Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Хвостикова, Ольга Анатольевна

• Хвостикова, Ольга Анатольевна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хвостикова, Ольга Анатольевна

ВВЕДЕНИЕ.

1. ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ АЛЬТЕРНАТИВНЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭНЕРГИИ.

1.1. Узкозонные фотоэлементы: особенности применения в фотоэнергетике.

1.2. Термофотоэлектрические преобразователи: принцип действия и возможности эффективного использования.

1.3. Обоснование выбора полупроводниковых материалов для изготовления термофотоэлектрических преобразователей.

1.4. Формулирование задач диссертационной работы.

2. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ.

2.1. Особенности легирования германия в квазизамкнутом объеме.

2.2. Выбор легирующей примеси для формирования р-я-перехода в германии. 42'

2.3. Диффузионное легирование германия и характеристики получаемых фотоэлементов.

2.4. Разработка термофотоэлектрических элементов на основе Ge с тыльным зеркалом.

3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ p-GaAs/p-Ge/n-Ge ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.

3.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе Ge с широкозонным окном GaAs, выращенным методом жидкофазной эпитаксии.

3.1.1. Получение гетероструктур GaAs/Ge комбинацией методов быстрого охлаждения раствора-расплава и газовой диффузии.

3.1.2. Параметры Ge фотоэлементов с GaAs окном, выращенным методом жидкофазной эпитаксии.

3.2. Фотоэлектрические преобразователи на основе Ge с широкозонным окном GaAs, выращенным методом газофазной эпитаксии.

3.2.1. Поиск оптимального технологического способа изготовления гетероструктур GaAs/Ge с помощью методов диффузии и газофазной эпитаксии. у ^

3.2.2. Характеристики Ge фотоэлементов с GaAs окном, выращенным методом газофазной эпитаксии.

3.3. Сравнительный анализ основных параметров Ge фотоэлементов, полученных различными способами.

4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ А3В5 ПОЛУПРОВОДНИКОВ (GaSb, InAs).

4.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе GaSb

4.1.1. Исследование свойств слиткового материала GaSb.

4.1.2. Формирование и исследование омических контактов к GaSb.

4.1.3. Исследование влияния глубины /?-и-перехода и формы диффузионного профиля на выходные характеристики GaSb фотоэлементов.

4.1.4. Разработка термофотоэлектрических GaSb элементов с тыльным зеркалом. Ю

4.1.5. Характеристики разработанных фотопреобразователей на основе GaSb.

4.2. Термофотоэлектрические преобразователи на основе InAs.

4.2.1. Термофотоэлектрические элементы на основе InAs.

4.2.2. Термофотоэлектрические элементы на основе InAsSbP.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)»

Актуальность темы. В последнее время в связи с энергетическим кризисом большое внимание привлечено к проблеме поиска альтернативных возобновляемых экологически чистых источников энергии. Наиболее перспективным в этой связи представляются возможности фотоэлектрического способа преобразования солнечной энергии.

Основным направлением гелиоэнергетики с точки зрения достижения максимально возможных значений КПД является использование каскадных солнечных элементов. В'этом случае прирост эффективности осуществляется за счет преобразования длинноволнового излучения солнечного спектра при добавлении в конструкцию фотопреобразователя узкозонного фотоэлемента. В качестве материала- для нижнего элемента механически стыкованного каскада могут успешно < использоваться такие узкозонные полупроводники, как германий или антимонид галлия.

Помимо солнечных элементов принцип фотоэлектрического, преобразования излучения реализуется также в термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователях. Метод позволяет осуществлять преобразование энергии излучения нагретых тел (эмиттеров) в электроэнергию с помощью полупроводниковых фотоэлементов, чувствительных в инфракрасной области спектра. Этот менее известный способ преобразования излучения несомненно перспективен потому, что ТФЭ генераторы могут работать в условиях, независимых от природных факторов (днем, ночью и в пасмурные дни). ТФЭ преобразователи должны иметь ширину запрещенной зоны 0.4-0.8 эВ для эффективного преобразования относительно длинноволнового инфракрасного излучения нагретого эмиттера. ТФЭ генераторы, также как и солнечные энергоустановки, являются перспективными для их использования в качестве автономных, бесшумных и экологически чистых источников электрической энергии.

