Исследование параметров низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников в диапазоне СВЧ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Кузнецов, Виктор Владимирович

• Кузнецов, Виктор Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кузнецов, Виктор Владимирович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 4 Глава 1. КОМПЛЕКСНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ

ПРОВОДНИКОВ И ВТСП В ДИАПАЗОНЕ СВЧ(Обзор)

1.1. Экспериментальные результаты исследования низкоразмерных проводников

1.1.1. Неорганические низкоразмерные проводники

1.1.2. Органические низкоразмерные проводники

1.2. Феноменологические модели кинетических процессов в низкоразмерных проводниках

1.3. СВЧ-электропроводность монокристаллических образцов ВТСП и поведение эпитаксиальных пленокпод воздейс-

'*• ''V*' -.»«л-*

твием транспортного тока " ' '

1.4. Феноменологические модели ВТСП

1.5. Метод возмущений объемного резонатора 46 1.5. Оценка состояния проблемы и постановка задачи 49 Глава 2. АНАЛИЗ РАЗРЕШАКШЕЙ СПОСОБНОСТИ И ПРЕДЕЛОВ ПРИМЕНИМОСТИ МЕТОДА ВОЗМУЩНИЙ ОБЪЕМНОГО РЕЗОНАТОРА

2.1. Разрешающая способность метода возмущений объемного резонатора при измерении низкоразмерных проводников

2.2. Измерение комплексной электропроводности монокристаллов ВТСП в объемном резонаторе

2.3. Выводы 69 Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СВЧ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ПРОВОДНИКОВ

3.1. Экспериментальная установка для измерения СВЧ электропроводности в широком температурном диапазоне

3.2. Электропроводность органического проводника (ЕТ)хРЬ3Вг8 и "ванадиевых" бронз Ад0^2О5 и Си0.ззЫо.о5-о^205

3.3. Электропроводность соединений TTF[M(dmit)2Ь/

М = Pd, Ni

3.4. Анализ параметрического режима

3.5. Выводы 102 Глава 4. ИЗМЕРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И КОММУТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ПРОВОДНИКОВ И ВТСП

4.1. Измерение динамических параметров низкоразмерных проводников под воздействием внешнего электрического и

СВЧ поля

4.2. Переключение низкоразмерных проводников внешним электрическим полем

4.3. Нелинейный динамический отклик низкоразмерных проводников на одновременное воздействие двух СВЧ сигналов (режим прямого смешения)

4.4. Измерение S-параметров и коммутационных характеристик элементов на пленках ВТСП в широком интервале температур

4.5. Переключательный СВЧ элемент на пленке ВТСП

4.6. Модулятор неотражательного типа на пленке ВТСП

4.7. Выводы 137 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 142 АВТОРСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 145 ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование параметров низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников в диапазоне СВЧ»

ВВЕДЕНИЕ

За всю историю исследования сверхпроводимости постоянной целью являлось нахождение или создание новых соединений, обладающих более высокой критической температурой Тс перехода в сверхпроводящее состояние. Результатом таких открытий могли бы быть как расширение теоретических знаний в области физики твердого тела, так и разнообразные практические применения сверхпроводников.

Так возникает идея высокотемпературного сверхпроводника в одномерной системе, изложенная в работе Литтла [1], с экситон-ным механизмом сверхпроводимости и критической температурой большей, чем у обычных сверхпроводников. В попытке реализовать эту идею были синтезированы органические проводники, имеющие весьма характерное строение: большие плоские молекулы упаковываются в стопки с сильным перекрытием волновых функций вдоль стопок; взаимодействие же стопок друг с другом весьма слабое. Такие проводники называются низкоразмерными, так как хотя они и представляют собой реальные трехмерные объекты, однако имеют сильную анизотропию электронных свойств. Квазиодномерные (10) проводники имеют одно хорошо проводящее направление, в квазидвумерных (20) проводниках существуют хорошо проводящие плоскости, электронные характеристики которых отличаются от характеристик в поперечном направлении.

Их экспериментальное исследование не подтвердило гипотезу о возможности сверхпроводимости в одномерной системе, но показало, что при понижении температуры они испытывают фазовый переход металл-диэлектрик. Широкий спектр новых физических явлений, наблюдаемых в низкоразмерных проводниках, привел к весьма

широкому теоретическому и экспериментальному исследованию новых проводников.

Рассматривают три основные причины перехода в диэлектрическое состояние: переход Мотта-Хаббарда за счет сильного ку-лоновского отталкивания; андерсоновская локализация и переход Пайерлса - возникновение щели на уровне Ферми в спектре электронов проводимости за счет периодического искажения кристаллической решетки с волновым вектором, равным удвоенному волновому вектору Ферми {(¡ = 2к ) [2] .

В последнем случае периодическая деформация решетки приводит к пространственной модуляции плотности заряда и образованию волны зарядовой плотности (ВЗП), плотность заряда которой подчиняется закону р = р0со^х+ф), где q, ц, - волновой

вектор, фаза и амплитуда ВЗП.

Низкоразмерные проводники с переходом пайерлсовского типа представляют наибольший интерес, так как образование ВЗП делает их похожими, с одной стороны, на сверхпроводники, благодаря наличию конденсата, и на полупроводники, с другой, вследствие наличия энергетической щели и термически возбуждаемых через нее электронов. А главное, кинетические явления, наблюдаемые в низкоразмерных материалах, в значительной степени обусловлены свойствами сконденсированных в ВЗП электронов, что приводит к их специфичности, не свойственной трехмерным объектам. А именно:

- нелинейность статической вольт-амперной характеристики

(ВАХ);

- дисперсия электропроводности в широком интервале частот, включая СВЧ диапазон;

- генерация узкополосного периодического шума.

Эти явления находят объяснение в рамках феноменологических моделей, описывающих коллективный механизм движения ВЗП.

