Фото- и электролюминесценция эрбия в полупроводниковых матрицах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Гусев, Олег Борисович

• Гусев, Олег Борисович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Гусев, Олег Борисович

оглавление

Введение

ЧАСТЬ I

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ

Глава

Фотолюминесценция эрбия в кристаллическом кремнии

1.1. Введение

1.2. Введение эрбия в кристаллический кремний

1.3. Экспериментальная установка и методика исследования люминесценции кремния, легированного эрбием

1.4. Фотолюминесценция кремния, легированного эрбием методом имплантации

1.5. Фотолюминесценция кремния, легированного эрбием методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

1.6. Влияние условий постимплантационного отжига на фотолюминесценцию кремния, легированного эрбием

1.7. Заключение

Глава

Электролюминесценция кремния, легированного эрбием, при прямом

смещении на р - п переходе

2.1. Введение

2.2. Методика эксперимента

2.3. Экспериментальные результаты

2.4. Теоретическая модель возбуждения эрбия с участием экситонов

2.5.

2.6.

Обсуждение, результатов Заключение

45

Глава

Возбуждение и девозбуждение ионов эрбия в кристаллическом кремнии

3.1. Введение

3.2. Экситонная модель возбуждения ионов эрбия в кремнии с

учетом температуры

3.3. Система уравнений баланса с учетом температуры

3.4. Решение уравнений баланса и обсуждение результатов

3.5. Возбуждение эрбия при оже-рекомбинации ■ свободных электронов и локализованных дырок

3.6. Безызлучательные процессы девозбуждения ионов эрбия в 64 кристаллическом кремнии

3.7. Заключение

Глава

Электролюминесценция кремния, легированного эрбием, при обратном

смещении на р - п переходе

4.1. Введение

4.2. Приготовление светодиодных структур и методика исследования

4.3. Экспериментальные результаты

4.4. Механизм возбуждения эрбия в кристаллическом кремнии при обратном смещении на р - п переходе

4.5. Определение резонансного коэффициента оже-процесса возбуждения эрбия

4.6. Заключение

89

ЧАСТЬ II

ФОТО-И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЭРБИЕМ

Глава

Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии

1.1. Введение

1.2. Приготовление пленок a-Si:H<Er> и методика измерений

1.3. Экспериментальные результаты

1.4. Механизм фотовозбуждения эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии

1.5. Заключение

Глава

Электролюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии

2.1. Введение "

2.2. Экспериментальные результаты по исследованию электролюминесценции a-Si :Н<Ег>

2.3. Механизм возбуждения электролюминесценции эрбия в а-

Si:H<Er>

2.4. Теоретическая модель возбуждения эрбия в a-Si:H<Er>

2.5. Время жизни эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии

2.6. Заключение

ЧАСТЬ Ш

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В СИСТЕМЕ GaAs/AlGaAs

Глава

Введение эрбия в квантовые ямы СаАз/АЮаАз методом молекулярно

лучевой эпитаксии

1.1. Введение

1.2. Выращивание структур ОаАз/АЮаАБ, легированных эрбием

1.3. Исследование интердиффузии Оа-А1 и диффузии эрбия

1.4. Заключение

Глава 2 -

Фотолюминесценция системы СаАз/АЮаАБ легированной эрбием

2.1. Фотолюминесценция эрбия в структурах ОаАз/АЮаАБ

2.2. Механизм возбуждения и девозбуждения эрбия в АЮаАБ

2.3. Анализ экспериментальных результатов

2.4. Заключение

ПРИЛОЖЕНИЕ I. Вычисление резонансного коэффициента оже- 174 процесса возбуждения эрбия

ПРИЛОЖЕНИЕ II. Вычисление вероятностей оже-возбуждения и

излучательных переходов в матрице аморфного кремния

Общее заключение

Список публикаций по теме диссертации

Литература

\

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фото- и электролюминесценция эрбия в полупроводниковых матрицах»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Редкоземельные ионы, внедренные в диэлектрические матрицы, являются традиционным объектом спектроскопии твердого тела. Такие системы послужили основой для создания твердотельных лазеров с оптической накачкой.

В последнее время резко возрос интерес к исследованию полупроводниковых матриц с внедренными в них редкоземельными элементами, так как они являются перспективными материалами . для создания нового класса оптоэлектронных приборов. Наибольший интерес среди редкоземельных элементов представляет эрбий, так как длина волны 1.54 мкм оптического перехода в из первого возбужденного

состояния 1)3/2 в основное А1\5п во внутренней 4£- оболочке редкоземельного иона Ег3+, совпадает с длиной волны, соответствующей минимуму потерь в кварцевых волоконно-оптических линиях связи. На рис. 1 показана спектральная характеристика потерь излучения в кварцевом волоконном световоде. Как видно из рисунка, потери вблизи длины волны 1.55 мкм составляют 0.2 дб/км, что на два порядка меньше, чем в медных линиях связи. Другие преимущества оптических линий связи - это широкая полоса пропускания, малая толщина и вес, неподверженность влиянию электромагнитных полей.

Несмотря на высокий технологический уровень, достигнутый для источников света на межзонных переходах в полупроводниках Аш Ву, эрбий в полупроводниковых матрицах считается хорошей альтернативой из-за узкой (атомоподобной) и температурно-независимой длины волны излучения.

Впервые фотолюминесценция эрбия, введенного методом ионной имплантации в кристаллический кремний, на переходе 41\5И - \ъа внутренней 4{ - оболочки при 77 К наблюдалась в работе [1], электролюминесценция при 77 К в [2], при комнатной температуре в [3,4,5].