Таким, образом; актуальность, настоящей работы определяется необходимостью получения высокоэффективных узкозонных фотопреобразователей, предназначенных для использования в качестве концентраторных солнечных элементов каскадного типа, а также в качестве термофотоэлектрических преобразователей.

Цель настоящей работы заключалась в разработке технологии получения высокоэффективных узкозонных фотоэлементов на основе Ge и GaSb с использованием методов диффузии из газовой фазы и эпитаксиального выращивания для создания термофотоэлектрических преобразователей и механически стыкованных солнечных элементов.

Научная новизна и практическая значимость работы заключаются в следующем:

- Исследована зависимость глубины залегания р-и-перехода в германии от длительности диффузионного отжига в условиях квазизамкнутого объема. Определены технологические режимы диффузии, обеспечивающие получение высокоэффективных Ge фотоэлементов.

- Разработана технология получения Ge фотоэлементов с GaAs л. широкозонным «окном» с использованием эпитаксиальных и диффузионных методов. Показано, что выращивание широкозонного GaAs «окна» приводит к возрастанию напряжения холостого хода и эффективности фотоэлементов на основе Ge.

- Впервые в отечественной практике созданы фотоэлементы на, основе Ge с широкозонным «окном» GaAs, которые по эффективности фотоэлектрического преобразования не уступают лучшим зарубежным аналогам.

- Разработана методика увеличения эффективности фотоэлементов на основе GaSb путем прецизионного удаления высоколегированной части р-эмиттера после диффузии из газовой фазы.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Эпитаксиальное выращивание GaAs на Ge в комбинации с диффузией цинка обеспечивает получение фотопреобразователей с близкой* к 100% внутренней квантовой эффективностью фотоответа и высокими значениями генерируемого напряжения.

2. Разработанные фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктуры обеспечивают достижение КПД 10-11% при преобразовании концентрированного (50-300 солнц) солнечного излучения. КПД термофотоэлектрического преобразования составляет 16.5% для поглощенного-в Ge (X < 1940 нм) излучения вольфрамового эмиттера при Т = 2000 К.

3. Низкотемпературная диффузия цинка в GaSb в сочетании с постдиффузионным прецизионным удалением высоколегированной части р-эмиттера обеспечивают получение фотопреобразователей с КПД 18-19% при преобразовании излучения вольфрамового эмиттера (Т = 1800-2000 К) и 49% при* преобразовании мощного (до 100 Вт/см2) узкополосного излучения с длиной волны 1680 нм.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались на 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany,

2001); 5th ISTC Scientific Advisory Committee Seminar (St. Petersburg, 2002); 29th Photovoltaic Specialists Conference (New Orleans, Louisiana, 2002); 5th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Rome, Italy,

2002); 3nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy th

Conversion, (Japan, Osaka, 2003), 19 European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 2004); 6th Conference- on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Freirburg, Germany, 2004); 31th Photovoltaic Specialists Conference (Florida, USA, 2005); 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Barcelona, Spain, 2005); 4th World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006); 21th European Photovoltaic Solar

Energy Conference (Dresden, Germany, 2006); 7th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Madrid, Spain, 2006); 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference (Milan, Italy, 2007).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 33 печатных труда, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 102 наименований. Общий объем работы составляет 131 страницу, включая 62 рисунка и 5 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Хвостикова, Ольга Анатольевна

Основные результаты диссертационной работы изложены в следующих публикациях:

1. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova О.A., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z., Thermophotovoltaic cells with sub-bandgap photon recirculation // Proceed, of 17th European Photovoltaic Solar Energy Conf., Munich, 2001, pp.219-222.

