Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Савченко, Евгений Матвеевич

• Савченко, Евгений Матвеевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Савченко, Евгений Матвеевич

Введение.

Первая

глава.

1.1. Основные методы построения высокоскоростных операционных усилителей.

1.1.1 Операционные усилители с токовой обратной связью.

1.1.2 Операционные усилители с обратной связью по напряжению.

1.2. Параметры конструктивно-технологического базиса используемых технологических процессов.

1.3. Исследование основных тенденций развития высокоскоростных операционных усилителей с токовой обратной связью.

1.4. Основные параметры разрабатываемых высокоскоростных операционных усилителей с токовой обратной связью.

1.5. Выводы.

Вторая

глава.

2.1. Требования к параметрам ОУ с TOC для достижения высокой динамической точности обработки сигнала.

2.1.1. Факторы, влияющие на время установления выходного напряжения ОУ.

2.1.2. Факторы, влияющие на уровень гармонических искажений

2.2. Влияние отдельных каскадов на параметры ОУ с TOC и основные методы их улучшения.

2.2.1. Исследование входного каскада ОУ с TOC.

2.2.2. Исследование усилительного каскада ОУ с TOC.

2.2.3. Исследование выходного каскада ОУ с TOC.

2.2.4. Исследование источника опорного тока ОУ с TOC.

2.3. Схемно-топологическое решение ОУ с TOC.

2.3.1. Проектирование схемотехнического решения ОУ с TOC.

2.3.1.1. Проектирование схемотехнического решения ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса отечественного технологического процесса Р35ХХ.

2.3.1.2. Проектирование схемотехнического решения ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса зарубежного технологического процесса HJV.

2.4. Анализ многоканальных ОУ с TOC в части взаимодействия каналов.

2.4.1. Взаимодействие между каналами, происходящее за счёт гальванической связи каналов ОУ с TOC.

2.4.2. Взаимодействие между каналами ОУ с TOC, происходящее за счёт пространственной связи.

2.5. Выводы.

Третья

глава.

3.1. Методика исследования параметров динамической точности

ОУ с TOC.

3.1.1. Методика исследования времени установления выходного напряжения ОУ с TOC.

3.1.2. Методика исследования гармонических искажений ОУ с TOC.

3.1.3. Методика исследования шумовых параметров ОУ с TOC.

3.1.4. Методика исследования коэффициента разделения каналов многоканальных ОУ с TOC.

3.2. Проектирование топологического решения ОУ с TOC.

3.3. Учёт влияния корпуса ИМС при проектировании СВЧ

ОУ с TOC.

3.4. Выводы.

Четвёртая

глава.

4.1. Экспериментальная последовательность разработки ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса отечественного технологического процесса.

4.2. Экспериментальная последовательность разработки ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса зарубежного технологического процесса.

4.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности»

Одним из важнейших показателей качества радиоэлектронных систем является динамический диапазон, который в значительной степени определяется параметрами электронных устройств, причём как аналогового тракта, так и цифрового тракта обработки сигнала. Исходные сигналы большинства систем являются аналоговыми и для оптимального преобразования в цифровую форму необходима их предварительная аналоговая обработка, включающая масштабирование сигнала, предварительную фильтрацию, согласование импеданса и др.

Одним из основных устройств, используемых в трактах предварительной аналоговой обработки сигнала, являются операционные усилители. С момента появления операционных усилителей сфера их применения постоянно расширялась, и поэтому ранее основными характеристиками интегральных микросхем (ИМС) данного класса было принято считать статические характеристики, которые показывают точность работы по постоянному току, а также динамические характеристики, которые показывают частотные свойства и быстродействие схем данного класса. В связи с использованием таких ИМС в высокоскоростных аналого-цифровых системах появилась необходимо уделять внимание не только этим параметрам, но и параметрам, характеризующим динамическую точность обрабатываемых сигналов.

Постоянное увеличение скорости и точности обработки информации требует расширения как частотного, так динамического диапазона аналого-цифровых систем. ИМС операционных усилителей являются основой для построения таких систем и оказывают на их характеристики существенное влияние, поэтому их исследование и разработка являются актуальными и позволят решить комплекс задач, стоящих перед отечественным радиоэлектронным комплексом в целях укрепления обороноспособности страны и создания нового поколения радиоэлектронной аппаратуры различного назначения.

