Исследование процесса роста металлических кластеров на поверхности кристаллов методом молекулярно-динамического моделирования тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Москалёв, Дмитрий Вячеславович

• Москалёв, Дмитрий Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Москалёв, Дмитрий Вячеславович

4

Глава 1. Рост кластеров на дефектах кристаллической подложки (Литературный обзор).

Глава 2. Эволюция структуры нанокластера металла на поверхности кристалла.

2.1 Моделирование роста однокомпонентного кластера на поверхности кристалла.

2.1.1 Методика моделирования.

2.1.2 Моделирование на основе потенциала Морзе.

2.1.3 Моделирование на основе потенциала Леннарда-Джонса.

2.2 Моделирование роста и отжига двухкомпонентного нанокластера на поверхности кристалла.

2.2.1 Рост двухкомпонентного кластера.

2.2.2 Исследование расслоения компонентов при отжиге.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Влияние поверхностных вакансий ионных кристаллов на ориентацию кластеров.

3.1 Моделирование влияния вакансий на ориентацию кластеров Аи на поверхности (111) CaF2.

3.1.1 Экспериментальные данные по ориентации дискретных наноструктур на поверхности (111) CaF2.

3.1.2 Методика моделирования.

3.1.3 Расчет отношений энергии связи кластера с подложкой.

3.2 Рост кластеров золота на поверхности кристаллов NaCl.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Плотность насыщения и ориентация дискретных наноструктур на ионных кристаллах.

4.1 Система кинетических уравнений.

4.2 Сравнение с экспериментом.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процесса роста металлических кластеров на поверхности кристаллов методом молекулярно-динамического моделирования»

Актуальность темы. Интерес к наноструктурам связан как с проявлением размерного эффекта, так и с их применением в наноэлектронике, оптике, гетерогенном катализе, для получения функциональных покрытий с высокой прочностью и термостойкостью и т.д. Физика и технология тонких плёнок сейчас бурно развиваются, что обусловлено широким использованием тонких плёнок в ряде технологий (например, при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и уникальных объектов исследований). Поэтому исследования закономерностей формирования тонких плёнок на данный момент очень актуальны. Успехи физики тонких плёнок отражены в монографиях, сборниках, справочниках [1-9].

Один из путей создания дискретных наноструктур - вакуумная конденсация из паровой фазы, поскольку при реализации соответствующего механизма роста сконденсированной фазы имеется возможность формирования дискретных наноструктур на поверхности твердого тела. Дискретные наноструктуры на поверхности твердого тела как начальные стадии роста пленок, безусловно, во многом определяют их субструктуру и на стадии наступления сплошности. Для получения наноразмерных гетероструктур с необходимыми свойствами и выбора технологических режимов их производства необходимы знания о закономерностях возникновения, морфологии и структуры отдельных нанокластеров.

Вакуумная конденсация металлов на сколы ионных кристаллов широко используется для изучения закономерностей зарождения и роста тонких пленок по механизму Фольмера и Вебера. Установлено, что увеличение плотности точечных дефектов кристаллической подложки (вакансий, примесных атомов) приводит к увеличению плотности насыщения островков и, как правило, улучшению их эпитаксиальной ориентации. Влияние точечных дефектов - активных центров зарождения - на кинетику образования, роста и на распределение кластеров по размерам достаточно полно описывается микрокинетическими моделями. В этих моделях при составлении кинетических уравнений образования и роста кластеров учитывается плотность активных центров, спектр активностей, возможность их миграции по поверхности подложки.

В то же время ограничены данные о структуре самих нанокластеров на начальных этапах конденсации, когда объекты состоят из нескольких десятков и сотен атомов. Также не раскрыта на атомном уровне природа ориентирующего влияния точечных дефектов кристаллической подложки. Моделирование методом молекулярной динамики даёт возможность выйти на уровень отдельных атомов в исследовании нанокластеров и процесса их роста.

Работа выполнена в региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии Воронежского государственного технического университета в рамках проектов А-0032 и Б-0101 Федеральной целевой программы «Интеграция» и г/б НИР № 1.1.05.

Цель и задачи исследования. Установление методом моделирования молекулярной динамики закономерностей процесса образования одно- и двухкомпонентных металлических нанокластеров на поверхности ионного кристалла.

