Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Русинов, Сергей Васильевич

• Русинов, Сергей Васильевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Русинов, Сергей Васильевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ИСТОЧНИКОВ И АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ

1.1 Методы измерения температур и автоматические средства измерений

1.2 Управление температурными параметрами установок для проведения ГЖК

1.3 Технологические особенности ГЖК

1.4 Модельные представления технологического процесса ГЖК

0 1.5 Постановка задачи исследования

ГЛАВА 2. СИСТЕМА АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНО-ВРЕМЕННЫМ РЕЖИМОМ ГЖК

2.1 Применение микроконтроллера смешанного сигнала C8051F005 в системе сбора данных технологического процесса ГЖК

I 2.1.1 Технические характеристики микроконтроллера С8051F

2.1.2 Аналого-цифровая подсистема

2.2 Система регулирования температуры

2.2.1 Структура системы регулирования температуры

2.2.2 Тип применяемых ТЭП и особенности их применения

2.2.3 Нормирование сигнала

2.2.4 Управление нагревателем температуры с помощью регулятора мощности

2.2.5 Последовательный интерфейс связи системы мониторинга и управления температурным режимом с персональным компьютером

2.3 Цифровой ФНЧ для системы контроля температурного режима

2.4 Управление температурным полем ГЖК

Выводы

ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ PbSnTe/PbTe МЕТОДОМ ГРАДИЕНТНОЙ ЖИДКОФАЗНОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

3.1 Определение технологических параметров с учетом стабильной эволюции межфазных границ

3.2 Фазовые равновесия в системе PbSnTe/PbTe

3.3 Технологические особенности процесса получения твердых растворов PbSnTe/PbTe методом ГЖК

3.3.1 Оборудование технологического процесса ГЖК

3.3.2 Формирование жидких зон и профиля межфазных границ

3.4 Основные параметры технологического процесса ГЖК и управление ими

Выводы

ГЛАВА 4. СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ PbSnTe/PbTe И PbSnTe(Tn)/PbTe СФОРМИРОВАННЫХ МЕТОДОМ ГЖК

4.1 Структурные свойства твердых растворов PbSnTe/PbTe

4.2 Электрофизические свойства и возможности практического использования гетероструктур PbSnTe/PbTe, PbSnTe(In)/PbTe.

4.3 Технологические рекомендации по результатам работы и применению автоматической системы управления температурно-временным режимом ГЖК

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Градиентная жидкофазная кристаллизация твердых растворов PbSnTe/PbTe с применением системы цифровой обработки сигналов»

Важным фактором современного научно-технического прогресса является развитие новых подходов в теории и практике получения кристаллических структур с ценными для приборной реализации физическими свойствами. Применительно к жидкофазным методам синтеза сложных полупроводников в технологии их получения обозначилось направление, связанное с программированием характеристик приборов состоянием жидкой фазы, что позволяет оптимизировать технологические процессы получения существующих твердых растворов (TP) полупроводников, используя различные приемы управления их составом и структурой, а также разработать методы получения новых материалов электронной техники.

Структурные изменения в пересыщенном расплаве, как на начальных стадиях роста, ® так и в дальнейшем, являются фактором, определяющим формирование элементной базы приборов. Основой этих процессов являются диффузионные и кинетические явления.

Известно, что средняя температура зоны и градиент температуры в ней являются основными процесса градиентной жидкофазной кристаллизации (ГЖК), и непосредственное измерение этих параметров затруднено из-за малых размеров зон и толщины композиций, высокого теплового сопротивления контактов. В связи с этим необходимо с достаточно высокой точностью т определять градиент температур традиционными методами.

Технологические условия ГЖК, такие, как нестабильность температурного режима вызванная инерционностью нагревательного элемента, низкая точность измерения температуры приводят к фрагментации жидкой зоны, образованию новых фаз, микродвойникованию, увеличению плотности дислокаций и т. д. Однако колебания температуры можно привести в допустимые пределы, использовав систему автоматического регулирования температуры с требуемой точностью измерения и регулирования температуры (порядка ±0,1 К).

Для исследований были выбраны гетеросистемы

А4В6 - Pb-Sn-Te (с использованием свинцовых жидких зон). Кристаллизация во всех системах имеет место при относительно низких тем-г0 пературах (менее 103 К), что облегчает проведение экспериментов по выращиванию соответствующих ТР.

