Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Николаенков, Юрий Кимович

• Николаенков, Юрий Кимович
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Николаенков, Юрий Кимович

СПИСОК ОБ^клЧЕНИЙ.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ.

1.1. Конструкции и принципы действия БТИЗ.

1.2. Статические вольтамперные характеристики.

1.3. Переходные процессы при включении и выключении

БТИЗ на активную нагрузку и в схеме полумоста.

Выводы по первой главе.

ГЛАВА 2. СТАТИЧЕСКИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ БТИЗ С ТОЛСТОЙ Ы-БАЗОЙ.

2.1. Одномерная аналитическая модель для расчета распределения подвижных носителей в базе БТИЗ.

2.2. Расчет падения напряжения на п-базе БТИЗ в статическом режиме.

2.3. Расчет коэффициента инжекции коллекторного р-п перехода в БТИЗ.

Выводы по второй главе.

ГЛАВА 3. МОДЕЛИ ДЛЯ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ

ВКЛЮЧЕНИИ БТИЗ С РАЗНЫМИ ВИДАМИ НАГРУЗОК.

3.1. Диффузионно-дрейфовая модель переходных процессов при включении длиннобазового БТИЗ с чисто активной нагрузкой.

3.1.1. Анализ влияния трехмерных эффектов растекания основных и неосновных носителей заряда в п - базе на точность одномерной модели определения переходной характеристики БТИЗ при включении ключа.

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИИ

1„, 1Р - электронный, дырочный ток, А; п,)р - плотность электронного, дырочного тока, А/см2; - суммарная плотность тока, А/см ; п,р - концентрация электронов, дырок, см"3; л„, Рр- подвижность электронов, дырок, см /(В-с);

Дь 1)Р - коэффициент диффузии электронов, дырок, см /с; 1)а = 2----коэффициент амбиполярной диффузии, см /с;

Аг+Пр

Ъ = —— отношение подвижностей электронов и дырок; д - 1.6-10"19 Кл - заряд электрона; Е - напряженность электрического поля, В/см; тр - время жизни дырок, с;

Ьр = ф:рОа - амбиполярная диффузионная длина дырок в базе БТИЗ, см; ур - коэффициент инжекции коллекторного р+ - п перехода;

2 - ширина диффузионных эмиттерных р-ячеек;

4 - толщина п-базы БТИЗ; с1^о2 - толщина подзатвороного окисла БТИЗ; к - 1.38-10"23 Дж/К - постоянная Больцмана;

Т- температура, К; щ -1.5-10 см" - собственная концентрация носителей в полупроводнике; рп - удельное сопротивление п-базы БТИЗ, Ом-см;

Бк - площадь активной коллекторной области БТИЗ, см ; Ш- периметр всех диффузионных эмиттерных ячеек; ЬЭрп - ширина эмиттерного р-п перехода БТИЗ;

1/кэ - напряжение коллектор-эмиттер БТИЗ, В; изэ - напряжение на электродах затвор-эмиттер БТИЗ, В;

IIпор - пороговое напряжение открывания канала БТИЗ, В;

Кз - сопротивление в цепи затвора БТИЗ, Ом;

Сзэ - емкость затвор-эмиттер БТИЗ;

Сзк - емкость затвор-коллектор БТИЗ;

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)»

Однако, несмотря на относительно долгое использование БТИЗ в схемах силовой электроники физика работы прибора остается не до конца изученной, а математической модели (подобной SPICE моделям для МОП транзисторов) до сих пор нет. Для БТИЗ с 1/кэмакс^00 В (dn<2Lp), изготавливаемых на эпитаксиально выращиваемых слоях с тонкой базой, процесс включения достаточно точно описывается диффузионной моделью переноса носителей, а процесс выключения сводится к простой рекомбинации носителей в базе прибора. Для другого же класса БТИЗ с Lfewa^lOOO В (dn>4+6Lp) с однородно легированным кремнием в качестве базы физическое и математическое описание переходных процессов полностью отсутствует в зарубежной и отечественной литературе. Это объясняется сложностью нестационарных процессов в структурах простейшего ключа с одним БТИЗ и активной нагрузкой, обусловленных трехмерным диффузионно-дрейфовым переносом дырок и электронов в п-базе БТИЗ, толщина которой превышает в 4-6 раза диффузионную длину дырок Ьр.

