Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Матиева, Тоита Ахметовна

• Матиева, Тоита Ахметовна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Матиева, Тоита Ахметовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И ФИЗИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ Т1В3С2.

§ 1.1. Физико-химические особенности соединения /?-TlInS2.

§ 1.2. Кристаллическая структура и характер химической связи в соединениях Т1В3Сб2.

1.2.1. Структура соединений типа /?-TlInS2.

§ 1.3 Обзор физических свойств соединений типа/?-TlInS2.

1.3.1. Оптические свойства /?-TlInS2.

1.3.2. Динамика решетки /?-TlInS2.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015)»

Актуальность работы. Прогресс в физике полупроводников и полупроводниковой технике тесно связан с получением новых материалов - твердых растворов, проблема создания которых является одной из центральных в физике полупроводников, что подтверждается неослабевающим потоком информации, посвященной как уже хорошо себя зарекомено < довавшим на практике твердым растворам на основе соединений А В , так и твердым растворам на основе, сравнительно недавно открытых новых перспективных классов соединений А3В3С62

В последние годы существенно возрос интерес исследователей к слоистым полупроводникам со сложной структурой, обладающих сильной анизотропией электронных и колебательных спектров. Интенсивно изучаются зонная структура и динамика решетки трехкомпонентных полупроводниковых соединений группы Т1В С 2. Изучение свойств этих соединений имеет важное значение, так как оно позволяет выявить закономерности, определяющие зависимость свойств от состава, структуры и характера химической связи. Установление этих закономерностей дает возможность проводить целенаправленный поиск полупроводниковых материалов, обладающих заданным сочетанием физических свойств. Это обстоя

3 6 тельство делает соединения типа Т1В С 2 особенно интересными, с точки зрения выяснения фундаментальных особенностей кристаллического строения слоистых полупроводников, так и с точки зрения технического применения.

Основным объектом настоящей диссертационной работы является

3 6 один из представителен группы

T1BJC 2 таллий-индиевый дисульфид. Интерес к соединению /? - TlInS2 обусловлен, прежде всего, его недостаточной изученностью, наличием полиморфизма, достаточной оптической прочностью, а также возможностью использования его для практических нужд полупроводниковой техники. Тщательный анализ показал, что разумное управление физическими свойствами /? - Т11п8г можно осуществить частичным замещением таллия металлами первой группы. Однако для этого необходима полная информация о строении зонной структуры /? - ТПпЗг. Анализ литературных данных показывает, что имеющиеся сведения о строении кристаллов /? - Т11п82 находятся фактически на начальном этапе. Объем и глубина этих исследований носят не достаточный, а порой и противоречивый характер, не позволяющий сделать адекватные обобщения, а тем более дать практические рекомендации. Поэтому возникает необходимость систематического исследования оптических и фотоэлектрических свойств, позволяющих определить весь комплекс происходящих в них физических процессов, а также выявление реальных закономерностей изменения физических параметров с целью разумного управления ими. Актуальность подобного исследования диктуется и тем, что в последнее время

3 3 6 на основе слоистых полупроводников типа А В С 2 предложены уникальные преобразователи рентгеновского диапазона, фотоприемники видимой и ИК областей спектра.

С этой точки зрения тема настоящей диссертационной работы «Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Р -Т^.хСиДпЗг (0 < X < 0,015)» представляется весьма актуальной.

Целью настоящей работы являлось выявление некоторых особенностей оптических и фононных спектров монокристаллов - Т1].хСих1п82 (0 < X < 0,015), изучение закономерностей их изменения от состава и создание на этой основе предпосылок расширения возможностей их практического применения.

Для достижения этой цели было необходимо решить следующие задачи:

- произвести выбор методики и оптимальных режимов синтеза и выращивания однородных, оптически совершенных монокристаллов ^-Т11.хСих1п82(Х = 0; 0,005; 0,01; 0,015);

- микрозондовыми исследованиями проверить стехиометрию состава и определить характер распределения атомов меди в монокристаллах Р -Т1].хСих1п82 (X = 0; 0,005; 0,01; 0,015);

- изучить край собственной полосы поглощения монокристаллов Р -Т11.хСих1п82(0 < X < 0,015);

- исследовать анизотропию оптических и электрооптических свойств монокристаллов Р -Т11хСих1п82 (0 < X < 0,015);

- исследовать колебательные спектры смешанных кристаллов Р - Т1].хСих1п82(0; 0,005; 0,01; 0,015) и их температурные зависимости;

- изучить основные закономерности взаимосвязи фундаментальных параметров изученных кристаллов и перспективы их практического использования.

Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов типа /?-Т11п82, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера. Монокристаллы /?-Т11п82 и твердые растворы на их основе обладали моноклинной (псевдо-тетрагональной) слоистой структурой.

Научная новизна состоит в следующем:

1. Разработаны технологии получения однородных, оптически совершенных монокристаллов как исходного /?-Т11п82, так и твердых растворов р - Т1[.хСих1п82.

2. На основе результатов микрозондовых исследований установлено, что в кристаллах /?-Т11.хСих1п82 (X = 0; 0,005; 0,01; 0,015) имеет место нарушения стехиометрии; установлено однородное распределение атомов меди в основной матрице исследованных кристаллов.

3. На основе экспериментальных исследований температурных зависимостей спектров поглощения изучен край фундаментального поглощения в кристаллах /?-Т11хСих1п82 (0 < X < 0,015); установлено, что увеличение концентрации атомов меди в кристаллах /? - ТПпЗг приводит к сдвигу точки фазового перехода в сторону более низких температур.

4. Изучены анизотропия, дисперсия, электрооптические и магнитооптические свойства кристаллов /?-Т11хСих1п82 (0 < X < 0,015). Установлено наличие в кристаллах типа /МИпБг областей аномальной дисперсии, связанных с возбуждением примеси. Методами термостимулированной проводимости и деполяризации изучен механизм рекомбинации основных носителей и определены параметры уровней прилипания в кристаллах, ^-ТПпБг.

