Близкопольная сканирующая зондовая микроскопия для формирования и измерения свойств наноразмерных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Душкин, Игорь Валерьевич

• Душкин, Игорь Валерьевич
• кандидат технических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат технических наук Душкин, Игорь Валерьевич

Введение

1 Современное состояние сканирующей близкопольной микроскопии

1.1 Историческая справка.

1.2 Классическая оптическая микроскопия.

1.3 Близкопольиая оптическая микроскопия.

1.4 Оптоволоконный зоид.

1.4.1 Коэффициент пропускания апертурного зонда

1.5 Обратная связь на основе Shear Force.

1.5.1 Модель Y-образного резонатора.

1.6 Реализация системы детектирования.

1.6.1 Численное моделирование

1.6.2 Петля обратной связи.

• 1.7 Режимы работы SNOM-микроскопа.

1.8 Альтернативные оптические схемы.

1.9 Современные приложения

2 Разработка технологии изготовления оптоволоконных зондов с металлизированным покрытием на основе Va и А

2.1 Основные требования к конструктивным и физическим параметрам оптоволоконных зондов.

2.2 Технология формирования заостренного кончика оптоволокна методом химического травления.

2.3 Технология нанесения металлического покрытия на заостренное оптоволокно

2.4 Теоретическая модель распространения света в заостренном металлизированном оптоволокне.

2.4.1 Введение

2.4.2 Теория.

2.4.3 Моды диэлектрического волновода с бесконечным металлическим покрытием.

2.4.4 Оптические моды и цилиндрический волновод

2.4.5 Моды диэлектрического волновода с металлическим покрытием конечной толщины.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Близкопольная сканирующая зондовая микроскопия для формирования и измерения свойств наноразмерных структур»

Общая постановка и актуальность задачи Акту а ль ность

Наряду с совершенствованием в настоящее время микроэлектроники, исследователи стали уделять пристальное внимание новой перспективной области - наноэлектро-нике. Однако ее развитие немыслимо без разработки методов исследования и диагностики свойств поверхности твердых тел с нанометровым разрешением.

К эффективным, относятся методы исследования на основе сканирующей зондо-вой микроскопии (СЗМ) и в их числе методы, в которых применяются заостренные оптические волокна с металлическим покрытием.

Одними из первых ученых в России, туннельный микроскоп разработали и построили В.К. Неволин, В.И. Панов, А.О. Голубок, а организовали серийное производство сканирующих зондовых микроскопов В.А.Быков, И.В. Яминский. Значительный вклад в развитие методов СЗМ внесли А. А. Бухараев, Г.М.Михайлов, В.Л.Миронов, А.М.Тишин, В.Ф. Дряхлушин.

На основе БОЗМ с использованием заостренных оптических волокон с металлическим покрытием, возможно осуществление ряда методов исследования и модификации оптических свойств поверхности с высоким разрешением.

Перспективным является метод БОЗМ, с применением кварцевых резонаторов камертонного типа, к которым крепится заостренное металлизированное оптоволокно, использующий резонансный режим СЗМ и обеспечивающий одновременное исследование топографии поверхности и ее оптических свойств. Важное практическое значение имеет метод, использующий модуляцию лазерного излучения заведенного в БОЗМ зонд, позволяющий обеспечить локальную модификацию светочувствительных образцов (фоторезистов), путем локальной засветки различных участков образца через БОЗМ зонд.

Однако, широкое использование методов БОЗМ с металлизированными заостренными оптоволокнами, сдерживается рядом существующих проблем. В частности, одним из наиболее критичных элементов в данных методах являются качество опто-волокон, от характеристик которых в значительной степени зависят результаты измерений. В настоящее время, существующие конструктивно-технологические варианты создания таких БОЗМ зондов не позволяют создать образцы, в полной мере удовлетворяющие требованиям исследователей.

Актуальной, таким образом, является задача совершенствования методов БОЗМ с заостренными металлизированными оптоволокнами.