Полоса 0,3 Полоса 1, Знкм полоса 1,55пкм

(полая Оигпптсил) (пат, /шггив полге/ги)

5 I" М7/—«--77?-77?-'- 9

0,8 1,0 Г,2 1,6

Длина балмы, нем

Рис. 1. Спектральные характеристики потерь излучения в кварцевом волоконном световоде.

Ег

.3+

20

^ 15 -

1

Е

и п

2 ю

>ч

ст>

I.

ш

с _ ш 5 -

0 -

'11/2

4в

3/2

"8/2

'9/2 '11/2

'13/2

'15/2

е

со

1Л

-0.54

-0.66

Т

-0.80

Л

-0.98 СП с

<0

4)

>

-1.53 О г

Рис. 2. Диаграмма энергетических уровцей иона эрбия Ег3+ в свободном состоянии (слева) и в твердотельной матрице (справа).

Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии фи комнатной температуре впервые наблюдалась в [6,7], лектролюминесценция при комнатной температуре в [8].

Большое внимание было направлено на методы введения эрбия в »азличные полупроводниковые матрицы. Для получения высокой штенсивности эрбиевой люминесценции необходима большая концентрация рбия в матрице. Наилучшие результаты на сегодняшний день получены при ¡ведении эрбия в матрицу кремния методом ионной имплантации. Наряду с ¡ведением эрбия методом ионной имплантации, интенсивно исследуются и фугие методы, такие, как, например, химическое осаждение паров, юлекулярно-лучевая эпитаксия, диффузия. Одновременно проводятся [сследования структурных, электронных и оптических свойств юлупроводниковых матриц, легированных эрбием.

Вместе с тем механизмы возбуждения, девозбуждения и температурного ашения люминесценции ионов эрбия в полупроводниковых матрицах остаются ;лабо изученными. При этом на первый план выступает проблема ¡заимодействия между свободными электронами и дырками полупроводника и шльно локализованными 4£- электронами внутренней оболочки иона эрбия. Значительный шаг в понимании процессов возбуждения 4{- оболочки иона фбия был сделан в классической теоретической работе Яссиевич и Кимерлинга 9]. Они рассмотрели дйа механизма возбуждения эрбия: оже-процесс и ударную ионизацию горячими носителями заряда, и показали, что при наличии юкализованных электронных состояний в запрещенной зоне матрицы, которые догут. быть связаны с дефектами и примесями, обусловленными введением редкоземельных ионов, наиболее эффективным является оже-процесс юзбуждения.

Однако особенности механизма возбуждения, девозбуждения и температурного гашения в сильной степени зависят от материала матрицы, метода введения эрбия, способа возбуждения.

С 1983 года когда Эннен и др. [1] наблюдали люминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм при низкой температуре в кристаллическом кремнии, много усилий было направлено на изучение фотолюминесцентных и электролюминесцентных свойств других полупроводников, легированных эрбием. Основная задача этих исследований - создание практических оптоэлекгронных структур на базе полупроводниковых матриц. Тот факт, что электрическое возбуждение ионов эрбия на 4 - 6 порядков больше, чем эффективность оптического возбуждения в диэлектрических матрицах [10,11,12], показывает, что дальнейшие исследования должны быть сосредоточены на полупроводниковых матрицах.

В настоящей работе исследовалась фото-и электролюминесценция эрбия в ряде полупроводниковых матриц, а именно, в кристаллическом кремнии при введении эрбия методом ионной имплантации, аморфном гидрогенизированном кремнии и системе ОаАэ /АЮаАБ.

Интерес к эрбию В кристаллическом кремнии связан с тем, что он является базовым материалом современной микроэлектроники с хорошо отработанной технологией его получения. Кристаллический кремний мог бы быть идеальным материалом для оптоэлектроники, поскольку его можно использовать для интегрируемых оптических цепей. Так как возможность создания волноводов, модуляторов и детекторов в кремнии уже продемонстрирована, одним из основных ограничений применения кремния в оптоэлектронике в настоящее время является получение эффективного, стабильного, совместимого с оптическим волокном источника света.

Аморфный гидрогенизированный кремний привлекает простотой и дешевизной получения оптически активной среды, содержащей эрбий.

Введение эрбия происходит непосредственно в процессе получения аморфного гидрогенизированного кремния методом магнетронного распыления эрбия в атмосфере силана (БЩЦ) и аргона на подложку кристаллического кремния. Еще одним достоинством этой аморфной матрицы является значительно более легкое получение фото-и электролюминесценции при комнатных температурах.

Наконец, интерес к введению эрбия в систему ОаАз/АЮаАз связан с тем, что в случае этого широкозонного полупроводника возможно возбуждение метастабильного уровня эрбия А\\ъп через верхние возбужденные состояния 41ц/2 и 41с>/2 , что делает эту систему перспективной для создания квантовых усилителей и лазеров.