5. Обнаружена модуляция интерференционных картин в области края собственной полосы поглощения. Изучено влияние магнитного поля на гирацию в кристаллах /?-Т11хСих1п82 (0 < X < 0,015).

6. Установлено, что частичное замещение атомов таллия атомами меди в монокристаллах /? - Т1].хСих1п82 (0 < X < 0,015) приводит к сдвигу частот «внутренних» колебаний в сторону низких значений.

7. Разработаны и исследованы фотоприемники и ячейки памяти на основе монокристаллов /?-Т11хСих1п82 (0 < X < 0,015).

Практическую ценность в данной работе имеют:

1. Предложенные технологии и режимы синтеза и выращивания однородных оптически совершенных смешанных монокристаллов кристаллов р - Т^Сих!^ (0 < X < 0,015);

2. Сведения, полученные о механизмах электронных, оптических, фононных и рекомбинационных процессов, происходящих в кристаллах y?-Tl,.xCuxInS2 (0 < X < 0,015) способствуют более глубокому пониманию их специфических свойств, например, ионной связи в тетраэдрах Т1 — S;

3. Сведения о параметрах уровней прилипания (концентрация, глубина залегания и сечение захвата).

4. Экспериментальные результаты, доказывающие наличие внутренних полей в этих кристаллах, имеющих сегнетоэлектрическую природу;

5. Сведения о фоточувствительности, и оптической памяти монокристаллов ß - TlixCuxInS2 (X = 0,0; 0,005; 0,01; 0,015).

Результаты работы используются в лабораторном спецпрактикуме на кафедре общей физики ИнгГУ.

Основные положения представленные к защите:

1. В кристаллах ß - TlixCuxInS2 (0; 0,005; 0,01; 0,015) имеет место нарушение стехиометрии; атомы меди однородно распределены в основной матрице кристаллов.

2. По результатам исследований структуры края собственной полосы поглощения в кристаллах /?-TlixCuxInS2 (0 < X < 0,015) установлено, что увеличение концентрации атомов меди в них приводит к сдвигу точки фазового перехода в сторону более низких температур.

3. Существование аномальных дисперсий, связанных как с экситонным поглощением, так и с возбуждением примеси в кристаллах /?-TlixCuxInS2 (0 < X < 0,015).

4. Сдвиг частоты «внутренних» колебаний при частичном замещении атомов таллия атомами меди в монокристаллах ß - Tli.xCuxInS2

X = 0,0; 0,005; 0,001; 0,015) обусловлен ослаблением ионной связи в тетраэдрах Т1 - S.

5. Частичное замещение атомов таллия атомами меди в монокристаллах ß - Tl!.xCuxInS2 (0 < X < 0,015) приводит к сдвигу точки сегнетоэлек-трического фазового перехода в сторону более низких температур.

6. Рост фоточувствительности в монокристаллах ß - TlixCuxInS2, (0 < X < 0,015) и смещение ее края в длинноволновую область, что обусловлено очувствлением этих кристаллов атомами меди, а также возможность управления оптической памятью.

Личный вклад автора. Диссертация представляет итог самостоятельной работы автора, обобщающий полученные им и в соавторстве результаты. Основные положения, выносимые на защиту разработаны и сформулированы совместно с профессором А.Х. Матиевым. Автору принадлежат: выбор направления исследования, постановка задач и методов их решения, трактовка и обобщение основных полученных результатов.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на:

VIII-ой Международной конференции «Опто-, наноэлекторника, нанотех-нологии и микросистемы»., УГУ, Ульяновск, 26-30 июня 2006 г. и 24-29 сентября 2007 г., The Fifth International Seminar on Ferrelastic Physics. Voronezh State Technical University . Voronezh. Russia. September 10-13.- 2006., X Международном симпозиуме «Фазовые превращения в и твердых растворах и сплавах. ОМА-10» Ростов на-Дону, п. Лоо. 19-24 2007 г., X Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов. ODPO-IO» Ростов на-Дону, п. Лоо. 12-17 2007 г., IX-ой Международной конференции «Опто-, наноэлекторника, нанотехнологии и микросистемы»., УГУ, Ульяновск, 26-30 сентября 2007 г., VIII-ой Российской конференции по физике полупроводников, г. Екатеринбург, 30 сентября - 5 октября 2007 г. и других конференциях.

Достоверность результатов. Всесторонний характер исследований, проведённых автором данной работы на одних и тех же образцах с использованием различных методик физического эксперимента, убеждает в достоверности представленных результатов и обоснованности выводов, следующих на их основе. Результаты исследований обсуждались на Российских и Международных конференциях и симпозиумах.

По теме диссертации опубликовано 12 научных работ, в том числе 1 статья в журнале из списка ВАК и 10 докладов опубликованы в сборниках научных трудов конференций. Список публикаций приведен в конце автореферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 5 глав, приложения, заключения и выводов. Она содержит 191 страниц компьютерного текста, 57 рисунков и 18 таблиц; в списке литературы 173 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Матиева, Тоита Ахметовна

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, опубликованы в следующих работах:

1. МатиевА.Х., МатиеваТ.А. Низкотемпературный фазовый переход в TlInS2. // Труды VIII Международной конференции «Опто-наноэлектро-ника и нанотехнологии и микросистемы». УлГУ. - Ульяновск. — 26-30 июня. - 2006. - С.

2. Matiyev A.Kh., Georgobiani A.N. Matiyeva T.A. The Low-Temperature Phase Transition in Monocrystals Tli.xCuxInS2 (0 < X < 0,015). // The Fifth International Seminar on Ferrelastic Physics. Voronezh State Technical University . Voronezh. Russia. September 10-13.- 2006. C.41.

