, выращенных методом сублимационной МЛЭ кремния и эрбия из поликристаллических источников в атмосфере германа, формируются оптически активные центры иона Ег3+, свойства которых зависят от молевого состава твердого раствора и содержания кислорода в нем.

2. Внутренняя квантовая эффективность ФЛ центров иона Ег3"1" в структурах Si/Sii-xGex'.Er при Т = 4.2 К достигает значений, сравнимых с аналогичной величиной для структур Si/Si:Er.

3. В эпитаксиальных слоях Sii-xGex:Er с содержанием германия > 25% формируется оптически активный центр иона Ег3"1", центр Er-Gel, с линиями люминесценции

6508.1 см"1, 6481.6 см1, 6468.1 см"1, 6443.5 см"1, 6423.8 см"1, 6333 см"1, 6303 см"1, не характерный для легированных эрбием слоев кремния.

4. Степень релаксации гетерослоя Sii.xGex:Er оказывает незначительное влияние на интенсивность люминесценции примеси Ег в условиях оптического возбуждения.

5. При высоких уровнях оптического возбуждения (Рв0Эб > 0.05 Вт/см) в структурах Si/Sii.xGex:Er достигается инверсная заселенность энергетических уровней иона Ег3*.

6. Структуры Si/Sii.xGex:Er/Si с толщиной слоя твердого раствора ~ 1 мкм обеспечивают волноводный характер распространения излучения на длине волны 1.54 мкм.

Апробация результатов работы

Результаты диссертационной работы опубликованы в 9 статьях в реферируемых научных журналах и сборниках, и докладывались на 15 международных, национальных и всероссийских конференциях и совещаниях: международном совещании НАТО по передовым направлениям исследований в области создания лазера на кремнии (NATO Advanced Research Workshop 'Towards the first silicon laser", Тренто, Италия, 2002г.); 32-ой международной школе по физике полупроводниковых соединений (XXXII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2003", Яшовец, Польша, 2003г.); 12 международном Феофиловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных редкоземельными ионами и ионами переходных металлов (XII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare-earth and transitional metal ions, Екатеринбург, Россия, 2004г.); 11 национальной конференции по росту кристаллов "НКРК-2004" (Москва, Россия, 2004г.); 5-ой международной конференции по фотонике, приборам и системам (The 5th International Conference on Photonics, Devices and Systems "PHOTONICS PRAGUE 2005", Прага, Чехия, 2005г.); 3-й международной конференции по материалам для передовых технологий и 9-ой международной конференции по передовым материалам (3rd Int. Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT-2005 & 9th Int. Conference on Advanced Materials ICAM-2005, Сингапур, 2005); международных конференциях Европейского материаловедческого сообщества (E-MRS Spring Meeting, Страсбург, Франция 2004г., 2005г., 2007г., Ницца, Франция, 2006г.); 7-ой Российской конференции по физике полупроводников (Звенигород, Россия, 2005г.); всероссийском совещании "Нанофотоника 2004" (Н. Новгород 2004г.); всероссийских симпозиумах "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород 2005г., 2006г., 2007г.). Результаты работы были представлены на VIII и IX Нижегородской сессиях молодых ученых, а так же обсуждались на семинарах ИФМ РАН и ННГУ.

Публикации

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [А1-А26]. Полный список опубликованных работ по теме диссертации включает 9 статей в реферируемых научных журналах и сборниках и 17 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций, симпозиумов и совещаний. Список работ приводится в заключительном разделе диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка публикаций автора и списка цитируемой литературы, содержащего 158 наименований. Объем диссертации составляет 145 страниц, включая 58 рисунков и 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Красильникова, Людмила Владимировна

5.6. Выводы к Главе 5

Проведены исследования кинетики фотолюминесценции структур Si/Si[.xGex:Er/Si при высоких уровнях оптического возбуждения. Показано, что по результатам исследований и анализа кинетики ФЛ можно судить о соотношении концентраций ионов Ег3*, находящихся в основном и возбужденном состояниях. Экспериментально продемонстрирована возможность достижения инверсной населённости энергетических состоянии иона Ег3* в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si. Показано, что при плотности мощности возбуждающего излучения ~2 Вт/см2 значение инверсии в исследованных структурах может достигать 4, что соответствует условию нахождения -80% оптически активных ионов эрбия в возбужденном состоянии. Особое внимание было уделено исследованию кинетик ФЛ для различных типов оптически активных центров иона Ег3*, а также изучению зависимостей нарастания и спада сигнала ФЛ центров одного типа, формирующихся в образцах с разными структурными характеристиками. Продемонстрирована зависимость условий экспериментального наблюдения инверсной населенности от типа оптически активных центров иона эрбия и степени совершенства гетероэпитаксиальных структур.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполненных исследований люминесцентных и волноводных свойств гетероструктур Si/Si i -xGex:Ег/Si получены следующие основные результаты:

1. Исследованы люминесцентные свойства гетероэпитаксиальных структур Si/SiuxGex:Er/Si, выращенных методом сублимационной МЛЭ кремния и эрбия из поликристаллических источников в атмосфере германа при Т = 500°С. Интенсивность сигнала эрбиевой фотолюминесценции в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si растет с толщиной активного гетерослоя Sii-xGex:Er. Степень релаксации гетерослоя незначительно влияет на интенсивность сигнала ФЛ редкоземельной примеси.

