Электрические свойства и параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах из KTaO3 и K1-xLixTaO3 в коротковолновой части СВЧ диапазона тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Решетников, Михаил Евгеньевич

• Решетников, Михаил Евгеньевич
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Решетников, Михаил Евгеньевич

ВВЕДЕНИЕ. ^

ГЛАВА I. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТАНТАЛАТА КАЛИЯ

ОБЗОР)

§1.1. Диэлектрическая проницаемость и нелинейность

§ 1.2. Диэлектрические потери.

§ 1.3. Диэлектрические свойства Ki-xLixTa

§ 1.4. Параметрическое взаимодействие в 1фисталлах КТа

ГЛАВА П. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ КРИСТАЛЛОВ К Та

И KbXLixTa 03 В КОРОТКОВОЛНОВОЙ ЧАСТИ свч

ДИАПАЗОНА. 2?

§ 2.1. Методика и погрешности измерения tg-S'

§ 2.2. Эксперименташьная установка для исследования диэлектрических свойств

KTaO. и параметрических эффектов в диапазоне 12 * 14 ГГц . Ш

§ 2.3. Экспериментальная установка для исследования диэлектрических свойств К Та U 3 в диапазоне 25 * 36 ГГц

§ 2.4. Результаты измерения диэлектрических потерь KTqO. и К,х Ljx Та 03 в интервале температур 4,2 * 300 К

ГЛАВА Ш. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ КРИСТАЛЛОВ К Та

И KbXLixTa 03 В ДИАПАЗОНАХ 12 + 14 1Гц

И 25 * 36 ГГц.

§ 3.1. Методика и погрешности измерения £

§ 3.2. Диэлектрическая проницаемость кристаллов КТа 03 и K,-xLixTa

ГЛАВА U. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В РЕЗОНАТОРАХ из КТсхОз

§ 4.1. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в резонаторах из К Та

§ 4.2. Параметрическое возбуждение звука СВЧ накачкой в резонаторах из KTcxO-j

ГЛАВА У. ПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РА30НАТ0Р0В К Та И К»х LitfTa O j №

§ 5.1. Исследование поверхностных слоев в сегнетоэлектриках. 10?

§ 5.2. Влияние поверхностных слоев на собственные частоты и диэлектрические потери резонаторов из K».xLixTc* о j а о

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрические свойства и параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах из KTaO3 и K1-xLixTaO3 в коротковолновой части СВЧ диапазона»

Танталат калия привлекает к себе последние годы все большее внимание специалистов в области физики твердого тела. Велик интерес к этому кристаллу и исследователей, занимающихся прикладными вопросами, в частности, разработкой различных нелинейных диэлектрических СВЧ устройств.

Наибольший интерес системы и устройства на основе кристаллов танталата калия представляют в коротковолновой части СВЧ диапазона, где они модут успешно конкурировать с полупроводниковыми устройствами. Обладая достаточно высокой диэлектрической нелинейностью, танталат калия имеет весьма низкий уровень потерь, чем делает весьма перспективным его использование в качестве активной нелинейной среды в параметрических устройствах, в системах с электрическим управлением и иных нелинейных системах.

Исследование диэлектрических свойств KTqO, и особенно его малых потерь при низких температурах позволяет также выяснить механизмы диссипации электромагнитной энергии на СВЧ, особенности фазового перехода, который может быть вызван в этом виртуальном сегнетоэлектрике приложением механического давления, рядом других воздействий, а также замещением калия в кристаллической решетке, например, литием.

Диэлектрические потери танталата калия в коротковолновой части сантиметрового диапазона оставались до последнего времени практически не изученными.

Также не исследованы в этой частотной области при температурах, близких к температуре жидкого гелия, и диэлектрические свойства K,xLixTa О, ; хотя информация об этих свойствах представляется весьма актуальной для создания СВЧ устройств данного диа пазона.

Исследованию указанных выше проблем, связанных со свойствами танталата калия, и посвящена настоящая работа.

Диссертация состоит из пяти глав.

Б первой главе дан краткий обзор литературы, имеющей непосредственное отношение к проведенным исследованиям.

