Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Горлачев, Егор Сергеевич

• Горлачев, Егор Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Горлачев, Егор Сергеевич

Введение.

Глава 1. Формирование пленок и наноструктур на пористых и кристаллических подложках.

1.1. Формирование и свойства слоев пористого кремния.

1.2. Получение полупроводниковых пленок на буферных слоях пористого кремния.1.

1.3. Методы формирования наноструктур на поверхности твердых тел.

1.3.1. Методы "bottom-up".

1.3.2. Методы "top-down".

1.4. Свойства и практическое применение полупроводников

А4В6 и наноструктур на их основе.:7.

1.5. Выводы.

Глава 2. Характеристика образцов и методика проведения эксперимента.

2.1. Методика формирования слоев пористого кремния.

2.2. Формирование структур с буферными слоями пористого кремния.

2.3. Формирование эпитаксиальных пленок А4В6 на монокристаллическом кремнии.

2.4. Методика плазменной обработки поверхности образцов.

2.5. Атомно-силовая микроскопия как метод исследования морфологии поверхности.

Глава 3. Морфологические свойства пленок А4В6, А1, ХСП на подложках монокристаллического и пористого кремния.

3.1. Морфология пленок А4В6.

3.1.1. Морфология поверхности пленок А4В6 на пористом кремнии.

3.1.2. Морфология поверхности пленок А4В6 на CaF2/Si(l 11).

3.2. Морфология поверхности алюминиевой металлизации на пористом кремнии.

3.2.1. Морфология пленок А1 на подложках мезопористого кремния.

3.2.2. Морфология пленок А1 на подложках макропористого кремния и ее модификация в ходе высокотемпературного отжига.

3.3. Морфология пленок ХСП на пористом кремнии.

3.4. Выводы.

Глава 4. Морфология поверхности пленок А4В6 после плазменной обработки.73 ■

4.1. Морфология поверхности пленок А4В6 на подложках пористого кремния после обработки в аргоновой плазме.

4.2. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок А4В6 на подложках монокристаллического кремния в ходе обработки в аргоновой плазме.

4.3. Зависимость морфологии поверхности эпитаксиальных пленок

А4В6 от энергии ионов плазмы.

4.4. Эволюция рельефа пленок А4В6 при увеличении длительности обработки.

4.5. Модель микромаскирования при формировании микровыступов.

4.6. Выводы.

Глава 5. Формирование наноструктур А4В6 на подложках Si по методу "top-down".

5.1. Зависимость параметров нановыступов на поверхности A4B6/CaF2/Si(l 11) от режимов обработки в аргоновой плазме.

5.2. Свойства массивов нановыступов на поверхности A4B6/CaF2/Si(lll).

5.3. Выводы.

Основные результаты работы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния»

Актуальность темы. В современной технологии полупроводников крайне важным вопросом является изучение физических процессов, имеющих место в тонких пленках и гетероэпитаксиальных структурах в ходе процессов формирования и обработки. Напряжения и деформации в гетероструктурах являются актуальной темой исследований в последние годы. Релаксация напряжений способна привести к микро- и наноструктурированию пленок, что позволяет целенаправленно формировать микро- и наноструктуры с заданными свойствами, представляющими фундаментальный интерес и широкие перспективы практического использования.

Одной из главных проблем современной полупроводниковой технологии является создание высококачественных гетероэпитаксиальных систем на кремниевых основаниях, что позволяет совместить рабочие элементы и блок обработки информации в рамках одного кристалла. Как правило, материалы, выращиваемые на кремниевой подложке, имеют рассогласование постоянных решеток и температурных коэффициентов линейного расширения (TKJIP). Это приводит к появлению значительных механических напряжений в пленках и как следствие возникновению ряда структурных дефектов, таких как дислокации, которые серьезно сказываются на качестве работы полупроводниковых приборов. Напряжения в гетероструктуре могут быть релаксированы посредством деформации податливого пористого буферного слоя [1-2 и др.]. С другой стороны, пористые слои могут сами выступать в качестве активных элементов полупроводниковых приборов, в связи с чем актуальными становятся вопросы роста и изучения физических свойств пленок полупроводников, металлов и других материалов на пористых основаниях. Наибольший интерес с данной точки зрения представляет пористый кремний (ПК), совместимый с традиционной Si-технологией. Высокая упругость ПК наряду с сохранением монокристаллической структуры кремния при невысокой пористости позволяет использовать ПК в качестве буферных слоев для эпитаксии.

Актуальной задачей является исследование свойств гетероэпитаксиаль-ных структур, содержащих пленки полупроводниковых материалов А4Вб, активно применяемых при производстве оптоэлектронных устройств ИК-диапазона [3]. Полупроводники А4В6 представляют особый интерес при получении структур пониженной размерности. Использование материалов А4В6, в частности халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS, позволяет осуществить переход к размерному квантованию при характерных размерах элементов 25—50 нм (для сравнения, для Si боровский радиус экситона ~5 нм) [4]. Аномально высокая величина диэлектрической проницаемости (—103) халькогенидов свинца приводит к высокой степени локализации электронов и отсутствию флуктуаций потенциала в наноструктурах [5]. Квантовые точки (КТ) А4В6 актуальны для фундаментальных и прикладных исследований, поскольку позволяют наблюдать размерные эффекты в относительно протяженных наноструктурах и использовать их в системах оптической связи. Важной задачей, решение которой позволит производить нано- и оптоэлектронные устройства в рамках традиционной технологии, является создание массивов КТ А4В6 на кремниевых подложках.

