Ферромагнетизм наноструктурных пленок оксида цинка тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Страумал, Петр Борисович

• Страумал, Петр Борисович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Страумал, Петр Борисович

Введение

Глава 1. Зернограничные фазы в нанокристаллических проводящих оксидах

1.1. Роль проводящих оксидов в современных технологиях

1.2. Зернограничные фазовые превращения и фазовые диаграммы

1.3. Зернограничные фазы в оксиде цинка

1.4. Проводящие оксиды с флюоритной структурой

1.5. Фазы, смачивающие границы зерен

1.6. Однослойная зернограничная сегрегация

1.7. Геттеры для зернограничных примесей

1.8. Высокие концентрации легирующих добавок

1.9. Зернограничные явления в перовскитах

1.10. Влияние способа синтеза на свойства нанокристаллических материалов

1.11. Синтез нанокристаллических оксидов с помощью метода "жидкой керамики"

1.12. Выводы по главе

Глава 2. Увеличение растворимости марганца и кобальта при уменьшении размера зерен в оксиде цинка

2.1. Причины повышения полной растворимости второго компонента в поликристалле при уменьшении размера зерен

2.2. Экспериментальное определение полной растворимости кобальта и марганца в поликристаллах оксида цинка, полученном методом жидкой керамики

2.3. Повышение полной растворимости кобальта в поликристаллах оксида цинка при уменьшении размера зерен

2.4. Повышение полной растворимости марганца в поликристаллах оксида цинка при уменьшении размера зерен

2.5. Адсорбция кобальта и марганца на внешней поверхности и границах зерен оксида цинка как причина повышения их полной растворимости в поликристаллах при уменьшении размера зерен

2.6. Выводы по главе

Глава 3. Критический размер зерен для появления ферромагнитных свойств в оксиде цинка

3.1. Введение

3.2. Критический анализ опубликованных данных о ферромагнетизме оксида цинка: пороговое значение размера зерен для появления ферромагнетизма

3.3. Изготовление чистых и легированных образцов оксида цинка

3.4. Результаты магнитных измерений и структурных исследований

3.5. Выводы по главе

Глава 4. Влияние марганца на ферромагнитные свойства пленок оксида цинка

4.1. Измерения магнитных свойств пленок оксида цинка, легированных марганцем

4.2. Топология зернограничной ферромагнитной сетки в поликристаллах оксида цинка

4.3. Немонотонность зависимости намагниченности насыщения от концентрации марганца

4.4. Выводы по главе

Глава 5. Влияние структуры границ зерен на ферромагнитные свойства пленок оксида цинка

5.1. Аморфные зернограничные прослойки в оксиде цинка, легированном марганцем

5.2. Влияние текстуры на магнитные свойства поликристаллов оксида цинка

5.3. Аморфные зернограничные прослойки в неленированном оксиде цинка

5.4. Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ферромагнетизм наноструктурных пленок оксида цинка»

Актуальность темы

Границы зерен (ГЗ) в поликристаллическом материале влияют на его основные физические и технологические свойства, такие как прочность, пластичность, коррозионная стойкость, диффузионная проницаемость и т.д. Одним из способов, посредствам которого ГЗ влияют на свойства поликристаллов, является их высокая адсорбционная емкость. Мак-Лин еще в 1950-е годы предсказал, что адсорбция второго компонента на ГЗ должна приводить к увеличению общей растворимости этого второго компонента и, соотвестенно, к смещению линий на фазовых диаграммах [1]. Однако в материалах с размером зерен, превышающим несколько микрон, этот эффект исчезающе мал. Появление в последние годы нанокристаллических материалов, и в особенности - материалов, в которых на границах зерен может наблюдаться многослойная адсобция (или прослойки зернограничных фаз, как в например в оксиде цинка, легированном висмутом, применяемом для изготовления варисторов [2]), выдвигает возможное изменение фазовых диаграмм из-за высокой адсорбционной емкости ГЗ на первый план. Поэтому исследования в данном направлении весьма актуальны.

Нанокристаллические оксиды представляют собой крайне интересные объекты в качестве полупроводниковых мембран, материалов для газовых сенсоров, для твердых электролитов топливных элементов, для защитных, декоративных и функциональных покрытий (например энергосберегающие или самоочищающиеся окна). Используются нанокристаллические оксиды и в твердотельной электронике. Так теоретическое предсказание Томашем Дитлом ферромагнитных свойств при комнатной температуре в оксиде цинка, легированном кобальтом, марганцем или железом [3], вызвало настоящий шквал экспериментальных публикаций [4]. Это связано с тем, что наличие высокотемпературного ферромагнетизма у прозрачного широкозонного полупроводника, каким является оксид цинка, делает его чрезвычайно перспективным материалом для спинтроники, поскольку в принципе открывает возможность управлять с помощью магнитного поля электрическими свойствами материала, а с помощью электрического поля — его магнитными свойствами. Однако, как отмечается в обзоре [4], наличие или отсутствие высокотемпературного ферромагнетизма у оксида цинка контролируется дефектами кристаллического строения и его причины остаются во многом непонятными. Поэтому исследование влияние ГЗ на ферромагнетизм в оксиде цинка является одной из наиболее актуальных тем современной физики конденсированного состояния и физического материаловедения.

Цели работы

Данная диссертационная работа имеет две основные цели:

• изучить влияние размера зерен на увеличение предела растворимости легирующих элементов в оксиде цинка;

• исследовать влияние границ зерен на появление ферромагнитных свойств оксида цинка.

Объект исследования

Объектами исследования были нанокристаллические пленки оксида цинка, полученные методом «жидкой керамики» из бутаноатных прекурсоров на подложках из алюминия (поликристаллы) и оксида алюминия (ориентированные монокристаллы). Исследовались нанокристаллические пленки чистого оксида цинка и оксида цинка, легированного марганцем и кобальтом.

Научная новизна

• Впервые обнаружено, что понижение размера зерен оксида цинка с 1000 мкм до 20 нм повышает растворимость кобальта с 2 до 33 ат. %, а марганца - с 12 до 30 ат.%.

• Установлено, что ГЗ в оксиде цинка способны накапливать примерно в 2-4 раза больше кобальта или марганца, чем свободные поверхности.

• Впервые обнаружено, что ферромагнитные свойства чистого и легированного оксида цинка появляются лишь в том случае, если удельная плотность ГЗ в единице объема ^ов превышает некоторое критическое значение

• Установлено, что критическое значение ^ почти на два порядка выше для ZnO, легированного марганцем = (2±4)х10:> м2/м3], чем для чистого гпО [>й1 = (7±3)х107 м2/м3].

• Впервые обнаружено, что зависимость намагниченности насыщения оксида цинка от концентрации марганца очень немонотонна. Показано, что форма зависимости намагниченности насыщения от концентрации марганца различается в нанокристаллическом оксиде цинка, легированным марганцем, полученном разными методами, и зависит от топологии зернограничной сетки в поликристаллах оксида цинка.

• Впервые экспериментально исследована структура границ зерен в чистом и легированном оксиде цинка, ответственных за появление ферромагнитных свойств у оксида цинка.

• На границах зерен в ферромагнитном оксиде цинка впервые наблюдались аморфные прослойки, которые не вносят вклад в смещение пиков дифракции рентгеновских лучей от областей когерентного рассеяния (зерен с вюрцитной решеткой).

• Впервые показано, что намагниченность насыщения в нелегированном оксиде цинка растет с ростом толщины аморфных зернограничпых прослоек. В легированных пленках аморфные зернограничные прослойки аккумулируют примерно две трети атомов марганца.

• Впервые показано, что наличие зернограничной сетки определенной плотности в оксиде цинка необходимо, но не достаточно для появления ферромагнитных свойств в чистом оксиде цинка.

• Впервые показано, что намагниченность насыщения зависит от текстуры пленок, а значит - от распределения границ зерен по разориентациям и ориентациям.

Практическая ценность

Создание ферромагнитных прозрачных полупроводников с температурой Кюри выше 300 К является важнейшей задачей современной спинтроники. Наиболее многобещающим с этой точки зерения является оксид цинка. Используя недавно созданный метод жидкой керамики, нам удалось синтезировать плотные пленки ZnO с нанозеренной структурой, которые при комнатной температуре обладают ферромагнитными свойствами. Сопоставление опубликованных в литературе данных показало, что оксид цинка становится ферромагнитным только если удельная площадь границ зерен, приходящаяся на единицу объема, выше некоторго критического значения. Если границ зерен мало, то ферромагнетизм в ZnO не наблюдается. Это обстоятельство позволило авторам прийти к выводу, что ферромагнетизм в ZnO вызван не свойствами объема кристаллитов, а свойствами непрерывной сетки, состоящей из границ зерен. Таким образом была понята структурная причина появления ферромагнетизма в оксиде цинка и найден способ воспроизводимого синтеза пленок ZnO с ферромагнитными свойствами. Это открывает путь для поисковых работ по созданию полупроводниковых приборов для спинтроники на основе ферромагнитного оксида цинка.

Научные положения, выносимые на защиту

Многократный рост полного предела растворимости кобальта и марганца в нанокристаллическом оксиде цинка по сравнению с моно- или крупно-кристаллическим оксидом цинка.

Экспериментально установленный факт, что при равном размере зерен, смещение границы растворимости в поликристаллах с границами зерен больше, чем в неспеченных порошках без граница зерен. Это означает, что границы зерен способны накапливать примерно в 2-4 раза больше кобальта или марганца, чем свободные поверхности.