Во второй главе описана методика и погрешности измерения, криогенные экспериментальные установки для исследования нелинейных диэлектриков в диапазонах 12 * 14 ГГц и 25 * 36 ГГц. Излагаются результаты измерения диэлектрических потерь в кристаллах

К Та О3 и LixTa О3 »

В третьей главе описана методика, погрешности и основные результаты измерения диэлектрической проницаемости при Т = 4,2 К и относительного изменения £ с температурой.

В четвертой главе описаны эффекты параметрических взаимодействий в диэлектрических резонаторах из К Та 05 , наблюдавшиеся на частотах 12 + 14 ГГц при температуре жидкого гелия. Рассмотрены возможные механизмы возбуждения ультразвука в исследованных резонаторах.

В пятой главе изложены результаты исследования медленных релаксационных процессов в К Та О, и Kj-xLiyTaO? при температурах 4,2 К ^ Т < 30 К.

Проведенные в диссертационной работе исследования позволяют сформулировать следующие положения, которые выносятся на защиту.

I. Диэлектрические потери монокристаллов К Та на частотах 12 * 14 ГГц и 25 + 36 ГГц при температурах, близких к температуре жидкого гелия, малы и лежат на один-два порядка ниже значений, известных для других сегнетоэлектрических кристаллов.

Это делает указанные кристаллы перспективными для использования в качестве активной среды в коротковолновой части СВЧ диапазона.

2. Впервые измеренные диэлектрические потери кристаллов K|.xL»ixTcx Oj ( х = 0,02; 0,05; 0,1 по шихте), в области температур ниже фазового перехода ( Т<30 К) на частотах 12 * 14 ГГц и 25 * 36 ГГц оказываются не выше потерь чистого

КТа03.

3. Качественный ход кривых относительного изменения £ с температурой кристаллов K^Li/Tcx 03 при низких температурах аналогичен виду зависимости для чистого К Та 0 у Обратная диэлектрическая проницаемость кристаллов К ,х LixTa на частотах 12 * 14 ГГц при Т - 4,2 К линейно убывает с уменьшением концентрации лития X.

4. В резонаторах из КТо 0, при Т = 4,2 К на частотах 12 * 14 ГГц осуществлено параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в двавды вырожденном режиме, а также электромеханическое параметрическое возбуждение ультразвука, которое носит элек-трострикционный характер.

5. В диэлектрических резонаторах из KTcO, и K,.xLixTa 0-j при охлаждении до температуры ниже Т ^ 30 К наблюдаются медленные релаксационные изменения собственных частот, связанные с перераспределением зарядов и изменением внутреннего электрического поля. Скорость и характерные времена Z" этих медленных процессов определяются диэлектрической проницаемостью и проводимостью кристаллов, и для исследованных образцов при гелиевых температурах характерные времена имеют порядок * Ю4 сек.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Решетников, Михаил Евгеньевич

ЗАКЛКЯЕНИЕ

Сформулируем основные результаты работы:

1. Создана экспериментальная установка для исследования свойств диэлектрических резонаторов (колебательной добротности, спектра собственных частот) в коротковолновой части СВЧ диапазона • • Измерения методом диэлектрического резонатора в волноводном тракте проведены на частотах 25 * 36 ГГц в интервале температур 4,2 * 20 К.

Создан измерительный комплекс для исследования диэлектрических потерь, диэлектрической проницаемости, параметрических эффектов и медленных релаксационных процессов в сегнетоэлектри-ческих резонаторах СВЧ диапазона. Комплекс позволяет проводить частотные, амплитудные и спектральные измерения на частотах 12 + 14 ГГц в интервале температур 4,2 + 300 К. Эти исследования осуществлены на диэлектрических резонаторах из К Та 03 и K,xLixTa03.

2. Подробно рассмотрены погрешности измерения потерь методом диэлектрического резонатора. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что даже значительные паразитные отражения в тракте могут вносить систематическую погрешность, занижающую получаемые значения добротностей не более, чем на 20$, если частотная зависимость паразитных отражений в пределах полосы исследуемого резонатора мала.

