Формирование фотографических характеристик фотослоев на основе микрокристаллов галогенидов серебра гетероконтактного типа тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Кожухова, Татьяна Юрьевна

• Кожухова, Татьяна Юрьевна
• кандидат химических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат химических наук Кожухова, Татьяна Юрьевна

СПИСОК УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 .ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1 .СИНТЕЗ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ГЕТЕРОКОНТАКТНОГО ТИПА.

1.1.1.Структура кристаллов.

1.1.2.Структура и свойства плоских микрокристаллов.

1.1.2.1. Механизмы образования и роста плоских микрокристаллов.

1.1.2.2. Диффузионный механизм.

1.1.2.3. Коалесцентный механизм.

1.1.2.4. Влияние различных факторов на кинетику роста плоских микрокристаллов.

1.1.3. Микрокристаллы сложной структуры.

1.1.3.1. Микрокристаллы эпитаксиального типа.

1.1.3.2. Микрокристаллы типа «ядро - оболочка».

1.2. ХИМИЧЕСКАЯ СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ГЕТЕРОКОНТАКТНЫХ

СИСТЕМ.

1.2.1. Типы химической сенсибилизации.

1.2.2.Химическая сенсибилизация МК типа «ядро-оболочка».

1.2.3.Химическая сенсибилизация эпитаксиальных систем.

1.3 .СПЕКТРАЛЬНАЯ СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ГЕТЕРОКОНТАКТНЫХ

СИСТЕМ.

1.3.1.Механизмы спектральной сенсибилизации.

1.3.2.Десенсибилизация галогенидов серебра красителями.

1.3.3.Сенсибилизация красителями ПМК с эпитаксами и типа «ядрооболочка».

ГЛАВА 2.МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

2.1 .СИНТЕЗ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ ЭМУЛЬСИЙ.

2.1.1.Синтез фотографических эмульсий методом контролируемой двухструйной кристаллизации.

2.1.2.Турбидиметрический метод определения размера МЗЭ.

2.1.3.Синтез ПМК методом физического созревания.

2.1.4.Турбидиметрическое определение зависимости оптической плотности от времени созревания.

2.1.5.Расчет констант скорости роста плоских микрокристаллов.

2.1.6.Дисперсионный и гранулометрический анализ.

2.2.СИНТЕЗ ПЛОСКИХ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ГЕТЕРОКОНТАКТ

НОГОТИПА.

2.2.1.Плоские микрокристаллы с эпитаксами.

2.2.2.ПМК AgBr с латеральной оболочкой AgBro,96lo,o4.

2.3 .ХИМИЧЕСКАЯ СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ.

2.4.СПЕКТРАЛЬНАЯ СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ.

2.5.СЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИЕ ИСПЫТАНИЯ.

2.6.ИСПОЛБЗУЕМЫЕ РЕАКТИВЫ.

ГЛАВА 3.ПОЛУЧЕНИЕ ОДНОРОДНЫХ ПЛОСКИХ МИКРОКРИСТАЛЛОВ AgBr В ПРИСУТСТВИИ ДИМЕТИЛСУЛЬФОНА.

3.1.Постановка задачи.

3.2.Влияние диметилсульфона, введенного при ФС.

3.3.Исследование роста ПМК из мелкозернистой эмульсии с различным содержанием диметилсульфона.

3.4.Химическая сенсибилизация исследуемых систем.

ГЛАВА 4.ХИМИЧЕСКАЯ СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ГЕТЕРОКОНТАКТ НЫХ СИСТЕМ.

4.1.Влияние различных факторов на процесс химической сенсибили зации ПМК AgBr с эпитаксами AgCl. 4.1.1 .Постановка задачи.

4.1.2.Объекты исследования.

4.1.3 .Химическая сенсибилизация эпитаксиальных систем.

4.1.4.Влияние температуры на фотографические характеристики эпитаксиальных систем.

4.1.5.Влияние различных концентраций химических сенсибилизаторов.

4.2.Влияние желатины и тиоцианата калия на фотографические характеристики ПМК с латеральной оболочкой, полученных при одновременном синтезе оболочки и химической сенсибилизации.

Ф 4.2.1.Постановка задачи.

4.2.2.0бъекты исследования.

