Фотолиз нанокристаллов галогенидов серебра при импульсном лазерном возбуждении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Михайлов, Виктор Николаевич

• Михайлов, Виктор Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Михайлов, Виктор Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 .фотолиз галогенидов серебра и минимальный размер скрытого изображения.

1.2.кинетика носителей зарядов и процессы концентрирования.

1.3.Особенности фотолиза при импульсном лазерном возбуждении.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОДУКТОВ ФОТОЛИЗА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСАМИ АКТИНИЧНОГО И НЕАКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЙ.

2.1 Фотографические методы исследования.

2.2 Метод флеш-фотолиза.

2.3 Люминесцентный метод.

2.4 Метод дефотолиза.

2.5 Светочувствительные композиции галогенидов серебра.

ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЛИТИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ АКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

3.1 Влияние длительности экспонирования на светочувствительность нанокристаллов галогенидов серебра.

3.2 Влияние условий синтеза нанокристаллов галогенидов серебра.

3.3 Влияние условий гиперсенсибилизации и оптической латенсификации.

3.4 Оптическое детектирование процессов образования свободных носителей методом флеш-фотолиза.

3.5 люминесценция нанокристаллов галогенидов серебра.

3.6 Регрессия скрытого фотографического изображения.

3.7 Оптимизация процессов химико-фотографической обработки при записи голограмм.

3.8 Влияние длительности экспонирования на дифракционную эффективность и фазовый набег при записи голограмм.

ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЛИТИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НЕАКТИНИЧНОГО ДЛИННОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

4.1 Влияние длительности экспонирования на светочувствительность нанокристаллов галогенидов серебра.

4.2 Влияние оптической латенсификации.

4.3 Влияние акцепторов носителей заряда.

ГЛАВА 5. ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЛИТИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ПРИ СОВМЕСТНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ АКТИНИЧНОГО И НЕАКТИНИЧНОГО ДЛИННОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

5.1 Влияние длительности экспонирования при одновременном воздействии актиничного и неактиничного излучений.

5.2 Зависимость эффективности дефотолиза от интенсивности актиничного излучения.

5.3 Зависимость эффективности дефотолиза от временной задержки неактиничного излучения относительно актиничного.

5.4 Зависимость эффективности дефотолиза от длины волны неактиничного излучения.

5.5 влияние условий синтеза и размеров микрокристаллов.

5.6 Влияние акцепторов носителей заряда.

5.7 Запись голограмм при одновременном воздействии актиничного и неактиничного излучений.

ГЛАВА 6. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

ФОТОЛИТИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ РАЗНОЧАСТОТНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ СВЕТА.

6.1 Обсуждение экспериментальных результатов.

6.2 Компьютерное моделирование фотолитических процессов при возбуждении разночастотными импульсами света.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотолиз нанокристаллов галогенидов серебра при импульсном лазерном возбуждении»

Галоидосеребряные фотоматериалы находят наибольшее применение при записи голограмм, что объясняется их высокой экспозиционной чувствительностью и разрешающей способностью, а также широким диапазоном спектральной чувствительности. Использование импульсных лазерных источников излучения позволяет: а) существенно расширить диапазон регистрируемых объектов, а значит и сферу применения голографических методов в таких областях как неразрушающий контроль, медицина, запись живых объектов и т. п., б) снизить требования к оптическим элементам схемы записи голограмм с точки зрения их виброустойчивости, в) получать методами нелинейных преобразований (генерация гармоник, ВКР, параметрическая генерация и т. д.) необходимый набор длин волн для записи цветных голограмм. Однако, уже первые опыты по записи импульсных голограмм с использованием галогенидосеребряных материалов показали крайне невысокую их чувствительность по сравнению с непрерывной лазерной засветкой. Первичные процессы захвата фотовозбужденных носителей зарядов (электронов и дырок) в значительной степени определяют эффективность образования скрытого изображения (СИ) в микрокристаллах галоидосеребряных эмульсий и за последние годы явились предметом ряда исследований. Однако, до настоящего времени не проводилось систематических исследований процессов образования скрытого изображения при записи голограмм на ультрамелкозернистых галоидосеребряных фотоматериалах с использованием импульсного лазерного излучения.

Использование галогенидов серебра для голографии требует уменьшения размеров микрокристаллов на два порядка (от единиц микрометров до десятков, а иногда и единиц нанометров), что существенно изменяет их физико-химические параметры. В частности, это приводит к резкому увеличению концентрации свободных и захваченных носителей заряда и ускорению процессов их захвата и рекомбинации на поверхности микрокристаллов. Особенно важную роль конкуренция данных процессов играет при импульсном фотолизе, что на практике часто приводит к снижению светочувствительности фотоматериалов. Рост скорости захвата носителей при уменьшении размеров светочувствительных кристаллов приводит к необходимости изучения фотопроцессов в диапазоне времен 10"

7 12

10" с. Известные физические методы исследования, основанные на эффекте Дембера, фотопроводимости, смещения носителей заряда в электрическом поле, СВЧ-проводимости и т.д., являются сравнительно инерционными и не дают ответа на вопрос о соотношении скоростей захвата носителей центрами, участвующими в образовании скрытого изображения и центрами рекомбинации, снижающими эффективность фотолиза. Принципиально такая информация может быть получена в экспериментах, использующих дополнительное неактиничное воздействие света на продукты фотолиза и фотографическую регистрацию результатов такого воздействия (эффекты Гершеля, Дебо и Беккереля), однако к моменту постановки данной работы подобные исследования в указанном временном диапазоне отсутствовали. Таким образом, актуальность темы определяется необходимостью систематического изучения процессов фотолиза в важном для нанокристаллов галогенидов серебра диапазоне времен 10"4— 10-12 с при их импульсном лазерном возбуждении с целью получения экспериментальных данных о кинетике и эффективности наиболее быстрых первичных процессов фотолиза, а также необходимостью разработки методов таких исследований. Теоретическое и экспериментальное исследование процессов образования скрытого изображения в галоидосеребряных материалах представляет научный и практический интерес, так как позволяет установить связь между предельно достижимыми значениями сенситометрических параметров фотоматериала и физико-химическими параметрами фотоэмульсии и, таким образом, определить пути создания фотоэмульсий для голографии, а также дает принципиальную возможность использования в дальнейшем уникальных физико-химических свойств системы "галогенид серебра" для создания высокоэффективных светочувствительных систем.