Нестационарные процессы в БТИЗ, входящих в состав полумостовых и мостовых схем с индуктивной составляющей нагрузки (величиной до нескольких микрогенри) и содержащих антипараллельные диоды, оказываются гораздо сложнее нестационарных процессов при включении и выключении одиночного БТИЗ в ключевой схеме с чисто активной нагрузкой. Для полумостовых схем расчеты по формулам для одиночного БТИЗ совершенно неприменимы и не позволяют получить достаточно точные аналитические выражения или численные значения для времен ¿еюг и ^ыкл, поскольку в данном случае надо учитывать одновременно переходные процессы восстановления обратного сопротивления быстродействующих высоковольтных антипараллельных диодов с р-п переходом и влияние реальных значений индуктивности в нагрузке Ь и паразитных индуктивно-стей в цепи постоянного тока (величиной до 100 нГн).

Сложность нестационарных процессов в таких структурах обусловлена также трехмерным диффузионно-дрейфовым переносом дырок и электронов в п-базе БТИЗ, толщина которой йп превышает в 3-4 раза диффузионную длину дырок Ьр, кроме того, диффузионные эмиттерные р-ячейки имеют размеры в 3-5 раз меньше ¿4, а также сложным характером поведения от времени токов через БТИЗ и антипараллельный диод и напряжений на них из-за влияния индуктивностей в цепи питания.

Отсутствие в отечественной и зарубежной литературе методов расчета переходных процессов при включении и выключении БТИЗ в реальных полумостовых схемах с антипараллельными диодами препятствует проведению оптимизации отечественных конструкций БТИЗ с целью повышения их быстродействия в таких наиболее распространенных схемах, не позволяет найти величины выброса прямого тока при включении БТИЗ и перенапряжений на БТИЗ при выключении.

Цель работы. Целью данной диссертации является разработка аналитических методов расчета распределения носителей заряда и электрических параметров биполярного транзистора с изолированным затвором с горизонтальным каналом и длинной базой в статическом и динамическом режимах. Поставленная цель определяет следующие основные задачи:

1. Исследование явлений переноса носителей заряда в БТИЗ, происходящих в базовом слое толщиной в несколько диффузионных длин дырок;

2. Разработка аналитических моделей, описывающих процессы включения и выключения БТИЗ с толстой базой и активной нагрузкой;

3. Исследование прямого падения напряжения в приборах данного типа в зависимости от их конструктивных и физических параметров;

4. Моделирование переходных процессов в схемах полумоста с индуктивной нагрузкой;

5. Исследование физических процессов, происходящих в антипараллельных диодах в схеме полумоста и получение аналитических выражений, позволяющих оценить времена обратного восстановления диода при включении БТИЗ.

Научная новизна диссертации определяется тем, что в ней впервые:

1. Установлено, что в БТИЗ с толстой базой (с1п>АЬр) необходимо учитывать не только диффузионные процессы, которые доминируют в приборах с толщиной базы сравнимой с эффективной диффузионной длиной дырок, но также надо принимать во внимание дрейф носителей через базовый слой.

2. Предложены аналитические выражения для расчета распределения дырок в базе со временем при включении БТИЗ в ключевой схеме на активную нагрузку и формулы для времен включения 1вкл и выключения 1выт прибора.

3. Из анализа работы основной ключевой схемы, применяемой на практике - схемы полумоста с индуктивной нагрузкой с двумя БТИЗ и двумя антипараллельными диодами впервые получены аналитические выражения для распределения подвижных носителей в базе БТИЗ, позволяющие достаточно точно оценить времена переключения 1вЮ1 и 1выкл в такой схеме с учетом процессов происходящих в паре БТИЗ-антипараллельный диод.

