Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Пархоменко, Юрий Николаевич

• Пархоменко, Юрий Николаевич
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Пархоменко, Юрий Николаевич

ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I

АТОМНАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА АТОМАРНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ. ВЛИЯНИЕ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ, ТЕМПЕРАТУРЫ И РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ

1.1. Феноменологическое описание структуры поверхности 20 ковалентного кристалла в терминах квантовой химии

1.2. Техника и методика экспериментальных исследований

1.2.1. Получение чистой поверхности (111) сколом

1.2.2. Определение морфологии сколотой поверхности кремния 28 (111)

1.2.3. Условия сохранения чистой поверхности

1.2.4. Методика определения размера двумерной элементарной 30 ячейки на поверхности с помощью метода дифракции медленных электронов

1.2.5. Методика определения глубины проникновения электронов 34 низких энергий

1.2.6. Методика усредненного внутреннего потенциала кристалла 3 6 и статических смещений атомов в направлении нормали к поверхности

1.2.7. Методика определения характеристической температуры 39 Дебая и среднеквадратичных смещений поверхностных атомов

1.2.8. Методика и техника эксперимента измерения контактной 40 разности потенциалов и определения работы выхода электрона методом Андерсена

1.3. Атомная структура поверхности скола (111) кремния

1.3.1. Природа структуры (111) (2x1)

1.3.2. Структурный переход (2xl)-»(lxl)

1.4. Межплоскостные расстояния и усредненный внутренний 58 потенциал в приповерхностном слое кремния

1.4.1. Изменение межслойных расстояний в приповерхностной 62 области кремния

1.5. Среднеквадратичные смещения поверхностных атомов и 65 температура Дебая в приповерхностном слое

1.6. Электрофизические свойства и электронная структура 68 атомарно-чистых поверхностей Si (111)

1.7. Динамические характеристики приповерхностного слоя 74 кремния

1.7.1. Метод характеристических потерь энергии электронов на 74 плазмонах

1.7.2. Методика эксперимента

1.7.3. Определение коэффициента термического расширения 78 приповерхностных слоев кремния (111) и (100)

1.7.4. Определение среднеквадратичной амплитуды колебаний 87 атомов на поверхности кремния (100)

1.8. Влияние температуры и упругих напряжений на 90 электронную структуру поверхности кремния (100)

1.9. Структурно-чувствительные особенности валентной зоны 99 при разупорядочении в кремнии

1.9.1. Расчет структуры валентной зоны кремния при разупорядочении. Постановка задачи, выбор метода расчета

1.9.1.1. Метод рекурсии

1.9.1.2. Расчет электронной структуры кластера

1.9.1.3. Построение кластера

1.9.1.4. Результаты расчета

1.9.2. Изучение структуры валентной зоны при аморфизации в 114 кремнии методом РФЭС. Совместное рассмотрение результатов расчета и эксперимента

1.9.2.1. Результаты эксперимента, совместное рассмотрение результатов расчета и эксперимента

Выводы к главе I

ГЛАВА II

ПРОЦЕССЫ ФАЗООБРАЗОВАНИЯ ПРИ ИОННОМ

СИНТЕЗЕ СКРЫТЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ В КРЕМНИИ, ИМПЛАНТИРОВАННОМ АТОМАМИ КИСЛОРОДА И АЗОТА

2.1. Разработка методов и методик исследования скрытых диэлектрических слоев с помощью электронной оже-спектроскоии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии

2.1.1. Послойный анализ методом электронной оже- 131 спектроскопии на большую (около 500 нм) глубину

2.1.2. Использование метода электронной оже-спектроскопии с 133 разворачиванием электронного и ионного пучка в растр

2.1.3. Метод анализа сложного рентгеновского фотоэлектронного 135 спектра и применение этого метода для исследования системы БнЫ-О

2.1.4. Выделение спектра 812рз/2 из спектра Б12р

2.1.5. Определение формы спектра Б12р чистого кремния

2.1.6. Определение ширины пиков химических состояний 138 кремния

2.1.7. Расчет энергий пиков 812р3/2 химических состояний 138 кремния в системе 8ь1Ч

2.1.8. Метод анализа сложного спектра РФЭС

2.1.9. Метод анализа спектра 8123/2 оксинитрида кремния

2.1.10. Определение энергетического положения пиков N и О

2.2. Фазовый состав оксинитрида кремния, получаемого методом ионного синтеза

2.2.1. Особенности образования многокомпонентных фаз в 143 кремнии, имплантированном «достехиометрическими» дозами ионов азота

2.2.2. Особенности образования многокомпонентных фаз в 146 кремнии, имплантированном «достехиометрическими» дозами ионов кислорода

2.2.3. Особенности фазообразования в кремнии, последовательно имплантированном «достехиометрическими» дозами кислорода и азота

Выводы к главе II

ГЛАВА III

ФАЗООБРАЗОВАНИЕ В СКРЫТЫХ СЛОЯХ 160 ДИСИЛИЦИДА КОБАЛЬТА В КРЕМНИИ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА

3.1. Выбор условий ионной имплантации

3.1.1. Расчет профиля распределения кобальта в кремнии

3.1.2. Учет травления поверхности во время имплантации

3.1.3. Сравнение расчетных профилей распределения ионов 172 кобальта в кремнии по глубине с результатами ВИМС

3.2. Образование и рост зародышей Со812 во время 173 имплантации

3.2.1. Образование фазы Со

3 .2.2. Конкурентный рост зародышей

3.3. Термически активированный рост зародышей Со

3.3.1. Рост зародышей по механизму созревания Оствальда

3.3.2. Оценка параметра диффузии при росте по механизму созревания Оствальда

3.4. Схема процессов фазообразования

3.5. Свойства скрытых слоев 224 Выводы к главе III

ГЛАВА IV

МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ 240 СПЛАВОВ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ

Выводы к главе IV

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния»

Актуальность темы. Кремний обладает уникальным сочетанием свойств, делающим его незаменимым материалом микроэлектроники.

Легированные монокристаллы и поликристаллы кремния, различные соединения на его основе, и прежде всего, оксиды, нитриды, силициды, аморфный кремний позволяют получать материал с необходимыми диэлектрическими, полупроводниковыми и проводящими свойствами не только на поверхности, но и в объеме кристаллов кремния («скрытые слои»).

Установление взаимосвязи атомной и электронной структуры поверхности кремния, влияния механических напряжений, температуры и разупорядочения на электронную структуру приповерхностных слоев, закономерностей процессов фазообразования в скрытых диэлектрических и проводящих слоях гетероструктур на основе необходимо для более глубокого понимания фундаментальных основ строения твердого тела в целом, поиска, изучения и практического использования ранее неизвестных эффектов и явлений, определяющих дальнейшее развитие микроэлектроники. Решение этих проблем необходимо для целенаправленного, научно-обоснованного изменения свойств материала при изготовлении приборных структур, так как открывает возможность управления процессами фазообразования, формирования межфазных границ, дефектообразования, диффузии, а также для научных, технических и технологических задач в смежных отраслях науки и техники: катализе, эмиссионной технике, технологии выращивания кристаллов и др.

Со времени открытия транзисторного эффекта [1] физика и химия поверхности полупроводников и границ раздела фаз является предметом постоянных экспериментальных и теоретических исследований.

Уже на заре создания физико-химической науки Гиббс предложил общие принципы описания свойств системы с учетом поверхности раздела. Однако до последнего времеци, исследования сводились к изучению термодинамики и интегральных характеристик поверхности, таких как поверхностная энергия, адсорбция. И хотя было очевидно,, что сущность поверхностных явлений связана с особенностью атомной структуры поверхности, заключающейся в незамкнутости координационной сферы у поверхностных атомов, попытки установления связи между этой структурой и свойствами, тем более экспериментальные, практически не предпринимались.

Вместе с тем следует отметить, что хотя научная актуальность исследований чистой поверхности велика, важные для практики сведения могут быть получены только при исследовании взаимосвязи чистой поверхности и реальных границ раздела фаз. Особенно полезны исследования начальных стадий процесса фазообразования тонких слоев и границ раздела полупроводник - диэлектрик, полупроводник - проводящий слой, т.е. тех границ, с которыми мы имеем дело в реальных полупроводниковых структурах.

В микроэлектронике уже более двадцати лет наблюдается повышенный интерес исследователей к поверхности полупроводников и границам раздела полупроводник-диэлектрик, полупроводник-металл. В настоящее время наиболее важным направлением в микроэлектронике является создание трехмерных интегральных схем. Весьма перспективным и уникальным способом получения многоуровневых схем со скрытыми диэлектрическими и проводящими слоями является ионно-лучевой синтез (ИЛС). Для успешного применения этого метода необходимо иметь информацию о физических процессах и явлениях в тонких приповерхностных слоях синтезируемых структур, на границах раздела фаз полупроводник-диэлектрик, полупроводник-проводящий слой.

В настоящее время нет единого подхода к установлению корреляционной взаимосвязи между атомной и электронной структурой поверхности, к оценке влияния упругих напряжений, температуры и разупорядочения на электронную структуру приповерхностных слоев кремния. Процессы фазообразования в неравновесных условиях скрытых диэлектрических и проводящих слоев в твердом теле изучены недостаточно. Существующие представления по этим вопросам или противоречивы, или неоднозначны [1,2]. Различие трактовок во многом определяется тем, какие методы исследования были выбраны авторами (как правило, используют один-два метода) и какими технологическими приемами были сформированы скрытые слои. В этом смысле нам более перспективным представляется подход, основанный на применении комплекса взаимодополняющих методов, обеспечивающего однозначную интерпретацию экспериментальных данных.

Такое понимание совокупности указанных выше проблем и определило цель настоящей работы.

