Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Игнатьева, Елена Александровна

• Игнатьева, Елена Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Игнатьева, Елена Александровна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ,. СПЕКТРАЛЬНО-СЕЛЕКТИВНЫХ В ВИДИМОМ И ИНФРАКРАСНОМ

ДИАПАЗОНАХ.

1 .1. Спектрально-селективные фотоприемники видимого и инфракрасного диапазонов.

1.2. Конструкции ячеек матричных интегральных фотоприемников, осуществляющих селекцию до трех цветов в видимом, а также в инфракрасном диапазонах.

1.3. Задачи исследования.

ГЛАВА 2. ПРИМЕНЕНИЕ ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ISE TCAD

ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ИНТЕГРАЛЬНОГО ФОТОПРИЕМНИКА.

2.1. Приборно-технологическое моделирование как метод исследования полупроводниковых структур.

2.2. Возможности САПР ISE TCAD.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур»

Актуальность темы

Перспективным направлением в разработке фотоэлектрических преобразователей изображений (ФЭПИ) является создание многоспектральных фотоприемников с интеграцией в каждом фоточувствительном элементе фотодетекторов различных спектральных диапазонов оптического излучения. Регистрация изображения объекта в нескольких спектральных диапазонах обогащает его дополнительными признаками, что повышает достоверность и качество распознавания в сравнении с информацией, получаемой моноспектральными фотоприемниками. Такие фотоприемники позволят существенно повысить эффективность систем технического зрения по обнаружению и распознаванию объектов и их идентификации при максимальной дальности и плохих погодных условиях (туман, задымленность, слабая освещенность). Распознавание образов такими ФЭПИ может осуществляться при малых отношениях сигнала к шуму.

Создание фоточувствительных элементов спектрально-селективных ФЭПИ для различных диапазонов излучения, интегрированных на одном кристалле со считывающей электронной схемой, является одной из актуальных проблем микроэлектроники. Однако, использование нескольких узкополосных моноспектральных фотоприемников на различных длинах волн неэффективно, так как изображения от разных фотокамер трудно совместить из-за вибраций и других причин. При этом длина волны выступает как дополнительная координата, наряду с пространственными координатами, и каждое изображение должно быть жестко связано с этими координатами.

Разработка интегральных спектрально-селективных фотоэлектрических преобразователей изображений и их промышленное производство позволит устранить указанные проблемы. Поэтому актуальной задачей для разработки многоспекгральных ФЭПИ является исследование фотоэлектрических процессов в фоточувствительных элементах, выполненных на основе вертикально-интегрированных диодных структур, предназначенных для регистрации по отдельности "синего", "зеленого" и "красного" диапазонов видимого спектра излучения. Представляет также интерес исследование изоляции фотоячейки инфракрасного (ИК) диапазона, выполненной на основе узкозонного полупроводникового материала (свинец-олово-германий-теллур (СОГТ)), которая может быть совмещена с указанной фотоячейкой оптического диапазона на общей кремниевой подложке.

Приборно-технологическое моделирование является неотъемлемой частью современного микроэлектронного производства, обеспечивая возможность заменить реальные эксперименты компьютерными и ускорить разработку новых приборов или оптимизацию уже существующих. Моделирование основано на решении фундаментальной системы уравнений, благодаря чему этот подход является универсальным.

Важнейшим параметром, определяющим характеристики ФЭПИ, является коэффициент заполнения минимальной ячейки разложения изображения фоточувствительным материалом. Ужесточение требований к пространственному разрешению матричных фотоприемников требует уменьшения размеров отдельных чувствительных элементов и промежутков между ними.

Цель работы

Исследования на основе математического анализа и численного моделирования фотоэлектрических процессов в вертикально-интегрированных диодных структурах, направленные на создание матричного фотоприемника оптического и инфракрасного диапазонов длин волн, работающих при комнатной и криогенных температурах.

Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

- исследование распределения потенциала электрического поля и оптимизация параметров слоев и управляющих напряжений вертикально-интегрированных фоточувствительных ячеек с тремя и пятью р-и-переходами, регистрирующих "синий", "зеленый" и "красный" диапазоны длин волн видимого спектра оптического излучения;

- расчет поверхностных концентраций накапливаемых фотоносителей и времени терморелаксации указанных фоточувствительных ячеек;

- исследование фотоэлектрических процессов накопления неравновесных носителей заряда, процессов фоторелаксации и спектральных характеристик фоточувствительностей п- и ^-областей трехдиодной и пятидиодной вертикально-интегрированных фоточувствительных ячеек; - исследование влияния буферного диэлектрика на основе BaF2 на электрические параметры в широком диапазоне температур и анализ возможности совмещения фоточувствительных элементов на основе узкозонных полупроводников с кремниевой интегральной схемой считывания фотосигнала, выполненной на к кремниевой подложке.

На защиту выносятся:

1. Результаты теоретических исследований, позволившие установить глубины залегания /7-и-переходов, концентрации фоточувствительных слоев и управляющие напряжения, приложенные к каждой п- и р-обласги вертикально-интегрированных фотоячеек с тремя и пятью ^-«-переходами, обеспечивающие наилучшую селективность накопления фотозарядов.

2. Результаты теоретического анализа и моделирования фотоэлектрических процессов, позволившие определить поверхностные концентрации фотоносителей в каждой п- и /^-области, вычислить времена терморелаксации и фоторелаксации, рассчитать спектральные характеристики и установить максимумы спектральных фоточувствительностей п- и ^-областей вертикально-интегрированных трехдиодной и пятидиодной фотоячеек.

3. Результаты математического моделирования приповерхностного канала л-типа в кремниевой подложке, позволившего изолировать инфракрасный фоточувствительный элемент на основе узкозонного полупроводника свинец-олово-германий-теллур при наличии пор в буферном слое BaF2 от кремниевой подложки.

Научная новизна

1. В результате теоретических исследований установлены оптимальные параметры последовательно расположенных п- и ^-областей и величины управляющих напряжений для фоточувствительных структур с тремя и пятью вертикально-интегрированными /?-и-переходами.

2. Определены времена терморелаксации и фоторелаксации, установлены номинальные частоты управления работой указанных трехдиодной и пятидиодной фотоячеек.

3. Рассчитаны спектральные характеристики фоточувствительностей п- и р~ областей трехдиодной и пятидиодной вертикально-интегрированных фотоячеек и показано, что оба типа ячеек позволяют регистрировать "синий", "зеленый" и "красный" диапазоны длин волн видимого спектра оптического излучения и при этом пятидиодная фотоячейка обладает лучшей селективностью.

4. Разработан способ интеграции фоточувствительного элемента инфракрасного диапазона из узкозонного полупроводника свинец-олово-германий-теллур в электронную схему считывания сигнала. Для пористого буферного слоя BaF2 предложен способ, исключающий эффект шунтирования фоточувствительного элемента через поры в диэлектрике.

Практическая значимость

1. Установленные параметры фоточувствительных слоев и их фотоэлектрический характеристики для вертикально-интегрированных структур с тремя и пятью р-л-переходами, обеспечивающие селективное разделение видимого света на "синий", "зеленый" и "красный" диапазоны, могут быть использованы при разработке новых высокочувствительных монокристаллических спектрально-селективных фотоприемных устройств.

2. Рассчитанные характеристики приповерхностного канала, встроенного в кремниевую подложку, могут быть использованы для изоляции фоторезистора от кремниевой подложки при наличии пористого буферного слоя между ними при разработке интегральных фоточувствительных элементов фотоэлектрических преобразователей изображений.

Достоверность результатов исследования

Теоретические исследования, проведенные в данной работе с помощью методов математического анализа и численного моделирования на ЭВМ, базируются на фундаментальных положениях физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Моделирование фотоэлектрических процессов в объемных структурах полупроводника выполнено с помощью широко апробированного программно-технологического обеспечения ISE TCAD. Результаты численного моделирования распределения электрических полей в диодных структурах согласуются с результатами их аналитических исследований и с данными, известными из литературных источников.