Практическая значимость. Полученные в работе новые результаты анализа механизмов переноса заряда через толстую базу биполярного транзистора с изолированным затвором в статическом режиме и численная оценка полного прямого падения напряжения в приборе были использованы для разработки первого отечественного БТИЗ. Кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета под руководством профессора Петрова Б.К. совместно с АООТ ВЗПП (НПО «Электроника», г. Воронеж) были разработаны биполярные транзисторы с изолированным затвором на основе перспективной технологии с использованием однородно легированных подложек кремния п" - типа. В результате были созданы приборы КП 730А с икэмаКС=600-=-1200 В при токе коллектора 1к=50 А. Инженерные формулы, полученные аналитическими методами для распределения носителей в базе БТИЗ, времен включения и выключения прибора, падения напряжения в базе и времени обратного восстановления антипараллельного диода могут быть использованы для разработки новых биполярных транзисторов с изолированным затвором и ключевых схем на их основе.

Работа выполнялась в рамках научно-исследовательских работ кафедры полупроводников и микроэлектроники ВГУ «Физика переходных процессов в мощных биполярных транзисторах с изолированным затвором», тема НИЧ-618 и «Разработка многомерных моделей электрических и тепловых процессов в мощных биполярных транзисторах с изолированным затвором (БТИЗ)», тема НИЧ-802.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. В БТИЗ с толстой базой (с1п>АЬр) наряду с диффузионным переносом носителей в базе существенное влияние на статические и переходные процессы оказывает дрейф носителей через базовый слой прибора.

2. Результаты аналитического расчета в статическом режиме тока коллектора, прямого падения напряжения, коэффициента инжекции коллекторного р-п перехода в зависимости от конструктивных и технологических параметров.

3. Закон распределения носителей заряда со временем при включении прибора на активную нагрузку и время выключения БТИЗ, учитывающие физические процессы, происходящие в структуре БТИЗ с толщиной базы большей АЬР.

4. Результаты аналитического расчета переходных процессов и времен включения и выключения полумостовой схемы с индуктивной нагрузкой с учетом взаимодействия двух приборов - БТИЗ и антипараллельного диода.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на VI международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2000), научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1997, 1998, 1999 гг.), Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 1997, 1998), десятой научно-технической отраслевой конференции «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов» (Воронеж, 1996), а также на ежегодных научно-технических

11 конференциях аспирантов и научно-преподавательского состава ВГУ (Воронеж, 1996-2000 гг.).

Публикации. Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 19-и печатных работах в виде статей и тезисов докладов. В совместных работах автору принадлежат некоторые выводы аналитических выражений, результаты численных оценок по полученным аналитическим моделям и экспериментальные исследования. Определение направление исследований, обсуждение результатов и подготовка работ к печати осуществлялись совместно с научным руководителем проф. Петровым Б.К.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 57 наименований, и содержит 125 страниц печатного текста, 16 рисунков и 6 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Николаенков, Юрий Кимович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Анализ статического режима и переходных процессов в биполярных транзисторах с изолированным затвором, работающих в различных схемах позволил получить следующие результаты:

1. Исследованы механизмы переноса носителей заряда в БТИЗ с толстой базой. Вместо существовавшей диффузионной модели протекания тока для БТИЗ с толстой базой (с1п>4Ьр) предложена более точная диффузионно-дрейфовая модель.

2. Для статического режима в одномерном приближении при больших уровнях инжекции получено распределение концентрации дырок в п" - базе и формулы для падения напряжения и„- на базе БТИЗ. Установлено, что дрейфовый механизм переноса дырок становится доминирующим над диффузионным вблизи эмиттерного р+-п перехода при толщине ¿4>вЬрэ, а падение напряжения ип- начинает резко увеличиваться при с1п>5Ьрэ. Представлена простая методика расчета коэффициента инжекции диффузионного коллекторного р+-п перехода БТИЗ.

