Информационные датчики на основе объемных интегральных схем СВЧ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.07, кандидат технических наук Линев, Андрей Алексеевич

• Линев, Андрей Алексеевич
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Линев, Андрей Алексеевич

СОДЕРЖАНИЕ

Предисловие

Введение

Глава I. Моделирование информационного датчика

1.1. Выбор физической модели датчика

1.2. Математическая модель

1.3. Граница применимости математической модели

1.4. Выводы

Глава II. Элементная база датчиков на основе объемных

интегральных схем СВЧ

2.1. Волноведущие линии передачи

2.1.1. Симметричная полосковая линия

2.1.2. Несимметричная полосковая линия

2.1.3. Симметричная щелевая линия

2.1.4. Несимметричная щелевая линия

2.1.5. Полосково-щелевая линия

2.1.6. Ленточная линия передачи

2.1.7. Цилиндрическая линия передачи

2.2. Объемная неоднородность Т-соединения

2.3. Балансный делитель мощности

2.4. Выводы

Глава III. Конструкция информационного датчика

3.1. Описание фазового метода измерения

3.2. Конструкция и принцип работы измерительного датчика

3.3. Модифицированная конструкция информационного датчика

3.4. Информационный датчик для измерения параметров среды в замкнутых системах

3.5. Выводы

Глава IY. Разработка сетевых алгоритмов и внедрение информационных датчиков

4.1. Применение датчиков в корпоративных информационных системах передачи данных

4.2. Технологические и технические решения

4.2.1. Опорная сеть передачи данных для информационных датчиков

4.2.2. Система передачи технологической информации на базе опорной сети Notes

4.3. Контроль электрофизических параметров различных сред

4.4. Совершенствование технологии изготовления подложек 113 ГИС

4.5. Контроль изоляционных материалов при изготовлении

ГИС

4.6. Перспективы применения новых материалов и контроль

их параметров

4.7. Применение информационных датчиков в замкнутых системах

4.8. Выводы

Заключение

Литература

ПРЕДИСЛОВИЕ

Насыщение пр о м ыш л енн о -р аз в иты х стран быстро развивающимися предприятиями химической, электронной, текстильной и др. отраслей приводит к экологическим проблемам окружающей среды. Современные высокие технологии требуют замкнутых перерабатывающих систем по этому на первое место выходят проблемы технологического контроля. Наиболее перспективными являются индивидуальные переносные информационные датчики, работающие в режиме экспресс-контроля.

В работе изложены основные принципы проектирования микроволновых информационных датчиков, основанных на фазовых методах измерения и предложены компьютерные методы обработки информационного сигнала. Это позволило создать миниатюрные и относительно дешевые информационные датчики экспресс-контроля параметров внешней среды и среды в замкнутом пространстве.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю д.т.н. профессору Гвоздеву В.И., а также сотрудникам кафедры "Лазерные микроволновые информационные системы" д.т.н. профессору Черкасову A.C., к.т.н. профессору Спиридонову О.П., к.ф.м.н. доценту Кузаеву Г.А., к.т.н. доценту Подковырину С.И., к.т.н. Назарову И.В. и Мамонтову A.B. за внимание, полезные советы и поддержку данного направления, а также инженеру НИИ "Исток" Иовдальскому В.А. за помощь в работе по изготовлению экспериментальных образцов датчиков и проведение экспериментов в замкнутых технологических циклах изготовления микроволновых интегральных схем.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Информационные датчики на основе объемных интегральных схем СВЧ»

ВВЕДЕНИЕ

Развитие микроэлектроники потребовало использования большого количества природных материалов, не применявшихся ранее, а также создания и внедрения новых синтетических материалов не встречающихся в природе.

Расширение области применений материалов обусловило стремительное развитие исследований свойств новых материалов, разработку новых методик измерения и разработку инструментов, приборов и оборудования для исследования их физических свойств [1.2].

Основные проблемы возникают на этапе исследования и контроля электрофизических параметров диэлектрических материалов, которые требуют решения задач по созданию эффективных методов измерения, основанных на высокочувствительных датчиках [3].

Особое место занимает такая наукоемкая отрасль как микроэлектроника, вобравшая в себя большой объем знаний в области физики, химии, биологии, математики, материаловедения. Здесь используется большое количество разнообразных материалов, а также последние достижения в области взаимодействия материалов между собой, а также с высокоэнергетическими потоками вещества, например потоками плазмы, лазерным излучением, пучками ускоренных частиц и электромагнитным полем [4-6].

В этом ряду значительное место занимают диэлектрические материалы в твердом, жидком и газообразном состоянии, поскольку они широко используются в создании изделий микроэлектронной техники. Изучению свойств диэлектрических материалов посвящено достаточно много работ [4-10]. Расширение диапазона в области СВЧ и крайне высокочастотного диапазона, широкое их внедрение в народное хозяйство, космическую и военную технику предъявляет более жесткие требования к используемым материалам.

Несомненно, что среди диэлектрических материалов, используемых в микроэлектронной техники СВЧ диапазона особое место занимают твердые

диэлектрики, которые являются одновременно и конструкционными материалами, выполняющими роль механического носителя конструкции, и СВЧ материалами, работающими в электромагнитных полях [11, 12]. Наглядным примером могут служить материалы, образующие радиопрозрачные элементы летательных аппаратов, которые являются для бортовых антенных систем защитной оболочкой, одновременно придающей летательному аппарату нужную аэродинамическую форму [13].