В отношении гетеросистем Pb-Sn-Te метод градиентной жидкофазной кристаллизации практически не исследовался и имеется лишь ограниченная информация по получению TP Pb-Sn-Te. Так же ранее в технологии ГЖК не применялись системы управления температурно-временным режимом на основе цифрового преобразования сигналов. fe Цель работы

Целью работы является исследование структурных преобразований в ходе кристаллизации твердых растворов Pb-Sn-Te; разработка системы управления процессом градиентной жидкофаз-ной кристаллизации на основе современных микроконтроллеров смешанного сигнала; определение влияния точности управления движущим фактором технологического процесса на качественное и структурное совершенство получаемых твердых растворов; исследование возможности получения низко дефектных структур Pb-Sn-Te легированных изовалентными примесями; исследование свойств выращенных гетероструктур.

Научная новизна работы:

1. Разработана система автоматического управления технологическим процессом градиентной жидкофазной кристаллизации на основе микроконтроллера смешанного сигнала.

2. В оборудовании ГЖК впервые применена идеология цифровой фильтрации сигналов.

3. Получены твердые растворы Pbi.xSnxTe/PbTe и Pbi.xSnxTe(In)/PbTe при 0,2<х<0,28 методом градиентной жидкофазной кристаллизации.

4. Впервые исследованы закономерности градиентной жидкофазной кристаллизации с применением автоматической системы управления в системе Pbj.xSnxTe/PbTe и PbixSnxTe(In)/PbTe с использованием оловянно-свинцовых жидких зон.

5. Исследовано влияние индия на структурное совершенство МТР Pbi.xSnxTe(In)/PbTe, полученных методом градиентной жидкофазной кристаллизации (изменение плотности дислокаций, локальных макродефектов).

6. Установлен механизм стабилизации движущей силы технологического процесса градиентной жидкофазной кристаллизации в формировании структурных и электрофизических свойств твердых растворов PbSnTe/PbTe и PbSnTe(In)/PbTe.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Система автоматического управления температурно-временным режимом на основе МК C8051F005, разработанная в диссертационной работе, пригодна для управления технологическим процессом градиентной жидкофазной кристаллизации. Точность регистрации и управления ТВР составляет ±0,1 К.

2. Использование схем цифровой фильтрации позволяет повысить стабильность входных сигналов и, соответственно, качество измерений.

3. Твердые растворы PbSnTe, полученные методом градиентной жидкофазной кристаллизации воспроизводимо кристаллизуются при соблюдении технологического цикла и точности параметров процесса. В системе Pbi.xSnxTe/PbTe возможна кристаллизация твердых растворов с содержанием х<0,28, Pbi.xSnxTe(In)/PbTe с содержанием 0,2<х<0,28 и уровнем легирования In до 0,5 ат. %.

4. При определенных технологических условиях процесса ГЖК в системе Pbi.4SnxTe/PbTe возможно формирование гетероструктур, с требуемыми свойствами.

5. Нагревание ростовой композиции в гетеросистемах Pb-Sn-Te на конечном этапе формирования градиента температуры со скоростью, превышающей 0,15 К/с, приводит к спонтанной кристаллизации и деградации структуры.

6. Нелинейный характер спектральных характеристик трехкомпонентных гетероструктур допускает возможность применения TP Pb-Sn-Te в качестве фотоприемников с «внутренним» интегрированием.

Практические результаты

1. Разработана система автоматического управления температурно-временным режимом на основе МК C8051F005 для технологического процесса градиентной жидкофазной кристаллизации. Точность регистрации и управления ТВР составляет ±0,1 К в диапазоне рабочих температур 0-И ООО °С.

2. Выращены слои PbSnTe толщиной до 100 мкм, а также PbSnTe(In) с содержанием индия 0,5 ат. % и толщиной до 100 мкм, которые могут использоваться для разработки лазерных структур и фотоприемных устройств в инфракрасной области спектра.

3. Разработана управляемая ЭВМ технология выращивания гетероструктур А4В6 на основе тел-лурида свинца из жидкой фазы методом градиентной жидкофазной кристаллизацией.

Апробация работы

Результары работы представлены на международных научно-технических конференциях: «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2004 г.), «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004 г.), «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2004 г.), «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» (Новочеркасск, 2004 г.), Всероссийских конференциях с международным участием: «Современные энергетические системы и комплексы и управление ими» (Новочеркасск, 2004 г.), "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 2002, 2004 гг.), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях ВИ ЮРГТУ (НПИ).