За рубежом имеется широкий класс аналогичных ИМС с требуемыми параметрами, однако они достигнуты благодаря субмикронным размерам эмиттеров комплементарных биполярных транзисторов в комбинации с полной диэлектрической изоляцией элементов ИМС. В РФ в настоящее время не освоено в производстве подобных технологических процессов, поэтому актуальной является задача исследования и разработки высокоскоростных ИМС операционных усилителей с токовой обратной связью (ОУ с TOC) с высоким уровнем динамической точности обработки сигналов на основе освоенного в производстве комплементарного биполярного технологического процесса с изоляцией элементов ИМС обратносмещённым р-n переходом с шириной эмиттеров транзисторов 6 мкм.

За рубежом в указанном направлении работает ряд крупных компаний, таких как Analog Devices, Texas Instruments (Burr Brown), Intersil (Elantec), National Semiconductor, Maxim, Linear Technology и Cadeka Microcircuits (ранее Comlinear Corporation).

Цель работы - разработка и исследование высокоскоростных ИМС ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигналов, обеспечивающих согласованную работу с ИМС аналого-цифровых преобразователей (АЦП) с разрядностью до 10 бит и частотой дискретизации до 50-60 МГц на основе отечественных и зарубежных комплементарных биполярных технологических процессов с изоляцией элементов ИМС обратносмещённым р-n переходом.

Достижение указанной цели требует решения следующих основных задач:

1. Сформулировать совокупность параметров для ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала и определить основные факторы, которые её ограничивают. Определить уровень динамических параметров, необходимых для достижения заданного уровня динамической точности обработки сигнала.

2. Определить перечень схемотехнических решений, пригодных для создания ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала для отечественных и зарубежных технологических процессов без использования полной диэлектрической изоляции элементов ИМС.

3. Разработать схемно-топологическое решение, позволяющее создавать ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала для отечественных и зарубежных технологических процессов и выбрать необходимые для этого режимы работы каскадов ИМС.

4. Разработать модель корпуса ИМС для учёта его влияния на параметры динамической точности обработки сигнала одноканальных и многоканальных ОУ с TOC.

5. Разработать измерительную оснастку и отработать методику измерения параметров динамической точности обработки сигнала ОУ с TOC. Сформулировать рекомендации по эксплуатации ОУ с TOC для достижения высоких параметров динамической точности.

6. Сформулировать основные требования к разбросам технологических процессов для обеспечения заданного уровня динамической точности обработки сигнала ОУ с TOC.

7. Разработать методику моделирования отдельных каскадов ОУ с TOC и систему параметров для учёта их влияния на параметры ИМС в целом.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• развиты теоретические и экспериментальные методы: оценки динамической точности обрабатываемых сигналов высокоскоростных ОУ с TOC; оптимизации схемного и топологического решения ОУ с TOC; исследования времени установления выходного напряжения с точностью 0,1% до 10-15 не как в инвертирующем, так и в неинвертирующем включении; исследования коэффициента гармоник при частоте входного сигнала до 20 МГц и уровнем гармонических искажений до -78 дБ; исследования коэффициента разделения каналов многоканальных ОУ с TOC на частотах до 20 МГц и значением коэффициента разделения до 80 дБ;

• разработаны методические основы проектирования высокоскоростных ИМС ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигналов (время установления выходного напряжения 12 не, уровень гармонических искажений -60 дБ, коэффициент разделения каналов 74 дБ) изготовленных на основе комплементарных биполярных технологических процессов изоляции элементов ИМС обратносмещённым р-п-переходом;

• получены экспериментальные результаты, подтверждающие теоретически обоснованные причины ограничений уровня динамической точности обработки сигналов ОУ с TOC: значение времени установления выходного напряжения ограничивается заниженным значением частоты паразитного полюса, формируемого элементами токового зеркала усилительного каскада и переходом рабочей точки транзисторов усилительного каскада в область квазинасыщения; уровень гармонических искажений ограничивается разбалансом паразитных емкостей транзисторов в высокоомной точке усилительного каскада; коэффициент разделения каналов ограничивается гальванической связью каскадов через общий источник тока и пространственным взаимодействием каналов при отсутствии гальванической связи.