В соответствии с целью в работе решались следующие задачи:

1. Разработка программного обеспечения с целью молекулярно-динамического моделирования роста малоатомных кластеров на кристаллической подложке.

2. Исследование эволюции формы однокомпонентного металлического кластера в процессе его роста.

3. Исследование смены формы и распределения атомов в процессе роста и при отжиге двухкомпонентного металлического кластера с начальным случайным распределением атомов компонентов.

4. Исследование природы дискриминации 180-градусной ориентации кластеров золота на взаимодополняющих поверхностях (111) флюорита.

Научная новизна исследований.

1. Установлена смена формы роста кластера от двухмерного к трехмерному и механизм автокоалесценции («сворачивание»), при котором происходит резкое сокращение размеров первого слоя.

2. Показано, что в растущем двухкомпонентном кластере с неодинаковой глубиной потенциала межатомного взаимодействия атомов компонентов между собой наблюдается образование ядра кластера из компонента с большей глубиной потенциала и оболочки из компонента с меньшей глубиной потенциала. Установлено, что отжиг двухкомпонентного кластера с первоначально случайным распределением атомов приводит к аналогичному результату.

3. Подтверждена причина наблюдаемой экспериментально дискриминации 180-градусной позиции "треугольных" островков золота на взаимодополняющих поверхностях (111) флюорита: преимущественное зарождение кластеров на анионных вакансиях поверхности подложки.

Объекты исследования.

Объектами исследования являются одно- и двухкомпонентные металлические нанокластеры, получаемые конденсацией в вакууме из паровой фазы на поверхность кристалла.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. При росте однокомпонентного кластера происходит смена формы роста от двухмерной к трехмерной при критическом размере кластера, зависящем от глубины потенциала межатомного взаимодействия.

2. При росте кластера из двухкомпонентного пара ядро кластера образовано компонентом с большей глубиной потенциала межатомного взаимодействия, а компонент с меньшей глубиной потенциала образует оболочку. Отжиг двухкомпонентного кластера с первоначально случайным распределением атомов приводит к аналогичному результату.

3. Экспериментально наблюдаемая дискриминация 180-градусной позиции "треугольных" островков золота на взаимодополняющих поверхностях (111) флюорита обусловлена преимущественным зарождением кластеров на анионных вакансиях поверхности подложки.

Практическая значимость работы.

Раскрытие механизма влияния анионных вакансий на ориентацию кластера может быть использована при выборе и в технологии обработки кристаллической подложки для получения эпитаксиальных плёнок.

Результаты диссертации могут быть использованы для прогнозирования морфологии двухкомпонентных дискретных наноструктур.

Материалы диссертации могут быть использованы в курсе лекций "Физика тонких плёнок" для студентов в области микроэлектроники и материаловедения.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: Международной школе-семинаре "Нелинейные процессы в дизайне материалов" (Воронеж, 2002); II школе-семинаре "Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения" (Дубна, 2002); IV

Международном семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Астрахань, 2002); Научной сессии МИФИ-2002; конференции МФТИ им. Ломоносова (Москва, 2004); Nanoparticles, nanostructures and nanocomposites СПб-2004; Международной школе-семинаре "Нелинейные процессы в дизайне материалов" (Воронеж, 2004); IV Международной научной конференции "Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация." (Иваново, 2006); на ежегодных научных конференциях ВГТУ (2002-2006г.г.).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 научных работ (включая регистрацию программы "Кластер"), в том числе 6 из перечня изданий, рекомендованных ВАК РФ.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведённых в конце работы, лично соискателем разработан программный продукт для решения задачи моделирования молекулярной динамики процесса кластерообразования; проведено моделирование роста однокомпонентного металлического кластера, роста и отжига двухкомпонентного металлического кластера. Консультации по кинетике образования и роста островковых пленок проводил к.ф.-м.н., доцент Шведов Е.В. Автор также выражает благодарность научному коллективу лаборатории за помощь в работе.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка использованных источников из 114 наименования и приложения. Работа изложена на 83 страницах и содержит 30 рисунков, 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Москалёв, Дмитрий Вячеславович

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

1. Кинетика зарождения и распределение по размерам нанокластеров двухкомпонентных пленок металлов с ограниченной взаимной растворимостью / В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.Е. Андрусевич, Д.В. Москалев // Вестник Воронежского государственного технического университета. Сер. Материаловедение - 2002. Вып. 1.10. С. 18-23.