Инерционные свойства системы с ВЗП таковы, что наиболее информативными оказываются исследования в диапазоне СВЧ. Наиболее значимым параметром, характеризующим низкоразмерные проводники, является комплексная электропроводность а(со) = а, + _/а2 . Именно измерение СВЧ электропроводности низкоразмерных проводников в широком температурном интервале дает информацию о природе фазового перехода. Также результаты измерения электропроводности используются для решения вопросов согласования образцов низкоразмерных проводников при включении их в цепь СВЧ. Кроме того экспериментальные результаты исследований в этом диапазоне частот можно непосредственно использовать в практических целях. Здесь могут бьггь разработаны новые элементы радиоэлектроники с расширенными функциональными возможностями.

Открытие высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), имеющих температуру фазового перехода значительно большую, чем у обычных (называемых низкотемпературными) сверхпроводников, переключило интерес исследователей с низкоразмерных проводников на ВТСП.

Высокотемпературные сверхпроводники представляют собой сложные металлооксидные соединения с кристаллической структурой близкой к структуре природного минерала - перовскита. Температура перехода в сверхпроводящее состояние у наиболее изученных соединений ВТСП составляет 90-110К, однако в последнее время появились соединения, имеющие температуру перехода выше 160К.

Как и классические низкотемпературные сверхпроводники ВТСП характеризуются нулевым сопротивлением ниже Тс на посто-

янном токе, эффектом вытеснения магнитного поля в сверхпроводящем состоянии (эффект Мейсснера). Наряду с этим ВТСП обладают рядом характеристик, значительно отличающихся или отсутствующих у классических сверхпроводников. В частности для ВТСП характерна анизотропия сверхпроводящих свойств и, следовательно, анизотропия Лондоновской глубины проникновения Л*,. Кроме того ВТСП характеризуются наличием остаточного сопротивления на переменном токе.

Специфические особенности ВТСП не позволяют описать процессы, происходящие в них, на основе теории БКШ (теории Бар-дина-Купера-Шриффера). В настоящее время для объяснения и практических расчетов используются феноменологические модели. Поэтому для тщательного изучения ВТСП необходимо накопить экспериментальный материал.

Как и для низкоразмерных проводников, одной из самых информативных характеристик ВТСП является температурная зависимость комплексной электропроводности о - о + у а в диапазоне СВЧ.

Однако из-за большой сложности экспериментального измерения комплексной электропроводности в настоящее время широко иполь-зуется измерение поверхностного импеданса Z -Я + ]Х , которое

имеет большое значение в практическом использовании ВТСП в радиоэлектронике .

Целью настоящей работы является исследование применимости метода возмущений объемного резонатора для измерения комплексной электропроводности низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников и комплексное экспериментальное исследование СВЧ электропроводности низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников.

ё

Объектами исследования в работе являются квазиодномерные неорганические проводники ТаБз и Ко.3Мо03. Кристаллы ТаБз синтезированы в ИРЭ РАН Латышевым Ю.И. (г.Москва) . Кристаллы К0.3М0О3 и "ванадиевые" бронзы Ад0.з3У2О5 и Си0.зз^л-о.05-0.з^205 синтезированы в институте химии РАН П.Новаком (г.Екатеринбург). Соединение (ЕТ)хРЬ3Вг8 синтезировано Любовской Р.Н. (ИХФЧ РАН) . Квазиодномерные органические проводники ТТЕ[Р^<±ш.1:)2]2 и ТТЕ[М (сЗтгЪЬЬ синтезированы П.Касу и предоставлены Л.Броссаром (Франция). Монокристаллические эпитаксиальные пленки высокотемпературного сверхпроводника УВа2Сиз07 на подложках МдО изготовлены в группе Пиля в университете г.Вупперталя (Германия), а на подложках ЬаА103 изготовлены в институте физики микроструктур РАН (г.Нижний Новгород).

Основные методы исследования. Теоретические методы электродинамики и теории связи и параметрических колебаний. Измерения СВЧ-проводимости в широком интервале температур производились методом малых возмущений объемного резонатора. Для проведения экспериментальных исследований параметрического режима, режима прямого смешения и коммутационных параметров были разработаны специальные экспериментальные методики.

Научная новизна и основные защищаемые положения.

Проведена оценка применимости метода малых возмущений объемного резонатора для измерения комплексной электропроводности низкоразмерных проводников и монокристаллов ВТСП. В работе впервые получены температурные зависимости СВЧ электропроводности и диэлектрической проницаемости органических низкоразмерных проводников ТТЕ[Рс1 (сЗтгЬ) 2] 2 на частоте 2ГГц и

ТТР[Ы1 (сЫ-ЬЬЬ на частотах 2ГГц и ЗбГГц. Для первого материала получены дифференциальная ВАХ на постоянном токе и нелинейный отклик в режиме прямого смешения. Получены данные по переключению низкоразмерных неорганических проводников ТаБз и К0.3М0О3 постоянным электрическим полем в присутствии СВЧ сигнала различной амплитуды. Исследованы пленки ВТСП в режиме переключения под действием транспортного тока в составе СВЧ модулятора и фазовращателя.

В результате проведенных исследований получены новые научные результаты, позволяющие сформулировать научные положения.

1. Измерения комплексной электропроводности монокристаллов ВТСП методом возмущения объемного резонатора возможно в миллиметровом диапазоне с использованием специальных методов обработки для измерения малых уходов резонансной частоты и изменения ширины резонансной кривой. При этом разрешающая способность эксперимента увеличивается с ростом частоты.

2. Реализация параметрических элементов с коэффициентом усиления Ка > 1 на квазиодномерных неорганических проводниках принципиально возможна на частотах ниже граничной частоты ,

зависящей от тока ВЗП и заряда ВЗП, приходящегося на один пространственный период. Для квазиодномерного неорганического проводника ЫЬБез граничная частота имеет порядок 1МГц.