Цель работы

Основной целыо было развитие Близкопольной Оптической зоидовой микроскопии с заостренными металлизированными оптоволоконными зондами для создания и диагностики наноразмериых структур.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи:

• провести комплексное исследование конструктивно-технологических методов создания БОЗМ зондов на основе оптоволокна;

• разработать критерии выбора материала покрытий и конструкций БОЗМ зондов, обеспечивающих решение большинства исследовательских задач в БОЗМ;

• разработать технологии создания БОЗМ зондов и изготовить опытные образцы;

• разработать методику оценки качества БОЗМ зондов;

• провести комплексное исследование конструктивно-технологических особенностей для разработки и изготовления Близкопольного Оптического Зондового Микроскопа;

• провести исследование основных параметров изготовленного БОЗМ и разработать методику с набором тестовых образцов для оценки его параметров;

• на основе процесса локальной зондовой засветки фоточувствительного образца (фоторезиста) разработать методику формирования наноразмериых структур в микро и наноэлектронике.

Научная новизна

Научная новизна работы заключается в следующих результатах:

1. Впервые сформулированы требования к конструктивным и физическим параметрам БОЗМ зондов, обеспечивающих решение большинства исследовательских задач на основе сканирующей зондовой микроскопии. Показано, что эффективными для БОЗМ зондов на основе оптических волокон являются двухслойные покрытия на основе ванадия и алюминия.

2. Разработано устройство для удержания зонда над поверхностью и получения топографии образца на основе кварцевых резонаторов, показано что вторая мода колебаний на частоте 190 кГц существенно повышает отношение сигнал/шум и стабильность системы обратной связи.

3. Впервые сформулированы основные требования к конструктивным и физическим параметрам Близкопольного Оптического Микроскопа, разработан и изготовлен БОЗМ с системой плоскопараллельного сканирования в соответствии с этими требованиями.

4. Предложена методика и набор тестовых образцов для определения основных параметров БОЗМ.

5. На основе процесса локальной зондовой засветки светочувствительных материалов (резистов), предложен способ формирования нано-объектов размером порядка 80птиа пленке из положительного фоторезиста толщиной порядка 100 nm.

Практическая ценность работы

Разработанные БОЗМ зонды на основе одномодовых оптических волокон с металлизированным покрытием на основе Va-Al обладают высокой механической и термической прочностью, высоким коэффициентом пропуская лазерного излучения.

Изготовленный Близкопольный Оптический Микроскоп "SOLVER SNOM" и зонды были реализованы в следующие исследовательские центры и фирмы в России и зарубежных странах:

• институт физики микроструктур РАН, г. Казань;

• институт фотохимии , г. Москва;

• институт физической химии, г.Москва;

• ГОИ, г. Санкт-Петербург;

• Владимирский Государственный Университет;

• Энергетический Университет, г. Цюрих, Швейцария;

• Вратиславский Университет, Словакия;

• Национальный Университет, г. Тейпей, Тайвань;

• Технопарк электронной индустрии, г.Токио, Япония.

Разработана методика проведения измерений в Близкопольной Оптической Зондовой Микроскопии, увеличивающая отношение сигнал/шум в режиме резонансного СЗМа и в оптическом режиме.

Разработана методика локальной модификации свойств поверхности светочувствительных образцов БОЗМ зондами на основе процесса локальной зондовой за-стветки, которая внедрена в программное обеспечение, поставляемое со сканирующими зондовыми микроскопами, производимыми компанией "НТ-МДТ", г.Москва. Работа полностью финансировалась фондом Бортника.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и демонстрировались на следующих конференциях: Всероссийская конференция "Зондовая микроскопия", Н.Новгород, 1998; 1999; 2000;2001;2002;2003; 11-я Международная конференция но сканирующей туннельной микроскопии "STM-02", Ванкувер, Канада, 2002.

Публикации

По теме диссертационной работы опубликовано б работ.

Положения, выносящиеся на защиту

На защиту выносятся следующие положения:

• Приборный комплекс, включающий измерительную головку с оригинальным узлом считывания на основе связки кварцевого резонатора и заостренного оптоволоконного зонда, узел ввода лазерного излучения в оптоволоконный зонд, узел фотодетектора, узел сканирования, контроллер управления и программное обеспечение.