Целью настоящей работы является выявление механизмов фото- и электровозбуждения, девозбуждения и температурного гашения эрбиевой люминесценции в кристаллическом кремнии, аморфном гидрогенизированном кремнии и в структурах на основе ОаАз/АЮаАБ, создание методов контроля технологии введения эрбия в эти полупроводниковые матрицы, разработка и создание новых светоизлучающих структур на длину волны 1.54 мкм. Научная новизна работы заключается в следующем:

- Установлены механизмы электронного возбуждения, девозбуждения ионов эрбия и температурного гашения эрбиевой люминесценции в кристаллическом кремнии как при фотовозбуждении, так и при электровозбуждении (при прямом и обратном смещении на р - п переходе);

- впервые реализована трехуровневая схема возбуждения ионов эрбия в обратно смещенном р - п переходе на основе кремния за счет резонансного оже-возбуждения в процессе рекомбинации электронов из подзоны Аг зоны проводимости с дырками валентной зоны;

- впервые наблюдалась фотолюминесценция эрбия при комнатной температуре, и исследован механизм фотовозбуждения и температурного гашения

фотолюминесценции в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом магнетронного распыления;

- впервые наблюдалась и исследовалась электролюминесценция эрбия на длине волны 1.54 мкм при комнатной температуре в структуре на основе аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием; *

- предложена и разработана теоретическая модель оже-возбуждения ионов эрбия, связанная с дефектами в аморфном гидрогенизированном кремнии;

- впервые наблюдалась и исследовалась интердиффузия А1 и ва и диффузия эрбия в системе АЮаАзЛлаАБ при введении эрбия в процессе. молекулярно лучевой эпитаксии;

- впервые исследован механизм возбуждения, девозбуждения и температурного гашения эрбиевой люминесценции на переходе л1\ъп - л1\5п во внутренней 41-оболочке иона эрбия (1.54 мкм) в АЮаАз.

Апробация работы. Материалы, вошедшие в диссертацию, докладывались: на 10-том Международном Феофиловском семинаре (Россия), 1995 г., 18-ой международной конференции по дефектам в полупроводниках (Япония), 1995 г., 2-ой Российской конференции по физике полупроводников (Россия), 1996 г., Весенней конференции общества по исследованию материалов (США), 1996 г., 23-ей международной конференции по физике полупроводников (Германия),

1996 г., 17-ой международной конференции по аморфным и микрокристаллическим полупроводникам (Венгрия), 1997 г., 19-ой международной конференции по дефектам в полупроводниках (Португалия),

1997 г., Международной конференции общества оптической техники (США), 1997 г., Всеросийском совещании "Наноструктуры на основе кремния и германия" (Нижний Новгород), 1998 г., Европейской весенней конференции общества по исследованию материалов (Франция), 1998 г., 24-ой международной конференции по физике полупроводников (Израиль), 1998 г.

Научные результаты, вошедшие в настоящую диссертацию, опубликованы в 33 печатных работах в ведущих научных журналах как в России, так и за рубежом и в материалах Всесоюзных и Международных конференций.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Во всех исследовавшихся в работе полупроводниковых матрицах определяющую роль в процессах возбуждения и девозбуждения 4£- оболочки ионов Ег+3 играют примесные состояния в запрещенной зоне полупроводника, обусловленные введением эрбия.

2. В кристаллическом кремнии при •фотовозбуждении оптически активных ионов эрбия возбуждение происходит через захват свободных экситонов на нейтральный донорный уровень, образованный эрбий-кислородным комплексом, с последующим оже-возбуждением 4£-оболочки эрбия при рекомбинации связанного экситона. Температурное гашение эрбиевой люминесценции определяется отрывом связанного экситона с донорного эрбиевого комплекса при низких температурах и ионизацией самого донорного центра при высоких температурах.

3. При электронном возбуждении в случае прямого смещения на р - п переходе механизм возбуждения эрбия и температурного гашения электролюминесценции в кристаллическом кремнии такой же, как и в случае фотовозбуждения (экситонный).

4. При обратном смещении на р - п переходе механизм возбуждения -оже-процесс рекомбинации электронов из второй подзоны зоны проводимости с дырками в валентной зоне. При температуре 150 - 170 К этот процесс становится резонансным. При этом важным является то обстоятельство, что возбуждение иона эрбия происходит из основного состояния во второе возбужденное, что л благоприятно для создания инверсной заселенности

метастабильного уровня л1\ъп , переход с которого в основное состояние А1\5а сопровождается излучением на длине волны 1.54 мкм.

5. Горячая люминесценции в кристаллическом кремнии при обратном смещении обусловлена прямыми разрешенными излучательными переходами электронов из Д2 - подзоны в А] -подзону зоны проводимости.

6. В основе механизма фотовозбуждения ионов эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии лежит оже-процесс . При этом электрон из зоны проводимости захватывается дефектом в состоянии с образованием состояния О", и за счет кулоновского взаимодействия энергия передается 4{-оболочке иона эрбия, в которой осуществляется переход 4115/2 ->• А1\ж-Температурное гашение эрбиевой люминесценции в этой матрице обусловлено многофононным процессом захвата носителей, конкурирующим с оже-процессом возбуждения. , у

7. На основе аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием, возможно создание эффективной электролюминесцентной структуры, излучающей на переходе 41н/2 —> 4115/2 в 4{ - оболочке иона эрбия (« 1.54 мкм) при комнатной температуре. В основе механизма возбуждения электролюминесценции лежит монополярный процесс - захват электронов на Б0 центры, сопровождающийся оже-возбуждением ионов эрбия, с последующей обратной термостимулированной туннельной эмиссией электронов в сильном электрическом поле с уровня V' в зону проводимости.

8. Введение эрбия молекулярно-лучевой эпитаксией в квантовые ямы АЮаАз/ОаАз приводит к сильной диффузии Ег и взаимодиффузии ва и А1, в результате которой происходит разрушение квантовых ям. Это явление обусловлено значительно большими размерами иона эрбия по сравнению с ионами Оа и А1, что приводит к повышенной концентрации вакансий и, соответственно, к увеличению коэффициента диффузии.

