Анализ дефектов структуры полупроводников по рентгенотопографическим и поляризационно-оптическим розеткам контраста тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, доктор физико-математических наук Окунев, Алексей Олегович

• Окунев, Алексей Олегович
• доктор физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Окунев, Алексей Олегович

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ.

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ПРЯМЫЕ НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЁТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР).

1.1. Современное состояние рентгеновской топографии.

1.1.1. Общая характеристика методов рентгеновской топографии.

1.1.2. Физические принципы методов рентгеновской топографии.

1.1.3. Вопросы интерпретации изображений в рентгеновской топографии.:.

1.2. Поляризационно-оптический метод исследования дефектов в кристаллах (метод фотоупругости).

1.2.1. Физические принципы поляризационно-оптического метода.

1.2.2. Применение метода фотоупругости для анализа дефектов монокристаллов.

1.3. Выводы и постановка задач диссертационного исследования.

Глава 2. АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, ПОДГОТОВКА МОНОКРИСТАЛЛОВ.

2.1. Подготовка монокристаллов для оптических и топографических исследований.

2.2. Политипный анализ кристаллов 8Ю.

2.3. Аппаратура и геометрия съёмки.

2.4. Оцифровка экспериментальных топограмм и поляризационно-оптических снимков.

2.5. Компьютерная обработка топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов кристаллической решётки монокристаллов. 2.5. Выводы.

Глава 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТРАСТА ИНТЕНСИВНОСТИ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ В МЕТОДАХ РТБ И

ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА.

3.1. Метод расчёта бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций.

3.2. Моделирование изображений дислокаций в методе РТБ.

3.3. Моделирование изображений микродефектов в методе РТБ.

3.4. Моделирование поляризационно-оптических изображений дислокаций.

3.5. Выводы.

Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ

МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ РТБ.

4.1. Экспериментальный контраст от дислокаций в методе РТБ.

4.1.1. Контраст от дислокаций в кристаллах SiC.

4.1.2. Краевые дислокации в кристаллах GaAs.

4.1.3. Дислокации в монокристаллических сплавах (Bi+Sb).

4.2. Исследование дефектов упаковки методом РТБ.

4.2.1. Теоретические модели дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой алмаза.

4.2.2. Моделирование контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния в методе РТБ.

4.2.3. Исследование ростовых ДУ в монокристаллах кремния методом РТБ.

4.3. Экспериментальный контраст от микродефектов в методе

4.3.1. Исследования микродефектов в кристаллах 81, 8Ю, ваАБ и 278 (В1+БЬ).

4.3.2. Цифровая обработка изображений микродефектов.

4.4. Определение чувствительности метода РТБ при исследовании различных материалов.

4.5. Выводы.

Глава 5. РЕНТГЕНОВСКИЙ КОНТРАСТ ОТ ДИСЛОКАЦИЙ В УСЛОВИЯХ СЛАБОГО ПОГЛОЩЕНИЯ.

5.1. Получение секционных и проекционных топограмм дефектов в монокристаллах 81С.

5.2. Секционные изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности кристаллов 8¡С.

5.3. Изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности кристаллов 8Ю, в методе Ланга.

5.4. Выводы.

Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ.

6.1. Исследование дислокаций в монокристаллах 8Ю, выращенных методом Лели.

6.2. Применение метода фотоупругости для исследования дефектов в монокристаллах 8Ю, выращенных методом ЛЭТИ.

6.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Анализ дефектов структуры полупроводников по рентгенотопографическим и поляризационно-оптическим розеткам контраста»

Одной из основных проблем физики реальных твёрдых тел является проблема зарождения дефектов кристаллической решётки и их влияния на структурночувствительные свойства кристаллов. Актуальность этой проблемы в последние годы ещё более возросла в связи с бурным развитием микро- и наноэлектроники, внедрением новых полупроводниковых материалов и технологических процессов.

Образование дефектов кристаллической решётки, их размножение при высокотемпературных обработках кристалла и взаимодействие между собой является одной из основных причин снижения процента выхода и надёжности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также деградационных процессов, протекающих в них. Поэтому разработка и совершенствование высокоразрешающих физических методов обнаружения и исследования дефектов структуры и их внедрение в практику научно-исследовательских и производственных лабораторий являются актуальными задачами физического материаловедения.

Особое значение в решении этих задач приобретают высокочувствительные методы рентгеновской дифракционной топографии, которые, являясь прямыми и неразрушающими, позволяют получать наиболее объективные и детальные сведения о ростовых и технологически внесённых дефектах в кристаллах различной физико-химической природы.

Одним из наиболее чувствительных к различного рода дефектам в монокристаллах является метод рентгеновской топографии на основе эффекта Бормана (метод РТБ). Использование метода РТБ долгие годы сдерживалось отсутствием теории рентгенодифракционного контраста и требовало подтверждения полученных результатов другими независимыми методами. Применение в работах Л.Н. Данильчука розеточной методики для обнаружения и идентификации дефектов в кремнии и германии расширило возможности метода РТБ за счет получения нового класса дифракционных изображений - розеток интенсивности [1]. По розетке контраста определяются все основные параметры дислокации - кристаллографическое направление оси дислокации, направление, знак и величина вектора Бюргерса. Следует отметить, что по единственной топограмме с розетками контраста в методе РТБ возможно получить такую информацию о дефекте (в частности, знак деформации решётки вблизи дефекта, природу микродефектов и дефектов упаковки), которую затруднительно или невозможно получить другими методами. Метод показал свою эффективность при исследовании дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях и микродефектов.

Высокая чувствительность и большие возможности при анализе отдельных дефектов делают метод РТБ особенно привлекательным при исследовании высокосовершенных кристаллов. Следует ожидать, что применение розеточной методики для исследования других материалов электронной техники будет также высокоэффективно и даст новые научные результаты.

Другим методом, в котором дефекты выявляются и интерпретируются по формируемым ими розеткам контраста, является метод поляризационно-оптического анализа (ПОА). Несмотря на развитую теорию, позволяющую достаточно полно охарактеризовать выявляемые дислокации, наглядность и простоту реализации, данный метод относительно редко применяется для исследования дефектов структуры полупроводников.

Наличие среди кристаллов 8Ю высокосовершенных образцов с прямолинейными дислокациями и возможность полностью охарактеризовать дефекты в БЮ с помощью методов РТБ и ПОА делают этот материал перспективным для проведения специальных дифракционных экспериментов, направленных на изучение механизмов формирования дифракционного контраста. [2].

Наличие факторов, затрудняющих анализ экспериментальных топограмм и поляризационно-оптических снимков (зернистость, слабый контраст, фоновая неоднородность), обусловливает необходимость разработки цифровых методов анализа этих специфических изображений. В качестве тестовых объектов при апробировании разработанных алгоритмов и программ цифровой обработки в диссертации использовались изображения дефектов структуры монокристаллов БЮ, так как для данного материала характерен малый размер изображений краевых дислокаций, что предъявляет повышенные требования к разрешающей способности и эффективности предлагаемых цифровых методик.

Цель работы. Целью данной диссертационной работы являются развитие методов РТБ и поляризационно-оптического анализа, повышение их информативности и надёжности применением для анализа экспериментальных данных и идентификации дефектов структуры компьютерного моделирования и цифровой обработки, дальнейшее развитие розеточных методик и их применение к исследованию перспективных материалов электронной техники, получение новой количественной и качественной информации об их реальной структуре, анализ особенностей изображений структурных дефектов в различных топографических методах.

Методы исследования. Основными методами исследования дефектов структуры полупроводников являлись: рентгенотопографический метод на основе эффекта Бормана, розеточные методики на его основе, методы секционной и проекционной топографии Ланга, двухкристальная рентгенотопография в геометрии Брэгга, дифрактометрия, поляризационно-оптический анализ (метод фотоупругости), оптическая микроскопия видимого и ИК-диапазона, селективное травление, моделирование на компьютере контраста интенсивности от дефектов структуры, цифровая обработка экспериментального контраста, основанная на анализе яркостных характеристик и частотном Фурье- и вейвлет-анализе.

Научная новизна. Диссертационная работа характеризуется следующей научной новизной.

1. Методом РТБ обнаружен, теоретически и экспериментально исследован контраст в виде розеток интенсивности от дислокаций различных типов в монокристаллах ЭЮ, ЭаАБ и монокристаллических сплавах (В1+8Ь), изучены закономерности изменения дислокационных розеток интенсивности в зависимости от условий дифракции.

2. Методом РТБ обнаружен, изучен и систематизирован контраст интенсивности от когерентных включений в кристаллах БЮ, ваАэ и (В1+8Ь). На основании теоретического исследования контраста предложен и реализован метод идентификации различных когерентных включений. Микродефекты идентифицированы как когерентные выделения второй фазы, деформирующие матрицу как по типу внедрения, так и по типу вакансии.

3. Проведено моделирование теоретического контраста основных типов дефектов структуры исследованных материалов в методе РТБ. На основе моделирования разработаны методики идентификации дислокаций и микродефектов, определения их количественных и качественных параметров.

4. В методе РТБ теоретически и экспериментально исследован контраст интенсивности от отдельных частичных дислокаций, ограничивающих ростовые дефекты упаковки в 81, при распространении волнового рентгеновского поля вдоль их осей. Путём идентификации частичных дислокаций определена природа и структура простых и сложных ростовых дефектов упаковки.

5. Методом секционной топографии впервые получены и исследованы изображения дислокаций в монокристаллах выявлены особенности изображений краевых, винтовых и смешанных дислокаций, лежащих в плоскости рассеяния перпендикулярно вектору дифракции в методах секционной топографии и Ланга.

6. В монокристаллах ЭЮ для основных типов дефектов структуры проведено сопоставление дифракционных изображений, полученных различными рентгенотопографическими методами: методом РТБ, методами секционной и проекционной топографии Ланга, методом двухкристальной топографии в геометрии Брэгга. Проведено сопоставление информативности и достоверности методов.

