Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Рыбянец, Валерий Александрович

• Рыбянец, Валерий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рыбянец, Валерий Александрович

Введение

Актуальность работы

Научная новизна

На защиту выносятся . . . 7 I. Дефекты кристаллической структуры и их взаимодействие в щелочно-галоидных кристаллах

1.1. Точечные дефекты

1.1.1. Дефекты по Шоттки и Френкелю в щелочно-галоидных кристаллах.

1.1.2. Ионная проводимость ЩГК

1.1.3. Комплексы " анионная вакансия - катионная вакансия "

1.1.4. Комплексы " двухвалентная катионная примесь - катионная вакансия "

1.1.5. Ассоциаты дипольных комплексов

1.2. Дислокации и их взаимодействие с точечными дефектами

1.2.1. Дислокации в щелочно-галоидных кристаллах

1.2.2. Подвижность дислокаций

1.2.3. Локальные барьеры для движения дислокаций

1.2.4. Взаимодействие дислокаций с дипольными комплексами

1.3. Методы исследования дефектов кристаллической решетки щелочно-галоидных кристаллов

1.3.1. Метод диэлектрических потерь

1.3.2. Методы исследования точечных дефектов

1.3.3. Методы исследования дислокаций

1.4. Постановка задачи и обоснование методики исследования

П. Диэлектрические потери при пластической деформации б ЩГК .««•.

2.1. Диэлектрические потери в процессе активного нагру-жения образца

271.1. Экспериментальная установка

2.1.2. Кинетические кривые tgS при активном нагружении образца

2.2. Диэлектрические потери в процессе релаксации напряжений

2.2.1. Методика выполнения работы

2.2.2. Кинетические и частотные кривые в процессе релаксации напряжений

2.2.3. Безактивационное разрезание «гримеров

2.2.4. Анализ движения дислокаций на фазовой плоскости

2.2.5. Анализ изменения t^S при активном нагружении кристалла

2.3. Диэлектрические потери в ЩГК при учете однородного упругого поля напряжений

2.3.1. Расчет tgS и У^в- в приближении однородного уп< ругого поля напряжений.

2.3.2. Выводы к главе П

Ш. Диэлектрические потери в ЩГК при деформации их сосредоточенной нагрузкой

3.1. Дислокационные розетки в щелочно-галоидных кристаллах

3.2. Экспериментальная часть

3.3. Кинетические кривые цш после локального нагру-жения

3.4. Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при различном числе введенных дислокаций

3.5. Диэлектрические потери при постоянном числе вводимых дислокаций.

IV. Диэлектрические потери в щелочио-галоидных кристаллах с дислокациями

4.1. Постановка задачи

4.2.' Кинетические уравнения и их решение

4.3. Диэлектрические потери в кристалле с винтовой дислокацией . . . . / . . . . ИЗ

4.4. Диэлектрические потери в кристалле с заданной плотностью дислокаций.

4.5. Изменение корреляционного множителя / при пластической деформации кристаллов

V. Агрегация диполей в щелочно-галоидных кристаллах в переменных полях

5.1. Экспериментальная установка и методика приготовления образцов

5.2. Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при предварительной выдержке образцов в пере -менном электрическом поле >

5.3. Кинетические кривые изменения при выдержке в переменном электрическом поле

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне»

Физика диэлектриков в настоящее время имеет дело как с веществами сравнительно простой структуры,так и с веществами, имеющими достаточно слонный характер связей. Однако сложность наблюдаемых явлений даже в простых структурах заставляет думать , что их изучение и понимание будет весьма полезным.Широкий круг вопросов, связанный с использованием в различных областях науки и техники ионных кристаллов [l] , приводит к тому, что у исследователей не ослабевает интерес к механическим, электрическим, оптическим и другим их свойствам. Ряд ионных кристаллов, особенно простейшие галогениды щелочных металлов ( такие как и др.), являются удобным материалом для теоретических исследований [2] .Одной из важнейших задач, поставленных перед физикой диэлектриков современным развитием техники, является создание новых конструкционных материалов с заранее прогнозируемы1№ свойствами, а также методов изучения и мзменения этих свойств. Так как физическая структура реальных кристаллов в действительности всегда более или менее отклоняется от идеальной, то решение поставленной задачи должно включать в себя исследование нарушенных структур, влияния примесей.и дефектов решетки на свойства кристаллов [З, 4] , параметров взаимодействия дефектов структуры твердых тел [5] .Существенное влияние на электрические и механические свойства .кристаллов оказывает взаимодействие дислокаций с точечными дефектами, в частности, с примесными дипольными комплексами " двухвалентная катионная примесь-катионная вакансия " [5, б]. В этой связи изучение взаимодействия дислокаций с указанными дипольными комплексами и их агрегатами представляется актуальным., Целью настоящей работы было исследование влияния пластической деформации щелочно-галоидных кристаллов типа NQCL на структуру примесных дефектов, их взаимодействие с линейны!ли дефектами при измерении диэлектрических потерь с^ О кристаллов с двухвалентньши катионньши примесями.Актуальность работы.Непосредственное взаимодействие собственных и примесных точечных дефектов кристаллической решетки, приводящее к образованию дипольных комплексов и их ассоциатов, существенно влияет на механические, электрические, оптические свойства щелочно-галоидных' кристаллов. Этот факт обусловливает необходимость изучения структурного состояния примеси в кристалле и исследования взаимодействия дислокаций и точечных дефектов.Дипольные комплексы " .примесь - вакансия " являются эффек тиБНыми центрами торможения движущихся дислокаций. С другой стороны, указанные комплексы ответственны за релаксационные диэлектрические потери. Следовательно, движение дислокаций и их взаимодействие достаточно легко может контролироваться измерением релаксационных диэлектрических потерь. Сравнительная простота метода диэлектрических потерь, высокая точность и стабильность получаемых результатов делают его одним из самых удобных и приемлимых в исследовании структуры реальных кристаллов.Актуальность работы заключается в том, что в ней исследовано влияние дислокационной структуры кристалла на величину диэлектрических потерь, на основании чего предлагаются механизмы взаимодействия дислокаций с дипольными комплексами и их ассоциатами на различной стадии движения дислокаций. Также по виду кинетических кривых t^ и прелагается способ определения структурного состояния примеси в кристалле.Научная новизна.В работе впервые исследовано влияние пластической деформации монокристаллов на кинетику релаксационных диэлектрических потерь. Обнаружена зависимость вида кинетических кривых ЩиШ от термической обработки кристаллов.На основе полученных данных предложена модель, достаточно хорошо описывающая частотную, деформационную и временную зависимости Ци .Выполнен расчет для релаксационных диэлектрических' потерь Цо(г) на различном расстоянии от винтовой дислокации при учете взаимодействия винтовой дислокации [ио] с диполями " двухвалентная катионная примесь - катионная вакансия " различной ориентации. Получены также выражения усредненных по объему образца (iw У ) релаксационных потерь при заданной плотности 9 , введенных в кристалл дислокаций.На защиту выносятся: 1. Эффект изменения 1Л0 при пластической деформации кристалла в процессе релаксаций напряжений. Различное поведение кинетических кривых 10 0(1) отожженных и подвергшихся закалке кристаллов.Частотная и деформационная зависимости кинетических кривых отожженных кристаллов. Модель,' объясняющая различное поведение кинетических кривых отожженных и подвергшихся закалке кристаллов.2. Обнаруженная зависимость изменения Ц и oil числа введенных дислокаций при микроиндентировании поверхности монокристаллов LiF : Поведение кинетических кривых при различной частоте внешнего поля, начальном напряжении на инденторе ^о 3. Расчет релаксационных диэлектрических потерь в монокристаллах с решеткой типа NQCL при наличии упругого поля, созданного винтовой дислокацией [ио] . Анализ полученных выражений в приближении слабого электрического поля и различной вероятности переориентации диполей " двухвалентная катионная примесь - катионная вакансия ". Усреднение полученных результатов по объему кристалла с заданной плотностью дислокаций.4. Эффект изменения диэлектрических потерь tg О при предварительной выдержке кристалла во внешнем переменном электрическом поле с напряженностью 140 кВ/м. Зависимость Цо от частоты внешнего поля и времени выдержки образца в поле. Влияние предварительной деформации образцов на изменение потерь при выдержке их во внешнем переменном электрическом поле,

