Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Скрипаль, Александр Владимирович

• Скрипаль, Александр Владимирович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Скрипаль, Александр Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

1. ИЗМЕНЕНИЕ СТАЦИОНАРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НА

НИХ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ

1.1. Влияние греющего СВЧ-поля на стационарные характеристики полупроводниковых приборов с туннельно-тонкими переходными слоями

1.1.1. Влияние греющего СВЧ-поля на туннельный и избыточный ток туннельного диода.

1.1.2. Расчет диффузионного тока в вырожденном р — п-переходе при разогреве носителей заряда.

1.1.3. Расчет температуры газа носителей заряда в сильно вырожденных полупроводниках.

1.1.4. Результаты расчета и экспериментальных исследований.

1.1.5. Влияние температуры на вольт-амперную характеристику туннельного диода с горячими носителями.

1.1.6. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодов греющим СВЧ-полем

1.2. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на стационарных вольт-амперных характеристиках р — г — п-диодов при воздействии СВЧ-излучения

1.2.1. Модель, используемая при расчете

1.2.2. Результаты математического моделирования

1.3. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе р — п-перехода при воздействии СВЧ-излучения высокого уровня мощности

1.3.1. Результаты эксперимента

1.3.2. Модель, используемая при расчете

1.3.3. Результаты математического моделирования

1.4. Детекторный эффект в СВЧ-устройствах на диодах Ганна.

1.4.1. Детектирование СВЧ-излучения диодами Ганна, работающими в режиме усиления.

1.4.2. Исследование влияния импеданса электродинамической системы на режим работы генератора на диоде Ганна по постоянному току.

1.4.3. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания

1.4.4. Взаимосвязь характеристик диодов Ганна, работающих в режиме генерации, с их сопротивлением в слабых электрических полях

2. ИССЛЕДОВАНИЕ НИЗКОЧАСТОТНОГО СПЕКТРА ВЫХОДНОГО СИГНАЛА СВЧ-УСТРОЙСТВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

2.1. Исследование условий возбуждения НЧ-колебаний в цепях питания СВЧ-генераторов на диодах Ганна.

2.2. Исследование формы НЧ-колебаний в цепях питания СВЧ-генераторов на диодах Ганна

2.3. Возбуждение субгармоник в СВЧ-усилителях на GaAs ПТШ

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СТАЦИОНАРНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ

3.1. Исследование влияния поперечного магнитного поля на характеристики генераторов на диодах Ганна

3.2. Исследование влияния продольного магнитного поля на характеристики генераторов на диодах Ганна.

3.3. Теоретический анализ влияния магнитного поля на работу СВЧ-генераторов на диодах Ганна с учетом возникновения высших типов колебаний

3.4. Исследование влияния магнитного поля на характеристики генераторов на ЛПД

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЧ-УСТРОЙСТВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

4.1. Влияние оптического излучения на характеристики полупроводниковых СВЧ-генераторов на диодах Ганна

4.1.1. Теоретический анализ влияния оптического излучения на характеристики полупроводниковых СВЧ-генераторов на диодах Ганна.

4.1.2. Экспериментальное исследование влияния излучения оптического диапазона на характеристики СВЧ-генераторов на диодах Ганна.

4.2. Исследование особенностей фотоотклика СВЧ-усилителя на основе арсенид-галлиевого полевого транзистора с барьером Шоттки

4.3. Оптическое управление характеристиками усилителя на Са Ав ПТШ в режиме большого сигнала.

4.3.1. Результаты экспериментальных исследований влияния оптического излучения на статические и спектральные характеристики усилителя на Са Ав ПТШ в режиме большого сигнала

4.3.2. Модель, используемая при математическом моделировании оптически управляемого ПТШ

4.3.3. Результаты численного моделирования.

5. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ НЕЛИНЕЙНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ СТРУКТУРАМИ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ НОВЫХ МЕТОДОВ И СРЕДСТВ РАДИОВОЛНОВОГО КОНТРОЛЯ

5.1. Описание принципа действия СВЧ-измерителей параметров материалов, структур и сред на основе эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах

5.2. Разработка радиоволновых измерителей параметров вибраций и перемещений

5.2.1. Способ измерения амплитуды вибраций осесимметричных объектов

5.2.2. СВЧ-измерители вибраций

5.2.3. СВЧ-измеритель деформационных микроперемещений

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ»

К числу современных направлений, развивающихся на стыке физики полупроводников и радиофизики, можно отнести исследования взаимодействия электромагнитных полей в электродинамических системах с полупроводниковыми элементами. Важным фактором, стимулирующим проведение этих исследований, является открытие новых физических эффектов в полупроводниках, на основе которых разработаны и широко внедрены в практику устройства СВЧ различного назначения: твердотельные источники электромагнитных колебаний, усилители СВЧ, полупроводниковые приборы для преобразования и управления энергией электромагнитных волн [1—66].

Традиционным до настоящего времени в физике полупроводников и радиофизике можно считать подход, основанный на предположении, что характер взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами определяется свойствами полупроводниковых структур, параметры которых зависят только от технологических особенностей их создания и могут изменяться в результате воздействия температуры, постоянных электрических и магнитных полей и излучения оптического диапазона [67—84].

Гораздо менее изученным является рассмотрение взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала [85—107].

Проведение таких исследований затруднено тем, что для строгого теоретического описания физических процессов, протекающих в полупроводниковых элементах при воздействии на них СВЧ-излучения, и, в частности, для определения параметров их эквивалентных схем оказывается необходимым решать систему нелинейных дифференциальных уравнений. Эта система уравнений еще более усложняется в случае, когда на полупроводниковую структуру воздействуют постоянные электрические и магнитные поля, излучение оптического диапазона.

При теоретическом описании и экспериментальных исследованиях взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами оказывается необходимым рассматривать не только физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах при воздействии на них СВЧ-излучения, но и решать сложные задачи по нахождению распределения поля в электродинамической системе с полупроводниковыми элементами, размещенными в ней с помощью специальных держателей. Строгое рассмотрение таких систем с полупроводниковыми элементами может быть получено лишь при совместном решении поставленных выше задач.

При описании свойств полупроводниковых приборов на СВЧ часто считают возможным использовать их стационарные или малосигнальные характеристики (вольт-амперную характеристику, импеданс). Такой подход в ряде случаев позволяет успешно конструировать различного типа СВЧ-устройства на полупроводниковых приборах. В то же время ясно, что с увеличением уровня воздействующей СВЧ-мощности возможно существенное изменение свойств полупроводниковых приборов.

Для устранения влияния внешних СВЧ-сигналов используют так называемые защитные устройства или СВЧ-ограничители [10, 17, 42] и, в частности, ограничители на р — i — п-диод ах, т. е. р — i — n-диоды в таких приборах по своему назначению находятся в условиях воздействия высокого уровня СВЧ-мощности.

Было установлено, что при определенных уровнях СВЧ-мощности в р — i — п-диодах может происходить скачкообразное изменение выпрямленного тока. Возникновение таких скачков тока объяснялось [108] нелинейным характером барьерной емкости р — г-перехода, образующей с индуктивностью выводов диодов нелинейный колебательный контур, имеющий два различных устойчивых состояния.

Интересно отметить, что в спектре выходного сигнала ограничителя наблюдается последовательное появление с увеличением уровня мощности составляющих //2, //4, области шумового спектра, составляющих //3, //6, где / — частота входного сигнала [109].

Теоретически возникновение субгармонических составляющих и гистерезис в СВЧ-ограничителях описаны с использованием р — г — n-диода в виде нелинейного колебательного контура [110].

В работах [47,111] бистабильные и триггерные ВЧ- и СВЧ-свойства р — i — п-диодов описывались на основе импедансной модели, учитывающей внутреннюю обратную связь между пространственными областями р — i — n-структуры по СВЧ-напряжению, постоянному и СВЧ-току.

Воздействие высокого уровня мощности на р — i — п-диод или на два последовательно соединенных р — i — n-диода [112] может приводить к появлению на ВАХ одного или нескольких участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением и, как следствие этого, к модуляции выходного СВЧ-сигнала сравнительно более низкочастотными колебаниями, частота и форма которых зависят от частоты и амплитуды входного сигнала. Введение в схему ограничителя фильтра, предотвращающего появление субгармонических составляющих, позволяет улучшить его основные характеристики [113].

Воздействие СВЧ-излучения качественным образом изменяет спектр выходного сигнала устройств на диодах Ганна, импеданс которых имеет ярко выраженный нелинейный характер. При этом вид нелинейности диода существенным образом зависит от его режима питания, элементов конструктивного исполнения, типа электродинамической системы, в которую он помещен, и других факторов [114—116].

При воздействии на диод Ганна, работающий в режиме усиления внешнего СВЧ-сигнала, начиная с некоторого уровня мощности, на выходе возникают субгармонические составляющие //2, //4, //8 и шумовая генерация. При этом наблюдается скачкообразное изменение продетектированного диодом Ганна напряжения.

При воздействии на диод Ганна, работающий в режиме многочастотной генерации, внешним сигналом на частоте его субгармоники, каждая мода в спектре выходного сигнала занимала положение, соответствующее по частоте ближайшей к ней гармонике синхронизированного сигнала [117]. При повышении мощности синхронизирующего сигнала зависимость мощности генератора от частоты расстройки принимала гистерезисный характер [118]. Если частота внешнего сигнала близка к собственной частоте генерации, то возникает модуляция. При этом глубина модуляции, частота и форма модулирующего сигнала зависят от величины расстройки и мощности внешнего сигнала [119]. Максимальные значения частот модуляции достигаются при мощностях внешнего СВЧ-сигнала, сравнимых с мощностью собственной генерации СВЧ-генератора на диоде Ганна.

Если кроме основного сигнала на диод Ганна воздействует еще один внешний сигнал, то наблюдается его влияние на уровень пороговой мощности основного сигнала, при котором происходит возникновение субгармонических составляющих [120]. Особенно сильно это влияние в случае, когда частота дополнительного сигнала близка к //4. Наряду с уменьшением пороговой мощности воздействие дополнительного сигнала приводит к увеличению амплитуд субгармонических составляющих.

Кроме описанных выше эффектов, при изменении уровня мощности СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением, наблюдается и эффект детектирования.

Отдельные аспекты проявления этого эффекта в генераторах и усилителях на диодах Ганна, ЛПД, туннельных диодах, биполярных и полевых транзисторах и вопросы его практического использования обсуждались в работах [121-124].

Однако описание детекторного эффекта в полупроводниковых приборах с отрицательным сопротивлением при воздействии на них внешнего СВЧ-сигнала с учетом реальных параметров активного элемента и элементов СВЧ- и НЧ-схем, в которые включен полупроводниковый прибор, проведено до настоящего времени не было.

Таким образом, воздействие СВЧ-излучения на полупроводниковые приборы может приводить к существенному изменению их характеристик: появлению или исчезновению на В АХ участков отрицательного сопротивления, генерации субгармонических составляющих и шума, модуляции, гистерезисного характера зависимостей их характеристик.

Поведение различных типов полупроводниковых приборов под действием СВЧ-излучения имеет свою специфику. Учет описанных эффектов существенен при анализе использования различного типа полупроводниковых приборов СВЧ, при определении условий их эксплуатации и областей применения. Использование этих эффектов позволяет создавать различного типа измерители, предотвращение их появления позволяет улучшить основные характеристики некоторых типов устройств.

По сравнению с приборами вакуумной электроники зависимость параметров твердотельных приборов СВЧ от таких внешних факторов как температура, освещение может проявляться гораздо более существенным образом, что обусловлено сильно выраженной зависимостью от этих факторов свойств полупроводниковых материалов. Кроме того, характеристики полупроводниковых материалов и приборов могут существенным образом зависеть от величины и ориентации магнитного и электрического полей. Вследствие вышесказанного важное значение при разработке и определении условий эксплуатации полупроводниковых СВЧ-приборов имеет исследование их модуляционных характеристик.

СВЧ-характеристики полупроводниковых приборов существенным образом изменяются под воздействием оптического излучения [125—137]. В литературе представлены результаты исследований характеристик ЛПД [127, 133, 138—148], диодов Ганна [2, 149—160], р — г — п-диодов [130, 137, 161], биполярных [162] и полевых [163—176] транзисторов, транзисторов с высокой подвижностью электронов [176—178] при освещении.

При воздействии оптического излучения на ЛПД фотоны с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны, вызывают увеличение количества носителей в обедненной зоне, в результате происходит увеличение лавинного тока, изменяются амплитуда и фаза тока, наведенного во внешней цепи, и, как следствие, мощность и частота генерируемых колебаний [141, 142]. В работе [142] приведены результаты исследований возможности управления генератором на ЛПД с помощью лазерной подсветки малой интенсивности (1.5 Вт/см2), показано, что, изменяя согласование ЛПД с нагрузкой, можно добиться значительного (до десяти раз) изменения выходной мощности генератора как в сторону ее увеличения, так и в сторону уменьшения.

Зависимости мощности, КПД и спектрального состава колебаний, генерируемых кремниевым ЛПД, от рабочего тока диода на различных частотах трехсантиметрового диапазона длин волн при облучении его светом с плотностью до 300 Вт/см2 теоретически и экспериментально описаны в работе [138]. Авторы, в частности, установили, что при оптическом воздействии происходит подавление субгармоники //2, появляющейся в выходном спектре ЛПД при определенных режимах его работы. При этом в зависимости от амплитуды и фазы субгармоники в отсутствие света происходит либо увеличение, либо уменьшение мощности и КПД диода на основной частоте. В случае, когда мощность генерируется только на частоте субгармоники, при ее подавлении оптическим воздействием возбуждаются колебания на основной частоте. При облучении кремниевого ЛПД светом плотностью 1000 Вт/см2 было обнаружено более значительное изменение (уменьшение) активной проводимости прибора по сравнению с реактивной, что означает возможность глубокой амплитудной модуляции вплоть до реализации режима переключения [141, 144] и менее значительной частотной модуляции.

Исследованию модуляционных характеристик генераторов СВЧ-диапазона на диодах Ганна при воздействии на них излучения оптического и инфракрасного диапазонов посвящены работы [131, 134, 135, 149—160]. При облучении диода Ганна светом с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны, наблюдалось улучшение когерентности СВЧ-колебаний и возрастание их амплитуды [149], что авторами работы [2] объяснялось влиянием увеличения концентрации электронов в зоне проводимости и связанным с ним уменьшением неравномерности распределения концентрации электронов вдоль образца.

Влияние постоянного уровня подсветки на параметры генерации диодов Ганна в зависимости от типа контактов исследовалось авторами работы [150].

