Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Якимова, Елена Владиленовна

• Якимова, Елена Владиленовна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Якимова, Елена Владиленовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОСНОВЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МЕТОДА

ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТ АКС И А ЛЬНЫХ АЮаАв СТРУКТУР (Обзор литературы).

1.1. Физические основы метода фотоэлектрического преобразования солнечного излучения.

1.2. Основные методы выращивания эпитаксиальных структур.

1.3. Задачи диссертационной работьг.

ГЛАВА II. ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ

СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В СИСТЕМЕ АЮа-Аз.

2.1. Жидкофазная эпитаксия и ее низкотемпературная модификация.

2.2. Технологическая установка для проведения жидкофазной эпитаксии.

2.3. Особенности кристаллизации и легирования ОаАБ/АЮаАБ слоев при низких температурах.

2.4. Влияние технологических параметров на характеристики солнечных элементов.

2.4.1. Влияние уровня легирования п и р-слоев и глубины залегания р-п перехода на величину диффузионных длин неосновных носителей заряда, плотности тока и коэффициента собирания неосновных носителей заряда.

2.4.2. Влияние широкозонного окна и просветляющего покрытия на фоточувствительность солнечного элемента.

2.5. Постэпитаксиальная обработка гетероструктур.

2.6. Методы измерения толщины, состава и уровня легирования ОаАз/АЮаАэ гетероструктур.

2.6.1. Метод комбинационного рассеяния света.

2.6.2. Метод эллипсометрии.

2.6.3. Измерение спектральных характеристик.

ГЛАВА III. ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

В СИСТЕМЕ АЮа-Аз.

3.1. АЮаАзЛЗгаАз солнечные элементы для преобразования неконцентрированного (1 солнце) солнечного излучения.

3.1.1. Двухстадийная жидкофазная эпитаксия.

3.1.2. Результаты исследования толщины, состава и уровня легирования ОаАз/АЮаАз слоев с помощью метода комбинационного рассеяния света.

3.1.3. Основные характеристики полученных солнечных элементов.

3.2. Высокоэффективные солнечные элементы в системе АЮа-Ав для преобразования концентрированного космического солнечного излучения.

3.2.1 Методика получения гетероструктур.

3.2.2. Исследование параметров гетероструктур с помощью метода комбинационного рассеяния.

3.2.3. Характеристики полученных солнечных элементов.

3.2.4. Исследование радиационная стойкости.

3.3. Солнечные элементы в системе АЮа-Ав для преобразования «наземного» солнечного излучения сверхвысокой концентрации.

3.3.1. Технология получения гетероструктур.

3.3.2. Контроль параметров полученных гетероструктур.

3.3.3. Оптимизация конструкции солнечных элементов, преобразующих солнечное излучение сверхвысокой концентрации.

3.3.4. Характеристики солнечных элементов.

3.4. Двухпереходные солнечные элементы на основе ОаАв/АЮаАз гетероструктур.

3.4.1. Применение низкотемпературной жидкофазной эпитаксии для получения двухпереходных монолитных каскадных гетероструктур.

3.4.2. Исследование характеристик «нижнего» элемента каскада.

3.4.3. Исследование характеристик «верхнего» элемента каскада.

3.4.4. Исследование характеристик туннельного элемента каскада.

3.4.5. Монолитный двухпереходный солнечный элемент.

3.4.6. ОаАз/АЮаАБ солнечный элемент в составе механически стыкованного двухпереходного каскадного элемента.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии»

Настоящая диссертационная работа посвящена разработке технологии создания высокоэффективных солнечных преобразователей на основе гетероструктур с ультратонкими слоями в системе ЛЮа-Аэ методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии и их исследованию.

В связи с истощением природных ресурсов, таких как различные виды горючего топлива, используемых для получения электроэнергии, и неизбежным химическим загрязнением окружающей среды и потеплением климата, сопровождающим производство электроэнергии с использованием всех видов горючего топлива, перед человечеством остро встает вопрос поиска новых, альтернативных источников энергии. Таким доступным и практически неистощимым возобновляемым естественным источником энергии является Солнце. Поэтому не загрязняющий окружающую среду фотоэлектрический метод является одним из наиболее перспективных альтернативных методов получения электрической энергии. Кроме того, вследствие активного развития спутниковых коммуникаций, все острее возникает потребность в высокоэффективных радиационно-стойких преобразователях солнечной энергии в электрическую для космического применения. Со времени запуска космического аппарата «Спутник-3», на котором впервые были установлены солнечные батареи, фотоэлектрический метод остается основным методом получения электроэнергии на космических аппаратах и находит все большее применение на Земле. Эффективность широко используемых солнечных элементов на основе кремния составляют 15-16% при прямом облучении в условиях околоземного космоса. В наземных условиях КПД кремниевых элементов составляет около 20%.

