Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме HCl и его смесей с азотом и кислородом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат физико-математических наук Давлятшина, Алена Андреевна

• Давлятшина, Алена Андреевна
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Давлятшина, Алена Андреевна

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

4

1.1. Основные свойства и параметры неравновесной газоразрядной 10 плазмы

1.2. Применение неравновесной газоразрядной плазмы в технологии 12 изделий микро- и наноэлектроники. Рабочие газы

1.3. Параметры и состав неравновесной низкотемпературной плазмы 19 галогенводородов

1.4. Влияние газов-добавок на электрофизические параметры и состав 26 плазмы НС1

1.5. Излучение плазмы НС1 и его использование для контроля состава 33 плазмы

1.6. Заключение. Постановка задачи

ГЛАВА 3. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И ИЗЛУЧЕНИЕ РАЗРЯДА В 54 ХЛОРИСТОМ ВОДОРОДЕ

ГЛАВА 4. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И ИЗЛУЧЕНИЕ РАЗРЯДА В 67 СМЕСИ HC1-N2

4.1. Электрофизические параметры и состав плазмы смеси HCl-

N2

ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

2.1. Экспериментальная установка

2.2. Объекты исследования

2.3. Зондовые измерения

2.4. Измерение температуры газа

2.5. Спектральные измерения

2.6. Моделирование плазмы

2.7. Погрешности экспериментов и расчетов

36

36

37 39

43

44

3.1. Электрофизические параметры и состав плазмы НС1

3.2. Излучение плазмы НС1

3.3. Заключение

54 61

4.2. Излучение плазмы смеси HC1-N2

4.3. Заключение

78

79

ГЛАВА 5. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И ИЗЛУЧЕНИЕ РАЗРЯДА В

СМЕСИ НС1-02

5.1. Электрофизические параметры и состав плазмы смеси HCl- 82

5.2. Излучение плазмы смеси НС1-02

5.3. Заключение 95 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 96 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ

Сокращения:

имс интегральная микросхема

ипт ионно-плазменное травление

пхт плазмохимическое травление

РИТ реактивное ионное травление

ФРЭЭ функция распределения электронов по энергиям

Обозначения:

V давление

ь ток разряда

Е/Ы приведенная напряженность электрического поля

/ функция распределения электронов по энергиям

о сечение процесса под действием электронного удара

к константа скорости процесса

£ средняя энергия электронов в плазе

пороговая энергия процессов под действием электронного удара

пе концентрация электронов в плазме

п-/пе относительная плотность отрицательных ионов в плазме

п+ концентрация положительных ионов

г+ плотность потока положительных ионов в плазме

общая концентрация частиц в реакторе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме HCl и его смесей с азотом и кислородом»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Процессы размерного структурирования поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев различной природы являются неотъемлемой частью технологии интегральных микросхем (ИМС) [1-3]. При переходе к наноразмерному диапазону элементов ИМС основная роль в формировании технологического рельефа поверхности отводится процессам «сухого» (плазменного) травления, которые обеспечивают лучшую (по сравнению с жидкостными технологиями) анизотропию процесса, высокую селективность по отношению к органическим маскам и чистоту [2, 4].

В последнее время, в процессах плазмохимического травления ряда металлов (AI, Си) и полупроводников (Si, GaAs, InP) находит применение неравновесная низкотемпературная плазма галогенводородов НХ (X = С1, Вг, I). Преимуществами HCl перед другими хлорсодержащими газами (ВС13, СЬ, фреоны CFxCly) являются отсутствие полимеризационных явлений, низкие концентрации атомов хлора, обеспечивающие анизотропный профиль травления, а также дополнительные эффекты, достигаемые за счет химических реакций атомов водорода. Еще одной особенностью современной технологии плазменного травления является преимущественное использование двухкомпонентных газовых смесей, в которых галогенсодержащий газ совмещается с инертной (Ar, Не) или молекулярной (Н2, О2, N2) добавкой [2, 4-8]. Достоинством таких систем является то, что начальный состав смеси представляет эффективный инструмент регулирования параметров плазмы и концентраций активных частиц. В работах [9-13] было показано, что Ar и Не в смесях CI2, BCI3 и HCl не являются инертными разбавителями, а влияют на кинетику плазмохимических процессов через изменение средней энергии и концентрации электронов в плазме. На этом фоне, исследования влияния добавок молекулярных газов на электрофизические параметры и

удовлетворительно коррелируют с их концентрациями из-за незначительного изменения условий возбуждения.

