Монокристаллы с умеренной и сильной электромеханической связью для акустоэлектроники и акустооптики тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Андреев, Илья Александрович

• Андреев, Илья Александрович
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Андреев, Илья Александрович

Введение

Глава 1. Фонон-фононное и фотон-фононное взаимодействия в диэлектриках

1Л. Механизмы фонон-фононного взаимодействия в диэлектриках. Влияние точечных дефектов

1.2. Фотоупругость ацентричных кристаллов. Фотоупругость сегнетоэлектриков в области фазового перехода

1.3. Термостабильные пьезоэлектрические кристаллы для акусто-электроники на объёмных и поверхностных акустических волнах

1.4. Выводы обзора и постановка задачи исследования

Глава 2. Методики эксперимента, измерительные установки и исследуемые образцы

2.1. Методики исследования пьезоэлектрических и низкочастотных упругих свойств кристаллов

2.2. Методика исследования фотоупругих и высокочастотных упругих свойств кристаллов (метод брэгговского рассеяния света на звуке)

2.3. Общая блок-схема установки брэгговского рассеяния и её оптическая, акустическая и измерительная части

2.4. Исследуемые образцы кристаллов, преобразователи гиперзвука и эталоны ниобата лития

Глава 3. Влияние температуры и постоянного электрического поля на пьезоэлектрические и упругие свойства монокристаллов

3.1. Диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие свойства кристаллов ниобата бария-натрия, ниобата бария-стронция и лантан-галлиевого силиката при комнатной температуре

3.1.1. Анизотропия электромеханических и упругих свойств кристаллов Ba2NaNbsOi5 и Bao,4Sro,6Nb

3.1.2. Монокристаллы лангасита La3Ga5SiOi

3.1.3. Обсуждение экспериментальных результатов

3.2. Упругие и электромеханические параметров кристалла ниобата бария-стронция в области фазового перехода

3.2.1. Температурные зависимости упругих и электромеханических параметров, связанных с продольной модой, распространяющейся вдоль полярной оси

3.2.2. Температурные зависимости упругих и электромеханических параметров мод, определяемых податливостями Sn и S

3.2.3. Обсуждение экспериментальных результатов

3.3. Температурная зависимость диэлектрических и упругих свойств лангасита. Обнаружение кристаллографических ориентаций с нулевым ТКЧ упругих колебаний в лангасите

3.4. Влияние внешнего электрического поля на упругие свойства кристаллов 125 3.4.1. Индуцированная электрическим полем эллиптическая поляризация поперечных упругих волн в танталате лития

3.4.2. Электроупругий (поляризационный) эффект в кристаллах лангасита

3.5. Выводы

Глава 4. Низкочастотные и высокочастотные акустические свойства монокристаллов

4.1. Акустические потери в чистых и легированных кристаллах лангасита

4.2. Высокочастотные акустические свойства кристаллов ниобата бария-стронция и ортованадата кальция

4.2.1. Анизотропия и дисперсия скорости и затухания высокочастотных упругих волн в ниобате бария-стронция

4.2.2. Анизотропия и дисперсия скорости и поглощения продольного гиперзвука в ортованадате кальция Саз(У04)г

4.3. Упругие свойства селенида цинка и анизотропия затухания упругих волн в молибдате гадолиния

4.4. Влияние температуры Дебая, симметрии и состава кристалла на высокочастотное поглощение упругих волн

4.5. Выводы

Глава 5. Фотоупругость селенида цинка, ниобата бария-стронция и лантан-галлиевого силиката

5.1. Фотоупругие компоненты и акустооптическая добротность кристаллов ZnSe, LGS и SBN при комнатной температуре

5.2. Анизотропия температурных аномалий фотоупругого эффекта в кристаллах SBN в области фазового перехода

5.3. Влияние внешнего электрического поля на геометрию акустооптического взаимодействия в кристаллах SBN

5.4. Выводы

Глава 6. Практические применения результатов проведённых исследований

6.1. Пьезоэлектрические резонаторы продольных колебаний на кристаллах SBN и акустоэлектронные устройства на кристаллах LGS

6.2. Управляемая электрическим полем ультразвуковая линия задержки на кристалле молибдата гадолиния

6.3. Акустооптические устройства на кристаллах селенида цинка и ниобата бария-стронция

6.4. Пьезорезонансный преобразователь температуры и приемник ИК-излучения на кристалле ниобата бария-натрия

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Монокристаллы с умеренной и сильной электромеханической связью для акустоэлектроники и акустооптики»

В последние 40 лет важными и развивающимися областями физики твердого тела являются акустоэлектроника и акустооптика, изучающие возбуждение и распространение упругих волн высоких и сверхвысоких частот в твердом теле, а также взаимодействие упругих волн с когерентным оптическим излучением. При распространении в твердом теле упругих волн с длиной волны до долей микрона значительную роль играют эффекты фонон-фононного и фотон-фононного взаимодействия [1,2].

С ростом частоты упругих волн увеличивается их поглощение в твердом теле, причем наименьшее удельное поглощение наблюдается в монокристаллах. Поэтому прогресс в развитии акустоэлектроники в основном определяется появлением новых пьезоэлектрических монокристаллов с малым поглощением упругих волн и сильной электромеханической связью, имеющих особые кристаллографические ориентации с нулевым температурным коэффициентом частоты (ТКЧ) упругих колебаний или скорости объемных (ОАВ) и поверхностных акустических волн (ПАВ) в области 20 °С.

Термостабильный и высокодобротный кристаллический кварц с 1935 г. по настоящее время остается основой пьезоэлектроники, однако он является слабым пьезоэлектриком, что стимулирует поиск новых термостабильных сильных пьезоэлектриков [3].

В 1966 - 1981 годах были открыты и исследованы три пьезоэлектрических'монокристалла: с сильной электромеханической связью и нулевым ТКЧ: танталат лития 1ЛТаОз, фосфат алюминия (берлинит) AIPO4, и тетраборат лития Li2B407. Однако по совокупности физических свойств эти кристаллы значительно уступают кристаллическому кварцу и не могут служить основой акустоэлектронных устройств стабилизации и селекции частоты в радиоэлектронных и оптических системах связи [4].

Изучение нелинейных свойств кристаллов имеет важное значение /при: исследовании структурных фазовых переходов и создании устройств с управляемыми, параметрами; [5]. В окрестности фазового' перехода кристаллическая решетка лабильна^ наблюдается сильный ангармонизм фонон-фононного и фотон-фононного взаимодействий [6] L Нелинейный, пьезоэффект изучен на ограниченном; числе кристаллов, причем ни один известный к 1986 г. кристалл не сочетал в себе термостабильные упругие свойства,, низкие потери и< достаточный для практического применения нелинейный пьезоэффект [7]. •

Поэтому поиск физических- особенностей пьезоэлектриков, определяющих свойства высокодобротных монокристаллов с термостабильными; упруго-пьезо-диэлектрическимими параметрами, сильными электромеханической1 связью и электроупругим эффектом является важной проблемой прикладной физики.

С 1977 по 1983 г. внимание автора было обращено, на- монокристаллы кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков? молибдата гадолиния

Gd2(MoC>4)3, кристалла ванадата кальция Ca3(V04)2, синтезированного впервые в 1981 г. в лаборатории Ю.С. Кузьминова (ИОФАН), кристаллов со структурой калий-вольфрамовой бронзы - ниобата бария-натрия Ba2NaNbsOi5 и ниобата бария-стронция BaxSrixNb206, обладающего уникальным сочетанием электрооптических, пироэлектрических и фоторефракционных свойств.

В 1983 г. были начаты исследования неизвестного ранее монокристалла сложного окисла лантан - галлиевого силиката La3Ga5SiOi4, синтезированного впервые в мире Б.В. Миллем (МГУ) с целью использования предполагаемой оптической нелинейности кристалла для управления частотой излучения твердотельных лазеров. Высокое качество и большие размеры кристаллов дангасита, LGS (эти название и аббревиатура для кристаллов лантан-галлиевого силиката введены автором диссертации в 1983 г.), выращенных М.Ф.Дубовиком в НПО Монокристаллов, позволили автору диссертации получить принципиально важные результаты и выполнить разработки аку сто электронных устройств на кристаллах лангасита на несколько лет раньше коллег в России и за рубежом.

Целью исследования является установление характерных особенностей пьезоэлектрических монокристаллов, определяющих низкие акустические потери, температурную и временную стабильность упруго-пьезо-диэлектрических параметров, значительную величину электромеханической связи и электроупругого эффекта.

Для достижения этой цели было необходимо провести комплексные исследования диэлектрических, пьезоэлектрических, акустических и акустооптических свойств неисследованных ранее пьезоэлектрических монокристаллов различной симметрии, структуры и состава в широком диапазоне частот упругих волн, температур и электрических полей и решить следующие задачи:

1. Разработать методику и установку для исследования акустических и акустооптических свойств оптически прозрачных твердых сред методом брэгговского рассеяния света на звуке, позволяющую регистрировать дифрагированный свет на уровне шумов,

2. Исследовать анизотропию и дисперсию пьезоэлектрических и акустических свойств пьезоэлектрических монокристаллов Сс^СМоО^з, Ca3(V04)2 Ba2NaNb5015, Bao^Sr^NbiOe и La3Ga5SiO,4.

3. Исследовать анизотропию фотоупругости и акустооптических свойств кристаллов ZnSe, Bao,4Sro,6Nb206 и LaaGasSiOn.

4. Изучить влияние температуры и внешнего электрического поля на акустические, пьезоэлектрические и акустооптические свойства кристаллов. 1

В работе использовались следующие методики:

1) измерение пьезоэлектрических и низкочастотных упругих свойств методом пьезоэлектрического резонанса в диапазоне частот 0,1 - 20 МГц.

2) измерение высокочастотных упругих параметров методом эхо - импульса в диапазоне частот 200 МГц - 1 ГГц.

3) измерение высокочастотных упругих и акустооптических свойств методом дифракции лазерного излучения на упругих волнах с частотой 500 МГц -2 ГГц в режиме Брэгга.

Научная новизна работы. В отличие от проведенных ранее исследований акустических и пьезоэлектрических свойств кристаллов, не решивших фундаментальную проблему связи их структуры и состава с существованием термостабильных упруго-пьезо-диэлектрических свойств и проблему нахождения сильного, акустически прозрачного пьезоэлектрика с термостабильными и управляемыми свойствами, проведеные в настоящей работе комплексные исследования пьезоэлектрических, акустических и акустооптических свойств малоизученных параэлектриков и сегнетоэлектриков с разными точечными группами, структурами, составом позволили установить ряд характерных особенностей, определяющих существование названных свойств.

