Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Юсупова, Шаира Абдувалиевна

• Юсупова, Шаира Абдувалиевна
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Юсупова, Шаира Абдувалиевна

ОГЛАВЛЕНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Марганец в кремнии

1.2. Никель в кремнии

1.3. Железо в кремнии

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ И ТЕХНОЛОГИЯ

ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ

2.1. Радиоактивная методика исследования концентрационного распределения Mn, Ni и Fe в кремнии

2.2. Емкостные методы исследования

2.3. Измерение концентрации кислорода и углерода методом ИК-поглощения

ГЛАВА III. МЕЖПРИМЕСНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ КРЕМНИЯ Mn, Ni И Fe

3.1. Влияние марганца и железа на поведение

примеси никеля в кремнии

3.2. Влияние марганца и никеля на поведение

примеси железа в кремнии

3.3. Влияние никеля и железа на поведение

примеси марганца в кремнии

ВЫВОДЫ

стр.

ГЛАВА IV. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПРИМЕСЕЙ Мп И № С РОСТОВОЙ ПРИМЕСЬЮ -

КИСЛОРОДОМ В КРЕМНИИ

4.1. Концентрационные распределения никеля в кремнии с различным содержанием кислорода

4.2. Концентрационные распределения марганца в кремнии с различным содержанием кислорода

4.3. Влияние марганца и никеля на образование структурных дефектов в кремнии

4.4. Состояние примесей марганца, никеля и железа

в кристаллической решетке кремния

ВЫВОДЫ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Примеси различных элементов в полупроводнике и, в частности, в кремнии, как правило, являются одним из основных факторов, определяющих его электрофизические свойства. Это относится и к примесям, создающим глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника. Элементы переходной группы Периодической системы Мп, № и Ре являются такими примесями в кремнии. Обычно они вводятся (или проникают) в кремний путем диффузии, поскольку являются быстродиффундирующими. Изучению поведения этих примесей в кремнии и свойств кремния, легированного ими, посвящено большое число исследований. При этом обычно изучался материал, легированный одной из примесей. Значительно меньше исследований проводилось на кремнии, легированном (одновременно или последовательно) несколькими примесями с глубокими уровнями (ГУ). Свойства такого материала могут существенным образом зависеть от процессов взаимодействия легирующих примесей с ГУ как между собой, так и с другими имеющимися практически всегда в кремнии примесями - кислородом, углеродом, азотом (иногда их называют "ростовыми") и т.н. "мелкими" (акцепторными или донорными) легирующими примесями - бором, фосфором, сурьмой и др., создающими энергетические уровни, расположенные вблизи краев соответ-

ствующих зон. Процессы взаимодействия, протекающие в такой достаточно сложной системе, могут проявляться в изменении распределения одной примеси и ее общего содержания в материале в результате введения другой, в образовании дефектов структуры - кластеров различных комплексов и преципитатов, включающих атомы примесей и кремния, в эффективном внутреннем или внешнем (поверхностном и приповерхностном) геттерировании при диффузионном введении примеси, в трансформации энергетического спектра ГУ, в измененении оптических и других свойств легированного материала.

В этой связи экспериментальное изучение процессов взаимодействия примесей с ГУ между собой и с примесью кислорода в кремнии является актуальной темой исследования, поскольку получение таких экспериментальных данных, в частности, для примесей Мп, № и Ре способствует развитию фундаментальных представлений о поведении примесей в полупроводниках и позволяет прогнозировать свойства кремния при введении или проникновении в него нескольких примесей с ГУ, а также разработать методы очистки материала от определенных примесей.

К началу наших исследований был известен ряд работ, посвященных изучению процессов взаимодействия примесей с ГУ в кремнии. В частности, было показано, что примесь Мп, вводимая с помощью диффузии в кремний, содержащий Б или Бе может образовывать примесные комплексы с этими элементами (типа 8148Мп2). Было обнаружено взаимодействие Мп в в! с ростовыми примесями О и С, а также с примесью Тп. Было установлено, что примесь М|, введенная диффузией в 81, содержащий Мп,

стабилизирует свойства твердого раствора Мп-вЬ При этом практически вне внимания исследователей остался ряд важных аспектов, определяющих картину взаимодействия:

- влияние диффузионного легирования кремния одной примесью с ГУ на полную концентрацию и концентрационное распределение другой,

влияние содержания, распределения и состояния кислорода на полную концентрацию и диффузионный профиль примесей с ГУ,

- влияние режимов охлаждения после диффузионного насыщения кремния, термообработок и концентрации кислорода на взаимодействие между примесями с ГУ и комплексами ЭьО.