Установленный факт, что ферромагнетизм в оксиде цинка наблюдается только, если площадь границ зерен в единице объема материала выше некоторого критического значения. Иными словами, границы зерен образуют своего рода зернограничную сетку в поликристаллах ZnO, которая становится ферромагнитной выше некоторого порога перколяции.

Установленный факт, что критическое значение удельной площади границ зерен в единице объема почти на два порядка выше для ZnO, легированного марганцем, чем для чистого ZnO.

Экспериментально установленный факт, что чистый оксид цинка и оксид цинка, легированный марганцем, с размером зерен 20 нм ферромагнитны. Намагниченность насыщения составляет 2x10 цв/£и. = 0,16 эму/г для пленок оксида цинка, легированных 0,1 ат.% марганца, 0,8x10° [.1В/£и. = 0,04 эму/г для пленок оксида цинка, легированных 10 ат.% марганца о и 1x10 |дв/£и. = 0,06 эму/г для чистого оксида цинка, нанесенного на алюминиевую подложку, а коэрцитивная сила Нс составляет 0,01-0,02 Т.

Экспериментально установленный факт, что намагниченность насыщения оксида цинка очень немонотонно зависит от концентрации марганца. Она резко растет при добавке первых порций марганца в чистый оксид цинка (0-0,1 ат.% Мп), затем снижается почти до нуля между ОД и 5 ат.% Мп, повторно возрастает 5 ат.% Мп и вновь падает при появлении второй фазы Мп304 выше 30 ат.% Мп.

Установленный факт, что форма зависимости намагниченности насыщения от концентрации марганца различается в нанокристаллическом оксиде цинка, легированным марганцем, полученном разными методами, и зависит от . топологии зернограничной сетки - (ферромагнитной зернограничной пены) в поликристаллах оксида цинка.

На границах зерен в ферромагнитном оксиде цинка находятся аморфные прослойки. Так, при размере зерен 20 нм всего лишь треть легирующих атомов марганца встраивается в вюрцитную решетку кристаллитов, а примерно две трети попадают в аморфные прослойки, окружающие зерна.

Экспериментально установленный факт, что намагниченность насыщения оксида цинка зависит от текстуры пленок, а следовательно — от распределения границ зерен по разориентациям и ориентациям.

Экспериментально установленный факт, что намагниченность насыщения в нелегированном оксиде цинка зависит от структуры межзеренных прослоек в оксиде цинка и возрастает с увеличением доли межзеренной аморфной фазы.

Апробация работы

Основные положения и результаты диссертационной работы были доложены и обсуждены на национальных и международных конференциях:

1. Международная конференция «Moscow International Symposium on Magnetism MISM» (Москва, Россия, 2008).

2. Международная конференция «III International Conference on Colloid Chemistry and Physicochemical Mechanics ICCCPCM'08» (Москва, Россия, 2008).

3. Национальная конференция «DPG Frühjahrstagung» (Дрезден, Германия, 2009)

4. Международная конференция «International Conference on Magnetism» (Карлсруэ, Германия, 2009)

5. Международная конференция «Thermodynamics and Transport Kinetics of Nanostructured Materials» TTk (Нордкирхен, Германия, 2009)

6. Национальная конференция «DPG Frühjahrstagung» (Регенсбург, Германия, 2010)

7. Международная конференция «Fourth Seeheim Conference on Magnetism SCM2010» (Франкфурт-на-Майне, Германия, 2010)

8. Международная конференция «Grain Boundary Diffusion, Stresses and Segregation DSS-2010» (Москва, Россия, 2010)

9. VI Международная конференция «Фазовые превращения и прочность кристаллов» (Черноголовка, Россия, 2010)

10. Международная конференция «Е-MRS Fall Meeting 2010» (Варшава, Польша, 2010).

11. Международная конференция «3nd International Symposium on Transparent Conductive Materials TCM 2010» (Аналипси, Греция, 2010)

12. Национальная конференция «DPG Fruhjahrstagung» (Дрезден, Германия, 2011)

13. Международная конференция «Moscow International Symposium on Magnetism MISM» (Москва, Россия, 2011).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 9 научных работ, .в том числе 7 в изданиях, рекомендованных ВАК.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Страумал, Петр Борисович

5.4. Выводы по главе 5

1. Ферромагнитное поведение может наблюдаться в чистом оксиде цинка даже без ферромагнитных легирующих примесей.

2. Наличие зернограничной сетки определенной плотности в оксиде цинка необходимо, но не достаточно для появления ферромагнитных свойств в чистом оксиде цинка.

3. Микроструктуру межзеренных прослоек в оксиде цинка можно изменя ть, изменяя условия синтеза.

4. Намагниченность насыщения М5 зависит от структуры межзеренных прослоек в оксиде цинка.

5. Намагниченность насыщения возрастает с увеличением доли межзеренной аморфной фазы.

6. По всей вероятности условием существования ферромагнитных свойств в чистом оксиде цинка является правильное сочетание взаимопроникающих кристаллической и аморфной фаз.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Страумал, Петр Борисович, 2011 год

1. Wang П., Chiang Y.-M. 11 J. Amer. Ceram. Soc. 1998. V. 81 P. 89-96.

2. Luo J., Wang H., Chiang Y.-M. // J. Amcr. Ceram. Soc. 1999. V. 82. P. 916920.

3. Chiang Y.-M., Silverman L. A., French R. H., Cannon R. M. // J. Amer. Ceram. Soc. 1994. V. 77. P. 1143-1152.

4. Duncan H., Lasia A. // Solid State Ionics. 2005. V. 176. P. 1429 1437.

5. Park M.-B., ChoN.-H. // Solid State Ionics. 2002. V. 154- 155. P. 407-412.

6. Park J.Y., Choi G.M. // Solid State Ionics. 2002. V. 154- 155. P. 535- 540.

7. Chang L.-S., Rabkin E., Straumal B.B., Baretzky В., Gust W. // Acta mater. 1999. V. 47.P. 4041-4046.

8. Straumal В., Rabkin E., Lojkowski W., Gust W., Shvindlerman L.S. // Acta mater. 1997. V. 45. P. 1931-1940.

9. Divinski S.V., Lohmann M., Herzig Chr., Straumal В., Baretzky В., Gust W. //Phys. Rev. B. 2005. V. 71. Pap. 104104.

10. Schölhammer J., Baretzky В., Gust W., Mittemeijer E., Straumal B. // Interface Sei. 2001. V. 9. P. 43-53.

11. MatsuokaM. //Jap. J. Appl. Phys. 1971. V. 10. P. 736-738.

12. Levinson L.M., Philipp H.R. // Amer. Ceram. Soc. Bull. 1986. V. 65. P. 639 -646.

13. Gupta Т.К. //J. Amer. Ceram. Soc. 1990. V. 73. P. 1817-1840.

14. Greliter F., Blatter G. // Semicond. Sei. Technol. 1990. V. 5. P. 111-137.

15. Bhushan В., Kashyap S.C., Chopra K.L. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 2932-2936.

16. Wong J. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. P. 4453-4459.

17. Luo J., Chiang Y.-M., Cannon R. M. // Langmuir. 2005. V. 21. P. 7358-7365.

18. Wong J. // J. Amer. Ceram. Soc. 1974. V. 57. P. 357-359.

19. Wong J., Moms W. G. // Amer. Ceram. Soc. Bull. 1974. V. 53. P. 816-820.

20. Greuter F. // Solid State Ionics 1995. V. 75. P. 67-78.

21. Gambino J.P., Kingery W.D., Pike G.E., Philipp H. R. // J. Amer. Ceram. Soc. 1989. V. 72. P. 642-645.

22. Kingery W.D., van der Sande J.В., Mitamura T. // J. Amer. Ceram. Soc. 1979. V. 62. P.221-222.

23. Olsson E., Falk L.K.L., Dunlop G.L. // J. Mater. Sci. 1985. V. 20. P. 40914098.

24. Olsson E., Dunlop G. L. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. P. 3666-3675.

25. Lee J.-R., Chiang Y.-M., Ceder G. // Acta mater. 1997. V. 45. P. 1247-1257.

26. Сафронов M.A., Батог B.H., Степанюк T.B., Федоров П.М. // Ж. Неорг. Хим. 1971. Т. 16. С. 460-466.

27. Guha J.P., Kunej S., Suvorov D. // J. Mater. Sci. 2004. V. 39. P. 911-918.

28. Clarke D.R. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 2407-2411.

29. Clarke D.R. //J. Amer. Ceram. Soc. 1987. V. 70. P. 15-22.

30. Brochard-Wyart F., di Meglio J.-M., Quéré D., de Gennes P. G. // Langmuir. 1991. V. 7. P. 335-338.

31. Tuller H.L., Nowick A.S. // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. P. 255-259.

32. Filai M., Petot C., Mokchah M., Chateau C., Charpentier J.L. // Solid State Ionics. 1995. V. 80. P. 27-35.

33. Petot-Ervas G., Petot C. // Solid State Ionics. 1999. V. 117. P. 27-39.34| Rizea A., Chirlesan D., Petot C., Petot-Ervas G. // Solid State Ionics. 2002. V. 146. P. 341-353.

