Влияние магнитного и ультразвукового полей на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Красников, Виктор Львович

• Красников, Виктор Львович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Красников, Виктор Львович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1 Взаимодействие между точечными дефектами и дислокациями в щелочно-галоидных кристаллах.

1.2 Особенности краевой дислокации в щелочно-галоидных кристаллах. Влияние примесей на заряд дислокации.

1.3 Экспериментальные работы по заряженным дислокациям.

1.4 Влияние слабого магнитного поля на поведение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах

1.4.1 Магнитопластический эффект в щелочно-галоидных кристаллах.

1.4.2 Влияние переменных и импульсных магнитных полей на подвижность дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах.

1.4.3 «Магнитная память» щелочно-галоидных кристаллов с дислокациями.

1.4.4 Макроскопический магниточувствительный эффект в щелочно-галоидных кристаллах.

1.4.5 Влияние магнитного поля на внутреннее трение диамагнитных кристаллов.

1.4.6 Возможная интерпретация магнитопластического эффекта.

ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Методика измерения внутреннего трения, дефекта модуля Юнга и ультразвукового воздействия на образцы.

2.2 Метод вольтамперных характеристик.

2.3 Данные об исследованных кристаллах.

2.4 Методика создания магнитного и электрического полей в образце.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ НЕУПРУГОСТЬ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

3.1 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов LiF.

3.1.1 Влияние слабого магнитного поля на вольтамперные характеристики составного осциллятора с кристаллами LiF.

3.1.2 Влияние слабого магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения кристаллов LiF.

3.1.3 Влияние слабого магнитного поля на дефект модуля Юнга кристаллов LiF.

3.1.4 Влияние магнитного поля на поведение образцов LiF с различной предысторией.

3.1.5 Особенности полос скольжения, формирующихся в кристаллах LiF при совместном действии ультразвукового и магнитного полей.

3.2 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов NaCl

3.2.1 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики кристаллов NaCln.

3.2.2 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения и дефекта модуля Юнга NaCln при амплитудах So в интервале 10'6ч-10~5.

3.2.3 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения NaCln при амплитудах so, соответствующих отрыву дислокаций от локальных центров закрепления и размножению в поле ультразвуковой волны.

3.2.4 Влияние магнитного поля на внутреннее трение NaCli при амплитудах относительной деформации Во Ю"5-т-10"

3.3 Влияние слабого магнитного поля на неупругие свойства кристаллов KCl

3.3.1 Влияние магнитного поля на начальные участки вольтамперных характеристик кристаллов КС1.

3.3.2 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики кристаллов КС1 в широком интервале входных напряжений на кварце V.

3.3.3 Влияние магнитного поля на внутреннее трение и дефект модуля Юнга кристаллов КС1.

3.4 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов КВг

3.4.1 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики образцов КВг при напряжениях на кварце Гот 0 до 3 В.

3.4.2 Влияние предварительной выдержки образцов КВг в магнитном поле на вольтамперные характеристики составного осциллятора.

3.4.3 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения и дефект модуля Юнга КВг

3.4.4 Влияние магнитного поля на параметры дислокационной структуры щелочно-галоидных кристаллов.

Выводы к главе

ГЛАВА 4. СРАВНЕНИЕ ВЛИЯНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО И МАГНИТНОГО ПОЛЕЙ НА НЕУПРУГИЕ СВОЙСТВА И ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ

УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ВИБРАЦИИ.

4.1 Влияние электрического и магнитного полей на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов при малых амплитудах 8о.

4.1.1 Влияние электрического и магнитного полей на амплитудную зависимость внутреннего трения в интервале амплитуд So 10"6~10"5.

4.1.2 Влияние электрического и магнитного полей на амплитудную зависимость внутреннего трения в интервале амплитуд So Ю^-ИО"

4.1.3 Влияние электрического поля на амплитудную зависимость внутреннего трения при амплитудах, соответствующих размножению дислокаций в ультразвуковом поле.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние магнитного и ультразвукового полей на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов»

К числу основных проблем физики твердого тела относятся установление связи между макроскопическими характеристиками материалов, их структурно-чувствительными свойствами и микропроцессами, дефектами кристаллической структуры. При этом свойства кристаллов зависят не только от концентрации точечных дефектов и плотности дислокаций, но и от характера взаимодействия дефектов между собой и с дефектами других типов. В присутствии различных полей (электрических, магнитных и т.д.) состояние дефектов может изменяться, что приводит к изменению физических и, в первую очередь, механических свойств кристаллов. Это позволяет, воздействуя на кристалл различными полями, целенаправленно изменять его дефектную структуру, а, следовательно, физические свойства.