2. Иевлев В.М. Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла / В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.В. Москалев // Вестник Воронежского государственного технического университета. Сер. Материаловедение - 2002. Вып. 1.12. С. 65-68.

3. Иевлев В.М. Плотность насыщения и ориентация дискретных наноструктур на поверхности ионных кристаллов / В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.В. Москалёв // Физика и Химия Стекла - 2005. Т. 31. № 3. С. 402-408

4. Ievlev V.M. Nucleation Kinetics and Orientation of Discrete Nanostructures on Ionic Crystals / V.M. Ievlev, E.V. Shvedov, D.V. Moskalyov //Nanoparticles, Nanostructures & Nanocomposites //Topical Meeting of the European ceramic society. Saint-Petersburgs, Russia, 5-7 July 2004, Book of abstracts, P.127.

5. Шведов E.B., Москалев Д.В. 50200401486 Кластер. Программа //Информационный бюллетень. Алгоритмы и программы. - 2005. - №4. 29.29 Физика атома и молекулы.

6. Иевлев В.М. Молекулярно-динамическое моделирование процессов роста одно- и двухкомпонентного нанокластеров на поверхности кристалла / В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.В. Москалёв // Вестник Воронежского государственного технического университета. Сер. Материаловедение - 2003. Вып. 1.14. С. 40-44.

Статьи и тезисы докладов

7. Москалев Д.В. Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла / Д.В. Москалев, Е.В. Шведов // Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении: сб. Тез. IV междунар. семинара. Астрахань, 2002. С. 89.

8. Москалев Д.В. Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла / Д.В. Москалев, Е.В. Шведов // Нелинейные процессы в дизайне материалов: тез. междунар. школы-семинара. Воронеж, 2002. С. 187-190

9. Москалев Д.В. Компьютерное моделирование начальных стадий конденсации металлических пленок / Д.В. Москалев, Е.В. Шведов //Научная сессия МИФИ-2002: сб. науч. тр. М., 2002. Т. 9. С. 196.

10. Москалев Д.В. Определение формы малоатомных металлических кластеров при вакуумной конденсации с использованием метода молекулярной динамики / Д.В. Москалев, Е.В. Шведов // Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения: тез. II школы-семинара. Дубна, 2002. С. 53.

И. Ориентирующее влияние анионных вакансий на поверхности флюорита в процессе вакуумной конденсации золота / В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.В. Москалев, В.А. Аммер // Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении: материалы V междунар. конф. Воронеж, 2004. Т. 2. С. 44-47.

12. Шведов Е.В. Влияние анионных вакансий на ориентацию кластеров Аи на поверхности кристаллов NaCl и КС1 /Шведов Е.В., Москалёв Д.В., Омороков Д.Б. //Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация: тез. докл. IV междунар. науч. конф. Иваново, 2006. С. 104.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Москалёв, Дмитрий Вячеславович, 2006 год

1. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных плёнок «Наука», М., 1972.

2. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные плёнки. «Наука», М.,1971.

3. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких плёнках. «Мир», М.,1972

4. Трусов Л.И., Холмянский В.А. Островковые металлические плёнки. «Металлургия», М., 1973.

5. Северденко В.П., Точицкий Э.И. Структура тонких металлических плёнок. «Наука и техника», Минск, 1969

6. Точицкий Э.И., Кристаллизация и термообработка тонких плёнок. «Наука и техника», Минск, 1976.

7. Монокристаллические плёнки. Под ред. Пинскера З.Г. «Мир», М.,1966

8. Технология тонких плёнок, справочник, т. 1-2. «Советское радио», М., 1977

9. Косевич В.М., Палатник Л.С., Сокол А.А., Архипов П.П., Центры зарождения конденсированной фазы на ионных кристаллах. ДАН СССР, 1968, т. 180, с .586-588

10. Постников B.C., Моргунов В.Н., Золотухин И.В., Иевлев В.М. О зародышеобразовании золота на ионных кристаллах. ФТТ, 1968, т. 12, с.2975-2977

11. Трофимов В.И., Лукъянович В.М. О центрах зародышеобразования золота на кристаллах NaCl. ФТТ, 1968, т. 10, с. 18891891.