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Рыбянец, Валерий Александрович

Выводы

1. Пластическая деформация щелочно-галоидных кристаллов приводит к изменению диэлектрических потерь, обусловленных переориентацией примесных дипольных комплексов " двухвалентная катионная примесь - катионная вакансия

2. Характер изменения релаксационных диэлектрических потерь определяется предварительной термической .обработкой. Для отожженных кристаллов наблюдается начальное возрастание потерь tg5 обусловленное увеличением числа диполе* при безактива-ционном разрезании тримеров движущимися дислокациями. Для закаленных кристаллов, в которых фиксированно дипольное состояние примеси, наблюдается монотонное уменьшение в процессе релаксации упругих напряжений.

3. Измерение диэлектрических потерь в процессе релаксации упругих напряжений дает метод простого и быстрого определения структурного состояния примеси. Наличие пика на кривой tyfi({] указывает на присутствие дипольных комплексов,и их агрегатов, монотонное спадание кривой ty$(t) - чисто дипольное состояние примеси.

4. Как в процессе релаксации напряжений, так и при микроинденти-ровании поверхности кристалла наблюдаются резонансные частоты, на которых изменение диэлектрических потерь максимально, причем величина резонансной частоты зависит или от степени деформации кристалла ( в случае релаксации напряжений ), или от числа введенных дислокаций ( при микроиндентировании ).

5. При создании дислокационных розеток на поверхности кристалла характер изменения Ц1 определяется начальным напряжением созданным индентором. При постоянном , т.е. постоянном числе вводимых дислокаций, глубина спада кривой t^Hi) зависит от частоты внешнего поля. Характер поведения этой кривой не зависит от способа и места введения дислокационных розеток.

6. Влияние упругого поля напряжений, созданного при введении в кристалл дислокаций, на величину релаксационных диэлектрических потерь хорошо описывается моделью Лидьярда при учете маят-никообразного характера переориентации диполей и их взаимодействия с дислокациями.

7. В работе объяснен сдвиг резонансной частоты в предположении однородности поля напряжений. Рассчитаны значения tyfi(r) в зависимости от расстояния г до винтовой дислокации, при фиксированном т рассмотрена зависимость

8. По полученным локальным значениям диэлектрических потерь расплотностью введенных дислокаций. Проведена численная оценка рассчитанных величин.

9. Показано, что предварительная выдержка закаленных кристаллов в переменном электрическом поле с напряженностью 140 кВ/м в частотном диапазоне 1-3 кГц приводит к уменьшению диэлектрических потерь. Указанное уменьшение tgS обусловлено увеличением скорости агрегации дипольных комплексов, причем наиболее эффективно электрическое поле действует на определенных частотах, являющихся резонансными для переориентации диполей. считано усредненное по образцу значение с заданной

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рыбянец, Валерий Александрович, 1984 год

1. Кингери Дк. Введение в керамику.- М.: Стройиздат, 1964.- 534с.

2. Уэрт Ч.,Томсон Р. Физика твердого тела.- М.: Мир, 1969.- 558с.

3. Бюрен В. Дефекты в кристаллах.- М.: ИЛ, 1962.- 584с.

4. Воробьев А. А. Физические свойства кристаллических ионных диэлектриков. кн.1.- Томск: ТГУ, I960.- 329 с.

5. Fleisher R.L. Rapid solution hardening, dislocation mobility, and the flow stress of crystals.- Journal of Applied Physics, 1962, v.33, IT 12, p.5504-35-08.

6. Урусовская А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов.- Успехи физических наук , 1968, т.96, с.39-60.

7. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.- М.: Мир, 1969 .654 с.