3. Характер температурной зависимости комплексной электропроводности квазиодномерного органического проводника ТТРСРйСсЬга^ЬЬ в диапазоне СВЧ позволяет утверждать, что испытываемый им фазовый переход является переходом пайерлсовского типа с образованием ВЗП. Однако наблюдаемые особенности нелинейного поведения на СВЧ и постоянном токе не могут быть уч-

тены только коллективным движением ВЗП в рамках известных феноменологических моделей.

4. Применение квазиодномерных неорганических проводников ТаЭз и К0.3М0О3 в качестве коммутационных элементов целесообразно в частотном диапазоне / < 100МГц, в то время как в СВЧ диапазоне их применение неэффективно, что объясняется частотной дисперсией комплексной электропроводности.

Практическая значимость работы оценивается следующими результатами:

1. Определены пределы применимости метода возмущений объемного резонатора к измерению монокристаллических образцов с высокой электропроводностью.

2. Проведена оценка принципиальной возможности применения низкоразмерных проводников в качестве параметрических элементов и определены требования к ним для применения в диапазоне СВЧ.

3. Проведена оценка возможности применения низкоразмерных проводников в качестве коммутационных элементов в диапазоне СВЧ.

7. Показано, что эффективный модулятор СВЧ диапазона, обладающий высокой скоростью модуляции и широкополосностью может быть реализован на пленках ВТСП с управляющими элементами в виде мостиков шириной 10 - 20 мкм и длиной 1 < 1 мм.

4. Разработаны управляющие элементы и ИС СВЧ модулятора на основе пленок ВТСП.

5. Разработаны рекомендации по практическому применению полученных результатов в радиоэлектронике, в частности, ис-

пользование исследованных материалов в качестве элементов СВЧ ИС с улучшенными (по сравнению с традиционными) параметрами.

Апробация работы. Результаты данной работы докладывались и обсуждались на VI Всесоюзном симпозиуме "Неоднородные электронные состояния" (1991 г., г.Новосибирск), на международной конференции по синтетическим металлам 1СЗМ'92 (1992 г., г.Гетеборг, Швеция) , на XXIII европейской конференции по СВЧ технике 23^ ЕиМС (1993 г., г.Мадрид, Испания), на национальном симпозиуме по СВЧ технике и высокоскоростной электронике "Гигагерц-94" (1994 г., г.Линчопинг, Швеция), на XXIV европейской конференции по СВЧ технике 24& ЕиМС (1994 г., г.Канны, Франция).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 работ.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения. Список литературы включает 133 наименования, в том числе и работы автора. Основная часть работы изложена на 88 страницах печатного текста. Диссертация содержит 70 рисунков и 3 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Кузнецов, Виктор Владимирович

4.7. Выводы

Проведенные исследования параметров высокотемпературных проводников на СВЧ и под действием транспортного тока позволяют сделать следующие выводы.

1. Низкоразмерные проводники ТаБ3 и Ко.3Мо03 проявляют слабо выраженные коммутационные свойства на частоте 2ГГц, что отражено в малом значении коммутационного качества К ~ 3.

2. Нелинейный отклик в режиме прямого смешения наблюдался на образцах Тавз, Ко.3Мо03, ТТР[Рй(сЗт1Ь)2]2- Особенностью является отсутствие пороговой величины отклика у ТТР[Р<1(сЗш1Ь)2]2л что лежит за рамками модельных представлений о проводниках с ВЗП.

Вход Выход

Рис.4.25. Усовершенствованный вариант топологии модулятора на

10 ГГц.

1-Ключ; 2-соединительная линия управляющего сигнала; 3-четвертьволновые шлейфы; 4-планарные развязывающие конденсаторы.

Рис.4.26. Измеренные Б-параметры прототипа модулятора из меди.

3. Создание ВТСП тонкопленочного ключа, управляемого транспортным током, возможно, если использовать узкую линию, длина которой рассчитывается из необходимого сопротивления ключа в Ы-состоянии. При этом возможно реализация широкополосных ключей при использовании линий с пониженной паразитной индуктивностью.

4. Время переключения исследованных ВТСП ключей под воздействием транспортного тока не превышает 1(Г9с как при переходе из Б в Ы, так и из N в Б состояние. Таким образом наблюдаемый процесс переключения имеет чисто кинетическую природу.

5. Создание быстродействующего неотражающего модулятора на пленке ВТСП возможно. Диапазон частот, в котором возможна реализация такого модулятора, ограничивается размерами пленки, с одной стороны (нижние частоты), и его минимальными размерами, то есть технологическими возможностими литографического процесса, с другой (высокие частоты) . о -10 -20 Ш

11 -30 л х ф

§ "40 о.

-50 -60 -70

0,85 0,9 0,95 1 1,05 1,1 1,15 1,2 '"о а) б)

Рис.4.27. Расчетные и измеренные Э-параметры модулятора на пленке ВТСП. а)-|3ц| в Б-состоянии; б) - ^^ в Б-состоянии. а) б)

Рис.4.28. Расчетные и измеренные Э-параметры модулятора на пленке ВТСП. а)- ISi.il в Ы-состоянии; б)- |32х| в Ы-состоянии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основное содержание настоящей работы составляет анализ метода возмущения объемного резонатора применительно к измерению комплексной электропроводности низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников. Проведено комплексное экспериментальное исследование электрофизических параметров низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников в диапазоне СВЧ, в том числе под воздействием внешних управляющих сигналов. Кроме того произведен анализ параметрического режима для низкоразмерных проводников. Все авторские результаты получены впервые. Наиболее важные конкретные результаты, полученные в работе сводятся к следующему.

