Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Неустроев, Ефим Петрович

• Неустроев, Ефим Петрович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Неустроев, Ефим Петрович

Введение.

Глава 1. Перестройка примесно-дефектной структуры кристаллов кремния при ионной имплантации и воздействии гидростатического давления. литературный обзор).

§1.1 Дефектообразование в кристаллическом кремнии при ионном облучении.

§1.2 Особенности процесса дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий

§ 1.3 Электрофизические свойства кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода. п. 1.3.1 Основные свойства примеси водорода в кристаллах кремния. п. 1.3.2 Электрофизические свойства кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода

§1.4 Свойства кремния, имплантированного ионами инертных газов.

§1.5 Основные свойства кристаллического кремния, облученного ионами кислорода. п. 1.5.1 Влияние примесей кислорода на свойства кремния. п. 1.5.2 Свойства кристаллов кремния, облученных ионами кислорода

§.1.6 Свойства кремния, имплантированного ионами азота.

§.1.7 Свойства кристаллов кремния при воздействии гидростатического давления.

§.1.8 Выводы и постановка задачи.

Глава 2 Методика эксперимента и обработка результатов.

§2.1 Измерения концентрации носителей заряда методом вольт-фарадных характеристик.

§ 2.2 Определение концентрации и подвижности свободных носителей заряда методом эффекта Холла.

§2.3 Измерение параметров глубоких уровней.

§2.4 Измерение методами вторичной ионной масс-спектроскопии и обратного рассеяния Резерфорда.

§.2.5 Подготовка образцов, облучения и термообработки.

Глава 3 Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном ионами средних (Н2+, Не+ и 0+) и высоких энергий (Кг+, ]\Г) энергий после отжига в интервале температур

350-500°С.

§3.1 Ускоренное формирование донорных центров за областью проективных пробегов ионов в кремнии, имплантированном

Не+ и Н+.

§3.2 Влияние гидростатического давления на формирование донорных центров в кремнии, облученном ионами Н2+ и Не.

§3.2 Образование донорных центров в кремнии, облученном ионами кислорода. •

§3.3 Формирование донорных центров в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами Кг+ и N+.

§3.4 Выводы к главе 3.

Глава 4. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами Кг+, Хе+ и N+(l-3.5 МэВ/а.е.м.), при последующих отжигах в интервале температур 500-1050°С.

§4.1 Термоакцепторы в облученном кремнии.

§4.2 Образование донорных центров в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами N+ и Кг+ после термообработки в интервале температур 600-1050°С.

§4.3 Влияние ионного облучения и отжига на формирование и распределение электрически активных центров в р-п-переходах и

КНИ-структурах. п.4.4.1 Влияние высокоэнергетичной имплантации и высокотемпературного отжига на распределение электрически активных центров в мелких р-п-переходах. п.4.4.2 Влияние отжига на концентрацию носителей заряда в

КНИ-структурах, изготовленных методом «Smart-Cut».

§4.4 Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.»

Ионная имплантация кристаллов кремния (Si) занимает все более широкую область применения в технологическом цикле производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Наряду с традиционными применениями, в которых ионная имплантация преимущественно использовалась при создании легирующих слоев с заданными свойствами, в последнее время все интенсивнее развиваются новые направления, такие как создание захороненных изолирующих и геттерирующих слоев, структур кремний на изоляторе (КНИ) [1-3].

Одним из основных результатов облучения ионами газов Si является образование газовых пузырей (блистеринг) в области проективных пробегов ионов при последующих термообработках, либо при облучении большими дозами - сразу после имплантации [1,2]. Блистеринг наблюдается начиная с определенной дозы облучения и может приводить к отслаиванию верхних слоев кремния. Этот эффект используется при создании КНИ-структур методом «Smart-Cut», являющимся одним из перспективных способов формирования таких структур. В этом методе одним из существенных моментов является имплантация ионов водорода или гелия [1,4,5]. Исследования свойств водорода в Si показали, что водород является чрезвычайно активной примесью, который вступает во взаимодействие практически со всеми примесями и структурными дефектами [4,6]. Несомненно, что такая активность водорода в сочетании с высокой миграционной способностью оказывает влияние на очень многие свойства Si, в частности, на электрофизические параметры, которые имеют первостепенное значение при изготовлении полупроводниковых структур и приборов. При этом с точки зрения технологии изготовления КНИ-структур, наибольший интерес представляет изучение влияния термообработки при температурах 400-500°С на свойства Si, имплантированного водородом. С другой стороны известно, что при этих температурах в тигельном кремнии эффективно вводятся кислородные доноры (термодоноры), количество которых при длительных отжигах может даже превышать концентрацию легирующей примеси [7]. Вместе с тем, присутствие атомов водорода в решетке Si может значительно увеличить скорость введения термодоноров [6,7]. В связи с этим становится актуальным изучение влияния облучения ионами водорода и последующих отжигов при температурах формирования термодоноров на процесс трансформации электрически активных центров в кристаллах 81.

Несколько иное влияние на свойства кристаллов оказывают атомы гелия, присутствие которых не оказывает столь заметного воздействия на электрофизические параметры, как в случае внедрения атомов водорода. Такое различие может быть обусловлено как различием химической активности данных элементов, так и более эффективным геттерированием на порах, наполненных гелием, различных примесей и собственных точечных дефектов [8,9]. Таким образом, наибольшие изменения свойства кристаллов после облучения ионами гелия будут происходить только в приповерхностных слоях 81.