Целью работы являлось установление взаимосвязи между атомной и электронной структурой, переход от чистой поверхности кремния (представляющей собой объект фундаментальных исследований) к реальным поверхностям и границам раздела и установление закономерностей процессов фазообразования в многослойных композициях на основе кремния.

Для этого необходимо было решение следующих задач: 1) разработка научной концепции изучения тонких слоев и границ раздела кремния, основанной на представлении чистой поверхности кремния как отдельной «фазы» со своими структурными и электронными характеристиками, учете влияния на свойства этой «фазы» атомной структуры, упругих напряжений, температуры и разупорядочения, являющихся последовательным приближением от чистой поверхности к реальным границам раздела фаз; 2) выбор комплекса экспериментальных методов для изучения чистой поверхности кремния и начальных стадий процессов фазообразования тонких скрытых диэлектрических и проводящих слоев в кремнии, позволяющих однозначно интерпретировать экспериментальные результаты; 3) определение влияния атомной структуры, механических напряжений, температуры и разупорядочения на электронную структуру приповерхностных слоев кремния; 4) разработка модели атомных механизмов процессов фазообразования скрытых диэлектрических и проводящих Со81гслоев, полученных методом твердотельного синтеза; 5) установление оптимальных технологических параметров процессов формирования многослойных структур на основе гидрогенизированных слоев аморфного кремния для оптимизации технологии и повышения эффективности фотопреобразователей.

Настоящая работа является результатом обобщения части научно-исследовательских работ, которые проводились на кафедре материаловедения полупроводников и в лаборатории микроэлектроники МИСиС, в том числе в соответствии с координационными планами АН СССР (шифр 1.14, 1.3); программой ГНТП "Новые материалы" (шифр проекта 06.03.) 1996-1998 гг.; межвузовской научно-технической программой "Перспективные материалы", разделы: "Материалы для микро- и наноэлектроники" и "Энергоресурсосберегающие технологии" 1998-2000 гг.; грантом INTAS и грантом по фундаментальным исследованиям в области электроники и радиотехники 1998-2000 гг.

К началу этой работы (1981 г.) экспериментальная техника и методы исследования поверхности на атомном уровне находились в зачаточном состоянии. Это поставило перед нами ряд технико-методических задач, связанных с созданием экспериментально-исследовательской базы:

• Создан комплекс оригинального исследовательского оборудования, л Q позволяющий в условиях сверхвысокого вакуума (5 10" - 5 10 Па) получить различными способами (скол, ионная бомбардировк + отжиг) атомарно-чистую поверхность и проводить исследования ее электрофизических, структурных и химических свойств в условиях одного эксперимента несколькими методами (in situ): измерение контактной разности потенциалов (КРП) и определение работы выхода электронов (РВЭ), дифракция медленных электронов (ДМЭ), оже-электронная спектроскопия (ОЭС)идр.

• Усовершенствованы существующие экспериментальные методы и теоретические способы обработки результатов ДМЭ.

Решение вышеперечисленных методических и теоретических задач наряду с использованием современного стандартного оборудования и-методов (оже-спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная и ультрафиолетовая спектроскопии, электронография, рентгенография, оптическая и электронная трансмиссионная и растровая микроскопия, различные варианты масс-спектрометрии) позволило провести комплекс экспериментальных исследований и получить результаты для достижения основных целей работы.

Научная новизна.

1. Предложен качественно новый подход к решению поставленных в работе задач, базирующийся на научно-обоснованном выборе ряда взаимодополняющих стандартных методов (ДМЭ, ЭОС, РФС, УФС, ХПЭЭ, ВИМС, электронная микроскопия и др.), а также на разработанных и реализованных оригинальных методиках, обеспечивающий однозначную интерпретацию экспериментальных данных.

2. Представлено экспериментальное подтверждение существования на чистой поверхности кремния «поверхностной фазы» толщиной ~1 нм со своими структурными и электронными характеристиками, отличными от объемных. Для чистых поверхностей Si (111) и (100) с помощью комплекса методов (ДМЭ, ЭОС, ХПЭЭ, КРП) определена атомная структура поверхности: поверхностная элементарная ячейка, межплоскостные расстояния в поверхностном слое, среднеквадратичные смещения поверхностных атомов, коэффициент термического расширения, температура Дебая и значения усредненного внутреннего потенциала в поверхностном слое. Установлена взаимосвязь между атомной структурой и работой выхода электрона на атомарно-чистых поверхностях (111) кремния электронного и дырочного типов проводимости. Построены электронные модели исследованных поверхностей.

3. На основании установленных закономерностей влияния температуры и упругих напряжений на электронную структуру приповерхностных слоев предложены энергетические схемы приповерхностной области (100) в зависимости от температуры и упругой деформации.

4. Установлено влияние разупорядочения в кремнии на электронную структуру на основании экспериментальных данных, полученных методом РФС, и на последующем их сопоставлении с результатами расчета методом рекурсии модельных структур.

Показано, что переход к разупорядоченному метастабильному состоянию в кремнии может быть описан как процесс введения дефекта в структуру кристалла и релаксации структуры вокруг этого дефекта. Переход к структуре валентной зоны, характерной для аморфного полупроводника, определяется нарушением ближнего порядка в окрестности дефекта.

5. Впервые описаны процессы "достехиометрического" ионного синтеза оксинитрида кремния. Исследованы поведение растворенных в кремнии азота и кислорода и особенности образования новой фазы, определена химическая природа образующегося диэлектрика. При этом:

- предложен новый метод анализа сложного рентгеновского фотоэлектронного спектра, позволяющий, в частности, определять химические состояния кремния в системе Б^Ы-О методом РФС;

- впервые показано, что при обычно используемых температурах имплантации (350.650 °С) в скрытом слое оксинитрида кремния при формирующем его отжиге не образуются преципитаты термодинамически устойчивых фаз 8102 и 812^0;

- показано, что при "достехиометрическом" ионном синтезе скрытого диэлектрического слоя путем имплантации ионов кислорода и азота и отжига в кремниевой матрице образуются зародыши стехиометрического оксинитрида кремния, структура которого описывается моделью неупорядоченной молекулярной сетки кремниевых тетраэдров.

6. Предложен атомный механизм процесса фазообразования на различных этапах и их последовательность при формировании скрытых слоев СоБ12 методом ионно-лучевого синтеза в твердой фазе в кремниевых пластинах Si(lOO) в неравновесных условиях. Детально изучены процессы, происходящие на каждой стадии процесса фазообразования.

Показано, что радиационные дефекты способствуют образованию зародышей CoSi2 непосредственно во время ионной имплантации, уменьшая энергетический диффузионный барьер, а их ассоциации являются центрами зародышеобразования новой фазы CoSi2.

Выявлено, что на начальной стадии фазообразования во время имплантации образуются зародыши сходной с матрицей ориентации - А-типа (равноосной, близкой к сфероидальной форме, ограненной плоскостями {100} и {111}). Различие удельных объемов зародыша и матрицы приводит к упругой деформации, которая снимается за счет возникновения двойникующих дислокаций, зародыши А-типа трансформируются в «двойниковые» зародыши В-типа (вытянутой формы с длинными когерентными границами вдоль плоскостей {111}). В условиях малых концентраций Со термодинамически более выгоден рост зародышей В-типа, чем А, так как упругие искажения, вносимые пластинчатыми зародышами минимальны. При дальнейшем росте фазы дисилицида кобальта в областях с большой плотностью когерентных зародышей существенное влияние поверхностного натяжения приводит к преимущественному росту зародышей А-типа и формированию сплошного слоя с резкой межфазной границей.

Определены параметры диффузии ионно-имплантированного Со в Si в процессе постимплантационного отжига на стадии созревания Оствальда. Эффективная энергия активации диффузии кобальта в матрице кремния Q3** составила 0,50.0,72 эВ. Для расчета Qf* при разных температурах отжига использовали две методики: по изменению ширины на полувысоте профиля распределения Со, полученного методом ВИМС; и с помощью метода просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения при исследовании размеров зародышей до и после высокотемпературного отжига.

Установлена зависимость влияния дозы имплантации на параметры слоев CoSi2. Определена критическая доза, начиная с которой происходит рост сплошного слоя дисилицида кобальта.

Разработана модифицированная версия программы TRIM, позволяющая моделировать процесс имплантации с учетом дозы и эффектов торможения ионов из-за увеличения плотности решетки и травления поверхности при известной скорости распыления.

Практическая значимость работы.

1. Создан комплекс исследовательского оборудования и аппаратуры, позволяющий в условиях сверхвысокого вакуума ~10"8 Па получать различными способами (скол, ионная бомбардировка, отжиг) атомарно-чистую поверхность и исследовать в условиях одного эксперимента ее электрофизические и химические свойства, атомную и электронную структуру рядом методов: измерение контактной разности потенциалов и определение работы выхода электрона (авторское свидетельство № 1681209), метод дифракции медленных электронов, электронная оже-спектроскопия, рентгеновская и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия и др.

2. Установлены закономерности процессов фазообразования при ионном синтезе в твердой фазе в неравновесных условиях (влияние дозы имплантации, плотности ионного тока, температуры постимплантационного отжига), необходимые для целенаправленного изменения свойств материала при изготовлении приборных структур, управления процессами фазообразования, формирования межфазных границ, дефектообразования, диффузии.

3. Определены оптимальные технологические условия ионного синтеза слоев CoSi2, позволяющие получать скрытые проводящие слои дисилицида кобальта с заданной толщиной и высоким качеством гетероструктур Si/CoSi2/Si. Эти гетероструктуры при малой толщине скрытого слоя могут стать основой для создания транзисторов повышенного быстродействия на горячих" электронах, а при больших толщинах проводящих слоев -контактных слоев и многоуровневых межсоединений в ИС.