Публикации

По результатам диссертации опубликовано 30 печатных работ, в которых изложены ее основные положения и результаты.

Объем работы и ее структура

Настоящая работа состоит из введения и четырех глав, общих выводов, списка литературы и приложений, содержит 165 страниц машинописного текста, 64 иллюстраций, 20 таблиц. Библиография включает 140 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Русинов, Сергей Васильевич

Общие выводы

1. Разработана система автоматического управления ТВР на основе МК C8051F005 для установки ГЖК. Точность регистрации и управления ТВР составляет ±0,1 К, что позволяет получать более совершенные структуры, увеличить выход годных образцов на 35+60%.

2. Точность измерения температуры технологического процесса ГЖК составляет ±0,1 К в диапазоне температур О-rl ООО °С. Применение данной системы позволяет повысить точность измерения температуры, что приводит к повышению воспроизводимости получения образцов полупроводниковых структур на основе халькогенидов свинца.

3. Методом ГЖК были получены эпитаксиальные слои твердых растворов Pbi.xSnxTe, Pbi.xSnxTe(In) (хе[0,2; 0,28] Т=750+800 К, как варизонные, так и однородные по составу. Ранее без применения автоматической системы управления ТВР(±2+5 К), было возможно получение TP для составов х<0,2.

4. Для гетероструктур PbSnTe/PbTe, PbSnTe(In)/PbTe установлено, что при кристаллизации трехкомпонентных халькогенидов необходимо уменьшать скорость нагревания и охлаждения рабочей композиции до значений 0,15 К/с при Т>0,67Траб, при более интенсивном изменении температуры происходит деградация подложки и образцов. Так же установлено, что для повышения качества и увеличения числа получаемых структурно совершенных образцов необходимо поддержание ТВР с точностью не ниже ±0,2 К, что оказалось возможным с применением автоматической системы управления.

5. Показано, что легирование индием выступает фактором, снижающим плотность дислокаций за счет упругих напряжений возникающих на гетерогранице. Толщина наиболее совершенных структур полученых с применением автоматической системы управления ТВР составляет 50 мкм.

6. Наиболее высокая фоточувствительность и наибольшее время жизни фотоносителей наблюдалась у TP PbSnTe/PbTe, PbSnTe(In)/PbTe полученных с точностью регистрации ТВР ±0,1 К, что объясняется структурным совершенство данных ТР.

7. Показана перспективность применения гетероструктур Pbi.xSnxTe/PbTe Pbi.xSnxTe(In)/PbTe для приборов оптоэлектроники и системы автоматического управления ТВР.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Русинов, Сергей Васильевич, 2005 год

1. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М.: Наука, 1976.4.1. 567 с.

2. Гольденберг Л. М. и др. Цифровая обработка сигналов. М.: Радио и связь, 1985. 312 с.

3. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Благин А. В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов н/Д: Изд. СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.

4. Actis A., Crovini L. TMCSI. V. 5, 1982 Р. 819-827

5. Ашкрофт Н., Мермин Н., Физика твердого тела, М.: Мир 1979. 458 с.

6. Зайцева Е. М., Холмянский В. А. //ИТ. 1986. №1. С. 19.

7. Гордов А. Н., Жагуло О. М., Иванова А. Г. Основы температурных измерений М.: Энергоатом-издат, 1992. 304 с.

8. Олейник Б. Н., Лаздина С. И., Лаздин В. П., и др. Приборы и методы температурных измерений М.: Издательство стандартов 1987. 296 с.

9. Капустян В. И. Активные RC-фильтры высокого порядка. М.: Радио и связь. 1985. 248 с.

10. Томпкинс У., Уэбстер Дж. и др. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM PC. М.: Мир, 1992. 589 с.

11. И.Геращенко О. А., Гордов А. Н. и др. Температурные измерения. Киев: Наукова думка, 1989. 496 с.

12. Линевег Ф. Измерение температур в технике: Справочник. М.: Металлургия, 1980. 544 с.

13. Богданов Г. П., Кузнецов В. А., Лотонов М. А. и др. Метрологическое обеспечение и эксплуатация измерительной техники М.: Радио и связь, 1990. 239 с.

14. Левишна Е. С., Новицкий П. В. Электрические измерения физических величин Л.: Энерго-атомиздат 1983. 320 с.