7. В монокристаллах БЮ впервые методом поляризационно-оптического анализа обнаружены и исследованы фигуры двойного лучепреломления от индивидуальных дислокаций.

8. Для анализа изображений дефектов структуры, имеющих вид розеток интенсивности, и устранения «зашумляющих факторов» применены методы цифровой обработки, основанные на анализе яркостных характеристик и частотном вейвлет-анализе. Использование специально разработанных алгоритмов и программ позволило устранить фоновую неоднородность и зернистость экспериментального контраста, обнаружить ранее не выявляемые особенности изображений дефектов.

9. Для исследованных материалов проведена экспериментальная оценка чувствительности метода РТБ к макро- и микродеформациям, создаваемыми дефектами структуры.

10. Получены новые данные о дефектной структуре монокристаллов 81С, ваАБ, (ВЬ-8Ь) и 81.

Обоснованность и достоверность полученных результатов и выводов подтверждается применением комплекса рентгеновских методов и методик, большим количеством используемых отражений и образцов; применением контрольных и дополнительных методов ИК-микроскопии и металлографических наблюдений; хорошей корреляцией экспериментальных и теоретических результатов исследований; широким апробированием основных результатов работы на конференциях и семинарах различного ранга, включая международные.

Практическая значимость полученных результатов состоит в следующем:

- повышена информативность, достоверность метода РТБ и розеточных методик на его основе при выявлении дефектов в монокристаллах различной физико-химической природы, от широкозонных (8Ю) до полуметаллов (Вг+8Ь), за счёт применения компьютерного моделирования и цифровой обработки изображений;

- разработаны и опробованы на большом количестве образцов методики исследования структурных дефектов в полупроводниках, основанные на анализе изображений розеточного типа;

- для метода РТБ развита полуфеноменологическая теория контраста, позволяющая интерпретировать изображения розеточного типа и определить основные характеристики дефектов структуры;

- создан пакет программ для расчёта и построения теоретических розеток эффективной деформации и контраста от основных типов дефектов структуры;

- для исследованных материалов и различных условий эксперимента составлены атласы расчётных и экспериментальных рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры, применение которых в условиях научных и производственных лабораторий значительно упрощает процесс идентификации дефектов, выявляемых методами РТБ и поляризационно-оптического анализа;

- для устранения факторов, затрудняющих идентификацию дефектов структуры (зернистость (гранулярность), слабый контраст и фоновую > неоднородность топограмм и фотоснимков) применены разработанные методы цифровой , обработки, основанные на анализе яркостных и частотных характеристик экспериментального контраста; позволившие выявить «тонкие» особенности экспериментального контраста; предложены' методы- оцифровки топограмм и микроснимков непосредственно с'негатива;

- спроектирована; и изготовлена сканирующая, топографическая камера для кососимметричных, несимметричных и симметричных съёмок, позволяющая существенно увеличить информативность метода РТБ;

- модернизировано оборудование и оптимизирован режим резки, монокристаллов карбида кремния, разработана компьютерная программа статистической обработки результатов измерений толщины; пластин.

Результаты диссертационной: работы могут представлять научный и практический интерес для1 специалистов, работающих в областях физического материаловедения и структурного анализа, компьютерного моделирования и цифровой обработки изображений,, научных лабораторий; институтов- РАН и Минобрнауки РФ. В совместной с ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследования материалов электронной техники разработанные методы регистрации дефектов структуры и определения; их физической природы широко применяются при исследовании и диагностике различных полупроводниковых материалов, подготовке диссертаций, выпускных квалификационных работ, при чтении спецкурсов для студентов физических и инженерных специальностей НовГУ им: Ярослава Мудрого.

Научные положения, выносимые на защиту.

Результаты теоретических и экспериментальных исследований реальной структуры полупроводников позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту.

1. В кристаллах различной физико-химической природы ^С, СаАв,

ВН-вЬ) и БО дефекты кристаллической решётки с медленно изменяющимися полями деформаций (полные и частичные дислокации, когерентные выделения второй фазы) формируют контраст в виде розеток интенсивности, который хорошо соответствует теоретическому контрасту, рассчитанному по модифицированным уравнениям Инденбома-Чамрова.

2. В кристаллах, исследованных методом РТБ, выявлены особенности изображений краевых, винтовых и смешанных дислокаций при различных условиях дифракции, по которым определяются их основные качественные и количественные характеристики.

3. Использование розеточной методики, основанной на явлении аномального прохождения рентгеновских лучей, позволяет путём идентификации частичных и вершинных дислокаций установить природу простых и сложных ростовых дефектов упаковки.

4. В методе секционной и проекционной топографии Ланга при различных условиях дифракции выявлены характерные особенности изображений дислокаций, позволяющие надёжно идентифицировать дефект и определить его характеристики.

5. Тип микровключений второй фазы, глубина их расположения в монокристалле и значение параметра е, характеризующего упругую деформацию включения, могут быть определены розеточной методикой в условиях эффекта Бормана.

6. Ростовые микродефекты в кристаллах 81, выращенных методом Чохральского, 81С, ваАв и монокристаллических сплавах (В1+8Ь), регистрируемые методами рентгеновской топографии, представляют собой когерентные выделения второй фазы.

7. Методом фотоупругости в монокристаллах вКИ идентифицируются индивидуальные краевые и смешанные дислокации, параллельные оси [0001], а также имеющие углы наклона к оси [0001] до 50°.

8. Экспериментальная поляризационно-оптическая розетка содержит дополнительные слабые лепестки контраста, соответствующие лепесткам рентгенотопографической розетки, сформированным релаксационным полем смещений в кристалле.

Апробация работы. Основные результаты диссертационного исследования докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

1. Международном семинаре «Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе», Новгород, 1995;

2. Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ'97), Москва-Дубна, 1997;

3. Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы», Новгород, 1997;

4. I Международном семинаре «Актуальные проблемы прочности» имени В.А. Лихачева, Новгород, 1997;

5. Второй национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-99), Москва, 1999;

6. III международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (ISSCRM-2000), Великий Новгород, 2000;

7. III Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001), Москва, 2001;

8. IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Novgorod the Great, 2002;

9. Международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2002;

10. Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на его основе «Кремний-2003», Москва, 2003;

11. V International seminar on silicon carbide and related materials. Velikiy Novgorod. 2004;

12. 4 национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2003), Москва, 2003;

13. Втором научном семинаре с международным участием «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2004;

14. 2-ой Украинской научной конференции по физике полупроводников, Черновцы, Украина, 2004;

15. Пятой Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования наноматериалов и наносистем (РСНЭ НАНО-2005), Москва, 2005;

16. Третьем международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2006;

17. III Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века», Черноголовка, 2006;

18. Первой международной научной школе-семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2007;

19. Российском симпозиуме «Космическое материаловедение» - 2007 г. (КМ-2007), Калуга, 2007 г.

20. VI Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2007), Москва, 2007;

21. Второй международной научной школе-семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии)», Великий Новгород, 2008;

22. Четвёртом международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия,. электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2008;

23. Ежегодных научных конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов НовГУ им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, 1995-2006 гг.;

24. Научных семинарах Отделения физики диэлектриков и полупроводников ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2000-2006 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 87 работ, из них 32 в академических журналах и журналах, рекомендованных ВАК, остальные представляют собой расширенные тезисы докладов, издано 5 научных монографий. Перечень основных публикаций приведён в заключении.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы, содержащего 293 наименования и приложения. Объём диссертации составляет 457 страниц, включая 145 рисунков на 147 страницах, 7 таблиц на 7 страницах, 2 листинга программ.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Окунев, Алексей Олегович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Прямые и неразрушающие методы исследования дефектов кристаллической решётки, в которых регистрируются изображения розеточного типа (метод РТБ и метод поляризационно-оптического анализа), показали свою высокую эффективность при исследовании широкого класса полупроводниковых материалов, от широкозонных полупроводников (Б1С) до полуметаллов (В1+8Ь). Регистрируемые экспериментально розетки контраста отображают поле деформаций (в методе РТБ) и напряженйй (в методе ПО А) и, в конечном счёте, поле смещений вокруг дефекта. Розеточные методики позволяют по одному изображению дефекта однозначно определить все его основные характеристики.

Несмотря на свою простоту, полуфеноменологическая теория бормановского контраста, основанная на модифицированных уравнениях Инденбома-Чамрова, позволила получить качественные и количественные данные о дефектах структуры исследованных полупроводников. При дальнейшем развитии с её помощью будет возможен анализ дислокаций общего положения, наклонённых под различными углами к поверхности кристалла.

В данной работе особенности экспериментальных изображений дислокаций исследовались, в первую очередь, на примере высокосовершенных кристаллов 8Ю, для которых характерно наличие прямолинейных дислокаций различных типов. Возможность полностью охарактеризовать дефекты структуры с помощью методов РТБ и ПОА позволила получить информацию об особенностях контраста в методах Ланга и СТП. Анализ экспериментального контраста, полученного методами Лан-га, СТП и РТБ, свидетельствует, что изображения дефектов в методе РТБ являются более простыми и удобными для идентификации.

Для выявления особенностей экспериментальных изображений дефектов в данной работе была использована цифровая обработка топограмм и оптических снимков, расширяющая возможности и увеличивающая чувствительность методов рентгеновской топографии и поляризационно-оптического анализа при исследовании дефектов структуры монокристаллов. Применение цифровой обработки обусловлено необходимостью получения наиболее полной информации о дефектах при ограниченном выборе отражений и анализе малых по размеру изображений на фоне зернистости (гранулярности) фотоматериала, что характерно для методов рентгеновской топографии. В методе ПОА цифровая обработка позволила уменьшить влияние на экспериментальный контраст сильной фоновой неоднородности, обусловленной особенностями метода.