Таким образом, исследование морфологических особенностей пленок на пористых подложках, изучение релаксационных процессов при внешних воздействиях в гетеросистемах с буферными слоями ПК, разработка методов формирования наноструктур А4Вб на кремниевых подложках являются актуальными проблемами, решение которых позволит создавать электронные и оптоэлектронные устройства с высокими техническими характеристиками.

Цель работы - исследование морфологии поверхности полупроводниковых пленок А4Вб, халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и алюминиевой металлизации на пористых и монокристаллических кремниевых подложках, изучение физических особенностей процессов поверхностной модификации пленок при плазменной обработке и термическом отжиге.

Для достижения данной цели были решены следующие задачи:

1. Исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок А4В6 различного состава на кристаллических и пористых кремниевых подложках, изучены характер и физические основы изменения морфологии пленок А4В6 при сухом травлении в аргоновой плазме.

2. Разработаны режимы формирования полупроводниковых наноструктур А4Вб методами сухого-травления-.

3. Исследована морфология пленок А1 и ХСП на пористых и кристаллических подложках. Изучены особенности релаксации напряжений в исследуемых структурах и происходящие процессы модификации поверхности?

Научная' новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые обнаружена роль пронизывающих дислокаций и террас на поверхности структур в формировании микрорельефа поверхности в ходе плазменной обработки:

2. Впервые показана возможность формирования»наноструктур полупроводников А4В6 по технологии "top-down" путем плазменной обработки.

3. Впервые показано, что при высокотемпературном отжиге имеет место явле1 ние порообразования в алюминиевой металлизации на пористом кремнии.

Практическая ценность диссертационной работы:

1. Систематизированы экспериментальные данные о структуре пленок А4Вб на сплошных И' пористых подложках, что может быть использовано при формировании' гетероэпитаксиальных структур, меза-элементов и полупровод- ■ никовых устройств на их основе.

2. Показаны особенности морфологии, имеющие место в пленках- А1 и ХСП на* макропористом кремнии, что позволяет выработать приемы по устранению нежелательного эффекта порообразования в таких пленках и уменьшению высот хиллоков.

3. Установлены закономерности плазменного травления пленок А4В6 в аргоновой плазме, определены технические параметры распыления.

4. Впервые получена экспериментальная методика формирования наноструктур А В путем обработки пленок АЪ6 на подложках CaF2/Si(l 11) в аргоновой плазме.

Проведенные исследования позволяют вынести на защиту следующие положения:

1. Алюминиевая металлизация толщиной 1 мкм на макропористом кремнии является сплошной за счет формирования мостиков над порами. Высокотемпературный отжиг 550°С в инертной среде в течение 10-60 минут приводит к разрушению мостиков и порообразованию в алюминиевых пленках.

2. Травление в плотной индукционой аргоновой плазме низкого давления поликристаллических пленок А4В6, полученных на подложках пористого кремния, является однородным.

3. При обработке пленок A4B6/CaF2/Si(l 11) и A4B6/BaF2(l 11) в аргоновой плазме при реализации эффекта микромаскирования пронизывающие дислокации являются местом локализации микровыступов на поверхности.

4. Углы нанотеррас на поверхности пленок A4B6/CaF2/Si(l 11) при травлении в аргоновой плазме приводят к появлению ансамбля нановыступов, что позволяет формировать наноструктуры А4В6 с фиксированными геометрическими параметрами.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: 7-й, 8-й, 9-й международных конференциях «Опто-, нано-электроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2005, 2006, 2007); международной конференции «Микро- и наноэлектроника - 2007 (ICMNE-2007)» (Звенигород, 2007); научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника» (Ярославль, 2007); 18-й международной- конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью

ВИП-2007)» (Звенигород, 2007); международной научно-технической конференции «Молодые Ученые - 2006» (Москва, 2006); 45-й международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Белгород, 2006); Харьковской на-нотехнологической Ассамблее-2006 (Харьков, 2006); 5-й международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2006); 5-й международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2006); международной научной конференции «Материалы и технологии XXI века» (Пенза, 2006); международной научной конференции «Пленки-2005» (Москва, 2005); 7-й, 8-й, 9-й научных молодежных школах по твердотельной электронике «Нано-технологии и нанодиагностика» (Санкт-Петербург, 2004, 2005); 6-й, 7-й всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2004, 2005) и др.

Достоверность результатов, полученных в данной работе, определяется применением высокоточных современных экспериментальных методик, воспроизводимостью результатов, сравнением полученых научных результатов с литературными данными, согласием предложенных моделей с результатами экспериментальных исследований.

Личное участие автора. В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством проф. Зимина С.П., так и в сотрудничестве с Герке М.Н. (АСМ-исследования), Амировым И.И. (плазменная обработка). Подготовка эксперимента, обработка и интерпретация всех полученных экспериментальных данных, построение зависимостей и физических моделей, ряд АСМ-исследований проводились соискателем самостоятельно. Научным руководителем проф. Зиминым С.П. была оказана помощь в планировании эксперимента и построении физических моделей. Ряд гетероэпитакси-альных структур предоставил Цогг X. (ЕТН, Цюрих).

Публикации. По результатам исследований, проведенных в рамках диссертационной работы, опубликовано 28 работ, из них 5 — статьи в рецензируемых журналах, входящих в список изданий, рекомендованных ВАК РФ.

1. Zimin S.P., Gorlachev E.S., Amirov I.I., Gerke M.N., Zogg H., Zimin D. Role of threading dislocations during treatment of PbTe films in argon plasma // Semicond. Sci. Technol. - 2007. - Vol. 22, No. 8. - P. 929-932.

2. Zimin S.P., Bogoyavlenskaya E.A., Gorlachev E.S., Naumov V.V., Zimin D., Zogg H., Arnold M. Structural properties of Pbi.xEuxSe/CaF2/Si(l 1Г) // Semicond. Sci. Technol.-2007.-Vol. 22, No. 12-P. 1317-1322.