2. Проведена оценка квантовой эффективности фотолюминсценции исследованных структур. Показано, что внешняя квантовая эффективность ФЛ гетероструктур Si/Sii.xGex:Er/Si достигает 0.28% при Т = 4.2 К и мощности возбуждающего излучения ~ 4 мВт. Полученная величина сравнима с внешней квантовой эффективностью структур Si/Si:Er. Внутренняя квантовая эффективность ФЛ структур Si/Sii-xGex:Er/Si при Т= 4.2 К и мощности возбуждающего излучения ~ 4 мВт достигает величины ~ 15%.

3. В слоях Sii-xGex:Er обнаружен и идентифицирован оптически активный центр иона Ег3+, центр Er-Gel, представленный 7 линиями в спектрах ФЛ с максимумами, соответствующими волновым числам 6508.1 см*1, 6481.6 см"1, 6468.1 см"1, 6443.5 см"1, 6423.8 см"1, 6333 см'1, 6303 см'1. Формирование данного центра происходит при содержании германия в слоях более 25%.

4. Проведен теоретический анализ волноведущих свойств планарных структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Показано, что приемлемые значения коэффициента оптического ограничения в данных волноводах достигаются при значительных толщинах слоев Sii-xGex:Er с высоким содержанием германия в них. Так, например, значения Г > 0.8 для ТЕ мод реализуются в волноводных структурах с содержанием германия 10 - 60% при толщинах волноводного слоя > 1.2 - 0.4 мкм, соответственно. Одномодовый режим в рассмотренных структурах для ТЕ мод реализуется при толщине волноводного слоя < 1.93 мкм, при содержании германия X = 10%, для структур с содержанием германия 60% соответствующая толщина активного слоя составляет 0.57 мкм. Влияние толщины покровного слоя кремния на локализацию мод в волноводном слое существенным образом сказывается в структурах с малым содержанием германия (X ~ 10%).

5. Методом низкокогерентной интерферометрии показан волноводный характер распространения света с длиной волны 1.54 мкм в гетероэпитаксиальных структурах Si/Si,.xGex:Er/Si.

6. Исследована кинетика фотолюминесценции структур Si/Sii.xGex:Er/Si при высоких уровнях оптического возбуждения. Показано, что при импульсном характере возбуждающего излучения времена нарастания и спада сигнала ФЛ зависят от уровня накачки. На основании соотношения этих времен делается вывод о возможности достижения инверсной населённости энергетических состояний иона Ег3* в структурах Si/Si 1 -xGex:Er/Si. При плотности мощности возбуждающего излучения ~2 Вт/см2 около 80% оптически активных ионов эрбия в структуре находится в возбужденном состоянии, что соответствует значению инверсии, равному 4. * *

В заключение автор выражает искреннюю признательность и благодарность научному руководителю, профессору З.Ф. Красильнику и М.В. Степиховой за интересную тему, постоянное внимание к работе и всестороннюю поддержку, оказанные при подготовке диссертационной работы. Автор благодарит В.Г. Шенгурова, В.Ю. Чалкова и других сотрудников группы эпитаксиальных технологий НИФТИ ННГУ за предоставленные для исследований образцы и сотрудничество в разработке структур Si/Sii-xGex:Er/Si, выращиваемых методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии из поликристаллических источников в атмосфере гармана; Ю. Н. Дроздова за проведение рентгенодифракционных измерений, Б. Я. Бера за проведение ВИМС-анализа структур Si/Sii.xGex:Er/Si; П.А. Шиляева и М.В. Шалеева за АСМ исследования морфологии поверхности изученных в работе гетероструктур. Автор благодарен сотрудникам отдела 120 ИФМ РАН В.В. Иванову и С.С. Уставщикову, а также профессору МГУ В.Ю. Тимошенко и коллективу кафедры общей физики и молекулярной электроники МГУ за плодотворные совместные исследования и обсуждение полученных результатов. Автор выражает признательность сотрудникам отдела 110 ИФМ РАН за плодотворные дискуссии, ценные советы и доброжелательную поддержку в процессе написания диссертационной работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Красильникова, Людмила Владимировна, 2007 год

1. Список публикаций автора по теме диссертации

2. Shengurov, M.V. Stepikhova, V.Yu. Timoshenko, D.M. Zhigunov // in "Photonics, Devices, and Systems III", Eds. Pavel Tomanek, Miroslav Hrabovsky, Miroslav Miler, Dagmar Senderakova, Proc. of SPIE. 2006. - V. 6180. - P. 61800L1-61800L8.