4. Дан ряд практических рекомендаций для научно-обоснованной оптимизации технологии получения многослойных структур на основе гидрогенизированных сплавов аморфного кремния, повышена эффективность многокаскадных фотопреобразователей:

- снижение потока германийсодержащего газа на 25 % дало прирост спектральной чувствительности первого каскада Р^^г-структуры на 6-8 %;

- повышение усредненной эффективности солнечных элементов за счет оптимизации коротковолновой спектральной чувствительности (оптимизации слоя с собственной проводимостью третьего каскада 1з);

- рекомендовано в промышленном производстве снизить толщину буферного слоя ZllO для повышения квантовой эффективности в области длинных и средних волн. Уменьшение толщины ZnO с 450 до 200 нм повысило квантовую эффективность на 0,2 %;

- повышение выхода годных солнечных элементов за счет промышленной доработки оборудования и устранения меди и серебра во всех Р- и ZnO-слоях.

В результате проведенной работы КПД солнечных батарей повышен на 0,5ч-0,8 абс.% (с 7,9 до 8,7%).

5. Полученные в диссертационной работе результаты и разработанные методики используются в курсах лекций "Физическое материаловедение полупроводников" и "Спектроскопические методы исследования твердых тел", в постановке и выполнении дипломных работ студентами кафедры материаловедения полупроводников МИСиС.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Экспериментальное подтверждение существования на чистой поверхности кремния "поверхностной фазы" толщиной ~1 нм со своими горячих" электронах, а при больших толщинах проводящих слоев -контактных слоев и многоуровневых межсоединений в ИС.

4. Дан ряд практических рекомендаций для научно-обоснованной оптимизации технологии получения многослойных структур на основе гидрогенизированных сплавов аморфного кремния, повышена эффективность многокаскадных фотопреобразователей:

- снижение потока германийсодержащего газа на 25 % дало прирост спектральной чувствительности первого каскада PiIiNi-структуры на 6-8 %;

- повышение усредненной эффективности солнечных элементов за счет оптимизации коротковолновой спектральной чувствительности (оптимизации слоя с собственной проводимостью третьего каскада 1з);

- рекомендовано в промышленном производстве снизить толщину буферного слоя ZnO для повышения квантовой эффективности в области длинных и средних волн. Уменьшение толщины ZnO с 450 до 200 нм повысило квантовую эффективность на 0,2 %;

- повышение выхода годных солнечных элементов за счет промышленной доработки оборудования и устранения меди и серебра во всех Р- и ZnO-слоях.

В результате проведенной работы КПД солнечных батарей повышен на 0,5ч-0,8 абс.% (с 7,9 до 8,7%).

5. Полученные в диссертационной работе результаты и разработанные методики используются в курсах лекций "Физическое материаловедение полупроводников" и "Спектроскопические методы исследования твердых тел", в постановке и выполнении дипломных работ студентами кафедры материаловедения полупроводников МИСиС.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Экспериментальное подтверждение существования на чистой поверхности кремния "поверхностной фазы" толщиной ~1 нм со своими структурными, динамическими и электрофизическими характеристиками, отличными от объема.

Экспериментальные результаты исследования атомной структуры поверхности Si (111) (размер поверхностной элементарной ячейки, межплоскостные расстояния в приповерхностном слое, усредненный внутренний потенциал) и динамических свойств поверхностных слоев (среднеквадратичные смещения, коэффициент термического расширения и характеристическая температура Дебая).

2. Комплекс экспериментальных результатов по влиянию атомной структуры, механических напряжений, температуры и разупорядочения на электронную структуру приповерхностных слоев кремния.

3. Модель разупорядочения и его влияние на структуру валентной зоны кремния. Результаты сопоставления экспериментальных и расчетных данных, свидетельствующие о том, что переход к разупорядоченному состоянию в кремнии можно рассматривать как процесс изменения ближнего порядка, связанный с изменением структурирования ближайших окружений в системе.

4. Метод анализа сложного рентгеновского фотоэлектронного спектра, позволяющий определять химические состояния кремния в системе Si-N-0 при исследовании слоев, полученных методом ионного синтеза.

5. Модель структуры (стехиометрическая неупорядоченная молекулярная сетка кремниевых тетраэдров) скрытого диэлектрического слоя оксинитрида кремния, полученного ионным синтезом в твердой фазе.

6. Атомный механизм процесса фазообразования скрытых слоев CoSi2, полученных методом ионно-лучевого синтеза в твердой фазе в кремниевых пластинах Si(100).

Влияние радиационных дефектов на образование и рост зародышей CoSi2 двух типов.

Влияние упругой (AGS) и поверхностной (AGS) энергий на морфологию зародышей растущей фазы дисилицида кобальта.

19

Параметры диффузии ионно-имплантированного Со в в процессе постимплантационного отжига на стадии созревания Оствальда.

Влияние технологических параметров ионно-лучевого синтеза (дозы имплантации, скорости набора дозы, температуры отжига) на структуру и свойства скрытых слоев СоБ12.

7. Ряд практических рекомендаций по оптимизации технологии получения многокаскадных фотоэлектрических структур на основе аморфного кремния с целью повышения их эффективности.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Пархоменко, Юрий Николаевич

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ IV

1. Изучено распределение примесей по глубине в многослойных структурах на основе гидрогенизированных сплавов аморфного кремния и проведена оценка толщины слоев методом вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Солнечные батареи, представляющие собой трехкаскадную структуру типа нержавеющая сталь/Ag- текстурированное зеркало /ZnO/a-Si:H:F:P /a-SiGe:H/ mk-Sí:H:B /<x-Si:H:F:P/a-Si:H/mk-Si:H:F:B/a-Si:H:F:P/a-Si:H/mk-Si:H:F:B/InOx/ Ag- гребенчатый контакт, были изготовлены путем разложения в высокочастотном (13, 56 МГц) тлеющем разряде методом «с рулона на рулон», с использованием в качестве подложки рулонной ленточной нержавеющей стали. В качестве Ii-слоя использовали слои a-SiGe:H переменного состава (варизонная структура).

2. В профилях распределения примесей в области Р на кривой наблюдается повышение интенсивности сигнала, что объясняется изменением плотности этого слоя (микрокристаллический кремний). Обнаружена заниженная на 1,5 порядка интенсивность сигналов бора и фтора, а также слегка заниженный сигнал фосфора, соответственно в слоях Р1 и N2, которые формируются при этом в границах варизонной структуры а-8Юе:Н вместо формирования самостоятельных слоев а-81:Н:Р:В и а-8кН:Р:Р. Предложена модель, объясняющая эти результаты. В связи с высоким содержанием микропор в а-810е:Н при формировании последующих слоев на его поверхности происходит затягивание всех компонентов газовой фазы «пористым» материалом подложки а-8Юе:Н, и последующие тонкие слои Р1 и N2 формируются в порах а-810е:Н в виде отдельных островков-включений. Площадь этих островков составляет 1ч-10 % от общей поверхности подложки, что объясняет уменьшение интенсивности сигнала.

С целью оптимизации свойств многокаскадных солнечных элементов проведены технологические эксперименты по определению зависимости выходных характеристик элемента от содержания Ое в I! слое. Снижение потока германийсодержащего газа на 25% увеличило спектральную чувствительность на 6-^8 %.

Это подтверждает предложенную нами модель. Уменьшение содержания германия в варизонной структуре позволило практически убрать «островковый» эффект.

3. Показана возможность оценки концентрации легирующей примеси в отдельных слоях (Р^ Р2, Рз, N1, N2, N3 и 11) в многослойной структуре на примере трехкаскадных солнечных элементов методом ВИМС при использовании стандартных образцов. Расчет концентрации примеси бора показал, что в слоях р-типа концентрация колеблется в пределе (2-ь9) " 1019см"3 и, таким образом, слои являются вырожденными и реализуется туннельный переход во всех трех элементах трехкаскадной структуры. Расчет концентрации фосфора показал, что в слоях n-типа величина концентрации

18 3 примеси фосфора -10 см" . Оценка концентрации фосфора в слое Ni осложнена из-за увеличения интенсивности сигнала вследствие явления интерференции масс и это дает соответственно увеличенное значение концентрации фосфора в этом слое.

Проведена оценка содержания германия в сплаве a-SiGe:H в слое с применением коэффициентов коррекции на сплав. Содержание Ge в сплаве а-SiGe:H ~ 34 %.

4. Определен фазовый состав просветляющего покрытия методом РФЭС. Показано, что 1п находится в состоянии 1п20з.

5. Проведена оценка квантовой эффективности (спектральной чувствительности) в каждой из PIN структур. Получено три типа кривых, отличающихся величиной спектральной чувствительности как в коротковолновой (А, = 0,35-ь0,4 мкм), так и в длинноволновой (X = 0,8 мкм) области, то есть выходными характеристиками.

Для выяснения причин различия коротковолновой спектральной чувствительности проведена серия технологических экспериментов по вариации толщины 13 слоя за счет изменения мощности разряда в камере 1з в интервале 160-=-190 Вт. Оценка толщины слоя 13 методом ВИМС показала ее изменение от 76 до 80 нм. Наиболее оптимальной была признана мощность 167 Вт, при которой получены максимальные фотоэлектрические характеристики и высокая спектральная чувствительность в области А, = 0,35ч-0,4 мкм.

Показано, что длинноволновая спектральная чувствительность, соответствующая первой PIN-структуре, зависит от толщины буферного слоя ZnO, обладающего достаточно высоким поглощением. Предложенное нами уменьшение толщины ZnO с 450 до 200 нм сохраняет функцию буферного слоя и снижает поглощение длинноволнового излучения, таким образом, повышая эффективность тыльного зеркала и интегральный фототок нижней и средней структур каскада. Поглощение в области Х=0,8 мкм в структурах с буферным слоем достаточно большой толщины возможно связано с образованием отдельной тройной фазы Zn-Ag-O, как показали результаты рентгеновских исследований.