3. Георгобиани A.H., Матиев A.X., Матиева T.A. Оптические и электрические свойства монокристаллов /?-Tli.xCuxInS2 (0<Х<0,015). // Изв. РАН. Сер. Физическая. - 2007. - Т. - №10. - С. 1437-1439.

4. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х. Булярский С.В., Матиева Т.А. Дисперсия показателя преломления в кристаллах ^-TlixCuxInS2(0 < X < 0,015). // Труды X Международного симпозиума «Ома 10». - 2007. - С.41-44.

5. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х. Булярский С.В., Матиева Т.А. Спектры ИК-отражения и КРС монокристаллов /?-TlixCuxInS2 (0 < X < 0.015). Труды X Международного симпозиума «ODPO». - 2007. - С. 165168.

6. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х. Булярский С.В., Матиева Т.А. Дисперсионная зависимость показателя преломления в кристаллах

-Tl|xCuxInS2 (О < X < 0,015). // Труды IX Международной конференции «Опто-наноэлектроника и нанотехнологии и микросистемы». УлГУ. - Ульяновск. - 26-30сентября. - 2007. - С. 179.

7. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х. Булярский C.B., Матиева Т.А. Колебательные спектры кристаллов /?-TlixCuxInS2 (0 < X < 0,015). // Труды IX Международной конференции «Опто-наноэлектроника и нанотехнологии и микросистемы». УлГУ. - Ульяновск.—26-30 сентября. - 2007. -С.180.

8. Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Матиева Т.А. Фононный спектр кристаллов yft-Tlj.xCuJnSo (0 < X < 0,015). // Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводников. - Екатеринбург — 30 сентября -5 октября 2007. - С.73.

9. Матиев А.Х., Матиева Т.А. Выращивание монокристаллов /?-Tl].xCuxInS2 (0<Х<0,015). // Труды. Всероссийской научно-практической конференции, посвященной 95-летию акад. М.Д. Миллионщи-кова. Наука, образование и производство» ГГНИ - Грозный. 29 февраля -01 марта-2008.

10. Матиев А.Х., Матиева Т.А. Оптические свойства монокристаллов ytf-Tl,.xCuxInS2 (0<Х<0,015). // Труды. Всероссийской научно-практической конференции, посвященной 95-летию акад. М.Д. Миллионщи-кова. Наука, образование и производство» ГГНИ - Грозный. 29 февраля - 01 марта - 2008.

11. Матиев А.Х., Хаджиев P.P., Матиева Т.А. Экспериментальное исследование нарушений стехиометрии в монокристаллах у5 -TlixCuxInS2 (0<Х<0,015). // Труды. Всероссийской научно-практической конференции, посвященной 95-летию акад. М.Д. Миллионщикова. Наука, образование и производство» ГГНИ — Грозный. 29 февраля - 01 марта 2008.

12. Матиев А.Х., Хаджиев P.P., Матиева Т.А. Электрооптический эффект в кристаллахy9-Tl1.xCuxInS2(0<X<0,015). // Труды. Всероссийской научно-практической конференции, посвященной 95 - летию акад. М.Д. Миллионщикова. Наука, образование и производство» ГГНИ. Грозный. 29 февраля - 01 марта - 2008.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моему научному руководителю, заведующему кафедрой общей физики Ингушского государственного университета, доктору физико-математических наук, профессору Ахмету Хасановичу Матиеву за постоянное внимание к работе, помощь, ценные советы и замечания.

Искренне признательна главному научному сотруднику ФИ им. П.Н. Лебедева РАН, академику РАЕН, доктору физико-математических наук, профессору Анатолию Неофитовичу Георгобиани за предоставленную возможность и помощь в проведении низкотемпературных оптических исследований.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Матиева, Тоита Ахметовна, 2008 год

1. Гусейнов Г.Д. Поиск и физические исследования новых полупровод-ковых-аналогов. Диссертация на соиск. уч. ст. докт. физ.-мат. наук. Баку, 1969. -360с.

2. Гусейнов Г.Д., Абдуллаев Г.Б. и другие. О сложных аналогах полупроводников типа TISe. // Деп. в ВИНИТИ, № 6398, 1973. 12с.

3. Компаниченко Н.М., Чаус И.С., и др. Диаграмма состояния системы In2S3 Т12. // Журнал неорганической химии. - 1975. Т.20. - № 3. -С.754-757.

4. Guseinov G.D., Mooser and others. On some properties of TlInSe2(S2,Te2) single crystals. // Phys.Stat.Sol. 1969.- V.34. - № 1. - P.33-34.

5. Бабанлы М.Б., Кулиев А.А. Оценка теплот и энтропий плавления халькогенидов типа Т12С6(С S, Se, Те) и Т1В3С62(В - Ga, In; С - S, Se, Те). // Уч. зап. Азерб.гос.ун-та, сер. химич. наук.- 1976. - №1. - С.31-36.

6. Offegeld G.D. Semiconductive materials containing thallium. // Patent USA. №3110685.

7. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M. and others. Abaut a group of three component compounds being analogous to binary semiconductors of the A3B6 type. // Phys. stat. solidi. 1967. - V.22. - № 2. - P.kl 17-kl22.

8. Guseinov G.D., Abdullayev G.B., and others. On new analogs of TISe- type semiconductor compounds. // Phys.Letters. 1970. - V.A33. -№7 -P.421-422.

9. Guseinov G.D., Abdullayev G.B., and others. Constitutional diagram and physical properties of TISe InSe pseudobinary system. // Mat. Res. Bull.- 1972. -V.7. №12. - P.1497-1504.

10. Бабанлы М.Б., Кулиев A.A. Исследование систем TlGaS2 TlGaTe2, TlInSe2- TlInTe2. // Азерб. Хим. Журнал. - 1977. - №4. - C.l 10-112.

