Конструкция, технология и теплофизические свойства кристаллов датчиков газов в микроэлектронном исполнении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Викин, Олег Геннадьевич

• Викин, Олег Геннадьевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Викин, Олег Геннадьевич

Введение стр.

Глава 1 Твердотельные датчики газов

1.1 Влияние адсорбции газов на электрические свойств стр. 11 широкозонного полупроводника БпОг

1.2 Физические свойства пленок металлооксидных стр.21 полупроводников, типа диоксида олова, оксида цинка и методы их получения.

1.3 Конструкция толстопленочных датчиков газов стр.

1.4 Конструкции тонкопленочных датчиков стр.

Выводы стр.

Глава 2 Разработка конструкции и технологии изготовления газовых датчиков.

2.1 Выбор конструкции и расчет элементов топологии стр.

2.2 Расчет конструкции газового датчика стр.

2.3 Анализ свойств тонких пленок из №Сг применительно стр.59 (ф к конструкции газового датчика

2.4 Исследование влияния режимов термостабилизац- стр.63 ионного отжига на свойства элементов конструкции газовых датчиков

2.5 Исследование прочности сварных соединений стр.66 внутренних выводов ГС А1 - №Сг 50/50%

2.6 Технологические схемы изготовления газовых стр.70 (д датчиков

Выводы стр.

Глава 3 Тепловая модель газового сенсора

3.1 Тепловые характеристики элементов датчика стр.

3.2 Анализ тепловых потерь кристалла газового датчика стр.84 в статическом режиме

3.3 Расчет распределения температуры по поверхности стр.88 кристалла кремния.

3.4 Зависимость температуры датчика от времени стр.93 3.5 Объекты и методика исследования распределения стр. температуры по кристаллу газового сенсора

3.6 Экспериментальные исследования теплофизических стр. 103 свойств газовых датчиков

Выводы стр.

Глава 4 Полуавтоматический пороговый индикатор регистрации уровней концентрации токсичных газов в окружающей атмосфере

4.1 Термообработка и газовый отклик пленок Sn02 стр.

4.2 Назначение и принцип действия прибора стр.

4.3 Устройство порогового индикатора стр.

4.4 Порядок работы. стр. 126 Выводы стр.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Конструкция, технология и теплофизические свойства кристаллов датчиков газов в микроэлектронном исполнении»

Актуальность темы. Автоматизация промышленности, в особенности сложных и опасных технологических процессов, остро нуждается в средствах, позволяющих получить информацию о составе газовых сред. Подобные устройства должны обеспечивать выборочную реакцию на определенные компоненты среды, обладать высокой надежностью и воспроизводимостью результатов. Современное развитие научной мысли предоставляет множество способов и методик для реализации данной проблемы, поэтому, как правило, решающим и определяющим критерием выбора является объем затрат на создание и эксплуатацию необходимого оборудования. В случаях, когда требуется сверхточное измерение и контроль, например в опасных производствах или в условиях специализированных лабораторий, вопрос о стоимости и габаритах средств измерения не так актуален. Однако находится множество случаев, когда требуются миниатюрные, дешевые, простые в использовании и обслуживании системы, пригодные для использования в любых условиях, от систем кондиционирования воздуха внутри жилых помещений до систем безопасности на складах и хранилищах. Сенсорные элементы таких систем должны обладать максимально высокой чувствительностью, избирательностью, стабильностью свойств и технологичностью в производстве. В случае охранной и предупредительной сигнализации приборы также должны обладать миниатюрностью для скрытности и низким энергопотреблением для увеличения срока автономности. Наличие таких приборов, например датчиков утечки бытового газа, в каждом доме повышает безопасность и качество жизни.

Среди всего многообразия газовых сенсоров наиболее полно предъявленным требованиям удовлетворяют так называемые полупроводниковые сенсоры на основе широкозонных полупроводников, таких как ZnO, У2С>5, 1п2Оз, СоО, М§0, из которых 8пОг (диоксид олова) исторически наиболее популярен. Все перечисленные материалы обладают электронным типом проводимости при нормальных атмосферных условиях в рабочем диапазоне температур 300 — 500°С.