Максимальная эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую может быть достигнута на фотопреобразователях, созданных на основе гетероструктур в системе АЮа-Ав. Арсенид галлия является привлекательным материалом для создания преобразователей солнечного излучения, так как ширина его запрещенной зоны попадает в интервал, обеспечивающий наиболее высокую эффективность преобразования солнечного излучения. Кроме того, за счет более широкой запрещенной зоны солнечные элементы на основе ОаАв имеют лучшую температурную и радиационную стабильность, чем на основе 81. Несмотря на большую стоимость гетероструктурных солнечных элементах по сравнению с кремниевыми, солнечные батареи, созданные на основе гетероструктур, обеспечивают существенный экономический эффект. Уменьшение площади солнечной батареи, компенсирующее высокую удельную (на единицу площади) стоимость арсенид-галлиевых элементов, возможно вследствие большей эффективности преобразования солнечной энергии при сохранении мощности, необходимой для функционирования космического аппарата. Кроме того, за счет уменьшения габаритов солнечных батарей на основе гетероструктур, снижаются расходы на доставку батарей в космос и поддержания космического аппарата на орбите. Солнечные батареи на основе гетероструктур имеют больший ресурс работы за счет лучшей температурной и радиационной стабильности. С учетом всех перечисленных факторов возможно снижение стоимости электроэнергии, получаемой батареями на основе ваАв по сравнению с кремниевыми на примерно на 50%.

Важным преимуществом гетерофотопреобразователей является их способность эффективно преобразовывать сильно концентрированное (до 1000-2000 крат) солнечное излучение, что открывает перспективы существенного (пропорционально степени концентрирования) снижения площади и стоимости солнечных элементов и, вследствие этого, снижение стоимости полученной электроэнергии.

В солнечных преобразователях на основе гетероструктур наблюдается увеличение фоточувствительности в коротковолновой области при уменьшении толщины широкозонного «окна» до нескольких сот ангстрем, что, в свою очередь, ведет к увеличению эффективности преобразования солнечного излучения.

Одним из путей увеличения эффективности преобразования солнечной энергии является создание монолитных каскадных солнечных элементов, в которых необходимо присутствие туннельного перехода для минимизации потерь, а, следовательно, необходимо формирование сверхтонких (5-10 нм) слоев. Поэтому актуальность работы определяется необходимостью создания высокоэффективных однопереходных и каскадных фотопреобразователей концентрированного солнечного излучения, открывающих широкие возможности увеличения эффективности солнечных элементов и снижения стоимости вырабатываемой электроэнергии.

В связи с необходимостью получения ультратонких слоев были разработаны такие методы, как МОС-гидридная (МОСГЭ) и молекулярно-лучевая эпитаксии, которые в настоящее время широко используются для получения гетероструктур с ультратонкими слоями. Поскольку жидкофазная эпитаксия с температурой кристаллизации выше 700°С не позволяет выращивать сверхтонкие слои, то интерес к этому методу несколько уменьшился. Однако, учитывая все преимущества метода жидкофазной эпитаксии, такие как высокое кристаллографическое совершенство выращиваемых слоев, простота аппаратуры и нетоксичность компонентов, была предпринята попытка получить сверхтонкие слои в системе АЮа-Ав путем снижения температуры кристаллизации при проведении эпитаксии из жидкой фазы.

Целью данной работы являлась разработка и применение низкотемпературной модификации жидкофазной эпитаксии для получения гетероструктур с ультратонкими слоями в системе АЮа-АБ и создание на их основе высокоэффективных солнечных преобразователей как для наземного, так и для космического применения.

Научная новизна и практическая ценность работы заключаются в следующем:

- Исследованы зависимости скорости роста и толщины твердого раствора AlGaAs от времени кристаллизации при предельно низких температурах роста (ниже 600°С) и зависимости концентрации свободных носителей заряда от содержания легирующей примеси в жидкой фазе, что позволило разработать технологию воспроизводимого выращивания слоев GaAs и AlGaAs заданной толщины, уровня легирования и состава при температуре кристаллизации ниже 600°С.

- Созданы GaAs/AlGaAs гетероструктуры с ультратонкими слоями широкозонного «окна» (d<0,l мкм), что позволило повысить фоточувствительность в коротковолновой области спектра и, следовательно, эффективность преобразования солнечной энергии.

- На основе выращенных гетероструктур были получены однопереходные солнечные преобразователи с близкими к предельным КПД=24,7% для космического солнца (AMO, 100 солнц) и 27,6% для солнечного излучения вблизи земной поверхности (AM1,5D, 255 солнц).

