Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Афанасьев, Александр Михайлович

• Афанасьев, Александр Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Афанасьев, Александр Михайлович

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ZnS:Mn

1.1. Структура и параметры тонко пленочных электролюминесцентных излучателей

1.2. Основные характеристики ТП ЭЛИ.

1.3. Физические процессы, протекающие в ТП ЭЛИ

1.4. Глубокие центры в сульфиде цинка, легированном марганцем

1.5.Вывод ы

2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССОВ ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ В

ТП ЭЛИ НА ОСНОВЕ ZnS:Mn

2.1. Методика определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn

2.2. Уточнение методики определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn

2.3. Анализ методической погрешности определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn

2.4.Вывод ы

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТУННЕЛИРОВАНИЯ И УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ

В ТП ЭЛИ НА ОСНОВЕ ZnS:Mn

3.1. Описание исследуемых образцов и эксперимента излучателях

3.3 Экспериментальное исследование характеристик туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях с использованием уточненной методики

3.4.Выводы

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЯХ НА ОСНОВЕ ZnS:Mn

4.1. Методика определения основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-полупроводник

4.2. Экспериментальное исследование основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-полупроводник

4.3.Вывод ы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем»

Актуальность темы. Тонкопленочные (ТП) электролюминесцентные (ЭЛ) излучатели (ЭЛИ) структуры металл - диэлектрик - полупроводник (люминофор) -диэлектрик - металл (МДПДМ), размещенные на стеклянной подложке, являются одними из наиболее перспективных типов активных индикаторных элементов, позволяющих создавать плоские индикаторные панели большой информационной емкости для дисплеев ЭВМ и телевидения. К их достоинствам относят высокие яркость, контраст и крутизна вольт-яркостной характеристики, многоцветность, долговечность, быстродействие, широкий диапазон рабочих температур, радиационную стойкость, большой угол обзора, малую толщину и массу, высокую механическую прочность, малую потребляемую мощность и относительно низкую стоимость и др. [1,2]

До недавнего времени основной проблемой ТП ЭЛИ была недостаточность яркости свечения для всех цветов свечения, кроме желтого и зеленого, что являлось основным препятствием для создания плоских полноцветных дисплеев. Однако ситуация изменилась к лучшему, когда фирма iFire в 1997 г. представила люминофор синего стабильного свечения SrS:Cc. Затем эта компания в 2002 г. продемонстрировала прототип 17-и дюймового полноцветного дисплея, особенностью которого была замена одной из тонких диэлектрических пленок на слой толстого диэлектрика. К настоящему времени существуют образцы 34-х дюймовых дисплеев, выполненных по такой технологии. Следует отметить, что в основе работы данных устройств лежат те же физические процессы, что и в ТП ЭЛИ структуры МДПДМ. Препятствием для выхода на рынок плоских дисплеев и создания конкуренции с жидкокристаллическими и плазменными панелями является сложность, а соответственно и цена технологического процесса создания данных устройств. Также определенным недостатком является относительно высокое знакопеременное возбуждающее напряжение (до 250 В). [3,4].

Наиболее изученной структурой, обладающей наилучшими показателями эффективности, является структура МДПДМ на основе сульфида цинка, легированного марганцем. .

Процесс люминесценции в ТП ЭЛИ структуры МДПДМ на основе ZnS:Mn обусловлен туннелированием носителей заряда с поверхностных состояний (ПС) катодной границы раздела диэлектрик-полупроводник в сильном электрическом поле , последующим ударным возбуждением центров свечения Мп2+ и размножением носителей из-за ударной ионизации собственных дефектов структуры и примесей [1,5].

Таким образом, в слое люминофора ТП ЭЛИ в общем случае имеется две последовательно включенные области генерации носителей: область туннелирования электронов с ПС и область лавинного размножения этих электронов в слое люминофора за счет ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры.

В ZnS:Mn ПС катодной границы раздела диэлектрик-полупроводник являются основным источником инжектированных электронов. Поэтому катодная граница раздела диэлектрик-полупроводник должна обеспечивать достаточным числом электронных состояний и их соответствующим распределением по энергиям, гарантируя высокую эффективность всей структуры.

Хотя ТП ЭЛИ на данный момент и являются достаточно хорошо изученными с технологической и схемотехнической точки зрения, точное описание процесса туннелирования электронов с ПС и параметров потенциального барьера на указанной границе раздела до настоящего времени отсутствуют.

Поэтому разработка методики определения основных параметров и характеристик процессов туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе сульфида цинка, легированного марганцем, и их зависимостей от режима возбуждения электролюминесценции для возможного управления этими характеристиками ЭЛИ с целью повышения эффективности их функционирования является в настоящее время весьма актуальной. Данная методика может быть применена не только для структур на основе ZnS:Mn, но и и для аналогичных пленочных структур на основе других высокоэффективных люминофоров.

Цель работы: экспериментальное и теоретическое исследование процессов туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn.

Решаемые задачи:

1.Разработка методики определения характеристик туннелировния и параметров ПС на катодной границе раздела диэлектрик — полупроводник

2.Анализ погрешности определения основных характеристик и параметров, описывающих процессы туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ.