В последние годы большое внимание стало уделяться исследованию влияния слабых магнитных полей на механические свойства диэлектрических материалов, в том числе и щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК). В 1985 году было обнаружено, что в кристаллах ИаС1 в магнитном поле наблюдается движение дислокаций [1]. В настоящее время эффект влияния слабого магнитного поля на движение дислокаций в ЩГК стал общепризнанным. В качестве основного механизма этого явления рассматривают взаимодействие дислокаций с парамагнитными примесями [1,2]. Физическая природа механизма остается однако полностью не раскрытой.

Наиболее детально влияние магнитного поля на движение дислокаций изучается в ИК РАН им. А.В.Шубникова и Тамбовском ГУ. В большинстве работ, посвященных этому эффекту, применяли режим активного нагружения или ползучести, а также импульсные механические нагрузки.

Влияние магнитного поля на дислокационную неупругость ЩГК обнаружено в наших работах [3]. Исследования неупругих свойств кристаллов методами внутреннего трения позволяют получать данные о взаимодействии дислокаций и точечных дефектов, не доступные прямым методам наблюдения.

Целью работы было исследовать влияние слабого магнитного поля на свойства дислокационной неупругости - внутреннее трение и дефект модуля Юнга, а также изучить изменения дислокационной структуры и пластичности ЩГК при совместном действии магнитного поля и ультразвука. Представляло интерес также провести сравнение результатов действия магнитного (МП) и электрического полей (ЭП) на дислокационную неупрутость и изменение дислокационной структуры ЩГК.

В работе впервые исследовано влияние магнитного поля на дислокационную неупругость (внутреннее трение и дефект модуля Юнга) и дислокационную структуру ЩГК, подвергавшихся действию ультразвука в широком интервале ам

П 3 плитуд относительной деформации ео от 10" до 10" в килогерцевом диапазоне частот. Впервые установлено, что магнитное поле В< 1Т оказывает влияние на дислокационную структуру и свойства дислокационной неупругости ЩГК в интервалах амплитуд ультразвука, соответствующих как процессу открепления дислокаций от стопоров, так и процессу размножения дислокаций.

Все полученные в работе результаты являются оригинальными, с точки зрения фундаментальной науки они важны для более глубокого понимания механизмов влияния магнитного поля на механические свойства диэлектрических кристаллов и взаимодействия дислокаций с парамагнитными примесями. С прикладной точки зрения, полученные в работе результаты могут быть полезны для разработки методов целенаправленного изменения свойств ЩГК и для прогнозирования возможных изменений свойств материалов при условиях их эксплуатации при одновременном действии магнитного поля и высокочастотных вибраций.

На защиту выносится следующее:

1. Результаты экспериментальных исследований совместного действия слабого магнитного поля (/К1Т) и ультразвука, электрического поля (£'<1.2x106 В/м) и ультразвука на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов в

7 3 широком интервале амплитуд относительной деформации 8о от 10" до 10" на частотах 40ч-80 кГц.

2. Магнитное поле оказывает влияние на внутреннее трение, дефект модуля Юнга, дислокационную структуру и пластичность щёлочно-галоидных кристаллов начиная с некоторого порогового значения 5>0.14Т и амплитудах 8о, превосходящих значение порядка 10"6.

3. Совместное действие магнитного поля и ультразвука не эквивалентно их последовательному действию. При одновременном действии магнитного поля и ультразвука происходило разупрочнение образцов. При последовательном же действии магнитного поля и ультразвука образец в результате предварительной выдержки в магнитном поле разупрочняется, но при последующем действии ультразвука происходит его упрочнение, так что в итоге он оказывается более упрочнённым, чем образец, не подвергавшийся воздействию магнитного поля.

4. Амплитудно-независимое внутреннее трение как функция индукции магнитного поля возрастает по линейному закону.

5. Наибольший эффект изменения неупругих свойств щёлочно-галоидных кристаллов под влиянием магнитного поля наблюдается в интервале амплитуд относительной деформации, соответствующих откреплению дислокаций от примесных центров. Амплитудно-зависимое внутреннее трение в этом интервале амплитуд сначала растет пропорционально квадрату индукции магнитного пол ля В , а при дальнейшем увеличении В стремится к насыщению.