Полученные в данной диссертационной работе научные и практические результаты свидетельствуют о высокой перспективности разработанных и апробированных методик цифровой обработки экспериментального контраста (особенно вейвлет-анализа) и изображений с расширенным динамическим диапазоном (НБК-изображения, 32-битный формат).

В ходе выполнения диссертационной работы автором были получены следующие основные результаты.

1. Разработаны методики исследования дислокаций и выделений второй фазы в монокристаллах на основе анализа изображений розеточного типа в методе РТБ (рентгеновской топографии на основе эффекта Бормана).

2. Анализ экспериментальных данных показывает, что бормановский контраст в виде розеток интенсивности от дислокаций и микродефектов в кристаллах различной физико-химической природы (81, 8Ю, ваАэ, сплавы (В1+8Ь)) имеет общий механизм формирования. Для исследованных материалов составлен атлас расчётных и экспериментальных изображений от включений и дислокаций при различных условиях дифракции.

3. В случае эффекта Бормана контраст от дефектов (дислокаций и квазиточечных дефектов) с медленно изменяющимися полями деформации в исследованных материалах (81, 8Ю, ОаАэ, сплавы (В1+БЬ)) формируется в основном зоной слабых искажений отражающих плоскостей вокруг этих дефектов и для расчёта контраста можно эффективно использовать модифицированные уравнения Ииден-бома-Чамрова. Получены аналитические формулы для контраста и выполнено компьютерное моделирование розеток интенсивности от краевых, винтовых, смешанных дислокаций и микродефектов различного типа в исследованных кристаллах при различных условиях дифракции.

4. Расчётное изображение винтовой дислокации в упругоизотропном приближении (ваАз) и с учётом анизотропии гексагонального кристалла (8Ю) описывается двухлепестковой розеткой чёрно-белого контраста. Если ось дислокации совпадает с направлением преимущественного распространения энергии волнового рентгеновского поля, то плоскость антисимметрии розетки перпендикулярна отражающим плоскостям. Расположение лепестков определяется знаком дислокации (правовинтовая или левовинтовая) и типом рефлекса (отражённый или прошедший). Размер розетки определяется модулем вектора Бюргерса дислокации b , длиной экстинкции А и модулем вектора дифракции g.

Теоретически обосновано правило, по которому определяется знак винтовой дислокации в SiC и GaAs: на топограмме в отражённом рефлексе правовинтовая дислокация создаёт слева, если смотреть вдоль вектора g, лепесток с положительным (чёрным) контрастом.

При отклонении оси дислокации от направления преимущественного распространения энергии в кристалле происходит закономерное изменение формы розетки. Теоретический контраст от наклонной винтовой дислокации многообразен и является сложной функцией, зависящей от b , Л, g и положения оси дислокации в кристалле. По изменению формы розетки может быть определён угол наклона оси дислокации к поверхности кристалла. Основные особенности дифракционных розеток от винтовых и 30-градусных дислокаций в SiC и GaAs хорошо соответствуют рассчётным изображениям.

Компьютерная обработка экспериментальных топограмм позволяет выявить дополнительные лепестки розеток от винтовых дислокаций, вытянутые вдоль вектора дифракции и в противоположном направлении, и уточнить особенности экспериментальных изображений дислокаций.

5. Теоретически показано, что топографический контраст, обусловленный основным полем краевой дислокации, представляет собой четырёх- или шестилепестковую розетку и определяется углом между вектором Бюргерса дислокации b и вектором дифракции g. Рассчитаны теоретические розетки интенсивности, обусловленные основным полем деформаций вокруг краевых дислокаций в исследованных кристаллах при различном взаимном положении векторов bug. Размер розеток от краевой дислокации зависит от модуля вектора Бюргерса b , длины экстинкции Л и модуля вектора дифракции g .

Сопоставление экспериментальных изображений краевых и смешанных дислокаций с расчётными показало их хорошее соответствие.

Теоретически и экспериментально показано, что краевые дислокации в SiC и

GaAs при коллинеарности векторов bug формирует в общем случае восьмиле-пестковую розетку интенсивности, линия нулевого контраста которой совпадает с плоскостью скольжения дислокации: Четыре ближних к ядру дислокации!лепестка сформированы основным полем деформаций вокруг дислокации, при этом тёмные лепестки соответствуют зоне сжатия вблизи экстраполуплоскости. Четыре дальних лепестка обусловлены релаксационным-полем-деформаций. Контраст от краевой дислокации зависит от её знака и не зависит от типа рефлекса. Переход от отражения ккЫ к отражению ккй не влияет на контраст розеток. Диаметр розетки определяется величинами Ь , , Л и коэффициентом Пуассона V.

При неколлинеарности вектора Бюргерса Ь и* вектора дифракции £ дислокации с большой краевой компонентой вектора Бюргерса (краевая дислокация в ЯЮ системы скольжения {1210}'<1010> и шестидесятиградусная дислокация системы скольжения (101){111} в В18Ь) при распространении энергии волнового поля внутри кристалла вдоль их осей формируют несимметричные четырёхлепест-ковые розетки интенсивности, по положению линии нулевого контраста которых определяется положение плоскостей скольжения дислокаций.

Экспериментально установлено, что в случае = 1 краевая дислокация в 81С с вектором Бюргерса Ь = ^<1120 > и плоскостью скольжения {1 1 00} формирует крестообразную розетку интенсивности, узкие лепестки положительного контраста которой вытянуты вдоль вектора1 g и перпендикулярно ему.

Краевая дислокация в ОаАэ в случае = 0 формирует шестилепестковую розетку чередующегося чёрно-белого (положительно-отрицательного) контраста, формируемую, в основном, собственным полем деформации, вокруг дислокации. Плоскость симметрии розетки совпадает со следом экстраполуплоскости.

6. Определена зависимость размера розетки контраста от длины, участка краевой дислокации, формирующего изображение. Проведены, оценки минимальной длины дислокации, при которой дислокация может быть идентифицирована на топограмме.

7. Результаты ренгенотопографического исследования1 дефектов структуры методом РТБ использованы для оценки глубины зоны формирования контраста и величины эффективной деформации отражающих плоскостей вокруг дислокации. Разработана методика определения чувствительности метода в различных материалах по размерам розеток- контраста от краевых дислокаций: Показано, что методом РТБ могут регистрироваться относительные деформации атомных плоскостей^ порядка 10"6-10"7.

8. Проведённые исследования- показали; что дислокационная структура монокристаллов бН-БЮ, выращенных методом Лели, в значительной' мере подобна дислокационной структуре вюрцита; идентифицировано восемь типов полных дислокаций из одиннадцати теоретически предсказанных.

Исследована пластическая деформация гомоэпитаксиальных слоев бН-БЮ, обусловленная механическими дефектами подложки (царапинами) и крупными включениями второй фазы, расположенными вблизи её-поверхности.

9. Экспериментально показано, что реальная дислокационная, структура монокристаллического арсенида галлия богаче теоретических представлений изложенных в работах Хорнстры и Хольта. Среди ростовых краевых дислокаций в решетке сфалерита существуют дислокации; как с «малыми» (Ь = а/2 < 110 >), так и с «большими» векторами Бюргерса (¿>=а<100>).

10. Выявленные методами рентгеновской топографии и инфракрасной микроскопии (ИКМ) ростовые микродефекты-в монокристаллах 81, выращенных методами Чохральского, БЮ, ваАя, (ВН-БЬ), являются когерентными включениями второй фазы и могут быть классифицированы, по размеру и. знаку деформации как, микродефекты +А-, -А-, +В-, -В-типов.

На- основе теории бормановского контраста интенсивности от дефектов кристаллической решётки с медленно изменяющимися полями деформаций исследованы теоретические розетки интенсивности от микродефектов А- и £-типа в монокристаллах- 81, БЮ, ваАз, (В1+8Ь). Форма и размер изображения зависят от типа включения, типа рефлекса (отражённый или прямой) и расстояния от дефекта до выходной для рентгеновских лучей поверхности кристалла. Показана принципиальная возможность регистрации микродефектов 5-типа методом РТБ.

Теоретически показана возможность однозначного определения методом РТБ знака деформации матрицы, производимой микродефектом, т.е. природы микродефектов. Составлены атласы расчётных и экспериментальных рентгенотопо-графических изображений микродефектов А- и 5-типа. Показана принципиальная возможность определения параметра несоответствия 8 для микродефектов в кремнии. На основе методов РТБ-и ИКМ проведена классификация микродефектов в монокристаллах 81(Сг), 8Ю, ваАБ, В1+8Ь. Получены количественные данные о плотности микродефектов в этих материалах.

11. Разработана методика определения природы и структуры простых и сложных дефектов упаковки (ДУ) путём идентификации ограничивающих их частичных и вершинных дислокаций по розеткам контраста в методе РТБ.

Теоретически и экспериментально исследована природа частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих ДУ в кремнии в случае эффекта Бормана. Составлены атласы теоретических и экспериментальных изображений частичных и вершинных дислокаций, входящих в ДУ. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений частичных и вершинных дислокаций в кристаллах 81 показало их хорошее качественное совпадение.

Частичные краевые дислокации Франка с векторами Бюргерса £ = -^-(111), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и ^• ¿7 =4/3 формируют несимметричные 4-лепестковые розетки интенсивности чёрно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных краевых дислокаций. При £ ■ 6 = 0 формируются несимметричные шестилепестковые розетки интенсивности чередующегося чёрно-белого контраста.