- Получены солнечные элементы для преобразования солнечного излучения сверхвысокой концентрации (вплоть до 5800 солнц) с максимальной эффективностью 24,8 % (AM1,5D) при 1680 солнцах.

- Впервые в мире получены методом жидкофазной эпитаксии монолитные двухпереходные GaAs/AlGaAs солнечные элементы с КПД 20,3 % (AMO, 5 солнц).

- Разработаны и созданы GaAs/AlGaAs однопереходные солнечные элементы, прозрачные в ИК области, что позволило впервые в отечественной практике получить механически стыкованные каскадные

GaAs/GaSb элементы для преобразования концентрированного солнечного излучения с КПД=29,8 .% (AM1,5D, 93 солнца).

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы. В первой главе описываются физические основы метода фотоэлектрического преобразования энергии, обосновывается выбор системы Al-Ga-As для создания солнечных преобразователей с максимальным КПД, а также рассматриваются процессы молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии как методы, альтернативные жидкофазной эпитаксии, приводятся их основные достоинства и недостатки.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Якимова, Елена Владиленовна

Основные результаты диссертационной работы были изложены в 21 печатной работе, в том числе представлены на 14 мировых конференциях:

1*. V.M.Andreev, A.B.Kazantsev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), V.D.Rumyantsev, S.V.Sorokina. Quantum-well AlGaAs heterostructures grown by low-temperature liquid-phase epitaxy // Material Chemistry and Physics, 1996, 45, pp. 130-135.

2*. V.M.Andreev, A.B.Kazantsev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva, V.D.Rumyantsev, S.V.Sorokina. Low Temperature LPE of QW AlGaAs Heterostructures // Proc. of the International Conf. on Electronic Materials, Taiwan, 1994.

3*.V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva, M.Z.Shvarts. AlGaAs/GaAs LPE Grown Concentrator Solar Cells // Proc. of the 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors, StPetersburg, 1996, pp. 449-452.

4*. V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. AlGaAs/GaAs th

LPE Grown Concentrator Solar Cells //13 European Photovoltaic Solar Energy Conf., Nice, 1995, pp. 65-68.

5*. V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), S.V.Sorokina, M.Z.Shvarts. Low Temperature LPE of AlGaA- Heterostructures // Proc. of the 23d International Symposium on the Semiconductor, Berlin Germany, 1996, pp. 130-135.

6*. A.M.Mintairov, V.P.Khvoskikov, V.RXarionov, E.V.Paleeva (Yakimova), S.V.Sorokina. Raman Scattering Controlled Free-carrier and Composition Distribution in Solar Cells Structures // 1st IEEE World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 1994, pp 1803-1806.

7*. A.M.Mintairov, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), S.V.Sorokina. Raman Scattering Characterization of Space Solar Cells Structures // 4th European Space Power Conf., Poitiers, 1995, pp. 645-648.

8*. V.R.Larionov, A.M.Mintairov, E.V.Paleeva (Yakimova), V.D.Rumyantsev, E.O.Strugova, S.V.Sorokina. Raman Spectra Controlled, High-Productive LPE Fabrication of AlGaAs/GaAs Solar Cells // 12st European Photovoltaic Solar Energy Conf., Amsterdam, 1994.

9*. V.M.Andreev, A.B.Kazantsev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), V.D.Rumyantsev, M.Z.Shvarts. High-Efficiency (24.6%, AMO) LPE Grown Concentrator Solar Cells and Modules // 1st IEEE World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 1994, pp 2096-2099.

10*. V.P.Khvoskikov, V.R.Larionov, E.V.Paleeva (Yakimova), S.V.Sorokina, O.I.Chosta, M.Z.Shvarts, N.S.Zimogorova. Space Concentration Solar Cells Based on Multilayer LPE Grown AlGaAs/GaAs Heterostructure // 4th European Space Power Conf., Poitiers, 1995, pp. 359-362.

11*. V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. High-Efficiency Concentrator Solar Cells Based on Multilayer LPE Grown AlGaAs/GaAs Heterostructure // Proc. of the IV International Conf. on Advanced Materials, Cancun, Mexico, 1995.

12*. V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, V.R.Larionov, V.D.Rumyantsev, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. Very High Concentrator AlGaAs/GaAs Solar Cells // 2nd IEEE World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Vienna, 1998 pp. 3719-3722.

13*. В.М.Андреев, P, В.П.Хвостиков, В.Р.Ларионов, В.Д.Румянцев, Е.В.Палеева (Якимова), М.З.Шварц. Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs-солнечные элементы // ФТП, 1999, т. 33, вып. 9, стр. 1070-1072.

