Исследование влияния условий синтеза на микроструктуру и состав плёнок нанокристаллического и ультрананокристаллического алмаза тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.15, кандидат наук Титаренко, Андрей Алексеевич

• Титаренко, Андрей Алексеевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Титаренко, Андрей Алексеевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

Список используемых сокращений

ВВЕДЕНИЕ

Глава I ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1 Общее представление об углероде

1.2 Описание структуры кристаллических плёнок алмаза

1.3 Краткая характеристика методов получения

1.3.1. Физические методы синтеза

1.3.2 Химические методы синтеза

1.4 Описание свойств поликристаллических плёнок алмаза

1.4.1 Влияние структуры и состава на электрические свойства

1.4.2 Влияние структуры и состава на механические свойства

1.4.3 Влияние структуры и состава на оптические свойства

1.5 Области применения и перспективы использования

1.5.1 Применения в электронике

1.5.2 Применения в качестве упрочняющего покрытия

1.6 Выводы к I главе

Глава II ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

2.1 Материалы

2.2 Задача экспериментальной части

2.3 Оптическая спектроскопия плазмы

2.4 Опыты на MicroSys-400

2.4.1 Характеристика MWCVD-установки MicroSys-400

2.4.2 Методика проведения экспериментов на MWCVD-установке MicroSys-400

2.5 Опыты на Cyrannus i6

2.5.1 Характеристика MWCVD-установки Cyrannus i6

2.5.2 Методика проведения экспериментов на MWCVD-установке Cyrannus

i6

2.6 Методика исследования образцов на РЭМ

2.7 Методика исследования образцов методом комбинационного рассеивания света

2.8 Методика исследования образцов ИК-спектрометрией

2.9 Методика исследования образцов атомносиловой микроскопией

2.10 Методика исследования образцов рентгенофазовым анализом

2.11 Выводы к главе II

Глава III ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РОСТА

КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЁНОК УГЛЕРОДА

3.1 Выбор метода исследования

3.2 Базовые положения теоретического исследования

3.3 Расчёт роста плёнок из димеров углерода

3.4 Роль аргона в процессе синтеза кристаллических плёнок

3.5 Выводы к главе III

Глава IV ОБСУЖДЕНИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРЕМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

4.1 Результаты экспериментальных исследований

4.1.1 Исследования плазмы в реакторе MicroSys-400

4.1.2 Исследования плазмы в реакторе Cyrannus i6

4.1.2 Исследование образцов методом РЭМ

4.1.3 Исследование образцов методом КРС

4.1.4 Исследование образцов методом ИК-спектрометрии

4.1.5 Исследование образцов методом АСМ

4.1.6 Исследование образцов методом РФ А

4.2 Сопоставление результатов экспериментальных исследований и теоретических расчётов

4.2.1 Влияние парциального давления С2 на структуру плёнок

4.2.2 Роль аргона в синтезе углеродных плёнок

4.2.3 Влияние температуры на структуру плёнок

4.2.4 Корреляция результатов теоретического исследования с работами

сторонних авторов

4.3 Выводы к главе IV

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Приложение А. Документы подтверждающие получение гранта DAAD

Приложение Б. Отзыв ответственного лица из Германии о проведённом

исследовании

Приложение В. Грамота о победе в конкурсе «У.М.Н.И.К 2012»

Список используемых сокращений

АСМ Атомно-силовая микроскопия (атомно-силовой микроскоп)

ГФ Граничная фаза, соединяющая кристаллиты

ИК Инфракрасный диапазон

ПКА Поликристаллический алмаз

ПЭМ Просвечивающий электронный микроскоп (микроскопия)

РФА Рентгенофазовый анализ

РЭМ Растровый электронный микроскоп

СВС Сверхструктура (поверхности)

УФ Ультрафиолетовый диапазон

AFM Atomic force microscopy (microscope)

BEN Bias enhanced nucleation

CVD Chemical vapor deposition

DLC Diamond-like carbon

FET Field-effect transistor

HFCVD Hot filament chemical vapor deposition

HRTEM High resolution transmission electron microscopy

ISFET Ion sensitive field-effect transistor

MCD Microcrystalline diamond

MEMS Microelectromechanical systems

MWCVD Microwave chemical vapor deposition

NCD Nanocrystalline diamond

NEA Negative electron affinity

NEMS Nanoelectromechanical systems

UNCD Ultrananocrystalline diamond

XPS X-ray photoelectron spectroscopy

XRD X-ray diffraction

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование влияния условий синтеза на микроструктуру и состав плёнок нанокристаллического и ультрананокристаллического алмаза»

ВВЕДЕНИЕ

Объектом исследования диссертационной работы являются разновидности поликристаллического алмаза такие как: ультрананокристаллический (1ЛЧСО), нанокристаллический (N00) и микрокристаллический (МСБ). Особенности и свойства данных материалов позволяют применять их как функциональные компоненты в электронике [1-24], как базовые материалы в производстве микро- и наноэлектромеханических (МЕМБЛЧЕМЗ) системах [25-35], в оптических устройствах [36-42], в качестве высокотвёрдых защитных покрытий с низким коэффициентом трения для деталей машиностроения [43-61], в биомедицинской сфере [62 - 65]. В каждом случае, в основе лежит использование определённых свойств монокристаллического алмаза, присущих данным материалам, в сочетании, к примеру, с низкой шероховатостью, возможностью легирования для создания электропроводности, возможностью синтеза на различных подложках [66 - 69].

Свойства (физические, химические, механические) этих материалов являются структурно чувствительными, и могут изменяться в широких пределах. При этом, имеется сильная зависимость структуры и состава от технологических параметров осаждения. Изменения достаточно резкие даже при незначительных изменений условий синтеза [7, 8, 12, 47, 58]. По этой причине затруднён поиск оптимальных условий роста плёнок с заданными свойствами, в рамках имеющихся технологических циклов. Данное обстоятельство не только усложняет экспериментальную работу, но также, в значительной степени затрудняет процесс переноса технологий с экспериментального на промышленное оборудование синтеза. Как следствие, препятствует широкому внедрению этих материалов в коммерческие изделия. Исходя из выше перечисленного, были сформулированы цель и задачи данной диссертационной работы.

Цель и задачи исследований. Исследовать влияние технологических параметров плазмохимического осаждения на состав и структуру пленок микро-, нано- и ультрананокристаллического алмаза, в случае их осаждения из димеров С2.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- провести теоретическое исследование влияния технологических факторов на особенности процессов зарождения и роста пленок микро-, нано- и ультрананокристаллического алмаза для случая их осаждения из радикалов С2;

- провести экспериментальные исследования состава и структуры пленок алмаза осаждённых при различных парциальных давлениях радикалов С2;

- описать изменения структуры и состава поликристаллических плёнок алмаза при изменении условий осаждения, основываясь на результатах теоретического исследования и полученных экспериментальных данных.

Научная новизна:

- установлена закономерность изменения структуры и состава тонких кристаллических плёнок алмаза, от величины температуры подложки, парциального давления радикалов углерода С2 и парциального давления аргона;

- получено выражение, описывающая влияние температуры подложки, парциального давления радикалов углерода С2 и парциального давления аргона на процессы зарождения и роста плёнок микро-, нано- и ультрананокристаллического алмаза;

- в работе показано что в основе процессов формирования структуры как аморфных так и кристаллических плёнок углерода из радикалов С2 лежат одни и те же принципы.

Практическая значимость:

- показана возможность осаждения микрокристаллического, нанокристаллического и ультрананокристаллического алмаза из газовых смесей, не содержащих водород при низких температурах подложки до 420 ОС;

- получены покрытия кристаллического алмаза методом, полностью совместимым с современными промышленными технологиями;

- результаты диссертационной работы использованы при разработке курса лекций по дисциплине «С\Т)-технологии», для студентов, обучающихся по специальности 210601.65 - «Нанотехнологии в электронике» в СевероКавказском федеральном университете.

Основные положения, выносимые на защиту:

- математическое выражение описывающее влияние парциального давления димеров С2 и температуры подложки на структуру осаждаемых кристаллических плёнок алмаза;

- влияние парциального давления радикалов С2 и температура подложки на процессы зарождения микро-, нано- и ультрананокристаллических пленок алмаза;

- влияние парциального давления метана и температуры подложки на состав и структуру кристаллических пленок алмаза, в случае их осаждения в плазме газовой смеси метана и аргона;

влияние режимов плазмохимического осаждения на парциальное давление радикалов С2.

Реализация результатов работы. Тематика данной работы соответствует перечню критических технологий Российской Федерации, перечисленных указом президента Российской Федерации № 899 от 7 июля 2011 г.

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники» ФГАОУ ВПО «Северо-Кавказский Федеральный Университет» в рамках

гранта: Мин. Образования РФ, № П346 от 28 июля 2009 г. «Особенности зарождения и роста аморфных, нанокристаллических, микрокристаллических и монокристаллических пленок углерода».

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники» ФГАОУ ВПО «Северо-Кавказский Федеральный Университет» в рамках гранта: Мин. Образования РФ, соглашение № 14.А18.21.1085 от 13 сентября 2012 г. «Получение и обработка функциональных наноматериалов».