4.2.3 .Влияние различных концентраций желатины и KSCN на фотографические характеристики ПМК AgBr с латеральной оболочкой AgBr0>96lo,o4- • •

ГЛАВА 5.СПЕКТРАЛЬНАЯ СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ГЕТЕРОКОНТАКТ-НЫХ СИСТЕМ.

5.1.Спектральная сенсибилизация ПМК AgBr/AgBr0(96lo,o4.

5.1.1 .Проведение спектральной сенсибилизации после химической.

5.1.2.Проведение спектральной сенсибилизации перед химической.

5.1.3.Спектры отражения адсорбированных красителей.

5.1.4.Изучение спектральной чувствительности фотослоев.

5.2.Спектральная сенсибилизация эпитаксиальных систем.

5.2.1.Сенсибилизация красителями плоских микрокристаллов AgBr с угловыми эпитаксами AgCl.

5.2.2.Спектры отражения адсорбированных красителей.

5.2.3.Изучение спектральной чувствительности фотослоев.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование фотографических характеристик фотослоев на основе микрокристаллов галогенидов серебра гетероконтактного типа»

Актуальность проблемы. В настоящее время высокочувствительные галогенсеребряные фотографические материалы создаются на основе микрокристаллов сложной структуры, состава и форм. В частности, они представляют собой микрокристаллы гетероконтактного типа, состоящие из двух или более частей: субстрата или ядра, состава AgBr или AgBrI и фазы другого га-логенидного состава AgBrCl, AgCl (эпитаксы) или AgBrxIi.x (латеральные оболочки).

Процесс кристаллизации плоских микрокристаллов и микрокристаллов гетероконтактного типа достаточно хорошо изучен, но имеются и нерешенные проблемы. Например, достаточно сложно получить однородные по размеру и форме ПМК, являющиеся в дальнейшем субстратом или ядровой эмульсией для получения сложных структур. При хранении плоских микрокристаллов с латеральной оболочкой, полученных традиционным способом (физическим созреванием с последующей химической сенсибилизацией), происходит уменьшение фотографического отклика за счет снижения оптической плотности почернения при высоких экспозициях, что не позволяет использовать систему с максимальным эффектом. На этапе предварительных экспериментов показано, что получение гетероконтактной системы при одновременном синтезе оболочки и химической сенсибилизации приводит к увеличению фотографических характеристик ~в 1,5раза. Но детальные исследования такого способа получения фотографических материалов на основе ПМК с латеральной оболочкой не проводились.

Формирование фотохимических свойств в микрокристаллах галогенида серебра происходит на всех стадиях изготовления высокочувствительного фотографического материала. Наиболее важными стадиями для эффективного формирования поверхностных центров светочувствительности являются химическая и спектральная сенсибилизации. Если химическая сенсибилизация плоских микрокристаллов с латеральными оболочками достаточно хорошо изучена, то сведения по изучению спектральной сенсибилизации отсутствуют. В литературе встречаются данные и по химической и по спектральной сенсибилизации плоских микрокристаллов с эпитаксами, но в основном это патентная литература, и условия получения высокочувствительных эмульсий являются секретом фирм (Kodak, AGFA Gerwaert, Fuji Film Co.).

Настоящая работа посвящена изучению влияния условий синтеза, температуры химической сенсибилизации, концентраций модификаторов и сенсибилизаторов на фотографические характеристики плоских микрокристаллов гетероконтактного типа и фотослоев на их основе.

Цель работы - исследование возможности создания ядровых ПМК для получения гетерогенных структур с заданными дисперсионными и гранулометрическими характеристиками в присутствии диметилсульфона. Исследование химической и спектральной сенсибилизации эмульсий, содержащих ПМК гетероконтактного типа, и оптимизация фотографических характеристик фотослоев на их основе. Для достижения цели были поставлены и решены следующие задачи:

1) исследовать процесс получения однородных ядровых ПМК в присутствии диметилсульфона;

2) исследовать особенности химической сенсибилизации фотографических эмульсий на основе ПМК эпитаксиального типа;

3) изучить влияние тиоцианата калия и желатины на процесс формирования фотографических свойств эмульсий на основе плоских микрокристаллов с латеральной оболочкой, при одновременном проведении синтеза оболочки и химической сенсибилизации;

4) исследовать особенности спектральной сенсибилизации фотографических эмульсий на основе плоских микрокристаллов гетероконтактного типа.