14*. V.M.Andreev, V.P.Khvostikov, V.D.Rumyantsev, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts, C.Algora. 5800 suns AlGaAs/GaAs Concentrator Solar

Cells // Technical Digest of the International PVSEC-11, Sapporo, Japan, 1999, pp.147-148.

15*. V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, V.D.Rumyantsev, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. Monolithic Tandem AlGaAs/GaAS Solar Cells // 14th European Solar Energy Conference and Exibition, Barcelona, 1997, pp 13691372.

16*. V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, V.D.Rumyantsev, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. Monolithic Two-Junction AlGaAs/GaAs Solar Cells // 26th Photovoltaic Specialists Conference, Anaheim, 1997, pp 927-930.

17*. V.M.Andreev, O.I.Chosta, V.P.Khvoskikov, V.M.Lantratov, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. Radiation Resistance of MOCVD and LPE Single-Junction and Tandem AlGaAs/GaAs Solar Cells // Proceedings of the 14th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exibition, Barselona, 1997, pp 1744-1747.

18*. V.M.Andreev, 0.1 .Chosta, V.P. Khvostikov, E.V.Paleeva (Yakimova), M.Z.Shvarts. 3.75 MeV electron irradiation of Ill-V concentrator tandem cells // 26th Photovoltaic Specialists Conference, Anaheim, 1997, pp 999-1002.

19*. M.Z.Shvarts, O.I.Chosta, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), V.M.Andreev. Electron Irradiated LPE Grown AlGaAs/GaAs Tandem Solar Cells // 5th European Space Power Conference,Tarragona, 1998, pp. 507-512.

20*. V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), S.V.Sorokina, M.Z.Shvarts. GaAs and GaSb Based Solar Cells for concentrator and Thermophotovoltaic Applications // 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, 1996, pp. 143-146.

21*. V.M.Andreev, V.P.Khvoskikov, E.V.Paleeva (Yakimova), V.D.Rumyantsev, S.V.Sorokina, M.Z.Shvarts, V.I.Vasil'ev. Tandem Solar Cells Based on AlGaAs/GaAs and GaSb structures // 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors, StPetersburg, 1996, pp. 425-428.

122

В заключении хочу выразить благодарность В. М. Андрееву, В.П.Хвостикову, В.Д.Румянцеву, В.Р.Ларионову и В.М.Лантратову за постоянный интерес к работе и содержательные дискуссии, А.И.Дементьевой, Н.В.Ковальчук, О.В.Ковальчук за проведение постэпитаксиальной обработки гетероструктур, М.З.Шварцу, Н.Х.Тимошиной, А.М.Минтаирову, В.А.Соловьеву, А.С.Власову, НЛ.Садчикову, П.А.Блажнову за проведение большого объема измерений параметров структур и солнечных элементов, а также всему коллективу лаборатории фотоэлектрических преобразователей.

117 Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Якимова, Елена Владиленовна, 2000 год

1. Chapin D.M., Fuller C.S., Pearson G.L. A new silicon p-n junction photocell forconverting solar radiation into electrical power // J.Appl.Phys., 1954, v.25, N5, pp.676-678.

2. Raynolds D.C., Leies G., Antes L.L., Marbutger R.E. Photovoltaic effect in cadmium sulfide // Phys. Rev., 1954, v. 96, p. 533.

3. Cummerow R.L. Photovoltaic effect in p-n junction // Phys. Rev., 1954, v.95, N1, pp. 16-21.

4. Cummerow R.L. Use of silicon p-n junctions for converting solar energy to electrical energy // Phys. Rev., 1954, v.95, N 2, pp. 561-562.

5. Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.- М: Физматгиз, 1963. 496 с.

6. Пикус Г.Е., Бир Г.Л. Влияние поверхностной рекомбинации на коэффициент полезного действия фотоэлемента с р-n переходом // ЖТФ, 1957, т.27, N 3, с.467-472.

7. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors // Bell.Sys.TechJ., 1949, v.28, N 8, pp. 435-489.

8. Sah C.T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junction characteristics // Proc. IRE, 1957, v.45, N 9, pp.1228-1243.

9. Колтун M.M. Оптика и метрология солнечных элементов,- М.: Наука,1985,-280 с.

10. Андреев В.М., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения на основе гетероструктур. Под ред. Ж.И.Алферова, Ю.В.Шмарцева. Л.: Наука, 1986, с.181-204.

11. Евдокимлв В.М. Проблемы теории и перспективы повышения эффективности фотопреобразования. Под ред. Ж.И.Алферова, Ю.В.Шмарцева. Л.: Наука, 1986, с.141-180.