Эффекты, связанные с перераспределением напряженности электрического поля вдоль диодной структуры, вследствие освещения лишь ее части, описаны в [151-153].

В работах [154, 155] теоретически и экспериментально исследована возможность управления ганновской генерацией вблизи порогового напряжения с помощью коротких импульсов мощного лазерного излучения, энергия кванта которого значительно меньше ширины запрещенной зоны.

Исследованию влияния излучения с энергией кванта, соответствующей глубине залегания уровня захвата свободных электронов, на генерацию диодов Ганна посвящена работа [156].

Анализу возможности реализации амплитудной модуляции генератора на диоде Ганна при воздействии оптического сигнала на фоторезистор, помещенный в резонатор совместно с диодом Ганна, посвящены работы [157—160].

Таким образом, из результатов исследований модуляционных характеристик генераторов СВЧ-диапазона на полупроводниковых активных элементах при воздействии на них лазерного излучения следует, что облучение должно приводить к увеличение мощности и частоты генерируемых СВЧ-колебаний, вследствие возрастания числа свободных носителей в зоне проводимости. При облучении части полупроводникового образца изменяется его эффективная длина, что по мнению авторов [151—153], должно приводить к уменьшению времени пролета домена и увеличению частоты генерируемых колебаний.

Проведенные исследования [127, 140, 147, 148] показали также эффективность синхронизации полупроводниковых СВЧ-генераторов с помощью оптического сигнала.

Значительное число работ посвящено изучению влияния оптического излучения на арсенид-галлиевый полевой транзистор с барьером Шоттки [131, 134, 163—176].

Статические характеристики ПТШ при освещении исследовались в работе [163]. Авторы рассматривают три различных случая освещения транзистора: облучение светом с энергией квантов, большей ширины запрещенной зоны, освещение длинноволновым излучением, освещение «белым» светом.

Освещение транзистора светом с энергией квантов, большей ширины запрещенной зоны, вызывает увеличение тока стока, которое обусловлено сужением области обедненного заряда под барьером из-за генерации электронно-дырочных пар при межзонных оптических переходах и повышением проводимости квазинейтральных областей истока и стока.

При освещении длинноволновым излучением с энергией квантов, большей энергии фотонейтрализации глубокого уровня, происходит переход электронов из валентной зоны на соответствующий глубокий уровень, что приводит к расширению области объемного заряда, увеличению сопротивления канала и паразитных сопротивлений истока и стока. Ток стока при этом уменьшается.

При освещении ПТШ «белым» светом изменение тока стока определяется степенью взаимной компенсации двух вышеназванных процессов. Поскольку эффективность поглощения излучения в фундаментальной полосе на 3-4 порядка выше чем в примесной, то генерация электронно-дырочных пар преобладает над эффектом изменения зарядового состояния глубоких примесей, поэтому изменения характеристик ПТШ при облучении «белым» светом и коротковолновым излучением качественно совпадают.

Изменение коэффициента усиления малошумящего усилителя на GaAs ПТШ при оптическом воздействии исследуется в работе [164]. Автором сделан вывод, что поведение ПТШ, находящегося под действием светового излучения, подобно поведению двухзатворного транзистора. Аналогичный вывод содержится в работе [165], автор которой приводит результаты измерения S-параметров малошумящего ПТШ в диапазоне частот от 3 до 8 ГГц при различных напряжениях на затворе и различных уровнях освещенности.

В работе [166] приведены результаты исследования влияния оптического излучения на динамический диапазон усилителя на арсенид-галлиевом полевом транзисторе. Авторы отмечают, что важным этапом разработки усилителя является выбор параметров цепи смещения затвора с целью оптимизации эффективности воздействия освещения. Из приведенных экспериментальных результатов следует, что применение оптического излучения позволяет на 10 дБ уменьшить интермодуляционные искажения третьего порядка.

Отметим, что в приведенной литературе представлены результаты исследования действия оптического излучения на малошумящие полевые транзисторы. Влияние освещения на характеристики мощных GaAs ПТШ не изучено. Поскольку мощные транзисторы имеют отличную от малошумящих структуру (несколько меньшую концентрацию носителей заряда в канале, большее расстояние сток — исток [54]) и работают в других режимах по постоянному току, можно предположить, что их поведение при освещении также будет отличаться от поведения малошумящих транзисторов [125—127, 131, 132, 168, 175, 180].

В работах [181—184] описано использование ПТШ для смешения излучений двух лазеров, в результате которого на выходе транзистора формировался сигнал миллиметрового диапазона длин волн.

В работе [185] полевой транзистор предлагается использовать в качестве чувствительного элемента при создании приемо-передающего модуля для активной фазированной антенной решетки с оптическим управлением [186—189].

На СВЧ-характеристики полупроводниковых приборов существенным образом влияет стационарное магнитное поле. Влияние магнитного поля на характеристики генераторов на диодах Ганна исследовалось авторами работ [2, 4, 190—198].

В работах [2, 4, 191—194] приведены результаты исследования влияния магнитного поля на стационарные характеристики диода Ганна, в частности, рассчитаны зависимости величины пороговой напряженности электрического поля Еп и пороговой плотности тока jn от поперечного магнитного поля. Наблюдавшиеся изменения значений Еп и jn связывались с эффектом магнитосопротивления.

Расчеты зависимости v(E) в поперечном магнитном поле В [191] показали, что с ростом величины В отрицательная дифференциальная подвижность (ОДП) быстро уменьшается. На основе этого факта делается вывод о том, что с ростом магнитного поля должно наблюдаться уменьшение амплитуды ганновских колебаний [4], В работе [195] приведены результаты исследования влияния поперечного магнитного поля на частоту генерации диода Ганна. На основе упрощенной модели показано, что наличие поперечного магнитного поля приводит к уменьшению дрейфовой подвижности электронов и снижению частоты генерации диода Ганна. В эксперименте автором этой работы наблюдалось монотонное уменьшение частоты генерации, пропорциональное квадрату индукции магнитного поля.

Авторами работы [196] исследовались осциллограммы однократных радиоимпульсов генераторов на диодах Ганна. При увеличении магнитного поля наблюдалось повышение когерентности колебаний и уменьшение частоты генерации диода Ганна.

Влияние магнитного поля на вид динамических вольтамперных характеристик (ВАХ) диодов Ганна исследовано в работах [197, 198]. Поскольку магнитное поле изменяет вид ВАХ, авторами [197, 198] был сделан вывод о том, что оно должно влиять и на характер возникающих низкочастотных колебаний. Таким образом, из результатов исследований влияния магнитного поля на характеристики СВЧ-генераторов, активными элементами которых являются диоды Ганна, следовало, что увеличение магнитного поля должно приводить к уменьшению амплитуды и частоты генерируемых колебаний. По мнению авторов наблюдающееся уменьшение частоты с увеличением магнитного поля описывалось квадратичным законом и связано с эффектом магнитосопротивления в диодах Ганна, а, следовательно, не должно изменяться при смене направления магнитного поля на противоположное и сохранении его величины.

Транзисторный автогенератор сантиметрового диапазона длин волн с перестройкой по частоте при помощи воздействия магнитного поля непосредственно на полевой транзистор описан в работе [199]. При воздействии магнитного поля наблюдался уход частоты генерируемого сигнала, при этом изменение частоты происходило в сторону увеличения или уменьшения в зависимости от направления магнитного поля. Изменение частоты генератора от величины магнитного поля носило линейный характер. Магнитное поле, приложенное к транзистору, не оказывало сколько-нибудь заметного влияния на остальные параметры генератора (выходную мощность, стабильность, КПД), что дает возможность применения этого эффекта для точной настройки генератора на рабочую частоту.

Несмотря на значительное число исследований, посвященных решению проблемы взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами, их авторы, как правило, акцентировали свое внимание на определенных моментах этой проблемы.

В развитие и изучение физических явлений, возникающих при взаимодействии электромагнитных полей с полупроводниковыми элементами, существенный вклад внес коллектив сотрудников под руководством Ю. К. Пожелы, которым развита теория, описывающая распространение волн в передающих линиях с продольно намагниченным полупроводником, теоретически и экспериментально исследованы эффекты, обусловленные разогревом свободных носителей заряда в полупроводниках СВЧ-полем, созданы новые типы преобразователей СВЧ-сигнала, предложены новые способы измерений параметров полупроводниковых материалов и устройства для их реализации [11, 67—70, 200, 201].

Закономерности распространения волн СВЧ-диапазона в полупроводниковых волноводах изучались коллективом под руководством Ю.В.Гуляева [202, 203].

Переходные процессы при перестройке частоты в генераторе со стабилизирующим резонатором обсуждены в работах Н. И. Синицина [204].

Значительных достижений в разработке полупроводниковых приборов СВЧ-диапазона добился коллектив сотрудников под руководством А. С. Тагера, в котором были созданы принципиально новые источники колебаний СВЧ-диапазона на основе лавинно-пролетных диодов [1]; на базе теоретических и экспериментальных исследований разработаны новые типы варакторов с многослойной базой [205], диоды Ганна с основной частотой генерации более 100 ГГц [206], малошумящие полевые транзисторы на арсениде галлия, работающие в диапазоне частот до 40 ГГц [22]; предложены одновременно и независимо от зарубежных авторов гетероструктур-ные полевые транзисторы с селективным легированием [207]; разработаны первые отечественные резонансно-туннельные диоды [208, 209].

В работах М. С. Шура развиты представления о физических процессах в арсенид-галлиевых полевых транзисторах с барьером Шоттки, полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием, приборах на квантово-размерных эффектах и приведены результаты моделирования СВЧ-устройств на их основе [12, 79, 80, 210].

Особенности взаимодействия излучения миллиметрового диапазона с полупроводниковыми приборами на основе барьеров Шоттки и селективно-легированных ге-тероструктур исследовались коллективом сотрудников под руководством В. Е. Люб-ченко [211-214].

Решению проблемы взаимодействия горячих носителей заряда в полупроводниках с коротковолновым излучением СВЧ-диапазона посвящены работы Б. Н. Климова, В. А. Иванченко [215, 216].

Исследование горячих электронов и сильных электромагнитных волн в плазме полупроводников проведено в работах Ф. Г. Басса, Ю. Г. Гуревича [217, 218].

Вопросы взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниками, в том числе, в условиях возникновения явления ударной ионизации, рассмотрены в работах Л. И. Каца, В. Н. Чуписа [219-221].

Теория распространения волн в плазме твердого тела развивалась в работах Г. Г. Шишкина [222, 223].

Нелинейные свойства и характеристики СВЧ р — i — п-диодов исследовались в работах И. В. Лебедева [47, 111].

Исследованию особенностей использования активных полупроводниковых элементов в устройствах СВЧ-диапазона посвящены работы В. А. Малышева [52].

Вопросы хаотизации выходного сигнала СВЧ-генераторов исследовались коллективом сотрудников под руководством Д. И. Трубецкова [224, 225].

Результаты исследований поведения нелинейных стохастических систем приведены в работах В. С. Анищенкб с сотрудниками [226, 227].

Мультистабильность и хаос в многомерных неавтономных системах, содержащих полупроводниковые элементы, исследовались в работах Б. П. Безручко с сотрудниками [228—230].

В развитие взглядов на физическую природу волновых и колебательных процессов в электродинамических системах с полупроводниковым заполнением значительный вклад внес коллектив сотрудников под руководством Д. А. Уса нова, которым развита теория возбуждения высших типов колебаний в таких системах; теоретически и экспериментально исследованы зависимости характеристик электродинамических систем от проводимости, геометрических размеров и положения помещенного в них полупроводника; установлены механизмы взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводником, помещенным в магнитное поле, приводящие к появлению невзаимности; теоретически, с учетом взаимодействия через высшие типы колебаний, и экспериментально исследованы характеристики распространения волны в волноводах, содержащих многоэлементные неоднородности типа «полупроводник — металл»; разработаны, созданы и внедрены новые способы управления и настройки СВЧ-устройств, измерения параметров материалов и приборов, новые типы полупроводниковых измерительных СВЧ-устройств и устройств для управления, преобразования, генерации и усиления электромагнитных колебаний [42, 82, 84, 99-110, 112-124, 231-234].

При решении задач, возникающих при разработке радиоволновых методов контроля полупроводниковых материалов и структур, были развиты вопросы взаимодействия электромагнитного поля резонатора с полупроводниковыми структурами, созданы и внедрены новые типы СВЧ измерительных устройств коллективами под руководством А. С. Петрова [235-237], Ю. Е. Гордиенко [238, 239].

Применительно к задачам диагностики в работах Ю. К. Григулиса [240—242], В. А. Конева [243], Д. И. Биленко [244] проводился анализ характеристик распространения волн в электродинамических системах, содержащих полупроводники.

Теория распространения волн в волноводах, содержащих металлические стержни круглого сечения с зазором, которые часто используются в качестве держателей полупроводниковых элементов, была развита в работах А. В. Мошинского с сотрудниками [245, 246].

Анализ исследований, посвященных рассмотрению взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами, позволяет сделать вывод о том, что до настоящего времени в большинстве случаев многие авторы, стремясь как можно более строго решить электродинамическую задачу, представляют полупроводниковые активные элементы, используя сильно упрощенные модели.

С другой стороны при изучении процессов, протекающих в полупроводниковых элементах при воздействии на них СВЧ-излучения, часто не учитывают сложного характера распределения электромагнитного поля в конкретных электродинамических системах, в которые помещаются исследуемые полупроводниковые элементы.

Такой односторонний подход к решению проблемы создания СВЧ-устройств на полупроводниковых элементах, по мнению ряда авторов [3, 94], привел к задержке на несколько лет разработки новых полупроводниковых СВЧ-генераторов, мощных полупроводниковых устройств СВЧ-диапазона, достижения максимальных значений коэффициента полезного действия, предельной частоты и мощности, повышения их надежности, адекватного описания характеристик новых СВЧ-устройств. Для решения этих задач требовалось проведение трудоемких экспериментальных исследований.

В связи с этим является актуальным проведение целенаправленного комплекса теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.

Проведение целенаправленного комплекса таких исследований может позволить обнаружить новые физические явления в полупроводниковых приборах, создать на их основе новые типы твердотельных СВЧ-устройств, а также улучшить характеристики устройств, уже получивших широкое распространение в различных областях техники СВЧ, и тем самым еще более расширить области их применения.

Цель диссертационной работы

Установление, в результате проведения теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами, новых физических закономерностей, связанных с учетом сложного характера распределения электромагнитных полей в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей; разработка и создание на их основе новых типов СВЧ-устройств.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи

1. Теоретическое и экспериментальное исследование изменения стационарных характеристик полупроводниковых приборов при воздействии на них СВЧ-излучения.