3. На созданных экспериментальных установках проведено подробное изучение электрических свойств, релаксационных и параметрических эффектов в диэлектрических резонаторах из кристаллов

КТа03 и K,.xLi/Ta03 .

4. Изучение колебательной добротности резонаторов позволило исследовать диэлектрические потери танталата калия в диапазоне 12*14 ГГц. Впервые исследованы диэлектрические потери кристаллов К Та 03 в диапазоне 25-36 ГГц, а кристаллов K,-xLiyTa 03 в диапазонах частот 12-14 ГГц и 25-36 ГГц при температурах, близких к температуре жидкого гелия.

Установлены следующие особенности диэлектрических потерь: а) в диапазоне 12-14 ГГц как К Та О, так и K^TaO, при гелиевых температурах обладают чрезвычайно малыми потерями.

Наименьшие значения при Т = 4,2 К дляKTa03tjS"<[,2• 10^, и

Для КО;9Ь«ОдТа03 Ъс^Вя 2-Ю"5; б) с ростом температуры выше Т = 4,2 К в обоих рабочих частотных диапазонах душ всех исследованных концентраций лития потери монотонно растут, причем, при Т (25+35К) наблюдается максимум, положение которого зависит от концентрации лития; в) при Т > 40 К на частотах 12+14 ГГц в чистом танталате калия потери монотонно растут и их уровень хорошо согласуется с теоретическими оценками, учитывающими решеточные механизмы затухания мягкой моды.

5. Изучение спектров собственных частот резонаторов позволило исследовать изменение диэлектрической проницаемости с температурой.

На частотах 12-14 ГГц при Т = 4,2 К впервые оценены значения диэлектрической проницаемости кристаллов K(.xLixTa для X — 0,02; 0,05; 0,1. Обнаружено, что: а) диэлектрическая проницаемость всех исследованных кристаллов монотонно растет в интервале температур Т = 4,2*30 К, что свидетельствует о преобладании при Т < 20 К в кристаллах

LixTa 05 решеточной восприимчивости над релаксационной; б) в интервале температур I00K < Т < 270 К на частотах 12*14 ГГц в чистом танталате калия диэлектрическая проницаемость изменяется в соответствии с модифицированным законом Кюри-Вейса с параметрами, согласующимися с данными других работ; в) обратная диэлектрическая проницаемость К ,х L ixTa Oj на частотах 12*14 ГГц при Т = 4,2К линейно возрастает с концентрацией лития X ; г) значения полученных диэлектрических проницаемостей отличаются от измеренных ранее на низкой частоте. Как показывают соответствующие оценки,эта дисперсия может быть объяснена пьезоэлектрическим зажатием доменов на СВЧ.

6. В диапазоне 12*14 ГГц при Т=4,2 К экспериментально реализовано параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в резонаторах из К Та О, в дважды вырожденном режиме.

7. Обнаружено параметрическое возбуждение ультразвука электромагнитной накачкой при температуре жидкого гелия. Проведена оценка пороговых мощностей накачки для возможных механизмов такого взаимодействия. Показано, что эффект носит электрострик-ционный характер.

8. Исследованы медленные релаксационные изменения собственных частот резонаторов из КТа 03 и K,.xLixTaO, при Т = 4,2 К. Установлено, что этот процесс отвечает максвел-ловской релаксации и его характерные времена приблизительно пропорциональны диэлектрическим проницаемостям и удельному сопротивлению образцов.

В заключение хочется выразить глубокую благодарность моему научному руководителю профессору кафедры физики колебаний ИВАНОВУ И.В., а также старшему преподавателю кафедры физики колебаний ЕЕЛОКОПЫТОВУ Г.В. за постоянное внимание, всестороннюю помощь и поддержку.

Автор благодарен СЫРНИКОВУ П.П. и ЯНОВСКОМУ В.К. за предоставленные кристаллы танталата калия, а также СОРОКИНУ М.И., ПЕТРОВУ Д.Г., СЫРОМЯТНИКОВУ И.Ю. и другим сотрудникам кафедры колебаний за помощь в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Решетников, Михаил Евгеньевич, 1984 год

1. Демуров Д.Г., Веневцев Ю.Н. О характере фазового перехода сег-нетоэлектрика КТа05. - ФТТ, 1971, 13, № 3, с.669-673.