12. Haught A.F. Physics considerations of solar energy conversion // J. Solar Eng., 1984, v.106, N2, pp. 3-15.

13. Андреев B.M., Грилихес B.A., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. JL: Наука, 1989.-310 с.

14. Hovel H.J. Semiconductors and Semimetals, V.ll Solar Cells.-NY: Acad. Press, 1975. 254 p.

15. Зи С. Физика полупровониковых приборов: пер. с англ.- М.: Мир, 1984, т.2- 456 с.

16. Henry С.Н. Limiting efficiency of ideal single and multiple energy gap terrestrial solar cells // J.Appl.Phys., 1980, v. 32, N 3, pp. 4494-4500.

17. Грилихес В.А., Орлов П.П., Попов Л.Б. Солнечная энергия и космические полеты.- М: Наука, 1984.-216 с.

18. Nasby R.D., Garner С.М., Sexton F.W. et al High efficiency p+-n-n+ silicon concentrator solar cells // Solar Cells, 1982, v.6, N1, pp. 49-58.

19. Kneehtli R.C, Loo R.J., Kamath G.S. High-Efficiency GaAs Solar Cells // IEEE Trans, on Electron. Dev., 1984, v ED-31, N 5, pp. 577-588.

20. Андреев B.M., Сулима O.B., Хаммедов A.M. Термостабильные концентраторные солнечные элементы на основе AlGaAs гетероструктур // Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, № 14, с. 853-857.

21. Аллахвердиев А.М., Андреев В.М., Джелепова Н.Б. Влияние встроенныхэлектрических полей на температурную стабильность параметров А1-Ga-As гетерофотоэлементов // ФТП, 1984, т. 18, № 11, с. 1979-1984.

22. Андреев В.М., Сулима О.В. Снижение омических потерь в Al-Ga-As-фотопреобразователях концентрированного излучения // Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, № 7, с. 429-432.

23. Аллахвердиев A.M., Андреев В.М., Мокан И.И. и др. Концентраторные гетерофотоэлементы pAlxGaixAs-p-GaAs-nGaAs, полученныесочетанием методов жидкостной и газовой эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, № 22, с.1335-1339.

24. Romero R., Sulima O.V. AlxGaixAs/GaAs thin window concentrator solar cells by LPE plus vapour phase diffusion // Crystal Res. Technol., 1983, v.18, N 8, pp.1053-1057.

25. Андреев B.M., Питтроф В., Сулима О.В. Влияние поверхности AlGaAs гетероструктур на диффузию цинка из газовой фазы // ЖТФ, 1985, т.55, N9, с. 1844-1846.

26. Sahai R., Edwall P,D., Harris J.S., Cory E. High-efficiency thin window GaixAlxAs/GaAs solar cells // 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1976, pp.989-991.

27. Sahai R., Edwall P,D., Harris J.S. High-efficiency AlGaAs/GaAs concentratorsolar cells // Appl.Phys.Lett, 1979, v.34, N2, pp. 147-149.

28. Yoshikawa A., Kasai H. Optimum designe for window layer thickness of AlGaAs-GaAs heteroface solar cell regarding the effect of reflection loss // JAppl.Phys., 1981, v.52, N 6, pp. 4345-4347.

29. Абдуллаев А., Гарбузов Д.З., Ермакова A.H., Трукан M.K. Оценка скорости безызлучательной рекомбинации на гетеротраницах в AlGaAs-структурах // ФТП, 1979, т.13, N 9, с. 1744-1747.

30. Корольков В.И., Никитин В.Г., Третьяков Д.Н. Туннельное прохождениефотоносителей в гетеропереходах pGaAs-nAlxGaixAs // ФТП, 1974, т.8, N12, с. 2355-2358.

31. Бергман Л.В., Корольков В.И., Ларионов В.Р., Никитин В.Г. Фотодиодына основе гетеропереходов GaAs-AlxGai.xAs // ФТП, 1976, т. 10, N 10, с. 1933-1938.

32. Андреев В.М., Егоров Б.В., Лантратов В.М., Трошков С. И. Гетерофотоэлементы с с низким значением обратного тока насыщения // ФТП, 1985, т.19, N 2, с. 276-281.

33. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Зимигорова Н.С., Третьяков Д.Н Фотоэлектрические свойства гетеропереходов AlGaAs-GaAs // ФТП, 1969, t.3N 11, с. 1633-1637.

34. Алферов Ж.И., Андреев В.М.,Каган М.Б, Протасов И.И., Трофим В.Г. Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов pAlGaAs-nGaAs // ФТП, 1970, т.4 N 12, с. 2378-2379.