Как справедливо отметил Н. КапгаИ [1], «.не только физика твердого тела внесла свой вклад в понимание галогенидов серебра, но и галогениды серебра внесли свой существенный вклад в физику твердого тела. Можно ожидать, что эта тенденция сохранится и в будущем».

В качестве объекта исследований использовали голографические эмульсии различного состава и типа химической сенсибилизации, как промышленные, так и лабораторного полива, с размером микрокристаллов от 20 до 100 нм.

Цель работы заключается в исследовании кинетики и эффективности процессов образования скрытого изображения в нанокристаллах галогенидов серебра голографических фотоэмульсий и условий на них влияющих при лазерном возбуждении актиничными и неактиничными импульсами света. Для достижения этой цели решались следующие задачи:

1. Создание физико-фотографического метода исследования, обеспечивающего получение информации о кинетике носителей заряда, принимающих участие в процессах образования скрытого изображения в нанокристаллах галогенидосеребряных материалов в широком временном диапазоне (10'4-10"12 с) и диапазоне экспозиций от единиц до сотен поглощенных фотонов на один нанокристалл.

2. Изучение зависимости светочувствительности нанокристаллов галогенидов серебра от длительности экспонирования актиничным и неактиничным излучением.

3. Определение влияния различных факторов (условий синтеза, введения акцепторов носителей заряда, оптической латенсификации и гиперсенсибилизации) на фотолиз нанокристаллов галогенидов серебра при возбуждении актиничными и неактиничными импульсами света.

4. Разработка теоретической модели, позволяющей описать процессы захвата и освобождения носителей заряда в нанокристаллах галогенидов серебра при возбуждении разночастотными импульсами света различной длительности в диапазоне 10"4-10*12с.

Научная новизна работы заключается в том, что:

1) Впервые проведены экспериментальные исследования и установлен характер экспозиционной чувствительности нанокристаллов галогенидов серебра при возбуждении импульсами актиничного и неактиничного излучения в диапазоне длительностей от 102 до 10"13с.

2) Разработан новый метод исследования кинетики процессов образования скрытого изображения в нанокристаллах галогенидов серебра, заключающийся в изучении результатов фотолиза при совместном воздействии импульсами актиничного и неактиничного излучения (метод дефотолиза).

3) Впервые установлена зависимость дефотолиза от длительности импульсов актиничного и неактиничного излучения и временной задержки между ними, длины волны неактиничного излучения, а также от условий синтеза нанокристаллов галогенидов серебра и их обработки акцепторами носителей заряда различного типа.

4) Впервые проведены экспериментальные исследования влияния условий гиперсенсибилизации и оптической латенсификации на фотолиз нанокристаллов галогенидов серебра при возбуждении лазерным излучением различной длительности.

5) Впервые проведен анализ процессов фотолиза и дефотолиза в широком диапазоне времен и экспозиций, в результате которого установлены основные стадии процесса фотолиза нанокристаллов галогенидов серебра и получены численные значения скорости и константы рекомбинации свободных носителей заряда, а также времена захвата на ловушки.

Практическая значимость результатов работы заключается в том, что:

1) Разработанный метод дефотолиза использован для исследования кинетики процессов захвата свободных носителей заряда ловушками различного типа в микро- и нанокристаллах галогенидов серебра и может быть использован для других светочувствительных материалов различного состава и структуры.

2) Метод оптической латенсификации позволил существенно увеличить экспозиционную чувствительность галогенидосеребряных эмульсий при регистрации голограмм с использованием импульсных лазеров.

3) Методика одновременного воздействия импульсов актиничного и неактиничного излучения использована для управляемой светом регистрации на галогенидосеребряных эмульсиях длинноволнового неактиничного излучения, в том числе для записи голограмм.

4) Предложенные в работе схемы химико-фотографической обработки использованы для эффективной записи импульсных голограмм, что является особенно актуальным при записи живых и крупногабаритных объектов.

5) Экспериментальные и теоретические результаты исследования кинетики процессов фотолиза и дефотолиза позволили получить данные о кинетике первичных стадиях фотолиза в галогенидах серебра, которые могут быть использованы для построения теории образования скрытого изображения в галогенидах серебра.

В результате проделанной в рамках представленной темы работы были получены результаты, научная значимость которых позволяет сформулировать их в виде следующих защищаемых положений:

1. Метод дефотолиза для исследования быстропротекающих физических ' процессов в нанокристаллах галогенидов серебра, основанный на совместном действии импульсами актиничного и неактиничного излучения, а также границы его применимости по уровню возбуждения актиничным излучением (единицы фотонов на нанокристалл) и временному разрешению - 10'11 с.

2. Обнаружена нелинейность фотолиза нанокристаллов галогенидов серебра при возбуждении в полосе поглощения красителя-сенсибилизатора и на О краю собственного поглощения во временном диапазоне 10 -10 с и показано, что при увеличении плотности мощности актиничного с л излучения более ЗхЮ Вт/см наблюдается падение эффективности фотолиза, связанное с насыщением однофотонного поглощения, а при увеличении мощности до 700 МВт/см чувствительность возрастает в результате увеличения вероятности многофотонных процессов поглощения.

3. Установлен квадратичный характер зависимости светочувствительности ( нанокристаллов галогенидов серебра от интенсивности неактиничного 7 излучения с длиной волны А,=780-1100 нм во временном диапазоне 10" -10"13с.

4. Установлены предельные значения скорости рекомбинации свободных электронов Урт1П = 2*107 с"1 при минимальном и Уртах = 1*109 с'1 при максимальном уровнях возбуждения, а также величина временного интервала 1=10"8 с, в течение которого сохраняются максимальные значения Ур. Определена константа скорости рекомбинации свободных

О 4 1 электронов с захваченными дырками кр = 6±1 • 10" см с", а также поверхностная концентрация центров рекомбинации - Нр= 2+0,5 • 10й см'2.