Защищаемые научные положения:

- Кинетические схемы (наборы реакций, сечений и констант скоростей), обеспечивающие корректное описание электрофизических параметров и состава плазмы смесей HCI-N2 и HCI-O2.

- Результаты экспериментального исследования и самосогласованного моделирования (ФРЭЭ, интегральные характеристики электронного газа, константы скоростей процессов при электронном ударе, концентрации нейтральных и заряженных частиц) плазмы смесей HCI-N2 и HCI-O2.

- Анализ влияния начального состава смесей HCI-N2 и HCI-O2 на электрофизические параметры плазмы. Анализ механизмов образования-гибели нейтральных и заряженных частиц.

- Результаты исследования спектров излучения плазмы HCl, HC1-N2 и НС1-О2. Анализ взаимосвязей интенсивностей излучения и концентраций атомов.

Практическая значимость работы. Результаты работы могут быть использованы для разработки и оптимизации процессов плазмохимического травления, а также для анализа механизмов и при построении моделей физико-химических процессов в неравновесной низкотемпературной плазме чистого HCl и смесей на его основе.

Личный вклад автора. Работа выполнена на кафедре «Технология приборов и материалов электронной техники» (ТП и МЭТ) ФГБОУ ВПО «Ивановский государственный химико-технологический университет». Результаты моделирования плазмы получены лично автором. Автор принимала участие в обсуждении результатов диагностики плазмы, формировании наборов исходных данных для моделирования и в адаптации алгоритмов моделирования плазмы для выбранных объектов исследований.

Моделирование плазмы проводилось с использованием ПО, разработанного ранее на кафедре ТП и МЭТ.

Апробация работы. Основные положения и выводы диссертационной работы были представлены и обсуждены на VI Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (Иваново, 2011), VI Всероссийской конференции молодых учёных, аспирантов и студентов с международным участием «Менделеев 2012» (Санкт-Петербург, 2012), Международной конференции «Микро- и наноэлектроника 2012» (Москва-Звенигород, 2012). Всего сделано 3 доклада.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 7 работ, из них 4 статьи в журналах перечня ВАК, 3 тезисов докладов на конференциях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов и списка использованных литературных источников. Общий объем диссертации составляет 117 страниц, включая 64 рисунка и 20 таблиц. Список использованных источников содержит 115 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Давлятшина, Алена Андреевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1) Подтверждено, что стационарные концентрации нейтральных частиц в плазме HCl формируются с участием атомно-молекулярных процессов. Установлено, что приведенные интенсивности излучения атомов С1 и Н (отношение измеренной интенсивности к произведению константы скорости возбуждения и концентрации электронов) адекватно отражают изменения концентраций этих частиц в плазме.

2) Установлено, разбавление HCl азотом вызывает заметную деформацию ФРЭЭ, характер которой определяется доминирующими процессами потери энергии электронами при данном давлении газа. Увеличение доли N2 в исходной смеси сопровождается ростом концентрации электронов, но не приводит к росту плотности потока ионов на поверхность, контактирующую с плазмой.

3) Показано, что разбавление HCl азотом не сопровождается принципиальными изменениями кинетики атомно-молекулярных процессов. Наблюдаемый рост степени диссоциации HCl с ростом доли N2 в исходной смеси обусловлен увеличением частоты диссоциации электронным ударом. Найдено, что спектральный контроль изменений концентраций атомов С1 и Н затруднен из-за перекрывания излучения атомарных линий излучением полос N2.

4) Установлено, что разбавление HCl кислородом не приводит к существенным изменениям ФРЭЭ (из-за близости потерь энергии электронов на колебательное и электронное возбуждение HCl и 02) и концентрации электронов (из-за близости механизмов их образования и гибели). При этом имеет место снижение суммарной концентрации положительных ионов и плотности их потока на поверхность, контактирующей с плазмой.

5) Показано, что кинетика образования атомов С1 в смесях НС1-02 в значительной степени определяется атомно-молекулярными процессами с

3 1 участием 0( Р), 0( Б) и ОН. Найдено хорошее согласие результатов оптико-спектральных измерений и моделирования плазмы.