6. Результаты проведенных исследований позволили дать ряд следующих практических рекомендаций для повышения эффективности многокаскадных фотопреобразователей:

- рекомендованное снижение потока германийсодержащего газа на 25% дало прирост чувствительности P1I1N1 структуры на 6ч-8 %;

- за счет оптимизации коротковолновой спектральной чувствительности ( оптимизации толщины 13 слоя) повышена усредненная эффективность солнечных элементов;

- рекомендовано в промышленном производстве снизить толщину буферного слоя ZnO для повышения квантовой эффективности в области длинных и средних волн.

7. В результате проведенной работы повышен КПД солнечных батарей с 6,3 до 9,7 %.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе развито новое направление в физике поверхности и физическом материаловедении полупроводников, заключающееся в установлении взаимосвязи между атомной и электронной структурой поверхности и закономерностей процессов фазообразования в многослойных композициях на основе кремния, позволившее глубже понять природу и роль поверхностной фазы и основы процессов фазообразования скрытых диэлектрических и проводящих слоев при ионно-лучевом синтезе.

1. Представлено экспериментальное подтверждение существования на чистой поверхности кремния «поверхностной фазы» толщиной ~1 нм со своими структурными и электронными характеристиками, отличными от объемных.

• Для чистых поверхностей Si (111) и (100) с помощью комплекса методов (ДМЭ, ЭОС, ХПЭЭ, КРП) определена атомная структура поверхности: поверхностная элементарная ячейка, межплоскостные расстояния в поверхностном слое, среднеквадратичные смещения поверхностных атомов, коэффициент термического расширения, температура Дебая и значения усредненного внутреннего потенциала в поверхностном слое.

• Установлена взаимосвязь между атомной структурой и работой выхода электрона на атомарно-чистых поверхностях Si (111) электронного и дырочного типа проводимости. Изменение работы выхода электронов при структурном переходе (2xl)-»(lxl) связывается с увеличением энергии сродства к электрону и изменением изгиба зон в результате смещения энергетического положения зоны заполненных и зоны незаполненных поверхностных состояний в запрещенной зоне. Показано, что независимо от структуры поверхности на кристаллах n-типа проводимости края объемных зон у поверхности загнуты вверх, а на кристаллах р-типа - вниз. Построены электронные модели исследованных поверхностей.

• Изучено влияние температуры и упругих напряжений на электронную структуру приповерхностных слоев Si(100). Построены энергетические схемы приповерхностной области Si(100) с учетом температуры и упругой деформации.

С повышением температуры максимумы плотности ps- и Ss-состояний электронов (поверхностной фазы) смещаются в сторону, соответствующую уменьшению энергии связи, и увеличивается интенсивность максимума, ответственного за р3-состояния электронов. Это коррелирует с тем, что коэффициенты термического расширения поверхности (KTPS) и объема (KTPV) различны, причем KTPS больше KTPV. Повышение температуры приводит к еще большему "разрыхлению" поверхности по сравнению с объемом и, значит, доля р5-состояний на поверхности возрастает.

Впервые в упругодеформированном кремнии обнаружено смещение пиков, ответственных как за объемные, так и за поверхностные состояния электронов. "Поверхностные" пики смещаются на величину примерно в 2 раза большую, чем "объемные". Это связано с тем, что при двухосном сжатии наибольшее изменение межплоскостных расстояний испытывают приповерхностные слои.

Для поверхности Si (100) изучено влияние температуры и упругих напряжений на работу выхода электрона и положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны на поверхности.

• Методом ХППЭ по температурным зависимостям положения пиков «поверхностного» и «объемного» плазмонов определено изменение коэффициента термического расширения приповерхностных слоев Si (100) и Si (111) относительно объема (as/av)Si(ioo)= 3,1, (as/av)Si(iii) = 5,1.

Для Si (100) при повышении температуры от 373 до 573 К происходит уширение пиков плазменных колебаний, связанное с локальными флуктуациями электронной плотности (электрон-фононным взаимодействием). Среднеквадратичная амплитуда колебаний атомов в приповерхностном слое в 3,4 раза больше, чем в объеме. Результаты согласуются с данными, полученными методом ДМЭ, и объясняются ослаблением связей в приповерхностном слое.

2. Изучено влияние разупорядочения в кремнии на электронную структуру путем сопоставления экспериментальных данных, полученных методом РФС, с результатами расчета модельных структур методом рекурсии.

• Методом РФС получены спектры валентных электронов атомарно-чистой поверхности кремния (111), полученной сколом в вакууме (10 9 Па), а также после ее аморфизации бомбардировкой ионами аргона. Установлено, что в спектре валентных электронов после аморфизации происходит сглаживание (s+p)- и s-областей спектра, увеличение вклада состояний s-типа и сдвиг р-состояний в сторону меньших энергий на 1,0 эВ.

• Для расчета плотности состояний электронов в валентной зоне аморфизованного материала предложена следующая структурная модель: разупорядочение в аморфном состоянии представляется как введение дефекта (вакансии, бивакансии) в выделенный, ограниченный объем кристалла (базисный объем) с последующей релаксацией структуры вокруг дефекта до метастабильного состояния по всему базисному объему. Результаты эксперимента качественно и количественно согласуются с расчетом. Это позволяет сделать вывод, что электронная структура валентной зоны аморфизованного кремния определяется нарушением ближнего порядка: статистически неоднородным изменением по сравнению с кристаллом длин (энергии) и углов связи в ближайшем окружении каждого атома и появлением пятичленных колец связей. Предложенная модель отличается от общепринятого определения аморфного состояния как структуры, в которой имеется ближний порядок и отсутствует дальний порядок.

3. Изучен механизм процесса фазообразования скрытых диэлектрических и проводящих слоев, сформированных методом ионно-лучевого синтеза в твердой фазе.

• Исследовано химическое состояние элементов в скрытых диэлектрических слоях, полученных имплантацией ионов 0+ и/или N+ в кремний при различных температурах имплантации и последующих отжигов.

Показано, что спектры Si2p3/2 имплантированных кислородом и азотом слоев содержат пики, относящиеся к атомам кремния, связанным как с различным количеством атомов только кислорода или только азота, так и с атомами кислорода и азота одновременно. Поэтому эти слои не описываются моделью гетерогенной смеси диоксида и нитрида кремния. Диэлектрический слой представляет собой кремниевую матрицу с зародышами стехиометрического оксинитрида кремния, структура которого соответствует неупорядоченной молекулярной сетке кремниевых тетраэдров различных конфигураций.

• Предложен атомный механизм процесса фазообразования на различных этапах и их последовательность при формировании скрытых слоев CoSi2 в пластинах Si (100) методом ионно-лучевого синтеза в твердой фазе в неравновесных условиях. Детально изучены процессы, происходящие на каждой стадии процесса фазообразования.

В рамках модели фазообразования показано, что радиационные дефекты, возникающие во время ионной имплантации, способствуют образованию слоев CoSi2, понижая энергетический диффузионный барьер, а их ассоциации являются центрами зародышеобразования новой фазы CoSi2.

Методом ПЭМ определено, что в процессе высокодозовой имплантации ионов кобальта в нагретые до 450 °С пластины Si(100) образуются зародыши дисилицида кобальта двух типов: А и В. Зародыши А-типа имеют ориентацию, аналогичную матрице, зародыши В-типа - двойниковую ориентацию. Зародыши А- и В-типа различаются по форме. На начальной стадии фазообразования во время имплантации образуются зародыши А-типа (равноосной, близкой к сфероидальной, формы, ограненной плоскостями {100} и {111}). Различие удельных объемов зародыша и матрицы приводит к упругой деформации, которая снимается за счет возникновения двойникующих дислокаций, зародыши А-типа трансформируются в «двойниковые» зародыши В-типа (вытянутой формы . с длинными когерентными границами вдоль плоскостей {111}). В условиях малых концентраций Со термодинамически более выгоден рост зародышей В-типа, чем А, так как упругие искажения, вносимые пластинчатыми зародышами минимальны.

При дальнейшем росте фазы дисилицида кобальта, когда поля упругих напряжений начинают перекрываться, существенное влияние поверхностного натяжения приводит к преимущественному росту зародышей А-типа. На заключительной стадии роста стремление системы к уменьшению поверхностной энергии приводит к формированию сплошного слоя с резкой межфазной границей.

• Анализ рентгеновских кривых качания показал, что тетраэдрически искаженная решетка дисилицида кобальта растянута параллельно поверхности и сокращена в направлении, перпендикулярном к поверхности пластины. После отжига напряжения возрастают, что свидетельствует об увеличении степени когерентности границы CoSi2/Si при образовании сплошного слоя CoSi2. Во всех образцах после имплантации наблюдается слой, в котором присутствуют радиационные точечные дефекты межузельного типа (межузельные атомы Si и Со в кремнии). После высокотемпературного отжига не наблюдается диффузное рассеяние, т. е. эти дефекты отжигаются.

• Определены параметры диффузии ионно-имплантированного Со в Si в процессе постимплантационного отжига на стадии созревания Оствальда. Эффективная энергия активации диффузии кобальта в матрице кремния Q3** составила 0,50. .0,72 эВ.

Столь быстрая диффузия обусловлена: большой концентрацией радиационных дефектов; градиентом упругих напряжений, связанным с разностью параметров решетки Si и CoSi2; диффузией атомов Со на короткие расстояния, обусловленой большой концентрацией зародышей новой фазы.

Все эти факторы уменьшают эффективную энергию активации процесса диффузии.