Научная новизна

1. На основе полученных экспериментальных результатов определено влияние диметилсульфона на рост плоских микрокристаллов AgBr при добавлении перед синтезом мелкозернистой эмульсии и физическим созреванием плоских микрокристаллов.

2. На основании экспериментально полученных зависимостей светочувствительности и оптической плотности вуали от продолжительности химической сенсибилизации фотографических эмульсий на основе плоских микрокристаллов с эпитаксами определены оптимальные условия химической сенсибилизации.

3. Получены зависимости светочувствительности, коэффициента контрастности и оптической плотности вуали от продолжительности химической сенсибилизации фотографических эмульсий на основе плоских микрокристаллов с латеральной оболочкой, полученных при одновременном проведении синтеза оболочки и химической сенсибилизации, с различными количествами тиоцианата калия и желатины, как на стадии синтеза, так и на стадии химической сенсибилизации.

4. Получены зависимости спектральной чувствительности от характера адсорбции красителя на поверхности плоских микрокристаллов гетерокон-тактного типа. Показано, что максимальная светочувствительность связана с образованием J-агрегатов красителя.

Показано, что эффект десенсибилизации, наблюдающийся в собственной области поглощения спектрально-сенсибилизированных плоских микрокристаллов с латеральной оболочкой, исследованными мероцианиновыми красителями возможно устранить, если спектральную сенсибилизацию проводить перед химической сенсибилизацией.

Результаты и положения, выносимые на защиту

1. Экспериментально определенные константы скорости роста плоских микрокристаллов AgBr, получаемых при созревании мелкозернистой эмульсии с добавлением диметилсульфона перед синтезом и перед физическим созреванием, и оптимальные условия роста ПМК в присутствии диметилсульфона.

2. Возможность использования диметилсульфона без снижения светочувствительности плоских микрокристаллов AgBr.

3. Кинетические зависимости химической сенсибилизации фотографических эмульсий, содержащих плоские микрокристаллы AgBr с эпитаксами

AgCl, при введении различных концентраций химических сенсибилизаторов и различных температурах.

4. Условия проведения химической и спектральной сенсибилизации плоских микрокристаллов гетероконтактного типа (плоские микрокристаллы AgBr с латеральной оболочкой AgBr0,96lo,o4 и плоские микрокристаллы AgBr с эпитаксами AgCl).

Практическая значимость. Полученные в работе данные могут быть использованы для создания высокочувствительных фотографических материалов на основе плоских микрокристаллов AgBr с эпитаксами AgCl и плоских микрокристаллов AgBr с латеральной оболочкой AgBr0,96lo,o4- Работа проводилась в соответствии с х/д НИР и НИОКР, «Слюда», «Бирюза-К», «Сереж

УК», «Есаул», «Есаул-К» в период с 2000 по 2003 гг.

Публикации. По теме диссертации имеется 12 публикаций.

Апробация работы. Основные результаты докладывались на областной научной конференции "Молодые ученые Кузбассу. Взгляд в XXI век" (г.Кемерово, 2001г.); на XXXIX Международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс" (г.Новосибирск, 2001г.); на Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (г.Кемерово, 2001г.); на Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-2002" (г.Москва, 2002г.); на XXX апрельской конференции молодых ученых КемГУ (г.Кемерово, 2003г.).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка цитируемой литературы, включающего 115 работ отечественных и зарубежных авторов. Содержит 150 страниц машинописного текста, в том числе 63 рисунка и 17 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Кожухова, Татьяна Юрьевна

ВЫВОДЫ

1. Установлено влияние диметилсульфона на рост плоских микрокристаллов AgBr. Определены константы роста и оптимальные условия кристаллизации, при которых, в присутствии диметилсульфона, осуществляется рост кристаллов преимущественно по коалесцентному механизму, позволяющие снизить коэффициент вариации по размерам и увеличить кристаллографическую однородность.

2. Показано, что плоские микрокристаллы AgBr, полученные в присутствии диметилсульфона, обладают более высоким уровнем светочувствительности и повышенной вуалестойкостью.

3. Показано, что увеличение светочувствительности в два раза для плоских микрокристаллов AgBr с угловыми эпитаксами AgCl наблюдается при тех же концентрациях химических сенсибилизаторов, что и для плоских микрокристаллов AgBr, но при температуре - 44°С, что на 10°С ниже, чем для плоских микрокристаллов без эпитаксов.