2. Samara Д., Tflorosin 8. dnharmo nic effects in KTa03; ferroelectric mode therma L expansion and compress'i bi Li t PKys. Rev/., 19 В8, лАЗ, p. 1256-126?.

3. Демуров Д.Г., Веневцев Ю.Н., Жданов Г.С. Система KTq ~~

4. PbTl 03 в интервале температур 4,2 300 К. - Кристаллография 1970, 15, № 3, с.582-584.

5. Wempie S. Н. 5ome transport propert\es ofoxygen -dificient single cryst qL pot as -sium tcmtaLate (^ТсД).- Phys. Rev., 1365*;lЪЪА, p. ±S?6~-1SSZ.

6. Kolnng. WempLe S. H. measurement of nonLinear polarization of KTaOy usin^. Sch ott К у diodes.— AppL. РЦ^ 1965, 36 , /\A9, P- 2925*-2929.

7. Fujii Y., SaKudo T. DieLectric oind optical properties of KTaQ^— 0. РЦз. Soc. Da pa n^ 19^p.888-893.

8. Davis T &. DieLectr-ic propertiesand soft modes in the ferroeLect ri с mixed crystaLs Phus. 19?г1. P2S30-ZS3?

9. Aqrawal >4 Д, Rao K.\/. Dielectric properties and optical absorption o-f l<Ta03 le crystaLs, KTa03'A^Ta03 m{x€d cry 5taLs.-5. РЦ.5. С : SoL. S-t. P^ysv ±9*0,^ p U20-U26.

10. Low/Less W. A/; specific he at Qnd eLectro-caLoric properties of KTqO^ at Low temperatures.-- Phi/5. Re\/., 19??, В16 , vV'l,p. ii33-</39.

11. Бузин И.М., Иванов И.В., Моисеев Н.Н., Чупраков В.Ф. Нелинейность и диэлектрические потери танталата калия. ФТТД980, 22, & 7, с.2057-2062.

12. Rupprecht £v BeLL R.O. Dielectric constant in pa rae Le ct ri с perovsKites1. Pbys. Rev.j tM.lSS/l, p.

13. Hannon D. ГЛ. Electron paramagnetic resonance of Fe+ahd ЛГ/3+ in КTa031. Rev., p. W.

14. Lowndes R.R, Rast/?. £ta bizati on of •the porci e Lectric phase of KTqOjand 6rTi03 by strong ^uartic moniciiy.— 0. Phy.s4 £ : Si. Pbys., 46 , v^Aj; p. 932-34^.

15. Чупраков В.Ф. Диэлектрическая нелинейность танталата калия и титаната стронция на СВЧ при низких температурах. Канд. дисс., М., физ. фак. МГУ, 1981.

16. Barret &Н. DieLectric constant in perovskite type crystals.— РЬу-s.1952, p. US-120.19. mattias B.T Afew -ferroeLectric crysta LLs,— P In у s. Rew., i9V9, , ^рлт.

17. Geusik Э.Е., Kurtz S.K., /IfeLsonT Э., WempLe S.H. Л/onLinear die Lect rfc properties of KTaO? near ttie Curie point,

18. AppU Phys. Lett,, 1965, IP, p. 1S5-IS*.

19. TTliLLer R., Spitzer W. For infrareddielectric dispersion in1. РЦь. p. Q<t-9&,

20. Silverman B. D. TTlicrowai/e absorptionin cubic strohiium titanat е.— РЦь. Re^,1962, 125; p. 1921-1930.

21. Tani К. Dynamics of d is pLas i ve-t ype -ferroeLectric.s — so-ft mode,— 0. PInys.

22. Soc. Dapan, IQSd, 2Jk> p. 69.

23. Балагуров Б.Я., Вакс В.Г., Шкловский Б.И. Затухание критических колебаний и диэлектрические потери в сегнетоэлектри-ках типа смещения. ФТТ, 1970, 12, JS I, с.89-99.

24. Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектри-ков. М., Наука, 1973.

25. Таганцев А.К. 0 диэлектрических потерях в сегнетоэлектриках типа смещения. 1ЭТФ, 1984, 86, & 6, с.2215 - 2228.

26. Виноградов B.C. К теории поглощения электромагнитных волн в идеальной и неидеальной ионной кристаллической решетке. Труды ШАН, 1969, т.48, с.76-144.

27. Виноградов B.C. К теории диэлектрических потерь при сверхвысоких частотах в кристаллах с неидеальной решеткой. ФТТ, 1962, 4, lb II, с.3348-3349.

28. Вендик О.Г., Платонова Л.ГЛ., Соколов А.И. Параметрический механизм потерь в сегнетокерамике в сильных СВЧ-полях.- Изв.АН СССР,'сер.физ., 1969, 33, J& 7, C.II67-II69

29. Вендик О.Г., Платонова Л.М. Влияние доменных образований, присутствующих в параэлектрике, на диэлектрические потери в СВЧ-диапазоне. ФТТ, 1969, II, № 4, с.1069-1072.

30. Белокопытов Г.В., Иванов И.В., Моисеев Н.Н., Петров А.В., Сычев В.М. Нелинейность диэлектрических потерь в титанате стронция при гелиевых температурах. Тезисы I Всесоюзногосовещания по сегнетоэлектричеству, Ростов-на-Дону, 1979, ч.2, с.12.

31. Моисеев Н.Н. Диэлектрические потери и параметрические взаимодействия в кристаллах титаната стронция и танталата калияна СВЧ. Канд. дис., М., МГУ, 1982.

32. Вендик О.Г., Дедык А.И., Зайончковский А.Я., Коноваленко В.В. Диэлектрические потери в МДМ-структурах на основе титаната стронция в диапазоне радиочастот при Т = 4,2 К. ФТТ, 1980, 22, Ш 6, с.1682.

33. Белокопытов Г.В., Иванов И.В., Моисеев Н.Н., Чернышев Ф.Д. Потери в диэлектрических резонаторах из титаната стронция с электродами. . Сб. Физика и химия твердого тела, М., ШШИ-НИИТЭХИМ, 1982, с.35-40.

34. Усачев А.Б. Влияние поверхностных слоев и электрического поля смещения на диэлектрические свойства резонаторов из танталата калия. Дипл. раб., физ. ф-т, МГУ, 1984.

35. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М., Наука, 197€

36. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применение.-М., Мир, 1981.

37. Белокопытов Г.В., Иванов И.В., Петров Д.Г., Решетников М.Е.

38. Измерение диэлектрических потерь танталата калия в 8-мм диапазоне. ФТТ, 1984 , 26, JS 2, с.545-547.

39. Бузин И.М., Иванов И.В., Чистяев В.А. Взаимодействие мод и диэлектрические потери в танталате калия. ФТТ, 1980, 22, JS 9, с.2848-2849.-12941. Hoclli U.T., WeibeL H.E., Boainer Lfl.

40. Extrinsic peak in the susce pti biLity of incipient ferroeLe ctM'c KTftP3:L,\- Pby5. Rev. Lett v 49?<9, £f, p. l<H0-i4i3.

41. Вутмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах с нецентральными ионами. ФТТ, 1979, 21, В 4, с.1263-1265.

42. Вутмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Особенности кооперативного поведения пара-электрических дефектов в сильно поляризуемых кристаллах ЖЭТФ, 1980, 79, J6 9, с.947.

43. Yacoby Y., Yubt 5. Differential Raman Scatterring. from impurity soft modesiV) mixed crystaLs of and

44. К^Ь>хТа03.- SoL. St. Comm.jiWf, p.

45. Court ens F. B/ref м'п^е nee meets и re merits on KTa03: Li£ РЦз, 4 li^

46. HackLi U.t, Wei be L HF., Boat ner L.A Stabi-Usatfon of a poLarised cLuster-s in KTcD3 by Li defects: formation of a poLarll^iM, L563-LS6?.