34. Badwal S.P.S. // Solid State Ionics. 1995. V. 76. P. 67-80.

35. Aoki M., Chiang Y., Kosacki I., Lee L.J., Tuller H, Liu Y. // J. Amer. Ceram. Soc. 1996. V. 79. P. 1169-1180.

36. Mondal P., Klein A., Jaegermann W., Hahn H. // Solid State Ionics. 1999. V. 118. P. 331-339.

37. Xu G., Zhang Y.W., Liao C.S., Yan C.H. // Solid State Ionics. 2004. Vol. 166. P. 391-396.

38. Butler E .P., Drennan J. // J. Amer. Ceram. Soc. 1982. V. 65. P. 474-478.

39. Godickemier M., Michel B., Orlinka, A., Bohac P., Sasaki K., Gauckler L., Henrich H., Schwander P., Kostorz G., Hofmann H., Frei O. // J. Mater. Res. 1994. V. 9. P. 1228-1240.

40. Feighery A.J., Irvine J.T.S. // Solid State Ionics. 1999. V. 121. P. 209-216.

41. Yuzaki A., Kishimoto A. // Solid State Ionics. 1999. V. 116. P. 47-51.

42. Guo X., Tang C.Q., Yuan R.Z. // J. Eur. Ceram. Soc. 1995. V. 15. P. 25-32.

43. Zhang T.S., Ma J., Kong L.B., Chan S.H., Hing P., Kilner J.A. // Solid State Ionics. 2004. V. 167. P. 203-207.

44. Tschope A., Kilassonia S., Birringer R. // Solid State Ionics. 2004. V. 173. P. 57-61.

45. Yavari A.R., Desre P.J., Benameur T. // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 68. P. 2235-2238.

46. Xu Y., Umemoto M., Tsuchiya K. // Mater. Trans. 2002. Vol. 9. P. 22052212.

47. Ohsaki S., Hono K., Hidaka H., Takaki S. // Scripta Mater. 2005. V. 52. P. 271-276.

48. Wang G.M., Campbell S.J., Calka A., Caczmarek W.F. // NanoStruc. Mater. 1995. V. 6. P. 389-392.

49. Campbell S.J., Wang G.M., Calka A., Caczmarek W.F. // Mater. Sei. Eng. A. 1997. V. 226-228. P. 75-79.

50. Ramos S.M.M., Amarai L., Behar M., Marest G., Vasques A., Zawislak F.C. // Radiat. Eff. Def. Sol. 1989. V. 110. P. 355-365.

51. Straumal B.B., Baretzky В., Mazilkin A.A., Phillipp F., Kogtenkova O.A., Volkov M.N., Valiev R.Z. // Acta Mater. 2004. V. 52. P. 4469-4478.

52. Mazilkin A.A., Straumal B.B., Rabkin E., Baretzky В., Enders S., Protasova S.G., Kogtenkova O.A., Valiev R.Z. // Acta mater. 2006. V. 54. P. 3933-3939.

53. Мятиев A.A., Дьяченко Н.И., Помадчик A.JT., Страумал Г1.Б. // Нано-Микросистем. Технол. 2005. Т. 3 С. 19-25.

54. McLean D. // Grain boundaries in metals. Oxford: Clarendon Press; 1957, p. 120.

55. Trudeau M.L., Huot J.Y., Schulz R. // Appl. Phys. Lett. 1991, V 58, P. 27642766.

56. Suzuki K, Makino A, Inoue A, Masumoto Т. // T. J. Appl. Phys. 1991, V. 70, P. 6232-6237.

57. Heera V, Madhusoodanan KN, Skorupa W, Dubois C, Romanus H. // J. Appl. Phys. 2006, V. 99, N. 123716.

58. Kim M, Laine RM. // J. Ceram. Proc. Res. 2007, V 8, P. 129-136.

59. Lemier C, Weissmuller // J. Acta Mater. 2007, V. 55, P. 1241-1254.

60. Dietl T, Ohno H, Matsukura F,- Cibert J, Ferrand D. // Science 2000, V. 287, P. 1019-1022.

61. Y Pilard M., Epelboin Y., Soyer A. // J. Appl. Crystallogr. 1995, V. 28, P. 279-288.

62. Bates CH, White WB, Roy R. // J. Inorg. Nucl. Chem. 1966, V. 28, P.397.

63. Masuko, K., Ashida, A., Yoshimura, T. and Fujimura, N., // J. Magn. Magn. Mater. 2007, V. 310, P. E711-E713.

64. Mofor, A. C., El-Shaer, A., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Ahlers, H., Siegner, U., Sievers, S., Albrecht, M., Schoch, W., Izyumskaya, N., Avrutin, V., Stoemenos, J. and Waag, A. // Superlatt. Microstruc. 2006, V. 39, P. 381-386.

65. Reddy, L. R., Prathap, P., Subbaiah, Y. P. V, Reddy, K.T. R., and Yi, J. // Sol. State Sci. 2007, V. 9, P. 718-721.

66. Kane MH, Fenwick WE, Strassburg M, Nemeth B, Varatharajan R, Song Q, et al. // Phys. Status Solid! B 2007, V. 244, 1462-1467.

67. Yin S, Xu MX, Yang L, Liu JF, Roesner H, Hahn H, et al. // Phys. Rev. B 2006,V. 73, N. 224408.

68. Zhang Z, Chen Q, Lee HD, Xue YY, Sun YY, Chen H, et al. // J Appl Phys.,2006, V. 100, N. 043909.

69. Borges RP, Pinto JV, da Silva RC, Goncalves AP, Cruz MM, Godinho M. // J Magn Magn Mater., 2007, V. 316, P. El91- El94.

70. Szuszkiewicz W, Morhange JF, Golacki Z, Lusakowski A, Schumm M, Geurts // J. Acta Phys Pol A, 2007, V. 112, P. 363-368.

71. Millot M, Gonzalez J, Molina T, Salas B, Golacki Z, Broto JM, et al. // J Alloys Compd., 2006, V. 423, P. 224-227.

72. Wen QY, Zhang HW, Song YQ, Yang QH, Xiao JQ. // Chin Phys Lett.,2007, V. 24, P. 2955-2958.

73. Nipan GD, Ketsko VA, Kol'tsova TN, Stognii Al, Yanushkevich KI, Pan'kov VV, et al. // Russ J Inorgan Chem., 2006, V. 51, P. 1961-1967.

74. Kolesnik S, Dabrowski B, Mais J. // J Appl Phys., 2004, V. 95, P. 25822586.

75. Wi SC, Kang JS, Kim JH, Lee SS, Cho S-B, Kim BJ, et al. // Phys Status Solidi B, 2004, V. 241, P. 1529-1532.

76. Wang YQ, Yuan SL, Song YX, Liu L, Tian ZM, Li P, et al. // Chin Sci Bull., 2007, V. 52, P. 1019-1023.

77. Okamoto M, Inoue Y, Kawahara T, Morimoto Y. // Jpn J Appl Phys Part 1, 2005, V. 44, P. 4461-6464.

78. Zhang YB, Sritharan T, Li S. // Phys Rev B, 2006, V. 73, N. 172404.

79. Zhu T, Zhan WS, Wang WG, Xiao JQ. // Appl Phys Lett., 2006, V. 89, N. 022508.

80. Bouloudcnine M, Viart N, Colis S, Kortus J, Dinia A. // Appl Phys Lett., 2005, V. 87, N. 052501.

81. Peng YZ, Liew T, Chong TC, Song WD, Li HL, Liu W. // J Appl Phys.,2005, V. 98, N. 114909.

82. Peng YZ, Liew T, Chong TC, An CW, Song WD. // Appl Phys Lett., 2006, V. 88, N. 192110.

83. Peng YZ, Song WD, An CW, Qiu JJ, Chong JF, Lim BC, et al. // Appl Phys A, 2005, V. 80, P. 565-568. *

84. Hays J, Thurber A, Reddy KM, Punnoose A, Engelhard MH. // J Appl Phys.,2006, V. 99, N. 08M123.

85. Chang GS, Kurmaev EZ, Boukhvalov DW, Finkelstein LD, Colis S, Pedersen TM, et al. // Phys Rev B., 2007, V. 75, N. 195215.

86. Wang Y, Sun L, Kong LG, Kang J-F, Zhang X, Han R-Q. // J Alloys Compd., 2006, V. 423, P. 256-259.

87. Quesada A, Garcia MA, Andres M, Hernando A, Ferna'ndez JF, Caballero AC, et al.//J Appl Phys:, 2006, V. 100, N.l 13909.

88. Martinez B, Sandiumenge F, Balcells L, Fontcuberta J, Sibieude F, Monty C. //J Magn Magn Mater., 2005, V. 290, P. 168-170.

