Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Логинова, Екатерина Александровна

• Логинова, Екатерина Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Логинова, Екатерина Александровна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧАЮЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaN И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1. Характеристики исходных материалов, гетероструктуры.

1.2 Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов с квантовыми ямами.

1.3. Электрические характеристики (ВАХ, ВФХ) СД.

1.4. Изменения люминесцентных электрических свойств СД при длительной работе.

1.5. Рекомбинация в гетероструктурах на основе GaN.

1.6. Электрические поля в гетероструктурах на основе GaN.

ГЛАВА 2. МОДЕЛИ РЕКОМБИНАЦИИ В НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

2.1. Кинетические коэффициенты генерационно-рекомбинационных процессов.

2.2. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах.

2.3. Модель туннельной рекомбинации в квантоворазмерных структурах.

2.4. Расчет вероятности туннелирования через барьер на границе с квантовой ямой.

2.5. Анализ вольт-амерных характеристик туннельно-рекомбинационных токов в структурах с квантовыми ямами.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

AlGaN/InGaN/GaN.

3.1.Определение концентрационного профиля легирующей примеси по ВФХ.44 3.2. Измерение вольт-амперных характеристик.

3.3. Основные параметры, характеризующие процесс токопереноса. 3.4. Моделирование параметров В АХ светодиодов с квантовой ямой при малых напряжениях прямого смещения.

3.5. Оценка степени неоднородности материала. Определение дисперсии.

3.6. Спектры электролюминесценции и фотоЭДС.

3.7. Аппроксимация экспериментального спектра ЭЛ.

3.8. Определение ширины запрещенной зоны поглощающего материала по спектру фотоЭДС.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ InGaN/SiC.

4.1. Исследование емкостных характеристик.

4.2. Исследование температурных зависимостей ВАХ. Определение преобладающего механизма токопереноса.

4.3. Определение высоты потенциального барьера.

4.4. Определение вероятности туннелирования.

4.5. Определение высоты и ширины барьера по процентному отклонению тока f от ВАХ при низкой температуре.

4.6. Определение типа проводимости в исследуемой структуре.

4.7. Изучение времени жизни.

4.8. Исследование подвижности.

4.9. Исследование спектров электролюминесценции.

4.10. Определение концентрации примеси в более легированной области структуры.

4.11. Исследование времени релаксации и поперечной подвижности в структуре

InGaN/SiC.

Выводы к главе 4.

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия»

Актуальность темы

Излучающие гетероструктуры с квантовыми ямами (КЯ), изготовленные на основе полупроводников типа AmBv, в последнее время являются предметом интенсивного исследования. Повышенный интерес к ним вызван возможностью создания высокоэффективных сверхъярких светодиодов (СД) и инжекционных лазеров, а также улучшением параметров лазеров и полевых транзисторов, по сравнению со структурами, использующими р-п переходы. Кроме того, в приборах с КЯ проявляются эффекты размерного квантования, возможность управления пиками электролюминесценции за счёт варьирования толщинами слоев. Это новое направление в оптике полупроводников, и изучение процессов, имеющих место в таких гетероструктурах, является интересной и актуальной задачей.

В последние годы получили широкое распространение СД на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN, InGaN/SiC которые активно используются в СВЧ - системах и приборах, работающих в экстремальных ситуациях. Налажен их промышленный выпуск, непрерывно расширяются области применения. Излучающие гетероструктуры из нитрида галлия и твердых растворов на его основе являются наиболее перспективными источниками спонтанного и когерентного излучений в коротковолновой и в ультрафиолетовой областях спектра. В структурах с модулированным легированием достигают высокой подвижности в диапазоне малых напряжений, что позволяет уменьшить паразитное сопротивление и понизить напряжение насыщения вольт-амперных характеристик транзистора.

Несмотря на то, что подобные структуры созданы и получили уже широкое распространение не только в технике, но и в быту, полностью физика всех процессов, происходящих в них, еще не исследована и представляет большой интерес, как с точки зрения науки, так и с позиций улучшения потребительских свойств.

В связи с этим, представленная диссертационная работа является актуальной, так как в ней предложена физическая модель туннельной рекомбинации в квантоворазмерных структурах, которая позволила описать явления в исследуемых структурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC.

Цель работы:

Разработка модели туннельной рекомбинации для гетероструктур с КЯ и определение основных механизмов токопереноса в гетроструктурах на основе GaN. Исследование особенностей электрических и электролюминесцентных характеристик изучаемых структур.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Предложена модель для туннельно-рекомбинационного тока в КЯ. Из общего выражения получаются частные: ток, ограниченный туннелированием; ток, ограниченный скоростью рекомбинации в КЯ.