3. Зимин С.П., Горлачев E.C., Герке M.H. Свойства поверхности алюминиевого-покрытия на макропористом кремнии // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон, исследования. - 2007. - № 10. - С. 44-46.

4. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Герке М.Н. Порообразование в алюминиевых пленках на макропористом кремнии при высокотемпературном отжиге // Письма ЖТФ. - 2008. - Т. 34, Вып. 4. - С. 16-23.

5. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Герке М.Н., Кутровская С.В., Амиров И.И. Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pbj.xEu^Se после плазменной обработки // Изв. вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, № 11 - С. 90-93.

6. Амиров И.И., Горлачев Е.С., Зимин С.П., Герке М.Н. Распыление эпитаксиальных пленок PbTe, PbSe, Pbi^Eu^Se в плотной аргоновой плазме // Труды 18-й международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2007)», Т. 3. - Звенигород, 2007. - С. 180-183.

7. Zimin S.P!, Gorlachev E.S., Amirov I.I. Formation of IV-VL semiconductor nano-hillocks using Ar inductively coupled plasma // Proc. Int. Conf. "Micro- and. nanoe-lectronics - 2007". - Zvenigorod, 2007. - P2-36.

8. Зимин С.П., Горлачев E.C., Амиров И.И: Формирование массива нановысту-пов на поверхности полупроводников А4В6 методом плазменного распыления*// Труды 9-й международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логии и микросистемы». - Ульяновск: УлГУ, 2007. - С. 128.

9. Зимин С.П., Горлачев Е.С, Кантинова Е.А., Герке М.Н. AFM-исследования алюминиевой; металлизации на пористом кремнии // Труды 7-й международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». — Ульяновск: УЛГУ, 2005. —С. 42.

10. Зимин С.П., Горлачев Е.С, Герке М.Н. Исследование алюминиевой металлизации на мезопористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии // Материалы международной научной конференции «Пленки-2005», часть 1. -- М.: МИРЭА, 2005. - С. 140-142.

11. Зимин С.П., Горлачев Е.С, Богоявленская Е.А., Бучин Э.Ю., Амиров И.И., Нестеров С.И., Герке М.Н:,. Zogg Н.,. Zirnin D. Модификация* поверхности пленок теллурида свинца при обработке в аргоновой плазме // Сборник статей 4-й международной научной конференции «Материалы и технологии XXI века». — Пенза: Приволжский Дом знаний, 2006. - С. 26-29.

12. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Герке М.Н., Приходько О.Ю., Рягузов А.П. Исследование структурных характеристик аморфных пленок As2Se3 на мезопористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии // Сборник статей 5-й международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». - С.-Пб.: Изд-во Политехнического университета, 2006: - С. 169-170.

13. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Канагеева Ю.М., Савенко А.Ю;, Лучинин В.В., Мошников В.А. Структурные и электрические характеристики пористого кремния со сложной морфологией,// Сборник статей 5-й международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»: - С.-Пб.: Изд-во Политехнического университета, 2006. - С. 226-227.

14. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Герке М.Н., Амиров И.И., Zogg II. AFM-исследования пленок Pbi^Eu^Se на кремнии после плазменного травления // Труды 8-й международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». - Ульяновск: УЛГУ, 2006; - С. 86.

15. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Герке М.Н., Приходько О.Ю., Рягузов А.П. Атомно-силовая= микроскопия поверхности пленок As2Se3 на подложках пористого кремния // Сборник трудов Харьковской нанотехнологической Ассамблеи

2006, Т. 2 «Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике». — Харьков, 2006. — С. 395-398.

16. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Герке М.Н., Кутровская С.В., Амиров И.И. Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pbi^Eu^Se после плазменной обработки // Сборник трудов 45-й международной конференции «Актуальные проблемы прочности». - Белгород: Изд-во БелГУ, 2006. - С. 89-90:

17. Горлачев Е.С., Кутровская С.В: Особенности нанорельефа поверхности обработанных в плазме пленок РЬТе на подложках BaF2 // Материалы международной научно-технической школы-конференции «Молодые Ученые — 2006», Т. 2.-М.: МИРЭА, 2006. - С. 45-47.

18. Горлачев Е.С., Кутровская С.В. Особенности микрорельефа эпитаксиальных пленок PbSe после обработки в аргоновой плазме // Сборник научных трудов молодых ученых, аспирантов и студентов «Актуальные проблемы физики», вып. 6. - Ярославль: ЯрГУ, 2007. - С. 72-77.

19. Зимин С.П., Горлачев Е.С. Влияние термообработки в инертной среде на электрические свойства пористого кремния с оксидной фазой // Труды 5-й международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». - Томск: Изд. ТПУ, 2006. - С. 126-129.

20. Зимин С.П., Богоявленская Е.А., Горлачев Е.С., Бучин Э.Ю., Амиров И.И. Модификация эпитаксиальных пленок А4В6 на кремнии при анодировании и плазменной обработке // Труды 3-го российского совещания «Кремний-2006». — Красноярск, 2006. - С. 44.

21. Горлачев Е.С. Атомно-силовая-микроскопия нанорельефа^ пленок РЬТе по- -еле плазменной обработки // Материалы 9-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Нанотехнологии и нанодиагностика». - С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. - С. 31.

22. Горлачев Е.С. Исследование топологии роста пленок алюминия на пористом кремнии с различной морфологией // Материалы 7-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто-и наноэлектронике. - С.-Пб.: Изд-во СПбПТУ, 2005. - С. 23.