Проведена оценка разрешающей способности метода малых возмущений объемного резонатора для измерения монокристаллов с высокой электропроводностью.В работе впервые получены температурные зависимости СВЧ электропроводности и диэлектрической проницаемости органических низкоразмерных проводников ТГТЧРсЦскт^ЬЬ на частоте 2ГГц и ТТЕ [М ((±ги±) 2] 2 на частотах 2ГГц и ЗбГГц. Для первого материала получены дифференциальная ВАХ на постоянном токе и нелинейный отклик в режиме прямого смешения. Получены данные по переключению низкоразмерных неорганических проводников ТаБ3 и К0.3М0О3 постоянным электрическим полем в присутствии СВЧ сигнала различной амплитуды. Исследованы пленки ВТСП в режиме переключения под действием транспортного тока в составе СВЧ модулятора и фазовращателя. 1. Определены пределы применимости метода возмущений объемного резонатора к измерению монокристаллических образцов низкоразмерных проводников.

2. Определены пределы применимости метода возмущений объемного резонатора к измерению монокристаллических образцов высокотемпературных сверхпроводников.

3. Предложена резистивная модель параметрического преобразователя частоты на основе низкоразмерного проводника в состоянии с ВЗП. Проведенная оценка принципиальной возможности применения низкоразмерных проводников в качестве параметрических усилительных элементов на основе данной модели показала, что реализация параметрических элементов с коэффициентом усиления

1 на квазиодномерных неорганических проводниках принципиально возможна на частотах ниже граничной частоты /й, зависящей от тока ВЗП и заряда ВЗП, приходящегося на один про-странственныи период. В частности, для квазиодномерного неорганического проводника ШБез граничная частота имеет порядок 106 Гц.

4. Проведена оценка возможности применения низкоразмерных проводников в качестве коммутационных элементов в диапазоне СВЧ. Исследованные низкоразмерные проводники ТаБз и Ко.3Мо03 проявляют слабо выраженные коммутационные свойства на частоте 2ГГц, что отражено в малом значении коммутационного качества К = 3.

5. Получены экспериментальные характеристики температурной зависимости комплексной электропроводности низкоразмерных проводников ТТГ[Ш.(с*т±)2]2, (ЕТ)хРЬ3Вг8/ Ад0.3зЪО5, Си0.ззЫо.о5-о.зЪ05, показывающие, что эти материалы не проявляют на ПТ и СВЧ свойств, характерных для систем с пайерлсовским фазовым переходом в диапазоне температур 78-30ОК.

6. Получены температурные зависимости СВЧ электропроводности и диэлектрической проницаемости органических низкоразмерных проводников ТТБ [Рс1 (с!т:11;) 2] 2 на частоте 2ГГц и ТТЕ[Ш (сЗтИ:) 2]2 на частотах 2ГГц и ЗбГГц. Для материала ТТЕЕР^сЫ^ЬЬ получены дифференциальная ВАХ на постоянном токе и нелинейный отклик в режиме прямого смешения. Результаты исследования позволяют утверждать, что испытываемый этим проводником фазовый переход является переходом пайерлсовского типа с образованием ВЗП. Однако наблюдаемые особенности нелинейного поведения на СВЧ и постоянном токе не могут быть учтены только коллективным движением ВЗП в рамках известных феноменологических моделей.

7. Показано, что возможна реализация широкополосных ключей, управляемых током на пленках ВТСП при использовании линий, имеющих меньшую паразитную индуктивность. Время переключения таких ключей под воздействием транспортного тока не превышает Ю-9 с как при переходе из Б в Ы, так и из N в Б состояние.

8. Показано, что эффективный модулятор СВЧ диапазона, обладающий высокой скоростью модуляции и широкополос-ностью может быть реализован на пленках ВТСП с управляющими элементами в виде мостиков шириной 10 - 20 мкм и длиной 1 < 1 мм.

9. Разработана ИС быстродействующего неотражающего СВЧ модулятора на основе пленок ВТСП.

10. Разработан отражательный фазовращатель на пленке ВТСП.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кузнецов, Виктор Владимирович, 1999 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Little W. Possibility of synthesizing an organic superconductor. //Phys.Rev., 1964, V.134, pp.1416-1424.

2. Peierls R.E. Quantum theory of solids. //London, Oxford University Press, 1955, 108 (Пайерлс P.E. Квантовая теория твердых тел. - М.: ИЛ, 1956).

3. Grüner G., Zettl А. Charge density wave conduction: a novel collective transport phenomenon in solids. //Phys.Rep., 1985, V.119, No.3, pp.117-232.

4. Electronic properties of inorganic quasi-one-dimensional compounds, p.I,II. /Ed.: P.Monseau. - Dordrecht/ Boston/ Lancaster.- Dordrecht publ.cortp., 1985.

5. The physics and chemistry of low dimensional solids. /Ed.: Luis Alcacer.- Dordrecht etc.: D.Reidel publ.comp.

6. Crystal chemistry and properties of materials with quasi-one-dimensional structures. /Ed.: Y.Rouxel. - Dordrecht etc.: D.Reidel publ.comp., 1986.

7. Proc.international conference on charge density wave in solids. Budapest, Hungary, sept. 1984, Lect.Notes Phys., 1985, V. 12.

8. Кривс И.В., Рожавский A.C., Кулик И.О. Механизмы нелинейной проводимости и электродинамика квазиодномерных проводников в фазе пайерлсовского диэлектрика. //ФНТ, т.12, №11, с.1123-1164.

9. Low-dimensional conductors and superconductors./Ed.: D.Jerome, L.G.Caron - N.Y.a. London: Plenum Press, 1987.

10. Greeriblatt M. Molibdenum oxide bronzes with quasi-low-dimensional properties. //Chem.Rev., 1988, V.88, No.l, pp.3153.

11. Sambongi Т., Tsutsumi К., Yamamoto К., Abe Y. Peierls transition in TaS3. //Solid state Cornmn., 1977, V.22, pp.729731.

12. Жилинский C.K., Иткис M.E., Кальнова И.Ю., Надь Ф.Я. Электропроводность квазиодномерного соединения TaS3 при низких температурах. //ЖЭТФ, 1983, т.85, №1, с.362-372.

13. Reagor D., Sridhar S., Grüner G. Inertial dynamics of pinned charge-density-wave condensates. I. NbSe3. //Phys.Rev.B, 1986, V.34, No.4, pp.2212-2222. II. Orthorombic TaS3.- Ibid, pp.2223-2230.