Близость поверхности, являющейся мощным стоком радиационных дефектов, и области проективных пробегов ионов оказывает существенное влияние на процесс образования примесно-дефектных комплексов и на свойства кристаллов 81, подвергнутых ионной имплантации. Ситуация резко меняется в случае облучения ионами высоких энергий (Е>1 МэВ/а.е.м.), при котором удается пространственно разделить поверхность от области залегания внедренных ионов и дефектов. Вместе с тем, при использовании высокоэнергетичной ионной имплантации (ВИИ) следует учитывать различие в процессах дефектообразования в 81 в сравнении с имплантацией ионов средних энергий, например, такие как пространственное разделение дефектов вакансионного и междоузельного типов, трекообразование и диффузия примесей и дефектов по ним, протекание ядерных реакций [3,10]. С практической точки зрения, исследование имплантации кристаллов 81 высокоэнергетичными ионами газов привлекает к себе интерес как средство создания захороненных геттерирующих слоев и перспективный способ контролирования времени жизни неосновных носителей заряда в высоковольтных приборах [3,11,12]. Неудивительно поэтому, что воздействие ВИИ на свойства кристаллов 81 в последние годы является предметом интенсивного изучения и при этом достигнуты значительные результаты в этой области. Однако и в настоящее время многие детали, касающиеся влияния ВИИ и последующих отжигов на трансформацию электрически активных центров в кристаллах кремния, остаются неясными. Таким образом, изучение электрофизических свойств кристаллов кремния, подвергнутых ВИИ и последующему отжигу, представляет несомненный интерес как для физики реальных кристаллов, так и с практической точки зрения.

Кроме того, в данной работе в качестве дополнительного способа воздействия на дефектную структуру кристаллов 81 использовались отжиги в условиях высокого гидростатического давления, которое позволяет изменить количественное соотношение между компонентами пар Френкеля в пользу вакансий [13]. Таким образом, термообработка кристаллов 81 в условиях всестороннего сжатия предоставляет возможность уточнить микроскопическую картину происходящих процессов и способствует их более полному пониманию. Цель работы заключалась:

1. в выяснении условий и причин ускоренного введения при температуре 450°С термодоноров в кристаллах кремния, имплантированных ионами газов.

2. в определении условий формирования и природы электрически активных центров в кремнии, подвергнутом имплантации ионов высоких энергий, при отжигах до 1000°С.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Неустроев, Ефим Петрович

Основные результаты и выводы;

1. Обнаружено ускоряющее влияние длиннопробежной диффузии собственных точечных дефектов в 81, имплантированном ионами средних энергий (Н+, Н2+ и 0+), на введение термодоноров в интервале температур Т=380-520°С. Исключение составляет имплантация ионов Не+, которая вводит дефекты, препятствующие выходу собственных точечных дефектов за область Яр.

2. Показано, что вакансии или простые вакансионные дефекты являются центрами зарождения термодоноров. При этом введение в кристалл вакансионных дефектов существенно увеличивает скорость образования термодоноров в 81. Данный вывод основан на:

1. корреляции распределения по глубине ускоренно формирующихся термодоноров в 81, имплантированном ионами высоких энергий (1Ч+ и Кг+), с распределением вакансионных дефектов;

2. росте (на порядок) концентрации термодоноров при отжигах в условиях высокого гидростатического давления (1.2 ГПа) в сравнении с термообработками на воздухе;

3. зависимости количества вводимых термо доноров от интенсивности потока вакансий и междоузлий при термообработках в различных средах.

3. Получено, что отжиг кристаллов 81, облученных ионами высоких энергий (1М+ и Кг+), и КНИ структур, изготовленных с использованием облучения ионами водорода, в интервале температур 500-700°С приводит к введению мелких акцепторных центров. Тогда как, аналогичный отжиг 81, имплантированного ионами средних энергий, не сопровождается введением электрически активных центров. Высказано предположение, что введение акцепторных центров происходит в результате трансформации и активации крупных вакансионных дефектов.

4. Обнаружено, что в районе проективных пробегов ионов высоких энергий (Ы+, Хе+ и Кг+) формируется слой с высокой концентрацией доноров ~(2-3)х1017см"3 при термообработках кремния в диапазоне температур от 650°С до 1050°С. Формирование данного слоя объясняется увеличением скорости введения «новых» термодоноров в области с высокой концентрацией структурных дефектов междоузельного типа (дислокационных петель, стержнеобразных дефектов). В 81, имплантированном ионами средних энергий, имеет место лишь слабое возрастание концентрации донорных центров (-20%) в данном интервале температур.

5. Показано, что имплантация ионов (Хе+ или Кг+) высоких энергий дозами 6.1011-1.1012см"2 в 81, существенно уменьшает концентрации примесей В1 и 8Ъ (до 40-48%) в мелких р-п-переходах, сформированных при отжигах ~1050°С. Вместе с тем, наблюдается увеличение количества данных примесей в окисной пленке на поверхности кристалла. Полученные результаты объяснены ускорением диффузии указанных примесей вакансионными дефектами, введенных при имплантации.

Заключение

Представленная работа выполнялась в лаборатории №10 «Физического материаловедения кремния» ИФП СО РАН под руководством к.ф.-м.н. Антоновой В.И. и к.ф.-м.н. Смагуловой С.А. Антонова В.И., являющаяся основным соавтором работ, осуществляла руководство на всех этапах ее выполнения: при выборе тематики, постановке задачи, поиске путей решения, анализе полученных данных и оформлении публикаций, за что автор ей глубоко признателен. Смагулова С.А. принимала активное участие при выборе тематики работы и постановке задач. Также автор ей благодарен за идейный вклад и материальную помощь при работе над диссертацией. Особую благодарность автор выражает зав. лаб. к.ф.-м.н. Попову В.П. за помощь при проведении работ, за постоянный интерес к работе и полезные дискуссии. Автор приносит искреннюю благодарность Стасю В.Ф. за непосредственное участие в работе над диссертацией на различных этапах ее выполнения и за помощь в интерпретации экспериментальных результатов. Автор выражает глубокую признательность Наумовой О. В. за полезные дискуссии в ходе работы и помощь в оформлении диссертации, Антоненко А.Х., Дидык А.Ю. и Скуратову В.А. за облучение образцов, Ободникову В.И., Мисюк А за помощь при измерениях методом SIMS и проведение отжигов в условиях гидростатического давления, интерпретацию результатов и оформление печатных работ, Киланова Д.В. за помощь при проведении измерений, Мироновой JI.B., Романовой М.А. за помощь при проведении химических обработок образцов, Сумченко H.A. за техническую помощь при оформлении экспериментальных результатов, публикаций, диссертации, а также декану ФФ ЯГУ Романову Г.Н. за финансовую поддержку.