23. Горлачев Е.С. Электрические свойства высокоомного пористого кремния с оксидной фазой // Сб. науч. трудов молодых ученых, аспирантов и студентов «Актуальные проблемы физики», вып. 5. - Ярославль: ЯрГУ, 2005. - С. 96-103.

24. Зимин СЛ., Горлачев Е.С. Электропроводность высокоомного пористого кремния с оксидной фазой // Труды 7-й междунар. конф. «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». - Ульяновск: УЛГУ, 2005. - С. 41.

25. Горлачев Е.С. Влияние кратковременного отжига 550 и 650°С на электрические свойства двусторонней макропористой структуры // Материалы 8-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии». - С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. - С. 36.

26. Горлачев Е.С., Кантинова Е.А. Исследование особенностей роста пленок алюминия на пористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии // Материалы 8-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии». - С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. -С. 37.

27. Горлачев Е.С. Влияние кратковременного отжига на проводимость слоев-высокопористого кремния с оксидной фазой // Материалы 7-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наноструктур». - С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2004. - С. 35.

28. Горлачев Е.С. Изменение электропроводности высокопористого кремния с оксидной фазой после отжига 550 и 650°С // Материалы 6-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. - С.-Пб.: Изд-во СПбГПУ, 2004. - С. 40.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы. Диссертация содержит 121 страницу текста, включая 43 рисунка, 6 таблиц. Список литературы включает 128 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Горлачев, Егор Сергеевич

Основные результаты работы

1. В ходе диссертационной работы были изучены морфологические особенности пленок А4В6 на подложках кристаллического и пористого кремния, А1 металлизации и пленок As2Se3 на ПК. Установлено, что алюминиевая металлизация толщиной 1 мкм на макропористом кремнии является сплошной за счет формирования мостиков над порами. Впервые было обнаружено, что после высокотемпературного отжига 550°С в результате процессов релаксации напряжений происходит порообразование в А1 пленках за счет разрыва участков пленки, первоначально нависавших мостиками над макропорами ПК. Вместе с тем происходит диффузия металла из области мостиков в область хиллоков, что приводит к увеличению геометрических размеров последних. Показано, что пленки ХСП на подложках ПК характеризуются присутствием крупных выступов в области пор; появление которых объясняется релаксацией механических напряжений и диффузией материала из области поры на поверхность.

2. Результаты исследований показали, что пленки А4В6 толщиной 0,5-3 мкм на подложках пористого кремния, в том числе и макропористого, являются поликристаллическими, сплошными, без углублений или пор. Расга>шение пленок A4B6/nK/Si в аргоновой плазме имеет однородный характер, модификация поверхности отсутствует, что может быть использовано для формирования ненапряженных мезаструктур А4В6 на кремнии с буферными пористыми слоями.

3. В ходе выполнения диссертационной работы были предложены режимы обработки:' гетероэпитаксиальных структур A4B6/CaF2/Si(lll) и A4B6/BaF2(l l l) в реакторе высокочастотной индукционной аргоновой плазмы,, приводящие к формированию системы микро- и наиовыступов. Предложена модель, согласно которой пронизывающие дислокации в пленках А4В6 являются местом локализации микровыступов при определенных условиях обработки в плазме, приводящих к эффекту микромаскирования. Анализ результатов показал, что микромаскирование может происходить нелетучими соединениями PbF* и А\¥х.

4. В рамках диссертационной работы были определены технологические условия плазменной обработки, приводящие к подавлению формирования микро- или нановыступов. Установлено, что в ходе плазменной обработки пленок А4Вб на подложках CaF2/Si(lll) происходит формирование нановыступов за счет селективного распыления краев террас. Последнее явление позволило разработать технологический процесс формирования однородных массивов полупроводниковых наноструктур А4Вб с фиксированными геометрическими параметрами.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Горлачев, Егор Сергеевич, 2008 год

1. Romanov S.I., Mashanov V.I., Sokolov L.V., Gutakovskii A. GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular-beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol. 75, No. 26. -P. 4118-4120:

2. Zimin S.P., Preobrazhensky M.N., Zimin D.S., Zaykina R.F., Borzova G.A. Growth and properties of PbTe films on porous silicon // Infrared Phys. Technol. 1999. - Vol. 40. - P. 337-342.

3. Boberl M., Heiss W., Schwarzl Т., Wiesauer K., Springholz G. Midinfrared continuous-wave photoluminescence of lead-salt structures up to temperatures of 190°C // Appl. Phys. Lett. 2003. - Vol. 82, No. 23. - P. 4065-4067.

4. Wise F.W. Lead salt quantum dots: The limit of strong quantum confinement // Acc. Chem. Res. 2000. - Vol. 33. - P. 773-780.

5. Grabecki G. Quantum ballistic phenomena in nanostructures of paraelectric PbTe // J. Appl. Phys. 2007. - Vol. 101, No. 8. - P. 081722-1-081722^6.

6. Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell. Syst. Tech. J. 1956. - Vol. 35. — P. 333-338.

7. Konaka S., Tabe M., Sakai T. A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett. — 1982. Vol. 41, No. l.-P. 86-88.

8. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol. 57, No. 10. — P. 1046-1048.

9. Properties of porous silicon. Ed. Canham L. Malvern: DERA, 1997. - 400 p.

10. Зимин С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния // ФТП. 2000. - Т. 34, Вып. 3. - С. 359-363.

11. Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С. Стабилизация светоизлучаю-щих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма ЖТФ. 2000. - Т. 26, Вып. 1. - С. 50-55.

12. Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Смирнова Н.Н. Перенос носителей заряда в пористом кремнии // ФТП. 2002. - Т. 36, Вып. 3. - С. 355-359.

13. Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния // ФТП. 2006. - Т. 40, Вып. 4. - С. 476-481.