2. Rumyantsev V.D., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Oliva E.V., Shvarts M.Z., Improvement of GaSb based TPV cells by nano-etching of diffused emitter // Proc. 5th ISTC SAC Seminar: Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, St.Petersburg, 2002, p.392-395.

3. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Oliva E.Y., Shvarts, V.M.Andreev M.Z., Thermophotovoltaic cells based on /?-GaAs/p-Ge/«-Ge nanoheterostmctures // Proc. 5th ISTC SAC Seminar, St.Petersburg, 2002, p.387-391.

4. Khvostikov V.P.,.Khvostikova O.A, Oliva E.V.,.Rumyantsev V.D, Shvarts M.Z., Tabarov T.S., Andreev V.M., Zink-diffiised InAsSbP/InAs and Ge TPV cells // 29th Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, 2002, pp. 943-946.

5. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.V., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z., Low-Bandgap Ge and InAsSbP/InAs-Based TPV Cells // 5th Conf. on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2002, Rome, AIP Conf. Proc., v.653, p.383.

6. Хвостиков В.П., Олива Э.В., Хвостикова O.A., Андреев В.М., Румянцев В.Д., Шварц М.З., Высокоэффективные ТФЭ элементы на основе Ge и GaSb // Известия вузов, Северо-Кавказский регион, технические науки, спецвыпуск, 2002, стр.31-35.

7. Хвостиков В.П., Лунин JI.C., Ратушный В.И., Олива Э.В., Шварц М.З., Хвостикова О.А., Фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ // Письма в ЖТФ, 2003, т.29, в. 14, стр.46-49.

8. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Олива Э.В., Хвостикова О.А., Шварц М.З., Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs для термофотоэлектрических преобразователей // Письма в ЖТФ, 2003, т.29, вып.20, стр.33-37.

9. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova О.А., Kaluzhniy N.A., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Titkov S.S., Shvarts M.Z., Low-bandgap PV and thermophotovoltaic cells // Proceedings of 3rd World Conf on Photovoltaic Solar Energy Conversion, 2003, Osaka, Japan.

Ю.Андреев B.M., Хвостиков В.П., Калюжный H.A., Титков С.С., Хвостикова О.А., Шварц М.З., Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка // ФТП, 2004 т.38, в.З, стр. 369-373.

П.Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Увеличение эффективности термофотоэлектрических преобразователей на основе германия и антимонида галлия // Известия вузов, Северо-Кавказ. регион, тех. науки, спецвыпуск, 2004, стр.44-52.

12.Хвостиков В.П., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Шварц М.З., Румянцев В.Д., Андреев В.М., Термофотоэлектрические преобразователи теплового и концентрированного солнечного излучения // ФТП, 2004, т.38, вып.8, стр.988-993.

13.Rumyantsev V.D., Khvostikov V.P., Khvostikova О.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Vlasov A.S., Ionova E.A., Andreev V.M., Structural features of solar TPV systems // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 79-87.

14.Andreev Y.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Rumyantsev V.D., Gazarjan P.Y., Vlasov A.S., Solar thermophotovoltaic converters: efficiency potentialities // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 96-104.

15.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Shvarts M.Z., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., Thermophotovoltaic cells based on low-bandgap compounds // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 436-444.

16.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., TPV cells based on Ge, GaSb and InAs related compounds for solar powered TPV systems // Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, 2004, pp. 105-108.

17.Andreev V.M., Grilikhes V.A., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Rumyantsev V.D., Sadchikov N.A., Shvarts M.Z., Concentrator PV modules and solar cells for TPV systems // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2004, v.84, pp.3-17.

18.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Shvarts M.Z., Vlasov A.S., Andreev V.M., Photovoltaic cells for solar powered TPV systems // Proceedings of the 31s' Photovoltaic Specialists Conference, Florida, 2005, pp. 655-658.