8. Mott N.F., Littleton M.J. Conduction in polar crystals. 1.

9. Electrolitic conduction in solid salts.- Trans. Earaday Society, 1938, v. 34, part 3, p.485-489.9. lost V/. Diffusion and electrolitic conduction in crystals (ionic semiconductors). Journal of Chemical . Physics ,1933, v.1, p.466-4751

10. Ю.Пратт П.Л. Вакансии и другие точечные дефекты в металлах.-М.: Металлургиздат, 1961.- 317 с.

11. Mott Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1950.- 304 с.

12. Scholz А.Н. Computer calculations for vacancies in alkali halides with NaCl structure. Ehysica Status Solidi, 1968, v.25, N 1, p.285-301.

13. Boswarva I.H., Lidiard A.B. The energy of formation of Schot-tky defects in ionic crystals. Ehilisiphical Magazine,1967, v.16, H 142, p.805-826.

14. Born M., Mayer J. Zur Gittertheorie der Ionenkristalle. -Zeitschrift fur Physic, 1932, v.75, N 1-2, S.1-18.

15. Fumi F.G., Tosi M.P. Ionic sizes Born repulsive parameters inthe Nad-type alkali halides. 1. The Huggins Mayer and Pauling forms. - Journal of Physics and Chemistry Solids, 1964, v.25, N 1, p.31-43.

16. Chandra S., Agrawal V.K. Entropy of vacancy pair formation in alkali halides.- Journal of Physics and Chemistry Solids, 1967, v.28, N 6, p.1055-1059.

17. Chandra S., Panday G.K., Agrawal V.K. Entropy of vacancies in ionic crystals.- Physical Review, 1966, v.144, N 2,p.738-740.

18. Schottky W. Uber den Mechanismus der Ionenbewegung in fes-ten Electrolyten.- Zeitschrift fur Physicalische Chemie, 1935, v.B29, N 5, S.335-355.

19. Fumi F.G., Tosi M.P. Lattice calculations on point imperfections in the alkali halides (molecular mechanism of rate processes in solids).- Discutions of the Faraday Society,1957, N 23, p.92,-98.

20. Theimer 0. Entropy of vacancies in ionic crystals.- Physi- .cal Review, 1958, v.112, N 6, p.1867-1877.

21. Tessman J.R., Kahn A.H., Shockley V/. Electronic polarizabi-lities of ions in crystals.- Physical Review, 1953, v.92,1.T 4, p. 890-895.

22. Boswarva I.M., Simpson J.H. Schottky energy calculations for the alkali halides: details and results of successiveapproximations.- Canadian Journal of Physics, 1973, v.51,1. N 18, p.1923-1934.

23. Etzel H.W., Maurer R.J. The concentration and mobility of vacancies in sodium chloride.- Journal of Chemical Physics, 1950, v.18, N41, p.1ОО3-ЮО7.

24. Wagner С., Hantellmann P. Determination of the concentration of cation and anion vacancies in solids. Journal of Chemical Physics, 1950, v.18, N 1, p.72-74.

25. Kelting H., Witt H. Uber KC1 kristalle mit zusatzen von Erd-alkalichloriden. Zeitschrift fur Physic, 194-9, v.126, N7/9, S.697-710.

26. Haven J. On the theory of ionic conductivity in crystals, -Rec. Trav. Chim., 1950, v.68, IT 9/Ю, p.1259-1274.

27. Shauip H.W., Katz E. Self-diffusion and ionic conductivity in sodium bromide. Physical Review, 1954, v.94, N 4, p. 826836.

28. Priauf R.J. Diffusion of silver in bromide and evidence for interstitialy migration. Physical Review, 1957, v.105, IT 3, p.84J-848.

29. Евсеев З.Я. Расчет работы образования хлорной вакансии в кристалле 1ТаС1 .- Известия ВУЗов. Физика, 1967, Ш 4, с.50-52.

30. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов.- М.: ИЛ, 1962 .222 с.

31. Соос J.S.,Dryden J.S. The intensity of dielectric absorption in alkali halides as a function of the concentration of divalent cation impurities. Australian Journal of Physics, 1960, v.13, IT 2A, p.260-269.

32. Cooc J.S., Dryden J.S. An investigation of the aggregation of divalent cationic impurities in alkali halides by di -electric absorption. Proceedings of Physical Society, 1962, v.80, IT 2, p.479-488.

33. Tharmalingam K., Lidiard A.B. Mobility of vacancy pairs in ionic crystals. Philosophical Magazine, 1961, N 69, p.1157-1162.

34. Tharmalingam К. Calculation of energy of formation of vacancy pairs in alkali halides. Journal of Physics C: Solid

35. State Physics, 1970, v.3, p.1856-1860.35# Tharmalingam. K. Zeroth-order calculations of the energy of movement of vacancies in alkali halides. Philosophical Magazine, 1977, v.36, N 3, p.753-755.

36. Розман Г.А. Концентрация диполонов в щелочно-галоидных кристаллах.- Физика твердого тела, 1969, т.II, № 4, с.3385-3387.

37. Розман Г.А. Графический способ определения энергии связи ди-полона в щелочно-галоидных кристаллах.- Физика твердого тела, 1977, т.19, № 9, с.1840-1841.

38. Розман Г.А. Участие диполонов в процессе плавления щелочно-галоидных кристаллов.- В кн.: Кристаллиз. и свойства крис. таллов и тонких пленок. Л., 1977, с.29-33.

39. Топчян И.И. Характеристические энергии комплексов в ЩГК в нулевом приближении.- Физика твердого тела, 1979, т.21, № 6, с.1873-1875.

40. Флёйшер Р., Хибберд У. Структура и механические свойства металлов.- М.: Металлургиздат, 1967.- 302 с.

41. Hartmanova М., Saszynska LI., Thurzo I., Rezabkova Н. Some2+physical properties of KClsPb crystals. 2. Electrical,die-lectrical and mechanical characteristics of quenched crystals. Czechoslovak Journal of Physics, 1976, v. В 26, N 10, p.1127-1136.

42. Moran P.P., Fields D.E. Study of thermally activated polarization effects in purified and magnesium doped lithium fluoride. Journal of Applied Physics, 1974, v.45, 1J 8, p.3266-3272.

