Формирование дискретных и компактных нанокристаллических структур при вакуумной конденсации из одно- и двухкомпонентной паровой фазы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Шведов, Евгений Васильевич

• Шведов, Евгений Васильевич
• доктор физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Шведов, Евгений Васильевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ЗАРОЖДЕНИЯ И РОСТА ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК НА НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ КОНДЕНСАЦИИ.

1.1. Теоретические модели зарождения и роста вакуумных конденсатов.

1.2. Микрокинетические теории конденсации.

1.3. Система кинетических уравнений.

1.4. Результаты расчетов.

1.5. Разделение областей островкового и псевдослоевого роста.

1.6. Выводы.

ГЛАВА 2. ОБРАЗОВАНИЕ И РОСТ КЛАСТЕРОВ МЕТАЛЛОВ ПРИ ВАКУУМНОЙ КОНДЕНСАЦИИ НА ПОВЕРХНОСТЬ С АКТШВДМИ ЦЕНТРАМИ ЗАРОЖДЕНИЯ.,.

2.1. Введение.

2.2. Система кинетических уравнений с учетом активных центров зарождения.'.

2.3. Результаты расчетов.

2.4. Плотность насыщения кластеров на ионных кристаллах при высоких температурах.

2.4.1. Модель захвата активных центров.

2.4.2. Сравнение с экспериментом.

2.5. Выводы.

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОРМЫ РОСТА И ОРИЕНТАЦИИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА.

3.1. Введение.91.

3.2. Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла.

3.3. Молекуляно-динамическое моделирование влияния вакансий на ориентацию кластеро Аи на поверхности (111) CaF2.

3.3.1. Экспериментальные данные.

3.3.2. Методика моделирования.

3.3.3. Результаты расчетов.

3.4. Моделирование роста кластеров на поверхности (001 кристаллов NaCl и КС1.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА КЛАСТЕРООБРАЗОВАНИЯ ИЗ ДВУХКОМПОНЕНТНОГО ПАРА.

4.1. Распределение по размерам кластеров металлов при вакуумной конденсации из двухкомпонентного пара.

4.1.1. Введение.

4.1.2. Система кинетических уравнений для описания конденсации из.двухкомпонентной паровой фазы.

4.1.3. Результаты расчетов.

4.2. Молекулярно-динамическое моделирование роста двухкомпонентного нанокластера на поверхности кристалла.

4.2.1. Рост двухкомпонентного кластера.

4.2.2. Отжиг двухкомпонентного кластера.

4.3. Выводы.

ГЛАВА 5. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КОМПАКТНОЙ ИАНОКРИ-СТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ПРИ КОНДЕНСАЦИИ ДВУХКОМПО-НЕНТНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМ С ОГРАНИЧЕННОЙ ВЗАИМНОЙ РАСТВОРИМОСТЬЮ.

5.1. Введение.

5.1.1. Термодинамика бинарных систем.

5.1.2. Слоистые структуры в массивных сплавах.

5.2. Экспериментальные результаты. Субструктура двухкомонентных пленок систем Ag-Cu и Ag-Ni.

5.3. Модель диффузионного расслоения двухкомпонентной пленки.

5.3, Результаты расчетов.

5.4. Выводы.

ГЛАВА 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ СЛОИСТОЙ СУБСТРУКТУРЫ ЗЕРЕН СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ.

6.1. Модулированные структуры в полупроводниковых системах.

6.2. Экспериментальные результаты. Слоистая субструктура зерен легированных пленок кремния.

6.3. Механизм формирования слоистой субструктуры.

6.4. Выводы.

ГЛАВА 7. РОЛЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ ДИФФУЗИИ В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ С ВЫСОКОЙ ОТКРЫТОЙ ПОРИСТОСТЬЮ в ПЛЕНКАХ А1 - А120з

7.1. Методика и результаты эксперимента.

7.2. Кинетика роста нитевидных кристаллов.

7.3. Математическое описание модели.

7.4. Результаты расчетов.

7.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование дискретных и компактных нанокристаллических структур при вакуумной конденсации из одно- и двухкомпонентной паровой фазы»

Актуальность проблемы обусловлена следующим.

В последнее время происходит рост интереса ученых и технологов к дискретным и компактным нанокристаллическим структурам: способам и закономерностям их формирования, физическим свойствам и конкретным областям применения таких структур.

Дискретные наноструктуры на поверхности твердого тела (островко-вые пленки на ранних стадиях конденсации) широко исследуются с 70-х годов прошлого века, что отражено в большом количестве монографий и обзоров. Вакуумная конденсация на поверхность твердого тела была и остается одним из наиболее гибких способов создания наноструктур.

В теоретических моделях зарождения и роста островковых пленок оставались не выясненными природа двухмодального распределения зародышей-кластеров по размерам, аномально резкого уменьшения плотности насыщения зародышей при высоких температурах подложки.

В технологическом аспекте практически важным является вопрос о разделении областей дискретного и псевдослоевого роста на ранних стадиях формирования конденсата.

Выполненные в последние годы с использованием сканирующей зон-довой микроскопии (ACM, СТМ) исследования начальных стадий роста конденсированных в вакууме пленок показывают, что дискретное зарождение свойственно не только (как это считалось ранее) для так называемых систем со слабой связью (металлы, полупроводники на диэлектриках), но и для систем с сильной связью: металл-металл, полупроводник-полупроводник. При определенных условиях дискретное зарождение со слоевым ростом островков возможно и при автоэпитаксии. Поэтому вопрос о кинетических закономерностях зародышеобразования (кластерообразования) при вакуумной конденсации имеет более общее значение, чем это считалось ранее.

Спонтанное образование периодически упорядоченных структур на поверхности и в эпитаксиальных пленках полупроводников охватывает широкий круг явлений в физико-химии твердого тела. Актуальность исследований в данной области обусловлена необходимостью получения полупроводниковых наноструктур с характерными размерами 1-100 нм.

Наноструктуры представляют самостоятельный фундаментальный научный интерес как объекты для изучения размерной зависимости структуры и свойств материалов. В то же время современные технологии позволяют реализовать размерный эффект свойств в конструкционных материалах субструктурного дизайна, что, в свою очередь, требует знания закономерностей формирования компактных наноструктур.