• установлена связь режима работы интегральных элементов, схемного и топологического решения основных каскадов ОУ с TOC с параметрами, характеризующими уровень динамической точности обработки сигналов: переход рабочей точки транзисторов усилительного каскада в область квазинасыщения в 2-3 раза завышает значение времени установления выходного напряжения и приводит к дополнительному ограничению скорости нарастания выходного напряжения; учёт паразитных параметров металлизации входного каскада ОУ с TOC и оптимизация его топологического решения позволяет на 2030 % снизить паразитную ёмкость, ограничивающую скорость нарастания во входном каскаде и улучшить показатели устойчивости ОУ с TOC; в случае использования низковольтного технологического процесса HJV допустима схемотехническая избыточность при реализации входного каскада, позволяющая при обеспечении заданных требований динамической точности обработки сигнала обеспечить исключение подстройки напряжения смещения.

Практическаязначимость полученных результатов диссертационной работы заключается в том, что на основе проведённых теоретических и экспериментальных исследований выполнена разработка ряда отечественных ИМС ОУ с ТОС с высоким уровнем динамической точности обработки сигналов (1432УД6, 1432УД8, 1432УД11, 1432УД12, 1432УД15). Данные ИМС прошли полный комплекс испытаний, освоены в серийном производстве и используются в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения, в том числе совместно с 8-12 разрядными аналого-цифровыми и цифро-аналоговыми преобразователями.

Научные положения, выдвигаемые для защиты:

1. Достижение уровня гармонических искажений ВЧ сигнала до -60 дБ на частоте 20 МГц обеспечивается идентичностью ёмкости коллектор-подложка комплементарных биполярных транзисторов усилительного каскада с уровнем разбаланса не более 10%, скоростью нарастания выходного напряжения не менее 800 В/мкс, модуляцией выходного сопротивления не более 1% при петлевом усилении на частоте сигнала не менее 10.

2. Для достижения времени установления выходного напряжения 12 не (для точности 0,1%) необходимо исключить переход рабочей точки транзисторов ИМС в область квазинасыщения, и обеспечить ширину полосы пропускания не менее 300 МГц при близкой к двухполюсной амплитудно-частотной характеристике ИМС с критерием устойчивости - подъёмом АЧХ при замкнутой цепи обратной связи не более 2,5 дБ и скоростью нарастания выходного напряжения не менее 800 В/мкс.

3. Для обеспечения коэффициента разделения каналов многоканальных ОУ на ВЧ на уровне 74 дБ для отечественного корпуса 2101.8-7 необходимо обеспечить раздельное задание режимов работы каналов ИМС и электрическое соединение крышки корпуса с одним из потенциалов напряжения питания.

4. Обеспечение заданных параметров динамической точности (Кг не более -60 дБ, tycT не более 12 не) при работе ОУ с большим сигналом достигается введением интегрирующего конденсатора в схему источника опорного тока, снижающего коэффициент передачи по петле положительной обратной связи на высоких частотах.

5. При использовании технологического процесса Р35ХХ на этапе технологического процесса необходимо обеспечивать удельное поверхностное сопротивление эмиттерного р+-слоя не более 50 Ом/п для достижения динамических параметров ОУ с ТОС, необходимых для получения заданного уровня динамической точности обработки сигналов (Кг не более -60 дБ, tycT не более 12 не).

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы обсуждались и получили одобрение на следующих научно-технических конференциях и семинарах: «Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем» (г. Москва, Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, 2006, 2008 и 2010 гг.); ICCSC'06 (July 6-7, Bucharest, Romania, 2006); ежегодных международных научно-практических семинарах «Актуальные проблемы аналоговой микросхемотехники» (г. Шахты, ЮРГУЭС), научно-технических конференциях «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (г. Москва, ФГУП «НПП «Пульсар», 2001-2010 гг.), международной научно-практической конференции «INTERMATIC-2003», международной научно-технической конференции «Электроника и информатика-2005», ECCSC'08 (Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008), «Обмен опытом в области создания сверхширокополосных РЭС - 2008» (г. Омск, 14-17 октября 2008 г.), International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2009" (г. Звенигород, 5-9 октября 2009 г.).