3.Исследование влияния условий возбуждения на характеристики туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn.

4.0пределение распределения плотности заполненных ПС от энергии и изменения ее в зависимости от условий возбуждения ТП ЭЛИ, а также оценка положения равновесного и квазиравновесного уровней Ферми в процессе работы ТП ЭЛИ.

Научная новизна

1 .Разработана физико-математическая модель генерации носителей заряда в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn и определены параметры данной модели.

2.В рамках данной модели определены динамика опустошения заполненных уровней ПС границы раздела диэлектрик-люминофор, изменение ширины потенциального барьера на этой границе и вероятности туннелирования электронов в единицу времени в процессе работы ТП ЭЛИ.

3.Получены зависимости от времени коэффициента ударной ионизации, коэффициента умножения электронов для полного цикла работы ЭЛИ.

4.Определено распределение электрического поля в прикатодной области слоя лю-минофора и его зависимость от условий возбуждения ТГ1 ЭЛИ.

5.Установлено распределение плотности заполненных ПС от энергии и .изменения ее в зависимости от условий возбуждения ТП ЭЛИ, а также оценено положение квазиравновесного уровня Ферми в процессе работы ТП ЭЛИ.

Практическая значимость полученных результатов;

Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации (зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, напряженности электрического поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелиропание электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора) и релаксации (время жизни электронов, скорость поверхностного захвата и сечение захвата электронов, их зависимости от параметров напряжения возбуждения) носителей заряда в пленочных электролюминесцентных излучателях.

Данная методика может быть использована также для определения характеристик туннелирования электронов в аналогичных пленочных ЭЛИ на основе других высокоэффективных электролюминофоров , в частности синего и зеленого цветов свечения на базе тиоалюминатов бария-магния и кальция, которые характеризуются поведением в электрическом поле, аналогичным поведению структур на основе ZnS, а также при разработке и исследовании пленочпых электролюминесцентных наноструктур.

Положения, выносимые на защиту:

1 .Туннелирование электронов в ТП ЭЛИ осуществляется с ПС катодной границы раздела диэлектрик-полупроводник, имеющих следующие параметры: глубина уровней ПС, с которых осуществляется туннелирование, изменяется в процессе роста поля в зависимости от условий возбуждения ~ от 0.6 до 1.3 eV, вероятность туннелирования от 10-15 до 300-400 s"1, ширина потенциального барьера от ~ 9 до 5.7 nm.

2.Поле в прикатодиой области слоя люминофора превышает среднее значение поля в слое люминофора в 1.3-1.4 раза в зависимости от полярности возбуждающего напряжения.

3.Ударная ионизация глубоких центров характеризуется следующими максимальными значениями параметров: коэффициент умножения 1.8, число ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ударной ионизации, 0.4, толщина прианодной области ударной ионизации глубоких центров 0.2 ц.т, коэффициент ударной ионизации 2.6'104 cm"1.

4.Распределения плотности заполненных ПС, с которых осуществляется туннелирование, сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС.

Апробация работы: Основные результаты работы докладывались на VI, VII и XI Международных конференциях "Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2004,2005,2009).

Достоверность результатов: Достоверность научных результатов обусловлена использованием в экспериментах апробированных методик измерения, высокоточной цифровой аппаратуры, компьютерных методов анализа и обработки экспериментальных данных, а также согласованием результатов теоретического анализа с результатами экспериментальных исследований и с данными других исследователей.

Личное участие автора: В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором самостоятельно и в соавторстве, при этом автор разрабатывал программы обработки экспериментальных данных для ЭВМ, проводил эксперименты и обработку экспериментальных данных с помощью ЭВМ, принимал участие в анализе и обобщении полученных результатов.

Публикации: Основные результаты исследований отражены в 6 печатных работах, в том числе в 3 статьях из перечня ВАК.

Структура и объем работы: диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, перечня условных обозначений и списка литературы, содержит 128 страниц текста, включает 27 рисунков, 149 наименований литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Афанасьев, Александр Михайлович

4.3. Выводы

Таким образом, в результате исследования распределения плотности заполненных ПС на катодной границе раздела диэлектрик — люминофор от энергии получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ и показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что полностью соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на анодной границе раздела люминофор-диэлектрик в конце предыдущего цикла работы ТП ЭЛИ. Определены максимальные значения плотности заполненных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов на катодной границе раздела, ~ 2.5-1013 cm"2; максимальные значения энергетической плотности заполненных состояний в зависимости от режима работы ТП ЭЛИ составляют от 2-1014 до 1015 cm"2-eV"'

Вид распределений плотности заполненных состояний от энергии носит монотонный возрастающий характер, не достигающих максимума, что свидетельствует о значительных потенциальных возможностях увеличения эмитированных с заполненных ПС электронов и заряда в слой люминофора, что в соответствии с [142] может обеспечить значительное повышение яркости. Требуемое для этого увеличение поля в прианодной области, обеспечивающие туннельную эмиссию с более глубоких заполненных уровней ПС, легко достигается в соответствии с (6), (9)-(12) при увеличении добротности (максимального запасаемого заряда электрического смещения в диэлектрике при его пробое на единицу площади Qs = sts0Fit , где Fir поле пробоя [48]). При использовании сегнетоэлектрических слоев с Ср»Ср и увеличения плотности заряда , протекающего черехз слой люминофора обеспечивается значительное повышение указанных излучательных параметров не только ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn , но и на основе ряда новых оксидных, тиоалюминатных и других люминофоров [25,149] , требующих для работы повышенных по сравнению с ZnS:Mn рабочих плотностей заряда.