4. Определены оптимальные условия изготовления плоских микрокристаллов AgBr с латеральной оболочкой AgBro,96lo,04 при проведении одновременного синтеза оболочки и химической сенсибилизации. Установлено, что оптимальными концентрациями

•у являются: желатина - 4% и тиоцианата калия - 6,0*10" мoль/мoльAg л на стадии синтеза и 2,0*10" мoль/мoльAg на стадии химической сенсибилизации.

5. Определена светочувствительность фотослоев на основе плоских микрокристаллов гетероконтактного типа после спектральной сенсибилизации в зависимости от характера адсорбции красителя на поверхности микрокристалла. Показано, что наибольшее увеличение светочувствительности наблюдается при сенсибилизации плоских микрокристаллов гетероконтактного типа красителем, способным в адсорбированном состоянии образовывать J-агрегаты.

6. Установлено, что при проведении спектральной сенсибилизации плоских микрокристаллов AgBr с латеральной оболочкой AgBr0.96lo,o4 исследованными мероцианиновыми красителями наблюдается эффект десенсибилизации в собственной области поглощения галогенидом серебра. Показано, что эффект десенсибилизации указанными красителями устраняется при проведении спектральной сенсибилизации перед химической.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Кожухова, Татьяна Юрьевна, 2003 год

1. Джеймс, Т. X. Теория фотографического процесса//Л.: Химия, 1980. 675с.

2. Вейцман, А. И. Цветные негативные пленки нового поколения/ А. И. Вейцман, А. К. Заренков//ЖНиПФиК, 1988. Т.ЗЗ. №5. С.389-398.

3. Trivelli, D. The effect of silver iodide upon the structure of bromoiodide precipitation series/ D. Trivelli, J. Smith//PhotJ, 1940. V.80. P.285-288.

4. Бреслав, Ю. А. Синтез и свойства плоских микрокристаллов AgHal/ Ю. А. Бреслав, В. В. Пейсахов, Л. Я. Каплун//Успехи научной фотографии, 1986. Т.24. С.5-46.

5. Berriman, R. W. Twinning and the tabular growth of silver bromide cristals/ R. W. Berriman, R. D. Herz//Natur,. 1957. V.180. P.293-294.

6. Maskasky, J. E. Nowel silver bromide tabular grain edge growth and their use in determing the seperation between parallel twin planes in the host grain//J.Imag.Sci, 1987. V.31. №3. P.93-99.

7. Mitchell, J. W. The silver halide photographic grain/ J.Imag.Sci, 1993. V.37. P.331-343.

8. Koschofer, G. Die Grundlagen der Silberhalogenische Photography//Munchen. Springer Verlag, 1985. B.l. S.644-653.

9. James, Т. H. The theory of the photographic process//MacmilIan Publishing Co. New York, 1977. P. 12-14.

10. O.Hamilton, F. J. Print-out process in photographic emulsion grain/F. J. Hamilton,

11. E. Brady//J.Appl.Phus, 1960. V.31. P. 187-197. ll.Ohzeki, K. A study of propeties of tabular silver bromide grain/K. Ohzeki, S. Urabe, T. Tani //J.Imag.Sci, 1990. V.34. P. 136-142.

12. Бреслав, IO. А. Синтез и свойства T кристаллов/Ю. А. Бреслав, В. В. Пейсахов, Л. Я. Каплун//НИИТЭХИМ, 1986. С.2.

13. Mehta, R. V. Insights into growth mechanism of silver halide tabular crystals: cubooctahedral side faces/R. V. Mehta, R. Jagannathan, J. A. Timmons// J.Imag.Sci, 1993. V.37. P.107-116.

14. Mignot, A. G. US Pat.4386156. 1983.

15. Maskasky, J. E. An enhanced undestanding of silver halide tabular grain growth//J.Imag.Sci, 1987. V.31. №1. P. 15-26.

16. Шапиро, Б. И. Теоретические начала фотографического процесса//М.: Эдиториал УРСС, 2000. 288с.

17. Бричкин, С. Б. Механизмы образования и роста плоских эмульсионных МК AgHal/ С. Б. Бричкин, В. Ф. Разумов, М.В. Алфимов//ЖНиПФиК, 1992. Т.37. №2. С.165-171.