• Конструкция оптоволоконного зонда, изготовленного методом химического травления с оригинальным двухслойным покрытием на основе V и А1, обеспечивающим высокий коэффициент пропускания света при высоком пороге разрушения по световой мощности.

• Резонансная методика с использованием второй моды колебаний кварцевого резонатора, позволяющая значительно улучшить качество получаемых изображений и скорость сканирования за счет уменьшения времени релаксации колебаний зонда.

• Тестовый образец на основе молекул ДНК, осажденных на подложку, позволяющий непосредственно определить основные характеристики разработанного устройства: латералы-юе разрешение, разрешение по вертикальному направлению.

• Методика БОМ литографии с in-situ контролем качества рисунка путем измерения сопутствующих изменений рельефа поверхности фоторезиста.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех основных глав с выводами, общих выводов, списка литературы из 65 наименований и приложения. Основное содержание диссертации изложено на 93 страницах и содержит 65 рисунков и 5 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Душкин, Игорь Валерьевич

Основные выводы:

• Сформулированы основные требования к конструктивным и физическим параметрам БОМ зондов, обеспечивающим максимальное пространственное разрешение и светосилу.

• Предложена технология изготовления и получены БОМ зонды со следующими параметрами: радиус кривизны заострения R = 100 nm, коэффициент пропускания по свету г/ — Ю-3 . ■. Ю-4.

• Предложена методика по контролю параметров получаемых БОМ зондов.

• Сформулированы основные требования к конструктивным и физическим параметрам БОМ.

• Разработан и изготовлен Близкопольный Зондовый Микроскоп.

• Предложено использовать вторую моду колебаний кварцевого резонатора в Shear-Force устройстве, в силу лучшего качества получаемых изображений поверхности, чем при использовании основной моды 33 кГц.

• Предложен набор тестовых образцов для определения основных характеристик БОМ.

Произведены аттестационные измерения разработанного БОМа и определенны его основные характеристики.

Разработана и изготовлена установка для проведения БОМ литографии. Разработано программное обеспечение для БОМ литографии. Разработана методика для модификации поверхности в БОМ режиме. Исследованы основные физические параметры БОМ литографии.

2.4.6 Заключение

Изучение мод поверхностных плазмонов может оказаться очень важным для улучшения характеристик БОМа. В области плазмоиной частоты поверхностная мода HEi сильно локализована на поверхности металлического покрытия оптоволокна. Кроме того, она не имеет отсечки, слабо чувствительна к геометрическим изменениям и имеет слабое затухание. Вместо заостренного волновода с металлическим покрытием в качестве БОМ-зонда может быть использована простая металлическая игла, изготовленная из соответствующего материала. Вопрос о том, как возбудить поверхностную моду в районе плазмоиной частоты до сих пор остается открытым. С другой стороны, поверхностная мода HEi на границе кор-оболочка может быть возбуждена при помощи явления полного внутреннего отражения. Эта мода довольно чувствительна к радиусу кора и преобразуется в распространяющуюся моду НЕц при определенных радиусе и частоте. J в 4 О 2 6

Рис. 2.20: Влияние толщины покрытия для НЕц моды. Параметрические кривые констант распространения НЕц моды (параметр - радиус кора). Числа на графике означают толщину покрытия в nm. Длина волны Л = 488 nm; алюминиевое покрытие е = —34 -t- г8.5; диэлектрический кор е = 2.16. Внешняя среда - вакуум.

0,2 0.4 0.6 0.8 Э/ко

2.5 Практический контроль параметров оптоволоконного зонда

Для контроля геометрических характеристик 03 как правило используется сканирующий электронный микроскоп, позволяющий получить изображение кончика острия в нанометровой шкале размеров. Кроме того часто используют обычный оптический микроскоп для наблюдения дифракционного изображения острия в дальней зоне. Светопропускание обычно измеряют на специальных установках в режимах ближнего и дальнего поля.

Однако все экспериментальные методы определения характеристик оптических зондов являются весьма трудоемкими и по существу контрольными. Мы поставили задачу разработки расчетного метода реконструкции апертуры ближиепольных зондов.