Основы современной теории газовой чувствительности были заложены в работах А. Ф. Иоффе еще в 30-х годах 20-го века. Однако один из первых промышленно изготовленных газовых сенсоров был сконструирован и изготовлен японским ученым Та^сЬу в 60-х годах прошлого века. Конструкция этого типа сенсоров практически не изменилась с того времени, он представляет собой керамическую трубку, внутри которой проходит спираль нагревателя из платиновой проволоки, оба конца трубки обмотаны платиновой проволокой, образующей контакты к нанесенному на поверхность чувствительному слою. Главными недостатками данной конструкции в противовес простоте изготовления являются высокое энергопотребление, а также нетехнологичность в производстве.

Несмотря на то, что подобные изделия до сих пор изготавливаются и находят применение, наиболее перспективными являются сенсоры, изготовленные по микроэлектронной технологии. При этом за счет применения стандартных, хорошо отработанных, высокотехнологичных процессов может достигаться массовость, стабильность и воспроизводимость параметров газовых датчиков (ГД), низкая себестоимость изделий. Производственный цикл состоит из последовательных процессов подготовки подложки, формирования нагревателя и контактов к чувствительному слою, формирования чувствительного слоя, стабилизационного отжига полученной структуры, монтажа в корпус и присоединения внешних выводов.

В качестве материала подложки обычно используются тонкие пластины из керамики, оксида алюминия, кремния и т.п. Главным требованием к такому материалу является низкая стоимость, технологичность, химическая инертность. Нагреватель чаще всего изготавливают путем нанесения тем или иным методом платины, поскольку она обладает достаточно высоким температурным коэффициентом сопротивления и химически инертна. Материалом для контактов к чувствительному слою может являться платина или золото.

Изготовление элементов конструкции из золота или платины сопряжено с определенными трудностями. Как правило, такие контакты многослойные, поэтому трудоемки в производстве, а также дорогостоящи из-за больших безвозвратных потерь драгоценных металлов.

Использование тонких пленок из альтернативных материалов для нагревателей и токосъемных контактов^, А1 и др.) ограничено из-за высоких рабочих температур ГД 300 — 500°С или несоответствия требованиям к электрофизических параметрам. Работа датчика при высоких температурах и зависимость его параметров от равномерности распределения температуры определяют проблемы теплофизических характеристик кристалла датчика.

В этой связи вопросы оптимизации конструкции ГД, обеспечение стабильности электрических и механических свойств элементов, входящих в конструкцию ГД, к началу исследований в доступной литературе были освещены недостаточно полно, что создавало определенные трудности использования их в конкретной разработке.

Данная работа выполнялась по госбюджетной теме кафедры полупроводниковой электроники ВГТУ: ГБ — 2001 — 34 (изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых структурах и приборах), а также в соответствии с программой гранта МО РФ ТО 2 — 02. - 3484 и НТП 207. 02. 017 и 208.06. 01. 003.

Цель работы. Разработка конструкции и технологии изготовления интегральных датчиков газов в микроэлектронном исполнении. Для достижения поставленной цели в диссертации следовало решить следующие задачи: 1 .Разработать варианты конструкций кристалла датчика.

2.Разработать технологические маршруты изготовления кристаллов датчиков газа.

3.Исследовать возможности использования тонких пленок №Сг в качестве нагревательных элементов и токосъемных контактов.

4.Разработать тепловую модель ГД, провести расчет и экспериментальные исследования влияния взаимного расположения элементов конструкции на распределение температуры по поверхности газочувствительного слоя.

5.Исследовать влияние методов монтажа кристаллов ГД в корпус на его теплофизи чески е параметры.

6. Разработать структурную схему, алгоритм программы измерений, электрическую схему полуавтоматического порогового устройства для регистрации паров органических растворителей в воздухе.

7.Изготовитъ макетный образец датчика.

Научная новизна.

1.Разработана оригинальная топология кристалла ГД, обеспечивающая при экономичном режиме энергопотребления перепад температуры по поверхности газочувствительной области не более 3 — 5°С.