5.3. Заключение

Проведено исследование влияния начального состава смеси HCI-O2 на стационарные электрофизические параметры (приведенная напряженность электрического поля, ФРЭЭ, интегральные энергетические и транспортные характеристики электронного газа, константы скоростей элементарных процессов) и состав плазмы тлеющего разряда постоянного тока (р = 40-200 Па, ip = 15-35 мА). Установлено, что разбавление HCl кислородом не приводит к существенной деформации ФРЭЭ и изменению концентрации электронов, при этом имеет место снижение суммарной концентрации положительных ионов и снижение интенсивности ионной бомбардировки поверхности, контактирующей с плазмой. Показано, что кинетика образования атомов хлора, как в чистом HCl, так и в присутствии кислорода, в значительной степени определяется атомно-молекулярными процессами. Найдено хорошее согласие результатов оптико-спектральных измерений и моделирования плазмы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Давлятшина, Алена Андреевна, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 Блохин, В. Г. Технологии производства микроэлектронной аппаратуры: лекции / В. Г. Блохин. - Москва: РГТУ-МАТИ им. Циолковского, 20042005.

2 Плазменная технология в производстве СБИС / под редакцией Н. Айнспрука, Д. Брауна. - М.: Мир, 1987. - 420 с.

3 Abe, Н. Developments of plasma etching technology for fabrication semiconductor devices / H. Abe, M. Yoneda, N. Fujiwara // Jap. J. App. Phys.

- 2008. - V.47. - P. 1435-1455.

4 Орликовский, А. А. Проблемы плазмохимического травления в микроэлектронике / А. А. Орликовский, Д. И. Словецкий // Микроэлектроника. - 1987. - Т. 16. - № 6. - 497 с.

5 Jong-Chang, Woo. Dry Etching Characteristics of Zinc Oxide Thin Films in Cl2-Based Plasma / Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li Chen and other // Transactions on electrical and electronic materials. - April 25. 2011. - V. 12.

- № 2. - P. 60-63.

6 Shul, R. J. Selective inductively coupled plasma etching of group-Ill nitrides in Cl2- and BCl3-based plasmas / R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, and other//J. Vac. Sci. Technol. A 16(3). - May/Jun. 1998. - P. 1621-1626.

7 Efremov, A. M. Model-Based Analysis of Plasma Parameters and Active Species Kinetics in Cl2/X (X = Ar, He, N2) Inductively Coupled Plasmas / A. M. Efremov, Nam-Ki Min, Bok-Gil Choi, Kyu-Ha Baek, Kwang-Ho Kwon // Journal of The Electrochemical Society, 155 (12). - 2008. - P. D777-D782.

8 Pearton, S. J. Temperature-Dependent Dry Etching Characteristics of III-V Semiconductors in HBr- and HI-Based Discharges / S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy // Plasma Chemistry and Plasma Processing. - 1994. - V. 14. -№2.-P. 131-150.

9 Efremov, A. M. On the applicability of self-consistent global model for the characterization of Cl2/Ar inductively coupled plasma / A. M. Efremov, G. H. Kim, J. G. Kim, A. V. Bogomolov, С. I. Kim // Microelectronic Engineering.

-2007. - V. 84.-P. 136-143.

10 Efremov, A. M. Inductively coupled Cl2/Ar plasma: experimental investigation and modeling / A. M. Efremov, D. P. Kim, С. I. Kim // J. Vac. Sei. Technol. A. - 2003. - V.21. - P. 1568-1573.

11 Fuller, N.C.M. Optical actinometry of Cl2, CI, Cl+, and Ar+ densities in inductively coupled Cl2-Ar plasmas / N.C.M. Fuller, I.P. Herman, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. - 2001. - V.90. - P. 3182-3191.

12 Kim, M. Effect of gas mixing ratio on etch behavior of Zr02 thin films in BCl3/He inductively coupled plasma / M. Kim, N.-K. Min, S.J Yun., H.W. Lee, A. M. Efremov, K.-H. Kwon // J. Vac. Sei. Technol. A. - 2008. - V.26. -P. 344-351.

13 Ефремов, A. M. Влияние добавок Ar и Не на параметры и состав плазмы HCl / А. М. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов // Теплофизика высоких температур. - 2012. - Т. 50. - № 1. - С. 1-9.

14 Goldston, R. J. Introduction to plasma physics / R. J. Goldston, P. H. Rutherford. - Bristol; UK and Philadelphia: Institute of Physics Pub., 1995. -491 p.

15 Bellan, P. M. Fundamentals of plasma physics / P. M. Bellan. - Cambridge; New York: Cambridge Univ. Press, 2006. - 628 p.

16 Lieberman, M. A. Principles of plasma discharges and materials processing / M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg. - New York: John Wiley & Sons Inc, 1994.-450 p.

17 Полак, JI. С. Теоретическая и прикладная плазмохимия / JI. С. Полак, А. А. Овсянников, Д. И. Словецкий, Ф. В. Вурзель. - М.: Наука, 1975. - 304 с.