Обычно свойства диэлектриков, в том числе и работающих в СВЧ диапазоне, оцениваются через основные электрические параметры -диэлектрическая проницаемость, тангенс угла диэлектрических потерь и пробивное напряжение.

В настоящее время нет теории позволяющей установить четкую аналитическую взаимосвязь между электрическими характеристиками диэлектриков и внешними воздействующими факторами, к которым относятся частота внешнего электромагнитного поля, температура, давление и мн. др. Поэтому важным остается непосредственный контроль параметров материалов на различных стадиях изготовления материалов электронной техники.

Известны, ставшие классическими, методы измерения параметров диэлектриков: резонансные, волноводные, оптические, калориметрические, пандометрические, методы измерения электрических характеристик различных сред [14, 15].

Резонансные методы, например: метод замещения, метод расстройки контура, измерения при помощи куметра, метод биений, радиоинтерференционные методы, метод Друде, метод пластины Д. А. Рожанского, коаксиальные резонаторы с торцевым зазором - обеспечивая сравнительно высокую точность получаемых результатов, применяются в самых различных диапазонах частот, включая СВЧ диапазон [16-21], что позволяет на их основе разрабатывать информационные датчики.

Идея резонансных методов, несмотря на различный характер её технического воплощения, состоит в наблюдении резонансных кривых

колебательного контура, в который введен образец исследуемого диэлектрика [1, 4, 22]. Изучение резонансных кривых до и после внесения диэлектрика позволяет по добротности контура и его резонансной частоте определить как действительную, так и мнимую части диэлектрической проницаемости образца.

Волноводные методы, например, метод Коллия, использующий коаксиальные линии для измерения диэлектрической проницаемости, метод полного заполнения сечения волновода, метод "бесконечного" слоя, метод вариации толщины образца, метод короткого замыкания и холостого хода -предназначены для измерении образцов исследуемого диэлектрика [23-25]. Волноводные методы измерения электрических характеристик диэлектриков достаточно полно разработаны для всего диапазона СВЧ, но к сожалению они требуют определенной геометрической формы измеряемых материалов.

Оптические методы в информационных датчиках используют идею наблюдения проходящих или отраженных электромагнитных волн, собранных в узкие пучки с помощью направляющих устройств. Достоинством оптических методов является сравнительная простота измерения, возможность работать в широком диапазоне длин волн, вплоть до субмиллиметровых, а также возможность производить измерения в условиях, приближающихся к естественным [26-27].

Калориметрические методы, например: метод относительных измерений, методы основанные на расширении жидкостей - могут быть использованы в измерительных датчиках до сантиметрового диапазона.

В основе калориметрических методов измерения диэлектрической проницаемости лежит нагревание исследуемого вещества в электрическом или магнитном полях высокой частоты. Непосредственно измеряемой величиной в этих методах является количество выделяемого тепла или пропорциональная ему скорость нагревания [15].

Пандометрические или силовые методы измерения диэлектрической проницаемости основаны на механическом действии электрического поля

на тела, находящиеся в этом поле [27]. В нашем случае использование этого метода в измерительных датчиках не представляет интереса в силу его низкой чувствительности.

Однако перечисленные методы имеют определенные недостатки. Резонансные методы имеют ограничения по частотному диапазону из-за их узкополосности. Волноводные методы для перекрытия всего диапазона требуют создания нескольких датчиков, где перестройка каждого осуществляется в пределах 20-25% [14]. Что касается оптических методов, то их воплощение наталкивается на ряд трудностей, связанных с экономическими и технологическими проблемами реализации измерительной аппаратуры [24].

Применимость калориметрических методов ограничена в области коротких волн тем, что размеры измерительного конденсатора должны быть достаточно малы по сравнению с длинной волн, когда электрическое поле внутри измерительного конденсатора можно еще считать однородным [14]. При невыполнении этого условия метод теряет свою простоту и трудности его теории значительно возрастают.

К недостаткам пандометрических методов следует отнести невозможность измерения потерь исследуемых материалов и необходимость использования генераторов большой мощности [15].

В последние годы широкое распространение получили методы волноводных мостов, основанные на измерении фазового сдвига [27-32].

Измерение амплитудных и фазовых характеристик применялось и при исследовании свойств СВЧ диэлектриков в условиях высоких температур. В [12] приведена схема комплексной системы измерения электрических параметров диэлектриков при высоких температурах с использованием двухканального СВЧ фазометра. Схемы с фазовыми дискрименаторами позволяют значительно повысить точность измерений, особенно при исследованиях, проводимых в миллиметровом диапазоне волн [12]. Значения выходных низкочастотных сигналов фазового дискрименатора, которые пропорциональны синусу и косинусу измеряемой разности фаз,

могут регистрироваться по отдельности, при этом для нахождения разности фаз необходимо вычислить величину тангенса разности фаз, взяв отношение этих сигналов.

Наиболее перспективным путем в этом направлении является замена в измерительных датчиках двухканальных линий на двухмодовую линию передачи [33]. В этом случае эталонный и измерительный каналы находятся в одинаковых внешних условиях.

Проведенный анализ позволяет сделать вывод о необходимости разработки более универсальных измерительных датчиков на основе фазового метода, работающих в широкой полосе частот.

