Электропроводность силицидно-оксидных композитов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Вечерский, Сергей Иванович

• Вечерский, Сергей Иванович
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Вечерский, Сергей Иванович

ВВЕДЕНИЕ

1. НЕКОТОРЫЕ ПОДХОДЫ К ИЗУЧЕНИЮ ЭЛЕКТРОПЕРЕНОСА В КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛАХ ТИПА МЕТАЛЛ -СТЕКЛО. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА "МЕТАЛЛИЧЕСКОГО" И ОКСИДНОГО КОМПОНЕНТОВ КОМПОЗИТОВ СИЛИЦИДЫ ЖЕЛЕЗА - СТЕКЛО (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1 .Электропроводность двухфазных композиционных материалов типа металл - полупроводник (диэлектрик)

1.2. Межфазное взаимодействие между компонентами композиционных материалов и его влияние на макроструктуру композитов

1.3. Краткая характеристика электрофизических свойств дисилицида железа

1.4. Физико-химические свойства оксидного компонента композитов

1.5. Механизмы проводимости оксидного "компонента композиционных образцов

1.6. Некоторые подходы к изучению механизмов проводимости многофазных систем. Постановка задачи исследования

2. МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕН1ТЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ МНОГОФАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ДИСИЛИЦИДА ЖЕЛЕЗА И ОКСИДНЫХ СТЕКОЛ

2.1. Методика приготовления дисилицида железа и керметов на его основе

2.2. Оксидный компонент композиционных образцов

2.3. Методика приготовления композиционных образцов

2.4. Исследование фазового состава, кинетики межфазного взаимодействия и температурной зависимости сопротивления многофазных образцов

2.5. Методика обработки результатов измерения электропроводности

3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ КРЕМНИЙ -БАРИЕВОБОРОМОЛИБДАТНОЕ СТЕКЛО И ДИСИЛИДИД ЖЕЛЕЗА - Мо03 - БАРИЕВОБОРОСИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО

3.1. Электропроводность композитов Si - бариевоборомолибдатное стекло, приготовленных в инертной среде

3 .2. Концентрационный переход металл - неметалл в спеченных на воздухе композитах Si - бариевоборомолибдатное стекло

3.3. Электросопротивление композитов дисилицид железа - Мо03 -бариевоборосиликатное стекло

3.4. Электросопротивление композитов дисилицид железа -М0О3-стекло №1 при наличии эвтектоидного превращения в лебоите

3.5. Основные результаты исследования электросопротивления в композитах Si - бариевоборомолибдатное стекло и дисилицид железа - МоО? - бариевоборосиликатное стекло (выводы)

4. ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЕ КОМПОЗИТОВ, ПРИГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КЕРМЕТОВ, СОДЕРЖАЩИХ СМЕСЬ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА

4.1. Фазовый состав и электрические свойства керметов

4.2. Средняя проводимость и среднее сопротивление регулярной сетки эффективных проводимостей

4.3. Анализ сопротивления керметных образцов

4.4. Свойства композитов, приготовленных на основе керметов и бариевоборосиликатного стекла, при спекании компонентов в инертной среде

4.5. Электросопротивление композитов, содержащих силициды железа и бариевоборомолибдатное стекло

4.6. Основные результаты исследования свойств керметов, содержащих силициды железа, и композитов, приготовленных на их ос

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электропроводность силицидно-оксидных композитов»

Актуальность темы. В настоящее время достигнуты значительные успехи в экспериментальном изучении и теоретическом описании явлений электропереноса как в чистых однофазных кристаллических и аморфных неорганических материалах, так и в однофазных материалах, содержащих примесные атомы [1 - 6]. Между тем известны конденсированные среды, которые содержат наряду с основной фазой пространственно протяженные включения иного рода. При этом проводящие свойства фазовых составляющих могут существенно отличаться друг от друга. Примером таких систем могут служить композиционные материалы типа металл - стекло, которые, в частности, находят применение для изготовления резистивных элементов электронных схем [7]. В качестве "металла" в них нередко выступают сплавы или оксиды, обладающие проводимостью "металлического" типа (их сопротивление увеличивается при повышении температуры). Неметаллический компонент (или "стекло") зачастую представляет собой смесь частично закристаллизовавшихся оксидов и ренгеноаморфной относительно легкоплавкой составляющей, которая, собственно, и является стеклом в обычном понимании [8 - 19]. Проводящие свойства таких композитов формируются в процессе вжигания резистивных паст в керамическую подложку. В том случае, когда межфазное взаимодействие между металлическим и неметаллическим компонентами отсутствует, проводимость композитов определяется свойствами фазовых составляющих и зависит только от их концентрации. В зависимости от объемной доли металла (х) композит может быть либо грязным металлом с проводимостью на несколько порядков величины меньше, чем проводимость в чистом кристаллическом состоянии (х да 100 %), либо полупроводником (диэлектриком) при х да 0. Общие закономерности электропереноса в таких системах описываются теорией протекания [20, 21], предсказывающей наличие некоторой пороговой концентрации хс, вблизи которой происходит рез6 кое изменение характера проводимости, так что концентрационная зависимость последней по форме напоминает "ступеньку" со сглаженными краями.