11 'г-:

9. В АЮаАа возбуждение 41- оболочки иона эрбия происходит через верхние возбужденные состояния 19/2 и 112/2 , что делает этот материал перспективным для создания квантовых усилителей и лазеров. Температурное гашение эрбиевой люминесценции, возбуждаемой через мелкие ловушки, обусловлено термическим опустошением дефектных уровней. Температурное гашение эрбиевой люминесценции, возбуждаемой через глубокую ловушку, связано с многофононным термостимулированным переходом.

10. С точки зрения температурного гашения излучения эрбия предпочтительным являются широкозонные полупроводники, так. как гашение начинается в них при более высокой температуре. Кроме этого, введение ионов эрбия в широкозонный полупроводник позволяет возбуждать ионы эрбия в более высокие возбужденные состояния 41ц/2 и 41с>/2 т.е. реализовать трехуровневую схему возбуждения, более перспективную для оптоэлектронных приложений.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех частей, двух приложений и заключения. Общий объем работы составляет 208 страниц, включая 87 рисунков? 1 таблицу. Список цитируемой литературы содержит 90 наименований, работы по теме диссертации включены в этот список. Список работ, опубликованных по теме диссертации, насчитывает 35 наименований. Содержание работы. Во введении сформулирована цель работы, кратко изложены полученные результаты и положения, которые выносятся на защиту. В первой части диссертации изложены результаты исследования фото- и электролюминесценции в кристаллическом кремнии, легированном эрбием, -базовом материале современной электроники. Во второй части изложены результаты исследования фото-и электролюминесценции в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. В третьей части приведены результаты исследования фотолюминесценции в системе СаАэ-АЮаАэ, легированной эрбием. Каждая из глав диссертации заканчивается

краткими выводами. В заключении сформулированы основные результаты работы.

ЧАСТЬ I

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Гусев, Олег Борисович

Основные результаты проведенных экспериментальных и теоретических исследований сводятся к следующему:

1.Во всех исследовавшихся в работе полупроводниковых матрицах определяющую роль в процессах возбуждения и девозбуждения внутренней 4{-оболочки ионов Ег+3 играют оже-процессы с участием примесных состояний в запрещенной зоне полупроводника, обусловленные введением эрбия.

2. В кристаллическом кремнии при фото- и электровозбуждении (при прямом смещении на р - п переходе) возбуждение1 происходит через захват свободных экситонов на нейтральный донорный уровень, образованный эрбий - кислородным комплексом с последующим оже-возбуждением внутренней 4{-оболочки иона Ег3+ при рекомбинации связанного экситона. Температурное гашение эрбиевой люминесценции определяется отрывом связанного экситона с донорного эрбиевого комплекса при низких температурах и ионизацией самого донорного центра при более высоких температурах.

3. Построена теоретическая экситонная модель возбуждения эрбия в кристаллическом кремнии, позволившая описать все полученные экспериментальные результаты.

4. При обратном смещении на р - п переходе (на основе кристаллического кремния, легированного эрбием) механизм! возбуждения - оже-процесс рекомбинации электронов из второй подзоны зоны проводимости с дырками в валентной зоне. При температурах выше 150 - 170К этот процесс становится резонансным. При этом важным является то обстоятельство, что| возбуждение иона эрбия происходит из основного состояния во второе возбужденное состояние, что является благоприятным для создания инверсной заселенности метастабильного уровня \т , переход с которого в основное состояние \sii сопровождается излучением на длине волны 1.54 мкм.

5. Полученный из экспериментальных данных коэффициент резонансного оже-возбуждения хорошо согласуется с теоретически вычисленным в настоящей работе. .

6. В основе механизма фото- и электровозбуждения ионов эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии лежит оже-процесс с участием дефектов типа оборванной связи обусловленных введением эрбия. При этом электрон из зоны проводимости захватывается дефектом в состоянии D0 с образованием состояния D", и за счет кулоновского взаимодействия энергия передается 4f- оболочке иона эрбия, в которой осуществляется переход из основного состояния 4Ii5/2 в первое возбужденное 4Ii3/2- Температурное гашение эрбиевой люминесценции в этой матрйце обусловлено многофононным процессом захвата носителей, конкурирующим jc оже- процессом возбуждения.

7. На основе аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием, получена электролюминесцентная структура, излучающая на переходе 4Ii3/2 4Iis/2 в 4f - оболочке иона эрбия (А, « 1.54 мкм) при комнатной температуре. В основе механизма возбуждения электролюминесценции лежит монополярный захват электронов на D0 центры, сопровождающийся оже-возбуждением ионов ,эрбия, с последующей обратной термостимулированной туннельной эмиссией электронов в сильном электрическом поле с уровня D" в зону проводимости.

I .1

8. Предложена и разработана теоретическая модель оже-возбуждения ионов эрбия, связанного с дефектами в аморфном гидрогенизированном кремнии.

9. Показано, что в матрице AlGaAs возбуждение эрбия также происходит через оже-процесс с участием нескольких дефектных состояний (ловушек захвата) в запрещенной зоне, наводимых введенным эрбием. При этом возбуждение внутренней 4f- оболочки иона Ег3+ идет через верхние возбужденные состояния и А\\т , что делает этот материал перспективным для создания квантовых усилителей и лазеров. Температурное гашение эрбиевой люминесценции, возбуждаемой через мелкие ловушки, обусловлено термическим опустошением дефектных уровней. Температурное гашение эрбиевой люминесценции, возбуждаемой через глубокую ловушку, связано с многофононным термостимулированным переходом.

Работа выполнена в лаборатории оптики прлупроводников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН и соответствует общей тематике исследований, проводимых в лаборатории. Я искренне признателен заведующему лабораторией академику Б.П. Захарчене за активную поддержку работы.