18 Словецкий, Д. И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме / Д. И. Словецкий. - М.: Наука, 1980. - 313 с.

19 Sugano, Т. Applications of plasma processes to VLSI technology / T. Sugano. -New York: Wiley, 1990.

20 Светцов, В. И. Вакуумная и плазменная электроника: учеб. пособие / В. И. Светцов; Иван.гос.хим.-технол.ун-т. - Иваново, 2003. - 171с. - ISBN 5-230-01605-1.

21 Wolf, S. Silicon Processing for the VLSI Era / S. Wolf, R.N. Tauber. - N. Y.: Lattice Press. Process Technology, 2000. - V. 1. - 890 p.

22 Rossnagel, S. M. Handbook of plasma processing technology / S. M. Rossnagel, J. J. Cuomo, W. D. Westwood (Eds.); Park Ridge. - NJ: Noyes Publications, 1990.

23 Coburn, J. W. Plasma etching and reactive ion etching. / J. W. Coburn. - New York, AVS Monograph Series, 1982.

24 Mattox, D. M. Handbook of physical vapor deposition (PVD) processing / D. M. Mattox. - Westwood, N.J.: Noyes Publications, 1998. - 917 p.

25 Киреев, В. Ю. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур / В. Ю. Киреев, Б. С. Данилин, В. И. Кузнецов. - М.: Радио и связь, 1983. - 128 с.

26 Sugawara, М. Plasma etching. Fundamentals and applications / M. Sugawara.

- New York. : Oxford University Press Inc, 1992. - 304 p. - ISBN 0-198-56287-X.

27 Шмаков, M. Школа производства ГПИС. Фотолитография. / М. Шмаков, В. Паршин // Технологии электронной промышленности. - 2007. - № 5.

- С. 72-77.

28 Francis, F. Chen. Principles of plasma processing / Francis F. Chen, Jane P. Chang. - Plenum/Kluwer Publishers.: 2002. - 208 p. - ISBN 0-306-47497-2.

29 Mahorowala, A. P. Etching of polysilicon in inductively coupled Cl2 and HBr discharges. I. Experimental characterization of polysilicon profiles / A.P. Mahorowala, H. H. Sawin, R. Jones, A.H. Labun // J. Vac. Sci. Technol. B. -2002.-V. 20.-P. 1055-1063.

30 Song, Y. S. Nanometer-sized patterning of polysilicon thin films in a HBr/Ar plasma / Y.S. Song, Y.H. Byun, C.W. Chung // Appl. Chem. - 2003. - V. 7. -P. 161-164.

31 Desvoivres, L. Sub-0.1 ^m gate etch processes: Towards some limitations of the plasma technology / L. Desvoivres, L. Vallier, O. Joubert // J. Vac. Sci. Technol. B. -2000. - V. 18.-P. 156-165.

32 Vicknesh, S. Etching characteristics of HBr-based chemistry on InP using inductively coupled plasma technique / S. Vicknesh, A. Ramam // J. Electrochem. Soc. -2004. -V. 151. - P. C772-C780.

33 Lim, E. L. Inductively coupled plasma etching of InP with HBr/02 chemistry / E. L. Lim, J. H. Teng, L. F. Chong, N. Sutanto // J. Electrochem. Soc. -2008.-V. 155. -P. D47-D51.

34 Lee, S. Hydrogen bromide plasma-copper reaction in a new copper etching process / S. Lee, Y. Kuo // Thin Solid Films. - 2004. - V. 457. - P. 326-332.

35 Lee, S. A new hydrogen chloride plasma-based copper etching process / S. Lee, Y. Kuo // Jpn. J. Appl. Phys. - 2002. - V. 41. - P. 7345-7352.

36 Kuo, Y. A novel plasma-based copper dry etching method / Y. Kuo, S. Lee // Jpn. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 39. - P. 188-190.

37 Senga, T. Chemical dry etching mechanisms of GaAs surface by HC1 and Cl2 / T. Senga, Y. Matsumi, M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1996. - V. 14.-P. 3230-3238.

38 Saito, J. Effects of etching with a mixture of HC1 gas and H2 on the GaAs surface cleaning in molecular-beam epitaxy / J. Saito, K. Kondo // J. Appl. Phys. - 1990. - V. 67. - P. 6274-6280.

39 Efremov, A. M. Plasma Parameters and Active Species Kinetics in an Inductively Coupled HBr Plasma / A. M. Efremov, B.-G. Choi, S. Nahm, H. W. Lee, N.-K. Min, K-H. Kwon // J. Korean Phys. Soc. -2008. - V. 52. -№ l.-P. 48-55.