14. Deland S.M., Mozurkewich G. Thermal conductivity of the blue bronze Ko)3Mo03. //Solid state Coimtun., 1989, V.72, No.3, pp.245-247.

15. Grüner G., Zettl A., Clark W.G., Bardeen Y. Field and frequency dependence of charge-density-wave conduction in NbSe3. //Phys.Rev.B., 1981, V.24, No.12, pp.7247-7257.

16. Zettl A., Grüner G. Charge-density-wave dynamics in TaS3. //Phys.Rev.B., 1982, V.25, No.3, pp.2081-2084.

17. Sridhar S., Reagor D., Grüner G. Inertial dynamics of СШ in TaS3 and MbSe3. //Phys.Rev.Lett., 1985, V.55, No. 11,

pp.1196-1199.

18. Stokes Y.P., Robbins M.O., Bhattacharia S. AC response of pinned charge-density-wave conductors. //Phys.Rev.B., 1985, V.32, No.10, pp.6939-6941.

19. Miller Y.H., Thorne Yr.R.E., Lyons W.G., Tucker Y.R., Bardeen Y. Dynamics of charge-density-waves in orthorombic TaS3. //Phys.Rev.B., 1985, V.31, No.8, pp.5229-5243.

20. Reagor D., Grûner G. Frequency-dependent response of pinned charge-density-wave condensates: classical versus quantum description. //Phys.Rev.Lett., 1986, V.56, No.6, pp.659-662.

21. Вендик И.Б. Динамический нелинейный транспора? в низкоразмерных проводниках. //Диссертация на соискание ученой степени д.ф.-м.н., Ленинград, 1990, 321с.

22. Reagor D., Grüner G. Effect of impurities on the charge-density-wave dynamics in Tai_xNbxSe3 alloys. //Phys.Rev.B, 1989, V.39, pp.7626-7639.

23. Monseau P., Richard Y., Renard M. Charge-density-wave motion in NbSe3. I. Studies of the differential resistance dV/dl. //Phys.Rev.B, 1982, V.25, No.l, pp.931-947; Richard У., Monseau P., Renard M. II. Dynamical properties. //Ibid., pp.948970.

24. Fleming R.M., Grimes C.C. Sliding-mode conductivity in NbSe3: Observation of a threshold electric field and conduction noise. //Phys.Rev.Lett., 1979, V.42, No.21, pp.1423-1426.

25. Thome R.E., Lyons W.G., Lyding Y.W., Tucker Y.R., Bardeen Y. Charge-density-wave transport in quasi-one-dimensional conductors. //.Phys.Rev.B, 1987, V.35, No.12, (I) pp.6348-6359, (II) pp.6360-6372.

26. Miller Y.H., Richard Y., Tucker Y.R., Bardeen Y. Evidence for tunneling of charge-density-wave in TaS3. //Phys.Rev.Lett., 1983, V.51, No.17, pp.1592-1593.

27. Richard Y., Thorne R.E., Lyons W.G., Miller Y.H., Tucker Yr. and Y.R. Mixing experiments in NbSe3. //Solid State Commun., 1984, V. 62, No.2, pp.163-186.

28. Seeger К., Mayr W., Philipp A. Microwave harmonic mixing in NbSe3. //Solid State Commun., 1982, V.43, No.2, pp.113-116.

29. Vendik I.B., Pchelkin V.M., Shchepak A.V. Non-linear dynamics of charge-density-wave in orthorombic TaS3 at microwaves. //Journal de Physique, 1992, V.2, No.7, pp.1497-1505.

30. Grüner G., Zavadowski A., Chaikin P.M. Nonlinear conductivity and noise due to charge-density-wave depinning in NbSe3. //Phys.Rev.Lett., 1981, Vol.46, No.7, pp.511-515.

31. Горьков JI.П. О генерации колебаний движущейся волной зарядовой плотности. //ЖЭТФ, 1984, т.86, №5, с.1818-1829.

32. Weger М., Grüner G., Clark W.G. Charge-density-wave noise in NbSe3. //Solid State Comrmrn., 1980, V.35, No.3, pp.243-247.

33. Zettl A., Grüner G. Observation of Shapiro steps in the charge-density-wave state of NbSe3. //Solid State Commun., 1983, V.46, No.7, pp.501-504.

34. Латышев Ю.И., Минакова B.E. Полная синхронизация движения ВЗП на частотах ~ 1ГГц. //Второй всесоюзный симпозиум "Неоднородные электронные состояния". Тезисы докладов, Новосибирск., 1987, с.16-17.

35. Латышев Ю.И., Минакова В.Е., Савицкая Я.С., Фролов В.В., Мищенко A.B., Федоров В.Е. Ступени Шапиро в NbSe3 в гигагерцовой области частот. //Ibid, с.18-19.

36. Латышев Ю.И., Минакова В.Е. Осциляционный характер зависимости величины порогового поля движения ВЗП в NbSe3 от амплитуды высокочастотного поля накачки. //Ibid, с.20-21.

37. Латышев Ю.И., Минакова В.Е., Ржанов Ю.Д. Осциляционная зависимость величины электрического поля срыва волны зарядовой плотности в NbSe3 от амплитуды высокочастотного поля накачки. //Письма в ЖЭТФ, 1987, т.46, №1, с.31-35.

38. Лихарев К.К., Ульрих Б.Т. Системы с джозефсоновскими контактами. //М. : МГУ, 1978.

39. Grüner G., Zettl A., Clark W.G., Thonpson A.H. Observation of narrow-band charge-density-wave noise in TaS3. //Phys.Rev.B, 1981, V.23, No.12, pp.6813-6815.

40. Mihaly G., Beauchene P., Marcus J. Charge-density-wave conduction with extremely low differential resistance in Ko.3Mo03: Current oscillations. //Solid State Commun., 1988, V.66, No.2, pp.149-152.