Автор благодарит весь коллектив лаборатории №10 ИФП СО РАН за творческую атмосферу, полезные рабочие дискуссии и консультации

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Неустроев, Ефим Петрович, 2000 год

1. Zxang М., Li С., Hemment P. L. F., Gutjahr K., Gosele U. Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates. //Appl. Phys. Lett., 1998, v.72, n.7, p.830-832.

2. Bruel M, Aspar В., Aberton-Herve A.-J. Smart-Cut: A new Silicon-On-Insulator Material Technology Based on Hydrogen Implantation and Wafer Bonded.// Jap. J. Appl. Phys. Pt.l, 1997, n.3B, p. 1636-1641.

3. Вариченко В. С., Дидык А. Ю., Мартинович В. А., А. М. Зайцев, Ленина Н. М., Ерчак Д. П. Дефектообразование в кремнии имплантированном ионами никеля с энергией 6 МэВ.//Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1996, Р14-96-230.

4. Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем.// Известия ВУЗов: Электроника, 1998, в.5, с.22.

5. Bruel М. The History, Physics, and Applications of the Smart-Cut Process.// MRS Bulletin, 1998, n. 12, p.35-39.

6. Pearton S.J., Corbett J.W.,Shi T.S. Hydrogen in Crystalline Semiconductors. //Appl.Phys. A, 1987, n.43, p. 153-195.

7. Бабич В. M., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния./ Клев: Интерпресс ЛТД, 1997, 240с.

8. Raineri V., Campisano S. U. Secondary defect dissolution by voids in silicon.// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, n.12, p. 1783-1785.

9. Corni F., Tonini R., Frabboni S., Nobili C., Calzolari G., Masetti S., Tamarozzi P., Pavia G., Gerofolini G. F. Vacancy-Gettering in Silicon: Cavities and Helium-Implantation.//Solid State Phenomena, 1999, v.67-68, p.229-234.

10. Ю.Бугров H. H., Карамян С. А. Повреждение и восстановление монокристаллов Si при воздействии быстрых тяжелых ионов.// Изв. АН. Сер. Физика, 1990, т.54, в.5, с. 883-890.

11. Bhave P. S., Bhoraskar V. N. Irradiation effects of high energy ions on the switching charachteristics of p-n-junction diodes.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1997, v. 127/128, p.383-387.

12. Park H., Jones K. S, Slinkman J. A.,. Law M. E. Effects of Hydrostatic pressure on dopant diffusion in silicon.// J. Appl. Phys., 1995, v.78, n.6, p.3664-3670.

13. Вопросы в радиационной технологии полупроводников./ под ред. Л. С. Смирнова, Новосибирск: Наука, 1980, 294с.

14. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев В. С., Ширяев С. Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии/Минск: Университетское, 1990, 318 с.

15. Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников./Киев: Наукова думка, 1979, 332с.

16. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф. Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределния ионно-имплантипрованных примесей.//Минск: БГУ, 1980, 352с.

17. Дине Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах./М.: Иностранная литература, 1960, 244с.

18. Технология СБИС./ Под. ред. Зи. С. М.:Мир, 1986, т. 1, 405с.

19. Шипатов Э.Т. Имплантауия ионов в полупроводникию/ Ульяновск: УлГУ, 1998, -199с.

20. Privitera V., Coffa S., Priolo F., Larsen К. K., Libertino S., Camera A. Room temperature migration of ion beam injected point defects in crystalline silicon// Nucl.Instrum.and Methods, B, 1996, v. 120, p. 9-13.

21. Емцев В. В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках./М.: Радио и связь, 1981, 248с.

22. М. Bruel. Application of Hydrogen ion beams to Silicon On Insulator material technology.//Nucl.Instrum.and Methods, B, 1996, v. 108, p. 313-319.

23. Зайцев A. M. Высокоэнергетичная ионная имплантация в полупроводники.// Поверхность, 1991, в.5, с. 15-26.

24. Agarwal A., Christinsen К., Venables D., Maher D. М., and Rozgonyi G. A. Oxygen gettering and precipitation at MeV Si+ ion implantation induced damage in silicon.// Appl. Phys. Lett. 1996,v. 69, p.3899-3901.

25. Двуреченский А. В., Каранович А. А., Гретцшель P., Херрман Ф., Кеглер P., Рыбин А. В. Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N5+ и Si5+.// ФТТ, 1998, т. 40, в.2, с.217-222.

26. Brown R. A., Kononchuk О., Rozgonyi G. A., Koveshnikov S., Knights А.Р., and Simpson P. J. Impurity gettering to secondary defects created by MeV ion implantation in silicon.// J. Appl. Phys. 1998, v.84, n.5, p.2459-2465.

27. Koglar R., Yankov R. A., Kaschny J. R, Posselt M., Danilin А. В., Skorupa W. Spatial distribution of defects in ion implanted and annealed Si: The Rp/2 effect.// Nucl.Instrum.and Methods B, 1998, v. 142, p.493-502.

28. Kononchuk O., Brown R. A., Koveshnikov S., Beaman K., Gonzales F., Rozgonyi G. A. Metallic Impurity Gettering in MeV ion implanted Si.// Solid State Commun. 1997, v.57-58, p.69-74.

29. Вариченко В. С., Гайдук П. И., Дидык А. Ю., Казючиц Н. М. Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге.// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1995, 314-95-73.

30. Cho N.-H., Jang K.-W., Lee L.-Y., Ro J.-S. MeV Ion Induced Damages and Their Annealing Behavior// Silicon. Mat. Res. Soc. Sump. Proc. 1996, v.396, p.781-786.

