Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Сафуат Булис Юсиф Ниер

• Сафуат Булис Юсиф Ниер
• кандидат физико-математических наук
• 1982

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сафуат Булис Юсиф Ниер

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. МЕТОДИКА СИНТЕЗА И ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

TlGoSJe^ ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.

§ I.I. Краткий литературный обзор физических свойств таллий-галяяевых сульфидов и седенидов

§ 1.2. Физико-химические свойства твердых раотворов

TIGqS2x&2«-X).V.

§ 1.3. Синтез и выращивание монокристаллов

Резюме.

ГЛАВА П. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КРАЯ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ

ПОГЛОЩЕНИЯ МОНОШСТАЛЛОВ TlGoSJe^

ПРИ Х^ I

§ 2.1. Спектр и форма края основной полосы поглощения в полупроводниках

§ 2.2, Методика эксперимента

§ 2.3. Формирование края собственного поглощения монокристаллов и / lGoSe

§ 2.4. Край полосы поглощения TIGqS2x$€2(<-x) • • • 45 Резюме.

ГЛАВА III. СТРУКТУРА ОСНОВНЫХ ПОЛОС ПОГЛОЩЕНИЯ И ОПТИЧЕСКИЕ

КОНСТАНТЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoSzySe^-x)

§ 3.1. О методике измерения диффузного отражения я обработке экспериментальных данных

§ 3.2. Межзонные переходы соединений

TlGoSe, л ТШаОг

§ 3.3. Спектр диффузного отражения твердых растворов

TlGaS2£e2(1.x) в интервале энергии 2*6 эВ

§ 3.4. Диффузное отражение и механизм формирования края собственной полосы поглощения TIGqSzk^sO-x)*

§ 3.5. Дисперсия края полосы собственного поглощения в монокристаллах TlGoSz » TlGoSe

§ 3.6. Собственная интерференция и дисперсия у края собственной полосы поглощения TIGqS2 , TIGaSSe,

TlGaSe?

Резше.

ГЛАВА 1У. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ В

ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoSzxSez(i.x)

§ 4.1. Температурная зависимость электропроводности монокристаллов TIGq$2xS~2(f-x) при постоянном токе

§ 4.2. Частотная и температурная зависимости электропроводности монокристаллов TlGoS^S^fy-x) в переменном токе.

§ 4.3. Примесная фотопроводимость монокристаллов

710о$2х$ег(4'х) .«

§ 4.4. Термостимулированные токи соединения ТЫ

TIGoSet, TIGaSSe . . . .-щ

§ 4.4.1. Термостимулированные проводимости TIGaSz

TlGaSe? , TIGaSSe. hi

§ 4.4.2. Термостимулированные деполяризации TIGqS

§ 4.5. Температурное гашение фотопроводимости TIGqS л TlGoSe

Резюме

ГЛАВА У. Ф0Т0В0ЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ СИСТЕМЫ TIGQ Xz'CdSe

§ 5.1. Изготовление гетеропереходов /IbQX? ~ CdSe

§ 5.2. Спектральная характеристика фотоюльтаического эффекта в системе Ад- Wo*- Cd&e.

§ 5.3. Характеристики системы Ад- ТШахг - CdSe в фотодиодном режиме.

Резюме.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2»

Дроведенные за последние пятнадцать лет в Институте физики АН Азерб.ССР исследования физических свойств соединений типа

Т1Вх2 (где В" Go , Х- Те , S , Se ) показали, что они перспективны для практического применения. На основе этих исследований предложены приемники для видимой и ближней инфракрасной области, высокочувствительные детекторы душ мощных лазерных лучей и жесткого излучения, обнаружены индуцированное излучение, фоторезистивный, фотоакустический, электрооптический эффекты и вольташерные характеристики типа N, S и т.д.

Кристаллы соединений типа Т1Вх2 являются анизотропными со слоистыми структурами и имеют ряд особенностей, отличающих их от классических полупроводников. Из этого класса материалов весьма интересными являются соединения с общей формулой TIGq Х2 » ширина запрещенной зоны которых меняется в интервале 2-3 эВ. Одним из путей получения материалов с широким набором параметров, отвечающим требованиям твердотельной электроники является варьирование состава сложных полупроводниковых соединений. В этом отношении большой интерес представляет исследование системы TlGa$2~Эти исследования могут, с одной стороны, выявить новые экспериментальные факты, которых невозможно заранее предсказать, с другой стороны, полученные экспериментальные закономерности дают возможность более глубокого понимания физических процессов, происходящих в сложных слоистых материалах. Исследование электронных свойств соединений типа TIGQS2 й твеРда растворов на их основе как новых полупроводниковых материалов необходимо для поиска подходящих материалов для нужд твердотельной электроники.