По теме диссертации опубликовано 42 работы в материалах международных и всероссийских научно-технических конференций, 5 работ в изданиях рецензируемых ВАК, получено 5 патентов РФ и 10 свидетельств об официальной регистрации топологии ИМС.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав и заключения, изложенных на 153 страницах текста, иллюстрированного таблицами, графиками и рисунками, библиографического списка и приложения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Савченко, Евгений Матвеевич

4.3. Выводы

1. Разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы ОУ с TOC в высоким уровнем ДТОС на основе конструктивно-технологического базиса отечественного и зарубежного технологических процессов.

2. Результаты исследований показали, что реализация требуемых параметров ДТОС возможна как на основе отечественного, так и на основе зарубежного технологических процессов. При использовании зарубежного технологического процесса удаётся получить значительно меньшее энергопотребление при большем уровне динамических параметров, что позволяет строить ОУ с TOC не требующих подстройки статических параметров.

3. При изготовлении ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса зарубежного технологического процесса удаётся значительно сократить площадь кристалла ИМС.

4. При использовании зарубежного технологического процесса появляется возможность создания ОУ с TOC с высоким уровнем ДТОС с уровнем тока потребления 1-3 мА, что является недостижимым при использовании отечественного технологического процесса.

5. Результаты экспериментального исследования показывают близкое соответствие с расчётными данными, что подтверждает корректность используемой методики проектирования ОУ с TOC с высоким уровнем ДТОС.

6. Положения, составляющие основу методики проектирования ОУ с TOC с высоким уровнем ДТОС, выработанные при использовании отечественного технологического процесса распространяются и на ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса зарубежного технологического процесса.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные итоги теоретических и экспериментальных исследований, проведённых в настоящей работе, заключаются в следующем:

1. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что при использовании комплементарных биполярных технологических процессов с изоляцией обратносмещённым р-n переходом для реализации ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала наиболее целесообразным является использование однокаскадной структуры построения ОУ с TOC.

2. Проведён анализ и выполнен отбор основных схемотехнических решений пригодных для использования в ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигналов на основе технологических процессов с изоляцией элементов ИМС обратносмещённым р-n переходом.

3. Определены основные требования к схемно-топологическому решению и режимам работы каскадов ОУ с TOC, как при использовании конструктивно-технологического базиса технологического процесса Р35ХХ, так и конструктивно-технологического базиса технологического процесса HJV.

4. Определены основные режимы включения ОУ с TOC для исследования параметров динамической точности обработки сигнала, отработаны методики измерения и даны рекомендации по построению отдельных узлов контрольно-измерительных стендов.

5. Дополнена методика проектирования ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала в части учёта топологического решения ИМС и учёта влияния корпуса ИМС на динамические параметры и параметры динамической точности обработки сигнала, для чего разработана модель отечественного металлокерамического корпуса 2101.8-7 в который собираются кристаллы ИМС.

6. Разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы ОУ с TOC в высоким уровнем динамической точности обработки сигнала на основе конструктивно-технологического базиса технологических процессов Р35ХХ и HJV.

7. Положения, составляющие основу методики проектирования ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала, выработанные при использовании технологического процесса Р35ХХ распространяются и на ОУ с TOC на основе конструктивно-технологического базиса технологического процесса HJV.

8. Результаты диссертационной работы являются внедрёнными в производство, а разработанные ОУ с TOC с высоким уровнем динамической точности обработки сигнала (1432УД6, 1432УД8, 1432УД11, 1432УД12, 1432УД15), как на основе отечественного, так и на основе зарубежного технологических процессов являются освоенными в серийном производстве с приёмкой категории качества «ВП».

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Савченко, Евгений Матвеевич, 2011 год

1. Анисимов В.И. Операционные усилители с непосредственной связью каскадов Текст. : монография / В.И. Анисимов, М.В. Капитонов, H.H. Прокопенко, Ю.М. Соколов. Л., 1979. - 148 с.

2. Данилов A.A., Полонников Д.Е., Структурные методы повышения быстродействия операционных усилителей. Автоматика и телемеханика, вып. 10, 1982.