14. Kocka J., Pelant I., Fejfar A. Light emitting silicon, recent progress // J. Non-Cryst. Solids. 1996. - Vol. 198-200. - P. 857-862.

15. Von Beren J., Wolkin-Vakrat M., Jorne J., Fauchet P.M. Correlation of photoluminescence and bandgap energies with nanocrystal sizes in porous silicon // J. Porous Mat. 2000. - Vol. 7. - P. 271-273.

16. Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon // Phys. Rev. B. 1994. - Vol. 49, No. 4. - P. 2981-2984.

17. Горячев Д.Н., Беляков JI.B., Сресели O.M. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП: 2004. - Т. 38, Вып. 6. - С. 739-744.

18. Орлов A.M., Скворцов А.А., Клементьев-А.Г., Синдяев А.В. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения // Письма ЖТФ. 2001. - Т. 27, Вып. 2.-С. 76-83.

19. Зимин СЛ., Комаров Е.П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий-пористый кремний // Письма ЖТФ. 1998. - Т. 24, Вып. 6. - С. 45-51.

20. Астрова Е.В., Воронков В.Б., Ременюк А.Д., Толмачев В.А., Шуман В.Б.- Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования // ФТП. 1999. — Т. 33, Вып. 10. - С. 1264-1270.

21. Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П., Саломатин СЛ., Нагорнов Ю.С. Гетероструктурные эффекты в карбонизированном пористом кремнии // Письма ЖТФ. 2000. - Т. 26, Вып. 5. - С. 42-48.

22. Turner D.R. Electopolishing of silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem. Soc. 1958. - Vol. 5. - P. 402-405.

23. Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solution // Surf. Sci. 1966. - Vol. 4. - P. 109-124.

24. Allongue P., De Villeneuve C.H., Pinsard L., Bernard M.C. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation // Appl. Phys. Lett. -1995. Vol. 67, No. 7. - P. 941-943.

25. Lin T.L., Chen S.C., Kao Y.C., Wang K.L. 100-fjm-wide silicon-on-insulator structures by Si molecular beam epitaxy growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1986. - Vol. 48, No. 26. - P. 1793-1795.

26. Lin T.L., Sadwick L., Wang K.L., Kao Y.C., Hull R., Nieh C.W., Jamieson D.N., Liu- J.K. Growth and characterization of molecular beam epitaxial* GaAs layers on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 51, No. 11. - P. 814816.

27. Novikov P.L., Aleksandrov L.N., Dvurechenski A.V., Zinov'ev V.A. Mechanism1 of silicon epitaxy on porous silicon layers // JETP Lett. 1998. — Vol. 67, No. 7.-P. 539-544.

28. Новиков П.Л. Моделирование образования пористого кремния и эпитаксии кремния на его поверхности // Изв. вузов. Физика. 1999. - №3. - С. 49-56.

29. Гутаковский А.К., Романов С.И., Пчеляков О.П., Машанов В.И., Соколов JI.B., Ларичкин И.В. Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии // Изв. АН. Сер. Физическая. 1999. — Т. 63, №2.-С. 255-261.

30. Kang T.W., Leem J.Y., Kim T.W. Growth of GaAs epitaxial layers on porous silicon // Microelectron. J. 1996. - Vol. 27. - P. 423-436.

31. Saravanan S., Hayashi Y., Soga Т., Jimbo Т., Umeno M., Sato N., Yonehara* T. Growth of GaAs epitaxial layers on Si substrate with porous Si- intermediate layer by chemical beam epitaxy // J. Cryst. Growth. 2002. - Vol. 237-239. - P. 1450-1454.

32. Chang C.C., Lee C.H. Characterization and fabrication of ZnSe epilayer on porous silicon substrate // Thin Solid Films. 2000. - Vol. 379. - P. 287-291.

33. Boufaden Т., Matoussi A., Guermazi S., Juillaguet S., Toureille A., Mlik Y., El Jani B. Optical properties of GaN grown on porous silicon substrate // Phys. Stat. Sol. (a). 2004. - Vol. 201, No. 3. - P. 582-587.

34. Hsich W.T., Fang Y.K., Wu K.H., Lee W.J., Ho J.J., Ho C.W. Using porous silicon as semi-insulating substrate for J3-SIC high temperature optical-sensing devices // IEEE Trans. Electron Dev. 2001. - Vol. 48, No. 2. - P. 801-803.

35. Зимин С.П., Преображенский M.H., Зимин Д.С. Формирование двухсторонней пористой структуры при электрохимическом травлении кремния методом Унно-Имаи // Письма ЖТФ. 2000. - Т. 26, Вып. 1. - С. 24-29.

36. Zogg Н., Maissen С., Blunier S., Teodoropol S., Overney R.M., Richmond Т., Tomm J.W. Thermal-mismatch strain relaxation mechanisms in heteroepitaxial lead chalcogenide layers on Si substrates // Semicond. Sci. Technol. 1993. -Vol/8.-P. S337-S341.

37. Беляков Л.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.Н., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Исследование ИК фотодиодов на основе РЬТе, полученных на буферном подслое пористого кремния // ФТП. 1997. - Т. 31, №1. - С. 93-95.

38. Зимин С.П., Зимин Д.С., Саунин И.В., Бондоков Р.Ц. Низкотемпературный рост пленок РЬТе на пористом кремнии // Неорганические материалы. — 1998.-Т. 34,№4.-С. 114-115.

39. Zimin S.P., Preobrazhensky M.N., Zimin D.S. High-quality lead telluride films grown on silicon with buffer porous silicon layers // Proc. SPIE. 1999. — Vol. 3890.-P. 497-501.