5. Теоретическая модель, описывающая процессы захвата и освобождения носителей заряда в нанокристаллах галогенидов серебра при возбуждении разночастотными импульсами света различной длительности в диапазоне

10 -10 с, позволяющая учитывать образование светоиндуцированных ' центров захвата и рекомбинации.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена автором лично. Все представленные в диссертации экспериментальные результаты и теоретические расчеты получены и выполнены лично автором или при его непосредственном участии. Проведен анализ и интерпретация полученных результатов. Сформулированы основные выводы и научные положения ^ выносимые на защиту. Научному руководителю, доктору физикоматематических наук, профессору Дмитрию Ивановичу Стаселько принадлежит постановка темы исследования, он также участвовал в обсуждении полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на пятой Всесоюзной конференции по голографии (Рига, 1985), на 3 Всесоюзном семинаре "Фотохимические процессы регистрации голограмм" (Ленинград, 1986), на 2 Всесоюзной > конференции молодых ученых и специалистов "Теоретическая и прикладная оптика", (Ленинград, 1986), на Всесоюзной конференции "Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра", (Кемерово, 1986), на Всесоюзном семинаре-совещании по регистрирующим средам для опто-электронных систем (Ленинград, 1988), на международной конференции SPIE «Optical Holography» (Киев, 1989), на международной конференции SPIE «Practical Holography and Holographic Materials» (Сан-Хосе, США, 1995), на международной конференции SPIE «Practical Holography and Holographic Materials» (Сан-Хосе, США, 1996), на международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998), на международной конференции SPIE «Practical Holography and Holographic Materials» (Сан-Хосе, США, 2002).

Публикации. По результатам диссертации опубликована 21 печатная работа, в том числе 11 статей в рецензируемых журналах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 172 страницы машинописного текста, 67 рисунков, 10 таблиц. Список литературы включает 151 наименование.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Михайлов, Виктор Николаевич

Выводы к шестой главе:

• Установлена зависимость скорости рекомбинации свободных электронов с захваченными дырками от уровня возбуждения нанокристаллов галогенидов серебра импульсным лазерным излучением и найдены предельные значения скорости рекомбинации свободных электронов Vpmin = 2» 107 с"1 при минимальном и Vpmax = 1*109 с"1 при максимальном уровнях возбуждения, а также величина временного интервала t=10"8 с, в течение которого сохраняются максимальные значения Vp.

• Определена константа скорости рекомбинации kp = 6+МО'9 см3с"1, а

1 О также сечение рекомбинации Sp=3±0,5 • 10' см свободных электронов с захваченными дырками, а также определена плотность концентрации центров рекомбинации - поверхностных ловушек захвата дырок 2±0,5* 10й см"2.

• Разработана теоретическая модель, описывающая процессы захвата и освобождения носителей заряда в нанокристаллах галогенидов серебра при возбуждении разночастотными импульсами света различной длительности в диапазоне 10"12-10"4с, позволяющая учитывать образование светоиндуцированных центров захвата и рекомбинации, а также условия синтеза нанокристаллов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенной работы разработан метод исследования кинетики процессов образования скрытого изображения в нанокристаллах А§На1 голографических эмульсий при экспонировании импульсным лазерным излучением в широком диапазоне длительностей и плотностей энергии возбуждения. Наиболее эффективно использование метода импульсного дефотолиза совместно с методом пикосекундного флеш-фотолиза, позволяющего оценить времена захвата свободных носителей заряда. Исследованы первичные стадии фотолиза, начиная с захвата свободных носителей заряда на ловушки и, заканчивая ионными стадиями. Показана возможность использования метода для измерения целого ряда физических параметров, определяющих эффективность фотолиза. Исследования, проведенные в данной диссертационной работе, позволили сделать следующие выводы:

1. Разработан метод исследования кинетики фотолиза нанокристаллов голографических эмульсий — метод импульсного дефотолиза, позволяющий детектировать изменения результатов фотолиза при уровнях возбуждения актиничным излучением вплоть до единиц фотонов на нанокристалл. Метод импульсного дефотолиза позволил получить данные о кинетике наиболее быстрых, первичных процессах захвата свободных носителей заряда в канал образования скрытого изображения и канал рекомбинации в диапазоне времен 10'12-10"7с.

2. Экспериментально наблюдаемая невзаимозаместимость нанокристаллов

Л Q галогенидов серебра в диапазоне длительностей 10" -10" с зависит не только от состава проявителя и длительности проявления, но также от условий гиперсенсибилизации и оптической латенсификации. Использование фенидон-гидрохиноновых проявителей с пониженной концентрацией (либо отсутствием) сульфита натрия и бромистого калия позволяет существенно снизить невзаимозаместимость в этом диапазоне времен. Использование оптической латенсификации позволяет не только устранить невзаимозаместимость, но и достигнуть значительного увеличения чувствительности. Показано, что резкое уменьшение чувствительности при t<10"9c связано с эффектом «просветления» красителя-сенсибилизатора при f л плотностях мощности Рди >3x10 Вт/см .

3. Показано, что зависимость чувствительности голографических эмульсий от длительности неактиничного излучения (А,=780-1100нм) носит нелинейный, квадратичный характер.

4. Показано, что образованное в результате импульсной засветки СИ обладает существенно меньшей регрессией, что подтверждает образование большого числа «дополнительных» по отношению к непрерывной засветке центров СИ, которые в дальнейшем участвуют в образовании проявляемых центров СИ.

5. Методом пикосекундного флеш-фотолиза и импульсного дефотолиза определены времена захвата электронов из зоны проводимости составляющие = 25 ± 5 пс и Тг = 320 ± 50 пс и установлена минимальная длительность импульса при которой наблюдается дефотолиз, составляющая 20пс при одновременном действии АИ и НАИ, а при оптимальной задержке НАИ (At=100nc) - 5пс.

6. Показано, что глубина ловушек, ответственных за образование первичных продуктов фотолиза составляет 0,65 эВ< Елов<1,1 эВ, а в дальнейшем, за

9 7 времена -10" с наблюдается «углубление» ловушек до уровня Елов>1,3 эВ.

7. Показано, что при одновременном действии импульсов АИ и НАИ возможно увеличение экспозиционной чувствительности к действию НАИ до 100 раз, что позволяет использовать «несенсибилизированные» к ИК излучению голографические эмульсии для записи голограмм в указанном диапазоне спектра.