31. Ackermann J., Angert N., Newmann R., Trautmaim J., Disechner M. Ion track in mica studied with csanning force microscopy.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1996, v. 107, p.181-184.

32. Szenes G. Formation latent tracks in mica.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1996, v. 107, p. 146-149.

33. S. Furuno, H. Otsu, K. Hojou, K. Izui. Tracs of high energy heavy ions in solids.// Nucl. Instrum.and Methods B, 1996, v. 107, p.223-226.

34. Реутов В. Ф., Сохацкий А. С. Экспрессный метод ПЭМ-изучения струкурных изменений в полупроводниках вдоль пути движения заряженных частиц.// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1997, Р14-97-199.

35. Челядинский А.П., Вариченко В. С., Зайцев А. М. Пространственное распределение накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона.// ФТТ, 1998, т.40, в. 9, с.627-1630.

36. Dunlop A., Kaskieowicz G., Della-Negra S. Latent track formation by 30 MeV fiillerenes.// Nucl.Instrum. and Methods B, 1998, v. 146, p. 302-308.

37. Canut В., Bonardi N., Ramos S.M.M., Delia-Negro S. Latent track formation in silicon single crystals irradiated by fiillerenes in the electronic regime.// Nucl.Instrum. and Methods. B, 1998, v. 146, p. 296-301.

38. Chavan S.T., Bhave P.S., Bhoraskar V. N., Kanjilal D. Damage induced by silicon ions in crystalline silicon.//! Appl. Phys. 1995, 78, v.4, p.2328-2332.

39. Giri P.K., Dhar S., Kulkarni N. V., Moharatra F. N. Electrically active defects due to end-of-ion-range damage in silicon irradiated by MeV Ar+ ions.// Nucl.Instrum. and Methods B, 1996, v. 11, p. 285-289.

40. Desgardin P., Henry L., Ntsoenzok E., Blondiaux G., Barbot J. F., Blanchart C. The effect of particle fluence and flux in alpha-irradiated silicon.// Nucl. Instrum. and Methods. B, 1997, v. 127/128, p. 59-62.

41. Антонова И.В., Качурнн Г. А., Тысченко И. Е., Шаймеев С. С. Формирование электрически активных центров за областью проникновения ионов при высоктемпературной имплантации в кремний.// ФТП, т.30, в. 11, с.2017-2024.

42. Eaglesham D. J., Haynes Т.Е., Gossmann H.-J., Jacobson D. C., Stolk P. A., Poate J. M. Transient enhansed difusion of Sb and В due to MeV silicon implants.// Appl. Phys. Lett. 1997, v.70, n.24, p.3281-3283.

43. Дидык А. Ю., Вариченко В. С., Зайцев А. М. Радиационная стимулированная диффузия примесей в монокристаллах кремния и алмаза. //Сообщения ОИЯИ, Дубна, Р14-95-144.

44. Svensson В. G., Jagadish С., Hallen A., Lalita J. Generation of vacancy-type point defects in single colllision cascades during swift-ion bombardment of silicon.// Phys. Rev. В 1997, v.55, n.16, p. 10498-10507.

45. Antonova I.V., Dvurechenskii A.V., Karanovich A.A., Rybin A.V., Shaimeev S.S., Klose H. Removol of Electrically Active Defects in Silicon by 340 MeV Xe ion Bombardment.//Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 147, p. K1-K3.

46. Krunicki J., Toulemonde M., Muller J. C., Siffert P. Electronic properties of Defects Created by 1.6 GeV Argon ions in Silicon. //Materials Science and Engineering, 1989, R2, p. 105-110.

47. Zhang S. В., Chadi D. J. Microscopic structure of hydrogen-shallow-donor complexes in crystalline silicon.//Phys. Rev. B, 1990, v.41, n.6, p.3882-3888.

48. Bergmann К., Stavola M., Pearton S. J., Hayes T. Structure of acceptor-hydrogen and donor-hydrogen complexes in silicon from unaxial sterss studies.// Phys. Rev В., 1988, v.38, n.14, p.9643-9648.

49. Мукашев Б. Н., Тамендаров М. Ф., Токмолдин С. Ж. Состояния водорода и механизм пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии. //ФТП, 1992, т.26, в. 6, с. 1124-1134.

50. Herrero С.Р., Stutzmann М., Breitschwerdt A. Boron-hydrogen complexes in crystalline silicon.// Phys. Rev. B, 1991, v.43, n.2, p. 1555-1574

51. Jones R. Theory of hydrogen in semiconductors./ Phil. Trans. Roy. Soc. London A, 1995, v. 390, n.1693, p. 1-15.

52. Ohmura Y., Zohta Y., Kanazawa M. Electrical properties of n-type Si layers doped with proton bombardment induced shallow donors.// Solid State Commun. 1972, v. 11, p.263-266.

53. Markevich V. P., Suezawa M., Sumino K. J. Murin L. I. Radiation-induced shallow donors in Chochralski-grown silicon crystals saturated with hydrogen.//Appl. Phys. 1994, v.76, n.ll, p.7347-7349.

54. McQuaid S. A., Newmann R. C., Ligthowlers E. C. Hydrogen-related shallow thermal donors in Chochralski silicon.// Semicond. Sci. Technol., 1994, n.9, p. 1736-1739.

55. Маркевич В. П., Мурин Л. И. Особенности начальной кинетики накопления термодоноров в кристаллах Si<0>, насыщенных водородом. // ФТП, 1996, т.ЗО, в.2, с.265-273.

56. Stein Н. J. Hahn S. Depth Profiles for Hydrogen-Enhanced Thermal Donor Formation in Silicon: Spread Resistance Probe Measurements.// J. Electrochem. Soc. 1995, v. 142, n.4, p. 1242-1247.

57. Weber J., Bonhe D. I. Passivation of thermal donors by atomic hydrogen./in Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon. Kluwer Academic Publishers. Eds.by R. Jones. Netherlands, 1996, p. 123-140.