При рассмотрении физических механизмов образования упорядоченных наноструктур принято различать две принципиальные возможности. Во-первых, упорядоченные наноструктуры могут возникать в замкнутых системах, например, при отжиге образцов или при длительном прерывании роста. Такие структуры являются равновесными, и для их описания используется термодинамический подход. Во-вторых, упорядоченные структуры могут возникать в открытых системах в процессе роста кристалла. Эти структуры не являются равновесными, и для их описания применяется кинетическое рассмотрение. При этом необходимо установить закономерности формирования нанокристаллических гетероструктур в зависимости от взаимной растворимости компонент, температуры подложки, скорости конденсации, коэффициента диффузии и других параметров. Поэтому изучение диффузион-но-контролируемых механизмов формирования нанокристаллических гетероструктур в двухкомпонентных пленках с ограниченной взаимной растворимостью сохраняет свою актуальность в первую очередь в плане создания практически важных нанокомпозитов на основе систем с сильно ограниченной взаимной растворимостью Со-А& Fe-Ag, Cu-Ag и других.

Фундаментальный и практический интерес представляют наноструктуры полупроводниковых материалов. В этой связи актуальным является раскрытие природы и механизма ростового диспергирования субструктуры (образование слоистых субструктур) при введении примесной компоненты.

Исходя из вышеизложенного формулировалась цель и ставились задачи данной работы. Работа выполнена в региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии ВГТУ в рамках многих х/д работ и поддержана грантами РФФИ : 01.2.00306965 "Исследование процесса кластеро-образования при вакуумной конденсации на сильно развитых поверхностях"; 01.2.00305305 "Исследование закономерностей и механизмов структурных превращений и физических, процессов в пленочных гетеросистемах"; 04-03-32458-а "Твердофазный синтез пленок двойных силицидов на кремнии".

Цель и задачи работы: установление закономерностей формирования дискретных и компактных нанокристаллических структур при росте пленок из одно- и двухкомпонентной паровой фазы.

В соответствии с целью в работе решались следующие задачи:

1. Расчет кинетики кластерообразования и молекулярно-динамическое моделирование роста отдельных кластеров при конденсации из однокомпо-нентной паровой фазы.

2. Исследование процесса образования и ориентации кластеров металлов на поверхности кристалла, содержащей активные центры зарождения.

3. Расчет кинетики кластерообразования и молекулярно-динамическое моделирование роста отдельных кластеров при конденсации из двухкомпонентной паровой фазы.

4. Установление природы и механизма формирования нанокристаллличе-ской структуры при росте пленок двухкомпонентных металлических систем с ограниченной взаимной растворимостью.

5. Исследование природы слоистой субструктуры зерен сильнолегированных поликристаллических пленок кремния.

6. Исследование формирования структуры с высокой открытой пористостью при росте пленок системы А^А^СЬ

Для выполнения поставленных задач использовались современные методы получения нанокристаллических объектов (термическое испарение и конденсация в высоком вакууме, магнетронное распыление, химическое газофазное осаждение) и их исследования (просвечивающая электронная микроскопия и электронография, растровая электронная микроскопия). Теоретические методы исследования включали в себя проведение компьютерных экспериментов на основе численного решения системы кинетических уравнений, молекулярно-динамического моделирования формы и ориентации малоатомных кластеров, разработки моделей и решения уравнений диффузии.

Объекты исследования: островковые пленки Аи на ионных кристаллах, компактные пленочные наноструктуры систем Ag-Cu, Ag-Ni, Si-As.

Научная новизна.

Рассчитаны кинетические кривые и распределение кластеров по размерам в интервале от единиц до сотен атомов в кластере. Установлен характер распределения кластеров по размерам на начальной стадии конденсации. В координатах скорость осаждения - температура построены диаграммы разделения дискретного и псевдослоевого роста пленки.

Показано, что на стадии, предшествующей коалесценции, возможно двухмодальное распределению кластеров по размерам, обусловленное различием в размерах зон захвата для кластеров, зародившихся на дефектах и бездефектных участках подложки.

Проведенное экспериментальное исследование процесса конденсации в вакууме золота на зеркальные сколы кристаллов флюорита и расчет методом молекулярной динамики ориентации кластеров золота является прямым доказательством преимущественного зарождения на вакансиях кристаллической подложки.

Методом молекулярной динамики подтверждена возможность расслоения компонентов в двухкомпонентных кластерах. Показано, что ядро двухкомпонентного кластера состоит в основном из компонента с большей глубиной потенциала межатомного взаимодействия, а компонент с меньшей глубиной потенциала образует оболочку.

Установлено, что при конденсации двухкомпонентных металлических пленок систем Ag-Cu и Ag-Ni в узком интервале температур образуются слоистые нанокомпозиты из чередующихся взаимно ориентированных пластинок обеих фаз, имеющих диаметр несколько нанометров. Показано, что процесс формирования модулированной наноструктуры контролируется поверхностной диффузией адсорбированных атомов

Показано, что образование слоистой субструктуры зерен при росте поликристаллических пленок Si-As кремния обусловлено накоплением As в результате поверхностной диффузии на фронте роста слоя Si.

Научная и практическая значимость работы.

Получены новые данные о закономерностях кластерообразования и роста островковых пленок на стадии, предшествующей коалесценции:

- Рассчитанные кинетические кривые и распределения кластеров по размерам качественно повторяют аналогичные кривые и распределения по размерам для более поздних стадий роста, полученные экспериментально, что сви-детельсгвуе об определяющей роли процесса кластерообразования в формировании структуры и морфологии тонких пленок.

- Двухмодальное распределение островков по размерам, наблюдаемое экспериментально, может возникать на стадии кластерообразования из-за различия в размерах зон захвата кластеров, зародившихся на дефектах и бездефектных участках поверхности.

- Наблюдаемая экспериментально дискриминация 180-градусной позиции эпитаксиальных островков золота на взаимодополняющих поверхностях (111) флюорита и результаты молекулярно-динамического моделирования являются прямым научным доказательством факта образования кластеров золота на анионных вакансиях поверхности подложки.

Результаты расчетов распределения кластеров по размерам и определение областей островкового и псевдослоевого роста могут быть использованы для выбора систем и режимов формирования дискретных пленочных наноструктур.

Результаты исследования структуры двухкомпонентных металлических и полупроводниковых пленок с ограниченной взаимной растворимостью могут быть рекомендованы для создания нанокомпозитов с наперед заданной ориентацией и субструктурой.

Некоторые подходы и модели, развитые в диссертации, используются в методических пособиях по росту и субструктуре конденсированных пленок для студентов в области микроэлектроники и материаловедения и в курсе лекций "Физика тонких пленок".

