Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Григорьев, Денис Валерьевич

• Григорьев, Денис Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Григорьев, Денис Валерьевич

ВВЕДЕНИЕ

1. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В CdxHg,.xTe ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ЧАСТИЦАМИ И ИОНАМИ

1.1. Методы выращивания материала CdxHg!.xTe. Дефекты структуры, определяющие электрофизические свойства

1.2. Влияние радиационных воздействий на свойства кристаллов CdxHgixTe

1.2.1. Облучение высокоэнергетическими электронами и у-квантами кристаллов CdxHgixTe

1.2.2. Ионная имплантация в кристаллы CdxHgj хТе

Выводы

2. ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ CdxHgixTe, ВЫРАЩЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

2.1. Подготовка образцов CdxHgi.xTe. Методика измерений

2.2. Особенности определения электрофизических параметров эпитаксиальных пленок CdxHgi.xTe с варизонными слоями

2.2.1. Основные положения физической модели 56:

2.3.2. Влияние широкозонного варизонного слоя на результаты измерения электрофизических параметров эпитаксиальных пленок CdxHg!.xTe

2.3.3. Влияние узкозонного варизонного слоя на результаты измерения электрофизических параметров эпитаксиальных пленок CdxHgi;xTe 73

2.3.4. Определение электрофизических параметров варизонных эпитаксиальных пленок CdxHgi.xTe 76 Выводы

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ И у - КВАНТАМИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК CdxHg,.xTe

3.1. Методы исследований

3.2. Облучение мощными импульсными пучками электронов

3.3. Облучение высокоэнергетическими электронами и у-квантами 94 Выводы

4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА РАДИАЦИОННОГО

ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРТ ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

4.1. Основные положения модели радиационного дефектообразования в CdxHgi.xTe при ионной имплантации

Чг 4.2. Определение коэффициента комплексообразования РД и оценка влияния внутреннего электрического поля на миграцию первичных

4.3. Моделирование процесса радиационного дефектообразования при облучении объемных кристаллов CdxHgi.xTe ионами аргона

Выводы

5. ДИНАМИКА НАКОПЛЕНИЯ И ПРОФИЛИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ CdxHgixTe, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ N2+, Аг+, В+

5.1. Методики исследования, при ионной имплантации CdxHgixTe

5.2. Имплантация ионов аргона и молекулярного азота, в эпитаксиальные пленки CdxHgi.xTe

5.3. Имплантация ионов бора в варизонные эпитаксиальные пленки

CdxHg,xTe

5.3.1. Интегральные электрофизические характеристики

5.3.2. Профили пространственного распределения электрофизических характеристик

5.4. Анализ процессов радиационного дефектообразования в варизонных щ эпитаксиальных пленках CdxHg!.xTe при ионной имплантации

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии»

Разработка различного рода эффективных фотоприемных устройств (ФПУ), работающих в инфракрасной (ИК) области спектра, является одной из актуальных задач современной микро - и оптоэлектроники. В настоящее время приборы, основанные на применении фотоприемников ИК диапазона, используются для решения широкого круга задач как специального, так и гражданского назначения [1]. Они находят широкое применение в медицине, сельском хозяйстве, химической промышленности, металлургии черных и цветных металлов, в топливодобывающей промышленности и в других областях народного хозяйства. В военной области ИК фотодетекторы применяется в системах ночного видения, противоракетных системах обнаружения и наведения, системах автоматического обнаружения, распознавания и уничтожения наземных целей, авиационных и космических разведывательных системах и т.д.

Полупроводниковые соединения CdxHgixTe (KPT) в настоящее время являются одним из основных материалов для создания собственных ИК фотоприемников на диапазон длин волн 3-5 и 8-14 мкм [2, 3,4]. Данный полупроводник характеризуется широким спектральным диапазоном фоточувствительности (Г- 25 мкм), сравнительно низкой концентрацией носителей заряда при рабочих температурах 77 К, высокой квантовой эффективностью в диапазоне перекрываемых длин волн. Однако наряду с достоинствами КРТ существуют большие технологические трудности в получении качественных кристаллов. Использование методов получения объемных кристаллов КРТ (Бриджмена, твердотельной рекристаллизации, Чохральского и т.п.) не всегда позволяет получать материал с параметрами, требуемыми для создания высокочувствительных ИК приемников. Кроме того, фотоприемники, изготовленные с использованием объемного материала, имеют высокую стоимость из-за потери значительной части выращенного материала в результате технологических операций.

Необходимо также отметить, что основные тенденции развития современной микроэлектронной промышленности в области оптоэлектроники направлены на разработку высокоэффективных многоэлементных полупроводниковых детекторов излучения, обеспечивающих обработку сигнала непосредственно в фокальной области фотоприемного устройства [3,4, 5]. При этом для создания таких фотодетекторов необходимо обеспечить изготовление образцов исходного материала достаточно большой площади и однородности [3,4, 5, 6]. Применительно к полупроводниковым узкозонным твердым растворам КРТ, наибольшее внимание в последние годы уделяется разработке технологии изготовления многоэлементных фотоприемных матриц на основе материала, выращенного эпитаксиальными методами, в том числе молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ). Преимуществами метода МЛЭ являются высокая однородность свойств материала по поверхности технологической шайбы и возможность выращивания эпитаксиальных структур со сложным профилем распределения состава (варизонные структуры) и легирования [4, 6], необходимыми для приборного исполнения. Кроме того, данный метод позволяет выращивать материал на подложках из GaAs и Si [6], которые являются основными технологическими материалами микроэлектронной промышленности. Возможность создания фото детекторов на подложках GaAs и Si открывает широкие перспективы для изготовления устройств, в которых фотоприемная матрица и мультиплексор интегрированы в одном кристалле.