3. Для БТИЗ в схеме ключа с активной нагрузкой установлено, что в приколлекторной области при включении БТИЗ преобладает диффузионный механизм переноса дырок, а около эмиттера доминирует дрейфовый механизм. Получены аналитические выражения для распределения концентрации дырок в зависимости от времени в этих областях и формула для нестационарного падения напряжения на базе БТИЗ при включении прибора в зависимости от времени протекания постоянного коллекторного тока.

4. Впервые дан анализ переходных процессов, происходящих при переключении БТИЗ в схеме полумоста с индуктивной нагрузкой и антипараллельным диодом. С учетом изменения протекания тока в БТИЗ со временем при включении получены распределения концентрации дырок в п-базе диода и выражения расчета времени обратного восстановления диода через физические параметры диода и БТИЗ.

5. Предложены аналитические зависимости коллекторного тока от времени с учетом рекомбинации при выключении БТИЗ в схеме ключа с активной нагрузкой, а также формулы для времени выключения Установлено, что минимальное время выключения ¿выкя=2,3 тр (при ур= 1) имеет место в длиннобазовых БТИЗ, для которых йп-ЕкрП(Екэ)^>ЬрЭ.

6. Получены формулы, характеризующие длительность двух фаз выключения БТИЗ в схеме полумоста с индуктивной нагрузкой: фазы расширения эмиттерного р+-п перехода, происходящего при постоянном коллекторном токе, и второй фазы - убывания коллекторного тока при почти постоянном напряжении 11кэ=Екэ

7. Впервые предложено аналитическое выражение для пикового напряжения Ц~кэ при выключении БТИЗ в схеме полумоста из-за э.д.с. самоиндукции на паразитных индуктивностях в цепи питания. Показано, что в быстродействующих БТИЗ с малым временем жизни дырок в п-базе (трд<0,2 мкс) пиковое напряжение может превысить предельно допустимое напряжение икэмакс

8. С помощью выведенных выражений для нестационарного падения напряжения на п - базе ип-(\) в ключевом режиме, а также в статическом режиме, можно проводить оптимизацию конструкций высоковольтных БТИЗ с заданными напряжениями 1/кэмакс и ипр, динамическими параметрами 1вк;ь 1выю1 путем научно обоснованного выбора толщины йп и удельного сопротивления рп п - базы, времени жизни дырок тр, топологии эмиттерных диффузионных р - ячеек.

С учетом полученных в настоящей работе результатов для статического режима работы БТИЗ кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета под руководством профессора Петрова Б.К. совместно с АООТ ВЗПП (НПО «Электро

118 ника», г. Воронеж) были разработаны первые отечественные биполярные транзисторы с изолированным затвором на основе перспективной технологии с использованием однородно легированных подложек кремния п - типа. В результате были созданы приборы КП 730А с икэмакс=600-И200 В при токе коллектора 1^=5О А.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Николаенков, Юрий Кимович, 2000 год

1. B.J. Baliga, M.S. Adler, P.V. Gray and R.P. Love The insulated gate rectifier (1.R): A new power switching device// IEEE IEDM Dig. abstract 10.6. -1982.-pp. 264-267.

2. Б. Дж. Балига Эволюция техники силовых МОП-биполярных полупроводниковых приборов// ТИИЭР. 1988. - т.76. - № 4. - С. 117-127.

3. D. Y. Chen, S. Chandrasekaran, S. A. Chin A new FET-bipolar combinational power semiconductor switch// IEEE Transactions on Aerospace and Electronic Systems. 1984. - Vol. AES-20. - No. 2. - pp. 104-111.

4. F. Goodenough Power semiconductors// Electronic Devsign. 1987. -Vol.35.-No. l.-pp. 147-156.

5. B.J. Baliga and E. Sun Comparison of gold, platinum, and electron irradiation for controlling lifetime in power rectifiers// IEEE Trans. Electron Devices.- 1977. vol. ED-24. - pp. 685-688.