Результаты диссертационной работы легли в основу проекта, поддержанного фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере по программе У.М.Н.И.К. Проект № 16888 от 18.05.2012 г.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, семинарах и салонах: I, II, III Международных студенческих конференциях «Научный потенциал студенчества - будущему России» (Ставрополь, 2010 г., 2011 г., 2012 г.); Научном семинаре стипендиатов DAAD программ «М.Ломоносов» и «И.Кант» 2011/2012 (Москва, 2012 г.); Краевой научно-практической конференции молодых ученых ставропольского края (Ставрополь, 2010 г.); Научные семинары кафедры Обработки функциональных материалов университета Байройт (Lehrstuhl für Werkstoffverarbeitung, Universität Bayreuth), Германия 10/2011, 03/2012); Научный семинар рабочей группы AG Volker Buck, кафедры Экспериментальной физики университета Duisburg-Essen, г. Эссен, Германия 01/2012; Научные семинары коллектива НОЦ ФН (Научно-образовательный центр Фотовольтаики и нанотехнологий), СКФУ 2009 г., 2010 г., 2011 г., 2012 г., 2013 г.

Публикации. По результатам диссертации опубликовано 12 работ, из них 5 - в журналах, рекомендованных ВАК РФ, 7 тезисов на международных и

российских научно-технических конференциях, где изложены основные положения диссертации.

Личный вклад автора. Автором выполнено планирование эксперимента и его проведение. Лично осуществлён поиск необходимого оборудования для проведения экспериментальной и исследовательской части. Основные цели, выводы и положения диссертационной работы сформулированы автором. Обсуждение задач исследований, методов их решения и результатов анализа экспериментальных данных проводилось совместно с соавторами, фамилии которых указанны в опубликованных по теме диссертации работах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав, основных результатов и выводов по работе. Материал диссертации представлен на 141 страницах машинописного текста, включающий 48 рисунка, 12 таблиц и список литературы в количестве 139 наименований, 3 приложения.

Автор работы выражает благодарность следующим лицам, оказавшим помощь на различных стадиях подготовки диссертации:

Тарала В.А., Белашов И.В., Синельников Б.М., Кашарина JI.A., Домрачев М.Е., Корчагина Т.В., Prof. Dr. Monika Willert-Porada, Daniel Leykam, Zahra Negahdari, Philipp Ponfick, Проф. Леонид Дубровинский, Prof. Dr. Volker Buck, Nicolas Wöhrl, Reinhard Remfort, Monika Kuligowska-Timpner, Sebastian Schipporeit, Mohsen Mahdavi., Кондратенко B.C., Кушхов Х.Б.

Глава I ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1 Общее представление об углероде.

Углерод, это химический элемент 4-ой группы главной подгруппы 2-го периода периодической системы Менделеева, порядковый номер - 6, атомная масса — 12,0107 о.а.м. Существует огромное количество его аллотропных модификаций с разнообразными свойствами, рисунок 1.1, что обусловлено способностью образовывать химические связи разного типа [70].

1 л п

типами гибридизации: а) алмаз (Бр ); б) графит (Бр ); в) лонсдейлит (Бр ); г)

2 2 2 фуллерен Сбо (Бр ); д) фуллерен С540 (Бр ); е) фуллерен С70 (Бр ); ж) аморфный

2 3 2

углерод (зр / Бр ); и) углеродная нанотрубка (эр )

Существует три основных состояния гибридизации электронных орбиталей атома углерода.

Первое состояние, тетраэдрическое, образуется при смешении одного б- и трех р-электронов (эр -гибридизация). Атом углерода находится в центре тетраэдра, связан четырьмя эквивалентными а-связями с атомами углерода или иными в вершинах тетраэдра. Такой геометрии атома углерода соответствуют

аллотропные модификации углерода алмаз и лонсдейлита. Так же, такой гибридизацией обладает углерод, например, в метане и других углеводородах.

Второе, тригональное, образуется при смешении одной б- и двух р-орбиталей (Бр -гибридизация). Здесь атом углерода имеет три равноценные о-связи, расположенные в одной плоскости под углом 120° друг к другу. Не участвующая р-орбиталь, расположенная перпендикулярно плоскости с-связей, используется для образования я-связи с возможными соседними атомами. Такая гибридизация углерода характерна для графита, углеродных нанотрубок, фуллеренов, фенола и др.

Третье, дигональное, образуется при смешении одного б- и одного р-электронов (Бр-гибридизация). При этом два электронных облака вытянуты вдоль одного направления и имеют вид несимметричных гантелей. Два других р-электрона могут образовывать 7г-связи. Углерод с такой гибридизацией образует особую аллотропную модификацию — карбин.

Основные и хорошо изученные аллотропные модификации углерода — алмаз и графит. При нормальных условиях термодинамически устойчив только графит, фазовая диаграмма представлена на рисунке 1.2. Алмаз и другие формы метастабильны. При атмосферном давлении и температуре выше 1200 К алмаз начинает переходить в графит, выше 2100 К превращение совершается за секунды, АН0 перехода — 1,898 кДж/моль. При нормальном давлении, углерод сублимируется при 3780 К. Жидкий углерод существует только при определенном внешнем давлении. Прямой переход графита в алмаз происходит при 3000 К и давлении около 12 ГПа.

1000 100

га

ЕЕ ю

ш

1 1

ф

с,

со

Го 0.1 0.01

01 23456789 10 Температура, 103 К

Рисунок 1.2 - Фазовая диаграмма основных форм углерода

Сочетание многих полезных свойств углерода обуславливают огромную практическую значимость этого элемента. Алмаз является очень твёрдым материалом и может использоваться как абразив. Графит обладает низким коэффициентом трения, благодаря чему находит применение в смазочных материалах, углеродное волокно является незаменимым материалом в машиностроении, где требуются лёгкие и прочные конструкции. Относительно недавно открытые углеродные нанотрубки, уже сегодня используются в производстве аккумуляторов, дисплеев, и в атомно-силовой микроскопии в качестве зондов. Помимо этого, практически все виды углерода, так или иначе, находят применения в электронике и электронных устройствах. Важно заметить, что для получения различных форм углеродного материала, используется огромное многообразие методов и подходов.

1.2 Описание структуры кристаллических плёнок алмаза

Сингония монокристалла алмаза кубическая, тип решётки — кубическая гранецентрированная, период = 0,357 нм [71]. Атомы углерода в алмазе находятся в состоянии 8р3-гибридизации. Каждый атом углерода в структуре

! 1 1 1 ^ Мет^л/шчеЬкая З^ззз? ;

АЛМАЗ -

• АгшаГУ......—•---------- \ графи£ / \ Графит + / ЖИДКАЯ ФАЗА

алмаз /

г- / Метарт^бильная

/ ГРАФИТ | Г" / / жрдеость ' ГАЗООБРАЗНАЯ -I ФАЗА

/, : 1 , , > „]...... 8 , 1 .Ж ,

алмаза расположен в центре тетраэдра, вершинами которого служат четыре ближайших атома, рисунок 1.3.

Рисунок 1.3 - Кубическая гранецентрированная решётка алмаза

У монокристаллического алмаза встречаются различные политипы, к наиболее частым можно отнести: cF8 (ЗС), hP4 (Lonsdaleite) hP8 (4Н), hP12 (6Н), hP16 (8Н), hR10 (15R), hR14 (21R).

Алмаз можно разделить на монокристаллический (бриллианты, синтетические монокристаллы алмаза) и кристаллический (материал в виде тонкой плёнки или объёмное образование из множества отдельных кристаллитов алмаза размером от 1 - 2 нм до 30 - 50 мкм, синтезированных искусственно). Разновидностями кристаллического алмаза являются: микрокристаллический (MCD - microcrystalline diamond), нанокристаллический (NCD) и ультрананокристаллический (UNCD). Все три разновидности, являются твёрдыми веществами, состоящими из отдельных кристаллитов, соединённых граничной фазой. NCD и UNCD, являются новыми материалами, интенсивная работа над ними начата в период с 1995 по 2000. Благодаря своим свойствам и особенностям, MCD, NCD и UNCD представляют интерес в качестве функциональных материалов для широкого спектра отраслей (машиностроение, оптика, медицина, электроника, MEMS/NEMS-устройства).

Термины МСО, ЖЮ и 1ЛЧСБ используются для обозначения кристаллического алмаза с различными размерами кристаллитов. На данный момент не существует однозначной классификации, строго отличающей МСБ от N00, и N00 от ЦЖЮ. В разных сферах, выбор термина зачастую определяется по усмотрению авторов. Анализ литературы по данной теме [10, 12, 29, 72-75], показал, что наиболее часто используется классификация, наглядно представленная на рисунке 1.4.

Аморфный углерод UNCD ncd MCD Монокрист,

тип пленки ► а-С, ta-C, а-С:Н ta-C:H <р нано-кристаллический алмаз микрокристаллический алмаз Алмаз

РАЗМЕР ь КРИСТАЛЛИТОВ Г кристаллиты отсутствуют 2-20 нм от 20 до 100-500 нм „Т100-500 „„Ю-50 от до нм мкм >50 мкм

▼ ▼ ▼ ▼ ▼

Твердость, ГПа 5-30 23-97 25-85 50-100 50-104 (Si: 11-13)

Теплопроводность, Вт/(см*К) ? -0.02 0.02-0.5 <4 2-5 20-25 (Си: 4) (Si: 1.7)

Сопротивление, Ом'см 7040м 70Ч06 7040" 10" 1015-10" (al: 28хЮ3) (Si: 10>)

Шероховатость, нм 1-10 5-40 20-320 550-1000 —

Рисунок 1.4 - Классификация видов поликристаллического алмаза материала по размеру кристаллитов и основным свойствам

Кроме классификации по размеру кристаллитов, можно отметить ещё три критерия, характеризующих кристаллический алмаз: форма и структура кристаллитов; параметры граничной фазы; морфология поверхности.