58. McQuaid S.A., Newman R.C., Tucker J.H., Lightowlers E.C., Kubiak R. A. A., Goulding M. Concentration of atomic hydrogen diffused into silicon in the temperature range 900-1300°C.// Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, n.25, p.2933-2935.

59. Funk D., Krauser J., Nagengast D., Almedia Murphy Т., Erxmeier J., Palmetshofer L., Brauning D., Weidinger A. Hydrogen implantation and diffusion in silicon and silicon dioxide.//Appl. Phys. A., 1995, n.61, p. 381-388.

60. Mogro-Campero A., Love R.P., Schubert R. Drastic changes in the electrical resistance of Gold-Doped silicon Produced bu Hydrogen plasma.// J. Electrochem. Soc., 1985, v.132, n.8, p. 2006-2009.

61. Leary P., Jones R., Oberg S. Interaction hydrogen with substitutional and interstitial carbon defects in silicon.// Phys. Rev. B, 1998, v.57, n.7, p.3887-3899.

62. Werner P., Gossmann H.-J., Jacobson D.C., Gosele U. Carbon diffusion in silicon.// Appl. Phys. Lett., v.73, n. 17, p. 2465-2467.

63. Наумова O.B., Смирнов Л. С., Стась В. Ф. Природа центров Ес-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si р-типа проводимости// ФТП, 1997, т.31, в.8, с. 993-997

64. Mukashev В. N., Tamendarov M. F., Tokmoldin S. Zh., Zdanov V. V. Hydrogen Implantation into Silicon.//Phys. Stat. Sol. (a) 1985, v.91, p.509-522 .

65. Tokuda Y., Ito A., Ohshima H. Study of shallow donor formation in hydrogen-implanted n-type silicon.// Semicond. Sci. Technol., 1998, n.13, p. 194-199.

66. Bruni M., Bisero D., Tonini R., Ottaviani G., Queirolo G., Bottini R. Electrical studies on H-implanted silicon.// Phys.Rev.B, 1994, v.49, n. 8, p. 5291-5299.

67. Palmetshofer L., Reisinger J.Defects level in H+, D+, and He+-bombarded silicon.// J. Appl. Phys., 1992, v.72, n.6, p.2167-2173.

68. Fatima S., Jagadish C., Lalita J., Svensson G., Hallen A. Hydrogen interaction with implantation induced point defects in p-type silicon.// J. Appl. Phys., 1999, v.85, n.5, p.2562-2567.

69. Afanas'ev V.V., Stessmans A. Positive charging of thermal Si02/Si Si interface by hydrogen annealing.// Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, n. 1, p. 79-81

70. L.-J. Huang, Q.-Y. Tong, T.-H. Lee, Y. L. Chao, U. Gosele. A model for blistering and splitting of hydrogen implanted and application to silicon-on-quartz./8-th Int. Symp. Silicon materials Science and Technol., San-Diego, 1998, in press.

71. Kinomura A., Williams J. S., Wong=Leung J., Petravic M. Gettering of platinum and silver to cavities formed by hydrogen implantation in silicon.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1997, v. 127/128, p.297-300.

72. Wong-Leung J., Williams., Nygren E. Diffusion and gettering of Au to cavities induced by H-implantation in Si.// Nuclear Instrum. and Methods В., 1997, v. 127/128, p.424-428.

73. Raineri V., Battaglia A., Rimini E. Gettering of Metals by He induced voids in silicon.// Nucl. Iinstrum. And Methods B, 1995, v.96, n.1-2, p.249-252.

74. Peterson G.A., Myers S.M., Follstaedt D. M. Gettering of transition metals by cavities formed by helium ion implantation.// Nucl. Instum. And Methods B, 1997, v. 127-128, p.301-306.

75. Myers S.M., Follstaedt D., Peterson G.A., Seayer C.H., Stein H.J., Wampler W.R Chemical and electrical properties of cavities in silicon and germanium.// Nucl. Instum. and Methods B, 1995, v. 106, n. 1-4, p.379-385.

76. Реутов В. Ф., Сохадкий А. С. Упорядочение гелиевых пор по направлению движения низкоэнергетичных ионов гелия в кремнии.// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1998, 314-98-365.

77. A. Agarwal, Т. Е. Haynes, V. С. Venezia, О. W. Holland, Eaglesham D.J. Efficient production of silicon-on -insulator films by co-implantation of He+ with H +.H Appl. Phys. Lett. 1998, v.72, n.9, p. 1086-1088.

78. Bruel M., Aspar В., Maleville C., Moriceau H., Auberton-Herve A.J., Barge T. Unibond SOI wafers by Smart-Cut process.// Electrochim.Soc.Proceedings, 1997, v.97-23, p.3-13.

79. Faraci G., Pennisi A. R, Terrasi A., Mobilio S., //Physica B, 1989, v. 158, p. 602.

80. Казючиц H.M., Вариченко В. С., Дидык А.Ю., Скуратов В. А., Зайцев А. М., Фанер В. Электрическая активность имплантированных ионами инертных газов слоев кремния, обусловленная примесью кислорода// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1996, 314-96-231.

81. Borhgesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon.//- J. Appl. Phys., 1995, v.77, n.9, p.4169-4244.

82. Ramamoorthy M., Pantelides S. T. Ehnansed modes of oxygen diffusion in silicon. // Solid State Commun. 1998, v. 106, n.5, p.243-248.

83. Gozele U., Tun T. Y. Oxygen Diffusion and Thermal Donor Formation in Slicon.// Appl. Phys. A. 1982, v.28, n. 1, p.78-92.

84. Deak P., Snydeer L. C., Corbett J. W.Theoretical studies on the core structure of the 450°C oxygen thermal donor in silicon.// Phys. Rev. B, 1992, v.45, n.20, p. 11612-11625.

85. Oxygen, Carbon, Hydrogen, and Nitrogen in Silicon./ edited by Millesen J. C., Pearton Jr., S. J., Corbett J. W., Pennycook S. J., Princeton, NJ, 1986, 206 p.