2. Разработана методика, позволяющая оценить степень легирования структуры на основе исследования ее вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик.

3. Проведено экспериментальное исследование электрических и электролюминесцентных характеристик структур AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC.

Научная новизна:

1. Получено выражение для туннельно-рекомбинационного тока в КЯ, включающее в себя как частные случаи: ток, ограниченный туннелированием; ток, ограниченный скоростью рекомбинации.

2. Установлено, что в неоднородных структурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC преобладает туннельный механизм переноса тока. ВАХ исследуемых структур описываются моделью, предложенной в данной работе.

3. На основании исследования подвижности и времени жизни показано, что в области азотных температур рассеяние носителей заряда в гетероструктуре InGaN/SiC преимущественно происходит на акустических (АК) фононах, в области комнатных температур преобладающим становится механизм взаимодействия с полярными оптическими (ПО) фононами. Смена механизмов рассеяния происходит в диапазоне 120 -160 К.

Практическая значимость:

1. Предложена методика, позволяющая определять концентрацию легирующей примеси в п- и р-областях на основе исследования емкостных и вольт-амперных характеристик.

2. Определен характер зависимости подвижности и времени жизни структуры InGaN/SiC от прикладываемого напряжения и температуры.

3. Показано, что температурное гашение ЭЛ в структуре InGaN/SiC происходит за счет безызлучательной рекомбинации с участием уровней 0,03 и 0,06 эВ.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Разработана модель туннельно-рекомбинационного тока в структурах с КЯ, на основании которой можно описать ВАХ исследуемых структур;

2. Параметр модели у, полученный из эксперимента, позволяет определять концентрацию носителей в более легированной области гетероструктуры;

3. Определяющим механизмом токопереноса в гетероструктурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC является туннелирование;

4. Особенности спектров ЭЛ в области комнатных температур связаны с рассеянием носителей на ПО фононах, что подтверждается расчетами. Безызлучательная рекомбинация в структуре InGaN/SiC происходит с участием уровней с энергиями 0,03 и 0,06 эВ и вызывает температурное гашение ЭЛ;

5. Из комплексного анализа емкостных и вольт-амперных характеристик можно определить ряд важных параметров структур с КЯ, таких как высота потенциального барьера, подвижность, время жизни носителей, степень легирования.

Апробация работы: По материалам диссертации были представлены тезисы и доклады на следующие конференции: Международная конференция «Оптика полупроводников», (г.Ульяновск, 2000), Международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии», (г.Ульяновск, 2001, 2002, 2003), Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (г. Санкт-Петербург, 2002, 2004), IX Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (г. Кемерово, 2004)

Достоверность результатов: Достоверность полученных результатов достигнута проведением измерений по апробированным методикам на автоматизированных информационных комплексах, укомплектованных новой аттестованной измерительной аппаратурой, согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых в ходе работы, согласием основных результатов, полученных в работе, с данными других исследователей.

Личное участие автора. В диссертационной работе изложены результаты полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы, расчеты и обработка результатов получены и выполнены автором самостоятельно. Научным руководителем оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке модели.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ, в том числе 6 статей и 4 тезисов докладов, опубликованных в сборниках трудов конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Диссертация изложена на 118 листах, содержит 49 рисунков, 2 таблицы, список литературы из 99 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Логинова, Екатерина Александровна

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ:

1. Разработана модель для описания туннельно-рекомбинационного тока в структурах с КЯ. Показано, что предложенная модель хорошо согласуется с экспериментальными результатами.

2. Установлено, что в структурах AlGaN/InGaN/GaN и InGaN/SiC основной механизм токопереноса при прямом смещении - туннелирование с участием прыжковой проводимости. Предложена методика, позволяющая оценить степень легирования структуры на основе исследования ВАХ и ВФХ. Концентрации примеси в более и менее легированных областях

1 о 1 1 ^ 1 гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN имеют порядок 10 см" и 10 см" , в гетероструктуре InGaN/SiC - 1017 см"3 и 1015 см"3, соответственно.

3. Анализ спектра ЭЛ гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN показал, что КЯ характеризуется эффективной шириной запрещенной зоны Еэфе = 3 эВ; из спектра фотоЭДС определена ширина запрещенной зоны поглощающего материала (GaN) Eg = 3.2 эВ.

4. Обнаружены центры безызлучательной рекомбинации с энергиями 0,03 эВ и 0,06 эВ, ответственные за температурное гашение ЭЛ в структуре InGaN/SiC.