При разработке датчиков очень важным является экономический фактор, поскольку стоимость измерительного датчика пропорциональна квадрату частоты:

Стоимость ~ (ш/Аш)2 ,

где Аш - полоса рабочих частот.

Так, например, стоимость одного комплекта информационных датчиков сантиметрового диапазона для определения водосодержания в нефти (серия ID - 201) по данным компании AGAR Corp. достигает 20000 долларов США [31]. На рис.1 приведена кривая 1 зависимости относительной стоимости датчика от частоты.

Вторым не менее важным фактором является погрешность измерения. Исходя из свойств распространения электромагнитной волны в среде

погрешность измерения диэлектрической проницаемости Ав/в

пропорциональная (со/Ао) + F(©/Ao), где F(o/Ag)) - погрешность

емкостного коэффициента связи [28].

На рис.1 эта зависимость приведена кривой 2. Из анализа кривых видно, что с ростом частоты повышается стоимость и погрешность измерения датчика. Для того, чтобы выйти из этого положения необходимо снизить эти факторы за счет перехода на объемное распределение базовых

элементов в датчике и отказаться от резонансных методов измерения в пользу фазовых методов.

Исходя из вышесказанного следует, что проблемы разработки информационных датчиков на сегодняшний день остаются актуальными, поэтому необходимо искать новые технологические и конструкционные принципы их изготовления.

Переход к объёмным интегральным схемам (ОИС) позволяет исключить емкостные связи благодаря комбинации линий передачи, где всегда можно осуществить индуктивные (по магнитному полю) связи, которые не зависят от диэлектрической проницаемости среды

Р(со/Дсо) => 0.

Кроме этого в ОИС можно подобрать линии передачи с очень

широкой полосой рабочих частот До) => 00, что позволит эффективно

использовать двухмодовые линии передачи для измерения фазовым методом.

Таким образом, реализация информационных датчиков на основе ОИС СВЧ представляется наиболее перспективной.

Цель и задача работы. Основной целью диссертационной работы является исследование и разработка сверхширокополосных информационных (измерительных) датчиков микроволнового диапазона на основе объемных интегральных схем с микропроцессорной обработкой информационного сигнала.

Для достижения этой цели решаются следующие задачи:

1) Разработка физической и математической модели информационного датчика на основе теории объемных интегральных схем СВЧ.

2) Исследование элементной базы датчиков и выбор наиболее оптимальных расчетных формул, отвечающих достаточно хорошим совпадением с результатами эксперимента.

Рис. 1. Зависимость стоимости (1) и погрешности измерений (2) информационного датчика от частоты

3) Разработка топологии и конструкции информационных датчиков для эк спр есс-к о нтр о ля параметров внешней среды и среды в замкнутых технологических процессах.

4) Создание программных и аппаратных средств для обработки информационного сигнала и разработка сетевых алгоритмов для использования датчиков в корпоративных информационных системах передачи данных.

Научные результаты. К основным научным результатам, полученным лично автором, включенным в диссертацию и представленным к защите относятся:

1) Разработка принципиально новых информационных датчиков на основе предложенной физической и математической модели и алгоритмах их описания.

2) Предложение новой объемной цилиндрической двухмодовой линии передачи как базового элемента датчика для экспресс-контроля технологических процессов в замкнутых системах.

3) Разработка программных алгоритмов для использования сетей датчиков в информационных системах передачи данных

Практическая ценность. Итогом диссертационной работы являются разработанная физическая и математическая модели для расчета и проектирования информационного датчика, а также алгоритмы и программы для анализа параметров среды с помощью датчиков встроенных в корпоративные информационные системы передачи данных. Практическая ценность работы заключается:

• в разработке методики расчета фазового информационного датчика;

• в разработке принципиально новой конструкции информационного датчика для измерения параметров замкнутой и внешней среды;

• в разработке двухмодовых линий цилиндрического типа как новых базовых элементов для информационных датчиков;

• в разработке алгоритмов и программ для датчиков встроенных в общую информационную сеть.

Полученные в диссертационной работе результаты могут быть использованы при проектировании технологических замкнутых процессов изготовления интегральных схем микроэлектроники, а также для экспресс-контроля параметров нефтесодержащих продуктов.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на конференциях МИЭМ для аспирантов и студентов (Москва 1996 г., 1997 г., Алушта 1996 г.), на секции «Объемные интегральные схемы СВЧ» при МГП ИТОРЭС им. A.C. Попова в 1995 г., а также на семинарах кафедры «Лазерные и микроволновые информационные системы».

Методы исследования. Решение сформулированной в диссертационной работе научно-технической проблемы проектирования информационного датчика базируется на основе теории СВЧ цепей с использованием эквивалентных методов проектирования для определения волновых матриц рассеяния, описывающих физические свойства математической модели.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций, сформулированных в диссертации, подтверждается:

• математическими выводами по физическим моделям информационного датчика и его базовым элементам (линии передач и неоднородности), сравнением результатов расчета с данными полученными из других литературных источников;

• результатами экспериментальных исследований с использованием нескольких методов измерения одного и того же параметра;

• сравнением разработанных информационных датчиков на ОИС СВЧ с отечественной измерительной аппаратурой по точности и достоверности полученной информации;

• промышленной проверкой разработанных информационных датчиков в замкнутых технологических процессах изготовления микросхем.