35. Андреев В.М., Каган М.Б., Любашевская Т.Л., Нуллер Т.А., Третьяков Д.Н. Сравнение различных моделей гетерофотопреобразователей в системе pAlxGaixAs-nGaAs с точки зрения достижения максимальной эффективности // ФТП, 1974, т.8, N 7, с.1328-1334.

36. Fraas L.M., Avery J.E., Martin J., Sundaram V.S., Girard G. et al. Over 35-percent efficient GaAs/GaSb tandem solar cells // IEEE Trans. Electron Dev., 1990, ED-37, pp.443-449.

37. Bertness K.A., Kurtz S.R., Friedman D.J., Kibbler A.E., Kramer C., Olson J.M. 29.5%-efficient GalnP/GaAs tandem solar cells // Appl. Phys. Lett, 65, 1994, pp. 989-991.

38. Yamaguchi M., Wakamatsu S. Super-high efficiency solar cell R&D programin Japan // IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, USA, 1996, pp. 9-12.

39. Андреев B.M., Ивентьева O.O., Романова Е.П., Юферев B.C. Расчет каскадных солнечных элементов на основе соединений А3В5 // ЖТФ, 1983, т.53, №10, с. 2025-2031.

40. Lamorie M.F., Abbott D.H. AlGaAs/GaAs cascade solar cell computermodelling under high solar concentration // Solar cells, 1983, v. 9, N 3, pp.311-326.

41. Андреев B.M., Ивентьева O.O., Романова Е.П., Юферев B.C. Исследование комплементарных р-п-р и п-р-п каскадных солнечных элементов // ЖТФ, 1983, т.53, №2, с. 320-324.

42. Андреев В.М., Ивентьева О.О., Романова Е.П., Юферев B.C. Исследование параметров каскадных солнечных элементов при высоких уровнях освещенности // Солнечная фотоэлектрическая фотоэнергетика, 1983, Ашхабад, с. 235-242.

43. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Зимогорова Н.С. Двухэлементный каскадный солнечный фотопреобразователь в системе Al-Ga-As // Письма в ЖТФ, 1981, т.7, N 14, с.833-836.

44. Антошенко B.C., Каган М.Б., Любашевская Т.Л. Каскадные солнечные элементы на основе п-р-п структуры в системе GaixAlxAs-GaAs // Письма в ЖТФ, 1982, т.8, №1, с. 3-7.

45. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Зимогорова Н.С. Исследование каскадныхсолнечных элементов системе AlGaAs // ФТП, 1982, т. 16, №6, с.982-987.

46. Аллахвердиев A.M., Задиранов Ю.М., Румянцев В.Д. Взаимное влияниеширокозонного и узкозонного элементов при работе каскадных nGaAs-pAlGaAs-nAlGaAs гетерофотопреобразователей // ФТП, 1983, т. 17, №3, с.446-448.

47. Wanlass M.W., Coutts Т.J., Ward J.S., Emery K.A., Gessert T.A., Ostervald

48. C.R. Advanced high efficiency concentrator tandem solar cells // 22d IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1991, p.38.

49. Bett A.W., Keser S., Stollwerck G., Sulima O.V., Wettling W. Over 31 Coefficient GaAs/GaSb tandem concentrator solar cells // 26th Photovoltaic Specialists Conference, Anaheim, 1997, pp. 931-934.

50. Bett A.W., Stollwerck G., Sulima O.V., Wettling W. Highest efficiency

51. GaAs/GaSb tandem concentrator module // 2nd World Conference and Exibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria, 1998.

52. Avery J.E., Fraas L.M., Sundaram V.S., Mfnssori N., Yerkes J.W., Brinker

53. D.J., Curtis H.B., O'Neill M.J. Lighweight concentrator module with 30%

54. AMO efficient GaAs/GaSb tandem cells // 21th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Kissimimee, Florida, 1990, pp. 1277-1281.

55. Fridman D.J., Kurts Sarah R., Bertness K.A., Kibbler A.E., Kramer C.,

56. Olson J.M. GalnP/GaAs monolithic tandem concentrator solar cells // 1st IEEE World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 1994, pp.1839-1832.

57. Ohmori M., Takamoto T., Ikeda E., Kurita H. High efficiency InGaP/GaAS tandem solar cells // Technical digest of the PVSEC-9, Miyazaki, 1996, pp.525-528.

58. Chung B-C., Virshup G.F., Hikido S., Kaminar N.R. 27.6% efiiciency (1 sun,air mass 1.5) monolithic Alo.37Gao.63As/GaAs two-junction cascade solar cell with prismatic cover glass // Appl.Phys.Lett. 55, 1989, pp. 1741-1743.