15. Смилянский Г. Л. и др. Справочник проектировщика систем автоматизации управления производством М.: Машиностроение 1976. 590 с.

16. Опадчий Ю. Ф., Глудкин О. П., Гуров А. И. Аналоговая и цифровая электроника М.: Горячая линия Телеком 2000. 768 с.

17. Хофманн Д. Техника измерений и обеспечение качества. М.: Энергоатомиздат, 1983. 471 с.

18. Браверман Э. М., Мучник И. Б. Структурные методы обработки эмпирических данных М.: Наука 1983. 464 с.

19. Axelson J. L. Serial Port Complete. Independent Publishers Group, 1998. 306 c.

20. Wooi Ming Tan Developing USB PC Peripherals. Annabooks, San Diego, 1997. 176 c.

21. Жарков Ф. П. и др. Использование виртуальных инструментов LabVIEW. М.: Радио и связь, 1999. 268 с.

22. Гелль П. Как превратить персональный компьютер в измерительный комплекс. М.: ДМК, 1999. 144 с.

23. Пей А. Сопряжение ПК с внешними устройствами. М.: ДМК, 2001. 320 с.

24. Никамин В. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи. Справочник. М.: Корона Принт, 2003. 224 с.

25. Гельман М. М. Системные аналого-цифровые преобразователи и процессоры сигналов. М.: Мир, 1999. 559 с.

26. Dhananjay V. Gadre Programming the Parallel Port: Interfacing the PC for Data Acquisition and Process Control. R&D Books an imprint of Miller Freeman, Inc, 1998. 312 c.

27. Eggebrecht L. G. Interfacing to the IBM personal computer. Indianapolis, IN: Howard W. Sams, 1983.

28. Faisal Imdad-Haque and Faisal Haque Inside PC Card: Cardbus and Pcmcia Design. Published in Hardcover by Newnes, 1996. 352 c.

29. Шлихт Г. Ю. Цифровая обработка цветных изображений. М.: Эком, 1997. 336 с.

30. Haddad R. A., Parsons Т. W. Digital Signal Processing Theory, Applications and Hardware, Computer Sciences Press, USA, 1991.31. 8XC51RA/RB/RC Hardware Description, Intel, 1995.

31. Николайчук О. Семейства х51 микроконтроллеров фирмы Cygnal. Компоненты и технологии, 2002, № 1, с. 86-91.

32. Бизюков А. Новые микроконтроллеры серии 8051 с интегрированными АЦП и ЦАП высокого разрешения для высокоскоростных приложений. Компоненты и технологии, 2002, № 5, с. 102104.

33. Николайчук О. х51-совместимые микроконтроллеры фирмы Cygnal. М.: ИД «Скимен», 2002. 472 с.

34. Френке JI. Теория сигналов М.: Сов. Радио, 1974. 344 с.

35. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М. Радио и Связь, 1991. 528 с.

36. Мильвидский М. Г., Никишин С. А., Сейсян Р. П. //Кристаллография.-1982. Т.27,в.4.- С.742-750.

37. Карпов С. Ю., Никишин С. А., Портной Е. Д., Синявский Д.В. Много волновые лазерные излучатели на основе твердых растворов AlxGai.xAs //ЖТФ.-1985.-Т.55, №10.-с.1962-1966

38. Овчаренко А. Н. Нелинейные явления в процессе эволюции межфазных границ при ЗПГТ: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1988.

39. Благин А. В. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных гете-росистемах на основе антимонида индия: Дис. канд. тех. наук. Новочеркасск 1996.

40. Труфманов А. П. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов А3В5 и А4В6, формируемых в поле температурного градиента: Дис. . канд. техн. наук. Новочеркасск, 2001.

41. Батраков В. Б. Схемотехническое и функциональное проектирование вакуумной коммутационной аппаратуры: Дис. канд. техн. наук. Москва, 1992.

42. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 233 с.

43. Попов В. П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: Дис. . доктора техн. наук. Новочеркасск, 1987.

44. Малибашев В. А. Малибашева Л .Я. Исследование возможности применения дискретных зон для ЗПГТ на воздухе//В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов - Новочеркасск, 1981.-С.110-113.

45. Филиппов Ж. А. Аналоговые электроизмерительные приборы М.: Высшая школа 1991

46. Уфимцев В. Б., Акчурин P. X. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.-М.:Металлургия.-1983-2.