Сердечно благодарен доктору физ.мат. наук М.С. Бреслеру, за многие годы плодотворного совместного сотрудничества и инженеру - электронику П.Е. Паку за большую работу по созданию современной экспериментальной установки, позволившей быстро и на высоком уровне провести исследования.

Я выражаю признательность теоретикам, с которыми мне посчастливилось работать, профессорам И.]Т. Яссиевич и К.Н. Цендину, чьи знания, энергия и настойчивость во многом способствовали работе.

Хочу выразить свою признательность технологическим группам H.A. Соболева и Е.И. Терукова за постоянное творческое совершенствование технологии исследованных структур, что позволило проводить исследования на образцах, часто не имеющих мировых аналогов. I

Я приношу глубокую благодарность коллективу лаборатории, в благожелательной обстановке и при поддержке которого была выполнена эта работа.

ISfi

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

А1]. Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, Е.И.Шек. Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er. // ФТП, 28,11, 1995-2000 (1994) i

А2]. V.O. Naidenov, N.A. Sobolev, O.B. Alexaijdrov, M.S. Bresler, O.B. Gusev, f

G.M. Gusinskii, E.I. Shek, M.I. Makoviichuk, E.O. Parshin. Nuclear methods in technology of Si:Er structures. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 99, 587-589 (1995)

A3]. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, M.S. Bresler, O.B. Gusev, E.I. Shek, M.I. Makoviichuk and E.O. Parshin. Optical and electrical properties of Si:Er light-emitting structures. // Proc. of the 18th International Conference on Defects in Semiconductors, Japan v. 196-201, Part 2: pp. 597-601 (1995)

А4]. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I.

Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. Room-temperature photoluminescence

1 ! of erbium-doped amorphous hydrogenated silicon. // Proc. SPIE, v.2706, 260-264 (1996)

А5]. M.S. Bresler, O.B. Gusev, M.I. Makoviichuk, P.E. Pak, E.O. Parshin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. Electroluminescence and excitation mechanism of erbium ions in erbium-doped crystalline siliconl // Proc. SPIE, v.2706, 272-275 (1995)

А6]. M.S.Bresler, O.B.Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fulis, A. Sturm. Room-temperature photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous silicon. // Appl.Phys.Lett. v.67, (24), p.3599- 3601 (1995) ! m,

А7]. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. Электролюминесценция кремния в аморфном гндрогенизнрованном кремнии при комнатной температуре. // ФТТ, 38,4, 1189-1194(1996)

А8]. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. Экситонный механизм возбуждения ионов эрбия в кремнии, // ФТТ, 38, 5, 1474-1482 (1996) [А9]. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, П.Е. Пак, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, И.Н. Яссиевич, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. Электролюминесценция кремния, легированного эрбием.//ФТП, 30, 5, 898-905 (1996) [А10]. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, О.В. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, B.P. Zakharchenya, W. Fulis. Photo-and electroluminescence study of erbium-doped amorphous silicon. // Proc. 23th Int.Conf. Phys. Semicond. (Berlin) v.4, pp. 3049-3052 (1996) \f\

All]. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, М.И. Маковийчук, П.Е. Щк, Е.О. Паршин, Н.А. Соболев, И.Н. Яссиевич. Электролюминесценция и механизм возбуждения ионов эрбия в кристаллическом кремнии. // Тезисы докладов 2-ой Российской конференции по физике полупроводников, Зеленогорск, т.1 стр. 48 (1996) |

А12]. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, M.S. Bresler, V.V. Emtsev, O.B. Gusev, D.S. Poloskin, E.I. Shek, Defect engineering in Si: Er technology. // Proc. Symp. Rare Earth Doped Semiconductors II. US, v. 422, p. 125-130 (1996)

А13]. I.N. Yassievich, O.B. Gusev. M.S. Bresler, W. Fuhs, A.N. Kuznetsov, V.F.

Masterov, E.I. Terukov, B.P. Zakharchenya, Photo- and electroluminescence study of excitation mechanism of Er luminescence in a

Si:lH(Er). // Proc. Symp. Rare Earth Doped Semiconductors II. US, v. 422, p. 325-331 (1996)

А14]. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, А. Штурм, И.Н. Яссиевич. Фото- и электролюминесценция ионов эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии. Тезисы докладов 2-ой Российской конференции по физике полупроводников.//Зеленогорск, т.1, стр. 120 (1996)

199 ' .: fPj

A 15]. M.S. Bresler, B.Y. Ber, O.B. Gusev, V.F. Masterdv, E.K. Lindmark , J.P. Prineas, H.M. Gibbs, and G. Khitrova. Er diffusion and Er-induced Ga-Al interdiffusion in GaAs/GaAJLAs quantum structures. // Abstracts of 19th Int. Conf. on defects in semiconductors, Portugal, p. 220 (1997)

A16], O.B. Gusev, G. Khitrova, E.K. Lindmark, J.P. Prineas, H.M. Gibbs, M.S. Bresler, I.N. Yassievich, and B.P. Zakharchenya, Er-induced defects and erbium luminescence in MBE-grown AlGaAs:Er. // Proc. of 19th Int. Conf. on defects in semiconductors, Portugal, p. 1583-1588 (1997)

A17]. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev, and G. Khitrova, Excitation arid de-excitation of erbium ions in semiconductor matrices. // Proc. of 19th Int. Conf. on defects in semiconductors, Portugal, p. 1593-1600 (^1997)