4. Предложен качественно новый подход к решению поставленных в работе задач, базирующийся на научно-обоснованном выборе ряда взаимодополняющих стандартных методов (ДМЭ, ЭОС, РФС, УФС, ХПЭЭ, ВИМС, электронная микроскопия и др.), а также на разработанных и реализованных оригинальных методиках, обеспечивающий однозначную интерпретацию экспериментальных данных. Создан комплекс исследовательского оборудования и аппаратуры, позволяющий в условиях g сверхвысокого вакуума ~ 10"° Па получать различными способами (скол, ионная бомбардировка, отжиг) атомарно-чистую поверхность и исследовать в условиях одного эксперимента ее электрофизические и химические свойства, атомную и электронную структуру рядом методов: измерение контактной разности потенциалов и опредление работы выхода электрона (авторское свидетельство № 1681209), метод дифракции медленных электронов, электронная оже-спектроскопия, рентгеновская и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия и др. Предложен и реализован ряд новых методик.

• Методика определения усредненного внутреннего потенциала кристалла и смещений атомов в направлении, нормальном к поверхности.

• Способ одновременного изучения (in situ) атомной структуры и работы выхода электрона, а так же химического состава методом ЭОС и работы выхода методом Андерсона.

• Метод анализа сложного спектра РФС и его применение для исследования системы Si-N-O. Сущность метода заключается в наложении условия соответствия результатам количественного анализа, проведенного по спектрам всех элементов, на множество возможных разложений неразрешающегося спектра. Физическое обоснование метода состоит в том, что при анализе методом РФС различия в глубине выхода электронов, характерных для пиков Si2p, Nls и Ois, невелики (в пределах 20%), так что информация о количественном составе, содержащаяся в этих пиках, относится к одному слою образца.

• Методика послойного анализа скрытых слоев методом ЭОС на большую (около 500 нм) глубину. Проблема устранения влияния изгиба образца на результаты измерения глубины кратера ионного травления решена с помощью параллельного дополнительного сканирования на профилометре или математической интерполяции изгиба.

• Разработана модифицированная версия программы TRIM, позволяющая моделировать процесс имплантации для любых значений дозы, учитывая эффект торможения ионов из-за увеличения плотности решетки и травление поверхности при известной скорости распыления. Рассчитана величина среднего проекционного пробега ионов Rp и дисперсии ARP. Из сопоставления расчетных профилей с результатами ВИМС оценены толщина распыленного слоя и скорость травления для определенных условий имплантации.

5. Установлено влияние технологических параметров (толщины слоев, распределения в них примеси, резкости границ раздела, процессов самодиффузии) на формирование трехкаскадных многослойных фотоэлектрических структур на основе аморфного сплава кремния на подложке из нержавеющей стали с целью оптимизации технологии и повышения эффективности фотопреобразователей.

• Показано, что длинноволновая спектральная чувствительность, соответствую-щая первой PIN-структуре, зависит от толщины буферного слоя, обладающего достаточно высоким поглощением. Предложенное уменьшение толщины ZnO с 450 до 200 нм сохраняет функцию буферного слоя и снижает поглощение длинноволнового излучения, повышая, таким образом, эффективность тыльного серебряного зеркала и интегральный фототок нижней и средней структур каскада. Как показали результаты рентгеновских исследований, поглощение в области X = 0,8 мкм в структурах

274 с буферным слоем достаточно большой толщины возможно связано с образованием отдельной тройной фазы Zn-Ag-0.

• Для оптимизации свойств многокаскадного солнечного элемента проведены технологические эксперименты по определению зависимости выходных характеристик солнечного элемента от содержания Ое в ^-слое, представляющем собой сплав а-810е:Н. Снижение потока германийсодержащего газа (ОеЩ- германа) на 25 % дало ощутимый прирост (6-8 %) спектральной чувствительности первой РШ-структуры интегрального фототока.

В результате проведенной работы КПД солнечных батарей, выпускаемых на «Совлаксе», повышен на 0,5-н0,8 абс.% (с 7,9 до 8,7%). (Акт дан в приложении)

275

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Пархоменко, Юрий Николаевич, 2000 год

1. Bardeen J., Brattein W.H. Physical principles involved in transistor action // Phys. Rev. 1949 V.75 P. 1208-1225.

2. A.E.White, K.T.Short, R.C.Dynes, J.P.Garno and J.M.Gibson. Mesotaxy: Formation of buried single-crystal CoSi2 layers by implantation. // Mat.Rec.Soc.Symp.Proc. V.74, 1987, p.481-486

3. S.Mantl. Ion beam synthesis of epitaxial silicides: fabrication, characterization and applications. // Materials Science Reports. V.8, 1992, N.l/2. p. 1-95

4. Галаев A.A., Пархоменко Ю.Н. Исследование атомной структуры поверхности методом дифракции медленных электронов // Научные труды МИСиС .- 1976 .- № 89 .- С. 106-112.

5. КаулсонЧ. Валентность .- М.: Мир, 1965 .- 426 с.

6. Tamm I. Uder eine mogliche Art der Elektronenbindung an Kristalloberflachen // Sow.Phys .- 1931 .- V.l .- P.733-746.

7. Shockley W. On the surface states associated with periodic potential // Phys.Rev.- 1939 .- V.56 .- №4 .- P.317-323.

8. Б.А. Нестеренко, O.B. Снитко. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников .- Киев: Наукова Думка .- 1983 .- 261 с.

9. Alonso М., Soria F. Initial statrs of oxydation of GaAs (111) (2x2) Ga surfaces // Surf. Sci.- 1987 .- p.530-542.

10. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Том 1 .- М.: Мир, 1983 .- 379 с.

11. Дворянкин В.М., Митягин А.Ю. Дифракция медленных электронов -метод исследования атомной структуры поверхности // Кристаллография1967 .-Т. 12 .-С.И12-1134.

12. Пархоменко Ю.Н. Исследование атомной структуры поверхности монокристаллов элементарных полупроводников и соединений методом дифракции медленных электронов. Диссертация к.ф.-м.н. М,- 1974 .- 120с.

13. Aspnes D.E., Handler P. Surface states on cleaved silicon surfaces // Sur. Sci .- 1966 .- V.4 .- P.353-380.

14. Dubarev S.L., Ryazanov M.I. Multiple scattering theory for fast electrons in single crystals // Acta Cryst.- 1988 .- V.A44 .- №1 .- P.51-61.

15. Галаев A.A., Пархоменко Ю.Н., Шварцман B.JI. и др. Техника эксперимента и расчета картин дифракции медленных электронов // Заводская лаборатория .- 1975 .- т.4 .- № 41.- С. 439-442.

16. Пинскер З.Г. Дифракция электронов .- М.: АН СССР.- 1949 .- 436 с.

17. Jaccodine R.J., Schleget W.A. Measurement of strains at Si-SiCb interface // J. Appl. Phys .- 1966 .- V.37 .- №6 .- p.2429-2434.

18. Поверхностные явления в полупроводниках. Научные труды № 89. Под ред. С.С. Горелика .- М.: Металлургия .- 1976.

19. Lander J.J., Morisson J. Calculations of structures of clean surface of Germanium // J. Chem. Phys .- 1962 .- V.37 .- p.729-734.

20. Нестеренко Б.А., Бородкин А.Д. Динамические характеристики поверхностных атомов // У.Ф.Ж.- 1971 .- №16 .- с. 132-136.

21. Stern R.M., Gervais A. Surface atom layer stating // Surf. Sci.- 1969 .- №17 .-p.273-276.

22. Галаев A.A., Сулеева Л.Б., Блиев А.П., Пархоменко Ю.Н. Взаимосвязь атомной структуры поверхности германия (111) с электрофизическими свойствами // Вестник АН КазССР .- 1978 .- № 12 .- с.39-42.

23. Галаев А.А., Блиев А.П., Пархоменко Ю.Н. Взаимосвязь между атомной структурой и работой выхода на сколотой поверхности кремния и германия // Кристаллография .- 1980 .- т.25 .- №4 .- С.324-329.

24. Anderson Р.А. The contact difference of potential between tungeten and barium. The experimental work function of barium // Phys. Rev. 1935 .- V.3 .- P.958-964.

25. Anderson P.A. The work function of lithium // Phys. Rev. 1949 .- V.76 .№8 .-P. 1205-1209.

26. Anderson P.A. The work function of copper // Phys. Rev. 1949 .- V.76 .№3 .-P.388-390.

27. Riviere J.C. Contact potential difference measurements by Kelvin method // Proc. Phys. Soc .- 1957 .- V.70B .- P.676-680.

28. Hoiseher A. A. A field emission potential method for measuring work function // Surf. Sci.- 1966 .- V.4 P.89-102.

29. Riviere J.C. The work function of gold // Appl. Phys. Lett .- 1966 .- V.8 .- №7 .-P. 172-174.

30. Clements H.J., Van J. Wienskowsky. On the interaction of cesium cleaved GaAs (110) and Ge (111) surfaces: work function measurements and adsorption site model // Surf. Sci.- 1978 .- V.18 .- P.648-666.

31. Gobeli G.W., Allen F.G. Photoelectric threshhold and work function // Semicond. And Semimet.- N.Y. 1966 .- №2 .- P. 150-156.

32. Guihar G.M., Balkansky M., Sebenne C.A. Semicjnductor surface state spectroscoppy //Surf. Sci.- 1979 .- V.86 .- №3 .- P.874-888.

33. Галаев А.А., Пархоменко Ю.Н. Гамосов Л.В. Исследование динамических свойств поверхностных атомов при фазовом переходе на сколотой поверхности германия // Электронная техника. Сер. Материалы .- 1978 .- №4 .- С.52-54.

34. Haneman D. Surface structures of properties of diamond-structures semiconductors//Phys.Rev.- 1961 .-V.121 .-№4 .-P. 1093-1100.

35. Галаев A.A., Горелик C.C. Атомная структура поверхности полупроводниковых кристаллов на примере полярных граней (111) А и1 1 1) В в кристаллах антимоиида индия // ДАН СССР .- 1969 т. 184 .№3 с.236-237.