Вершинные краевые дислокации Томпсона с векторами Бюргерса

6 = —(110), ограничивающие барьер Ломера-Коттрелла (БЛК), в случае эффекта 6

Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и ¿у • Ъ — 2 / 3 формируют симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, а при £ • Ь = 0 — симметричные 6-лепестковые розетки чередующегося чёрно-белого контраста. Если БЛК ограничен вершинной дислокацией с Ъ = -^-(110), то формируются симметричные 4-лепестковые розетки чёрно-белого контраста вдвое большего диаметра, а при %-Ъ — 0 - симметричные 6-лепестковые розетки чередующегося чёрно-белого контраста тоже вдвое большего диаметра. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраполуплоскости.

Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

Вершинные краевые дислокации с векторами Бюргерса Ъ = ^100) с тупым углом, ограничивающие ростовые барьеры Хирта, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и при § • Ь - 0 формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося чёрно-белого контраста, а при £-Ь=2/3 - симметричные 4-лепестковые розетки чёрно-белого контраста. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраполуплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

Показана высокая информативность и достоверность метода РТБ в выявлении ростовых ДУ различной природы в монокристаллах кремния. Обнаружены ростовые дефекты упаковки, которые идентифицировались при сопоставлении теоретических и экспериментальных изображений, как ДУ типа вычитания и типа внедрения.

12. Проведено сопоставление рентгенотопограмм, полученных методами Ланга, РТБ и двухкристальной топографии в геометрии Брэгга, позволившее выявить преимущества метода РТБ при выявлении дислокаций, выходящих на поверхность пластин ЭЮ и микровыделений второй фазы.

Выявлены особенности изображений дислокаций в БЮ, лежащих в тонком кристалле вдоль биссектрисы треугольника Бормана. Контраст интенсивности от перпендикулярных поверхности дислокаций в методе секционной топографии в геометрии прохождения (СТП) в значительной степени определяется видом поля деформаций вокруг этих дислокаций, и большой вклад в изображение даёт область слабых искажений решётки вокруг дефекта.

Изучен механизм формирования контраста от винтовой дислокации в методах СТП и Ланга. Винтовая дислокация, лежащая в плоскости рассеяния перпендикулярно вектору дифракции, формирует на секционных топограммах изображение в виде двухлепестковой розетки контраста одинарного (положительного) контраста, если её ось пересекает прямой или отражённый пучок вблизи поверхности выхода рентгеновских лучей.

Основными деталями1 изображения винтовой' дислокации на топограмме, полученной методом Ланга, являются двухлепестковые розетки, контраста-на обоих концах изображения; По интенсивности лепестков контраста на секционных и проекционных топограммах однозначно определяется знак винтовой дислокации.

Контраст от краевой- дислокации, расположенной вблизи биссектрисы треугольника Бормана, зависит от того,- пересекает ли ось, дислокации входную для рентгеновских лучей поверхность кристалла. Если контраст формируется краевым участком дислокации, не пересекающим входную поверхность, то основными,деталями- изображения- являются- четыре лепестка положительного (чёрного) контраста, два. из которых, имеющие большую интенсивность, расположены со стороны экстраполуплоскости.

Характерными деталями'изображения, краевой дислокации, проходящей от одной поверхности кристалла до другой вблизи биссектрисы треугольника Бормана (углы, между вектором дифракции, g.и плоскостью скольжения 0 или 60°), являются тёмные лепестки, по которым однозначно определяется знак вектора Бюргерса дитслокации. В случае g-b = 0 контраст от такой дислокации сильно зависит от позиции дислокации и определение знака вектора' Бюргерса по единичной- топограмме затруднено.

Изображения краевых дислокаций, перпендикулярных поверхности кристалла, в методе Ланга имеют вид отрезков положительного контраста и1 лишены, особенностей, позволяющих определить,количественные параметры дислокаций.

13. Поляризационно-оптический, метод (метод фотоупругости) может быть эффективно использован для'исследования-дислокационной структуры кристаллов SiC, выращенных различными методами, и определения типа дислокаций, включая краевые и смешанные с минимально возможным в решётке SiC вектором Бюргерса

Ь=-( 1120), но для этого требуется высокое качество подготовки поверхности образцов. Хорошо разработанная теория метода позволяет дать объективную характеристику наблюдаемых дислокаций.

При исследовании краевых дислокаций в монокристаллах 6H-SiC, параллельных направлению наблюдения, выявлены особенности их поляризационно-оптических изображений и установлено, что розетка имеет более сложную форму, чем предполагалось ранее для розеток двойного лучепреломления в монокристаллах. Кроме четырёх лепестков, обусловленных основным полем напряжений вокруг дислокации, выявлены еще шесть лепестков, сформированных релаксационным полем напряжений вблизи точки выхода дислокации на поверхность кристалла.

Установлено, что в отличие от существующих ранее представлений, методом фотоупругости надёжно фиксируются дислокации, имеющие углы наклона к оси [0001] от 0 до 50°. При изучении особенностей изображений смешанных дислокаций, наклонённых к направлению наблюдения под различными углами, установлено, что эти дислокаций выявляются методом фотоупругости при углах между плоскостью скольжения и плоскостью колебаний в одном из николей от 10 до 45°.

Фиксируемые экспериментально деформации кристаллической решётки вокруг дислокационных микротрубок в кристаллах БЮ, выращенных модифицированным методом Лели, обусловлены, в первую очередь, краевой составляющей вектора Бюргерса этих дефектов. Розетки фотоупругости вокруг дислокационных микротрубок полностью подобны розеткам вокруг краевых дислокаций (значительно превосходя их по величине) и демонстрируют наличие плоскости сдвига {1 1 00} или (1120}. Связанный с микротрубками сдвиг (для-исследованных образцов) в 50-150 раз больше, чем для элементарных краевых дислокаций.

Применение компьютерной обработки негативных фотоизображений дефектов позволяет значительно расширить возможности поляризационно-оптического метода и получить дополнительную количественную и качественную информацию о структурном совершенстве исследуемых монокристаллов.

14. Разработана конструкция сканирующей рентгенотопографической камеры, позволяющей осуществлять кососимметричные, несимметричные и симметричные съёмки, изготовлен ее экспериментальный образец.

15. Определены оптимальные режимы резки монокристаллов бН-БЮ и подготовки образцов для рентгенотопографических и оптических исследований.

16. Разработаны методы и алгоритмы цифровой обработки, основанные на анализе яркостных и частотных характеристик изображений, позволяющие эффективно устранить факторы, мешающие идентификации дефектов структуры исследуемых монокристаллов на рентгеновских топограммах и поляризационно-оптических снимках: слабый контраст, фоновую неоднородность и зернистость изображений, определить границы полей деформаций от дефектов, зарегистрировать микродефекты B-типа с размерами 2-5 мкм, которые ранее методом РТБ не выявлялись, выявить «тонкие» не регистрируемые ранее особенности экспериментального контраста.

Показана более высокая эффективность и информативность методов цифровой обработки при анализе изображений розеточного типа, полученных методом РТБ, чем при обработке топограмм, полученных методом Ланга. Идентификация дефектов, зарегистрированных по методу Ланга, и эффективность последующей цифровой обработки экспериментального контраста в большей степени зависят от выбора отражающих плоскостей (порядка отражения).

Частотный анализ экспериментального контраста, основанный на использовании вейвлетов, позволяет расширить возможности цифровой обработки и получить дополнительную количественную и качественную информацию о дефекте и его «тонкой» структуре. Сравнивая эффективность различных методов цифровой обработки, можно говорить о более высокой перспективности частотного анализа изображений по сравнению с цифровой обработкой, основанной на использовании, линейной и нелинейной фильтрации.

Цифровой обработкой повышена чувствительность метода РТБ и розеточ-ных методик на его основе, надёжность идентификации дефектов структуры монокристаллов.

Общее число публикаций докторанта составляет более 90 наименований и включает в себя монографии, статьи и расширенные тезисы докладов.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Окунев, Алексей Олегович, 2008 год

1. Данильчук J1.H. Бормановская рентгеновская топография дефектов в кристаллах с медленно изменяющимися полями деформаций. Дис. . д-ра ф.-м. наук. Киев: ИМФ АН Украины, 1992. 361 с.

2. Окунев А. О. Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния: Дис.,. канд. физ.-мат. наук. Новгород, 1999. 263 с.

3. Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. 492 с.

4. Authier A. Dynamical theory of X-ray diffraction. New York: Oxford University Press, 2004. 676 p.

5. Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактомет-рия и топография / Пер. с англ. И.Л. Шульпиной; Т.С. Аргуновой. СПб.: Наука, 2002. 274 с.

6. Шульпина И.Л. Рентгеновская дифракционная топография. Этапы и тенденции развития // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования'. 2000. № 4. С. 3-18.

7. Суворов Э.В. Физические основы современных методов исследования реальной структуры кристаллов. Черноголовка, 1999. 232 с.

8. Суворов Э.В., Шулъпина И.Л. Рентгеновская оптика кристаллов с дефектами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. №7. С. 3-22.

9. Шулъпина И.Л. Рентгеновская дифракционная плосковолновая топография (обзор) // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2000. Т. 66, № 2. С. 25-37.

10. Bonze U., Hart М. An X-ray interferometer // Appl. Phys. Lett. 1965. V. 6, N 8. P. 155-156.

11. Bonze U., Hart M. An X-ray interferometer with long separated interfering beam paths // Appl. Phys. Lett. 1965. V. 7, N 4. P. 99-100.

12. Дангтъчук Л.Н., Окунев А.О., Ткалъ В.А., Труханов Е.М., Фёдоров A.A., Васшенко А.П. Рентгеновская топография кремния на основе плёночной интерферометрии эпитаксиальных систем и эффекта Бормана. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 351 с.

13. Ingal V.N., Beliaevskaya Е.А. Phase dispersion introscopy // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996. № 3-4. С. 222230.

14. Шулъпина ИМ. Применение комплекса дифракционных методов в исследовании реальной структуры материалов (обзор) // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2004. Т. 70, № 1. С. 23-27.