При наличии межфазного взаимодействия процесс вжигания может сопровождаться, с одной стороны, образованием новых фазовых составляющих, с другой - изменением электрофизических свойств компонентов. В результате композиты не только наследуют свойства исходных компонентов, но зачастую приобретают новые, качественно отличные характеристики [7]. Поэтому одна из актуальных задач - это исследование физико-химических процессов, протекающих в гетерофазных системах в зависимости от концентрации компонентов, температуры, времени вжигания и состава газовой среды, а также изучение характера их влияния на фазовый состав, структуру и, как следствие, на электропроводность композитов [7]. Вторая задача, тесно связанная с первой, - это определение реализующихся в них механизмов проводимости [22 - 32]. Для ряда гетерофазных систем, содержащих высшие силициды хрома, молибдена, тантала, эти вопросы в настоящее время решены или находятся в стадии разрешения [15 - 17, 19, 31, 32]. Вместе с тем ряд высших силицидов переходных металлов до сих пор оставался вне рамок внимания исследователей. Например, не исследовали композиционные материалы на основе высшего силицида железа FeSi2, а также композиты, в которых как "металлический", так и оксидный компоненты содержат "разносортные" ионы переходных металлов, например, FeSi2 (лебоит) и молибденсодержащеее стекло. Проведенное нами предварительное исследование показало, что электрофизические свойства таких композитов имеют свои особенности. В частности, было замечено, что FeSi2 при совместном вжигании со стеклом, содержащим МоОз, выступает как восстановитель. Это приводит к изменению фазового состава композитов, а их проводящие свойства существенно отличаются от свойств композитов, приготовленных на основе FeSi2 и стекол, не содержащих ионы переходных металлов. Выявленные закономерности требуют подробного изучения и объяснения. п

В связи с этим было предпринято более детальное исследование физико-химических и электрофизических свойств композиционных материалов, приготовленных на основе высшего силицида железа и стекла, содержащего три-оксид молибдена. При этом мы переходили от относительно простых систем (таких, как частично восстановленные кремнием молибденсодержагцие стекла или керметы, содержащие силициды железа) к более сложным - композитам, содержащим смесь силицидов железа, М0О3 и стекло.

Цель работы состояла в том, чтобы выяснить особенности межфазного взаимодействия, установить наиболее общие закономерности электропереноса и указать возможные механизмы проводимости, реализующиеся в перечисленных выше многофазных системах в зависимости от концентрации компонентов, условий приготовления образцов и температуры окружающей среды.

Диссертационное исследование состоит из введения, 4 глав, заключения и двух приложений. Во введении показана актуальность темы, сформулированы цель диссертационной работы, ее новизна и основные положения, выносимые на защиту. В 1 главе приведен обзор работ, в которых обсуждаются проблемы, возникающие при исследовании и интерпретации электрических свойств многофазных материалов с неупорядоченной структурой, к которым, в частности, относятся керметы металл - диэлектрик и композиты металл -стекло. Кроме того кратко рассмотрены электрофизические свойства дисили-цида железа, оксидов молибдена и стекол, аналогичных тем, которые мы применяли для приготовления композитов. Дана сводка основных механизмов проводимости, реализующихся в стеклокристаллическом компоненте композитов. Сформулированы основные задачи исследования. Во 2 главе описаны методики приготовления и исследования образцов, а также методика математической обработки результатов измерения сопротивления образцов. В 3 главе приведены результаты исследования фазового состава и проводящих свойств композитов Si - бариевоборомолибдатное стекло и

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Вечерский, Сергей Иванович

4.6. Основные результаты исследования свойств керметов, содержащих силициды железа, и композитов, приготовленных на их основе (выводы)

1. Проведенное исследование подтверждает принципиальную возможность синтеза керметов, содержащих высший силицид железа, методами металл отермического восстановления гематита БегОз и СВС, В качестве восстановителя может быть использован сплав Fe - А1 - Si, содержание элементов в котором рассчитывается с учетом получения необходимого соотношения между силицидным и диэлектрическим компонентами, или смесь порошков А1 и Si. При этом максимальная расчетная концентрация диэлектрика (муллита) не превышает 70 мае. %. Можно увеличить концентрацию муллита в кермете, если использовать в качестве восстановителя смесь SiO - А1 - Si. Однако действительный фазовый состав и концентрация компонентов в кер-метах отличается от расчетного вследствие образования, помимо а-лебоита, низших силицидов железа. Диэлектрический компонент керметов представляет собой смесь оксидов алюминия и кремния, отличающуюся по составу от муллита.