47. Гейфман И.Н., Сытиков А.А., Коломцев В.И., Круликовский Б.К. Фазовый переход в состояние полярного стекла в «Ux)Ta О^Г ЖЭТФ, 1981, 80, й 6, с.2317 2323.

48. Смоленский Г.А., Сотников А.В., Сырников П.П., Юпин Н.К. Существование сегнетоэлектрической фазы в 1фисталле К Ta03 • Письма в III, 37, $ I, с.30-33.

49. Смоленский Г.А., Сотников А.В., Сырников П.П., Шин Н.К. Сег-нетоэлектрический фазовый переход в КТо<03 • Lh

50. Изв. АН СССР, сер. физ., 1983, 47, £ 4, с.648-651.

51. Поплавко Ю.М., Бовтун В.П., Гефман И.Н. Диэлектрическая дисперсия в монокристаллах KTa03^ Li г Изв. АН СССР сер. физич., 47, № 4, с.648-651.

52. Гейфман И.Н. Применение ЭПР при исследовании сегнетоэлектри-ков. Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по сегнето-электричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве, Минск, 1982, ч.2, с.155.

53. Гейфман И.Н. Влияние нецентральной примеси лития на ЭПР парамагнитных центров в КТс\03 т ФТТ, 1981, 23, J£ 4, с.1253.

54. Cassec/y F S. A surface wave parametric amplifier.- Proc. IRF, 1953,p. L3M-13P5.

55. Вендик О.Г., Дахнович А.А., Тер-Мартиросян Л.Т., Миронен-ко И.Г. Параметрический усилитель на I ГГц на нелинейном диэлектрике. Радиотехника и электроника, 1969, 14, № 3, с.555-557.

56. Вендик О.Г., Дахнович А.А., Рубан А.С., Тер-Мартиросян Л.Т., Янченко Ю.Ф. Охлаждаемый параметрический усилитель на титана-те стронция. Радиотехника и электроника, 1972, 17, № 9, с.1981.

57. BlLLetfer Т. R.,GiaroLa А. Bjorkstcim <Н. D/'sbectric parametric ampLifier.—0. /JppL. Pbys.; 196V, 35^ tAfe?; p. 2159.

58. Иванов И.В. Перспективы применения полосковых линий с нелинейным диэлектриком в диапазоне СВЧ. Вопросы радиоэлектроники. Сер. Ш, 1965, № 3, с.85-98.

59. Иванов И.В., Белокопытов Г.В., Сычев В.М. Параметрическое усиление в сегнетоэлектрических резонаторах на СВЧ. Сб. Сегнето- и пьезоматериапы и их применение, М., 1978, МДНТП им.Дзержинского Ф.Э., с.82-85.

60. Иванов И.В., Белокопытов Г.В., Сычев В.М. Параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах СВЧ из титаната стронция при температуре жидкого гелия* Письма в ЖТФ, 1977, 3, ^ 19, C.I0II-I0I3.

61. Сычев В.М. Экспериментальное исследование параметрических взаимодействий в микрополосковых резонаторах из Sr*Ti 03 при низких температурах. Канд. дисс., М, МГУ, 1983.

62. Белокопытов Г.В., Иванов И.В.,Моисеев Н.Н. Параметрическое усиление в диэлектрических резонаторах из танталата калия при непрерывной накачке. Письма в ЖТФ, 1982,8, № 10, с,611--613.

63. Иванов И.В., Ангелов И.М., Лаптев А.Г. Сегнетоэлектрические нелинейные элементы распределенного типа и возможность их применения для параметрического усиления в СВЧ диапазоне. -Изв. вузов. Радиоэлектроника, 1973, 16, J^ 10, с.28-34.

64. Иванов И.В. Об особенности работы в параметрических системах нелинейных диэлектрических элементов распределенного типа. -Вестник МГУ сер. физ. астрон., 1973, 4, с.501.

65. Белокопытов Г.В. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в сегнетоэлектрических резонаторах. Канд. дис. М., МГУ, 1978.