Цель и задачи исследования. Перечисленные аспекты явились основой для формулирования цели настоящей работы и ее основных задач. Целью работы являлось комплексное исследование взаимодействия примесей с ГУ в кремнии между собой и с кислородом.

Основными задачами работы были:

- исследование влияния диффузии одной из примесей с ГУ (Мп, N1, Ре) на поведение другой - на ее диффузионное распределение, полную концентрацию и спектр энергетических уровней в запрещенной зоне кремния;

- изучение влияния содержания, распределения и состояния примеси кислорода на диффузионные профили марганца и никеля, а также воздействия технологических факторов (режимов отжига и охлаждения) на образование структурных дефектов, включающих диффузионно-введенные в атомы Мп и №.

Научная новизна. В работе впервые:

- исследовано взаимное влияние диффузионного насыщения кремния примесями Мп и № на их концентрационные распределения;

- исследовано перераспределение железа в кремнии при последовательной диффузии металла (Мп, 1\Н, Аи, Р1 и др.), установлена возможность очистки локальных объемов кремния от примеси железа геттерирующим поверхностным слоем металла;

- исследовано влияние примеси железа, а также ростовой примеси кислорода на диффузионные профили Мп и № в кремнии;

- установлено геттерирование примеси никеля поверхностным слоем Ре или Мп, а примеси марганца - Аи или РЪ

- установлены технологические факторы, определяющие кинетику образования дефектов структуры - кислородно-кремниевых комплексов, включающих введенные диффузией примеси Мп и N1

Научная и практическая ценность. Результаты выполненного исследования способствуют развитию фундаментальных представлений о поведении примесей и их взаимодействии друг с другом в полупроводниках. Они существенны также для оптимизации технологических режимов диффузии и полезны для решения проблемы стабильности полупроводниковых материалов и приборов. Полученные результаты могут быть использованы в производстве полупроводниковых структур на основе кремния, в частности, для очистки активных элементов этих структур от нежелательных примесей (Ре, №) посредством использования эффекта геттерирования, в том числе локального геттерирования.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Одновременное или последовательное диффузионное легирование кремния примесями с глубокими уровнями (Mn, Ni, Fe) приводит к взаимодействию их как между собой, так и с ростовой примесью - кислородом. Взаимодействие примесей проявляется в их геттерировании и образовании структурных дефектов, включающих эти примеси.

2. Следствием взаимодействия примесей Mn, Ni и Fe является изменение концентрационных профилей примесей и концентрации их электрически-активных атомов, а также изменение спектра энергетических уровней в запрещенной зоне.

3. Характер взаимодействия примесей с глубокими уровнями (Mn, Ni, Fe), диффузионно-вводимых из слоя на поверхности в кремний, зависит от последовательности диффузионного легирования.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на II Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, 1988 г.), на Республиканской конференции молодых ученых-физиков ВУЗов (Ташкент, 1989 г.), на Научно-технической конференции "Перспективные материалы твердотельной электроники. Твердотельные преобразователи в автоматике и робототехнике" (Минск, 1990 г.), на I Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993 г.), на Международной научно-практической конференции "Актуальные проблемы физики полупроводниковых приборов" (Ташкент, 1997 г.), на III Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, 1997 г.), на научных семинарах в

Ташкентском государственном университете им. М. Улугбека и Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН.

Публикации. Результаты диссертационной работы содержатся в 11 публикациях, список которых приведен в конце диссертации.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов, заключения и списка цитируемой литературы из 126 наименований. Диссертация изложена на 156 страницах, включая 40 рисунков и 8 таблиц.

Во Введении обоснована актуальность темы исследования, сформулированы цель и задачи работы, отмечены ее новизна и научная и практическая значимость полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту, а также описана структура диссертации.

Первая глава посвящена литературному обзору. В этой главе изложены опубликованные данные о поведении марганца, никеля и железа в кремнии. Приведен обзор сведений о глубоких центрах, образующихся при введении этих примесей в кремний. Систематизированы параметры глубоких уровней (ГУ) марганца, никеля и железа в кремнии, наблюдавшиеся различными авторами. Отмечены основные направления, по которым проводились исследования этих примесей в кремнии, а также приведены данные об их взаимодействий с другими примесями в кремнии.