43. Chang R., Graham L.J. The elastic interaction between dislocation and defects associated with calcium impurities in sodium chloride. Acta Crystallographica, 1964, v.17, N 7,p.795-799.,

44. Sakagaiai Y., Yoshida S. Trapping process of vacancies by foreign atoms. Journal of Physical Society of Japan, 1979, v.47, N 1, p.176-183.

45. Ruiz-Meija C., Oseguera V.U., Murrieta S.H., Rubio O.J.2+

46. Binding energies of the Eu cation vacancy complexes. -Journal of Chemical Physics, 1980, v.73, H" 1, p.60-67.

47. Berg G., Frulich F., Siebenhuner S. The association energy of aggregates of divalent impurities and vacancies in ITaCl-type crystals (point defects approximation). Kristall und Technik, 1975, v.10, N 10, S.1091-1096.

48. Catlow C.R.A. Impurity-vacancy interacting in the alkali ha-lides. Chemical Physics Letters, 1976, v.39, N 3, p.497-500.

49. Jain V.K. Behaviour of divalent cation impurities in alkali halides. Physica Status Solidi, 1971, v.44, M" 1, p. 1128.

50. Lidiard A.B. Point defects in ionic crystals. Comments Solid State Physics, 1969, v.2, N 1, p.15-20.

51. Hartmanova M., Lebl M., Mariani E. Electrical and dielectri-cal properties of chromium doped NaCl crystals. Physica Status Solidi, 1975, v.31, N 1, p.К 85- К 87.

52. Мурин И.В., Корнев Б.Ф., Глумов А.В. Реориентация комплексов Ме2+ вакансия в хлорном калии и рубидии.- Физика твердого тела, 1976, т.18, с. 3372-3375.

53. Pozniak J. Dipolar relaxation by an AC field in various2+crystaliographic directions of Me. -doped alkali halide crystals. 1. Nearest-neighbour approach. Physica Status Solidi, 1978, v.89, N 2, p.577-582.

54. Тонконогов М.П., Миронов В.А. К теории образования пар ион-вакансия, анионная вакансия катионная вакансия в ионных кристаллах.- Электронная обработка материалов, 1973, $ 4, с.48-53.

55. Тюрин А.В., Шевелева А.С., Дьяченко А.С. Коротковременные электрические релаксации в щелочно-галоидных кристаллах.-Известия ВУЗов. Физика, 1973, № 6, с.101-106.

56. Perlman М.М., Unger S. Dielectric measurements using alternating currents and ionic thermocurrents. Journal of Applied Physics, 1974, v.45, N 6, p.2389-2393.

57. Мурин И.В., Корнев Б.Ф., Гравер В.Е. Типы электрической релаксации в кристаллах хлорида калия с примесью.- Уч. записки Латв. университета, 1975, Ш 245, с.142-148.

58. Berg G., Pozniak J. Theoretical analysis of the dipole polarization and depolarization in Me + doped NaCl-type alkali halide crystals. 1. Rearest-neighbour approach. Physica Status Solidi, 1976, v.38, N 1, p.115-122.

59. Sarkozi J., Toth A., Szabo L. The investigation of aggregation processes in quenched NaCl:SrCl2 crystals by dielectric loss in sodium chloriden measurements. Periodica Po-lytechnica, 1977, v.21, I\T 3-4, p.239-243.

60. Varotsos P. Dielectric properties of Cal doped with Ca2+ or Sr2+. Physica Status Solidi, 1975, v.32, If 2, p.617-620.

61. Allen С.A., Ireland D.T., Frederics W.J. Diffusion of lead ions in sodium chloride. Journal of Chemical Physics,1967, v.45, N 5, p.2000-2004.

62. Burstein E., Oberly J.J., Henvis B.W., Davisson J.W. A note on the distribution of impurities in alkali halides. -Physical Review, 1951, v.81, N 3, p.459-460.

63. Ramdas S., Rao C.N. Aggregation of divalent impurity ions in KC1. Crystalline Lattice Defects, 1976, v.6, N 4,p.199-201.

64. Dryden J.S. The aggregation of divalent impurities and their associated cation vacancies in alkali halides.-Journal of Physical Society of Japan, 1963, v.18, S.3, p.129-132.

65. Dryden J.S., Morimoto S., Cooc J.S. The hardness of alkali halide crystals containing divalent ion impurities.- Philosophical Magazine, 1965, v.12, p.379-391.

66. Dryden J.S., Harvay G.G. Dielectric and optical properties of lead-activated sodium and potassium chloride crystals.-Journal of Physics C: Solid Status Physics, 1969, v.2,1. N 10, p.603-608.

67. Сойфер JI.M. Упрочнение щелочно-галоидных монокристаллов двухвалентными примесями.- В кн.: Физика конденсированного состояния. Харьков, ФТИНТ, 1973, № 24, с.45-64.

68. Hartmanova М. Impurity precipitation in alkali halide crystals. Physica Status Solidi, 1971, v.7, N 2, p.303-324.

69. Crawford J.H.Jr. Aggregation of divalent metal impurity in alkali halide crystals. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1970, v.31, p.399-407.

70. Perlman M.M., Unger S. Ionic thermocurrent study of impurity-vacancy dipoles in alkali halides. Journal of Electrostatics, 1975, v.1, N 3, p.231-234.

71. Cooc J.S., Bryden J.S. Kinetics of aggregation of divalent catior impurities in alkali halides: comments on a paper by Ungerand Perlman. Physical Review B: Solid State, 1975, v.12, P.5995-5998.

72. Capelletti R., De Benedetti E. Aggregation of divalent impurities in sodiume chloride doped with cadmium. Physical Review, 1968, v.165, N 3, p.981-985.

73. Dryden J.S., Heydon R.G. The activation energy for clusterлing of Pb + vacancy pairs in NaCl and a comparison with diffusion, activated energy. Journal of Physics C: Solid State Physics, 1977, v.10, IT 13, p.2333-2336.