40. Зимин С.П., Преображенский M.H., Зимин Д.С. Структурные особенности пленок селенида свинца, полученных на облученном электронами пористом кремнии // Материалы 10-го междунар. симпозиума «Тонкие пленки в электронике». 1999, Ярославль. - С. 249-253.

41. Miranda C.R.B., Abramof P.G., De Melo F.C.L., Ferreira N.G. Morphology andstress study of nanostructured porous silicon as a substrate for PbTe thin filmsgrowth by electrochemical process // Materials Research. 2004. - Vol. 7, No. 4.-P. 619-623.

42. Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P., Vorozov N.N.,. Yakovtseva V.A., Dolgyi L.N. Heteroepitaxy of PbS on porous silicon // Thin Solid Films.,— 1999.- Vol. 348.-P. 141-144.

43. Hung SiG., Su Y.K., Ghang S;L, Ghen S:G., JrL.W.,;Fang Т.Щ mm, Ghem M. Self-formation of GaN hollow nanocolumns by inductively coupled-plasma etching // Appl; Phys. A. 2005.-Vol. 80: - P. 1607-1610.

44. Daruka I., Barabasi A.-L. Dislocation-free island formation im heteroepitaxial growth: a study at equilibrium // Phys. Rev. Lett. 1997. - Vol. 79; No., 19-P. 3708-3711.

45. Widmann F., Daudin В., Feuillet G., Samson Y.,,Rouviere J!L.,.Pelekanos N. Growth kinetics and optical properties of self-organized GaN quantum dots // J. App. Phys. 1998. - Vol. 83, No. 12. - P. 7618-7624.

46. Ma Z.H., Sun W.D., Sou I.K., Wong G. K. L. Atomic force microscopy studies., of ZnSe self-organized dots fabricated on ZnS/GaP // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 73,No. 10.-P. 1340-1342.

47. Teichert С., Hofer С., Lyutovich К., Bauer М., Kasper Е. Interplay of dislocation network and island arrangement in SiGe films grown1 on Si(001) // Thin Solid Films. 2000. - Vol. 380, No. 1-2. - P. 25-28.

48. Raab A., Springholz G. Controlling the size and density of self-assembled PbSe quantum dots by adjusting the substrate temperature and layer thickness // Appl: Phys. Lett. 2002. - Vol. 81, No. 13. - P. 2457-2459.

49. Springholz G., Holy V., Pincolits M., Bauer G. Self-organized growth of three-dimensional quantum-dot crystals withh fcc-like stacking and a tunable lattice constant// Science. 1998. - Vol. 282. - P. 734-737.

50. Abtin L., Springholz G., Holy V. Surface exchange and shape transitions of PbSe quantum dots during overgrowth // Phys. Rev. Lett. 2006. - Vol. 97. - P. 266103-1-266103-4.

51. Alchalabi К., Zimin D., Kostorz G., Zogg H. Self-assembled semiconductor quantum dots with nearly uniform sizes // Phys. Rev. Lett. 2003. - Vol. 90, No. 2.-P. 026104-1-026104-4.

52. Hines M., Scholes G.D. Colloidal PbS nanocrystals with size-tunable near-infrared emission: Observation of post-synthesis self-narrowing of the particle size distribution // Adv. Mater. 2003. - Vol. 15, No. 21. - P. 1844-1849.

53. Bakueva E., Gorelikov I., Musikhin S., ZHao X.S., Sargent E.H., Kumacheva E. PbS quantum dots with stable efficient luminescence in the near-IR spectral range-// Adv. Mater. 2004. - Vol. 16, No. 11. - P. 926-929.

54. Turyanska L., Patane A., Henini M., Hennequin В., Thomas N.R. Temperature dependence of the photoluminescence emission from thiol-capped PbS quantum dots//Appl. Phys. Lett. — 2007. — Vol. 90.-P. 101913-1-101913-3.

55. Reynoso V.C.S;, De PaulaA.M:, Guevas R.F., Medeiros Neto E^

56. Gesar C.E., BarbosaЕ.С. РЬТе quantum dot doped glasses with absorption edge in the 1.5 jam wavelength:region // Electronic Eett. 1995. - Vol. 31, No. 12. — P. 1013-1015. ^

57. Graievich A.F., Kellermann G., Barbosa E.G., Alves O.L. Structure characterization and mechanism: of growth of PbTe nanocrystals embedded in a: silicate glass // Phys. Rev. Lett. 2002. - Vol: 89, No. 23. - P. 235503-1235503-4.

58. Facsko S., Dekorsy Т., Koerdt C., Trappe C., Kurz Hi,- Vogt A., Hartnagel' Hi Formation of ordered nanoscale semiconductor dots by ion sputtering // Science»- 1999;-Vol. 285, No. 5433.-P. 1551-1553.

59. Gago R., Vazquez E., Guerno R., Varela Mi, Ballesteros G., Albella J.M. Productioniof ordered silicon nanocrystals by low-energy ion sputtering // Appl: Phys. Lett;-2001.-Vol: 78,No: 21.-P: 3316-3318;

60. Frost F., Rauschenbach B. Nanostructuring of solid surfaces by ion-beam erosion // Appl. Phys. A. 2003. - Vol. 77, No. l.-P. 1-9.

61. Kim J. Surfacemorphology ofGe(l 11) during etching by keV ions II Phys. Rev. B. 2003. - Vol. 67, No. 4. - P. 045404-1-045404-6.

62. Ling L., Li:W.-Q:, Qi E J:, Eu Mi, Yang^X., Gu G.-X. Nanopatterning of SiplO). surface by ion sputtering: An experimental and simulation study // Phys. Rev. B.- 2005.-VoK 71. P. 155329-1-155329-8.