89. Cho YM, Choo WK, Kim H, Kim D, Ihm TE. // Appl Phys Lett., 2002, V. 80, P. 3358-3360.

90. Yan SS, Ren C, Wang X, Xin Y, Zhou ZX, Mei LM, et al. // Appl Phys Lett., 2004, V. 84, P. 2376-2378.

91. Lee HJ, Park CH, Jeong SY, Yee K-J, Cho CR, Jung MH, et al. //Appl Phys Lett., 2006, V. 88, N. 062504.

92. Park JH, Kim MG, Jang HM, Ryu S, Kim YM. // Appl Phys Lett., 2004, V. 84, P. 1338-1340.

93. Lee HJ, Ryu GH, Kim SK, Kim SA, Lee C-H, Jeong S-Y, et al. // Phys Status Solidi B, 2004, V. 241, P. 2858-2861.

94. Zhou HJ, Chen LM, Malik V, Knies C, Hofmann DM, Bhatti KP, et al. // Phys Status Solidi A, 2007, V. 204, P. 112-117.

95. Shi TF, Zhu SY, Sun ZH, Wei S, Liu W. // Appl Phys Lett., 2007, V. 90, N.102108.

96. Liu XC, Shi EW, Chen ZZ, Zhang H-W, Zhang T, Song L-X. // Chin Phys., 2007, V. 16, P. 1770-1775.

97. Cui JB, Gibson UJ. // Appl Phys Lett., 2005, V. 87, N. 133108.

98. Cui JB, Zeng Q, Gibson UJ. // J Appl Phys., 2006, V. 99, N. 08M113.

99. Peng YZ, Thomas L, Ye ZZ, Zhang YZ. // Chin Sci Bull., 2007, V. 52, P. 2742-2746.

100. Stamenov P, Venkatesan M, Dorneles LS, Maude D, Coey JMD. // J Appl Phys., 2006, V. 99, N. 08M124.

101. Gacic M, Jakob G, Herbort C, Adrian H, Tietze T, Brueck S, et al. // Phys Rev B., 2007, V. 75, N. 205206.

102. Samanta K, Bhattacharya P, Katiyar RS, Iwamoto W, Pagliuso PG, Rettori C. // Phys Rev B., 2006, V. 73, N. 245213.

103. Wang XF, Xu JB, Zhang B, Yu H, Wang J, Zhang X, et al. // Adv Mater., 2006, V. 18, P. 2476-2480.

104. Ghosh CK, Chattopadhyay KK, Mitra MK. // J Appl Phys., 2007, V. 101, N. 124911.

105. Wang XF, Xu JB, Ke N, Yu J, Wang J, Li Q, et al. // Appl Phys Lett., 2006, V. 88, N. 223108.

106. Maensiri S, Laokul P, Phokha S. // J Magn Magn Mater., 2006, V. 305, P. 381-387.

107. Rubi D, Calleja A, Arbiol J, Capdevila XG, Segarra M, Aragonés L, et al. // J Magn Magn Mater., 2007, V. 316, P. E211-E214.

108. Liu WK, Salley GM, Gamelin DR. // J Phys Chem B, 2005, V. 109, P. 14486-14495.

109. Bouloudenine M, Viart N, Colis S, Dinia A. // Catal Today, 2006, V. 113, P. 240-244.

110. Jayakumar OD, Gopalakrishnan IK, Kulshreshtha SK. // Adv Mater., 2006, V. 18, P. 1857-1860.

111. Damonte LC, Hernandez-Fenollosa MA, Meyer M, Mendoza-Zelis L, Man B. // Phys B-Condensed Mattcr, 2007, V. 398, P. 380-384.

112. Colis S, Bieber H, Be'gin-Colin S, Schmerber G, Leuvrey C, Dinia A. // Chem Phys Lett., 2006, V. 422, P. 529-533.

113. Yuhas BD, Zitoun DO, Pauzauskie PJ, He R, Yang P. // Angew. Chem. Int. Ed., 2006, V. 45, P. 420-423.

114. Bi H, Chen QW, You FY, Zhou XL. // Chin. Phys. Lett., 2006, V. 23, P. 1907-1910.

115. Wang H, Wang HB, Yang FJ, Chen Y, Zhang C, Yang CP, et al. // Nanotechnology, 2006, V. 17, P. 4312-4316.

116. Chu DW, Zeng YP, Jiang DL. // J. Am. Ceram. Soc., 2007, V. 90, P. 22692272.1 18. Clavel G, Pinna N, Zitoun D. // Phys. Status Solidi A, 2007, V. 204, P. 118124.

117. Chiou JW, Tsai HM, Pao CW, Krishna Kumar KP, Ray SC, Chien FZ, et al. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 89, N. 043121.

118. Jian WB, Wu ZY, Huang RT, Chen FR, Kai JJ, Wu CY, et al. // Phys. Rev. B, 2006, V. 73, N. 233308.

119. Deka S, PasrichaR, Joy PA. // Phys. Rev. B, 2006, V. 74, N. 033201.

120. Dinia A, Schmerber G, Merny C, Pierron-Bohnes V, Beaurepaire E. // J. Appl. Phys. 2005, V. 97, N. 123908.

121. Lim SW, Hwang DK, Myoung JM. // Solid State Commun., 2003, V. 125, P. 231-235.

122. Huang B, Zhu DL, Ma XC. // Appl. Surf. Sci., 2007, Y. 253, P. 6892-6895.

123. Song C, Zeng F, Geng KW, Pan F, He B, Yan WS. // Phys. Rev. B, 2007, V. 76, N. 045215.

124. Tay M, Wu YH, Han GC, Chong TC, Zheng YK, Wang SJ, et al. // J. Appl. Phys., 2006, V. 100, N. 063910.

125. Choi CH, Kim SH. // Thin Solid Films, 2007, V. 515, P. 2864-2871.

126. Liu XJ, Song C, Zeng F, Wang XB, Pan F. // J. Phys. D, 2007, V. 40, P. 1608-1613.

127. Zhao ZW, Tay BK, Chen JS, Hu JF, Lim BC, Li GP. // Appl. Phys. Lett., 2007, V. 90, N. 152502.

128. Song C, Zeng F, Geng KW, Wang XB, Shen YX, Pan F. // J. Magn. Magn. Mater., 2007, V. 309, P. 25-30.

129. Liu XC, Shi EW, Chen ZZ, Zhang H-W, Songa L-X, Wang H, et al. // J. Cryst. Growth, 2006, V. 296, P. 135-140.

130. Hsu HS, Huang JCA, Huang YH, Liao YF, Lin MZ, Lee CH, et al. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 88, N. 242507.

131. Wu ZY, Chen FR, Kai JJ, Jian WB, Lin JJ. // Nanotechnology, 2006, V. 17, P. 551 1-5518.

132. Kumar R, Singh F, Angadi B, Choi J-W, Choi W-K, Jeong K, et al. // J. Appl. Phys., 2006, V. 100, N. 113708.

133. Angadi B, Jung YS, Choi WK, Kumar R, Jeong K, Shin SW, et al. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 88, N. 142502.

134. Liu GL, Cao Q, Deng JX, Xing PF, Tian YF, Chen YX, et al. // Appl. Phys. Lett., 2007, V. 90, N. 052504.

135. Lee HJ, Lee SH, Yildiz F, Jeong YH. // J. Magn. Magn. Mater., 2007, V. 310, P. 2089-2091.

136. Nielsen K, Bauer S, Luebbe M, Goennenwein STB, Opel M, Simon J, et al. // Phys. Status Solidi A, 2006, V. 203, P. 3581-3596.

137. Lee HJ, Jeong SY, Cho CR, Park CH. // Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, P. 4020-4022.

138. Hays J, Reddy KM, Graces NY, Engelhard MH, Shutthanandan V, Luo M, et al. // J. Phys. Condens. Matter, 2007, V. 19, N. 266203.

139. Glaspell G, Dutta P, Manivannan A. // J. Cluster. Sci., 2005, V. 16, P. 523536.

140. Belghazi Y, Schmerber G, Colis S, Rehspringer JL, Berrada A, Dinia A. // J. Magn. Magn. Mater., 2007, V. 310, P. 2092-2094.

141. Belghazi Y, Schmerber G, Colis S, Rehspringer JL, Dinia A, Berrada A. // Appl. Phys. Lett., 2006,V. 89, N. 122504.

142. Manivannan A, Dutta P, Glaspell G, Seehraa MS. // J. Appl. Phys., 2006, V. 99, N. 08M110.

143. Zhou HJ, Knies C, Hofmann DM, Stehr J, Volbers N, Meyer BK, Chen L, Klar P, Heimbrodt W. // Phys. Status Solidi A, 2006, V. 203, P. 2756-2759.

144. Khare N, Kappers MJ, Wei M, Blamire MG, MacManus-Driscoll JL. // Adv. Mater., 2006, V. 18, P. 1449-1452.

145. Zulcova A, Teiserskis A, van Dijken S, Gun'ko YK, Kazlauskiene V. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 89, N. 232503.

146. Chambers SA, Schwartz DA, Liu WK, Kittilstved KR, Gamelin DR. // Appl. Phys. A, 2007, V. 88, P. 1-5.

147. Ramachandran S, Tiwari A, Narayan J. // J. Electron. Mater., 2004, V. 33, P. 1298-1302.

148. Prater JT, Ramachandran S, Tiwari A, Narayan J. // J. Electron. Mater. 2006, V. 35, P. 852-856.

149. Chakraborti D, Ramachandran S, Trichy G, Narayan J, Prater JT. // J. Appl. Phys. 2007, V. 101, N. 053918.

150. Xu QY, Hartmann L, Schmidt H, Hochmuth H, Lorenz M, Schmidt-Grund R, Sturm C, Spemann D, Grundmann M. // Phys. Rev. B, 2006, V. 73, N. 205342.

151. Xu QY, Hartmann L, Schmidt H, Hochmuth H, Lorenz M, Schmidt-Grund R, Spemann D, Grundmann M. // J. Appl. Phys., 2006, V. 100, N. 013904. ~

152. Xu QY, Hartmann L, Schmidt H, Hochmuth H, Lorenz M, Schmidt-Grund R, Spemann D, Rahm A, Grundmann M. // Thin Solid Films, 2006, V. 515, P. 2549-2554.

153. Schmidt H, Diaconu M, Hochmuth H, Benndorf G, von Wenckstern H, Biehne G, Lorenz M, Grundmann M. // Appl. Phys. A, 2007, V. 88, P. 157160.

154. Prellier W, Fouchet A, Simon C, Mercey B. // Mater. Sei. Eng. B, 2004, V. 109, P. 192-195.

155. Dorneies LS, O'Mahony D, Fitzgerald CB, McGee F, Venkatesan M, Stanca I, Lunney JG, Coey JMD. // Appl. Surf. Sei., 2005, V. 248, P. 406-410.