19.Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Vlasov A.S., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Rumyantsev V.D., Solar thermophotovoltaic system with high temperature tungsten emitter // Proceedings of the 31st Photovoltaic Specialists Conference, Florida, 2005, pp. 671-674.

20.Andreev V.M., Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Vlasov A.S., Sadchikov N.A., Sorokina S.V., Zadiranov Y.M., Shvarts M.Z., Thermophotovoltaic converters with solar powered high temperature emitters // Proceedings of the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, pp. 8-13.

21.Kalinovsky V.S., Andreev V.M., Evstropov V.V., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., The mechanism of a current flow in the space charge region of illuminated and nonilluminated GaSb p-n junctions // Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conf, Barcelona, 2005, pp.503-506.

22.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Narrow bandgap GaSb and InGaAsSb/GaSb based cells for mechanically stacked tandems and TPV converters // Proceedings of the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, pp. 191-194.

23.Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова O.A., Сорокина C.B., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М., Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия // ФТП, 2006, т.40, в. 10, стр.1275-1279.

24.Khvostikov V.P., Khvostikova О.А., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Shvarts M.Z., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., Rumyantsev V.D., Photoconverters for solar TPV systems // Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006, Hawaii, pp. 667-670.

25.Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Rumyantsev V.D., Solar thermophotovoltaic converter with Fresnel lens and GaSb cells // Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006, Hawaii, pp. 644-647.

26.Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Sun powered TPV converters based on GaSb cells // Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006, pp. 35-38.

27.Khvostikov V.P., Gazaryan P.Y., Khvostikova O.A., Sorokina S.V., Potapovich. N.S., Malevskaya A.V., Levin R.V., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Narrow band gap TPV converters of radiation from the emitters heated by concentrated sunlight // Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006, pp. 485-488.

28.Vlasov A.S., Khvostikov V.P.,. Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Sadchikov N.A., Andreev V.M., TPV systems with solar powered tungsten emitters // Proc. of ~7th World Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2006, Madrid, pp. 327-334.

29.Khvostikov V.P., Gazaryan P.Y., Khvostikova O.A., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Levin- R.V., Shvarts M.Z., Andreev V.M., GaSb applications for solar thermophotovoltaic conversion // Proc. of 7th World Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2006, Madrid, pp. 139-148.

30.V.M. Andreev, A.S. Vlasov, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova & P.Y.Gazaryan, Full Scale Solar TPV Generator // Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conf, Milan, 2007, pp. 173-176.

31 .Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Kaluzhniy N.A., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Photovoltaic cells based on GaSb and- Ge for solar and thermophotovoltaic applications // ASME Journal of Solar Energy Engineering, 2007, v. 129, №3, pp 291-298.

32. Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Sadchikov N.A., Solar thermophotovoltaic converters based on tungsten emitters // ASME Journal of Solar Energy Engineering, 2007, v. 129, №3, pp 298-304

33.Хвостиков В.П., Сорокина C.B., Потапович H.C., Хвостикова О.А., Власов А.С., Ракова Е.П., Андреев В.М., Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия // ФТП, 2008, т.42, вып.4, стр.1198-1205.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хвостикова, Ольга Анатольевна, 2009 год

1. Найденко В.В., Губанов Л.Н, Петрова Е.Н. Глобальные эколого-экономические проблемы: Учебное пособие. Нижний Новгород, 2002.

2. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции развития солнечной фотоэлектроэнергетики // ФТП, 2004, т.38, вып.8, стр.937-943.

3. Андреев В.М Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения.-Л.: Наука, 1989.-310 с.

4. Колтун М.М. Солнечные элементы. М.: Наука, 1987, 192 с.

5. King R.R., Sherif R.A., Kinsey G.S. et.al. Bandgap engineering in high-efficiency multijunction concentrator cells // Proc. of Int. Conf. on Solar Concentrators for the Generation of Electricity or Hydrogen, 2005, Arisona.