12. Дистлер Г.И., Леюедева В.Н, Москвин В.В. Исследование центров окраски щёлочно-галоидных кристаллов на электронно-микроскопическом уровне. Кристаллография, 1969, т. 14, с.664-671.

13. Трофимов В.И., Черников В.Н., Лукъянович В.М. Декорирование закалённых кристаллов КС1. ФТТ, 1969, т.11, с.3655-3657

14. Сокол А.А., Косевич В.М. Влияние примесей в ионных кристаллах на эпитаксию золота. Кристаллография, 1969, т. 14, с. 527-528

15. Stenzel Н., Bethge Н. An investigation of heterogeneous nucleation on point defects. Thin Solid Films, 1976, v.32, p.267-270

16. Трофимов В.И., Чалов A.E., Евко Э.И. Влияние состояния поверхности подложки на зародышеобразование золота при вакуумной конденсации. ФТТ, 1971, т.13, с.334-336

17. Matthews J.W. The role of contamianants in the epitaxial growth of gold on sodium chloride. Phil. Mag., 1965, v.12, pi 143-1157

18. Ueda R., Inuzuka T. Crystal surface effects on the nucleation and epitaxial growth of gold deposits from vapour phase. J. Crystal Growth, 1971, v.9, p.79-83

19. Bethge H. Nucleation and surface conditions. J. Vacuum Sci. thechnology, 1969, v/6, p.460-467

20. Жданов Гл.С. Зоны захвата адатомов в тонких плёнках меди на углероде. ФТТ, 1973, т.15, с.3692-3695

21. Venables J.A. Rate equation approaches to thin film nucleation kinetics. Phil. Mag., 1973, v.27, p.697-738

22. Stowell M.J. Nucleation of Au and Ag on alkali halide substrates. Thin Solid Films, 1974, v.21, p.91-105

23. Lewis B. Migration and capture processes in heterogeneous nucleation and growth. Surface Science, 1970, v.21, p.273-306

24. Robins J.L., Rhodin T.N. Nucleation of metal crystals on ionic surfaces. Surface Science, 1964, v.2, p.346-355

25. Lee E.H., Poppa H., Pound G.M. The quantitative measurements of nucleation and growth kinetics of gold on mica. Thin Solid Films, 1976, v.32, p.229-232

26. Биржега М.И., Топа В., Теодореску В. Влияние прерывистого осаждения на зародышеобразование и рост частиц Au на щелочно-галоидных кристаллах-подложках. Известия АН СССР, сер. Физическая, 1977, т.41, с.2450-2458

27. Inuzuka Т., Ueda R. Nucleation density of golf on the cleavage surface of sodium chloride. Surface Science, 1967, v.8, p.445-448

28. Inuzuka Т., Ueda R. Nucleation of gold deposits on alkali-halide crystals. J. Phys. Society Japan, 1968, v.25, p. 1299-1307

29. Stirland D.J. Electron-bombardement-induced changes in the growth and epitaxy of evaporated gold films. Appl. Phys. Letters, 1996, v.8, p.326-327

30. Stirland D.J. Epitaxy modifications to evaporated fee metals induced by electron bombardment of alkali halide substrates. Appl. Phys. Letters, 1969, v. 15, p.86-88

31. Stirland D.J. Some observation on the structure of gold deposits on rocksalt substrates. Thin Solid Films, 1967/68, v.l, p.443-473

32. Chambers A., Prutton M. Improved epitaxy of nickel on rocksalt substrates due to electron bombardiment. Thin Solid Films, 1967, v.l, p.255-239

33. Lewis В., Jordan M.R. Nucleation and epitaxy of gold deposits chloride substrates during electron bombardment. Thin Solid Films, 1970, v.6, pi-15

34. Palmberg P.W., Rhodin T.N., Todd C.J. Low-energy electron diffraction studies of epitaxial growth of silver and gold in ultrahigh vacuum. Appl. Phys. Letters, 1967, v.10, p. 122-124