6. Экспериментально установленные эффекты магнитной памяти, магнитного последействия и потери чувствительности образцов к действию магнитного поля.

7. Магнитное поле оказывает существенное влияние на процесс размножения дислокаций под действием ультразвука. В отсутствие магнитного поля начальная стадия пластической деформации щёлочно-галоидных кристаллов под действием ультразвука контролируется работой источников, локализованных в границах блоков. При совместном действии магнитного поля и ультразвука свежие дислокации появляются при более высоких амплитудах вблизи концентраторов напряжений. Источники в границах блоков не активизируются.

8. Результаты оценок параметров дислокационной структуры, характерных для совместного действия магнитного поля и ультразвука, ультразвукового поля и после предварительной выдержки образцов в магнитном поле. При одновременном действии ультразвука и магнитного поля значения стартовых напряжений т81 и параметра Г~Fm/Lc уменьшались, а средние смещения дислокационных сегментов <и> увеличивались по сравнению с данными в отсутствие магнитного поля. Средняя длина колеблющегося дислокационного сегмента Ьс как

-л функция магнитного поля сначала росла пропорционально В , а затем стремилась к насыщению.

9. После предварительной выдержки в магнитном поле и последующем действии ультразвука увеличивались значения стартовых напряжений и параметра Г~Рт/Ьс, а средние смещения дислокационных сегментов уменьшались.

10.Действие электрического поля на дислокационные процессы в щёлочно-галоидных кристаллах проявляется при амплитудах относительной деформации со меньших пороговых значений, характерных для магнитного поля. При амплитудах во, соответствующих откреплению дислокаций от примесных центров, влияние магнитного поля значительно превосходит действие электрического. Электрическое поле стимулирует генерацию дислокаций источниками, локализованными в границах блоков, в то время как при совместном действии магнитного поля и ультразвука источники в границах блоков не активизируются.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Красников, Виктор Львович

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4

1. Действие электрического поля проявляется во всём исследованном ин

1 1 тервале амплитуд относительной деформации е0 от 10" до 10", т.е. оно оказывает влияние на все дислокационные процессы, обнаруживаемые в этом интервале. Влияние магнитного поля не наблюдается в интервале амплитуд 10"7<8о<2х10"5, там, где в электрическом поле на амплитудной зависимости внутреннего трения 5(ео) обнаруживается пик гистерезисной природы.

2. В интервале амплитуд 8о 2х10"5-4-4х10"5, там где амплитудная зависимость внутреннего трения контролируется взаимодействием дислокаций с окружающими зарядовыми облаками и возможностью выхода за их пределы, имеет место влияние как магнитного, так и электрического полей. Влияние электрического поля в этом интервале амплитуд более значительно. Амплитудная зависимость 8(ео) при испытаниях в электрическом поле начинается при меньших 8о, а значения внутреннего трения оказываются в 3 раза выше, чем в магнитном поле.

3. В интервале амплитуд 4х10"5<ео<2х10"4 внутреннее трение в зависимости от е0 проходит через максимум. Начало восходящей ветви пика при испытаниях и в электрическом, и магнитном полях сдвигается в область меньших ео, а его высота возрастает по сравнению со значением для контрольного образца. Пик имеет гистерезисную природу и связан с процессами отрыва дислокаций от закрепляющих центров. При испытаниях в магнитном поле высота пика по сравнению с данными для контрольного образца возрастала в 1.6 раза для КС1 и в 3.5 раза для КВг, в то время как при испытаниях в ЭП в 1.2 и 2.6 раза соответственно. В 1лР высота пика при испытаниях в МП В=0.3 Т оказалась в 3.5 раза больше, чем в ЭП Я=8.7х105 В/м. Таким образом, в области амплитуд, харак

210 терной для отрыва дислокаций от примесных центров, влияние МП значительно превосходит влияние ЭП.

4. При амплитудах 80>2хЮ"4 зависимость 8(бо) контролируется процессом размножения дислокаций. Электрическое поле стимулирует работу источников, локализованных в границах блоков, в магнитном поле эти источники не активизируются.

5. Появление свежих дислокаций за счет их зарождения у концентраторов напряжений в контрольном образце и образцах, подвергавшихся совместному действию МП и УЗ и ЭП и УЗ обнаруживается при близких значениях ео.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Впервые исследовано влияние слабого магнитного поля В< 1Т на дислокационную неупругость и дислокационную структуру щелочно-галоидных кристаллов Ш7, №01, КС1 и КВг, подвергавшихся действию ультразвука в широком интервале амплитуд относительной деформации ео 10"7ч-10"3 в килогерце-вом диапазоне частот.