5. На основе исследования' подвижности и времени жизни показано, что в области азотных температур рассеяние носителей заряда в гетероструктуре InGaN/SiC происходит на АК фононах, в области комнатных температур преобладающим становится механизм взаимодействия с ПО фононами. Смена механизмов рассеяния происходит при 120 - 160 К. Особенности спектров ЭЛ в области комнатных температур связаны с рассеянием носителей на ПО фононах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Логинова, Екатерина Александровна, 2005 год

1. Юнович А.Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов // Светотехника, 1996, вып. 5/6, с. 2-7

2. Строкан Н.Б., Иванов A.M., Савкина Н.С. и др. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц // ФТП, 2002, т.36, вып.З, с.375 378;

3. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и V групп. М.: Мир, 1967. - 478с.

4. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоиздат, 1990. - 576 с.

5. Nakamura S., Senoh М., Nagahama S., etc. InGaN/GaN/AlGaN based LEDs and laser diodes // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, Gl.l, 1999.- 17 c.

6. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Ф.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975. - 328 с.

7. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. Эффективные светодиоды на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN // МЭТ, 1998, №1, с. 57-63

8. Дроздов Ю.Н., Востоков Н.В., Гапонова Д.М. и др. Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN // ФТП, 2005, т. 39, вып. 1, с.5-7

9. Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И. и др. Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // ФТП, 2004, т. 38, вып. 11, с. 1364-1367

10. Ткачман М.Г., Шубина Т.В.,.Жмерик В.Н и др. Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии // ФТП, 2003, т. 37, вып. 5 с. 552-556

11. Е. L. Piner, F. G. Mcintosh, N. A. El-Masry, etc. Growth and Properties of InGaN and AlInGaN Thin Films on (0001) Sapphire // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 1996,43

12. Chichibu S.F., Sota Т., Wada K., etc. Spectroscopic studies in InGaN quantum wells.// MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7, 1999. 14 c.

13. Chiu S.-Y., Anwar A.F.M., Wo S. Base transit time in abrupt GaN/InGaN/AlGaN HBTs // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.7, 1999-6 c.

14. Сизов Д.С., Сизов B.C., Заварин E.E. и др. Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN // ФТП, 2005, т. 39, вып. 4, с. 492-496

15. Takeshi Uenoyama Optical gain spectra in InGaN/GaN quantum wells with the compositional fluctuations // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.9, 1999.-6 c.

16. Andreev A.D., O'Reilly E.P. Theory of the gain caracteristics of InGaN/AlGaN QD lasers //MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.45, 1999.-6 c.

17. Hofstetter D., Thornton R.L., Romano L.T., etc. Characterization of InGaN/GaN- based multi-quantum well distributed feedback lasers // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.2, 1999-6 c.

18. Wetzel C., Nitta S., Takeuchi Т., etc. On the bandstructure in InGaN/GaN heterostructures strain, band gap and piezoelectric effect // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 31, 1998. - 10 c.

19. Pophristic M., Long F.H., Train C., Ferguson I. Time-resolved spectroscopy of InGaN // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.58, 1999.-6 c.

20. Morckoc H., Cingolani R., Lambrecht W., etc. Material properties of GaN in the context of electron devices // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.2, 1999.-9 c.

21. Bonfinilio A., Lomascolo M., Traetta G., etc. The influence of internal electricfield on the emission energy of GaN/AlGaN MQWs // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G5.2, 1999.- 6 c.

22. Shur M.S., Bykhovsky A.D., Gaska R. Pyrjelectric and piezoelectric properties of GaN- based materials // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.2, 1999.12 c.

23. Monemar В., Bergman J.P., Daflors J., etc. Mechanism for radiative recombination in InO.15GaO.85N/GaN MQW structures // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.5, 1999. -6 c.

24. Przhevalskii T.I.N, Karpov S. Yu., Makarov Yu.N. Temperature distribution in InGaN MQW LEDs under operations // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 30, 1998.-6 c.

25. Кудряшов B.E., Мамакин C.C., Юнович А.Э. Влияние сапфировой подложки на спектры излучения светодиодов из нитрида галлия // Письма в ЖТФ, 1999, т.25, вып. 13. с. 68-72

26. Sakharov A.V., Lundin W.V., Usikov A., etc. Heterostructure for UV LEDs based on thick AlGaN layers // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 28, 1998. -4 c.