86. Сальник З.А. Термодоноры в кремнии, содержащем кислород.// Изв. АН России, Неорган, мат., 1995, т.31, в. 11, с. 1393 -1399.

87. Deak P., Snydeer L. С., Corbett J. W. Silicon-Interstitial Oxygen-Interstitial Complex as a Model of the 450°C Oxygen Thermal Donor in Silicon.// Phys. Rev. Lett. 1991, v.66, n.6, p.747-749.

88. Scmalz K., Kirscht F.-G., Tittelbach-Helmrich K. DLTS Study of Deep Level defects in Cz n-Si Due to Heat Treatment at 600 to 900°C.// Phys. Stat. Sol. (a), 1988, v. 109, p.279-294

89. Pensl G., Schulz M., Holslein K., Berhgolz W., Hutchison J. L. New Oxygen Donors in Silicon.//Appl. Phys. A., 1989, v.48, n.l, p. 49-57.

90. Батавин B.B., Сальник 3. А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород.//Изв. АН. СССР. Неорг. Материалы. 1982, т. 18, в.2, с. 185-188.

91. Батавин В.В. Механизм образования термодоноров в кремнии, содержащем кислород.// Изв. АН. СССР. Неорг. Материалы. 1985, т.21, в.4, с.734-738.

92. Hallberg Т., Lingstrom J. L. Enhanced oxygen precipitation in electron irradiated silicon.// J. Appl. Phys., 1992, v. 72, n. 11, p.5130-5138.

93. Даценко Л. И., Мисюк А., Мачулин В. Ф., Хрупа В. И. Влияние температуры и гидростатического сжатия и других физических факторов на эволюцию дефктных структур при преципитации кислорода в кремнии// Поверхность, 1998, в. 10, с. 122138.

94. Hahn S., Stein Н. J., Chatas S. С., Ponce F. A., Thermal donor formation in oxygen-implanted float-zone silicon.// J. Appl. Phys. 1992, v.75, n.5, p. 1758-1765.

95. Алешин A. H., Белогорохов А. И., Малинин А. А., Мордкович В. H., Особенности поведения имплантированного кислорода в кремнии.// Поверхность. Физика, химия, механика, 1990, в.5, с.90-94.

96. Afanas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A. G., Hughes Н. L. Stuctural inhomogeneity and silicon enrichment of buried Si02 layers formed by oxygen ion implantation in silicon.//J. Appl. Phys. 1997, v.82, n.5, p.2184-2188.

97. Vettesse F., Sicart J., Robert J. L., Cristoloveanu S., Bruel M. Electrical properties of oxygen thermal donors in silicon films synthesized by oxygen implantation.// J. Appl. Phys. 1989, v.65, n.3, p. 1208-1212.

98. Kaizer W., Frish H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treted Silicon.// Phys. Rev., 1958,v.ll2, n.5, p. 1546-1554.

99. Pflueger R., Corelli J.C., Corbett J. W. Radiation-Enhanced Oxygen-related Thermal donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating -Zone Silicon.// Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.91, p. k49-k54.

100. Маркевич В. П., Мурин JI. И. Влияние предварительного облучения на образование термодоноров в кремнии.// ФТП, 1991, т.25, в. 10, с. 1737-1744.

101. Лугаков П. Ф., Лукьяница В. В. Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si.// ФТП, 1990, т. 24, в. 10, с. 1721-1725.

102. Павлов П. В., Зорин Е. И., Тетельбаум Д. И., Попов Ю. С. О донорных свойствах азота, введенного в кремний и германий ионной бомбардировкой.// ДАН, 1965, т. 163, в.5, с. 1128-1130.

103. Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. О донорных свойствах азота в кремнии// ФТП, 1968, т.2, в.1, с. 131-133.

104. Michell J. В., Shewchun J., Thompson D. A., Davies J. A. Nitrogen implanted silicon. II. Electrical Properties.// J. Appl. Phys., 1975, v.46, n.l, p.335-343.

105. Качурин Г. А., Тысченко И. E. Поведение бора и азота в приповерхностных слоях кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+ //ФТП, 1993, т.27, в.7, с. 1194-2001.

106. Suezawa М., Sumino К., Harada Н., Abe Т. Nitrogen-oxygen Complexes Shallow Donors in Silicon crystals.//Jap. J. Appl. Phys., 1986, v.25, n.10, p.L859-L861.

107. Shen C. S., Li C. F., Ye H. J., Shen S. C., Yang D. R. Formation of nitrogen-oxygen donors in N-doped Czochralski-silicon.// J. Appl. Phys. 1994, v.76, n.6, p.3347-3350.

108. Zxang X. W., Yang J.S., li L. В., Que D. L. Generation and Dissosiation of the Nitrogen Related Donor in Nitrogen-Doped Cz-Si during Heat Treatments.// Phys. Stat. Sol. (a), 1996, v.155, p. 189-194.

109. Yang D., Fan R., Li L., Que D., Sumino K. Effect of nitrogen-oxygen complex on electrical properties of Czocralski silicon.// Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, n. 4, p.487-489.

110. Yang D., Que D., Sumino K. Nitrogen effects on thermal donor and shallow thermal donor in silicon.// J. Appl. Phys., 1995, v.77, n. 2, p.943-944.

111. Griffin J. A., hatung J., Weber J., Navarro H., Genzel L. Photothermal Ionization Spectroscopy of Oxygen-Related Shallow Donor Defects in Crystalline Silicon.// Appl. Phys. A., 1989, v.48, p.41-47.

112. Shimure F., Hockett R. S. Nitrogen effect on oxygen precipitation in Czochralski silicon.// Appl. Phys. Lett, 1986, v.48,n. 3, p.224-226.

113. Misiuk A.Evolution of process-induced defects in silicon under hydrostatic pressure.// Solid State Phenomena, 1991, v. 19, n.20, p.387-392.