15. Шулъпина И.Л. Контраст дефектов в проекционной топографии сильно-поглощающих кристаллов // Кристаллография. 1994. Т. 39, № 2. С. 210-211.

16. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во МГУ, 1978. 277 с.

17. Tanner B.K. X-ray diffraction topography. New York: Pergamon Press, 1976.176 p.

18. Пгтскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука, 1982. 392 с.

19. Тихонов Л.В. О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок // Укр. физ. журн. 1971. Т. 16, № 1. С. 137-150.

20. Gerward L. The energy flow of X-rays in silicon single crystals // Acta Cryst. 1971. V. 27, N l.P. 18-22.

21. Efimov O.N. Contribution of thermal vibrations to the anomalous trans-mission of X-rays // Phys. stat. sol. 1967. Vol. 22, N 2. P. 297-308.

22. Borrmann G. Über extinktion der röntgenstrahlen von quarz // Physik Zeit. 1941. Bd. 42, N 1. S. 157-162.

23. Hirsch P.В. The reflexion and transmission of X-rays in perfect absorbing crystals // Acta-Cryst. 1952. Vol. 5, N 3. P. 176-181.

24. Laue M. Die Energiesstromung bei Rontgenstrahl-Interferenzen im Kristallen // Acta Cryst. 1952. Bd. 5, N 8. S. 619-625.

25. Zachariasen W.H. On the anomalous transparency of thick crystals to X-rays // Proc. N.A.S. USA. 1952. Vol. 38, N 4. P. 378-382.

26. Laue M. Rontgenstrahlinterferenzen, 3 Aufg. Frankfurt am Mein. Akadem. Verlagsgeselschaft, 1960.

27. Инденбом B.JI., Чуковский Ф.Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике // УФЫ. 1972. Т. 107, вып. 6. С. 229-265.

28. Тихонова Е.А. Теория бормановского дислокационного контраста // Укр. физ. журн. 1976. Т. 21. С. 709-734.

29. Tanner В.К. X-ray diffraction topography. New-York: Pergamon Press, 1976.176 p.

30. Suvorov E. V., Indenbom V.L. X-Ray diffraction contrast // Proc. 4-th international specialists school on crystal growth. Suzdal (USSR), 1980. P. 229-250.

31. Лэнг A.P. Рентгеновская топография методы и интерпретация // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. М.: Металлургия, 1984. С. 364-446.

32. Отъе А. Контраст изображений в рентгеновской топографии // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. М.: Металлургия, 1984. С. 446-470.

33. Kato N. Pendellosung fringes in distorted crystals. I.Fermat's principle for Bloch waves // J. Phys. Soc. Japan. 1963. Vol. 18, N. 12. P. 1785-1791.

34. Kato N. Pendellosung fringes in distorted crystals. II.Application to two-beam cases // J. Phys. Soc. Japan. 1964. Vol. 19, N. 1. P.' 67-77.

35. Kato N. Pendellosung fringes in distorted crystals. I II.Application to homogeneously bent crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1964. Vol. 19, N. 6. P. 971-985.

36. Инденбом В.Л., Чуковский Ф.Н. // Кристаллография. 1971. Т. 16, № 6. С.1101.

37. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion//Acta Cryst. 1962. V. 15, N 10. P. 1311-1312.

38. Authier A., Simon D. Application de la theorie dynamique de S.Takagi an contraste d'un defaut plan en topographie par rayons X // Acta Cryst. 1968. Vol. A24. N 5. P. 517-526.

39. Authier A., Malgrange C., Tournarie M. Etude theorique de la propagation des rayons X dans un cristal parfait ou legerement deforme // Acta Cryst. 1968. Vol. A24. N l.P. 126-136.

40. Слободецкий И.Ш., Чуковский Ф.Н., Инденбом B.JI. Дифракция рентгеновских лучей в условиях пространственно-неоднородной динамической задачи // Письма в ЖЭТФ. 1968. Т. 8, № 2. С. 90-94.

41. Слободецкий И.Ш., Чуковский Ф.Н. К динамической теории дифракции пространственно-неоднородного пучка'рентгеновских лучей в идеальном кристалле//Кристаллография. 1970. Т. 15,№6. С. 1101-1106.

42. Лэнг А.Р. Непосредственное наблюдение дислокаций методом рентгеновской дифракции // Несовершенства в кристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1964. С. 201-203.

43. Лэнг А.Р. Проекционная топография новый метод в рентгеновской дифракционной микрорадиографии // Несовершенства в кристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1964. С. 198-200.

44. Лейкин В.Н., Мингазин Т.А., Зеленое В.И. Коллимирующее устройство для рентгеновской топографии // Приборы и техника эксперимента. 1981. №. 3. С. 208-210.

45. Takagi S. A dynamical theory of diffraction for a distorted crystal // J. Phys. Soc. Jpn. 1969. Vol. 26, N 5. P. 1239-1253.

46. Toupin D. Prevision de queloques images de dislocation par transmission des rayons X (cas de Laue symetrique) // Acta Crystallogr. 1967. V. 23, N 1. P. 25-35.

47. Authier A. Contrast of dislocation images in X-ray transmission topography // Adv. in X-PLay Analisis. 1967. Vol. 10, N 10. P. 9-31.

48. Authier A., Balibar F., Epelboin J. Theoretical and experimental study of in-terbranch scattering observed near a dislocation line in X-ray topography // Phys. stat. sol. 1970. Vol. 41, N 1. P. 225-238.'

49. Чуковский Ф.Н, Штольберг А.А. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на дислокациях // ЖЭТФ. 1973. Т. 64, № 3. С. 1033-1041.

50. Suvorov E. V., Polovinkina V.I., Nikitenko V.I., Indenbom V.L. Investigation of image formation of straight-line dislocations in the case of extinction contrast // Phys. stat. sol. (a). 1974. Vol. 26. P. 385-395.

51. Indenbom V.L., Nikitenko V.I., Suvorov E.V., Kaganer V.M. Section topography as single-crystal interferometry // Phys. stat. sol. (a). 1978. Vol. 46, N 1. P. 379-386.

52. Suvorov E. V., Gorelik O.S., Kaganer V.M., Indenbom V.L. Shape of extinction fringes and determination of the Burger vector in single-crystal interferometric techniques // Phys. stat. sol. (a). 1979. Vol. 54, N 1. P. 29-35.

53. Йндепбом B.JI., Чуховский Ф.Н., Слободецкий И.Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. Т. 19, вып. 1. С. 35-53.

54. Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of a stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. V. 71, N 3. P. 751-756.

55. Инденбом В.Л., Слободецкий И.Ш., Трунин КГ. Рентгеновский интенфе-рометр с узким пучком // ЖЭТФ. 1974. Т. 66, № 36. С. 1110-1120.

56. Суворов Э.В., Мухин К.Ю., Половинкина В.И., Энтин И.Р., Никитенко

57. B.И., Инденбом В.Л. Дислокационный контраст // Материалы IV совещ. по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. JL: Изд-во АН СССР, 1977. С. 31-35.

58. Суворов Э.В., Смирнова И.А., Шулаков Е.В. Дифракционное изображение дислокаций, расположенных в плоскости рассеяния перпендикулярно вектору отражения // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 9. С. 64-68.

59. Петрашенъ П.В., Чуховский Ф.Н., Шулъпина ИЛ. Решение проблемы расчёта рентгеновских проекционных топограмм // ДАН СССР. 1978. Т. 240, № 4.1. C. 836-838.

60. Петрашенъ П.В., Чуховский Ф.Н. Новый метод расчёта рентгеновских проекционных топограмм // ФТТ. 1978. Т.20, № 4. С. 1104-1108.

61. Petrashen P. V, Chukhovskii F.N., Shulpina I.L. The physical foundation of the computer simulation of X-ray traverse topographs // Acta Cryst. 1980. Vol. A36, N 1. P. 287-295^

62. Суворов Э.В., Смирнова И.А., Шулаков Е.В. Влияние толщины кристалла и роль поглощения в формировании рентгеновского дифракционного изображения дислокаций // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. № 12. С. 12-19.

63. Смирнова И.А., Суворов Э.В., Шулаков Е.В. .Дифракция рентгеновских лучей на деформациях, локализованных в области, параллельной поверхности образца // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. № 12. С. 8-11.

64. Шулъпина И.Л., Даценко Л.И. Об изображении линейных дефектов в методе аномального прохождения рентгеновских лучей // Укр. физ. журн. 1967. Т. 12, № 9. С. 1474-1482.

65. Borrmann G., Hartwig W., Irmler H. Schatten von Versetzungslinien im Rönt-gen-Diagramm // Zeit. Physik. 1959. Bd. 155, N 4. S. 387-394.

66. Алъшиц В.И., Инденбом В.Л., Русакова H.A. Эйкональное приближение в теории электронно-микроскопического изображения и его обобщения // Кристаллография. 1977. Т. 22, № 6. С. 1157-1165.

67. Suvorov E.V., Indenbom V.L., Gorelik O.S., Rusakova I.A., Chamrov V.A. Dislocation coritrast in the case of anomalous X-ray transmission // Phys. stat. sol. (a). 1980. Vol. 60,N l.P. 27-35.

68. Kambe K. Theorie der Schattenbildung von Versetzungenslinien in Röntgen-Durchstrahlungsdiagrammen // Zeit. Naturforsch. Ser. A, 1963. Bd. 18A, N 7, S. 10101011.

69. Xupui П., Николсон Р., Пэгили Д., Уэлан М.М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. 574 с.

70. Gerold V., Meier F. Der Röntgenographische Nachweis von Versetzungen in Germanium // Zeit. Phys. 1959. Bd. 155, N 4. S. 387-394.

71. Authier A. Observation des dislocations dans le silicium a l'aide des rayons X dans le cas la transmission anomale // J. Phys. Radium. 1960. Vol. 21, N 8-9. P. 655661.