6. Araki K., Yamaguchi M., Kondo M., Uozumi H. Which is the best number of junctions for solar cells under ever-changing terrestrial spectrum? // Proc. of 3 rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp. 1LN-C-07.

7. King R.R., Law D.C., Edmondson K.M. et. al. Metamorphic Concentrator Solar Cells with Over 40% Conversion Efficiency // Proceed. 4th Int. Conf. on Solar Concentrators, 2007, El Escorial, Spain.

8. Bett A.W., Baur C., Beckert R. et.al. Development of high-efficiency mechanically stacked GalnP/GalnAs-GaSb triple-junction concentrator solar cells // 17th EPVSE Conf. Proceed., Munich, Germany, 2001, pp.84-87.

9. Bett A.W., Dimroth F., Stollwerck G., Sulima O.V. III-V compounds for solar cell applications // Appl. Phys., 1999, A 69, pp.119-129.

10. Posthuma N.E., Flamand G., Poortmans J. Dual junctuin germanium bottom cells application in mecanically stacked solar cells // 20th EPVSE Conf. Proceed., 2005, Barcelona, Spain, pp.78-81.

11. Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W. Solar Cell Efficiency Tables (Version 32) // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2008, v. 16, pp.435-440.

12. Green M., Emery K., King D. et. al. Solar Cell Efficiency Tables (Version 25) // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2005, v. 13, pp.49-54.

13. Coutts T.J., Fitzgerald M.C. Thermophotovoltaics // Scientific American, 1998, pp.90-95.

14. Coutts T.J. A review of progress in thermophotovoltaic generation of electricity // J.Renewable and Sustainable energy reviews, 1999, v.3, pp.77-184.

15. Baldasaro P.F., Raynolds J.E., Charache G. W. et.al. Thermodynamic analysis of thermophotovoltaic efficiency and power density tradeoff // J.of Appl. Phys., 2001, v89, №6, pp.3319-3327.

16. Nelson R.E. A brief history of thermophotovoltaic development // Semicond.Sci.Technol., 2003, v.18, pp.S141-S143.

17. Guazzoni G., Matthews S. A retrospective of four dacades of military interest in thermophotovoltaics // AIP Conf. Proc. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, p.3-12.

18. Wang C. Antimony-based III-V thermophotovoltaic materials and devices // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.255-266.

19. Fraas L. and Minkin L. TPV Histoiy from 1990 to Present& Future Trends // AIP Conf. Proceed. 2007 (6th Conf. TPVGE), v.890, pp.17-23.

20. Murray C., Crowley C., Murray S. et.al. Thermophotovoltaic converter design for radioisotope power systems // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.123-132.

21. Wilt D., Chubb D., Wolford D. et. al. Thermophotovoltaics for Space Power -Applications // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, p.335-345.

22. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Vlasov A.S. "Solar thermophotovoltaics" in: "Concentrator Photovoltaics", Eds.: A.Luque, V.Andreev, Springer Series in Optical Sciences, v. 130, 2007, pp. 175-197.

23. Bitnar В., Durich W., Waser A. TPV systems from reasearch towards commercialisation//AIP Conf. Proc. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.33-41.

24. Luque A. Solar Thermophotovoltaics: Combining Solar Thermal and Photovoltaics // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.3-16.

25. Bett A.W., Keser S., Stollwerck G., Sulima O.V. Recent progress in developing of GaSb photovoltaic cells // 14th EPVSE Conf. Proc., 1997, Barcelona, Spain.

26. Bauer Т., Forbes I., Perlington R., Pearsall N. Heat transfer modelling of glass media within TPV systems // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.153-168.

27. Tobler W., Durisch W. Slurry- and Plasma-spray Coating of Selective Emitting Rare-earth Oxides on High Temperature Substrates // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.37-46.