Широкий диапазон экспериментальных условий и применение точных методов измерений позволили впервые:

1) исследовать анизотропию диэлектрических, пьезоэлектрических, упругих и электромеханических параметров кристаллов Ba2NaNb50i5, Ba04Sr06Nb2O6 и La3Ga5SiOi4, определяемую особенностью структуры тетрагональной калий - вольфрамовой бронзы и тригонального кальций -галлогерманата; и

2) исследовать нелинейное изменение с температурой упругости, пьезоэффекта, внутренних упругих потерь кристалла Bao4Sro6Nb2C>6 в области размытого сегнетоэлектрического фазового перехода;

3) наблюдать релаксационный характер анизотропии температурных аномалий упругих параметров Bao4Sro6Nb2C>6 обусловленной анизотропией электрострикции;

4) обнаружить слабые противоположные температурные зависимости упругих податливостей Sn и S44 Ba04Sr06Nb2O6 равные-5 •10"5/°С и +5-10"6/°С вблизи 20°С, определяющие возможность существования в кристалле кристаллографических ориентаций с нулевой зависимостью скорости упругой волны от температуры вблизи 20 °С;

5) обнаружить и изучить параболическую зависимость частоты продольных и поперечных упругих колебаний в кристаллах La3Ga5SiOi4 с температурой экстремума вблизи комнатной температуры, что явилось первым экспериментальным доказательством существования в La3Ga5SiOi4 редкого явления в физике твердого тела - взаимной компенсации положительных и отрицательных температурных коэффициентов модулей упругости кристалла лангасита;

6) обнаружить отсутствие у кристаллов лангасита аномалий упруго-пьезо-диэлектричеких свойств в широком интервале температур, что свидетельствует о принадлежности лангасита к классу пьезоэлектриков-параэлектриков и отсутствии сегнетоэлектрических свойств;

7) обнаружить и измерить более высокую временную стабильность упруго-пьезо-диэлектричеких свойств кристаллов лангасита по сравнению со свойствами сегнетоэлектриков;

8) обнаружить и изучить влияние внешнего электрического поля на изменение пространственного положения плоскости поляризации поперечной упругой волны в танталате лития ЫТаОз, обусловленное эффектом наведённой электрическим полем эллиптической поляризацией упругой волны вследствие зависимости скорости линейно поляризованной поперечной упругой волны от напряжённости электрического поля;

9) обнаружить и измерить наибольший для кристаллов с нулевым температурным коэффициентом скорости и низким затуханием звука

-12 электроупругий (поляризационный) эффект в лангасите, порядка 100-10" м/В, определяемый особенностью лабильной структуры кристалла, деформируемой электрическим полем;

10) исследовать анизотропию и дисперсию скорости и поглощения упругих волн в диапазоне частот 500 - 1700 МГц в сегнетоэлектриках и параэлектриках и найти зависимость между нормированным поглощением и симметрией, структурой и составом кристалла;

11) обнаружить и изучить малое поглощение низкочастотных и высокочастотных упругих волн в лангасите, обусловленное сложным составом и высокой симметрией кристалла;

12) исследовать влияние на упругие и пьезоэлектрические свойства лангасита процесса легирования кристалла ионами алюминия или титана и обнаружить существенное увеличение пьезоэффекта и уменьшение упругих потерь в кристалле вследствие упорядочения его структуры;

13) исследовать акустооптическое взаимодействие в кристаллах ZnSe, Bao4Sro6Nb2C>6 и LasGasSiOu, измерить фотоупругие постоянные этих кристаллов и обнаружить высокую эффективность взаимодействия в селениде цинка;

14) обнаружить аномальное для всех известных кристаллов уменьшение до нуля фотоупругой постоянной р3< | ниобата бария-стронция в области фазового перехода, обусловленное влиянием аномально высокого значения электрооптического коэффициента Г33,. изменяющегося с температурой как спонтанная поляризация Ps

На защиту выносятся следующие основные положения: 1. Сильная анизотропия электрострикции ниобата бария-стронция, вызываемая искажением структуры тетрагональной калий-вольфрамовой бронзы определяет значительную анизотропию пьезоэффекта и коэффициента электромеханической * связи и характер зависимости от температуры акустических параметров в области фазового перехода. 2: В кристалле ниобате бария-стронция температурное поведение фотоупругости, измеряемой в постоянном электрическом поле, определяется в области фазового перехода поведением спонтанной поляризации. В силу аномально? высокого значения электрооптического коэффициента г33 "электрооптическая" фотоупругость, обусловленная совместным влиянием электрооптического и пьезоэлектрического эффектов вносит основной вклад в эффективную фотоупругую постоянную рз1Е и уменьшается с температурой как спонтанная поляризация до тех пор, пока при температуре Кюри Е фотоупругая постоянная p3i оказывается пренебрежимо малой.

3. В монокристаллах лантан - галлиевого силиката (лангасита) существуют кристаллографические ориентации, для которых скорости продольных и поперечных упругих волн не зависят от температуры вблизи комнатной температуры, что связано с взаимной компенсацией температурных коэффициентов упругих модулей.

4. Введение в кристаллы лангасита модифицирующих ионов А13+ или Ti4+ -ионов с меньшим радиусом, чем радиус иона галлия, частично замещающих ионы галлия в кристаллах лангасита с алюминием в октаэдрических позициях на 11% ив тетраэдрических позициях на 3%, а в кристаллах лангасита с титаном в октаэдрических позициях на 28% и в тетраэдрических позициях на 5%, уменьшает неупорядоченность его структуры, обусловленную статистическим распределением в кристаллической решётке ионов Ga3+ и Si4+. Это определяет существенное увеличение пьезоэффекта и уменьшение упругих потерь в кристалле.

5. Среди кристаллов с термостабильными упругими свойствами и слабым поглощением упругих волн кристаллы лангасита обладают наибольшей зависимостью упругих модулей от величины электрического поля, порядка 100 10"12 м/В, что определяется особенностью кристаллического строения лангасита - наличием каналов, параллельных тригональной оси и заселенных наиболее крупными катионами, смещаемыми электрическим полем.

6. Монотонное изменение с температурой упруго-пьезо-диэлектрических параметров лангасита в широком интервале температур свидетельствует о принадлежности лангасита к классу пьезоэлектриков- параэлектриков. Отсутствие сегнетоэлектрических свойств определяет в три-пять раз более высокую температурную и временную стабильности упруго-пьезо-диэлектрических параметров лангасита по сравнению со свойствами сегнетоэлектриков.

7. В исследованных кристаллах разной симметрии и состава анизотропия затухания упругих волн выражена достаточно сильно, но связь между анизотропией затухания и анизотропией скорости звука отсутствует. В кристаллах с высокой температуры Дебая, более сложным составом и более низкой симметрией наблюдается уменьшение величины акустического затухания. Лангасит - тригональный кристалл с 2.3 'r-h{f, атомами в элементарной ячейке и температурой Дебая 740 К имеет наименьшее нормированное затухание звука 0,9 - 4 дБ/ см -ГГц2.

Основные положения, выдвигаемые на защиту, опубликованы в следующих работах:

1. Андреев И.А., Шапкин В.В. Электромеханические свойства монокристаллов BaxSri.xNb206 // Физика твёрдого тела. -1979. Т. 21. №5. - С. 1576-1578.

2. Андреев И.А., Иванов Г.А., Кузъминов Ю.С., Полозков Н.М. Высокочастотные упругие волны в сегнетоэлектрическом BaxSri.xNb206 // Физика твёрдого тела. -1981. Т. 23. №2. - С. 628-631.

3. Андреев И.А., Ивлева Л.И. Гиперзвук в монокристалле нового сегнетоэлектрика Ca3(V04)2 // Физика твёрдого тела. -1981. Т. 23. №12. -С. 3721-3724.

4. Андреев И.А. Фотоупругость BaxSri.xNb206 в области сегнето-электрического фазового перехода // Письма в Журнал технической физики. -1982. Т. 8. №17. - С. 1067-1071.

5. Андреев И.А., Кузъмшов Ю.С., Полозков Н.М. Слабая температурная зависимость упругих податливостей Sn и S44 кристалла BaxSrixNb206 вблизи 20 °С // Журнал технической физики. -1983. Т. 53. №8. - С. 16321634.

6. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Новый пьезоэлектрик лангасит LasGasSiOn -материал с нулевым температурным коэффициентом частоты упругих колебаний // Письма в Журнал технической физики. -1984. Т. 10. №8. - С. 487-491.

7. Андреев И.А. К 20-летию обнаружения термостабильных упругих свойств кристалла ЬазGasSЮн и появления термина "лангасит" // Журнал технической физики. -2004. Т. 74. №9. - С. 1-3.

8. Андреев И.А. Акустоэлектронные компоненты и пьезоэлектрические монокристаллы: современное состояние и применения // Вопросы оборонной техники. 2005. №5/6. - С. 37-44.

9. Андреев И.А. Влияние электроиндуцированной эллиптической поляризации звука на акустооптическое взаимодействие в LiTa03 // Оптический журнал. -2005. Т. 72. №10. - С. 79-81.

10. Андреев И.А. Поляризационный эффект в кристаллах лангасита // Журнал технической физики. -2006. Т. 76. №1. - С. 124-128.

11. Андреев И.А. Анизотропия и дисперсия скорости и поглощения упругих волн в пьезоэлектрических кристаллах // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И.Герцена. Естественные и точные науки. -2006. март. - С. 27-43.

12. Андреев И.А. Монокристаллы семейства лангасита - необычное сочетание свойств для применений в акустоэлектронике // Журнал технической физики. -2006. Т. 76. №6. - С. 80-86.

13. Андреев И. А. Анизотропия электромеханических свойств пьезоэлектрических кристаллов со структурой вольфрамовой бронзы и лангасита // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. -2007. №1 - С. 45-52.

14. Andreyev LA., Gorokhovatsky Y.A. Electric field influence on elasticity of crystals //Moldavian J. ofPhys. Sciences. -2007. V.6. №1 (январь). - p. 79-85.

15. Андреев И.А., Ивлева Л.И. Кристаллы для эффективного преобразования и управления лазерным излучением // Оптический журнал. -2007. Т. 74. №9 . - С.40-44.

16. Андреев И.А., Шапкин В.В. Устройство для измерения напряженности статических и квазистатических полей // А.С. № 527675, Бюл."Открытия, изобретения", №33, 1977 г.

17. Андреев И.А., Шушков А.Г., Галъцев А.П. и др. II Авторское свидетельство № 102249, 1977 г.

18. Андреев И.А., Шапкин В.В. Управляемая ультразвуковая линия задержки // Авторское свидетельство № 716498, 1979 г.

19 .Андреев И.А., Шапкин В.В. Пьезорезонансный преобразователь температуры //№ 777481, бюл."Открытия, изобретения", №41, 1980 г.

Ю.Андреев И.А., Иванов Г.И., Величко И.А., Мельников Б.В. Акустический модулятор света на продольных упругих волнах // Авторское свидетельство № 795231, 1980 г.

21 .Андреев И.А., Кузъминов Ю.С., Камеристый Э.Ю., Полозков Н.М. Пьезорезонансный датчик излучения // Авторское свидетельство № 807768, 1980 г.