35. Palmberg P.W., Todd С .J., Rhodin T.N. Role of surface defects in the epitaxial growth of some fee metals on potassium chloride cleaved in ultrahigh vacuum. J. Appl. Phys., 1968, v.39, p.4650-4662

36. Людовик Э.Ж.-Р., Пыиько В.Г., Зуев B.M. К вопросу о возникновении преимущественных ориентаций кристаллитов в эпитаксиальных металлических плёнках, выращиваемых на щелочно-галоидных кристаллах. В сб. «Физика твердого тела», Красноярск, 1974, с. 1420

37. Пынько В.Г., Людовик Э.Ж.-Р. Ориентационная кристаллизация ОЦК металлов на поверхностях сколов кристаллов NaCl. В сб. «Плёночные монокристаллы магнито-упорядочивающихся веществ», Красноярск, 1975, с.8-15

38. Пынько В.Г., Зуев В.М., Людовик Э.Ж.-Р., Камалов А.С. Эпитаксиальный рост плёнок кобальта на вакуумной конденсации их на (001) поверхность кристалла окиси магния. В сб. «Физика магнитных плёнок», Красноярск, 1975, вып. 7, с.66-70

39. Birjega M.I., Glodeanu F., Popescu-Pogrion N.G., Teodorescu I.A., Тора V. Epitaxy of Au thin films evaporated on Ag-doped NaCl substrates, electrolytically coloured. Thin Solid Films, 1972, v.10, p.307-310

40. Patel A.R., Mohama S. Epitaxial growth of Ag on Ag doped NaCl. Thin Solid Films, 1973, v.16, p.369-374

41. Kirk D.L., Inner R.M. The influence of ordered surface point defect arrays onto the epitaxial deposition of gold upon (100) surfaces of sodium chloride. Thin Solid Films, 1975, v.28, p.243-249

42. Shvedov E.V., Postnikov V.S., Ievlev V.M., Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. I. Saturation Density // Phys. Stat. Sol. (a).- 1977.- V.44.- P.423-427.

43. Shvedov E.V., Ievlev V.M., Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. II. Oriented Growth of Islands. Phys. Stat. Sol. (a).- 1978.- V.48.- P.603-608.

44. Сокол А. А., Косевич В. М., Влияние примесей в ионных кристаллах на эпитаксию золота // Кристаллография, 1969.- Т. 14.- С.527-528.

45. Трофимов В. И., Чалых А. Е., Евко Э. И., Влияние сосюяния поверхности подложки на зародышеобразование золота при вакуумной конденсации // ФТТ.-1971.- Т.13.- С.334-336.

46. Matthews J. V., The role of contaminants in the epitaxial giowth of gold on sodium chloride // Phil. Mag.-1965.- V.12.- P.l 143-1157.

47. Ueda R., Inuzuka Т., Crystal surface effects on the nucleation and epitaxial growth of gold deposits from the vapor phase // J.Crystal Growth.-1971.-V.6.- P.79-83.

48. Кукушкин С. А., Осипов А. В., Процессы конденсации тонких пленок // УФН, Обзоры актуальных проблем, 1998.- Т.168.- №10.- С.1083-1116.

49. Трусов Л.И., Холмянский В.А., Островковые металлические пленки.-М.: «Металлургия», 1973.- 320с.

50. Косевич В.М., Палатник Л.С., Сокол А.А., Архипов П.П., Центры зарождения конденсированной фазы на ионных кристаллах // Доклады академии наук СССР, 1968.- Т. 180.- №3.- С.586-588.

51. Косевич В.М., Сокол А.А., Структуры, создаваемые в кристалах точечными дефектами // ФТТ.- 1969.- Т.П.- С.810.

52. Трофимов В.И., К вопросу о природе центров зародышеобразования на реальной поверхности твердого тела // Тематический сборник «Активная поверхность твердых тел». Москва: 1976.-С. 196-200.

53. Haas G., Menek A., Brune Н., Barth J. V., Venables J.A., Kern К, Nucleation and growth of supported clusters at defect sites: Pd/Mg0(001) // Phys. Rev. В.- 2000.- V.61.- №16.- P. 11105-11108.