59. Yamaguchi M., Takamoto T., Wakamatsu S. Toward 40% super high-efficiency multi-junction solar cells // 2nd World Conference and Exibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria, 1998, pp. 35243529.

60. Yamaguchi M. Physics and technologies of super-hich-efficiency tandem solar cells // OTn, 1999, t.3 3, №9, c. 1054-1058.

61. Wojtczuk S J., Reinhardt K. High-power density (1400 W/kg) GaAs cells for ultralight aircraft // 25 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, USA, 1996, pp .49-52.

62. Olsen L.C., Deng X., Lei W., Addis F.W, Li J. GaAs solar cells grown onA

63. GaP // 25 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, USA, 1996, pp.61-64.

64. Tobin S.P., Vernon S.M., Bajgar C., Wojtczuk S.J., et al. Assesment of

65. MOCVD- and MBE-grown GaAS for high-efficiency solar cell applications // IEEE Trans on Electron. Dev. 1990, v. ED-37, N 2, pp.469477.

66. Orton J.W. Molecular-beam epitaxy of AlAs/GaAs heterostructures andsuperlattice // Thin Solid Films, 1986, v. 163 pp. 1-12.60. «Арсенид галлия в микроэлектронике», под ред. Н.Айнспрука, У.Уиссмена: пер. с англ.,-М, Мир, 1988.

67. Ченг Л., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и герероструктуры : пер с англ.- М.: Мир, 1989- 582 с.

68. Lammasniemi J., Tappura К., Kazantsev A., Rakennus К., et al. Molecularbeam epitaxy grown GalnP top cells and GaAs tunnel diodes for tandem applications // 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, USA, 1996, pp.97-100.

69. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах: пер. с англ.- М.: Мир, 1981, т.2, 364 с.

70. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G. et al. Liquid phase epitaxy of

71. AlxGaixAs-GaAs heterostructures // Kristall und Technik, 1975, v. 10 pp.103-110.

72. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов.- М.: Сов.радио, 1975.- 328с.

73. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Korol'kov V.l. et al. Preparation and investigation of epitaxial layers of AlxGaixAs-GaAs solid solutions and of heterojunctions in the AlAs-GaAs system // Kristall und Technik, 1969, v.4, N4, pp.495-503;

74. Panish M.B., Sumsky S. Ga-Al-As: phase, thermodynamic and optical properties // J.Phys.Chem.Solids, 1969, v.30, pp.129-137;

75. Andreev V.M. Liquid-phase epitaxy of electroluminescent AlGaAs heterostructures // Czechoslov. J. Phys., 1980, v B30, pp.262-271;

76. Andreev V.M., Egorov B.V., Syrbu A.V. et al Liquid-phase epitaxy of

77. AlGaAs heterostructures on profiled substrates // Kristall und Technik, 1980, v.15, N 4, pp.379-385;

78. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А. AlGaAs гетероструктуры сквантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖФТ, 1986, т.12, №18, с.1089-1093;

79. Андреев В.М. Жидкостная эпитаксия гетероструктур в системе алюминий-галлий-мышьяк, разработка и исследование оптоэлектрических приборов на их основе // Докторская диссертация ФТИ РАН СССР, Ленинград, 1979, 373 с.

80. Hall К.Н. Solubiluty of III-V compounds // J. Electrochem. Soc., 1963, N2, pp. 385-389.

81. Хвостиков В.П. Разработка метода низкотемпературнойи жидкофазнойэпитаксии AlGaAs гетероструктур с квантово-размерными слоями // Кандидатская диссертация, ФТИ АН СССР, Ленинград, 1991, 103 с.

82. Аллахвердиев A.M., Егоров Б.В., Лантратов В.М., Трошков С.И.

83. Высокоэффективные солнечные элементы на основе pAlxGai.xAs-pGaAs-Si-nGaAs для работы в условиях концентрированного солнечного излучения // ЖТФ, 1982, т.52, № 11. С. 2312-2314.

84. Muralidharan R., Jain S.C. Improvements in the theory of growth of LPElayers of GaAs and interpretation of recent experiments // Journ.Cryst.Growth., 1980, v.50, pp.707-719.

85. Фаренбрух А.Л, Бьюб P.X. Солнечные элементы. Теория и эксперимент:пер с англ. М.: Энергоатомиздат, 1987.- 280 с.

86. Андреев В.М., Егоров Б.В., Лантратов В.М., Румянцев В.Д.,

87. Трошков С.И. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания р-n перехода // ЖТФ, 1983, т.53, N8 с. 1658-1660.

88. Kuriyama Т., Kamiya Т., Yanai Т. Effect of photon recycling on diffusion length and internal quantum efficiency in AlxGai.xAs-GaAs heterostructures // Japan J. Appl. Phys., 1977, v.16 N3, pp. 465-477.