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Распределение кластеров по размерам для кластеров от единиц до сотен атомов качественно повторяют аналогичные кривые и распределения по размерам, полученные экспериментально, для более поздних стадий роста. Изменения параметров процесса конденсации приводят к качественно схожим откликам на кинетических кривых и распределениях кластеров по размерам, полученных как из расчетов для стадии, предшествующей коа-лесценции, так и из анализа экспериментальных данных.

2. Различие в размерах зон захвата кластеров, зародившихся на дефектах и бездефектных участках поверхности, приводит к двухпиковому распределению по размерам. На основе кривых распределения по размерам области доминирования одного из указанных процессов над другим разделяются на диаграмме в координатах скорость конденсации - температура подложки.

3. Аномально резкое уменьшение плотности насыщения кластеров при высоких температурах конденсации объясняется захватом активных центров зарождения (вакансий на поверхности ионных кристаллов) межфазной границей конденсат-подложка. 4. В процессе конденсации из двухкомпонентной паровой фазы на поверхность твердого тела возможно дискретное распределение компонентов при условии различия для них энергии активации поверхностной диффузии.

• 5. При образовании кластера из двух компонентов с разной глубиной потенциала межатомного взаимодействия следует ожидать расслоения компонентов: двухкомпонентный кластер состоит из ядра, образованного компонентом с большей глубиной потенциала, и оболочки из компонента с меньшей глубиной потенциала.

6. При росте двухкомпонентных металлических пленок систем Ag-Cu и Ag-Ni в узком интервале температур образуются слоистые нанокомпозиты из чередующихся очень тонких, взаимно ориентированных пластинок обеих фаз, диаметром до нескольких нанометров,.Процесс формирования модулированной наноструктуры контролируется поверхностной диффузией адсорбированных атомов.

7. Наблюдаемая экспериментально дискриминация 180-градусной позиции эпитаксиальных островков золота на взаимодополняющих поверхностях (111) флюорита обусловлена преимущественным зарождением кластеров на анионных вакансиях поверхности подложки.

8. Обр азование слоистой субструктуры зерен пленок системы Si-As, полученных пиролизом силана и арсина происходит в результате поверхностной диффузии и сегрегации As фронте роста слоя Si.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях, симпозиумах, семинарах и совещаниях: Всероссийском симпозиуме "Современные проблемы неравновесной термодинамики и эволюции сложных систем" (Москва, 2004); V международной конференции "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 2004); III Международной научной конференции "Кинетика и механизм кристаллизации" ( Иваново, 2004); Topical meeting of the European ceramic society "Nanoparticles, Nanostructures & Nanocompo-sites"(Saint-Petersburgs, 2004); Научной сессии МИФИ-2004; Международной научной конференции "ЛОМОНОСОВ - 2004" ( Москва, 2004 ); XIX Всероссийском совещании "Температуроустойчивые функциональные покрытия" (СПб, 2003); "Interfaces in Advanced Materials" ( Chernogolovka, 2003 ); II школе-семинаре "Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения" (Дубна, 2002); 14 Международном симпозиуме "Тонкие пленки в оптике и.электронике" (Харьков, 2002); Международной школе-семинаре "Нелинейные процессы в дизайне материалов" (Воронеж, 2002); Научной сессии МИФИ-2002; I и II школе-семинаре "Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения" (Дубна, 2001, 2002); Международной научной конференции "Кристаллизация в нано-системах" (Иваново, 2002); Четвертом международном семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Астрахань, 2002); X национальной конференции "Рост кристаллов НКРК-2002" (Москва, 2002); Международной научной конференции "Кинетика и механизм кристаллизации" (Иваново, 2000); Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика -99" (Москва, 1999); 4-ой Всероссийской научно -технической конференции "Новые информационные технологии в научных исследованиях и образовании" (Рязань, 1999); Втором всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 63 работы. Список основных публикаций приведен в конце автореферата.

Личный вклад автора. Все результаты исследований получены и опубликованы при непосредственном участии автора. Автору принадлежит основная роль в выборе теоретических и экспериментальных методов исследования, в анализе, интерпретации результатов и формулировке выводов. Появлению данной диссертации во многом способствовало многолетняя работа автора в коллективе научной школы чл.-корр. РАН В.М.Иевлева. В проведении физических экспериментов принимали участие сотрудники региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии В.П.Ампилогов, В.А.Аммер, В.П.Иевлев и Е.К.Белоногов, за что автор диссертации им глубоко признателен.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 7 глав, приложения, выводов и списка цитированной литературы. Она содержит 234 страницы, 92 рисунка, 6 таблиц, список литературы из 201 названия.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шведов, Евгений Васильевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Проведено систематическое изучение процессов формирования дискретных и компактных нанокристаллических структур при вакуумной конденсации из одно- и двухкомпонентной паровой фазы с использованием современных экспериментальных (конденсация в высоком вакууме, магнетронное распыление в среде инертного газа, просвечивающая электронная микроскопия и электронография) и теоретических (молекулярно-динамическое моделирование, численное решение на ЭВМ уравнений диффузии и системы кинетических уравнений) методов исследования.

1. Рассчитаны кинетические кривые и распределение кластеров по размерам в интервале от единиц до сотен атомов в кластере. Установлен характер распределения кластеров по размерам на начальной стадии конденсации на поверхность твердого тела. Показано, что максимум распределения смещается в сторону больших размеров при возрастании температуры подложки и уменьшении плотности потока атомов из пара. При одинаковых режимах конденсации увеличение энергии активации поверхностной диффузии (разные системы конденсат-подложка) приводит к смещению максимума распределения в сторону меньших размеров кластеров и росту суммарной плотности кластеров. Определена область режимов конденсации, при реализации которых следует ожидать псевдослоевой рост.

2. Исследовано влияние точечных дефектов кристаллической подложки на плотность насыщения и характер распределения кластеров по размерам. При учете зародышеобразования на точечных дефектах подложки плотность кластеров и их распределение по размерам на стадии, предшествующей коалесценции, определяется конкурирующими процессами зарождения кластеров на активных центрах и статистического зарождения. Определены области доминирования одного из указанных процессов над другим в координатах скорость осаждения - температура подложки. Показано, что двухпиковое распределение по размерам может быть обусловлено различием в размерах зон захвата для кластеров, зародившихся на дефектах и бездефектных участках поверхности.