3. Полонников Д.Е. Операционные усилители: принципы построения, теория, схемотехника Текст. : монография / Д.Е. Полонников. М., 1983.-216 с.

4. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных цепей. М.: Энергия, 1977. с. 381-391.

5. Алексеенко А.Г. Макромоделирование аналоговых интегральных микросхем Текст. / А.Г. Алексеенко, Б.И. Зуев, В.Ф. Ламекин, И.А. Романов. М.: Радио и связь, 1983. - 248 с.

6. Херпи М. Аналоговые интегральные схемы Текст. / М. Херпи. -М. : Радио и связь, 1983. 416 с.

7. Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители Текст. : монография / В.В. Матавкин. М.: Сов. Радио, 1989.

8. Алексеев А.Г. Операционные усилители и их применение Текст. / А.Г. Алексеев, Г.В. Войшвило. М.: Радио и связь, 1989. - 119 с.

9. Агаханян Т.М. Трансимпедансные интегральные операционные усилители. Микроэлектроника, том 22, вып. 1, 1993.

10. Виноградов Р.Н. Комплементарность биполярных транзисторов -преимущество полупроводниковой электроники. // "Электронная промышленность", 1997 , N4.

11. Прокопенко, H.H. Нелинейная активная коррекция в прецизионных аналоговых микросхемах Текст. : монография / H.H. Прокопенко. -Ростов н/Д.: Изд-во Северо-Кавказского научного центра высшей школы, 2000. 224 с.

12. Авторское свидетельство 932593 СССР, МКИ H03F 03/50. Эмиттерный повторитель. / С.Г. Иванов, В.В. Матавкин, В.Ф. Федючок. Опубл. 1982, Бюл № 20.

13. Прокопенко, H.H. Схемотехника широкополосных усилителей Текст. : монография / H.H. Прокопенко, Н.В. Ковбасюк. Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2005. - 218 с.

14. Прокопенко, H.H. Архитектура и схемотехника быстродействующих операционных усилителей Текст. : монография / H.H. Прокопенко, A.C. Будяков Шахты : Изд-во ЮРГУЭС, 2006. - 231 с.

15. Савченко Е.М., Ксенофонтов Д.Л. Оптимизация динамических параметров быстродействующих операционных усилителей. // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научно-практической конференции М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2001.

16. Научно-технический отчёт по опытно-конструкторской работе «Плёс-1», М.: 2002.

17. Савченко Е.М., Виноградов Р.Н., Ксенофонтов Д.Л., Корнеев C.B. Монолитные СВЧ операционные усилители. // Материалы международной научно-практической конференции «INTERMATIC-2003». Москва, 2003

18. Dong Y., Zeng Q., Cai К., Zhang К. Integrated AlGaAs/GaAs HBT High speed operational amplifier. IEEE GaAs 1С Symposium 1994.

19. Корнеев C.B. Савченко Е.М. Вопросы обеспечения устойчивости быстродействующих операционных усилителей. // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научной конференции М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2003.

20. Научно-технический отчёт по опытно-конструкторской работе «Можжевельник-2», М.: 2004.

21. Виноградов Р.Н., Корнеев С.В., Ксенофонтов Д.Л., Савченко Е.М. Архитектура современных быстродействующих операционных усилителей. // Материалы международной научно-технической конференции «Электроника и информатика-2005». Москва, 2005.

22. Лебедева В.Н., Мордкович А.Г. Оптимизация динамики интегральных операционных усилителей в режиме большого сигнала. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. / Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова, 1983, вып. 7, с.74-83.

23. Савченко Е.М. Тенденции в развитии высокоскоростных аналоговых ИМС. // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научной конференции М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2005.

24. Пат. 4502020 США H03F 3/26. Снижение времени установления выходного напряжения в широкополосных транзисторных усилителях с непосредственной связью каскадов. Д. Нельсон и др. Comlinear Corporation.

25. Савченко Е.М. Влияние корпуса ИМС на взаимодействие каналов ВЧ операционных усилителей. // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научно-практической конференции М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2007.

26. Савченко Е.М. Анализ методов построения прецизионных операционных усилителей с токовой обратной связью. // Материалы научной конференции «ПУЛЬСАР-2007». Владимир, 2007

27. Виноградов Р.Н., Корнеев C.B., Ксенофонтов Д.Л., Савченко Е.М. Широкополосные, быстродействующие аналоговые интегральные микросхемы. // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных РЭС 2008. Омск, ЦКБ А, 2008.