47. Буддо В. И., Курносов А. И., Лозовский В. Н., Попов В. П. Повышение эффективности процесса получения диффузионно-сплавных р-п переходов большой площади//Изв. Сев. Кавк. науч. центра высшей школы. Технические науки.-1974.-В.З.-С.74-76.

48. Башок А. В., Попов В. П. Особенности жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента из вертикального слоя раствора расплава//Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1986.-Т.22, №2.-С. 195-200.

49. Балашов Е. П., Пузанков Д. В. Проектирование информационно-управляющих систем М.: Радио и связь 1987. 256 с.

50. Спектор С. А. Электрические измерения физических величин М.: Энергоатомиздат 1987. 320 с.

51. Цимерман Р. Цифровые системы управления М.: Мир 1984.

52. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. -М.: Выс. шк., 1990.-423 с.

53. Богородицкий Н.Н., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы. Ленинград: Энергия, 1977.-350 с.

54. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1975. - 328 с.

55. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. - 352 с.

56. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. — М., 1972. — 240 с.

57. Ефремова Н.П. Перераспределение примесей при ЗПГТ локальными зонами. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз.сб. науч. тр. НГТУ. Новочеркасск: Новочерк. гос. техн. ун-т.1993. С.11-18.

58. Лозовский В.Н., Константинова Г.С. Процесс перекристаллизации в линейных зонах при ЗПГТ. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1989. С.95-103.

59. Lozovskii V.N., Ovcharenko A.N., Popov V.P. Liquid-Solid Interface Stability // Prog. Crystal Growth Charact. 1986. - V. 13 - P. 145.

60. Antony T.R., Cline Н.Е. The Stability of Migrating Droplets in Solid // ActaMet. 1973. - V.21. -P. 117.

61. Лозовский B.H., Попов В.П. О стабильности фронта роста при кристаллизации методом движущегося растворителя // Кристаллография. -1970. Т. 15, № 1. С. 149-155.

62. Antony T.R., Cline Н.Е. Interface Stability in Temperature Gradient-Zone Melting // Acta Met. -1973.-V.21.-P.541-553.

63. Ф 69. Гершанов В.Ю., Гармашов С.И. О кинетике процесса зонной пе-рекристаллизации градиентом температуры при нестационарных тепловых ус-ловиях // Кристаллография. 1992. - Т. 37, вып.1.-С. 34-42.

64. Майстренко В.Г., Паллий Н.Д. О влиянии нестационарных тепловых условий на кинетику и стабильность движенияжидких включений в кристаллах // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1985. - С. 78-83.

65. Ф 71. Lander J.S. Instabilities and Patten Formation in Crystal Growth // Rev. Mod. Phys. 1980. - V. 52. -P. 1.

66. Bhatt V.P., Pandya G.R., Vyas A.R. Study of Solid-Liquid Interface of Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals // Indian J. Pure Appl. Phys. 1980. - V.I8. - P. 58.

67. Jamgotchian H., Billia В., Cappella L. Morphology of Solidification Front During Unidirectional Growth of Pb-Tl Alloys // J. Cryst. Growth. 1983. - V. 64. - P. 338.

68. Coulet A.L. Interfacial Stability During the Growth of a Dilute Binary Alloy- Thermodynamical Approach // J. Cryst. Growth. 1982. - V. 60. - P. 381.

69. Billia В., Ahbout H., Cappella L. Stable Cellular Growth of a Binary Alloy // J. Cryst. Growth. -1981.-V.51.-P. 81.

70. Устелемов C.B., Фролов A.A., Гук В.Г. Ячеистый рост кристаллов FeGe2 // Кристаллография.

71. Ф 1984.-Т. 29, №5.-С. 1014.

72. Huang S.C., Glicksman М.Е. Fundamentals of Dendritic Solidification. -II Development of Side-Branch Structure // Acta Met. 1981. - V. 29. - P. 717.

73. Sekerka R.F., Coriell S.R., McFadden G.B. Stagnant film model of the effect of natural convection on the dendrite operating State // J. of Crystal Growth. -1995. V. 154. - P. 370-376.

74. Верезуб H.A., Полежаев В.И. Математическое моделирование конвекции и концентрационных полей при росте эпитаксиальных слоев // Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур: Сб. ст. М.: Наука, 1986. - С. 101-112.

75. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb // Неорг. материалы. 1991. - Т.27, №2. С.225-230.

76. Под ред. Ченга Л., Плога К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры М.: Мир, 19899 584 с.

77. Dobson P. J., Neave J. Н., Joyce В. А. Surf. Sci., 1982, v. 119, p. 339

78. Partin D. L. J. Vac. Sci. Technol., 1982, v. 21, p. 1.

79. Лодиз P., Паркер P. Рост монокристаллов. M.: Мир, 1974. -540с.

80. Найфе А. Методы возмущений. -М.: Мир, 1976. 456 с.

81. Темкин Д.Е. Устойчивость плоского фронта кристаллизации // Докл. АН СССР. — 1960. Т. 133. * -С. 174.

82. Меркин Д. Р. Введение в теорию устойчивости движения. — М.: Наука, 1976. 320 с.

83. Маллинз В., Секерка Р. Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации разбавленного бинарного сплава // Проблемы роста кристал-лов. -М.: Мир, 1968.-С. 106.

84. Ляпунов A.M. Общая задача об устойчивости движения. М.: Ленгиз, 1950.-115 с.ф 93. Delves R.T. Theory of Interface Stability // J. of Crystal Growth. Ed. Pamplin B.R. -1974., P. 40.

85. Delves R.T. Interface Stability in Temperature Gradient-Zone Meting on Thermodynamic // Phys. Stat. Solid. -1967. -V.20, №2. -P.639.

86. Зайденстиккер P. Устойчивость поверхности раздела фаз при зонной плавке с градиентом температуры // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968. -С. 197.

87. Wollkind D.J., Segel L.A. A Nonlinear Stability Analyses of Freezing of a Dilute Binary Alloy // Phil. Trans. Roy. Soc. -1970. V.268. -P. 351.

88. Теория ветвления и нелинейные задачи на собственные значения. / Под ред. Дж. Б. Келлера, С.Антмана. М.: Мир, 1974. - 254 с.

89. Sriranganathan R., Wollkind D.J., Oulton D.B. Nonlinear Stability Analyses of the Solidification am

90. Dilute Binary Alloy in the Three-dimensional Caze // J. of Crystal Growth -1983. V.62. -P. 265.

91. Sivashinsky G.I. On Cellular Instability in the Solidification of a Dilute Binary Alloy // Physica -1983. -V.8D -P. 243.

92. Langer J.S. Instabilities and Pattern Formation in Crystal Growth // Rev. Mod. Phys. -1980. -V.52. -P.l.

93. Лозовский B.H., Кукоз В.Ф., Овчаренко A.H. Зонная перекристаллизация в поле темпера-ф турного градиента в системе кремний-германий // Кристаллизация и свойства кристаллов:

94. Межвуз. сб. науч. тр. -. Новочеркасск: НПИ, 1989. С.131-138.

95. Овчаренко А.Н., Колесниченко А.И., Кукоз В.Ф. Морфологическая устойчивость плоских межфазных границ при выращивании кристаллов Si-Ge // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. -. Новочеркасск: НПИ, 1991. С. И 8-122.

96. Леусова А.И., Юрьев В.А., Кукоз И.Ф. Экспериментальные исследования морфологической устойчивости межфазных границ в системе кремний-германий // Межвуз. сб. науч. тр. НГТУ. -Новочеркасск: Новочерк. гос. техн. ун-т, 1993. С.32-35.

97. Лунин Л.С., Овчаренко А.Н., Кулинич Н.В. Эволюция межфазных границ в процессах перекристаллизации в поле температурного градиента // 17-ая Российская конференция по ЭМ'98: Тез. докл., 15-18 июня 1998г. Черноголовка, 1998. - С.175.

98. Лунин Л.С., Кулинич В.И., Кулинич Н.В. Модель роста фрактальных объектов в процессе электрокристаллизации металлов // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: Набла, 1996. - С.75-80.

99. Park Sangil. Principles of Sigma-Delta Modulation for Analog-to-Digital Converters. // In The Communications Applications Manual.-Motorola Inc., Plwenix, Arizona.-1993.-V. DL411D/REV1.-P. 293-350

100. Mixed-Signal 32KB ISP FLASH MCU Family C8051F000/1/2/5/6/7, C8051F010/1/2/5/6/7. Cygnal Datasheet CYGNAL Integrated Products, Inc., USA, 2002. 171 p.