3. Экспериментально обнаружена дискриминация 180-градусной позиции эпитаксиальных островков золота на взаимодополняющих поверхностях (111) флюорита. Методами молекулярной динамики показано, что дискриминация двойниковой ориентации обусловлена примущественным зарождением кластеров на анионных вакансиях поверхности подложки.

4. Дано объяснение резкого уменьшения плотности насыщения кластеров в процессе вакуумной конденсации металлов на сколы ионных кристаллов при повышении температуры подложки, базирующееся на модели захвата межфазной границей мигрирующих в поверхностном слое подложки вакансий.

5. Впервые рассчитаны кинетические кривые и распределение кластеров по размерам и по составу при конденсации из двухкомпонентного пара. Установлено, что соотношение поверхностной плотности кластеров разного состава зависит от разности значений энергии активации поверхностной диффузии компонентов. Показана возможность дискретного распределения фаз при конденсации из двухкомпонентного пара на поверхность твердого тела. Методом молекулярной динамики показано, что ядро двухкомпонентного кластера образовано компонентом с большей глубиной потенциала межатомного взаимодействия, а компонент с меньшей глубиной потенциала образует оболочку.

6. Установлено, что при конденсации двухкомпонентных металлических пленок Ag-Cu, Ag-Ni в узком интервале температур образуются слоистые нанокомпозиты из чередующихся очень тонких, диаметром до нескольких нанометров, взаимно ориентированных пластинок обеих фаз. Показано, что процесс формирования модулированной наноструктуры контролируется поверхностной диффузией адсорбированных атомов. Ширина области температур образования модулированной структуры составляет около 20 К. При повышении температуры подложки поверхностная диффузии приводит к полному очищению растущего зерна от примеси и формированию монокристаллической по толщине пленки. При понижении температуры образуется высокодисперсная неориентированная структура.

7. Установлено, что при росте поликристаллических сильно легированных мышьяком пленок кремния в процессе пиролиза смеси силана и арсина на подложках (Si02, Si3N4, (001) Si, (111) Si) в интервале температур Тн=800-1050 °С образуется слоистая субструктура зерен. В пленках с текстурой <110> слои Si проходят по перпендикулярным подложке плоскостям (111). Показано, что причиной образования слоистой субструктуры зерен кремния является поверхностная диффузия As и сегрегация его на фронте роста слоя Si.

8. Установлено, что при магнетронном распылении алюминия в присутствии кислорода при Тп около 500°С на поверхности А1 образуется пленка композита из смеси нанофаз А1 и А120з, на поверхности имеются также микрокристаллы А1 длиной до 20 мкм и диаметром 0,2-0,4 мкм. Методом численного решения уравнений диффузии показано, что рост микрокристаллов контролируется поверхностной диффузией атомов А1.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Шведов, Евгений Васильевич, 2006 год

1. Гладких Н.Т., Дукаров С.В., Крышталь А.П., Ларин В.И., Сухов В.Н. Поверхностные явления и фазовые превращения в конденсированных пленках. Харьков: 2004. - 276с.

2. Алферов Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии // УФН. 2002. - Т. 172, №9. - С. 10681086.

3. Суздалев И.П., Суздалев П.И. Нанокластеры и нанокластерные системы. Организация, взаимодействия, свойства // Успехи химии. 2001. - Т.70, №3. - С.203-240.

4. Иевлев В.М., Бугаков A.B., Трофимов В.И., Рост и субструктура конденсированных пленок.- Воронеж: ВГТУ, 2000. -386 с.

5. Zinke-Allmang М., Phase separation on solid surfaces: nucleation, coarsening and coalescence kinetics. Invited Review// Thin Solid Films.- 1999.- V.346.-P.l-68.

6. Кукушкин C.A., Осипов A.B. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998. - Т. 168, №10. - С.1083-1116.

7. С.А.КукушкиН, В.В.Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизмы образования тонких пленок. Спб.: Наука. 1996.-304 с.

8. Трофимов В. И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок.- М.: Энергоатомиздат, 1993,- 272 с.

9. М.Иевлев, Л.И.Трусов, В.А.Холмянский. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с.

10. Ю.Ф. Комник. Физика тонких металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. М.: Атомиздат. 1979. 264 с.11 .Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. Минск: «Наука и техника», 1976.

11. Трусов Л.И., Холмянский В.А., Островковые металлические пленки.-М.: «Металлургия», 1973.- 320с.

12. Палатник JI.C., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и структура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 320 с.

13. Палатник JI.C., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: «Наука», 1972.

14. Stowell M.J., Captur numbers in thin film nucleation theories // Phil. Mag.1972.-V. 26.-P. 349-360.

15. Kukushkin S. A., OsipovA. V., Perturbation theory in the kinetics of firstorder phase transition // J. Chem. Phys. 1997.- V.107.- P.3247 3252.

16. Хирс Дж. П., Хруска С. Дж., Паунд Г.М., Теория образования зародышей при осаждении на подложках. В кн.: Монокристаллические пленки: под ред. З.Г.Пинскера, пер. с англ. М.: Мир,- 1966.- С. 15-43. (400с.)

17. Zinsmeister G., Recent development in the theory of thin film condensation // Jap. J. Appl. Phys.- 1974.- Suppl.2.- Pt.l.- P.545-550.

18. Цинсмайстер Г. Дж. Современное состояние теории гетерогенного заро-дышеобразования. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975.- Ч.1.- С. 11-16.

19. Venables J.A., Rate equation approaches to thin film nucleation kinetics // Phil.Mag.- 1973.- V.27.- P.697-738.

20. Logan R.M., Saturation density of nuclei on a surface from the microscopic rate equation // Thin Solid Films.- 1969.- V.3.- P. 59-75.

21. Halpern V., Cluster growth and suturation island densities in thin-films growth //J. of Appl. Phys.- 1969.- V.40.- P.4627-4636.

22. Venables J. A., Nucleation calculations in a pair-binding model // Phys. Rev. B.- 1987.-V.36.- P.4153-4162.

23. Lewis B. // Surf Science.- 1970.- V.21.- P.273.

24. Lane G.E.and Anderson J.C., The nucleation and initial growth of gold films deposited onto sodium chloride by ion-beam sputtering // Thin Solid Films.-1975.- V.26.- P.5-23.

25. Lewis В., Campbell D.S. //J.Sci.and Technol.- 1967.- V.4.- P.209.

26. Ziiike-Allmang M., Phase separation on solid surfaces: nucleation, coarsening and coalescence kinetics. Invited Review// Thin Solid Films.- 1999.- V.346.-P.l-68.