8. Установлен вид зависимости скорости рекомбинации свободных электронов с захваченными дырками от уровня возбуждения нанокристаллов галогенидов серебра и найдены предельные значения скорости рекомбинации свободных электронов Уртш = 2 • 107 с"1 при минимальном и

Уртах = 1*109 с'1 при максимальном уровнях возбуждения. Определена константа скорости кр = 6±1 ♦ 10"9 см3с"', а также сечение рекомбинации 16 2

8Р=3±0,5 * 10" см свободных электронов с захваченными дырками, а также определена плотность концентрации центров рекомбинации - ловушек захвата дырок Ыр= 2±0,5 ♦ 1011 см"2.

9. Разработана теоретическая модель импульсного дефотолиза, позволяющая описать наблюдаемые в эксперименте результаты, полученные при различных длительностях и при различных экспозициях АИ и НАИ, а также учитывающая условия синтеза нанокристаллов галогенидов серебра и их обработки акцепторами носителей заряда различного типа.

10.Анализ полученных экспериментальных результатов позволил выделить основные временные диапазоны, определяющие кинетику носителей заряда в процессах фотолиза и дефотолиза:

1) В начальный период времени в результате поглощения АИ происходит захват электронов и дырок с характерными временами т =3х10"п-1х10"10 сек. Действие НАИ приводит к высвобождению электронов в зону проводимости и последующей рекомбинации с захваченными на поверхностные ловушки дырками с характерным временем рекомбинации т=10"9-10"8с.

2) В период времени А1=10"9 сек -10"7 сек происходит «углубление» ловушек захвата электронов, сопровождающееся резким уменьшением дефотолиза в диапазоне энергий квантов ПАИ от 1-1,2 эВ при одновременном усилении дефотолиза при 8Наи=158-2 эВ. В этот период времени также начинаются процессы нейтрализации захваченных на ловушки электронов междуузельными ионами серебра, вероятность которых зависит от интенсивности АИ и возрастает при её увеличении. г *у

3) В период времени от 10" сек до -10 сек происходит дальнейшая нейтрализация и перераспределение электронов, сопровождающиеся их постепенным переходом с мелких ловушек на более глубокие, при этом возможны также переходы электронов из подповерхностных слоев на поверхность нанокристалла. Эффективность дефотолиза зависит от длительности АИ, так как при коротких экспозициях число «мелких» центров скрытого изображения относительно велико. В этом временном диапазоне дефотолиз слабо зависит от временной задержки, а его эффективность определяется независящими от интенсивности параметрами (тро).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Михайлов, Виктор Николаевич, 2006 год

1. Kanzaki Н. Recent developments in the physics of silver halides// Photogr. Sci. Eng. 1980. -V.24. -№5. - P.219-226.

2. Tani T. Physics of the photographic latent image// Physics Today. 1989. -№9. - P.36-41.

3. Gurney R.W., Mott N. F. The theory of the photolysis of silver bromide and the photographic latent image// Proc. R. Soc. London, Ser. V. 164 -A.- 1938. P. 151167.

4. Hamilton J. F., Brady L. E. Electrical Measurements on Photographic Emulsion Grains. I. Dark Conductivity// J. Appl. Phys.- 1959. -V.30. №12. - P.1893-1901.

5. Картужанский A.JI. Влияние ионной проводимости на отклонения от закона взаимозаместимости для фотографических слоев// ЖЭТФ.-1954. -т.26. -№6 -С.763-764.

6. Takada S. Ionic conduction and space charge layer in silver halide photographic emulsion grains// Phot. Sci. Eng. 1974. -V.18. - №5. - P.500-503.

7. Hada H., Kawasaki M., Fujimoto H. Minimum size of developable latent image specks and energy levels of small silver specks in photographic emulsions// Phot. Sci. Eng.-1980. -V.24. -N.5 -P.232-241.

8. Hailstone R. K., Hamilton J. F. Determination of the minimum size of the latent image// J. Imaging Sci. 1985. -V.29. -N.4. - P.l 25-131.

9. Babcock T.A., Ferguson P.M., Lewis W.C., James Т.Н. A novel form of chemical sensitization//Photogr. Sci. Eng. 1975. -V.19. - N.l. - P.49-55.

10. Fayet P., Granzer F., Hegenbart G., Moisar E., Pischel В., Woste L. Latent image generation by deposition of monodisperse silver clusters// Phys. Rev. Lett.-1985. -V.55. №27. - P.3002-3004.

11. Baetzold R.C. Electronic effects in silver latent image particles// Phot. Sci. Eng.-1980. -V.28. -P.15.

12. Hamilton J.F., Baetzold R.C. The Paradox of Ag2 Centers on AgBr: Reduction Sensitization versus Photolysis // Photogr. Sci. Eng. 1981. - V. 25. - № 5. - P. 189-197.

13. Baetzold R.C., Hamilton J.F. Properties of small metal particles // Progress in Solid State Chemistry. -1983. -V. 15. -N.l -P. 1-53.

14. Baetzold R.C. Properties of silver clusters on AgBr surface sites // J. Photogr. Sci. Eng.-1975.-V. 19. № l.-P. 11-16

15. Baetzold R.C. Computational studies of silver clusters adsorbed on AgBr cubic surfaces// J. Imaging. Sci. Technol.-1998. -V.43. -N.l -P.30-37.

16. Hamilton J.F. Photographic effects of electron and positive hole traps in silver halides VII: Interaction between reduction sensitization and desensitization by dyes on various silver bromide grains// Photogr. Sci. Eng. -1974. V.18. -N.5. -P.569-576.

17. Hamilton J.F., Logel P.C. The minimum size of silver and gold nuclei for silver physical development// Photogr. Sci. Eng. -1974. V.18. -N.5. - P.507-512.

18. Kanzaki H., Mori T. Photon-stimulated desorption of neutrals from silver and alkali halides// Phys. Rev. B. -1984. V.29. - N.6. - P.3573-3585.

19. Mitchell J.W. The concentration process in the formation of development centres in silver halide microcrystals // J. Photogr. Sci. 1983. - V.31. - P. 148157.