В предположении бимолекулярного механизма релаксации электронов, захваченных на ПС, с более высоких заполненных уровней ПС на более глубокие незаполненные уровни получено значение параметров каскадного процесса релаксации: коэффициенты каскадного поверхностного захвата -1.2-10"12 cm2/s, мгновенного времени жизни электронов до релаксации ~ 7 s, сечения захвата г

22 2 электронов на боле глубокие уровни 2.4-10" cm .

Проведенная аппроксимация полученных на основе экспериментальных данных распределений плотности заполненных ПС от энергии указывает на удовлетворительное описание данных распределений функцией Ферми-Дирака. Значения квазиуровня Ферми для максимальной паузы между включенными состояниями ~100s. для частоты напряжения возбуждения 50 Hz составляет 1,23 eV ниже дня зоны проводимости, а для остальных исследованных режимов составляет от 0,9 до 1,35 eV. Полученные результаты могут быть использованы для анализа работы ТПЭ ЛИ на основе других материалов люминесцентного и диэлектрического слоев, а также при разработке новых типов высокоэффективных пленочных излучателей, в том числе на базе наноразмерных слоев.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, на основании полученных результатов выполненных в диссертационной работе теоретических и экспериментальных исследований характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ па основе ZnS:Mn можно сделать следующие выводы:

1. Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации (зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной обласш и длины области ударной ионизации, напряженности электрического поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора) и релаксации (время жизни электронов, скорость поверхностного захвата и сечение захвата электронов, их зависимости от параметров напряжения возбуждения) носителей заряда в пленочных электролюминесцентных излучателях.

2. Результаты анализа методических погрешностей позволяют распространить моделирование кинетического управления для туннельного тока электронов с ПС катодной границы раздела с определением зависимостей E,(t), Xt (/), W(t) на полный цикл работы ТП ЭЛИ в течение полупериода импульса напряжения возбуждения.

3. С помощью данной методики определены параметры процесса туннелирования электронов с заполненных ПС катодной границы раздела «диэлектрик - люминофор»: глубина уровней ПС изменяется в процессе роста электрического поля в слое люминофора от ~ 0.6 до 1.3 eV, вероятность туннелирования от 10-15 s~l до 300-400 s~', ширина потенциального барьера от ~ 9.0 до 5.7 пш. Параметры последующей ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами слоя люминофора, имеют следующие максимальные значения: коэффициент умножения электронов — 1.79, число ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ударной ионизации - 0.44, толщина прианодной области ударной ионизации глубоких центров-0.17 цт коэффициент ударной ионизации —2.6'104 cm"1.

4. Значения поля в прикатодной области слоя люминофора превышают среднее значение поля в слое люминофора в 1.3-1.4 раза и имеет величину (2.75-3.00)10б V/cm в зависимости от подачи на верхний электрод положительного или отрицательного напряжения в первом полупериоде, что приводит к увеличению максимальной глубины ПС до -1,63 эВ (вариант +А1) и -1,53 эВ (вариант -А1), уменьшению минимальной толщины потенциальных барьеров до —5,5 nm (варианты ±А1).Значения вероятности туннелирования уменьшаются — в 4 раза по сравнению со значениями, полученными по упрощенной методике.

5. Распределения плотности ПС сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Максимальные значения плотности заполненных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов на катодной границе раздела — 2.5-1013 cm"2; максимальные значения энергетической плотности заполненных состояний1 в зависимости от режима работы ТПЭЛИ составляют от 2-1014 до 1015 cm^-eV"1; оценены значения равновесного уровня Ферми - 1.25 eV ниже дна зоны проводимости и значения неравновесного уровня Ферми на границе раздела диэлектрик - люминофор в процессе работы ТП ЭЛИ - 0.60-1.25 eV.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Афанасьев, Александр Михайлович, 2009 год

1. Электролюминесцентные источники света / под ред. И.К.Верещагина, М.: Энергоатомиздат, 1990.-168с.

2. Bringuier.E. Charge transfer in ZnS-type electroluminescence // J.Appl.Phys.-1989.-V.66.-№3.-P. 1314-1325

3. Noboru Miura, Mitsuhiro Kawanishi, Hironaga Matsumoto and Ryutaro Nakano. High-Luminance Blue-Emitting BaAl2S4:Eu//Thin-Film Electroluminescent Devices// Jpn. J. Appl. Phys. -1999.- V.38 .-Part.2.- №>.1IV,- P.L1291- L1292

4. Smet P. F., Poelman D., and Ban Meirhaeghe R. L. Blue Electroluminescence from multilayered BaS:Eu/Al203 thin films//J. Appl. Phys.-V.95.-№1.- P.184-190

5. Власенко H.A. Электролюминесцентные устройства отображения информации. — Киев: Общество "Знание" Украины, 1991.- 24с.