27. Frankl D. R., Venables J. A. //Adv. Phys.- 1970.- V.19.- P.409.

28. Bartelt M. S. Günther S., Kopatzki E., Behm R. J., Island-size,distribution in submonolayer epitaxial growth: Influence of the mobility of small clusters // Phys. Rev. В.- 1996.- V.53.- №7,- P.4099-4104.

29. Bartelt M.C., Tringides M.C., Evans J.W., Island-size scaling in surface deposition process // Phys. Rev. В.- 1993.- V.47.- P.13891-13894.

30. Bartelt M. S., Stoldt C. R., Jenks C. J., Thiel P.A., Evans J. W., Adatom captur by arrays of two-dimensional Ag islands on Ag (100) // Phys. Rev. В.- 1999.-V.59.- №4.- P.3125-3134.

31. Bales G.S., Clirzan D.C., Dynamics of irreversible island growth during submonolayer epitaxi // Phys.Rev. В.- 1994.- V.50.- P.6057 6067.

32. H.B. Бриллиантов, В.А.Вольский, П.Л.Крапивский. Диффузионно-лимитированный рост поверхностных структур. Влияние фрактальной размерности структуры на кинетику роста // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. -№12. С.30-35.

33. Gert Ehrlich, Atomic events at lattice steps and clusters: a direct view of crystal growth processes // Surface Science.- 1995.- V.331-333.- P.865-877.

34. Робертсон Д., Паунд Г. М., Гетерогенное образование зародышей и рост пленок. В сб. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Выпуск 1. Под ред. Е. И. Гиваргизова, А. Г. Жданова, В. Б. Сандомирского.: Москва, изд. «Мир», 1977.- 314с.

35. Шведов Е.В., Андрусевич Д.Е., Моделирование роста островковой пленки на начальных стадиях конденсации // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение.- Вып.1.3.- Воронеж: ВГТУ, 1998.- С.93-95.

36. Ievlev V.M., Shvedov E.V., Andrusevitch D.E., Determination of the Regions of the Layer and the Island Film Growth at Vacuum Condensation. Phys. Low-Dim. Struct.- 1999.-V. 11/12.- P.107-114.

37. Wang S.C., Ehrlich G. // Phys.Rev.Lett.- 1993.- V.70.- P.41.

38. J. Н. Harding, А. М. Stoneham, J. A. Venables, Predicting nucleation and growth processes: Atomistic modeling of metal atoms on ionic substrates // Phys. Rev. В.- 1997.- V.57.- №11,- P. 6715-6719.

39. Haas G., Menek A., Brune H., Barth J. V., Venables J.A., Kern K., Nucleation and growth of supported clusters at defect sites: Pd/Mg0(001) // Phys. Rev. B.-2000.- V.61.- №16,- P.l 1105-11108.

40. Stepanyuk V. S, Tsivline D.V., Bazhanov D. I., Hergent W., Katsnelson A. A., Burrowing of Co clusters on the Cu (001) surface: Atomic-scale alculation // Phys. Rev. В.-2001.- V.63.- P.235406-1 -235406-10.

41. Mats I. Larsson, Kinetic Monte Carlo simulations of adatom island decay on Cu (111) // Phys. Rev. В.- 2001.- V.64.- P.l 15428-1 115428-10.

42. UIrike Kurpick, Self-diffusion on (100), (110), and (111) surfaces of Ni and Cu: A detailed study of prefactors and activation energies // Phys. Rev. B.-2001 .-V.64.- P.075418-1 075418-7.

43. Технология тонких плёнок (справочник) Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко, Т.2. М.: «Сов. радио», 1977,- 768.С.

44. Шефталь Н.Н., Гиваргизов Е.И., Проблемы роста кристаллов. Избранные доклады на международном симпозиуме.-М.: «Мир», 1968,- 392с.

45. Рорра Н. // J.Appl.Phys.- 1967.- V.38.- Р.3883.

46. Kukushkin S.A.//ActaMetall. Mater.- 1994,- P.715.

47. Kukushkin S.A. //J.Phys.Chem.Solids.- 1994. V.55.- P.779.

48. Кукушкин С. А., Бессолов В. H., А. В. Осипов, А. В. Лукьянов / Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки // ФТТ.- 2002.- Т.44.-Вып.7.- С.1337-1343.

49. В usher J.P., Hahn Е., et al. // Europhys.Lett.-1994.- V.27.- №6,- P.473-478.

50. Чопра К.Л., Электрические явления в тонких пленках, М.: Мир, 1972.435с.

51. Шпилевский Э.М., Исследование диффузии в тонких пленках систем золото-серебро и серебро-медь. Автореферат канд.дисс. Минск, 1974.- С.1-16.

52. Гребенник И.П., Зыман 3.3. // ФММ.-1971.- Т.32.- С.891-893.

53. Г1инес Б.Я., Гребенник И.П, Грибко В.Ф.// УФЖ.- 1968.- Т.13,- С.280-286.

54. Давыдов С.Ю., Об оценке потенциального рельефа (гофрировки) поверхности при адсорбции атомов d-металлов на d-подложках // Письма в ЖТФ,- 1998.- Т.24.- №23,- С.70-74.

55. Fan W., Gong X. G., Lau W. M., Rolling: A fast diffusion mechanism for small clusters on a solid surface // Phys. Rev. В.- 1999,- V.60.- № 15-P.10727-10730.

56. Laurent J. Lewis, Pablo Jensen, Nicolas Combe, Jean-Louis Barrat, Diffusion of gold nanoclusters on graphite // Phys. Rev. В.- 2000.- V.61.- № 23-P.16084-16090.

57. Sanchez J.R., Evans J. W., Diffusion of small clusters on metal (100) surface: E*act master-equation analysis for lattice-gas mjdels // Phys. Rev. В.- 1999.-V.59.- № 4 P.3224 -3233.

58. Trushin O. S., Salo P., Ala-Nissila, Energetics and many-particle mechanisms of two-dimensional clusters diffusion on Cu (100) surface // Phys. Rev. B.-2000.- V.62.- № 3,- P.1611 -1614.

59. Эрлих Г., Поверхностая самодиффузия. В сб. «Новое в исследовании поверхности твердого тела» под ред. Е.И.Гиваргизова, А.Г.Жданова, В.Б.Сандомирского: Москва, изд. «Мир», 1977.- 314с.

60. Shvedov E.V., Postnikov V.S., Ievlev V.M., Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. I. Saturation Density// Phys. Stat. Sol. (a).- 1977.- V.44.- P.423-427.