2. Сложный фазовый состав образцов существенно затрудняет анализ факторов, влияющих на их проводимость. Тем не менее в ряде случаев такой анализ возможен, если сформулированы модельные представления о пространственной и электрической структуре керметов, а также известны температурные зависимости сопротивления их фазовых составляющих. Он основывается на следующих основных положениях. Электрическая структура неоднородного образца аппроксимируется сеткой случайных сопротивлений г (или проводимостей g), которые представляют собой полное сопротивление микроконтактов между частицами одного "сорта" (чаще выбирают частицы с "металлическим" типом проводимости). В свою очередь, каждое микроконтактное сопротивление г (или проводимость g) могут быть выражены через соответствующие характеристики фазовых составляющих. В приближении эффективной среды сетку случайных сопротивлений г в дальнейшем заменяют регулярной сеткой, состоящей из одинаковых проводимостей gm = rm~', и полагают, что экспериментально наблюдаемая проводимость образца равна эффективной проводимости gm. Эффективная проводимость gm связана со случайными проводимостями g уравнением (1.5), которое позволяет также выразить gm через проводимости (или сопротивления) фазовых составляющих. На практике проще анализировать среднее сопротивление (или среднюю проводимость) образца. В §3.2 получено аналитическое выражение, проясняющее связь между <g> (а также <г>) и эффективной проводимостью gm. Найдено, что средняя проводимость <g> регулярной сетки, состоящей из одинаковых проводимостей gm = rm1, равна эффективной проводимости gm, а среднее сопротивление такой сетки <г> прямо пропорционально rm, причем коэффициент пропорциональности X определяется числом ближайших соседей для частиц одного сорта. Полученный результат позволяет упростить анализ экспериментальных зависимостей гэ(Т) или g3(T) в тех случаях, когда нас интересует относительный вклад фазовых составляющих в проводимость образца. Для этого достаточно выразить гэ(Т) (или g3(T)) через соответствующие характеристики фазовых составляющих (как в формуле (2.4)) и найти коэффициенты Ai.

3. Оценка вклада основных фазовых составляющих, проведенная на основе анализа температурной зависимости сопротивления, показывает, что при расчетной концентрации силицидного компонента более 70 мае. % проводимость керметов можно объяснить за счет электрических свойств а-лебоита и моносилицида железа. Если расчетная концентрация силицидов менее 70 мае. %, то наибольший вклад в сопротивление керметов, по-видимому, вносят моносилицид железа и тонкие прослойки диэлектрика, которые образуются на поверхности силицидных частиц в результате их окисления.

4. Спекание в инертной среде керметов, содержащих силициды железа, а также оксиды А1 и Si, с бариевоборосиликатным стеклом №1 приводит к частичному или полному замещению высшего силицида железа'монобори-дом FeB. При этом моносилицид железа более стабилен и идентифицируется на всех дифрактограммах. Используя качественные представления о характере физико-химических процессов, происходящих во время спекания керметов со стеклом, удается построить модели пространственной и электрической структуры композитов и обсудить их электрические свойства. Анализ электропроводности композиционных образцов 1-5 показал, что индивидуальные свойства керметов, на основе которых они были приготовлены, потребовалось учесть только при интерпретации р(Т) образца 1. Этот образец содержал наименьшее количество стекла. р(Т) остальных образцов зависели только от свойств модифицированного в результате межфазного взаимодействия стекла. Проводимость стекла при относительно малой его концентрации обусловлена, по-видимому, структурными дефектами, которые способствуют возникновению моттовской проводимости между локализованными состояниями (композиты 1 - 3). Причем верхняя граница температурного интервала, в котором реализуется данный механизм, значительно выше комнатной. При более высокой концентрации стекла улучшается смачиваемость сили-цидных частиц и появляются условия для насыщения стеклокристаллическо-го компонента ионами железа. При этом в области низких температур преобладает проводимость по ловушкам (композит 4), а в области высоких температур перенос заряда происходит, по-видимому, посредством прыжков поляронов малого радиуса (композиты 4 и 5).

5. В многофазных образцах, приготовленных в воздушной среде на основе бариевоборомолибдатных стекол №4 - №6 и кермета 6, содержащего силициды железа, моноборид железа FeB не был зафиксирован. Но, подобно композитам a-Feo;82Si2 - М0О3 - стекло №1 (§3.3), были идентифицированы М0О2 и Si02, образовавшиеся в результате взаимодействия силицидов железа со стеклом. Сложный фазовый состав композитов не позволил выделить преимущественный вклад в сопротивление образцов какой-либо одной фазовой составляющей с "металлическим" типом проводимости (силициды железа, М0О2). Но они несомненно оказывают влияние на сопротивление композитов, содержащих от 70 до 80 мае. % стеклокристаллического компонента. Концентрационная зависимость удельного сопротивления в области относительно малой концентрации стекла подобна той, которую наблюдали для композитов a-Feo,82Si2 - М0О3 - стекло №1 (§3.3). р также убывает до неко