Вторая глава посвящена описанию использованных в диссертации экспериментальных методик. Приведены схемы и описания измерительных установок для определения полной концентрации примеси, а также концентрации электрически-активных атомов

и спектра ГУ в кремнии методами радиоактивных изотопов и емкостной спектроскопии, соответственно.

Третья глава посвящена исследованию взаимного влияния диффузионного легирования (насыщения) кремния одной из примесей - марганцем, никелем или железом - на концентрационное распределение и спектр энергетических уровней другой.

Четвертая глава посвящена исследованию взаимодействия примесей с ГУ - никеля и марганца с ростовой примесью - кислородом в кремнии. Изучено влияние содержания и распределения кислорода и присутствия частиц ЗЮ2 на величину уровня полной концентрации никеля и марганца, диффузионно-введенных в кремний, а также на концентрацию электрически-активных атомов этих элементов. Особое внимание уделено изучению структурных дефектов - кислородно-кремниевых комплексов, включающих атомы никеля и/или марганца и образующихся при диффузионном легировании кремния указанными элементами.

В Заключение диссертации сформулированы основные результаты.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Юсупова, Шаира Абдувалиевна

Основные результаты работы изложены в следующих публикациях:

1. Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А., Тураев А. Исследование кинетики образования и отжига глубоких уровней в Si. //Тезисы докладов Республиканской конференции молодых ученых-физиков ВУЗов. Ташкент, Декабрь, 1988, с.90.

2. Абдурахманов К.П., Лебедев A.A., Зайнабидинов С.З., Куликов Г.С., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Юсупова Ш.А. Исследование межпримесного взаимодействия в Si с помощью ФЕ и DLTS. //Тезисы докладов Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ташкент, Октябрь, 1989, с.314.

3. Лебедев A.A., Абдурахманов К.П., Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Таджи-Аглаева С.Г., Юсупова Ш.А. Изучение энергетического спектра глубоких уровней, связанных с никелем в кремнии. //Тезисы докладов Всесоюзной конференции МТЭ и ТП - 90. Минск, Октябрь, 1990, ч.1, с. 15-16.

4. Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Лебедев A.A., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния. //ФТП, 1991, т.25, в.6, с. 1075-1078.

5. Абдурахманов К.П., Далиев Х.С., Куликов Г.С., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Локальное геттерирование железа слоем металла, напыленного на поверхность кремния. //ФТП, 1993, т.27, в.7, с. 1222-1224.

6. Куликов Г.С., Витман Р.Ф., Юсупова Ш.А. Диффузионные профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода. //Тезисы докладов 1 Российской конференции по физике полупроводников. Нижный Новгород, Сентябрь 10-14, 1993, т.2, с.319.

7. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Куликов Г.С., Лебедев A.A. Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Диффузионные профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода. //ФТП, 1994, т.28, в.1, с.86-90.

8. Куликов Г.С., Чичикалюк A.A., Юсупова Ш.А. Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии. //ФТП, 1995.Т.29, в.З, с.469-473.

9. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Куликов Г.С., Мелех Б.Т., Чичикалюк Ю.А., Юсупова Ш.А. Влияние марганца и никеля на образование структурных дефектов в кремнии. //ФТП, 1996, т.ЗО, в.З, с.392-398.

10. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Куликов Г.С., Мелех Б.Т., Утамурадова Ш.Б., Чичикалюк Ю.А., Юсупова Ш.А. Структурные дефекты в кремнии, легированном марганцем и никелем. //Сборник трудов международной конференции "Актуальные проблемы физики полупроводниковых приборов". Ташкент, Апрель, 1997, с.27-29.

11. Витман Р.Ф., Куликов Г.С., Лебедев A.A., Юсупова Ш.А. Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями на спектр энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. // Тезисы докладов III Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники-97", ФИАН, Москва, Декабрь, 1997, с. 100.

В Заключение считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность моим научным руководителям к.ф.-м.н., с.н.с. Куликову Г.С. (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН г. С.-Петербург) и к.ф.-м.н., с.н.с. Утамурадовой Ш.Б. (НИИПФ ТашГУ им.М.Улугбека г. Ташкент) за помощь и внимание, оказанные в процессе выполнения данной работы.

Благодарна Малковичу Р.Ш., Витман Р.Ф. за содействие и сотрудничество в работе. Признательна сотрудникам лаборатории диффузии и дефектообразования в полупроводниках ФТИ РАН, лаборатории физики полупроводников и диэлектриков НИИ ПФ и кафедры физики полупроводников и диэлектриков физического факультета ТашГУ за проявленное внимание и помощь в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Юсупова, Шаира Абдувалиевна, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.( 1977, 568 с.

2. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л., 1972, 384 с.

3. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л., 1981, 176 с.

4. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. Л., 1972, 122 с.

5. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М., 1983, 192 с.

6. Weber E.R. Transition Metals in Silicon. //J. Appl. Phys., 1983, A 30, p. 1-22.

7. Фистуль В.И., Шмугуров В.А. Межузельные состония примесей переходных металлов в кремнии (обзор). //ФТП, 1989, т.23, в.4, с.677-692.

8. Якубеня С.М. Поведение ионов марганца в кремнии (обзор). //ФТТ, 1991, т.ЗЗ, в.5, с.1462-1478.

9. Кн. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, /под ред. Фистуля В.И./. М., 1987, 232 с.

10. Carlson R.O. Properties of silicon Doped with Manganese. //Phys. Rev., 1956, v.104, No.4, p.937-941.

11. Woodbury H.H., and Ludwig G.W. Spin Resonanse of Transition Metals in Silicon.//Phys. Rev., 1960, v. 117, No.1, p. 102-108.

12. Ludwig G.W., Woodbury H.H., and Carlson R.O. J. Spin resonanse of deep level impurites in germanium and silicon. //Phys. Chem. Sol., 1959, v.8, No.1, p.490-492.

13. Ludwig G.W., and Woodbury H.H. Electronic Structure of Transition Metal Ions in a Tetrahedral Lattige. //Phys. Rev. Let., 1960, v.5, No.3, p.98-99.

14. Людвиг Дж., Вудбери Г. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках: пер. с англ. М., Мир, 1964, 148 с.

15. Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С., Камилов Т.С., Тешабаев А.Т. Инфракрасное и температурное гашения фотопроводимости в кремнии с примесью марганца. //ФТП, 1974, т.8, в.11, с.2263-2265.

16. Бахадырханов М.К. Нигманходжаев С.С., Ходжаева М.А. Особенности остаточной проводимости в кремнии, легированном марганцем.//ФТП, 1978, т.12, в.4, с.812-814.

17. Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Тешабаев А.Т. Кинетика фотопроводимости кремния, легированного марганцем. //ФТП, 1976, т. 10, в.2, с.328-331.

18. Бахадырханов М.К. Турсунов A.A., Аскаров Ш.И., Ази-зов К.А., Хайдаров К.Х. О природе неоднородностей потенциала в компенсированном марганцем кремнии. Доклады АН УзССР, 1981, No. 10, с.32-34.

19. Бахадырханов М.К., Турсунов A.A., Хайдаров К. Температурное гашение фотопроводимости в кремнии, компенсированном марганцем. //ФТП, 1980, т. 14, в.5, с.966-969.

20. Камилов Т.С. Автореферат канд. дисс. Л., 1977, 18 с.

21. Аскаров Ш.И. Автореферат канд. дисс. Л., 1983, 18 с.

22. Абдурахманов К.П., Крейсль Й., Лебедев A.A., Утамура-дова Ш.Б. Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем. //ФТП, 1985, т. 19, в.2, с.213-216.

23. Lemke H. Eigenschaften der Dotierungsnivaus von Mangan und Vanadium in Silizium. //Phys. St. Sol., (a), 1981, v.64, No.2, p.549-

556.

24. Graff K., and Pieper H. The behaviour of transition and noble metals in Silicon crystals. //In.: Semiconductor Silicon. 1981/Ed. by Huff H.R., Kriegler R.J., and Takeishi Y. The Electrochem. Soc. Inc., Pennington, 1981, p.331-343.

25. Graputa R., Feichtinger H., and Oswald J. Energy levels of interstitial Manganese in Silicon. //Sol. St. Commun., 1983, v.47, No.4, p.223-226.

26. Бахадырханов M.K., Болтакс Б.И., Куликов Г.С. Диффузия, электроперенос и растворимость марганца в кремнии. //ФТТ, 1972, т. 14, в.6, с.1671-1675.

27. Адамбаев К., Зайцев В.К., Камилов Т.О., Куликов Г.С., На-зыров Д.Э., Ордин С.В. Исследование приповерхностной области кремния, легированного марганцем. //Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, No.7, с.66-70.

28. Болдырев В.П., Покровский И.И., Романовская С.Г., Ткач А.В., Шиманович И.Е. Диффузия титана в кремнии. //ФТП, 1977, т.11, в.6, с.1199-1201.