A18]. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev. Defect-related Auger excitation of erbium ions in amorphous silicon. // J.Phys.C., v.9, issue 43, p. 9415-9425 (1997) [A19]. M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, W. Fulis, I.Ulber, and G. Weiser, Photoluminescence at 1.54 pm of Er- doped hydrogenated amorphous sihcon. // Abstracts of 17th Int. Conf. of Amorphous and Microerystalline Semicond., Budapest, p. 164 (1997) [A20], O.B. Gusev, M.S. Bresler, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, W. Fulis and G. Weiser. Room-temperature electroluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous sihcon. // Abstracts of 17th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semicond., Budapest , p. 335 (1997)

A21], W. Fulis, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Excitation and temperature quenching of Er-induced luminescence in a-Si:H(Er). // Phys. Rev. B, lv.56, N 15, p. 9545-9551 (1997) pi

А22]. O.B. Gusev, Е.К. Lindmark, J.P. Prineas, M.S. Bresler, G. Khitrova, H.M. Gibbs, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, y.F. Masterov, Er-doped MBE-grown GaAs/AlGaAs structures. // J. Appl. Phys., v. 82, p. 1815-1823 (1997) [А23]. O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, M.S. Bresler, V.Kh. Kudoyarova, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, Room-temperature electroluminescence of erbium-doped amorphous hydrogenated silicon. // Appl.Phys.Lett. v.70, (2) p. 240242 (1997)

А24]. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, M.S. Bresler, O.B. Gusev, P.E. Khakuashev, Y.A. Kudryavtsev, M.I. Makoviichuk, Y.A.Nikolaev, E.O. Parshin, E,I. Shek, M.A. Trishenkov, A.O. Zakharin. Influence of impurities atoms on luminescence of Er-doped silicon structures. // Proc. SPIE, v. 3002, p. 198-203 (1997) [А25]. V.Kh. Kudoyarova, E.l. Terukov, A.N. Kuznetsov, M.S. Bresler, O.B.Gusev. Amorphous hydrogenated silicon doped with erbium as material in optoelectronics. // M

International school on new materials and trends in microelectronics and optoelectronics, p. 74-75 (1997)

А26]. E.K. Lindmark, J.P. Prineas, G. Khitrova, H.M. Gibbs, O.B. Gusev, B.Ya. Ber, M.S. Bresler, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, V.F. Masterov, Er-piduced Ga-Al interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum structures. // Proc. SPIE, v. 2996, p. 3-7 (1997)

А27]. V.I. Vdovin, N.A. Sobolev, E.M. Emel yanov, O.B. Gusev, E.L. Shek and T.G. Yugova, Structural defects and photoluminescence in dislocation-rich erbium-doped silicon. // Proc. of 19th Int. Conf. on defects in semiconductors, Portugal, p. 1521-1526(1997)

А28]. О.Б. Гусев, M.C. Бреслер, П.Е. Пак, H.A. Соболев, И.Н. Яссиевич, Механизмы возбуждения ионов эрбия в кристаллическом кремнии. // Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия» (Н. Новгород) стр. 80-86 (1998)

А29]. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цендин, И.Н. Яссиевич, Фото- и электролюминесценция аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием. // Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия» (Н. Новгород) стр. 163-167 (1998)

АЗО]. Е.И. Теруков, О.И. Коньков, В.Х. Кудоярова, О.Б. Гусев, Г. Вайзер, Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремний, полученном методом тлеющего разряда. // ФТП, 32, 8, 91-93 (1998)

А31]. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, О.В. Gusev. Defect-relatad Auger excitation of erbium ions in amorphous silicon. // Journal of Non-Crystalline Solids, 226, p. 192-199(1998)

А32]. O.B. Gusev, M.S. Bresler, A.N. Kuznetsov, V.Kh. pidoyarova, P. Рак, E.I. Terukov, K. Tsendin, I.N. Yassievich, W. Fuhs, G. Weiser. Room-temperature electroluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous silicon. // Journal of Non-Crystalline Solids, 227-230, p. 1164-1167 (1998)

АЗЗ]. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev. Defect-relatad Auger excitation of erbium ions in amorphous silicon. // J. Phys.: Condens. Matter 9, 9415 - 9425 (1997)

A34] M.S. Bresler, O.B. Gusev, P.E.Pak, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. //Three-level excitation of erbium ions in crystalline silicon electroluminescent structures. Abstract of The 24 International conference on the physics of semiconductors. 1 (1998) ■

А35]. В.Х. Кудоярова, A.H. Кузнезов, Е.Ц. Теруков, О.Б. Гусев, Ю.А. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, W. Fuhs, G. Weiser, H.Kuehne. Влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции Ег (1.54 мкм) в пленках а-Si:H, легированных эрбием.// Физика и техника полупроводников, 32, 11, 124 -129(1998)

202

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе исследована фото-и электролюминесценция эрбия, введенного в кристаллический кремний, аморфный гидрогенизированный кремний и твердый раствор АЮаАв. Цель этих исследований - выявление механизмов фото- и электровозбуждения, девозбуждения и температурного гашения эрбиевой люминесценции в этих матрицах, создание методов контроля технологии введения эрбия, разработка и создание новых светоизлучающих структур на длину волны 1.54 мкм.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Гусев, Олег Борисович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Н. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axman, Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983) ' f |Г

2. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haydl, J. Schneider, Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)

3. F Y. Ren, J.

Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimmerling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 87 (1993)

4. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Camera, Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)

5. B. Zheng, J. Michel, F.Y. G.Ren, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, and J.M. Poate, Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)

6. T. Oestereich, C. Swiatkowski, and I. Broser, Appl. Phys. Lett. 56, 5, 446 (1990)

7. M.S. Bresler, O.B. Gusev, Y.Kli. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Рак, E.I.

Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. Roqm-temperature photoluminescence

t

of erbium-doped amorphous hydrogenated silicon. Proc. SPIE, v.2706, 260-264 (1996)