3. Публикации в сборниках трудов конференций, симпозиумов и совещаний:

4. A12. Красильникова, JI.B. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Sii-xGex:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе / JI.B.

5. Список цитируемой литературы

6. Coffa, S. Silicon-Based Optoelectronics / S. Coffa, L. Tsybeskov // MRS Bulletin. 1998. -V. 23, №4.-P. 16-19.

7. Humlicek, J. Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium // ed. by E. Kasper, INSPEC, the Institution of Electrical Engineers, London, U.K. -1995. P. 121-131.

8. Neufeld, E. Luminescence from erbium- and oxygen-doped SiGe grown by molecular beam epitaxy / E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, H. Bay, Ch. Buchal, H. Holzbrecher //Thin Solid Films. 1998.- V. 321, iss. 1-2. - P. 219-222.

9. Ishiyama, T. Enhancing effect of tensile strain on photoluminescence of Er in Si on a SiGe layer / T. Ishiyama, M. Yoshida, Y. Yamashita, Y. Kamiura, T. Date, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno // Physica B. 2003. - V. 340-342. - P. 818-822.

10. Ishiyama, T. Enhancement of photoluminescence at 1.54 цт from Er in strained Si and SiGe / T. Ishiyama, S. Yoneyama, Y. Yamashita, Y. Kamiura, T. Date, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno // Physica B. 2006. - V. 376-377. - P. 122-125.

11. Ni, Wei-Xin. Light emitting SiGe/i-Si/Si:Er:0 tunneling diodes prepared by molecular beam epitaxy / Wei-Xin Ni, Chun-Xia Du, Fabrice Duteil, Galia Pozina, Goran V. Hansson //Thin Solid Films. 2000. - V. 369, iss. 1-2. - P. 414-418.

12. Du, Chun-Xia. Efficient 1.54 pm light emission from Si/SiGe/Si:Er:0 transistors prepared by differential MBE / Chun-Xia Du, Fabrice Duteil, Goran V. Hansson, Wei-Xin Ni // Materials Science and Engineering B. 2001. - V. 81, iss. 1-3. - P. 105-108.

13. Ennen, H. 1.54-pm luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon / H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann // Appl. Phys. Lett. 1983. - V. 43. - P. 943-945.

14. Берсукер, И. Б. Электронное строение и свойства координационных соединений / И. Б. Берсукер. // Л.: Химия, 1976. 348 с.

15. Lea, К. R. The raising of angular momentum degeneracy of f-electron terms by cubic crystal fields / K. R. Lea, M. J. M. Leask and W. P. Wolf// J. Phys. Chem. Solids. 1962. -V. 23.-P. 1381-1405.

16. Coffa, S. Direct evidence of impact excitation and spatial profiling of excited Er in light emitting Si diodes / S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita // Appl. Phys. Lett.- 1998.-V. 73.-P. 93-95.

17. Palm, J. Electroluminescence of erbium-doped silicon / J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L. C. Kimmerling // Physical Review B. 1996. - V. 54. - P. 17603-17615.

18. Rogers, J. L. Erbium-doped silicon films grown by plasma-enhanced chemical-vapor deposition / J. L. Rogers, P. S. Andry, W. J. Varhue, E. Adams, M. Lavoie, P.B. Klein // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78, № 2. - P. 6241-6248.

19. Andry, P. S. Low-temperature growth of Si:Er by electron cyclotron resonance PECVD using metal organics / P. S. Andry, W. J. Varhue, E. Adams, R. Lavoie, P. B. Klein, R. Hengehold, J. Hunter // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1996. - V. 422. - P. 57.

20. Markman, M. Excitation efficiency of electrons and holes in forward and reverse biased epitaxially grown Er-doped Si diodes / M. Markman, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter // Appl. Phys. Lett. 2001. - V. 78. - P. 210-212.

21. Markman, M. Enchancement of erbium photoluminescence by substitutional С alloying of Si / M. Markman, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, Ch. Buchal // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75. - P. 2584-2586.

22. Eaglesham D. J. Microstructure of erbium-implanted Si / D. J. Eaglesham, J. Michel, E. A. Fitzgerald, D. C. Jacobson, J. M. Poate, J. L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L. C. Kimerling // Appl. Phys. Lett. -1991. V. 58, № 24. - P. 2797-2799.

23. Polman, A. Incorporation of high concentrations of erbium in crystal silicon / A. Polman, J. S. Custer, E. Snoeks, G. N. van den Hoven // Appl. Phys. Lett. 1993. - V. 62. - P. 507509.

24. Serna, R. Segregation and trapping of erbium during silicon molecular beam epitaxy / R. Serna, M. Lohmeier, P. M. Zagwijn, E. Vlieg, A. Polman // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 66, iss. 11.-P. 1385-1387.

25. Serna, R. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy / R. Serna, J. H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman // J. Appl. Phys. 1996. -V. 79, iss. 5. - P. 2658-2662.