2.Впервые исследована и экспериментально обоснована возможность использования сплава нихром (№Сг) в качестве материала для токосъемных контактов и нагревательных элементов вместо традиционно используемой в производстве ГД дорогостоящей платины.

3.Разработают и экспериментально подтверждена тепловая модель ГД, учитывающая тепловые свойства входящих в его конструкцию материалов. Получено хорошее (не хуже 10%) совпадение расчетных и полученных экспериментальным путем данных по распределению температуры по поверхности кристалла ГД.

4.Впервые путем регистрации интенсивности ИК излучения с поверхности кристалла ГД исследован характер распределения температуры по поверхности кристаллов разработанных ГД. Экспериментально подтверждена эффективность методов монтажа в корпус разработанных кристаллов ГД.

Практическая значимость 1 Технология и маршрут изготовления кристалла ГД, полностью совместим с маршрутом серийного производства планарных транзисторов. 2.Разработанная конструкция ГД со специальным расположением нагревателей и метод монтажа в корпус обеспечивают разброс температуры по поверхности кристалла ГД не более 5°С. 3 .Предложены способы монтажа кристалла ГД в корпус, позволяющие снизить энергопотребление и обеспечить устойчивость конструкции к механическим нагрузкам. 4.Разработана электрическая схема, конструкция малогабаритного устройство со встроенным источником питания для автоматического измерения порогового значения концентрации различных газов. Изготовлен и испытан опытный образец.

Положения выносимые на защиту.

1.Топология и маршрут изготовления кристалла ГД, полностью адаптированного к технологии серийного производства полупроводниковых приборов на кремнии.

2.Конструкция чувствительного элемента на основе БпОг с использованием сплава из №Сг для создания нагревателя и токосъемных контактов ГД.

3.Тепловая модель разработанных конструкций датчиков газов и результаты расчетов тепловых потерь.

4.Экспериментальные данные по распределению тепла по поверхности кристалла датчика в зависимости от конструкции и способа монтажа в корпус.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно - технических семинарах: Всероссийская научно - техническая конференция "Охрана и безопасность"(Воронеж, 2001); Международная школ - семинар

Нелинейные процессы в дизайне материалов"; 1 Всероссийская конференция "Физико — химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах "ФАГРАН 2002" (Воронеж, 2002); IV Научно - техническая конференция "Электроника и информатика 2002" (МИЭТ г. Москва, 2002); научно - практическая конференция Союза металловедческих обществ России "Новые функциональные материалы и экология " (Москва, 2002); XV научно - техническая конференция с участием зарубежных специалистов (Москва 2003); Второй Международный симпозиум "Безопасность и экология водородного транспорта" И^БЕНТ -2003 (Саров, 2003).

Публикации. По материалам исследований опубликовано 11 работ.

Личный вклад автора. В совместных работах автору принадлежит проведение и обработка результатов экспериментальных исследований, разработка конструкции газового сенсора, выполнение теоретических расчетов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и приложения. Работа изложена на 138 страницах текста, включая 4 таблицы, 71 иллюстрацию и список использованной литературы из 95 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Викин, Олег Геннадьевич

Выводы и результаты

1. Установлена зависимость изменения сопротивления пленок 5пОг от температуры отжига, исследованы статические и динамические характеристики изменения газовой чувствительности пленок 8п02 , полученные методом магнетронного напыления.

2. Определена температурно-временная диаграмма работы ГС, для задания временных интервалов функционирования измерительной схемы.

3. Установлена возможность применения полученных пленок Бп02 в качестве чувствительного элемента для разработанных конструкций ГД.

4. Разработана управляющая программа работы микроконтроллера.

5. Изготовлен и испытан опытный образец полуавтоматического порогового индикатора и подтверждена его работоспособность.

Заключение

В диссертации получены следующие научно — технические результаты

1.С учетом высокотемпературной специфики работы газового сенсора осуществлен выбор конструкционных материалов и проведен расчет топологии двух типов конструкций: с платиновой и нихромовой металлизацией, обеспечивающих равномерность температуры по всей площади кристалла датчика.