36. Галаев А.А., Гамосов JI.B., Пархоменко Ю.Н. Исследование атомной структуры и фазовых переходов на поверхности (111) германия и кремния / Тезисы оригинальных докладов VII Всесоюзной конференции по микроэлектронике. Зеленоград .- 1978 .- С.48.

37. Галаев А.А., Гамосов JI.B., Пархоменко Ю.Н. Структурные превращения на сколотой поверхности германия // Кристаллография .- 1979 .- т.24 № 1 .-С.130-133.

38. Галаев А.А., Гамосов JI.B. Совместные ДЭНЭ-Оже исследования атомарно-чистой поверхности кремния (111)/ Кристаллография .- 1979 .-т.24 .- № 1.- С. 70-73.

39. Боонстре А. Поверхностные свойства германия и кремния .- М.: Мир .1970.- 360 с.

40. Ibach Н., Rowe J.E. Hydrogen adsorption and surface structures of silicon // Surf. Sci.- 1974 .- V.43 .- №8 .- P.481-490.

41. Беляков Ю., Компанией Т. Адсорбция кислорода и водорода на грани (100) монокристаллов германия // ЖТФ-1972 .- т. 152 .- № 6 .- С. 1278-1282.

42. Беляков Ю., Волков М., Компаниец Т. Влияние способов очистки поверхности на адсорбционные свойства монокристаллов германия // ЖТФ .- 1974 .- т. 154 .- №6 .- С. 1298-1301.

43. Lander J.J. Progress in solid state chemistry / Ed. H.Reiss .- Oxford Pergamon .- 1965 .- V.2 .- P.226.

44. Lander J. J., Morrison J. Structures of clean surfaces of germanium and silicon // J. Appl. Phys .- 1963 .- V.34 .- № 5 .- P. 1403-1410.

45. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Наука .- 1983 .- 296 с.

46. Monch W. On the correlation of geometrical structure and electronic properties at clean semiconductor surfaces // Surf. \sci .- 1977 .- V.63 .- P.79-95.

47. Binning G., Rohrer H., Gerber Ch. Surface studies by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett.- 1982 .- V.49 .- №1 .- P.57-59. „

48. Verwerd W.S. Relaxation and reconstrution of Si and diamond (111) surfaces using X4H9 clusters // Surf. Sci.- 1979 .- V.80 .- P.89-100.

49. Neave J.H. Electron beam-adsorbate interactions on silicon surface // Surf. Sci1973 .- V.34 .- P.401-419.

50. Kirby R.E., Lienhtmann E. Electron beam induced effects on GaAs adsorption utilizing Auger electron spectroscopy CO and 02 on Si // Surf. Sci .- 1974 V.41 .-№2.- P.447-451.

51. Thomas S. Electron-irradiation effect in the Auger analysis of Si02 // J. Apply. Phys .- 1974 .- V.45 .- №1 .- P. 161-166.

52. Margoninski Y. AES srudy of electron-beam-induced interactions between oxygen and the Ge (111) serface // J. Apply. Phys .- 1976 V.47 .- №9 .-P.3868-3872.

53. Sinharoy S., Henzler M. Binding state on water vapor on cleaved germanium // Surf. Sci.- 1975 V.51.- P.75-88.

54. Hensier М. The effect of oxygen on surface structure and surface structure on cleaved germanium (111) face .- Surf. Sci.- 1971.- 24 .- p.209-218.

55. Allen F.G., Gobeli C.W. Workfunction on a.c. surface Si // Phys. Rev 1962 .-127 .-p. 150-162.

56. Handler P. Energy level diagrams for germanium and silicon surface // J. Phys. Chem. 1960 .- 14 .- p. 1-8.

57. Applbaum J.A., Hamann D.R. Surface states and surface bends of Si (111) // Phys.Rev. Lett.-1973.-31,- p. 106-108.

58. Кулешов В.Е., Кухаренко А.Н., Фридрихов С.А. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердого тела. М.: Наука,- 1982.

59. Лившиц В.Г. Электронная спектроскопия и процессы на поверхности кремния. М.:Наука.- 1985.

60. Корсуков В.Е., Лукьянченко A.C., Светлов В.Н. Вычисление КТР поверхности AI (111) методом характеристических потерь энергии электронами на плазмонах // Поверхность. Физика, химия, механика. -1983.-№ 11.- с. 28-37.

61. Ф.Розберн. Справочник по вакуумной технике и технологии. М.: Энергия,- 1972 г.

62. Р.В.Хемминг. Цифровые фильтры. .М.: Наука.- 1980. - 346 с.

63. R.I.G.Uhrberg, G.V.Hansson. Experimental studies of the dandling and dimer-bond-related surface electron bands on Si (111) (2x1) // Phys. Rev. В -1981.- V.24.-P.4684.

64. Галаев A.A., Пархоменко Ю.Н., Горюнова И.И., Кокаев А.Р. Термическое расширение поверхности Si(lll) и (100). Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Поверхность-89», Черноголовка,- 1989 г.,- с. 12.

65. Галаев A.A., Пархоменко Ю.Н. Исследование атомной структуры поверхности полупроводниковых кристаллов методом дифракции медленных электронов. В кн.: Поверхностные явления в полупроводниках. М.: Металлургия,- 1976,- с. 92-108.

66. Пархоменко Ю.Н., Галаев А.А. Влияние температуры и упругих напряжений на электронную структуру поверхности кремния (100) // Материалы электронной техники .- 1998 .- №2 с.40-43.

67. Nesterenko В. A., Rozumnyuk V. Т., Snitko О. V. Electrical properties of clean silicon surfaces with different crystalline orientations // Ibid. 1969.- vl6 .-Nl.-p. 239-245.

68. Jamazaki K., Jamada M., Jamamoto K., Abe K. // J. Appl. Phus.- 1984,- V. 23.- N6,- P. 681—686.

69. Полякова А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия.- 1979. - 166 с.

70. Uda T.Computer generation of structural model of hydrogenated amorhous silicon // J.Non-Crysn.Sol.- 1987 .- V.97 A 98 .- P. 175-178.

71. Wooten F., Winer K.,Weaire D. Computer generation of structural model of a-Si and a-Ge // PHYS.Rev.Lett.-1985 .- V.54 №13 .- p. 1392-1395.

72. Connel G.A.N., Lucovsky G. Structural models of amorphus semiconduction and insulators // J.Non-Cryst.Sol.- 1978 .- V.31 № 1-2 .- p. 123-155.

73. Anderson D. Random tetrahedral network with periodic boundary conditions // J.Non-Cryst.Sol.- 1974 .- V.16 .- № 2 p.317-320.

74. Winer K. Structural and vibration properties of a realistic model of amorphous silicon // PHYS.Rev.B. .- 1987 .- V.35 .- №5 .- p.2366-2374.

75. Wooten F.,Weaire D.Criteria for randomness of randomized network .-PHYS.Rev.С .- 1986 .- V.19 .-№19 .-p. 1411-1414.

76. Stillinger F.M., Weber T.A. Computer simulation of local order in condensed phases of silicon //PHYS.Rev.B. .- 1985 .-V.31 .-№8 .-p.5262-5271.

77. Ovshinsry S.R., Adler D. Local structure, bonding and electronic properties of covalent amorphus semiconductors // Contem.PHYS. .- 1978 .- V.19 .- №2 .p. 109-126.

78. Гавриленко В.И., Греков A.M., Катрич Г.А.и др. Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов в кремнии // ФТП .1983 .-.Т. 17 .-№9.- С. 1642-1647.

79. Mott D. Gap states in amorphus silicon dangling and floating bonds // Journal of Non-Crystalline solids .- 1987 .- V.97 A 98 p.79-82.

80. Kelly M.J. Creation and saturation of light induced defects in a-Si:H // Journal of Non-Crystalline solids .- 1987 .- V.97 A 98 .- p.92.

81. Spicer W. Light induced change in the density of states of a-Si:H // Journal of Non-Crystalline solids .- 1989 .- V.107 .- p.289-294.

82. Греков A.M., Гунько B.M. Клапченко Г.М. и др. Влияние водорода на оборванные связи в кремнии// ФТП .- 1983 .- Т. 10 .- С. 1859-1860.

83. Keyton А.С., Ribarsky M.F. Abinitio calculations on hydrogen-bounded silicon clustwrs // PHYS.Rev.B. .- 1981.- V.23 .- №6 .- p.2897-2910.

84. King H., Kramer В., MacKinnon A.Density of states and charge distribution in a-Si:H // Sol.St.Comm .-1983 .- V.47 .- №9 .- p.683-686/

85. Recursion method and it's application // Sol. State Science. V.58. - Red. Petifor. - №4. - Springer. - 1985. -128 p.

86. Уэйр Д., Торп Ф. Вычислительные методы в теории твердого тела .- М .: Мир 1986 .-380 с.

87. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел .- Мир .-1983 .-Т.2.-331 с.

88. B.von Roedern, Ley L., Cardona M. Photoelectron spectra of a-Si:H // PHYS.Rev.Lett.- 1977 .- P. 1576-1579.

89. Muuer J.N., Absence of band-gap surface states on clean a-Si // PHIL.Mag.B .- 1981 .- V.43 .- № 2 .- P.273-282.

90. B.von Roedern, Ley L., Cardona M. Photoemission studies on in situ prepared a-Si:H // PHIL.Mag.B .- 1979 .- V.40 .-№6 .- P.433-450.

91. Karcher R, Ley L. Photoemission spectra of hydrogenated and oxidized a-Si //Solid.State Comm .- 1982 .- V.43 .- №6 P.415-418.