Апробация результатов работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

• 5-ая Международная научно-техническая конференция: "Электроника и информатика 2005", Москва, Зеленоград, ноябрь 2005.

• 13-ая Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: "Микроэлектроника и информатика 2006", Москва, Зеленоград, 19-21 апреля 2006.

• IEEE 2006 International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials Proceedings 7-th Annual, Erlagol, Altai - July 1-5,2006.

• 10-ая Международная научная конференция и школа-семинар: "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Дивноморское, Россия, 24-29 сент. 2006.

• Всероссийский молодежный научно-инновационный конкурс-конференция "Электроника-2006", Москва, Зеленоград, 30 нояб., 2006.

• 13-ая ежегодная международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов: "Радиоэлектроника, элеюротехника и энергетика", Москва, 12 марта 2007.

• 14-ая Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: "Микроэлектроника и информатика 2007", Москва, Зеленоград, 18-20 апреля 2007.

• IEEE 2007 International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials Proceedings 8-th Annual, Erlagol, Altai - July 1-5,2007.

Публикации

Результаты диссертации опубликованы в 12 печатных работах, из которых 6 статей в научных журналах и 6 тезисов докладов на научно-технических конференциях.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Игнатьева, Елена Александровна

Основные результаты настоящей работы можно сформулировать следующим образом:

1. В результате теоретических исследований распределений электрического потенциала в фоточувствительных структурах с тремя и пятью вертикально-интегрированными ^-«-переходами установлены и оптимизированы толщины последовательно расположенных «- и р-областей, а также концентрации легирующих примесей в них, обеспечивающие формирование "потенциальных ям" в объеме полупроводника. Показано, что величины управляющих обедняющих напряжений, равные для «-областей +3 В; для р-областей +1 В в трехдиодной и -1 В в пятидиодной фотоячейке создают необходимый рельеф электрического потенциала для накопления в "потенциальных ямах" «- и р-областей фотоносителей.

2. Установлено, что общее время терморелаксации составляет 12 мс для трехдиодной и 18 мс для пятидиодной фотоячеек, определены номинальные частоты управления работой фотоячеек и времена фоторелаксации (времена заполнения "потенциальных ям" фотоносителями) для трех- и пятидиодных фотоячеек.

3. На основе анализа электрической и шумовой эквивалентных схем фотодиода рассчитаны отношения сигнал/шум по мощности с учетом "дробового" шума квантов поглощаемого светового потока, генерационно-рекомбинационного и л теплового шумов, которые составляют 329 и 163 для освещенности 0,135 Вт/см и 0,0135 Вт/см2, соответственно.

4. Показано, что спектральные характеристики фоточувствительностей областей фотоячейки с тремя вертикально-интегрированными ^-«-переходами разделены по длинам волн оптического диапазона так, что максимумы спектральных фоточувствительностей приходятся соответственно на длины волн: 0,42 мкм для приповерхностной «-области, 0,5 мкм для средней р-области, 0,62 мкм для глубокой «-области.

5. Установлено, что увеличение вертикально-интегрированных р-л-переходов в фотоячейке до пяти приводит к увеличению спектральной селективности фоточувствительностей за счет более резкого разделения по длинам волн регистрируемого спектра излучения и что максимумы спектральных фоточувствительностей приходятся на длины волн: 0,42 мкм для приповерхностной «-области, 0,47 мкм для средней р-области, 0,53 мкм для средней «-области, 0,62 мкм для глубокой р-области, 0,7 мкм для глубокой п-области.

6. Показано, что временные зависимости по накоплению фотозарядов в "потенциальных ямах" «- и /^-областей имеют линейный характер вплоть до их допустимого предельного значения, обусловленного переполнением "потенциальных ям".

7. Установлено, что основную проблему в изоляции слоя фоточувствительного материала свинец-олово-германий-теллур (СОГТ) от кремниевой подложки создает пористость диэлектрика и показано, что встроенный в кремниевую подложку поверхностный канал «-типа с максимальной объемной концентрацией легирующей примеси 1017-1018 см"3 и глубиной 0,1 мкм позволяет исключить эффект шунтирования ИК фоточувствительного элемента на полупроводниковую подложку через поры в диэлектрике.