27. Золина К.Г., Кудряшов B.E., Туркин A.H., Юнович А.Э. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП, 1997, т.31, №9, с.1055-1058

28. Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Маняхин Ф.И. и др. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами // ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып.4, с. 445-450

29. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Юнович А.Э. и др. Люминесценция р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации // ФТП, 1998, 32, №1, с.63-67

30. Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н и др. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами

31. ФТП, 1997, 31, №11, с.1304-1309

32. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И.,Кудряшов В.Е и др. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // ФТП, 1999, т.З, вып.2, с.224-232

33. Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. и др. Взаимосвязь изменения распределения концентрации заряженных центров и характеристик светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительном протекании прямого тока // МЭТ, 1998, №3, с.60-64

34. Suski Т., P. Perlin, Н. Teisseyre etc. Mechanism of yellow luminescence in GaN // Applied Physics Letters 67(15), 1995, 2188

35. Кудряшов B.E., Маняхин Ф.И., Юнович А.Э и др. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN — зависимость от тока и напряжения // ФТП, 2001, том 35, вып. 7, с.861-868

36. Вавилов B.C., Четверикова И.Ф., Чукичев М,В,. Центры с глубокими уровнями в полупроводниках. Тр. межд. конф. -Ульяновск, 1997, с. 114.

37. Юнович А.Э. Дивакансии азота возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия // ФТП, 1998, т. 32, вып. 10, с. 11811183

38. Бочкарева Н.И., Zhirnov Е.А., Ефремов А.А. и др. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2005, т. 39, вып. 5, с. 627-632

39. Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, т. 37, вып. 9, с.1131-1137

40. Ponce F.A., Bour D.P. Nitride-Based Semiconductors for Blue and Green Light-Emitting Devices //Nature. 1997. Vol. 386. p. 351-359

41. Egava Т., Ishikava H., Jimbo Т., Umeno M. Polarized reflectance spectroscopyand spectroscopic ellipsometry determination of the optical anisotropy of GaN on sapphire // MRS Symp. Proc., 1997,449, 1191

42. Osinski M., Perlin P., Eliseev P.G. Degradation mechanisms in AlGaN/InGaN/GaN light sources //MRS Symp. Proc., 1997,449, 179

43. Nakamura S., Senoh M., Isava N. High-Brightness InGaN Blue,Green and Yellow Light-Emitting Diodes with Quantum Well Structures // Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34, pt. 2, L1332

44. Yunovich A.E., Kudryashov V.E., Mamakin S.S., etc. Electroluminescence Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light Emitting Diodes with Multiple Quantum Wells //Phys. St. Sol. (a), 1999, 176 (1), 125

45. Gardner N., Kocot C., Goetz W., etc. Microstructure of InGaN quantum wells // 4th Int. Conf. on Nitride Semicond. (Denver, July, 2001) Book of Abstract, p. 38, PM B6.1

46. Lefebre P., Allegre J., Gil В., etc. Observation of long-lived oblique excitons in GaN-AlGaN multiple quantum wells // Phys. Rev. B, 1999, 59 (15) 363, p. 1024610250

47. Bernardini F., Fiorentini V. Macroscopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions // Phys. Rev. B, 1998, 57 (16), p. R9427-R9430

48. Гриняев C.H., Разжувалов A.H. Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGal-xN(0001) // ФТП, 2003, т. 37, вып. 4, с.'450-455

49. Покутний С.И. Квантово-размерный эффект Штарка в квазинульмерных полупроводниковых структурах //ФТП, 2000, т.34, в.9, с. 1120-1124

50. Chichibu S.F., DenBaars S.P, Wada К., etc. Emission mechanisms of bulk GaN and InGaN quantum wells prepared by lateral epitaxial overgrowth // Mater. Sci. Eng. 59, 1999, 298

51. Hangleiter A., Im IS., Kollmer H., etc. Piezoelectric Field Effect on Optical Properties of GaN/GalnN/AlGaN Quantum Wells // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1999,4S11, G6.20

52. Грушко Н.С., Евстигнеева Е.А., Лакалин А.В. Исследование ВАХ и спектров электролюминесценции светодиодов с квантовой ямой, изготовленных на основе GaN // Известия ВУЗов, сер. Электроника, №3, 2002, с.48-56

53. Грушко Н.С., Евстигнеева Е.А, Лакалин А.В. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе GaN с квантовой ямой // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2001, вып. 2(11), с.31-40

54. Грушко Н.С., Евстигнеева Е.А, Лакалин А.В., Романова Н.В. Неоднородности в структурах на основе GaN // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2003, вып. 1

55. Евстигнеева Е.А. Исследование температурных зависимостей вольт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе GaN с квантовыми ямами // Труды молодых ученых УлГУ, 2001, с. 19-20