Реализация результатов и предложения об использовании.

Результаты диссертационной работы нашли практическое использование в ряде технических центров и на производственных объединениях. Основные результаты работы нашли применение в учебном процессе Московского государственного института электроники и математики. На основе материалов диссертации на кафедре «Лазерные и микроволновые информационные системы» разработан и поставлен по курсу «Микроволновая функциональная электроника» цикл лабораторных работ. Научные результаты диссертации использованы при написании учебно-методических указаний, в курсовом и дипломном проектировании.

Исследования и практическая реализация результатов проводилась в МГИЭМе по плану важнейших работ Комитета по высшему образованию РФ в рамках целевой комплексной научно-технической программы.

Диссертация содержит новую научно-техническую информацию, которая может быть полезна для специалистов, занимающихся вопросами проектирования информационных датчиков и проблемами их использования для экспресс-контроля параметров внешней и замкнутой среды.

Внедрение результатов диссертационной работы следует рекомендовать организациям для экологического контроля водных пространств, автозаправочным станциям для определения октанового числа и содержание воды в бензине, нефтеперегонным предприятиям для технологического контроля очистки нефти, предприятиям изготовляющим микросхемы для контроля диэлектрических плат и многим другим предприятиям и техническим центрам, где требуется экспресс-контроль диэлектрических параметров.

Таким образом, в диссертационной работе на основе проведенных исследований, разработаны основы базовых элементов и методика расчета конструкции принципиально нового миниатюрного информационного датчика для измерения параметров внешней и замкнутой среды, имеющего важное народохозяйственной значение. Внедрение информационных

датчиков в корпоративные информационные системы, позволило на несколько порядков снизить время экспресс-контроля параметров среды в пространственно разнесенных точках технологического контроля.

Публикации. Положения и результаты диссертационной работы отражены в 5 публикациях и защищены 2 патентами РФ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы (99 наименований) и приложения, содержащего акт о внедрении. Общий объем диссертации составляет 145 страниц, их них 37 занимают рисунки и графики.

Заключение диссертации по теме «Антенны, СВЧ устройства и их технологии», Линев, Андрей Алексеевич

4.8.Выводы к главе 1У

Техника измерения диэлектрической проницаемости различных сред находит широкое применение в науке и технике. Значение этих измерений постоянно возрастает в связи с увеличением количества новых материалов и необходимости более детального и тщательного изучения свойств. При этом необычайно важной, фундаментальной проблемой физики диэлектриков является изучение потерь прохождения сигнала.

Крайне важным для бурно развивающейся отрасли радиоэлектроники является развитие техники ГИС СВЧ. Одной из важнейших характеристик ГИС СВЧ составляют относительная проницаемость и потери материала подложки. Эти характеристики зависят от состава и строения вещества материала подложки, а также от точности изготовления и чистоты поверхности.

1) Для устойчивого серийного изготовления подложек из алюмооксидной керамики с высоким процентом выхода годных и стабильными электрофизическими характеристиками необходимо введения контроля диэлектрической проницаемости материала на различных стадиях изготовления.

2) Усложнение конструкции ГИС СВЧ повлекло за собой расширение применения деталей из керамики, а появление сложно профильных деталей, например, подложек с углублениями усложнило технологический процесс изготовления ГИС СВЧ, потребовало появления новых технологических методов обработки керамических материалов. При этом в ряде случаев обработка керамики приводит к существенному изменению электрофизических свойств, например, проводимости и диэлектрической проницаемости. Это приводит к необходимости появления в технологической цепочке процесса восстановительного отжига. Экспрес-контроль диэлектрической проницаемости керамических (алюмо оксидных) материалов в этом случае оказывается незаменимым и решающим для применения в серийном производстве ГИС СВЧ.

3) Существенное расширение номенклатуры керамических элементов ГИС СВЧ, например, диэлектрических резонаторов, волноводов, керамических конденсаторов, корпусов ГИС и ППП и т.п. повлекло за собой появление нового класса ГИС СВЧ и К В Ч - д и а п а з о н о в - диэлектрических интегральных схем. Появление которых позволило продвинуться в направлении более высокочастотного (КВЧ) диапазона и создать устройства с уникальными характеристикам, которые не могли были быть получены другими способами. Значение измерения электрофизических свойств материалов при этом огромно, именно оно определяет успех в этом направлении.

4) Увеличение требований к комплексной миниатюризации ТТМ приводит к увеличению плотности и степени интеграции ГИС СВЧ, а это создает проблемы по отводу тепла. Это влечет за собой стремление разработчиков использовать новые более теплопроводные материалы, а значит к дальнейшему расширению перечня применяемых материалов. При этом новые материалы на ряду с высокой теплопроводностью должны обладать приемлемыми электрофизическими характеристиками.

5) Таким образом разработанная методика экспресс-контроля диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь различных сред и оборудования позволяет проводить контроль в условиях серийного производства различных деталей для изделий электронной техники и найдет самое широкое применение в отечественной и зарубежной промышленности.

6) Информационные датчики можно использовать для анализа в одор о до содержащих сред (нефть, продукты нефтепереработки, масла т. п.) на содержание воды, а также для экспресс-контроля параметров (концентрация, скорость, температура и др.) газообразного и жидкого топлива.