20. Mitchell J. W. The stable latent image// Phot. Sci. Eng. 1978. -V.22. - N.l. -P.l-5.

21. Mitchell J.W. Statistical thermodynamics and photographic sensitivity// J. Imaging. Sci. Technol.-2000. -V.44. -N.2 -P. 169-173.

22. Leubner I.H. One-photon processes of latent image formation in silver halides// Imaging Sci. J. -1999. V.47. - P.213-218.

23. Berry C.R. Structure and Optical Absorption of Agl Microcrystals //Phys. Rev.-1967. -V. 161. -P.848-851.

24. Immau J.K., Mraz A.M., Weyl W.A. Solid luminescent materials//New York. -1984.- P. 192.

25. Freedhoff M. I., Marchetti A.P., McLendond G.L. Optical properties of nanocrystalline silver halides// Journal of Luminescence. 1996. -V.70. - P.400-413

26. Rodney P.J., Marchetti A.P., Fauchet P.M. Effects of size restriction on donor-acceptor recombination in AgBr// Phys.Rev.B. 2000. - V.62. - N.7. - P.4215-4217.

27. Brus L.E. // J. Phys. Chem.-1986.-V.90.-P.2555

28. Ehrlich S.H. The kinetic processes of formation and electron -trapping efficiencies of quantum-sized silver bromide clusters // J. Imaging. Sci. Technol.-1994. -V.38. -N.3 -P.201-216.

29. Scop P.M. Band structure of silver chloride and silver bromide// Phys. Review. 1965. -V.139. - N.3A. - P. 934-940.

30. Bassani F., Knox R.S., Fowler W.B. Band structure and electronic properties of AgCl and AgBr//Phys. Review. 1965. -V.137. - N.4A. - P. 1217-1225.

31. Vogel D., Kruger P., Pollmann J. Ab initio electronic structure of silver halides calculated with self-interaction and relaxation-corrected pseudopotentials//

32. Phys. Review B. 1998. -V.58. - N.7. - P. 3865-3869.t.

33. Bunimovich D., Katzir A. Dielectric properties of silver halide and potassium halide crystals// Applied Optics.-1993. -V.32. -N.12 -P.2045-2048.

34. Mason M.G. Photoelectron spectroscopy studies of the band stryctures of silver halides//Phys. Rev. B.-1975. -V.l 1. -N.12 -P.5094-5102.

35. Carrera N.J., Brown F.C. Optical response of AgCl and AgBr in near and extreme ultraviolet// Phys. Rev. B.-1971. -V.4. -N.10 -P.3651-3660.

36. Marchetti A.P., Burberry M. Indirect optical absorption and radiative recombination in silver bromoiodide// Phys.Rev. B. 1988. -V.37. - N.18. -P.10862-10866.

37. Шапиро Б.И. Химическая теория спектральной сенсибилизации галогенидов серебра// Успехи научной фотографии. -1986. -Т. 24. С.69-108.

38. Чибисов К.В. Химия фотографических эмульсий // К.В. Чибисов. М.: Наука,- 1980.-241с.

39. Mishra A., Behera R.K., Behera Р.К., Mishra В.К., Behera G.P.Cyanines during the 1990s: a review// Chem. Rev. -2000. -V.l00. -P. 1973-2011.

40. Spence J. Spectral sensitization and special photographic materials for scientific use//Applied Optics.-1972.-V.il.- N.I.- P.4-12.

41. Hamilton J.F. The silver halide photographic process// Advances in Physics. -1988.-V.37.- N.4. P.359-441.

42. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения// М.: Наука. 1972. - 400 с.

43. Джеймс Т. Теория фотографического процесса // 2-е издание, JL: 1980. -672 с.

44. Eachus R.S., Marchetti А.Р, Muenter А.А. The photophysics of silver halide imaging materials // Annu. Rev. Phys. Chem.-1999. -V.50. -P.l 17-144.

45. Starbov N., Buroff A., Malinowski J. Surface ionic conductivity, lattice disorder, and space charge region in thin silver bromide layers// Physica Status Solidi (a).-1976.-V. 38.-N. l.-P. 161-170.

46. Platikanova V., Malinowski J. Neutralization of trapped photoholes in AgBr // Physica Status Solidi (a). -1978. V.47. - N.2. - P. 683-690.

47. Горяев M.A. Полупроводниковые свойства фотографических материалов// Успехи научной фотографии, М.:Наука. 1986. - Т. 24. - С. 109119.

48. Brandt R.C., Brown F.C. Induced infrared absorption due to bound charge in the silver halides//Phys. Rev. 1969. -V.181. - P. 1241-1250.

49. Sakuragi S., Kanzaki H. Identification of shallow electron centers in silver halides// Phys. Rev. Lett. 1977. -V.38. - P. 1302-1305.

50. Melkinov N. I., Baranov P. G., Zhitnikov R. A. New Paramagnetic Silver Centres in KC1 Crystals // Physica Status Solidi (b). 1971. -V.46. -N.2.1. P. K73-K76.

51. Акимов И.А., Черкасов Ю.А., Черкашин М.И. Сенсибилизированный фотоэффект// М.:Наука. 1980. - 384 с.

52. Strome F.C. Measurement of very rapid changes in latent-image stability against Herschel bleaching with lasers// Phot. Sci. and Eng. 1966. -V.10. - N.2.-P.81-83.

53. Фонкич M.E. О действии длинноволнового лазерного излучения на скрытое изображение/ Фонкич М.Е., Луцик И.С., Пивень Б.Т., Сиденко М.В.//ЖНиПФиК-1972. -т. 17. -№.6 -с.465-467.

54. Фонкич М.Е., Чибисов К.В. О квантовом выходе при эффекте Гершеля// Доклады АН СССР.-1975. -Т.220. -№.3 -с.655-657.

55. Berg W.F. The Fundamental Photographic Process in Silver Halide Crystals// Verlag Chemie. 1967. -P886.

56. Kawasaki M., Tsujimura Y., Hada H. Oscillation of photoionization thresholds of small photolytic silver clusters on silver bromide grain surface // Phys. Rev. Lett.-1986. -V.57. -N.22 -P.2796-2799.