В основе подхода к определению параметров ближиепольного зонда по характеристикам дальнего ноля, вторичным источником которого он является, лежит принцип Бабине [59]. В нем доказана аналогия между малым (г <g; Л) рассевающим препятствием на пути света (г вплоть до размеров молекулы - молекулярное рассеяние света) и малым (г Л) отверстием, на котором происходит дифра,кция света. И в том, и в другом случае в дальней зоне, т. е. в уходящем излучении обнаруживаются вполне различимые следы взаимодействия света со сверхмалым объектом (г <С Л), расположенным в ближней зоне, которые в принципе поддаются расшифровке.

Здесь имеется в виду то, что выходящее из зонда поле состоит не только из эва,-несцеитных (затухающих) компонент, но и определенной доли незатухающих волн, которые можно зарегистрировать в дальней зоне. По угловому распределению интенсивности можно судить о параметрах вторичного источника, то есть размерах и общем характере формы выходного отверстия в оконечности зонда. Такого рода экспериментальные данные для круглых выходных отверстий были впервые получены

Рис. 2.21: Влияние толщины покрытия па распределение энергии для НЕц моды. Радиус кора R — 8nm. Длина волны А — 488 шп; алюминиевое покрытие е = —34+г8.5; диэлектрический кор е — 2.1G. а) - бесконечное покрытие, Ь) - толщина покрытия D = 50 шп; внешняя среда - вакуум.

О бе ршо л л ером и К ар рай |00|. Для интерпретации измеренных данных необходима строгая векторная математическая модель дифракционного рассеяния па сверхмалых препятствиях.

Из классической оптики известны модели, которые основаны на представлении рассеянного излучения как совокупность нолей, излучаемых электрическими диполями. К таким моделям относится, например, хорошо известная теория Ми о рассеянии электромагнитного излучения малыми металлическими сферами. Однако для адекватного расчета прохождения света через нанометровую структуру с произвольно заданной геометрией эти частные решения недостаточны. Поэтому интерес исследователей вызвали два подхода: непосредственное решение уравнений Максвелла методом конечных разностей (МКР) или при выбранных граничных условиях подстановка в эти уравнения некоторых известных функций, удовлетворяющих им. Идеи второго подхода легли в основу современного метода множественных мульти-нолей (ММП) |61]. С использованием этого метода можно рассчитать прохождение света внутри зонда, формирование поля у оконечности зонда и т.д. Для расчета распределения поля на любом расстоянии после зонда как МКР, так и MMU требуют исключительно больших вычислительных затрат и не позволяют решить обратную задачу по известному распределению поля в дальней зоне восстановить структуру ближнего поля или хотя бы оценить параметры вторичного источника света.

Для решения этой задачи можно предложить другой подход, а именно представить дифрагированное поле вблизи источника через суперпозицию векторных плоских волн с пространственными частотами и, соответствующими как незатухающим компонентам излучения {v > 1/А), так и эванесцентному полю (и < 1 /А). При этом предполагается, что состояние поляризации у каждой плоской волны одинаковое и соответствует поляризации излучения, вводимого в зонд |62[. Как известно из работ, посвященных ближнепольной оптике |б!|, такое описание поляризации предполагает,

100 200 300 400 500 R (nm]

0.03

0.02 J И

0.01

100 200 300 400 500 R [nm]

Рис. 2.22: Зависимости констант распространения для всех мод порядка п = 1 от радиуса кора R. HE: поверхностная мода переходит в НЕП и ЕНц распространяющиеся моды и далее преобразуется в НЕ12 моду. Толщина покрытия D — 50 nm. Длина волны Л = 488 nm; алюминиевое покрытие £ = —34 + г8.5; диэлектрический кор £ = 2.16. Внешняя среда - вакуум. что выходящий из зонда свет поляризован на 100%. Между тем оптическое волокно способно частично деполяризовать свет в процессе его прохождения до оконечности зонда. Свет в конечном итоге становится поляризованным примерно на 80 4- 90%, и возникает проблема правильной интерпретации регистрируемых в дальнем поле данных. Одним из путей решения является установка в выходном канале поляризационного анализатора.