28. Coutts T.J. An overview of thermophotovoltaic generation of electricity // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2001, v.66, pp. 443-452.r

29. Jovanovic N., Celanovic I., Kassakian J. Two-dimensional Tungsten Photonic Crystals as Thermophotovoltaic Selective Emitters // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.47-55.

30. J. van der Heide, Posthuma N., Flamand G., Poortmans J. Improving the back surface of germanium thermophotovoltaic cells using laser fired contacts //21st EPVSE Conf. Proceed., 2006, Dresden, Germany, pp.43-46.

31. Abbott P., Bet W. Cell-mounted spectral filters for thermophotovoltaic applications // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.244-251.

32. Rahmlow Т., DePoy D., Fourspring P. et. al. Development of Front Surface, Spectral Control Filters with Greater Temperature Stability for Thermophotovoltaic Energy Conversion // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.59-67.

33. Durisch W., Bitnar В., Roth F., Palfinger G. Small thermophotovoltaic prototype systems // J. Solar Energy, 2003, v.75, pp. 11-15.

34. Durisch W., Bitnar В., Mayor J.C. et.al. Progress in the development of small thermophotovoltaic prototype systems // 17th EPVSE Conf. Proceed, 2001, Munich, Germany, pp.2296-2299.

35. Yugami H., Yamaguchi M. An overiew of TPV research activities in Japan // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp. 15-23.

36. Luther J. Thermophotovoltaic generation of electricity // Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp. 1PL-B2-03.

37. Lambrecht A., Bottner H., Nurnus J. Thermoelectric energy conversion -overiew of a TPV alternative // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.24-32.

38. Mattarolo G., Bard J., Schmid J. TPV application as small back-up generator for standalone photovoltaic systems // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.133-141.

39. Carlson R., Fraas L. Adapting TPV for Use in a Standard Home Heating Furnace // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.273-279.

40. Horne W., Morgan M., Sundaram V. et.al. 500 Watt diesel fueled TPV portable power supply // AIP Conf. Proceed. 2003 (5th Conf. TPVGE), v.653, pp.91-101.

41. Lindberg E., Broman L. An animation tool for demonstrating the importance of edge filters in thermophotovoltaic applications // J. Renewable Energy, 2003, v.28 pp.1305-1315.

42. Sulima O.V., Bett A.W., Dutta P.S. et.al. GaSb-, InGaAsSb-, InGaSb-, InAsSbP-, and Ge-TPV cells with diffused emitters // 29th Photovoltaic Spesialist Conf. Proceed., 2002, New Orleans, USA.

43. Sala G., Anton I., Dominguez C. Qualification Testing of TPV Systems and Components: First Steps // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.251-261.

44. Mahorter R.G., Wersman В., Thomas R.M., Siergiey R.R. Thermophotovoltaics system testing // Semicond. Sci. Technol., 2003, v. 18, pp.S232-S238.

45. Friedman D.J., Olson J.M., Ward S. et.al. Ge Concentrator Cells;for III-V Multijunction Devices // 28th Photovoltaic Specialists Conf. Proc., 2000, Anhorage, pp. 965-967.

46. Friedman D.J., Olson J.M. Analysis of Ge Junctions for GalnP/GaAs/Ge Three Junction Solar Cells // Prog. Photovolt., 2001, v.9, pp. 179-189.

47. Timo G., Flores C., Campesato R. Bottom cell growth aspects for triple junction InGaP/(In)GaAs/Ge solar cells // J.Cryst.Res.Technol., 2005, v.40, №10-11, pp.1043-1047.

48. Nagashima Т., Okumura K., Murata K., Yamaguchi M. A Germanium Back-Contact Type Cell for Thermophotovoltaic Applications, Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp.200-203.

49. Bailey S.G., Flood D.J., Brinker D.R. et.al. Front Surface Engineering of High Efficiency Si Solar Cells and Ge TPV Cells, 26th Photovoltaic Specialist Conf., Proc., 1997, Anaheim, USA, pp. 847-851.