57. Kawasaki M., Oku Y. Energy-level assessment for small silver clusters in AgBr emulsion from combined experimental data of light absorption, spectral sensitivity, and photobleaching // J. Imaging. Sci. Technol.-1998. -V.42. -N.5 -P.409-415.

58. Oku Y., Kawasaki M. Diffuse transmittance spectroscopy study of reduction-sensitized and hydrogen-hypersensitized AgBr emulsion coatings// J. Imaging. Sci. Technol.-1998. -V.42. -N.4 -P.346-348.

59. Tani Т., Murofushi M. Silver microclusters on silver halide grains as latent image and reduction sensitization centers// J. Imaging Sci. and Techn. 1994. -V.38.-N.1.-P. 1-9.

60. Tani T. Silver clusters of photographic interest: reduction sensitization of silver chloride emulsions// Proc. of IS&T/SPSTJ's International Symposium on Silver Halide Imaging, October 27-30, Canada. 1997. -P.162-163.

61. Tani T. Characterization of sensitization centers and fog centers formed during digestion for sulfur sensitization //J. Imaging. Sci. Technol. -1997. -V.39. -N.5. -P.386-392.

62. Tani Т., Muro N., Matsunaga A. Silver clusters of photographic interest III: Formation of Reduction-sensitization centers in emulsion layers on storage and mechanism for stabilization by TAI //J. Imaging. Sci. Technol. -1998. -V.42. -N.4. -P.349- 354.

63. Tani T. Silver clusters of photographic interest IV: Reduction sensitization of silver chloride and silver bromide emulsions //J. Imaging. Sci. Technol.-1998. -V.42. -N.5.-P.402-408.

64. Hamilton J.F., Baetzold R.C. // Photogr. Sci. Eng.-1981. -V.25. -N.-P.189.

65. Guo S. Spectroscopic and sensitometric studies of chemically produced silver clusters // J.of Imag. Sci.Tech. 1996.-V.40. -N.3. -P.210-215.

66. Treguer M., Remita H., Belloni J., De Keyzer R. Spectroscopic studies of chemically produced silver clusters// Proc. of IS&T/SPSTJ's International Symposium on Silver Halide Imaging, October 27-30, Canada. 1997. -P.73-76.

67. Shapiro B.I. Study of organic compound adsorbtion on (Ag,Au)S centers by the method of chemical microscopy // J.of Imag. Sci.Tech. 1999. -V.43. - N.l. -P.94-102.

68. Spoonhower J.P., Deri R.J. Photocarrier kinetics in Ir -doped AgBr// Physica status solidi (b). -1986.- V. 133. N.l.- P. 301-313.

69. Deri R.J., Spoonhower J.P., Hamilton J.F. Photoconductivity decay kinetics in silver bromide photographic films// J. Appl.Phys.-1985. -V.57. -N.6 -P. 19681970.

70. Неманов С.Г., Новиков Г.Ф. Импульсная микроволновая фотопроводимость и фотоинициированное образование серебряных кластеров в бромиде серебра// ЖНиПФиК.-1993. -Т.38. -№6 -С.42-51.

71. Новиков Г.Ф., Рабенок Е.В., Алфимов М.В. Исследования элементарных стадий фотолиза галогенидов серебра методом микроволновой фотопроводимости // Химия высоких энергий. -2005. -Т.39. -№.3 -С. 1-9.

72. Коротаев Н.Н., Мейкляр П.В. Фотоэлектрические явления в фотографических слоях // ЖНиПФиК. 1974.- Т. 19.- №3. - С. 204-210.

73. Голованов Б.И., Ковальчук А.В., Новиков Г.Ф. Двухимпульсная методика измерений СВЧ-фотопроводимоети для исследования электрон-ионных процессов в полупроводниках // ЖНиПФиК. 1997. - Т. 42. -№2.-С. 34-38.

74. Mussig Th., Russow A., Phase sensitive microwave absorption studies on Agj. xBrx emulsions crystals // Proc. of IS&T/SPSTJ's International Symposium on Silver Halide Imaging, October 27-30, Canada. 1997. - P. 129-132.

75. Hirano A. On the behavior of photoholes in silver halide emulsion grains// Proc. of IS&T/SPSTJ's International Symposium on Silver Halide Imaging, October 27-30, Canada. 1997. - P.133-136.

76. Белоус B.M., Орловская И.А., Толстобров В.И., Чибисов К.В. Функции примесных центров возникающих при сернистой сенсибилизации галогенидосеребряных эмульсий // ДАН СССР.-1977. -Т.235. -N.6 -С. 133911342.

77. VanBiesen J. Maxwell-Wagner Effect in Silver Bromide Emulsions// J.Appl.Phys. -1970. -V.41. -N.5. -P.1910-1914.

78. Белоус B.M., Ахмеров А.Ю., Жуков C.A., Орловская Н.А., Свиридова О.И. Люминесцентные исследования процессов, определяющих формирование фотографической чувствительности галогенсеребряных эмульсий// ЖНиПФиК.-1996. -Т.41. -№.6 -С. 11-27.

79. Белоус В.М., Ахмеров А.Ю., Жуков С.А., Свиридова О.И. Люминесцентные исследования электронно-дырочных процессов в галогенсеребряных микрокристаллах с адсорбированными красителями // ЖНиПФиК.-1998. -Т.43. -№.1 -С.3-10.

80. Белоус В.М. Люминесцентные исследования природы центров светочувствительности сернисто-сенсибилизированных галогенсеребряных фотографических эмульсий // Журнал научной и прикладной фотографии. -2003. Т. 48. - № 4. - С. 7-15.

81. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С. Механизм люминесценции кристаллофосфоров // Журнал Прикладной Спектроскопии.- 2004. Т. 71. - № 2. - С. 223-226.

82. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С. О механизме люминесценции в хлористом и бромистом серебре с примесью йода // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т.6. - № 1. - С. 70-74.

83. Marchetti А.Р., Burberry M.S. Optical and optically detected magnetic resonance studies of AgBr:F // Phys. Rev. B. 1983. - V.28. - № 4. - P. 21302134.