154 торого минимального значения (при расчетной концентрации стеклокристал-лического компонента х0 = 80 мае. %), а ТКС изменяется с отрицательного на положительный. При х = 90 мае. % р возрастает до прежней величины. При этом ТКС снова становится отрицательным. Увеличение р в данных образцах значительно больше, чем в композитах a-Feo,82Si2 - Мо03 - стекло №1, вжи-гавшихся в течение 1 ч (рис. 3.10). По-видимому, это связано с меньшим содержанием оксидов молибдена. Поведение р и ТКС в области х > хо может быть объяснено в рамках теории протекания, предсказывающей изменение типа проводимости вблизи некоторой пороговой концентрации стеклокри-сталлического компонента. Высокое сопротивление композитов при малой концентрации стеклокристаллического компонента (х = 60 мае. %), по-видимому, обусловлено плохой смачиваемостью стеклом поверхности силицидных частиц. В результате стекло концентрируется, в основном, в области контакта между указанными частицами. Это приводит к повышению сопротивления композитов и отрицательным ТКС.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Главная цель настоящей работы состояла в том, чтобы выяснить основные закономерности электропереноса в многофазных материалах, которые могут служить основой реальных композиционных материалов, применяющихся для изготовления толстопленочных резисторов. Особенность этих материалов состоит в том, что межфазное взаимодействие существенно изменяет их фазовый состав, по сравнению с исходным, и "размывает" границы между фазами. В результате композиты (керметы) лишь частично наследуют свойства исходных фазовых составляющих, а в большинстве случаев приобретают новые качества. Чтобы объяснить их электрические свойства, необходимо выделить вклад компонентов, механизмы проводимости которых достаточно хорошо изучены, и проанализировать проводимость оставшихся компонентов. Для решения поставленной задачи применяли следующий подход. На основе данных о фазовом составе и качественных представлений о кинетике межфазного взаимодействия строили умозрительную модель пространственной и электрической структуры многофазных образцов. Затем, используя найденное в данной работе аналитическое соотношение между сопротивлением (проводимостью) микроконтакта между различными фазовыми составляющими и экспериментально наблюдаемым сопротивлением (проводимостью) этих образцов, анализировали температурные зависимости сопротивления композитов в приближении эффективной среды. Далее выбирали наиболее вероятные модели макроструктуры и механизмы проводимости с помощью критерия %2. К сожалению, количественный анализ оказалось возможным провести лишь для ряда относительно простых систем (стекла, керметы, композиты с преобладанием вклада стеклокристаллического компонента). В более сложных случаях (композиты на основе смеси силицидов железа и молибденсодержащего стекла, а также композиты, содержавшие ле-боит на промежуточных стадиях эвтектоидного распада) пришлось ограничиться качественными соображениями. Однако в их основе лежали выводы, сделанные в ходе исследования простых систем. Отметим следующие основные результаты проведенного исследования.

1. Исследование композитов Si - бариевоборомолибдатное стекло подтверждает предположение о том, что присутствие кремния может привести к частичному восстановлению шестивалентных ионов молибдена до ионов Мо3+ и Мо4+. В последнем случае образуется Мо02, который выпадает в виде поликристаллических включений. Переход от проводимости неметаллического типа к металлической осуществляется в интервале концентраций 3,5 - 7,5 мае. % М0О2. В переходной области наблюдается большое различие р образцов, имеющих близкие концентрации М0О2. На примере исследования электросопротивления образцов частично восстановленного кремнием бариевоборомолибдатного стекла, в котором концентрация включений с металлической проводимостью (М0О2) ниже порога протекания, было показано, что это связано с изменением механизмов проводимости стеклокристал-лической матрицы за счет образования (при взаимодействии с кремнием) разновалентных ионов молибдена. В области С(МоОг) > 8 мае. % значение р уменьшается из-за образования и увеличения объема непрерывного кластера, обладающего проводимостью "металлического" типа.

2. Электросопротивление композитов a-Feo 82S12 ~ М0О3 — стекло №1 обусловлено как межфазным взаимодействием, так и взаимодействием с кислородом воздуха. Определяющим фактором этого взаимодействия является, по-видимому, реакционная диффузия кремния с поверхности частиц дисили-цида железа в объем, занимаемый оксидным компонентом. Зависимость сопротивления композитов от концентрации a-лебоита существенно отличается от концентрационной зависимости системы металл - диэлектрик, в которой отсутствует межфазное взаимодействие. В исследованном интервале повышение концентрации оксидного компонента приводит не к возрастанию, а к падению сопротивления. Только при высокой концентрации оксидов (х > 80 мае. %) и сравнительно большом времени вжигания (1ч) сопротивление начинает расти, как и предсказывает теория протекания. Анализ сопротивления композитов с учетом данных РФА позволяет предположить, что при относительно малой (х < 55 мае. %) или большой (х > 80 мае. %) концентрации оксидов сопротивление определяется электрическими свойствами стеклокристаллического компонента, состав которого изменяется в результате межфазного взаимодействия. Проводимость "металлического" типа в области 55 < х < 80 мае. % возникает вследствие формирования пронизывающего весь объем образцов кластера, образованного поликристаллами диоксида молибдена, силицидов железа и металлического молибдена.