26. Favennec, P. N. Optical activation of Er3+ implanted in silicon by oxygen impurities / P. N. Favennec, H. L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau // Jap. J. Appl. Phys. -1990. V. 29, № 4. - P. L524-L526.

27. Adler, D. L. Local structure of 1.54-pm-luminescence Er3+ implanted in Si / D. L. Adler, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, M. A. Marcus, J. L. Benton, J. M. Poate, P. H. Citrin // Appl. Phys. Lett. -1992. V. 61. - P. 2181-2183.

28. Polman, A. Erbium in crystal silicon: optical activation, excitation, and concentration limits / A. Polman, G. N. van den Hoven, J. S. Custer, J. H. Shin, R. Serna, P. F. A. Alkemade // J. Appl. Phys. 1995. - V. 77. - P. 1256-1262.

29. Coffa, S. Temperature dependence and quenching processes of the intra-4f luminescence of Er in crystalline Si / S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna // Phys. Rev. B. -1994.-V. 49. P. 16313-16320.

30. Кузнецов, В. П. Слои кремния, полученные сублимацией в вакууме при температурах 600-1000°С из источников, легированных Р, As, Sb / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова, Т. Н. Сергиевская, В. В. Постников // Кристаллография. 1971. - Т. 16. -С. 432-436.

31. Кузнецов, В. П. Получение высоколегированных эпитаксиальных слоев кремния при низких температурах / В. П. Кузнецов, А. Ю. Андреев, Н. А. Алябина // Электрон, пром-сть. 1990. - Т. 9. - С. 57-60.

32. Przybylinska, Н. Optically active erbium centers in silicon / H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R. J. Wilson, B. J. Sealy // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54. - P. 2532-2547.

33. Jantsch, W. Erbium related centers in CZ-silicon / W. Jantsch, H. Przybylinska, Yu. Suprun-Belevich, M. Stepikhova, G. Hendorfer, L. Palmetshofer // Materials Science Forum. -1995. V. 196-201. - P. 609-614.

34. Jantsch, W. Different Er centers in Si and their use for electroluminescence devices / W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova, H. Preier // Journal of Luminescence. 1999. - V. 80. - P. 9-17.

35. Степихова, M. В. Оптически активные центры ионов эрбия в кремниевых матрицах : дис. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 07.12.06 : утв. 11.05.07 / Степихова Маргарита Владимировна. Н. Новгород, 2006. - 144 с.

36. Wortman, D. Е. Optical spectra and analysis of Er3+ in silicon witn С, О and N impurities / D. E. Wortman, C. A. Morrison, J. L. Bradshaw // J. Appl. Phys. 1997. - V. 82, iss. 5. -P. 2580-2583.

37. Vinh, N. Q. Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon / N. Q. Vinh, H. Przybylinska, Z. F. Krasil'nik, B. A. Andreev, T. Gregorkiewicz // Physica B: Condensed Matter. 2001. - V. 308-310. - P. 340-343.

38. Vinh, N. Q. Microscopic structure of Er-related optically active centers in crystalline silicon / N. Q. Vinh, H. Przybylinska, Z. F. Krasil'nik, T. Gregorkiewicz // Phys. Rev. Lett. 2003. - V. 90. - P. 0664011-0664014.

39. Vinh, N. Q. Optical properties of isoelectronic centers in crystalline silicon : PhD Thesis / Nguyen Quang Vinh. Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam, The Netherlands, 2004.-113 p.

40. Gusev, О. B. Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping / О. B. Gusev, M. S. Bresler, P. E. Рак, I. N. Yassievich, M. Forcales, N. Q. Vinh, T. Gregorkiewicz//Phys. Rev. B. 2001. - V. 64. - P. 0753021-0753027.

41. Бреслер, M. С. Экситонный механизм возбуждения ионов эрбия в кремнии / М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, Б. П. Захарченя, И. Н. Яссиевич // ФТТ. 1996. - Т. 38. - С. 14741482.

42. Ammerlaan, С. A. J. Photoluminescence of erbium-doped silicon: excitation power dependence / C. A. J. Ammerlaan, D. Т. X. Thao, T. Gregorkiewicz, N. A. Sobolev // ФТП. 1999. - T. 33, вып 6. - C. 644-648.

43. Davies, G. The optical properties of luminescence centres in silicon / G. Davies // Physics Reports. 1989. - V. 176, № 3-4. - P. 83-188.

44. Yassievich, I. N. The mechanisms of electronic excitation of rare earth impurities in semiconductors /1. N. Yassievich, L. C. Kimerling // Semicond. Sci. Technol. 1993. - V. 8, №5.-P. 718-727.

45. Dean, P. J. New Radiative Recombination Processes Involving Neutral Donors and Acceptors in Silicon and Germanium / P. J. Dean, J. R. Haynes, W. F. Flood // Phys. Rev. -1967.-V. 161, iss. 3.-P. 711-729.