2.Обоснована возможность применения в качестве высокотемпературного нагревателя и термометра более дешевых по сравнения с платиной пленок нихрома с процентным содержанием 50/50%. Исследовано влияние режимов термостабилизационного отжига при 510 °С пленок №Сг на их электрофизические свойства. Показана возможность замены платиновой металлизации на нихромовую с защитным покрытием от воздействия газовой атмосферы из пиролитической пленки БЮг.

3.Предложена схема технологического процесса изготовления ГС с платиновой и нихромовой металлизацией, экспериментально исследованы и отработаны методы взрывной фотолитографии, разработаны методы монтажа и сборки датчиков, создающие наиболее благоприятные тепловые режимы для оптимального функционирования всех элементов конструкции датчика вплоть до температур ~ 500°С. Изготовлены макетные образцы датчиков, на которых исследованы их теплофизические характеристики.

4.Разработана тепловая модель газового датчика и проведен анализ возможных механизмов рассеяния мощности. Показано, что потери тепла за счет радиационного рассеяния и конвекции в общей сумме потерь тепла составляют 10 - 15 %, при этом основной отвод тепла от кристалла газового датчика (-90%) осуществляется через проволочные выводы. Для тепловой модели кристалла газового датчика решена задача распределения температуры по поверхности кристалла. Показано, что неравномерность распределения тепла по поверхности кристалла при температуре ~ 300°С не превышает 1 - 2% , что подтверждается результатами расчета и экспериментальными исследованиями

З.Разработана методика прямого анализа тепловых процессов на поверхности кристалла с помощью микропирометров 14 КИ1 - 001 и ИК тепловизора ТегшаСАМ- 60 .Исследовано распределение температуры по поверхности кристаллов датчиков трех различных конструкций в зависимости от конструкции нагревателей и способов монтажа кристалла.

6. Исследована динамика нагрева и охлаждения датчика до температур ~ 250°С. Установлен экспоненциальный характер кривых нарастания и спада температуры и предложен механизм их объяснения. Динамические тепловые характеристики использованы для задания временных интервалов функционирования измерительной схемы.

7.Установлена зависимость изменения сопротивления пленок БпОг от температуры отжига и исследованы статические и динамические характеристики изменения газовой чувствительности пленок БпОг. Разработана конструкция, электрическая схема управления процессом десорбционного отжига и последующего измерения сопротивления газочувствительного слоя, алгоритм программы нагрева и измерения для управления микроконтроллером, изготовлен образец полуавтоматического порогового устройства для индикации трех уровней концентрации паров этанола в выдыхаемом воздухе, проверена его работоспособность. В качестве чувствительного элемента применяется ГД, который изготовлен на основании результатов исследований и технических работ в ходе выполнения данной диссертационной работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Викин, Олег Геннадьевич, 2004 год

1. Иоффе А.Ф. Сообщение о научно-технических работах в республике Катализ. Л.: НХТИ, 1930. - 53 с.

2. Рогинский С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях -М.: АН СССР, 1948.-278С.

3. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. - 432 с.

4. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химня поверхности полупроводников-М.: Наука, 1973.-400 с.

5. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. -М.: Иностранная литература, 1963. 456 с.

6. Моррисон С .Р. Химическая физика поверхности твердого тела.-М.: Мир, 1982.-583 с.

7. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А.-М.: Наука, 1991-327с.

8. Сухарев В .Я . , Мясников И. А. Теоретические основы метоа полупроводниковых сенсоров в анализе активных газов // Жури. физ. химии. -1986.- Т. LX. Вып.10. - С.2385-2401.

9. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов // Журн. физ. химии. 1984. - Т. LVIII. - Вып.4. - С. 801 - 821.

10. Ю.Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М: Наука, 1970. - 399 с.

11. Yamazoe N., Fuchigami J., Kishikawa M., Seiyama Т. Interaction of tin oxide surface with O2, H20 and H2 // Surface Sei. 1979. - Vol. 86. - P.335 - 344.