3. Влияние эвтектоидного распада а-лебоита на сопротивление композитов, принадлежащих системе a-Feo,82Si2 - М0О3 - стекло №1 в значительной мере "нейтрализуется" образованием новых фазовых составляющих (М0О2 и металлического молибдена).

4. Подтверждена принципиальная возможность синтеза керметов, содержащих высший силицид железа, методами металлотермического восстановления гематита БегОз и СВС. В качестве восстановителя может быть использован сплав Fe - А1 - Si или смеси порошков Al, Si и SiO. Однако действительный фазовый состав и концентрация компонентов в керметах отличаются от расчетного. Оценка вклада основных фазовых составляющих, проведенная на основе анализа температурной зависимости сопротивления, показывает, что при расчетной концентрации силицидного компонента более 70 мае. % проводимость керметов можно объяснить за счет электрических свойств a-лебоита и моносилицида железа. Если расчетная концентрация силицидов менее 70 мае. %, то наибольший вклад в сопротивление керметов вносят моносилицид железа и тонкие прослойки диэлектрика, которые образуются на поверхности силицидных частиц в результате их окисления.

5. Спекание в инертной среде керметов, содержащих силициды железа, а также оксиды А1 и Si, с бариевоборосиликатным стеклом приводит к частичному или полному замещению высшего силицида железа моноборидом FeB. При этом моносилицид железа более стабилен и идентифицируется на всех дифрактограммах. Анализ электропроводности композитов показал, что

158 индивидуальные свойства керметов, на основе которых они были приготовлены, сказались только на электропроводности образца, содержавшего наименьшее количество стекла. Проводимость остальных образцов зависела только от свойств модифицированного в результате межфазного взаимодействия стекла.

6. В многофазных образцах, приготовленных на основе бариевоборо-молибдатных стекол и кермета, содержащего силициды железа, в воздушной среде моноборид железа FeB не зафиксировали. Но так же, как в композитах a-Feo,82Si2 - М0О3 - стекло №1, были идентифицированы Мо02 и SiC>2, образовавшиеся в результате взаимодействия силицидов железа со стеклом. Концентрационная зависимость удельного сопротивления в области относительно малой концентрации стекла подобна той, которую наблюдали для композитов a-Fe0s82Si2 - М0О3 - стекло №1. р также убывает до некоторого минимального значения (при расчетной концентрации стеклокристаллического компонента хо = 80 мае. %), а ТКС изменяется с отрицательного на положительный. При х = 90 мае. % р возрастает до прежней величиньг При этом ТКС снова становится отрицательным. Поведение р и ТКС в области х > хо может быть объяснено в рамках теории протекания, предсказывающей изменение типа проводимости вблизи некоторой пороговой концентрации стеклокристаллического компонента. Высокое сопротивление композитов при малой концентрации стеклокристаллического компонента (х = 60 мае. %), по-видимому, обусловлено плохой смачиваемостью стеклом поверхности сили-цидных частиц.

159

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Вечерский, Сергей Иванович, 2001 год

1. Займан Дж. Принципы теории твердого тела.-М.: Мир, 1974.-472 с.

2. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.-М.: Наука, 1977.-672 с.

3. Электронная теория неупорядоченных полупроводников / Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. -М.: Наука, 1981.-384 с.

4. Маделунг О. Теория твердого тела.-М.: Наука, 1980.-416 с.

5. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1.-М.: Мир, 1982.-368 с.

6. Рао Ч.Н.Р., Гопалокришнан Дж. Новые направления в химии твердого тела: Структура, синтез, свойства, реакционная способность и дизайн материалов. -Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1990. 520 с.

7. Харитонов Е.В. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой.-М.: Радио и связь, 1983.-128 с.

8. Стекловидные материалы для толстопленочных резисторов на основе неблагородных металлов / Р.Ф. Шутова, Т.М. Морозова, А.В. Писляков, Р.Е.160

9. Андропова // Всесоюзное научно-техническое совещание "Состояние и перспективы развития гибридной технологии в приборостроении": Тез. докл,-Ярославль: НПО "Электронприбор", 1986.-С.30-31.

10. А.с. 1247360 СССР, МКИ4 С 03 С 3/145. Стекло / В.З. Петрова, Р.Ф. Шутова, Т.М. Морозова и др. // Открытия. Изобретения.-1986.-№28.-С.97.