6. Турин Н.Т. Основы организации и функционирования многоэлементных плоских индикаторов. Учебное пособие. -Ульяновск: Изд-во Средневолжского научного центра, 1996. 84с.

7. Лямичев И.Я. Устройства отображении информации с плоскими экранами. М.: Радио и связь, 1983. - 239 с.

8. Быстров Ю.А., Литвак И.И., Персианов Г.М. Электронные приборы для отображении информации. М.: Радио и связь, 1985. — 239 с.

9. Мах Р. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках // Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение / Под ред. Г.Харбеке. М.: Мир, 1989. - 314с.

10. Ю.Гурии Н.Т., Соломин Б.А. Перспективные средства отображения информации.-Саратов: изд. СГУ, 1986. 116с.

11. Н.Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. Гибридный пленочный электролюминесцентный излучатель переменного тока//Журнал технической физики,-1996.- Т.66.- №.11.-С.201-202

12. King С. 11 th International Workshop and Inorganic and Organic Electroluminesce and 2002 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting EL Ghent. Sept. 23-26, 2002.- Ghent: Universiteit Ghent, 2002,- Р.5-Ю

13. King С. Electroluminescent Displays. www.planar.com/Advantages/White Papers/docs/ELD 2003307.pdf

14. Sano Y., Nunomura K., Koyama N., et all. A novel TFEL device using high dielectric constant multilayer ceramic substrate //Conf.Rec.Int. Display Res.Conf. San Diego, Calif., Oct. 15-17, 1985. N.-Y.-1985.-P.173-176

15. Sano Y., Nunomura K., Koyama N., et all. A novel TFEL device using high dielectric constant multilayer ceramic substate// IEEE Trans.Electron Devices.-1986.-V.ED 33.-№ 8. P.l 156-1158

16. Рахлин М.Я., Родионов B.E. Исследование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцеитных структур с керамическим диэлектриком// Письма в ЖТФ.-1988.-Т.14,- № 23.- С.2144-2147

17. Мозжухин Д.Д., Бараненков И.В. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства // Зарубежная радиоэлектроника.-1985.- № 7.- С.81-94

18. Haaranen, J., R. Tornqvist, J. Koponen, T. Pitanen, M. Surmaaho, W. Barrow and C. Laakso. A 9in Diagonal High-Contrast Multi-Color TFEL Display //SID 92 Digest.-1992.- P. 348-351

19. Minami T. Oxide phosphor thin-film electroluminescent devices// Display and Imaging.-1999.- V. 8,- P. 83-93

20. Nire Т. et al., Multicolor TFEL Display Panel with a Double Heterointerface-Structured Active Layer// SID 92 Digest.-1992,- P. 352

21. Heikenfeld J.C., Steckl A,J. Inorganic EL Displays at the Crossroads//Information Display.- 2003,- №12,- P.20-25

22. Seale D., Rodriges L., Werner C. et all. Self Alignet Phosphor Patterning Techniques for EL Display// www.iFire.com

23. Yano Y., Oike Т., and Nagano K. New RGB phosphors for full color inorganic EL display // Extended abstracts of the 11 th international workshop on inorganic and organic electroluminescence.- Academia Press.-2002.- P. 225-230

24. Wu X., Carkner D., Hamaeta H., et all. Large-Screen Flat Panely Display based on iFire's Thick-Dielectric Electroluminescent (TD EL) Technology. //www.iFire.com / images/Tech Papers/Large29. Mileslones www.iFire.com

25. Alt P.M., Dove D.B., Howard W.E. Experimental results on the stability of AC thin-film electroluminescent device//J.Appl. Phys.-1982.-V.53.- №7.-P.5186-5199

26. Пат. Россия. №2034363. 1995.

27. Sung K.P., Jeong I.H., Won K.K., Min G.K. Deposition of indium-tin-oxide films on polymer substrates for application in plastic-based flat panel displays // Thin Solid Films.- 2001.- V.397.- P.49-55

28. Yang Meng, Xiliang Yang, et all. A new transparent conductive thin film 1п2Оз:Мо // Thin Solid Films.- 2001.- V.394.- P.219-223

29. Mergela D., Schenkela M., Ghebrea M., Sulkowskib M. Structural and electrical properties of In203:Sn films prepared by radio-frequency sputtering.// Thin Solid Films.-2001.- V.392.- P.91-9735.Pat. USA. №5411792. 1995.

30. Gurumurugan K., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. Magnetron sputtered transparent condutinf CdO thin films // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 // J. Electron. Mater.- 1995.-V.24.- №7.- P. A29

31. Thomas J.A., Rapkine D.H., Carter S.A., Kwo J., Phillips J.M., Cawa R.J. Electrical and optical characterization of transparent conducting oxides // Abstr. Electron. Mater.