2. Теоретическое и экспериментальное исследование низкочастотного спектра выходного сигнала СВЧ-устройств на полупроводниковых приборах.

3. Установление механизма влияния стационарного магнитного поля на характеристики полупроводниковых диодных генераторов СВЧ.

4. Выявление механизмов воздействия оптического излучения на характеристики СВЧ-устройств на полупроводниковых приборах.

5. Использование эффектов нелинейного взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниковыми структурами для разработки новых методов и средств радиоволнового контроля.

Научная новизна

1. Впервые проведен целенаправленный комплекс теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами по установлению новых физических закономерностей, связанных с учетом сложного характера распределения электромагнитного поля в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.

2. Установлено теоретически и подтверждено экспериментально, что воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры с туннельно-тонкими р — п-переходами приводит к исчезновению на вольт-амперных характеристиках таких структур участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что связано с уменьшением туннельной компоненты, резким увеличением диффузионной компоненты полного тока, вследствие разогрева свободных носителей заряда, и появлением продетектированного сигнала.

3. Выявлена возможность как исчезновения областей отрицательного наклона, так и возникновения дополнительных максимумов на вольт-амперных характеристиках последовательно соединенных туннельных диодов под действием греющего СВЧ-поля.

4. Обнаружен эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе невырожденного р — п-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.

5. Теоретически описан экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в р — г — п-диодных структурах и диодных структурах на основе невырожденного р — п-перехода при воздействии на них СВЧ-излучения в результате учета детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧ-мощности.

6. Теоретически описан и экспериментально исследован эффект автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания. Обнаружено, что изменение нагрузки в СВЧ- и НЧ-цепях могут вызывать изменение продетектированных в этих цепях сигналов как одинакового, так и противоположного знаков. Установлено, что наблюдавшиеся экспериментально локальные максимумы и минимумы на зависимостях продетектированного сигнала от изменения нагрузки в СВЧ-цепи, обусловлены наличием в спектре выходного сигнала СВЧ-генератора на диоде Ганна высших гармоник.

7. Установлена экспериментально и описана теоретически взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с выходной мощностью генераторов на их основе и нестабильностью характеристик выходного сигнала.

8. Обнаружен экспериментально и описан теоретически режим релаксационных низкочастотных колебаний в генераторах на диодах Ганна и явление гистерезиса в возникновении низкочастотных колебаний.

9. Экспериментально установлена и теоретически обоснована возможность существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя на Са Аэ ПТШ. Определены интервалы значений входной мощности, режимов работы ПТШ по постоянному току и параметры внешней СВЧ-схемы, при которых возникают и существуют субгармонические колебания.

10. В полупроводниковых СВЧ-генераторах обнаружен эффект невзаимности, заключающийся в зависимости амплитуды и частоты генерации сигнала от направления внешнего магнитного поля при сохранении его величины. Степень проявления эффекта определяется параметрами электродинамической системы, в которую включен полупроводниковый активный элемент, и характеристиками самих полупроводниковых элементов, зависящими от технологических особенностей их создания и режимов работы по постоянному току.

11. Установлены два механизма влияния оптического излучения на частоту и мощность сигнала генераторов на диодах Ганна: тепловой и концентрационный. Показано, что величина и знак сдвига частоты генерации, вызванного этими механизмами влияния оптического излучения на диод, определяются электродинамическими параметрами генераторной секции. В зависимости от этих параметров оба механизма: тепловой и концентрационный — могут приводить к сдвигам частоты как одного, так и разных знаков.

12. Теоретически и экспериментально исследовано влияние оптического излучения на статические характеристики СаАв ПТШ и спектральные характеристики выходного сигнала СВЧ-усилителя на его основе, работающего в режиме большого сигнала. Исследован эффект изменения спектральных характеристик выходного сигнала усилителя на СаАя ПТШ под действием оптического излучения в широком диапазоне значений входного СВЧ-сигнала. Установлены режимы работы ПТШ и значения уровней СВЧ- и оптического сигналов, при которых наблюдается максимальное проявление эффектов усиления или подавления высших гармоник в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя под действием оптического излучения. Показано качественное соответствие теоретических и экспериментальных результатов.

13. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований предложены новые типы СВЧ-устройств и новые способы неразрушающего контроля.

Достоверность результатов диссертации

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается

• строгостью используемых математических моделей,

• корректностью упрощающих допущений,

• сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям,

• выполнимостью предельных переходов к известным решениям,

• соответствием результатов расчета эксперименту.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена

• применением современной стандартной измерительной аппаратуры,

• обработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМ,

• успешным использованием на практике приборов, в основу работы которых положены результаты проведенных исследований.

Практическая значимость работы

• Показана эффективность управления характеристиками полупроводниковых структур с туннельно-тонкими р — п-переходами греющим СВЧ-полем, что представляет интерес при создании устройств СВЧ-диапазона, быстродействующих аналоговых и цифровых устройств обработки информации.

• Эффект возникновения ОДС на стационарных ВАХ р — г — п-диодных структур и структур На основе невырожденного р — п-перехода при воздействии СВЧ-излучения может быть использован при создании генераторов и усилителей с управляемым отрицательным сопротивлением.

• Установлена возможность прогнозирования основных характеристик СВЧ-генераторов на диодах Ганна по величине их сопротивления в слабых электрических полях.

• Эффект невзаимности, обнаруженный в полупроводниковых СВЧ-генераторах, может быть использован для уточнения условий их эксплуатации, а также для оценки погрешности при исследовании параметров полупроводниковых структур СВЧ-методами при наличии магнитного поля.

• Показана возможность создания оптически управляемых СВЧ-генераторов на диодах Ганна и детекторов импульсного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на их основе.

• Теоретические и экспериментальные результаты, полученные при исследовании влияния оптического излучения на вольт-амперные характеристики, коэффициент усиления и спектр выходного сигнала СВЧ-усилителя на ПТШ могут быть использованы при создании нового класса твердотельных приборов с оптическим управлением. В частности, показана возможность уменьшения нелинейных искажений в СВЧ-усилителе, работающем с различными уровнями входной мощности с помощью оптического сигнала.

• В результате проведенных исследований разработаны и созданы новые приборы [247—253] для контроля параметров тонких металлических пленок и диэлектрических слоев, параметров вибраций и перемещений, электропроводности водных растворов, принцип действия которых основан на эффекте ав-тодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры с тун-нельно-тонкими р — п-переходами приводит к исчезновению на вольт-амперных характеристиках таких структур участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что связано с уменьшением туннельной компоненты, резким увеличением диффузионной компоненты полного тока, вследствие разогрева свободных носителей заряда и появлением продетектированного сигнала.

2. На вольт-амперных характеристиках последовательно соединенных туннельных диодов под действием внешнего СВЧ-сигнала возможно как исчезновение областей отрицательного наклона, так и возникновение дополнительных максимумов.

3. Учет детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧ-мощности позволяет адекватно объяснить экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках р — I — га-диодных структур и диодных структур на основе невырожденного р — га-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.

4. С ростом сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях одновременно с уменьшением выходной мощности генераторов на их основе уменьшается величина долговременной нестабильности характеристик выходного сигнала генераторов, обусловленная изменением условий теплопередачи и температуры окружающей среды.

5. В многоконтурном генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания изменение нагрузки в СВЧ- и НЧ-цепях могут вызывать изменение продетектированных в этих цепях сигналов как одинакового, так и противоположного знаков. Наблюдающиеся экспериментально локальные максимумы и минимумы на зависимостях продетектированного сигнала от изменения нагрузки в СВЧ-цепи обусловлены наличием в спектре выходного сигнала СВЧ-генератора на диоде Ганна высших гармоник.

6. При возникновении НЧ-колебаний в цепях питания СВЧ-генераторов на диодах Ганна наблюдается явление: гистерезиса при напряжениях смещения, существенно превышающих пороговое. Форма НЧ-колебаний имеет вид, характерный для релаксационного режима.

7. При воздействии мощного СВЧ-сигнала в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя на Оа Аэ ПТШ при определенных значениях входной мощности, режимах работы ПТШ по постоянному току и параметрах внешней СВЧ-схемы возникают субгармонические составляющие.

8. В полупроводниковых диодных СВЧ-генераторах, находящихся в постоянном магнитном поле, наблюдается эффект невзаимности, заключающийся в зависимости амплитуды и частоты генерации сигнала от направления внешнего магнитного поля при сохранении его величины. Степень проявления эффекта определяется параметрами электродинамической системы, в которую включен полупроводниковый активный элемент, и характеристиками самих полупроводниковых элементов, параметры которых зависят от технологических особенностей их создания и режимов работы по постоянному току.

9. Тепловой и концентрационный механизмы влияния оптического излучения на работу генераторов на диодах Ганна в зависимости от электродинамических параметров генераторной секции могут приводить к сдвигам частоты как одного, так и разных знаков. Максимальное проявление эффектов усиления или подавления высших гармоник в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя под действием оптического излучения определяется режимами работы ПТШ и значениями уровней мощности СВЧ- и оптического сигналов.

10. На защиту выносится группа новых типов.СВЧ-устройств, созданных на основе эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах и защищенных патентами и авторскими свидетельствами на изобретения.

Настоящая диссертация выполнена на кафедре физики твердого тела Саратовского государственного университета, в НИИ механики и физики при СГУ. Она является обобщением работ автора, выполненных в период с 1980 по 1998 год по одной из актуальных проблем физики полупроводников и радиофизике, заключающейся в теоретическом и экспериментальном исследовании взаимодействия электромагнитных полей в электродинамических системах с полупроводниковыми элементами.

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.

В результате решения этой научной проблемы установлены

• новые физические закономерности в модуляционных характеристиках полупроводниковых приборов СВЧ;

• новые физические явления, наблюдающиеся в этих приборах при воздействии электромагнитного излучения оптического и СВЧ-диапазонов, постоянных электрических и магнитных полей; разработаны, созданы и внедрены

• новые типы твердотельных СВЧ-устройств, обладающие улучшенными характеристиками по сравнению с известными устройствами аналогичного назначения, что имеет важное народнохозяйственное значение.

Реализация результатов в народном хозяйстве

Исследования по теме диссертации выполнены в соответствии с:

• координационным планом НИР АН СССР на 1981-1985 годы по проблеме «Физическая электроника», раздел 1.5.2.8 «Поиск новых физических принципов создания твердотельных приборов и устройств СВЧ, в особенности мм и субмм диапазонов»;

• координационными планами НИР АН СССР на 1986-1990 годы по проблеме «Физическая электроника», раздел 1.5.4.3 «Приборы и устройства СВЧ-диапа-зона на твердотельных элементах», по направлению «Физика твердого тела», раздел 1.3.10.4 « Р ад ново л новые методы»;

• координационным планом НИР высших учебных заведений системы Минвуза СССР в области физики полупроводников на 1986-1990 годы, раздел 1.8 «Исследование эффектов детектирования в полупроводниковых СВЧ-диодах и транзисторах, работающих в режиме усиления и генерации»;

• комплексной научно-технической программой Минвуза РСФСР «Датчик» на 1986-1990 годы по теме 2.1.10 «Исследование эффектов автодинного детектирования в твердотельных СВЧ-генераторах и создание на этой основе датчиков для неразрушающего контроля полупроводниковых и диэлектрических материалов»;

• межвузовской программой НИР на 1986-1990 годы «Научное приборостроение», раздел 16 «Приборы лабораторной технологии»;

• НИР «Параметр», проводимой согласно постановлению ГКНТ СССР и включенной в народнохозяйственный план социального и экономического развития РСФСР на 1985 год;

• программой фундаментальных исследований «Физика твердого тела» по проблеме «Неразрушающие физические методы контроля» ООФА АН СССР на 1991-1995 годы;

• научно-технической программой Гособразования СССР на 1989-1992 годы «Новые технологии и автоматизация процессов в машиностроении»;

• межвузовской инновационной научно-технической программой Госкомвуза РФ на 1991-1993 годы «Исследование, разработка, освоение и выпуск наукоемкой продукции для отраслей народного хозяйства РФ», раздел 3 «Автоматизированные комплексы, системы и приборы»;

• межвузовской инновационной научно-технической программой Госкомвуза РФ на 1991-1993 годы «Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция», раздел 2 в рамках государственной научно-технической программы «Технологии, машины и производства будущего»;

• межвузовской научно-технической программой «Неразрушающий контроль и диагностика» Минобразования РФ на 1991-1994 годы и 1995-1997 годы;

• межвузовской инновационной научно-технической программой «Трансферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении» на 1993-1994 годы и 1995-1997 годы;

• грантом Государственного Комитета РФ по высшему образованию 19921993 годов (МИЭТ ТУ) «Исследование физических процессов в полупроводниковых приборах СВЧ с отрицательным сопротивлением в условиях воздействия на них внешних возмущающих электромагнитных полей СВЧ-диапазона, оптического излучения, постоянного магнитного поля»;

• грантом Государственного Комитета РФ по высшему образованию 19941995 годов № 94-1-74 «Исследование влияния греющих СВЧ-полей на характеристики приборов с туннельно-тонкими переходными слоями», № гос. регистрации 01940005020;

• грантом Государственного Комитета РФ по высшему образованию 1995— 1997 годов № 95-3-67 (МИЭТ ТУ) «Исследование взаимосвязи выходных характеристик приборов на основе активных полупроводниковых элементов СВЧ-диапазона с параметрами полупроводниковых структур в слабых полях»;

• научно-технической программой «Вузовская наука регионам» на 1997-2000 гг.;

• научно-технической программой Минобразования РФ «Электроника», подпрограмма «Микроэлектронные технологии изделий электронной техники»;

• планом НИР на 1993 год «Разработка методики контроля параметров эпитак-сиальных структур»;

• планом НИР на 1995 год «Изыскание путей создания комплекса аппаратуры непрерывного контроля загрязнения солями металлов, нефтепродуктами и другими включениями промышленных сточных вод»;

• планами НИР на 1996-2000 годы «Разработка высокочувствительных методов контроля параметров многокомпонентных сред и плазменных образований на основе использования зондирующего излучения радиоволнового и оптического диапазонов», «Исследование материалов и компонентов микроэлектроники в условиях вибраций и ударных нагрузок», «Разработка нового поколения СВЧ-измерителей на основе эффекта автодинного детектирования», «Разработка и создание СВЧ-измерителя параметров металло-диэлектрических структур и покрытий», «Разработка и создание технологии контроля параметров вибраций и перемещений», «Разработка СВЧ-измерителя толщины покрытий»;

• планами НИР «Полимер» и «ЛОНО — МВО», выполнявшимися по Постановлению директивных органов в рамках х/д между НИИМФ СГУ, НПО «Молния» и п/я В-2572.