Наряду с исследованием исходных свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ, актуальной является задача контролируемого изменения параметров материала с целью получения заданных полупроводниковых структур. Большое внимание при этом уделяется исследованию взаимодействий ионизирующего излучения с материалом. Среди ряда проблем, возникающих в этой связи, в настоящее время наибольший практический интерес представляют следующие: а) разработка гибкой и воспроизводимой технологии управления электрофизическими и фотоэлектрическими параметрами полупроводникового материала путем контролируемого введения в него электрически активных примесей и дефектов; б) исследование природы радиационных дефектов в материале в связи с оптимизацией технологии ионной имплантации, так как внедрение ионов сопровождается интенсивной генерацией радиационных дефектов, которые в случае КРТ, полностью определяют электрофизические свойства имплантированного материала; в) исследование радиационных дефектов в полупроводниковых приборных структурах, предназначенных для работы в космическом пространстве, в ядерных энергетических установках и в военной технике, так как именно фоточувствительный полупроводниковый материал является наименее стойким к радиации элементом этих устройств.

Проведенные исследования процессов радиационного дефектообразования в объемном материале КРТ позволили разработать технологию ионной имплантации с целью получения необходимых приборных структур [7 - 11]. В настоящее время методом ионной имплантации создаются также высококачественные фотоприемные устройства на основе эпитаксиального материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [6,12-14]. Однако исследований радиационного дефектообразования в данном материале практически не проводилось.

Для улучшения параметров создаваемых фотоприемных устройств широкое применение находят эпитаксиальные пленки с широкозонными варизонными слоями в приповерхностной области материала [6, 15,16]. В связи с этим актуальным является вопрос о влиянии области переменного состава материала на процессы радиационного дефектообразования.

Необходимо отметить, что, несмотря на большой накопленный экспериментальный материал, нет однозначных моделей радиационного дефектообразования в КРТ. В связи с этим проведение исследований радиационного дефектообразования в КРТ является актуальной задачей, так как разработка модели радиационного дефектообразования позволит не только прогнозировать влияние радиационных эффектов на параметры материала, но и улучшить технологию прецизионного управления параметрами исходного материала, с целью создания заданной приборной структуры.

Целью данной работы является исследование влияния радиационных воздействий на свойства эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и изучение процессов радиационного

Мй дефектообразования при ионной имплантации.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

1. Расчет электрофизических параметров эпитаксиальной пленки КРТ с варизонными слоями и определение влияния этих слоев на результаты экспериментальных измерений параметров эпитаксиального слоя.

2. Исследование влияния потоков ионизирующих излучений на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

3. Развитие модели радиационного дефектообразования в КРТ при ионной имплантации и уточнение ее параметров на основе экспериментальных результатов измерения пространственного распределения электрически активных радиационных дефектов.

4. Изучение влияния внедрения ионов (ионной имплантации) на свойства эпитаксиального материала КРТ и исследование процессов радиационного дефектообразования в области переменного состава эпитаксиальной" пленки. т

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Коэффициент комплексообразования а, ( характеризующий динамику накопления электрически активных радиационных дефектов донорного типа в ртутной подрешетке материала при ионной имплантации CdxHg!.xTe) определяется из тангенса угла наклона tgP зависимости натурального логарифма пространственного распределения объемной ^ концентрации электронов, измеренной в области материала, заглубленной по сравнению с районом генерации первичных радиационных дефектов, и областью наибольшего разупорядочивания кристаллической решетки л материала, как ai=Di-(tgP) , где Dj - коэффициент диффузии междоузельных атомов ртути.

2. При имплантации ионов бора в варизонные эпитаксиальные пленки CdxHgixTe скорость введения электрически активных радиационных дефектов dNs/dO в диапазоне доз облучения Ф < 1014 см"2 экспоненциально убывает с увеличением состава материала х в области среднего проецированного пробега Rp ионов бора. Замедление динамики накопления электрически активных радиационных дефектов обуславливает наблюдаемые отличия результатов ионной имплантации в варизонные эпитаксиальные пленки с переменным составом в области внедрения имплантанта по отношению к объемному материалу CdxHgixTe постоянного состава.

3. При ионной имплантации эпитаксиальных пленок CdxHgi.xTe с приповерхностным варизонным слоем влиянием градиента коэффициента диффузии первичных радиационных дефектов и встроенного электрического поля, образующихся вследствие наличия градиента состава эпитаксиальной пленки в области радиационного дефектообразования, на процесс миграции первичных радиационных дефектов можно пренебречь при значениях градиента состава менее 0.4-104 см"1.

4. Облучение варизонных эпитаксиальных пленок CdxHgixTe, выращенных методом МЛЭ, при температуре 300 К электронами в диапазоне энергий 400 кэВ-2 МэВ и у-квантами с энергией 1.25 МэВ интегральными потоками вплоть до 5-Ю15 см"2 и 1.7-1016 см"2, соответственно, не приводит к образованию электрически активных дефектов и центров рекомбинации неосновных носителей заряда в различимых концентрациях.

Научная новизна и ценность диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые проведено исследование влияния потоков электронов, у-квантов, ионов на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и сравнение полученных результатов с данными по облучению кристаллов КРТ, выращенных объемными методами. Показано, что механизмы образования электрически активных РД и процесс их эволюции протекают сходным образом, как в эпитаксиальных пленках, так и в объемном материале КРТ.