32. Conf., Charlotssesville, Va, June 21-23, 1995 / J. Electron. Mater.- 1995.-V. 24,- № 7. -P. A4-A5

33. Messaoudi C., Sayah D., Abd-Lefdil M. Transparent conducting undoped and indium-doped zinc oxide films prepared by spray pyrolysis // Phys. Stat. Sol. A.- 1995.- V.151, № 1.- P.93-97

34. Kawazoe H., Hosono H., Ueda N. New transparent conducting oxides with spinel or pyrochlore structure // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 21-23, 1995 / J. Electron. Mater.- 1995.- V.24.- № 7.- P. A29

35. Coutts T.J., Wu X., Muligan W., Webb J.M. High-perfomance transparent conductors based on cadmium oxide // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 / J. Electron. Mater, 1995.-V.24, № 7,- P. A29-A30

36. Tueta R. Films d'oxydes conducters transparents pour electroluminescents//LC vide les couches minces.-1983.-№ 218.-P.439-441

37. Smith F.T.J., Lyn S.L. Influence of thermal annealing on ITO films properties.// J.Electrochem.Soc.-1981 .-V. 128.-№ 11 .-P.23 88-2394.

38. Randawa H.S., Mattews M.D., Bunshuh R.F. Film Sn02 , prepared by RF-sputtering Method//Thin Solid Films.- 1981.-V.83.-№ 2.-P.267-271

39. Hope L.L., Plumb I.L., Mellor Ch.E. Fabrication of very large electroluminescent devices//Proc.Soc.Photo-Opt. Instreem.Eng.-1983.-V.386.-P.58-62

40. Abe A., Fujita Y., Tohda T. Large-scale highly resoluble AC thin film EL flat panel Display.//Nat.Techn.Report. 1984.- V.30.- № 1.-P.186-192

41. Гурии H.T. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника.- 1990.- №.1(135).- С.88-90

42. Турин Н.Т. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями // Лазерная техника иоптоэлектроника.- 1992.-№ 3-4.-1 С.74-77

43. Бригаднов И.Ю., Турин Н.Т. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры с композиционным жидким диэлектриком // Письма в ЖТФ.- 1990.-Т.16.- №.23.- С.71-74

44. Бригаднов И.Ю., Турин Н.Т., Рябинов Е.Б. Исследование тонкопленочных электролюминесцептных индикаторов с композиционным жидким диэлектриком // ЖПС.- 1993.- Т.59.- №.1-2,- С.175-181

45. Самохвалов М.К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур // ЖТФ,- 1996.- Т.66.-№.10.- С. 139-144

46. Турин Н.Т. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов //ЖТФ.- 1996.- Т.66,- №.5.- С.77-85

47. Uede Н., Kanatani Y., Kishishita Н., et al. Thin film Electroluminescent Display units// Digest 1981 SID Int. Symp., New York.- 1981.- P. 28

48. Suntola T. Perfomance of atomic layer epitaxy devices. // Digest 1981 SID Int. Symp., New York, 1981

49. Minami T. Oxide phosphors for Electroluminescent Devices. // Ghent: Universiteit Ghent.-2002.- P.219-224

50. Minami Т., Kobayashi H., Miyata T. et all. High-Luminance Thin film Electroluminescent Devices using ((Y203)0.6-(Ge02)0.4):Mn Phosphors. // Jpn. J. Appl. Phys.- 2002.- V.41.- Part.2.- №5B.- P.L577-L579

51. Mikami A;, Yamamoto K. Red Electroluminescence from MgS:Eu and MgixCaxS:Eu Thin-Film Phosphors Prepared by RF-Sputtering Technique. // Ghent: Universiteit Ghent.- 2002.- P.231-234

52. Xiao Т., Kitai A. H., Liu G., and Nakua A. Bright green oxide phosphors for el displays// SID Digest.-1997.-V.28.- P. 415-418

53. Nakgawa R., Kinoshita Y., Kawanishi M. et all. Mn2+ and Eu2+ Doped Barium Zinc Sulphide Phosphors. // Ghent: Universiteit Ghent.- 2002.- P.61-64

54. Kim Y., Yun S. Photoluminescence properties of Pb2+ centers in CaS:Pb thin films. // J. Phys. Cond. Mater.- 2004,- V.16.- P.569-579

55. Liu G., Acchione J. High-Luminance Green Electroluminescence of Sputtered ZnS:TbOF. // iFire.com.

56. Nakua A., Cheong D., Wu X. Development of new Luminance green EL Devices based on Eu-doped Calcium Thioaluminate Materials System. // iFire.com.

57. Cheong D., Nakua A., Wu X. A Filter-less MgxCal-xA12S4:Eu Green Phosphor for Thick Dielectric EL Displays. // iFire.com.