29. Ohta Е., Sakata М. //Solid State Electron. 1980, v.23, p.759.

30. Бендик H.T., Гарнык B.C., Милевский Л.С. Кинетика распада твердого раствора хрома в кремнии. //ФТТ, 1970, т. 12, в.1, с. 190195.

31. Weber E.R., Wiehl N. Transition metal impurities in Silicon. /"Defects Semiconductors., 2: Sump., Boston, Mass., Nov., 1982". New York e.a., 1983, p. 19-32.

32. Struthers J.D. Solibility and Diffusivity of Gold, Iron and Copper in Silicon. //J. Appl. Phys., 1956, v.27, No 12, p. 1560-1565.

33. Kimerling L.C. In Defects in Semiconductors. /Ed. by Narayan J. and Tan Т.У/. (North-Holland, New York, Oxford 1981),

p.85.

34. Бахадырханов M.K., Болтакс Б.И., Куликов Г.С. Диффузия, растворимость и электрические свойства кобальта в кремнии. //ФТТ, 1970, т.12, в.1, с.181-189.

35. Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С., Хамидов А. Некоторые особенности диффузии и электроперенос никеля в кремнии. //ФТП, 1980, т. 14. в.2, с.412-413.

36. Hall R.H., Racette J.H. //J. Appl. Phys., 1964, v.35, p.379.

37. Бахадырханов M.K., Болтакс Б.И., Куликов Г.С., Педяш Э.М. Диффузия, растворимость и электрические свойства цинка в кремнии. //ФТП, 1970, т.4, в.5, с.873-878.

38. Pell Е.М. //Phys. Rev., 1960, v.119, No.4, p.1222.

39. Okamura M. //Jpn. J. Appl. Phys., 1969, v.8, No.11, p.1440.

40. Fuller C.S., Ditzenberger J.A. Diffusion of Donor and Acceptor Elements in Silicon. //J. Appl. Phys. 1956, v.27, No.5, p.544-553.

41. Mayer H.J., Mehrer H., Maier K. In Radiation Effects in Semiconductors 1976. /Ed. by Urli N.B. and Corbett J.W./ (Inst, of Physics, Bristol, London 1977). Conf. Ser. 31, p. 186.

42. Gilles D., Bergholz W., and Schzoter W. Diffusion of manganese in silicon studied by deep-level transient spectroscopy and tracer measurements. //J. Appl. Phys., 1986, v.59, No.10, p.3590-3593.

43. Sundstrom K.E., Petersson S., and Tove P.A. Studies of Formation of Silicides and Their Barrier Heights to Silicon. //Phys. St. Sol., (a), 1973, v.20, p.653-668.

44. Liaw H.M. Oxygen and Carbon in Silicon crystals. In.: Semiconductor Si, 1981, Electrochem Soc., p.705-712.

45. Пронман H.M., Кудиков B.C. Определение углерода, азота и кислорода в редких металлах и полупроводниковых материалах у-активационным методом с чувствительностью 10"4 - 10"5 %. /В кн.: Ядерно-физические методы анализа веществ. М., Атомиздат, 1971,0.222-231.

46. Лебедев A.A., Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б. Взаимодействие атомов марганца с кислородом и углеродом в кремнии. //Препринт No. 1318, ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР, Л.,1989, 17 с.

47. Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Лебедев A.A., Ситникова A.A., Утамурадова Ш.Б. Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс углерода и марганца. //ЖТФ, 1988, т.58, No.11, с.2272-2274.

48. Лебедев A.A., Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б. Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si. //ФТП, 1989, т.23, в. 12, с.2227-2229.

49. Лебедев A.A., Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Витман Р.Ф., Султанов H.A. Кинетика распада в сис-стеме кремний - марганец и межпримесное взаимодействие в кремнии, легированном марганцем и цинком. /В кн.: Свойства легированных полупроводниковых материалов/АН СССР. Институт Металлургии. М., 1990, с. 14-18.

50. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Наркулов Н., Азимов Г.З. Некоторые особенности взаимодействия примесей селена и марганца в кремнии. //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990, т.26, No. 10, с.2212-2213.

51. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Норкулов Н. Некоторые особенности взаимодействия примесных центров с глубокими до-норными уровнями в кремнии. //ФТП, 1987, т.21, в.8, с.1456-1459.

52. Бахадырханов М.К., Талипов Ф.М., Джурабеков У.С. Влияние германия на диффузию марганца в кремнии. //Письма в ЖТФ, 1990, т.16, No.16, с.77-80.