8. M.C. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. Электролюминесценция кремния в аморфном гидрогенизированном кремнии при комнатной температуре. ФТТ, 38, 4,1189-1194(19,96) ^

9. I.N. Yassievich, L.C. Kimerling. Semicond. Sci. Technol. 8, 8, 718 (1993)

10. J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, and L.C. Kimmerling, Phys. Rev. В 54, 17603 (1996)

11. W.J. Miniscalco, J. Lightwave Technol, 9, 234 (1991)

12. S.A. Payne L.I. Chase. L.K. Smith, W.L. Kway, and W.F. Krupke, IEEE J. Quantum Electron. 28, 2619 (1992)

13. P.B. Klein and G.S. Pomrenke, Electron. Letters 24, 1503 (1988)

14. В. П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Электронная

!

промышленность, 9, 57 (1990) i|j

15. P.N. Favennec, H.L. Haridon, D.Mutonnet, M. Salvi, and M. Gaunau, Jap. J. Appl. Phys. 29, L524 (1990)

16. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eagelesham, E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, I.M. Poate, and L.C. Kimmerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991)

17. F. Arnaud D Avitaya, Y. Campidelli, J.A. Chroboczek, P.N. Favennec, H.L' Haridon, D. Moutonnet, and A.Wasiela, Proc. Symp. Rare Earth Doped Semiconductors II. US, v. 301, pp. 97-100, (1993)

18. D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, and P.H. Citrin, Appl. Phys. Lett. 61, 2181 (1992)

19. D.J. Eaglesham, J. Michel, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poate, J.L. Benton, A. Polman, Y.-H. ,Xic, and L.C. Kimmerling, Appl. Phys. Lett. 58, 2797 (1991)

20. A. Polman, G.N. Van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, and P.F.A. Alkemade, J. Appl. Phys. 77, 1256 (1995)

21. G. Davies, .The optical properties of luminescence centres in silicon, Physics reports, 176, No 3 and 4, North-Holland - Amsterdam, (1989)

22. О.Б. Гусев, M.C. Бреслер, П.Е. Пак, Н.А. Соболев, И.Н. Яссиевич, Механизмы возбуждения ионов эрбия в кристаллическом кремнии. Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия», (Н. Новгород) стр. 80-86 (1998)

23. F. Priolo, G, Franzo, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie , D. Carey, J. Appl. Phys. 78, 3874 (1995)

24. J.R. Haynes, Phys. Rev. Lett. 4, 361 (1960)

25. Н.А.Соболев, М.С.Бреслер, О.Б.Гусев, М.И.Маковийчук, ^ Е.О.Паршин, Е.И.Шек. Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er. ФТП, 28, 11, 1995-2000 (1994)

26. V.I. Vdovin, N,A. Sobolev, E.M. EmePyanov, O.B. Gusev, E.L. Shek and T.G. Yugova, Structural defects and photoluminescence in dislocation-rich erbium doped silicon. Proc. of 19th Int. Conf. of defects in semiconductors, Portugal, p. 1521-1526 (1997)

27. Yu. G. Shreter, Yu. T. Rebane, and A.!R. Peaker, Phys. Stat. Sol. 138, 681 (1993)

28. S.Coffa, F.Priolo, G.Franzo, V.Bellani, A.Carnera, S.Spinella, Phys. Rev. B, 48, 11 782(1993)

29. M.C. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, П.Е. Пак, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, И.Н. Яссиевич, М.И. Маковийчук, Е.О. ! Паршин. Электролюминесценция кремния, легированного эрбием. ФТП, 30, 5, 898-905 (1996).

30. M.S.Tyagi, R.van Oversiaeten, Solid State Electr., 26, 577 (1983)

31. V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors, North Holland, Amsterdam p. 223 (1991)

32. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pohnan, R.Serna, Phys. Rev. B, 49,16313 (1994)

33. Rare Earth Doped Semiconductors (Mater. Res. Symp. Proc., ed. by G.S. Pomrenke et al.) v. 301, (1993)

34. F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Camera, Phys. Rev. B, 57, 4443 (1997)

35. P.G. Kik, MJ.A. de Dood, K. Kikoin, and A. Polman, Appl, Phys, Lett. 70, 1721 (1997)

36. J.M. Langer and Le Van Hong, J. Phys. С 17, L923 (1984)

37. A. Suchocki and J.M. Langer, Phys. Rev. В 39, 7905 (1989)

38. J.M. Langer, J. Lumin. 40/41, 589 (1988)

39. J.W. Men, J. Phys. С 19, 6287 (1986) !

40. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996)

41. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R.Serna, J. Appl. Phys. 81, 2784 (1997)

42. P. Смит, Полупроводники, Мир, M. 462 (1982)

43. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. 1 Яссиевич, Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. Издательство ПИЯФ (1997)

44. М. Cardona and F. Pollak, Phys. Rev. 142, 2, 530 (1966)

45. G. Davies, Phys. Reports, 176, 3 - 4, 91 (1989)

46. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A.Carnera.// Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994)

47. S. Wang, A. Eckau, E. Neufeld, R. Carius, Ch. Buchal. //Appl. Phys. Lett. 71, 2824 (1997)

48. R.C. Chittick, J.H. Alexander, H.F. Sterrling, Journ. Electrochem. Soc., 116, 77 (1969) .

49. W.E. Spear, P.G. LeComber, Solid State Commun, 17, 1193 (1975)

50. D.E. Carlson, R.C. Wronski, Journ. Electron. Mater., 6, 95 (1977)

51. H. Fritzsche, C.C. Tsai, P. Persans, Solid State Technol., 21, 55 (1977)

52. R.A. Street, J. Zesch, M.J. Thompson, Appl. Phys. Lett., 43, 672 (1983)

53. Й. Кочка, M. Ванечек, А. Триска. Физика гидрогенизированного

■j

аморфного кремния. Мир. М. (1988), Т.2, С. 247.