7) Разработаны алгоритмы, позволяющие определить место включения информационных датчиков в технологические процессы не только промышленного изготовления материалов, но и в топливно-энергетических комплексах для контроля параметров нефтепродуктов. Созданные программы позволяют управлять магистральными нефтепроводами страны с учетом данных получаемых с информационных датчиков, встроенных на станциях перекачки нефтепродуктов, на отдельных участках нефтепровода в районах распределения нефтепродуктов заказчикам.

Заключение

Проблемы разработки микроволновых информационных датчиков для измерения диэлектрической проницаемости в широком диапазоне частот решались в течении многих десятилетий. И только развитие в последние годы объемных интегральных схем СВЧ обеспечило возможность создания широкополосной элементной базы, которая при достаточно хорошем согласовании позволила реализовать фазовые методы измерения в информационных датчиках. В работе рассмотрены проблемы проектирования информационных датчиков и народнохозяйственные отрасли (нефте-газовая промышленность, топливно-энергетический комплекс, радиоэлектронная промышленность и т. п.), в которые доступно их широкое внедрение.

1. Исследованы физические основы работы информационного датчика, на основе которых предложена математическая модель и получены для нее волновые матрицы рассеяния с учетом неоднородностей в области соединения базовых элементов.

2. Проведена классификация базовых элементов (Т-соединения и линии передачи), на основе которой предложен новый объемный балансный усилитель мощности, позволяющий развязать по электромагнитному полю измерительную и эталонную линии передачи, а также предложена новая цилиндрическая линия передачи для измерения параметров среды в замкнутых системах.

3. Разработан коммуникационный проект сети передачи технологических данных для территориальных управлений магистральных нефтепроводов страны, в который заложены системы информационных датчиков, встроенные контрольно-измерительные комплексы узлов, которые расположены от места добычи до станций раздачи и переработки нефти и нефтепродуктов. Разработанные программы позволяют использовать информационные датчики для контроля содержания воды в углеводородных жидкостях и октанового числа бензина, а также в замкнутых технологических процессах для определения параметров среды и материалов микроэлектроники. Экономический эффект достигается при использовании информационных датчиков на предприятиях топливо -энергетического комплекса для экспресс-контроля параметров горючих материалов в трубопроводах замкнутой системы.

Изготовлены действующие макеты информационных датчиков прошли испытания в технологических процессах по контролю диэлектрических плат для изделий микроэлектроники, на автозаправочных станциях по определению в о до содержания в бензине и его октанового числа

Информационные датчики защищены двумя патентами Российской Федерации, а основные материалы диссертации изложены в пяти публикациях.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Линев, Андрей Алексеевич, 1998 год

Литература

1.Гвоздев В.И., Кузаев Г.А., Нефедов В.И., Яшин A.A. Физические свойства моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ. // Успехи физических наук, 1992 Т. 162, № 3 с. 129 - 160

2.Арсеньев П.А., Попов А.И., Филиков В.А. Новые материалы в полупроводниковой электронике. М.: Высшая школа. 1988.

3.Бриндли К. Измерительные преобразователи. М.: Энергоатомиздат

1991.

4.Гвоздев В.И., Пожидаев Е.Д., Саенко B.C. Влияние низкоэнергетического электронного излучения на электропроводимость радиоматериалов. // Электронная промышленность, 1982. №2 с.80

5.Богородский Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы. - М: Госэнергоиздат, 1963.

6.Андрианова К.А. Справочник по электротехническим материалам. Т.1, Ч.1,2.-М: ГЭИ, 1958.

7.Леонтьева В.П. Авиационные неметаллические материалы. Ч. 1, -М: МАИ, 1965.

8.Новые материалы в технике. Под редакцией Тростянской Е.Б., Калачева Б.А., Сильвестровича С.И.. -М: Гостоптехиздат, 1962.

9.Сажин Б.И. Электропроводность полимеров. -М: Химия, 1965. Ю.Хусаинова Г.З. Диэлектрики в электрическом поле. Под редакцией

ЯнгаХ., перевод с японского. М., Металлургия, 1986.

11.Воробьев Е.В., Михайлов В.Ф., Харитонов A.A. СВЧ диэлектрики в условиях высоких температур. -М., Сов. радио, 1977.

12.Шнейдерман Я. А. Новые материалы антенных обтекателей самолетов, ракет и космических летательных аппаратов. // Зарубежная радиоэлектроника, 1971, №2. с 49-54.

13.Хиппель А.Р. Диэлектрики и их применение. -Л.: Госэнергетизд.,

1959.

Н.Брандт A.A. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. -М: Гос. физ.-мат. литер., 1963.

15.Богданов С.В. Методика измерения куметров емкости и потерь на высоких частотах. // ПТЭ, 1957, №3, с. 90-93.

16.Водопьянов К.А. О релаксационных диэлектрических потерях в кристаллах с полярными молекулами на высокой частоте. // ЖТФ, 1954, Т.-24, №1, с. 25-33.

17.Сканави Г.И., Губкин А.Н. Исследование диэлектрической поляризации дипольных органических кристаллов. // ЖЭТФ, 1954, Т-27, №6, с. 742-753.

18.Медведеев В.И. Радиоинтерференционный метод исследования измерений диэлектрической проницаемости. // Физика диэлектриков. АН СССР, 1958, с. 158-160.