53. Chua W.B., Rose К. Electrical Properties of High-Resistivity Nickel-Doped Silicon. //J. Appl. Phys., 1970, v.41, No.5, p.2644-2647.

54. Tokumaru J.//Jpn. J. Appl. Phys., 1963, v.2, No.8, p.542-547.

55. Yoshida M., and Saito K. Dissociative Diffusion of Nickel in Silicon and Self-Diffusion of Silicon. //Jpn. J. Appl. Phys., 1967, v.6, No.5, p.573-581.

56. Бахадырханов M.K. Автореф. канд. дисс. П., 1971, 16 с.

57. Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С. Влияние низкотемпературного отжига на поведение атомов никеля в кремнии. //ФТП, 1978, т. 12, в.4, с.683-688.

58. Власенко Л.С., Лебедев А.А., Таптыгов Э.С., Храм-цов В.А. Некоторые парамагнитные центры в кремнии, легированном никелем. //Письма в ЖТФ, 1987, т.13, в.21, с.1322-1326.

59. Лебедев А.А., Таптыгов Э.С., Джафарова Э.А. Влияние низкотемпературного отжига на поведение атомов никеля в кремнии. //Препринт, No. 1172, ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР, Л., 1987, 11с.

60. Технология полупроводниковых материалов. /Под ред. Иглицына М.И./. М., Оборонгиз, 1961, 314 с.

61. Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Лебедев А.А., Таптыгов Э.С. Влияние кислорода на состояние никеля в кремнии. //Препринт, No.1221, ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР, Л., 1988, 16 с.

62. Витман Р.Ф., Гусева Н.Б., Лебедев А.А., Таптыгов Э.С. Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в n-Si. //ФТП, 1989, т.23, в.5, с.919-921.

63. Indusekhar Н., and Kumar Vikram. Electrical Properties of Nickel-related deep Levels in Silicon.//J. Appl. Phys., 1987, v.61, No.4, p.1449-1455.

64. Kitagawa H., and Nakashima H. Nickel-Related Deep Levels in Silicon Studied by Combined Hall Effect and DLTS Measurement. //Phys. Stat. Sol., (a), 1987, v.99, No.1, p.K49-K52.

65. Kitagawa H., and Nakashima H. Nickel-Related Donor Level in Silicon. //Phys. Stat. Sol., (a), 1987, v. 102, No.1, p.K23-K27.

66. Kitagawa H., Tanaka S., Nakashima H., and Yoshida M. Electrical Properties of Nickel in Silicon.//J. Elect. Mater., 1991, v.20, No.6, p.441-447.

67. Талипов Ф.М., Бахадырханов M.K., Солтамов У.Б. Диффузия примеси никеля в кремнии через оксидный слой. //Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1989, т.25, No.6, с. 1037-1038.

68. Зайнабидинов С., Абдурахманов К.П., Лебедев А.А., Да-лиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Ходжаев М.Д., Теша-баев А.Т. Взаимодействие никеля с атомами различных элементов в кремнии. /В кн.: Свойства легированных полупроводниковых материалов/. М., Наука, 1990, с. 19-22.

69. Chen I.W., and Milnes A.G. Energy levels in Silicon. //Rev. Mater. ScL 1980, v. 10, p. 157-228.

70. Collins C.B. Iron-Doped Silicon. //Bull. Amer. Phys. Soc. (Ser.ll). 1956, No.1, p.49.

71. Collins C.B., and Carlson R.O. Properties of Silicon Doped with Iron or Copper. //Phys. Rew., 1957, v.108, p.1409-1414.

72. Shepherd W.H., and Turner J.A. Iron-Boron pairing in Silicon. //J. Phys. Chem. Sol., 1962, v.23, No.12, p.1697-1706.

73. Бендик H.T., Гарнык B.C., Милевский Jl.С. Исследование методом ЭПР природы уровней железа в кремнии. //ФТТ, 1970, т. 12, в.6, с. 1693-1696.

74. Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Куликов Г.С. Электрические свойства и распад твердого раствора железа в кремнии. //ФТТ, 1971, т. 13, в.9, с.2675-2678 .

75. Золотухин А.А., Коваленко А.К., Милевский Л.С. Взаимодействие вакансий с междоузельными атомами кислорода и железа в кремнии. //ФТТ, 1971, т.13, в.Ю, с.3119-3121.