114. A. Misuk, W. Jung. The Effect of Pressure on the Consentration of Thermal Donors in Czochralski Grown Silicon.// Phys. Stat. Sol(b), 1996, v. 198, p.565-568.

115. Emtsev V. V., Andreev В. A., Misiuk A., W. Jung, Schmalz K. Oxygen aggregation in Czocralski-grown silicon heat treatment at 450°C under compressive stress.// Appl. Phys. Lett, 1997, v.71, n.2, p.264-266 .

116. Шульпяков Ю.Ф., Витман P. Ф., Лебедев А. А., Дремин A. H.,. Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработка.//ФТП, 1984, т. 18, в.7, с. 1306-1307.

117. Шульпяков Ю.Ф., Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Дремин А. Н.,. Влияние пластической деформации на состояния кислорода и углерода в кремнии.//ФТП, 1985, т. 19, в.6, с.982-986.

118. Шульпяков Ю.Ф., Витман Р. Ф., Власенко Л. С., Дремин А. Н., Лебедев А. А., Ломасов В. Н., Уткина Т. Г. Свойства монокристаллов кремния после их деформации при высоком давлении. //ФТТ, 1987, т.23, в.5,с. 1486-1492.

119. Misiuk A., Jung W., Wroblevswski М. Sress-Induced generation ot thermal donors in near-surface layer of Czochralski grwn silicon.// Electron Technology, 1996, v.29,n.2/3, p. 210-212.

120. Антонова И. В., Федина Л. И., Мисюк А., Попов В. П., Шаймевв С. С. Исследование методом DLTS эволюции кислородных преципитатов в Cz-Si при высоких температурах и высоком давлении. // ФТП, 1996, т.30, в.8, с.998-1002.

121. Antonova I. V., Misiuk A., Popov V. P., Fedina L. I., Shaimeev S. S. DLTS study of oxygen precipitates in silicon annealed at high pressure.// Physica B, 1996, v.225, p.251-257.

122. Antonova I. V., Misuk A., Popov V. P., Plotnikov A. E., Surma B. Nucleation and formation of oxygen precipitates in Chochralski grown silicon annealed under uniform stress conditions.//Physica B, 1998, v.253, p. 131-137.

123. Antonova I. V., Misuk A., J.-Bak Misiuk, Popov V. P., Plotnikov A. E., Surma B. Dependence of oxygen precipitate size and strain on external stress at annealing of Cz-Si.// J. Alloys and Compaunds, 1999, v.286, p.241-245.

124. Misiuk A., Hathwig J., Prieur E., M. Ohler., Bak-Misiuk J., Domagala J., Surma B. Defect structure of pressure treated Czochralski silicon investigated by X-ray topography and difractometry.// Acta Physica Polonica A, 1997, v.91, n.5, p.987-991.

125. Kaminski P., Kozlowski R., Misiuk A. Electrically active defects in Ni-contaminated Cz-Si with oxygen precipitates.// SPIE, 1996, v.2780, p. 137-140.

126. Берман Л. С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупрводниках./Л.: Наука, 1981, 176с.

127. Берман Л. С. Нелинейная полупроводниковая емкость./ М.: Физматгиз, 1963,-88с.

128. Берман Л. С. Емкостные методы исследования полупроводников./ Л.: Наука, 1972,- 104с.

129. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, т.1, 456с.

130. Зеегер К. Физика полупровдников. М.: Мир, 1977, 616с.

131. Батавин В. В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Определение параметров полупровдниковых материалов и структур./ М.: Радио и связь, 1985, 264с.

132. Lang V. D. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors.// J. Appl. Phys., 1974, v.45, n.7, p.3023-3032.

133. Шаймеев С. С. Автоматический емкостной спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полупроводниках. // ПТЭ, 1985, в.1, с. 175-177.

134. Васильев А. В., Смагулова с. А., Шаймеев С. С. К вопросу о методики обработки DLTS сигналов.//ФТП, 1983, т. 17, с. 162-164.

135. Нага Т., Onda Т., Kakizaki Y., Oshima S., Kitamura T. Delamination of Thin Layers by High Dose Hydrogen Ion Implantation in Silicon.//J.Electrochem. Soc., 1996, v. 143, n.8, p.L166-L168.

136. Ewels C.P., Jones R., Oberg S., Miro J., Deak P. Shallow thermal donor defects in silicon.// Phys. Rev.Lett, 1996, 77, n.5, p.865-868.

137. G.D.Watkins in: Radiation Effects in Semiconductors. Conf.Ser.N31, Inst.of Phys., London-Bristol, 221, 1977.

138. Эндензон A.M., Пузанов Н.И. Собственные точечные дефекты в кремнии при высоких температурах.//Неорган. матер., 1995, т. 31, в.9, с. 1139-1145

139. Falster R., Pagani М., Gambaro D., Corana M., Olmo M., Ferrero G., Pichler P., Jacob M. Vacancy-Assisted Oxygen Precipitation Phenomena in Si.//Solid State Phenomena, 1997, v.57-58, p. 129-136.

140. Eaglesham D. Dopants, defects, and diffusion.// Phys.Wold, 1995, n. 11, p.41-45.

141. Davies Gr., Lightowles E.C., Newman R.C., Oates A.C. A model for radiation damage effescts in carbon-doped crystalline silicon.//Semicond. Sci. Technol., 1987, n.2, p.524-532.

142. Job R., Farhner W. R., Kazutchits N. M., Ulyashin A. G. A two-step low-temperature processor for a p-n-junction formation in p-type Chochralski silicon.// Materials Research Society Symp. Proc., 1998, v.513, p.337-342.

143. Martynov Yu.V., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.A.J. Role oh Hydrogen in the Formation and Structure of the Si-NLIO Themal Donor.//Phys. Rew. Lett., 1995, v.74, n. 11, p. 2030-2033.