66. Белокопытов Г.В. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в нелинейных диэлектрических резонаторах. Основные равнения. Вестник МГУ, сер.физ.астрон.,1977,18, № 2, с.61-66.

67. Белокопытов Г.В. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в нелинейных диэлектрических резонаторах. Стационарные режимы усиления. Вестник МГУ, сер. физ.астрон., 1977, 18, JS 5, с. 103-108.

68. Белокопытов Г.В., Моисеев Н.Н. Параметрическая регенерация в сегнетоэлектрических резонаторах. Изв. вузов. Радиофизика, 1982, 25, Л• 10, с.1210-1220.

69. Малышев М.Н., Планарные тонкопленочные сегнетоэлектрические резонаторы в параметрических усилителях СВЧ. Канд. дис., ЛЭГИ, Ленинград, 1979.

70. Прудан A.M. Исследование электрических свойств поликристаллических пленок титаната стронция в сильных электрических полях СВЧ. Автореферат канд. дис. ЛЭТЙ, Ленинград, 1977.

71. Тер-Мартиросян Л.Т. Параметрический разогрев тепловых акустических мод в нелинейном диэлектрике. Радиотехника и электроника, 1975, 20, № 12, с.2592.

72. Бурлак Г.В., Коцаренко Н.Я. Нелинейное поглощение электромагнитного излучения в центросимметричных кристаллах, обусловленное возбуждением звука. ФТТ, 1981, 23, с.3232-3237.

73. Бурсиан Э.В., Шапкин В.В., Баранов А.Ф., Рцчаговский В.В.

74. Сегнетоэлектрики и диэлектрики. Ученые записки ЛГПИ им.Герцена, 1967, Л., т.384, вып.Ш, с.З.

75. Бузин И.М. Диэлектрические потери титаната стронция в диапазоне сверхвысоких частот. Вестник МГУ, сер.физ.астрон.,1977, 18, J* 6, с. 70-76.

76. Бузин И.М. Исследование нелинейности и диэлектрических потерь титаната стронция в диапазоне сверхвысоких частот. Канд. дис., М., МГУ, 1972 г.

77. Вайнштейн Л.А. Открытые резонаторы и открытые волноводы. -Сов. радио. М., 1966.

78. Курилко В.И. К теории радиационной добротности диэлектрического резонатора. Доклады АН СССР, 1968, 180, № I, с.70-72.

79. Дузин И.М. Динамический метод измерения добротности СВЧ резонаторов. ПТЭ, 1971, £ I, с.160.

80. Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысорк частотах. М., Физматгиз, 1963.

81. Петров Д.Г. Исследование диэлектрических потерь кристаллов танталата калия в 8-миллиметровом диапазоне. Дипл. раб., физ. фак. МГУ, 1983.

82. Davphinee Т Preston -Thomas Н. Л.

83. A copper resistance temperature scaLe.—

84. Rev/. Sci. Ir\stn, 1954, 9j p. 884-886.

85. Вепшек Я. Измерение низких температур электрическими методами. М., Энергия, 1980.

86. Харвей А.Ф. Техника сверхвысоких частот. М. Сов. радио, 1965.

87. Волков А.Л., Чоршуков Б.П., Крисов Л.Л., Козлов Г.В., Лебедев С.Р. Электродинамические свойства металлических решеток. Препринт ФИАН им.Лебедева, 1981.

88. Взятышев В.Ф. Диэлектрические волноводы. М. Сов. Радио, 1970.

89. Axe 1 D., На га б/а £.,£bi>ane G. Anomalousacoustic dispersion in cent rosy mmeinc crystaLs wi-fch soft opt»с phonons,— PЬуд Rev/., 19^0, B1 , Я 122?- 123*.

90. Slnirane G.^/l/a-fcliahS THinkie v i ck lempe-rature dependence of ike soft -ferroelectric mode in KTqG^- РЦз. Re^ 196?,p. 396-399.

91. Петров B.M. О возможности создания параметрического усилителя СВЧ с рекордно низким уровнем шумов. Изв. АН СССР, сер. физ., 1965, 29, & II, с.2121-2124.