Разработанные в ходе выполнения диссертации приборы экспонировались на:

• ВДНХ СССР в Москве в 1985-1989 годах;

• выставке «Ученые Минвуза РСФСР — народному хозяйству страны» в Москве в 1985 году;

• Международных выставках «ТЕЛЕКОМ-87» (Женева — 1987), «Советская Россия сегодня» (Прага — 1987);

• Всесоюзной выставке «Ученые Поволжья — народному хозяйству» в Москве в 1989 году;

• IV, V, VI, VII Российских выставках-конференциях в 1991, 1993, 1995, 1997 гг. в Саратове, Ульяновске, Череповце;

• Международных выставках «МЕРА-92» и «МЕРА-93» в Москве в 1992,1993 гг.;

• Российской с международным участием выставке-конференции «Неразрушаю-щий контроль в науке и индустрии» в Москве в 1994 году;

• Российской выставке «Достижения вузов России в машиностроении» в Москве в 1992 году;

• годичных собраниях межвузовских инновационных научно-технических программ Минобразования РФ «Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция», «Трансферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении» в С.-Петербурге и в Саратове в 1991-1997 годах.

Один из вариантов приборов, созданных в результате проведенных автором диссертации исследований, отмечен бронзовой медалью ВДНХ СССР за 1987 год.

Разработанные в ходе выполнения диссертации СВЧ-измерители выпущены в виде опытных партий на заводе «Тантал», в Центральном НИИ измерительной аппаратуры, НИИ механики и физики при СГУ в рамках госзаказа на 1987-1989 годы и внедрены в НПО «Молния», НПО «Энергия», НПО «Исток» в рамках НИОКР «Самшит», ЦНИИИА, ГНПП «Алмаз», НИИ ПМЭ МАИ, МАИ, СНИИМ, ВНИИ «Электронстандарт», СЗПИ; переданы предприятиям электронной промышленности КНР по заключенным с ними контрактам.

Разработанные в рамках диссертации методы измерения параметров тонких металлических и диэлектрических слоев и выпущенные в виде опытных серий СВЧ-измерители типа СИТ-40, принцип действия которых основан на эффекте автодин-ного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах, включены в число распространенных методов и средств неразрушающего контроля авторами 5-ти томного практического пособия «Неразрушающий контроль» [254].

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

• V и VI Всесоюзных совещаниях по исследованию арсенида галлия в Томске в 1982, 1987 годах;

• X Всесоюзной научной конференции «Электроника сверхвысоких частот» в Минске в 1983 году;

• Всесоюзном совещании-семинаре «Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами и проблемы создания интегральных СВЧ-схем» в Саратове в 1985 году;

• межведомственном научно-техническом совещании «Состояние и тенденции развития метрики полупроводниковых и диэлектрических структур» в Саратове в 1986 году;

• 42 Всесоюзной научной сессии, посвященной дню радио в Москве в 1987 году;

• VI Всесоюзной научно-технической конференции «Методы и средства измерений электромагнитных характеристик материалов на ВЧ и СВЧ» в Новосибирске в 1987 году;

• XI Всесоюзной научно-технической конференции «Неразрушающие физические методы и средства контроля» в Москве в 1987 году;

• 11 Всесоюзной научной конференции «Электроника СВЧ» в Орджоникидзе в 1986 году;

• 8 Krajowa Konferencja Microfalowa "MIKON-88" в Гданьске (Польша) в 1988 г.;

• 10 Всесоюзном семинаре по методам решения внутренних краевых задач электродинамики в Вильнюсе в 1988 году;

• 44 Всесоюзной научной сессии, посвященной Дню радио, в Новосибирске в 1989 году;

• Всесоюзной научной конференции «Волновые и вибрационные процессы в машиностроении» в Горьком в 1989 году;

• 4 Всесоюзной научно-технической конференции и выставке «Контроль толщины покрытий и его метрологическое обеспечение» в Ижевске в 1990 году;

• 12 Всесоюзной научно-технической конференции по твердотельной электронике СВЧ в Киеве в 1990 году;

• IV Всесоюзной научно-технической конференции «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства неразрушающего контроля качества промышленной продукции» в Саратове в 1991 году;

• Всесоюзной научно-технической конференции «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе» в Баку в 1991 г.;

• Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-92) в Новосибирске в 1992 году;

• 2 годичном собрании по разделу инновационной межвузовской научно-технической программы «Трансферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении» в Саратове в 1993 году;

• 13 научно-технической конференции «Неразрушающие физические методы и средства контроля» в С.-Петербурге в 1993 году;

• 5 Российской научно-технической конференции «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства контроля качества материалов, изделий и окружающей среды» в Ульяновске в 1993 году;

• Российской научно-технической конференции с международным участием «Не-разрушающий контроль в науке и индустрии-94» в Москве в 1994 году;

• X International Microwave Conference MIKON-94 Ksiaz Castle (Польша) в 1994 г.;

• VI Российской научно-технической конференции с международным участием «Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства неразрушающего контроля» в Саратове в 1995 году;

• Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика» в Зеленограде в 1995 году;

• 1 Поволжской научно-технической конференции по проблемам двойного применения в Самаре в 1995 году;

• областной конференции «Проблемы новаторской деятельности ученых, изобретателей и других творческих работников в условиях реформирования экономики» в Саратове в 1996 году;

• XI International icroWave Conference MIKON-96 в Варшаве (Польша) в 1996 г.;

• Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного машиностроения» в Саратове в 1996 году;

• III и IV Всероссийских научно-технических конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» в Дивноморском в 1996, 1997 годах;

• Всероссийской межвузовской научной конференции «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ» в Саратове в 1997 году;

• VII Международной научно-технической конференции «Оптические, радиоволновые, тепловые методы и средства контроля природной среды, материалов и промышленных изделий» в Череповце в 1997 году;

• 2 Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информатика-97» в Зеленограде в 1997 году;

• III Международной конференции «Экология. Экологическое образование. Нелинейное мышление» в Воронеже в 1997 году;

• региональной научно-практической конференции «Состояние и проблемы развития эколого-экономической системы Саратовской области» в Саратове в 1997 году;

• 21 International Conference on Microelectronics MIEL'97 в Ниш (Югославия) в 1997 году,

• а также на объединенном научном семинаре кафедр физики твердого тела, физики полупроводников, электроники и волновых процессов Саратовского госуниверситета.

Публикации

По материалам диссертации

• опубликована 91 научная работа [247—253, 255—338], включая

• 29 статей,

• 2 патента и 5 авторских свидетельств на изобретения, которыми защищены предложенные новые способы и устройства.

Результаты диссертации использованы

• в двух учебных пособиях [84, 339], рекомендованных к изданию Министерством общего и профессионального образования РФ.

Материалы диссертации использованы в разработанном цикле лекций «Явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями» в рамках курса «Физика твердого тела» и практикуме по курсу лекций «Измерение параметров полупроводников на СВЧ».

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, приложения. Работа изложена на 296 страницах, содержит 130 рисунков, таблицу, список литературы из 428 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Скрипаль, Александр Владимирович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Теоретически и экспериментально исследовано воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры с туннельно-тонкими р — п-перехо-дами, приводящее к исчезновению на вольт-амперных характеристиках таких структур участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что связано с уменьшением туннельной компоненты, резким увеличением диффузионной компоненты полного тока вследствие разогрева свободных носителей заряда и появлением продетектированного сигнала.

2. Показано, что при управлении видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных полупроводниковых структур с туннельно-тонкими р — го-переходами с помощью греющего СВЧ-поля возможно как исчезновение областей отрицательного наклона, так и возникновение дополнительных максимумов на вольт-амперных характеристиках.

3. Построена модель, учитывающая детекторный эффект, разогрев носителей заряда и зависимость импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧ-мощности. Описан эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках р — г — п-диодных структур и диодных структур на основе невырожденного р — го-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.

4. Установлено, что в многоконтурном генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания изменение нагрузки в СВЧ- и НЧ-цепях вызывают изменение продетектированных в этих цепях сигналов как одинакового, так и противоположного знаков. Наличие в спектре выходного сигнала СВЧ-генератора на диоде Ганна высших гармоник приводит к возникновению локальных максимумов и минимумов на зависимостях продетектиро-ванного сигнала от изменения нагрузки в СВЧ-цепи.

5. Обнаружено экспериментально и обосновано теоретически, что с ростом сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях одновременно с уменьшением выходной мощности генераторов на их основе уменьшается величина долговременной нестабильности характеристик выходного сигнала.

6. Обнаружен экспериментально и описан теоретически режим релаксационных низкочастотных колебаний в генераторах на диодах Ганна и явление гистерезиса в возникновении низкочастотных колебаний.

7. Экспериментально установлена и теоретически обоснована возможность существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя на ваАв ПТШ. Определены интервалы напряжений питания и мощности входного сигнала, при которых возможно возникновение субгармоник, характеризуемых большим целым числом, равным отношению частот входного сигнала и субгармоники. При выходе за эти интервалы, в том числе при увеличении мощности свыше определенной величины, субгармоника в спектре исчезает.

8. Теоретически предсказан и экспериментально обнаружен эффект невзаимности, заключающийся в изменении амплитуды и частоты выходного сигнала полупроводниковых диодных СВЧ-генераторов при изменении направления внешнего стационарного магнитного поля и сохранении его величины. Степень проявления эффекта определяется направлением вектора магнитной индукции, параметрами электродинамической системы, в которую включен полупроводниковый активный элемент, и характеристиками самих полупроводниковых элементов, зависящими от технологических особенностей их создания и режимов работы по постоянному току.

9. Установлены два механизма влияния оптического излучения на частоту и мощность сигнала генераторов на диодах Ганна: тепловой и концентрационный. Показано, что величина и знак сдвига частоты генерации, вызванного этими механизмами влияния оптического излучения на диод, определяются электродинамическими параметрами генераторной секции. В зависимости от этих параметров оба механизма: тепловой и концентрационный — могут приводить к сдвигам частоты как одного, так и разных знаков.

10. Теоретически и экспериментально исследовано влияние оптического излучения на статические характеристики ОаАэ ПТШ и спектральные характеристики выходного сигнала СВЧ-усилителя на его основе, работающего в режиме большого сигнала. Выяснен характер изменения тока стока ПТШ при воздействии оптического излучения от уровня мощности на входе усилителя. Установлены закономерности изменения спектральных характеристик выходного сигнала усилителя на Са Ав ПТШ под действием оптического излучения в широком диапазоне значений входного СВЧ-сигнала. Определены режимы работы ПТШ и значения уровней СВЧ- и оптического сигналов, при которых наблюдается максимальное проявление эффектов усиления или подавления высших гармоник в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителя под действием оптического излучения.

11. С помощью численного моделирования характеристик СВЧ-усилителя на основе решения системы дифференциальных уравнений, описывающих мгновенные значения токов и напряжений как функции времени в узлах и цепях эквивалентной схемы усилителя, параметры нелинейных элементов которой зависят как от уровня СВЧ-сигнала, так и от мощности оптического излучения, адекватно описаны основные особенности изменения как статических характеристик ва Аэ ПТШ, так и спектральных характеристик выходного сигнала СВЧ-усилителя на его основе при воздействии на ПТШ оптического излучения в режиме большого сигнала.

12. Разработаны и созданы новые типы СВЧ-измерителей параметров тонких металлических пленок и диэлектрических слоев, параметров вибраций и перемещений, электропроводности водных растворов, принцип действия которых основан на использовании эффектов нелинейного взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниковыми СВЧ-генераторами.

Автор выражает глубокую благодарность научному консультанту диссертационной работы — академику МАН ВШ, доктору физико-математических наук, профессору,

Дмитрию Александровичу Усанову за большую помощь, оказанную во время работы над диссертацией, полезные советы и ценные замечания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию взаимодействия с полупроводниковыми элементами электромагнитных полей с учетом сложного характера их распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала, оптического излучения, постоянных электрических и магнитных полей.

В результате решения этой научной проблемы установлены новые физические закономерности в модуляционных характеристиках полупроводниковых приборов СВЧ; новые физические эффекты, наблюдающиеся в этих приборах при воздействии электромагнитного излучения оптическиго и СВЧ-диапазонов, постоянных электрических и магнитных полей; разработаны, созданы и внедрены новые типы твердотельных СВЧ-устройств, обладающие улучшенными характеристиками по сравнению с известными устройствами аналогичного назначения, что имеет важное народнохозяйственное значение.

Все основные защищаемые научные положения теоретически обоснованы и подтверждены результатами экспериментов.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Скрипаль, Александр Владимирович, 1998 год

1. Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов.радио, 1968. 480 с.

2. Левинштейн М. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С. Эффект Ганна/Под ред. С. М. Рывкина. М.: Сов.радио, 1975. 288 с.

3. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ/Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана. Пер. с англ. под ред. В. С. Эткина. М.: Мир, 1979. 444 с.

4. Кэролл Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах/Пер. с англ. под ред. Б. JI. Гельмонта. М.: Мир, 1972. 384с.

5. Царапкин Д. П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. М.: Радио и связь, 1981. 112с.

6. Каганов В. И. СВЧ полупроводниковые передатчики. М.: Радио и связь, 1981. 400 с.

7. Давыдова Н. С., Данюшевский Ю. 3. Диодные генераторы и усилители СВЧ. М.: Радио и связь, 1986. 184 с.

8. Хотунцев Ю. JI., Тамарчак Д. Я. Синхронизированные генераторы и автодины на полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1982. 240 с.

9. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генера-торах/Н. Н. Фомин, В. С. Андреев, Э. С. Воробейчиков и др. М.: Радио и связь, 1991. 192 с.

10. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение/Под ред. Г. Уот-кинса. Пер. с англ. под ред. В. С. Эткина. М.: Мир, 1972. 662с.

11. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с.

12. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия/Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 632 с.

13. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение/Под ред. В. И. Стафеева. М.: Мир, 1968. 376 с.

14. Розанов Б. А., Розанов С. Б. Приемники миллиметровых волн. М.: Радио и связь, 1989. 168 с.

15. СВЧ-устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет/Под ред. И. В. Мальского, Б. В. Сестрорецкого. М.: Сов.радио, 1969. 580 с.

16. Полупроводниковые параметрические усилители и преобразователи СВЧ/Под ред. В. С. Эткина. Мл Радио и связь, 1983. 304 с.

17. Вайсблат А. В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. М.: Радио и связь, 1987. 120 с.

18. Тагер А. С. Некоторые тенденции развития полупроводниковых приборов СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1977. Вып. 11. С.21-39.

19. Тагер А. С. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ//Литовский физич. сб. 1981. №4. С. 23-44.