11. Pat. 4044173 USA, HOIB I/06.-Publ. 23.08.77.

12. Аронова Т.А., Бабанова Е.Н., Филатова JI.A. Электропроводность рези-стивных материалов на основе силицидов хрома и молибдена // Измерение электрических и магнитных параметров.-Омск: Омский политехи, ин-т, 1986.-С.92-96.

13. Дворина JI.A. Состояние и перспективы исследований в области силицидов // Силициды (получение, свойства, применение): Сб. научн. тр.-Киев: ИПМ АН УССР, 1986.-С.4-28.

14. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред // Успехи физических наук.-1975.-Т.117, вып. 3,-С.401-435.

15. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников.-М.: Наука, 1979.-416 с.

16. Hill R. Electrical Transport in Thick Film Resistors // Electrocomp. Science and Technol.-1980.-V.6, №9.-P.141-145.

17. Мартюшов К.И. Механизм электропроводности керметных и легированных полупроводниковых резисторов // Обзоры по электронной технике. Сер. 5. Радиодетали и радиокомпоненты.-1979.-Вып. 3 (683).-76 с.

18. Pike G.E., Seager С.Н. Electrical Properties and Conduction Mechanisms of Ruthenium-Based Thick Film (Cermet) Resistors // J. Appl. Phys.-1977.-V. 17,№48(12).-P.5152-5169.

19. Дульнев Г.Н., Заричняк Ю.П. Теплопроводность смесей и композиционных материалов.-Jl.: Энергия, 1974.-264 с.

20. Дульнев Г.Н., Новиков В.В. Процессы переноса в неоднородных средах.-Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1991.-248 с.

21. Ping Sheng. Fluctuation-Induced Tunneling Conduction in Disordered Materials //Phys. Rev. B.-1980.-V.21,№6.-P.2180-2195.

22. Электрические свойства гранулированных пленок на основе боридов редкоземельных элементов. 1. Температурная зависимость сопротивления / Р.К. Исламгалиев, А.В. Зорин, О.И. Шулишова, И.А. Щербак // Порошковая ме-таллургия.-1988.-№4.-С.66-71.

23. Электрические свойства и механизм электропроводности толстых пленок162на основе диоксида рутения / В.Г. Гребенкина, Д.Е. Дышель, М.Д. Смолин, В.Н. Федоров //Порошковая металлургия.-1990.-№5.-С.68-71.

24. Электрические свойства толстых пленок на основе диоксида рутения с добавками тугоплавких соединений / В.Г. Гребенкина, Д.Е. ДыШель, М.Д. Смолин, В.Н. Федоров II Порошковая металлургия.-1990.-№11.-С.79-83

25. Модель электропроводности системы металл стекло с неоднородным стеклокомпонентом / Ф.А. Сидоренко, П.В. Гельд, Т.А. Аронова, В.Л. Загряжский // Урал, политехи, ин-т.-Свердловск, 1986.-21 с.Деп. в ВИНИТИ 05.06.86, №4107.

26. Электропроводность стеклокомпонента в мелкодисперсной смеси ме-талл+стекло / Т.А. Аронова, Е.Н. Бабанова, А.В. Заборов и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1986.-Т.22,№6.-С. 1022-1024.

27. Listkiewicz Е., Kuzy A. Computer Simulation of Thick Resistive Films as Two-Component Percolation System: Segregation of the Conducting Components // Thin Solid Films.-1985.-V. 130,№1-2.-P. 1-15.

28. Miller A., Abrahams E. Impurity Conduction at Low Concentrations // Phys. Rev.-1960.-V. 120,№3.-P.745-755.

29. Киркпатрик С. Перколяция и проводимость // Новости физики твердого тела.-М.: Мир, 1977,-Вып. 7.-С.249-292.

30. Smith D., Anderson J. Theory of Electrical Conduction in Particulate Systems // Phyl. Mag., B.-1981.-V.43,№5.-P.797-810.

31. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред: Теоретическая физика. Т.8.-М.: Наука, 1982.-624 с.

32. Корн Е., Корн Т. Справочник по математике (для научных работников и инженеров).-М.: Наука, 1977.-832 с.

33. Физико-химическое взаимодействие в системе силицид переходного металла диэлектрик / Т.А. Аронова, Л.А. Филатова, О.В. Винниченко, Т.Н. Еальперина // Тез. докл. конференции "Физические свойства сплавов переходных металлов".-Свердловск, 1985.-С.35.

34. Влияние физико-химических факторов на структуру керметных слоев наоснове порошков боридов системы ВаВ6 LaB6 / И.М. Виницкий, А.Д. Пана-сюк, Б.М. Рудь, Я.Е. Тельников // Порошковая металлургия,-1988.-№8,-С.61-65.

35. Аронова Т.А., Заборов А.В., Сидоренко Ф.А. Влияние температуры отжига на электрические свойства смесей дисилицида молибдена со стеклом,-Свердловск:Урал. политехи, ин-т, 1986.-9 с.-Деп. в ВИНИТИ 27.07.86, №5417.