156. Zhang YB, Liu Q, Sritharan T, Gan CL, Li S. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 89, N. 042510.

157. Kobayashi M, Ishida Y, Hwang Jl, Mizokawa T, Fujimori A, Mamiya K, Okamoto J, Takeda Y, Okane T, Saitoh Y, Muramatsu Y, Tanaka A, Saeki H, Tabata H, Kawai T. // Phys. Rev. B, 2005, V. 72, N. 201201.

158. Liu Q, Yuan CL, Gan CL, Han GC. // J. Appl. Phys. 2007, V. 101, N. 073902.

159. Neal JR, Behan AJ, Ibrahim RM, Blythe HJ, Ziese M, Fox AM, Gehring GA. // Phys. Rev. Lett., 2006, V. 96, N. 197208.

160. Xu XH, Blythe HJ, Ziese M, Behan AJ, Neal JR, Mokhtari A, Ibrahim RM, Fox AM, Gehring GA. // New J. Phys., 2006, Y. 8, N. 135.

161. Saeki H, Matsui H, Kawai T, Tabata H. // J. Phys. Condens. Matter., 2004, V. 16, P. S5533- S5540.

162. Budhani C, Pant P, Rakshit RK, Senapati K, Mandai S, Pandey NK, Kumar J. // J. Phys. Condens. Matter, 2005, V. 17, P. 75-86.

163. Mandai SK, Das AK, Nath TK, Karmakar D, Satpati B. // J. Appl. Phys.,2006, V. 100, N. 104315.

164. Volbers N, Zhou H, Knies С, Pfisterer D, Sann J, Hofmann DM, Meyer BK. // Appl. Phys. A, 2007, V. 88, P. 153-155.

165. Qiu XQ, Li LP, Tang CL, Li G. // J. Am. Chem. Soc., 2007, V. 129, P. 11908-11909.

166. Deka S, Joy PA. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 89, N. 032508.

167. Qiu XQ, Li LO, Li GS. // Appl. Phys. Lett., 2006, V. 88, N. 114103.

168. Yin Z, Chen N, Chai С, Yang F. // J Appl Phys 2004, V. 96, P. 5093.

169. Dinia A, Ayoub JP, Schmerber G, Beaurepaire E, Muller D, Grobb J // J. Phys Lett 2004, V. 333, P. 152-156.

170. Song С, Geng KW, Zeng F, Wang XB, Shen YX, Pan F, Xie YN, Liu T, Zhou HT, Fan Z. // Phys. Rev. В, 2006, V. 73, N. 024405.

171. Song С, Pan SN, Liu XJ, Li XW, Zeng F, Yan WS, He B, Pan F. // J. Phys. Condens. Matter, 2007, V. 19, N. 176229.

172. Kim YS, Ко YD, Tai WP. // J. Electroceram., 2006, V. 17, P. 235-240.

173. Song C, Liu XJ, Geng KW, Zeng F, Pan F, He B, Wei SQ. // J. Appl. Phys.,2007, V. 101, N. 103903.

174. Antony J, Pendyala S, Sharma A, Chen XB, Morrison J, Bergman L, Qiang Y. // J. Appl. Phys., 2005, V. 97, N. 10D307.

175. Pakhomov AB, Roberts BK, Tuan A, Shutthanandan V, McCready D, Thevuthasan S, and Chambers SA, Krishnan KM. // J. Appl. Phys., 2004, V. 95, P. 7393-7395.

176. Hsu HS, Huang JCA, Chen SF, Liu CP. // Appl. Phys. Lett., 2007, V. 90, N. 102506.

177. Liu YZ, Xu QY, Schmidt H, Hartmann L, Hochmuth FI, Lorenz M, Grundmann M, Han X, Zhang Z. // Appl. Phys. Lett., 2007, V. 90, N. 154101.

178. Ueda K, Tabata H, Kawai T. // Appl. Phys. Lett., 2001, V. 79, P. 988-990.

179. Martinez-Criado G, Segura A, Sans JA, A. Horns, J. Pellicer-Porres, Susini J. // Appl. Phys. Lett., 2006, v. 89, N. 061906.

180. Bartolome F, Blasco J, García LM, García J, Jiménez S, Lozano A. // J. Magn. Magn. Mater., 2007, V. 316, P. E195-E198.

181. Kshirsagar SD, Inamclar D, Gopalakrishnan IK, Kulshreshtha SK, Mahamuni S. // Solid State Commun, 2007, V. 143, P. 457-460.

182. Naeem M, Hasanain SK, Kobayashi M, Ishida Y, Fujimori A, Buzby S, Ismat Shah S. //Nanotechnology, 2006, V. 17, P. 2675-2680.

183. Martinez B, Sandiumenge F, Balcells L, Arbiol J, Sibieude F, Monty C. // Phys. Rev. B, 2005, V. 72, N. 165202.

184. Yang LW, Wu XL, Qiu T, Siu GG, Chu PK. // J. Appl. Phys., 2006, V. 99, N. 074303.

185. Thota S, Dutta T, Kumar J. // J. Phys. Condens. Matter, 2006, V. 18, N. 2473.

186. Lord Kelvin WT. // Philos Mag 1887, V. 24, P. 503.

187. Diaconu, M., Schmidt, H., Hochmuth, H., Lorenz, M., Benndorf, G., Spemann, D., Setzer, A., Esquinazi, P., Pöppl, A., von Wenckstern, H.,

188. Nielsen, K.-W., Gross, R., Schmid, H., Mader, W., Wagner, G. and Grundmann, M., // J. Magn. Magn. Mater. 2006, V. 307, P. 212-221.190J Kolesnik, S. and Dabrowsld, B. // J. Appl. Phys. 2004, V. 96, P. 5379-5381.

189. Peiteado, M., Caballero, A. C. and Makovec, D. // J. Europ. Ceram. Soc. 2007, V. 27, P. 3915-3918.

190. Lawes, G., Risbud, A. S., Ramirez, A. P. and Seshadi, R. // Phys. Rev. B 2005, V. 71, N. 045201.

191. Pradhan, A. K., Hunter, D., Zhang, K., Dadson, J. B., Mohanty, S., Williams, T. M., Lord, K., Rakhimov, R. R., Roy, U. N., Cui, Y., Burger, A., Zhang, J. and Sellmyer, D. J. // Appl. Surf. Sci. 2005, V. 252, P. 1628-1633.

192. Schmidt, H., Diaconu, M., Hochmuth, H., Lorenz, M., Setzer, A., Esquinazi, P., Poppl, A., Spemann, D., Nielsen, K.-W., Gross, R., Wagner, G. and Grundmann, M. // Superlatt. Microstruc. 2006, V. 39, P. 334-339.

193. Diaconu, M., Schmidt, H., Hochmuth, H., Lorenz, M., Benndorf, G., Lenzner, J., Spemann, D., Setzer, A., Nielsen, K.-W., Esquinazi, P. and Grundmann, M. // Thin Solid Films 2005, V. 486, P. 117-121.

194. Venkataraj, S., Ohashi, N., Sakaguchi, I., Adachi, Y., Ohgaki, T., Ryoken, H. andHaneda, H. //J. Appl. Phys. 2007, V. 102, N. 014905.

195. Maiti, U. N., Ghosh, P. K., Nandy, S. and Chattopadhyay, K. K. // Phys. B 2007, V. 387, P. 103-108.

196. Bhatti, K. P., Chaudhary, S., Pandya, D. K. and Kashyap, S. C. // Sol. State Comm. 2006, V. 140, P. 23-27.

197. Costa-Kramer, J. L., Briones, F., Fernandez, J. F., Caballero, A. C., Villegas, M., Diaz, M., Garcia, M. A. and Hernando, A. // Nanotechnol. 2005, V. 16, P. 214-218.

198. Pal, M. and Pal, M. // Jap. J. Appl. Phys. 2005, V. 44, P. 7901-7903.

199. Li, X. Z., Zhang, J. and Sellmyer, D. J. // Sol. State. Comm. 2007, V. 141, P. 398-401.

200. Dhananjay, A., Nagaraju, J. and Krupanidhi, S. B. // J. Mater. Sci. Eng. B 2006, V. 133, P. 70-76.

201. Samanta, K., Dussan, S., Katiyar, R. S. and Bhattacharya, P. // Appl. Phys. Lett. 2007, V. 90, N. 261903.

202. Savchuk, A. I., Gorley, P. N., Khomyak, V. V., Ulyanytsky, K. S., Bilichuk, S. V., Perrone, A. and Nikitin, P. I. // Mater. Sci. Eng. B 2004, V. 109, P. 196199.

203. Barick K. C. and Bahadur, D. // Nanotechnol. 2007, V. 7, P. 1935-1940.

204. Jayakumar, O. D., Salunke, H. G., Kadam, R. M., Mohapatra, M., Yaswant, G. and Kulshreshtha, S. K. //Nanotechnol. 2006, V. 17, P. 1278-1285.

205. Alaria, J., Turek, P., Bernard, M., Bouloudenine, M., Berbadj, A., Brihi, N., Schmerber, G., Colis, S. and Dinia, A. // Chem. Phys. Lett. 2005, Y. 415, P. 337-341.

206. Kang, Y. J., Kim, D. S., Lee, S. H., Park, J., Je, J. C., Moon, Y., Lee, G., Yoon, J., Jo, Y. and Jung, M.-H. // J. Phys. Chem. C 2007, V. 111, P. 1495614961.