20. Тагер А. С. Предельные параметры полупроводниковых СВЧ-приборов и их связь с характеристиками полупроводникового материала // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1979. Т. 22, №10. С. 5-16.

21. Кальфа А. А., Тагер А. С., Темное А. М. Полупроводниковые приборы СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 1993. Вып. 1. С. 34-45.

22. Кальфа А. А. Полевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием. Современное состояние и перспективы развития // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. Вып. 9(403). С. 33-47.

23. Тагер А. С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспектива их применения в электронике СВЧ. Ч. I. Физические основы // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. Вып. 9(403). С. 21-34.

24. Sollner Т. С. L. G., Goodhue W. D., Tannenwald P. Е., Parker С. D., Peck D. D. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz//Appl. Phys. Lett. 1983. Vol.43, №6. P. 588-590.

25. Долманов И. H., Толстихин В. И., Еленский В. Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием электронов // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. №7. С. 66-89.

26. Особенности использования полупроводниковых структур со сверхрешеткой в миллиметровом диапазоне волн/М. М. Кечиев, А. А. Костен-ко, Ю. А. Кузнецов и др. // Радиотехника и электроника. 1987. Т. 32, вып. 2. С. 410-415.

27. Brown Е. R., Sollner Т. С. L. G., Goodhue W. D., Parker С. D.

28. Millimeter-band oscillations based on resonant-tunneling in a double-barrier diode at room temperature//Appl. Phys. Lett. i987. Vol. 50. P. 83-85.

29. Brown E. R., Soderstrom J. R., Parker C. D., Mahoney L. J., Mo-Ivar К. M., McGill Т. C. Oscillations up to 712 GHz in In As/Al Sb resonant-tunneling diodes // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol.58, №5. P. 2291-2293.

30. Physics of quantum electron devices/Ed. by F. Capasso. Berlin: Springer, 1990. 320 p.

31. Твердотельные гибридно-интегральные СВЧ-генераторы малой и повышенной мощности/В. А. Мальцев, А. И. Афанасьев, И. И. Бродуленко и др. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 1993. Вып. 1. С. 46-56.

32. Микроэлектронные устройства СВЧ / Г. И. Веселов, Е. Н. Егоров, Ю. Н. Алехин и др. М.: Высш. шк., 1988. 280 с.

33. Тараненко А. С., Коцержинский Б. А., Ткаченко JI. А., Мачус-ский Е. А. Электрическая перестройка частоты твердотельных СВЧгенераторов варакторами // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1976. Т. 19, № 10. С.5-15.

34. Тараненко А. С., Коцержинский Б. А., Мачусский Е. А. Твердотельные генераторы СВЧ-колебаний миллиметрового диапазона радиоволн// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1978. Т. 21, №10. С. 4-23.

35. Ильченко М. Е., Осипов В. Г. Электрически управляемые СВЧ-переклю-чатели на полупроводниковых диодах // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1977. Т. 20, № 11. С. 5-17.

36. Скворцова Н. Е. ГенератЬры миллиметрового диапазона на эффекте Ганна//Радиотехника и электроника. 1984. Т. 29, №5. С. 817-829.

37. Лебедев И. В., Шнитников А. С., Купцов Е. И. Твердотельные СВЧ-ограничители — проблемы и решения // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28, №10. С. 34-41.

38. Состояние и основные проблемы разработки генераторов милиметро-вого диапазона на диодах Ганна/Н. А. Васильев, В. С. Лукаш, В. В. Муравьев, В. И. Шалатонин//Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28, № 10. С. 42-50.

39. Макаренко А. С. Фазовые модуляторы СВЧ на полупроводниковых диодах // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1984. Т. 27, №1. С. 3-9.

40. Гусятинер М. С., Горбачев А. И. Полупроводниковые СВЧ-диоды. М.: Радио и связь, 1983. 224 с.

41. Виненко В. Г., Красовский С. В., Усанов Д. А. СВЧ-ограничители мощности на полупроводниковых диодах. М.: ЦНИИ Электроника, 1988. 45 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. Вып. 3.)

42. Каплан А. Е., Кравцов Ю. А., Рылов В. А. Параметрические генераторы и делители частоты. М.: Сов.радио, 1966. 335 с.

43. Полупроводниковые преобразователи/Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1980. 176 с.

44. Валиев К. А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М.: Наука, 1986. 144 с.

45. Лебедев И. В. Нелинейные свойства и характеристики СВЧ р — i — го-диодов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1992. Т. 35, № 10. С. 17-26.

46. Коцержинский Б. А., Парфенов А. А., Тараненко В. П. Твердотельные отражательные усилители миллиметрового диапазона волн // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1979. Т. 22, №10. С. 30-44.

47. Колосов М. В., Перегонов С. А. СВЧ-генераторы и усилители на полупроводниковых приборах. М.: Сов.радио, 1974. 80 с.

48. Полупроводниковые приборы СВЧ/Пер. с англ. под ред. Ф. Бренда. М.: Мир, 1972. 146 с.

49. Малышев В. А. Бортовые активные устройства СВЧ. Л.: Судостроение, 1990. 264 с.

50. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзи-сторов/В. И. Никишин, Б. К. Петров, В. Ф. Сыноров и др. // М.: Радио и связь, 1989. 144 с.

51. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принцип работы и технология изготовления/Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделоула. Пер. с англ. под ред. Г. В. Петрова. М.: Радио и связь, 1988. 496 с.

52. Игнатов А. Н. Полевые транзисторы и их применение. М.: Радио и связь, 1984. 216 с.

53. Окснер Э. С. Мощные полевые транзисторы и их применение: Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1985. 288 с.

54. Шварц Н. 3. Усилители СВЧ на полевых транзисторах. М.: Радио и связь, 1987. 200 с.

55. Савельев В. С. Арсенид-галлиевые СВЧ-полевые транзисторы. М.: ЦНИИ Электроника, 1978. 46 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. Вып. 5.)

56. Автогенераторы СВЧ-диапазона на полевых транзисторах с затвором Шоттки/Г. В. Петров, А. И. Толстой, А. В. Храмов, В. Г. Еленский // Зарубежная радиоэлектроника. 1980. № 7. С. 38-54.

57. Егудин А. Б., Чкалова О. В., Еленский В. Г. Малошумящие СВЧ-полевые транзисторы с барьером Шоттки // Зарубежная радиоэлектроника.1980. №10. С. 28-48.

58. Определение параметров транзисторов в схемах СВЧ/Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. Н. Посадский // М.: ЦНИИ Электроника,1981. 42 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. Вып. 9.)

59. Гурова И. И. СВЧ-генераторные устройства на полевых транзисторах // Зарубежная радиоэлектроника. 1979. №6. С. 19-31.

60. Муравьев В. В., Наумович Н. М. Современное состояние и основные проблемы разработки СВЧ-транзисторов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1982. Т. 25, №10. С. 42-45.

61. Петров Г. В., Храмов А. В., Еленский В. Г. Малошумящие автогенераторы на полевых транзисторах с барьером Шоттки // Зарубежная радиоэлектроника. 1983. №3. С. 24-37.

62. Петров Г. В., Еленский В. Г., Храмов А. В. Транзисторные автогенераторы, стабилизированные диэлектрическими резонаторами // Зарубежная радиоэлектроника. 1985. №2 4. С. 76-87.

63. Транзисторные интегральные схемы миллиметрового диапазона/ Г. В. Петров, В. Г. Еленский, А. И. Толстой и др. // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. №6. С. 67-79.

64. Пожела Ю. К. Плазма в полупроводниках и неустойчивости в коротковолновой части СВЧ-диапазона // Литовский физич. сб. 1981. №4. С. 3-21.

65. Пожела Ю. К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977. 368 с.

66. Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971. 289 с.

67. Шелль Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами/Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 464 с.

68. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 616 с.

69. Бонч-Бруевич В. JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.

70. Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводников. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.

71. Валиев К. А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл — полупроводник в электронике. М.: Сов.радио, 1990. 264 с.

72. Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой р — n-перехода в полупроводниках. Д.: Энергия, 1980. 152 с.

73. Родерик Э. X. Контакты металл — полупроводник. М.: Сов.радио, 1982. 208 с.

74. Пикус Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. 448с.

75. Шур М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. М.: Мир, 1992.

76. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с. Кн. 2. 456 с.

77. Вендик О. Г. Поиск новых физических явлений в твердом теле для использования в электронике СВЧ // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1980. Т. 23, № 10. С.4-11.

78. Усанов Д. А. Изменение характеристик полупроводниковых приборов при воздействии на них СВЧ-излучения // Изв. вузов. Электроника. 1997. №1. С.49-52.

79. Бонч-Бруевич В. JI., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 416 с.

80. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996. 236 с.

81. Коцержинский Б. А. Аппроксимационные модели электродинамических систем твердотельных устройств миллиметрового диапазона длин волн // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1983. Т. 26, № 10. С. 38-45.

82. Швингер Ю. Неоднородности в волноводах // Зарубежная радиоэлектроника. 1970. №3. С. 5-104.

83. Эйзенхарт Р., Кан Р. Теоретическое и экспериментальное исследование держателя СВЧ-элемента в волноводе // Зарубежная радиоэлектроника. 1971. №8. С. 102-125.

84. Chang К., Khan R. J. Analysis of a narrow capacitive strip in waveguide // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1974. Vol.MTT-22, №5. P. 536-541.

85. Jethwa С. P., Gunshor R. L. Analytical equivalint circuit representation for waveguide-mounted Gunn oscillators // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1972. Vol. MTT-20, №9. P. 565-572.

86. Dean M., Howes M. J. Electronic tuning of stable transferred electron oscillators//IEEE Trans. Electron Dev. 1974. Vol.ED-21, №9. P. 563-570.

87. Mizushina S., Knwabara N., Kondoh H. Theoretical analysis of a ridged-waveguide-mounting structure // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1977. Vol. MTT-25, №12. P. 1131-1134.

88. El-Sayed O. L Impedance characterization of a two-post mounting structure for varactor-tuned Gunn oscillators // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1974. Vol. MTT-22, №8. P. 769-776. ,

89. Joshi J. S, Cornick J. A. F. Analysis of waveguide mounting configuration for electronically tuned transferred-electron-device oscillators and its curcuit application // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1976. Vol. MTT-24, №9. P. 573-589.

90. Joshi J. S, Cornick J. A. F. Analysis of waveguide post configuration: Part 1 — Gap junnittans matrices // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1977. Vol. MTT-25, №3. P. 169-173.

91. Joshi J. S, Cornick J. A. F. Analysis of waveguide post configuration: Part 2 — Dual-gap cases // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1977. Vol. MTT-25, № 3. P. 173-181.

92. Joshi J. S, Cornick J. A. F. Analysis of waveguide post configuration: Part 3 — Influence of general waveguide terminations // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1978. Vol. MTT-26, №4. P. 319-320.

93. White J. F. Simplified theory for post coupling Gunn diodes to wavequide // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1972. Vol. MTT-20, №6. P. 372-378.

94. Виненко В. Г., Усанов Д. А. Методы расчета волноводных устройств со стержневыми держателями // Зарубежная радиоэлектроника. 1982. № 10. С.69-85.

95. Усанов Д. А., Вагарин А. Ю. Немонотонная зависимость затухания волны в волноводе от проводимости и толщины помещенного в него полупроводника // Радиотехника и электроника. 1978. Т. 23, №3. С. 470-474.

96. Усанов Д. А., Виненко В. Г., Горбатов С. С. К расчету характеристик волноводных управляющих устройств на р — i — n-диод ах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. Вып. 4. С. 60-61.

97. Усанов Д. А., Феклистов В. Б., Вагарин А. Ю. Влияние высших типов волн на затухание волны в волноводе, содержащем полупроводник // Радиотехника и электроника. 1979. Т. 24, №8. С. 1681-1683.

98. Усанов Д. А., Орлов В. Е. Немонотонная зависимость затухания электромагнитной волны от уровня инжекции в р — i — n-диодных структурах, помещенных в волновод // Радиотехника и электроника. 1987. Т. 32, №5. С.1129-1131.

99. Виненко В. Г., Усанов Д. А., Лицов А. А. Влияние высших типов колебаний на характеристики волноводных управляющих устройств на р — i — п-диодах // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28, №1. С. 201-203.

100. Влияние высших типов колебаний на частоту перестраиваемого волноводного генератора Ганна/А. А. Лицов, Д. А. Усанов, Б. П. Без-ручко, А. Ю. Вагарин // Радиотехника и электроника. 1984. Т. 29, №10. С.2057-2058.

101. Лицов А. А., Усанов Д. А. Резонансный переключатель СВЧ-диапазона на р — i — п-диоде // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 11. С. 6-8.

102. Красовский С. В., Усанов Д. А. Скачкообразные изменения характеристик СВЧ-ограничителей на р — i — п-диодах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 12. С. 7-9.

103. Виненко В. Г., Красовский С. В., Усанов Д. А. Спектральный состав выходного сигнала СВЧ-ограничителей мощности на р — i — п-диодах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. Вып. 8. С. 7-9.

104. Красовский С. В., Родина Л. П, Усанов Д. А. Явление удвоения периода в квазиактивном ограничителе на р — i — п-диодах // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1993. Т. 36, №2. С. 77-80.

105. Лебедев И. В., Шнитников А. С. Характеристическая частота полупроводниковой диодной структуры // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, №6. С. 750-758.

106. Виненко В. Г., Красовский С. В., Усанов Д. А. Модуляция выходного сигнала в СВЧ-ограничителях мощности на р — i — п-диодах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.4. С. 38-39.

107. А. с. 1297139 СССР, МКИ HOIR 1/22. СВЧ-ограничитель/Виненко В. Г., Красовский С. В., Усанов Д. А. (СССР). №3969165/24-09; Заявл. 28.10.85; Опубл. 15.03.87; Бюл. № 10.

108. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Семенов А. А. Изменение вида вольт-амперной характеристики диода Ганна в зависимости от режима его работы на СВЧ//Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1991. Т. 34, №5. С. 107-108.

109. Усанов Д. А., Вениг С. Б., Горбатов С. С., Семенов А. А. Смена знака нелинейной составляющей реактивности и гистерезис у диодов Ганна в режиме генерации//Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20, вып. 21. С. 21-23.

110. Усанов Д. А., Горбатов С. С. Генерация субгармоник в СВЧ-усилителях на диодах Ганна // Тез. докл. VII Всесоюз. симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках». Паланга, 1989. Т. 4.1. С. 77-78.

111. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Вениг С. Б., Семенов А. А. Синхронизация мод в СВЧ-генераторах на диодах Ганна // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18, вып. 12. С. 26-27.