63. Facsko S., Bobek Т., Stahl A., Kurz H. Dissipative continuum model for self-organized, pattern formation during ion-beam erosion // Phys. Rev. B; 2004. — Vol. 69. - P. 153412-1-153412-4.

64. Bradley R.M., Harper J.M.E. Theory of ripple topography induced by ion bombardment // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. - Vol. 6, No. 4. - P. 23902395.

65. Sigmund P. Theory of Sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and-polyciystalline targets // Phys. Rev. 1969. - Vol. 383, No. 2. - P. 184-416.

66. Youtsey C., Romano L.T., Adesida I. Gallium nitride whiskers formed- by-selective photoenhanced wet etching of dislocations // Appl. Phys. Lett. — 1998. Vol. 73, No. 6. - P. 797-799.

67. Yoshida H., Urushido Т., Miyake H., Hiramatsu K. Formation of GaN self-organized nanotips by reactive ion etching // Jpn. J. Appl. Phys. 2001'. - Vol. 40, Part 2, No. 12A. — P. L1301-L1304.

68. Yu C.-C., Ghu C.-F., Tsai J.-Y., Huang H.-W., Hsueh T.-H., Lin C.-F., Wang S.-C. Gallium nitride nanorods fabricated by inductively coupled plasma reactive* ion etching // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. - Vol.41, Part 2, No. 8B. - P. L910-L912.

69. Hung S.C., Su Y.K., Chang S.J., Chen, S.C., Fang Т.Н., Ji L.W. GaN nanocolumns formed by inductively coupled plasmas etching // Physica E. — 2005.-Vol. 28.-P. 115-120.

70. Волков' Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца // УФН. — 2002! — Т. 172, №8.-С. 875-906.

71. Heremans' J.P., Thrush С.М., Morelli D.T. Thermopower enhancement in lead1 telluride nanostructures // Phys. Rev. В. 2004-. - Vol. 10i - P. 115334-1115334-5.

72. Furst J., Pascher H.,. Schwarzl Т., Boberl M., Springholz G., Bauer G., Heiss W. Continuous-wave emission from midinfrared IV-VI vertical-cavity surface-emitting lasers// Appl. Phys. Lett. -2004. -Vol. 84, No. 17.-P. 3268-3270.

73. Arnold M., Zimin D., Zogg H. Resonant-cavity-enhanced photodetectors for the mid-infrared //Appl. Phys. Lett. 2005. - Vol. 87. - P. 141103-1-141103-3.

74. Таске M. Lead-salt lasers // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A-2001.-Vol. 359. -. P. 547-566.

75. Покутний С.И. Экситонные состояния в полупроводниковых квантовых точках в рамках модифицированного метода эффективной массы // ФТП: — 2007.-Т. 41,Вып. 11.-С. 1341-1346.

76. Allan G., Delerue С. Unusual quantum confinement effects in IV-VI materials // Materials Sci. Engineering C. -2005. Vol. 25,No. 5-8. -P. 687-690.

77. Imai K., Unno H. FIPOS technology and its application to LSI's // IEEE Trans; Electron Dev. 1984. - Vol. ED-31, No. 3. - P. 297-302.

78. Ковалев A.H., Маняхин Ф.И. Свойства и механизм фотопроводимости поликристаллических слоев сульфида свинца // Поверхность: Физика, химия,, механика.-1986. -№2.-С; 117-126. ,

79. Mengui U.A., Abramof Е., Rappl Р.Н.О., Ueta A.Y. Characterization of SnTe films grown by molecular beam epitaxy // Brazil. J. Phys. 2006. - Vol; 36, No. 2A.-P. 324-327.

80. Springholz G., Ueta A.Y., Frank N, Bauer G. Spiral growth and threading dislocations for molecular beam epitaxy of PbTe on BaF2 (1 1 1) studied by scanning tunneling microscopy // Appl; Phys. Lett. 1996. - Vol. 69. - P. 28222824;

81. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochemical Society. 1986. - Vol. 133, No. 4.-P. 166-167.

82. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1. Реактивное ионное травление // Микроэлектроника. 1999. — Т. 28, № 5. - С. 344-362.

83. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Ппазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники // Микроэлектроника. 1999. - Т. 28, № 6. — С. 415-426.

84. Амиров ИИ. Ионно-химическое травление кремния и окиси кремния в многокомпонентной плазме // Исследование технологических процессов и приборов микроэлектроники (Тр; ФТИАН; Т. 12). М:: Наука: Физматлит, 1997.-С. 19-36.

85. Амиров И.И., Бердников А.Е., Изюмов МЮ: Процессы травления резистов в реакторе с ВЧ-индукционным источником плазмы // Микроэлектроника: 1998. - Т. 27,. № 1.-е. 22-27;

86. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов: — М.: Радио и связь, 1986. 232 с.

87. Woodworth J.R., Riley М.Е., Meister D.C., AragomB.P., Le M.S., SawbH;Hi Ion energy and! angular'. distributions in inductively coupled radio- frequency; discharges-in argon //Ji AppI: Phys. 1996: -Vol: 80; No: 3: - P. 1304-13 IT;

88. Арутюнов: П.А., Толстихина A.JI. Атомно-силовая микроскопия в задачах, проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1 // Микроэлектроника. 1999. - Т. 28, № 6. - С. 405-414.

89. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера, 2005. -144 с:

90. EiufRiP!,'XmZ., Хш Wang W.K-.,.Eam G.Z:. Distorted^ surfacetopography, observed by atomic: force microscopy // Measurement; 2006: — Vol. 39.-P. 12-15.

91. Wu H.2., Fang X.M., Salas R.J., McAlister D., McCann P.J. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si(lll) and observation of the PbSe growth interface // J. Vac. Sci. Technol. 1999. - Vol. 17, No. 3. - P. 12631266.