Выражаю глубокую благодарность канд. физ.-мат. наук Хайновскому Владимиру Ивановичу, канд. техн. наук Володину Евгению Борисовичу и докт. физ.-мат. наук Уздовскому Валерию Владимировичу за постоянное внимание и консультации при выполнении работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Игнатьева, Елена Александровна, 2007 год

1. Khainovskii V.I. and Uzdovskii V.V. Spectrozonal two-channel volumetric charge coupled device // Proc. 3rd Mideuropean Symp. Exhib. on Sem. Eng. and Techn. "SET-92", Warsaw, Poland, Oct. 12-14,1992, p.281.

2. Хайновский В.И., Уздовский B.B. Фоточувствительный спектрозональный двухканальный объемный прибор с зарядовой связью // Труды всесоюзной конференции «ПЗС-92», Геленджик, Россия, сентябрь 27 октябрь 2, 1992, часть 1, с.3-4.

3. Barsan R. Characteristics of the Overlaid Charge-Coupled Device // IEEE Transactions on Electron Devices, v.ED-26, №2, 1979, pp. 123-131.

4. Khainovskii V.I., Uzdovskii V.V. Theoretical and experimental study of photoelectric characteristics of the two-channel bulk charge-coupled device // Optical Engineering, v.33, №7, July, 1994, pp. 2352-2356.

5. Khainovskii V.I. and Uzdovskii V.V. Photoelectrical characteristics of the spectrozonal two-channel bulk charge coupled device // Proc. 40th Int. Symp. Opt. Eng. Inst., San Diego, California, USA, v.2551,13-14 July, 1995, pp. 189-196.

6. Khainovskii V.I. and Uzdovskii V.V. Numerical simulation of photoelectrical characteristics of the spectrozonal three-channel bulk charge coupled device // Optical Engineering, v.36, June 1997, pp. 1678-1684.

7. Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М. Многофункциональные спекгрозональные фоточувствительные объемные приборы с зарядовой связью //Изв. Вузов. Электроника,№3,1999, с.45-51.

8. Хайновский В.И., Уздовский В.В., Гордо Н.М., Федоров Р.А. Моделирование процессов фоторелаксации в многоканальных объемных фоточувствительных приборах с зарядовой связью // Изв. Вузов. Электроника, №1,2000, с.28-35.

9. Eberhardt К., Neidlinger Т., Schubert М.В. Three-Color Sensor Based on Amorphous n-i-p-i-n Layer Sequence // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.42, №10, oct. 1995, pp. 1763-1768.

10. Zimmer J., Knipp D., Stiebig H., Wagner H. Amorphous Silicon-Based Unipolar Detector for Color Recognition // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.46, №5, may 1999, pp. 884-891.

11. Topic М., Stiebig Н., Knipp D., Smole F. Optimization of a-Si:H-Based Three-Terminal Three-Color Detectors // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.46, №9, sept. 1999, pp. 1839-1845.

12. Gradisnik V., Pavlovic M., Pivac В., Zulim I. Study of the Color Detection og a-Si:H by Transient Response in the Visible Range // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.49, №4, apr. 2002, pp. 550-556.

13. Cho K.-D., Tae H.-S., Chien S.-I. Improvement of Color Temperature Using1.dependent Control of Red, Green, Blue Luminance in AC Plasma Display Panel // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.50, №2, feb. 2003, pp. 359-364.

14. Kwon H.I., Kang I.M., Park B.-G., Lee J.D. Park S.S. // The Analysis of Dark Signals in the CMOS APS Imagers From the Characterization of Test Structures // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.51, №2, feb. 2004, pp. 178-183.

15. Merrill R.B. Color Separation in an Active Pixel Cell Imaging Array Using a Triple-Well-Structure // US Patent №5,969,875, Int.Cl. G01J 3/50, U.S.C1. 250/226, 12 Oct. 1999.