40 Efremov, A. M. A Comparative Study of HBr-Ar and HBr-Cl2 Plasma Chemistries for Dry Etch Applications / A. M. Efremov, Y. Kim, H.-W. Lee, K.-H. Kwon // Plasma Chem. Plasma Process. - 2011. - V. 31. - P. 259-271.

41 Kwon, K.-H. A Model-Based Analysis of Plasma Parameters and Composition in HBr/X (X = Ar, He, N2) Inductively Coupled Plasmas / K.-H. Kwon, A. M. Efremov, M. Kim, N. K. Min, J. Jeong, K. Kim // J. Electrochem. Soc.-2010. - V. 157.-№5.-P. H574-H579.

42 Efremov, A. M. Plasma parameters and etching mechanisms of metals and semiconductors in hydrogen chloride / A. M. Efremov, S. A. Pivovarenok, V. I. Svettsov // Russian Microelectronics. -2009. - V. 38. - P. 147-159.

43 Efremov, A. M. Plasma parameters and chemical kinetics of an HC1 DC glow discharge / A. M. Efremov, G. H. Kim, D. I. Balashov, С. I. Kim // Vacuum. -2006.-V. 81.-P. 244-250.

44 Efremov, A. M. The parameters of plasma and the kinetics of generation and loss of active particles under conditions of discharge in HC1 / A. M. Efremov, V. I. Svetsov //High Temperature. -2006. -V. 44. - P. 189-198.

45 Ефремов, A. M. Влияние добавок Ar и He на параметры и состав плазмы НВг / А. А. Смирнов, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Микроэлектроника. -2010. - Т. 39. -№ 5. - С. 392-400.

46 Ефремов, А. М. Параметры плазмы НС1 и НВг в условиях тлеющего разряда постоянного тока / A.M. Ефремов, А.А. Смирнов, В.И. Светцов // Химия высоких энергий. - 2010. - Т. 44. - № 3. - С. 277-281.

47 Смирнов, А. А. Параметры и состав плазмы НВг в условиях тлеющего разряда постоянного тока / А.А. Смирнов, A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Микроэлектроника. - 2010. - Т. 39. - № 6. - С. 418-426.

48 Смирнов, А. А. Влияние добавок Аг и Не на параметры и состав плазмы НВг / А.А. Смирнов, A.M. Ефремов, В.И. Светцов / Микроэлектроника. -2010. - Т. 39. - № 5. - С. 392-400.

49 Смирнов, А. А. Электрофизические параметры плазмы в смесях НВг-Аг и НВг-Не переменного состава / А.А. Смирнов, A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Известия Вузов. Химия и хим. технология. - 2010. - Т. 53. -№9.-С. 55-58.

50 Smirnov, A. Plasma parameters and active particles kinetics in HBr dc glow discharges / A. Smirnov, A. Efremov, V. Svettsov, A. Islyaykin // Proceedings SPIE. -2009. - V. 7521. - P. 752108-1 - 752108-7.

51 Efremov, A. M. Compilation of cross section data of elementary processes of HC1 applicable for plasma modeling / A. M. Efremov, V. I. Svetsov, D. I. Balashov // Contrib. Plasma Phys. - 1999. - V. 39. - 247 p.

52 Efremov, A. M. A comparative study of plasma parameters and gas phase compositions in Cl2 and HC1 direct current glow discharges / A. M. Efremov, V. I. Svettsov, D. V. Sitanov, D.I .Balashov / Thin Solid Films. -2008. - V. 516.-P. 3020-3027.

53 Rousseau, A. Microwave discharge in H2: Influence of H atom density on power balance /A.Rousseau, A.Granier, G.Gouset, P.Leprince// J. Phys. D: Appl. Phys. 27. - 1994.

54 Efremov, A. M. Volume and heterogeneous chemistry of active species in chlorine plasma/ A. M. Efremov, D. P. Kim, С. I. Kim// Thin Solid Films. -2003.-V. 435.-83 p.

55 Ефремов, А. М.Вероятности гибели атомов и концентрации активных частиц в плазме хлора / А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. Технология. -2004. - V. 47. - № 2. - 104 р.

56 Brovikova, I. N. Kinetic characteristics of production and loss of hydrogen atoms in the positive column of glow discharge in H2 / I. N. Brovikova, E. G. Galiaskarov, V. V. Rybkin, A. B. Bessarab // High Temperature. 1998. - T. 36. - № 5. - C. 681-686.

57 Ефремов, A. M. Электрофизические параметры плазмы тлеющего разряда постоянного тока в смеси HCl/Ar / А. М. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. Технология. -2011. - Т. 54. -№ 3. - С. 15-18.