19.Фрадкина Э.М. Метод измерения диэлектрической проницаемости проводящих жидкостей в полях УВЧ. // Физика диэлектриков. АН СССР, 1958, с. 153-157.

20.Хиппель А.Р. Диэлектрики и волны. -М: ИЛ, 1960.

21.Гвоздев В.И., Нефедов Е.И. Объёмые интегральные схемы СВЧ. -М: Наука, 1985.

22.Дейнега Г.А., Гончаренко А.Н. К вопросу об автоматизации измерений параметров диэлектриков в сантиметровом и дециметровом диапазоне волн. // Вопросы радиоэлектроники.Сер. VI, 1965, вып. 3 с. 21-24.

23.Аксенов В.А. О точности волноводных методов измерения диэлектрических свойств материалов. // Вопросы радиоэлектроники. Сер. XII, 1965, вып.2, с. 32-36.

24.Та1реу Т.Е. Оптические методы измерения комплексных диэлектрических и магнитных проницаемостей в диапазоне сантиметровых и миллиметровых волн. // Onde electr., 1953,v 33, N 319, р. 561 - 569.

25.Bachynski М.Р. Поглощение в диэлектрической пластине. // Cañad. Tourn. Phys, 1958, v36 N4, р. 456-461.

26.Тамм И.Е. Основы теории электричества. -М.: Гостехиздат, 1957.

27. Тер мен Ф, Петтит Дж. Измерительная техника в электронике. -М.: ИЛ.,1955.

28.Саенко B.C., Гвоздев В.И., Пожидаеев Е.Д. Экспресс-метод контроля диэлектрической проницаемости подложек СВЧ-микросхем. // Электронная техника. Сер. Электронника СВЧ, 1980, № 6, с. 28-32.

29.Баталов В.Ф., Гвоздев В.И., Михайлов В.М. Устройство для измерения параметров диэлектрика. Патент России № 2003992 Бюл. изобр. 1993, № 40.

30.Батыгина Э.И., Батыгин В.Н., Бравинский В.Г., Куликов В.И. Диэлектрические подложки интегральных схем СВЧ. // Обзоры по электронной технике. Сер. 1 Электроника СВЧ. 1980. Вып 4 с. 34.

31.Реклама фирмы AGAT Corporation, Inc. 1600 Townliurst P.O. Box 802127-Houston. Texas.

32.Чернушенко A.M., Майбородин A.B. Измерение параметров электронных приборов дециметрового и сантиметрового диапазонов волн. М.: Радио и Связь. 1986 с. 336.

33.Гвоздев В.И., Линев A.A. Фазовые методы контроля среды на основе ОИС СВЧ // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1993, №3 с.79-80.

34.Нефедов Е.И., Фиалковский А.Т. Полосковые линии передачи: Электродинамические основы автоматизированного поектирования интегральных схем СВЧ. М: Наука 1980.

35.Никольский В.В., Никольская Т.И. Декомпозиционный подход к задачам электродинамики. М.: Наука 1983.

36.Гвоздев В.И., Кузаев Г.А., Назаров И.В. Неоднородности СВЧ. Метод, указ. М.: МГИЭМ. 1996.

37.Пчельников ЮН., Анненков В.В., Елизаров A.A., Фадеев A.B. Первичные измерительные преобразователи на замедляющих системах. Измерительная техника. 1994 №5 с. 22-24.

38.Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах. М.: Радио и связь. 1990. с. 476.

39.Гвоздев В.И., Неганов В.А. Применение преобразований Швингера для расчета симметричной щелевой линии. Изв. Вуз"ов СССР "Радиофизика", 1984, т. 27, № 2, с. 266 - 268.

40.Гвоздев В.И., Кузаев Г.А., Линев A.A., Назаров И.В. Датчик для измерения диэлектрической проницаемости среды в замкнутых системах. // Измерительная техника. 1996., №2. с. 44-45.

41.Воскресенский Д.И., Кременецкий С.Д., Гринев А.Ю., Котов Ю.В. Автоматизированное проектирование антенн и устройств СВЧ. М,: Радио и связь. 1988

42.Веселов Г.И., Раевский С.Б. Слоистые м ета лл о д и э л ектр и ч ее к и е волноводы. М,: Радио и связь. 1988.

43.Гвоздев В.И., Нефедов Е.И. Объемные интегральные схемы СВЧ -элементная база аналоговой и цифровой радиоэлектрон. М,: Наука 1987.

44.Справочник по волноводам / По ред. Фельда Я.Н.. М,: Сов. радио.

1952.

45.Бальсевич A.C. Разработка полосковых суммарно - разностных устройств для моноимпульсных антенных систем. -Канд. дисс., М.: МИЭМ, 1984.

46.Пчельников Ю.Н., Елизаров A.A. Радиоволновые методы измерений с использованием замедленных систем. Метрология. 1994, №8 с. 20- 22.

47.Пчельников Ю.Н. // Известия высш. учеб. заведений. Радиоэлектроника. 1986 .-Т. 29.- № 10 -с.79

48.Пчельников Ю.Н. // Электронная техника. Сер.1 "СВЧ-техника ". -1992. -№6 (450) с. 42

49.Викторов В.А., Лункин Б.В., Совлуков А,С. Высокочастотный метод измерения неэлектрических величин. - М.: Наука, 1978.