41. Hundley M.F., Zettl A. Noise and Shapiro step interference in the charge-density-wave conductor K0.3M0O3. //Solid State Commun., 1988, V.66, No.3, pp.253-256.

42. Ягубский Э.Б., Щеголев И.Ф., Лаухин B.H., Кононович П.А., Карцовник М.В., Зварыкина A.B., Буравов Л. И. Сверхпроводимость при нормальном давлении в органическом металле (BEDT-TTF) 213 (трииодид бис (зтилендитиноло) тетратиафульвалена). //Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, №1, с.12-15.

43. Mori Н., Hirabayashi I., Tanaka S., Mori Т., Inokuchi H. A new ambient-pressure organic superconductor (BEDT-

TTF )2Ag(CN2)-H20. //Solid State Corrmun., 1990, V.76, No.l, pp.35-38.

44. Urayama H., Yamochi H.; Saito G., Nozawa K., Sugano Т., Kinoshita M., Sato S., Oshima K., Kawamoto A., Tanaka J. A new ambient pressure organic superconductor based on BEDT-TTF with Tc higher than 10K (Tc = 10.4K) . //Chem.Lett., 1988, No.l,

pp.55-58.

45. Ягубский Э.Б., Щеголев И.Ф., Лаухин B.H., Шибаева Р.П., Костюченко Е.Э., Хоменко А.Г., Сушко Ю.В., Зварыкина A.B. Сверхпроводящий переход в диэлектрической фазе (BEDT-TTF) 213 допированной йодом. //Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, №9, с.387-389.

46. Мержанов В. А., Костюченко Е. Э., Фабер О.Е., Щеголев И.Ф., Ягубокий Э.Б. Термоэлектрические и магнитные свойства (3 и си-модификаций (BEDT-TTF)2I3. //ЖЭТФ, 1985, т.89, №1, с.292-297.

47. Баран Н.П., Походня К.И., ЭПР в диэлектрической фазе (BEDT-TTF)213. //УФН, 1985, т.30, №8, с.1164-1166.

48. Kobayashi Н., Mori Т., Kato К., Sasaki Y., Saito G., Ino-kuchi H. Transverse conduction and metal-insulator transition in (BEDT-TTF)2PF6. //Chem.Lett. (Japan) , 1983, No.4, pp.581-584.

49. Kobayashi H., Kato R., Kobayashi A., Sasaki Y., Saito G., Inokuchi H. The crystal structure of (BEDT-TTF) 2PF6.

//Chem.Lett.(Japan), 1983, No.5, pp.759-762.

50. Vendik I.В., Osipyan G.L., Pchelkin V.M., Lyubovskaya R.N. Electrical conductivity of quasi-two-dimensional conductors |3-(BEDT-TTF) 2PF6 and (BEDT-TTF) 4Hg3I8. //Material Science, 1991, V.XVII, No.l, pp.63-67.

51. Вендик И.Б., Ермоленко А.Н., Есипов В.В., Осипян Г.Л., Пчелкин В.М., Ситникова М.Ф., Любовская Р.Н., Гольденберг Л.М., Жиляева Е.И. Электрические свойства солей BEDT-TTF с анионами Hg3I8 и PF6 вблизи перехода металл-диэлектрик. //Тезисы докладов международной конференции "Органические материалы для электроники и приборостроения", г.Ташкент, 1987, с.85-86.

52. Legros J. -Р., Valade L. Polymorphism of the highly conducting metal complex TTF[Pd(dmit)2]2. //Solid State Common., 1988, V.68, No.7, pp.599-604.

53. Brossard L., Ribault M., valade L., Cassoux P. Simultaneous competition and coexistence between charge-density waves and reentrant superconductivity in the pressure-temperature phase diagram of the molecular conductor TTF[Ni (dmit)2]2 (where TTF is tetratiafulvalene and dmit is 1,3-ditia-2-thione-4,5-

ditiolato group). //Phys.Rev.B, 1990, V.42, No.7, pp.39353943.

54. Doublet M.-L., Canadell E., Pouget J.-P., Yagubskii E.B., Ren J., Whangbo M.-H. factors affecting the metallic versus semiconducting properties of charge transfer salts containing [M(dddt)2]2 and [M(dmit)2]2 (M = Pd, Pt) dimers. //Solid State Commun., 1993, V.88, No.9, pp.699-703.

55. Kajita K., Nishio Y., Moriyama S., Kato R., Kobayashi H., Sasaki W., Kobayashi A., Kim H., Sasaki Y. transport properties of ((CH3)4N) [Ni (droit)2]2: A new organic superconductor. //Solid State Commun., 1988, V.65, No.5, pp.361-363.

56. Brossard L., Ribault M., Valade L., Legros J.-P. //J.Phys.France, 1989, V.50, p.1521.

57. Ravy S., Pouget Y.P., Valade L., Legros J.-P. //Europhys.Lett., 1989, V.9, p.391.

58. Lee P.A., Rice T.M., Anderson P.W. Conductivity from charge or spin density waves. //Solid State Commun., 1974, V.14, No.8, p.703-709.

59. Zettl A., Grüner G., Thomson A.H. Charge-density-wave transport in orthorombic TaS3. I. Nonlinear conductivity. //Phys.Rev.B, 1982, V.26, No.10, pp.5760-5772; Zettl A., Jackson C.M., Grüner G. II. Frequency-dependent conductivity. //Ibid., pp.5773-5785.

60. Артеменко C.H., Волков А.Ф. Колебания соизмеримой волны зарядовой плотности под действием постоянного электрического поля: аналогия с эффектом Джозефсона. //Письма в ЖЭТФ, 1981, т.33, №3, с.155-160.

61. Bardeen Y. Theory of non-ohmic conduction from charge density waves in NbSe3. //Phys.Rev.Lett., 1979, V.42, No.22,

pp.1498-1500.