18. Ратнер, И. М. Механизмы роста ПМК/ И. М. Ратнер, Л. Я. Крауш, JI. П. Лысенко, К. В. Чибисов//ЖНиПФиК, 1967. Т.12. №2. С.323-327.

19. Терентьев, Е. Г. Коалесцентная модель роста плоских кристаллов/ Е. Г. Терентьев, С. И. Шалимова// ЖНиПФ, 1996. Т.41. №2. С.18-23.

20. Sugimoto, Т. Growth mechanism and size distribution of AgBr tabular grain//Photog.Sci.Eng, 1989. V.28. P. 137-145.

21. Sugimoto, T. Consideration on growth mechanism and size distribution of AgBr tabular grain// J.Imag.Sci, 1989. V.33. P.203-205.

22. Karpinski, P. H. Kinetics of lateral growth of AgBr tabular crystals/ P. H. Karpinski, J. S. Way// J.Imag.Sci, 1987. V.32. №1. P.34-39.

23. Stavek, J. Vlastnosti a priprava Т-kiystalu/ J. Stavek, M. Sipek//Zfotografla Academica. Pardubice, 1985. P.408-419.

24. Котов, А. Г. Модель образования плоских эмульсионных микрокристаллов галогенида серебра/ А. Г. Котов, Е. А. Силаев// Успехи научной фотографии, 1986. Т.24. С.47-68.

25. Кузнецов, В. Д. Кристаллы и кристаллизация//М.: ГИТГЛ, 1953. С.102-103.

26. Antoniades, M. G. Effect of gelatine on the agglomeration of fine AgBr crystals in double-jet precipitation/ M. G. Antoniades, J. S. Wey//J.Imag.Sci, 1993. V.37. P.272-280.

27. Antoniades, M. G. The effect of coclescence on AgBr tabular grain formation/ M. G. Antoniades, J. S. Wey//IS&T's 48-th Conference, Washington, 1995. P.266-268.

28. Maskasky, J. E. Comparison of oxidized and nonoxidized gelatins. I.Silver ion binding//J.Imag.Sci, 1989. V.33. №1. P.l 1-13.

29. Maskasky, J. E. Comparison of oxidized and nonoxidized gelatins. II. Precipitation of AgBr tabular grain emulsion//J.Imag.Sci, 1989. V.33. №1. P.13-17.

30. Ларичев, Т. А. Влияние условий синтеза мелкозернистых AgBr эмульсий на дисперсионные характеристики получаемых при физическом созревании Т-кристаллов/ Т. А. Ларичев, Е. И. Кагакин// ЖНиПФ, 1996. Т.41. №1. С.3-8.

31. Кагакин, Е. И. Закономерности формирования галогенидосеребряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий/ Е. И. Кагакин, Т. А. Ларичев// ЖНиПФ, 1995. Т.40. №2. С.27-30.

32. Бреслав, Ю. А. Стабильные формы микрокристаллов галогенидов серебра. Обзоры. Информация/ Ю. А. Бреслав, Е. Г. Терентьев, Е. И. Кагакин и др. //М.: НИИТЭХИМ, 1988. С. 18-23.

33. Калентьев, В. К. Суперинертные желатины в фотографических галогенсеребряных эмульсиях/ В. К. Калентьев, Р. И. Крикуненко, Е. В. Марянина, С. П. Перевезенцева, Ю. А. Бреслав//Международный симпозиум «Фотография в XXI веке». С-Петербург, 2002. С.96-97.

34. Леви, С. М. Основные направления исследований по созданию дубителей желатиновых слоев. (Обзор патентов и научно-технической литературы)/ С. М. Леви, П. М. Завлин, А. М. Дьяконов// ЖНиПФиК, 1986. Т.31. №3. С. 197-210.

35. Пат.1590053 (Великобритания), 1984.41.Пат.4142900 (США), 1979.

36. Бреслав, Ю. А. Композиционные светочувствительные системы. (1) Эпитаксиальные МК Agl Ы! Ю. А. Бреслав, В. В. Пейсахов //ЖНиПФиК, 1985. Т.30. №2. С.150-157.

37. Бреслав, Ю. А. 150 лет классической технологии фотографических эмульсий/УЖниПФиК, 1989. Т.34. №4. С.243-253.