2. Магнитное поле, начиная с порогового значения 5-0,14Т влияет на свойства дислокационной неупругости - внутреннее трение и дефект модуля Юнга, а также на дислокационную структуру и пластичность щелочно-галоидных кристаллов.

3. Совместное действие ультразвука и магнитного поля не эквивалентно их последовательному действию. При одновременном действии магнитного поля и ультразвука наблюдалось разупрочнение образцов. Наибольший эффект изменения неупругих свойств наблюдается в интервале амплитуд относительной деформации, соответствующем откреплению дислокаций от парамагнитных центров.

4. Предварительная длительная выдержка в магнитном поле приводила к пластификации образца, но при дальнейшем действии ультразвука он упрочнялся, становясь более упрочнённым, чём образец, не подвергавшийся действию магнитного поля.

5. Обнаружены эффекты магнитной памяти, магнитного последействия и эффект потери чувствительности образца к влиянию магнитного поля после отдыха или ультразвукового воздействия, приводивших к упрочнению образцов.

6. При одновременном действии ультразвука и магнитного поля изменяются параметры дислокационной структуры: уменьшаются стартовые напряжения, увеличивается средняя длина колеблющегося дислокационного сегмента Ьс, уменьшается сила связи закрепляющего центра с дислокацией

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Красников, Виктор Львович, 2000 год

1. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Перекалкина Т.М., Урусовская А.А. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля. 1. ФТТ. 1987. Т.29.В.2. С.467-471

2. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах. // Изв.АН. сер. физическая. 1997. Т.61. №5. С.850-858.

3. Белозерова Э.П., Светашов А.А., Красников В.Л. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов. Известия РАН, сер.физ. 1997. Т.61. №2. С.291-297.

4. Тяпунина Н.А., Белозерова Э.П. Заряженные дислокации и свойства щелочно-галоидных кристаллов. //УФН. 1988. Т.156. №4. С.683-767

5. MottN.F., Littleton M.J. //Fras. Farad. Soc. 1938. V.34.P.485.

6. Костов И. Кристаллография. М.:Мир. 1965. 528 с.

7. Предводителев А.А., Тяпунина H.А., Зиненкова Г.Н., Бушуева Г.В. Физика кристаллов с дефектами. М.:Изд-во МГУ. 1986. 240 с.

8. Huntington Н.В., Dekey J.E., Thompson R. Structure of edge dislocation in NaCl Crystals. // Phys.Rev. 1965. V.100. P.117-121

9. Brantley W.A., Bauer Ch.L. The Geometry of charged dislocations in the NaCl structure. //Phys.Stat.Sol. 1966. V.18.P.465-672.

10. Ю.Паулинг Л. Природа химической связи. МЛ. Гостехиздат. 1947. 440 с.

11. П.Пиментель Г., Спартли Р. Как квантовая механика объясняет химическую связь. М.:Мир. 1973.

12. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. М.ИЛ. 1958.488 с.

13. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. ГИФМЛ. М. 1963. 696 с.

14. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.:Мир. 1988. 606 с.

15. Григорович В.К. Исследование металлов в жидком и твердом состоянии.

16. М.Наука. 1964. С.169. ló.Rabier J., Puis M.P. Atomic calculations of point-defect interaction and migration energies in the core an edge dislocation in NaCl. // Phil. Mag. A.1989. V.59. №3. P.533-546.

17. Seitz F. Захват дислокациями зарождающихся вакансий. // Rev.Mod.Phys. 1951. V.23. Р.328-331.

18. Bassani F., Thompson R. Association energy of vacancies and impurities with edge dislocations in codium chloride. // Phys.Rev. 1957. V.102. №5. P. 1264-1275

19. Phillips D.C., Pratt P.L. Phil.Mag. V.21. №170. P.217-243.

20. Eshelby J.B., Newey C.W.A., Pratt P.L. Charged dislocations and the strength of ionic crystals. //Phil.Mag. 1958. V.3. №25. P.75-89.

21. Whitworth R.W. Theory of the Thermal equilibrium charge on edge dislocations in alkali halide crystals. //Phil. Mag. 1968. V.17. №3. P. 1207-1221.

22. Whitworth R.W. Non-linear theory of charged dislocations and their surrounding charge clouds. //Phys.Stat.Sol.(b). 1972. V.54. P.537-549.