207. Cong, C. J. and Zhang, K. L. // Phys. Stat. Sol. B 2006, V. 243, P. 27642771.

208. Kim, D. S., Lee, S., Min, C., Kim, H. M., Yuldashev, S. U., Kang, T. W., Kimand, D. Y. and Kim, T. W. // Jap. J. Appl. Phys. 2003, V. 42, P. 72177221.

209. Sarma, D. D., Viswanatha, R., Sapra, S., Prakash, A. and Garcia-Hernadez, M. J. //Nanosci. Nanotechnol. 2005, V. 5, P. 1503-1508.

210. Chang, Y. Q., Wang, D. B., Luo, X. H., Xu, X. Y., Chen, X. H., Li, L., Chen, C. P., Wang, R. M., Xu, J. and Yu, D. P. // Appl. Phys. Lett. 2003, V. 83, P. 4020-4022.

211. Meron, T. and Markovich, G. // J. Phys. Chem. B 2005, V. 109, P. 2023220236.

212. Deka, S. and Joy, P. A. // Sol. State. Comm. 2007, V. 142, P. 190-194.

213. Hosford, W. F. // Materials Science: An Intermediate Text. Cambridge University Press; Cambridge etc. 2007, P. 7-9.

214. Clarke, D. R., Shaw, T. M., Philipse, A. P. and Horn, R. G.Hi. Amer. Ceram. Soc. 1993, V. 76, P. 1201-1204.

215. Tanaka, I., Kleebe, H.-J., Cinibulk, M. K., Bruley, J., Clarke, D. R. and Rühle, M. J. //Amer. Ceram. Soc. 1994, V. 77, P. 911-914.

216. Bobeth, M., Clarke, D. R. and Pompe, W. // J. Amer. Ceram. Soc. 1999, V. 82, P. 1537-1546.

217. Kleebe, H.-J., Hoffman, M. J. and Rühle, M. // Z. Metallkd. 1992, V. 83, P. 610-617.

218. Kleebe, H.-J., Cinibulk, M. K., Cannon R. M. and Rühle M. // J. Amer. Ceram. Soc. 1993, V. 76, P. 1969-1977.

219. Ackler, H. D. and Chiang, Y.-M. // J. Amer. Ceram. Soc. 1997, V. 80, P. 1893-1896.

220. Chiang, Y.-M., Wang, H. and Lee, J.-R. // J. Microsc. 1998, V. 191, P. 275285.

221. Ackler, H. D. and Chiang, Y.-M. // J. Amer. Ceram. Soc. 1999, V. 82, P. 183-196.

222. Cannon, R. M. and, Esposito, L. // Z. Metallkd. 1999, V. 90, P. 1002-1015.

223. Avishai, A., Scheu, C. and Kaplan, W. D. // Acta Mater. 2005, V. 53, P. 1559-1569.

224. Levi, G. and Kaplan, W. D. //J. Mater. Sei. 2006, V. 41, P. 817-821.

225. Baram, M. and Kaplan, W.D. // J. Mater. Sei. 2006, V. 41, P. 7775-7784.

226. Cahn, J. W. // J. Chem. Phys. 1977, V. 66, P. 3667-3679.

227. Eustathopoulos, N. //Int. Met. Rev. 1983, V. 28, P. 189-210.

228. Straumal, B., Muschik, T., Gust, W. and Predel B. // Acta Metall. Mater. 1992, V. 40, P. 939-945.

229. Straumal, B., Molodov, D. and Gust, W. // J. Phase Equilibria 1994, V. 15, P. 386-391.

230. Qian, H. and Luo // J. Acta Mater. 2008, V. 56, P. 4702-4714.

231. Straumal, B. B., Polyakov, S. A., Chang, L.-S. and Mittemeijer, E. J. //Int. J. Mater. Res. 2007, V. 98, P. 451-456.

232. Straumal, B., Prokofjev, S. I., Chang, L.-S., Sluchanko, N. E., Baretzky, B., Gust, W. and Mittemeijer, E. //Def. Diff. Forum. 2001, V. 194-199, P. 13431348.

233. Straumal, B. B., Mazilkin, A. A., Kogtenkova, O. A., Protasova, S. G. and Baretzky B. // Phil. Mag. Lett. 2007, V. 87, P. 423-430.

234. Straumal, B. B., Kogtenkova, O., and Zi^ba, P. // Acta Mater 2008, V. 56, P. 925-933.

235. Rabkin, E. I., Semenov, V. N., Shvindlerman, L. S. and Straumal, B. B. // Acta metall. Mater. 1991, V. 39, P. 627-639.

236. Noskovich, O. I., Rabkin, E. I., Semenov, V. N., Straumal, B. B. and Shvindlerman, L. S. // Acta metall. Mater. 1991, V. 39, P. 3091-3098.

237. Straumal, B. B., Noskovich, O. I., Semenov, V. N., Shvindlerman, L. S., Gust, W. and Predel, B. // Acta metall mater 1992, V. 40, P. 795-801.

238. Gupta, V. K., Yoon, D. H., Meyer III H. M. and Luo, J. // Acta Mater. 2007, V. 55, P. 3131-3142.

239. Luo, J., Gupta, V. K., Yoon, D. H. and Meyer, H. M. // Appl. Phys. Lett. 2005, V. 87, N. 231902.

240. Tang, M., Carter, W. C. and Cannon, R. M. // Phys. Rev. Lett. 2006, V. 97, N. 075502.

241. Luo, J. and Shi, X. // Appl. Phys. Lett., 2008, 92, 101901, 3 pp.

242. Tang, M., Carter, W. C. and Cannon, R. M. // Phys. Rev. B 2006, V. 73, N. 024102.

243. Luo, J., Tang, M., Cannon, R. M., Carter, W. C. and Chiang, Y.-M. // Mater. Sci. Eng., A 2006, V. 422, P. 19-28.

244. Luo, J. // Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2007, V. 32, P. 67-101.

245. Straumal, B. B., Gornakova, A. S., Kogtenkova, O. A., Protasova, S. G., Sursaeva, V. G., and Baretzky, B. // Phys. Rev. B 2008, V. 78, N. 054202.

246. Dillon, S. J. and Harmer, M. P. // Acta Mater. 2007, V. 55, P. 5247- 5254.

247. Dillon, S. J., Tang, M., Carter,W. C. and Harmer,M. P. // Acta Mater. 2007, V. 55, P. 6208-6218.

248. Dillon, S. J. and Harmer,M. P. // J. Europ. Ceram. Soc. 2008, V. 28, P. 1485-1493.

249. Straumal, B. B., Mazilkin, A. A., Straumal, P. B. and Myatiev, A. A. // Int J Nanomanufact 2008, V. 2, P. 253.

250. Luo, J. and Chiang, Y.-M. // Annual Rev. Mater. Res. 2008, V. 38, P. 227249.

251. Luo, J. and Chiang, Y.-M. // Acta Mater. 2000, V. 48, P. 4501-4515.

252. Qian, H. and Luo, J. // Appl. Phys. Lett. 2007, V. 91, N. 061909.

253. Qian, H., Luo, J. and Chiang, Y.-M. // Acta Mater. 2008, V. 56, P. 862-873.

254. Izaki, M. // In Moscow International Symposium on Magnetism, eds. N. Perov et al. Lomonosov State University, Moscow, 2008, p. 703.

255. N. H. Hong, J. Sakai and V. Brize // J. Phys. Cond. Mat. 2007, V. 19, N. 036219.

256. C. D. Pemmaraju, R. Hanafin, T. Archer, H. B. Braun et al. // Phys. Rev. B 2008, V. 78, N. 054428.

257. C. Xu, J. Chun, D. Kim, B. Chon et al. // Appl. Phys. Lett. 2007, V. 91, N. 153104.

258. D. L. I-Iou, X. J. Ye, X. Y. Zhao, H. J. Meng et al. // J. Appl. Phys. 2007, V. 102, N. 033905.

259. T. S. Herng, S. P. Lau, S. F. Yu, J. S. Chen et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2007, V. 315, P. 107.

260. M. Venkatesan, C. B. Fitzgerald and J. M. D. Coey // Nature 2004, V. 430, P. 630.

261. J.B. Yi, H. Pan, J.Y. Lin, J. Ding et al. // Adv. Mater. 2008, V. 20, P. 1170.

262. Z. Yan, Y. Ma, D. Wang, J. Wang et al. // Appl. Phys. Lett. 2008, V. 92, N. 081911.

263. Q.Y. Xu, H. Schmidt, S.Q. Zhou, K. Potzger et al. // Appl. Phys. Lett. 2008, V. 92, N. 082508.2661 Z.J. Yan, Y.W. Ma, D.L. Wang, J. Wang et al. // J. Phys. Chem. C 2008, V. 112, P. 9219.