56. Грушко Н.С., Дуванова Н.В, Евстигнеева Е.А., Потанахина Л.Н Исследование туннелирования в гетероструктуре на основе нитрида галлия // Труды V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2003 г., с.75

57. Грушко Н.С., Дуванова Н.В., Логинова Е.А. Спектры люминесценции и электрические характеристики структуры InGaN/SiC // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2004, вып. 1(16), с.3-6

58. Грушко Н.С., Дуванова Н.В., Логинова Е.А. Исследование времени релаксации и поперечной подвижности в структуре InGaN/SiC // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2004, вып. 1(16), с.26-29

59. Грушко Н.С., Дуванова Н.В., Логинова Е.А. Структуры InGaN/SiC с модулированным легированием // Ученые записки УлГУ, Сер.Физ., 2004, вып. 1(16), с.30-39

60. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990-688 с.

61. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / В 2-х томах М.: Мир, 1984 -456 с.

62. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.: Мир,1977. -С. 562.

63. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. М.: Мир,1978.-304 с.

64. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. М.:Мир,1982. - 662с.

65. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах./ В 2-х томах. М.: Мир, 1984-219 с.

66. Ladsberg Р.Т., Browke D.C. A level spectrum versus a single level in recombination // Semicond. Sci. Technol. 1988. p. 193 201

67. Булярский C.B., Грушко H.C., Лакалин A.B.Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п-перехода // ФТП, 1998, т. 32, вып. 10, с. 1193-1196

68. Булярский С.В., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин А.В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP-светодиодах // ФТП, 1999, т. 33, вып. 6, с.723-726

69. Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора // ФТП, 1997, т. 31, вып. 9, с. 1146-1150

70. Юнович А.Э., Ормонт А.Б. //ЖЭТФ, т.51, 1966, в.5(11), с.1292-1305.

71. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1983, - 664 с.

72. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно рекомбинационные процессы в активных элементах. - М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1995.- 399 с.

73. Берман JI.C., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л. :Наука, 1981. - 120с.

74. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967 -320 с.

75. Рабек Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике. В 2-х томах.Т1. М.: Мир, 1985. 608 с.

76. Рембеза С. И. Методы измерения основных параметров полупроводников: Учебн. пособие. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. - 224 с.

77. Берман Л.С. Ёмкостные методы исследования полупроводников -Л.: Наука, 1972.- 102с.

78. Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш.шк., 1975. - 296 с.

79. Андреев Д.А., Грушко Н.С. Поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния //Микроэлектроника, 2002, т.31, №2, с. 142-146

80. Булярский С.В., Грушко Н.С. Обобщённая модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах //ЖЭТФ, 2000, т.118, вып.5(11), с.1222-1229.

81. Шур М.С. Физика полупроводниковых приборов М.: Мир, 1992, т.2 - 974 с.

82. Под ред. Майссела Л, Глэнга Р. Технология тонких плёнок. Справочник. -М.: Советское радио. 1977. 767с.

83. Булярский С.В., Ионычев В.К., Кузьмин В.В. Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах // ФТП, 2003, т.37, вып.1, с. 117-120

84. Грушко Н.С. Материалы микроэлектронки: Методические указания к лабораторным работам. Ульяновск, 1994

85. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников М.: Наука, 1979. - 416 с.

86. Грушко Н.С., Лакалин А.В., Семёнова О.А. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе GaN // Учёные записки УлГУ. Серия физическая. 2001, вып.2(11), с.41-44.

87. Питер Ю., Мануэль Кардона. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. - 559с.

88. Динггл Р., Фьюэр М., Ту Ч. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы // Арсенид галлия в микроэлектронике. М: Мир, 1988. - 552с.

89. Борисенко С.И. Расчёт низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешётк4и GaAs/A10/36Ga0/64As в области температур 77К // ФТП, 2002, т.36, вып.7, с.861-868

90. Климовская А.И., Дрига Ю.А., Гупе Е.Г.и др. Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах // ФТП, 2003, т.37, вып.6, с.706 710

91. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М.: Высшая школа, 2001.-571с.

92. Мокеров В.Г., Галиев Г.Б., Пожела Ю. и др. Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs /GaAs/AlGaAs //ФТП, 2002, т36, №6, стр.713-717

93. Давыдов С.Ю. Оценки параметров нитридов элементов третьей группы BN, A1N, GaN и InN // ФТП, 2002, т.36, вып.1, с.45-48

94. Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямах //ФТП, 2000, т.34, вып.9, с.1053-1057

95. Pozela К. Electron nonelastik scattering by confined and interface polar opticalphonons in modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well // ФТП, 2001, t.35, вып.11, c.1361-1364