До предпринятых в данной работе исследований оптические свойства TlGoS^были изучены недостаточно полно. Энергетические зоны соединений типа TI^qSz ( к которым относятся ТЮй&2 и ТШАо-х) ) не исследованы ни экспериментально, ни теоретически. В литературе отсутствуют сведения о параметрах локальных уровней и закономерностях их распределения в запрещенной зоне* Необходимость изучения примесных центров в поду проводниках TlGoS^Se2(/-х) связана с тем, что в этих материалах, как в широко зонных поду проводниках» при формировании их физических свойств примеси играют важную роль. Кроме того, на основе полупроводников с глубокими уровнями можно создать различные типы твердотельных приборов.

Остаются также неизученными электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов Т1&0$2х$?2((-х)

Поэтов исследование новых сложных слоистых материалов TlGoSJe^) являются одним из актуальных вопросов физики полупроводников.

Целью настоящей работы являлось установление характера оптических переходов в области края фундаментального поглощения, определение параметров зонной структуры и энергетического спектра, локальных состояний в запрещенной зоне и выявление возможности применения в полупроводниковой электронике.

В соответствии с поставленной перед работой целью требовалось решить следующие задачи:

1. Подучить монокристаллы TIGqSzx^2(/-x)

2. Определить энергетические параметры зонной структуры и характер оптических переходов в монокристаллах TIG0S2 *

TlGoScg 113 основе исследования оптического поглощения ( в монокристаллах и тонких слоях), зеркального и диффузного отражения.

3. Исследовать дисперсию показателя преломления соединений типа TIGoS2 в области края собственной полосы поглощения.

4. Установить спектр локальных уровней и возможные электронные переходы в монокристаллах TIGaS, , TIGoSSe, ТЫ,

5, Определить возможности изменения полупроводниковых параметров ТЮоЗях&гО-х) да варьировании состава.

Научная новизна и практическая значимость работы.

Получены крупные совершенные монокристаллы твердых растворов TlGo$2x^2fr-x) методом направленной кристаллизации.

Впервые исследован механизм проводимости в монокристаллах

TlGoSzx^&O-x) показано, что при низких температурах ( до 400 К ) существенную роль в проводимости играет прыжковый механизм.

Впервые в монокристаллах TLGqS^&C^x) наблюден частотно-компенсационный эффект (ЧКЭ).

Впервые в кристаллах Т1в0$2х$^2(*-х) определена пороговая энергия прямых и непрямых оптических переходов и прямых экситон-ных переходов.

Впервые при 110 К определены концентрационные зависимости пороговых энергий прямых оптических переходов и максимумов полосы экситонного поглощения и установлено, что в кристаллах Tl&aSz и Ша$е2 природа оптических переходов у края собственной полосы поглощения отличается.

Впервые определены межзонные расстояния в монокристаллах

ТКэО&2х$ег(1-х) в интервале 2-6 эВ.

Уточнены методы определения оптических констант с учетом многократного отражения и впервые изучена дисперсия показателя преломления монокристаллов и TlGoSe? у края полосы собственного поглощения.

Впервые изучена структура локализованных состояний в запрещенной зоне нелегированных монокристаллов TIGqSzx&^o-x) методом ТСТ, ТСД, температурной зависимости проводимости и определены параметры глубоких и мелких примесей.

Впервые разработаны двухдиапазонные и двухбарверные фо-товольтаические элементы на основе TIGqX2 . имеющие фоточувствительность в интервале I +3 эВ.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ПРЕДСТАВЛЕННЫЕ К ЗАЩИТЕ:

1. В соединениях TIGqS2x$^2({-x) в температурной области (80+400) К существенную роль играет прыжковый механизм, проводимости, приводящий к возникновению частотно-компенсационного эффекта.

2. Край полосы поглощения кристаллов TIGqS2x в интервале температур 100-300 К формируется прямыми и непрямыми переходами в экситонные состояния. <

3. Электронные состояния, формирующие потолок (дно) валентной зоны ( зоны проводимости в кристаллах TlGoS^ и TlGoSe? различны.

4. В кристаллах TIGqS2x ) процессы переноса заряда осуществляются с участием примесных центров, роль которых изменяется в зависимости от температуры и состава кристаллов "X".

Результаты проведенных экспериментальных исследований отражены в пяти главах диссертация.