2. Впервые получены профили распределения электрически активных радиационных дефектов в эпитаксиальных пленках МЛЭ КРТ, с различным распределением состава в области внедрения имплантируемых ионов. Проведено сравнение результатов ионной имплантации в объемный материал КРТ и в эпитаксиальные пленки, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Выявлены основные факторы, определяющие различие в результатах имплантации ионов бора в объемный материал КРТ и эпитаксиальные пленки с переменным составом материала в области внедрения имплантанта. Получено дополнительное экспериментальное подтверждение предположения того, что основными радиационными дефектами определяющими свойства облученного КРТ, являются дефекты в ртутной подрешетке материала.

3. Развита модель радиационного дефектообразования в КРТ при ионной имплантации. Показано, что анализ полученных экспериментальных результатов измерения пространственного распределения электрически активных радиационных дефектов, позволяет оценить параметры модели радиационного дефектообразования в КРТ, таким образом, что результаты расчета не только качественно, но и количественно согласуются с экспериментальными данными.

Достоверность научных положений и выводов по работе определяется корректностью методики электрофизических измерений и согласованностью экспериментальных данных с расчетными. Полученные в работе данные не противоречат известным результатам по исследованию процессов радиационного дефектообразования в КРТ. Результаты работы согласуются с результатами работ отечественных и зарубежных авторов.

Практическая ценность работы определяется следующими результатами:

1. Предложен метод расчета электрофизических параметров эпитаксиальных варизонных структур КРТ.

2. Показано, что исследуемые эпитаксиальные пленки КРТ, выращенных методом МЛЭ, обладают высокой радиационной стойкостью к внешним воздействиям (у-кванты, высокоэнергетические электроны) при температуре 300 К в пределах применяемых потоков облучения.

3. Предложен способ оценки параметров теоретической модели радиационного дефектообразования в КРТ, позволяющий получить не только качественное, но количественное согласие результатов теоретического расчета и экспериментальных данных.

4. Полученные результаты исследований влияния облучения ионов бора на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок КРТ могут быть использованы для оптимизации режимов ионной имплантации в эпитаксиальный материал с широкозонными варизонными слоями в приповерхностной области при изготовлении диодных структур. Диссертационная работа выполнялась в рамках НИР и хоздоговорных тем:

1. "Исследование физических свойств и разработка методов контроля структур неоднородных полупроводниковых сред и материалов, магнитодиэлектриков и структур на их основе с целью создания функциональных материалов для радиоэлектроники" (шифр "Корсар"), гос. per. № 01.200.202367, 2001-2005.

2. "Радиационно-индуцированная диффузия примесей и дефектов при модификации полупроводниковых соединений мощными импульсными пучками ионов", НТП "Университеты России", проект №3962, 1998-2000.

3. "Радиационно-индуцированная диффузия и сегрегация примесей и дефектов при модификации свойств полупроводниковых соединений мощными импульсными пучками ионов", НТП "Университеты России -фундаментальные исследования", учетный № 015.06.01.11, 2001-2002.

4. Joint project grant No 14123 The Royal Society of London (UK) "Semiconductor modification and implantation using high power pulsed beams", 2002-2004, Loughborough University, Leicestershire.

5. Грант Международного Совета по исследованиям с финансовым обеспечением Carnegie Corporation (IREX), проект "Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом молекулярно-лучевой эпитаксии" (2004/2005).

6. "Разработка физико-технологических основ создания фоточувствительных наноструктур на базе полупроводниковых соединений А2В6, А3В5, А4В6", проект Межгосударственной российско-украинской программы "Нанофизика и наноэлектроника", направление 4 "Наноэлектроника и нанофотоника", 2000-2002.

7. "Многослойные МЛЭ структуры CdHgTe с наноразмерными слоями и оптоэлектронные приборы на их основе" (шифр «Структура»), проект Межгосударственной российско-украинской программы "Нанофизика и наноэлектроника", направление 4 "Наноэлектроника и нанофотоника", 2004-2006.

8. "Исследование воздействия облучения на параметры ГЭС КРТ МЛЭ" (шифр "Гамма"), №09/01 от 12.03.2001, ИФП СО РАН, г. Новосибирск;

9. "Исследование механизмов рассеяния и сохраняемости в образцах кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии", (шифр "Гамма-2"), №02/02 от 28.01.2002, ИФП СО РАН г. Новосибирск. По материалам диссертации опубликовано 4 статьи в журналах, входящих в список ВАК, 1 статья в журнале американского общества SPIE, 7 материалов и 6 тезисов международных конференций, 5 статей в сборниках трудов школы молодых ученых. Общее число публикаций составляет 23 наименования. Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложения и списка цитируемой литературы, включающего 164 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Григорьев, Денис Валерьевич

Основные результаты, полученные при выполнении работы, можно сформулировать следующим образом.

1. Проведено экспериментальное измерение электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ, после облучения высокоэнергетическими электронами (Е = 1 - 2 МэВ, Ф = 1015 - 5-1015 см'2), у-квантами (Е ~ 1.25 МэВ, Ф = 1.7-(1012 - 1016) см"2), сильноточным пучком электронов (Е = 400 кэВ, j = 200 А-см"2, х = 50 не, Ф = 6-Ю14 -1.8-1016 см'2). Установлено, что облучение эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ при температуре 300 К высокоэнергетическими электронами и у-квантами, сильноточным пучком электронов в пределах применяемых потоков облучения не приводит к образованию электрически активных дефектов и центров рекомбинации неосновных носителей заряда в различимых концентрациях.

2. Проведено экспериментальное измерение профилей пространственного распределения электрически активных РД после облучения эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ, ионами Аг+, Ыг+,

I 12 15 2 И

В в диапазоне доз облучения Ф= 10 -10 см", ионами В в диапазоне энергий имплантанта Е = 20-150кэВ. Показано, что механизмы образования электрически активных РД и процесс их эволюции протекают сходным образом, как в эпитаксиальных пленках, так и в объемном материале КРТ. Установлено, что дополнительные факторы, связанные с наличием градиента ширины запрещенной зоны и коэффициента диффузии первичных радиационных дефектов в области внедрения имплантанта не оказывают определяющего влияния на результирующее распределение электрически активных РД.