112. Усанов Д. А., Вениг С. Б., Горбатов С. С., Семенов А. А. Влияние нелинейного характера импеданса диодов Ганна на работу СВЧ-генераторов на их основе // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 1994. Т. 2, №5. С. 35-45.

113. Усанов Д. А., Вениг С. Б., Горбатов С. С., Семенов А. А. Модуляция выходного сигнала генератора на диоде Ганна под воздействием на него внешнего СВЧ-сигнала//Изв. вузов. Радиофизика. 1995. Т. 38, №9. С. 982-988.

114. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Семенов А. А. Двухчастотный режим работы СВЧ-усилителя на диоде Ганна //Изв. вузов. Радиофизика. 1990. Т. 33, №12. С. 1429-1430.

115. Усанов Д. А., Безменов А. А. Детектирование СВЧ-полевыми транзисторами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 2. С. 19-21.

116. Усанов Д. А., Вагарин А. Ю., Безменов А. А. Об использовании детекторного эффекта в генераторах на лавинно-пролетных диодах для измерения диэлектрической проницаемости материалов // Дефектоскопия. 1981. №11. С. 106-107.

117. Усанов Д. А., Вагарин А. Ю., Вениг С. Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ-генераторе на диоде Ганна для измерения параметов диэлектриков // Дефектоскопия.; 1985. №6. С. 78-82.

118. Вендик Й. Б., Геворкян С. Ш., Хижа Г. С. Оптически управляемые СВЧ-устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. № 9. С. 10-22.

119. Капилевич Б. Ю. Тенденции применения оптически управляемых полупроводниковых структур в устройствах СВЧ-диапазона // Зарубежная радиоэлектроника. 1989. №9. С. 75-82.

120. Yen Н. W. Optical thechnology for microwave and millimeter wave monolithic circuits // Symposium, June 4-5, 1986. Baltimore, 1986. P. 33-34.

121. Солганик Б. Д., Невгасимый А. Ф., Скорик Е. Т. Оптоэлектронные СВЧ управляющие устройства // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1978. Т. 21, №12. С. 88-91.

122. Schlafer J., Lauer R. В. Microwave packaging of optoelectronic components // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol.MTT-38, №5. P. 518-523.

123. Ринкус В. В. Оптоэлектронные управляющие СВЧ-устройства // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. 1991. Вып. 9. С. 20-28.

124. Seeds A. J., Salles A. A. Optical Control of Microwave Semiconductor Devices// IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol.MTT-38, №5. P. 577-585.

125. Андреев В. С., Макаров Н. В. Оптическое управление полупроводниковыми приборами СВЧ // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38, № 10. С.17-33.

126. Forrest J. R., Salles A. A. Optics control microwaves // Microwave System News. 1981. Vol.11, №6. P. 112-122.

127. Yu Z., Lin W. A new way to optically control a millimeter-wave oscillators // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol.MTT-38, «№9. P. 1360-1362.

128. Lee С. H. Picosecond optics and microwave technology // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol.MTT-38, №5. P.596-607.

129. Harari J., Journet F., Rabii O., Jin G., Vilcot J. P., Decoster D. Modeling of waveguide PIN photodetectors under very high optical power // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1995. Vol. MTT-43, №9. P. 2304-2310.

130. Управление колебаниями генератора на ЛПД при помощи постоянного оптического излучения/Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас, М. Ю. Филатов, Г. Э. Шименас // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 8. С. 11-19.

131. Kiehl R. A. Behaviour and dynamics of optically controlled TRAPATT oscillators // IEEE Trans. Electron Dev. 1978. Vol. ED-25, № 6. P. 703-710.

132. Indirect subharmonic optical injection locking of a millimeter-wave IMPATT oscillator/P. R. Herzfeld, A. S. Daryoush, A. Rosen et. al // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1986. Vol. MTT-34, № 12. P. 1371-1376.

133. Kiehl R. A. Optically induced AM and FM in IMPATT diode oscillators // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. Vol. ED-27, № 2. P. 426-432.

134. Овечкин С. M. Управление работой генераторов на ЛПД с помощью света малой интенсивности // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1982. Вып. 9. С. 72-73.

135. Vyas Н. P., Gutmann R. Т., Borrego J. М. Leakage current enhancement in IMPATT oscillators by photo exitation//Electron. Lett. 1997. Vol.13, №7. P. 189.

136. Forrest J. R., Seeds A. J. Analysis of the optically controlled IMPATT (OPCAD) oscillator//Solid State Electron Dev. 1979. Vol.3, №5. P. 161-169.

137. Вайтекунас Ф. К., Вишняускас Ю. В., Филатов М. Ю., Шименас Г. Э., Юозайтис А. А. Исследование оптической амплитудной модуляции генератора импульсов на TRAPATT диоде // Тез. докл. X Всесоюз. науч. конф. «Электроника СВЧ». Минск, 1983. Т. 2. С. 188-189.

138. Киль Р. А., Хибрей Р. Э. Быстродействующий импульсный СВЧ-передатчик с использованием оптической модуляции // ТИИЭР. 1978. Т. 66, №6. С. 96-97.

139. Daryoush A. S., Herezfeld P. R., Turski Z., Wahi Р. К. Comparis on of infrared optical injection-locking techiques of multiple X-band oscillators // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1986. Vol. MTT-34, № 12. P. 1363-1370.

140. Daryoush A. S., Herezfeld P. R. Indirect optical injection-locking of multiple X-band oscillators//Electron. Lett. 1986. Vol.22, №3. P. 133-134.

141. Haydl W. H., Solomon R. The effect of illumination of Gunn oscillations in epitaxial GaAs//IEEE Trans. Electron Dev. 1968. Vol.ED-15, №11. P. 941-942.

142. Левинштейн M. E. Влияние освещения на параметры диодов Ганна // ФТП. 1973. Т. 7, вып. 7. С. 1932-1937.

143. Adams R. F., Schulte H. J. , Optically triggerable domains in Gunn diodes // Appl. Phys. Lett. 1969. Vol.15, №8. P. 265-387.

144. Igo Т., Ohwado K., Nogichi J. Regenerative light pulse detection using the Gunn effect // Japan J. Appl. Phys. 1970. Vol. 9, № 10. P. 1283-1285.

145. Коварский В. А., Синявский Э. П. О возможности управления ганновской неустойчивостью с помощью лазера // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1, №24. С.1123-1125.

146. Nurmikko А. V., Schwarts В. D., Jamision S. A. Infrared field induced Gunn oscillations in GaAs//Solid State Electron. 1978. Vol.21, №1. P. 241-245.

147. Функциональные оптоэлектронные приборы на основе диодов Ганна с глубокими центрами/В. В. Жиделев, С. А. Костылев, JI. М. Погорелая,

148. B. Н. Привалов // Космические исследования на Украине: Респ. межвед. сб. Киев, 1974. Вып. 5. С. 25-28.

149. Докторевич М. М., Шинкаренко В. Г. Сигнальные характеристики ав-тодинного фоторезистивного приемника на генераторе Ганна // Радиотехника и электроника. 1982. Т. 27, № 5. С. 1026-1034.

150. Докторевич М. М., Шинкаренко В. Г. Сигнальные характеристики авто-динного фоторезистивного приемника на диоде Ганна при самодетектировании Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28, №2. С. 380-386.

151. Трухан Э. М., Дерябкин В. Н., Скачков М. П. Простой метод регистрации фотопроводимости на сверхвысокой частоте ПТЭ. 1976. № 3. С. 227-229.

152. Подчищаева О. В. Перестройка частоты генератора на планарном диоде Ганна из фосфида индия с помощью оптической накачки // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40, вып.1. С. 161-162.

153. Lau К. Y. Semiconductor sources and detectors in fiber-optic systems // Microwave J. 1985. Vol.28, №4. P.97-107.

154. Yen H. W., Barnoski M. K. Optical injection locking and switching of transistor oscillators//Appl. Phys. Lett. 1978. Vol.32, №3. P. 182-184.

155. Бочарова И. А., Рыжов M. П. Исследование влияния оптического излучения на статические характеристики полевых транзисторов с затвором Шоттки // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988. Вып. 1.1. C. 9-13.

156. Джамгарян Р. Н. СВЧ-характеристики малошумящего усилителя на Ga As полевом транзисторе при оптическом воздействии // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып.З. С. 38-40.

157. Mizuno Н. Microwave characteristics of an optically controlled GaAs MESFET// IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1983. Vol.MTT-31, №7. P. 596-600.

158. Berceli Т., Chapman A. Improved linearity of MESFET amplifiers with optical illumination // Proc. 17 European Microwave Conf., Sept. 1987. Rome, P. 814-819.

159. Salles A. A. Optical control of GaAs MESFET's // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1983. Vol.MTT-31, №10. P.812-820.

160. Warren D., Golio J. M., Johnson E. Simulation of optically injection-locked microwave oscillators using a Novel SPICE model // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1988. Vol.MTT-36, №11. P. 1535-1539.

161. Salles A. A., Forrest J. R. Initial observations of optical injection locking of GaAs metal semiconductor field effect transistor oscillators // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol.38, №5. P.392-394.

162. Sugeta Т., Mizushima Y. High speed photoresponse mechanism of a GaAs MESFET//Japan J. Appl. Phys. 1980. Vol.19. P. 27-29.

163. Gammel J. C., Ballantyne J. M. Comments on high speed photoresponse mechanism of a GaAs MESFET// Japan J. Appl. Phys. 1980. Vol.19. P. 273-275.

164. Graffeuil J., Rossel P., Martinot H. Light-induced effects in GaAs FET's // Electron. Lett. 1979. Vol.15, №14. P. 439-441.

165. Акчурин Г. Г., Сучков С. Г. Возбуждение СВЧ-сигналав ПТШ с помощью лазерного излучения // Изв. вузов. Электроника. 1996. № 1-2. С. 99-106.

166. Gautier J. L., Pasquet D., Ponvil P. Optical effects on the static and dynamic characteristics of a GaAs MESFET // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1985. Vol.MTT-33, №9. P. 819-822.

167. Rossek S. J., Free С. E. Optically controlled microwave switching and phase shifting using GaAs FET's // IEEE Microwave and Guided Wave Lett. 1995. Vol.5, №3. P.81-83.

168. Simons R. N., Bhasin К. B. Analysis of opticaly controlled microwave millimeter-wave device structures // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1986. Vol. MTT-34, №12. P. 1349-1355.

169. Simons R. N. Microwave perfomance of an optically controlled AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor and GaAs MESFET // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1987. Vol. MTT-35, № 12. P. 1444-1455.

170. Нага E. H., Mac Donald R. I. A broad band optoelectronic microwave switch // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1980. Vol.MTT-28, №6. P. 662-665.

171. Ni D. C., Fetterman H. R., Chew W. Millimeter-wave generation and characterization of a GaAs FET by optical mixing // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol. MTT-38, №5. P. 608-614.

172. Berceli T. Dinamic properties of optical-microwave mixing processes utilizing FET devices//IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1995. Vol. MTT-44, №9. P.2330-2333.

173. A 2 to 10 GHz GaAs MMIC optoelectronic phase detector for optical microwave signal generators/M. Bruun, U. Gliese, T. N. Nielsen et. al. // Microwave J. 1994. Vol.37, №8. P.94-100.

174. Optically generated 60 GHz millimeter waves using Al Ga As/In Ga As HEMT's integrated with both quasi-optical antenna circuits and MMIC's/D. V. Plant, D. C. Scott, H. R. Fetterman et. al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1992. Vol.4, №1/ P. 102-105.

175. Paolella A., Herczfeld P. R. Optical control of GaAs MMIC transmitt receive module // IEEE MTT Microwave Symp. Dig. New York, 1988. Vol. 2. P. 959-962.

176. Вендик И. Б., Геворкян С. HI., Хижа Г. С. Волоконно-оптические ФАР // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. №11. С. 86-93.

177. Каринский С. С. Устройства на основе одномодовых волоконно-оптических линий для передачи и обработки СВЧ-сигналов // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. №3. С. 82-92.

178. Гринев А. Ю., Зайкин А. Е. Фазированные антенные решетки КВЧ-диапазона с оптическим и электронно-лучевым управлением // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1993. Т. 36, №5. С. 3-17.

179. Szustakowski М. Optical control network phased array antennas // Proc. 11 International Microwave Conf. MIKON-96, May 27-30, 1996. Warsaw (Poland), 1996. Workshops. P. 49-67.

180. Levinstein M. E, Nasledov D. N., Shur M. S. Magnetic field influence on the Gunn effect//Phys. Stat. Sol. 1969. Vol.33, №2. P.897-903.

181. Boardman A. D, Fawcett W, Ruch J. G. Monte-Carlo determination of hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). 1971. Vol.4, №1. P. 133-141.

182. Heinle W. Influence of magnetic field on the Gunn effect characteristic of Ga As // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. Vol.2, №1. P. 115-121.

183. Горфинкель В. Б., Левинштейн М. Е., Машовец Д. В. Влияние сильного поперечного магнитного поля на эффект Ганна // ФТП. 1979. Т. 13, вып. 3. С.563-569.

184. Значительное уменьшение порогового поля эффекта Ганна в сильном магнитном поле/А. А. Андронов, В. А. Валов, В. А. Козлов, JI. С. Мазов // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 372, вып. 11. С. 628-632.

185. Ishii Т., Koryn P. Theoretical model of magnetic effect on the Gunn diode // Proc. IEEE. 1983. Vol.71, №1. P. 180-181.

186. Жаворонков В. И., Эткин B. C. Исследование влияния магнитного поля на генерацию СВЧ-колебаний при эффекте Ганна // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20, вып. 11. С. 2416-2417.

187. Воробьев В. Н. Влияние магнитного поля на ширину динамических вольт-амперных характеристик диодов Ганна // Радиотехника и электроника. 1972. Т. 17, №5. С. 1046-1050.

188. Воробьев В. Н., Дранников Г. Р. К исследованию низкочастотных колебаний при эффекте Ганна в магнитном поле // Радиотехника и электроника. 1972. Т. 17, №5. С. 1100-1103. !

189. Бондаренко С. С., Бородаев В. А., Рудавин Е. Р. Транзисторный автогенератор с перестройкой по частоте//Радиотехника. 1987. №7. С. 26-28.

190. Пожела Ю., Юценё В. Физические и технологические проблемы повышения быстродействия транзисторов//Литовский физич. сб. 1992. Т. 32. С. 163-201.

191. Ашмонтас С. Электроградиентные явления в полупроводниках/Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1984. 183 с.

192. Усиление электромагнитных волн в волноводно-щелевой линии на п — GaAs/B. И. Борисов, Т. А. Брянцева, A. JI. Галанин и др. // Радиотехника и электроника. 1981. Т. 26, №1. С. 173-176.