22. Андреев И. А., Кузъминов Ю.С., Полозков Н.М. Акустооптическое устройство с электрической коррекцией угла Брэгга // Авторское свидетельство № 814093, 1980 г.

23.Андреев И.А., Величко И.А. Способ измерения скорости и затухания упругих волн // А.С. № 879413, Бюл. "Открытия, изобретения", 1981 г. №41, -С.247-250.

24.Андреев И.А., Величко И.А. Установка для изменения скорости и затухания упругих волн // Авторское свидетельство № 878021, 1981 г.

25. Андреев И.А., Шапкин В.В., Дубовик М.Ф. Пьезоэлектрический преобразователь // А.С. № 947933, Бюл. "Открытия, изобретения", 1982 г., №28, -С. 245-246.

26.Андреев И.А., Шапкин В.В., Соболев Т.Н. Пьезоэлектрический резонатор // Авторское свидетельство № 943789, 1982 г.

П.Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлектрический элемент (его варианты) // Авторское свидетельство № 1222170, 1985 г.

28.Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлектрический контурно-сдвиговый элемент//Авторское свидетельство № 1230317, 1985 г.

29.Андреев И.А., Дубовик М.Ф., Рассветаев B.JI. II Авторское свидетельство №258111, 1987 г.

30.Андреев И.А., Дубовик М.Ф., Рассветаев B.JJ. II Авторское свидетельство №258101, 1987 г.

31 .Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлемент толщино-сдвиговых колебаний //Авторское свидетельство № 1373278, 1987 г.

Ъ2.Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлемент с колебаниями сдвига по контуру//Авторское свидетельство № 1382368, 1987 г.

33.Дубовик М.Ф., Андреев И.А., Коршикова Т.И. и др. Пьезоэлектрический материал // А. С. № 1506951, Бюл."Открытия, изобретения." 1989 г. №45. -С. 177-178.

34. Андреев И.А., Шапкин В.В. Температурная зависимость скорости и затухания объемных упругих волн в молибдате гадолиния. // В кн: Сегнетоэлектрики. Сб. науч. трудов. -JL, 1978. - С.81-85.

35. Андреев И.А., Ивлева Л.И. Скорость и затухание ВЧ фононов в новом сегнетоэлектрике Саз(УОд)2 // В кн: Сегнетоэлектрики. Сб. науч. трудов. -Минск, 1983.-С. 141-150.

35. Андреев И.А., Ивлева Л.И Скорость и затухание ВЧ фононов в новом сегнетоэлектрике Саз(У04)г // В кн: Сегнетоэлектрики. Сб. науч. трудов. -Минск, 1983.-С. 141-150.

36. Андреев И.А., Иванов Г.А., Величко И.А., Мельников Б.В. Акустооптические свойства ZnSe // Материалы для оптоэлектроники. Всесоюзная. конф.-Ужгород, 1980. -С. 153-154.

37. Андреев И. А., Иванов Г. А., Кузьминов Ю.С., Полозков Н.М. Акустооптические свойства BaxSrixNb206 // Материалы для оптоэлектроники. Всесоюзная конф. -Ужгород, 1980. - С. 173-174.

38. Андреев И.А. Акустическая электрогирация в кристаллах ЫТаОз Н Одиннадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. -Душанбе, 1981. часть I. -С. 191-192.

39. Андреев И.А., Кузьминов Ю.С., Полозков Н.М. Акустические и пьезоэлектрические войства BaxSrixNb206 // Одиннадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. -Душанбе. 1981, часть II. - С. 237-238.

40. Андреев И.А., Клудзин В.В., Дубовик М.Ф. Электромеханические и акустооптические свойства лангасита // Актуальные вопросы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов. Вторая Всесоюзная конф. - Москва, 1984. ч.2. -С. 267.

41. Андреев И.А., Кузьминов Ю.С., Полозков Н.М. Поверхностные акустические волны в ниобате бария-стронция // Актуальные вопросы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов. Вторая Всесоюзная конф. - Москва, 1984. ч.2. - С. 334.

42. Андреев И. А., Дубовик М.Ф. Сильное электроакустическое взаимодействие в кристаллах лангасита // Тринадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. -Киев, 1986. ч. 2. - С. 143-144.

43. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Лангасит - перспективный кристалл для термостабильных устройств на ОАВ и ПАВ // Актуальные вопросы получения и применения сегнето- и пьезоэлектриков. Третья Всесоюз. конф. - Москва, 1987. - С. 143.

44. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Модифицированный лангасит - основа низкочастотных устройств пьезоэлектроники // Четырнадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустики. -Кишинев, 1989. ч. 2. - С.67-68.

45. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Основные параметры ВЧ устройств на ОАВ и ПАВ из лангасита // Четырнадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустики. - Кишинев, 1989. ч. 2. - С.69-70.

4e.Diibovik M.F., Andreev I.A.,Shmaly Y.S. Langasite (La3Ga5SiOu), an optical Piezoelectric. Growth and Properties // Proc. IEEE Inter. Freq. Control Symp. -Boston, 1994. V. 48. - p.43-47.

47.Andreyev I.A., Ivleva L. I. ZnSe and Са3(У04)г as nonlinear crystals for the efficient laser radiation conversion and control // Proc. 2-nd Inter. Conf. on Physics of Laser Crystals. - Yalta, September 25-30, 2005. - OC8.

48. Andreyev I.A., Gorokhovatsky Y.A. The influence of dc electric field on sound velocities in litium tantalate and langasite crystals // Proc. 4-th Inter. Symp. on Optical Materials. - Prague, June 26-30, 2006, - p. 90.

49. Andreyev I.A., Gorokhovatsky Y.A. Electro-elastic effect in litium tantalate and langasite crystals // Proc. 3-rd Inter. Conf. on materials science and condensed matter physics, - Chisinau, October 3-6, 2006, - p. 72.

50. Андреев И.А., Гороховатский Ю.А. Влияние электрического поля на упругие свойства кристаллов танталата лития и лангасита // Третья Международная конф. по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века».- Черноголовка. 20-26 ноября 2006. - С. 390-392.

51. Андреев И.А. Пьезоэлектрические, акустические и акустооптические свойства монокристаллов ниобата бария-стронция //Автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук. JI. ЛГПИ. 1983г. 21с.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, (пять глав содержат оригинальные результаты), заключения, списка цитируемой литературы, включающего 264 наименования и 4-х приложений-документов, подтверждающих мировой приоритет обнаружения термостабильных" свойств лангасита. Диссертация изложена на 257 страницах, содержит 25 таблиц и 61 рисунок.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Андреев, Илья Александрович

Основные результаты и выводы проведенного исследования можно сформулировать следующим образом:

1. Разработана и создана экспериментальная установка для исследования акустических и акустооптических свойств оптически прозрачных твёрдых сред методом брэгговского рассеяния света на звуке, позволяющая регистрировать дифрагированный свет на уровне шумов. Предложен способ измерения скорости и затухания упругих волн, основанный на временной селекции, накоплении и измерении нечётных видеоимпульсов.

2. Определены упругие податливости, пьезомодули, коэффициенты эл.-мех. связи кристаллов SBN и BNN. Обнаружена сильная анизотропия пьезоэффекта и электромеханической связи. Показано, что отношение пьезомодулей кристаллов SBN и BNN не соответствует отношению у других кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков, и объясняется сильной анизотропией эффекта электрострикции. Впервые сделан вывод, что из трёх типов структур - перовскита, ильменита и тетрагональной калий - вольфрамовой бронзы последнему типу присуща более сильная анизотропия электрострикции, чем структуре перовскита или ильменита.

3. Исследовано поведение упругих податливостей, пьезомодулей, коэффициентов электромеханической связи и механической добротности SBN в области фазового перехода. Обнаружено существование пьезоэффекта и спонтанной поляризации при температурах, больших температуры Кюри, что обусловлено сосуществованием сегнето - и парафаз в кристаллах SBN.

4. Обнаружена резкая анизотропия температурных аномалий низкочастотных упругих параметров SBN. Сильные аномалии наблюдаются только для параметров, определяющих скорость и затухание волн вдоль полярной оси. Показано, что наблюдаемая анизотропия аномалий низкочастотных упругих свойств обусловлена в конечном счёте анизотропией электрострикции.

5. Обнаружены слабые противоположные температурные зависимости упругих податливостей Sn и S44 ниобата бария-стронция равные -5*10"5 и +5*10"6/°С вблизи 20°С, что говорит о возможности существования в этом кристалле ориентаций с нулевой зависимостью скорости упругих колебаний.

6. Показано, что характер зависимостей S33E(T) и а33 (Т) для продольной волны вдоль полярной оси с частотой I- 5'105 Гц в сегнетофазе соответствует выводам теории Дворака. Обратное время релаксации продольных фононов т'1 и затухание а33 в интервале 60 - 80°С подчиняется зависимости т'1 ~ (Тс-Т) и а33 ~ (Тс-Т). При Т>80°С поведение т"1 и а33 соответствует поведению этих параметров у сегнетоэлектриков с центросимметричной парафазой.

7. Исследовано поведение скорости и поглощения высокочастотного звука с волновым вектором, параллельным полярной оси Z, и интенсивности рассеянного на звуке света в SBN в интервале 20-120°С. Скорость и поглощение не имеют сегнетоэлектрических аномалий в области температуры Кюри, что подтверждает подавление температурной аномалии диэлектрической проницаемости на высоких частотах порядка 10 8 Гц.

8. Обнаружена параболическая зависимость частоты продольных и поперечных упругих колебаний в кристаллах La3Ga5SiOi4 с температурой экстремума вблизи комнатной температуры, что явилось первым экспериментальным доказательством существования в La3Ga5SiOi4 редкого явления в физике твердого тела - взаимной компенсации положительных и отрицательных температурных коэффициентов модулей упругости кристалла лангасита. В изоморфном лангаситу кристалле галлогерманате стронция Sr3Ga2Ge40i4 (гегастроне) подобное явление отсутствует.

9. Обнаружено отсутствие у кристаллов лангасита аномалий упруго-пьезо-диэлектричеких свойств в широком интервале температур, что свидетельствует о принадлежности лангасита к классу пьезоэлектриков-параэлектриков и отсутствии сегнетоэлектрических свойств. Обнаружена и измерена более высокая временная стабильность упруго-пьезо-диэлектричеких свойств лангасита по сравнению с сегнетоэлектриками.

10. Изучено влияние поля на изменение пространственного положения плоскости поляризации поперечной упругой волны в танталате лития LiTa03. что обусловлено эффектом наведённой электрическим полем эллиптической поляризацией упругой волны вследствие зависимости скорости линейно поляризованной поперечной упругой волны от напряжённости электрического поля.

11. Обнаружен наибольший для кристаллов с нулевым температурным коэффициентом скорости и низким затуханием звука электроупругий

12 поляризационный) эффект в лангасите, порядка 100-10"" м/В, что определяется особенностью лабильной структуры кристалла, деформируемой электрическим полем.