3. Проведено экспериментальное измерение дозовых и энергетических зависимостей интегральных электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ, после облучения ионами бора в диапазоне энергий Е = 20-150кэВ, и доз облучения Ф = 10" -3-1015 см" . Установлено, что скорость введения электрически активных РД dNs/dO в области доз облучения Ф < Фнас= Ю14 см"2 экспоненциально убывает с увеличением состава xRp эпитаксиальной пленки КРТ в области среднего проецированного пробега Rp ионов бора. В диапазоне доз облучения Ф > Фнас величина концентрации и подвижности электронов в этом слое определяются составом эпитаксиальной пленки в области локализации профиля n(z). Наблюдаемые отличия результатов ионной имплантации в эпитаксиальные пленки МЛЭ КРТ с переменным составом в области внедрения имплантанта и объемный материал КРТ, главным образом, обусловлены различной динамикой накопления электрически активных РД и зависимостью электрофизических свойств материала от состава КРТ.

4. Предложен метод определение параметра модели радиационного дефектообразования, характеризующего скорость накопления электрически активных РД донорного типа, на основе анализа экспериментальных данных пространственного распределения электрически активных РД в области материала, заглубленной по сравнению с районом генерации первичных РД и наибольшего разупорядочивания кристаллической решетки материала. Показано, что результаты теоретического моделирования процессов радиационного дефектообразования при ионной имплантации КРТ постоянного состава и эпитаксиальных пленок с переменным составом в области внедрения имплантанта удовлетворительно описывают наблюдаемые экспериментальные данные.

5. Получено дополнительное экспериментальное подтверждение предположения того, что основными РД определяющими свойства облученного КРТ, являются дефекты в металлической подрешетке HgTe.

192

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Григорьев, Денис Валерьевич, 2005 год

1. Сафронов Ю.П., Андрианов Ю.Г. Инфракрасная техника и космос. - М.: Сов. Радио. - 1978. - 248 с.

2. Пашковский М.В., Гречух З.Г. Фотоэлектрические ИК приемники на теллуридах кадмия-ртути // Зарубежная электронная техника. 1973. -№ 24. - С. 3 - 27.

3. Пономаренко В.П. Теллурид кадмия-ртути и новое поколение приборов инфракрасной фотоэлектроники // УФН. 2003. - Т. 73, №6. - С. 649 - 665.

4. Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ. / Под ред. А.В. Войцеховского. Новосибирск: Наука, 2003. - 636 с.

5. Ерофейчев В. Г. Инфракрасные матрицы на основе фотодиодов Hgi.xCdxTe и фотоприемников с квантовыми ямами // Оптический журнал. 2000. -№ 1. - С. 5-19.

6. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Овсюк В.Н., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. и др. Новосибирск: Наука. - 2001. -376 с.

7. Fiorito G., Gasparrini G., Suelto F. p-n junction characteristics and ultimate performances of high quality 8-14 jam Hgi.xCdxTe implanted photodetectors // Infrared Phys. 1977. - V. 17. - P. 25 - 31.

8. Ryssel H., Lang G., Biersack J.P., Muller K., Kruger W. Ion implantation Doping of Cdo.2Hgo.8Te for infrared detectors // IEEE Transaction on electron devices. 1980. - V. ED-27, № 1. - P. 58 - 62.

9. Lanir M., Wang C.C., Vanderwyck F.H:B. Backside illuminated HgCdTe/CdTe photodiodes // Apll. Phys. Lett. - 1979. - v.34, №1. - P. 50 - 52.

10. Chu M., Vanderwyck F.H.B., Cheung D.T. High performance backside-illuminated Hgo.78Cdo.22Te/CdTe (Xco=10 jam) planar diodes // Apll. Phys. Lett. -1980. - v. 37, № 5. - P. 486 - 488.

11. Rutkowski J. Planar junction formation in HgCdTe infrared detectors // Optoelectronics review. 2004. - V. 12, № 1. - P. 123 - 128.

12. Овсюк В.Н., Сидоров В.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприемники 128x128 на основе HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // ФТП. 2001. - Т. 35, В. 9.-С. 1159- 1166.

13. Не L., Wu Y., Wang S. Yu M. Chen L. Yang J. Molecular beam epitaxy of HgCdTe for IR FPAs detectors // Proceedings of the First Joint Symposium on Opto- and Microelectronics Devices and Circuits. 2000. - P. 98 - 101.

14. Dhar N.K., Zandian M., Pasko J.G., Arias J.M., Dinan J.H. Planar p-on-n HgCdTe heterostructure infrared photodiodes on Si substrates by molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett. 1997. - v. 70, № 13. - P. 1730 - 1732.

15. Войцеховский A.B., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин B.C., Дворецкий С.А, Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев Н.В. Особенности спектральных и рекомбинационных характеристик МЛЭ структур на основе CdHgTe // Автометрия. - 1998. - В. 4. - С. 47 - 58.

16. Васильев В.В., Есаев Д.Г., Кравченко А.Ф., Осадчий В.М., Сусляков А.О. Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHgixTe // ФТП. 2000. - Т. 34, В. 7. - С. 877 - 880.

17. Higgins W.M., Pilts G.N., Roy G.R. et al. Standard relatioships in the properties of HgixCdxTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. - V. 7, № 3. - P. 271 - 281.

18. Bartlet B.E., Deang J., Ellen P.J. Growth and properties of CdxHgjxTe crystals // J. Mater. Sci. 1969. - V. 4, № 3. - P. 266 - 272.