38. Maskasky, J. Е. Pat.4435501 (USA), 1984.

39. Soott, В. A. Improved tabylar grains//Brit.J.Photogr, 1984. V.131. №48. P. 1282-1284.

40. Maskasky, J. E. Epitaxial selective sites sensitization of tabular grain emulsion//J.Imag.Sci, 1988. V.32. №4. P. 160-177.

41. Проходский, IO. М. О физическом созревании в смеси AgCl AgBr-эмульсий//ЖНиПФиК, 1962. Т.7. С.148.

42. Проходский, Ю. М. Некоторые свойства AgHal фотографических эмульсий с микрокристаллами сложного строения//ЖНиПФиК, 1963. Т.8. №3 С.203-204.

43. Moisar, Е. Untersushungen uber die topographie des latenten Inner und Aubenbildes — Ber. Bunsegcs/ E. Moisar, S. Wagner//Phys.Chem., 1963. V.67. №4. P.356-359.

44. Ларичев, Т. А. Получение таблитчатых микрокристаллов из высокодисперсных суспензий AgHal/ Т. А. Ларичев, Е. И. Кагакин, В. А. Москинов //В межвуз. Сб. научных трудов «Физика и химия конденсированного состояния». Кемерово, 1993. С.31-38.

45. Сечкарев, Б. А. Кристаллизация и химическая сенсибилизация фотографических эмульсий типа «ядро-оболочка» с глубинными центрами светочувствительности/ Б. А. Сечкарев, Л. В. Сотникова, Т. А. Ларичев, М. И. Рябова// ЖНиПФиК, 1998. Т.43. №35. С.2.

46. Bando, S. Photographic silver halide emulsion containing double structure grains/ S. Bando, Y. Shibahara, S. Ishimaru// J.Imag.Sci, 1985. V.29. №5. P.193-195.

47. Adachi, К. Пат.4259438/ К. Adachi, S. Hirano//CIUA, 1981.

48. Mitchell, J. W. Chemical sensitization and latent image formation: A historical perspective//J.Imag.Sci, 1989. V.33. P.103-104.

49. Пат.2138962 (Англия)/УапЫа I., Indgima K., 1986.

50. Пат.ЕР0107302 (Англия)/Уазио Т., Keiji О., 1987.

51. Пат.3957518 (CLL1A)/Yanassne W., Pattyn H., Renotte Y., 1976.

52. Пат. 1461592 (ФРП/Depoorter H., Moelants P., 1987.

53. Спирина, Ю. P. Новый способ создания светочувствительных систем на основе Т-кристаллов сложной структуры/Ю. Р. Спирина, С. А. Шайхуллина//Тез.докл.У1 Между нар. конф. Кемерово, 1995, 4.2. С.111.

54. Шайхуллина, С. А. Кристаллизация и исследование фотографических систем на основе микрокристаллов гетероконтактного типа// Автореф.дисс. капд.хим.наук. Кемерово, 1997. 15с.

55. Спирина, Ю. Р. Химическая сенсибилизация Т-кристаллов сложной структуры// Дисс.канд.хим.наук. Кемерово, 1993. 141с.

56. Кагакин, Е. И. Синтез и свойства фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами галогенида серебра сложного состава и строения//Дисс.док.хим.наук. Кемерово, 2002. 235с.

57. Ларичев, Т. А. Формирование бромидосеребряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий в присутствии тиоцианата калия/Т. А. Ларичев, Е. И. Кагакин// ЖНиПФ, 1996. Т.41. №4. С. 1-4.

58. Tani, Т. Future prospects of silde halide potography//J. of phot. Sci. and Technology, 1990. V.53. №2. P.87-94.

59. Tani, T. Photographic Sensitivity// Oxford University Press. New York. Oxford, 1995.254 р.

60. Мейкляр, П. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического и;юбражения//М.: Наука, 1972. 399с.

61. Картужанский, A. JI. Водородная гиперсенсибилизация эмульсий с восстановительной или золотой сенсибилизацией/А. Л. Картужанский, В. И. Захаров и др.// ЖНиПФиК, 1980. Т.25. №2. С.130.

62. Чибисов, К. В. Химия фотографических эмульсий//М.: Наука, 1975. 344с.

63. Макаров, К. В. Исследование продуктов сернистой сенсибилизации на поверхности Т-МК AgHal методами аналитической микроскопии и анализа изображения/ К. В. Макаров, А. В. Побединская//ЖниПФиК, 1992. Т. 37. №6. С. 453-458.