12. Исследована анизотропия и дисперсия скорости и поглощения упругих волн в диапазоне частот 500 - 1700 МГц в сегнето- и параэлектриках и найдена зависимость между нормированным поглощением и симметрией, структурой и составом кристалла.

13. Обнаружено и изучено малое поглощение низкочастотных и высокочастотных упругих волн в лангасите, обусловленное сложным составом и высокой симметрией кристалла. Показано, что внутреннее трение в лангасите носит релаксационный характер, обусловленный кислородными вакансиями. Исследовано влияние на упругие и пьезоэлектрические свойства лангасита процесса легирования кристалла ионами алюминия или титана и обнаружено существенное увеличение пьезоэффекта и уменьшение упругих потерь в кристалле вследствие упорядочения его структуры.

14. Исследовано акустооптическое взаимодействие в кристаллах ZnSe, Ba04Sr06Nb2O6 и La3Ga5SiOi4. Обнаружено сильное взаимодействие упругих волн и оптического излучения в ZnSe. Показано, что кубический широкозонный полупроводник селенид цинка в силу сочетания низкой скорости упругих волн 1,7 - 4,0 км/с, высоких значений показателя преломления 2,6 и фотоупругих постоянных 0,175 является эффективной средой акустооптического взаимодействия в широком оптическом диапазоне от 0,4 до 14 микрон.

15. Обнаружено необычное для сегнетоэлектриков поведение фотоупругости кристаллов SBN в области фазового перехода - уменьшение до нуля фотоупругой постоянной рз1 при температуре, близкой к температуре Кюри.

Показано, что подобный эффект определяется* вкладом в фотоупругость аномально большого электрооптического эффекта, пьезоэлектрического эффекта- и подавлением температурной аномалии диэлектрической проницаемости на частотах порядка 108 Гц.

В результате проведённых комплексных исследований пьезоэлектрических, акустических и акустооптических свойств пьезоэлектриков в широком диапазоне частот упругих волн, температур и. внешних электрических полей решена важная для практического использования» задача в области физики конденсированного состояния*— определена группа кристаллов, принадлежащих к семейству лангасита- LasGa^SiOu, обладающих уникальным сочетанием температурной и временной стабильности упруго-пьезо-диэлектрических параметров, низких акустических потерь, значительной величины электромеханической связи и электроупругого эффекта.

Полученные в работе принципиально важные физические результаты по лангаситу, реализованные в основных типах акустоэлектронных устройств имеют большое практическое значение. Они заложили основу; становления и развития нового направления в акустоэлектронике - «Исследование и применение монокристаллов семейства лангасита для создания акустоэлектронных устройств стабилизации и селекции частоты радиодиапазона на объёмных и поверхностных акустических волнах».

Выполненные исследования- позволили определить. направление дальнейшего поиска акустоэлектронных кристаллов с наилучшими свойствами в группе сложных оксидов класса пьезоэлектриков-параэлектриков, изоморфных лангаситу.

Прошедшие 20'лет с момента^ обнаружения в лангасите термостабильных ориентаций И'создания первых образцов основных типов акустоэлектронных устройств на1 лангасите показали, что данное направление стало приоритетным в акустоэлектронике. Промышленное производство кристаллов лангасита, ланганита и лапгатата, фильтров промежуточной частоты систем сотовой связи и цифрового телевидения; датчиков физических величин на этих кристаллах освоено в ряде стран, а исследования кристаллов семейства лангасита проводятся во многих научных центрах.

Закономерным результатом дальнейшего развития этого направления явилось получение и исследование в США в 2000-2003 гг. лангаситоподобных кристаллов с упорядоченной структурой Ca3NbGa3Si20i4 и Ca3TaGa3Si2Oi4 [258], близких по совокупности свойства идеальному для акустоэлектроники монокристаллу - сильных пьезоэлекч триков с нулевым ТКЧ и акустическими потерями менее 0,5 дБ/мкс -ГГц2.

В работе показано, что лангасит и изоморфные ему кристаллы являются в настоящее время единственными соединениями, превосходящими высокостабильный, и высоко добротный кристаллический кварц - основу современной акустоэлектроники. Эти кристаллы обладают уникальным сочетанием необходимых физических свойств для создания акустоэлектронных компонент с наилучшими достижимыми параметрами. Такие же стабильные как кварц, но более сильные пьезоэлектрики с низкой скоростью поперечных упругих волн и высокой акустической прозрачностью, не имеющие сегнетоэлектрических или структурных фазовых переходов вплоть до температуры плавления кристаллы несомненно будут основой акустоэлектроники XXI века.

Определяющий вклад в создание и исследование этой уникальной группы кристаллов внесли Б. В.Милль, М.Ф. Дубовик, И.М. Сильвестрова, Ю.В. Писаревский, Г.Д. Мансфельд и другие учёные.

В последние годы развиваются следующие направления в разработке LGS и изоморфных ему материалов:

1. Получение свободных от макродефектов монокристаллов LGS диаметром 7,5-10 см [259] для изготовления устройств на поверхностных волнах с частотой до 2 ГГц по групповой технологии.

2. Получение кристаллических ориентированных пленок LGS, LGN и LGT толщиной до 8 микрон методом жидко фазной эпитаксии на подложках -шпинели [260] для создания тонкопленочных СВЧ-резонаторов и фильтров на объемных волнах в диапазоне частот 2-10 ГГц.

3. Получение монокристаллов с упорядоченной структурой Ca3NbGa3Si20i4 и Ca3TaGa3Si20i4 [261, 262] - сложных оксидных соединений с малым содержанием галлия, имеющих нулевой ТКЧ первого порядка, максимальную акустическую добротность (Q-f = 5"1013Гц), высокий коэффициент связи до 0,5% и повторяемость параметров.

4. Уточнение структуры и установление кристаллохимических закономерностей между строением и свойствами соединений семейства лангасита [263]. Общий подход первоначально сформулировал Уатмор [3] для поиска новых «полярных» материалов, способных заменить кварц и ниобат лития в устройствах ОАВ и ПАВ. Однако связь между особенностью структуры кристаллов и существованием температурных коэффициентов упругих модулей разного знака пока не установлена. у= Q х К2 х (Д/У/Л Т)"1

Ca3N bG a3S i2Oj A Ca3TaGa3 S izOj 4 x-Si02

La3Ga3SiO)4 + A1 Lafea" "та^оД

L-a3Ga3Si014 + Ti J-a3Ga3SiO|4 7 basitiog aipo4

LiTa03

1921 1966

1976

1983

1993

2002

Рис. 61. Временная динамика появления пьезоэлектрических кристаллов с лучшими характеристиками [264].

Автор считает своим долгом выразить глубокую благодарность всем специалистам Санкт-Петербурга, Москвы и Харькова, кто помогал ему на протяжении долгого времени в исследовании физических свойств новых пьезоэлектриков, так нужных современной электронике. Результат этой помощи - реальное появление в акустоэлектронике первого отечественного соединения - удивительного кристалла лангасита.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Андреев, Илья Александрович, 2007 год

1. Леманов В.В., Смоленский Г.А. Гиперзвуковые волны в кристаллах //УФН. 1972. Т. 108. № 3. С. 465-501.

2. Гуляев Ю.В., Проклов В.В., Шкердин Г.Н. Дифракция света на звуке в твердых телах//УФН. 1978. Т. 124. № 1. С. 61-71.

3. Whatmore R.W. New polar materials: their application to SAW and other devices // J. of Cryst. Growth. 1980. V.48. p.530-547.

4. Зеленка И. Пьезоэлектрические резонаторы на объемных и поверхностных акустических волнах.- М.: Мир, 1990. 584 с.

5. Лямов В.Е. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в кристаллах. -М.: МГУ, 1983. 224 с.

6. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах.- М.: Наука. Физматлит, 1995. 304 с.

7. Зайцева М.П., Кокорин Ю.И., Сандлер Ю.М. Нелинейные электромеханические свойства ацентричных кристаллов.-Новосибирск: Наука, 1986. 160 с.

8. Гринев Б.В., Дубовик М.Ф., Толмачев А.В. Оптические монокристаллысложных оксидных соединений. -Харьков: Институт монокристаллов,2002.-250 с.

9. Физическая акустика (под ред. У. Мэзона). том 5, М.: Мир, 1973. - 332 с.

10. Механизмы релаксационных явлений в твердых телах, (под ред. B.C.

11. Постникова). -М.: Наука, 1972.- 249 с.

12. Физическая акустика (под ред. У. Мэзона). том 3, ч.Б, М.: -Мир, 1968, -392 с.

13. Труэлл Р.,Элъбаум Ч, Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твёрдоготела. М.: Мир, 1972.- 335 с.

14. Такер Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела / Под ред. Михайлова И.Г., ШутиловаВ.А. /, пер. с англ. М.: Мир, 1975. 453 с.

15. Авдонин В.Я., Семенов Б. В., Смирнов А. А., Тихонов В.В. Затухание упругих волн по механизму Ахиезера в кубических кристаллах // ФТТ. -1972. Т. 14.-С. 877-883.

16. Лесин М.С. Постников B.C., Рембеза С.И., Ярославцев H.JI. Упругие постоянные и затухание упругих волн в СаР // ФТТ. — 1976. Т. 18. С. 2824-3825.

17. Логачев Ю.А, Мойжес Б. Я. К теории поглощения звука по Ахиезеру //

18. ФТТ. 1974. Т.16. - С. 2219-2223.

19. Логачев Ю.А. Ангармонические эффекты в кристаллах: Автореферат дисс. доктор, физ.-мат. наук. JI. ЛПИ , 1977. 32 с.

20. Indu B.D., Cairona R.P. Phonon conduction and relaxation times // Phys. Stat.

21. Sol. (b).- 1980. V. 100.-k. 119-123.

22. Логачев Ю.А, Юрьев М.С. Фонон-фононное рассеяние и решеточная теплопроводность при высоких температурах // ФТТ. 1972. Т. 14. - С. 3336-3343.

23. Логачев Ю. А., Васильев Л.Н. Температурная зависимость теплопроводности при высоких температурах // ФТТ. 1973. Т. 15, - С. 1612-1614.

24. Логачев Ю. А., Мойжес Б. Я. Поглощение звука в диэлектриках при любых ш // ФТТ. 1973. Т. 15. - С. 2888-2894.

25. Pomerantz М., Crossman S., Коо J. Temperature Dependence of Attenuation of 3- and 9 GHz Ultrasound in Rutile (Ti02) // Phys. Rev. 1973. V. 8. -P. 5828-5836.

26. Илисавский С.В., Кулакова Л.А. Решеточное поглощение ультразвука по данным оптико-акустического рассеяния // ФТТ. 1973. Т. 15. - С. 286288; Влияние температуры на решеточное поглощение звука в CdS // ФТТ.- 1974. Т. 16. - С. 3417-3420.

27. Кулакова Л.А. Исследование акустоэлектронных взаимодействий в сульфиде кадмия методой рассеяния света на звуке: Автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук. J1. ЛГУ. 1977. 26 с.