23. Whitworth R.W. Charged dislocations in ionic crystals. Advances in Physics. 1975. V.24. №1. P.203-304.

24. Whitworth R.W. The sweep-up model of charged dislocations in ionic crystals // Phil.Mag. A. V.51. №6. P.857-863.

25. Зуев Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. 1990. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение.

26. Урусовская A.A. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов. // УФН. 1968. Т.96. №1. С.39-60.

27. Урусовская A.A. Заряженные дислокации в ионных кристаллах // Динамика дислокаций. Харьков. 1968. С.611-952.

28. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Долгова В.М. Заряженные дислокации в щелочно-галоидных кристаллах, подвергнутых импульсному сжатию. // ФТТ.1987. Т.32. №6. С.1468-1473.

29. Paz A., Dalmau М.Р., Corri А. Влияние электрического заряда дислокаций напримесное упрочнение в ЩГК. // Phys. Stat. Sol.(a). 1986. V.98. №2. Р.535-540.

30. Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Движение дислокаций LiF под действием электрического поля // ФТТ. 1986. Т.28. в.9. С.2796-2801.

31. Криштопов C.B., Куличенко А.Н. Упрочнение кристаллов KCl при воздействии внешнего электрического поля. // ФТТ. 1990. Т.32. N8. С.2373-2376.

32. Еханин С.Г., Несмелое Н.С., Нефедов Е.В. О месте появления новых дислокаций при их электрополевой генерации. // Кристаллография. 1990. Т.35. N1. С.237-241.

33. Еханин С.Г., Несмелов Н.С., Солдатова Л.Ю. Кинетика дефектообразования в ЩГК в сверхсильном электрическом поле. // Известия вузов. Физика. 1997. №4. С.3-6.

34. Куличенко А.Н., Криштопопов C.B., Смирнов Б.И. Влияние напряженности электрического поля на электропластический эффект в кристаллах KCl. // ФТТ. 1987. Т.29. В6. С.1826-18830.

35. Смирнов Б.И., Куличенко А.Н. Влияние электрического поля на деформационные кривые щелочно-галоидных кристаллов. // Известия РАН. Сер. физ. 1994. Т.58. №10. С.197-202.

36. Yamada Т., Ozaki J., Kataoka T. Electroplastic effect in Ca -doped KCl singlecrystals. // Phil.Mag.A. 1988. V.58. №2. P.385-395.

37. Whitworth R.W. A charged-dislocation model for the effect of an electric field on the flow stress of an ionic crystals. // Phys. Stat. Sol.(b). 1976. V.38. P.299-304.

38. Урусовская A.A., Смирнов A.E., Беккауер H.H. Изучение природы электромеханического эффекта в кристаллах NaCl. // Изв. вузов. Черная металлургия. 1993. №8. С.55-57.

39. Головин Ю.И., Тютюнник А.В. Подвижность дислокаций и релаксационные явления в кристаллах NaCl, индуцированные переменным электрическим полем. //ИзвестияРАН. Сер. физ. 1996. Т.60. №9. С.179-185.

40. Тютюнник А.В. Влияние переменного электрического поля на состояние структурных дефектов, подвижность дислокаций и пластические свойства ионных монокристаллов. Автореф. дис. на . к.ф.м.н. Тамбов. 1997. 15 с.

41. Brantley W.S., Bauer C.L. Electric-accoustic investigation of charged dislocations in sodium chloride. // Phil.Mag. 1969. V.20. №165. P.441-454.

42. Блистанов А.А. Пластичность кристаллов с локальными центрами закрепления дислокаций. Автореф. дис. на . д.ф.м.н. М.1972.

43. Белозерова Э.П. Изменение дислокационной структуры и механических свойств щелочно-галоидных кристаллов в ультразвуковом и электрическом полях. Автореф. дис. на. д.ф.м.н. М.1992.

44. Robinson W.H., Glover A.J., Wolfenden A. Electrical-mechanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2. //Phys.Stat.Sol.(a). 1978. V.48. P.155-163.

45. Brissenden A., Gardner J.W., Illingworth I., Kovacevic I. and Whitworth R.W. The influence of an electric field on the flow stress of crystals of NaCl. // Phys.Stat.Sol.(a). 1979. V.51. P.521-525.

46. Huddart A., Whitworth R.W. Измерение заряда, приобретаемого дислокацией в кристаллах NaCl известной чистоты. // Phil. Mag. 1973. V.27. N1. Р.107-118.