5 8 Ефремов, А. М. Электрофизические параметры и состав плазмы в смесях НС1-Н2 / А. М. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов //

Микроэлектроника. -2011. - Т. 40. -№ 6. - С. 405-412.

59 Ефремов, А. М. Электрофизические параметры и состав плазмы в смесях НС1-С12 / А. М. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов // Теплофизика высоких температур. -2012. - Т. 50. - № 6. - 746 с.

60 Lochte-Holtgreven, W. Plasma Diagnostics / W. Lochte-Holtgreven. - New York.: AIP Press, 1995. - 928 p.

61 Rooth, J. R. Industrial plasma engineering, IOP Publishing LTD / J. R. Rooth. - Philadelphia, 1995.-730 p.

62 Chapman, B. Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching / Chapman B. - John Wiley & Sons: New York, 1980. - 287 p.

63 Немец, В. M. Спектральный анализ неорганических газов / В. М. Немец, А. А. Петров, А. А. Соловьев. - Л.: Химия, 1988. - 350 с.

64 Donnelly, V. М. A simple optical emission method for measuring percent dissociations of feed gases in plasmas: Application to Cl2 in a high-density helical resonator plasma / V. M. Donnelly // J. Vac. Sci. Technol. A 14. -1996.- 1076 p.

65 Malyshev, M. V. Laser-induced fluorescence and Langmuir probe determination of C12+ and C1+ absolute densities in transformer-coupled chlorine plasmas / M. V. Malyshev, N. С. M. Fuller, К. H. A. Bogart, V. M. Donnelly // Appl. Phys. Lett. -1999. - V. 74. - 1666 p.

66 Malyshev, M. V. Diagnostics of inductively coupled chlorine plasmas: Measurement of Cl2 and CI number densities / M. V. Malyshev, V. M. Donnelly // J. Appl. Phys. -2000. - V. 88. - 6207 p.

67 Richards, A. D. Atomic chlorine concentration measurements. A comparison of infrared absorbtion and optical emission actinometry / A. D. Richards, W. E. Thompson, K. D. Allen // J. Appl. Phys. - 1987. - V. 62. - № 3. - P. 792807.

68 Hanish, С. К. Estimating and Controlling Atomic Chlorine Concentration via Actinometry / С. K. Hanish, J. W. Grizzle, F. L. Terry // IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing -1999. - V. 23. - 323 p.

69 Оторбаев, Д. К. Оптическая актинометрия плазмы. В кн. «Плазмохимия-84», 1987.-Ч. 2.-С. 50-57.

70 Gottscho, R. A. Optical emission actinometry and spectral line shapes in RF glow discharges / R. A. Gottscho, V. M. Donnelly // J. Appl. Phys. - 1984. -V. 56.-P. 245-250.

71 Ефремов, A. M. Спектр излучения тлеющего разряда в хлоре. / А. М. Ефремов, А. П. Куприяновская, В. И. Светцов // Журнал прикладной спектроскопии. - 1993. - № 3-4. - Т. 59. - 222 с.

72 Антонов, A.B. Спектры излучения разряда в парах HCl / А. В. Антонов, А. М. Ефремов; Материалы первой всероссийской конференции «Молекулярная физика неравновесных систем» Иваново: ИвГУ, 1999. -2 с.

73 Корякин, Ю. В. Чистые химические вещества / Ю. В. Корякин, И. И. Ангелов // Изд. 4-е; перераб. и доп. - М.: Химия, 1974. - 408 с.

74 Ефремов, А. М. Диссоциация молекул хлора в плазме тлеющего разряда в смесях с аргоном, кислородом, азотом. / А. М. Ефремов, В. И. Светцов, Д. В. Ситанов // Химия высоких энергий. - 1998. - Т. 32. - № 2. - 148 с.

75 Балашов, Д. И. Потоки УФ квантов на поверхность в условиях плазмохимического травления в хлоре. / Д. И. Балашов, Ю. В. Кириллов // Химия высоких энергий. -1998. - Т. 32. - № 4. - С.346 - 348.

76 Рохлин, Г. Н. Разрядные источники света / Г. Н. Рохлин. - Изд. 2-е; перераб. и доп. - М.: Энергатомиздат, 1991. - 720 с. - ISBN 5-283-005488.

77 Бабичев, А. П. Физические величины: справочник / А. П. Бабичев, Н. Л. Бабушкина, А. М. Братковский и др.; под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. - М. Энергатомиздат, 1991. - 1232 с. - ISBN 5-283-04013-5.