28. Илисавский Ю.В. Экспериментальные исследования акустоэлектронного взаимодействия в пьезоэлектрических кристаллах: Автореферат дисс. доктор, физ.-мат. наук. J1. ФТИ АН СССР. 1978. 34 с.

29. Иванов С.Н., Мансфельд Г.Д., Хазанов Г.Н. Поглощение ультразвука решеткой антимонида индия при 77 К // ФГТ. 1973. Т. 15. - С. 317-318;

30. Поглощение ультразвуковых волн в кристаллах антимонида индия // ФГТ. 1973. Т.15. - С. 2972-2975.

31. Григорьев М.А., Зайцев Б. Д., Пылаева Г. И., Шевчик В.Н. Затухание продольных упругих волн в кристаллах топаза и рубина // ФГТ. 1973. Т. 15.-С. 1398-1400.

32. Григорьев М.А., Зайцев БД., Пылаева Г.И. Затухание упругих продольныхволн в рубине на частоте 36,5 ГГц//ФГТ. 1975. Т. 17,-С. 1595-1597.

33. Григорьев М.А., Зайцев Б.Д., Пылаева Т.И. и др. Затухание упругих волн вшпинели и ниобате лития на частоте 36,5 ГГц // ФГТ. 1976. Т. 18. - С. 2307-2310.

34. Григорьев М.А., Зайцев БД, Зайцева Н.Г. и др. Затухание упругих волн начастоте 9,4 ГГц в алюмомагниевой шпинели с различным соотношением окислов//ФТТ.- 1976. Т.18. С. 2421-2423.

35. Nava R., Veechi М. P., Romero J. et al Akhiezer Damping and the Thermal

36. Conductivity of Pure and Impure Dielectrics // Phys. Rev. B. 1976. V. 14. -P. 800-807.

37. Ахметов С.А., Гагизова Г.А., Иванов С.Н. и др. Затухание ультразвука влегированных кристаллах алюмоиттриевого граната и алюмомагниевой шпинели // ФТТ. 1977. Т. 19. - С. 308-309.

38. Ахмеджанов Ф.Р., Леманов В.В., Насыров А.И. и др. Затухание упругихволн в кристаллах NaCl с примесью марганца // Письма ЖТФ. 1978. Т. 4.-С. 1075-1076.

39. Леманов В.В., Петров А.В., Ахмеджанов Ф.Р. и др. Затухание упругих волн в кристаллах с примесями // ФТТ. 1979. Т. 21. - С. 3671-3676.

40. Сшъвестрова И. М., Писаревский Ю.В., Сысоев Л.А. и др. Поглощение гиперзвука в кристаллах системы ZnS-MgS // Тез. докл. Одиннадцатая Всесоюз. науч. конф. ВКАЭКА. Душанбе. 1981. Ч. 2. - С. 192- 193.

41. Смоленский Г.А., Бокий В.А., Исупов В.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука. 1971. 456 с.

42. Мэзон У., Терстон Р. Физическая акустика, том 6. М. Мир. 1973, гл.2.

43. Мэзон У., Терсгон Р. Физическая акустика, том 7. М.: Мир.1974, гл.2.

44. Смоленский Г.А., Исупов В.А., Ктиторов С.А. и др. Состояние физики сегнетоэлектричества // Изв. ВУЗов. «Физика». 1979. №1. - С. 5-39.

45. Струков Б.А., Минаева К.А., Телешевский В.И. и др. Критические аномалии скорости ультразвука в монокристаллах триглицинсульфата // Изв. АН СССР. сер. физическая. 1975. Т. 39. - С. 758-761.

46. Струков Б.А., Кханна С,К, Минаева К. А., Варикаш В.М. Критические аномалии скорости и поглощения ультразвука в кристаллах три-глицинселената // ФГТ. 1976. Т.18.- С.1180 - 1182.

47. Струков Б.А., Кханна С.К., Минаева К.А. О характере аномалий скоростии поглощения УЗ в крисгаллах триглицинсудьфага и триглицинселената // ФГТ. 1976. Т. 18.- С. 3318 - 3327.

48. Струков Б.А., Минаева К.А., Кханна С.К Исследование анизотропии и критических аномалий скорости и поглощения УЗ в одноосных сегнетоэлектриках акустооптическим методом // Изв. АН СССР. сер. физ. 1977. Т. 41. - С. 685 - 691.

49. Кханна С.К. Исследование критических аномалий скорости и поглощения

50. УЗ в одноосных сегнетоэлектриках методом оптического гетероди-нирования. Автореферат кандидатской диссертации МГУ,М., 1976. 24 с.

51. Мирзоахметов Х.М., Хромова Н.Н., Шутилов В.А. и др. Температурная зависимость скорости и поглощения ультразвука в области фазового перехода в кристаллах ТГС, легированных переходными металлами // ФТТ. 1981 Т. 23. - С. 685 - 689.

52. Майщик Е.П., Струков Б.А., Моня В.Г. Критические аномалии скорости иsпоглощения ультразвука в кристаллах Pb5GeOn // ФТТ. 1975. Т. 17. - С. 3683-3685.

53. Майщик Е.П., Струков Б.А., Синяков Е.В. и др. Акустическая релаксация вкристаллах Pb5GeOn вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода // ФТТ. 1977. Т. 19. - С. 335-339.

54. Струков Б.А., Синяков Е.В., Майщик Е.П. и др. Ультразвуковая релаксация, размытие фазового перехода и некоторые физическиесвойства кристаллов германата свинца и твердых растворов на его основе // Изв. АН СССР, сер. физ. 1977. Т. 41. - С.692-699.

55. Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Никулин Б.И. Акустическая релаксация при фазовом переходе в PbsGeOn на гиперзвуковых частотах // ФТТ. 1978.1. Т. 20. С.590 - 592.

56. Акимов С.В., Моня В.Г., Исследования Pb5GeOnB области фазового перехода методом дифракции света ультразвуке // ФТТ. — 1979. Т. 21. -С. 2531 -2533.

57. Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф. Упругость и фотоупругость LiTa03 при сегнетоэлектрическом фазовом переходе // ФТТ. 1978. Т. 20. - С. 611 -613.

58. Анистратов А.Т., Мартынов Б.Г., Шабанов Л.А., Рез И.С. Упругие свойства и фотоупругость дигидроарсената цезия в окрестности фазового перехода// ФТТ. 1979. Т. 21. - С. 1354 - 1361.

59. Александров КС., Крупный А.И., Зиненко В.И., Безносиков Б.В. Упругие свойства CsPbCl3 // Кристаллография. 1972. Т. 17. - С. 596 -598.

60. Александров К.С., Анистратов А.Т., Крупный А.И. и др. Рентгеновские,оптические и ультразвуковые исследования фазовых переходов // ФТТ. -1975. Т. 17.-С. 1354- 1361.

61. Kawashima Я., Tatsuzaki I. Ultrasonic Study of the Polarisation Relaxation in

62. Rochelle Salt // J. Phys. Soc. Jap. 1977. V. 42. - P. 564 - 567.

63. Maeda M. Ikeda Т. Elastic Properties of Rochelle Salt -Ammonium Rochelle

64. Salt Mixed Crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1978. V. 45. - P. 162 - 167.

65. Воробьев В.В., Кулешов А.А., Чарная Е.В. и др. Акустоионное взаимодействие в кристаллах иодата лития, выращенных при различных условиях // ФТТ. 1989. Т. 31. № 10. - С. 33-38.

66. Воробьев В.В., Чарная Е.В. Акустические исследования твердых суперионных пьезоэлектриков и суперионных стекол с литиевой проводимостью // Электрохимия. 1990. Т. 26. № 11.- С. 1365-1372.

67. Воробьев В.В., Чарная Е.В. Анизотропия ионного транспорта и механизмы акустоионного взаимодействия в кристаллах а-1ЛЮз // ФТТ. 1991. Т. 33. № 5. - С. 1455-1461.

68. Воробьев В.В. Локшин Е.П., Чарная Е.В. Акустические свойства и электропроводность кристаллов a;-LiI03, выращенных при специальных условиях // ФТТ. 1992. Т. 34. № 3. - С. 894-897.

69. Charnaya E.V. Ionic mobility in ferroelectric and piezoelectric crystals // Ferroelectrics. 1994. V. 155. № 2. - P. 141-146.

70. Чарная Е.В. Акустические исследования ферроэластическогофазового перехода в кристалле LiCsS04 // ФТТ. 2001. Т. 43. № 4. - С. 701-706.

71. Tien С., Charnaya Е. V., Plotnikov P.G. et al. Resonance ultrasound attenuationin the doped CeF3 superionic crystal // Phys. Rev.B. 2002. V. 65. № 13. - P. 134-136.

72. Пирозерский А.Л., Чарная E.B. Особенности затухания ультразвука в кристалле 1л10з Н Акустический журнал. 2006. Т. 52. №1. — С.87-90.

73. НайДж. Физические свойства кристаллов. М., ИЛ, 1960, 388 с.

74. Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. М., Наука, 1965. 334 с.

75. Борн М., Вулъф Э. Основы оптики. М., Наука, 1973. 431 с.

76. Сонин А. С., Василевская А. С. Электрооптические кристаллы. М.: Атомиздат, 1971.-285с.

77. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики.- М.: Наука,1975.- 680 с.

78. Nelson D.F., New symmetry for acousto-optic scattering // Phys. Rev. Lett.1970. v. 24. -P. 379-383; Theory of the photoelastic interaction // Phys. Rev.B. 1973, V.3. - P. 2778-2794.

79. Nelson D.F., Lasay P.D. Measurement of the rotational contribution to the Brilliouin scattering // Phys. Rev. Lett. 1970. v. 25. - P. 1187-1191.

80. Nelson D.F., Lax N. Linear and nonlinear electrodynamics in elastic anisotropic dielectrics //Phys. Rev.B, 1971, v.4, pp. 3694-3731.

81. Качалов O.B. К вопросу о правилах отбора при рассеянии Манделыитама

82. Бриллюэна в кристаллах//Письма в ЖЭТФ.-1971. Т. 13, С.109-112.

83. Авакянц Л.П., Киселев Д. Ф., Щитов Н.Н. Фотоупругость 1ЛЫв03 // ФТТ.1976. Т. 18. № 6. С. 1547-1551, Фотоупругие постоянные LiTa03 // ФТТ. - 1976. Т. 18. № 7. - С. 2129-2130.

84. Sapriel J. Vacher R. Photoelastic tensor components of GckCMoO^ // J. Appl.

85. Phys.- 1977. v. 48. P. 1191-1194.

86. Dixon R. V. Acoustic diffraction of light in anisotropic media // IEEE J. Qantum

87. Electron.-1967.V.3.- P. 85-93.

88. Леманов В.В. Шакин О.В. Особенности рассеяния света на гиперзвуковыхволнах в одноосных кристаллах // Письма в ЖЭТФ.-1971. Т.13, С.549-553; Рассеяние света на упругих волнах в одноосных кристаллах // ФТТ. 1972. Т. 14. № 2. - С. 229-236.