62. Bardeen Y., Tunneling theory of charge-density-wave depin-ning. //Phys.Rev.Lett., 1980, V.45, No.24, pp.1978-1980.

63. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. //М.: Мир, 1966, 416с.

64. Vendik I.B. Two-mode model of charge-density-wave dynamics in quasi-one-dimensional conductors. //Solid State Commun., 1991, V.79, No.9, pp.779-783.

65. Fukuyama H., Lee P.A. Dynamics of the СШ. Impurity pinning in a single chain. //Phys.Rev.B, 1978, V.17, No.2, I. pp.535-541; II. pp.542-548.

66. Lee P.A., Rice T.M. Electric field depinning of charge-density wave. //Phys.Rev.B, 1979, V.19, No.8, pp.3970-3980.

67. Трунин M.P. Поверхностный импеданс монокристаллов ВТСП в микроволновом диапазоне. //УФН, т.168, №9, 1998, с.931-952.

68. Hirschefeld P.J., Goldenfeld N. Effect of strong scattering on the low-temperature penetration depth of a d-wave superconductor. //Phys.Rev.B, 1993, V.48, No.6, pp.4219-4222.

69. Klemm R.A., Liu S.H. //Phys.Rev.Lett., 1995, V.74, p.2343.

70. Альтман Дж.Л. Устройства сверхвысоких частот. //М. : Мир, 1968, 487с.

71. Shridhar S., Kennedy W.L. //Rev.Sci.Instr., 1988, V.59, No.4, p.531-536.

72. Rubin D.L., Green K., Gruschus J., Kirchgessner J., Moffat D., Padamsee H., Sears J., Shu Q.S., Schneemerer L.F., Waszc-zak J.V. Observation of a narrow superconducting transition at

6 GHz in crystals of YBa2Cu307. //Phys.Rev.B, 1988, V.38, No.10, pp.6538-6545.

73. Holczer K., Forro L., Mihäly L., Grüner G. Observation of the conductivity coherence peak in superconducting Bi2Sr2CaCu208. //Phys.Rev.Lett., 1991, V.67, No.l, pp.152-155.

74. Klein 0., Holczer K.; Grüner G., Emelchenko G.A. //J.Phys.I(France), 1992, V.2, No.5, pp.517-522.

75. Lee S.-F., Morgan D.C., Ormeno R.J., Broun D.M., Doyle R.A., Waldram J.R., Kadowaki K. a-b plane microwave surface impedance of a high-quality Bi2Sr2CaCu208 crystal.

//Phys.Rev.Lett., 1996, 4.11, No.4, pp.735-738.

76. Трунин M.P., Жуков A.A., Цьщынжапов Г.Э., Соколов А. Т., Клинкова H.A., Барковский Н.В. Линейная низкотемпературная зависимость поверхностного импеданса монокристалла Ва0.бКо.4ВЮ3. //Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, №11, с.783-788.

77. Трунин М.Р., Жуков A.A., Емельченко Г.А., Науменко И.Г. Особенности температурной зависимости поверхностного импеданса монокристаллов YBa2Cu306.95. //Письма в ЖЭТФ, 1997, т. 65, №12,

с.893-898.

78. Kobayashi Y., Imai Т., Kayano Н. Microwave measurement of Surface Impedance of high-Tc superconductor. //IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Dallas, Texas, 1990, V.I, pp.281-284.

79. Klein N., Dähne U., Poppe U., Tellmann N., Urban K., Orbach S., Hensen S., Müller G., Piel H. Microwave surface resistance of epitaxial YBaCuO thin films at 18.7 GHz measured by a dielectric resonator technique. //J. of Superconductivity, 1995, V.5, No.2, pp.195-200.

80. Klein N., MbHer G., Orbach S., Piel H., Chaloupka H., Roas B., Schultz L., Klein U., Peininger M. . Millimeter wave surface resistance and London penetration depth of epitaxially grown YBa2Cu307-x thin films. //Physica C, 1989, pp. 162-164.

81. Drabeck L., Grüner G., Chang J.-J., Inam A., Wu X.D., Nazar L., Venkatesan T., Scalapino. Millimeter-wave surface inpedance of YBa2Cu307 thin films. //Phys.Rev.B, 1989, V.40, No.10, pp.7350-7353.

82. KlienN., Chaloupka H., Müller G., Orbach S., Piel H., Roas B., Schultz L., Klein U., Peiniger M. The effective microwave surface inpedance of high-Tc thin films. //J.Appl.Phys., 1990, V.67, No.11, pp.6940-6945.

83. Chaloupka H., Müller G., Klien U., Piel H. New experimental results for microwave conductivity of high-Tc superconductors and consequences for applications tolinear devices. //IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Long Beach, California, 1989, V.II, pp.547-550.

84. Newman N., Char K., Garrison S.M., Barton R.W., Taber R.S., Eom C.B., Geballe T.H., Wilkens W. YBa2Cu307_5 superconducting films with low microwave surface resistance over large areas. //Appl.Phys.Lett., 1990, V.57, No.5, pp.520-522.

85. Donaldson W.R., Kadin A.M., Ballentine P.H., Sobolevski R. Interaction of picosecond optical pulses with high-Tc superconducting films. //Appl.Phys.Lett, 1989, V.54, No.24,

pp.2470-2472.

86. Kwok H.S., Zheng J.P.Z., Ying O.Y., Rao R. Non-thermal optical response of YBCO thin films. //Appl.Phys.Lett., 1989, V.54, No.24, pp.2473-2475.

87. Shi L., Huang G.L., Lehane C.f Kim D.H., Kwok H.S. Study of photoresponse of high-Tc Y-Ba-Cu-0 superconducting ultrathin films using a picosecond laser pulse train. //Appl.Phys.Lett., 1993, V.63, No.20, pp.2830-2832.

88. S.K.Dhali, Wang L. Transient response of a high-Tc superconducting thin film. //Appl.Phys.Lett., 1992, V.61, No.13, pp.1594-1596.