36. Абдрахманов Р.С., Безсмертная З.Г. Изучение методом ЭПР изменения структурного состояния ионов Си и Мо в процессе кристаллизации литие-воалюмосиликатных стекол // Физика и химия стекла.-1981.-Т.7,№1.-С.26-30.

37. Сидоренко Ф.А., Аронова Т.А., Бабанова Е.Н. Электропроводность сильно легированного борбариевого стекла / Тезисы докладов конференции "Физические свойства сплавов переходных металлов".-Свердловск, 1985 -С. 36.

38. Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды.-М.: Металлургия, 1979.-272 с.

39. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода.-М.: Металлургия, 1971.-584 с.

40. Theiner W.A., Gezerich Н.Р. Anderson Transition in FeSi2 Films // Phys. Stat. Sol. (b).-1978.-V.89,№2.-P.441-447.

41. Birkholz U., Schelm J. Mechanism of Electrical Conduction in (3-FeSi2 // Phys. Stat. Sol.-1968.-V.27,№1.-P.413-425.

42. Мазурин О.В., Стрельцына М.В., Швайко-Швайковская Т.П. Свойства стекол и стеклообразующих расплавов: Справочник.Т.4, 4.1.-Л.: Наука. Ле-нингр. отделение, 1980,- 462 с.

43. Мазурин О.В. Электрические свойства стекла // Труды Ленинградского164технологического ин-та им. Ленсовета.-Л: Ленгосхимиздат, 1962.-Вып. 62.162 с.

44. Мазурин О.В., Стрельцына М.В., Швайко-Швайковская Т.П. Свойства стекол и стеклообразующих расплавов: Справочник.Т.3, 4.1.-Л.: Наука. Ле-нингр. отделение, 1977,- 586 с.

45. Griscom D.L. Electron Spin Resonance in Glasses: Part 2. Magnetic Properties // J. Non-Cryst. Solids.-1980.-V.40.-P.211-272.

46. Мазурин O.B., Стрельцына M.B., Швайко-Швайковская Т.It' Свойства стекол и стеклообразующих расплавов: Справочник.Т.3, 4.2.-Л.: Наука. Ле-нингр. отделение, 1979,- 486 с.

47. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов. Т.2.-М.: Металлургия, 1970.472 с.

48. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.-М.: Физматгиз, 1961.-864 с.

49. Окисление молибдена / Джонс, Мошер, Шнайзер, Спретник // Молибден: сб. статей / Под ред. А.К. Натансона.-М.: Иностранная литература, 1959.-С.214-230.

50. Rogers D.B., Shannon R.D., Sleight A.W., Gillson J.L. Crystal Chemistry of Metal Dioxides with Rutile-Related Structures // Inorganic Chemistry. 1969. V.8. №4. P.841-849.

51. Теплинский B.M. О знаке носителей тока в Мо02 // ЖЭТФ.-1980,-Т.78,№5.-С. 1979-1984.

52. Лазарев В.Б., Краснов В.Г., Шаплцгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур.-М.: Наука, 1979.-168 с.

53. Charge Compensation of Impurities and Electrical Properties of M0O3 / V.A. loffe, I.B. Patrina, E.V. Zelenetskaya, V.P. Micheeva // Phys. Stat."Sol.-1969.-V.35,№1.-P.535-542.

54. Гарифьянов H.C., Федотов B.H. Электронный парамагнитный резонанс в жидких и переохлажденных растворах пятивалентного молибдена // ЖЭТФ,-1962.-Т.43, №2(8).-С.376-381.165

55. Sperlich G. Hyperfme Interaction of d-Electrons in the Amorphous Semiconductors Mo03 Te02 and M0O3 - P205 // Sol. State commun.-1973.-V.13.-P.1513-1516.

56. Sperlich G., Urban P., Frank G. d'-Electrons in Amorphous Semiconducting V205 and M0O3 Compounds (ESR Measurements) // Zeitschrift fur Physik.-1973.-V.263, №4.-P. 315-328.

57. Клява Я.Г., Бальс A.H. Анализ формы спектров ЭПР ионов Мо5+ и W3+ в фосфатных стеклах // Физика и химия стекла.-1984.-Т.10,№1.-С.47-52.

58. Смит Р. Полупроводники.-М.: Мир, 1982.-560 с.

59. Джоншер А.К., Хилл P.M. Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок // Физика тонких пленок. Т. 8. / Под ред. Г. Хасса, М. Франкомба, Р. Еофмана.-М.: Мир, 1978.-С.180-263.

60. Ambegaokar V., Halperin В., Langer J. Hopping Conductivity in Disordered Systems//Phys. Rev. B.-1971.-V.4,№8.-P.2612-2620.