89. Wemple S.H., Didomenico М. Theory of the elasto-optic effect in nonmetallic crystals // Phys. Rev.B, -1970. V.l. -P. 193-202.

90. Brody E.M., Cummins H.Z. Elasto-optic anomaly in KH2P04 // Phys. Rev.Lett. -1969. V.23.-P. 1039-1041.

91. Cohen M.G., Didomenico M, Wemple S.H. Influence of critical polarization fluctuation on the photoelastic behavior of BaTi03 // Phys. Rev.B. -1970. V. 1. .p. 4334-4336.

92. Tada K., Kikuchi K. Elasto-optic effect in BaTi03 // Jap.J. Appl. Phys.- 1980. V. 19. P. 1311-1315.

93. Медвалиев У.М, Сандлер Ю.М, Сериков В.И. и др. Поведение некоторыхфотоупругих постоянных в кристаллах КН2РО4 в окрестности фазового перехода // ФТТ. 1977. Т. 19. - С. 900-902.

94. Мартынов В.Г., Александров К.С., Анистратов А.Т. Измерение упругооптического эффекта в сегнетоэлектриках методом дифракции света на ультразвуке // ФТТ. 1973. Т. 15. - С. 2922-2926.

95. Есаян С. X., Лайхтман Б.Д., Леманов В.В. Упругие и фотоупругие свойства кристаллов молибдата гадолиния вблизи фазового перехода // ЖЭТФ. 1975. Т. 68. - С. 689-697.

96. Есаян С. X. Акустооптические исследования в сегнетоэлектриках. Автореферат кандидатской диссертации. ФТИ АН СССР, Д. 1975. 24 с.

97. Cady W. The Piezo-Electric Rezonator // The American Physical Society.1921.v. XY1L. № 4. P. 531.

98. Кэди У. Пьезоэлектричество и его практическое применение. -М.: ИЛ,1949.718 с.

99. Гуляев Ю.В., Багдасарян А.С. Фильтры на поверхностных акустическихволнах: состояние и перспективы развития // Радиотехника. 2003. №8. -С. 15-25.

100. Гуляев Ю.В., Мансфелъд ГД Резонаторы и фильтры сверхвысоких частотна объёмных акустических волнах: современное состояние и тенденции развития // Радиотехника. 2003. №8. - С. 42-54.

101. Гуляев Ю.В., Хикернел Ф.С. Акустоэлектроника: история, современное состояние и новые идеи для новой эры // Акустический журнал. 2005. Т. 51.№1.-С. 101-110.

102. Гуляев Ю.В. Акустоэлектроника (исторический обзор). // УФН. 2005. Т. 175. №8. - С. 887-895.

103. Аксёнов С.Г., Гуляев Ю.В., Котелянский И.М., Мансфельд Г.Д. Некоторые тенденции развития акустоэлектроники СВЧ // УФН. 2005. Т. 175. №8. - С. 895-900.

104. Smith R.T., Welsh F.S. Temperature dependence of the elastic, piezoelectric and dielectric constant of lithium tantalate and lithium niobate // J. Appl. Phys. 1971, v.42, - P.2219-2230.

105. Rudd D.W., Ballman A.A. Growth of lithium tantalate crystals for transmission resonator and filter devices \\ Solid Stale Technology. 1974. V. 17.-P. 52 -57.

106. Оное M. Применение танталата лития в пьезотехнике //Известия АН СССР, серия физическая, 1977, Т. 41, №4, - С.715-720.

107. Matsumura S., Nishimura Т. Growth and water fabrication of four-inch 1лТаОз single crystals for SAW device applications // New Mater and New Process. 1985. V. 3. - P. 118-122.

108. Chang Z.P., Barsch G.R. Elastic constants and thermal expantion of berlinite // IEEE Trans. Son.Ultrason. SU-23 1976. - P. 127- 131.

109. Jhunjhunwala A., Vetelino J.F., Field J.C. Berlinite, a temperature-compensated material for surface acoustic wave applications // J. Appl. Phys. 1977. V. 48-P. 887- 891.

110. Harmon D., Morency H., Soluch W., Experimental determination of the SAW properties of X-axis boul cuts in berlinite // Proc. Ultrason. Symp. 1978. -P. 594 - 595.

111. Detaint J., Zarfca A., Capelle B. J.C. Berlinite: characterization of crystals with a low water concentration and design of bulk wave resonators // Proc. 40 Annu. Freq. Contr. Symp. Philadelphia, 1986. New York. P.101—114

112. Sinha B.K. A stress and temperature compensated orientation and propagation for surface acoustic wave devices, IEEE Trans. Ultrason. Ferroel. Freq. Control. 1987. V. 34. - P. 64—74.

113. Garret J.G., Natarajan M., Greedan J.E. Growth of 1л2В4(>7 single crystals I I J. Crystal Growth. 1977. V. 41. № 2. - P.225.

114. Robertson D.S., Young I.M. The growth and growth mechanism of lithium tetraborate // J. Mater. Science. 1982. - V .17, № 6. - P.1729-1738.

115. Fukuta F., Ushizawa J., Suzuki H. Growth and properties of Ы2В4О7 single crystal for SAW device applications // Jap. J. Appl. Phys. 1983. - V. 22 (Suppl. 22-2). -P. 140-142.

116. Peach R.C., Emin C.D., Werner J.F. High coupling piezoelectric resonators using litium tetraborate. // Proc. IEEE Ultrason. Symp. // 1983. V.l. - P. 521-526.

117. Kawabata A. Temperature coMpensated piezoelectric lithium tetraborate crystal for high frequency surface acoustic, wave and bulk wave device applications, IEEE Ultrason. Symp. Proc., San Francisco, Calif., 16—18 Oct., 1985. V. 1. New York. P.228—232.

118. Shiosaki Т., Adachi M., Kawabata A., Growth and properties of piezoelectric lithium tetraborate crystal for BAW and SAW devices // Proc. of the 6th IEEE International Symp. on Appl. of Ferroelectrics, Bethlehem, PA. June 8—11.1986.-P. 455—464.

119. Adashi M, Shiozaki Т., Kobayashi A. Growth and properties of piezoelectric lithium tetraborate crystal for BAW and SAW devices // Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1986. V.l. - P. 455-464.

120. Fah Shi-Ji, Shen Guan-Shum, Wang Wen et al. Bridgmen growth of Li2B407 crystals // J. Cryst. Growth. 1990. V. 99. №1-4.- P.811-814.

121. Алиев А.Э., Валетов P.P. Акустический механизм поглощения звука в Li2B407 // Кристаллография. -1991. Т.36. №6. С. 1507-1515.

122. Ryuichi Komatsu et al. Growth of crack-free 3-inch-diameter lithium tetraborate single crystals // Jap. J. Appl. Phys. 1994. - V. 33, № 9B. Part 1. -P.5533-5535.

123. Мэзон У. Пьезоэлектрические кристаллы и их применение в ультраакустике. М.: ИЛ. 1952. 459 с.

124. Смагин А.Г. Прецизионные кварцевые резонаторы. Физические основы. М.: Энергия, 1964. 245 с.

125. Смагин А.Г., Ярославский М. И. Пьезоэлектричество кварца и кварцевые резонаторы. -М.: Энергия, 1970. 488 с.

126. Krisher С. Measurement of sound velocities in crystals using Bragg diffraction of light and applications to lanthanum fluoride // Appl. Phys.Lett., 1968. V.13 -P.310-311.

127. Андреев И.А., Величко И.А. Установка для измерения скорости и затухания упругих волн // А. с. 878021, 1981г.

128. Андреев И.А., Величко И.А. Способ измерения скорости и затухания упругих волн //А. с. 879413, Бюл. изобр. 1981. №41. - С.247-250.

129. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. -400 с.

130. Warner A. W., Coquin G. A., and Fink J. L. Elastic and Piezoelectric Constants of Ba2NaNb5015// J. Appl. Phys. -1969. V. 40. N 11. -p.4353-4356.

131. Yamaha Т., Iwasaki H., NiizekiN. Elastic Anomaly of Ba2NaNb50i5// J. Appl. Phys. -1970. V. 41, N 10, -p.4141-4147.

132. Андреев И.А., Шапкин В.В. Электромеханические свойства монокристаллов BaxSr!.xNb206 // ФТТ. 1979. Т. 21. №5. С. 1576-1578.

133. Андреев И.А., Кузьминов Ю.С., Полозков Н.М. Акустические и пьезоэлектрические свойства BaxSrixNb206 // Тез. докл. Одиннадцатая Всесоюз. конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. Часть II. — Душанбе. 1981. С. 237-238.

134. Андреев НА. Анизотропия электромеханических свойств пьезоэлектрических кристаллов со структурой вольфрамовой бронзы и лангасита // Известия ВУЗов России. Радиоэлектроника. 2007. № 1. С. 4552.

135. Liu S. Т., Gross L. E. Primary pyroelectricity in strontium barium niobate single crystals // Phys. Stat. Sol. (a). -1977. V. 41. -P. k83-k87.

136. Yamada T. Electromechanical properties of oxygen-octahedra ferroelectric crystals // J. Appl. Phys. -1972. V. 43. № 10. -P. 328-338.

137. Каминский А.А., Саркисов С.Э., Милль Б.В., и др. Генерация стимулированного излучения ионов Nd в тригональном ацентрическом кристалле La3Ga5SiO,4 // Доклады АН СССР. 1982. Т.264, № 1. - С.93-95.

138. Миллъ Б.В., Бутаилин А.В., Ходжабагян Г.Г., Белоконева E.JI. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca3Ga2Ge4014 // Доклады АН СССР. 1982. Т.264, № 6. - С. 1385-1389.

139. Каминский А.А., Миллъ Б.В., Сшъвестрова И.М., Ходжабагян Г.Г. Нелинейно-активный материал (La(ix)Ndx)3Ga5SiOi4 // Известия АН СССР, сер. Физ. 1983. Т.47, № 10. - С.1903-1908.

140. Миллъ Б.В., Буташин А.В., Эллерн A.M. Германаты со структурой Ca3Ga2Ge40i4 // Известия АН СССР, сер. Неорг. материалы 1983. Т. 19. № 10.-С.1715-1717.

141. Каминский А.А., Миллъ Б.В., Белоконева Е.Л., Ходжабагян Г.Г. Выращивание и кристаллическая структура нового неорганическоголазерного материала La3Ga5GeOi4-Nd3+ // Известия АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1983. Т. 19, № 10. - С. 1762-1764.

142. Kaminskii A.A., Mill' B.V., Khodzhabagyan G.G. et al. Investigation of trigonal (La^Nd^GasSiOu crystals // Phys. Status Solidi (a). 1983. V.80, № 1. -P.387-398.