58. Yun S., Kim Y., Park S. Fabrication of CaS:Pb Blue Phosphor by incorporating dimeric Pb2+ luminescence centers. // Appl. Phys. Lett.- 2001.- V.78.- №6.-P.721-723

59. Mikami A., Terada K., Okibayashi К., Tanaka K., Yoshida M., and Nakajima S. Aging characteristics of ZnS:Mn electroluminescent films grown by a chemical vapor deposition technique//Journal of Applied Physics.-1992.- V. 12.- №2.-P.773-782 1992

60. Miura N., Sasaki Т., Matsumoto H. ct all. Band-Gap Energy Dependence of Emission Spectra in Rare Earth-Doped Zn!xCdxS Thin-Film Electroluminescent Devices// Jpn. J. Appl. Phys.-1992.- V.31, Part.l, №.2A.- P.295-300

61. Abe Y., Onisawa K., Tamura K. et all. Multicolor Electroluminescent Device Utilizing SrS:Pr, Ce Phosphor Layers and Color Filters. // Electroluminescence. Proc. 4th Int. Workshop Tottori, Oct. 11-14.- 1988.- P. 199-202

62. Abe Y., Onisawa K., Tamura K. et all. Multicolor Electroluminescent Device Utilizing SrS:Pr, Ce Phosphor Layers and Color Filters. // Electroluminescencc. Proc. 4th Int. Workshop Tottori, Oct. 11-14.- 1988.- P. 199-202

63. Белецкий А.И., Власенко H.A. Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью // Письма в ЖТФ.-1993.- Т. 19.-Вып.1.- С.33-37

64. Белецкий А.И., Велигура Л.И., Власенко Н.А., КононецЯ.Ф. Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2 // Письма в ЖТФ.- 1993,- Т. 19,- Вып. 12.- С.80-87

65. Wang Zong-Xin, Cardon Felix. A method evaluating the frequency characteristics of ac thin film electroluminescent devices // J. Phys. D.- 1995,- V.28.- № 10.- P.2144-2149

66. Bruc L., Chetrus P., Kopotkov V., Neaga A., Simaschevici A. Crane luminescente cu straturi subtiri bazate pe ZnS:Mn // Rap. 1 Simp, optoelectron. Inst, optoelectron., Magurele, 28 sept., 1993 / Optoelectronica.- 1993.-V.1.- № 4,- P.35-40

67. Zeinert Andreas, Barthou Charles, Benalloul Paul, Benoit Jacques. Transient measurements of the excitation efficiency in ZnS-based thin film electroluminescent devices // Jap. J. Appl. Phys. 1996,- V.35.- № 7.- P.3909-3913

68. Vlasenko N.A., Kopytko Yu.V., Pekar V.S. Concentration and Field Dependences of Electroluminescence Decay Kinetics in ZnS:Mn Thin Film Structures // Phys. stat. sol. (a).-V.81.-№ 10.- P.661-667

69. Aguilera Alberto, Singh Vijay P., Morton David C. Electron energy distribution at the unsulator-semiconductor interface in AC thin film electroluminescent display devices // IEEE Trans. Electron Devices.- 1994.-V.41.- № 8.- P. 1357-1363

70. Corlatan D., Neyts K.A., De Visschere P. The influence of space charge and electric field on the excitation efficiency in thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- № 12.- P.7259-7264

71. Streicher K., Plant Т.К., Wager J.F. Hot-electron impact excitation of ZnS:Tb alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1995.-V.78.-№ 3.- P.2101-2104

72. Shih S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. Space charge generation in ZnS:Mn alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1995,- V.78.-№ 9.- P.5775-5781

73. Abu-Dayah A., Kobayashi S., Wager J.F. Internal charge-phosphor field characteristics of alternating-current thin-film electroluminescent devices // Appl.Phys.Lett.- 1993.-V.62.- №7,- P.744-746

74. Abu-Dayah A., Wager J.F., Kobayashi S. Electrical characterization of atomic layer epitaxy ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices subject to various waveforms // J.Appl.Phys. 1993,- V.74.- № 9,- P.5575-5581

75. Abu-Dayah A., Wager J.F. Aging studies of atomic layer epitaxi ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl.Phys. 1994.- v.75.- №7.-P.3593-3598

76. Жигальский A.A., Нефедцев E.B., Троян П.Е. Временные характеристики люминесценции структур Al-ZnS:Mn-InxOy, возбуждаемых одиночными импульсами напряжения // Изв. ВУЗов. Физика.- 1995.- №2.- С.37-41

77. Berstein Е., Lundquist S. Tunneling Phenomena in Solids. New York:Plenum Press, 1969.-5 82p.

78. Davidson J.D., Wager J.F. and Kobayashi S. Aging studies of evaporated ZnS:Mn alternating current thin film electroluminescent devices. J. Appl.Phys.-1992.-V.71.-P.4040-4047

79. Vincent G., Chantre A., and Bois D. Electric field effect on the thermal emission of traps in semiconductor junctions// J. Appl. Phys.-1979.- V.50.- P. 5484-5487

80. Singh V.P., Xu Q., McClure J.C., Morton D.C. Phosphor currents in ZnS:Mn ac thin film electroluminescent display device //J. Appl. Phys.-1992.- 4148-1453

81. Conley J.F. and Lenahan P.M. Room Temperature Reactions Involving Silicon Dangling Bond Centers and Molecular Hydrogen in Amorphous Si02 Thin Films on Silicon// Appl. Phys. Lett.-1993-V.62.-P. 40-47