11. Гусейнов Г.Д. Некоторые итоги и перспективы поиска сложных полупроводниковых аналогов. // УФЖ. 1969. - Т.99. - №3. - С.508.

12. Hahn Н., Weltman. Über ternare chalkogenid des Thalliums mit gallium and indium. // Die Naturws. 1967. V.54. №2 - Ps.42.

13. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. Constitutional diagram and physical properties of TlSe2 InSe pseudabinary system. - Mater.Ress.Bull. - 1972. - V.7. -№ 12. -P.1497-1504.

14. Müller V., Eulenberger C., Hahn H. Über ternäre Thalliums chalkogenid mit Thallium seleriid structur. // Z.anarg.Chem. - 1973.V.398. - №2 -P.207-220.

15. Muller D., Poltmann E. and Hahn H. Zur structur ternarer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium and Indium. // Z. Naturforsch. 1974. - V.29. -№1. -P.117-118.

16. Hahn H. and Wellmann. Über ternare chalkogenid des Thalliums mit Gallium und Indiuv. // Naturwlesenahften. 1967. - V.54.- №1 - P.42.

17. Isayev T.J. Crystal data crowth for thallium, gallium diselede TlGaSe2. // J. Appl. Cryst.allogr. 1973. - V.6. - №5. -P.413-414.

18. Isayev T.J. and Hopkins B.H. Crystal growth, symmetry and physical properties of thallium, gallium disulphide TlGaSe2. // J.of Crystal Crowth. -1975. V.29. - №1. -P.121-122.

19. Isayev T.J. and Felchtner J.D. Crowth and ohtical properties of TlGaSe2 and /?-TlInS2. // J.of Solid St.Chemistry. 1975. - V. 14. - №3. - P.260-263.

20. Müller D.V. and Hahn. Zur Struktur des TlGaSe2. // Z. anorg. allg.chem.-1978. V.438. - №3. - P.258-272.

21. Булаевский Л.И., Гинзбург В.Л. и др. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. // М.: Наука. -1977. 400с.

22. Голубев Л.В., Леонов Л.И. Сверхрешетки. М.: Знание. 1977.

23. Kuhn O.A., Chevy A. and others. Crystal structure and interatjvic distance in GaSe. // Phys. Stat. Sol. (a). 1975. - V. 31. - P.469-473.

24. Müller D., Poltmann B. and Hahn H. Zur structure ternarer chalkogenide des Thalliums nit Aluminium. Gallium und Indium. // Z. Naturforesh. -1974. V.29. b. - №1. - P. 117-110.

25. Isaacs TJ. Determination of the crystal symmetry of the polimorphs of thallium. Indium disulphide TlInS2. // Z. Crystallograph. 1975. - V. 147. -№ 1-2. P.104-108.

26. Аллахвердиев K.P., Агазалов У.В. и др. Оптические фононы в TlInS2. // Изв. АН Азерб. ССР. серия физ.-мат.и мат. наук. 1978. №1. — С.21-25.

27. Wieting TJ., Verlle J.L. Interlayer bonding and the lattice vibration of -GaSe. // Phys. Rev. 1972. - V. B5. - P. 1473-1479.

28. Zallen R., Slade M.J. and others. Lattice Vibratons and interlayer interactions in crystalline As2S3. // Phys. Rev. 1971. - V. B3. - P.4257-4273.

29. Давыдов A.C. Теория спектров поглощения молекулярных спектров. // ЖЭТФ., 1948. Т. 18 №2. - С.210-218

30. Курбатов JI. П., Дирочка А.Н. Сосин В.А. Влияние экситонных поля-ритонов на край поглощения GaTe. // ФТП. 1973. - Т. 13. - №1.1. С.75-82.

31. Henkel W., Hochheiwer H.D and others. High-pressure Raman Study of the ternary chalkogenides TlGaS2 , TlGaSe2, TlInS2 and TlInSe2. // Phys. Rev. 1982 - B.26. - №6. - P.3211-3221.

32. Аллахверджиев K.P., Годжаев M.M. и др. Оптические фононы систем TlGaxInixSe2xS2(i.x). // ФТТ. 1982. - Т.24. - №8. - С.2533-2535.

33. Hochheiwer H.D, Gmelin E. and others. As conductivity calorimetric X-Ray and Roman Study of the nexghexagonol p hasc TlInS2-III. // Phys.Stat.Sol- 1985. 88(a). - №1. -P.43-48.

34. Range K.J., Engert C. and others. Hochdrucksynthese and Kristalls strukturen von TlInS2-II and TlInS2-III. // Z. Naturforsh. 1974. - 29B. -№ 3-4. -P.181-185.

35. Агаев K.A., Гасимов B.A. и др. Электронографическое определение структуры тонких пленок TlInS2. // Кристаллография. 1973. - Т.18. -№2. - С.366-368.

36. Карпович И.А., Червова А.А., Демидова А.И. Ширина запрещенной зоны TlGa(S, Se)2 и TlIn(S, Se)2. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы.- 1974. Т.10. - №12. - С.2216-2218.

37. Ахмедов A.M. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlInSxSe2-x. П ФТП.- 1978. Т.12.- №3. - С.520-523.

38. Бахышов А.Э., Самедов С.Р. и др. Примесные состояния в нелегированных монокристаллах, P-TlInS2. // ФТП.- 1983. Т. 17.- №3.- С.433-436.

39. Дарвиш A.M., Бахышев А.Э. и др. О механизме проводимости соединений TlGaS2, TlGaSe2. // ФТП.- 1977. Т.П.- №4. - С.78-781.

40. Gottiev M., Isaacs T.J. and others. Acousto-optic properties of some chalcogenide crystals. // J. Appl. Phys.- 1974. -V.45.- 88(a). №12. -P.5145-5151.