50. J. van der Heide, Posthuma N., Flamand G., Poortmans J. Development of Low-cost Thermophotovoltaic Cells Using Germanium Substrates // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.129-138.

51. Posthuma N.E., J. van der Heide, Flamand G., Poormans J. Recent progress in the development of stand-alone germanium solar cell // 21st EPVSE Conf. Proceed., 2006, Dresden, Germany, pp. 137-140.

52. Posthuma N.E., J.van der Heide, Flamand G., Poormans J. Emitter formation and contact realization by diffusion for germanium photovoltaic devices // IEEE Trans.Electron Devices, 2007, v.54, №5, pp. 1210-1215.

53. Fernandez J., Dimroth F., Oliva E., Hermle M., Bett A.W. Back-surface Optimization of Germanium TPV Cells // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp. 190-197.

54. Fernandez J., Dimroth F., Oliva E., Bett A.W. Development of germanium TPV cell technology // 22nd EPVSE Conf. Proceed., Milan, Italy , 2007, pp.516-519.

55. Wojtczuk S.J., Tobin S.P., Sanfacon M.M. et.al. Monolithic Two-Terminal GaAs/Ge Tandem Space Concentrator Cells, 22nd Photovoltaic Specialists Conf. Proc., 1991, Las Vegas, pp. 73-79.

56. Bett A.W., Sulima O.V. GaSb photovoltaic cells for applications in TPV generators // Semicond.Sci.Technol., 2003, v. 18, pp.S184-S190.

57. Shegle Т., Dimroth F., Ohm A., Bett A. TPV modules based on GaSb structures // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.285-293.

58. Martin D., Algora C. Theoretical comparison between diffused and epitaxial GaSb TPV cells // AIP Conf. Proc. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.311-319.

59. Sulima O.V., Bett A.W. Fabrication and simulation of GaSb thermophotovoltaic cells // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2001, v.66, pp.533-540.

60. Bett A.W., Keser S., Sulima O.V. Study of Zn diffusion into GaSb from the vapour and liquid phase // J.Crystal Growth, 1997, v. 181, pp.9-16.

61. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D. et.al. Portable TPV generator based on metallic emitter and 1.5 Amp GaSb cells // Proc. 4th NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 1998, Denver, p.3 84-393.

62. Giesen С., Heuken M., Dimroth F. et al. MOVPE growth of Sb-based semiconductors in a 9x2-inch planetary reactor // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.267-275.

63. Shegle Т., Abbot P., S. van Riesen, Bett A. Degradation study of MOVPE-growth and zinc-diffused GaSb cells for thermophotovoltaic applications // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.387-395.

64. Agert C., Beckert R., Hinkov V., Sulima O.V., Bett A.W. Novel devicestructures for infrared solar cells based on GaSb: p-n-homojunctions, p-nthheterojunctions, and tandem cells //17 EPVSE Conf., Munich, Germany, 2001, pp.372-375.

65. Welser E., Dimroth F., Ohm A. et.al. Lattice-matched GalnAsSb on GaSb for TPV Cells // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp. 107-114.

66. Conibeer G.J., Bumby C.W., Nicholas R.J., Mason NJ. Towards a GaSb-InAs tandem junction TPV cell // 17th EPVSE Conf. Proc., Munich, Germany, 2001, pp.269-272.

67. Mauk M.G., Sulima O.V., Cox J.A. Low-bandgap (0.3 to 0.5 eV) InAsSbP thermophotovoltaics: assesment for open-circuit voltage improvements // Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp. 1P-D3-17

68. Атомная диффузия в полупроводниках под ред Д.Шоу, Изд.Мир, М., 1975.

69. Коутный Й., Кудлак Я., Микушек Я., Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов, пер. с чеш. В.Н.Пшениснова, М., «Энергия», 1968, 280 стр.

70. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках, «Наука», Л., 1972, 384 стр.