74. Gusso P., Pascual J.L., Jaque P. Ionic thermocurrents in ITaCl: Sr2+. Journal of Electrostatics, 1977, v.5, IT 1-3, p. 125131.

75. Dubiel M., Berg G., Prolich P. Aggregation of point defects2+in highli doped NaClsCa crystals. Physica Status Solidi, 1978, v.89. N 2, p.595-602.

76. Dubiel M., Berg G., Frolich P. The formation of dimer and- tri-mer aggregates in Sr-doped ITaCl crystals. Physica Status Solidi, 1979, v.55, N1, p.153-159.

77. Guerrero A.L., Jain S.C., Pratt P.L. The rate of dimers and trimers in the aggregation of impurity-vacancy dipoles in alkali halides. Hiysica Status Solidi, 1978, v.49, N 1, P.353-362.

78. Strutt J.E., Lilley E. Structural aspects of clustering reactions in alkali halides doped with divalent impurities. Phy-sica Status Solidi, 1976, v.33, N 1, p.229-239

79. Berg G., Frolich F., Siebenhuner S. The equilibrium concentration of aggregates of cation vacancies and divalent impurities in NaCl-type lattice (pointcharge approximation), Physi-ca Status Solidi, 1975, v.32, IT 2, p.385-390.

80. Grau- P., Dibiel M., Berg G. Comparison of experimentally and theoretically determined dipole concentration of ITaCl:Ca2+ considering aggregation phenomena. Physica Status Solidi, 1980, v.98, IT 1, p.265-269.

81. Набарро Ф.Р.Н., Базинский 3.C., Холт Д.Б. Пластичность чистых монокристаллов.г М.: Металлургиздат, 1967, 214 с.

82. Коттрелл А.Х. Дислокации и пластическое течение в кристаллах. М.: Металлургиздэт, 1958.- 267 с.

83. Hornstra J. On the type of point defects formed after crossing a dislocation. Acta Metallurgica, 1962, v.10, IT 10,p.987-988.

84. Whitworth R.W. Effect of plastic deformation on ionic conductivity. Journal de Physique, 1976(1977), v.37, IT 12, Colloq., N 7, p.590-593

85. Bassani F., Thomson E. Association energy of vacancies and impurities with edge dislocations in NaCl. Physical Review, 1956, v.102, IT 5, p.1264-1275.

86. Урусовская А.А. Заряженные дислокации в ионных кристаллах.-В кн.: Динамика дислокаций. Харьков, 1968, с.611-652.

87. Dupuy C.H.S., Schaeffer В., Saucier H. Interaction aes dislocations et des defauts ponctuels danc les cristaux de fluoride de lithium deformes plastiquement. Journal de Physique, 1966, v.27, N 7, p.21-24.

88. Струнин Б.М. 0 влиянии точечных препятствий на подвижность дислокаций в кристаллах.- Физика твердого тела, 1973, т.15, № II, с.3481-3484.

89. Московская Т.А., Захарова 11.В., Предводителев А.А. .0 природе барьеров, определяющих среднее стартовое напряжение и длины пробегов дислокаций в кристаллах.- В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.214-218.

90. Whitworth. R.W. The inreraction of dislocation with poiny defects in ionic crystals. Semiconduct. and Insul., 1978, v.3, N 4, p.403-421.

91. Johnston W.G., Gilman G.J. Dislocation velocities, dislocation dencities and plastic flow in lithium fluoride crystals.

92. Journal of.Applied Physics, 1959, v.30, N 2, p.129-144.

93. Johnston W.G. Effect of impurities on the flow stress of LiFcrystals. Journal of Applied Physics, 1962, v.33, IT 6, p.2050-2058.

94. Парийский В.Б., Третьяк А.И. Температурная зависимость подвижности дислокаций в монокристаллах KBr .- Физика твердого тела, 1967, т.9, № 9, с.2457-2462.

95. Парийский В.Б. Исследование влияния температуры на подвижность дислокаций в кристаллах бромистого калия.- В кн.: Динамика дислокаций. Харьков, 1968, с.98-120.

96. Ishii К. Dislocation mobility in crystals containing small amounts of impurities.- Philosophical Magazine, 1976, v.33, N 6, p.905-909.

97. Head A.K. Dislocation group dynamics. VI. The release of apile up. Philosophical Magazine, 1975, v.27, N3,p.521-539.

98. Алыпиц В.И., Инденбом В.JI. Динамическое торможение дислокаций,- В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.132-137.

99. Алексеев А.А., Струнин Б.М. Вязкое движение дислокаций в случайных полях внутренних напряжений.- В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.172-177.

100. Tateno Н. Interactions of point defects with dislocations in sodium chloride crystals, Journal of the Physical Societyof Japan, 1979, v.47, N 1, p.193-198.

101. Зуев Л.Б., Громов В.Е., Сергеев В.П. Подвижность дислокаций в кристаллах NaCi в электрическом поле.-Физика твердого тела, 1974, т.16, № 6, с.1690-1692.

102. Зуев Л.Б., Громов В.Е., Сергеев В.П., Нарожный А.Н. О механизме влияния электрического поля на кинетику расширения2+дислокационных полупетельв кристаллах £ГаС1:Са .- Известия ВУЗов. Физика, 1975, 111 5, с. 16-21.

103. Зуев Л.Б., Сергеев В.П., Громов В.Е. Влияние примеси и электрического поля на подвижность дислокаций в щелочно-га-лоидных кристаллах.- Известия ВУЗов.Физика, 1976, № 4,с.35-40.

104. Лубенец С.В. Подвижность дислокаций в. кристаллах с дефектами структуры.- В кн.: Физика конденсированного состояния.

105. Харьков, 1974, № 24, с Л7-37.

106. Hirsch Р.В., Home R.W., Whelan M.J. Direct observationsof the'arrangement and motion of dislocations in aluminium. -Philosophical Magazine, 1956, v.1, IT 7, p.677-684.