47. Turner R.M., Whitworth R.W. Pic-up and loss of charge from dislocations in Mn2+doped sodium chloride crystals. //Phil.Mag. 1970. V.21. №174. P. 1187-1192.

48. Kataoca Т., Colombo L. and Li J.C.M. // Phil. Mag. 1984. V.49. P.395; I bid 1984. V.49. P.104.

49. Van Dingenen. The charge on edge dislocations inpure KBr single crystals. // Phil.Mag. 1975. V.31. P. 1263-1269.

50. Colombo L., Kataoka Т., Li J.C.M. // Phil. Mag. A. 1982. V.46. P.215.

51. Альшиц В.И., Даринская E.B., Казакова O.JI. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т.62. №4. С.352-354.

52. Алышщ В.И., Даринская Е.В., Казакова O.JI., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект: релаксация дислокационной структуры в немагнитных кристаллах под действием магнитного поля. // ФТТ. Известия РАН. Сер. физ. 1993. Т.57. №11. С.2-11.

53. Алыыиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах Csl и LiF. // ФТТ. 1993. Т.35. N2. С.320-322.

54. Головин Ю.И., Казакова O.JI., Моргунов Р.В. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле. // ФТТ. 1993. Т.35. С.1384-1386.

55. Колдаева М.В., Даринская Е.В., Альшиц В.И. Влияние формы импульса одноосного сжатия на подвижность дислокаций в кристаллах NaCl в постоянном магнитном поле // Вестник Тамбов.ГУ. Т.З. вып.З. 1998. с.247-249.

56. Головин Ю.И., Моргунов Р.В., Тютюнник A.B. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магнитным полем. //ИзвестияРАН. Сер.физ. 1995. Т.59. №10. С.3-7.

57. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl. // ФТТ. 1993. Т.35. №5. С.1397-1399.

58. Казакова O.JI. Влияние радиационных и электрических воздействий наподвижность дислокаций в магнитном поле в щелочно-галоидных кристаллах. Дис. на . к.ф.м.н. Москва. 1996.

59. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. // ФТТ. 1996. Т.38. №8. С.2426-2430.

60. Головин Ю.И., Моргунов Р.В., Жуликов С.Е. // Вестник Тамбов.ГУ. Сер. естеств. и тех. наук. 1997. Т.2. №2. С.216-219.

61. Головин Ю.И., Моргунов Р.В. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов // Доклады РАН. 1997. Химия. Т.354. №5. С.632-634.

62. Головин Ю.И., Моргунов Р.В., Жуликов С.Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированных импульсом магнитного поля. //Известия РАН. Сер.физ. 1997. Т.61. №5. С.965-971.

63. Головин Ю.И., Моргунов Р.В., Жуликов С.Е., Головин Д.Ю. Долгоживущие дефекты структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсом магнитного поля // ФТТ. 1996. Т.38. №10. С.3047-3049.

64. Головин Ю.И., Моргунов Р.В. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями//ФТТ. 1993. Т.35. №9. С.2582-2585.

65. Головин Ю.И., Моргунов Р.В. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl. // Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.58. №3. С.189-192.

66. Головин Ю.И. Электромагнитные аспекты физики прочности и пластичности твердых тел. // Вестник Тамбов ГУ. 1996. Т.1. №1. С.3-20.

67. Гол овин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макроскопического течения ионных кристаллов. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т.61. №7. С.583-586.

68. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl:Ca. // ФТТ. 1995. Т.37. №7. С.2118-2121.

69. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании в постоянном магнитном поле. // Известия РАН. Сер.физ. 1996. Т.60. №9. С.173-178.

70. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем. // ФТТ. 1997. Т.36. №11. С.2016-2018.

71. Golovin Y.I., Morgunov R.V., Lopatin D.V., Baskakov A.A. Influence of a strong magnetic field pulse on NaCl crystal microhardness // Phys.Stat.Sol.A. 1997. V.160. №2. P.113-114.

72. Урусовская A.A., Смирнов A.E., Беккауер H.H. //Изв.РАН. Сер.физ. 1997. Т.61. №5. С.937-940.

73. Урусовская A.A., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. О влиянии магнитного поля на предел текучести и кинетику микропластичности кристаллов. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т.65. №5-6. С.470-474.

74. Урусовская A.A., Алыниц В.И., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Макроскопический магнитопластический эффект в кристаллах. // Вестник Тамбов.ГУ. 1998. Т.З.В.З. С.213-215.