Плёнки MCD, NCD и UNCD, могут осаждаться на различные полупроводниковые и металлические поверхности: Si3N4, WC, Si, porous-Si, Si02, SiC, Ti, W, Mo, Al, Pt, A1203 [8, 30, 76, 77]. Осаждение может происходить так же на платы и чипы.

При меньшем размере кристаллитов алмазная плёнка, менее требовательна к типу подложки. При различных периодах решётки алмаза и подложки, у более мелкозернистых плёнок, адгезия будет выше, а структурное напряжение меньше. Этот эффект описан в источнике. Таким образом, NCD и UNCD менее

требовательны к подложке, чем МСБ, и более успешно осаждаются на поверхности, с развитым рельефом [28, 76]. Эта особенность обуславливает применимость N00 и ШСБ в МЕМЭ/ШМЗ-устройствах [7, 28, 76], в том числе, в связи с высокой твёрдостью и подходящими электрическими и химическими свойствами.

По данным электронной и атомносиловой микроскопии [2, 7, 72, 78, 79], можно отметить, что форма кристаллитов для МСБ, ЖЮ и ЦЖЮ различна. Резкие очертания граней МСБ, начинают приобретать более плавные формы при размерах кристаллитов порядка 300 - 500 нм; при дальнейшем уменьшении размера к 90- 130 нм, их форма продолжает приобретать всё более округлые очертания. При размерах менее 80-100 нм, кристаллиты полностью теряют грани, и могут располагаются вплотную друг к другу без иногда видимых границ. Пример показан на рисунке 1.5.

МСБ, как правило, растёт колонообразно. Это связано с тем, что горизонтальная скорость роста кристаллитов гораздо меньше вертикальной. Диаметр таких кристаллитов определяется концентрацией зародышей в момент начала синтеза.

В источнике [69] сообщается, что для N00, как правило, возможны два механизма роста. Первый схож с механизмом роста МСО. Отличие в том, что по мере роста, наноразмерные колоны кристаллитов N00, сливаясь между собой, образовывают более крупные, и при толщине осаждённой плёнки более микрометра, структура уже соответствует МСО плёнке, с последующим осаждением МСБ алмаза. Такой механизм наблюдался при использовании механической предобработки подложки наноалмазными порошками. Источник [72] дополняет, что этот механизм роста N00 наблюдается при использовании газовых смесей метан\водород, без инертных газов. Второй механизм выполняется в случае, если рост кристаллитов не происходит колонообразно, при их неизменном среднем размере, не зависимо от расстояния до подложки.

У N00 есть ещё характерная особенность. Форма кристаллитов, с размером порядка 100-300 нм, может быть как ограненной, так и округлой.

Рисунок 1.5 - СЭМ и ТЭМ изображения структуры образцов поликристллического алмаза [2, 7, 72, 78, 80], с различным размером кристаллитов; а) средний размер кристаллитов: 4,5 мкм, б) с.р.к.: 2,5 мкм, в) с.р.к.: 2 мкм, г) с.р.к.: 520 нм, д) с.р.к.: 380 нм, е) с.р.к.: 200 нм, ж) с.р.к.: 160 нм, з) с.р.к.: 60 нм, и) с.р.к.: 50-20 нм, к) с.р.к.: 20- 15 нм, л) с.р.к.: 15-5 нм, м) с.р.к.: <10 нм.

В источнике [69] подобные образцы классифицируются как f-NCD («facetted» - огранённый), и c-NCD («cauliflower» - цветная капуста). Разница между такими материалами будет заключаться в параметрах граничного слоя кристаллитов.

Нужно отметить, образцы с явным фиксированным размером кристаллитов редко встречаются. Чаще имеется некое распределение в параметрах формы и размера. Отклонения в размерах кристаллитов ± 30 - 60% часто имеют место для N00 и ЦЖЮ, это так же можно наблюдать, например, на рисунке 1.5; отклонения порядка ±300% так же встречаются [72]. Наиболее типичный вид кристаллитов МСО, N00 и 1ЖСО схематически представлен на рисунке 1.6.

мсо л/со шсо

5 мкм 1 мкм ^ннвнншн 100 нм ят

1 мкм т 100 нм ш 10 нм т

Рисунок 1.6 - Типичная форма алмазных кристаллитов микрокристаллического (МСО), нанокристаллического (N00) и ультрананокристаллического алмаза (ИЫСО).

Задачу определения размеров кристаллитов N00 может усложнять двойственной размеров кристаллитов: РЭМ и ПЭМ могут выдавать различные значения. В источнике [81], показано, что для одного N00 образца РЭМ выявил размер кристаллитов в 150-200 нм, в то время как ПЭМ выявил, что данные кристаллиты, состоят из более мелких, размером 10-15 нм, не разделённых ГФ.

У образцов МСО, N00 и 1ЖСО параметры граничной фазы значительно различаются. К таким параметрам относятся: толщина, соотношение типов гибридизации содержащихся атомов углерода, плотность, однородность, механическая стабильность и электропроводность.

В источниках [78, 82] сообщается что, средняя толщина ГФ у N00, может варьироваться: от 2 - 3 атомарных слоёв, до 5-7, а доля составляющих его

атомов составляет порядка 10 - 15% от объёма материала. У 1ЖСБ, ГФ может быть тонкой до 2 - 5 А, или может практически полностью отсутствовать [26].

О о

Важный параметр ГФ это количество Бр и Бр гибридизированных атомов углерода. Это влияет на механические, оптические и электрические свойства. В работе было проведено компьютерное моделирование, позволяющее оценить

2 о

соотношение Бр /яр углерода, содержащегося в ГФ ЦЖЮ. Результаты моделирования показали, что порядка 40 % атомов ГФ имеют 8р2 тип гибридизации связей (если выше 40%, твёрдость резко падает [2]).

Можно предположить, что при большом содержании эр2 связей углерода в ГФ ЖЮ алмаза, его твёрдость будет ниже, чем у монокристаллического. Однако твёрдость и механическая прочность N00 и ЦКСБ, может быть несколько выше, чем у МОБ. Объясняется это следующим образом: во-первых Бр связь углерода прочнее чем Бр : 420 и 360 ккал/моль соответственно [70, 71] (благодаря этому факту углеродные нанотрубки обладают чрезвычайно высокой прочностью на разрыв). Во-вторых, толщина ГФ, как правило, порядка нескольких нм и менее, что не позволяет Бр2 углероду, из-за наличия Бр3 углерода, образовывать графитовые структуры. В результате, механическая стабильность ГФ N00 и Имев остаётся высокой.

Граничные слои имеют меньшую плотность, чем кристаллиты. Вследствие этого, при легировании 1ЖСО и N00, примесные атомы располагаются преимущественно в граничных слоях. Благодаря развитой ГФ, 1ЖСБ и N00 более предрасположены к легированию, чем МОБ.

1.3 Краткая характеристика методов получения

Методы синтеза тонких углеродных плёнок углерода делятся на физические и химические, первый вид, в некоторых случаях используется, но подавляющими методами являются химические, включающие в себя плазменное осаждение из газовой фазы РЕСУБ (подходит для осаждения кристаллических плёнок).

1.3.1. Физические методы синтеза

Среди физических методов стоит выделить получение плёнок методом лазерной абляции мишени.

Лазерная абляция (англ. laser ablation) — метод испарения вещества с лазерным импульсом. В вакууме под действием излучения вещество испаряется или сублимируется в виде свободных молекул, атомов и ионов, после чего осаждается на подложке.

Осаждение при помощи пульсирующего лазера PLD (Pulsed Laser Deposition) является надежным, но дорогим методом, с помощью которого можно осаждать широкий спектр материалов, таких как высокотемпературные сверхпроводники, ферроэлектрики, металлы, полимеры и керамику при комнатной температуре.

Свойства и состав испарённого вещества может изменяться за счет взаимодействия частиц между собой и лазерным лучом.

Осаждение тонких плёнок на подложке происходит следующим образом. Испарённый материал осаждается, формируя непрерывную пленку, обладающую высокой адгезией и плотностью за счёт полученной энергии от лазерного излучения (~100 эВ). Толщины пленок могут варьироваться от нескольких моноатомных слоев до микрометров [83].

Преимущества:

- простота технологического исполнения;

- возможность получения тонких плёнок аморфного углерода;

- при должной организации процесса, высокая воспроизводимость результатов;

- возможность испарения тугоплавких веществ (графит);

- возможность использования буферных газов в камере, для изменения параметров осаждения плёнок.

Недостатки:

- механизмы лазерной абляции до конца не изучены (область коротких импульсов, и высокой интенсивности);

- ограниченность материалов возможных к получению данным методом, в том числе ограниченный диапазон углеродных плёнок.

Ещё одним распространённым физическим методом нанесения пленок в планарной технологии является метод магнетронного распыления. Этот метод является ионно-плазменным. Осаждение происходит распылением материала на подложку, за счёт бомбардировки мишени ионами рабочего газа. Скорость роста в магнетронной системе в 50- 100 раз выше по сравнению с обычным ионно-плазменным синтезом, что обусловлено высокой плотностью ионного тока на мишень, которая достигается за счет локализации плазмы у поверхности мишени сильным магнитным полем.