19. Физика соединений A1^^ / Бовина Л.А., Бродин M.C., Валах М.Я. и др. -М.: Наука, 1986. 320 с.

20. Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства. HgjxCdxTe. Киев: Наукова думка, 1984. - 288 с.

21. Jones С.Е., James К., Merts J. et al. Status of point defects in HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. - V. 3, № I. - P. 131 -137.

22. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. Баку: Азернешр, 1984. - 211 с.

23. Филатов А.В., Невский О.Б., Каган Н.Б. и др. Примесные дефекты в монокристаллах CdxHgixTe // Кристаллография. 1988. - Т. 33, В. 5. -С. 1232 - 1238.

24. Tregilgas J.H., Beck J.D., Gnade B.L. Type conversion of (Hg, Cd)Te induced by the redistribution of residual acceptor impurities // J. Vac. Sci. Technol. A. -1985. V. 3, № I. - P. 150- 152.

25. Rodot H. Stude de Lequilibre de phase dens le tellurire de mercure // J. Phys. Chem. Sol. 1964. - V.25, № I. - P. 8-93.

26. Schmit J.L., Stelser E.L. The effects of annealing temperature on the carrier concentration of HgCdTe // J.Electr.Materials. 1979. - V. 7, № 1. - P. 65 - 81.

27. Elliot C.T., Melngailis J., Harman T.J. Carrier freedout and acceptor energies in p-type Hgl.xCdxTe // J. Phys. Chem. Sol. 1972. - V. 83, № 8. - P. 1577-1581.

28. Кротов И.И., Миколюк E.A., Старков Г.В. Влияние термообработки на электрофизические свойства пленок HgCdTe // Научные труды МИСиС. -1983.-№146.-С. 72-80.

29. Shaake H.F., Tregilgas J.H., Beck J.D. et al. The effect of low temperature annealing on defects, impurities and electrical properties and electrical of (Hg, Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. - V. 3, № I. - P. 143 - 149.

30. Vydyanath H.R. Defect structure of undoped and cooper doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electr. Society. -1981. V. 128, № 12. - P. 2609 - 2618.

31. Vydyanath H.R. Defect structure of indium doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electr. Society. 1981. - V. 128, № 12. - P. 2619 - 2625.

32. Capper P. The behaviour of selected imputities in CdHgTe // J. Cryst. Growth. -1982.-V. 57, № 1. P. 280-299.

33. Кощавцев H. Ф., Кощавцев A. H., Федотова С. Ф. Анализ перспектив развития приборов ночного видения // Прикладная физика. 1999. - № 3. -С. 1-10.

34. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. - 1975. -327 с.

35. DeWames R.E., Williams G.M., Pasko J.G., Vanderwyck A.H.B. Current generation mechanism in small band gap HgCdTe p-n junctions fabricated by ion implantation // Journal of Crystal Growth. 1988. - V. 86. - P. 849 - 858.

36. Разуваев Г.А., Грибов Б.Г. Металлоорганические соединения в микроэлектронике. М.: Наука. 1972. - 479 с.

37. Mitra P., Case F.C., Reine М.В. Progress in MOVPE of HgCdTe for advance infrared detectors // Journal of Electronic Materials. 1998. - V. 27, №6. -P. 510-520:

38. Ghandhi S.K., Parat K.K., Ehsani H., Bhat I.B. Hig quality planar HgCdTe photodiodes fabricated by the organometallic epitaxy (Direct Alloy Growth Process) // Appl. Phys. Lett. 1991. - V. 58, № 8. - P. 828 - 830.

39. Chandra D., Schaake H.F., Kinch M.A. Low-Temperature Anneling of (Hg,Cd)Te // Journal of Electronic Materials. 2003. - V. 32, № 7. - P. 810 -815.

40. Speck J.S. Development of MultiColor Infrared Detectors // Final Report 199899 for MICRO Project. P. 98 - 147.

41. Zhou Y.D., Becker C.R., Selamet Y., Chang Y., Ashokan R., Boreiko R.T., Aoki Т., Smith D. J., Betz A.L., Sivananthan S. Far-Infrared Detector Based on HgTe/HgCdTe Superlattices // Journal of Electronic Materials. 2003. - V. 32, № 7.-P. 632-646.

42. Сидоров Ю.Г., Дворецкий C.A., Варавин B.C. Михайлов H.H. Якушев М.В., Сабинина И.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворовкадмий-ртуть-теллур на альтернативных подложках // ФТП. 2001. - Т. 35, -В. 9.-G. 1092-1101.

43. Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин B.C., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe // ФТП. 2004. - Т. 38, В. 10.-С. 1207-1210.

44. Варавин B.C., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. Донорные дефекты в эпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. 2001. - №3. - С. 17-28.

45. Холоднов В.А., Другова А.А. Слабоваризонные приповерхностные слои как эффективное средство защиты от поверхностной рекомбинации фотоносителей в пороговых инфракрасных CdHgTe фоторезисторах // Письма в ЖТФ. 2000. - Т. 26, - В. 5. - С. 49 - 56.

46. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. - 264 с.

47. Pawlikowski J.M. Electrical and photoelectrical properties of graded-gap epitaxial CdxHg!xTe layers // Thin solid Films. 1977. - V. 44. - P. 241-276.

48. Meingalis J., Ryan J.L., Harman T.C. Electron radiation damage and annealing of Hg Cd Те at low temperature // J.Appl.Phys. 1978. - V. 44. № 6. - P. 26472651.

49. Leadon R.E. Mallon C.E. Model for defects in HgixCdxTe due to electron irradiation // Infrared Phys. 1975. - V. 15. - P. 229 - 335.