61. Hill R.M. Hopping Conduction in Amorphous Solids // Phyl. Mag.-1971.-Ser. 8.-V.24,№12(192).-P. 1307-1325.

62. Sayer M., Mansingh A. The Application of Small Polaron Theory to Transition Metal Oxide Glasses // J. Non-Cryst. Solids.-1983.-V.58,№l.-P.91-98.

63. Мотт Н.Ф. Переходы металл изолятор.-M.: Наука, 1979.-344 с.

64. Мейксин 3.F. Несплошные и керметные пленки // Физика тонких пленок. Т. 8. / Под ред. Г. Хасса, М. Франкомба, Р. Гофмана.-М.: Мир, 1978.-С.106-179.

65. Сайфуллин Р.С. Неорганические композиционные материалы.-М.: Химия, 1983.-304 с.

66. Войтович Р.Ф., Пугач Э.А. Окисление тугоплавких соединений: Справоч-ник.-М.: Металлургия, 1978.-108 с.

67. Особенности формирования силицидов переходных металлов и материалов на их основе методом порошковой металлургии / JI.A. Двбрина, И.В. Кудь, В.П. Смирнов и др. // Материалы и технологические процессы в микроэлектронике.-Киев: ИПМ АН УССР, 1989.-С.14-21.

68. Топфер М. Микроэлектроника толстых пленок технология, конструирование, применение).-М.: Мир, 1973.-262 с.

69. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. К.И. Кикоина.-М.: Атомиздат, 1976.-1008 с.

70. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник.-Киев: Наук, думка, 1979.-768 с.

71. Колла Е.В. Автоматическая установка для исследования малых нелиней-ностей вольт-амперных характеристик туннельных структур // Приборы и техника эксперимента,-197 7.-№3.-С.203-205.

72. Блэкфорд Б.Л. Низкоомный источник питания для исследования туннельных переходов // Приборы для научных исследований.-1971.-Т.42,№8,-С.89-95.

73. Калиткин Н.Н. Численные методы.-М.: Наука, 1978.-512 с.

74. Демидович Б.П., Марон И.А. Основы вычислительной математики.-М.: Наука, 1970.-664 с.

75. Худсон Д. Статистика для физиков.-М.: Мир, 1967.-244 с.

76. Технология тонких пленок: Справочник. Т. 1 / Под ред. JI. Майселла, Р. Глэнга.-М.: Сов. радио, 1977.-664 с.

77. Спектроскопические свойства молибдатов элементов второй группы / В.К. Слепухин, B.C. Кийко, В.М. Жуковский, Ю.Г. Петросян // Химия твердого тела: Межвузовский сборник.-Свердловск: Урал, политехи, ин-т, 1978,1. Вып. 2,-С.151-155.

78. Изучение природы электропереноса в молибдатах и вольфраматах двухвалентных металлов / А.Я. Нейман, Е.В. Ткаченко, В.М. Жуковский и др. // Химия твердого тела: Межвузовский сборник.-Свердловск: Урал, политехи, ин-т, 1977,-Вып. 1.-С.5-22.

79. Сачков И.Н., Повзнер А.А. Электронный переход полупроводник металл и особенности проводимости гетерофазных систем FeSi - FeSi2 // Физика твердого тела. 1996. Т.38. №10. С. 2969-2972.

80. Норкотт JT. Молибден // Молибден: сб. статей / Под ред. А.К. Натансона,-М.: Иностранная литература, 1959.-С.9-200.

81. Андреева JLП., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. Валентные состояния атомов в моносилицидах некоторых Зё-переходных металлов при пониженных температурах // Физика металлов и металловедение.-1965.-Т.19,№5.-С.784-786.

82. Сидоренко Ф.А., Гельд П.В., Шумилов М.А. Исследование превращений а-лебоита // Физика металлов и металловедение.-1960.-Т.9,№6.-С.861-867.

83. Двайт Г.Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы.-М.: Наука, 1977.-228 с.

84. Электрические и магнитные свойства твердых растворов моносилицида железа и марганца / Ф.А. Сидоренко, Е.А. Дмитриев, П.В. Гельд, И.З. Радов-ский //Изв. вузов. Физика.-1969.-№3.-С.74-79.

85. Куницкий Ю.А., Марек Э.В. Некоторые физические свойства боридов железа // Порошковая металлургия.-1971.-№3.-С.56-59.

86. Senaris-Rodriguez М.А., Goodenough J.B. LaCo03 Revisited // Journal of Solid State Chemistry.-1995.-V.116.-P.224-231.

87. Зайдель A.H. Ошибки измерения физических величин.-Л.: Наука. Ле-нингр. отделение, 1974.-108 с.168

88. Савенко В.Г. Измерительная техника.-М.: Высшая школа, 1974.-335 с.

89. Фихтенгольц Г.М. Курс дифференциального и интегрального исчисления Т. 2.-М.: Наука, 1969.-800 с.169