78 Пирс, Р. Отождествление молекулярных спектров / Р. Пирс, А. Гейдон. -М.: Изд. иностр. лит, 1949. - 540 с.

79 Свентицкий, А. Р. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов / А. Р. Свентицкий, Н. С. Стриганов - М.: Атомиздат, 1966. - 900 с.

80 Ефремов, А. М. Параметры плазмы и механизмы травления металлов и полупроводников в хлороводороде / А. М. Ефремов, С. А. Пивоварёнок, В. И. Светцов //Микроэлектроника. -2009. - Т. 38. - С. 163-175.

81 Рыбкин, В. В. Компиляция данных по сечениям элементарных процессов для расчетов коэффициентов скоростей процессов в неравновесных системах / А. П. Куприяновская, В. В. Рыбкин, Ю. А. Соколова, А. Н. Тростин. - Черкассы, 1990. - 60 с. - Деп. в ВИНИТИ. № 921-В90.

82 Morgan, W. L. A critical evaluation of low-energy electron impact cross sections for plasma processing modeling. I: Cl2, F2, and HCl / W. L. Morgan // Plasma Chem. Plasma Proc. - 1992. -V. 12. -№ 4. - P. 449-476.

83 Lister, G. G. Low pressure gas discharge modeling / G.G. Lister // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1992. - V. 25. - P. 1649-1680.

84 Александров, Н.Л. Энергетическое распределение и кинетические коэффициенты электронов в газах в электрическом разряде. В кн. «Химия плазмы» / Н.Л. Александров, Э.Е. Сон. - М.: Атомиздат, 1975. -Вып. 7.-С. 35-75.

85 Ефремов, А. М. Особенности математического моделирования плазмы хлора / А. М.Ефремов, В.И.Светцов // Тезисы докладов 1 Региональной межвузовской конференции «Актуальные проблемы химии, химической технологии и химического образования», Иваново. 22-26 апреля 1996. -44 с.

86 Пономарева, А. Краткий справочник физико-химических величин / А. Пономарева, А. Равдель, Н. Барон, З.Тимофеева ; под ред. А. Равделя, А.

Пономаревой, изд. 10-е ; испр. и доп. СПб.: «Иван Федоров», 2003. - 156 с.-ISBN 5-8194-0071-2.

87 CRC Handbook of chemistry and physics / ed. by D. R. Lide. - 90 ed. - New York: CNR Press., 2010.-2496. p. - ISBN 1-420-09084-4.

88 Lee, C. Global model of Ar, 02, Cl2 and Ar/02 high-density plasma discharges / C. Lee, M. Lieberman // J. Vac. Sci. Technol. A. -1995. - V. 13. -P. 368-380.

89 Chantry, P. J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density / P. J. Chantry // J. Appl. Phys. - 1987. - V. 62. - P. 1141-1148.

90 Бровикова, И. H. Кинетические характеристики образования и гибели атомов водорода в положительном столбе тлеющего разряда в Н2 / И. Н. Бровикова, Э. Г. Галиаскаров, В. В. Рыбкин, А. Б. Бессараб // ТВТ. -1998.-Т. 35.-706 с.

91 Clyne, М. A. A. Recombination of ground state halogen atoms. Part 2. Kinetics of overall recombination of chlorine atoms / M. A. A. Clyne, D. H. Stedmane / Trans. Faraday Sos. 64. -1988. -№ 550. -Part 10. -P. 2968-2975.

92 Гершензон, Ю. M. Гетерогенная релаксация колебательной энергии молекул / Ю. М. Гершензон, В. Б. Розенштейн, С. Я. Уманский. - М. : Химия плазм, Атомиздат, 1977. - 61 с.

93 Ефремов А. М., Куприяновская А. П., Светцов В. И. // Журнал прикладной спектроскопии. - 1993. - Т.59. - №3-4. - С.221-225.

94 Jureta, J. Threshold electron impact excitation of hydrogen chloride /J. Jureta, S. Cvejanovic, D. Cvejanovic, M. Kurepa, D. Cubric // J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. - 1989. - V. 22. - P. 2623-2631.

95 Coburn, J. W. Optical emission spectroscopy of reactive plasmas: A method for correlating emission intensities to reactive particle density / J. W. Coburn, M. Chen // J. Appl. Phys. - 1980. - V. 51. - № 6. - P. 3134-1340.

96 Yong, R. A. Dissociation of N2 in Weak RF Discharge / R. A. Yong, G. A. Jonn // J. Chem. Phys. - 1968. - V. 49. - 3505 p.