Используя ионы инертного газа для распыления мишени в магнитном поле в условиях ВЧ разряда или разряда постоянного тока при давлении 4х 10"2 Па, можно получить углеродные слои со скоростью осаждения порядка 2.5 нм/мин. Распыление мишени можно также проводить с использованием ионного источника. Применяя дополнительный ионный источник для экспонирования растущего слоя углеродных плёнок ионами инертного газа, можно увеличить содержание атомов с зр3-гибридизацией.

К преимуществам метода можно отнести высокую скорость осаждения, чистоту плёнок и хорошую воспроизводимость их состава. Однако из-за недостатков связанных с низкой равномерностью по толщине и узкий диапазон изменения структуры пленок, равно как и свойств, данный метод подходит для разработки технологий только на основе аморфных, алмазоподобных плёнок.

1.3.2 Химические методы синтеза

Анализ литературы показал, что на данный момент, плёнки МСЭ, ИСБ и 1ЛЧСО синтезируются преимущественно в двух видах реакторов: М\¥СУ1) [37, 84 - 86], и НЕСУТ) [1, 85].

В частности, в М\¥С\03 методах получения МСБ, ИСО и ШСБ, наибольшее распространение получили реакторы с источником электромагнитного излучения 2.45 ГГц, и мощностью от 1 до 6 КВт. Коммерческие установки, для напыления МСБ или ЖЮ покрытий на несколько подложек, используют преимущественно НРСУБ технологию [87], позволяющую добиться высокой равномерности осаждения, на площади до 30x30 см2. На рисунке 1.7 представлен промышленный НБСУБ реактор [88].

А) В)

Рисунок 1.7 - Коммерческая HFCVD установка по получению поликристаллических плёнок алмаза; а) - вид сверху, б) - вид изнутри

В качестве подложки для роста MCD, NCD и UNCD, могут выступать различные материалы: Si, SiC, Si02, porous-Si, Si3N4, WC, Ti, W, Mo, Al, Pt, AI2O3 [7, 72, 74]. Для повышения степени зародышеобразования кристаллитов часто используют механическое или электрическое воздействия. Механическое производится следующим образом: мелкодисперсный порошок алмаза растворяется в этаноле. Подложка погружается в эту смесь и система подвергается воздействию ультразвука в течении нескольких минут. Затем подложка моется в чистом этаноле, так же под воздействием ультразвука. Электрическое воздействие, подразумевает подачу отрицательного потенциала на подложку, в начале и в течение синтеза. Метод называется BEN (Bias Enhanced Nucleation, впервые введена в 1993, X. Jiang [89]). В источниках [91], указывается, что повышение степени зародышеобразования, по средствам

подачи отрицательного потенциала, имеет преимущества перед остальными методами, благодаря наибольшей эффективности.

В источнике [92] утверждается, что длительность механической обработки подложки, оказывает влияние на скорость образования зародышей кристаллитов, то есть на их средний размер в растущей плёнке. Изменяя только длительность предобработки, можно менять размер кристаллитов от МСО до ЖЮ [5].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Титаренко, Андрей Алексеевич, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Williams О. A. Ultrananocrystalline diamond for electronic applications / Williams O. A., Johnes M., Kim P. // Semicond. Sci. Technol. - 2006. - № 21. -P. 49-56.

2. Eric J. C. Electrical conduction in undoped ultrananocrystalline diamond thin films and its dependence on chemical composition and crystalline structure / J. C.Eric, W. Yan // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2007. - № 102. P. 113706.

3. Paul W. M. Attempts to p-Dope Ultrananocrystalline Diamond Films in a Hot Filament Reactor / W. M. Paul, H. Matthew // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. -2007. - Vol. 956. P. 456 - 462.

4. Kishore U. Thermionic emission energy distribution from nanocrystalline diamond films for direct thermal-electrical energy conversion applications / U. Kishore, L. Tyler, T. Westover, S. Fisher, R. Brad // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2009. - Vol. 106. - P. 043716.

5. Madaleno J.C. Electron field emission from patterned nanocrystalline diamond coated a-Si02 micrometer-tip arrays / J. C. Madaleno, M. K. Singh, E. Titus, G.Cabral, J. Gracio // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2008. - Vol. 92. - P. 023113.

6. Shamsa M. Thermal conductivity of nitrogenated ultrananocrystalline diamond films on silicon / M. Shamsa, S. Ghosh, I. Calizo,V. Ralchenko, // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2008. - V. 52. - P. 042155.

7. Nevin N. Enhanced nucleation, smoothness and conformality of ultrananocrystalline diamond (UNCD) ultrathin films via tungsten interlayers / N. Nevin, A. Naguib, W. Jeffrey, A. Elam, J. Birrell, J. Wang, // Chemical Physics Letters. - 2006. - V. 430. - P. 345-350.

8. Zhang H. Low-temperature growth of ultra-thin nano-crystalline diamond films / H. Zhang, Т. Hao, C. Shi // J. Infrared Millim. Waves. - 2006. -Vol. 25. -No. 2.-P. 81-93.

9. Zhang F. Synthesis of nano-crystalline diamonds films / F. Zhang, Yu. Zhang, Q. Gao, S. Zhang // Chin. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 17. - No. 5. - P. 223 -228.

10. Lee Y.-C. Pre-nucleation techniques for enhancing nucleation density and adhesion of low temperature deposited ultra-nanocrystalline diamond / Yen-Chih Lee, S. J. Lin, C. Y. Lin, M. Yip // Diamond & Related Materials. - 2006. -Vol. 15.-P. 2046-2050.

11. Tsugawa K. Large-Area and Low-Temperature Nanodiamond Coating by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition / K. Tsugawa, M. Ishihara, J. Kim, M. Hasegawa // MYU Tokyo, New Diamond and Frointier Carbon Technology. - 2006. - Vol. 16. - No. 6. - P 345 - 352.

12. Reinhard D. K. Fabrication and properties of ultranano, nano, and microcrystalline diamond membranes and sheets / D. K. Reinhard, T. A. Grotjohn, M. Becker, M. K. Yaran, T. Schuelke // J. Vac. Sci. Technol. - 2004. -B. 22(6).-P. 133- 143.

13. Shamsa M. Thermal conductivity of nitrogenated ultrananocrystalline diamond films on silicon / M. Shamsa, S. Ghosh, I. Calizo, V. Ralchenko, A. Popovich, A. Balandin // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2008. - V. 103. - P. 083538(1)-083538(7).

14. Zhang W. J. Oriented single-crystal diamond cones and their arrays / W. J. Zhang, X. M. Meng, C. Y. Chan, Y. Wu, I. Bello, S. T. Leeb // APPLIED PHYSICS LETTERS. -2003. V. 82.-No.16.-P. 1034- 1047.

15. TAMULEVICIENE A. Diamond like Carbon Film as Potential Antireflective Coating for Silicon Solar Cells / A. TAMULEVICIENE, S. MESKINIS // MATERIALS SCIENCE.-2010. - Vol. 16.-No. 2. - P. 103 - 107.

16. Joseph P.T. Field emission enhancement in ultrananocrystalline diamond films by in situ heating during single or multienergy ion implantation processes / P. T. Joseph, N. H. Tai, C. H. Chen, H. Niu, H. F. Cheng, U. A. Palnitkar, I. N. Lin // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2009. - V. 105 - P. 123710.

17. Joseph P. T. Field emission enhancement in nitrogen-ion-implanted ultrananocrystalline diamond films / P. T. Joseph, N. H. Tai, Chi-Young Lee, H. Niu, W. F. Pong, I. N. Lin // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2008. -V. 103.-P. 043720.

18. Hajra M. Effect of gases on the field emission properties of ultrananocrystalline diamond-coated silicon field emitter arrays / M. Hajra, C.E. Hunt, M. Ding, O. Auciello, M. Gruen. // Journal of applied physics. -2003. - V. 94. - No. 6. - P. 472 - 451.

19. Gerbi J. E. Electrical contacts to ultrananocrystalline diamond / J. E. Gerbi, J. Birrell, B. W. Alphenaar, J. A. Carlisle // APPLIED PHYSICS LETTERS. -2003. - Vol. 83, - No. 10 - P. 777 - 789.

20. Kishore U. Thermionic emission energy distribution from nanocrystalline diamond films for direct thermal-electrical energy conversion applications / U. Kishore L. Tyler, V. Westover, R. Weiner // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2009. - Vol. 106. - P. 043716(1) - 043716(6).

21. Brian P. Characterization of the performance and failure mechanisms of boron-doped ultrananocrystalline diamond electrodes / P. Brian, W. Chaplin, I. Hongjun, Z. John, C.James // J Appl Electrochem. - 2011. - Vol. 41. - P. 1329- 1340.

22. Altukhova A. A. Characterization of Single Crystal Diamond Grown from the Vapor Phase on Substrates of Natural Diamond / A. A. Altukhov, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, M. P. Dukhnovsky, V. E. Zemlyakov, K. N. Ziablyuka, A. V. Mitenkina, A. B. Muchnikov, D. B. Radishev, A. K. Ratnikovac // Semiconductors. - 2011. - Vol. 45. - No. 3. - P. 392 - 396.

23. Sharonov G.V. UV DETECTORS BASED ON EPITAXIAL DIAMOND FILMS GROWN ON SINGLE-CRYSTAL DIAMOND SUBSTRATES BY VAPOR-PHASE SYNTHESIS / G. V. Sharonov, A. P. Bolshakov, V. G. Ralchenko, N. M. Kazuchits, S. A. Petrov // Journal of Applied Spectroscopy. -2010.- Vol. 77.-No. 5. P. 658-662.