46. Coffa, S. High efficiency and fast modulation of Er-doped light emitting Si diodes / S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69, iss. 14. - P. 2077-2079.

47. Franzo, G. Mechanism and performance of forward and reverse bias electroluminescence at 1.54 цт from Er-doped Si diodes / G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella // J. Appl. Phys. 1997. - V. 81. - P. 2784-2793.

48. Priolo, F. Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si / F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa and A. Camera // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, № 8. - P. 44434455.

49. Chen, T. D. The temperature dependence of radiative and nonradiative processes at Er-0 centers in Si / T. D. Chen, M. Platero, M. Opher-Lipson, J. Palm, J. Michel, L. C. Kimerling // Physica B. 1999. - V. 273-274. - P. 322-325.

50. Lanzerstorfer, S. Photo- and electroluminescence of erbium-doped silicon / S. Lanzerstorfer, M. Stepikhova, J. Hartung, C. Skierbiszewski, W. Jantsch // ICDS 19, Aveiro, July 1997, Mater. Sci. Forum. 1997. - V. 258-263. - P. 1509-1514.

51. Thao, D. Т. X. Photoluminescence of erbium-doped silicon: Excitation power and temperature dependence / D. Т. X. Thao, C. A. J. Ammerlaan, T. Gregorkiewicz // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88, № 3. - P. 1443-1455.

52. Franzo, G. Room-temperature electroluminescence from Er-doped crystalline Si / G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Camera // Appl. Phys. Lett. 1994. - V 64, iss. 17. - P. 2235-2237.

53. Шмагин, В.Б.Электролюминесценция ионов ЕгЗ+ в режиме пробоя диодной структуры p+-Si/n-Si:Er/n+-Si / В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, С.В. Оболенский, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник // ФТТ. 2005. - Т. 47, вып. 1. - С. 120123.

54. Du, Chun-Xia. Room temperature 1.54 pm light emission of erbium doped Si Schottky diodes prepared by molecular beam epitaxy / Chun-Xia Du, Wei-Xin Ni, Kenneth B. Joelsson, G6ran V. Hansson // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 71, iss. 8. - P. 1023-1025.

55. Du, С.-Х. Si/SiGe/Si:Er:0 light emitting transistors prepared by differential molecular-beam epitaxy / С.-Х. Du, F. Duteil, G. V. Hansson, W.-X. Ni // Appl. Phys. Lett. 2001. -V.78.-P. 1697-1699.

56. Vinh, N.Q. Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon / N. Q. Vinh, M. Klik, B. A. Andreev, T. Gregorkiewicz // Materials Science and Engineering B.-2003.-V. 105.-P. 150-152.

57. Przybylinska, H. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si / H. Przybylinska, N. Q. Vinh, B. A. Andreev, Z. F. Krasilnik and T. Gregorkiewicz. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. - V. 770. - P. 1711-1717.

58. Dargys, A. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP / A. Dargys, J. Kundrotas. Vilnius : Science and Encyclopedia Publishers, 1994. - 264 p.

59. Физика полупроводниковых лазеров / Ред. X. Такумы. Москва: Мир, 1989. - 310 с.

60. Pogossian, S. P. Analysis of high-confinement SiGe/Si waveguides for silicon-based optoelectronics / S. P. Pogossian, L. Vescan, and A. Vonsovici // J. Opt. Soc. Am. A. -1999.-V. 16.-P. 591-595.

61. Адаме, М. Введение в теорию оптических волноводов / М. Адаме, редакция д.ф-м.н. И.Н. Сисакяна. Москва: Мир, 1984. - 512 е.

62. Namavar, F. Optical waveguiding in Si/Si 1-XGeX/Si heterostructures / F. Namavar, R. A. Soref// J. Appl. Phys. -1991. V. 70. - P. 3370-3372.

63. Temkin, H. Ge0.6Si0.4 rib waveguide avalanche photodetectors for 1.3 pm operation / H. Temkin, A. Antreasyan, N. A. Olsson, T. P. Pearsall, J. C. Bean // Appl. Phys. Lett. 1986. -V. 49.-P. 809-811.

64. Temkin, H. GeXSil-X strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3 pm / H. Temkin, T. P. Pearsall, J. C. Bean, R.A. Logan and S. Luryi // Appl. Phys. Lett. 1986. -V. 48.-P. 963-965.

65. Yang, Z. Effect of Ge concentration on the propagation characteristics of SiGe/Si heterojunction waveguides / Z. Yang, B. L. Weiss, G. Shao, F. Namavar // J. Appl. Phys. -1995.-V. 77. P. 2254-2257.

66. Pogossian, S. P. High-confinement SiGe low-loss waveguides for Si-based optoelectronics / S. P. Pogossian, L. Vescan, A. Vonsovici // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75. - P. 14401442.

67. Rickman, A. G. Silicon-on-insulator optical rib waveguide loss and mode characteristics / A. G. Rickman, G. T. Reed, F. Namavar // J. Lightwave Technol. 1994. - V. 12. - P. 1771-1776.