28. Е.М. Savchenko, A.S. Budyakov The specifics of modeling high-speed integrated amplifiers with high amount of feedback. // International Conference "Micro- and nanoelectronics 2009".

29. Савченко Е.М. Методы обеспечения высокой динамической точности обработки сигнала в операционных усилителях с токовой обратной связью. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, вып. 2, 2009.

30. Kamath В.Y., Meyer R.G., Gray P.R. Relationship between frequency response and settling time of operational amplifiers. IEEE Journal of S olid-State Circuits, SC-9, 1974.

31. Научно-технический отчёт по опытно-конструкторской работе «Липтон-Ку», М.: 2009.

32. Васильев А.Г., Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Оптимизация конструкции и технологии изготовления интегральных кремниевых СВЧ диодов Шоттки. // Электроника микро- и наноэлектроника: материалы научно-технической конференции. М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2010.

33. Грязнов М.И., Гуревич МЛ., Рябинин Ю.А. "Измерение параметров импульсов", М.: "Радио и связь". 1991.

34. Williams Jim, "Methods for Measuring Op Amp Settling Time", Linear Technology Corporation, Application Note 10, July 1985.

35. Williams Jim, "30 Nanosecond Settling Time Measurement for a Precision Wideband Amplifier", Linear Technology Corporation, Application Note 79, September 1999.

36. Smith D., Koen M., Witulski A.F. Evolution of high-speed operational amplifier architectures. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 29, №10, 1994.

37. Пат. 4970470 США H03F 3/45. Трансимпедансный усилитель с непосредственной связью каскадов. Р. Гёссер. Analog Devices

38. Пат. 5537079 США H03F 3/26. Интегральная микросхема усилителя с несколькими комплементарными каскадами. Р. Гёссер и др. Analog Devices

39. Патент 4639685 США, МКИ H03F 003/26. Снижение напряжения смещения буферного усилителя с единичным коэффициентом усиления. К. Саллер, К. Рентел. Comlinear Corporation, 1987.

40. Патент 4766367 США, МКИ G05F 003/26. Токовое зеркало с буферным усилителем. К. Саллер, А. Бакер, С. Смит. Comlinear Corporation, 1988.

41. Mancini, R. Anatomy of a current-feedback OP Amp Электронный ресурс. / Электронный журнал EDN, December, 2005. Режим доступа : http://www.edn.com/article/CA6288054.html, свободный.

42. Mancini, R. Anatomy of a voltage-feedback OP Amp Электронный ресурс. / Электронный журнал EDN, October, 2005. Режим доступа : http://www.edn.com/article/CA6275426.html, свободный.

43. Виноградов, Р.Н. Быстродействующие операционные усилители с обратной связью по току и напряжению Текст. / Р.Н. Виноградов, Д.Л. Ксенофонтов // Chip News, 1996. № 8. - С. 25-27. .

44. Prokopenko, N.N. Maximum ratings of Voltage Feedback and Current Feedback Operational Amplifiers in Linear and Nonlinear Modes Text. / N.N. Prokopenko, A.S. Budyakov, E.M. Savchenko, S.V. Korneev //

45. Proceedings of the Third IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications (ICCSC'06), Politehnica University, Bucharest, Romania, July 6-7, 2006, pp. 149-154.

46. Палмер У. Быстродействующий прецизионный усилитель-преобразователь сопротивлений. Электроника №1, 1988.

47. Current Feedback Loop Gain Analysis and Performance Enhancement, Application Note AN-012782, OA-13 Электронный ресурс. / Сайт компании National Semiconductor, 1993. Режим доступа : www.national.com, свободный.

48. Development of an Extensive SPICE Macromodel for Current-Feedback Amplifiers. National semiconductor, Application Note 840 Электронный ресурс. / Сайт компании National Semiconductor, 1992. Режим доступа : www.national.com, свободный.