50.Викторов В.А., Лункин Б.В., Совлуков A.C. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. - М.: Энергоатомиздат, 1989.

51.Петров В.Н. и др. Принцип инвариантности в измерительной технике. - М.Наука. 1976

52.Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных схем СВЧ. - М., Высшая школа, 1980.

53.Гвоздев В.И., Иовдальский В.А., Линев А.А. Фазовый метод контроля диэлектрической проницаемости различных сред. // Измерительная техника, 1996. с. 53 - 55.

54.Гвоздев В.И., Иовдальский В.А., Линев А.А., Подковырин С.И. Устройство для измерения диэлектрических параметров среды. // Решение о выдаче патента РФ №94039385 /09 от 1996г.

55. Его шин Ю.И., Линев А.А. Информационная технология экологического экспресс-контроля окружающей Среды. Научн. техн. конф. молодых ученых. М. МИЭМ. 1995, с.6

56.Гвоздев В.И., Кузаев Г.А., Линев А.А., Назаров И.В., Черняков Г.М. Датчик дня измерения физических параметров среды. // Патент РФ № 2057325 бюл. изобр.1996 №9.

57.Деркач Ю.Т. Система для измерения комплексной диэлектрической проницаемости керамики с малыми потерями на СВЧ в широком диапазоне температур. // Сигнал. 1996 №11. с. 8-12.

58.Брандт А. А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах., М.: Гос. издательство физ.-мат. литературы., 1963.

59.0sbrink К., Uhf and Microwave Systems Reap cost and Efficiency Benefits. //Electronic Desing, 1974, kol.22,#17, pp 44-52

бО.Батыгина Э.И. , Батыгин B.H., Бравинский В.Г., Катюргина О.А., Куликов В.И.. Диэлектрические подложки для интегральных схем СВЧ. // Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. Вып.4 (703), М,:ЦНИИ "Электроника". 1980.

61 .Soliol Н. Caulton М, The Technology of Microwave Integrated Circuits. //Adv. Microwave, New York ,1974, Vol 8, pp. 11-68.

62.David Whitelaw. A Comparison of Thick and Thin Films // Electronic Engineering, 1978, voll 1, # 602, pp.65-67

63.Specify Hybrid Components Properly.// Electronic Desing, 1976 , vol. 24, #3, pp. 52-57.

64.Ferenty M.J., Hellicar N.J. Electronic Ceramic Promises Toward Solutions. // Ceram. Eng. and Sci. Ennerg. Prior., New York - London, 1974, pp.181-191.

65.РД 110751-90. Модули СВЧ интегральные. Требования к конструированию микрополо сковых плат, (отраслевой руководящий документ). Дата введения 01.01.90г. Утвержден и введен в действие приказом № 190 1ГТУ МЭП от 04.06.90г. Разработчики: Мурсков А.Ф., Климачев И.И., Северюхина Л.И., Иовдальский В.А., Савцова А.Ф..

66.Accationol , Anglucci A. Spread in effective permittivity of Alumina Substrates.// Electronics.Letter, 18th January 1979, vol. 15, #2,pp.64-65.

67. Б а тур а В.Г. Измерение диэлектрической подложки СВЧ интегральных схем в дисковом микроволновом резонатор е.-//Электронная техника. Сер. 1 Электроника СВЧ, 1978.ю № 9, с. 67-73.

68.Van, Heuven J.H.C. and T.H.A.M. Ylek. Anisotropy in Alumina Substrates for Microstrip Circuits // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techique, November, 1972, pp.775-777.

69.Shanefield D. J., Mistier R.E. Fine Grained Alumina Substrates, 1, Manufacturing Process. Amer. Ceramic Soc. Bulletin, 1974, vol.53, #5, pp. 416420.

70.Mistier R.E., Morzent P.T., Shanefield D.J. Fine Grained Alumina Substrates.// HPropertiets. Amer. Cerained Soc. Bulletin 1974, vol.53, #8, pp. 564-568.

71.Тонкая техническая керамика. Под редакцией Янгида X., М,: Металлургия, 1986.

72.Гвоздев В.И., Иовдальский В.А., Линев А.А., Подковырин С.И. Устройство для измерения диэлектрических параметров среды.// Заявка России №9439385/09 на изобретение, приоритет 30.09.94.

73.Гвоздев В.И., Иовдальский В.А., Линев A.A. Фазовый метод контроля диэлектрической проницаемости различных сред. // Измерительная техника., 1996, №4, с. 53-55.

74.Андрианов Н.Т., Махначев П.П., Фатеева Л.Ф., Цадкина Р.Б. Бесспековая технология изготовления изделий из керамики поликор. // Электронная промышленность, 1977, вып. 3(57), с. 11-14.

75. Иовдальский В.А., Балык о А.К. Совершенствование конструкции широкодиапазонных генераторов на полевых транзисторах с варакторной перестройкой. // Электронная техника. Сер. 1СВЧ - техника. Вып.1 (461), 1994, с. 11-15.

7 6. И ов даль ский В.А. Совершенствование конструкций и технология гибридномонолитных малошумящих усилителей СВЧ - диапазона // Электронная техника., Сер. 1 СВЧ-техника. Вып.З (463), 1994, с. 19-23

77.Иовдальский В.А., Повышение плотности монтажа активных элементов в ГИ СВЧ // Электронная техника, сер. 1 СВЧ-техника. Вып. 2(466), 1995, с. 10-13

78.Щелкунов Г.П., Иовдальский В.А., Бейль В.И. Конструкции и технологии некоторых элементов микрополосковых гибридных вакуумных устройств. // Электронная техника. Сер. 1 СВЧ - техника. Вып. 1 (467), 1996, с. 24-27.