68. Lee, К. K. Effect of size and roughness on light transmission in a Si/Si02 waveguide: experiments and model / К. K. Lee, D. R. Lim, H.-C. Luan, A. Agarwal, J. Foresi, L. C. Kimerling//Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77. - P. 1617-1619.

69. Liu, Y. M. Deeply-etched singlemode GeSi rib waveguides for silicon-based optoelectronic integration / Y. M. Liu, P. R. Prucnal // Electron. Lett. 1992. - V. 28. - P. 1434-1435.

70. Schuppert, B. Integrated optics in silicon and SiGe-heterostructures / B. Schuppert, J. Schmidchen, A. Splett, U. Fischer, T. Zinke, R. Moosburger, K. Peterman // J. Lightwave Technol. 1996. - V. 14. - P. 2311-2323.

71. Lea, E. Characteristics of photoelastic waveguides in SiGe/Si heterostructures / E. Lea, B. L. Weiss // Electron. Lett. 1997. - V. 33. - P. 292-293.

72. Soref, R. A. Optical waveguiding in a single-crystal layer of germanium silicon grown on silicon / R. A. Soref, F. Namavar, J. P. Lorenzo // Opt. Lett. 1990. - V. 15. - P. 270-272.

73. Splett, A. Low loss optical rigde waveguides in a strained GeSi epitaxial layer grown on silicon / A. Splett, J. Schmidtchen, B. Schuppert, K. Petermann, E. Kasper, H. Kibbel // Electron. Lett. 1990. - V. 26. - P. 1035-1037.

74. Pesarcik, S. F. Silicon germanium optical waveguides with 0.5 dB/cm losses for singlemode fibre optic systems / S. F. Pesarcik, G. V. Treyz, S. S. Iyer, J. M. Halbout // Electron. Lett. 1992. - V. 28. - P. 159-160.

75. Lareau, R. D. Waveguided electro-optical intensity modulation in a Si/GeXSil-X/Si heterojunction bipolar transistor / R. D. Lareau, L. Friedman, R. A. Soref // Electron. Lett. -1990.-V. 26.-P. 1653-1655.

76. Stoica, T. Misfit dislocations in finite lateral size Sii-xGex films grown by selective epitaxy/T. Stoica, L. Vescan//J. Cryst. Growth, iss. 1-2. 1993. - V. 131. - P. 32-40.

77. Soref, R. A. Large single-mode rib waveguides in GeSi-Si and Si-on-Si02 / R. A. Soref, J. Schmidtchen, K. Petermann // J. Quantum Electron. -1991. V. 27. - P. 1971-1974.

78. Rickman, A. Low-loss planar optical waveguides fabricated in SIMOX material / A. Rickman, G. T. Reed, B. L. Weiss, F. Namavar // Photon. Technol. Lett. 1992. - V. 4. - P. 633-635.

79. Schmidtchen, J. Low-loss singlemode optical waveguides with large cross section in silicon-on-insulator / J. Schmidtchen, A. Splett, B. Schuppert, K. Petermann, G. Burbach // Electron. Lett. -1991. V. 27, iss. 16. - P. 1486-1488.

80. Gad, M. A. Loss measurements of Er-doped silicon-on-insulator waveguides / M. A. Gad, J. H. Evans-Freeman, N. Cinosi, J. Sarma // Materials Science and Engineering B. 2003. -V. 105.-P. 79-82.

81. Dismukes, J. P. Lattice parameter and density in silicon-germanium alloys / J. P. Dismukes, L. Ekstrom, R. J. Paff//J. Phys. Chem. 1964. - V. 68. - P. 3021-3027.

82. Braunstein, R. Intrinsic optical absorption in germanium-silicon alloys / R. Braunstein, A. R. Moore, F. Herman // Phys.Rev. 1958. - V. 109. - P. 695-710.

83. Weber, J. Near-band-gap photoluminescence of Si-Ge alloys / J. Weber, M. I. Alonso // Phys. Rev. B. 1989. - V. 40. - P. 5683-5693.

84. Krishnamurthy, S. Generalized Brooks' formula and the electron mobility in SiXGel-X alloys / S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen // Appl. Phys. Lett. 1985. - V. 47. - P. 160-162;

85. Krishnamurthy, S. Band structures of SixGel-x alloys / S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen // Phys. Rev. B. 1986. - V. 33. - P. 1026-1035.

86. Kasper, E. Group IV Compounds / E. Kasper, F. Schaffler // In Semiconductors and Semimetals. Academic Press, Boston, ed. by P.Pearsell. -1991. V. 33. - P. 233-307.

87. Paul, D. J. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits / D. J. Paul // Semicond. Sci. Technol. 2004. - V. 19. - P. R75-R108.