В первой главе дается литературный обзор о физических свойствах соединений « я TIGoSe, я физико-химических свойствах соединений TIGqSzx&zO-x) • 3Десь приведен также режим синтеза и выращивания монокристаллов 7Шо$2х>5€2(/-х)

Во второй главе изложены результаты исследований оптических свойств монокристаллов TIGqS2 я TlGoSeg и твердых растворов на их основе у края собственной полосы поглощения. Изучен край собственной полосы поглощения монокристаллов

Tl(jO$2x$fy(4-x) моноклинной структуры в температурном интервале 100-300 К. Установлено, что край собственной полосы поглощения соединений TIGqS2х-х) формируется прямыми и непрямыми переходами при участии экситонного поглощения. Установлены концентрационные зависимости пороговой энергии оптических переходов и максимума экситонного поглощения в твердых растворах TlGoS^ В третьей главе приведены результаты исследования спектров зеркального и диффузного отражения в монокристаллах TIGqS2 и TlGoSfy * йз К0Т0РЫХ определены энергии межзонных переходов в собственной полосе поглощения. В § 3.3 данной главе изложены результаты измерения диффузного отражения в TIGqS2x^20-х) На основании этих данных определены энергии межзонных переходов в интервале 2+6 эВ и установлен характер формирования края полосы поглощения в собственной и примесной областях.

В этой же главе приведены результаты исследования дисперсии показателя преломления монокристаллов TlGaSz и TlGoSe2 с учетом многократного отражения.

Здесь же изложены результаты исследования аномальной дисперсии в кристаллах TlGoSz . TlGctSSe и TlGoSez методом собственной интерференции. Установлено, что методом собственной интерференции можно обнаружить экситоны в кристаллах типа Т/ваЗг при комнатной температуре.

Обнаружена модуляция интерференционной картины в кристаллах типа TIGoS2 . Предложено объяснение этого явления.

В четвертой главе излагаются результаты исследования энергетических спектров локальных состояний в запрещенной зоне монокристаллов Sc2fr-х) • Температурными (80+600 К ) и частотными (О+Ю^Гц) исследованиями электропроводности монокрис таллов TlGoS2x^2(1 -х) установлено, что в большой температурной области механизм протекания тока соответствует прыжковой проводимости. Для выявления и определения параметров примесных уровней нелегированных монокристаллов TlGoS2?(S^2(f~x) были использованы разные методы (электрические, фотоэлектрические, термостшкалированные токи и т.д.), которые давали возможность изучить примесные состояния в большом энергетическом интервале. Установлено, существование в TIG0S2XSe2(f-x) глубоких ярймесных центров, расположенных приблизительно в середине запрещенной зоны, и наличие уровней прилипания. Вычислены параметры уровней прилипания (концентрация, глубина залегания и сечкние захвата).

Здесь также приведены результаты исследования индуцированной примесной фотопроводимости и частотно-компенсационного эффекта в монокристаллах типа TIGq$2 * Наличие индуцированной прик месной фотопроводимости и ИК гашение показывают, что монокристаллы TIG0S2X(f-x) являются компенсированными.

Пятая глава освещает методику создания структуры Ag-TlGaxrCdk в виде "сендвич" а и результаты по исследованию их фотоэлектрических свойств.

Установлено, что результаты фотовольтаических исследований хорошо согласуются с результатами оптических и фотоэлектрических измерений в монокристаллах типа TIGqX2 •

Показано, что разработанные в виде "сендвична вышеуказанные структуры имеют более широкую область фоточувствительности чем отдельные компоненты, и могут успешно применяться в качестве световых датчиков в области 1,1-3 эВ.

В заключении диссертации приведены основные результаты и краткие выводы.

Результаты работы доложены на У Всесоюзной конференции no химии, физике и техничеекому применению халькогенидов (г.Баку, 1979), П Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупро-водниках (г.Ташкент,1980), И Республиканской научной конференции аспирантов ВУЗов Азербайджана (г.Баку,1979), IУ Республиканской научной конференции аспирантов ВУЗов Азербайджана (г.Баку, 1981 ), семинарах кафедры физики полупроводников АТУ им. С.М.Кирова.

Основные результаты работы опубликованы в четырех статьях и четырех тезисах докладов.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Сафуат Булис Юсиф Ниер

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в следующих статьях:

I. Bakhyschov А,В., Safuat Boules, Paradzhav P.P. ,Wamedov M.Sh., and Tagirov V.I. The Fundamental Optical Absorption Mg© of TlQaS2x8e2(1-x) Solid Solutions,- Phys.Status.Solidi (Ъ), 1979, V 95» Я 10, p.k121-k125»

2. Бахшнов А.Э,, Хомутова М.Д., Ахмедов А.А., Юсиф С.Б., Тагиров В.И. Исследование дисперсий соединений типа YlGoS2 с учетом многократного отражения в образцах. - Оптика и спектроскопияД980, т.49, № 3, с. 578-580.

3. Бахышов А.Э., Ахмедов A.M., Науер С.Булес, Тагиров В.Й., Межзонные переходы соединений типа TlGoSz . Изв. вузов СССР, Физика,1980, № 7, с. 125-127.

4. Бахышов А.Э., Гасанова Л.Г., Сафуат Булес, Самедов С.Р. Глубокие примесные уровни и энергетическая структура запрещенных зон кристаллов типа TlGoS2 . Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент,1980, с. 58,59.