54. Е.И. Теруков, О.И. Коньков, В.Х. Кудоярова, О.Б.Гусев, Г. Вайзер, ФТП, 32, 8, 91 (1998)

55. S. Lombardo, S.U. Campisano, G.N.van den Hoven, A. Polman, J. Appl. Phys.

f

77, 6504 (1995)

56. I.N. Yassievich, O.B. Gusev, M.S.Bresler, W.Fuhs, A.N. Kuznetsov, V.F. Masterov, E.I. Terukov, B.P. Zakharchenya, Rare Earth Doped Semiconductors II, MRS Symp. Proc. 422, 325 (1996)

57. J.H.Shin, R.Serna, G.N.van den Hoven, A.Polman, W.G.J.H.M.van Sark, A.M.Vredenberg, Appl. Phys. Lett. 68, 99j7 (1996)

58. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev, J. Phys. Condens. Matter, 9, 9415 (1997).

59. I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev, Journal of Non-Crystalline Solids, 226, 192,(1998)

60. V.N. Abakumov, W.I. Perel, I.N. Yassievich, Nonradiative Recombination in Semiconductors (North Holland, Amsterdam, 1991), p. 129

61. W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. //Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)

62. C.R. Wronski, D.E. Carlson. Sol. St. Commun. 23, 7,421 (1977)

63. W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I, Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)

64. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П, Серегин, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, Письма в ЖТФ, 22, 25 (1996) !

65. Р. Стрит, Д. Бигельсен. Спектроскопия локализованных состояний. В кн. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Мир. М. (1988), Т.2, С. 247.

66. R.A. Street, D.K. Biegelsen. Sol. St. Conmun. 33,12,1159 (1980)

67. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Претгел. ФТТ, 39, 11, 1905 (1997)

68. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Наука. М. (1989), С. 223.

!Ti

69."Электронные явления в халъкогенидных стеклообразных полупроводниках", ред. К.Д. Цэндин. Наука. СПБ. (1996), С. 300.

70. G.Juska, К. Arlauskas, J.Kocka, М. Hoheisel, P. Chabloz, Phys. Rev. Lett. 75, 2984(1995)

71. P.N. Favennec, H. L. Haidon, D.Moutoneet, Rare Earth Doped Semiconductors,

I

(Materials Research Society, Pittsburgh), 301,181 (1993)

72. O.B. Gusev, E.K. Lindmark, J.P. Prineas, M.S. Bresler, G. Khitrova, H.M. Gibbs, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, V.F. Masterov. // Er-doped MBE-grown GaAs/AlGaAs structures. J.Appl. Phys., v. 82, p. 1815-1823 (1997)

73. T. Zhang, J. Sun, N.V. Edwards, D.E. Mokey, R.M. Kolbas, and P.J. Caldwell, Rare Earth Doped Semiconductors, (Materials Research Society, Pittsburgh), 301, 257, (1993)

74. С. Kittel, Introduction in Solid State Physics, 4th ed (J. Wiley, New York, 1978), table 3.1.

75. J.E. Colon, D.W. Elsaesser, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, and G.S. Pomrenke, Rare Earth Doped Semiconductors, (Materials Research Society, Pittsburgh), 301, 251, (1993)

76. W.D. Laidig, N. Holonyak, M.D. Camras, K. Hess, J.J. Coleman, P.D. Dapkus, and J. Bardeen, Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981)

77. W.D. Laidig, N. Holonyak, M.D. Camras, K. Hess, J.J. Coleman, P.D. Dapkus, and J. Bardeen, Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981)

78. Я.И. Френкель. Собрание избранных трудов, т. III. Кинетическая теория жидкостей. Изд. АН СССР, 1959, с. 18

79. Б.И. Болтакс, Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках, (Издательство "Наука", Ленинград, 1972), С. 17

80. Молекулярно лучевая эпитаксия и гетероструктуры (Издательство Мир, 1989) С. 169

81. Е. Alves, M.F. Da Silva, A.A. Melo, J.C. Soares, G.N. van den Hoven, A. Polman, K.R. Evans, and C.R. Jones, in Rare Earth Doped Semiconductors, edited by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, and D.W. Langer (Materials Research Society, Pittsburgh, 1993), p. 175

82. D.G. Deppe and N. Holonyak, J. Appl. Phys. 64, R93 (1988)

83. W.E. Wallace, Rare Earth Intermetallics, (Academic Press, N.Y., 1973), p.34, p.58

84. A. Balderesyhi, J.Lum. 7,79 (1973)

85. J.W. Allen, J. Phys. C: Solid State Phys. 4, 1936 (1971)

86. D.W. Elsaesser, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, K.R. Evans, and F.L. Pedrotti, J. Appl. Phys. 77, 3921 (1995)

87. A. Taguchi and T. Ohno, Mater. Sci. Forum 196-201, 627 (1995)

88. V.N. Abakumov, V.l. Perel, I.N. Yassievich, Nonradiative Recombination in Semiconductors (North Holland, Amsterdam, 1991)

89. B.K. Redly. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford: Claredon) (1982)

90. P. T. Landsberg. Recombination in Semiconductors (Cambridge: Cambridge University Press) (1991)