88. Matthews, J. W. Defects in epitaxial multilayers. Preparation of almost perfect multilayers / J. W. Matthews, A. E. Blakeslee // J. Cryst. Growth. 1976. - V. 32. - P. 265 -273.

89. People, R. Indirect band gap of coherently strained GexSil-x bulk alloys on <001) silicon substrates / R. People // Phys. Rev. B. 1985. - V. 32. - P. 1405-1408;

90. People, R. Indirect band gap and band alignment for coherently strained SixGel-x bulk alloys on germanium (001) substrates / R. People // Phys. Rev. B. 1986. - V. 34. - P. 2508-2510.

91. Van de Walle, C. G. Theoretical calculations of heterojunction discontinuities in the Si/Ge system / C. G. Van de Walle, R. M. Martin // Phys. Rev. B. 1986. - V. 34. - P. 5621-5634.

92. Lang, D. V. Measurement of the band gap of GexSil-x/Si strained-layer heterostructures / D. V. Lang, R. People, J. C. Bean, A. M. Sergent // Appl. Phys. Lett. 1985. - V. 47. - P. 1333-1335.

93. Dutartre, D. Excitonic photoluminescence from Si-capped strained Sii-xGex layers / D. Dutartre, G. Bremond, A. Souifi, T. Benyattou // Phys. Rev. B. -1991. V. 44. - P. 1152511527.

94. Shiraki, Y. Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties / Y. Shiraki, A. Sakai // Surface Science Reports. 2005. - V. 59. - P. 153-207.

95. Handbook of optical constants of solids / E. D. Palik ed. Orlando : Academic Press, 1985. - 119c

96. Neufeld, E. Photo- and electroluminescence characterization of erbium doped SiGe / E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, H. Riedl, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, H. Bay // J. Vac. Sci. Technol. B. -1998.- V. 16. P. 2615-2618.

97. Duteil, F. Er/O doped Sil-XGeX alloy layers grown by MBE / F. Duteil, С.-Х. Du, K. Jarrendahl, W.-X. Ni, G. V. Hansson // Optical Materials. 2001. - V. 17. - P. 131-134.

98. Ishiyama, T. Photoluminescence of Er in strained Si on SiGe layer / T. Ishiyama, S. Nawae, T. Komai, Y. Yamashita, Y. Kamiura, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno // J. Appl. Phys. 2002. - V. 92, № 7. - P. 3615-3619.

99. Tolomasov, V. A. Heteroepitaxy of Sii-xGex layers on Si(100) substrates from atomic Si and molecular GeH4 beams / V. A. Tolomasov, L. K. Orlov, S. P. Svetlov, R. A. Rubtsova,

100. A. D. Gudkova, A. V. Komaukhov, A. V. Potapov, Y. N. Drozdov // Crystallography Reports. 1998. - V. 43, №. 3. - P. 493-498.

101. Svetlov, S. P. A Sublimation Silicon Molecular-Beam Epitaxy System / S. P. Svetlov, V. G. Shengurov, V. A. Tolomasov, G. N. Gorshenin, V. Yu. Chalkov // Instruments and Experimental Techniques. 2001. - V. 44, № 5. - P. 700-703.

102. Несмеянов, А. Н. Давление паров химических элементов / А. Н. Несмеянов. Москва : АН СССР, 1961.-396 с.

103. Svetlov, S. P. A Device for Sublimation Molecular Beam Deposition of Erbium-Doped Silicon Films / S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov // Instruments and Experimental Techniques. 2000. - V. 43, № 4. - P. 564-566.

104. Wilson, R. G. Secondary ion mass spectrometry: a practical handbook for depth profiling and bulk impurity analysis / R. G. Wilson, F. A. Stevie, C. W. Magee.- New York, John Wiley and Sons, 1989. 300 p.

105. Fuster, P. F. X-Ray scattering from semiconductors / P. F. Fuster. London : Imperial College Press, 2000. - 287 p.

106. Боуэн, Д.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. СПб.: Наука, 2002. - 274 с.

107. Дроздов, Ю. Н. Рентгеновская дифрактометрия эпитаксиальных гетероструктур с большим рассогласованием периодов решеток / Ю. Н. Дроздов // Известия РАН, сер. физическая. 2005. - Т. 69, № 2. С. 264-268.

108. Shengurov, V. G. Erbium Vaporization from Silicon in Vacuum / V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, A. G. Meshkov // Inorganic Materials. 2003. - V. 39, № 2. - P. 93-95.

109. Chen, L. P. Boron incorporation in Sii-xGex films grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si2H6 and GeH4 / L. P. Chen, С. T. Chou, G. W. Huahg, W. C. Tsai, C. Y. Chang // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. iss. 20. p. 3001-3003.

110. Ohtani, N. Surface hydrogen effects on Ge surface segregation during silicon gas source Molecular Beam Epitaxy / N. Ohtani, S. Mokler, M. H. Xie, J. Zhang, B. A. Joyce // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. - V. 33, № 4. - P. 2311-2316.