92. Burnham N.A. Electron energy loss spectroscopy study of a-Si:H // Vac.Sci.Technol.A .- 1987 .-V.5 .- №4 P.2016.

93. Ley L. X-Ray Photoemission spectra of crystalline and a-Si, a-Ge Valence bands // PHYS.Rev.Lett.-1972 V.29 .-№16 .- P. 1088-1091.

94. Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под ред. Дж.Джоунопулоса и Дж.Люковски .-М.:Мир .- 1988 .- 488 с.

95. Senemaud С. Electronic structure of a-Si:H by soft X-Ray spectroscopy // Sol.St.Comm .- 1982 .- V.43 .- №6 .-P.484-485.

96. Данилин А.Б. Реактивная ионная имплантация как метод создания структур кремний на изоляторе // Зарубежная электронная техника .- 1986 .-№4.- С.62-81.

97. Hemmet P.L.F., Reeson K.J., Kilner J.A. and Krause S.J. SIMOX Bibliography // Vacuum .- 1991 .- V.42.-№5/6 .- P.393-453.

98. Jaussaud C., Margail J., Strormenos J. And Bruel M. High Temperature Annealing of SIMOX Layers: Physical Mechanisms of Oxygen Segregation // Mater.Res>Soc.Symp.Proc .- 1988.-V.107.-P. 17-22.

99. Stein H.J. Buried Insulator Formation in Silicon by Ion Implantation: A review. Presented at 1986.

100. Данилин А.Б., Мордкович B.H. Физические проблемы создания КНИ-структур методом реактивной ионной имплантации (препринт). Черноголовка,-1989.

101. Nesbin L.,Stiffler S., Slusser G. Formation of SOI Structures by Implanted Nitrogen//J.Electrochem.Soc .- 1985 .-V.132 .- №11 .- P.2913-2917.

102. Wong J.K.,Kilner J.A. Study of silicon-on-insulator Structures Formed by Low Dose Oxygen and Nitrogen Implantation // Mat.Sci. and Engineering .1991 .- B12 .- 000-000 (corr.exz.).

103. Hemment P.L.F., Peart R.F., Yao M.F. et all. High Quality Silicon on Insulator Structures Formed by the Thermal Redistribution of Implanted Nitrogen// Appl.Phys.Lett.- 1985 .-V.46 .-№10 .- P.925-954.

104. Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС.- Наука: Новосибирск 1977 .- 256 с.

105. Hezel S. Si(LVV) Auger spectra of amorphous Si-oxide, Si-nitride, and Si-oxynitride // J.Apple.Phys .- 1980 .- V.51 .- №5 .- P.2566-2568.

106. Hezel R., Streb W. Charaterization of Silicon Oxynitride Films Prepared by Simultaneous Implantation of Oxygen and Nitrogen Ions into Silicon // Thin Solid Films .- 1985 .- V.124 .-№1 P.35-41.

107. Vasquez R.P., Madhukar F., Grunthaner F.J. and Naiman M.L. An X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of the Thermal Nitridation of Si02/Si // J.Apple.Phys .- 1986 .-V.60 .- №1.- P.226-233.

108. Nesbit L., Slusser G., Frenette R. And Halbach R. Microstructure of Silicon Implanted with High Doses of Nitrogen and Oxygen // J. Electrochem. Soc .1986 .-V.133 .- P.1186-1194.

109. Мордкович B.H. Структуры «кремний на изоляторе» перспективный материал микроэлектроники // Материалы электронной техники .- 1998 .№2.- С.4-7.

110. Riviere J.C., Crosseley J.A.A. and Sexton B.A. Silicon Oxynitride Films: Ion Bombardment Effects, Depth Profiles and Ionic Polarization, Studied with the Aid of the Auger Parameter// J.Appl. Phys .- 1988 .-V.64 .-№9 .- P.4585-4600.

111. Брытов И.А., Гриценко В.А., Ромащенко Ю.Н. Ближний порядок и электронная структура аморфного SiNxOy // ЖЭТФ .- 1985 .- Т.89 .- №2 .-С.562-572.

112. Шервуд П.М.А. Обработка данных в РФЭС, п.3.7.2.3. Нормировка по площади // Приложение 3 в Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха. М.: Мир .- 1987 .- 525 с.

113. Itoh Т., Hayamizu Y. and Abe T. In-Diffusion of Nitrogen from N2 Ambient and its Aggregation at Lattice Imperfection in Silicon Cristals // Materials Science and Engineering В .- 1989 .- V.4 .- P.309-313.

114. Bultena S., Gujrathi S.C., Brebner J.L. et all. Nitrogen in-diffusion and accumulation in oxygen-implanted silicon during thermal annealing // X Int.Conf. on Ion Implantation Technology IIT-94, Catania-Italy 13-17 June 1994.- P-3.70.

115. Scorupa W., Knothe P. And Grotzchel R. Diffusion Inhibition Against Gold of Beam Synthesized Buried Silicon Nitride Layers in Silicon // Nucl.Instrum.Methods В .- 1988 .- V.34 .- P.532-537.

116. Schork R, Ryssel H. Ion Beam Synthesis of Buried Nitride Layers with High Quality Interfaces // X Int. Conf. On Ion Implantation Technology IIT-94 , Catania-Italy 13-17 June 1994 .- P-3.61.

117. Сих М.П., Бриггс Д. Перспективы анализа поверхности и границ раздела // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д.Бриггса и М.П. Сиха . М.: Мир 1987 .- С.22.

118. Van Ommen А.Н., Коек В.Н., Viegers М.Р.А. Ordering of Oxide Precipitates in Oxygen Implanted Silicon // Appl. Phys. Letts .- 1986 .- V.49 .P. 1062.

119. Хофман С. Послойный анализ // Анализ поверхнсти методами оже- и рентеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред Д. Бриггса и М.П. Сиха . М.: Мир .- 1987 .- С. 182.

120. Ривьер Дж. К. Оборудование // Анализ поверхности методами оже- и рентеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир .- 1987 .- С.

121. Фельдман JI. и Майер Д. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, п.9.4. Энергетический спектр фотоэлектронов // Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.:Мир .- 1989 .- С.219.

122. Himpsel F.J., McFeely F.R., Taleb-Ibrahimi A. Et all. Microscopic Structure of the Si02/Si Interface // Phys. Rev. В.- 1988 .- V.38 №9 .- P.6048-6096.

123. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy by J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E.Sobol, K.D.Bomben, edited by J.Chastain, Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, 6509 Flying Cloud Drive, Eden Prairie, Minnesota 55344, USA .- 1992.

124. Labunov V.A. and Protasevich P.V. XPS and AES Investigation of Silicon Oxidation by Ion-Implanted Oxygen // Nucl. Inst. & Meths. В .- 1989 .- V.39 № 1/4 .- P.466.

125. Барит И.Я., Борун А.Ф. Данилин А.Б. и др. Профили концентрации азота и кислорода, одновременно имплантированных в кремний / Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Ионно-лучевая модификация материалов". Черноголовка .- 1987 .- С. 107.

126. Мао B.Y., Chen С.Е., Pollack G. et all. Total Dose Hardening of Buried Insulator in Implanted Silicon-on-Insulator // IEEE Tranc. Nucl. Sci .- 1987 .-V.6 .-№34 .-P. 1692-1998.

127. Maeyama S., Kajiama K. Surface Silicon Crystallinity and Anomalous Composition Profiles of Buried Si02 and Si3N4 Layers Fabricated by Oxygen and Nitrogen Implantation in Silicon // Jap. J. Appl. Phys .- 1982 .- V.21 .- №5 .- P.744-751.

128. Эльдман Ф.Л. Структура компонентов БИС . Новосибирск: Наука .- 1977 .- С.108.

129. Borun A.F., Danilin А.В., Mordkovich V.N. and Temper E.M. Behavior of 0+ and N+ Upon Simultaneous Substoichiometric Implantation into Silicon // Radiat. Eff.- 1988 .- V.107 .- P.9-13.

130. Handbook of x-ray Photoelectron Spectroscopy by J.F. Moulder et. all, edited by J.Chastain, Perkin Elmer Corporation, Physical Electronics Division, 6509 Flying Cloud Drive, Eden Prairie, Minnesota 55344, USA, ©1992.

131. Нефедов В.И. Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений. М.:Химия .- 1984 .- 150 с.

132. Danilin А.В., Drakin К.A., Malinin A.A. et all. Behavior of implanted nitrogen in Si with the buried layer of Si02 precipitates // Sol.State Phenomena .- 1991 .- V.19&20 .- P.405-410.

133. A.E.White, K.T.Short, R.C.Dynes, J.P.Garno and J.M.Gibson. Mesotaxy: Single-crystal growth of buried CoSi2 layers. // Appl.Phys.Lett.V.50(2), 1987, p.95-97

134. J.C.Barbour, S.T.Picraux and B.L.Doyle. Buried silicide synthesis and strain in cobalt-implanted silicon. // Mat.Res.Soc.Symp.Proc. V.107, 1988, p.269-275.