82. Ludeke R., Wen H.J. Localized electron trapping and trap distributions in Si02 gate oxides// Appl. Phys. Lett.-1997.-V.71.№21.-P.3123-3126

83. Thioulouse P., Chang I.F., and Giess E.A. Comparative study of phosphorescence and photostimulated luminescence in zinc silicate phosphors and their description by a tunneling model// J. Electrochem. Soc.-1983.-V.130.-P.2065-2071

84. Hsu С.-Т., Su Y.-K. Electroluminescent devices with different insulator /semiconductor interfaces prepared by radio-frequency sputtering//Opt. Eng.-1993.- V.32.-1803-1808

85. Bhaskaran S., Singh V.P., McClure J.C., Morton D.C. An investigation of electron ejection mechanisms at the insulator-phosphor interface in ZnS:Mn ACTFEL devices // SID International Symposium Proceedings.-1994.-P. 133-136

86. Krasnov A., Bajcar R.C., Hofstra P.G. Electrical characterization of alternating-current thin-film electroluminescent devices// Appl. Phys. Lett.-1998.-V.73,- P.351-354

87. Hsu C.T., Su Y.K., Yokoyama M. Electroluminescent devices with different insulator/semiconductor interfaces prepared by rf sputtering (Proc. Pap.) //Display Technologies.-1992.-V. 1815.-P.288-291

88. Hsu C.T., Li J.W., Liu C.H., Su Y.K., Wu T.S., Yokoyama M. High luminous efficiency thin-film electroluminescent devices with low resistivity insulating materials// J.Appl. Phys.-1992.-V.71.-1509-1512

89. Krasnov A. Selection of dielectrics for alternating-current thin-film electroluminescent device // Thin solid films. -1999.-V.347- P. 1-13

90. Muller G.O., Mach R., Selle B. and Schulz G. Measuring on thin film electroluminescent deviccs // Phys stat. sol. (a).- 1988.- V.l 10.- P.657-669

91. Smith D.H. Modeling a.c. thin-film electroluminescent devices//J.Luminescence.-1981.-V.23.- №1.- P.209-235

92. Davidson J. D., Wager J. F., Khormaei R. I., King C. N. and Williams R. Electrical characterization and modeling of alternating-current thin-film electroluminescent devices// IEEE Trans. Electron Devices.-1992,- V. 39.-P.1122-1128

93. Ruhle W., Marello V., Onton A. Filamentary AC electroluminesccnce in ZnS:Mn// J. Electron.Mater.-1979.-V.8.-№6.-P.839-853

94. Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. A simple model for the hysteretic behavior of ZnS:Mn thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.-1982.-V.53.-№1.-P.639-647

95. Васильчеико В.П. Уровни захвата носителей в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS // ЖПС.- 1996.- Т.63.- №.3,- С.461-465

96. Hitt J.S., Kcyr P.D., Wager J.F. Sun S.S. Static space charge in evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1998- V.83.-№2- P.l 141-1145

97. Neyts K.A. and De Visschere P. Analytical model for thin-film electroluminescent devices// J. Appl. Phys.-1990.- V. 68.- P. 4163-4171

98. Petre D., Pintilie I., Ciurea M.L., Bolita T. Interface trapping states in M1SIM structures with ZnS:Mn// Thin solid films.-1995.-V.260,- P.54-57

99. Goldenblum A. and Oprea A. The Time Dependence of Currents in MISIM Structures with ZnS: Mn Active Layers// Phys.status solidi A.-1992.-V.132.-№2.-P.381-395

100. Goldenblum A., Oprea A., and Bogatu V. Time behavior of currents in ZnS:Mn metal-insulator-semiconductor-insulator-metal structures// J. Appl.Phys.-1994.- V.75.1. P. 5177-5185

101. Zuccaro S., Raker Th., Niedernostheide F.-J., Kuhn Т., Purwins H.-G. Physical processes in thin-film electroluminescent structures based on ZnS:Mn showing self-organized patterns// Chaos, Solitons and Fractals.-2003.-V.17.-P.231-236

102. Hitt J.C. and Wager J.F. Insulator issues in alternating-currcnt thin-film electroluminescent devices// J. Appl.Phys.-2001.-V.90.- №6,- P.2711-2712

103. Ang W.M., Pennathur S., Pham L., Wager J.F., and Goodnick S.M. Evidence for band-to-band impact ionization in evaporated ZnS:Mn alternating current thin-film electroluminescent devices//J. Appl. Phys.-1995.- V. 77.- P. 2719- 2724

104. Bringuier E. Electron multiplication in ZnS-type electroluminescent devices// J.Appl.Phys.-1990.-V.67.-P.7040-7044

105. Keir P.D., Ang W.M. and Wager J.F. Modeling space charge in alternating current thin film electroluminescent devices using a singlesheet charge model //J.Appl. Phys.-1995.- V.78 .-P.4668-4680

106. Физика соединений AnBvl. // Под ред. А.Н.Георгобиани, М.К.Шейнкмана. -М.: Наука, Гл. ред. Физ-мат. лит., 1986. 320 с.