41. Guseinov G.D., Abdullaeva S.G., Godzhaev E.M. and others. Electroabsorption of TlInS2 single crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. - Y.81. -№1. -Pk.47-k.50.

42. Bakirov M.Ya., Zeinalov N.M., Abdullaeva S.G. and others. Electroab-sorption in TlInS2. // Solid State Communications. 1982. - V.44. - №2. -P.205-207.

43. Бакиров М.Я., Абуталибов Г.И., Зейналов H.M. Ширина запрещенной зоны и энергия связи экситона в монокристаллах TlInS2. // ФТП. 1983.- Т. 17. №7. - С. 1357.

44. Абуталибов Г.И., Нейман-заде И.К. Экситонное поглощение в монокристаллах TlInS2. // Тезисы Всесоюзного совещания «Экситоны в полупроводниках -82». Ленинград. - 1982. - С.65.

45. Абдуллаев Г.Б., Абуталыбаев Г. И., Алиев А.А. и др. Свободные и связанные экситоны в монокристаллах TlInS2.//Письма ЖЭТВ. 1983.- Т.38. №11. - С.525-526.

46. Gasanly N.M., Goncharov O.F., and others. Optical phonons and structure of TlGaS2, TlGaSe2 and TlInS2 layer single crystals. // Phys. Stat. Sol. -1983. V.l 16. - №10. - P 427-443.

47. ТереховаС.Ф., Онищенко H.А., Гусейнов Г.Д. Силы осцилляторов экситонных переходов монокристаллов TlInS2, TlGaS2, TlGaSe2. // Укр. физ. журнал. 1983. - Т.28. - №10. - С.1557-1560.

48. Матиев А.Х. // Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем Т1В3С62 A'B3C62 (А - Си, Ag; В - In, Ga; С - S, Se2). // Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. УлГУ. Ульяновск. - 2005. 399с.

49. Маврин Б. И., Стерин К. Н. и др. Оптические фононы в слоистых кристаллах TlGaS2, TlGaSe2 и p -TlInS2. // ФТТ. 1977. - Т. 19. - №10 -с.2960-2963.

50. Casanly N.M., Dzhavadov В.М., Rakhimov A.S. and others. Infraredreflectivity spectra of TlGaS2- type layer crystals. // Physica. 1982. - 112 В. - P.73-32.

51. Aliev R.A., Allakhverdiev K.R and others. Angulaz behavior of the polar optical phonons in А111 Вш CVI2 layered semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. - V.l 12. - №2. - P к.153-к.156.

52. Аллахвердиев K.P., Виноградов E.A. и др. Колебательный спектр кристаллов TlGaS2, TlGaSe2 и (3 -TlInS2. // Элм. 1982. - С. 55-63.

53. Gasanly N/M., Ragimov A.S. Tagirov V.I. Directional dependence of extra ordinary infrared oscillator parameters of TlGaS2 type layer crystals. // Physica btc. - 1983. - V. 2B, - №4. - P. 28-34.

54. Allakhverdiev K.R., Godzhaev M.M. and others. Ligth scatiering of the solid solutions TlGaJn^Se^S^.x). //Phys. Stat. Sol. (b). 1982. - V.l 12. -№2. - P k.93-k.97.

55. Вахрушев С.Б., Жданов В.В. и др. Несоразмерный фазовый переход в кристалле TlInS2. // Письма в ЖЭТФ. 1984. - Т.39. - №6. - С. 245-247.

56. Алиев Р.А., Аллахвердиев КЮР. И др. Сегнетоэлектричество и структурные фазовые переходы в кристаллах семейства TlInS2. // ФТТ. -1984. Т. 26. -№12. С. 1271-1276.

57. Волков А.А., Гончаров О.Г. и др. Структурные фазовые переходы в кристалле TlInS2. // ФТТ. 1983. - Т. 25. -№12. С. 3583-3585.

58. Карпович И.А., Червова А.А., Демидова А.И. Ширина запрещенной зоны TlGa(S, Se)2 и TlIn(S, Se)2. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1974. Т.10. №12. - С.2216-2218.

59. Червова А.А. О ширине запрещенной зоны TlGaSe2. // Учен. зап. Горь-ковского ун-та, сер. физ.- 1972. №149. - С.16-18.

60. Бахышев А.Э.,Ахмедов A.M. и др. Температурная зависимость края полосы поглощения TlInSxSe2„x. // Изв. ВУЗов. Физика. — Рук. деп. в ВИНИТИ. №404-77 от 1 февраля 1977. - 6с.

61. Guseinov G.D., Abdullayeva S.G., Godzhaev F.M. and others. Electro-absorption of TlInS2 single crystals. // Phys. St.Sol.(b). 1977. - V.81.1- P.k47-k50.

62. Бахышев А.Э.,Ахмедов A.M. Диаграммы состояния и диаграммы состав свойства TlGaS2 - TlGaSe2 и TlInS2 - TlInSe2. // Изв. АН СССР. Неоргган. матер. - 1979. - Т.15. - №3. - С.417-420.

63. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L., Godzhaev F.M. and others. Excitons in TlGaSe2. // Phys.St.Sol.(b). 1981. - V. 103. - Р.кб 1 -k63.

64. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L. and Mamedov N.T. Near Band - Edge Optical properties of TlGaS2xSe2(1.X) mixsed crystals. // Phys.St.Sol.(b). -1980. - V.l02. -P.kl9-k22.

65. Бахышев А.Э., Халафов З.Д., Салманов В.M. и др. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGaS2. // ФТП.1976. -Т.10. С.1950-1952.

66. Бахышев А.Э., Лебедев А.А., Халафов З.Д. и др. Оптические и фотоэлектрические исследования кристаллов. TlGaS2. // ФТП. 1978. - Т. 12. №3. — С.555-557.