92. Труханов E.M., Колесников A.B., Василенко А.П., Гутаковский А.К. Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых-гетероструктурах //ФТП. 2002. - Т. 36, Вып. 3. - С. 309-316.

93. D'Heurle F., Berenbaum L., Rosenberg R. On the structure of aluminum films // Trans. Met. Soc. AIME. 1968. - Vol: 242. -P. 502-511.

94. Bacconier В., Lormand G., Papapietro M., Achard M., Papon A.-M. A study of heating rate and texture influences on annealing hillocks by a statistical* characterization of A1 thin-film topography // J. Appl. Phys. 1988. — Vol. 64, No. Г1.-Р. 6483-6489.

95. Ericson F., Kristensen N., Schweitz Ji-A., Smith U. A transmission-electron, microscopy study of hillocks in thin aluminum films // J: Vac. Sci. Technol1. B'. — 1991.-Vo. 9, No. 1.-P. 58-63.

96. Smith U., Kristensen N., Ericson F., Schweitz L-A. Local stress relaxation' phenomena in thin aluminum films // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. - Vol. 9, No. 4.-P. 2527-2535.

97. Kim D.-K., Nix W. D., Vinci R. P:, Deal M.D., Plummer J.D. Study of the effect of grain boundary migration-on hillock formation in A1 thin, films II JL Appl; Phys. 2001'. - V. 90, No. 2. - P: 781-788.

98. Blech I.A., Meieran E.S. Electromigration in thin A1 films // J. Appl. Phys. — 1969. Vol. 40, No. 2. - P. 485-49 Г.

99. Скворцов-А.А., Орлов A.M., Рыбин, B.B. К вопросу диагностики деграда-ционных процессов в системе алюминий-кремний при импульсных электрических воздействиях II Письма ЖТФ. 2006. — Т. 32, Вып. 6. - С. 18-23.

100. Бернштейн M.JT., Займовский В.А. Механические свойства металлов. — М.:, Металлургия, 1979. 496 с.

101. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. — М.: Радио и связь, 1990. 264 с.

102. Сарсембинов Ш.Ш., Приходько О.Ю., Мальтекбасов М.Ж., Максимова С .Я., Аверьянов B.JI. Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As2Se3 // ФШ. 1991. - Т. 25, Вып. 3. - С. 564-566.

103. Andriesh A.M. Ghalcogenide glasses in optoelectronics // ФТП. — 1998. — T. 32, Вып. 8. С. 970-975.

104. Tanaka К. Nanostructured chalcogenide glasses // J. Non.-Cryst. Solids. 2003. -Vol.326&327.-P. 21-28. '

105. Schwarzl Th., Heiss W., Kocher-Oberlehner G., Springholz G. CH4/H2 plasma etching of IV-VI semiconductor nanostructures // Semicond. Sci. Technol. — 1999.-Vol. 14, No. 2.-P. 11-14.

106. Кибалов-Д.С., Журавлев И.В., Лепшин П.А., Смирнов В.К. Перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов // Письма ЖТФ. 2003. - Т. 29, Вып. 22. - С. 63-67.

107. Lieberman М.А. Spherical shell model of an asymmetric rf discharge // J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 65. No. 11. - P. 4186-4191.

108. Вавилов В.С., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы,образования и миграции дефектов в полупроводниках. -М.: Наука, 1981. 368 с.

109. Hayakawa Т., Suzuki Т., Uesugi Т., Mitsushima Y. Mechanism of residue formation in silicon trench etching using a bromine-based plasma // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. - Voh 37, Part 1, No. 1. - P. 5-9.

110. Oehrlein G.S., Rembetski J.F., Payne E.H. Study of sidewall passivation and microscopic silicon1 roughness phenomena in chlorine-based reactive ion etching of silicon trenches // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. - Vol. 8, No. 6. - P. 11991211.

111. Pelletier J., Arnal Y., Durandet A. SF6 plasma etching of silicon: evidence of sequential multilayer fluorine adsorption // Europhys. Lett. 1987. - Vol. 4, No. 9.-P. 1049-1054.

112. Blavette D., Cadel E., Fraczkiewicz A., Menand A. Three-dimensional atomic-scale imaging of impurity segregation to line defects // Science. 1999. - Vol. 286, No. 5448. - P. 2317-2319.

113. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. — Киев: Наук, думка, 1983. — 304 с.

114. Скворцов А.А., Орлов A.M., Фролов В.А., Соловьев А.А. Электростимули-рованное движение краевых дислокаций в кремнии при комнатных температурах // ФТТ. 2000. - Т. 42, Вып. 11. - С. 1998-2003.

115. Wu H.F., Zhang H.J., Lu Y.H., Xu T.N., Si J.X., Li H.Y., Bao S.N., Wu H.Z., He P. Scanning tunneling microscopy of epitaxial growth of PbSe thin film on BaF2(l 11) // J. Cryst. Growth. 2006. - Vol. 294: - P. 179-183.

116. Xu T.N., Wu H.Z., Si J.X., Cao C.F. Observation of triangle pits in PbSe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Surf. Sci. 2007. - Vol. 253, No. 12. - P. 5457-5461.

117. Матаре F. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. — 464 с.

118. Ramos R., Cunge G., Pelissier В., Joubert О. Cleaning aluminum fluoride coatings from plasma reactor walls in SiCL/Cfe plasmas // Plasma Sources Sci. Technol: -2007. Vol. 16, No. 4. - P. 711-715.

119. Основные свойства неорганических фторидов. Справочник. Под ред. Галкина Н.П. М.: Атомиздат, 1975. - 400 с.