144. Markevich V.P., Suerawa M. Hydrogen-oxygen interaction in silicon at around 50°C.// J. AppLPhys. 1998, v.83, n.6, p. 2988-2993.

145. McQuaid S.A., Binns M.J., Londos C.A., Tucker L.H., Brown A.R., Newman R.C. Oxygen loss during thermal donor formation in czochralski silicon: New insigths into oxygen diffusion mechanisms.// J.Appl.Phys., 1995, v.77, n.4, p. 1427-1441.

146. G.D. Watkins, Corbett J.W., McDonald R.S. Diffusion of oxygen in silicon.// J. Appl. Phys. 1982, v.53, n.10, p. 7097-7098.

147. Takeno H., Hayamizu Y., Miki K. Diffusivity of Oxygen in Czochralski silicon at 400-750°C.// J. Appl. Phys., 1998, v.84, n. 6, p.3113-3117.

148. Zhong L., Shimura F. Hydrogen-enhanced out diffusion of oxygen in Czochralksi silicon.//J. Appl. Phys., 1993, v.73, p.707-710.

149. Mathiot D.Influence of silicid growth on the formation rate of thermal donors in silicon.//Mat. Sci. Forum, 1989, v.38-41, p. 649-654.

150. Tajiama M., Warashina M., Takena H., Abe T. Effects of points defects on oxygen aggregation in Si at 450°C.// Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, n.2, p.222-224.

151. В. П. Маркевич, JI. И. Мурин. Образование термодоноров и механизм ускоренной диффузии кислорода в кремнии.//ФТП, 1988, т.22, в.7, с. 1324-1329.

152. Skorupa W., Hatzopoulos N., Yankov R. A., Danilin A. B.Proximity gettering of transition metals in separation by implantated oxygen structure.// Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, n.20, p.2992-2994.

153. Charitat G., Martinez A. Stress evolution and point defects generation during oxidation of silicon.// J. Appl. Phys. 1984, v.55, n.4, p.909-913.

154. Antoniadis D.A., Moskowitz I. Diffusion of substitutional impurities in silicon at short oxidation times: An insight into points defect kinetics.//! Appl. Phys., 1982, v.53, n. 10, p.6788-6796.

155. J. H. Lee, P. R. Brosious, J. W. Corbett, Rad. Eff. 1974, v. 22, p.69.

156. Стельмах В. Ф., Толстых В. П, Цвирко Л. В. //ФТП, 1985, т. 19, в. 10, с. 1860 .

157. Chadi D. J., Chang К. J. Magic number for vacancy aggregation in crystalline Si// Phys. Rev. B, 1988, v.38 , n.2,1523-1525.

158. Ohmer M. C. and Lang J. E. Unidentified acceptores in silicon and germanium.// Appl. Phis. Lett. 1979, v. 34, n.ll, p.750 752.

159. А.Л.Асеев, Л.И.Федина, Д.Хеэль, Х.Барч, Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск, Наука, (1991), 149с.

160. Физические процессы в облученных полупроводниках./под ред. Л. С. Смирнова, Новосибирск: Наука, 1977, 255с.

161. Hastings G. Н., Esteicher S. К., Fedders P. A. Vacancy aggregation in silicon.// Phys. Rev. B, 1997, v.56, n. 16, p. 10215-10220.

162. Lee J. H., Corbett J. W., Gerasimenko N.N. Phys. Rev. B, 1976, v. 14, p.4506

163. Brown R.A., Kononchuk j., Radzimski Z., Rozgonyi G.A., Gonzalez F. The effect of oxygen on secondary defect formation in MeV self-implantated silicon.// Nucl. Instrum. And Methodds in Physics Research, B, 1997, v. 127/128, p.55-57.

164. Fatima S., Wong-leung J., Fitz Gerald J., Jagadish C. Electrical characterization of the threshold fluence for extended defect formation in p-type silicon implanted with MeV Si ions.// Appl. Phys Lett., 1998, v.94, n.23, p. 3044-3046.

165. Varichenko V.S., Zaitsev A.M., Melnikov A.A., Fahrner W.R., Kazytchits N.M., Penina N.M., Erchak D.P.Defect production in silicon implanted with 13.6 MeV boron ions.// Nucl. Instrum. and Methodds in Physics Research B, 1994, v.94, p.259-265.

166. Falster R., Pagani M., Gambaro D., Cornara M., Olmo M., Ferrero G., Pichler P., Jacob M. Vacancy Assisted Oxygen Precipitation Phenomena in Si.// Solid State Phenpmena, 1997, v.57-58, p. 129-136.

167. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках.-M: Физматгиз, 1961,-462с.

168. Атомная диффузия в полупроводниках.-Под. ред. Шоу И., М.: Мир, 1975, -685с.

169. Yataka I., Izumi К., Ichiro N.Oxidation-retardet Diffusion of bismuth in silicon.// Jap. J. Appl. Phys. Pt.2, -1990,v.29, n.10, p.L1929-L1931.

170. Servidori M., Angellucci R., Cembali F., Negrini P., Solmi S. Retarded and enhanced dopant diffusion in silicon related to impantation-induced exceed vacancies and interstitials.// J. Appl. Phys., 1987, v.61, n.5,p. 1834-1840.

171. Robertson L.S., Law M.E., Jones K.S., Rubin L.M., Jackson J., Chi P., Simons D.S. Correlation of end-of-range damage evolution and transient enhanced diffusion of boron in regrown silicon.//Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, n. 24, -p.3844-3846.

172. Kissinger G., Morgenstern G., Vanhellement J., Graf D., Lambert U., Richter H. Internal oxidation of vacancy in Czochralski silicon wafers during high-tempeature anneals.//Appl. Phys. Lett., 1998, v.72, n.2, p.223-225.

173. Wilson I. H., Zheng N. J., Knipping U., Tsong I. S.T. Effects of isolated atomic collision on SiCVSi interfaces studied by scanning tuneling microscopy.// Phys. Rev. B., 1988, v. 38, n. 12, p.8444-8450.