Предлагаемый подход дает возможность не только выделить незатухающие компоненты поля, но также использовать при расчетах достаточно простой, эффективный и легко обратимый аппарат преобразования Фурье и матрично-векторных операций. При прямых расчетах определяется угловое распределение комплексной амплитуды в дальней зоне и угловое распределение интенсивности с учетом поляризации, а с применением обратных процедур возможно определение начального распределения поля вблизи зонда.

Если размеры выходного отверстия зонда не менее длины волны, то полученное распределение однозначно связано с формой и размерами этого отверстия. Однако для аттестации зондов с параметрами, составляющими малые доли длины волны, необходима информация, содержащаяся в ближнепольных компонентах излучения. Эти компоненты не могут быть зарегистрированы, поэтому их довольно сложно учесть в решении обратной задачи.

Для восстановления формы и размеров отверстий, которые в пять, десять и более раз меньше длины волны, можно воспользоваться свойствами предлагаемой единой модели ближнего и дальнего поля, в которой незатухающие и затухающие комно

Рис. 2.23: Частотная дисперсия поверхностной моды НЕЬ граничной моды НЕЬ и распространяющейся моды порядка п = 1. HEi поверхностная мода и распространяющаяся мода (сплошная и пунктирная линии) переходят друг в друга. Радиус кора R — 100 nm, толщина покрытия D = 50 nm. Алюминиевое покрытие: Нсор = 15.655 eV, h-у = 0.608 eV; диэлектрический кор е = 2.16. Внешняя среда - вакуум. иенты математически связаны между собой. Поэтому по параметрам измеренного дальнего поля можно в принципе восстановить и параметры большей части ближне-польных составляющих. Такого рода задачи известны как некорректные и требуют применения особых методов решения. Для восстановления нерегистрируемых участков выходного сигнала, пропорционального преобразованию Фурье от начального распределения поля вблизи зонда, приходится применять экстраполяционные процедуры, в которых можно использовать как функции отсчетов, так и другие функции, например, ортогональные полиномы.

В таком случае последовательность решения обратной задачи выглядит так:

1. расчет составляющих векторной комплексной амплитуды поля по измеренной интенсивности на основании матрично-векториых соотношений и априорных предположений о поляризации,

2. доопределение участков составляющих поля за пределами области видимости,

3. формирование описания ближнего поля и вычисление параметров выходного отверстия зонда.

Второй этап является самым сложным и выполняется путем многих итераций для повышения устойчивости результата. Этот этап выполняется как решение задачи сверхразрешения. Доопределение преобразования Фурье производится в два этапа: вначале через экстраполяцию видимой части полиномами Цернике с изменяющейся областью ортогональности, а затем при помощи дальнейшей экстраполяции функциями отсчетов, где можно применить стандартные процедуры сверхразрешения, например, алгоритм Герхберга [63]. Вычисление составляющих поля в ближней зоне производится путем применения обратного преобразования Фурье к доопреде-* ленным функциям.

Полученное распределение поля повторяет очертания выходного отверстия зонда простой формы с точностью, например, плюс-минус 0.04 длины волны. Чем меньше размеры отверстия, тем большая требуется детализация, которая, в свою очередь, требует соответствующей вычислительной мощности. При размерности выборки преобразования Фурье 512 х 512 и размерах отверстия порядка 0.15 длины волны точность расчета ограничена величиной одного пиксела, который и соответствует примерно 0.04 длины волны. Для уменьшения этого предела нужно увеличивать размерность до 1024 х 1024. При этом минимальный размер становится 0.04 длины волны, а точность его определения плюс-минус 0.01 длины волны. Увеличение размерности приводит к небольшим потерям времени, но к резкому увеличению требуемой оперативной памяти. В принципе задача аттестации ближиепольных зондов, если используется предлагаемая модель ближнего и дальнего полей, вполне доступна для персональных компьютеров типа Pentium при наличии оперативной памяти ие менее 128 мегабайт.