61. Shvedov E.V., Ievlev V.M., Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. II. Oriented Growth of Islands. Phys. Stat. Sol. (a).- 1978.- V.48.- P.603-608.

62. Сокол А. А., Косевич В. М., Влияние примесей в ионных кристаллах на эпитаксию золота// Кристаллография, 1969,- Т. 14,- С.527-528.

63. Трофимов В. И., Чалых А. Е., Евко Э. И., Влияние состояния поверхности подложки на зародышеобразование золота при вакуумной конденсации // ФТТ,- 1971.-Т.13.-С.334-336. ^

64. Matthews J. V., The role of contaminants in the epitaxial growth of gold on sodium chloride // Phil. Mag.- 1965.- V.12.- P.l 143-1157.

65. Ueda R., Inuzuka Т., Crystal surface effects on the nucleation and epitaxial growth of gold deposits from the vapor phase // J.Crystal Growth.-1971.- V.6.-P.79-83.

66. Косевич B.M., Палатник JI.С., Сокол А.А., Архипов П.П., Центры зарождения конденсированной фазы на ионных кристаллах // Доклады академии наук СССР, 1968.- Т.180,- №3,- С.586-588.

67. Косевич В.М., Сокол А.А., Структуры, создаваемые в кристалах точечными дефектами// ФТТ.- 1969.-Т.Н.-С.810.

68. Трофимов В.И., К вопросу о природе центров зародышеобразования на реальной поверхности твердого тела // Тематический сборник «Активная поверхность твердых тел». Москва: 1976.- С. 196-200.

69. Дорфман В. Ф., Галина М. Б., О двумерном и трехмерном зародышеобра-зовании при росте кристаллов.- Докл. АН СССР, 1968.- Т. 182,- №2.-С.372-375.

70. Дорфман В.Ф., Галина М. Б., Трусов JI. И., К теории зародышеобразова-ния при росте кристаллов.- Кристаллография, 1969,- Т. 14.- №1.- С.71-78.

71. Шведов Е.В., Нечаев В.В., Двухмодальное распределение зерен по размерам в тонких пленках, Изв.АН РФ,сер.Физическая, 1997.- Т.61,- №5.-С.959-960.

72. Шведов Е.В., О природе двухмодального распределенияjsepetfno разме- -рам в тонких пленках металлов на ЩГК // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение.- Вып. 1.1.- Воронеж: ВГТУ, 1996,- С Л 58-159.

73. Иевлев В.М., Шведов Е. В., Стабилизация размеров зародышей при вакуумной конденсации // ФТТ,- 1978.- Вып.З,- №20,- С.809-811.

74. Chopra К. L. // J. Appl. Phys.- 1966.- V.37.- Р.3405-3410.

75. Brune H., Bales G.S., Jacobsen J., Boragno C., Kern K. // Phys. Rev. B.1999.1. V.60. №8. P.5991-6006.

76. Nouvertne F., May U., BammingM., Rampe A., Korte U., Guntherodt G., . Pentcheva R., Scheffler UJl Phys. Rev. B.1999. V.60. №20. P.J4382-14386.

77. Rouyer D., Krembel C., C.Hanf M., Peruchetti J.C., Bolmont D., Gewinner G. // Surf. Sci. 1995. V.322. P.34-40.

78. Леденцов H.H., Устинов B.M., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Максимов М.В, Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. // УФН. 1996. Т. 166. №4. С.423-428.

79. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. //ФТП. 1998. Т.32. №4. С.385-410.

80. Henzlen М. // Surface Science. 1996. V.357/358. P. 809-819.

81. Haas G., Menck A., Brune H., Barth J.V., Venables J.A., Kern K. // Phys.Rew.B. 2000. V.61. P.l 105-1108

82. Venables J.A. //Phys. Rev. B. 1987. V.36. P.4153-4162.

83. Robinson V.N.E., Robins J.L. /Дhin Solid Films, 1970, V.5, P.313-327.

84. Крокстон К. Физика жидкого состояния. M.: Мир, 1978. - 400 с.

85. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статистической физике//УФН. 1978. -Т.125. -№3. - С.409-448.

86. Марч Н., Тоси М. Движение атомов в жидкости. М.: Металлургия, 1980. - 296 с.

87. Computer model of middle stage of thin film growth / R.Hrach, V.Stray / Czech. J. Phys. B28 1978. /ppl382-1389

88. Formation mechanism of adatom islands on FCC (111) substrates / Ya-Quiong Xu, B-G Liu, E G Wang, D-S Wang / Journal of Physics D: Applies Physics / 34 (2001) / 3 January 2001 / ppl 137-1142

89. Структура и стабильность кластеров на поверхностях металлов / Н.А. Ле-ванов, B.C. Степянюк, В. Хергерт, А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, К. Коко / Физика твердого тела, 1991, т41 в7 /13 октября 1998 / рр 1329-1334

90. Molecular-dynamic study of the structural rearrangements of Cu and Au clusters softly deposited on a Cu(OOl) surface / F.J. Papacios, M.P. Iniguez, M.J. Lopez, J.A. Alonso / Physical Review В / V60 N4 / 15 July 1999-11 / pp2908-2915

91. Computer simulation of the spreading of metallic clusters landing at grazing incidence on a metallic surface / F.J. Papacios, M.P. Iniguez, M.J. Lopez, J.A. Alonso / Physical Review В / V62 N23 / 15 December 2000-1 / ppl6031-16039

92. Molecular dynamics simulation studies of atomic-level structures in rapidly quenched Ag-Cu nonequilibrium alloys / H.W. Sheng, J.H. He, E. Ma / Physical Review В / V65 /19 April 2002 / ppl84203-1 184203-10

93. Molecular-dynamic study of the diffusion coefficient on crystal surface / F.J. Resende, B.V. Costa / Physical Review В / V61 N19 / 15 May 2000-1 / ppl2697-12700

94. Molecular dynamic simulation of a homogenous bcc->hcp transition / J.R. Morris, K.M. Ho / Physical Review В / V63 / 24 May 2001 / pp224116-1 -224116-9

95. Surface segregation effect for transition-metal alloys in the coherent-potential approximation: general consideration and calculation for Cu-Ni alloys / J. Phys.: Condens. Matter / 2 (1990) / 21 August 1989 / pp869-885

96. Surface ségrégation effect for transition-métal alloys in the colierent-potential approximation: général considération and calculation for Cu-Ni alloys / J. Phys.: Condens. Matter / 2 (1990) / 21 August 1989 / pp869-885

97. The surface composition of Pt-Cu Alloys: experimental observation and theory of surface ségrégation / A.D. Van Langeveld, V. Ponec / Application of Surface Science / 16 (1983) / 4 April 1983 / pp405-423

98. Иевлев B.M., Шведов E.B., Москалев Д.В. Плотность насыщения и ориентация дискретных наноструктур на поверхности ионных кристаллов // Физика и химия стекла. 2005. - Т.31, №3. - С.402-409.