16. Han S., Jung J.-Y. and Neikirk D.P. Multilayer Fabry-Perot Microbolometers for 1 Infrared Wavelength Selective Detection // Proc. SPIE, 6206, 2006, 62061-1+6206110.

17. Han S., Kim J., Sohn Y. and Neikirk D.P. Design of Infrared Wavelength-Selective Microbolometers Using Planar Multimode Detectors // Electronics Letters, vol. 40, Issue: 22,28 Oct. 2004, pp. 1410-1411.

18. Knott E.F., Langseth K.B. Performance degradation of Jaumann Absorbers due to curvature // IEEE Transactions on Antennas and Propagation, vol. AP-28.no. IJan, 1980, pp. 137-139.

19. Tidrow M.Z, Chiang J.C., Li S.S. and Bacher K. A high strain two-stack two-color quantum well infrared photodetector // Applied Physics Letters, vol. 70(7), Feb. 17, 1997, pp. 859-861.

20. Gunning W. J., DeNatale J., Stupar P., Borwick R., Dannenberg R., Sczupak R. and Pettersson P.O. Adaptive Focal Plane Array An Example of MEMS, Photonics, and Electronics Integration // Proc. SPIE, 5783,2006, pp. 366-375.

21. Silverglate P.R., Fort D.E. System Design of the CRISM (Compact Reconnaissance Imaging Spectrometer for Mars) Hyperspectral Imager // Proc. SPIE, 5159, 2003, pp. 283-290.

22. Mayer R.R., Waterman J., Schuler J. and Scribner D. Spectral Optimization Studies and Schemes to Enhance Target Detection and Display for a Three-Band Staring LWIR Sensor // Proc. SPIE, 5159,2003, pp. 20-31.

23. Miller H., Yokoyama K.E., Rasmussen K., Engler Т., Rupert J., Flegal B. and Jarecke P.J. Long Wave Hyperspectral Imaging Spectrometer Design and Implementation // Proc. SPIE, 5159,2003, pp. 255-261.

24. Yokoyama K.E., Miller H., Gedman Т., Thordarson S., Figueroa M., Shepanski J., Jarecke P.J. and Lai S. NGST Long-Wave Hyperspectral Imaging Spectrometer System Characterization and Calibration // Proc. SPIE, 5159,2003, pp. 262-274.

25. Lucey P.G., Wilcox B.B. Mini-SWIFTS: an Uncooled LWIR Hyperspectral Sensor // Proc. SPIE, 5159,2003, pp. 275-282.

26. Lucey P.G., Williams Т., Winter M.E. Recent Results from AHI, an LWIR Hyperspectral Imager//Proc. SPIE, 5159,2003, pp. 361-369.

27. Саггапо J., Brown J., Perconti P., Barnard K. Tuning in to Detection: Combining Tunability and High Resolution FLIR Detection Improves Target Recognition // OEmagazine, April 2004, pp. 20-22.

28. Marinelli W.J., Gittins C.M., Gelb A.H. and Green D.B. Tunable Fabry-Perot Etalon Based Long-Wavelength Infrared Imaging Spectrometer // Appl. Opt., 38, 1999, pp. 2594-2604.

29. Chang-Hasnian C.J. Tunable VCSEL // IEEE Journal on Selected Works in Quantum, Vol. 6, №6,2000, pp.978-987.

30. MacLeod H.A. Thin Film Optical Filters // Second Edition, Macmillan Publishing Co., New York, 1986,262 c.

31. Seeger J.I. Charge Control of Parallel-Plate, Electrostatic Actuators and the Tip-In Instability // Journal of Microelectromechanical Systems, Vol. 12, № 5,2003, pp. 656-671.

32. Wijewarnasuriya P.S., Chen Y., Brill G., Dhar N.K., Carmody M., Bailey R., Arias J. Molecular Beam Epitaxy Grown Long Wavelength Infrared HgCdTe on Compliant Si Substrates // Proc. of SPIE, Vol. 6206,2006, pp.620611-1+620611-10.