71. Nagashima Т., Hokoi К., Okumura К., Yamaguchi М. Efficiency improvement of back-contact type photovoltaic cells by a floating emitter // 20th EPVSE Conf. Proceed., 2005, Barcelona, Spain.

72. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники, Учеб. пособие, М., Металлургия, 1979, 408 стр.

73. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов, Учеб. пособие, М., «Высшая школа», 1984, 288 стр.

74. Саморуков Б.Е. Свойства полупроводников, Учеб. пособие, СПбГТУ, СПб, 1992, 88 стр.

75. Курносов А.И. Материалы для полупрововдниковых приборов и интегральных микросхем, Уч.пособ., М., «Высшая школа», 1975, 342 стр.

76. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: пер. с ан.- М: Мир, 1984, т.2.

77. Горелик С.С., Дашевский М.Я., Учебник для вызов, М., «Металлургия», 1988, 574 стр.

78. Posthuma N.E., Flamand G., Poonnans J. Development of stand-alone germanium solar cells for application in space using spin-on diffusants // Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp.777-780.

79. Posthuma N., J. van der Hiede, Flamand G., Poortmans J. Development of low cost germanium photovoltaic cells for application in TPV using spin on diffusants // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.337-344.

80. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975, с. 186.

81. Immorlica A., Ludington Jr., Burt W. Diffusion coefficient and solubility of Ge and GaAs in Pb and application to LPE growth of Ge on GaAs // J. of Crystal Growth, 1981, v.51, pp. 131-139.

82. Мокрицкий B.A., Шобик B.C. Возможности гетероэпитаксии в системе Sn-Ge-GaAs // Электронная техника, сер. Материалы. 1978. в. 8, стр.70-72.

83. Laugier A., Gavand М., Mesnard G.// Solid-State Electr, 1970, v. 13, №6, p.741.

84. Rosztoczy F.E., Stein W.W. // J. Electrochem. Soc., 1981, v. 119, № 8, pp.1119.

85. Razegi M. The MOCVD Challenge. 1989, v.2, Ed. by Adam Hilger, Bristol and Philadelphia, pp.179

86. Воронина Т.И. Исследование однородности и распределения примесей в монокристаллах, эпитаксиальных пленках и р-п структурах арсенида галлия. // Дисс. канд. физ.-мат. наук, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, Л., 1977, 192 с.

87. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974.

88. Dutta P.S., Ostrogovsky A.G. Nearly diffusion controlled segregation of tellurium in GaSb // J. Cryst. Growth, 1998, v. 191, pp.904.

89. Берт H.A., Куницын A.E., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. // ФТП, 1995, т.29, стр. 1116.

90. Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава // ФТП, 1997, т.31, стр.947.

91. Dutta P.S., Bhat H.L., Kumar V. The physics and technology of GaSb: an emerging optoelectronic material // J.Appl.Phys., 1997, v.81, №9, p.5821-5869.

92. Baxter R.D., Reid F.J., Beer A.C. Phys.Rev., 1967, v. 162, pp.718.

93. Андреев A.H., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов // ФТП, 1998, т.32, стр.832-838.

94. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных слоях.- Л.: Наука, 1978, 208 стр.

95. Khald Н., Mani Н., Joullie A. Shallow diffusion of zinc into InAs and InAsSb // J. Appl. Phys., 1988, v.64, №9, pp.4768-4770.

96. Барышев H.C. Свойства и применение узкозонных полупроводников, Казань, УНИПРЕСС, 2000, 434 стр.

97. Kobayashi N., Horikoshi Y. Liquid phase epitaxial growth of InAsix.vPxSb on InAs substrate // Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981), p. 2301.

98. Wilson M.R., Krier A., Mao Y. Phase Equilibria in InAsSbP Quaternary Alloys Grown by Liquid Phase Epitaxy // J. of Electronic Materials, 1996, v. 25, №9, pp. 1439-1445.