75. Алыниц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.A. // ФТТ. 1998. Т.40. №1. С.81-89.

76. Урусовская A.A., Алыниц В.И., Смирнов А.Е., Беккауер H.H. Влияние примеси никееля на деформацию кристаллов NaCl в магнитном поле. Тезисы докладов Международной конференции по росту и физике кристаллов. Москва. МИСиС. 1998. С.190.

77. Алыниц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.A., Михина Ё.Ю., Петржик Е.А. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т.63. С.628-629.

78. Дацко О.И., Алексеенко В.И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале с дислокациями. // ФТТ. Т.39. №7. С. 1234-1236.

79. JemielniakR., Krolikowski J. J.Phys. (Paris). 1985. Collog.46. P.10-63.

80. Molotskii M.I, Fleurov V., Kris R.E. Internal friction of dislocations in a magnetic field. I I Phys.Rev.B. 1995. V.51. №18. P.12531-12535.

81. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. 1. М.Металлургия. 1995. 480с.

82. Термически активированные процессы в кристаллах. Сб. статей. "Мир". М. 1973. 208 с.

83. Бучаченко A.JI. Магнитные взаимодействия в химических реакциях. В кн.: Физическая химия: Современные проблемы. М.Химия. 1980. С.7-48.

84. Сагдеев Р.З., Салихов К.М., Молин Ю.И. Влияние магнитного поля на процессы с участием радикалов и триплетных молекул в растворах // Успехи химии. 1997. t.XLVI. вып.4. С.569-599.

85. Salikov К.М., Molin Yu.N., Sagdeev R.Z., Buchachenko A.L. Spin Polarization and Magnetic Effects in Radical Reactions. Elsevier. Amsterdam. 1984.

86. Molotskii M., Fleurov V. Spin Effects in Plasticity. //Phys.Rev.Letters. 1997. V.78. №14. P.2779-2782.

87. Molotskii М., Fleurov V. Manifestations of hyperfine interaction in plasticity. // Phys.Rev.B. 1997. V.56. P.10809-10811.

88. Хирт Дж, Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. 598 с.

89. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Бадылевич М.В., Шмурак С.З. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl. // ФТТ. 1997. Т.39. №8. С.1389-1391.

90. Molotskii М, Fleurov V. Phys. Rev. Letters. 1997. V.78. P.2779-2782.

91. Швидковский Е.Г., Дургарян А.А. Зависимость внутреннего трения и модуля Юнга от температуры для некоторых металлов. // Научн. докл. высш. шк. физ,мат. науки. 1958. N5. С.211-216.

92. Marx J. Use of piezoelectric Gauge for internal friction measurements. // Rev.Scient.Instrum. 1951. V.22. №7. P.603-609.

93. Наими E.K. Измерение внутреннего трения, дефекта модуля и стартовых напряжений методом вольт-амперных характеристик. М. 1985. 17 с. Деп. в ВИНИТИ. №2589-85Деп.

94. Никоноров С.П., Кардашев Б.К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.:Наука. 1985. С.354.

95. French J.E., Sinclair J.E., Pollard H.F. Regenerative system for continuous measurement of internal friction and Young's modulus of alkali halide crystals. // J.Scient.Instrum. 1969. №12. P.1060-1062.

96. Povolo F., Gibala R.A. A Marx three component ostillator for internal friction measurements at low and high temperatures in high vacuum. // Rev. Scient.Instrum. 1969. V.40. №6. P.817-819.

97. ЮО.Тяпунина H.A. Упрочнение монокристаллов под влиянием ультразвуковых колебаний. // Физика деформационного упрочнения монокристаллов. 1972. Киев. Наукова думка. С.238-246.

98. Тяпунина Н.А. Изменение дислокационной структуры и механических свойств кристаллов под влиянием высокочастотной вибрации. Автореф.дис. на .д.ф.м.н. М.:1971.35с.

99. Naimi E.K. Ultrasonic Determination of Pierls-Nabarro Stresses in Crystals. // Review of Progress in Quantitave NDE. La Tolla, USA. University of California. 1986. P.232.

100. ЮЗ.Белозерова Э.П. Изменение дислокационной структуры и механических свойств щелочногалоидных кристаллов в ультразвуковом и электрическом полях. Дис. на .д.ф.м.н. Кострома. 1992.

101. Гранато А., Люкке К. Дислокационная теория поглощения. В сб.