67. Балтрамеюнас Р., Веицкас Д., Зейналов Н. и др. Фотопроводимость и дифракция света в монокристаллах TlInS2. // ФТП. 1982. - Т. 16. -№ 9. -С. 1696-1697.

68. Балтрамеюнас Р., Жукаускас А., Зейналов Н. и др. Люминесценция монокристаллов TlInS2 при лазерных уровнях возбуждения. // ФТП. -1983.-Т.17. -№ 10.-С.1898-1900.

69. Абуталибов Г.И., Абдуллаева С.Г., Зейналов Н.М. Оптические свойства монокристаллов TlInS2. // ФТП. 1982. - Т. 10. - №11. - С.2086-2088.

70. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С. Расчет энергетического спектра электронов тройных полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия. // Докл. АН Азерб. ССР. 1980. - Т.36. - № 12. - С. 18-23.

71. Оруджев Г.С. Расчет электронного спектра полупроводниковых соединений типа Т1Бе: Автореферат диссертации на соиск. учен. степ, канд. физ.-мат. наук. Баку. -1981.

72. Технология тонких пленок (Под редакцией Мейесела П., Глэнга Р.М.) М.: «Советское радио». - 1977. - Т.1.- 662 с.

73. Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов. М.:АН СССР.- 1961.-396 с.

74. Гавриш В.А., Илбичева Л.Ф. и др. Программное устройство к терморегуляторам. // Приборы и техника эксперементов. 1979. - № 6 .-С.1949-1950.

75. Вильке К.Т. Выращивание кристаллов. М.: «Недра». - 1977. - 600с.

76. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: «Мир».- 1974. - 540с.

77. Глазов В.М., Мальсагов А.У., Крестовников А.Н. Тепловое расширение и объемные изменения при плавлении некоторых соединений группы А1 В111 С/1. // Изв. АН СССР Неорганические материалы.-Т.6.- № I.- С.143-145.

78. Чаммерс Б.Теория затвердевания. М.: «Металлургия». - 1968. - 250с.

79. Боровкий И.Б., Водоватов Ф.Ф., Жуков А.А, Черепин В.Т. Локальные методы анализа материалов. М.: Металлургия, 1973. — 296 с.

80. Голдстейн Дж. Электронно-зондовый микроанализ в металлургии. В сб. «Электронно-зондовый микроанализ.» М.: Мир, 1974. - с.208-256.

81. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979. - 423с.

82. Гиммальфарб Ф.А. В кн. «Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок». — М.: Наука, 1977. с. 255-279.

83. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. М.: Машиностроение, 1980. -220с.

84. Андрущенко Н.С. Математическая обработка данных количественного РСМА. // В сб. «Аппаратура и методы рентгеновского анализа». JL: Машиностроение. - 1975. - вып. 17. - с. 179-192.

85. Guseinov G.D., Alegev V.Q., Baqerzade E.F. Defects in TlGaSe2. // Mat. Chem and Phys. 1985.

86. Ищенко С.С, Окулов С.М., Абдуллаев Г.Б., Беленький Г.Д., Грачев

87. B.Г., Дейген М.Ф., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю., Семенов Ю.Г. ЭПР Мп2+ в монокристаллах GaSe. // ФТТ, 1977. - Т. 17. - №6. - С. 1974-1976.

88. Моцный Ф., Ищенко С.С., Окулов С. М., Блецкан И.И., О природе инфракрасной фотолюминенций и характера легирования слоистых монокристаллов иодистого висмута. // ФТТ. 1977. - Т.П. -№ 6.1. C. 1043-1048.

89. Behera D.M., Kokimchi А.А., Semax D.G., Chpur D.V. Peculiarities in the structure and origin of localized states responisible for the Photodectret state in AVBVII3 type lager orystals. // Phys Star Sol. (a). - 1971. - V.7. -№1. - P. 69-71.

90. Берча Д.М., Маслюк B.T., Заячковский M. Н. Энергетический спектр и электрические свойства сильно анизотропных кристаллов с «ковалент-ными мостиками». //УФЖ- 1975. Т.20. - №9. - С. 1417-1421.

91. Мильвидовский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. — М.: Металлургия, 1974. 392 с.

92. Боронихин В.А., Непин А.И. Программа универсальная для расчета поправок и статистической обработки результатов текущих изменений при количественном рентгеноспектральном микроанализе («Цума»). //

93. В сб.: «Аппаратура и методы рентгеновского анализа. — JL: «Машиностроение». 1980. - вып. 23. - С. 204-217.

94. Шиллинг Г. Статическая физика в примерах. М.: Мир, 1976. - 413 с.

95. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир.-1973.-451с.

96. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника.1. М.:Мир. 1976. -2428с.

97. Лисица М.П. Спектрофотометрический метод исследования дисперсии и поглощения твердых веществ. // Докл. АН СССР. 1956. - Т.З. -С.803-805.

98. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука,-1977.-366с.

99. Мушинский В.П., Караман М.И. Оптические свойства халькогенидов галлия и индия.- Кишинев : Штиница. 1973. - 114с.

100. Urbach F. The long wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorptions of solide. //Phys.Rev. 1953. - V.92. - № 5.1. P. 1324.

101. Бахышев А.Э., Ахмедов А.И., Рзаева Л.А. и другие. Температурная зависимость края полосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. Вузов СССР.-Физика. 1977. - № 4. - С. 169.

102. Джонсон Е. Поглощение вблизи края фундаментального поглощения.-В кн.: Оптические свойства полупроводников. М.: Мир. - 1970.1. С. 166-277.

103. Гнатенко Ю.П., Курик В.Н. Экситон-фононное взаимодействие в монокристаллах CdSe и CdS-CdSe. // Оптика и спектроскопия. 1970.-Т.29. - № 2. - С. 339-341.