Рис. 2.24 иллюстрирует основные этапы реконструкции апертуры 150 х 250nm2. На рис. 2.24Ь показан результат восстановления апертуры без всяких итераций, т.е. при обычном оптическом разрешении, которое ие проникает за волновой предел. Рис. 2.24с и 2.24е показывают, что без экстраполяции полиномами Цернике адекватная * реконструкция также практически невозможна. На 2.24d и 2.24f приведены, соответственно, полностью доопределенный спектр и результат окончательной реконструкции. Данный пример апертуры, как показывает практика, наиболее характерен для современного состояния производства ближиепольных зондов, когда реальные размеры независимо от заявленных номинально могут варьироваться от 10 до 300 nm. Размеры выходного отверстия в двух главных сечениях и угол его ориентации являются основными характеристиками 03, которые после закрепления зонда в узле пьезоподачи уже не могут быть исправлены. Поэтому контроль готового узла по этим параметрам является весьма важной задачей и разработка наиболее простой технологии такого контроля имеет большое коммерческое значение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Душкин, Игорь Валерьевич, 2003 год

1. Bert Hecht, Beate Sick, and Urs P. Wild et al. Scanning near-field optical microscopy with aperture probes: Fundamentals and applications. Journal of chemical physics, May 8, 2000.

2. T. Wilson and C.J.R. Sheppard. Theory and Practice of Scanning Optical Microscopy. Academic, London, 1984.

3. Handbook of Biological Confocal Microscopy. New York, 1995.

4. E. Synge. Philos. Mag., 6:356, 1928.5j D. Pohl, W. Denk, and M. Lanz. Appl. Phys. Let., 44:651, 1984.

5. U. Dung, D. Pohl, and F. Ronner. J. Appl Phys., (59):3318, 1986.

6. D. Pohl. US Paten US4,604,520 (1986).

7. Д.В. Сивухии. Общий курс физики: оптика. Наука, Москва, 1980.

8. Е.А. Ash and G. Nicholls. Nature, 237:510, 1972.10J E. Betzig, M. Isaacson, and A. Lewis. Appl. Phys. Lett., 51:2088, 1987.

9. K. Lieberman, S. Harush, A. Lewis, and R. Kopelman. Science, 247:59, 1990.

10. E. Betzig, J.K. Trautman, T.D. Harris, J.S. Weiner, and R.L. Kostelak. Science, 251:1468, 1991.

11. D. Turner. US Patent, 4469554, 1984.

12. P. Hoffman, B. Dutoit, and R.-P. Salathe. Ultramicroscopy, 61:165, 1995.

13. R. Stockle at al. Appl. Phys. Lett., 75:160, 1999.

14. P. Lambelet at al. Appl. Opt., 37:7289, 1998.

15. L. Novotny and C. Hafner. Phys. Rev. E, 50:4094, 1994.

16. L. Novotny, D. Pohl, and B. Hecht. Opt. Lett., 20:970, 1995.

17. H. Bethe. Phys. Rev., 66:163, 1944.

18. C.J. Bouwkamp. Philips Res. Rep., 5:321, 1950.21J С. Hafner. The Generalized Multiple Multipole Technique for Computational Electromagnetics. Artech, Boston, 1990.