5. Лебедев А.А., Гасанова Л.Г., Бахышов А.Э., Науер С.Булес, Тагиров В.И. Диаграмма состав-свойства электрических и фотоэлектрических свойств TlGoSfyS^tff-x) Тезисы докладов У Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов.Баку,1979, с. II3-II4.

6. Сафуат Булес, Самедов С.Р. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlJt7(i-x)GQx$2 й ^IGoS^Se^j Тезисы докладов П Республиканской научной конференции аспирантов вузов Азербайджана.Баку,1979, с. 54.

7. Сафуат Булес Юссиф. Фотоответ в структуру МПМ на основе высокоомных монокристаллов типа ТШйХ2 . Тезисы докладов 1У Республикансаой научной конференции аспирантов вузов Азербайджана,Баку,1981, с. 109.

8. Бахышов А.Э., Самедов С.Р., Сафуат Булес, Тагиров В.И. Частотно-компенсационный эффект в слоистых полупроводниках типа Т1Вх2 . ФТП, 1982, т.16, вып.1, с. I6I-I63.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность профессору ТАГИРОВУ В.И. за предоставление возможности выполнения экспериментальной части работы на кафедре физики полупроводников, обсуждение полученных результатов и полезные советы. Я весьма признателен я благодарен многоуважаемым руководителям проф. ГАДЖИЕВУ С.А. и доценту БАХЫШОВУ А.Э. за руководство, постоянное внимание в работе полезные дискуссии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

Разработана технология выращивания монокристаллов JlGoS^^x) при 0 ^ Х^ I. Исследованы в широком диапазоне изменения внешних условий электрические, оптические свойства, энергетические параметры зонной структуры, спектр локальных уровней и механизм проводимости монокристаллов TIGqS2x^2(1 -х) *

Результаты проведенных исследований, впервые полученные автором, можно вкратце свести к следующему:

1. Разработан режим получения крупных монокристаллов твердого раствора ^20-х) при 0 ^ х < I методами направленной кристаллизации.

2. Установлен механизм проводимости в монокристаллах TlGpS2xSe2(f.x) • Показано, что в температурной области (80*400Ж в электропроводности существенную роль играет прыжковый механизм. При температуре ниже 200 К протекание тока происходит по локальным уровням, сгруппированным около уровня Ферми. При высоких температурах в прыжковой проводимости основную роль играют локальные уровни, находящиеся в хвосте плотности состояний.

3. Установлено существование мелких и глубоких примесных уровней нелегированных монокристаллов TIGqS2xS^ff-x) ПРЙ измерении спектрального распределения примесной фотопроводимости, примесного поглощения, ТСП, ТСД, температурных зависимостей фото-и темновой проводимости. Вычислены их характеристические параметры. Температурное и ИК-гашение фотопроводимости доказывает,что в TlGoS2xSe2(i.x) существует несколько примесных центров, а их роль в рекомбинации меняется в зависимости от температуры. Показано, что плотность состояний глубоколежащих локальных уровней

ТО TQ Т О равна 10 -10 эВ-±см~° и связана с собственными дефектами.

4. Обнаружен частотно-компенсационный эффект и предложен механизм его объяснения.

5. В результате исследования спектральной зависимости коэффициента прглощения монокристаллов TlGoS2xSe2^xy в области температур 110-300 К и о( ~ + Ю^см-^ установлено, что края собственной полосы поглощения формируется прямыми и непрямыми переходами с экситонным поглощением. Установлено, что концентрационные зависимости энергий прямых, непрямых переходов и максимумов полосы эксятонного поглощения при НО К имеют излом, что свидетельствует о том, что природа оптических переходов у края собственной полосы поглощения в TIGqS2 и TIGqSg2 отличается.

Определены межзонные расстояния в монокристаллах TIGqS2x в экстремальных точках зоны Бриллюэна в интервале 2 + 6 эВ»

6. Методом собственной интерференции и уточненным метрдом многократного отражения у края собственной полосы поглощения в

TIGqS2x&2(f-x) обнаружена аномальная дисперсия. Предполагает-сягг^что аномальная дисперсия связана с экситонным поглощением.

7. Разработаны двух диапазонные фотовольтаические элементы со структурой . Показано, что их фоточувствительность охватывает широкую спектральную область Х.2 + 3Д эВ. Установлено, что спектр фотоэдс структуры ^ - T16qXz - Ccf/Se имеет узкий пик, энергетическое положение которого резонансно совпадает с энергетическим положением прямой экситонной полосы поглощения соединений

Т1вах,.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сафуат Булис Юсиф Ниер, 1982 год

1. Quseinov Q.D., Ramazanaade A.M., Kerlmova B.M., and

2. X am alloy M.S. About a group of three-component compounds being analogous to binary semiconductors of A111!^1 type, -Phys. Stat* Sol., 1967, V 22, N 1, kl 17«йс121.