12. Chang S.C. Sensing mechanism of thin film tin oxide // Proc. 1st Meet. Chemical Sensors. -Japan, Fukuoka, 1983. P.78 - 83.

13. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with SnCb -based devices//Sensor and Actuators. 1989. - Vol. 18. - P.71 - 114.

14. Бутурлин A.M., Габузян Г.А., Голованов H.A., Бараненков И.В., Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Фадин В .Г., Чистяков Ю.Д. Полупроводниковые датчики наоснове металлооксидных полупроводников //Зарубежная электронная техника. 1983. -№10. - С. 3 -38.

15. Clifford Р. К., Tuma D.T. Characteristics of semiconductor gas sensors //Sensor and Actuators. 1982. - Vol. 3. - P.233 - 254.

16. Barsan N. Conduction model in gas-sensing Sn02 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence // Sensor and Actuators.-1994.- Vol. В.- № 17.-P.241 -246.

17. Sanson S., Fonstad C.G. Defect structure and electronic donor levels in stanic oxide crystals//J. Appl. Phis.-l 973.- Vol.44.- P.4618-4621.

18. Jarsebski Z. M., Marton J.P. Physical properties of Sn02 materials -electrical properties//. Electrochem. Soc. 1976.-Vol.l23.-№ 9.-P. 229310.

19. Maier J., Gopel W. Investigation of the bulk defect chemistry of polyciystalline tin (IV) oxide // J. Solid State Chem. 1988,- № 72.- P. 293 -302.

20. Xu C., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02 // J. Electrochem. Soc. -1990.-Vol.58.-№ 12.-P. 1143-1148.

21. Xu C., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Grain size effects on gas sensitivity of porous Sn02 based elements // Sensor and Actuators.-1991. Vol. B.-№3.-P.147- 155.

22. Ippommatsu M., Ohnishi H., Saski H., Matsumoto T. Study on the sensingmechanism of tin oxide flammable gas ensor using the Hall effect/./J. AppLPhys.-1991.- Vol. 69(12). №1 5.- P.8368 - 8374.

23. Watson J., Ihokura K., Colest G.S.V. The tin dioxide gas sensor // Meas.Sci.

24. Technol. -1993. -№ 4. P.717-719.

25. Rekas М., Szklarski Z. Defect chemistry of antimony doped SnCb tin films // Bull. Polish Academy Sci. Chem.-1996.-Vol.44.-№ 3.-P. 155-177.

26. Хатсон A.P. Полупроводники. -M.: Иностранная литература, 1962 -497с.

27. Jones F.H., Dixon R., Foord J.S., Egdell R.G., Pethica J.B. The surfs structure of SnCb (1 10)(4xl) revealed by scanning tunneling microscopy // SurfScience.-1997.-Vol.376.-P.367-373.

28. Robertson I. Defect levels of SnC>2 // Phis. Rev.- 1984,- Vol. B.-№ 30 P. 3520-3522.

29. Панкратов E.M., Рюмин В .П. , Щелкина Н.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова.- М.: Энергия, 1969.- 56 с.

30. Stoev 1., Khol D. An integrated gas sensor on silicon substrate sensitive layer of SnOx // ISPPME 6th International School on Physical Problems Microelectronics 1989.- P.482 - 489.

31. Астафьева JI.B., Скорняков Г.П. Установка для получения плен двуокиси олова // ПТЭ.-1980.- №5 С.235 - 237.

32. Popova L.I., Michailov M.G., Georguiev V.K. Structure and morpholo of thin SnCb films // Thin Solid Films.- 1990.- Vol. 186.- P. 107 112.

33. Технология СБИС / Под ред. С.Зи.-М: Мир, 1986.-453 с

34. Goyat D., Agashe С., Marathe В. et al. Effect of dopant incorporation on structural and electrical properties of sprayed SnC>2:Sb films // J. Appl. Phys.-1993.- Vol.73.-№ 11.-P.7520-7523.