54. Дорфман В. Ф., Галина М. Б., О двумерном и трехмерном зародышеобразовании при росте кристаллов.- Докл. АН СССР, 1968.- Т. 182.-№2.- С.372-375.

55. Дорфман В.Ф., Галина М. Б., Трусов JI. И., К теории зародышеобразования при росте кристаллов.- Кристаллография, 1969.- Т. 14.-№1,- С.71-78.

56. Шведов Е.В., Нечаев В.В., Двухмодальное распределение зерен по размерам в тонких пленках, Изв.АН РФ,сер.Физическая, 1997.- Т.61.- №5.-С.959-960.

57. Шведов Е.В., О природе двухмодального распределения зерен по размерам в тонких пленках металлов на ЩГК // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение.- Вып.1.1.- Воронеж: ВГТУ, 1996.- С.158-159.

58. Иевлев В.М., Шведов Е. В., Стабилизация размеров зародышей при вакуумной конденсации // ФТТ.- 1978.- Вып.З.- №20.- С.809-811.

59. Chopra К L. /П. Appl. Phys.- 1966.- У31.- Р.3405-3410.

60. Андрусевич Дмитрий Евгеньевич, Кинетика кластерообразования при вакуумной конденсации металлов из одно- и двухкомпонентного пара, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Воронеж 2002

61. Крокстон К. Физика жидкого состояния. М.: Мир, 1978. - 400 с.

62. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статистической физике // УФН. 1978. - Т.125. - №3. - С.409-448.

63. Марч Н., Тоси М. Движение атомов в жидкости. М.: Металлургия, 1980. - 296 с.

64. Computer model of middle stage of thin film growth / R.Hrach, V.Stray /Czech. J. Phys B28 1978. /ppl382-l389

65. Formation mechanism of adatom islands on FCC (111) substrates / Ya-Quiong Xu, B-G Liu, E G Wang, D-S Wang / Journal of Physics D: Applies Physics / 34 (2001) / 3 January 2001 / ppl 137-1142

66. Submonolayer epitaxy with impurities: Kinetic Monte Carlo simulations and rate-equation analysis / Miroslava Kotrla, Joachim Krug, Pavel Smilauer / Physical Review В / V62 N4 /15 July 2000-11 / pp2889-2898

67. Simulated growth of layers on a substrate with mismatch: structural studies / S. Tan, A. Ghazali, J.C.S. Levy / Surface Science / 369 (1996) / pp360-366

68. Структура и стабильность кластеров на поверхностях металлов / Н.А. Леванов, B.C. Степянюк, В. Хергерт, А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, К. Коко / Физика твердого тела, 1991, т41 в7 /13 октября 1998 / рр1329-1334

69. Molecular-dynamic study of the structural rearrangements of Cu and Au clusters softly deposited on a Cu(001) surface / F.J. Papacios, M.P. Iniguez, M.J. Lopez, J.A. Alonso / Physical Review В / V60 N4 / 15 July 1999-11 / pp2908-2915

70. Computer simulation of the spreading of metallic clusters landing at grazing incidence on a metallic surface / F.J. Papacios, M.P. Iniguez, M.J. Lopez, J.A. Alonso / Physical Review В / V62 N23 / 15 December 2000-1 / ppl6031-16039

71. Molecular dynamics simulation studies of atomic-level structures in rapidly quenched Ag-Cu nonequilibrium alloys / H.W. Sheng, J.H. He, E. Ma / Physical Review В / V65 /19 April 2002 / ppl84203-l 184203-10

72. Molecular-dynamic study of the diffusion coefficient on crystal surface / F.J. Resende, B.V. Costa / Physical Review В / V61 N19 / 15 May 2000-1 / ppl2697-12700

73. Molecular dynamic simulation of a homogenous bcc->hcp transition / J.R. Morris, K.M. Ho / Physical Review В / V63 / 24 May 2001 / pp224116-1 -224116-9

74. Preroughening, fractional-layer occupancies, and phase separation at a disordered flat metal surface / Santi Prestipino, Erio Tosatti / Physical Review В / V57 N16/15 April 1998-11 / ppl0157-10165

75. Surface-sandwich segregation in Pt-Ni and Ag-Ni alloys: Two different physical origins for the same phenomenon / Guy Treglia, Bernard Legrand / Physical Review В / V35 N9 /15 March 1987-II / pp4338-4344