97 Словецкий, Д. И. Исследование механизма разложения азота в тлеющем разряде. Ч. 1 / Д. И. Словецкий, Р. Д. Тодесайте // Химия высоких энергий. - 1973. - Т. 7 - № 4. - 291 с.

98 Jansson, R. Е. W. Dissociation of N2 in DC Discharge / R. E. W. Jansson, Z. A. Middleton // Brit. J. Phys. - 1967. -V. 18. -1079 p.

99 Handbook on Physics and Chemistry / Edited by D. R. Lide. New-York: CRC Press. 2003 -2004.

100 Бабичев, А. П. Физические величины: справочник / А. П. Бабичев, Н. JI. Бабушкина, А. М. Братковский и др.; под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. - М. : Энергатомиздат, 1991. - 1232 с. - ISBN 5-283-04013-5.

101 Гершензон, Ю. М. Гетерогенная релаксация колебательной энергии молекул / Ю. М. Гершензон, В. Б. Розенштейн, С. Я. Уманский. - М.: Химия плазм, Атомиздат, 1977. - 61 с.

102 Галиаскаров Э. Г. Образование и гибель атомов водорода в тлеющем разряде в водороде и его смесях с азотом. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук.- Иваново, 1997. - 16 с.

103 Бровикова, И. Н. Кинетические измерения характеристик образования и гибели атомов азота в тлеющем разряде постоянного тока в азоте / И. Н. Бровикова, Э. Г. Галиаскаров; Материалы II Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем»: -Иваново, 2000. - С. 171-175.

104 Бровикова, И. Н. Кинетические характеристик образования и гибели атомов азота в плазме N2 / И. Н. Бровикова, Э. Г. Галиаскаров // Теплофизика высоких температур. - 2001. - Т. 39. - № 6. - С. 873-878.

105 Ferreira, С. М. Kinetic theory of low-temperature plasmas in molecular gases / С. M. Ferreira, B. F. Gordiets, E. Tatarova// Plasma Rhys. Control. Fusion -2000. - № 2. - B165-B188.

106 Chantry, P. J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density // J. Appl. Phys. -1987. - V. 62. - P. 1141.

107 Ефремов A. M. Математическое моделирование разряда в хлороводороде / А. М. Ефремов, В. И. Светцов, Д. И. Балашов // Известия Вузов. Химия и хим. технология. -2003. - Т. 46. - № 3. - 118 с.

108 Ефремов, А. М. Параметры плазмы и механизмы травления металлов и полупроводников в хлороводороде / А. М. Ефремов, С. А. Пивоварёнок, В. И. Светцов // Микроэлектроника. -2009. - Т. 38. - С. 163-175.

109 Babaeva, N. Yu. Oxygen ion energy distribution role of ionization, resonant and nonrezonant charge-exchange collisions. / N. Yu. Babaeva, J. K. Lee, Y. W. Shon, E. A. Hudson // J. Vac. Sci. Technol. A. - 2005. - V. 3. - № 4. - P. 699-704.

110 Brovikova, N. The kinetics of production and loss of 0(3 P) oxygen atoms in air plasma /N. Brovikova // High Temperature 11.- 2004. - V. 42. - № 6. -P. 879-882.

111 Maksimov, A. I. Mechanism of formation and decay of some 01 levels in the positive column of a glow discharge in Ог / A. I. Maksimov, V. V. Rybkin // Journal of Applied Spectroscopy - November 1982. - V. 37. - № 5. - P. 1233-1236.

112 Куприяновская, А. П. Компиляция данных по сечениям элементарных процессов для расчетов коэффициентов скоростей процессов в неравновесных системах / А. П. Куприяновская, В. В. Рыбкин, Ю. А. Соколова, А. Н. Тростин. - Черкассы, 1990. - 60 с. - Деп. в ВИНИТИ. № 921-В90.

113 Ефремов А. М., Светцов В.И. Кинетика и механизмы плазмохимических процессов в бинарных смесях С12 с инертными и молекулярными газами // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Иваново. 13-18.05.2005. - 91 с.

114 Pearse, R. W. В. The ^identification of molecular spectra / Pearse R. W. В., Gaydon A. G. - London: New York, 1976. - 409 p.

115 Skorodumov, A. E. Use of optical emission spectroscopy for determining the number concentration of chlorine atoms in a chlorine-oxygen plasma / A. E. Skorodumov, D. V. Sitanov, V. I. Svettsov // High Energy Chemistry. -September-October 2000. - V. 34. - № 5. - P. 331-333.