102. Ультразвуковые методы исследования дислокаций. Изд.И.Л. М.:1963. С.58.105 .W.H.Robinson, Glover A.J., Wolfenden A. Electrical-Mechanical Coupling of Dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2. // Phys.Stat.Sol.(a). 1978. V.48. P. 155163.

103. Юб.Васкег G.S. Dislocation mobility and damping lithium flouride. // J.Appl.Phys.1962. V.33. №5. P.1730-1732.

104. Тейлор Дж. Введение в теорию ошибок. Пер. с англ. М.:Мир. 1985. 272 с.

105. Rogers D.H. Mechanical damping due to dislocations. // J.Appl.Phys. 1962. V.33. №3. P.781-792.

106. Blair D.G., Hutchinson T.S., Rogers D.H. Amplitude-dependent and thermally activated mechanisms for extended dislocations. // Canad.Journ.Phys. 1970. V.48. P.2943-2954.

107. Suprun I.T. Determination of Dislocation Structure Parameters from Data on the Amplitude Dependence of Internal Friction. // Phys.Stat.Sol. 1990. V.120. P.363-369.

108. ПЗ.Гранато А., Люкке К. Струнная модель дислокации и дислокационное поглощение. В сб. "Применение физической акустики в квантовой физике и физике твердого тела". Физическая акустика. Т.IV. часть А. Под ред. Мэзона У. М.:Мир. 1969. С.285.

109. Московская Т.А., Предводителев А.А., Захарова М.В. // Изв. вузов. Физика. 1972. Т.8. С.153.115.3иненкова Г.М. О роли границ блоков при пластическом деформированиимонокристаллов. Автореф. дисс. на .к.ф.м.н. М.:1970.

110. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. // Наука. Л. 1981.234с.

111. Белозерова Э.П. Внутреннее трение щелочно-галоидных кристаллов при малых амплитудах относительной деформации. // Изв.ВУЗов. Физика. 1995. №1. С.44-50.

112. Tanibayashi М., Tallon J.L. Внутреннее трение в монокристаллах КС1. // PhiLMag. 1986. А54. №6. Р.743-758.

113. Tyapunina N.A. and Ivashkin Yu.A. Excess concentration of point defects in alkali halide crystals exposed to ultrasonic waver. // Phys. Stat. Sol.(a) 1983. V.79. P.351-359.

114. Ивашкин Ю.А. Образование дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при пластическом деформировании ультразвуком. Автореф. дисс. на .к.ф.м.н. М.:1983.

115. Благовещенский В.В., Тяпунина Н.А. Особенности работы источника Франка-Рида под действием ультразвука. // Докл.АН СССР. 1980. Т.254. №4. С.869-872.

116. Лубенец С.В., Эйвазов Э.А., Гегузин А.Я. Самопроизвольное движение дислокационных межблочных границ в приповерхностном слое щелочногалоидных кристаллов. // Металлофизика. Дефекты и свойства кристаллической решетки. Киев. Наукова думка. С. 197-205.

117. Гегузин А.Я., Рабец В.Л. О дислокационной структуре монокристаллов NaCl, подвергавшихся испытаниям на ползучесть. // Доклады АН СССР. 1963. Т. 149. №4. С.818-821.

118. Белозерова Э.П. О поведении границ блоков при ультразвуковой вибрации ЩГК при температурах 20-300°С. // Изв.ВУЗов. Физика. 1986 №11. С.49-53.

119. Ниблетт Д., Уилкс Дж. Внутреннее трение в металлах, связанное с дислокациями. // УФН. 1963. T.LXXX. Вып.1. С.125-185.

120. Тяпунина H.A., Белозёрова Э.П., Красников В.Л. Внутреннее трение щёлочно-галоидных кристаллов в электрическом и магнитном полях. // Известия Тульского ГУ. Серия Физика. Вып.2 С.41-50. Тула. 1999.

121. Philips D.C., Pratt P.L. The recovery of internal friction in sodium chloride. // Phil.Mag. 1970. V.21. №170. P.217-243.

122. Белозерова Э.П., Супрун И.Т. Влияние электрического поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов при малых амплитудах. // Изв. ВУЗов. Физика. 1989. №11. С.47-50.

123. Тяпунина H.A., Ломакин А. Л. Курбанов Г.С. Амплитуднозависимое внутреннее трение в Csl, обусловленное ангармоническими колебаниями и размножением дислокаций. // Вестник МГУ. Сер.З. Физика. Астрономия. 1987. Т.28. №5. С.67-71.