3. U.S., 5*110*685(CI.252-512) Semiconductive materials containing thallium /Oeorges R* Oaffergeld (to Union Carbide Corp.) nach Ohem. Abstr* 1964, Y 60, 6325 b.

4. Гусейнов Г.Д. Сеидов Ф.И. Пашаев A.M., Халилов Х.Я., Нани Р.Х. Исследование системы TeS~ GqS- Изв. АН СССР, Неорг. матер. 1972, т.8, №11, с. I70-171.

5. Гусейнов Г.Д. Поиск и физические исследования новых полупроводниковых аналогов Автореф. докт. дис. Вильнюс, 1971 -82 с.

6. Muller Р. Poltmaan В. und Hahn Н. Sur structur ternarer

7. Ohalkogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium.i

8. Z.Naturforsoh., 1974, Y 29b, 1ST 1, p.117-118.

9. Гусейнов Г.Д. Сеидов Ф.М. Халшгов Х.Я. Исмаилов М.З.

10. О псевдобднарной системе TISe GaSe- Рукопись представлена редакций Ж.Фяз.Х.Деп. ВИНИТИ,1971, J§ 3761-71,- 9с.

11. Кулиев А.А. Бабанлы М.Б. Исследование системы Те2&€ GqzSc3 и Tl2Se - Jn2Se3 - Уч. зап. MB и ССО Аз.ССР, 1975, 3-4, с. 61-64.

12. Мусаева Л.Г., Бахышов А.Э., Гасанлы Н.М., Хала&ов З.Д. Уровни применения в монокристаллах TlGoScg Рукопись представлена Азгосуниверситетом. Деп. ВИНИТИ,1975, № 3762-75,-9с.

13. Muller D. Bulenberger G. und Hairn H. Uber ternaae Thalliumchalkogenide mit thalliumselenid Struktur.-2. anorg. allg.Gh.em. 1973, Y 398, H 2, p. 207-220.

14. Guseinov Q,D», Abdullayev G.B. Bidzinova S.M.

15. Seldov У.М. I small oy M.B., and Paehayev A.M. On non-Analogs о t TlSe-type seal conductor с omp ounds « -Phys . Lett. 1970 , Y 33, A, К 7, p.421-422.

16. Hahn H. und Wellmann B. ttber ternare Challeogenide des Thalliums rn.it Gallium und Indium. J, Nat urwissenshaf ten, 1967,1. Y » 1» P.^2.

17. Isaacs T.J, and Hopkins R.H. Crystall growth, symmetry and physical properties of thallium, gallium disulphide, TlGaS^.-J.of Orystal Growth, 1975» T 29, Я 1, p.121-122.

18. Mnller D.Y. und Hahn H. Zur Strulctur des 71Ga3e2*-"L.anorg* allg.chem.*, 197&» * ^38, Я 5, p.258-272.

19. Isaacs T.J. Crystall data for thallium gallium diselenide, T10a8e2,-J.Appl»Cryst.allogr., 1973» T б, Я 5ip. 413-414.

20. Бабанлы И.Б. Кушев А.А. Исследование систем TIGaSfTlGoTe, TUnSe2 ТПпТе2 ~ Азерб.Хим.Журнал, 1977, № 4, с, 110—112.

21. Чернова А.А. Спектральное распределение фотопроводимости монокристаллов и пленок TIGqSc2 Уч. зап. Горько вского ун-та сер, физика,1971, № 126, с. 29-32.

22. Karpovich I.A. Qhervova А.А». Leonov E.g., and Orlov Y.K. Preparation and Some Propertions of TlGaSe^ Shin Films.-Phya*Status Solidi (a), 1971» T 4, F 1, p«k13-4c15.

23. Карпович И.А. Чернова A.A. Демидова Д.И. Леонов Е.и. Орлов В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TIGqSz , TlGoSe2 и TWnSi Изв. АН СССР,

24. Неорг. матер. 1972, т.8, % II, с. 70-72.

25. ТУсэйнов Г.Д. Абдуллаев Г.Б. Исмайлов М.З.Сеидов Ф.М. 0 сложных аналогов полупроводников типа flSe ~ Рукописьпредставлена редакций Ж.Физ.Х.Деп.ВШИТИД973, № 6398-73, 12 с.

26. Карпович И.А. Чернова А. А. Демидова Л.И. Ширина запрещеннойзоны TlGa(S,Se) « TUnfS.Se) Изв. АН СССР, Неорг.матер. Х974, т.10, № 12, с. 2216-2218.