84. Burberry M.S., Marchetti A.P. Low-temperature donor-acceptor recombination in silver halides// Phys. Rev. B. -V.32. -N.2 -P. 1192-1195.

85. Czaja W., Baldereschi A. Pulsed luminescence experiments on silver halide microcrystals // J. Phys. С : Solid State Phys. -1979. -V.12. -P.405-424.

86. Moser F., Urbach F. Luminescence of bromoiodide crystals // Phys. Rev.-1957. -V.106. -N.5 -P.852-858.

87. Smith G.C., Wilhite D.L. Luminescence and photoconductivity in silver halides // Phys. Rev.-1965. -V.140. -N.1A -P.221-226.

88. Садыкова A.A., Ицкович Л.Н. О вспышечных свойствах эмульсионных кристаллов // Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии.- 1970. Т. 15. - № 5. - С. 367-369.

89. Садыкова А.А., Ицкович Л.Н., Мейкляр П.В. Вспышка люминесценции галогенидов серебра под действием инфракрасного излучения // Оптика и спектроскопия.-1971.-Т. 30.-№ i.c. 103-106.

90. Латышев А. Н., Овчинников О. В., Смирнов М. С. Механизм люминесценции кристаллофосфоров // Журнал прикладной спектроскопии. -т. 71.-№2.-С.223-226.

91. Wilhite D.L. Pulsed luminescence experiments on silver halide microcrystals// Phot. Sci. Eng.-1978. -V.22. -N.6 -P.322-324.

92. Пешкин А.Ф., Жуков B.B., Суворин B.B. Люминесценция микрокристаллов галогенсеребряных эмульсий при комнатной температуре // ЖНиПФиК. -1988. -Т.ЗЗ. -№.2 -с.130-133.

93. Kanzaki Н., Mori Т. Photon-stimulated desorption of neutrals from silver and alkali halides //Phys. Rev. B. 1984. - V.29. - p.3573.

94. Marchetti A.P., Burberry M.S., Spoonhower J.P. Characterization of an intermediate-case exciton in the 580-nm emission of Cd-doped and pure AgBr //Phys. Rev. B.-1991. -V.43. -N.3 -P.2378-2383.

95. Eachus R. S., Pawlik Th. D., Baetzold R. C. Multifrequency electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double-resonance studies of photohole processes in AgBr and AgCl emulsion grains// J. Phys.: Condens. Matter . -2000. -V.12 . P.8893-8911.

96. Фаленс П. Образование скрытого изображения в фотографических эмульсиях при высоких интенсивностях экспозиции// ЖНиПФиК.-1986. -т.31. -вып.З -с.230-239.

97. Картужанский А.Л., Влияние ионной проводимости на отклонения от закона взаимозаместимости для фотографических слоев// ЖЭТФ. 1954. -Т.26. - №6. - С.763-764.

98. Hercher М., Ruff В. High-intensity reciprocity failure in Kodak 649-F plates at 6943A// JOS A. 1967. - V.57. - N.l. - P. 103-106.

99. Стаселько Д.И., Смирнов А.Г. Особенности поведения высокоразрешающих эмульсий при голографировании с использованием импульсного источника излучения//ЖНиПФиК. 1970. - Т.15. - №1. - С.66-68.

100. Н.Д. Ворзобова. Исследование голографических характеристик фотопластинок ВРП// в сборнике Оптическая голография, Л. : Наука. 1985. -С.65-75.

101. Ворзобова Н.Д., Стаселько Д.И. О дифракционной эффективности трехмерных голограмм, записанных при кратковременных засветках //Опт. и спектр.-1978.-№45.-С. 165-171.

102. Ворзобова Н.Д., Стаселько Д.И. Исследование характеристик фотоматериалов для импульсной голографии// Тезисы III Всесоюзной конференции по голографии, Д.: ЛИЯФ. 1978. - С.311.

103. Pangelova N., Petrova Ts., Katsev A., Pantcheva M. Silver halide materials for pulsed holographic recording // Proc. SPIE, Holography'89-1989. -V.1183. -P.131-133.

104. Гренишин С.Г., Тимохин A.A., Тибилов C.C. Спектроскопия первичных стадий фотолиза галогенидов серебра// Оптика и спектроскопия.-1986.-Т.61.-вып.5-С.1153-1155.

105. Бенкен А.А., Стаселько Д.И. Рассеяние света при формировании скрытого изображения излучением импульсных лазеров // ЖТФ.-1982.-№7.-С.1462-1465.

106. Духовный A.M., Королев А.Е., Рябова Р.В., Стаселько Д.И. Исследование дифракционной эффективности голограмм, записанных в ИК области спектра импульсами длительностью 2x10"10-15 с // Опт. и спектр.-1980.-Т.49. №6. -С.933-937.

107. Горяев М.А. Вклад статистических процессов образования собственных дефектов галогенидов серебра в формирование скрытого изображения// ЖНиПФиК. 1999.-T.44.-N.6-C.34-38.

108. Винецкий B.JL, Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках// Киев: Наукова думка. 1969. -188 с.

109. Rakitin A., Kobayashi М., Strekalov V.N. Theoretical analysis of laser-induced effects in silver halides// Physical Review B. 1996. -V.53. - N.17. -P.l 1357-11359.

110. Bjelkhagen H.J. Silver-halide recording materials for holography and their processing// Springer, Berlin. 1993.

111. Гриневицкая О.В., Крылов В.Н., Михайлов В.Н. Латенсификация скрытого изображения галогенсеребряных фотопластинок ВРП для записи импульсных голограмм// Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1989. -Т.34. - вып.4. - С.314-318.

112. Толсторожев Г.Б., Тихомиров С. А. Быстропротекающие фотофизические и фотохимические релаксационные процессы в сложных органических молекулах //Журн. прикл. спектр. 1998. - Т.65. - № 5 . - С. 635-661.

113. Михайлов В.Н., Стаселько Д.И. Освобождение и захват носителей зарядов при возбуждении микрокристаллов галоидосеребряных эмульсий импульсами актиничного и неактиничного излучений// Оптика и спектроскопия. -1993. Т.75. - вып.5. - С.1001-1008.