72. Данилъчук JI.H., Смородина T.A. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом аномального прохождения рентгеновских лучей // ФТТ. 1965. Т. 7, №4. С. 1245-1247.

73. Данилъчук JI.H., Никитенко В.И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // ФТТ. 1967. Т. 9, № 7. С. 2027-2034.

74. Данилъчук JI.H. Исследование дислокационной структуры монокристаллов и плёнок с решёткой типа алмаза методом АПРЛ: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Новгород, 1967.

75. Данилъчук JI.H. Исследование дислокационной структуры монокристаллов с алмазной решёткой' методом АПРЛ // Учёные зап. Петрозавод. гос. ун-та. Петрозаводск, 1968. Т. 16, Вып. 6. С. 37^16.

76. Данилъчук JI.H. Рентгенографическое наблюдение полей деформаций вокруг краевых дислокаций в монокристаллах германия // ФТТ. 1969. Т. 11, № 11. С. 3085-3091.

77. Данилъчук JI.H. Контраст интенсивности от винтовых дислокаций, лежащих в отражающей плоскости // ФТТ. 1973. Т. 15, № 7. С. 2143-2145.

78. Данилъчук JI.H. Обнаружение и исследование контраста интенсивности от винтовых дислокаций в германии // ФТТ. 1975. Т. 17, № 9. С. 3700-3702.

79. Данильчук. JI.H. Рентгеновская топография дефектов в кристаллах на основе эффекта Бормана // Вестн. Новгород, гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 1995. № 1.С. 12-19.

80. Инденбом В.Л., Чамров В.А. Однолучевая электронная микроскопия // Кристаллография. 1980. Т. 25, № 3. С. 465-472.

81. Dunia Е., Malgrange С., Petroff J.F. Determination of the sign of the Burgers vector for nearly screw dislocations. A direct application of X-ray dynamical theory // Phil. Mag. A. 1980. Vol. 41, N 3. P. 291-306.

82. Тихонов Л.В., Харькова Г.В. Определение пространственной ориентации дислокационных линий в германиевом кристалле по топограммам, полученным методом Бормана//Кристаллография. 1968. Т. 13, № 3. С. 479-486.

83. Смородина Т.А., Данильчук Л.Н. Использование метода АПРЛ для изучения структуры монокристаллического германия при эпитаксиальном наращивании германиевых слоев // Учёные зап. Петрозавод. гос. ун-та. Петрозаводск, 1968. Т. 16, №6. С. 65-73.

84. Данильчук Л.Н., Смородина Т.А. Смещение изображения дислокаций при аномальном прохождении рентгеновских лучей // Рост кристаллов. М.: Наука, 1965. Т. 5. С. 321-326.

85. Буйлов А.Н. Исследование структурных дефектов монокристаллического арсенида галлия рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 2002. 242 с.

86. Буйлов А.Н., Данильчук Л.Н. Краевые дислокации с большим вектором Бюргерса в структуре сфалерита//Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, вып. 18. С. 24-28.

87. Chukhovskii F.N., Stolberg A.A. On the dynamical theory of X-ray images of real crystal // Phys. stat. sol. 1970. Vol. 41, N 3. P. 815-825.

88. Данильчук Л.Н., Окунев A.O., Ткаль В.А. Рентгеновская дифракционная топография дефектов в кристаллах на основе эффекта Бормана / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 493 с.

89. Epelboin Y., Ribet М. Quantitative study of the contrast of dislocations in translation topographs application to lithium formate monohydrate // Phys. stat. sol. (a) 1974. Vol. 25. P. 507-513.

90. Bonze U. Zur rontgenographischen bestimmung des typs einzelner versetzungen In einkristallen // Zeit. Phys. 1958. Bd. 153, N 2. S. 278-296.

91. Бонзе У. Рентгеновское изображение поля нарушений решетки вокруг отдельных дислокаций // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 184-204.

92. Kaganer V.M., Mohling W. Characterization of dislocations by double crystal X-ray topography in back reflection // Phys. stat. sol. (a). 1991. Vol. 123. P. 379-392.

93. Gemperlova J., Polcarova M., Bradler J. X-ray topographic contrast on dislocations with g-b=0 //J. Phys. D. 1993. Vol. 26, N 4A. P. A131-A136.

94. Kato N. Usami K., Katagawa T. The X-ray diffraction image a stacking fault // Adv. X-ray Analisis. 1967. Vol. 10, N 1. P. 46-66.

95. Authier A. Contrast of the stacking fault on X-ray topographs // Phys. stat. sol. 1968. Vol. 27, N 1. P. 77-93.

96. Sauvage M., Malgrange C. Observation of X-ray stacking fault fringes in the plane wave case // Phys. stat. sol. 1970. Vol. 37, N 3. P. 759-771.

97. Patel J.R., Authier A. X-ray topography of defects produced after heat treatment of dislocation-free silicon containing oxygen // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46, N 1. P. 118-125.

98. Authier A., Patel J.R. X-ray topographic determination of the intrinsic or extrinsic nature of stacking faults // Phys. stat. sol. (a). 1975. Vol. 27, N 1. P. 213-222.

99. Инденбом B.JI., Чуковский Ф.Н. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. Т. 19, № 1. С. 35-41.

100. Инденбом В.Л., Слободецкий И.Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. Т. 19, № 1. С. 42-53.

101. Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. Vol. 71, № 2. P. 751-756.

102. Суворов Э.В., Мухин К.Ю. Секционное изображение дефекта упаковки // Материалы IV Совещ. по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Л: Изд-во АН СССР, 1977. С. 42-45.

103. Швутке Г., Силе В. Рентгеновский анализ структур дефектов упаковки в эпитаксиально наращенном кремнии // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С 246-258.

104. Indenbom V.L., Kaganer V.M. The formation of X-ray images of microde-fects // Phys. stat. sol. (a). 1985. Vol. 87, N 1. P. 253-265.

105. Крылова H.O., Мелинг В., Шулъпина И.Л., Шейхет Э.Г. Выявление и исследование. микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии // ФТТ. 1986. Т. 28, № 2. С. 440^146.

106. Каганер В.М., Крылова И.О., Инденбом В.Л., Шулъпина И.Л. Волновые пакеты и изображения микродефектов в двухкристальной рентгеновской топографии // ФТТ 1986. Т. 28, № 8. с.2343-2351.

107. Voloshin А.Е., Smolskii I.L., Kaganer V.M., Indenbom V.L., Rozhanskii V.N. Imaging of microdefects in silicon single crystals by plane wave X-ray topography at asymmetric diffraction//Phys. stat. sol. (a). 1992. Vol. 130, P. 61-73.

108. Green G.S., Cui Shu Fan, Tanner B.K Simulation of images of spherical strain centres in X-ray section topographs // Phil. Mag. A. 1990. V. 61. № 1. P. 23-33.

109. Holland A. J., Tanner B.K. Simulation of X-ray section topograph images of oxygen precipitates in silicon // J. Phys D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. A27-A32.

110. Даншъчук Л.Н. Ростовые включения второй фазы в кремнии, выращенном по методу Чохральского // Расширенные тез. 6 Междунар. конф. по росту кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, 1980. Т. 4. С. 294-295.

111. Даншъчук Л.Н. О природе А-кластеров в бездислокационном кремнии, выращенном по методу Чохральского // Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1984. Ч. 1. С. 2829.

112. Даншъчук Л.Н. Бормановский'контраст интенсивности от когерентных включений второй фазы в монокристаллах полупроводников // Тез. второго совещания по Всесоюзной межвузовской комплексной программе «Рентген». Ереван: Изд-во ЕГУ, 1987. С. 40-41.

113. Deslattes R.D., Kessler E.G., Owens S., BlackD., Henins A. Just how perfect can a perfect crystal be? // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. A3-A7.

114. Tuomi Т., Rantamaki R., McNally P.J., Lowney D., Danilewsky A.N., Becker P. Dynamical diffraction imaging of voids in nearly perfect silicon // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2001. Vol. 34. P. A133-A135.

115. Epelboin Y., Morris F., Rimsky A. Image enhancement of X-ray topographs by Fourier filtering // J. Appl. Phys. 1993. N 26. P. A15-A18.

116. Pilard M., Epelboin Y., Soyer A. Fourier filtering of synchrotron white-beam topographs // J. Appl. Cryst. 1995. N 28. P. 279-288.

117. Баловсяк С.В., Фодчук И.М., Потапов О.Н. Методы цифровой обработки изображений в рентгеновской топографии // II Украинская науч. конф. по физике полупроводников: Тез. докл. Черновцы, Украина, 2004. С. 415^-16.

118. Квитек Е.В., Садыков Р.А., Марук С.В. Метод компьютерной обработки пленок рентгеновской дифракции // Приборы и техника эксперимента. 1996. № 2. С. 64-67.

119. Суевалов С.А., Каплан КГ. Проблема численного выделения фона в рентгеноструктурных исследованиях // Кристаллография. 2005. Т. 50, № 1. С. 3842.

120. Kozlowski J., Serafinczuk J. Wavelet analysis of the X-ray high resolution image // X-TOP 2002. P. 63.

121. Александров А.В., Потапов В.Д., Державин Б.П. Сопротивление материалов. М.: Высш. шк., 1995. 560 с.

122. Милевский JI.C. Дислокационная структура полупроводников и методы ее исследования // Дислокации и физические свойства полупроводников / Под ред. А.Р. Регеля. Л.: Наука, 1967. С. 5-29.

123. Никитенко В.И., Осипъян Ю.А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов // Проблемы современной кристаллографии. М.: Наука, 1975. С. 239-261.

124. Nikitenko V.I., Dedukh L.H. Application of the photoelasticity method to the investigation of stresses around individual dislocations and their influence on crystal properties //Phys. stat. sol. (a). 1970. Vol. 3. P. 383-392.