143. Kaminskii A.A., Silvestrova I.M., Sarkisov S.E., Denisenko G.A. Investigation of trigonal (Lai^Nd^)3Ga5SiOi4 crystals // Phys. Status Solidi (a). 1983. V.80. № 2. - P.607-620.л 1

144. Каминский А.А., Милль Б.В., Белоконева E.JI. и др. Кристаллическаяо Iструктура и стимулированное излучение La3Ga5i5Nbo,50i4-Nd // Известия АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1984. Т.20, № 12. - С.2058-2062.

145. J. A. Kosinski, R. A. Pastore, Е. Bigler et al. A review of langasite material constant from baw and saw data: toward an improved data set // Proc. 2001 IEEE Inter. Frequency Control Symp., -P. 278-286.

146. Дубовик М.Ф., Андреев И.А., Коршикова Т.И., Салийчук Е.К., Лебедев С.А. Пьезоэлектрический материал на основе лангасита. А.с. № 1506951 СССР, М. Кл. 5С30В29/34, //- Опубл. 1992. Бюл. № 45. - С. 177.

147. Mill B.V., Yu.V. Pisarevsky "Langasite-type materials: from discovery to present state // Proc. 2000 IEEE Inter. Freq. Control Symp., P. 133-144.

148. Воронов В.В., Десяткова С.М., Ивлева Л.И. и др. Электрические свойства монокристаллов Ba^Sfy-^M^Oe // Кристаллография. 1977. Т.19.- С.401-402.

149. Кузьминов Ю.С, Осико В.В., Прохоров A.M. Электрооптические и нелинейно-оптические свойства кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков (обзор)//Квантовая электроника. — 1980. Т.7.- С. 1621-1653.

150. Лайнс М., Глас.А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.Мир, 1981

151. Белоконева Е. Л., Стефанович С. Ю., Писаревский Ю. В. и др. Уточненные структуры и кристаллохимические закономерности строения и свойств соединений семейства лангасита // Журн. неорганич. химии. -2000. Т. 45. № 11. -С. 1786-1796.

152. Abrahams S. С. Structure relationship to dielectric, elastic and chiral properties // Acta Cryst. -1994. V. A50.- P. 658-663.

153. Dvorak V. Interaction of acoustic waves with polarization waves in ferroelectrics//Can.J.Phys.-1967. V.45.-p. 3903-3913.

154. Актуальные проблемы получения и примененния сегнето- и пьезоэлектрических материалов», 1984 г. М.: НИИТЭХИМ, 1984. - 4.2. -С.267.

155. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Основные параметры ВЧ устройств на ОАВ и ПАВ из лангасита // Тез. докл. XTV Всес. конф. по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела, 1989 г. Кишинев. - Ч. 2. - С.69.

156. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Модифицированный лангасит — основа низкочастотных устройств пьезотехники // ibid — С.67.

157. Андронов А.А. О естественном вращении плоскости поляризации звука. //Изв. ВУЗ'ов, Радиофизика. -1960. Т.З. №4. -С.645-649.

158. Portigal D.L., Burnstein Е. Acoustical activity and other first -order spatial dispersion effects in crystals. // Phys.Rev. -1968. V.170. №3. P.763-678.

159. Pine A.S. Direct observation of acoustical activity in a-quartz // Phys. Rev. В.-1971.V.2. №6. -P.2049-2054.

160. Pine A.S. Linear wave-vector dispersion of the shear-wave phase velocity in a-quartz//J. Acoust. Soc. Amer. -1971. V. 49. № 3. C. 1026-1029.

161. Брыжина М.Ф., Есаян C.X., Леманов В.В. Исследование акустической активности в кристаллах методом брэгговского рассеяния света // Письма в ЖЭТФ. -1977. Т. 25. №11. -С.513-516.

162. Барышникова Л.Ф., Лямов В.Е. Исследование эллиптической поляризации акустических волн в пьезокристаллах, возникающей под действием электрического поля. // Акуст. журнал. -1980. Т. 26. №6. -С.824-827.

163. Андреев И.А. Акустическая электрогирация в кристаллах ЫТаОз // Тр. XI Всес. конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. Ч. II. Душанбе. -1981.-С. 191-192.

164. Андреев И.А. Влияние электроиндуцированной эллиптической поляризации звука на акустооптическое взаимодействие в LiTa03 // Оптический журнал. -2005. Т. 72. №10. С. 79-81.

165. Авакянц Л.П., Киселев Д.Ф., Щитов Н.Н. Фотоупругие постоянные LiTa03.//ФТТ.-1976. Т. 18. №7. С. 2129-2130.

166. Авакянц Л.П., Киселев Д. Ф., Щитов Н.Н. Фотоупругость 1лЫв03 // ФТТ. 1976. Т. 18. № 6. - С. 1547-1551,

167. Андреев И.А., Шапкин В.В. Устройство для измерения напряженности статических и квазистатических полей // А.С. №527675. Бюлл. изобр. № 33, 1977.

168. Андреев И.А., Шапкин В.В. Управляемая ультразвуковая линия задержки //А.с.№ 716498, 1979.

169. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Сильное электроакустическое взаимодействие в кристаллах лангасита // Материалы 13-ой Вс. конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. Киев. 1986, часть И, -С.143-144

170. Андреев И.А. Поляризационный эффект в кристаллах лангасита // ЖТФ. -2006. Т. 76. №1.-С. 124-128.

171. Andreyev I.A., Gorokhovatsky Y.A. The influence of dc electric field on sound velocities in litium tantalate and langasite crystals // Proc. 4-th International Symposium on Optical Materials. Prague, June 26-30, 2006. - P. 90

172. Andreyev I.A., Gorokhovatsky Y.A. Electro-elastic effect in litium tantalate and langasite crystals // Proc. 3-rd International Conference on materials science and condensed matter physics, Chisinau, October 3-6, 2006, - P. 72

173. Andreyev I.A., Gorokhovatsky Y.A. Electric field influence on elasticity of crystals // Moldavian J. of Physical Sciences. 2007. V.6. №1. - p. 79 -85.

174. Кокорин Ю.И., Зайцева М.П., Кидяров Б.И. Поляризационный эффект в пьезоэлектрических резонаторах, совершающих колебания по длине//

175. Кристаллография. -1978. Т. 23. № 1. С.217-218.f

176. Aleksandrov К. S., Sorokin В. P., Turchin P. P., Glushkov D.A. Non-Linear Piezoelectricity in La3Ga5SiOu Piezoelectric Single Crystal // Ferroelectric Letters. -1992. V.14. -P.115-118.

177. Агишев Б.А., Дерюгин И.А., Леманов В.В., Югиин Н.К. Электроакустическое взаимодействие в пьезоэлектриках // ФТТ. -1976. Т.18. № 4. -С.1117-1119.

178. Mansfeld G.D. Measurement of Acoustic Wave Attenuation in La3Ga5SiOi4 using HBAR Technique //Proc. 1994 IEEE Int. Freq. Contr. Symp. V.48. -P.35-37.

179. Мансфелъд Т.Д., Безделкин B.B., Фреик АД, Кучерявая Е.С. Поглощение акустических волн в монокристаллах лангасита // ФТТ. -1995. Т. 37. №.4. -С. 1097-1001.

180. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Лангасит перспективный кристалл для термостабильных устройств на ОАВ и ПАВ. Тез. докл. Ш Всес. конф. "Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов." М.: НИИТЭХИМ, 1987.- С.143-144.

181. Андреев И.А., Дубовик М. Ф. Основные параметры ВЧ устройств на ОАВ и ПАВ из лангасита. // Тез. докл. XIV Всес. конф. по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела. Кишинев. Ч. 2.1989 , С.69-70.

182. Zarka A., Capelle В., Delaint J., Cochet-Muchy D. New results on high perfection langasite crystals: studies of crystalline defects and modes shapes // Proc. IEEE Int. Freq. Contr. Symp., 1995. V.49. P.629-631.

183. Sakharov S., Senushencov P., Medvedev A., Pisarevsky Yu. New Data on Temperature Stability and Acoustical Losses of Langasite Crystals // -ibid, -P.647-649.

184. Gotalskaja A.N., Dresin D.I., Schegolkova S.N. Langasite crystals quality improvement aimed at high-Q resonators fabrication, //-ibid, -P.657-661.

185. Smythe R.C. Material and Resonator Properties of Langasite and Langatate: a progress report.// Proc. 1998 IEEE Int. Freq. Contr. Symp. V.51. -P. 761-763.

186. Johnson W.L., Kim S.A., Uda S. Acoustic Loss in Langasite and Langanite // Proc. 2003 IEEE Int. Freq. Contr. Symp. -P. 646-649.

187. Гриднев С.А., Бирюков A.B., Иванов О. Затухание упругих колебаний в Ba2NaNb5015 П ФТТ. -2001. Т. 43. №.9. С.1665-1668.

188. Постников B.C. Внутреннее трение в металлах. М: Металлургия. 1974. С.52.

189. Постников B.C. Релаксационные явления в твердых телах. М: Металлургия, 1968, С. 156.

190. Чертков И.Л. Процессы упругой релаксации в чистых и легированных монокристаллах германо-и силикосилленитов //Автореферат кандидатской диссертации. Воронеж. ВГУ.1990.

191. Keller К. R. Ultrasonic attenuation in Ge-Si alloys. // Appl. Phys. -1967. V.38. № 9. -P.3777-3780.

192. Maris H.J. Ultrasonic attenuation in dirty dielectric crystals. // Phys.Rev.-1968. V.175. №3. -P.1077-1081.

193. Леманов В.В., Авдонин В.Я., Петров А.В. Влияние примесей на затухание гиперзвуковых волн в кристаллах. // Письма в ЖЭТФ. -1970. Т.12. №. 11.-С. 510-513.

194. Brugger К. Pure mode for elastic waves in crystals. // J.Appl.Phys. -1965.V.36. -P.759-768.

195. Андреев И.А., Кузъминов Ю.С., Полозков H.M. Акустические и пьезоэлектрические свойства BaxSr!xNb206 // Одиннадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике. -Душанбе. 1981, часть II. С. 237-238.

196. Андреев И.А., Иванов Г.А., Кузъминов Ю.С., Полозков Н.М. Высокочастотные упругие волны в сегнетоэлектрическом BaxSrixNb206 // ФТТ. -1981. Т. 23. №2.-С. 628-631.

197. Воронов В.В., Карлов Н.В., Кузъминов Ю.С., Осико В.В.,Прохоров A.M. Малоинерционный пироэлектрический детектор на основе кристаллов BaxSr!.xNb206//Квантовая электроника. -1977. Т. 4. №2. С. 1903-1905.

198. Андреев И.А., Ивлева Л.И. Гиперзвук в монокристалле нового сегнетоэлектрика Ca3(V04)2// ФТТ. -1981.Т.23. № 12. С.3721-3724.

199. Ивлева Л.И. Исследование физико-химических условий получения и свойств монокристаллов твёрдых растворов ниобата бария-стронция. Автореферат кандидатской диссертации. МХТИ.М.,1979.