76. Surface segregation effect for transition-metal alloys in the coherent-potential approximation: general consideration and calculation for Cu-Ni alloys / J. Phys.: Condens. Matter / 2 (1990) / 21 August 1989 / pp869-885

77. Surface segregation effect for transition-metal alloys in the coherent-potential approximation: general consideration and calculation for Cu-Ni alloys / J. Phys.: Condens. Matter / 2 (1990) / 21 August 1989 / pp869-885

78. The surface composition of Pt-Cu Alloys: experimental observation and theory of surface segregation / A.D. Van Langeveld, V. Ponec / Application of Surface Science / 16 (1983) / 4 April 1983 / pp405-423

79. X. Гулд, Я. Тобочник Компьютерное моделирование в физике т1 / М. Мир, 1990. 349 с.

80. Zhen Shu, Davies J. // Phys. Stat. Sol A. V-78 №2 (1983) C.595-605

81. Shvedov E V., Ievlev V.M. // Phys. Stat. Sol. (a) 48,1978, 603-608.

82. Brune H., Bales G.S., Jacobsen J., Boragno C., Kern K. // Phys. Rev. B.I999. V.60. №8. P.5991-6006.

83. Nouvertne F., May U., Bamming M., Rampe A., Korte U., Guntherodt G., Pentcheva R., Scheffler M. // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №20. P. 14382-14386.

84. Rouyer D., Krembel C., C.Hanf M., Peruchetti J.C., Bolmont D., Gewinner G. // Surf. Sci. 1995. V.322. P.34-40.

85. Леденцов H.H., Устинов B.M., Иванов C.B., Мельцер Б.Я., Максимов М.В., Копьев П.С , Бимберг Д., Алферов Ж.И. // УФН. 1996. Т. 166. №4. С.423-428.

86. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И, Бимберг Д. // ФТП. 1998. Т.32. №4. С.385-410.

87. Henzlen М. // Surface Science. 1996. V.357/358. P. 809-819.

88. Haas G., Menck A., Brune H., Barth J.V., Venables J.A., Kern K. // Phys.Rew.B. 2000. V.61. P. 1105-1108

89. Zinsmeister G. // Jap. J. Appl. Phys. 1974. Suppl.2. Pt.l. P.545-550.

90. Цинсмайстер Г.Дж. // В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. Наука. 1975 4.1. С.11-16.

91. Venables J.A. //Phil.Mag. 1973. У.21. Р.697-738.

92. Venables J.A. // Phys. Rev. В. 1987. V.36. P.4153-4162.

93. Bartelt M C., Tringides M.C., Evans J.W.// Phys. Rev. B. 1993. V 47. P.l 3891-13894.

94. Bales G.S., Chrzan D.C.// Phys.Rev. B. 1994. V.50. P.6057 6067.

95. Bartelt M. S., Stoldt C.R., Jenks C.J., Thiel P.A., Evans J.W.// Phys. Rev. B. 1999. V.59. №4. P.3125-3134.

96. Shvedov E.V.,. Postnikov V.S, Ievlev V.M. // Phys Stat. Sol. (a) 44, 1977,423-427.

97. Иевлев B.M.,Трусов Л.И., Холмянский B.A. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1988, 326с.

98. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1993, 272с.

99. Robinson V.N.E. and Robins J.L.// Thin Solid Films, 1970, V.5, P.313-327.

100. Fahsold G., Pucci A., and Rieder K.H.// Phys.Rev.B, 2000, V.61,1. P.8475

101. G.Haas, A.Menck, H.Brune, J.V.Barth, J.A.Venables, K.Kern. //Phys.Rew.B, 2000, V.61, №16, P.l 105-1108.

102. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Трофимов В.И. Рост и субструктура конденсированных пленок: Учеб. Пособие Воронеж: Изд-во ВГТУ. 2000, 386с

103. Иевлев В.М., Бугаков А.В. Ориентированная кристаллизация пленок, Учеб. Пособие, Воронеж, Воронеж. Гос. Техн. Ун-т, 2003, 163с

104. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизм образования тонких пленок,. СПб, Наука, 1996,304с