125. Никитенко В.И, Инденбом В.Л. Сопоставление напряжений и дислокаций в кристаллах германия // Напряжения и дислокации в полупроводниках / Под ред. М.В. Классен-Неклюдовой: М.: Институт кристаллографии АН СССР, 1962. С. 34-42.

126. Денисов А.В., Крымов В.М., Лунин Ю.О. Остаточные напряжения в ба-зисноограненных ленточных кристаллах сапфира // III Международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века»: Сборник тезисов. Черноголовка. 2006. С. 150-151.

127. Chuan-zhen B.G., Nai-ben М., Duan F. A study of screw dislocations in gadolinium gallium garnet and yttrium aluminium garnet crystals by birefringence topography // Phil. Mag. A. 1986. Vol. 53, N 2. P. 285-296.

128. Nai-ben M., Chuan-zhen B.G. Direct observation of defects in transparent crystals by optical microscopy // J. Cryst. Growth. 1990. Vol. 99. P. 1309-1314.

129. Данильчук Л.Н., Окунев А.О. Исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами // Вестн. Новгород. гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 1998. № 10. С. 13-18.

130. Калимгулов А.Р., Чувыров А.Н. Исследование винтовых супердислокаций в кристаллах кварца методом поляризационной оптики // Электронный журнал «Исследовано в России», 116, стр. 1178-1183, 2005 г.http://zhurnal.ape.relarn.rU/articles/2005/l 16.pdf)

131. Kato T., Ohsato H., Okamoto A., Sugiyama N., Okuda T, The photoelastic constant and internal stress around micropipe defects of 6H-SiC single crystal // Materials Science and Engineering. 1999. Vol. B57. P. 147-149.

132. Ohsato H., Kato T., Okuda T. Screw and edge dislocations-induced internal strain around micropipes of 6H-SiC single crystals // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. Vol. 4. P. 483-487.

133. Ma X, Dudley M., Vetter W. Sudarshan T. Extended SiC defects: polarized light microscopy delineation and synchrotron white-beam X-ray topography ratification // Japan. J. Appl. Phys. 2003. Vol. 42. P. L1077-L1079.

134. Kubota T., Talekar P., Sudarshan, T.S., Ma X., Parker M. A non-destructive automated defect-detection system for silicon carbide wafers // Machine Vision and Applications. 2003. DOI 10.1007/s00138-002-0115-9.

135. Долотов Н.И., Левчук Б.И., Макаров B.B., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Влияние механической обработки на структуру поверхности монокристаллов карбида кремния // Физика и химия обработки материалов. 1986. № 4. С. 69-71.

136. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с.

137. Анисимов В.Г., Буйлов А.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А. Подготовка монокристаллического карбида кремния для рентгенотопографических исследований. М., 1999. 14 с. Деп. в ВИНИТИ 09.09.99, 2809-В99.

138. Благов В.В., Васильева Т.В., Данилова B.C., Ткаль Н.В. Исследование режимов резки монокристаллического SiC // Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе: Тез. докл. Междунар. семинара. Новгород, 1995. С. 43.

139. Верма А.Р., Кршина П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах. М.: Иностранная литература, 1969. 270 с.

140. Wallace С.А. The study of polytypism in silicon carbide by X-ray diffraction topography//Z. fur kristallographie. 1968. Bd. 126. S. 444^59.

141. Baronnet A. Some aspects of polytypism in crystals // Prog. Crystal Growth Characterisation. 1978. Vol. l.P. 151-211.

142. Mitchell R.S. Application of the Laue photograph to the study of polytypism and sintaxic coalexence is silicon carbide // The American Minerologist. 1953. Vol. 38, N 1/2. P. 60-67.

143. Choyke W.J., Yoganathan M., Carter C. Comparison of experimental Laue transmission and reflection patterns for 4H, 6H, 15R, and 3C SiC // Springer Proceedings in Physics. 1992. Vol. 56. P. 165-182.

144. Францевич КН. и др. Карбид кремния, свойства и области применения. Киев: Наукова думка, 1975. 110 с.

145. Dudley М., Huang W., Wang S., Powell J.A., Neudeck P., Fazi С. White-beam synchrotron topographic analysis of multi-polytype SiC device configurations // J. Phys. D. 1995. Vol. 28, N 4A. P. 56-62.

146. Kelly J.F., Barnes P., Fisher G.R. The use of synchrotron edge topography to study polytype nearest neighbour relationships in SiC // Radiat. Phys. and Chem. 1995. Vol. 45, N3. P. 509-522.

147. Dressler L., Goetz K, Kräusslich J. X-ray examination of SiC monocrystals // Phys. stat. sol. (a). 1995. Vol. 148, № 1. P. 81-88.

148. Картенко Н.Ф., Заславский А.И., Спиридонова H.B. Дифрактометриче-ское определение политипных модификаций карбида кремния // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1973. Вып. 12. С. 136-144.

149. Левчук Б.И., Цветков В.Ф., Чернов М.А. Рентгеновский дифрактометри-ческий анализ политипных структур карбида кремния // Кристаллография. 1982. Т. 27, №3. С. 610-612.

150. Окунев А.О., Ткалъ В.А., Данильчук Л.Н. Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 252 с.

151. Шасколъская М.П. Кристаллография. M.: Высш. шк., 1984. 376 с.

152. Пинскер З.Г. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М.: Наука, 1974. 367 с.

153. Barth Н., Hosemann R. Use of parallel beam transmission method for the X-ray examination of crystal structure // Zeit. Naturforsch. 1958. Vol. 13a, N 4. P. 792.

154. Фигиман Ю.М. Эффективность использования трубки БСВ-10 (БСВ-11) в методе Ланга // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1970. Вып. VI. С. 16-20.

155. Шлихт Г.Ю. Цифровая обработка цветных изображений. М.: ЭКОМ, 1997.336 с.

156. Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников. М.: Металлургия, 1969. 496 с.

157. Дроздов Ю.А. Компьютерная обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов: Дис. . канд. техн. наук. Великий Новгород, 2003. 233 с.

158. Данипьчук Л.Н., Ткаль В.А., Окунев А.О., Дроздов Ю.А. Цифровая обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2004. 227 с.

159. Lang A.R. X-ray detectors / Characterisation of crystal growth defects by X-ray methods: NATO advanced study institutes series. Ser. В Physics: New York, Plenum Press, 1980. Vol. 63. P. 320-332.

160. Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткалъ В.А. Компьютерная обработка рентге-нотопографичееких изображений дефектов структуры монокристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. № 8. С. 611.

161. Дроздов Ю.А., Окунев А. О., Ткалъ В.А., Шулъпина И.Л. Применение компьютерной обработки рентгенотопографических изображений для идентификации дефектов структуры монокристаллов // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2002. Т. 68, № 12. С. 30-36.

162. Астафьева Н.М. Вейвлет-анализ: основы теории и примеры применения // УФН. 1996. Т. 166, № 11. С. 1145-1170.

163. Дремин И.М., Иванов О.В., Нечитайло В.А. Вейвлеты и их использование//УФН. 2001. Т. 171, №5. С. 465-501.

164. Wavelets and their applications in computer graphics // Course Notes: #26 from Siggraph '95 Conference. University of.British Columbia. 1995. 238 p.

165. Переберин A.B. О систематизации вейвлет-преобразований // Вычислительные методы и программирование. 2001. Т. 2. С. 15-40.

166. Aldroubi A, Unser М. Wavelets in Medicine and Biology. Boca Raton: CRC Press, 1996.

167. Van den Berg J.C. Wavelets in Physics. Cambridge: Cambridge University Press, 1998.

168. Goswami J.C., Chan A.K. Fundamentals of Wavelets: theory, algorithms and applications. A Wiley-Interscience public, 2000. 308 p.

169. Воробьев В.И., Грибунин В.Г. Теория и практика вейвлет-преобразования. СПб.: ВУС, 1999. 208 с.

170. Vetterli М., Kovacevic J. Wavelets and subband coding. Prentice Hall PTR. New Jersey, USA, 1995. 487 p.

171. Чуй Ч. Введение в вейвлеты. М.: Мир, 2001. 412 с.

172. Добеши И. Десять лекций по-вейвлетам. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. 464 с.

173. Дьяконов В.П. От теории к практике. Вейвлеты. М.: COJIOH-P, 2002. 448с.

174. Новиков JJ.B. Основы вейвлет-анализа сигналов: Учеб. пособие. СПб.: ООО «МОДУС+», 1999. 152 с.

175. Кетов Ю.Л., Кетов А.Ю., Шулъц М.М. MATLAB 7: программирование, численные методы. СПб.: БХВ-Петербург, 2005. 752 с.

176. Дьяконов В.П., Абраменкова И.В. MATLAB. Обработка сигналов и изображений: Специальный справ. СПб.: Питер. 2002. 608 с.

177. Ткаль В.А., Окунев А.О., Емельянов Г.М., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. В ейвлет-анализ топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 397 с.

178. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Устранение зернистости топографических изображений дефектов структурьгмоно-кристаллов с помощью вейвлет-анализа // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2006. Т. 72, № 8. С. 27-32.

179. Ткаль В.А., Окунев А.О.', Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Устранение фоновой неоднородности изображений дефектов структуры монокристаллов различными вейвлетами // Заводская лаборатория. Диагностика, материалов. 2007. Т. 73, № 3. С. 28-37.

180. Ткаль В.А., Окунев А.О., Петров М.Н., Данильчук Л.Н. Вейвлет-обработка топографических изображений с расширенным динамическим диапазоном // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. №5. С. 1-11.

181. Ткаль В.А., Окунев А.О., Данильчук Л.Н., Петров-М.Н., Андреев A.A.