19. E. Betzig and P.L. Finn J.S. Weiner. Appl. Phys. Lett., 60:2484, 1992.

20. K. Karrai and R.D. Grober. Appl. Phys. Lett., 66:1842, 1995.

21. J.W.P. Hsu, M. Lee, and B.S. Deaver. Rev. Sci. Instrum., 66:3177, 1995.

22. J. Berenz, 0. Hollricher, and 0. Marti. Rev. Sci. lustrum., 67:1912, 1996.

23. M. Lee, B. McDaniel, and J.W.P. Hsu. Rev. Sci. lustrum., 67:1468, 1996.

24. T.R. Albrecht, P. Griitter, D. Home, and D. Rugar. J. Appl. Phys., 69:668, 1991.

25. T. Ruiter. Nanofield Optical Microscopy: Towards the Molecular Scale. Artech, Boston, 1990.

26. D. Courjion, K. Sarayetddine, and M. Spatjer. Opt. commun., 71:23, 1989.

27. R.Reddick, R. Warmack, and T. Ferrel. Phys. Rev. B, 39:767, 1989.

28. A. Bernard et al. Langmuir, 14:2225, 1998.

29. T. Schmidt, G. Shiitz, H. Gruber, and H. Schindler. Anal. Chem., 68:4397, 1996.

30. W. Trabezinger et al. Anal. Chem., 71:279, 1999.

31. D. A. Smith et al. Ultramicroscopy, 67:247, 1999.

32. C. L. Jahncke, H. D. Hallen, and M. A. Paesler. J. Raman Spectrosc., 27:579, 1996.

33. D. Zeisel et al. Anal. Chem., 69:749, 1997.

34. M. K. Hong et al. SPIE, 54:2863, 1996.

35. A. Piednoir, C. Licoppe, and F. Creuzet. Opt. Commun., 129:414, 1996.

36. J. Levy et al. Phys. Rev. Lett., 76:1948, 1996.

37. A. Richter et al. Phys. Rev. Lett., 73:2176, 1998.

38. Y. Kawata, C. Xu, and W. Denk. J. Appl. Phys., 85:1294, 1999.

39. Вайштейы A.A. Теория электромагнитного поля. Наука, Москва, 1960.

40. P. Hoffman, D. Dutoit, and R-P. Salathe. Proc. Int. Conf on Near-Field Optics, Brno: EOS Topical Meeting, 8:99, 1995.

41. C. Miziumski. Phys. Lett., 40A:187, 1972.

42. E.N. Economou and K.L. Ngai. Adv. in Chem. Phys., 27:265-354, 1974.

43. S.S. Martinos and E.N. Economou. Phys. Rev. B, 28:3173, 1983.

44. В. Prade and J.Y. Vinet. J. Lightwave Tech., 12:6, 1991.

45. S.A. Rice, D. Guidotti, and H.L. Lemberg. Adv. in Chem. Phys., 27:543-633, 1974.

46. D. Hondros. Ann. Phys., 30:905, 1909.

47. H. Khosravi, D.R. Tilley, and R. Loundon. J. Opt. Soc. Am. A, 8:112, 1991.

48. G.C. Aers, A.D. Boardman, and B.V. Paranjape. J. Phys. F, 10:53, 1980.

49. C.A. Pfeiffer, E.N. Economou, and K.L. Ngai. Phys. Rev. В, 10:3038, 1974.

50. J.C. Ashley and L.C. Emerson. Surf. Sci., 41:615, 1974.

51. R. Ruppin. Electromagnetic Surface Mode. Wiley, Chichester, 1982. 55[ K.L. Kliewer and R. Fuchs. Adv. in Chem. Phys., 27:355-541, 1974. [56[ D. Marcuse. Light Transmission Optics. Kreiger, Malabar, 1989.

52. J.N. Polky and G.N. Mitchell. J. Opt. Soc. Am., 64:274, 1974.

53. K. Welford. IOP Short Meetings Series, 9:25-99, 1987.

54. O'Keefe. Journ. Opt. Soc. Am., 46:359, 1956.

55. Chr. Obermuller and Kh. Karrai. Appl. Phys. Lett, 67:3408-3410, 1995.

56. L. Novotny, D.W. Pohl, and P. Regli. Journ. Opt. Soc. Am. A, 11:1768-1779, 1994.

57. Н.Б. Вознесенский, C.A. Родионов, B.M. Домненко, and Т.И. Иванова. Оптический журнал, 64:48-52, 1997.

58. P. Бейтс and M. Мак-Доннел. Восстановление и реконструкция изображений. Мир, Москва, 1989.

59. У. Моро. Микролитография. Мир, Москва, 1990.

60. М. Либеисон and Г. Марциновский. Конференция Зондовая микроскопипя 2000, 11:63, 2000.1. Основные публикации

61. I.V. Dushkin. SNOM Lithography on Positive Photoresist. Physics of Low Dimensional Structures, v.3/4 , p.61, 2003.

62. И.В. Душкин. Вычисление коэффициента прохождения света 'через заостренное металлизированное оптоволокно. Тезисы докладов всероссийской конференции "Зондовая микроскопия-2003", Н.Новгород, 2003, стр. 174-175.