64. Картужанский, А. Я. Гипотеза Ag3S+-neHTpoB и ее совместимость с фотографическим экспериментом/А. Я. Картужанский, А. X. Лиев//ЖНиПФиК, 1988. Т.ЗЗ. №1. С.74-79.

65. Baetzold, R. Computational Study of Sulfur Sensitizing Centers on AgBr//International Symposium on Silver Halid Technology. Canada, 2000. P.82-84.

66. Charlier, E. Determination of the Silver Sulphide Cluster Size Distribution via Computer Simulations/E. Charlier, R. Gijbels, M. Van Doorselaer, R. De

67. Keyzer//Internalional Symposium on Silver Halide Technology. Canada. 2000. P.85-89.

68. Белоус, В. M. Люминисцентные исследования процессов происходящих при ХС галогенссрсбряных эмульсий//Успехи науч.фотогр, 1989. Т.25. С.5-42.

69. Белоус, В. М. Люминисценция галогенидов серебра и механизм образования скрытого изображения//ЖНиПФиК, 1990. Т.35. №4. С.304-312.

70. Толстобров, В. И. Особенности сенсибилизации щелочами микрокристаллов различной огранки/В. И. Толстобров, О. И. Свиридов, В. М. Белоус//ЖНиПФиК, 1985. Т.30. №3. С.213-215.

71. Белоус, В. М. Роль ионов серы в образовании примесных центров бромсеребряпых эмульсий/ В. М. Белоус, В. И. Толстобров, В. В. Суворин//ЖПиПФиК, 1980. Т.25. №5. С.355-358.

72. Tani, Т. Comprehensive model for sulfur sensitization (2): characterization of sulfur sensitization centers and fog centers// J.Imag.Sci, 1998. V.42. №2. P. 135143.

73. Charlier, E. Functioning of Thiocyanate Ions During Sulphur and Sulphur-Plus-Gold Sensitization/!-. Charlier, R. Gijbels, M. Van Doorselaer, R. De Keyzer//International Symposium on Silver Halide Technology. Canada. 2000. P. 172-176.

74. Roberts, H. F. Review of factors relating to photographic sensitivity// J.Imag.Sci, 1985. V.29. №5. P.175-181.

75. Терентьев, E. Г. Фотографические характеристики слоев, содержащих микрокристаллы типа "двойная структура"/Е. Г. Терентьев, Б. А. Сечкарев //ЖНиПФ, 1995. Т.40. №5. С.23-27.

76. Pat. 4435501 (CIIIA)/Maskasky J.E. 1984.

77. Zhuang, Si Yong. Study of the propeties of photographic emulsion with varying iodide content// J.Imag.Sci, 1986. V.30. №1. P. 16-21.

78. Burt, J. V. Effect of I" on Interstitial Silver Ions in AgBr(I) Microcrystals//J.Phot.Sci and Eng, 1977. V.21. №5. P.245-247.

79. Кагакин, Е. И. Плоские кристаллы галогенида серебра с латеральными оболочками. Организация фото процесса в гетероконтактных фотографических элементах/ Е. И. Кагакин, Ю. А. Бреслав, Т. А. Ларичев //ЖНиПФиК, 1992. Т.37. №2. С. 124-128.

80. Кагакин, Е. И Разработка основ систеза и свойства Т-кристаллов фотографических эмульсий с латеральными оболочками переменного галогенидного состава.//Дисс.канд.хим.наук. Кемерово, 1990. 12бс.

81. Берг, В. Ф. Химическая сенсибилизация// ЖНиПФиК, 1976. Т.21. №5. С.385-388.

82. Спирина, Ю. Р. Влияние структуры и состояния поверхности МК галогенида ссрсбра на топографию центров восстановления/Ю. Р. Спирина, Е. И. Кагакин, В. А. Москинов, Г. Н. Никонова //Физика и химия конденсированного состояния. Кемерово, 1993. С.111.

83. Шайхуллина, С. А. Кристаллизация и исследование фотографических систем па основе микрокристаллов гетероконтактного типа//Дисс.канд.хим.паук. Кемерово, 1997. С.99-103.