200. Glass A.M., Abrahams S.С. //Ferroelectrics.-1978. V.17. -p.579-581.

201. Bechthold P.S., Lieberts I. //Optic.Commun.-1978. V.27. -p.393-395.

202. Андреев И.А., Ивлева Л.И. Скорость и затухание ВЧ фононов в новом сегнетоэлектрике Саз(У04)г//В кн. "Сегнетоэлектрики". Минск. 1983г. -С.141-150.

203. Андреев И.А., Шапкин В.В. Температурная зависимость скорости и затухания объемных упругих волн в молибдате гадолиния. // В кн: Сегнетоэлектрики. Сб. науч. трудов. -Ленинград, 1978. С.81-85

204. Andreyev I.A, Ivleva LJ. ZnSe and Саз(УС>4)2 as nonlinear crystals for the efficient laser radiation conversion and control // Proc. 2-nd Inter. Conf. on Physics of Laser Crystals, Yalta. -2005, OC8.

205. Андреев И.А., Ивлева Л.И. Кристаллы для эффективного преобразования и управления лазерным излучением // Оптический журнал. -2007. №9. -С.40-44.

206. Lee В.Н. Elastic constants of ZnTe and ZnSe between 77 300 К // J.Appl.Phys.1970. V.41. -P.2984-2987.

207. Berlincourt D., Jaffe H., L.R. Shiozawa. Electroelastic properties of the sulfides, selenides and tellurides of zinc and cadmium // Phys.Rev. -1963. V.129. -P.1009-1017.

208. Попов П.А., Егоров Г.В., Писаревский и др. Теплоёмкость и теплопроводность силикогаллата лантана// ФТТ. -199.6. Т. 38. № 1. -С. 317—320.

209. ИА.Сенющенков П.А. Исследование электромеханических свойств новых сильных пьезоэлектриков. // Автореферат кандидатской диссертации, М., ' ЖРАН, 1998.

210. Физические величины. Справочник под ред. Григорьева И.С. и

211. Михайлова Е.З.- М.гЭнергоатомиздат, 1991. -1232 с. 21 e.Uchida N., Ohmachi Y. Elastc and photoelastc properties of Te02 single crystal //J. Appl. Phys.-1969. V.40. -P. 4692-4695.

212. Shimisu H., Umeno M., Wakita К., Kamayama H. Brillouin scattering in Ca2Sr(C2H5C02)6 // J. Phys.Soc.Jap.,-1973. V.34. -P. 983-988.

213. Леманов В. В., Шакин О.В., Смоленский Г. А. Рассеяние света на гиперзвуковых волнах в кристаллах ниобата лития // ФТТ. -1971. Т. 13. -С. 533—535.

214. Клудзин В.В. Фотоупругие константы кристаллов LiNbC>3 // ФТТ. -1971. Т. 13.-С. 651—652.

215. Андреев И.А., Иванов Г.А., Кузъминов Ю.С., Полозков Н.М. Акустооптические свойства BaxSri.xNb206 // Материалы для оптоэлектроники. Всесоюзная конф. -Ужгород, 1980. С. 173-174.

216. Андреев И.А. Фотоупругость BaxSr.xNb206 в области сегнетоэлектри-ческого фазового перехода // Письма в ЖТФ. -1982. Т. 8. №17. С. 10671071.

217. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М. Мир, 1981.

218. Fox A.J. Longitudinal electro-optic effects in barium-strontium niobate BaxSrixNb206 //J. Appl. Phys.-1973. V.44. -P. 254-262.

219. Смоленский Г.А., Прохорова С.Д., Синий И.Г. Мандельштам-Бриллюэ-новское рассеяние света в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом//Изв.АН СССР, сер. физ.,-1977. Т.41. -С. 611-614.

220. Гордон Э.И. Обзор по акустооптическим отклоняющим и модулирующим устройствам // ТИИЭР. -1966. Т.54. №10. -С. 181-192.

221. Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Методы модуляции и сканирования света. М.: Наука, 1970

222. Ребрин Ю. К. Управление оптическим лучом в пространстве. М.: Сов. Радио, 1977.

223. Балакший В.И., Парыгин В.Н. Электрическое управление углом Брэгга в акустооптических устройствах // Радиотехника и электроника.-1973. Т.18.№1. -С. 115-123.

224. Андреев И.А., Кузъминов Ю.С., Полозков Н.М. Слабая температурная зависимость упругих податливостей Sn и S44 кристалла BaxSr^ls^Og вблизи 20 °С // ЖТФ. -1983. Т. 53. №8. С. 1632-1634.

225. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлектрический контурно-сдвиговый элемент// Авторское свидетельство № 1230317, 1985 г.

226. Андреев И.А., Дубовик М.Ф., Рассветаев B.J1. // Авторское свидетельство №258111, 1987 г.

227. Андреев И.А., Дубовик М.Ф., Рассветаев B.JI. II Авторское свидетельство №258101, 1987 г.

228. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлемент толщино-сдвиговых колебаний //Авторское свидетельство № 1373278, 1987 г.

229. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлемент с колебаниями сдвига поIконтуру // Авторское свидетельство № 1382368, 1987 г.

230. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Лангасит перспективный кристалл для термостабильных устройств на ОАВ и ПАВ // Актуальные вопросы получения и применения сегнето- и пьезоэлектриков. Третья Всесоюз. конф. - Москва, 1987. - С. 143.

231. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Модифицированный лангасит — основа низкочастотных устройств пьезоэлектроники // Четырнадцатая Всесоюзная конф. по акустоэлектронике и квантовой акустики. -Кишинев, 1989. ч. 2. С.67-68.;

232. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Основные параметры ВЧ устройств на ОАВ и ПАВ из лангасита // там же, С.69-70.

233. Бронникова Е.Г., Ларионов И.М., Исаев В.А. и ф.//Электронная техника, серия 5. Радиодетали и радиокомпоненты. -1986. №2. -С.83-84.

234. Андреев И.А., Дубовик М.Ф. Пьезоэлектрический элемент (его варианты) //Авторское свидетельство № 1222170, 1985 г.

235. Науменко Н.Ф. Оптимальные срезы лангасита для устройств на ПАВ // Сб. Акустоэлектронные устройства обработки информации на поверхностных акустических волнах М.: ВИНИТИ, 1990. - С. 16.

236. Гайвянис Р.Ю Гойвянш Р.Ю. Свойства термостабильных ориентаций ПАВ в лангасите // там же С.20.

237. Bungo A., Jian С., Yamaguchi К. et al. Analysis of SAW properties of rotated Y-cut langasite substrate //JapJ. Appl. Phys.-1999.V.38.-P.3239-3243.

238. Двоешерстов М.Ю., Петров С.Г., Чередник В.И., и др. II ЖТФ.2001 .Т.71 .№3.С.76-77; №4.С89-94; 2002.Т.72.№8.С. 103-108.

239. В.Н.Т. Chai, A.N.P. Bustamante, and Mitch Chou. A New Class of Ordered Langasite Structure Compounds // 2000 IEEE Freq. Control Symp. Proc.-P.163-168.

240. R.C. Smythe, R.C. Helmbold, G.E. Hague and K.A.Snow Langasite, Langanite and Langatate Resonators:Recent Results // 1999 IEEE FCS Proc, -P.816-820.

241. R.C. Smythe. Material and Resonator Properties of Langasite and Langatate: A Progress Report //Proc. 1998 IEEE Freq. Con. Symp. -P.761 -765.

242. D. Puccio, N. Saldanha, D. С Malocha, and M.P. da Cunha. SAW Reflectivity and Resonator Results for LGT and LGN // 2001 IEEE Int.Freq. Control Symp. Proc.-P. 324-327.

243. D.C. Malocha, M.P. da Cunha, E.L. Adler, D. Puccio and K. Knapp. Measurements and Predictions of SAW Parameters and Device Performance on LGT-X Substrates //2001 IEEE Int. Freq. Control Symp. Proc.-P. 219-222.

244. D.C. Malocha, M.P. da Cunha, D. Puccio and K. Casey. Investigations of Langanite and Langatate Materials for use in SAW Device Applications // 2001 IEEE Int. Ultrasonics Symp. Proc. -P. 231 -234.

245. MMC. Chou, S. Jen, B.H.T. Chai. Investigation of Crystal Growth and Material Constants of Ordered Langasite Structure Compounds // 2001 IEEE Int. Freq.Control Symp. Proc. -P. 250-254.

246. Sato M., Moroishi K., Yshigami S. et al. Filter and resonator using langasite // Advance Program 1996 Int. Freq.Control Symp. Honolulu, 1996. - P. 17.

247. Андреев И.А., Шапкин В.В. Управляемая ультразвуковая линия задержки // Авторское свидетельство № 716498, 1979 г.

248. Андреев И.А., Иванов Г.И., Величко И.А., Мельников Б.В. Акустический модулятор света на продольных упругих волнах // Авторское свидетельство № 795231, 1980 г.

249. Андреев И.А., Кузъминов Ю.С., Полозков Н.М. Акустооптическое устройство с электрической коррекцией угла Брэгга // Авторское свидетельство № 814093, 1980 г.248 ^

250. Андреев И.А., Шапкин ВтВ^ Пьезорезонансный преобразователь температуры//№ 777481, бюл."Открытия, изобретения", №41, 1980 г.

251. Андреев И.А., Кузъминов Ю.С., Камеристый Э.Ю., Полозков Н.М. Пьезорезонансный датчик излучения // Авторское свидетельство № 807768, 1980 г.

252. Chai В.Н.Т., Bustamante A.N.P., Chou M.C. A new class of ordered langasite structure compounds // Proc. IEEE Inter. Freq. Control Symp. 2000. -P. 163-168.

253. Uda S., Wang S.Q., KonishiN. et al. Growth habits of 3 and 4-inch langasite single crystals //J. Cryst. Growth.-2002. V.237-239.-P.707-713.

254. Klemenz C.J. //. J. Cryst. Growth.-2002.V.237-239.-P.714-719.

255. Zhang H., Sigh N.B., Berghmans A. et al. Liquid phase epitaxy growth of langasite film for resonators // J. Cryst. Growth.-2002.V.234.-P.660-665.

256. Jen S.,Teng В., Chou M. et al. Experimental investigation of В AW device // Proc. IEEE Freq. Control Symp. 2002.-P. 307 310.

257. D. Puccio, D. С Malocha, M.M.C. Chou. Investigation of STCS,SNGS,CTGS and CNGS Materials for use in SAW applications //Proc. IEEE Freq. Control Symp. 2003.-P. 627-630.

258. Максимов Б.А., Молчанов B.H., Миллъ Б.В. и др. Абсолютная структура кристаллов лангасита//Кристаллография.- 2005. Т.50. №5. -С.813-819

259. Андреев И.А. Монокристаллы семейства лангасита необычное сочетание свойств для применений в акустоэлектронике // ЖТФ. -2006. Т. 76. №6. - С. 80-86.