50. Заитов Ф.А., Бовина JI.А., Мухина Д.В., Поляков А.Я., Стафеев В.И. Влияние электронного и гамма-облучения на электрофизические свойства твердых растворов CdHgTe // Материалы IV Всесоюзного симпозиума. -Львов, 1975. Ч. V. - С.43-45.

51. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лиленко Ю.В., Петров А.С. Скорости введения дефектов в HgixCdxTe при электронном облучении // Материалы Всесоюзного семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников". -1987.-С. 57-59.

52. Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П. Электрон-позитронная аннигиляция в узкозонных полупроводниках Hgi.xCdxTe // Изв. вузов. Физика.- 1995.-№ 10.-С. 3-21.

53. Войцеховский А.В., Волошин В.О., Гольман М.Б., Коханенко А.П. Низкотемпературное облучение кристаллов Hgi.xCdxTe гамма-квантами // Материалы Всесоюзного семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников". 1987. - С. 95 - 97.

54. Foyt A.G., Harman T.C., Donnely J.P. Proton irradiation of CdHgTe allays // Appl. Phys. Lett. 1971. - №18. -P. 321 - 322.

55. Margalit S., Nemirovsky Y., Rotstein 1. Electrical properties ion-implanted layers in HgCdTe // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50, № 10. - P. 6386 - 6389.

56. Kolodny A., Kidron.J. Properties of ion-implanted junction in mercury-cadmium-telluride // IEEB Trans. Electron. Devices. 1980. - V. ED-27, № I. -P. 37-43.

57. Водопьянов JI.К., Козырев С.П. Анализ электрических и оптических свойств имплантированного магнием HgCdTe (х = 0,20) из спектров ИК отражения // ФТП. 1982. - Т. 16, № 4. - С.680 - 686.

58. Водопьянов Л.К., Козырев С.П., Спицын А.В. Ионная имплантаиия примесей в п-HgCdTe. 1. Ионы второй группы Mg+, Zn+, Cd+ // ФТП.1982. Т. 16, № 5. - С.782 - 788.

59. Водопьянов Л.К., Козырев С.П., Спицын А.В. Ионная имплантация примесей в n-HgCdTe. II. Ионы П группы Al+, Ga+ // ФТП. 1982. - Т. 16, № 6. - С. 972 - 977.

60. Vodopyanov L.K., Kozyrev S.P. Infrared reflection spectroscopy of ion-implanted n-HgCdTe // Phys. Stat. Sol. 1982 - V. 72, № 2. - P. 734 - 744.

61. Vodopyanov L;K., Kozyrev S.P. Ion implantation of B+ in HgCdTe // Phys. Stat. Sol. 1982. - V. 72, № 2. - P. K133 - K136.

62. Козырев С.П., Водопьянов Л.К. Образование радиационных дефектов в HgCdTe при ионной имплантации. I. Имплантация ионов Аг+ // ФТП.1983. Т. 17, № 5. - С. 893-899.

63. Козырев С.П., Водопьянов Л.К. Образование радиационных дефектов в HgCdTe при ионной имплантапии. П. Имплантация ионов П и Ш группы // ФТП. 1983. - Т. 17, № 5. - С.900 - 903.

64. Leveque P., Declemy A., Renault P.O. Influence of extended structural defects on the effective carrier concentration of p-type Hgo.78Gdo.22Te implanted with aluminium ions // Nucl. Instr. and Meth. B. 2000. - №. 168.- P. 40 - 46.

65. Desstefanis G.L. Ion implantation in HgCdTe // Nucl. Instr. Meth. 1983. -V.209. - P.567 - 580.

66. Schaake H.F. Ion implantation damage in Hgo.8Cdo.2Te. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. V. 4, №4. - P. 2174 - 2176.

67. Bubulac L.O. Behavion of implantation induied defects in KPT // J. Vac. Sci. Tech. 1982. - V.21, № 1. - P. 251 - 254.

68. Destefanis G.L. Electrical Doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment // J. Cryst. Growth. 1988. - V.86. - P. 700 - 722.

69. Uzan-Sague C.,Kalish R. Build up II Damage in HgCdTe for varions x vauues // J. Vac. Sci. Tech. 1989. - V. A7, № 4. - P. 2575 - 2579.

70. Aguirre M.H., Сапера H.R. Ar-implanted epitaxially grown HgCdTe: evaluation of structural damage by RBS and ТЕМ // Nucl. Instr. and Meth. B. -2001.-V. 175.-P. 274-279.

71. Kalish R., Richter V. Evolution of point to extended defects in low-temperature implanted Hgo.76Cdo.24Te // J. App. Phys. 1990. - V. 67, № 10. - P. 6578 -6580.

72. Войцеховский A.B., Петров A.C., Кулинаускас B.C., Лиленко Ю.В., Коханенко А.П., Кирюшкин Е.М., Шастов Н.В. Радиационные дефекты в кристаллах Hgi.xCdxTe, имплантированных ионами Аг+ // Изв. вузов. Физика. 1988. - Т. 31, № 12. - С. 83-90.

73. Voitsekhovskii A.V., Lilenko Yu.V., Shastov K.V., Petrov A.S., Kulikayskas V.S., Kuznetsov N.V., Mamontov A.P. Radiation-Induced Defects in Implanted Hgl-xCdxTe Crystals // Physica Status Solidi(a). 1989. - V. 13, № 1, P. 285 -294.

74. Войцеховский A.B., Коротаев A.F., Коханенко А.П. Распределение профилей радиационных дефектов в КРТ после ионной имплантации // Прикладная физика. 2000. - № 6. - С.38 - 44.