33. Ashokan R., Boieru P., Chen Y., Faurie J.P., Sirananthan S. Multispectral monolithic infrared focal plane array detectors // US patent, 6,657,194 B2, dec.2,2003.

34. Сусов E.B., Смолин O.B., Володин Е.Б. Фотоприемное устройство для дистанционного зондирования Земли из космоса или с самолета // Наука и технологии в промышленности, № 3,2005, с. 18-22.

35. Villani T.S. Performance of Generation III 640x480 PtSi MOS Aray // Proc. of SPIE, vol.2225, 1994, pp. 2-10.

36. Beystrum Т., Himoto R., Jacksen N., Sutton M. Low cost PbSalt FPA-s // Proc. of SPIE, vol.5406,2004, pp. 287-294.

37. Vergara G. Progress on uncooled PbSe detectors for low cost applications // Proc. of SPIE, vol.5406,2004, pp. 279-286.

38. Antoszewski J., Winchester K.J., Keating A. J., Nguyen Т., Silva K.K., Huang H., Musca C.A., Dell J. M., Faraone L., Mitra P., Beck J.D., Skokan M.R. and Robinsoni

39. J.E. A monolithically integrated HgCdTe SWIR photodetector and tunable MEMS-based optical filter//Proc. SPIE, 5783,2006, pp. 719-727.

40. Kinch M. A., Beck J.D., Wan C.-F., Ma F. and Campbell J. HgCdTe Electron Avalanche Photodiodes // Journal of Electronic Material, 33,9,2004, pp. 630-639.

41. Siliquini J.F., Fynn K.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R. H. Improved device technology for epitaxial HgCdTe infrared photoconducior arrays // ScmicunU. Sci.

42. Technol. 9,1994, pp. 1515 1522.

43. Winchester K.J., Dell J.M. Tunable Fabry-Perot cavities fabricated from PECVD silicon nitride employing zinc sulphide as the sacrificial layer // Journal Micromech. Microeng., 11,2001, pp. 589 594.

44. Hill A.E. and Hoffman G.R. Stress in films of silicon monoxide // British Journal of Applied Physics, vol. 18,1967, pp. 13-22.

45. Growlh of High Quality CdxHgx.,Te by MOVPE onto GaAs Substrates // Journal Cryst.Growth, 72,1985, pp. 120-129.

46. Hishino H., Murakami S., Ebe H. and Nishijima Y. Reduction of autodoped gallium concentration in HgCdTe layers on GaAs grown metalorganic vapour phase epitaxy // Journal Cryst.Growth, 146, 1995, pp. 619-628.

47. Badano G., Ballet P., Zanatta J.P., Millon A., Largeron C., Baylet J., Rothman J., Gravrand O., Castelein P., Chamonal J.P., Destefanis G., Mibord S.and Costa P. High-Resolution FPAs on MBE-Grown HgCdTe/CdTe/Ge // Proc. SPIE, 5964,2005, pp. 40-49.

48. Lee T.S., Zhao J., Chang Y., Ashokan R., Sivananthan S., Boieriu P., Chen Y., Brill G., Wijewarnasuriya P.S.and.Dhar N. MWIR detectors on HgCdTe grown by МВБ on 3-inch diameter silicon substrates // Proc. SPIE, 5564,2004, pp. 113-121.

49. Golding T.D., Holland O.W., Kim M.J., Dinan J.H., Almeida L.A., Arias J.M., Bajaj J., Shih H.D.and Kirk W.P. HgCdTe on Si: Present status and novel buffer layer concepts // Journal Electron Mater., 32,2003, pp. 882-891.

50. Almeida L.A., Hirsch L., Martinka M., Boyd P.R.and Dinan J.H. Improved morpholgy and crystalline quality of MBE CdZnTe/Si // Journal Electron Mater., 30, 2001, pp. 608-617.