27. Бятнтрв А. Мусаева Д.Г. Лебедев А.А. Якобсон М.А. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов TlGoSe2 Физ. и техн. полупроводников,1975, т.9, Л 8, с. 1548-1651.

28. Бахышов А.Э. Халайов З.Д. Салманов BJ/L. Ахмедов A.M. Тагиров В.И. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGo$2- ^из*и техн. полупроводников, Х976, т.Ю, J* 10, с. 1950-1952.

29. Бахышов А.Э. Лебедев А.А. ХалаФов З.Д. Якобсон ДД.А. Оптические и фотоэлектрические исследования кристаллов

30. TlGdSt Фяз.и техн. полу проводников, 1978, т. 12 , № 3, с. 555-557.

31. Дарвиш A.M. Бахышов А.Э. Тагиров В.И. О механизме проводимости соединений TIGq$2 » TlGoS^z ~ Физ* и техн* полупроводников, 19 77, т.II, № 4, с. 780-781.

32. Халилов С.Х. Дарвиш A.M. Бахышов А.Э. Тагиров В.И.

33. О механизме проводимости в слоистых и полимерных полупроводниках Тезисы доклад. Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников.Баку,1978, - 28 с.

34. Бахышов А.Э. Алиев Р.А. Самедов С.Р. Эйендиев Ш.М. Тагиров В.И. Индуцированная прыжковая проводимость в соединениях типа TlGdSs- • и техн* полупроводников,1980,т.14 & 8. 1661 с.

35. Abdul layeva 8.G., Belenkii G.L.« and Manedov IT. Т. Near-Babd-Bdge Optical Properties of TlGaS2*Se2(1-x) Mlxed

36. Crystal в«-Rtys« Status Solidi(b),1980, V 102, К 1 ,p.k19-k22.

37. Abdullayeya S.G. Belenteii Q.L». Qodahaev М.0» and Mame-dcyv Kxeitons in TlGaSe2.-Phys.Status Sollidi (b),1981, T 10?t H 1, P.k61-k65.

38. Гасанова Л.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства некоторых хаяькогенвдов галлия. Дис.канд.физ.-мат.наук,-Баку,1976- 120 с.

39. Бахышов А.Э. Дарвиш A.M. Халасбов З.Д. Ахмедов A.M. Физические свойства и диаграммы состояния систем UGQSxSe2.x Уч.зап.Ж и ССО Аз.ССР, сер. физ.-мат.наук, 1977, № 4, с. I5I-I54.

40. Бахышов А.Э. Ахмедов A.M. Дарвиш A.M. Халафов З.Д. Взаимодействие в системах TIGqSx&?2-x й TlJnSxSc2-x Тезисы докл. Тобольская зональная научная конференция по химии и химической технологии. Тобольск,1977 ,- 29 с.

41. Бахышов А.Э., Ахмедов A.M. Диаграммы состояния и диаграммы состав-свойство систем и WnS2 TlJnSe2 Изв.АН СССР. Неорг. матер., 1979, т.15, № 3, с. 417-420.

42. Бахышов■А.Э. Лебедев А.А. Халайов 3.1. Якобсон М.А. Зависимость оптических и фотоэлектрических свойств от состава твердах растворов TlGoSxSfy-x * ~ Фйз* й техн. полупровод-ников,1978, т.12, В 3, с. 580-583.

43. Дарвиш A.M. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов и тонких пленок соединений типа TIGqS2 и

44. TUft$€2 . Дне.канд.физ.-мат.наук,Баку,1978, 172 с.

45. Tavn Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Мир. М., 1967,- 74 с.

46. Уханов Ю.М. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. - 366 с.

47. Bxrenreich. H., Cohen M.H. Self Consist ant field apporouch to manyelectron Problem.- Phys. Fey. 1959» V 115, Np. 786-790.

48. Van Hove L. The accurance of Singularities in the elastic frequency distributions of a Crustal. Phya. Rev. 1955, ▼ 89» Я 6, p. 1189-1195.

49. Mocc Т. Барел Г. Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника. -М., Мир, 1976, 430 с.

50. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. -М., Мир, 1973, 456 с.

51. Уха нов Ю.Я. Оптика полупроводников. Часть I. А, ЛШ, 1970, - 104 с.

52. Мое с Т. Оптические свойства полупроводников. -М., ИЛ, 1961, 304 с.

53. Керимова Т.Г. Исследрвание зонной структуры некоторых полупроводников и оптическими методами. Дис. канд. физ.-мат.наук, Баку, 1970, - 104 с.

54. Гасанлы НД. Маврин Б.Н. Халафов З.Д. Спектры комбинационного рассеяния света в монокристаллах TIGqS2 » TlGoSe2и TlGoS0t6Seft4 Уч.зап. MB и ССО Азерб.ССР, сер. физ.-мат. наук. 1976, № 4, с. 130-131.