6. L. Lorenz MOS-controlled power semiconductor components for voltages from 50 V to 2000 V// EPE Journal. 1992. - Vol.2. - No. 2. - pp. 77-84.

7. Флоренцев C.H. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий (анализ рынка)// Электротехника. 1999.- №4. С. 2-9.

8. В. Jayant Baliga Power ICs in the saddle// IEEE Spectrum. 1995. - pp. 34-48.

9. Naresh Thapar and B. Jayant Baliga Enhancing the maximum controllable current density of the accumulation channel driven bipolar transistor// SolidState Electronics. 1999. - vol. 43. - pp. 395-402.

10. Zuxin Qin, E.M.S. Narayanan, M.M. De Souza A lateral MOS-controlled thyristor-enhanced insulated gate bipolar transistor// Solid-State Electronics. -1999. vol. 43. - pp. 1845-1853.

11. D.M. Garner, F. Udrea, H.T. Lim, W.I. Milne// Solid-State Electronics. -1999. vol. 43. - pp. 1855-1868.

12. P.K. Steimer, H.E. Griming, J. Werninger IGCT появление новой технологии для сверхмощных экономически эффективных преобразователей// Электротехника. - 1999. - №4. - С. 10-17.

13. Naresh Thapar and В. Jayant Baliga An experimental evaluation of the on-state performance of trench IGBT designs// Solid-State Electronics. 1998. -vol. 42. - No. 5. - pp. 771-776.

14. B.J. Baliga, M.S. Adler, P.V. Gray and R.P. Love Suppressing latch-up in insulated gate transistors// IEEE Electron Device Lett. 1984. - vol. EDL-5. -pp. 323-325.

15. S. Clemente, A. Dubhashi, B. Pelly IGBT characteristics and applications// International Rectifier AN-983. pp. 93-106.

16. Петров Б.К., Николаенков Ю.К. Моделирование эффекта защелкивания в биполярных транзисторах с изолированным затвором.// Научно-технический семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», Москва, 1996. С. 217-221.

17. Т. P. Chow, В. J. Baliga, P. V. Gray, М. S. Adler, М. F. Chang, G. С. Pifer, Н. Yilmaz A self-aligned short process for insulated-gate bipolar transistors// IEEE Transactions on Electron Devices. 1992. - Vol. 39. - No. 6. - pp. 1317— 1320.

18. Кузьмин В. А., Юрков С. H., Поморцева Л. И. Анализ и моделирование статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором// Радиотехника и электроника. 1996. - т. 41. - №7. - С. 870-875.

19. Иванов В. В., Колпаков А. И. Применение IGBT// Электронные компоненты. 1996. - № 1(2). - С. 12-15.

20. G. Castino, A. Dubashi, S. Clemente, В. Pelly Protecting IGBTs against short circuit// International Rectifier AN-984. pp. 107-113.

21. Nakagawa A., Imamura K., Furukawa K.// Toshiba Rev. 1987. - No. 161. -P.34.

22. Heftier A.R., Blackburn D.L. An analytical model for the steady-state and transient characteristics of the power insulated-gate bipolar transistior// SolidState Electronics 1988. - Vol. 31. - No. 10. - pp. 1513-1532.

23. M. J. Lazarus, I. Smith, L. L. Jones, A. D. Finney Output characteristics of insulated gate bipolar transistor modules and improvement with substrate control// IEE Proceedings. 1988. - Vol. 135. - No. 5. - pp. 97-106.

24. Di-Son Kuo, Chenming Hu Optimization of epitaxial layers for power bipolar MOS transistor// IEEE Electron Device Letters. 1986. - Vol. EDL-7. -No. 7.-pp. 510-512.

25. Di-Son Kuo, Chenming Hu An analytical model for the power bipolar-mos transistor// Solid-State Electronics. 1986. - Vol. 29. - No. 12. - pp. 12291237.