51. Almeida L.A., Dhar N.K., Martinka M.and Dinan J.H. HgCdTe heteroepitaxy on three-inch (112) CdZnTe/Si: Ellipsometric control of substrate temperature // Journal Electron Mater., 29,2000, pp. 754-762.

52. Chuh T. FPA Technology Advancements at Rockwell Scientific // Proc. SPIE, 5783, 2005, pp. 907-916.

53. Irvine S.J.C., Tunnicliffe J.and Mullin J.B. The Growth of Highly Uniform Cadmium Mercury Telluride by a new MOVPE Technique // Matt.Lett., 2(4B), 1984, pp. 305312.

54. Tunnicliffe J., Irvine S.J.C., Dosser O.D.and Mullin J.B. A New MOVPE Technique for the Growth of Highly Uniform CMT // Journal Ciyst.Growth, 68, 1984, pp. 245253.

55. Smith E.P.G., Gleason J.K., Pham L.T., Patten E.A. and Welkowsky M.S. Inductively Coupled Plasma Etching of HgCdTe // Journal Electron Mater., 32(7), 2003, pp. 816824.

56. Samson S., Kedia S., Upadhyay V., Agarwal R. MEMS mirror arrays for use in optical spectrometric detection // Proc. SPIE, 6206,2006, pp. 620 624.

57. Wagner E., Smith В., Madden S., Winefordner J. and Mignardi M. Construction and evaluation of a visible spectrometer using digital micromirror spatial light modulation //Applied Spectroscopy, v. 11, 1995, pp. 1715-1719.

58. Samson S., Agarwal R., Kedia S., Wang W., Onishi S. and Bumgarner J. Fabrication processes for packed optical MEMS devices II Proc. ICMENS 2005 Banff, Alberta, Canada, 2005, pp. 113-118.

59. Mandl W., McCarran S. Low power MWIR sensor with pixel A/D Achieves // Proc. SPIE, 6306,2006, pp. 620-626.

60. Mandl W., Shen C., Martin P. Images and Test Results of MOSAD all Digital 640X480 MWIR Prototype Camera // Proceedings of SPIE, Vol. 4131, Infrared, 2006, pp. 78-89.

61. Mandl W. Visible Light Imaging Sensor with A/D Conversion at the Pixel // SPIE proceedings, Vol. 3649, Sensors, Cameras, and Systems for Scientific/Industrial Applications, January 1999, pp. 1-13.

62. Mandl W. and Ennulat R., "Space Based Digital LWIR HgCdTe Staring Focal Plane Array Design" // SPIE proceedings, vol. 3061, Infrared Technology and Applications XXIII, April, 1997, p. 884-894.

63. Horn S., Norton P., Cincotta Т., Stoltz A. J., Benson J. D., Perconti P., Campbell J. Challenges for third-generation cooled imagers // SPIE Proc., Vol. 5074, 2003, pp. 44-51.

64. Smith E.P., Pham L.T., Venzor G.M., Norton E., Newton M., Goetz P., Randall V., Pierce G., Patten E.A., Coussa R.A., Kosai K., Radford W.A., Edwards J., Johnson

65. S.M., Baur S.T., Roth J.A., Nosho В., Jensen J.E., Longshore R.E. Two-color HgCdTe infrared staring focal plane arrays // SPIE Proc., Vol. 5209,2003, pp. 1-13.

66. Миллер Д. Моделирование полупроводниковых приборов и технологическихпроцессов. Последние достижения // М.: Радио и связь, 1989,280 с.

67. Антонетги П. Моделирование элементов и технологических процессов // М.: Радио и связь, 1988,496 с.

68. Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов // Рига, Зинатне, 1986,168 с.

69. ISE TCAD Manuals, Release 6.1.

70. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем // Учебное пособие, т. 1, М: БИНОМ, 2005,112 с.

71. Володин Е.Б., Игнатьева Е.А., Уздовский В.В. Моделирование и оптимизация кремниевой субмикронной КМОП структуры для интегрального фотоприемника с совмещением цветного видимого и ИК диапазонов //

72. Нанотехнологии в электронике: Сборник научных трудов", декабрь,2006, с.156-165.