55. Бахышов А.Э., Ахмедов A.M. Фараджев Ф.З. Халафов З.Д. Поглощение и электропоглощение в монокристаллах типа TIG0S2 Тезисы докл. Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников. Баку, 1978, 70 с.

56. Халафов З.Д., Гасанлы Н.М. Сардарлы P.M. Оптические фононы в TlGo&z Изв. вузов, физика, 1977, № 2, с. 151-154.

57. SLliott B.J. Intensity of optical absorption by excitons.-Phys.Kev., 1957, T 108, H 6, p.1584-1589.

58. Грибковский В.П. Теория поглощения света в полупроводниках .

59. Минск, Наука техника, 1975, - 464 с,

60. Розенберг Г.В. Абсорбционная спектроскопия диспергированных веществ. УФН, 1959, т. 69, с. 57-104.

61. Kubellca P. Hew Contributions to the optics ocf intensely li$it-8crttering materials.- J#Opt*Soc.Amm., 1948, Y 38, IT 51 pi448-501 •

62. Шадитэо И.П. Определение ширины запретной зоны из спектров диффузного отражения. Оптик, и спектр, I960, т.4, № 2, с. 256-260.

63. Кортгом Г., Браун Б. Герцог Г. Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения. ТУВД, 1965, г. 85,2 , с. 365-380.

64. Гирин О.П. Степанов Б.И. Спектры отражения окрашенных раосеи-вагощих объектов. П £ЭТФ, 1954, т. 27, № 4, с. 467-476.

65. Tandem S.P., Gupta Т.P. Diffuse Reflectance spectrum of

66. Cuprous oside. Phys.Stat.Sol., 1970, 37» p#43-45.

67. Tandon 3.P. and Gupta J.P. Measurement of forbidden energy gap of Semiconductor by Diffuse Reflectance Technique.-Phys»Status.Solidi, 1970, Y 38, S 1, p.363-367.

68. Волгин Ю.Н., Ковалев В.П., Уханов Ю.И. Применение метода дйффуз ного отражения для изучения края оптического поглощения полупроводников и диэлектриков. Физ. и техн. полупроводников,1970, т.4, № 12, с. 2400-2403.

69. Антонов В.В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров. ЖЭТФ, 1953, т. 26, # 4, с. 459-472.

70. Иванов А.П. Оптика рассеивающих сред. Минск, Наука, и техника, 1969, - 592 с.

71. Киреев П.С. Физика полупроводников. -М., Высшая школа, 1975,-584 с.

72. Ландебарг Г.С. Оптика. -М., Наука, 1976, 926 с.

73. Борец А.Н. Стахира И.М. Оптические свойства. Укр. физ. журнал. 1964, т.9, № 10, с. 1074-1078.

74. Povle B.A., llott N.P. Conduction in Non-Crystalline Systems V. Conductivity Optical and Photo conductivity in Amorphous Semiconductors. Ehilas. Mag.f 1970, T 22, H 179,p. 903-922.

75. Бахышов А.Э., Самедов С.P., Сафуат Булес. Гасанова Д.Г. Глубокие примеоные уровни и энергетическая структура запрещенных зон в кристаллах типа TIQqS^ ~ Тез. докл. П всесо-юзн. ссвещ. по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980, с. 58-59.

76. Мусаева Д.Г. Халатов З.Д. Гасанлы ЕЛ*. Бахышов А.Э. Некоторые оптические свойства монокристаллов TIGqS<?2 Уч.зап. МБ й ССО Азерб.ССР, сер. фаз.-мат.наук,1975, № 5,с. 88-92.

77. Видади Ю.А. Халилов С.Х. Рагимов А.В. Компенсационный закон в электрон в электропроводности полигидрохинона на переменном токе. Докл. АН Азерб.ССР, 1979, т.35, 3 3, с, 33-36.

78. Богуславский Л.И. Ванников А.В. Органические полупроводники и биполимеры. М., Наука, 1968, - 181 с,

79. Pond Р.Н. A model of Meyer-Neldel rule»- Phys.Lettes. 1969, V 30, A, N 4t p.217-218.

80. Мешкова Т.Н. Вартанян А.Т. Эффект ксмдлекции электропроводности органического полупроводника. ФТГ, 1972, №6, №11, с. 2227-2230.

81. Курик М.В., Побереженец И.И. Компенсационный эффект в антрацене. Ук.ФизJK.,1976, т.21, $ I, с. 57-61.

82. Бахышов А.Э. Самедов С.Р. Сафуат Будес, Тагиров В.И. Частотно-компенсационный эффект в слоистых полупроводниках типа Т1Вх2 ФТП, 1982, т.1 6, вып.1, с. 161-163.