264. J. M. D. Coey, M. Venkatesan and C. B. Fitzgerald // Nature Mater. 2005, V. 4, P. 173.

265. R. Monnier and B. Delley //Phys. Rev. Lett. 2001, V. 87, N. 157204.

266. I. S. Elfimov, S. Yunoki and G. A. Sawatzky // Phys. Rev. Lett. 2002, V. 89, N. 216402.

267. M. Ivill, S. J. Pearton, S. Rawal, L. Leu et al. // New J. Phys. 2008, V. 10, N. 065002.

268. B. B. Straumal, A. A. Mazilkin, S. G. Protasova, A. A. Myatiev et al. // Acta Mater. 2008, V. 56, P. 6246.

269. T. Tietze, M. Gacic, G. SchLitz, G. Jakob et al. //New J. Phys. 2008, V. 10, N. 055009.

270. A. Sundaresan, R. Bhargavi, N. Rangarajan, U. Siddesh et al. // Phys.Rev B2006, V. 74, N. 161306.

271. D. Sanyal, M. Chakrabarti, T.K. Roy and A. Chakrabarti // Phys. Lett. A2007, V. 371, P. 482.

272. J.H. Yang, L.Y. Zhao, Y.J. Zhang and Y.X. Wang // Sol. State. Comm. 2007, V. 143, P. 566.

273. S. Riyadi, M. Muafif, A.A. Nugroho and A. Rusydi // J. Phys. Cond. Mat.2007, V. 19, N. 476214.

274. T. Tamura and H. Ozaki // J. Phys. Cond. Mat.2009, V. 21, N. 026009.

275. D.F. Wang, S.Y. Park, Lee HW and Y. S. Lee // Phys. Stat. Sol. A 2007, V. 204, P. 4029.

276. N. Gopalakrishnan, J. Elanchezhiyan, K.P. Bhuvana and T. Balasubramanian // Scr. Mater. 2008, V. 58, P. 930.

277. D. P. Joseph, G. S. Kumar and C. Venkateswaran // Mater. Lett. 2005, V. 59, P. 2720.

278. S. W. Yoon, S.-B. Cho, S. C. We, S. Yoon et al. // J. Appl. Phys. 2003, V. 93, P. 7879.

279. K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura // J. Appl. Phys.2008, V. 103, N. 043714.

280. P. Thakur, K.H. Chae, M. Subramanian, R. Jayavel et al. // J. Korean Phys. Soc. 2008, V. 53, P. 2821.

281. S.Y. Park, H.W. Lee and J.Y. Rhee // J. Korean Phys. Soc. 2007, V. 51, P. 1497.

282. J. Elanchezhiyan, K.P. Bhuvana, N. Gopalakrishnan and T. Balasubramanian//Mater. Lett. 2008, V. 62, P. 3379.

283. G.H. Ji, Z.B. Gu, M.H. Lu, D. Wu et al. // J. Phys. Cond. Mat. 2008, V. 20, N. 425207.

284. J.C. Pivin, G. Socol, I. Mihailescu, P. Berthet et al. // Thin Solid Films 2008, V. 517, P. 916.

285. M.D. Mukadam and S.M. Yusuf// Phys. B. Cond. Mat. 2008, V. 403, P. 2602.

286. Y. Zhang, E.W. Shi and Z.Z. Chen // J. Cryst. Growth 2008, V. 310, P. 2928.

287. L.B. Duan, G.H. Rao, J. Yu and Y.C. Wang // J. Appl. Phys. 2007, V. 102, N. 103907.

288. B. Babic-Stojic, D. Milivojevic, J. Blanusa and V. Spasojevic // J. Phys. Cond. Mat. 2008, V. 20, N. 235217.

289. E. Schlenker, A. Bakin, H. Schmid and W. Mader // Appl. Phys. A 2008, V. 91, P. 375.

290. D.F. Wang, S.Y. Park and Y.P. Lee // J. Korean Phys. Soc. 2008, V. 53, P. 2257.

291. H.L. Yan, J.B. Wang, X.L. Zhong and Y.C. Zhou // Appl. Phys. Lett. 2008, V. 93, N. 142502.

292. I. Djerdj, G. Garnweitner, D. Arcon and M. Pregelj // J. Mater. Chem. 2008, V. 18, P. 5208.

293. G. Mayer, M. Fonin, S. Foss, U. Rüdiger, and E. Goering // IEEE Trans, on Mag. 2008, V. 44, P. 2700.

294. B.B. Straumal, B. Baretzky, A.A. Mazilkin, S.G. Protasova, A.A. Myatiev, P.B. Straumal//J Eur. Ceram. Soc. 2009, V. 29 P. 1963-1970.

295. W.S. Chiu, P.S. Khiew, D. Isa, M. Cloke et al. // Chem, Eng. J. 2008, V. 142, P. 337.

296. J.L. Läbär//Microsc. Microanal. 2008, V. 14, P. 287.

297. M. Lafkioti, E. Goering, S. Gold, G. Schuetz, S. N. Barilo, S. V.Shiryaev, G. L. Bychkov, P. Lemmens, V. Hinkov, J. Deisenhofen and A. Loidl // New Phys. 2008, V. 10, N. 123030.

298. N. Grumbach, A. Barla, L. Joly, B. Donnio, G. Rogez, E. Terazzi, J.-P. Kappler, and J.-L.Gallani // Eur. Phys. J. 2010, V. 73, P. 103.

299. N. H. Hong, A. Barla, J. Sakai, and N. Q. Huong // Phys. Stat. Sol. C 2007, V. 4, P. 4461.

300. A. Ney, K. Ollefs, T. Kammermeier, V. Ney, T. C. Kaspar, S. A. Chambers, F. Wilhelm, and A. Rogalev// Phys. Rev. Lett. 2008, V. 100, N. 157201.

301. B. B. Straumal, A. A. Mazilkin, S. G. Protasova, A. A. Myaticv, P. B. Straumal, G. Schiitz, P. A. van Aken, E. Goering, and B. Baretzky // Phys. Rev. B 2009, V. 79, N. 205206.

302. B. B. Straumal, B. Baretzky, A. A. Mazilkin, S. G. Protasova, A. A. Myatiev, and P. B. Straumal //J. Eur. Ceram. Soc. 2009, V. 29, P. 1963.

303. M. Subramanian, V. Selvaraj, P. Ilanchezhiyan, G. M. Kumar, R. Jayavel, and T. Soga // Jap. J.Appl.Phys. 2009, V. 48, N. 06FF07.

304. C. W. Zou, H. J. Wang, M. L. Yi, M. Li, C. S. Liu, L. P. Guo, D. J. Fu, and T. W. Kang //Appl. Surf. Sci. 2010, V. 256, P. 2453.

305. L. W. Yang, X. L. Wu, G. S. Huang, T. Qiu, and Y. M. Yang // J. Appl. Phys. 2005, V. 97, N. 014308.

306. P. Thakur, K. H. Chae, J.-Y. Kim, M. Subramanian, R. Jayavel, and K. Asokan // Appl. Phys. Lett. 2007, V. 91, N. 162503.

307. P. Abbamonte, L. Venama, A. Rusydi, G. A. Sawatzky, G. Logvenov, and I. Bozovic // Science 2002, V. 297, P. 581.

308. K. Asokan, J. C. Jan, K. V. R. Rao, J. W. Chiou, H. M. Tsai, S. Mookerjee, W. F. Pong, M.-Fl. Tsai, R. Kumar, S. Husain, and J. P. Shrivastava // J. Phys.: Condens. Matter 2004, V. 16, P. 3791.

309. J.-H. Guo, A. Gupta, P. Sharma, K. V. Rao, M. A. Marcus, C. L. Dong, J. M. O. Guillen, S. M. Butorin, M. Mattesini, P. A. Glans, K. E. Smith, C. L. Chang, and R. Ahuja // J. Phys.: Condens. Matter 2007, V. 19, N. 172202.

310. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben // Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, 1st edn., edited by J. Chastain and P. C. Kling, Jr. (Physical Electronics, Inc., Eden Prairie, MN, 1995).

311. S. Doniach, M. Sunjic //J. Phys. С 1970, V. 3, P. 285.

312. F. M. F. de Groot, J. C. Fuggle, В. T. Thole, and G. A. Sawatzky // Phys. Rev. В 1990, V. 42, P. 5459.

313. G. van der Laan and I. W. Kirkman // J. Phys.: Condens. Matter 1992, V. 4, P. 4189.

314. A. Di Trolio, C. Veroli, A. M. Testa, and D. Fiorani // Superlatt. Microstruc. 2009, V. 46, P. 101.

315. A. K. Murtazaev, A. B. Babaev, and G. Ya. Aznaurova // Sol. State Phen. 2009, V. 152-153, P. 57.

316. A. K. Murtazaev, A. B. Babaev, and G. Ya. Aznaurova // J. Exp. Theor. Phys. 2009, V. 109, P. 442.

317. P. Thakur, S. Gautam, К. H. Chae, M. Subramanain, R. Jayavel, and K. Asokan // J. Korean Phys. Soc. 2009, V. 55, P. 177.

318. B.B. Straumal, S.G. Protasova, A.A. Mazilkin et al. // J. Appl. Phys. 2010, V. 108, N. 073923.

319. Б.Б. Страумал. Фазовые переходы на границах зерен, М.: Наука, 2003.

320. М. Yuan, W. Fu, Н. Yang et al. // Mater. Lett. 2009, V. 63, P. 1574.

321. H. Saal, M. Binnewies, M. Schrader et al. // Chem. Eur. J. 2009, V. 15, P. 6408.

322. B. Straumal, R. Valiev, O. Kogtenkova et al. // Acta Mater 2008, V. 56, P. 6123.

323. Б.Б. Страумал, Б.С. Бокштейн, А.Б. Страумал и др. // Письма в ЖЭТФ 2008, Т. 88, С. 615. B.B. Straumal, B.S. Bokstein, А.В. Straumal et al. // JETP Letters 2008, V. 88, P. 537.