193. Гуляев Ю. В., Любченко В. Е. Полупроводниковая интегральная техника миллиметрового диапазона // Докл. АН СССР. 1980. Т. 250, № 5. С. 1116-1118.

194. Красовский А. В., Морозов Ю. А., Синицын Н. И. Переходные процессы при перестройке частоты в двухконтурном СВЧ-генераторе с запаздыванием в нелинейном элементе // Радиотехника и электроника. 1990. Т. 35, №6. С.1266-1273.

195. А. с. 1389612 СССР. Варакторный диод/Гусельников Н. А., Никулов В. В., Снегирев В. П., Тагер А. С. (СССР). Заявл. 29.01.86.

196. Исследование диодов Ганна из арсенида галлия в коротковолновой части миллиметрового диапазона/В. В. Аверин, Б. Ф. Горбик, С. Б. По-реш, А. С. Тагер // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1983. Вып. 6. С. 24-28.

197. А. с. 897062 СССР. Полевой транзистор/Кальфа А. А., Тагер А. С. (СССР). Заявл. 03.09.80.

198. Кальфа А. А., Крюков А. Р., Тагер А. С. Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных резонансно-туннельных диодов // ФТП. 1992. Т. 26, вып. 5. С. 896-899.

199. Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной гетерострук-турой на полуизолирующей подложке/А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, Б. К. Медведев и др. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16, вып. 20. С. 76-78.

200. Lee К., Shur M. S., Drummond T. J., Morkoc H. Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of modulation-doped field-effect transistors // IEEE Trans. Electron Dev. 1983. Vol. ED-30, №3. P. 207-212.

201. Любченко В. E., Мартяхин В. А. Усиление миллиметровых волн при взаимодействии с дрейфующими электронами в слоистых полупроводниковых диэлектрических волноводах // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38, № 10. С.1900-1903.

202. Волков Л. В., Любченко В. Е., Тихомиров С. А. Двумерные матрицы антенно-связанных диодов с барьером Шоттки для формирования изображений в миллиметровом диапазоне волн // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40, №2. С. 322-324.

203. Брянцева Т. А., Любченко В. Е., Юневич Е. О. Диоды Шоттки с пониженным барьером на основе тонкопленочных контактов Au+Ge/GaAs // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40, №8. С. 1306-1310.

204. Климов Б. Н. Взаимодействие горячих носителей заряда с коротковолновым СВЧ-излучением. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1976. 224 с.

205. Басс Ф. Г., Гуревич Ю. Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М.: Наука, 1975. 352 с.

206. Басс Ф. Г., Бочков В. С., Гуревич Ю. Г. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках. М.: Наука, 1984. 287 с.

207. Кац Л. И., Сафонов А. А. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 4.1. 140 с.

208. Кац Л. И., Сафонов А. А. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 4.2. 134 с.

209. Шишкин Г.Г. Плазма твердого тела в электронике // Зарубежная радиоэлектроника. 1971. №8. С. 69-91.

210. Коровин В. И., Шишкин Г.Г. Невзаимные СВЧ-приборы, использующие плазму полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника. 1975. №3. С.93-122.

211. Рабинович М. И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука, 1984. 432 с.

212. Андрушкевич А. В., Кипчатов А. А. Хаос и периодичность в генераторе на туннельном диоде // Изв. вузов. Радиофизика. 1990. Т. 33, №4. С. 431-434.

213. Анищенко В. С. Сложные колебания в простых системах. М.: Наука, 1990. 311с.

214. Анищенко В. С., Постнов Д. Э., Хованов И. А., Шульгин Б. В.

215. Стохастический резонанс в бистабильной электрической цепи // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 1995. Т.З, №5. С. 16-25.

216. Безручко Б. П., Гуляев Ю. В., Пудовочкин О. Б., Селезнев Е. П.

217. Мультистабильность в колебательных системах с удвоением периода и однонаправленной связью // Докл. АН СССР. 1990. Т. 314, №2. С. 332-336.

218. Безручко Б. П. Особенности возбуждения субгармонических и хаотических колебаний в контуре с диодом // Радиотехника и электроника. 1991. Т. 36, №1. С. 39-43.

219. Безручко Б. П., Кулешов А. В., Потапов В. Т., Пономаренко В. И.

220. Нелинейные явления в колебательной системе с фотодиодом // Радиотехника и электроника. 1991. Т. 36, №2. С. 387-391.

221. Усанов Д. А., Кабанов Л. Н. Об использовании п — 1п Аз для создания полупроводниковых невзаимных СВЧ-устройств // Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19, №2. С. 452-454.

222. У санов Д. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу // Приборы и техника эксперимента. 1985. №1. С. 254.

223. Усанов Д. А., Безменов А. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины диэлектрических пленок, напыляемых на металл // Приборы и техника эксперимента. 1986. №4. С. 227-228.

224. Медведев Ю. В., Петров А. С. Анализ работы фоторезистивных приемников с СВЧ-смещением // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1972. Т. 15, № 10. С. 93-97.

225. Ахманаев В. Б., Медведев Ю. В., Петров А. С. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов//Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 4. С. 49-51.

226. Гордиенко КЗ. Е. Определение характеристик объемных резонаторов со слоистым заполнением // Радиотехника. Харьков: Харьков, ун-т, 1982. Вып. 60. С. 17-23.

227. Прибор для измерения толщины полупроводниковых эпитаксиаль-ных пленок на низкоомных подложках/Ю. Е. Гордиенко, В. В. Старостен-ко, Н. А. Дудкин, В. Е. Шевченко // Приборы и техника эксперимента. 1974. №4. С. 196-199.

228. Григулис Ю. К. Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур. Рига: Зинанте, 1970. 272 с.

229. Гаврилин В. В., Григулис Ю. К., Поринып В. М. Электромагнитные радиоволновые приборы для контроля слоев полупроводниковых и метал-личских структур. Рига: Зинанте, 1982. 162 с.

230. Конев В. А., Кулешов Е. М., Пунько Н. Н. Радиоволновая эллипсо-метрия/Под ред. И. С. Ковалева. Минск: Наука и техника, 1985. 104 с.

231. Мошинский А. В. Электродинамический анализ стержневого держателя для активных СВЧ-элементов в прямоугольном волноводе // Радиотехника и электроника. 1980. Т. 25, №3. С. 487-498.

232. А. с. 1448821 СССР, МКИ G01 В 15/02./Усанов Д. А., Тупикин В. Д., Скри-паль А. В., Скрипаль Ан. В. (СССР). №4102803/24-28; Заявл. 05.08.86.

233. А. с. 1831121А1 RU, МКИ G01 R27/26./yсанов Д. А., Писарев Д. А., Авдеев А. А., Скрипаль А. В., Тупикин В. Д., Панченко В. С. №4497352/09; Заявл. 20.10.88.

234. Пат. №2094811 RU, МКИ G01R27/26. Устройство на диоде Ганна для измерения параметров диэлектрических материалов/У санов Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н., Авдеев А. А. №95115788/09. Заявл. 07.09.95; Опубл. 27.10.97; Бюл. №°30. 4 с.

235. Пат. №2096791 RU, МКИ G01R27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/У санов Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н., Авдеев А. А. №95115711/09. Заявл. 07.09.95; Опубл. 20.11.97; Бюл. №° 32. 4 с.

236. Неразрушающий контроль / Под ред. В. В. Сухорукова: В 5 кн. М.: Высш. шк., 1991-1993. Кн. 4: Контроль излучениями: Практ. пособие/ Б. Н. Епифанцев, Е. А. Гусев, В. И. Матвеев, Ф. Р. Соснин. 1992. 321с.

237. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Детектирование МЭП-диодами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 10. С. 62-63.

238. Буренин П. В., Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Исследование вольт-амперных характеристик СВЧ МЭП-диодов // В кн.: Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Межвуз. науч. сб. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1981. Вып. 9. С. 35-41.

239. Безменов А. А., Веряскин В. С., Руденко Е .В., Скрипаль А. В., Усанов Д. А. Микрополосковый СВЧ-усилитель на ЛПД // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 10. С. 66-68.

240. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Скрипаль А. В. Особенности низкочастотной генерации СВЧ-диодов Ганна // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1981. Т. 24, №10. С. 67-69.

241. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Горбатов С. С. Влияние ИК-излучения на генерацию диодов Ганна // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1982. Т. 25, № 10. С.92-93.

242. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Амплитудная и частотная модуляция СВЧ-излучения генераторов на диодах Ганна оптическим сигналом // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1982. Вып. 6. С. 57-58.

243. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Фотоэффект в диодах Ганна, работающих в режиме генерации // Тез. докл. 2 Респ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1982. С. 26.

244. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Влияние глубоких уровней на характеристики оптоэлектронных СВЧ-устройств // Тез. докл. 5 Всесоюз. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982. С. 168.

245. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Эффект перестройки частоты ганновского генератора под действием лазерного излучения // Тез. докл. 10 Всесоюз. науч. конф. «Электроника сверхвысоких частот». Минск, 1983. Т. 2. С. 22.

246. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Частотная модуляция диодов Ганна, работающих в режиме генерации, при воздействии на них лазерного излучения // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. Вып. 7. С. 27-29.

247. Скрипаль А. В. Исследование влияния.внешних воздействий на работу диодов Ганна в активном режиме //В кн.: Некоторые вопросы современной физики. Науч.-тех. сб. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1984. 4.2. С. 17-24.

248. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. Т. 30, №5. С. 53-55.

249. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Невзаимные свойства диодов Ганна в магнитном поле // Тез. докл. 6 Всесоюз. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1987. Ч. 2. С. 101-102.

250. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. Т. 30, №10. С. 76-77.

251. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Эффект невзаимности в СВЧ-генераторах на диодах Ганна // Тез. докл. 11 Всесоюз. науч. конф. «Электроника СВЧ», 23-25 сентября 1986 г. Орджоникидзе, 1986. Т. 2. Твердотельная электроника СВЧ. С. 162.

252. Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Эффект невзаимности в СВЧ-генераторах на ЛПД // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1988. Т. 31, №10. С. 68-69.

253. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Орлов В. Е. Способ двухкоординатного измерения амплитуды вибраций // Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. «Волновые и вибрационные процессы в машиностроении», сентябрь 1989 г. Горький, 1989. С. 78.

254. Усанов Д. А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е., Скрипаль А. В. Снятие вырождения в р- и п-областях туннельного диода внешним СВЧ-сигналом // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16, вып. 8. С. 50-51.

255. Усанов Д. А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е., Скрипаль А. В. Влияние внешнего СВЧ-сигнала на работу СВЧ-генератора на туннельном диоде // Изв. вузов. Радиофизика. 1991. Т. 34, №1. С. 98-99.

256. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Орлов В. Е. Прибор для дистанционного измерения вибраций // ПТЭ. 1991. №1. С. 242-243.

257. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Скрипаль Ан. В., Ермолаев С. А. Анизотропия отражения СВЧ-излучения от ферромагнитной жидкости // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18, вып. 23. С. 44-45.

258. Усанов Д. А., Тяжлов В. С., Скрипаль А. В. Оптическое управление характеристиками усилителя на арсенид-галлиевом полевом транзисторе с барьером Шоттки // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1992. Т. 35, №8. С. 62-65.

259. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н., Орлов В. Е. Влияние греющего СВЧ-поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода//Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19, вып. 7. С. 81-85.

260. Усанов Д. А., Скрипаль А. ;В., Скрипаль Ан. В., Куренкова О. Н., Орлов В. Е., Писарев В. В. Оптические и радиоволновые измерители вибраций // Сб. науч. трудов «Вибрационные машины и технологии». Курск: Курск, политех, ин-т, 1993. Вып. 2. С. 94-101.

261. Усанов Д. А., Тупикин В. Д., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н. Использование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для создания устройств радиоволнового контроля // Дефектоскопия. 1995. №5. С. 16-20.

262. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Авдеев А. А. О взаимосвязи характеристик диодов Ганна, работающих в режиме генерации, с их сопротивлением в слабых электрических полях // ЖТФ. 1995. Т. 65, вып. 10. С. 197-198.

263. Skripal А. V., Usanov D. A., Tyajlov V. S., Vasilieva А. V. Subharmon-ic generation in GaAs FET amplifier // Proc. 11 International Microwave Conf. MIKON-96, May 27-30, 1996. Warsaw (Poland), 1996. Vol.2. P.450-453.

264. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Тяжлов В. С., Васильева А. В. Оптическое управление характеристиками усилителя на Ga As ПТШ в режиме большого сигнала//Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, №11. С. 1390-1397.

265. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Авдеев А. А., Бабаян А. В. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, №12. С. 1497-1500.

266. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Орлов В. Е., Коротин Б. Н. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодов греющим СВЧ-полем // Изв. вузов. Электроника. 1996. № 1-2. С. 129-133.

267. Usanov D. A., Skripal А. V. Microwave radiation control of semiconductor structures with tunnel-thin p — ntransitons // Proc. of 21 International Conf. on Microelectronics MIEL'97, 14-17 September, 1997. Nis (Yugoslavia), 1997. Vol. 1. P.249-251.

268. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Угрюмова Н. В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в р — i — n-диодных структурах при воздействии СВЧ-излучения // Изв. вузов. Электроника. 1997. № 3-4. С.48-52.

269. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Бабаян А. В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с термостабильностью и выходной мощностью генераторов на их основе // Изв. вузов. Электроника. 1997. №5. С.31-36.

270. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Вагарин А. Ю., Скрипаль Ан. В., Потапов В. В., Шмакова Т. Т., Мосияш С. С. Лазерный автодинный метод контроля динамического состояния биообъектов //Конверсия. 1997. №10. С. 53-55.

271. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Вагарин А. Ю., Скрипаль Ан. В., Потапов В. В., Шмакова Т. Т., Мосияш С. С. Лазерная автодинная интерферометрия динамических параметров биообъектов // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, вып. 5. С. 39-43.

272. Усанов Д. А., Безменов А. А., Скрипаль А. В. Измеритель толщины тонких металлических пленок // Информ. листок о науч.-тех. достижении. Саратов: Изд-во Сарат. ЦНТИ, 1984.

273. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н., Семенов А. А., Авдеев А. А. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий // Информ. листок о науч.-тех. достижении. Саратов: Изд-во Сарат. ЦНТИ, 1988. 25.10.88.

274. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Семенов А. А., Авдеев А. А., Коротин Б. Н. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий // Аннотация экспонатов «Ученые Поволжья — народному хозяйству». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. С. 80.

275. Усанов Д. А., Вениг С. Б., Феклистов В. Б., Скрипаль А. В. Лаб. раб. по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997. 140 с.