49. Пат. 2310267 Российская Федерация, С1, МПК7 H03F 3/45. Широкополосный дифференциальный операционный усилитель

50. Текст. / Прокопенко H.H., Будяков A.C., Савченко Е.М.; заявитель и патентообладатель Южно-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса. № 2006111965; заяв. 10.04.2006; опубл. 10.11.2007, Бюл. № 31. - 13 с. : ил.

51. Банк, М.У. Аналоговые интегральные схемы в радиоаппаратуре Текст. / М.У. Банк. М. : Радио и связь, 1981. - 136 с.

52. Савенко, С. Усилители с токовой обратной связью Текст. // Современная электроника. 2006. - № 2. - С. 18-23.

53. Takeda; Isoshi, et al. Current mirror circuit operable with a low power supply voltage. US patent № 5.357.188, 323/315.

54. Graeme, et al. Folded-cascode amplifier stage. US patent № 5.907.262, 330/255.

55. Graeme. High-gain common-emitter output stage. US patent № 5.736.902, 330/296.

56. Bruce Carter, Using high-speed op amps for high-performance RF design, Part 1 Электронный ресурс. / Сайт корпорации Texas Instruments, 2Q, 2002. Режим доступа : http://focus.ti.com/lit/an/slytl21/slytl21.pdf, свободный.

57. Bruce Carter, Using high-speed op amps for high-performance RF design, Part 2 Электронный ресурс. / Сайт корпорации Texas Instruments, 3Q, 2002. Режим доступа : http://focus.ti.com/lit/an/slytll2/slytll2.pdf, свободный.

58. National Semiconductor Application Note OA-11, A Tutorial on Applying OpAmps to RF Applications Электронный ресурс. / Сайт компании National Semiconductor, September, 1993. Режим доступа : -http://www.national.com/an/OA/OA-l 1.pdf, свободный.

59. Johns, D. Analog Integrated Circuit Design Text. / D. Johns, K. Martin. Wiley & Sons, 1997. - 720 p.

60. John D. Cressler, SiGe HBT Technology: A New Contender for Si-Based RF and Microwave Circuit Applications Text. // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 46, NO. 5, May 1998.

61. Виноградов P.H., Корнеев C.B., Ксенофонтов Д.Л., Савченко Е.М. Широкополосные, быстродействующие аналоговые интегральные микросхемы. // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных РЭС 2008. Омск, ЦКБА, 2008.

62. J. Pozela, Physics of High-Speed Transistors Text. / J. Pozela. -Springer; 1 edition, 1993. -355 p.

63. Huijsing, Johan H. Operational Amplifiers: Theory and Design Text. / Johan H. Huijsing. Springer, 2000 - 484 p.

64. Ivanov, V.V. Operational amplifier speed and accuracy improvement. Analog Circuit Design with Structural Methodology Text. / V.V. Ivanov, I.M. Filanovsky. Kluwer Academic Publishers, 2004. - 210 p.

65. Heinemann, B. Complementary SiGe BiCMOS Text. / B. Heinemann et al. // Electrochemical Society Proceeding, vol. 2004-07, pp.25-31.

66. Texas Instruments Application Note SLOA064, A Differential Op-Amp Circuit Collection Электронный ресурс. / Сайт корпорации Texas Instruments, July, 2001. Режим доступа : http://focus.ti.com/lit/an/sloa064/sloa064.pdf, свободный.

67. Крутчинский, С.Г. Структурный синтез аналоговых электронных схем Текст. : монография / С.Г. Крутчинский. Ростов н/Д.: Изд-во Северо-Кавказского научного центра высшей школы, 2001. - 185 с.

68. Савченко Е.М. Система разработки, организации и учёта сложно функциональных блоков систем различного уровня. // Твердотельнаяэлектроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научно-технической конференции. М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2008.

69. Будяков, A.C. Быстродействующий операционный усилитель с динамической коррекцией переходного процесса Текст. / A.C. Будяков // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки. 2004. - № 6. - С. 206-209.

70. Государственный стандарт ГОСТ 23089. Микросхемы интегральные. Методы измерения электрических параметров операционных усилителей. М.:1989.

71. Pugliese A., Amoroso F.A., Cappuccino G., Cocorullo G. Settling time optimization for two-stage CMOS amplifiers with current-buffer Miller compensation. Electronics letters vol. 43, №23 2007.