89. Frenkel A., Veskatesan Т., Lin C., Wu X.D., Iham A. Dynamic electrical response of YBa2Cu307_x. //J. Appl. Phys., 1990, V.67, No.8, pp.3767-3775.

90. Piel H., Muller G. The microwave surface impedance of high-Tc superconductors. //IEEE Trans, on Magnetics, 1991, V.27, No.2, pp.854-860.

91. Козырев А.Б., Самойлова Т.Б., Шаферова С.Ю. Быстрое токовое S-N переключение пленок YBa2Cu307_x и его применение для амплитудной модуляции СВЧ сигнала. //Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1993, т.6, №4, с.823-837.

92. Tinkman М. Introduction to superconductivity. //NY. : McGraw Hill, 1975.

93. Abricosov A.A. -Physica C, 1996, V.258, p.53.

94. Диковский В.Я., Лавров А.Н., Козеева Л.П., Матизен Э.В., Шелковников А.П. О применимости модели резонансного туннели-рования для описания анизотропии проводимости монокристаллов ТйВСО. //Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, №11, с.772-777.

95. Ван-Дузер Т., Тернер Ч.У. Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей. //М.: Радио и связь, 1984, 344с.

96. Вендик О.Г., Гайдуков М.М., Козьрев А.Б. Свойства высокотемпературных сверхпроводников в СВЧ диапазоне и перспективы

их применения в технике СВЧ. //в сб.: Обзоры по высокотемпературной сверхпроводимости, 1992, в.4.

97. Shen Z.-Y. High-temperature superconducting microwave circuits. //Artech House, 1994.

98. Pakulis E.J., Sands t rom R.L., Chaudhari P., Laibowitz R.B. Temperature dependence of microwave losses in Y-Ba-Cu-0 films. //Appl.Phys.Lett, 1990, V.57, No.9, pp.940-941.

99. Rauch W., Gornik E., Solkner G., Valenzuela A.A., Fox F., Behner H. Microwave properties of YBa2Cu307_5 thin films studied with coplanar transmission line resonators. //J.Appl.Phys., 1993, V.73, No.4, pp.1866-1872.

100. Bonn D.A., Dosanjh P., Liang R., Hardy W.N. Evidence of rapid suppression of quasiparticle scattering below Tc in YBa2Cu307_5. //Phys.Rev.Lett, 1992, V.68, No.15, pp.2390-2393.

101. Dione G.F. New two-fluid superconduction model applied to penetration depth and microwave surface resistance. //IEEE Trans. on Appl.Supercond., 1993, V. 3, No.1, pp.1465-1467.

102. Vendik O.G., Popov A.Yu. Bipolaron theory approach to the microwave surface resistance of high-temperature superconductors. //Phil.Mag.Lett., 1992, V.65, No.5, pp.219-224.

103. Porch A., Lancaster M.J., Humphreys R.G. The coplanar resonator technique for determining the surface impedance of YBa2Cu307_6 thin films. //IEEE trans, on МГТ, 1995, V.43, No.2, pp.306-314.

104. Kobayashi Y., Imai T. Phenomenological description of conductor mechanism of high-Tc superconductor by three-fluid model. //IEICE Trans.Electron., 1991, V.E74, No.7, pp.19861992.

105. Imai T., Sakakibara T., Kobayashi Y. Microwave characteristics of high-Tc superconductors by improved three-fluid model. //IEICE Trans.Electron., 1993, V.E76-C, No.8, pp.12751279.

106. Imai T., Kobayashi Y. Phenomenological description of temperature and frequency dependence of surface resistance of high-Tc superconductors by improved three-fluid model. //IEICE Trans.Electron., 1995, V.E78-C, No.5, pp.498-502.

107. Vendik O.G., Popov Yu. Can the bipolaron model be used for description of the high-temperature superconductor microwave and RF properties? //Phil.Mag., 1993, V.67, No.6, pp.833845.

108. Mott N.F. The bipolaron theory of high-temperature superconductors and its relation to the properties of superfluid.

//Phil.Mag.Lett., 1991, V.64, No.4, pp.211-219.

109. Vendik O.G., Kozyrev A.B., Popov A.Yu. Properties of high-Tc superconductors at RF and microwaves: experimental data and some model notions. //Rev.Phys.Appl., 1990, V.25, pp.255263.

110. Капарков Д.И. Исследование сверхпроводниковых линий передачи для устройств СВЧ криоэлектроники. //Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н., С.-Петербург, 1997.

111. Буравов Л.И. Расчет возмущения добротности резонатора СВЧ проводящим цилиндром с учетом скин-эффекта. //ЖТФ, 1980, т.50, №2, с.252-255.

112. Осипян Г.Л. Исследование электропроводности низкоразмерных проводников в диапазоне СВЧ. //Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н., С.-Петербург, 1991.

113. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. //М. : ГИТТЛ, 1957, 532с.

114. Sheen D.M., Ali S.M., Oates D.E., Withers R.S., Kong J.A. Current distribution, resistance and inductance for superconducting strip transmission lines. //IEEE Trans, on

Appl.Superconduct., 1991, V.l, pp.108-115.

115. Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. //М.: Наука, 1982, 238с.

116. Завьялов А.С., Дунаевский Г.Е. Измерение параметров материалов на сверхвысоких частотах. //Томский Университет, 1985, 213с.

117. Завьялов А.С., Бабина М.Н. Измерение параметров элементов СВЧ трактов. /'/Томский Университет, 1983, 135с.

118. Люиселл У. Связанные и параметрические колебания в электронике.- М.: ИЛ, 1963.

119. Хижа Г.С., Вендик И.Б., Серебрякова Е.А. СВЧ фазовращатели и переключатели. //М.: Радио и связь, 1984, 184с.

120. Vector network analyser "Wiltron 360". User's manual.

121. Vendik 0., Kollberg E. Software models HTSC microstrip and coplanar lines. //Microwaves and RF., 1993, No.6, pp.118121.