26. Зи С. Физика полупроводниковых приборов/ Кн.2. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. - М.: Мир, 1984. - 456 с.

27. B.J. Baliga Fast switching insulated gate transistors// IEEE Electron Device Lett. 1983. - Vol. EDL-4. - pp.452-454.

28. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов/ В.И. Никишин, Б.К. Петров, В.Ф. Сыноров и др. М.: Радио и связь, 1989. - 144 с.

29. High turn-off current capability of parallel-connected 4.5 kV trench -IEGTs/ T. Ogura, K. Sugiyama, S. Hasegawa et al.// Proceedings of 1998 International Symposium on Power Semiconductor Devices & Ics Kyoto. 1998. -P. 47.

30. Toshiba & Toshiba Semiconductor Group T. Sugimoto, Semiconductor Group Toshiba Corporation. Nov. 1998. - P. 30.

31. Catt J., Chokhawala R., Pelly В. Введение по применению модулей БТИЗ в корпусах 600 В, ADD-A-PAK и INT-A-PAK// сб. Силовые полупроводниковые приборы: Пер. с англ. под ред. Токарева В.В. 1995. -С.509-544.

32. Baliga В .J. Analysis of insulated gate transistor turn-off waveform// IEEE Electron Device Lett. 1985. - V.EDL. - N.6. - pp.74-77.

33. Отчет о научно исследовательской работе «Физика переходных процессов в мощных биполярных транзисторах с изолированным затвором», Тема НИЧ-618, № госрегистрации 01.9.80003960.

34. Петров Б.К., Николаенков Ю.К., Федоров М.Г. Статические вольтам-перные характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором.// Тезисы доклада Межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика», Москва, 1996. С.67.

35. Петров Б.К., Николаенков Ю.К. Диффузионно-дрейфовая модель переходных процессов в биполярных транзисторах с изолированным затвором// Известия вузов. Электроника 1997. -№2-С.58-62.

36. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов / В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин и др. М.: Энергоатомиздат. 1988. - 280 с.

37. Справочник по специальным функциям. С формулами, графиками и математическими таблицами/ Под ред. М. Абрамовича и И. Стиган. Пер. с англ. под ред. В.А. Диткина и JI.H. Кармазиной. М.: Наука, 1979. - 830 с.

38. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чариков H.A. Полупроводниковые приборы/ Под ред. проф. В.А. Лабунцева. -М.: Энергоатомиздат. 1990. - 575 с.

39. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. Л. -1986.-248 с.

40. Nickolaenkov Y.K., Petrov В.К., Kursheva E.N. Switching characteristics of the power insulated gate bipolar transistor.// Proc. of the Fifth International Seminar on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk, May 13-17 1996.-P. 40-41.

41. Камке Э. Справочник по дифференциальным уравнениям в частных производных первого порядка/ Пер. с немецкого Н.Х. Резова и Б.Ю. Стер-нина. Под общей ред. Н.Х. Резова. М.: Наука. - 1966. - 260 с.

42. Khersonsky Y., Robinson M., Gutierrez D. Использование ультрабыстрых гексагональных диодов (HEXFRED) в мощных ключевых схемах// сб. Силовые полупроводниковые приборы: Пер. с англ. под ред. Токарева В.В. 1995.-С. 545-553.

43. Петров Б.К., Николаенков Ю.К. Переходные процессы при выключении высоковольтных БТИЗ в схеме полумоста.// Известия вузов. Электроника 1999. - №5. - С. 43-48.

44. Николаенков Ю.К. Моделирование растекания тока в высокоомной области ДМОП-транзистора.// Тезисы доклада Межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика», Москва, 1996.-С.121.

45. Петров Б.К., Николаенков Ю.К. Принципы создания биполярного транзистора с изолированным затвором.// Тезисы доклада II Всероссийской науч.-техн. конференции «Электроника и информатика 97», Зеленоград, 1997.-С.115.