75. Kumar R, Dutt М.В., Nath R., Chander R., Gupta S.C. Boron ion implantation in p-type Hgo.8Cdo.2Te // J. Appl. Phys. 1990. - V. 68, № 11. - P. 5564 - 5566.

76. Као Т.-М., Sigmon T.W., Bubulac L.O. Use of native oxide and multiple step anneals to active boron implanted HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol.- 1987. V. A5, №5.-P. 3175 -3179.

77. Талипов H.X., Качурин Г.А., Попов В.П. Особенности распределения донорных центров в имплантированном бором p-CdxHgi.xTe принакоплении радиационных дефектов // Тезисы докладов III Всесоюзн.

78. Конференции "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники". Новосибирск. - 1991. - С.31.

79. Талипов Н.Х., Качурин Г.А. Термический отжиг имплантированного бором p-CdxHgi.xTe. // Тезисы докладов III Всесоюзн. Конференции "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники". Новосибирск. - 1991. - С.86.

80. Овсюк В.Н., Талипов Н.Х., Особенности распределения донорных центров в кристаллах CdxHgi.xTe р-типа при низкотемпературной ионной имплантации // Прикладная Физика. 2003. - №5. - С.87 - 92.

81. Войцеховский А.В., Коханенко А.П. Профили распределения дефектов в КРТ при внедрении ионов // Изв. вузов. Физика. 1998 - № 1. - С. 101116.

82. Войцеховский А.В., Кирюшкин Е.М., Коротаев А.Г. Влияние радиационных дефектов вакансионного типа на результирующий профиль п(х) при облучении ионами HgCdTe // Матер. II Всесоюзного семинара "mil

83. Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках". Павлодар, 1989. -Ч. II. - С. 102-106.

84. Войцеховский А.В., Шульга С.А., Коханенко А.П., Смит Р. Моделирование взаимодействия мощных импульсных пучков ионов сполупроводниковой мишенью Кадмий-Ртуть-Теллур // Изв. вузов. Физика. -2003. -№ 8. -С. 42-50.

85. Брудный B.H., Гриняев C.H. Закрепление химического потенциала и электрические свойства облученных сплавов CdxHgi.xTe // ФТП. 2001. -Т. 35, В. 7.-С. 819-822.

86. Williams B.L., Robinson H.G., Helms C.R. Ion dependent interstitial generation of implanted mercury cadmium telluride // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 71, №5.-P. 692-694.

87. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств Hg!xCdxTe низкоэнергетическими ионами // ФТП. 2004. - Т.37, В. 10. — С: 11531178.

88. Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизм конверсии типа проводимости при бомбардировке кристаллов р- HgixCdxTe ионами малых энергий // Изв.вузов. Физика. 2000.- № 8. - С. 16 - 25.

89. Мынбаев К.Д., Баженов H.JL, В.А. Смирнов, Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств CdxHgixTe и ZnxCdyHgix.yTe обработкой низкоэнергетическими ионами // Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28, В. 22. -С. 64 - 69.

90. Мищенко A.M., Талипов Н.Х., Шашкин В.В. Способ модификации поверхностного слоя теллурида кадмия ртути // Пат. 2035801 РФ, С1, 6H01L21/265. 1995.

91. Мищенко A.M., Талипов Н.Х., Шашкин В.В. Способ создания на образцах CdHgTe р-типа структур с глубококомпенсированным слоем // Пат. 2023326 РФ, CI, 5H01L21/425. 1994.

92. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л: Наука. -1972.-384 с.

93. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. JT. Наука.- 1978.-208 с.

94. Монастырский JT.C., Соколовский Б.С. Диффузия заряженных примесей в варизонных полупроводниках // ФПГ. 1992. - Т. 26, В.12. - С. 2143 - 2145.

95. Vlasov А.Р., Sokolovskii B.S., Monastyrskii L.S., Bonchyk O.Yu., Barcz F. The effect of built-in electric field on As diffusion in HgCdTe graded-band-gap epitaxial layers // Thin Solid Films. 2004. - V. 459. - P. 28 - 31.

96. Варавин B.C., Кравченко А.Ф., Сидоров Ю.Г. Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n CdxHgi.xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. - 2001. - Т. 35, В.9. - С. 1036 —1040.

97. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. М.: Атомиздат, 1967.-401 с.

98. Дзюбенко Ф.А., Мухин В.Н., Котов А.Г. Колесников JI.B, Никонов С.Г. Образование новой фазы на поверхности монокристаллов перхлората цезия при облучении // ЖФХ. 1984, №5. - С. 1122 - 1126.

99. Kagadei V.A., Nefyodtsev E.V., Proskurovsky D.I. Investigation of the Penetration of Atomic Hydrogen from the Gas Phase into Si02/GaAs // J. Vac. Sci. Technolog. A.-2001.-V. 19, №4.-P. 1871-1877.

100. Соловьев Ю.А., Бюллер A.B., Зыков B.M. Электризация диэлектрических материалов под действием электронов космического пространства // Изв. вузов. Физика. 2000. - № 5. - с. 32 - 36.

101. Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П. Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Изв. вузов. Физика. 2004. - № 7. - С. 70 - 71.

102. Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин B.C., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe // ФТП. 2004. - Т. 38, В. 10. -С. 1207-1210.

103. Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик А.Я. Варизонные полупроводники и гетероструктуры. Спб.: Наука. - 2000. - 100 с.

104. Hansen G.L., Schmit J.L. Calculation of intrinsic carrier concentration in Hgx.iCdxTe //J.Appl. Phys. 1983. - V.54. - P. 1639 - 1640.

105. Hansen G.L., Schmit J.L. Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in HgxiCdxTe // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53. - P. 7099 -7101.