83. Балабанов Е.И. Берлин А.А. Парини В.П. и др. Электропроводность полимеров с сопряженными связями. Докл. АН СССР, I960, г.134, № 5, с. II23-1126.

84. Rosenberg В., Phowaik В.В., et al. Pre-expotential Factor in semiconducting arganic Siibstanees.-J.Chem.Phys. 1968, vol.49, N 9, p,4108-4113»

85. Lee £.0. The Meyer-ffeldel Rule and the DC Conductivity in Amorphous Ge Films.- Phys.States Solidi, 1978, V 47, N 1, p. fc4?-k49.

86. Рывкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М. Физ.мат. 1963, 494 с.

87. Bube 5Д. Photoconductivity and Crystal imperfactions in Cadmium Sulfide Crystals»- J.chem»Phys» 1955э Vol.23» N1, p. 18-25.

88. Дитовченко П.Г.Устьянов В.И. Определение параметров уровней прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. В кн.: Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. Вильнюс, 1969,с. I53-I7I,

89. Carlicu О.?.J. Gibson А. У» She electron trap mechanism of luminescence in sulphidu and silicate phosphere.- Proc.Phys. Soc. 1948» V A60, H 542, p.574-581.

90. Адирович Э.и. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. -М., Гостехиздат, 1956, 350 с.

91. Адирович Э.И. Законы электронной поляризаций и деполяризации кристаллов. ФТТ, 1961, т. 3, №7, с. 2048-2050.

92. Randall S.T., Wilkins И.Т. Phosphorescence and electron traps*- Proc»Roy*Soc., 1945» A184, ff 999, p»565-407.

93. Haering R.R. Adums У.Н-. Theory and Applications of Thermally Stimulated Currents in Fhotoconductors.-Phys. Rev. 1960, У 11?» * 2, P.451 -454.

94. Д.ушик Ч.Б. Исследование центров захвата в щалочно-галоидных кристаллофосфорах. Тр. ин-та физ. и астр. АН ЭССРД955, № 3, с. 3-88.

95. Д.ущик Ч.Б. К теории термического высвечивания. Докл. АН ССОР, сер. физ. 1955, г.101, № 4, с. 641-644.

96. Orossweiner L.Ia A Note on the analysis of First-order Glow Curves.- J.Appl.Phys.1955, V 24, N 10,p.1506-1507.

97. Абдуллаева С.Г. Беленький Г.Л. Мамедов Н.Т. Экситонные состояния в слоистых полупроводниках TIGq/$2x$€20-x)1961, ФТП, т.15, № 5, с. 943-948.

98. Аркадьева В.Н. Рнвкин С.М. Исследование уровней прилипания в Sb$s методом термостимулированного тока. Физ.тв. тела. 1959, т.1, № 9, с. 1460-Х961.

99. Вертопрахов В.Н. Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск, Наука, 1979, - 332 с.

100. Кирьяшкива З.И. Роках А.Г. Кац Н. Б., Маликов В.П. Новикова Е.А. Цакерман Н.М. Фотопроводящие пленки (типа CMS). -Изд-во Сарат. Ун-та, 1979, 192 с.

101. Бахышов А.Э., Хомутова МЛ. Ахмедов АЛ,. ЮсиФ G.B.,

102. Тагиров В.И. Исследование дисперсий соединений типа ТЫ о учетом многократного отражения в образцах. Оптика и спектроскопия, 1980, г.49, № 3, с, 578-580.

103. Bakhyschov А.В. Safuat Boules, garadzhov У.У., Mamedov M.3h. в®4 Tagirov Y.I. The Fundamental Optical Absorption Edgeof TlQa82xSe2(1-x) Solid Solutions. Phys.Stetus.

104. Solid! (Ъ), 1979, Y 95, HO, p.k121-k125.

105. Бахышов А.Э., Ахмедов A.M., Ha yep С.Б.улео, Тагиров В.И. Меясзонные переходы соединений типа TlGoS^ * ~ вузов СССР, Физика, 1980, №7, с. 125-127.

106. Сафуат Б.улес. Самедов С.Р. Оптические и фотоэлектрическиеи

107. TlGoSx^e2(4-x Тезисы докладов П Республиканской научной конференции аспирантов вузов Азербайджана, Баку, 1979, 54 с.

108. Лебедев А.А. Гасанова Л.Г., Бахышов А.Э. На yep С.

109. Булес. Тагиров Б.И. Диаграмма состав-свойства электрических и фотоэлектрических свойств TIGqSzxS^O-x) • Тезиса докладов. У Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов. Баку, 1979, с. 503-504.

110. Саф.уат Б.удес ЮссиФ. Фотоответ в структуру МШ на основе высокоомных монокристаллов типа TIGqX2 . Тезисы докладов 1У Республиканской научной конференции аспирантов вузов Азербайджана, Баку 1981, - 109 с.