35. Иващенко А.И., Хорошун И.В., Киоссе Г.А., Марончук И.Ю., Попушой В.В. Природа изменений физических свойствполикристаллических гонких пленок S11O2, вызванных термообработкой // Кристаллография.-1997.- Г.42.-№5.-С.901-905.

36. Технология тонких пленок: Справочник: В 2 т. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга.-М: Сов. радио, 1977. Т. 1. - 390 с.

37. Zemel J.N. Theoretical description of gas film interaction on SnCW/ Thin Solid Films. - 1988.- Vol.163.- P. 189 - 202

38. Gopel W., Schierbaum K.D. SnCb sensor: current status and future prospect: Sensor and Actuators. 1995. - Vol. B,26 -27. - P.I - 12.

39. Бутурлин А.И., Габузян ТА., Голованов Н.А. Газочувствительные датчики на основе металлоксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника №10, 1983, стр. 3-39.

40. Simon.I., BaArsan N., Bauer M., Weimar U. // Micromachined metal oxide gas sensors: opportunities to improve sensor performance. Sensors and Actuators В 73 (2001) p. 1-26

41. Tang Z., Wu J Jap. J. Appl. Phys., 1980, V. 19, N 3, p. 513-517.45.Патент США №4009061.

42. Gardner J., Pike A., N. de Rooji, Koudelka-Hep M., Clerc P., Hierlemann A., Gopel W.// Integrated array sensor for detecting organic solvents, Sensors and Actuators В 26/27 (1995) p.135-139.

43. Lee D., Chung W., Choi M., Back J.// Low-power micro gas sensor, Sensors and Actuators В 33 (1996) p. 147-150.

44. Maccagnani P., Don L., Negrini P., Thermo-insulated microstructures based on thick porous silicon membranes, in: Proceedings of the 13th European Conference on Solid-State Transducers, The Hague, The Netherlands, 12-15 September 1999, p.817-820.

45. Becker Th., Ahlers Si,. Bosch-v.Braunmuhl Chr,. Muller G, Kiesewetter O. // Gas sensing properties of thin- and nhick-film tin-oxide materials. Sensors and Actuators B 77 (2001) p.55-61.

46. Briand D., Krauss A., B. van der Schoot, Weimar U., Barsan N., Gopel W., N.F. de Rooij // Design and fabrication of high-temperature micro-hotplates for drop-coated gas sensors. Sensors and Actuators B 68 (2000) p.223-233.

47. Dusco C., Va zsonyi E., Adam M., Szabo I., Barsony I., Gardeniers J., A. van den Berg. // Porons silicon hulk micromachining for thermally isolated membrane formation, Sensors and Actuators A 60 (1997) p.235-239.

48. Sheng L., Tang Z., Wu J., Clian P., Sin J. // A low-power CMOS compatible integrated gas sensor using maskless tin oxide sputtering, Sensors and Actuators B 49 1998, p.81-87.

49. Chung W., Shim C., Choi S., Lee D. // Tin oxide microsensor for LPG monitoring, Sensors and Actuators B 20 (1994) p. 139-143.

50. P. Hille, H. Strack, A heated membrane for a capacitive gas sensor, Sensors and Actuators A 32 (1992) p.32I-325.

51. Götz A., Gracia I., Cane C., Lora-Tamayo E. // Thermal and mechanical aspects for designing micromachined low-power gas sensors, J. Micromech. Microeng. 7 (1997) p.247-249.

52. Tuller H., Mlcak. R. // Photo-assisted silicon micromachining: opportunities for chemical sensing, Sensors and Actuators B 35/36 (1996) p.255-261.

53. Saul С., Zemel J. // Diode-based microfabricated hot-plate sensor, Sensors and

54. Actuators A 65 (1998) p.128-135.

55. Figaro Products Catalogue, Figaro gas sensors 1-series 8-series, Figaro Engineering Inc., European Office, Oststrasse 10,40211, Dusseldorf, Germany60.153th Meeting of the Electrochemical Society Seatle, Washington, 1978, Abstr.N 37.