107. Appel P., Bethge H., Messerschmidt V. Dislocation motion and multiplication at the deformation of MgO single crystals in the high voltage electron microscope. Physica Status Solidi, 1977, v.42, IT 1, p.61-67

108. Appel P., Grube H., Messerschmidt V., Smirnov B.I. Cross slip of screw dislocations during the deformation of sodium chloride crystals at room temperature.- Crystal Lattice Defects,1977, v.7, N 2, p.65-70.

109. Рогсанекий B.H., Степанова B.M. Скачкообразное перемещениедислокаций в кристаллах iTaCi . Доклады АН СССР, I960 , т.133, № 4, с.804-806.

110. Лубенец С.В., Старцев В.И. Подвижность и взаимодействие дислокаций с примесью в кристаллах KCi:Ba2+ .- Физика твердого тела, 1968, т.10, № I, с.22-29.

111. Gilman J.J. Dislocation mobility in crystals. Journal of Applied Physics, 1965, v.36, IT 10, p.3195-3206.

112. Зшелби Дж. Континуальная теория дислокаций.- М.: ИЛ, 1963.247 с.

113. Graham L.J., Sines G. Elastic interaction between dislocations and tetragonal defects in anisotropic sodium chloride.

114. Journal of Applied Physics, 1966, v.37, N11, p.4207-4215.

115. Schoeck G. The activation energy of dislocation movement. -Physica Status Solidi, 1965, v.8, IT 2, p.499-507.

116. Hirth J.P., Nix V/.D. An analysis of the thermodynamics of dislocation glide. Physica Status Solidi, 1969, v.35, N 1, p.177-188.

117. O&o К. Temperature dependence of dispersed barrier hardening. Journal of Applied Physics, 1968, v.39, IT 3, p.1803-1806.

118. Gibbs G.B. On Pleischer's potential for tetragonal interec-tion. Philosophical Magazine, 1969, v.20, N 165, p. 951961.

119. Koppenall T.J., Arsenault R.J.,A rate controlling mechanism for slip in neutron irradiated copper single crystals. -Philisiphical Magazine, 1965, v.12, IT 119, p.611-617.

120. Koppenall T.J., Arsenault R.J. Some notes on the strengthening mechanism, in neutron irradiated copper single crystals. Phusica Status Solidi, 1966, v.17, N 1, p.27-33.

121. Kumar A. Rapid solid solution hardening in b.c.c. iron and LiP. Acta Metallurgies, 1968, v.16, N 3, P-333

122. Bapna M.S., Parameswaran Y.R. The elastic1 interaction of divacancies and extended dislocations in f.c.c. metals.-Physica Status Solidi, 1976, v.33, N 2, p.639-650.

123. Barnett D.M., Nix W.D. The interaction force between tetragonal defects and screw dislocation in cubic crystals.- Acta Metallurgica, 1973, v.21, N 8, p.1157-1168.

124. Douthwaite R.M., Evans J.T. Interaction between a tetragonal distortion and a 111 screw dislocation in an anisotropic cubic crystals.- Scripta Metallurgica, 1973, v. 7, IT 10, p.1019-1026.

125. Sinha M.N., Nicholson. P.S. Strengthening of LiF and I.lgO single crystals by tetragonal strain centers an evalution of the force-distance behaviour. Scripta Metallurgica,1975, v.9, N12, p.1367-1371.

126. Chernov V.M., Savin M.M. Elastic interaction of 60° and screw dislocations with point defects in f.c.c. crystals.-Physica Status Solidi, 1978, v.47, N1, p.45-55.

127. Chernov V.M., Savin M.M. Elastic interaction of edge and screw dislocation with point defects in cubic crystals.

128. Physica Status Solidi, 1979, v.55, N 1, p.113-122.

129. Breckenridge R.G. Low frequency dispersion in ionic crystals containing foreign ions. -Journal of Chemical Physics, 1950, v.18, N 7, p.913-926.

130. Lidiard A.B. Impurity diffusion in polar crystals. Philosophical Magazine, 1955, v.46, N 379, p.815-823.

131. Солошенко И.И., Шовкопляс B.C., Михайличенко Л.Г. Влияние пластической деформации на диэлектрические свойства щелочно-галоидных диэлектриков при статической и многократной нагрузке.- Известия ВУЗов. Физика, 1974, 9, с. 152-154.

132. Богданович А.С., Сикорский Ю.А. Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с примесями.- Вестник Киевского полит, института, сер. радиоэлектроники, 1970, № 7,с.133-135.

133. Rapos N., Calterwood J.H. Dielectric loss on NaCl singlecrystals under the simultaneous action of a.c. and d.c. voltages. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1973, v.34, N 8, p.1455-1457.

134. Jain S.C., Lai K. Study of the dielectric properties of co-bal't-doped sodium chloride crystals. Proceedings of the Physical Society, 1967, v. 92, N 4,p.^0-997.

135. Bielig G.A., Lilley E. The dielectric loss of crystals of 1ТаС1:Са + following plastic deformation. Phylosophical Magazine, 1980, v.41, N 5, p.745-760.

136. Завэдовская E.K., Анненков Ю.М. Диэлектрическая релаксация в щелочно-галоидных кристаллах.- В кн.: Релаксационные явления в твердых телах. М., 1968, с.615-620.

137. Kaderka М. Dielectric properties of nickel-doped NaCl crystals. Czechoslovak Journal of Physics, 1969, v.В 19, N 4, p.530-536.

138. ICessler A., Mariani E. A study of electrical loss maxima of anion doped crystals with concentration dependent maximum temperatures. Physica Status Solidi, 1965, v.10, N 2,p.595-600.

139. Dreyfus R.W., Laibowitz R.B. Anelastic and dielectric relaxation due to impurity-vacancy complexes in HaCl crystals.-Physical Review, 1964, v.135, N 5 A, p.1413-1422.

140. Kessler A., Mariani E. Dielectric loss relaxation maxima of undoped and calcium doped HaCl crystals betweem 20 and 400°C. Czechoslovak Journal of Physics, 1964, v.В 14,1. 10, p.757-764.

141. Chandra S., Agraval Y. Dielectric relaxation in ionic crystals due to vacancy pairs. Physical Review, 19b5, v.139, N ЗА, p.952-953.