24. Pleskovz Yu. V. Electrodes of Strongly Nitrogenated Nanocrystalline Diamond / Yu. V. Pleskovz, a, M. D. Krotovaa, V. G. Ralchenkob, 1.1. Vlasovb, and A. V. Saveliev // Russian Journal of Electrochemistry. - 2010. - Vol. 46. - No. 9. -P. 1063-1068.

25. Srinivasan S. Piezoelectric/ultrananocrystalline diamond heterostructures for high-performance multifunctional micro/nanoelectromechanical systems / S. Srinivasan, J. Hiller, B. Kabius, O. Auciello // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2007. Vol. 90. - P. 134101.

26. Espinosa H.D. Mechanical Properties of Ultrananocrystalline Diamond Thin Films Relevant to MEMS/NEMS Devices / H.D. Espinosa, B.C. Prorok, B. Peng, K.H. Kim, N. Moldovan, O. Auciello, J.A. Carlisle, D.M. Gruen and D.C. Mancini // 2003 Society for Experimental Mechanics. - 2003. - Vol. 43. -No. 3,-P. 256-268.

27. Ashok K. Nanocrystalline Diamond Thin Films for MEMS and Biomedical Devices / K. Ashok , S. Bhansali, I.I. Oleynik, T.M. Weller, // NSF NIRT Grant 0404137. - University of South Florida. - Tampa. - P. 33620.

28. Orlando A. Are Diamonds a MEMS' Best Friend? / A. Orlando, S Pacheco, S. Anirudha V. Sumant, C. Gudeman, S. Sampath, A. Datta, W. Robert, // IEEE Microwave magazine. - 2007 - V. 3. P. 61 - 75.

29. Auciello O., Materials Science and Fabrication Processes for a New MEMS Technology Based on Ultrananocrystalline Diamond Thin Films / O. Auciello, J. Birrell, J.A. Carlisle, J.E. Gerbi, X. Xiao, B. Peng, H.D. Espinosa // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2004. - Vol.16. - P.539 - 552.

30. Sergio P. Characterization of Low-Temperature Ultrananocrystalline Diamond RF MEMS Resonators / P. Sergio, L. Pacheco, P. Zurcher, R. Steven, D. Young // 13th GAAS Symposium, Paris. - 2005. - Vol 1. - P 577 - 580.

31. Krauss A. Ultrananocrystalline Diamond Thin Films for MEMS and Moving Mechanical Assembly Devices. / A.R. Krauss, O. Auciello, D. M. Gruen, A.

Jayatissa, A. Sumant, // Diam. Relat. Mater. - 2001. -Vol. 10. - P. 1952 -1961.

32. Espinosa H.D. An Investigation of Plasticity in MEMS Materials / H.D. Espinosa, B.C. Prorok, Y. Zhu, M. Fischer // Proceedings of InterPACK. -2001.-Vol.3.-P.-77-85.

33. Kohn E. Evaluation of CVD Diamond for Heavy Duty Microwave Switches / E. Kohn, A. Kohn. // IEEE MTT-S Digest. - 2003. - P. - 1625 - 1628.

34. Espinosa H.D. A Methodology for Determining Mechanical Properties of Freestanding Thin Films and MEMS Materials / H.D. Espinosa, B.C. Prorok, M. Fischer // Journal of the Mechanics and Physics of Solids. - 2003. - Vol. 53.-No. l.-P. 47-67.

35. Sumant A.V. Large-area low-temperature ultrananocrystalline diamond (UNCD) films and integration with CMOS devices for monolithically integrated diamond MEMS/NEMS-CMOS systems. / A.V. Sumant, O. Auciello, H.C. Yuan, Z. Ma, R.W. Carpick, // Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. -2009.-P. 7318-7318(17).

36. KLYUI N. I. OPTICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF NITROGEN-DOPED DIAMOND-LIKE CARBON FILMS / N.I. KLYUI, V.G. LITOVCHENKO, A.N. LUKYANOV, L.V. NESELEVSKA, V.D. OSOVSKIY1, O.V. YAROSCHUK1, L.A. DOLGOV // Ukr. J. Phys. - 2006. -V. 51.-No. 7.-P.-710-714.

37. Mednikarov B. OPTICAL PROPERTIES OF DIAMOND-LIKE CARBON AND NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS / B. Mednikarov, G. Spasov, Tz. Babeva, J. Pirov, M. Sahatchieva, C. Popova, W. Kulischa // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2005. - Vol. 7. - No. 3. -P. 1407- 1413.

38. Lasse L. Optical Response of Diamond Nanocrystals as a Function of Particle Size, Shape, and Symmetry / L. Lasse, K. Kathrin, E. Jeremy, M. K. Robert,

M. Thomas, B. Christoph // PHYSICAL REVIEW LETTERS. - 2009. V. 103. -P. 047402-047402(9).

39. Lasse L. The influence of a single thiol group on the electronic and optical properties of the smallest diamondoid adamantine / L Lasse, S. Matthias, D. W. Staiger, K. Kathrin, Z. Peter, M Trevor, B. Daniel, R. Peter // J. Chem. Phys. -2010.-V. 78.-No. 132.-P.-024710-024710(12).

40. Ahmed Sk. F. Myoung-Woon Moon, Kwang-Ryeol Lee Effect of silver doping on optical property of diamond like carbon films / Sk. F Ahmed, M. Myoung-Woon, L. Kwang-Ryeol // Thin Solid Films. - 2009. - Vol. 517. - P. -4035-4038.

41. Min-Sheng Y. Low temperature growth of highly transparent nanocrystalline diamond films on quartz glass by hot filament chemical vapor deposition / Y. Min-Sheng, F. Chau-Nan Hong, J. Yeau-Ren, H. Shih-Ming // Diamond & Related Materials. - 2009. -Vol. 18. - P. - 155-159.

42. Kriele A. Tuneable optical lenses from diamond thin films / A. Kriele, O. A. Williams, M. Wolfer, D. Brink, W. Muller-Sebert, C. E. Nebel // APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2009. - Vol. 95. - P. 031905 - 031905 (10).

43. Yongqing F. Characterization and tribological evaluation of MW-PACVD diamond coatings deposited on pure titanium / F. Yongqing, Y Bibo, L. Nee-Lam, Q. Chang // Materials Science and Engineering. - 2000. - Vol. A282. P. 38-48.

44. Adiga V. P. Mechanical stiffness and dissipation in ultrananocrystalline diamond microresonators / V. P. Adiga, A. V. Sumant, S. Suresh, C. Gudeman, O. Auciello, J. A. Carlisle, R. W. Carpick // Physical Review B. - 2009. - Vol. 79.-No. 24.-P. 848-861.

45. Hans H. Mechanical Machining of Thin Polycrystalline Diamond Films / H. Hans, D. Gatzen, C. Kourouklis // Institute for Microtechnology, Hanover University, Germany, Symposium. - 2005. - Vol. 1. P. 623 - 638.

46. Oesterschulze E. Diamond cantilever with integrated tip for nanomachining / E Oesterschulze, Z. Duck, W. Piletti // Diamond and Related Materials. - 2002. -Vol. 11.-P. 667-671.

47. Ikeda R. Mechanical properties of CVD synthesized poly crystalline diamond / R. Ikeda, H. Ogi, T. Ogawa, M. Takemoto // INDUSTRIAL DIAMOND QUARTERLY. - 2009. - Vol. 1. P. 35 - 38.

48. Nakamura N. Elastic constants of chemical-vapour-deposition diamond thin films: resonance ultrasound spectroscopy with laser-Doppler interferometry / N. Nakamura, H. Ogi, M. Hirao // Acta Mater. - 2004.- Vol. 52. - P. - 765 -771.

49. POPOV C. Mechanical properties of ultrananocrystalline diamond (UNCD) films with an influence of the nucleation density on the structure / C. POPOV, G. FAVARO // CSM Instruments. - 2008. - No. 27. - V. 1. - P. 457 - 468.

50. Philip J. Elastic, mechanical, and thermal properties of nanocrystalline diamond films / J. Philip, P. Hess // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. -2002. - Vol. 93. - No. 4. - P. - 112 - 119.

51. Jeffrey T. Mechanical properties of ultrananocrystalline diamond prepared in a nitrogen-rich plasma: A theoretical study / T. Jeffrey, W. Paci, T. Belytschko,

C. George // The American Physical Society, PHYSICAL REVIEW B. - 2006. -Vol. 74.-P. 184112- 184112(8).

52. Keun-Ho K. Novel Ultrananocrystalline Diamond Probes for High-Resolution Low-Wear Nanolithographic Techniques / K. Keun-Ho, N. Moldovan, C Ke,

D. Espinosa, X. Xiao, A. John, A. Orlando // Small. - 2005. - V. 1. No. 8 - 9. P.- 866 - 874.

53. Pei Y.T., X.L. Bui and J.Th.M. De Hosson Flexible protective diamond-like carbon film on rubber / Y.T. Pei, X.L. Bui and J.Th.M. De Hosson // Scripta Materialia. - 2010. - Vol. 63. - P 649 - 652.