107. Морозова И.К., Кузнецова В.А. Сульфид цинка: получение и свойства. -М.: Наука, 1987.-200 с.

108. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н. Структура дефектов ZnS с собственно дефектной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, Неорган, материалы.- 1982.- Т. 17.- №7.-С.1329-1334

109. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.- М.: Высш. шк., 1982.-376 с.

110. Грузинцев А.Н. Сложные центры свечения в сильнолегированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция: дисс. док. физ.-мат.наук.-Черноголовка, 1999.-373с.

111. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б. Люминесценция ZnS с собственно-дефектной и примесной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, сер. физическая.- 1982.- Т.46.- С.259-265

112. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. // Под ред. Полторака О.М.-М.: Мир, 1969.-654 с.

113. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высш. шк., 1982-376 с.

114. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide. // J. Appl. Phys.- 1977.- V.48.- №5.- P. 1941-1945

115. Георгобиани A.H., Маев Р.Г., Озеров Ю.В., Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка. // Изв. АН СССР, сер. физическая. -1976.- Т.40.- №9.- С.1079-1083

116. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы.- М.: Воениздат, 1982.- 208с.

117. Vlasenko N.A., Chumachkova М.М., Denisova Z.L. et all. On nature of centers responsible for inherent memory in ZnS :Mn thin-film electroluminescent devices. // J. Cryst. Growth.- 2000.- V.216.- P.249-255

118. Neyts K.A., Corlatan D., De Visschere P. et all. Observation and simulation of space-charge effects and histeresis in ZnS:Mn as thin-film electroluminescent devices // J.Appl.Phys. -1994.- V.75.-№10.- P.5339-5346

119. Yang K.-W., Owen S.J.T. Mechanisms of the negative-resistance characteristics in AC thin-film electroluminescent devices // IEEE Trans. On Electron. Devices.- 1983.1. V.ED-30.- №5,- P.452-459

120. Douglas A.A., Wager J.F., Morton D.C. et all. Evidence for space charge in atomic layer epitaxy ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1993.- v.73, №1,- P.296-299

121. Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. A simple model for the hysteretic behavior of ZnS:Mn thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1982.- V.53.- №1.-P.639-647

122. Турин H.T., Рябов Д.В., Сабитов О.Ю., Афанасьев A.M. Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. -2005. Т.31.-№.3. - С.79-85

123. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. 2001. - Т.71.- №.8. - С.48-58

124. Турин IT.T., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журн. техн. физ. 2002. - Т.72.- №.2. - С.74-83

125. Георгобиани А.Н., Пипинс П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников.- М.:Мир, 1994.- 224 с.

126. Турин Н.Т., Рябов Д.В. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкоплепочных электролюминесцентных структур на основе ZnS :Мп//ЖТФ,-2005.- Т.75.- №. 1. -С.45-54

127. Турин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. 2003. - Т.73,- №.4. - с. 100-112

128. Турин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. 2003. - Т.73.- №.4. - С.90-99

129. Турин Н.Т., Рябов Д.В. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn// письма ЖТФ,- 2004.- Т.30.- №.9.- С.88-95

130. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю. Влияние формы возбуждающего напряжения на яркость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // Журн. техн. физ. 1999. - Т.69,- №.2. - С.64-69.

131. Shih S., Keir P.D., Hitt J., and Wager J. F. Offset of the electrical characteristics of alternating-current thin-film electroluminescent devices// Appl. Phys. Lett.-1995.-V.78.-№9.-P. 1223-1227

132. Zeinert A., Barthou C., Benaloul et all. Excitation efficiency and field non-uniformity in ZnS-based thin-film electroluminescent devices grown by atomic layer epitaxy // Semicond. Sci. Technol. 1997,- V.12.- P. 1479-1486

133. Турин H.T., Сабитов О.Ю. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в топкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. 2006. - Т.76.- Вып.8. - С.50-62

134. Дворяншин Б.В. Метрология и радиоизмерения: Учеб.пособие для студ.высш.учеб.заведений.-М.: Издательсктй центр «Академия», 2005.-304 с.

135. Bringuier Е. Tentative anatomy of ZnS-type electroluminescence// J. Appl.Phys.-1994.- V.75.- №9.- P. 4291-4312

136. Wager J.F., Hitt J.C., Baukol B.A., Bender J.P., Keszler D.A. Luminescent impurity doping trends in alternating-current thin-film electroluminescent phosphors// J. Lumin.-2002.- v. 97.- P. 68-81

137. Ржаков A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Изд. Наука, гл. ред. физ.-мат. литературы.- М., 1971. -486с.

138. ОвсюкВ.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. -Новосибирск. Наука. 1984. 254с.

139. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn при выключении//ФТП.-2008.-V.42-№8.-C.692-705

140. Heikenfeld J.C., Dorey R., Wharmore R., Bender J.P. et all. High brightness ZnS and GaN electroluminescent devices using PZT thick dielectric layers// IEEE Trans. On Electron Devices.-2005.-V.52.-№2.-P. 194-203