135. A.H.van Ommen, J.J.M.Ottenheim., A.M.L.Theunissen and A.G.Mouwen. Synthesis of heteroepitaxial Si/CoSi2/Si structures by Co implanted into Si. // Appl.Phys.Lett. V.53(8), 1988, p.669-671

136. K.Kohlhof, S.Mantl., B.Stritzker and W.Jager. Formation of buried epitaxial Co silicides by ion implantation. // Nucl.Inst.Meth.Phys.Res. B39, 1989, p.276-279

137. Х.Риссел, И.Руге. Ионная имплантация. / -М.: Наука, 1983. -360 с

138. I.Kasko, C.Dehm, L.Frey and H.Ryssel. effect of ion-beam mixing temperature on cobalt silicide fprmation. // Nuc.Instr.Meth.Phy.Res.B80/81, 1993, p.786-789

139. E.H.A.Dekempeneer, J.J.M.Ottenheim, D.E.W.Vandenhoudt, C.W.T.Bulle-Lieuwma and E.G.C.Lathouwers. // Nuc.Instr.Meth.Phy.Res.B55, 1991, p.769-772

140. Ю.Н.Пархоменко, А.А.Галаев, А.В.Боженов, Е.А.Выговская и К.Д.Щербачев. Влияние параметров ионно-лучевого синтеза на формирование скрытых слоев в кремниию // Материалы Электронной техники. №1, 1999, с. 11-15

141. В.Ю.Троицкий. Модификация поверхностных слоев кремния высокоинтенсивными ионными пучками./ 1996, М. с. 200

142. J.F.Zigler, J.P.Biersack and O.Littmark. The stopping and Range of Ion in Solid / -1985, -V.l, Pergamon Press, Oxford

143. Валиев K.A., Евгеньев С.Б., Орликовский A.A. и др. Синтез скрытых слоев дисилицида кобальта в кремнии методом высоко-дозовой ионной имплантации. //Тр. ФТИАН. 1993. Т.6. с.70-79

144. Дворина Л.А. Перспективы развития исследований в области силицидов. /К.:ИПМ, 1991. с.33-35

145. L.Bischoff, K.-H.Heinig, J.Teichert and W.Skorupa. Submicron CoSi2 structures fabricated by focused ion beam implantation and local flash lamp melting. //Nucl.Inst.Meth.Phys.Res. B112, 1996, p.201-205

146. Глазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. / -М.: Наука, 1967. -372 с

147. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов. / М.: Металлургия, 1970

148. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды. / -М.: Металлургия, 1979. -271 с

149. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. / -М.: Металлургия, 1971. -584 с

150. Шанк Ф.А. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1973.-760 с.

151. Lexa D., Kematick R.J. and Myers C.E. Thermodynamics of phase formation of the cobalt silicides. // Chem.Mater. -1996. -V.8. -p.2636-2642.

152. Мыорарка Ш. Силициды для СБИС. / -М.: Мир, 1986. с. 176

153. By.P.V.Satyam, K.Sekar, G.Kuri, B.Sudaravel, D.P.Mahapatra and B.N.Dev. Defects in the ion-beam synthesized epitaxial Si/CoSi2/Si(lll) system. // Philosophical Magazine Letters, V.73, 1996, N.6, p.309-317

154. M.Palard, M.O.Ruault, O.Kaitasov, H.Bernas and K.H.Heinig. Irradiation induced growth of CoSi2 precipitates in Si at 650°C: An in situ study. // Nucl.Inst.Meth.Phys.Res. B120, 1996, p.212-215

155. Hamman D.R.// Phys. Rev. Lett. -1988. -V.60. -p.313.

156. T.Ito, H.Azuma and S.Noda. Internal stress of CoSi2 films formed by rapid thermal annealing. // Jpn.J.Appl.Phys. V.33, 1994, p.5681-5685

157. G.Bai, M-A.Nicolet and T.VreelandJr. Elastic and thermal properties of mesotaxial CoSi2 layers on Si. // J.Appl.Phys., V.69, 1991, N.9, p.6451-6455

158. A.A.Galaev, Yu.N.Parkhomenko, D.A.Podgorny, K.D.Chtcherbatchev. Phase formation of buried CoSi2 layers in Si(100) obtained by ion implantation., 8th Conference on Applications of Surface and Interface Analysis EC ASIA'97 (Stockholm, 1997)

159. J.F.Ziegler. Ion implantation. Science and Technology / Academic Press, Orlando, 1984

160. И.М.Лифшиц, В.В.Слезов. //ЖЭТФ, 1958, т.36, N.2(8), с.479-492

161. C.Wagner. // Z.Elektrochem. 1961, N.65. р.35

162. С.З.Бокштейн. Процессы диффузии, дефекты структуры и свойства материалов. / -М. Металлургия, 1976.

163. Б.И.Болтакс. Диффузия в полупроводниках. / -М: ФИЗМАТГИЗ, 1961, с.464

164. Б.С.Бокштейн, С.З.Бокштейн, А.А.Жуховицкий. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах. / -М: Металлургия, 1974

165. D.A.Porter and K.E.Easterling. Phase Transportations in Metals and Alloys / Van Nostrand-Reinhold, New-York, 1981, p. 115.

166. J.W.Martin and R.D.Doherty. Stability of Microstructure in Metallic Systems / Cambridge University Press. Cambridge. 1976

167. D.Lexa, RJ.Kematick and C.E.Myers. Thermodynamics of phase formation of the cobalt silicides. // Chem.Mater., V.8, 1996, p.2636-2642

168. D.R.Sparks,R.G.Chapman and N.S.Alvi. Anomalous diffusion and gettering of transition metals in silicon. // Appl.Phys.Lett. 1986. V.49. N9. p.525-527

169. F.D.Schowengerdt, T.L.Lin, RW.Fathauer and P.J.Grunthaner. Diffusion of Si in thin CoSi2 layers.

170. W.Ostwald. Z. Physik. Chem. / 1900, N.34, p.495

171. V.Boldyrev K.Meyer. Festkorperchemie / VEB Deutscher Verlag fur Grundstoffmdustrie, Leipzing, 1973, p.374

172. K.Rademacher, S.Mantl, Ch.Dieker, H.Luth and C.Freiburg. Growth kinetics of iron silicides fabricated by solid phase epitaxy or ion beam synthesis. // Thin Solid Films, V.215, 1992,p.76-83

173. M.Strobel, S.Reiss and K.-H.Heinig. Evolution of nanocluster ensembles: Computer simulation of diffusion and reaction controlled Ostwald ripening. // Nuc.Instr.Meth.Phy.Res. B120, 1996, p.216-220

174. S.Reiss and K.-H.Heinig. Ostwald ripening during ion beam synthesis a computer simulation for inhomogeneous systems. // Nuc.Instr.Meth.Phy.Res. B84, 1994, p.229-233

175. P.W.Voorhees, // J.Stat.Phys., 1985, N.38, p.231

176. A.J.Arldell, RB.Nicholson and J.D.Essheldy. // Acta Metall., 1966, N.14, p. 1295

177. K.Enomoto and K.Kawasaki. // Acta Metall., 1989, N.37, p. 1399

178. G.Bai, Marc-A.Nicolet, T.Vreeland,Jr., Q.Ye and K.L.Wang. Strain in epitaxial CoSi2 films on Si(lll) and interface for pseudomorphic growth. // Appl.Phys.Lett. 1989. V.55. N18. p. 1874-1876

179. A.baba,H.Aramaki,T.Sadoh and T.Tsurushima. Growth kinetics of CoSi formed by ion beam irradiation at room temperature. // J.Appl.Phys., V.82, 1997, N.ll, p.5480-5483

180. M.Palard, M-O.Ruault, H.Bernas, M.Strobel and K-H.Heinig. In situ TEM study of the evolution of CoSi2 precipitates during annealing and ion irradiation. Inst.Phys.Cinf.Ser.157., 1997, p.501-506

181. W.C.Jonson, P.W.Voorhees and D.E.Zupon. // Metall.Trans. 1989, N.20A, p. 1175

182. H.Trinkaus and S.Mantl. Precipitation kinetics in silicon during ion beam synthesis of silicide layers. // Nuc.Instr.Meth.Phy.Res. B80/81, 1993, p.862-866

183. A.Hiraki. Initial formation process of metal/silicon interfaces. // Surface Science, V.168, 1986, p.74-99

184. S.Takeda. The structures of extended defects in Si and other materials studied by HREM. // Instr.Phys.Conf.Ser.N. 157, 1997, p.25-34

185. Th.Englert, G.Abstreiter and J.Pontcharra. Determination of existing stress in silicon films on sapphire substrate using raman spectroscopy. // Solid States Electronics, V.23, 1980, p.31-33

186. K.Kato, M.Takai, S.Namba, R.Schork and H.Ryssel. Raman measurement of lical SOI structure by SIMOX. // Nuc.Instr.Meth.Phy.Res.B55, 1991, p.710-713

187. H.Richter, Z.P.Wang and L.Ley. The one phonon raman spectrum in microcrystalline silicon. // Solid States Communications, V.39, 1981, p.625

188. Надоров В.П., Полисан A.A. Производство солнечных батарей на основе сплавов гидрогенизированного аморфного кремния. //Цветные металлы. 1995. - с. 8.

189. Madan. A., Ovshinsky S.R., BennE. //Phil. Mag. 1975.- v40. - р.259-260.

190. Wilson R.G., Stevie F.A., Magee C.W. Secondary Ion Mass Spectrometry. New York, 1989.

191. Matsuda A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1986. - v.25.- p.X54-X56.

192. Matsuda A. // J. Appl. Phys. 1986. - v.60. - p.4025-4027.

193. Burdick J., Glatfelter Т. // Solar Cells 1986. - v. 18.- p.301-314.

194. Yang L., Chen L., Catalono A. // Appl. Phys. Lett. -1991. v.59. - p.840-842.

195. Reedy R. Mason B. et al // Conf. Amorphous and Microcristaiiine Silicon Technology 507,- Pittsburgh 1998.-p.7216291. С О В Л А К С

196. Общество с ограниченной ответственностью

197. Москва, Кулаков пер., 15 (15, KuJakov per., Moscow, 129626), тел./1е1.: [phone], факс/Гах: [phone]

198. Е mail: sovlux - mail@mtu - net.ru

199. В рабочих стандартах предприятия предусмотрено проведение периодических исследований указанных структур на установке ВИМС по разработанным методикам.

200. Утверждаю» ?Р^ъного директорат.н. Полисан А. А.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы Пархоменко Юрия Николаевича1. Председатель комиссии:1. Члены комиссии:1. А.Н. Туркин