84. Бреслав, Ю. А. Экспериментальное определение длины пробега фотоэлектронов в МК AgHal/Ю. А. Бреслав, В. Д. Канторович, Н. К. Злотопольская //ЖНиПФиК, 1988. Т.32. № 2. С.119-121.

85. Granzer, F. Heterojunction in silver halide systems/ F. Granzer, Th. Mossig //Intern. Congr. Of Phologr. Sci. Koln, 1986. P.273.

86. Birch, D. C. Sensitivity and chemical sensitization of silver grain face of different cristallographic index/ D. С Birch, G. C., Farnell, R. B. Flint// J.Phot.Sci, 1975. V.23. №6. P.249-256.

87. Moisar, E. A. Study of sulfur sensitization at definite silver bromide crystal faces//J.Phot.Sci, 1996. V.14. №4. P.181-184.

88. Hamilton, J. F. Twinning and growth of silver bromide microcristals/ J. F. Hamilton, L. E. Brady//J.Appl.Phys, 1964. V.35. №2. P.414-421.

89. Maskasky, J. E. Epitaxial photograhic emulsion AgCl/AgBr//Phot. Sci. and Eng, 1981. V.25.№3. P.96-101.

90. Maskasky, J. E. Epitaxial selective site sensitization of tabylar grain emulsions//SPSE'S 42nd Annu. Conf. Boston, 1989. P.101-104.

91. Сечкарев, Б. А. Кристаллизация и ХС Т-кристаллов AgBr/AgCl//)KI 1и ПФ и К, 1999. Т.44. №3. С.30-34.

92. Сечкарев, Б. А. Кристаллизация и фотосвойства гетероконтактных микрокристаллов AgBr/AgCl/Б. А. Сечкарев, Л. В. Сотникова, Ф. В. Титов, Д. В. Дягилев, A. 11. Утехин//Международный симпозиум «Фотография в XXI веке». С-Петербург, 2002. С.56-58.

93. Сечкарев, Б. А. Кристаллизация и формирование светочувствительности микрокристаллов AgHal различной структуры в фотографическом процессе//Дисс.док.хим.наук. Кемерово, 1999. 269с.

94. Pic, С. Spectroscopic study of a spectrally sensitized tabular grain AgBr emulsion using both AFM and PSTM techniques/ C. Pic, D. Martin, J. Guilment, F. De Forncl, J. P. Goudonnet // J.Imag. Sci. and Technol, 1998. V.42. №2. P. 126-134.

95. Шапиро, Б. И. Химическая теория спектральной сенсибилизации галогенидов серебра// Успехи научной фотографии, 1986. Т.24. С.69-105.

96. Shapiro, В. I. Chemistry of spectral sensitization processes a review// J.Imag. Sci. and Technol, 2002. V.46. №2. P.89-100.

97. Шапиро, Б. И. Спектральная сенсибилизация фотографических материалов: Новые подходы//ЖНиПФ, 2002. Т.47. №5. С.11-19.

98. Шапошникова, I7. В. Исследование ионной проводимости микрокристаллов AgBr в зависимости от условий их приготовления// Дисс.канд.физ-мат.наук. Кемерово, 2000. 151с.

99. Wong, S. The influence of pAg oh grain sise, aspect ratio, distribution of iodide ions and ionic conductivity of tabylar silver halides crystals/ S. Wong, X. Cui, N. Wu //Phot.Sci.Photochem, 1986. V.31. P.321-330.

100. Спектрофотометр и ческий метод изучения фотолиза неорганических материалов//Метод.указания. Кемерово, 2000. С. 15-24.

101. Августинович, К. А. Основы фотографической метрологии//М.: Легпромбытиздат, 1990. 290с.

102. Зернов, В. А. Фотографическая сенситометрия//М.: Исусство, 1980. 298с.

103. Шеберстов, В. И. Химия проявителей и проявления//М.: Госкиниздат. Изд.2-е, 1941.340с.

104. Шайхуллина, С. А. Определение констант скорости агрегационного роста плоских микрокристаллов AgBr/C. А. Шайхуллина, Ю. Р. Спирина, Е. Г. Терентьев //Коллоидный журнал, 1999. Т.61. №1. С. 123-127.

105. Locker, D. J. Analysis of photolitic silver on and within cubic silver halide microcrystals: core-shell emulsion grains//Phot.Sci.Eng, 1975. V.19. P. 160-163.

106. Бреслав, IO. А. Частное сообщение, 2002.