99. Иевлев В.М., Аммер В.А., Шведов Е.В. Дискриминация двойниковой ориентации в островковых эпитаксиальных пленках-золота на поверхности (111) флюорита// Кристаллография.-№23.-1978. -С. 670-671.

100. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Кинетика зарождения тонких пленок из многокомпонентного пара// ФТТ,- 1994.- Т.36,- №5,- С.1258-1270.

101. Кукушкин С.А., Слезов В.В. К теории роста островковых пленок из бинарных расплавов и паровой фазы в неизотермических условиях. // Поверхность. 1988. №4. С. 16-23.

102. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Кинетика кристаллизации бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов в неизотермических условиях // ФТТ. 1987. т.29, № 12. С. 3657-3666.

103. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Рост островковых пленок из бинарных расплавов и паровой фазы в неизотермических условиях // Поверхность. 1989. №4. С. 38-47.

104. Кукушкин С.А., Слезов B.B Кристаллизация бинарных расплавов и распад пересыщенных твердых растворов при наличии стоков и источников тепла и вещества. // ФТТ. 1988. т.ЗО. № 2. С. 3416-3420.

105. Шведов Е.В., Андрусевич Д.Е., Кинетика конденсации двухкомпонент-ных металлических пленок // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение.-Вып.1.6,- Воронеж: ВГТУ, 1999.- С.69-72.

106. Физика тонких пленок, тт.1-8. Под ред. Г.Хасса. М.:«Мир»,1967.

107. Монокристаллические пленки. Под ред. Пинскера З.Г. М.: «Мир», 1966.

108. Иевлев В.М. Структура поверхностей раздела в пленках металлов. М.: Металлургия, 1992. - 173 с.

109. Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, В.А.Щукин, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор. ФТП, 1998, т.32, №4, с.385.

110. К. Мейер Физико-химическая кристаллграфия. «Металлургия», М.-1972.480с.

111. Уманский Я.С., Скаков Ю.А. Физика металлов. Атомное строение металлов и сплавов. М.: Атомиздат, 1978. - 352 с.

112. Merica P.D. Trans. AIME. 1932. 99.11

113. Tiedema T.J;, Bouman J., Burgers W.G. Precipitation in gold-platinum alloys. Acta Met. 1957. 5. № 6. P. 310-321.

114. Физическое металловедение. Под ред. Р.Кана. «Мир». М. 1968. 490 с.

115. Физическое металловедение. Б.Чалмерс. М.-1963. 455 с.

116. Б.И.Болтакс. Диффузия в полупроводниках. М. -1961, 462 с.(Повтор 26 кремний)

117. М.Хансен, К.Андерко. Структуры двойных сплавов. М.- Металлургия, 1962. т. 1,608 с.

118. С.Ю.Давыдов. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов // ФТТ, 1999. т.41. вып.1.

119. Л.Н.Лариков, В.И.Исайчев. Диффузия в металлах и сплавах. Киев, Наукова Думка, 1987. - 510 с.

120. Бокштейн С.З. Строение и свойства металлических сплавов. М. - Металлургия, 1971 г. -496 с.

121. Kukushkin S.A., Osipov A.V. J. Phys. Chem. Solids 56 831 1995

122. Valentin M.Ievlev, Evgeny V.Shvedov, Grigory V.Merkulov, Vadim P.Ampilogov. The diffusive layering during film growth in two-component systems with limited mutual solubility, Phys. Low-Dim. Struct., 11/12 (2000) P.81-90.

123. Е.В.Шведов, Г.В.Меркулов. О механизме диффузионного расслоения при росте конденсированных пленочных систем с ограниченной взаимной растворимостью // Вестник ВГТУ, сер. Материаловедение, 2000, вып. 1.7.

124. В.М.Иевлев, Е.В.Шведов, В.П.Ампилогов, Г.В.Меркулов. Кинетика диффузионного расслоения при росте пленок двухкомпонентных металлических систем с ограниченной взаимной растворимостью, ФММ (2000), Т.90., вып.2. С.72-76.

125. В.М.Иевлев, Е.В.Шведов, Г.В.Меркулов. Кинетика диффузионного расслоения при росте нанокристаллических двухкомпонентных пленок // Материалы V Всероссийской конференции, Екатеринбург, 2000, С. 410.

126. Ш.Кошляков Н.С. и др. Уравнения в частных производных математической физики. М., Высшая школа, 1970.

127. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. Физматгиз, 1962.

128. Загайтов А.И., Чалых А.Е. К вопросу о критериях спинодального меха-низна фазового распада. Материалы VI Всероссийской конференции "Структура и динамика молекулярных систем". 1999, №2.

129. К.С.Максимов, С.К.Максимов. Поверхность. Рентгеновские, синхро-тронные и нейтронные исследования. 2002, №2, с. 30-37.

130. С.К.Максимов, Л.А.Бондаренко, В.В.Кузнецов, А.С.Петров. ФТТ, т.24, вып. 2, 1982.

131. К.С.Максимов, С.К.Максимов. Доклады Академии Наук, 2002, т.383, №4, с.482-485.

132. К.С.Максимов, С.К.Максимов. Письма в ЖТФ, т.24, №10,1998.1481. P.Ipatova, V. G. Malyshkin, V. A. Shchukin. J.Appl.Phys. 74, 7198 (1993).

133. Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Maradudin A.A., et al. // Phys. Rev. B. 1998, v.57, №20, P.12968.

134. А. Г. Хачатурян. Теория фазовых переходов и структура твердых растворов (Москва, Наука) (1974).

135. Murgatroyd I.J., Norman A.G., Booker G.R. //J. Appl. Phys. 1990. v.67, №5, P.2310.

136. Bernard J.E., Froyen S., Zunger A. // Phys. Rev. B. 1991. v.44, P.l 1178.

137. Максимов C.K., Нагдаев E.H. // ДАН СССР. 1979. т.245, С. 1369.