54. Espinosa H. D. Fracture strength of ultrananocrystalline diamond thin films -identification of Weibull parameters / H. D. Espinosa, B. Peng, B. C. Prorok,

N. Moldovan, O. Auciello, J. A. Carlisle, D. M. Gruen, D. C. Mancini // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2003.- Vol. 94. - No. 9. P. 679-689.

55. Shen Z. H. Mechanical properties of nanocrystalline diamond films / Z. H. Shen, P. Hess, J. P. Huang, Y. C. Lin, K. H. Chen, L. C. Chen // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2006. - Vol. 99. - P. 124302 - 124302 (12).

56. Sumanta A. V. Ultrananocrystalline Diamond Film as a Wear-Resistant and Protective Coating for Mechanical Seal Applications / A. V. Sumanta; A. R. Kraussa, D. M. Gruena, O. Aucielloa, A. Erdemirb, M. Williamsc, A. F. Artilesd, W. Adamsd // Tribology Transactions. - 2005. - Vol. 48. - No.l. P. 24-31.

57. Shena L. Loading History Effect on Size-Dependent Shear Strength of Pure and Nitrogen-Doped Ultrananocrystalline Diamond / L. Shena, Z Chen // Mechanics of Advanced Materials and Structures. - 2009. - Vol. 16. - No. 7. -P. 504-515.

58. Espinosa H.D. Mechanical Properties of Ultrananocrystalline Diamond Thin Films Relevant to MEMS Devices. / H.D. Espinosa, B.C. Prorok, B. Peng, K.-H. Kim, N. Moldovan, O. Auciello, J.A. Carlisle, D.M. Gruen // Experimental Mechanics. - 2003. - Vol. 43. - No. 3,- P. 256 - 268.

59. Konicek, A.R. Origin of ultralow friction and wear in ultrananocrystalline diamond / A.R. Konicek, D.S. Grierson, P. Gilbert // Phys. Rev. Lett. - 2008. -Vol. 100.-P. 235502-235517.

60. Sumant A.V. Toward the ultimate tribological interface: surface chemistry and nanotribology of ultrananocrystalline diamond / A.V. Sumant, D.S. Grierson, J.E. Gerbi // Adv. Mater. - 2005,- Vol. 17. - P. 1039-1045.

61. Shen L. Recent Advances in Multiscale Simulation of UNCD Strength / L. Shen, Z. Chen // COMPUTATIONAL MECHANICS ISCM. - 2007. - V. 1. -P 361 -372.

62. David J. Ultra-nanocrystalline diamond electrodes: optimization towards neural stimulation applications / J. David, S. Garrett, G. Kumaravelu // J. Neural Eng. - 2012. - Vol. 9. P. 016002 - 016012.

63. Piyush B. Ultrananocrystalline diamond film as an optimal cell interface for biomedical applications / B. Piyush, A. Demir, A. Gupta // Biomed Microdevices. - 2007. - Vol. 9. - P. 787 - 794.

64. Jones A.N. Investigation of the Tribological Properties of Diamond Films / A.N. Jones, W. Ahmed, C.A. Rego // JMEPEG. - 2007. - Vol. 16. - P. 131— 134.

65. Pasquarellil A. Carbone Diamond microelectrodes for amperometric detection of secretory cells activity / A. Pasquarellil, V. Carabelli2, Y. Xu // WC IFMBE Proceedings. - 2009. - Vol. 25/VIII. - P. 208 - 211.

66. Kulkarni P. Electrical and photoelectrical characterization of undoped and S-doped nanocrystalline diamond films / P. Kulkarni, L. M. Porter, F. A. M. Koeck // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2008. -Vol. 103. P. 084905-084905(9).

67. James B. Morphology and electronic structure in nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond / B. James, J. A. Carlisle, A O. Auciello //APPLIED PHYSICS LETTERS. - 2002. - Vol. 81. - No. 12. - P. 555 - 568.

68. Gupta S. Electrostatic force microscopy studies of boron-doped diamond films / S. Gupta, O.A. Williams, E. Bohannan // J. Mater. Res. - 2007. - Vol. 22. -No. 11.-P. 3014-3028.

69. May P. W. Rosser Raman and conductivity studies of boron doped microcrystalline diamond, facetted nanocrystalline diamond and cauliflower diamond films / P.W. May, W.J. Ludlow, M. Hannaway // Chemical Physics Letters. - 20074. - Vol. 446. - P. 103 - 108.

70. http://en.wikipedia.org/wiki/Carbon

71. http://ru.wikipedia.org/wiki/%C0%EB%EC%E0%E7

72. XIANFENG L. FIELD ELECTRON EMISSION FROM DIAMOND AND RELATED FILMS SYNTHESIZED BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION / L. XIANGFENG, R. LI // University of Saskatchewan. 2006. - Department of Physics and Engineering Physics. -Thesis.

73. Winfrey A. Nanocrystalline Diamond Deposition for Friction Applications / A. Leigh Winfrey, G. Broder. // North Carolina State University. - 2007. Raleigh. Department of Physics. - Thesis.

74. Chen Z. SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS FOR MULTIFUNCTIONAL MEMS/NEMS DEVICES / Z. Chen, H. Espinosa, M. Hersam // NSF Nanoscale Science and Engineering Grantees Conference. -2004.-V.l.-P. 79-85.

75. Maya P. W. Microcrystalline, nanocrystalline, and ultrananocrystalline diamond chemical vapor deposition: Experiment and modeling of the factors controlling growth rate, nucleation, and crystal size / P. W. Maya, M. Ashfold, A. Mankelevich // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2007. V.101. P. 053115.

76. Patrick Heaney, Chris Torres, Anirudha Sumant, Robert W. Carpick, and Frank Pfefferkorn5 Effect of Nanocrystalline Diamond Coatings on Micro-End Milling Performance / P. Heaney, C. Torres, A. Sumant // ICOMM. 2006 No.: 07. P 446-452.

77. John A. Ultrananocrystalline Diamond Properties and Applications in Biomedical Devices/ A John, A. Carlisle, O. Auciello // The Electrochemical Society Interface. - 2003. V.l. P. 28 - 31.

78. Rahul R. SYNTHESIS OF DIAMOND THIN FILMS FOR APPLICATIONS IN HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS / R. Rahul E. Highs // University of Cincinnati, Department of Chemical and Materials Engineering. -Dissertation, 2006. - P. 171.

79. Frgalal Z. HARD CARBON FILMS: DEPOSITION AND DIAGNOSTICS / Z. Frgalal, V. Kudrle, J. Januca, // Acta physica slovaca . - 2003 - Vol. 53. -No. 5. - P. 385 - 390 October 2003.

80. Soga T. Precursors for CVD growth of nanocrystalline diamond / T. Soga, T. Sharda, T. Jimbo // Физика твёрдого тела, 2004, том 46, Вып. 4 С. 702 -706.

81. US Patent 6,592,839 В2, Tailoring nanocrystalline diamond film properties, Dieter M. Gruen, Jul. 15, 2003.

82. Xu Z. Nanocrystalline Diamond Thin Films for Tools and Other Applications / Z. Xu, A. K. Sikder A. Kumar // Abs. 204th Meeting, © 2003 The Electrochemical Society, Inc. VI. -P 25 - 35.

83. Snead L. STRUCTURAL RELAXATION IN AMORPHOUS SILICON CARBIDE / L. Snead, S. J. Zinkle // Metals and Ceramics Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge TN 37830-6138. P. 55-63.

84. Maya P. W. Microcrystalline, nanocrystalline, and ultrananocrystalline diamond chemical vapor deposition: Experiment and modeling of the factors controlling growth rate, nucleation, and crystal size / P. W. Maya, M. N. R. Ashfold, Yu. A. Mankelevich // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2007. V. 101 -P. 053115-053130.

85. Huang W. S. Synthesis of thick, uniform, smooth ultrananocrystalline diamond films by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition / W.S. Huang a, D.T. Tran , J. Asmussen T.A. Grotjohn a, D. Reinhard // Diamond & Related Materials. - 2006. P. 341 - 344.

86. Haitao Y. Dielectric characterization of microwave plasma enhanced chemical vapor deposition diamond films with Ar, H2 CH4 gas mixture/ Haitao Yea, Chang Queng, Peter Hing // Surface and Coatings Technology. 2000 - V.132, P.-2000-2014.

87. Vikharev A.L. Nano- and Microcrystalline Diamond Grown in High-/ A.L. Vikharev, A. Titov // Electron Density Plasma of Millimeter Wave CVD Reactor Diamond and Related Materials. 2006. V.15. - P. 502 - 514.

88. www.sp3diamondtech.com

89. Michele D. Nanocrystalline Diamond Growth and Device Applications / D. Michele, R. Yung. // Universität Ulm, Fakultät fur Ingenieurwissenschaften und Informatik der Universität Ulm. - 2008 DISSERTATION, 02.10.2008

90. Yan C. High efficiency deposition of diamond film by hot filament chemical vapor deposition / Yan Chen, Qijin Chen, and Zhangda Lin // J. Mater. Res. -1996.-Vol. 11,-No. 12-P. 325-334.

91. Azevedo A. F. Bias-Enhanced Nucleation of NCD on high-adherent diamond/Ti6A14V films / A.F. Azevedo, V.J. Trava-Airoldi N.G. Ferreira // Int. J. Nanomanufacturing. - 2008 Vol. 2. - P. 70 - 79.

92. Yen-Chih Lee a, Su-Jien Lin a, Cheng-Yu Lin b, Ming-Chuen Yip b, Weileun Fang b, I-Nan Lin Pre-nucleation techniques for enhancing nucleation density and adhesion of low temperature deposited ultra-nanocrystalline diamond Diamond & Related Materials 15 (2006) 2046-2050.