76. Абдугафурова М.А., Капитонова Л.М., Костина Л.С., Лебедев А.А., Махкамов Ш. Исследование фотоемкости диодов из p-Si с примесью железа. //ФТП, 1975, т.9, в.4, с.685-689.

77. Воронков В.Б., Лебедев А.А., Мамадалимов А.Т., Урун-баев Б.М., Усманов Т.А. Исследование параметров уровней железа в n-Si емкостными методами. //ФТП, 1980, т. 14, в.Ю, с.2050-2053.

78. Лебедев А.А., Урунбаев Б.М. Исследование распада твердого раствора железа в n-Si емкостными методами. //ФТП, 1981, т.15, в.З, с.612-615.

79. Indusekhar H., Kumar V. //J. Phys. St. Sol. St. Phys., 1985, v.18, No.26, p.5095-5098.

80. Awadelkarim O.O., and Monemar B.A. A Siudy of iron-related centers in heavily boron-doped Silicon by deep-level transient spectroscopy. //J. Appl. Phys., 1988, v.64, No.11, p.6306-6210.

81. Kakashita K., Kawakami K., Susuki S., Ohta E., and Sakata M.J. Iron-related deep levels in n-type Silicon. //Appl. Phys., 1989, v.65, No.10, p.3922-3927.

82. Nakashima H., Isobe T., Yamamoto Y., and Hashimoto K. Diffusion Coefficient of Iron in Silicon at Room Temperature. //J. Jpn. Appl. Phys., Pt.1, 1988, v.27, No.8, p.1542-1543.

83. Isobe T., Nakashima H., and Hashimoto K. Diffusion Coefficient of Interstitiel Iron in Silicon. //J. Jpn. Appl. Phys. Pt.1, 1989, v.28, No. 7, p. 1282-1283.

84. Zhi-pu You, Min Gong, Ji-yong Chen, and J.W. Corbett. Iron-vacancy-oxygen complex in Silicon. //J. Appl. Phys., 1988, v.63, No.2, p.324-326.

85. Абдурахманов К.П., Котов Б.А., Крейсль Й., Лебедев А.А., Утамурадова Ш.Б. Исследование железа в n-Si с помощью ЭПР и емкостных методов. //ФТП, 1985, т. 19, в.2, с.349-350.

86. Абдурахманов К.П., Далиев Х.С., Куликов Г.С., Лебедев А.А., Назыров Д.Э., Утамурадова Ш.Б. Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии. //ФТП, 1986, т.20, в. 1, с. 185-186.

87. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Наркулов Н. Химически связанные комплексы с участием быстродиффундирующих примесей в кремнии.//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990, т.26, No.10, с.2005-2008.

88. Спицын В.И.? Кодочигов П.Н., Голутвина М.М., Кузина А.Ф., Соколова З.А. Методы работы с применением радиоактивных индикаторов. М.» 1955, 287 с.

89. Дриц М.Е., Свидерская З.А., Каданер Э.С. Авторадиография в металловедении. М., Металлургиздат, 1961, 172 с.

90. Куликов Г.С. Исследование диффузии примесей с глубокими уровнями в объеме, по поверхности и структурным дефектам. /Дисс. на соиск. канд. физ.-мат. наук. Л., 1980,194 с.

91. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in Semiconductors. //J. Appl. Phys., 1974, v.45, No.7, p.3023-3032.

92. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников., Л., 1972, 104 с.

93. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Родзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М., Сов. радио, 1974 г.

94. Bloa A.L., Favennec P.N., Colin I. DLTS method using a single temperature scanning. // Phys.' Stat. Sol., (a), 1981, v.64, No.1, p.85-93.

95. Александрова Г.И., Демидов A.M. Определение концентрации кислорода и углерода путем активации ионами 3Не. //Атомная энергия, 1967, 23, с. 106-109.

96. Александрова Г.И., Ильин М.А., Рашевская Е.П. О количественном определении содержания кислорода в кремнии. //Электронная техника, сер. Материалы, 1976, в. 10, с.97-101.

97. Tentativa method of tent for interstitial atomik oxygen content of Si by infrared absorption. American socity for testing materials. Philadelphia Book of ASTM atandards. 1970, ot 8, v. 14 ASTM Designation: F 121-70T, p.882-884.

98. Backer J.A. Determination of Parts per billion of oxygen in Si. //Sol. St. Electr., 1970, v.13, p.1431-1434.

99. Craff K., Grullath E., Ades S., Golbach G., Tolg G. Bestimung von Parts Per Billion Sauerstoff in Si. //Sol. St. Electr., 1973, V.16, p.887-893.