142. Богданович А.С., Сикорский Ю.А., Юрачковский П.А. Влияние термической обработки и пластической деформации на диэлектрические потери кристаллов ксх СаС12 Физика твердого тела, 1963, т.5, № 12, с.3524-3528.

143. Williams G.P.,Jr.Morton J.W. Migration of Sr2+ impurity -vacancy dipoles in RbCl. Physica Status Solidi, 1075, v.17, N 1, p.305-309.

144. Varotsos P. Study of the conductivity and reorientation meо о «chanism in the cesium halides doped with Cd + and Pb Physica Status Solidi, 1974, v.26, N 1, p.3И-315.

145. Serkozi J., Kuti Cs. The investigation of aggregation processes in quenched NaCl:CaCl2 crystals by dielectric loss measurements. Acta Physica Academial Scientiarum Hunga-riae, 1976(1977), v.41, N 4, p.299-303

146. Kessler A. On the initial stage of impurity-vacancy complex aggregation in NaCl:CaCl2. Journal de Physique,1976, (1977), v.37, N 12, Colloq. IT 7, p.291-295.

147. Тонконогов М.П., Миронов В.А. Диэлектрические потери в ион • ных кристаллах.- Известия ВУЗов. Физика, 1979, 112 I, с. 122 ■ 139.

148. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа.-М.: Наука, 1981.- 176 с.

149. Bucci С., Fieschi R. Ionic thermoconductivity method for the investigation of polarization in insulator. -Physical Review Letters, 1964, v.12, N 1, p.16-19.

150. Bucci C., Fieschi R., Guidi G. Ionic thermocurrexits in dielectrics. Physical Review, 1966, v. 148, IT 2, p.816-823.

151. Bucci C. Ionic thermocurrents in alkali halide crystals containing substitutional beryllium ions. Physical Review, 1967, v.164, IT 3, p.1200-1206.

152. Cappelletti E., Fieschi R., Martegani G., Pirola L. Dielectric and optical properties in alkali halides doped with cobalt. Journal de Physique, 1967(1968) ,v.28,N 8-9,p.'150-154.

153. Тонконогов М.П., Миронов В.А. Теория термоактивационного тока термодеполяризации в щелочно-галоидных кристаллах. П. Легированные кристаллы.- Известия ВУЗОВ. Физика, 1973, № 10 , с.16-19.

154. Мурин И.В., Корнев Б.Ф., Мурин А.Н. Термостимулированная деполяризация в монокристаллах kci + MnCig Kci+caci2-"" Физика твердого тела, 1975, т.17, 5, с.1479-1481.

155. Тонконогов М.П., Миронов В;А., Булах В.И., Лигай Л.И. Ток термостимулированной деполяризации в деформированных кристаллах.- Известия ВУЗов. Физика, 1976, № 5, с.150-151.

156. Булах В.И. Теоретическое и экспериментальное исследование релаксирующих дефектов щелочно-галоидных кристаллов методом термостимулированных токов.: Автореф. дисс.канд.физ.- мат. наук.- Томск, 1982.- 23 с.

157. Low W. Paramagnetic resonans spectrum of manganese in single crystals of alkali halides grown from solutions. Proceedings of the Physical Society, 1956, v. В 69, N 8,p.837-838.

158. Watkins G.D. Electron spin resonance of Mn++ in alkali chlorides association with vacancies and impurities. Physical Review, 1959, v.115, N1, p.79-90.

159. Owston C.N. Electron spin resonance spectrum of manganese impurities in single crystals of ITaCl. Proceedings of Physical Society, 1966, v.88, N1, p.205-209.

160. Symmons H.F., Kemp R.C. The early stages of aggregation of Mn2+ in Nad. Britich Journal of Applied Physics, 1966, v.17, И 5, p.607-625.

161. Корнфельд М.И., Леманов В.В. О локальных искажениях кристаллической решетки примесными ионами,- Журнал эксперимент, и теоретической физики, 1962, т. 43, Jfe 6, с.2021-2023.

162. Девяткова Е.Д., Корнфельд М.И., Смирнов И.А. О рассеянии фо-нонов на примесных ионах в кристалле хлористого натрия .Журнал экспер. и теорет. физики, 1962, т.42, Ш,с.307-308.

163. Петров А.В. О рассеянии фононов на крупных искажениях решетки.- Физика твердого тела, 1965, т.7, й 12, с.3691-3693.

164. Trnovcova V. , Mariani Е., Polak Е. Association reactions2+between Hi ions and vacancies in HaCl crystals. Czechoslovak Journal of Physics, 1974, v.В 24, N7, p.765-773

165. Kaлабухов Н.П., Ковалев В.К. Влияние пластической деформации на оптические свойства кристаллофосфоров kci-Eu .- Физика твердого тела, 1973, т. 15, й 2, с.557-558.

166. Sibley W.A. Light scattering in alkali halide single crystals. Physical Review, 1963, v.152, IT 5, p.2065-2072.

167. Plint C.A., Sibley W.A. Light scattering by single crystals of potassium chloride. Journal of Applied Physics, 1962, v. 33, N 11, p.3167-3170.

168. Bansigir E.G.,Schneider Е.Е. Studies on the substructure of real crystals by optical and magnetic resonance methods.

169. Journal of Applied Physics, Suppl., 1962, v.33, IT 1, p.383390.

170. Лайзан В.Б. Суперсверхтонкая структура спектров ЭПР ионов2+

171. Мп в КС1 и tfaCl Известия АН Латв. ССР. сер.физики и техники; 1967, !ё 6, с.33-38.

172. Гилман Дж., Джонстон В. Возникновение дислокаций в кристаллах LiP при низких напряжениях.- В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.27-36.

173. Предводителев А.А., Тяпунина Н.А., Быстриков А.С. Исследование пространственного расположения дислокаций в кадмии.-Кристаллография, I960, т.5, 3, с.432-436.