111. Sakai, A. Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant / A. Sakai, T. Tatsumi // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64, iss. 1. P. 52-54.

112. Weber, J. Near-band-gap photoluminescence of Si-Ge alloys / J. Weber, M. I. Alonso // Phys. Rev. B. 1989. - V. 40. - P. 5683-5693.

113. Fukatsu, S. Time-resolved D-band luminescence in strain-relieved SiGe/Si / S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, H. Sakaki // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 68. - P. 1889-1891.

114. Kveder, V. V. Photoluminescence studies of relaxation processes in strained Sil-xGex/Si epilayers / V. V. Kveder, E. A. Steinman, H. G. Grimmeiss // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. - P. 446-450.

115. Tilly, L. P. Near band-edge photoluminescence in relaxed Sil xGex layers / L. P. Tilly, P. M. Mooney, J. O. Chu, F. K. LeGoues // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - P. 24882490.

116. Souifi, A. Effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence properties of SiGe/Si heterostructures / A. Souifi, T. Benyattou, G. Guillot, G. Bremond D. Dutartre, P. Warren // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. - P. 4039-4045.

117. Bremond, G. Photoluminescence and electrical characterization of SiGe/Si heterostructures grown by rapid thermal chemical vapour deposition / G. Bremond, A. Souifi, T. Benyattou, D. Dutartre // Thin Solid Films. 1992. - V. 222. - P. 60-68.

118. Tanaka, K. Photoluminescence spectra of deformed Si-Ge alloy / К. Tanaka, M. Suezawa, I. Yonenaga// J. Appl. Phys. 1996. - V. 80. - P. 6991-6996.

119. Shum, K. Dislocation-related photoluminescence peak shift due to atomic interdiffusion in SiGe/Si / K. Shum, P. M. Mooney, J. O. Chu // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 71. - P. 10741076.

120. Binetti, S. Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon / S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini // J. Appl. Phys. 2002. -V. 92. - P. 2437-2445.

121. King, 0. Impurity-related photoluminescence from silicon at room temperature / O. King, D. G. Hall // Phys. Rev. B. 1994. - V. 50. - P. 10661-10665.

122. Mooney, P. M. Strain relaxation and dislocations in SiGe/Si structures / P. M. Mooney // Mat. Sci. Eng. -1996. V. R17. - P. 105-146.

123. Kohler, R. SiGe/Si layers early stages of plastic relaxation / R. Kohler, H. Raidt, W. Neumann, J-U. Pfeiffer, H. Schafer, U. Richter // Journal of Phys. D: Appl. Phys. - 2005. -V. 38.-P. 319-327.

124. Haynes, J. R. Experimental observation of the excitonic molecule / J. R. Haynes // Phys. Rev. Lett. 1966. - V. 17, iss. 16. - P. 860-862.

125. Vouk, M. A. An investigation of the recombination radiation from the electron-hole condensate in intrinsic silicon / M. A. Vouk, E. C. Lightowlers // J. Phys. C: Solid State Phys. -1975. V. 8. - P. 3695-3702.

126. Hammond, R. B. Temperature dependence of the electron-hole-liquid luminescence in Si / R. B. Hammond, Т. C. McGill, J. W. Mayer // Phys. Rev. B. 1976. - V. 13, iss. 8. - P. 3566-3575.

127. Properties of Silicon. EMIS Datareviews Series 4. London: IEE, 1988. - P. 72-79.

128. Абрагам А. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов / А. Абрагам, Б. Блини. М.: Мир, 1973. - Т. 1,2. - 651,349 с.

129. Демиховский, В. Я. Физика квантовых низкоразмерных структур / В. Я. Демиховский, Г. А. Вугальтер. М.: Логос, 2000. - 248 с.

130. Адаме, М. Введение в теорию оптических волноводов / М. Адаме. М.: Мир, 1984. -512 с.

131. Serna, R. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy / R. Serna, J. H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P. F. A. Alkemade // J. Appl. Phys. 1996. - V. 79, iss. 5. - P. 2658-2662.

132. Polman, A. Erbium implanted thin film photonic materials / A. Polman // J. Appl. Phys. -1997.-V. 82, iss. l.-P. 1-39.

133. Takahei, K. Energy transfer in rare-earth-doped III-V semiconductors / K. Takahei, A. Taguchi // Mater. Sci. Forum. -1992. V. 83-87. - P. 641-652.

134. СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

135. АСМ атомно-силовая микроскопия,

136. ВИМС метод масс-спектрометрии вторичных ионов,

137. ИФМ институт физики микроструктур Российской академии наук,1. РАН

138. МЛЭ молекулярно-лучевая эпитаксия,

139. НИФТИ Нижегородский исследовательский физико-технический институт при

140. ННГУ Нижегородском государственном университете,

141. РД метод рентгенодифракционного анализа,1. ФЛ фотолюминесценция,1. ЭЛ электролюминесценция,

142. HL горячие линии фотолюминесценции (hot lines)