276. Brown Е. R. Resonant tunneling in high-speed double-barrier diodes // Hot Electrons in Semiconductor Heterostructures/Ed. by J. Shah. Boston: Academic Press, 1991.

277. Ozbay E., Bloom D. M., Diamond S. K. Resonant tunneling in Semiconductors: Physics and Applications. New York: Plenum, 1991.

278. Кальфа А. А. Полевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием. Современное состояние и перспективы развития // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. Вып. 9(403). С. 33-47.

279. Кальфа А. А., Тагер А. С. Гетероструктуры с селективным легированием и их применение в полевых транзисторах СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1982. Вып: 12(348). С. 26-38.

280. Арсенид галлия в микроэлектронике/Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссме-на. Пер. с англ. М.: Мир, 1988. 555 с.

281. Chen S. W., Smith P. М., Liu S.-M. J., Kopp W. F., Rogers T. J. A 60GHz High Efficiency Monolithic Power Amplifier Using O.l-^m PHEMT's // IEEE Microwave and Guided Wave Lett. 1995. Vol.5, №6. P.201-203.

282. Smith P. M., Liu S.-M. J., Kao M.-Y., Ho P., Wang S.C., Duh K.H.G, Fu S.T, Chao P. C. W-Band High Efficiency InP-Based Power HEMT with 600 GHz /max // IEEE Microwave and Guided Wave Lett. 1995. Vol.5, №7. P. 230-232.

283. Reddy M., Yu R. Y., Kroemer H., Rodwell M. J. W., Martin S. C., Muller R. E., Smith R. P. Bias stabilization for resonant tunnel diode oscillators//IEEE Microwave and Guided Lett. 1995. Vol.5, №7. P.219-221.

284. Sun R., Pan D. S., Itoh T. Simulation of a subharmonic excitation of series integrated resonant tunneling diodes // IEEE Microwave and Guided Lett. 1995. Vol.5, №1. P. 18-20.

285. Esaki L. New Phenomenon in Narrow Germanium p — n Junctions // Phys. Rev. 1958. Vol.109, №2. P. 603-604.

286. Ca К. Т. Избыточный ток при туннелировании в полупроводниках/ Туннельные явления в твердых телах/Под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста. М.: Мир, 1973. С. 187-198.

287. Вейнгер А. И., Парицкий JI. Г., Акопян 3. А., Дадамирзаев Г. Тер-моЭДС горячих носителей тока на р — п-переходе // ФТП. 1975. Т. 9, вып. 2. С.216-224.

288. Varshni Y.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Physica. 1967. Deel. 34, №1. P. 149-154.

289. Blakemore J. S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53, № 10. P. R123-R180.

290. Дмитриев А.Г. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны GaAs // ФТП. 1995. Т. 29, вып.З. С. 442-447.

291. Shen J., Kramer G., Tehrani S., Goronkin H., Tsui R. Static random access memories based on resonant interband tunneling diodes in the InAs/GaSb/ AlSb material system // IEEE Electron Dev. Lett. 1995. Vol. 16, №5. P. 178-180.

292. Sen S., Capasso F., Sivco D., Cho A. Y. New resonant tunneling devices with multiple negative resistance regions and high room temperature peak to valley ratio//IEEE Electron Dev. Lett. 1988. Vol.9. P.402.

293. Дзехцер Г. Б., Николаев Ю. И., Орлов О. С. К вопросу о взаимодействии плоскостного полупроводникового диода с электронным СВЧ-полем // Вопросы радиоэлектроники. Сер. 6. Радиоизмерительная техника. 1971. Вып. 3. С. 3-12.

294. Пренцлау Н. Н., Дмитриев В. М., Бобрышев В. Д. Индуцированная СВЧ-полем генерация низкочастотных электромагнитных колебаний полупроводниковыми диодами // Радиотехника и электроника. 1979. Т. 24, №8. С.1702-1704.

295. Иванов Н. И., Мурзин А. Г. Исследование параметров низкочастотных генераторов на СВЧ-полупроводниковых диодах // Радиотехника и электроника. 1982. Т. 27, №5. С. 1050-1051.

296. Белявский А .А., Борисов В .И., Дмитриев С .Г. Отражение мощной СВЧ-волны от диода с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, №6. С. 679-683.

297. Basu S., Maas S. A., Itoh T. Experimental and numerical verification of the cause of hopf bifurcation in a microwave doubler // IEEE Microwave and Guided Wave Lett. 1995. Vol.5, №9. P. 293-295.

298. Tang D. D., Lomax R. J. Bias-tuning and modulation characteristics of transferred-electron oscillators // IEEE Trans. Electron Dev. 1975. Vol. MTT-23, №9. P. 748-753.

299. Усанов Д. А., Посадский В. H., Буренин П. В., Горбатов С. С., Орлов В. Е. Детекторный эффект в усилителях на диодах с переносом электронов//Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22, №5. С. 1085-1086.

300. Йеппесен, Йеппссон, Йендруп. Арсенид-галлиевые диоды с переносом электронов, обладающие отрицательной проводимостью в широкой полосе частот//ТИИЭР. 1975. Т. 63, №9. С. 114-115.

301. Perlman В. S., Upadhyayula С. L., Siekanowicz W. W. Microwave properties and applications of negative conductance transferred electron devices // Proc. IEEE. 1971. Vol.59, №8. P. 1229-1237.

302. Perlman B. S., Upadhyayula C. L., Marx R. E. Wideband reflection type transferred electron amplification // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1970. Vol. MTT-18, №11. P. 911-921.

303. Magarshack J., Mircea A. Stabilization and wide-bande amplification using overcritically doped transferred electron diodes // Proc. Int. Conf. Microwave and Optical Generation and Amplification. Amsterdam (Netherlands). 1970. P. 16.19-16.23.

304. Perlman B. S. Microwave amplification using transferred-electron devices in prototype filter equalization networks// RCA Rev. 1971. Vol.32, №1. P. 3-23.

305. Усанов Д. А., Посадский В. H., Буренин П. В., Горбатов С. С.

306. Широкополосный усилитель 3 см диапазона длин волн на диоде с переносом электронов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1975. Т. 26, №8. С. 98-100.

307. Jeppesen P., Jeppsson В. J. A simple analysis of the stable field profile in the supercritical TEA // IEEE Trans. Electron Dev. 1973. Vol. ED-20, №4. P. 371-379.

308. Йеппесен, Йеппссон. Влияние диффузии на устойчивость усилителей со сверхкритической структурой на переносе электронов // ТИИЭР. 1972. Т. 60, №s4. С.143-145.

309. Kallback В. Stabilizing effects for the supercritical GaAs — n — n+ transferred electron amplifier//Solid State Electron. 1975. Vol.18, №2 3. P. 257-262.

310. Colguhoum A., Harie Т., Hartnagel E. L. Stationary Gunn domains created by anode doping gradient current reduction // IEEE Trans. Electron Dev. 1974. Vol. ED-21, №11. P. 681-687.

311. Teszner J. L., Boccon-Gibot B. Influence of electron trapping on domain dynamics in epitaxial Gunn diodes //J. Appl. Phys. 1973. Vol.44, №6. P. 2765-2774.

312. Charlton R., Hobson G. S. The effect of cathode notch doping profiles on supercritical transferred-electron amplifiers // IEEE Trans. Electron Dev. 1973. Vol. ED-20, №9. P. 812-817.

313. Spitalnik R., Shau M. P., Rabier A., Magarshack J. On the mechanism for microwave amplification in supercritically doped n—GaAs // Appl. Phys. Lett. 1973. Vol.22, №4. P. 162-164.

314. Magarshack J., Rabier A., Spitalnik R. Optimum desing of transferred-electron amplifier devices in GaAs // IEEE Trans. Electron Dev. 1974. Vol. ED-21, №10. P. 652-654.

315. Коупленд Дж. Электростатические домены в двухдолинных полупроводниках // В кн.: Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники/Под ред.

316. B. И. Стафеева. М.: Мир, 1968. 376 с.

317. Murayama К., Ohmi Т. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. 1973. Vol.12, №12. P. 1931-1940.

318. Thim H. W. Computer study of bulk Ga As devices with random one-dimensional doping fluctuations//J. Appl. Phys. 1968. Vol.39, №8. P. 3897-3904.

319. Арапов Ю. Г., Давыдов А. Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ // Дефектоскопия. 1978. № 11.1. C. 63-67.

320. Усанов Д. А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. 56 с.

321. Коган И. М., Тамарчак Д. Я., Хотунцев Ю. JI. Автодины // В кн.: Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. 1984. Т. 33. С. 3-175.

322. Partaid D., Coon W. A., Huang Н. F., Goodrich L. С. Absolute load detection with microwave Gunn oscillators // IEEE Trans. Electron Dev. 1967. Vol. MTT-14, №10. P. 656-670.

323. Билько M. И., Томашевский А. К, Шаров П. П, Баймуратов Е. А. Измерение мощности на СВЧ. М.: Сов.радио, 1976. 168 с.

324. Mulmom P. J., Hobson G. S., Taylor В. С. Transferred electron devices. London, New York: Academic Press, 1972. 402 p.

325. Brackett C. A. The elimination of tunning-induced burnout and bias-circuit oscillations in IMPATT oscillators // Bell. Syst. Tech. J. 1973. Vol. 52, № 3. P. 271-306.

326. Кравченко JI. H., Манкулов A. P., Оплеснин В. JI., Стафеева А. В.

327. Низкочастотные модуляции тока насыщения ПТШ на арсениде галлия // Тез. докл. VI Всесоюз. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, 1987. Т. 2. С. 118-119.

328. Tsai W. С., Rosenbaum F. I. Bias circuit oscillations in Gunn devices // IEEE Trans. Electron Dev. 1969. Vol.ED-16, №2. P. 196-202.

329. Романюк В. А., Шарифов Т. M. Паразитные колебания в СВЧ-генераторах на активных двухполюсниках // Радиотехника. 1977. Т. 32, № 5. С. 57-63.

330. Малышев В. А., Роздобудько В. В., Головкин А. С. Автомодулиро-ванные СВЧ-колебания на диоде Ганна // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1977. Т. 20, №10. С. 85. .

331. Гончаров Б. А., Мамзелев И. А., Тузов В. М. Режимы работы генераторов на диодах Ганна при напряжениях питания, близких к пороговому напряжению образца//Радиотехника. 1980. Т. 35, №12. С. 44.

332. Неймарк Ю. И., Ланда П. С. Стохастические и хаотические колебания. М.: Наука, 1987. 424 с.

333. Кальянов Э. В. Стохастизация низкочастотных колебаний генераторов на МЭП-диоде//Радиотехника и электроника. 1984. Т. 29, №1. С. 83-87.

334. Беляев Р. В., Жерновенков А. С., Залогин Н. Н., Мельников А. И. Экспериментальное исследование возбуждения шумовых колебаний в генераторах на лавинно-пролетных диодах //Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, №12. С. 1484-1489.

335. Андронов А. А., Витт А. А., Хайкин С. Э. Теория колебаний. М.: Физматгиз, 1959. 568 с.

336. Чжоу В. Ф. Принципы построения схем на туннельных диодах. М.: Мир, 1966. 448 с.

337. Андреев В. С. Теория нелинейных электрических цепей. М.: Радио и связь, 1982. 280 с.

338. Мюллер О., Фиджел В. Проблемы устойчивости транзисторных усилителей мощности//ТИИЭР. 1967. Т. 55, №8. С. 252-260.

339. Богачев В. М., Никифоров В. В. Транзисторные усилители мощности. М.: Энергия, 1978. 344 с.

340. Hasler М. J. Electrical circuits with chaotic behaviour // Proc. IEEE. 1987. Vol.75, №8. P. 1009-1021.

341. Materka A., Kacprzak T. Computer calculation of large-signal Ga As FET amplifier characteristics // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1985. Vol. MTT-33, №2. P. 129-135.

342. Балыко А. К., Мартынов Я. Б., Тагер А. С. Проектирование автогенераторов на полевых транзисторах. Ч. 1. Модель автогенератора и методика его проектирования // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1988. Вып. 1. С. 29-33.

343. Гринберг Г. С., Могилевская JI. Я., Хотунцев Ю. JI. Моделирование на ЭВМ нелинейных устройств на полевых транзисторах с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40, вып. 3. С. 498-502.

344. Sterzer F. Transferred electron (Gunn) amplifiers and oscillators for microwave applications // Proc. IEEE. 1971. Vol.59, №8. P. 1155-1163.

345. Тагер А. С., Канцеров M. Ю. Зависимость амплитудных характеристик регенеративного СВЧ-усилителя от нелинейных свойств активного элемента // Радиотехника и электроника. 1976. Т. 21, №2. С. 350-356.

346. Канцеров М. Ю., Тагер А. С. Влияние нелинейных свойств активного элемента на амплитудно-частотные характеристики регенеративного СВЧ-усилителя//Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22, №5. С. 988-994.

347. Пореш С. Б., Тагер А. С., Кальфа А. А. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1976. Вып. 10. С. 19-31.

348. Хаддад, Грейлинг, Шредер. Принципы работы и основные свойства ЛПД//Зарубежная радиоэлектроника. 1972. №1. С. 69-98.

349. Грей, КИКУшима, Морено, Вагнер. Генераторы на лавинно-пролетных диодах в современных системах СВЧ // Зарубежная радиоэлектроника. 1971. №1. С. 78-85.

350. Freeman К. R., Hobson G. S. The V'/т relation of CW Gunn-effect devices // IEEE Trans. Electron Dev. 1972. Vol.ED-19, №1. P. 62-70.

351. Makino T. Effects of the operational modes on the temperature dependence of the Gunn diode admittance // Solid State Electron. 1979. Vol. 22, № 9. P. 761-769.

352. Полуизолирующие соединения А3В5/Пер. с англ. Под ред. М. Г. Мильвид-ского. М.: Металлургия, 1984. 256 с.

353. Lin A. L., Bube R. N. Photoelectronic propeties of highresistivity GaAs : Cr // J. Appl. Phys. 1976. Vol.47, №5. P. 1859-1867.

354. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий.

355. Справочник: В 2-х кн./Под ред. В. В. Клюева. М.: Машиностроение, 1986.

356. Викторов В. А., Лункин Б. В., Совлуков А. С. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. М.: Энергоатомиздат, 1989. 208 с.

357. Лаанеотс P.A. Методы и средства для проверки толщиномеров покрытий. Таллин: Валгус, 1989. 160 с.

358. Датчики измерительных систем/Ж. Аш, П. Андре, Ж. Бофрон, и др.: В 2-х кн. Пер. с франц. М.: Мир, 1992.

359. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM PC/Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера. Пер. с англ. М.: Мир, 1992. 592 с.