182. Цифровая обработка топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов // III Международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI'века»: Сборник тезисов. Черноголовка. 2006. С. 178-180.

183. Инденбом В.Л., Чамрое В.А. Ореольный контраст дислокационных петель // Металлофизика. 1980. Т. 2, № 3. С. 3-9.

184. Буйное А.Н., Даншъчук Л.Н., Окунев А.О: Особенности контраста от краевых дислокаций в-арсениде галлия в случае эффекта Бормана // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 1. С. 25-31. .

185. Белов А.Ю., Чамров В.А. О влиянии поверхности на* упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций // Металлофизика. 1987. Т. 9, № 3. С. 68-78.

186. Фриделъ Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. 626 с.209; Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. М.: Мир, 1972. 388 с.

187. Хирт Д., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 599 с.

188. Shaibani S.I., Hazzledine P.M. The displacement and stress fields of a general dislocation close to a free surface of an isotropic solid // Phil. Mag. A. 1981. Vol. 44, N 3. P. 657-665.

189. Мшьвидскнй М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты Bi монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256>с.

190. Эйдензон A.M., Пузанов Н.И. Классификация ростовых микродефектов в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского // Неорган, материалы. 1995. Т. 31, №4. С. 435-443.

191. Данильчук Л.Н., Буйлов А.Н., Окунев А. О. Исследование квазиточечныхVдефектов в GaAs // III Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы» ISSCRM-2000: Сб. докл. Великий Новгород, 2000. С. 179-187.

192. Данильчук Л.Н., Васильева Е.В. Рентгенотопографические исследования структуры монокристаллов Bi+Sb. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. № 9. С. 49—52.

193. Эшби М., Браун Л. Дифракционный контраст, обусловленный сферически симметричными полями деформации // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 89-108.

194. Дроздов Ю.А., Окунев А. О., Ткаль В.А., Шульпина И.Л. Исследование дислокаций в монокристаллическом карбиде кремния поляризационно-оптическим методом // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2003. Т. 69, № 1. С. 24-29.

195. Окунев А. О., Анисимов В.Г., Буйлов А.Н., Данильчук Л.Н. Рентгенотопографические исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния // Карбид кремния и родственные материалы: Тез. докл. Междунар. семинара. Новгород, 1997. С. 11-12.

196. Буйлов А.Н., Даншьчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А.О., Ткаль В.А.

197. Авраменко С.Ф., Валах М.Я., Киселев B.C. Сергеев О.Т., Скороход М.Я. Исследование структурного совершенства кристаллов а-карбида кремния // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. Т. 17, № 7. С. 46-51.

198. Трегубова A.C., Шульпина И.Л. Дефекты роста в полупроводниковых кристаллах карбида кремния // ФТТ. 1972. Т. 14, № 9. С. 2670-2674.

199. Трегубова A.C., Шульпина И.Л. О рентгеновском изображении дефектов упаковки в эпитаксиальных пленках карбида кремния // Материалы IV совещ. по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. JI., 1977. С. 75-78.

200. ХольтД.Б. Дефекты в структуре сфалерита // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 100-118.

201. МшевскийЛ.С., ХвостиковаВ.Д Дислокационная структура кристаллов с решёткой алмаза, выращенных в направлении 100. // Рост и несовершенства металлических кристаллов / Под редакцией Д.Е. Овсиенко. Киев: Наук, думка, 1966. С.261-265.

202. Хорнстра Д. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 15-37.

203. Otake S., Koike S., Motohashi Y. Dislocation etch pits on various crystal planes with higher order indices of bismuth // Jap. J. Appl. Phys. 1973. V. 12. N 5. P. 636-640.

204. Brown D.M., Silverman S.J. // Phys. Rev. 1964. V. 136A. P. 250.

205. Брандт Н.Б., Свистова E.A., Сазонов М.В. //ЖЭТФ. 1970. Т. 59. С. 434.

206. Грабов В.М., Иванов Г.А., Налетов B.JJ. Понарядов B.C., Яковлева Т.А. II ФТТ. 1969.Т. 11. С. 3653-3655.

207. Грабов В.М., Иванов К.Г. Качественная картина изменения зонной схемы Bi при легировании его Sb // В сб.: Полуметаллы и полупроводники. Л.: Изд. ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1975. С. 52-55.

208. Иванов К.Г., Крылов A.C. Выращивание монокристаллов Bi-Sb высокого качества // В сб.: Полуметаллы и полупроводники. Л.: Изд. ЛГПИ им. А.И. Герцена, 1975. С. 24-29.

209. Иванов К.Г., Крылов A.C., Калугина И.К Выращивание монокристаллов Bi+Sb // ПТЭ. 1975. № 2. С. 225-226.

210. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах. М.: Металл у ргиз дат, 1957.

211. Коттрелл А. Теория дислокаций. М., 1969. 95 с.

212. Халл Д. Введение в дислокации. М: Атомиздат, 1968. 300 с.

213. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974.496 с.

214. Анисимов В.Г. Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана. Дис. . канд. техн. наук. Великий Новгород, 2004. 212 с.

215. Анисимов В.Г., Данилъчук Л.Н., Дроздов Ю.А., Окунев А. О., Ткалъ В.А. Исследование сложных дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 11. С. 74-81.

216. Frank FC. II Phil. Mag. 1951. V. 42. P. 809.253. homer W.M. И Phil. Mag. 1951. V. 42. P. 1327.

217. Aerts T., Delavignette P., Siems R., Amelinckx S. // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. P.3078.

218. Ioffe E.H. A dislocation at free surface // Phil. Mag. 1961. V. 6. N 69, P. 1147-1150.

219. Мюллер Э., Цонь Т. Автоионная микроскопия. М.: Металлургия, 1972.360 с.

220. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высш. Шк., 1970. 503 с.

221. Карбанъ В.И., Борзаков Ю.И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. М,: Радио и связь. 1988. 104 с.

222. Шулъпина И.Л., Заславский А.И., Дедегкаев Т.Т. Исследование выделений в кремнии, возникающих при термообработке. ФТТ. 1968. Т. 10, № 5. С. 1347— 1354.

223. Chikawa J. X-ray diffraction contrast from impurity précipitâtes in CdS single crystals //Adv. X-ray Analysis. 1967. Vol. 10. P. 153-158.

224. Карачинов B.A., Окунев A. О., Дикун Д.Е. Направленные эффекты пробоя в кристаллах карбида кремния // Физика и химия обработки материалов. 1999. № 6. С. 63-67.

225. Милъвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М:: Наука, 1986. 143 с.

226. НадаиА. Пластичность и разрушение твердых тел. М.: Мир, 1969. Т. 2.863 с.

227. Смирнов B.C. Теория обработки металлов давлением. М.: Металлургия, 1973. 496 с.

228. Даншьчук JI.H. Определение знака и величины вектора Бюргерса краевой дислокации в германии // Тезисы второго совещ. по всесоюзной комплексной программе «Рентген», Ереван, 1987, изд. АН Арм. ССР, с. 42-43.

229. Окунев А. О., Шульпина И.Л. Рентгенотопографический контраст краевых дислокаций, перпендикулярных поверхности кристалла 6H-SiC // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31, вып. 12. С. 1-7.

230. Окунев А.О., Даншьчук Л.Н., Ткаль В.А., Дроздов Ю.А. Секционные то-пограммы дислокаций в 6H-SiC // Вестн. Новгород, гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 2004. № 28. С. 143-149.

231. Окунев А. О., Даншьчук Л.Н., Ткаль В.А. Секционные изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристаллов бН-SiC // ФТТ. 2006. Т. 48, вып. 11. С. 1962-1969.

232. Окунев А.О., Ткаль В.А., Данилъчук JI.H. Изображения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла 6H-SiC, в методе Ланга // Вестн. Новгород, гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 2005. № 34. С. 106-111.

233. Dudley М., Wang S., Huang W., Carter C.H, Tsvetkov V.F., Fazi С. WhiteIbeam synchrotron topographic studies of defects in 6H-SiC single crystals // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. Vol. 28, N 4A. P. A63-A68.

234. HuangX.R., Dudley M., Vetter W.M., Huang W., WangS., Carter C.H. Direct evidence of micropipe-related pure superscrew dislocations in SiC // Appl. Phys. Let. 1999. Vol. 74, N3. P. 353-355.

235. Dudley M., Huang X.R., Huang W., Powell A., Wang S., Neudeck P., Skow-ronski M. The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide // Appl. Phys. Let. 1999. Vol. 75, N. 6. P. 784-786.

236. Dudley M., Huang X.R., Huang W. Assessment of orientation and extinction contrast contributions to the direct dislocation image // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. A139-A144.

237. Dudley M., Huang X.R., Vetter W.M. Contribution of X-ray topography and high-resolution diffraction to the study of defects in SiC // J. Phys D: Appl. Phys. 2003. Vol. 36. P. A30-A36.

238. Heindl J., Dorsch W, Strunk HP., Müller St.G., Eckstein R, Hofmann D., Winnacker A. Dislocation content of micropipes in SiC // Phys. Rev. Let. 1988. Vol. 80, N4. P. 740-741.

239. Шейнерман А.Г., Гуткин М.Ю. Упругие поля винтовой супердислокации с полым ядром (трубки), перпендикулярной свободной поверхности кристалла // ФТТ. 2003. Т. 45, вып. 9. С. 1614-1620. '

240. Меланхолин Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: Наука, 1970. 156 с.

241. Гейдур С.А., Ясъков АД. Дисперсия коэффициента преломления света и фотоупругий эффект в полупроводниках со структурой вюрцита // Оптика и спектроскопия. 1980. Т. 48, вып. 6. С. 1130-1137.

242. Гейдур С.А. Фотоупругие свойства кристаллов SiC // Оптика и спектроскопия. 1980. Т. 49, вып. 1. С. 193-195.