89. Романова Е.П., Юферов В.С, О влиянии переизлучения на перенос носителей в p-GaAs // ФТП, 1980, т.14, с.2410-2414.

90. Ларионов В.Р. Разработка и исследование источников и преобразователей излучения на основе гетеропереходов в системе алюминий-галлий-мышьяк // Кандидатская диссертация ФТИ АН СССР, Ленинград, 1979, 207 с.

91. Buda М., Smalbrugge Е., Geluk E-J., Karoute F., et al. Controlled anodic oxidation for high precision etch depth in AlGaAs III-V semiconductor structures // J. Electrochem. Soc., 1998, vol. 145, No. 3, pp. 1076-1079.

92. Andreev V.M., Larionov V.R., Mintairov A.M., Prutskikh T.A., et al.

93. Raman scatterig investigation of the composition distribution in AlGaAs heterostructures with quattum-well layers // Sov.Tech. Phys.Lett., 1990, v. 16 N5, pp.325-327

94. Андреев B.M., Ларионов B.P., Минтаиров A.M., Пруцких T.A. и др. Исследование распределение состава в AlGaAs гетероструктурах с квантово-размерными слоями методом комбинационного рассеяния света // Письма в ЖТФ, 1990, т. 16 в. 19 с. 7-12.

95. Минтаиров A.M., Смекалин К.Е., Сухорукова М.В., Хвостиков В.П. Эллипсометрические исследования ультратонких слоев GaAs и AlGaAs,выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии // Электронная техника, сер. материалы, 1991, вып.4, стр. 44.

96. Parish М.В. Phase equilibria in the system Al-Ga-As-Sn and electricalproperties of Sn-doped liquid phase epitaxial AlxGai.xAs // J. Appl. Phys., 1973, v.44, N6, pp. 2667-2675.

97. Андреев B.M., Егоров Б.В., Лантратов B.M., Трошков С.И. Фотопреобразователь // Авт.свид. №1101101, приоритет от 22.03.1983.

98. Flores С., Passoni D. Beryllium and zinc behaviour in GaAs and AlGaAs Forconcentrator solar cell // Sol.St.Electronics, 1980, v 23, N 8, pp. 911-913.

99. Андреев B.M., Сулима O.B. Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы AlxGai.xAs // ЖТФ, 1984, т. 54, № 7, с.1320-1324.

100. Matsumoto Y. Study on Zn in GaAs and AlxGaixAs (x < 0.4) at temperaturesfrom 726° to 566° C" // Japan J.Appl.Phys., 1983, v.22, N 5, pp.829-835.

101. Masu K., Konagai M., Takahashi K. Acceptor energy level for Zn in GaixAlxAs // J.Appl.Phys, 1980, V.51 N2, pp. 1060-1064.

102. Vassilieff G., Saint-Cric B. Zn incorporation in GaixAlxAs grown by liquid phase epitaxy and its electrical properties // J.Appl.Phys, 1983, V.54 N8, pp.4581-4585.

103. Tobin S.P., Vernon S.M., Woitczuk S.J., Baigar C., et al. Advances in higheffiiciency GaAs solar cells // Proc. of the 21th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Las Vegas, 1990, pp. 158-162.

104. Maroto J.C., Marti A., Algora C., Araujo C.L. 1300 suns GaAs concenrtatorsolar cells with efficiency over 23% // Proc. 13th EPSEC, Nice, France 1995, pp. 343-346.

105. A.Lique. Solar cells and optics for photovoltaic concentration.-Bristol and

106. Philadelphia: The Adam Hilger series on optics and optoelectronics, 1989.531 p.133

107. Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии // Кандидатская диссертация, ФТИ АН СССР, Ленинград, 1990.

108. Andreev V.M., Rumyantsev V.D., Karlina L.B. Kazantsev A.B., et al.

109. Mechanically Stacked Concentrator Tandem Solar Cells // 4th European Space Power Conf., Poitiers (1995) pp. 359-362.

110. Andreev V.M., Karlina L.B., Kazantsev A.B., Khvostikov et al. Concentratortandem solar cell based on AlGaAs/GaAs-InP/InGaAs (or GaSb) structures // 1st World Conference of Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, USA, 1994, p. 1721-1724.

111. Sorokina S.V., Khvostikov V.P., Shvarts M.Z. GaSb based solar cells for concentrator tandem application // 13th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Nice, France, 1995, p.61-64.

112. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Sorokina S.V., Vasil'evV.I. GaSb based solar cells with Zn-diffiized emitters // 9th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, Delhi, India, 1997, p.420-424.