92. Uwe H.^SakudoT Ramci п scott е rin<^. stn-dy of stress induced ferroeLectrici"tуin KTa03Pliys. ЗЗ^-З^Х

93. Сыромятников И.Ю. Исследование диэлектрических свойств кристаллов танталата калия в 8-миллиметровом диапазоне при гелиевых температурах. Дипл. раб., физ.фак. МГУ, 1984.

94. Sqbisky E.S., Gerr itsen Ю. TTleasurments of the. clieLectric constqnt of RutiLe (T\0Z) at microwe*ve frequencies between 4,2° qnd 300°К/4ppL. Phys., 1962, 33 , . /lAV, p. W 50-±453.

95. Prater R.'i-j, Chase L.L. ,Boatner L/J. Raman scc\t-"ber('nj- studies o-ftl-ie. impurity induced ferroe W-trie phase transition in РЦys.Rev/., 1951, 623, lA/^Li., p.S904-59i5.

96. Белокопытов Г.В. Структурный фазовый переход и диэлектрические аномалии в титанате стронция. М., Деп. ВИНИТИ, $ 3951-80, I сентября 1980.

97. Barret Н.Н. Ultrasonic propagation v/eLocity ih KTQ03.- РЦ s, Lett. 1968, ZSA, p,

98. Uwe HtJ Sakucto T E Lsct rost Net i Oh anc( stress ividmced -jferroeLect ricity in KTaD3r~ Л.РЦб. Japan, 38j p. 153-183.

99. Мигулин B.B., Медведев В.И., Муст ель E.P., Парыгин B.H. Основы теории колебаний. М., Наука, 1978.

100. Бурлак Г.К., Коцаренко Н.Я., Кошевая С.В. Взаимодействие электромагнитных и акустических волн в твердых телах. Изв. вузов, Физика, 1981, 24, & 8, с.57-68.

101. Сабурова Р.В. Об одном механизме электрострикционной генерации гиперзвука в непьезоэлектрических твердых телах. ФТТ, 1984, 26, № 2, с.614-616.

102. Баррет Г. Акустические свойства веществ со структурой типа перовскита. В кн. Физическая акустика, М., Мир, 1973,с.90-138.

103. Карлинер М.М.,Шапиро В.Е., Шехтман И.А. Неустойчивость стенок резонаторов под действием пондермоторных сил электромагнитного поля. ЯТФ, 1966, 36, » II, с.2017-2027.

104. Шапиро В.Е. О пондермоторных эффектах электромагнитного излучения. ЖЭТФ, 1968, 55, В 2, с.577-583.

105. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл (титанат бария). М. Наука, 1974.

106. BLoomfieLcl RE., Lef Kowftz I., Aronoff- A. D. ELectnc fie Lei cAi si ri but ions in dieLectrfcs^ wi-tln speciaL emphasis on hear- surfaceons ih -ferroeLeccrics.— Pky5.Rei/V t9?ij WJ

107. Зайцева Л.А. Влияние примеси на сегнетоэлектрическую систему с переходом типа смещения. ФТТ, 1973, 15, № 5, с.1603--1605.

108. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М., Мир, 1965.

109. Граевский В.Н. Исследование возможностей создания СВЧ емкостей с большой нелинейностью. Дипл. раб,, физ. фак. МГУ, 1984.

110. Юпин Н.К., Сотников А.В. Возбуждение упругих волн в центро-симметричных кристаллах титаната стронция. ФТТ, 1980,22, В 9, с.2772-2776.

111. Fossheih К, BjerKanb. Ltybt-sznsitive RayLeiftk-wave generation by Surface pie20eLecirici-ty.- /?ppL. Phys. Lett., 32 уp. 199-201,

112. Смоленский Г.A., Леманов В.В., Сотников А. В., Сырников П.П. Юпин Н.К. Пьезоэлектрическое возбуждение упругих волн в центросимметричном кристалле танталата калия. Доклады АН СССР, 1981, 260, JS 3, с.605-607.

113. Сканави Г.И. Физика диэлектриков. М., ГИТТЛ, 1949г.