104. Курик В.М., Малинко В.П., Рожко А.Х. и другие. Температурная зависимость края поглощения в РЬТе. // Укр. физ. журн. 1969. - Т. 14.- № 7. С.1221-1223.

105. Гнатенко Ю.П., Курик В.М. Экситон-фононное взаимодействие в CdS. // ФТТ. 1970. -Т.12. - № 4. - С.1143-1149.

106. Гнатенко Ю.П., Курик В.М. Экспериментальные закономерности правила Урбаха в полупроводниках A11 BVI. // ФТП. 1971. - Т.5. -№ 7. - С.1347-1350.

107. Катон В.Д. Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха. // ФТТ. 1973. -Т. 17. - №9. - С.2578-2584.

108. Toyozawa Е. Theary of line shapes of the exciton absorption bonds. // Prog. Theor. Phys. 1958. - V.20. - № 1. - P.53-31.

109. Toyozawa Y. Aproposed model for the explanation of the Urbach rule.-// Prog. Theor. Phys. 1959. - V.22. - № 3. - P.455-459.

110. Гросс Е.Ф., Перель В .И., Шехмаметов P. H. Обратная водородопо-добная серия при оптическом возбуждении легких заряженных частиц в кристалле йодистого висмута (BiJs). // Письма в ЖЭТФ. 1971.-Т.13. -№ 6. -С.320-325.

111. Смит Р. Полупроводники. М.: HJI. - 1982. - 467с.

112. Гасанлы Н.М., Маврин В.М., Халафов З.Д. Спектры комбинационного рассеивания света в монокристаллах TlGaS2, TlGaSe2 и TlGaS0,6Se1)4. // Уч. зап. MB и ССО Аз.ССР, сер.физ,- мат.наук. 1976. - № 4. -С.130-131.

113. Durn D. Urbach's rale in an electron phonon model. // Phys.Rev. - 1968. -V.174. - № 3. - P.855-858.

114. Toyozawa Y. The Urbach rule and exciton-lattice interaction. // Techn. Rept. ISSP, A. -1964. №119. - P.68.

115. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. // Минск: Наука и техника. 1975. - 460с.

116. Мотт Н, Девис Э. Электронные процессы в поликристаллических веществах. //М.: Мир. 1974. - 472с.

117. Belenkii G.L., Abdulaeyva S.G., Solodukhin A.V. and others. Peculiarities of tremal expansion of layered crystals. // Solid State Communications. -1982. -V.44. -№12. P.1613-1615.

118. Литовченко П.Г., Устьянов B.M. Определение параметров уровней прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. // В кн. Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. Вильнюс. 1969. - С.153-177.

119. Вертопрахов В.Н., Соныман Е.С. Термостимулированные токи в неорганических веществах. // Новосибирск: Наука. 1979. - С.332.

120. Лушик Ч.Б. К теории термического высвечивания. // Докл. АН СССР, сер. физ. 1955. - Т.101. - №4. - С.641-644.

121. Littfeld H.J., Voigt G.J. Vereloichende untersuchungsa ven leitfanigkeitsglackurven on CdS-Eirkrictallen. // Phys. St. Sol. 1965. - V.3. - №10. - P.1941-1954.

122. Nicholas K.H., Woods J. The evalustion of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide. // Br. J. Appl. Phys. -1984. V.15. - №7. - P.783-795.

123. Haering R.R., Adums F.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Currents in Photoconductors. // Phys. Rev. 1960. - V.l 17. -№2. - P.451-454.

124. Randell S.T., Wilkins M.T. Phosphorescence and electron traps.// Proc. R. Soc. A. London. 1945. - V.184. - №999. - P.365-407.

125. Halperin A., Braner A.R. Evaluation of Thermal Activation Energives from Glow Curves. // Phys. Rev. 1960. - V.l 17. - P.433-445.

126. Bohun A. Termoemission und photoemission natrium-chlorid. // Czech. J. Phys. 1954. - V.4.- №1. - P.91-93.

127. Booth A.H. Calculation of electron trap depts from thermaluminescence maxims. // Can. J. Chem. 1954. v. 32. №2. p. 214 215.

128. Croseweirner L.J. Note on the Analysis of First-order Glew Curves. // J. Appl. Phys. 1953. - V.24. - №10. - P. 1306-2307.

129. Лушак Ч.Б. Исследования центров захвата в щелочногалоидных кристаллофорах. // Тр. Института физ. и астр. АН ЭССР. 1966. -№3. - С.3-88.

130. Роуз Л. Характеристики фотопроводников. В сб.: «Полупроводниковые преобразователи энергии излучения». М.: ИЛ. - 1959. - С.9-75.

131. Corlick G.J., Gibson A.M. The electron trap mechanism of luminescence in sulphido and silicate phosphors. // Proc. Phys. Soc. 1948. - V.A60. -№342.-P.574-581.

132. Бьюб P. Фотопроводность твердых тел. // М.: ИЛ. 1962. - 534с.

133. Boer N.W., Oberlander S., Voist J. Uber dio luswertung von Loitfahgkcits glowkuren. // Ann. Physik. 1958. - V.2. - №3-4. - P.130-145.

134. Аркадьева E.H., Рыбкин C.M. Исследования уровней прилипания в Sb2S3 методом термостимулированного тока. // ФТТ. 1959. - Т.1. -№9.-С. 1460-1461.

135. Bakhyshov А.Е., Safuat boules and others. The fundamental optic absorptioneolge of TlGaSe2xS2(i-X) solid solution. //Phys.stat.sol. 1979.-V.95. - № 2 .- P.kl21-kl25.

136. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. // M.: Наука. - 1976. - 402с.

137. Волков А.А., Гнчаров Э.Г., Козлов С.В. и другие. Структурные фазовые переходы в кристаллах TlInS2. // ФТП. 1983. - Т.36. - №12.-С.3583-3585.