138. Bellon Р, Chevalier G.-P., Martin G.P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998, v.52, №7, P.567.

139. Guyer J.E., Voorhees P.W. // Phys. Rev. B. 1996, v.54, P.l 1710.

140. Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1997, v.56, №8, P.4394.

141. Czirok A., Barabasi A.-L., Vicsek T. /hys. Rev. Lett. 1999. V.82. №1. P.209.

142. Максимов C.K., Максимов K.C. Ильичев Э.А. // Письма в ЖЭТФ. 1996. т.63, №6. С.412.

143. Zunger A., Mahajan S. Handbook of Semiconductors. N.Y.: Elsevier, 1994. v.3, P.l399-1513.

144. Тонкие пленки, взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера. М., «Мир»., 1982. 576с.

145. О.В.Александров. Моделирование низкотемпературной диффузии мышьяка из сильнолегированного слоя кремния // ФТП. 2002, т.36, вып .4. с.392-396.

146. Emmanuel A., Pollok Н.М. //J.Electrochem. Soc., 1973, v.120. P.l586-1591.

147. В.М.Иевлев, Е.В.Шведов, Г.В.Меркулов, А.Д.Поваляев. О природе слоистой субструктуры легированных пленок кремния // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение», 2002, вып. 1.10, с.43-46.

148. Г.В.Меркулов, Е.В.Шведов, А.Д.Поваляев. Диффузионное расслоение в системе Si-As // Тезисы II школы-семинара Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения. Дубна, 2-5 марта 2002, С. 51-52.

149. Меркулов, Е.В.Шведов, А.Д.Поваляев. О природе слоистой субструктуры зерен поликристаллических сильнолегированных пленок Si // Тезисы международной школы-семинара "Нелинейные процессы в дизайне материалов", Воронеж, 2002г., С.39-41.

150. V.M.Ievlev, E.V.Shvedov, G.V.Merkulov, et.al. Formation of nanocrystalline layer substructure in highly-doped silicon films // Book of abstract "Interfaces in Advanced Materials", Chernogolovka, Moskow distinct, Russia, 2630 may, 2003, p.62.

151. Ievlev V.M., Shvedov E.V., Merkulov G.V. On the nature of layer substructure of doped silicon films // Mater. Phys. Mech. 7 ,2004. C. 67-71.

152. Иевлев B.M., Шведов E.B., Меркулов Г.В., Ампилогов В.П., Поваляев А.Д. Диффузионное расслоение в двухкомпонентных пленках с ограниченной взаимной растворимостью (Cu-Ag, Si-As) // Научная сессия МИФИ-2002, Сборник научных трудов. Том 9. - С. 199-200.

153. Ievlev V.M., Shvedov E.V., Merkulov G.V., Ampilogov V.P. The Diffusive Layering During Film Growth in Two-Component Systems with Limited Mutual Solubility//Phys. Low-Dim. Struct., 2000. 11/12. -Pp.81-90.

154. Шведов E.B., Меркулов Г.В. О механизме диффузионного расслоения при росте конденсированных пленочных систем с ограниченной взаимной растворимостью // Вестник ВГТУ. Сер.Материаловедение. - 2000. - Вып.1.7- С.61-64.

155. Иевлев В.М., Шведов Е.В., Ампилогов В.П., Меркулов Г.В. Кинетика диффузионного расслоения при росте пленок двухкомпонентных металлических систем с ограниченной взаимной растворимостью // ФММ .2000. Т.90 - С.72-76.

156. Иевлев В.М., Шведов Е.В., Ампилогов В.П., Мышляев М.М. Диффузионное расслоение при росте пленок двухкомпонентных систем с ограниченной взаимной растворимостью // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение." 1998. - Вып. 1.4. - С.41-43.

157. Шведов Е.В., Ампилогов В.П. Диффузионное расслоение при росте двухкомпонентных пленок Ag Ni // Вестник ВГТУ. - Сер. Материаловедение. - 1999. - Вып.1.6.- С.73-75.

158. А.А.Щетинин, Б.И.Даринский, А.И.Дунаев, В.А.Небольсин, Е.Е.Попова // Особенности кинетики роста нитевидных кристаллов кремния. Расширенные тезисы 8-й Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Харьков, т. 1,1992.

159. А.А.Щетинин, А.И,Дунаев, В.А.Небольсин, В.В.Корчагин, Е.Е.Попова. Выращивание регулярных систем нитевидных кристаллов кремния с воспроизводимыми свойствами // Расширенные тезисы 8-й Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Харьков, т.1, 1992.

160. Бокштейн С.З. Диффузия и структура металлов. Серия «Успехи современного металловедения», М., «Металлургия», 1973, 208с.

161. Sears G.W., Acta Metallurgies 1955, v.3„ P.361.

162. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М., «Наука», 1977, 304 с.

163. Шведов Е.В., Москалев Д.В. 50200401486 Кластер. Программа // Информационный бюллетень. Алгоритмы и программы. 2005. - №4. 29.29 Физика атома и молекулы.

164. Андрусевич Д.Е., Шведов Е.В. Моделирование роста островковой пленки на начальных стадиях конденсации // Тезисы Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика -99", Москва. 1999.

165. Андрусевич Д.Е, Шведов Е.В. Кинетика образования кластеров пленок металлов на подложке,содержащей дефекты // Тезисы международной школы-семинара "Нелинейные процессы в дизайне материалов", Воронеж. 2002. - С.159-161.

166. Андрусевич Д.Е., Шведов Е.В., Кинетика зарождения и роста кластеров на дефектных подложках // Тезисы II школы-семинара Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения, Дубна. -2002.-С47-48.

167. Иевлев В.М., Шведов Е.В., Москалев Д.В. Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2002. - Вып. 1.12 . - С. 6568.

168. Иевлев В.М., Шведов Е.В., Москалев Д.В. Молекулярно-динамическое моделирование процессов роста одно- и двухкомпонентного нанокла-стеров на поверхности кристалла // Научная сессия МИФИ-2004, Сборник научных трудов. Том 9. - С. 245-246.

169. Шведов Е.В., Москалев Д.Е. Компьютерное моделнровванне начальных стадий конденсации металлических пленок // Научная сессия МИФИ-2002, Сборник научных трудов. Том 9. - С. 196-197.

170. Москалев Д.В., Шведов Е.В. Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла // Тезисы международной школы-семинара "Нелинейные процессы в дизайне материалов", Воронеж. -2002. С. 187-190.