174. Gilman J.J. The plastic resistance of crystals. Australian

175. Journal of Physics, 1960, v.13, N 2 A, p.327-245.

176. Предводителев А.А., Аннанурова И.А., Захарова M.B., Московская Т.А. Исследование времен стояния дислокаций в кристаллах Nad .- Известия ВУЗов. Физика, 1976, 11°. 5, с.51-54.

177. Предводителев А.А., Аннанурова И.А., Захарова М.В., Московская Т.А. Изучение природы барьеров при старении кристаллов Nad .- В кн.: Взаимодействие дефектов и свойства металлов. Тула, 1976, с.76-78.

178. Bethge Н. Oberfliichenstructuren und Kristallbaufehler im electronenmicroskopischen Bild, untersucht am ITaCl. Physica Status Solidi, 1962, v.2, IT 7> p.775-820.

179. Hibi Т., Yada K. Direct observation of crystal imperfections in KC1 single crystal by electron microscope.- Jour nal of Applied Physics, 1962, v.33, IT 12, p.3530-3536.

180. Tanaka K., Mannami M., Izumi K. Electron microscopic studyof aggregation of point defects in KC1. Journal of the Physical Society of Japan, Suppl.3, 1963, v.18,p.350-355.

181. Ogava K. Transmission electron-micriscopic studies on mechanism for dipole formation in MgO. -Philosophical Magazine, 1966, v.14, IT 129, p.619-628.

182. Miyake S., Suzuki K. X-ray studies on the structures of solid solutions ITaCl-CaCl2.1. Main results and general consideration. -Journal of the Phys.Soc.Jap.,1954, v.9,p.702

183. Suzuki K. X-ray studies on precipitation of metastable centers in mixed crystals ITaCl-CdCl2. -Journal of the Physical Society of Japan,.1961, v.16, IT 1, p.67-78.

184. Amelincltx S. , Strumane G. , Webb W.W. Dislocations in seli

185. Carlson H.A., Wegener H.A.R. Varian in technique for A.R. Long X-ray difraction topography. Journal of Applied Physics, 1961, v.32, N1, p.125-126.

186. Moss M. Scattering of phonons by dislocations. Journal of Applied Physics, 1966, v.37, N 11, p.4168-4172.

187. Gyulai Z., Hartly D. Electrische Leitfahigkeit verformter Steinsalzkristalle. Zeitschrift fur Physic, b.51, 3-4 heft S.378-387

188. Shine M.S., MacCrone R.K. as Dielectric investigation of the Gyulai Hartly effect: enhanced conductivity in alkali halides following plastic deformation. - Physical Review,1968, v.176, N 3, p.1076-1088.

189. Зуев JI.Б., Рыбянец В.А., Мальцев В.Д. Диэлектрические потери и пластичность кристаллических диэлектриков.- В кн.: Физика диэлектриков и перспективы ее развития. Л., 1973 , с.52-53.

190. Физика щелочно-галоидных кристаллов.- Рига: Латв.ГУ, 1962, 548 с.

191. Воронцов Б.И. Измерение диэлектрических характеристик электроизоляционных материалов.- Приборы и техника эксперимента, 1959, Ш I, с.112-115.

192. Зуев Л.Б., Рыбянец В.А., Царев O.K. Пластическая деформация и диэлектрические потери в кристаллах LiF и NaCi .- Физика твердого тела, 1977, т.19, № 5, с.1241-1244.

193. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов.- Л.: Наука, 1981, 235 с.

194. Гуров К.П., Чудинов М.Г. Об одном эффекте корреляции в процессе диффузии в металлах.- Физика металлов и металловедение, 1965, т.20, № 2, с.179-182.

195. Зуев Л.Б., Данилов В.И., Мальцев В.Д., Тулянкина В.Г. Внутреннее трение пластически деформированных нитевидных кристаллов NaCi . Физика твердого тела, 1976, т.18, Ш 5 , с.1303-1306.

196. Gilman J.J. Theory of solution strengthening of alkali ha-lide crystals. Journal of Applied Physics, 1974, v. 45, N.2, p.508-509.

197. Зуев JI.Б., Царев O.K., Громов В.Е., Рыбянец В.А. Релаксация напряжений в кристаллах NaCi в электрическом поле.- Известия ВУЗов. Физика, 1974, Ш 3, с.61-64.

198. Струнин Б.М. Статистические задачи описания движения дислокаций.- В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.98-120.

199. Гилман Дж., Джонстон В. Зарождение и рост полос скольжения в кристаллах фтористого лития.- В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.82-116.

200. Предводителев А.А., Рожанский В.Н., Степанова B.L1. Дислокационная структура, возникающая в кристаллах LiP при деформации их'сосредоточенной нагрузкой.- Кристаллография, 1962, т.7, № 2, с.418-424.

201. Зуев Л.Б., Рыбянец В.А. Диэлектрические потери кристаллов LiF . при деформации их сосредоточенной нагрузкой.- Физика твердого тела, 1981, т.23, № 8, с.2532-2534.

202. Гегузин Я.Е., Шпунт А.А. Об искажениях и разрушении приповерхностного слоя кристаллов фтористого лития.- Доклады АН СССР, I960, т. 130, 112 4, с.757-759.

203. Андреев Г.А., Смирнов Б.И. Образование точечных дефектов при пластической деформации кристаллов LiP .-Физика твердого тела, 1958, т.10, 6, с.1963-1968.

204. Зуев Л.Б., Нарожный А.Н., Царев O.K., Трофимов Ю.Е. Влияниепеременного электрического поля на релаксацию напряжений в монокристаллах NaCi Физика твердого тела, 1975, т. 17, й 4, с.1209-1210.

205. Зуев Л.Б., Царев O.K., Нарожный А.Н., Рыбянец В.А. Коагуляция точечных дефектов и ползучесть кристаллов NaCi при действии электрического поля.- В кн.: Химия твердого тела.-Свердловск, 1978, вып.2, с.47-53.

206. Зон Б.А. Вынужденная диффузия в переменном внешнем поле. Известия ВУЗов. Физика, 1974, № II, с.131-133.

207. Худсон Д. Статистика для физиков.- М.: Мир, 1970, 296 с.