93. Dieter M. Gruen Ultrananocrystalline Diamond Films from Fullerene Precursors // Perspectives of Fullerene Nanotechnology 2002, P 217 - 222.

94. Dieter M. Gruen NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILMS // Annual Review of Materials Science..- 1999 - Vol. 29. - P.211 - 259.

95. Okushi, H. Watanabe, T. Sekiguchi, D. Takeuchi, S. Yamanaka, K High quality homoepitaxial CVD diamond for electronic devices // Diamond Relat. Mater. 10, 281 (2001). - P 458 - 467.

96. Dieter M. US Patent 5772760 A, Method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films / Dieter M. Gruen Alan R. Krauss, Jun 30, 1998.

97. Williams O.A Nucleation, Growth and Doping of Nanocrystalline Diamond Films / O.A.Williams , G.O. Hara // IMEC vzw.-2009. - P 9 - 12.

98. Nakagawa Y. Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite Films Prepared by a Coaxial Arc Plasma Gun / Y. Nakagawa, K. Hanada A. Nagano, T. Yoshitake, R. Ohtani, H. Setoyama, E. Kobayashi // Materials Science Forum Volumes 638 p 2927 - 2932.

99. Chen Y. C. Synthesis and characterization of smooth ultrananocrystalline diamond films via low pressure bias-enhanced nucleation and growth / Y. C. Chen, X. Y. Zhong, A. R. Konicek, D. S. Grierson, N. H. Tai, I. N. Lin,B. Kabius // APPLIED PHYSICS LETTERS 2008. V.92. - P. 133113 - 133125.

100. Filik J., Raman spectroscopy of nanocrystalline diamond: An ab initio approach / J. Filik, J. N. Harvey, N. L. Allan, and P. W. May // PHYSICAL REVIEW B. 2006. - V. 74. - P. 035423 - 035438.

101. Oliver A. Williams Milos Nesladek Growth and properties of nanocrystalline diamond films/ A. Oliver, W. milos //phys. stat. sol. (a) 203.- No.13. - P. 3375 -3386.

102. Zimmermanna T. Ultra-nano-crystalline/single crystal diamond heterostructure diode / M. Kubovica, A. Denisenkoa, K. Janischowskya, O.A. Williamsb, D.M. Gruenc, E. Kohna // Diamond & Related Materials V.14 - 2005. - P. 416 - 420.

103. Franz M. Thermionic Emission from Doped and Nanocrystalline Diamond // North Carolina State University, Raleigh, NC, Department of Physics, thesis, 2003.-P. 154.

104. Sumanta V. Ultrananocrystalline Diamond Film as a Wear-Resistant and Protective Coating for Mechanical Seal Applications / A. R. Kraussa; D. M. Gruena; O. Aucielloa; A. Erdemirb, M. Williamsc, A. F. Artilesd, W. Adamsd // Tribology Transactions, 2005. - V.4 - P. 24 - 31.

105. Тарала В.А. Исследование влияния температуры подложки на скорость роста плёнок а-С:Н / В.А. Тарала, И.В. Белашов, А. А.Титаренко // Материалы XXXVIII научно-технической конференции по итогам работы профессорско-преподавательского состава СевКавГТУ, 2008. - С. 38 - 39.

106. Титаренко A.A. Исследование влияния потенциала подложки на твёрдость плёнок а-С:Н / A.A. Титаренко, И.В. Белашов // Материалы XII региональной научно-технической конференции «Вузовская наука -Северо-Кавказскому региону», 2008г. С. 18 - 19.

107. Белашов И.В. Исследование влияния параметров синтеза, на скорость роста и состав плёнок а-С:Н / И.В. Белашов, А. А.Титаренко // Материалы III Международной научно студенческой конференции «Научный потенциал студенчества в XXI веке» Ставрополь: СевКавГТУ, 2009 г. С. 14-15.

108. Титаренко A.A. Общее представление об ультронанокристалическом и нанокристалическом алмазе / В.А. Тарала, АА.Титаренко, И.В. Белашов, // Материалы XIII научно-технической конференции «Вузовская наука -Северо-Кавказскому региону», Ставрополь: СевКавГТУ, 2009г. С.40-41.

109. Тарала В.А. Исследование алмазоподобных плёнок углерода методом просвечивающей ИК-спектроскопии / В.А. Тарала, И.В. Белашов,

A.А.Титаренко, A.A. Цокол // Материалы XIV научно-технической конференции «Вузовская наука - Северо-Кавказскому региону», 2010 г. С.12 - 24.

110. Тарала В. А. Влияние потенциала самосмещения на оптические свойства а-С:Н плёнок / В. А. Тарала, И. В. Белашов, А. А.Титаренко, А. А. Цокол // Материалы XIV научно-технической конференции «Вузовская наука -Северо-Кавказскому региону», 2010г. С.18 - 19.

111. Тарала В. А. Исследование структуры и состава углеродосодержащих материалов методом комбинационного рассеяния света / В. А. Тарала, И.

B. Белашов, А. А.Титаренко, JI. А. Кашарина, А. А. Цокол // Материалы XIV научно-технической конференции «Вузовская наука - СевероКавказскому региону», 2010 г. С.21 - 22.

112. Goyette А. N. Distinct nonequilibrium plasma chemistry of C2 affecting the synthesis of nanodiamond thin films from C2H2(l%)/H2/Ar-rich plasmas / A.

R. Krauss; D. M. Gruen, O. Auciello, A. Erdemir; M. Williams; A. F. Artiles, W. Adams // Plasma Sources Sci. Technol. 1998. - Vol. 7. - P. 149 - 165.

113. Crintea D L. Plasma diagnostics by optical emission spectroscopy on argon and comparison with Thomson scattering/ U. Czarnetzki, S. Iordanova, I. Koleva, D. Luggenholscherl //J. Phys. D: Appl. Phys. 42.-2009. - P. 045208(11).

114. Luque J. Excited state density distributions of H, C, C2, and CH by spatially resolved optical emission in a diamond depositing dc-arcjet reactor / W. Juchmann, E. A. Brinkman, and J. B. Jeffriesc// J. Vac. Sci. Technol. - 1998-P. 1587- 1594.

115. ZHANG J. Diagnosis of Methane Plasma Generated in an Atmospheric Pressure DBD Micro-Jet by Optical Emission Spectroscopy / BIAN Xin-Chao, CHEN Qiang, LIU Fu-Ping, LIU Zhong-Wie // CHIN. PHYS. LETT.- 2009. Vol. 26.-No. 3.- P. 035203 - 0352014.

116. Jiun-Yu Wu. Using Molecular Dynamics Simulation and Parallel Computing Technique of the Deposition of Diamond-Like Carbon Thin Films / BIAN Xin-Chao, CHEN Qiang, LIU Fu-Ping, LIU Zhong-Wie // MTPP.- 2010,- LNCS 6083,- P. 182- 190.

117. Gordillo V. A quasianalytic kinetic model for nonequilibrium C2H2(1%)/H2/Ar RF plasmas of interest in nanocrystalline diamond growth / F. J. Gordillo-V'azquez, J. M. Albella // Plasma Sources Sci. Technol - 2002. -Vol. 11 498-512.

118. P. W. May Yu. A. Mankelevich Experiment and modeling of the deposition of ultrananocrystalline diamond films using hot filament chemical vapor deposition and Ar/CH4/H2 gas mixtures: A generalized mechanism for ultrananocrystalline diamond growth // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. -2006. - V.100. P. 024301 - 024315.

119. QUAN W. Molecular Dynamical Simulations on a-C:H Film Growth from C and H Atomic Flux: Effect of Incident Energy/ Hong-Xuan, ZHAO Fei, JI Li,

DU Wen, ZHOU Hui-Di, CHEN Jian-Min 11 CHIN. PHYS. LETT. - 2010. Vol. 27, No. 8.-P. 088102-088111.

120. May P.W. Mankelevich Simulations of polycrystalline CVD diamond film growth using a simplified Monte Carlo model / N.L. Allan, M.N.R. Ashfold, J.C. Richley, Yu.A. // Diamond & Related Materials. 2010. V.19 - P. 389 -396.

121. Singh S. V. Hard graphitelike hydrogenated amorphous carbon grown at high rates by a remote plasma / T. Zaharia, M. Creatore, R. Groenen, K. Van Hege, M. С. M. van de Sanden //JOURNAL OF APPLIED PHYSICS.- 2010. V. 107. -P. 013305-013320.

122. Marcinauskas L. INFLUENCE OF TORCH POWER AND Ar/C2H2 RATIO ON STRUCTURE OF AMORPHOUS CARBON FILMS / A. Grigonis, V. Valincius, P. Valatkevicius // Lithuanian Journal of Physics. 2009. Vol. 49. No. l.-P. 97- 103.

123. Jun U. Substrate temperature dependence of deposition profile of plasma CVD carbon films in trenches / K. Inoue, T. Nomura, H. Matsuzaki, K. Koga // J. Plasma Fusion Res. SEMES. -2009. - Vol. 5. - P. 124 - 132

124. Houska J. Formation and behavior of unbonded hydrogen in a-C:H of various compositions and densities / J.E. Klemberg-Sapieha, L. Martinu // Surface & Coatings Technology.- 2009. V. 203 - P. 3770 - 3776.