106. Nishizawa J., Suto K., Kitamuro M., Sato M., Takase Y., Ito A. Electrons and holes in HgTe and HgCdTe with controlled deviations from stoichiometry // J. Phys. Chem. Solids. 1976. - V.37. - P. 33 - 42.

107. Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование электрофизических свойств CdxHgbxTe // ФТП. 2004. - Т. 38. - № 7.1. C. 784-790.

108. Dubowski J.J., Dietl Т., Szymanska W. Galazka R.R. Electron scattering in CdxHgi.xTe // J. Phys. Chem. Solid. 1981. - V. 42. - P. 351 - 362.

109. Hoschl P., Moravec P., Prosser V., Szocs V., Grill R. Galvanomagnetic properties of p- Hg^CdJe // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. - V. 145. - P. 637 -648.

110. Бонч-Бруевич В.Jl., Калашников С.Г. Физика полупроводников -М.: Наука. 1977. -672 с.

111. Wienecke М., Schenk М., Berger Н. Native point defects in Te-rich p-type Hgi.xCdxTe // Semicond. Sci. Technol. 1993. - V. 8. - P. 299 - 302.

112. Dennis P. N. J., Elliot C.T., Jones C.L. A metod for routine characterization of the hole concentration in p-type cadmium mercury telluride // Infrared Phys. 1982. - V. 22. - P. 167 - 169.

113. Pickel J.C. Radiation Effects on Photonic Imagers A historical perspective // IEEE Trans. On Nuclear Science. - 2003. - V. 50, № 3. - P. 671 - 688.

114. Suffis S., Caes M., Tauvy M., Planchat C., Azais В., Charre P., Vie M. Effects of у radiation on IR photodetectors HgCdTe IRCMOS // Infrared Physics & Technology. 2003. - V. 44. - P. 165 - 175.

115. Korotaev A.G., Grigor'ev D.V., Kohanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Datsko

116. Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Korotaev A.G., Grigor'ev D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G., Mikhailov N.N. Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures // Proc. SPIE, 5136. 2003. -P. 411-415.

117. Григорьев Д.В. Радиационная модификация параметров эпитаксиального материала КРТ // Сборник статей молодых ученых "Современные проблемы физики и технологии". Томск. - 2001. - С. 77 - 79.

118. Рыбкин С.М. Рекомбинация в полупроводниках // Полупроводники в науке и технике. 1958. - Т. 2. - С. 463 -515.

119. Jevtic М.М., Scepanovic M.J. Melting and Solidification in Laser Irradiated HgCdTe. A Numerical Analysis // J. Appl. Phys. - 1991. - V. 53. - P. 332 -338.

120. Дине Д., Винйард Д. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: Издательство иностранной литературы. - 1960. - 243 с.

121. Калиткин Н.Н. Численные методы. М.: Наука. - 1978. - 512 с.

122. Блейхер Г.А., Кривобоков В.П., Пащенко О.В. Тепломассоперенос в твердом теле под действием мощных импульсных пучков заряженных частиц. Новосибирск: Наука. - 1999.- 176 с.

123. Федоров Н.Д. Краткий справочник инженера-физика. Ядерная физика. Атомная физика. М: Атомиздат. - 1961. - 507 с.

124. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках. Спб.: Наука. -1999.-389 с.

125. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат. - 1985. -392 с.

126. Горшков А.В., Заитов Ф.А., Асатурова И.С. Закалка точечных дефектов в Cdo.2Hgo.8Te // Материалы Всесоюзного семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников". 1987. - с. 38 - 42.

127. Григорьев Д.В., Леонтьев Д.В. Профили распределения дефектов в КРТ при ионной имплантации // Сборник статей молодых ученых "Современные проблемы физики и технологии". Томск, 2002. - С. 56 - 58.

128. Григорьев Д.В., Леонтьев Д.В. Профили распределения дефектов в КРТ при имплантации ионов аргона и молекулярного азота // Сборник статей молодых ученых "Современные проблемы физики и технологии". Томск, 2003. - С. 71 - 74.

129. Григорьев Д.В. Особенности имплантации ионов аргона и молекулярного азота в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ // Сборник статей молодых ученых "Современные проблемы физики и технологии". Томск, 2004. С. 81 - 83.

130. Wilson R.G. (111) Random and (110) Channeling Implantation Profiles and Range Parameters in HgCdTe // J. Appl. Phys. 1988. -V. 63. - p. 5302 - 5311.

131. Mainzer N., Zolotoyabko E. Percolation problem in boron implanted mercury cadmium telluride // J. Electronic Materials. - 2000. - V. 29, № 6. - P. 792 -797.

132. Caillot M. Defect creation rates in CdTe irradiated by electrons // Nuclear Instruments and methods. 1978. - V.150. - P. 39 - 42.

133. Лиленко Ю.В., Куликаускас, Шастов К.В. Свойства имплантированных слоев Hgi.xCdxTe // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - №7. -С. 142-144.

134. Барышев Н.С. Свойства и применение узкозонных полупроводников. -Казань: УНИПРЕСС. 2000. - 434 с.

135. Войцеховский А.В. Энергетические модели радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках // Матер. II Всесоюзного семинара "Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках". Павлодар, 1989. - Ч. II. - С. 111 -119.

136. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica В Cond. Matter. 1995. -V. 212.-P. 429-436.

137. Геращенко О.А., Федоров В.Г. Тепловые и температурные измерения. Справочное руководство. Киев: Наукова думка. 1965. - 305 с.

138. Елизаров А.И., Иванов-Омский В.Щ Корнияк А.А., Петряков В.А. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов CdHgTe при низких температурах // ФТП. 1984. - Т. 18, В. 2. - С.201 - 205.