100. Yatsurugi Y., Akiyama N., Endo Y., Nasaki T. Concentration solubility and equilibrium distribution coefficint of Nitrogen and Oxygen in Semiconductor Si. //J. Electrochem. Soc., 1973, 120, p.975-979.

101. Payot B. Improvement in the detection of oxygen in Si by infrared absorption. //Sol. St. Electr., 1969, v. 12, p.923.

102. Куликов Г.С., Чичикалюк Ю.А., Юсупова Ш.А. Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии. //ФТП, 1995, Т.29, в.З, с.469-473.

103. Лебедев A.A., Абдурахманов К.П., Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Таджи-Аглаева С.Г., Юсупова Ш.А.. Изучение энергетического спектра глубоких уровней, связанных с никелем в кремнии. //Тезисы докладов Всесоюзной конференции МТЭ и ТП - 90. Минск, октябрь, 1990, ч.1, с. 15-16.

104. Абдурахманов К.П., Далиев Х.С., Куликов Г.С., Лебедев A.A., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Локальное геттери-рование железа слоем металла, напыленного на поверхность кремния.//ФТП, 1993, Т.27, в.7, с. 1222-1224.

105. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М., Металлургия, 1971, 582 с.

106. Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Лебедев A.A., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния. //ФТП, 1991, Т.25, В.6, с. 1075-1078.

107. Малкович Р.Ш., Назыров Д.Э. Геттерирование быстро-диффундирующих примесей в кремнии редкоземельными элементами. //Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, в.4, с.38-40.

108. Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды. М.,1979, 271 с.

109. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М., 1986, 176 с.

110. D'Heurle .M., and Petersson C.S. Thin Solid Films, 1985, v.128, p.283.

111. Weber E.R., Gilles D. Геттерирование (примесей) переходных металлов в полупроводниках. //Yokohama Sept. 17-22, 1989: Yokohama 21st Cent. Forum, 1989. v.1, Amsterdam etc., 1990, p.89-95.

112. Абдурахманов К.П., Лебедев A.A., Зайнабидинов С.З., Куликов Г.С., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Юсупова Ш.А. Исследование межпримесного взаимодействия в Si<Fe, Au, Pt, Со, Ni> с помощью фотоемкости и DLTS. //Тез. докл. Всес. конф. по фотоэлектрическим являениям полупроводников. Ташкент, 1984. октябрь, С.314.

113. Зайнабидинов С.З., Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А., Тураев А. Исследование кинетики образования и отжига глубоких уровней в Si<Mn>. //Тез. докл. Республиканской конференции молодых ученых-физиков ВУЗов. Ташкент, 1988, ноябрь, с.90.

114. Витман Р.Ф. Изменения фазового состояния кислорода в кремнии в результате воздействия давления. /Дисс. на соиск. уч. ст. канд. физ.-мат. наук. Л., 1986, 198 с.

115. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Далиев Х.С., Лебедев A.A., Утамурадова Ш.Б. Взаимодействие кислорода с марганцем в n-Si. //ФТП, 1985. т.19, в.6, с.1158-1159.

116. Покоева В.А. Автореф. канд. дисс. Л., 1980, 22 с.

117. Абдурахманов К.П., Витман Р.Ф., Куликов Г.С., Лебедев A.A., Утамурадова Ш.Б., Юсупова Ш.А. Диффузионные профили марганца в кремнии с различным содержанием кислорода. //ФТП, 1994, т.28, в.1, с.86-90.

118. Кубашевский О., Олкокк С.Б. Металлургическая термохимия. М. Металлургия, 1982.

119. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Ме-таллургиздат, 1962.

120. Gray I., Miller G.P. //J. Inst. Metals, 1965, v.93, p,315.

121. Струков И.Н., Гельд П. В Тр. Уральского политехи, института, т. 72. Металлургиздат, 1957, с, 134, 149.

122. Warlimont H.Z. Metallkunde. 1968, Bd.59, s.595.

123. Бацанов С.С. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1962, 196 с.

124. Полинг Л. Природа химической связи. М. Госхимиздат, 1947, 440 с.

125. Ройцин А.Б., Фирштейн Л.А. //ЖТЭХ, 1966, т.И, с.747.

126. Woodbury H.H., Ludwig G.W. //Phys. Rev. Lett., 1960, v.5, No.3, p.96-98.