56. Harold Sobol, // Applications of Integrated Circuit Technology of the TEEEE, (1971)N8 p.59

57. Jackson C.M., Danleavy J.G.JHall A.,M. //Proc. Elektron Components Conf.1961 p.36-41

58. Campball D.,Bzit H, //Annu. Phis 16 (1719), 1965,

59. Исследование создания термозависимых резисторов для обеспечения температурной устойчивости СВЧ транзисторов //Отчет по НИР"Пандус",НИИЭТ, Воронеж, 1991

60. Ефимов И.Е., Козырь ИЛ., Горбунов Ю.И. //Микроэлектроника М.: Высшая школа, 172 — 187 с.

61. Майсекка JI, Гленга Р., //Технология тонких пленок: Справочникам . : Советское радио, с. 584 585

62. Bimtll P., Bleckborn Y., Campball., Stirlend D., //Microelectron Reliability 1964, p.61

63. Самсонов Г В.// Физико химические свойства элементов-Киев.: Наукова думка, 1965 С.681-687, 707-723

64. РД 11 0865-92 Приборы полупроводниковые. Методы обеспечения иоценки соответствия требованиям ТЗ по надежности на этапе НИОКР.

65. Гуляев А.П. //Металловедение — М.:Металлургия,1986

66. Обзоры по электронной технике, сер. 2, вып.4 (863),1982

67. Appl. Proc. Reliability Phis. Anaheim. California, April 1 3,1986, p.55 - 60

68. Исследование технологии сборки БИС и СБИС на двухслойном медно — полиимидном гибком носителе// Отчет по НИР, НИИЭТ, Воронеж, 1993 С.13-26

69. Технологические схемы изготовления микроэлектронных датчиков газов/ С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов. // Электроника и информатика — 2002: Тез. Докл. IV Междунар. науч. — техн. конф. М: МИЭТ, 2002. С.342 343.

70. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлоксидных интегральных сенсоров газа/ С. И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов// Сенсор. 2004. № 1(10) С. 20-2977. ГОСТ 20.57.401-81

71. Охотин A.C., Боровикова Р.П., Нечаева Т.В., Пушкарский A.C. Теплопроводность твердых тел // Справочник, Под ред. A.C. Охотин а. М., Энергоатомиздат, 1984.320 с.

72. Самарский A.A. Теория разностных схем. — М.: Наука, 1977. — 656 с.

73. Технологические схемы изготовления микроэлектронных датчиков газов / С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: сб. тр. Воронеж: ВГТУ, 2003. С. 116-125

74. Grigull U., Sander H., //Warmeleitimg, Springer, Berlin, 1979.

75. Виглеб Г. Датчики . М.: Мир, 1989 .

76. Watson G.,Ihokura К.,Coles C.Sv. Thetin dioxide gas sensor .//Vlas.Sci.Technol.,1993. V.4 - P.711 - 719

77. Максимович Н.П. Дышель Д.Е. Еремина JI.E. и др. Полупроводниковые сенсоры для контроля газовфх сред //Ж.аналитгической химии, 1990 — Т.45.-№7.-С.1312 -1316

78. Викин О. Г., Буслов В. А. Направленный массоперенос алюминия в контактах к нихромовой металлизации для датчиков газов на основе Sn02 // Шаг в будущее: Сб. тр. регион, конф. Воронеж, 2002. С. 50

79. Викин О.Г., Буслов В. А., Рембеза С. И . Направленный массоперенос алюминия в контактах к нихромовой металлизации для датчиков газов на основе SnÜ2 // Тез. Док. Междунар. школы — семинара Нелинейные процессы в дизайне материалов: Воронеж, 2002. С. 56.

80. Конструктивные и технологические свойства микроэлектронных датчиков газа /С.И. Рембеза, Д.Б. Просвирин, О.Г. Викин, Г.А. Викин, В.А. Буслов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: сб. тр. Воронеж: ВГТУ, 2003. С. 110 115

81. Буслов В.А., Викин О. Г., Татаринцев Ю. А. Тепловые характеристики кристалла датчика предупредительной сигнализации // Охрана и безопасность 2001: Сб. материалов Всерос. Науч. практ. конф. Воронеж, 2001 г. С. 17.