101. Фрунзе А. К вопросу о производительности микроконтроллеров фирмы Cygnal. Компоненты и технологии, 2002, №4, с. 106-108.

102. Николайчук О. Микросистемы сбора данных фирмы Cygnal. Электронные компоненты, 2002, №5, с. 109-112.

103. Николайчук О. Эксперименты с микроконтроллерами фирмы Cygnal. -Схемотехника, 2003, №3, с. 37-40.

104. Mixed-Signal 32КБ ISP FLASH MCU Family C8051F0xx. Cygnal Datasheet CYGNAL Integrated Products, Inc., USA, 2002. 170 p.

105. Improving ADC Resolution By Oversampling and Averaging. Cygnal Datasheet CYGNAL Integrated Products, Inc., USA, 2001.21 p.

106. Single Supply, Rail-to-Rail, Low Cost Instrumentation Amplifier AD623. Datasheet Analog Devices, Inc., USA, 1999. 16 p.

107. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. М.: Мир, 1998. 704 с.

108. МАХЗ222/МАХЗ232/МАХЗ237/МАХЗ241 Transceivers. Datasheet Maxim Integrated Products, USA 2003. 16 p.

109. Каппелини В., Константинидис Дж., Эмилиани П. Цифровые фильтры и их применение. М.: Энергоатомиздат, 1983. 360 с.

110. Хемминг Р.В. Цифровые фильтры. М.: Недра, 1987. 224 с.

111. Рабинер Jl. Р., Гоулд В. Теория и применение цифровой обработки сигналов. М.: Мир, 1978. 848 с.

112. Константинова Г. С. О кинетике ЗПГТ в системе кремний-аллюминий // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, 1971. Т. 239. С. 155-158.

113. Беляев Н. М., Рядно А. А. Методы теории теплопроводности: Учеб. Пособие для вузов. В 2-х частях. Ч. 1. М., 1982. 327 с; Ч. 2. М., 1982. 304 с.

114. Крапухин В. В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. — 352 с.

115. Владимиров В. С. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1971.-512 с.

116. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb // Неорг. материалы. 1991. - Т.27, №2. С.225-230.

117. Кулинич Н.В., Овчаренко А.Н. Физическая и математическая модель метода ЗПГТ с учетом гидродинамических эффектов / Новочерк. гос. ун-т. Новочеркасск, 1998. - 20 с. - Деп. в ВИНИТИ 04.08.98, №2513 В-98.

118. Казаков А. И., Мокрицкий В. А., Романенко В. Н., Хитова Л. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах М.: Металлургия, 1987. 137 с.

119. Рубцов Э. Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью. Диссертация на соискание ученой степени кандидата ф.-м.н. Санкт-Петербург, 1994.

120. Алексеева Г.Т., Крылов Е.Т. Особенности теплопроводности решетки халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS // Физика твердого тела. 1983. -Т.25, №12. - С.3713-3716.

121. Onabe К. Thermodinamics of type A1-XBXC1-YDY III-V quoternary solid solutions // J. Phis. Chem. Solids. 1982.43.11. 1071-1086.

122. Глазов В. M., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники.- М.: Наука, 1967. -347 с.

123. Osamura К. Nakajiama К., Murakami Y. J. Electrochem. Soc., 1979, v. 126, N 11, p. 1992-1997.

124. Laugier A.- Rev. Phys. Appl., 1973, v. 8, N 2, p. 259-268.

125. Bauer G et al. J. Appl. Phys. 4,11721 (1976)

126. Акимов Б. А. и др. ФТП 13 752(1979)

127. Алексеева Г.Т., Крылов Е.Т. Особенности теплопроводности решетки халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS // Физика твердого тела. 1983. -Т.25, №12. - С.3713-3716.

128. Справочник химика. / Б. П. Никольский, О. Н. Григоров, М. Е. Позин и др. Т.1. Ленинград: Изд-во хим. лит., 1963. - 1072 с.

129. Справочник химика. / Б.П.Никольский, О. Н. Григоров, М. Е. Позин и др. Т.2. Ленинград: Изд-во хим. лит., 1963 - 1170 с.

130. Физические величины: Справочник. / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, А. М.Братковский и др. Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е. 3. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

131. Химическая энциклопедия. В 5 т. / И.Л.Кнунянц (гл. ред.) и др. М.: Сов. энцикл., 1988.