138. Wintle Y.J. Docay of excess chargo in dielectrics having shorter electrodes. // J. Appl. Phys. 1971. - V.42. - №12. - P.4724-4730.

139. Ergeisen D. Ellipsometry of anisotropic films. // J. Opt. Soc. Am. 1971. V.61. - №11. - P.1460-1466.

140. Матиев A.X., Хамхоев Б.М. Анизотропия, дисперсия и электрооптические эффекты в кристаллах TlGaSe2 и TlInS2. Н Труды V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». — Ульяновск. 2003. - С. 13.

141. Агасиев A.A., Зейналов А.М., Мамедов A.A. и другие. Край оптического поглощения монокристаллических пленок сульфида сурьмы. // ФТП. 1972. - Т.6. - №4. - С.649-653.

142. Желудев И.С.Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука. -1968. 460с.

143. Арабидзе A.A., Халикова Д.Д., Кокоева В.Д. Исследование электрического эффекта в кристаллах динамическим методом., Сообщ. АН Груз. ССР. 1968. - Т.50. - №1. - С.59-64.

144. Сонки A.C., Василевская A.C. Электрооптические кристаллы., -М.: Атомиздат. 1971. - 328с.

145. Волков A.A., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В. и другие. Сегнетоэлектри-ческая мягкая мода в полупроводниковом кристалле TIGaSe2. // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37. - В.11. - С.517-520.

146. Müller D.V. und Hahn Н. Zur struktur des TiGaSe2. // Z. Anore. Allg. Chem. 1978. - V.438. - №3. - P.258-272.

147. Курбатов JI. П., Дирочка А.Н. Сосин В.А. Влияние экситонных поля-ритонов на край поглощения GaTe. // ФТП. 1973. - Т.13. - №1. -С.75-82.

148. Червова A.A. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость TlGaSe2 и TlInSe2. // Рукоп. депон. в ВИНИТИ. №53-67 от 7 января 1976.-С. 10.

149. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. //1. М.: Мир. 1976.-428с.

150. Бандривчак И.Б., Быдый М.Н. Анизотропия показателя преломления монокристаллов BI2S3. выращенных из газовой фазы. //Опт. и спектр. -1976. Т.40. - №6. - С.1078-1079.

151. Малик А.И., Ковалик З.Д., Джевский Г.Б. О влиянии остаточных деформаций на интерференционный спектр монокристаллов GaS. // Изв. Вузов СССР. Физика. 1975. - №3. - С.144-145.

152. Борец А.Н., Стахира И.И. Оптические свойства In2Se. // Укр. Физ. Ж. 1964. - Т.9. - №10. - С.1074-1078.

153. Дитчберн Р. Физическая оптика. // М.: Наука. 1965. - 631с.

154. Мальсагов А.У., Котченко А.П., Матиев А.Х. и др. Влияние магнитного поля на гирацию кристаллов TlGaS2XSe2 (.х). // V Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение. 1987. -Т.1.-С.14.

155. Бурлаков В.М. //Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук г. Троицк. - 1982 - 21 с.

156. Богданскис Н.И., Жижин Г.Н. Криостат. // Бюллетень изобретений. А.С. СССР 1974. - Т.ЗЗ - С.148.

157. Abeles F. Optical properties of soluds. Amsterdam - London. // North -Holland Pub. Co. - 1972. - P.533-621.

158. Robinson T. S. Optical Coustants by Reflection. // Prog. Rog. Soc. -London. 1952,-V. 1365. - P.910-912.

159. Gotieb M. Optical properties of Lihtium Fluoride on the Infrared. // J. Opt. Soc. Am. 1960. - V.50. - P.313-319.

160. Janoda F. C. Fundamental Alsorption of Bariun Oxide from InAs. Reflectivity Spectrum. //Phys. Rex. 1957. V.107. - P.1261-1265.

161. Thomas D. C., Hopfield J. Exiton Spectrum of the Cadmium. Sulphate. // Phys. Rev. 1959. - V. 116. P.573-582.

162. Bowled H.J., Wilinsharst J. K. Evolution of the One Angle Reflection Technique for the Determination of the optical Coustants. // J. Opt. Soc. Am. 1963. - V.53. -P.1073-1078.

163. Schotz. P.N., Macda S., Kozima C. Determination of Optical Counstants from Reflection Bands Usiag Dispersion Relations. // J. Chem. Phys. -1963. V.38.-P.2658-2661.

164. Andermann G., Caron A., Downs D.A. Rramers Kroning Dispersion Analisis of Infrared Reflectance Bands. // J. Opt. Soc. Am. - 1965. - V.55. — P.1210-1216.

165. Биттель Ч. Введение в физику твердого тела. // М.: Наука. 1978. -С.204.

166. Кардон М. Модуляционная спектроскопия. // М.: Мир. 1972. - С.115.

167. Рассеяние света в твердых телах. Под редакцией Кардоны М., Захар-чени Б. П. // М.: Мир. 1979. -392 с.

168. Жижин Г.И., Маврин Б.Н., Шабанов В. Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов. // М.: Наука. 1984. -161 с.

169. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. // М.: Мир. 1988. - 608 с.

170. Бурлаков В. М., Виноградов Е. А., Жижин Г. Н. и др. // ФТТ. 1984. -Т.26. - №5 - С.1271-1276.

171. Вахрушев С. Б., Жданова В. В., Кветковский Б. Е. И др. Несоразмерный фазовый переход в кристалле TlInS2. // ФТТ. 1984. -Т.26. - №5 -С.1271-1276.

172. Ибрагимов Т. Д., Асланов И. И. Спектроскопия метастабильных структур в кристаллах TlInS2. // Труды Международной конференции Оптика, оптоэлектроника и технологии. Ульяновск. - 2002.- С. 128.