79.Multichip packaging and the need for new materials Balde J.W. //"J.Electron.Mat.", 1989,18, #2, 221-227

80.Взятышев В.Ф., Нарытник Т.Н., Рябов Б.А., Емельяненков Б.Н., Банков С.Е. Диэлектрические интегральные схемы КВЧ, ч.1 Направления и перспективы. // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. Вып. 13 (1140), М.:ЦНИИ "Электроника", 1985.

81.Взятышев В.Ф., Нарытник Т.Н., Рябов Б.А., Емельяненков Б.Н., Банков С.Е. Диэлектрические интегральные схемы миллиметрового диапазона. ч.2. Функциональные элементы и устройства. // Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. Вып. 13 (1209), М,:ЦНИИ "Электроника", 1986.

82.Абраменков А.И., Бродуленко И.И., Геворкян В.М., Ковтунов Д.А. Состояние и перспективы применения миниатюрных диэлектрических резонаторов в перестраиваемых полупроводниковых генераторах. // Обзоры по электронной технике, сер Л, Электроника СВЧ. вып. 5(1359), М.: ЦНИИ "Электроника", 1988.

83.Алексейчик Л.В., Бродуленко И.И., Геворкян В.М., Казанцев Ю.А, Пары шкур а Л.А. Состояние и перспективы применения миниатюрных диэлектрических резонаторов в радиоэлектронике. ч.2. Пассивные и активные СВЧ-устройства миниатюрными диэлектрическими резонаторами. // Обзоры по электронной технике, сер.1, Электроника СВЧ. вып. 2 (865). М.: ЦНИИ "Электроника", 1982.

84.7С0.707.002ТУ. Конденсаторы керамические.

85.Thorp. J.S., Akhtaruzzaman М., Evans D., The dielectric properties of alumina Substrasts for microelectronic packaging.// Journal of Materials Bcience, #25,1990, pp. 4143-4149.

86.Иовдальский В. А., Рыбкин B.H. Прецизионное химическое фрезерование корундовых материалов в технологии ГИС СВЧ. // Электронная техника, вып.4 (458), 1993, с. 25-29.

87.Иовдальский В.А., Рыбкин В.Н., Рыбкин Б.В. Исследования свойств алюмооксидных керамических подложек, прошедших углетерамическое травление.// Электронная техника . сер. 1 СВЧ-техника вып. 5-56(459-460), 1993, с. 53-55.

88.Взятышев В.Ф., Подковырин С.И. Поглощающие элементы диэлектрических интегральных схем. -труды МЭИ, 1980, вып. 464, с. 8-15.

89.Взятышев В.Ф. Итоги, задачи и перспективы работ по исследованию радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах, резонаторах и интегральных схемах. - В кн.: применения и проектирование радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах и резонаторах. (Тезисы докладов и сообщений). - Саратов: Издат. Саратовского университета, 1983, с.15-18.

90.Взятышев В.Ф., Рябов Б.И., Орехов Ю.И. Диэлектрические волноводы для интегральных схем миллиметрового диапазона.- В кн. : Всесоюзн. симпозиум по приборам, технике и распространению М-волн. Тезисы докладов. 1976, с. 111-114.

91 .Взятышев В.Ф. Интегральные схемы оптического и микроволнового диапазонов.- в кн.: Элементы интегральной и волновой оптики в системах связи. Киев, 1977, с. 10-18.

92.Мериакри В.В., Аплеталин В.Н., Крафтмахер Г.А. В кн.: Всесоюзный симпозиум по приборам, технике и распространению миллиметровых и субмиллиметровых волн в атмосфере (тезисы докладов и сообщений) М.: 1976, с, 149-152.

93.Мериакри В.В., Ушаткин Е. Ф., Чикрий E.H. Материалы для интегральных схем коротковолновой части миллиметрового диапазона волн.//В кн.: Зй Всесоюзный симпозиум по миллиметровым и субмиллиметровым волнам (Тезисы докладов Горький: Издат. ИПФ АН СССР.

94.Pound R. New ceramics fill performance gaps.// Electron. Packag and Prod, 1987,27, #9,p.30-33.

95.Hill G.J. Alumina for Microwave Application 73 rd Annual Meeting IlAmer. Cer. Soc. Chicago, III, April, 1971

96.Link J., Wintersgill M.C., Fontella J.J., Bean V.E. and Andeen C.G. // J. Appl. Phys, 52. (1981) 986

97.Thorp J.S., Rad N.E., Evans D. and C.D.H. Williams C.D.H., // J. Mater. Sei. 21 (1986) 3091.

98.Линев A.A. в кн. «Notes R.4.x: Разработка приложений. Язык LotusScript. Встроенные классы»/авторов Ионцев H.H., Кулаков В.К., Панов В.А. -С.Петербург: Научная книга 1996. с. 3-4.

99.Линев A.A. в кн. «Администрирование Lotus Notes версий 4.x и Lotus Domino версий 4.5х»/автор Ионцев H.H. -М: Светотон 1997. с. 1.