324. V.V. Belousov // JETP Letters 2008, V. 88, P. 297.

325. G.A. Lopez, E.J. Mittemeijer, B.B. Straumal // Acta Mater. 2004, V. 52, P. 4537.

326. B.B. Straumal, B. Baretzky, O.A. Kogtenkova et al. // J. Mater. Sci. 2010, V.45, P. 2057.

327. B.B. Straumal, O.A. Kogtenkova, A.B. Straumal et al. //J. Mater. Sei. 2010, V. 45, P. 4271.

328. Z. L. Lu, H. S. Hsu, Y. H. Tzeng, F. M. Zhang, Y. W. Du, and J. C. A. Huang // Appl. Phys. Lett. 2009, V. 95, N. 102501.

329. S. Kobayashi, S. Tsurekawa, T. Watanabe, and G. Palumbo // Scripta Mater. 2010, V. 62, P. 294.

330. S. Tsurekawa, K. Okamoto, K. Kawahara, and T. Watanabe // J. Mater. Sei. 2005, V. 40, P. 895.

331. B. B. Straumal, S. G. Protasova, A. A. Mazilkin, A. A. Myatiev, P. B. Straumal, G. Schütz, E. Goering, and B. Baretzky. // J. Appl. Phys. 2010, V. 108, N. 073923.

332. B. B. Straumal, A. A. Myatiev, P. B. Straumal, A. A. Mazilkin, S. G. Protasova, E. Goering, and B. Baretzky. // JETP Lett. 2010, V. 92, P. 433.

333. J. W. Lee, S. Kuroda, F. Takano, H. Akinaga, and K. Takita // Phys. Status Solidi C 2006, V. 3,P. 4098.

334. F.-Y. Ran, M. Imaoka, M. Tanemura, Y. Hayashi, T.-S. Herng, and S.-P. Lau // Phys. Status Solidi B 2009, V. 246, P. 1243.

335. T. Dietl // Nature Mater. 2010, V. 9, P. 965.

336. YM. Hu, C.Y. Wang, S.S, Lee, T.C. Han and W.Y. Chou // Thin Solid Films 2010, V. 519, P. 1272.

337. F. Schoofs, T. Fix, A.M.H.R. Hakimi, S.S. Dhesi, G. van der Laan, S.A. Cavill, S. Langridge, J.L. MacManus-Driscoll and M.G. Blamire // J. Appl. Phys. 2010, V. 108, N. 053911.

338. S.B. Ogale// Adv. Mater. 2010, V. 22, P. 3125.

339. A.N. Andriotis, R.M. Sheetz and M. Menon // J. Phys.: Cond. Mater. 2010, V. 22, N. 334210.

340. W.W. Li, W.L. Yu, Y.J. Jiang, C.B. Jing, J.Y. Zhu, M. Zhu, Z.G. Hu, X.D. Tang and J.H. Chu//J. Phys. Chem C. 2010, V. 114, P. 11951.

341. J.M.D. Coey, P. Stamenov, R.D. Gunning, M. Venkatcsan and K. Paul // New J. Phys. 2010, V. 12, N. 053025.

342. R. Podila, W. Queen, A. Nath, J.T.Arantes, A.L. Schoenhalz, A. Fazzio, G.M. Dalpian, J. He, S.J. Hwu, M.J. Skove and A.M. Rao //Nano Lett. 2010, V. 10, P. 1383.

343. L.Y. Li, Y.H. Cheng, X.G. Luo, H. Liu, G.H. Wen, R.K. Zheng and S.P Ringer //Nanotechnol. 2010, V. 21, N. 145705.

344. X. Zhang, Y.H. Cheng, L.Y. Li, H. Liu, X. Zuo, G.H. Wen, L. Li, R.K. Zheng and S.P. Ringer // Phys. Rev. B 2009, V. 80, N. 174427.

345. M.D. McCluskey and S.J. Jokela // J. Appl. Phys 2009, V. 106, N. 071101.

346. G.J. Yang, D.Q. Gao, Z.H. Shi, Z. Zhang, J. Zhang, J. Zhang and D. Xue // J. Phys. Chem. 2010, V. 114, N. 21989.

347. J. Zippel, M. Lorenz, A. Setzer, G. Wagner, N. Sobolev, P. Esquinazi and M. Grundmann //Phys. Rev. B. 2010, V. 82, N. 125209.

348. R.K. Singhai, A. Samariya, S. Kumar S, S.C. Sharma, Y.T. Xing, U.P. Deshpande, T. Shripathi and E. Saitovitch // Appl. Surf. Sei. 2010, V. 257, P. 1053-1057.

349. B.B. Straumal, A.A. Myatiev, P.B. Straumal, A.A. Mazilkin, S.G. Protasova, E. Goering and B. Baretzky // JETP Lett. 2010, V. 92, P. 396-400.

350. H. McMurdie // Powder Di ffr. 1986, V. 1, P. 76.

351. B. B. Straumal, W. Gust // Mater. Sei. Forum 196, V. 207-209, P. 59-68.

352. L.-S. Chang, E. Rabkin, B. B. Straumal, S. Hoffmann, B. Baretzky, W. Gust //Def.Diff. 1988, V. 156, P 135-145.1. Выводы

353. При равном размере зерен, смещение границы растворимости в поликристалле с ГЗ больше, чем в неспечепном порошке без ГЗ. Это означает, что ГЗ способны накапливать примерно в 2-4 раза больше кобальта или марганца, чем свободные поверхности.

354. Таким образом, фазовые диаграммы веществ с размером зерна менее 1 ООО нм должны быть исследованы заново. Особенно резкого изменения в фазовых диаграммах можно ожидать при размере зерен менее 100 нм.

355. Критическое значение ^ь почти на два порядка выше для 2мО, легированного марганцем, чем для чистого ZnO.

356. Экспериментально обнаружены ферромагнитные свойства у чистого оксида цинка и оксида цинка, легированного марганцем, с размером зерен 20 нм.

357. Основные положения и результаты диссертационной работы были доложены и обсуждены на национальных и международныхконференциях:

358. Международная конференция «Moscow International Symposium on Magnetism MISM» (Москва, Россия, 2008).

359. Международная конференция «III International Conference on Colloid Chemistry and Physicochemical Mechanics 1СССРСМ!08» (Москва, Россия, 2008).

360. Национальная конференция «DPG Fruhjahrstagung» (Дрезден, Германия, 2009)

361. Международная конференция «International Conference on Magnetism» (Карлсруэ', Германия, 2009)

362. Международная конференция «Thermodynamics and Transport Kinetics of Nanostructured Materials» TTk (Нордкирхен, Германия, 2009)

363. Национальная конференция «DPG Fruhjahrstagung» (Регенсбург, Германия, 2010)

364. Международная конференция «Fourth Seeheim Conference on Magnetism SCM2010» (Франкфурт-на-Майне, Германия, 2010)

365. Международная конференция «Grain Boundary Diffusion, Stresses and Segregation DSS-2010» (Москва, Россия, 2010)

366. VI Международная конференция «Фазовые превращения и прочность кристаллов» (Черноголовка, Россия, 2010)

367. Международная конференция «Е-MRS Fall Meeting 2010» (Варшава, Польша, 2010).

368. Международная конференция «3nd International Symposium on Transparent Conductive Materials TCM 2010» (Аналипси, Греция, 2010)

369. Национальная конференция «DPG Fruhjahrstagung» (Дрезден, Германия, . 2011)

370. Международная конференция «Moscow International Symposium on Magnetism MISM» (Москва, Россия, 2011).

371. Основное содержание диссертации изложено в следующих публикациях:

372. Страумал Б.Б., Мятиев A.A., Страумал П.Б., Мазилкин A.A. Зернограничные фазы в нанокристаллических проводящих оксидах. Часть 1. // Ж. Функ. Матер. 2008 - Т. 2 - С. 14-20.

373. Страумал Б.Б., Мятиев A.A., Страумал П.Б., Мазилкин A.A. Зернограничные фазы в нанокристаллических проводящих оксидах. Часть 2. // Ж. Функ. Матер. 2008 - Т. 2 - С. 56-59.

374. Straumal В.В., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Baretzky B. Increase of Co solubility with decreasing grain size in ZnO. // Acta Mater. 2008 - V. 56 - P. 6246-6256.

375. Straumal B.B., Baretzky В., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B. Increase of Mn solubility with decreasing grain size in ZnO. // J. Eur. Ceram. Soc. 2009 - V. 29 - P. 1963-1970.

376. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Schütz G., van Aken P.A., Goering E., Baretzky B. Grain-boundary induced high Tc-ferromagnetism in pure and doped nanocrystalline ZnO. // Phys. Rev. В-2009 -V. 79-P. 205206.

377. Страумал Б.Б., Мятиев A.A., Страумал П.Б., Мазилкин A.A., Протасова С.Г., Гёринг Э., Баретцки Б. Зернограничные прослойки в нанокристаллическом ферромагнитном оксиде цинка. // Письма вЖЭТФ -2010-V. 92-Р. 438-443.

378. Straumal В.В., Protasova S.G., Mazilkin A.A., Myatiev A.A., Straumal P.B., Schütz G., Goering E., Baretzky B. Ferromagnetic properties of the Mn-doped nanograined ZnO films. // J. Appl. Phys. 2010 - V. 108 - P. 073923.

379. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Goering E., Baretzky B. Influence of texture on the ferromagnetic properties of nanograined ZnO films. // Phys. Stat. Sol. В 201-1 - V. 248 - P. DOI 10.1002/pssb.201001182.

380. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Goering E., Baretzky B. Amoiphous grain boundary layers in the ferromagnetic nanograined ZnO films. // Thin Solid Films 2011 - V. 519 - P. DOI 10.1016/j.tsf.2011.04.154.