73. Володин Е.Б., Игнатьева Е.А., Уздовский В.В. Двумерное моделирование субмикронных МОП-транзисторов, включаемых в схемы считывания перспективных охлаждаемых ИК фотоприемников // "Известия ВУЗов. Электроника", 2007, № 4, с. 21-27.

74. Dash W.C. and Newman R. Intrinsic Optical Absorption in Single-Crystal Germanium and Silicon at 77K and 300K // Physical Rewiew, vol. 99, № 4, august 1955, pp. 1151-1155.

75. Зи С. M. Физика полупроводниковых приборов // М., Мир, 1984,655 с.

76. Рогальский А. Инфракрасные детекторы // Новосибирск: Наука, 2003,636с.

77. Norton P.R. Infrared image sensor status // Proc. SPIE, vol. 2274,1994, pp.82 -92.

78. Kozlowski L.J. HgCdTe focal plane arrays for high performance infrared cameras // Proc. SPIE, Vol. 3179,1997, pp. 200 211.

79. Hewitt M.J., Vampola J.L., Black S.H. and Nielsen C.J. Infrared readout electronics: a historical perspective // Proc. SPIE, Vol. 2226,1994, pp.108 -119.

80. Эннс В.И., Кобзев Ю.Н. Проектирование аналоговых КМОП микросхем // Краткий справочник разработчика. Под ред. ктн В.И. Эннса. М.: Горячая линия, Телеком, 2005,454с.

81. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов // Часть 1,2, Техносфера, М., 2004,415 с., 535 с.

82. Zogg Н., Fach A., Maissen С., Masek J. and Blunier S. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays // Opt. Eng., 33, 1994, pp.1440 1449.

83. Zogg H., Fach A., John J., Muller P., Paglino C. and Tiwari A.N. PbSnSe-on-Si: material and IR-device properties // Proc. SPIE, Vol. 3182,1997, pp.26 29.

84. Rogalski A. IV-VI detectors in Infrared Photor Detectors // SPIE Optical Engineering Press, Bellingham, 1995, pp. 513 559.

85. Володин Е.Б., Игнатьева E.A., Уздовский B.B. Моделирование включения интегральных ИК фоторезисторов в КМОП мультиплексор // Тезисы докладов V международной научно-технической конференции "Электроника и информатика 2005", нояб. 2005, с. 14 -15.

86. ПРАВИТЕЛЬСТВО МОСКВЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ ГОРОДА МОСКВЫдиплом

87. Настоящий диплом подтверждает, что

88. Место государственной регистрации Зеленоградский отдел ЗАГС1. Убавления ЗАГС Москвы1. Ф Я Фоп0<E1#<EC9IC<B0с офюнлпоб тмгшшшпосяыоО1. Лицензии:

89. РЯСУ №000810, (РАСУ 96 000811, <Б 312153. 1027739841722. УЖ 7731222160.

90. Свидетельство о государственной аккредитации научной организации: Кг 2797 от 27.06.01г. АПО 000445 129327г.Москва,ул.Ени«йосая,яД корт. 2, кв. 1& ЯТелУ&факс [phone]. BSkype: konid6222, ечшА laos@postru6 декабря 2006 года № 0612/06-1

91. Этот проект является оригинальным и имеет важное значение для совершенствования устройств машинного зрения летательных аппаратов.

92. Наше предприятие заинтересовано в получении и использовании результатов этой//. № сР1. На№от1. ОТЗЫВработы.

93. Зам. начальника Центрального Конструкторского Бюро машиностроения1. М.В. Большаков

94. Закрытое Акционерное Общество1. Мультиспектр"143966, г. Реутов Московской области, ул. Гагарина, д. 35 e-mail: [e-mail]1. Исх.№17/11от20.11. 061. ОТЗЫВ

95. В целом работа выполнена на высоком научно-техническом уровне и представляет прикладное значение как для нашего предприятия так и для нашей кооперации.

96. Генеральный директор кандидат технических наук, старший научный сотрудник.1. Н.В .Комаров