114. Крылов В.Н., Михайлов В.Н., Стаселько Д.И. Импульсный лазер на АИГ с преобразованием частоты в УФ, видимой и ИК-областях спектра// Оптико-механическая промышленность. -1987. вып.8. - С.22-25.

115. Перлин Е.Ю., Стаселько Д.И. Нелинейное возбуждение нанокристаллов AgBr в поле коротких световых импульсов // Опт. и спектр.-2000.-Т.88. №1-С.57-61.

116. Hailstone R. К., Liebert N. В., Levy М., Hamilton J. F. Achieving high quantum sensitivities with hydrogen hypersensitization. 2. Mechanism.// J. Imaging Sci. -1991. V.35. - P.219-230 .

117. Картужанский A.JT. и др. Водородная гиперсенсибилизация эмульсий с восстановительной и золотой сенсибилизацией// ЖНиПФиК. -1980. Т.25. -вып.2. - С. 130-131.

118. Кириллов Н.И. Высокоразрешающие фотоматериалы для голографии и процессы их обработки// М.: Наука. 1979. -136с.

119. Гриневицкая О.В., Крылов В.Н., Михайлов В.Н. Водородная гиперсенсибилизация фотопластинок ВРП для записи импульсных голограмм// Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. -1988. -Т.ЗЗ. -вып.4. С.302-306.

120. Картужанский А.Л., Потина Г.В., Утехин А.Н., Хохлов А.П., Шварц В.М. Способность к латенсификации и невзаимозаместимость при действии кратковременных засветок // ЖНиПФиК.-1991. -Т.36. -N.5 -С.418-420.

121. Денисова Н.В., Картужанский А.Л., Утехин А.Н., Хохлов А.П., Шварц В.М. Аномалия невзаимозаместимости при высоких освещенностях и латенсифицируемость фотографических слоев // ЖНиПФиК.-1993. -Т.38. -N.6-C.36-41.

122. Bjelkhagen H.J. Holographic recording materials and the possibility to increase their sensitivity// CERN, Geneva, Switzerland, EF-report 84-7. 1984

123. Mikhailov V.N., Son J.Y., Grinevitskaya O.V., Lee H.S., Choi Y.J. Improved processing for silver halide pulse holography//Proc. SPIE. 1996. -V.2688. -P.155-161.

124. Bjelkhagen H. I., Phillips N., Ce W. Chemical symmetry—Developers that look like bleach agents for holography// in Practical Holography IV, S. A. Benton, ed.,Proc. SPIE 1461.- 1991.-P.321-328.

125. Евстигнеева M.K., Дроздова O.B., Михайлов B.H. Запись отражательных голограмм на фотопластинках ВРП при импульсном экспонировании// Тезисы докладов 2-ой международной конференции "0птика-2001", 16-19 октября 2001, Санкт-Петербург. 2001. -С. 124.

126. Evstigneeva М.К., Mikhailov V.N., Drozdova O.V. Silver-halide sensitized gelatin (SHSG) processing method for pulse holograms recorded on VRP plates// Proc. SPIE, Practical Holography XVI and Holographic Materials VIII. 2002. -V. 4659. - P. 405-412.

127. Чураев A.JI., Стаселько Д.И., Бенкен А.А. Исследование записи толстослойных голограмм в средах с нелинейными фазовоэкспозиционными характеристиками// ЖТФ. 1984. -Т.54. - вып.2. - С.306-313.

128. Зельдович Б.Я., Яковлева Т.В. Модовая теория объемных голограмм с учетом нелинейности фотопроцесса// Квантовая электроника. 1980. -Т.З. -вып.7.-С. 519-529.

129. Духовный A.M., Королев А.Е., Рябова Р.В., Стаселько Д.И. Исследование дифракционной эффективности голограмм, записанных в ИК области спектра импульсами длительностью 2x10'1015с // Оптика и спектроскопия. 1980. - т.49. - вып.5. - С.933-937.

130. Milam D. Short-pulse 1064-nm exposure fluences of panchromatic and infrared emulsions// Phot. Sci. Eng. 1982. -V.26. - N.4,. - P.171-175.

131. Graube A. Infrared holograms recorded in high-resolution photographic plates with the Herschel reversal// Appl. Phys.Lett. 1975. -V.27. - P.136-137.

132. Naor D., Flusberg A., Itzkan I. Infrared laser photography with silver-halide emulsion // Applied Optics.-1981. -V.20. -N.14 -P.2574-2584.

133. Mitchel G.R., Grek В., Johnston T.W., Martin F., Pepin H. Nanosecond photography at 10.6 цт using silver halide film // Applied Optics.-1979. -V.18. -N.14 -P.2422-2426.

134. Meza J.M., Calixto S. Response of standard silver halide emulsions to mid-infrared radiation// Applied Optics.-1996. -V.35. -N.31 -P.6140-6145.

135. Ярив А., Квантовая электроника и нелинейная оптика// М.: Радио. -1973.

136. Михайлов В.Н., Крылов В.Н., Ребане А., Вилд У.П., Стаселько Д.И., Чувствительность галоидосеребряных материалов для голографии прил | ^длительности излучения 10-10 сек// Оптика и спектроскопия. 1995. -Т.79. - вып.4. - С.665-666.

137. Михайлов В.Н., Стаселько Д.И. Нелинейная чувствительность галоидосеребряных голографических материалов к высокоинтенсивному неактиничному излучению// Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1998. - Т.43. - №2. - С. 1-7.

138. Mikhailov V.N., Grinevitskaya O.V., Zagorskaya Z.A., Mikhailova V.I. Study of electronic stage of the Hershel effect in holographic emulsions with different types of chemical sensitization// Proc. SPIE. -1989. V.1238. - P.144-152.

139. Kawasaki M., Tsuimura Y., Hada H. Oscillation of Photoionization Thresholds of Small Photolytic Silver Clusters on Silver Bromide Grain Surface // Phys. Rev. Lett. 1986. - V. 57. -№22. - P.2796-2799.

140. Плюснин В.Ф., Стаселько Д.И., Лебедев B.H., Пацера С.В., Тибилов С.С. Глубокий импульсный фотолиз иодобромосеребряных эмульсионных нанокристаллов при интенсивном межзонном возбуждении// Опт. и спектр.-1998.-Т.85.- №2. -С.223-230.