125. Tibor I. Raman spectroscopy study on differently deposited DLC layers in pulse arc system / Maribn Marton, Maribn Vojs, Robert Redhammer, Maribn Varga, Maribn Vesele A // Chemical Papers. 2010.V. 64 - P. 46 - 50.

126. Mihai G. PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF DLC:N FILMS / M. Ana, L. Zajickovaa, B.Vilma // Olomouc, Czech Republic, EU. - 2010. V. 86.-P. 125- 136.

127. Тарала В. А. Модель зарождения и роста аморфных и кристаллических плёнок алмазоподобных материалов. Грань (100) / В. А. Тарала, Б. М. Синельников // Журнал физической химии, 2012, том 86, № 4. - С. 1 - 7.

128. Tien-Syh Y. Combined effects of argon addition and substrate bias on the formation of nanocrystalline diamond films by chemical vapor deposition / Jir-Yon Lai, Ming-Show Wong // OURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2002. -Vol. 92.-P. 567-575.

129. Rabeau J. R. The role of C2 in nanocrystalline diamond growth / J. R. Rabeau, A. P. John, J. I.B. Wilson // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - 2004. Vol. 96., No.l 1. - P. 234-247.

130. Hara S. Slijkerman W.F.J., Van der Veen J.F. // Surface Science Letters. 1990. V. 231.-P. 196-200.

131. Bermudez V. M. Preparation and characterization of carbon-terminated p-SiC(OOl) surfaces / R. Kaplan, E. Kim // Physical Review B. - 1991.- V.44. No. 20.-P. 11149- 11158.

132. Nicolas W. Volker Buck Process Control of CVD Deposition of Nanocrystalline Diamond Films by Plasma Diagnostics / W. Nicolas. V. Buck // Z. Phys. Chem. 225. -2011. - P. 1379 - 1391.

133. Paul K. Characterization of amorphous and nanocrystalline carbon films Materials / E. Chu, L. Liuhe // Chemistry and Physics -2006. V. 96. - P. 253 -277.

134. Chow L. Chemical Vapor Deposition of Novel Carbon Materials / D. Zhou, A. Hussain, A. Chow // Thin Solid Films, 2000, vol. 386. - P. 193 - 197.

135. Huang, W.S. Synthesis of Thick, uniform, smooth Ultrananocrystalline Diamond Films by Microwave plasma-assisted Chemical Vapor Deposition, / D.T. Tran, Asmunsen. // Diamond & Related Mat., no. 15, 2006. - P. 341 -344.

136. Barbosa D. C. Diamond Nanostructures Growth / P. R. Baretto, V. W. Ribas, // Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, 2009, vol. 10. - P. 3 -10.

137. Zolotukhin A. A. Formation of Nanostructured Carbon Films in Gas-Discharge Plasmas / A. A. Zolotukhin, A. N. Obraztsov // J. Exp. Theor. Phys., 2003. Vol. 97, N. 6.-P. 1154- 1158.

138. Тарала В. А. Синтез нанокристаллических плёнок углерода / В. А. Тарала, Титаренко, И. В. Белашов, Шевченко М. Ю. // Вестник Северокавказского федерального университета, №4 (37), 2013, С. 65 - 70.

139. Tarala V. A. Synthesis and modelling of precipitation and growth of MCD and NCD/UNCD films from C2 radicals / V. A. Tarala, В. M. Sinelnikov, M.Yu. Shevchenko, A. A. Titarenko, E. F. Shevchenko // Int. J. Pure Appl. Sci. Technol., 2013, Vol 18, N2, P 47 - 53.

Приложение А. Документы подтверждающие получение гранта DAAD

J V "7 * • • * '

* rr ai

к

«е. <л HtW

Deutscher Akademischer Austausch Dienst German Academic Exchange Service

STIPENDIENURKUNDE

De- Deutsche Akademisc-e Austauschtest st eine gerne nsame Errichtung der dcjtscheii f-ochsc-ulen Er forde t r it offent ir'ipn Mitte n oie ntemat onale- cKJdern seht Zusdr me u boit

insbesondere den Austauscr von Studierenden und V\is=ensch8'Tle n Die S'ipenc en des ?AAD v* erde- au' der Grundlage vo- Aus^ah'entscheicungen u-abhargigcr wisse ischa'licher Ko-^mioS onon ve'gcber

Im Rahmen serer P ogramme verle ht cer Deutsche Akademische AusTauschdiensT

Andrey Titarenko

ein S'ipenoiurr ?„r vv ssensc aftlicner Aus uid'orbidunq n De^'schlano

ch beglucKv^nsche Sie zu aiesenn S'ipenctum und wünsche hie" eiren erfo qreichen Aufenthalt n Deu'sch and Ich roffe dass Sie neber Ihier fach iche- Aufgaben auch oie Ce egenheit «anme"nie" werden u"serLand seine tv" ersehe i u-d sere KJtu na-~er ken-enzu ernen Ich wu de rc freien we in Sie auch -ach Puckkeir r 'h' Heimatland we er'nn oip Verbinaunc. mit Ihre" deutschen Partnern und dem DAAD aiif'eciterhalte- rden

Ben den 1-03 2011,^^

A Ä

Pro' Dr Dr n c Vax G Hube' ¿prasiden* des Deutscher Akademischen Aus s-schdiers'es

D ese Uictrae s -иг ля ksem n 'ere ^clurg rr t ce St perd enzjsage des ustsnd 30ч a s

?

Министерство обрашвання и нажи Российской Федерации

Deutscher Akademischer Austausch Dienst German Academic Exchange Service

Подтверждение о присуждении научно-исследовательского гранта е рамках программы «Михаил Ломоносов II»

Фамилия имя отчество Титаренко Андреи Алексеевич Гражданство Россия

Длительность гранта 01 10 2011 - 31 03 2012 {6 месяцев)

Приглашающее высшее учебное заведение научное подразделение местонахождение Universität Bayreuth

Настоящим Вам присуждается грант Германской службы академических обменов (DAAD) и Министерства образования и науки Российской Федерации

Величина гранта составляет 975 Евро в месяц Помимо этого DAAD финансирует дорожные расходы и страховое обеспечение на время пребывания в Германии

Российская доля гранта выплачивается Вам Министерством образования и науки Российской Федерации в рублях Эти деньги Вы получите в своем вузе

Немецкая доля гранта выплачивается Вам со стороны DAAD в виде ежемесячных перечислений во время Вашего пребывания в Германии

Настоящий документ вступает в силу после того как в DAAD будет получено от Вас заявление о признании гранта (Annahmeerklarung) Это заявление было послано Вам в составе документов из Бонна Вам необходимо подписато его и отправить в Бонн по указанному факсу и по почте

Подписывая заявление о признании гранта (Anriahmeerklarung) Вы обязуетесь провести научную стажировку в указанные сроки

сообщить получил ли Ваш проект дополнительную поддержку из других источников В этом случае условия настоящего гранта могут быть скорректированы Двойное финансирование проекта исключено

по окончании стажировки представить в DAAD и Министерство образования и науки Российской Федерации отчет о наиболее важных результатах Вашей работы по • проекту

Продление гранта невозможно

Грант предназначен для научных исследований

Юр^

Д-р Грегор^Бергхорн х

Глава Московского представительства DAAD

»

Москва 26 01 2011

И Г Про,ценно, _

ДиректодДвпартамента международной интеграции, Министерства образования и науки российской Федерации

Приложение Б. Отзыв ответственного лица из Германии о проведённом

исследовании

UNIVERSITÄT BAYREUTH

Lehrstuhl für Wsitetoffvera rbeitung Ref. Dr. M. VWert-Fbrada

Universität Bayreuth • 95440 Bayreuth

To whom it may concern

Gebäude: FAN-C. Universitätsstraße 30 95447 Bayreuth

Telefon: 0921 / 55 - 7201 oder 7200 Telefax: 0921 / 55 - 7205

e-mail: [e-mail]

29. März 2012

Letter of Recommendation for Andrej Titarenko from

North-Caucasus State Technical University, Stavropol, Russia

Andrej Titarenko was awarded a DAAD grant as guest PhD student in Germany to perform experimental work in the area of "Ultra-Nanocrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD". He stayed in Germany from October l", 2011 to March 31, 2012.

Within this period of time he managed to perform an impressively large number of experiments in different laboratories at the Universities in Bayreuth and in Duisburg. He developed on his own an excellent project plan, based on deep understanding of theory and practice of microwave plasma processes and carbon based coatings. In addition to the experimental work on synthesis and characterization of diamond and carbon coatings he gave two oral presentations in our Research Seminar.

Andrej Titarenko has shown to be not only a very skillful experimentalist and researcher, he also has an astonishing ability to organize his research work, to communicate and collaborate with experts and other students in order to achieve the best possible outcome of his work.

He is a very polite, educated and hard working person. I would like to thank him for his contribution to research at my Chair and wish him all the best for his future professional and scientific career.

Pre

f. Dr. Monika Wiliert-Porada

Приложение В. Грамота о победе в конкурсе «У.М.Н.И.К 2012»

фонд содействия развитию^

малых форм предприятий в научно-техническо!

Председатель

Наблюдательного сонета

;»/. Бортник

/ енерилышй директор Фонда содействия развиты! »алых форм предприятий в научно-технической сфере

г-"

V

Г, Поляков

Победитель программы "Участник молодежного научно-ннновационного конкурса" ("УМНИК")

"Тьгл рейку Андреи