Влияние щелочноземельных примесей на пороги оптического разрушения и накопление лазерного повреждения при допороговом воздействии в кристаллах хлористого калия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Васильева, Лидия Анатольевна

• Васильева, Лидия Анатольевна
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Васильева, Лидия Анатольевна

Содержание

Содержание стр.

Введение

1. Литературный обзор

1.1. Механизмы разрушения прозрачных диэлектриков мощным лазерным излучением

1.2. Несобственные механизмы лазерного разрушения

1.3. Накопление лазерного повреждения в прозрачных диэлектриках

1.4. Образование первичных дефектов под действием лазерного излучения и их роль в оптическом разрушении ЩГК

2. Методы экспериментов

2.1. Выращивание кристаллов и приготовление образцов

2.2. Метод измерения рассеяния света

2.3. Оптоакустический метод изучения взаимодействия лазерного излучения с веществом и измерение

порогов разрушения

3. Влияние состояния примеси на пороги оптического разрушения KCl

3.1. Характеристики выращенных кристаллов KCl с щелочноземельными примесями

3.2. Исследование состояния щелочноземельных примесей

в KCl методом рассеяния света

3.3. Влияние состояния примеси на порог оптического

разрушения KCl

4. Исследование накопления лазерного повреждения

в хлористом калии

4.1. Исследование эффекта накопления в хлориде калия при облучении лазерными импульсами допороговой интенсивности

4.2. Зависимость амплитуды акустического сигнала от интенсивности лазерного излучения

4.3. Релаксация изменений, происходящих в веществе

под действием лазерного излучения

4.4. Измерение оптических и ЭПР-спектров образцов KCl, подвергавшихся многократному облучению лазерными импульсами допороговой интенсивности

5. Обсуждение результатов

5.1. Разрушение с одного импульса

5.2. Накопление лазерного повреждения

Выводы

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние щелочноземельных примесей на пороги оптического разрушения и накопление лазерного повреждения при допороговом воздействии в кристаллах хлористого калия»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Создание технологических лазеров определило актуальность проблемы взаимодействия лазерного излучения с веществом. Лазерная техника требует применения материалов, способных выдержать высокие мощности излучения, что в значительной степени определяется прозрачностью материалов для лазерного излучения.

Прозрачность щелочно-галоидных кристаллов /ЩГК/ в широком интервале длин волн делает их перспективными материалами для проходной оптики мощных газовых лазеров. Однако недостаточная механическая прочность этих кристаллов существенно снижает возможности их применения. Выяснение механизмов лазерного разрушения, влияния на них факторов, определяющих прозрачность и прочность кристаллов, имеет не только научное, но и практическое значение.

Выбор КС1 для исследований обусловлен тем, что из класса ЩГК кристаллы хлористого калия менее гигроскопичны, более прозрачны и обладают меньшим значением коэффициента теплового линейного расширения, технологичны.

На прозрачность и прочность кристаллов в большой мере влияет наличие примесей и состояние, в котором находится примесь. Выбор примесей щелочноземельных ионов для легирования /Бг, Са, Ва, РЬ/ в данной работе обусловлен тем, что в кристаллах, выращенных из сырья марки х.ч. или ос.ч. всегда имеется некоторое количество таких примесей. Образуя комплексы, выделения метастабильных и стабильных фаз, а также комплексы с анионозамещающими двухвалентными примесями в процессе старения кристалла, они влияют на оптическое качество кристаллов. С другой стороны, известно, что добавление щелочноземельных примесей приводит к механическому упрочнению кристаллов ЩГК, что является немаловажным в связи с низкой механической прочностью этих кристаллов.

Цель и задачи работы . Целью работы является изучение влияния щелочноземельных примесей на оптическое разрушение и накопление лазерного повреждения в кристаллах хлористого калия.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Провести моделирование процессов естественного старения кристаллов путем легирования щелочноземельными примесями, состояние которых изменяется термообработкой и контролируется методом рассеяния света. Такое моделирование позволяет получить образцы для исследования оптической прочности с контролируемой дефектностью, в малом облучаемом объеме получить достаточную концентрацию дефектов.

2. Изучить влияние дефектности кристалла, обусловленной процессами растворения и коагуляции примеси, на пороги оптического разрушения КС1.

3. Изучить оптоакустическим методом кинетику процесса накопления лазерного повреждения - изменение поглощения света в облучаемом объеме в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности.

4. Исследовать влияние легирования и внешних воздействий (ультрафиолетового облучения и приложения постоянного электрического поля) на процессы накопления лазерного повреждения.

5. Изучить процессы релаксации дефектов, наведенных лазерным излучением допороговой интенсивности.

6. Исследовать природу дефектов, наведенных многократным лазерным воздействием допороговой интенсивности методами оптической и ЭПР - спектроскопии.

Научная новизна. В сравнении с известными результатами данная работа вносит в исследование проблемы оптического разрушения ЩГК следующее:

1. Впервые проведены систематические исследования влияния состояния, в котором находится щелочноземельная примесь в кристалле, на пороги оптического разрушения хлористого калия с контролем состояния примеси методом рассеяния света под действием импульсов излучения рубинового лазера (длина волны 0,69 мкм, длительность импульса 12 не, диаметр фокальной области 6 мкм).

2. Впервые получены концентрационные зависимости порогов оптического разрушения в данных условиях облучения для кристаллов хлористого калия с примесью стронция в широком интервале концентраций (10~3 -10"1 мол%) с контролем концентрации примеси методом атомной абсорбции и фотометрии пламени и состояния примеси методом рассеяния света.

Показано, что процессы коагуляции примеси приводят к снижению оптической прочности кристаллов в несколько раз, в то время как растворение примесных коагулянтов приводит к повышению оптической прочности с ростом концентрации примеси.

3. Показано, что в кристаллах КС1 наблюдается накопление лазерного повреждения при многократном воздействием импульсов лазерного излучения допороговой интенсивности наносекундной длительности длиной волны 1,06 мкм при диаметре пятна воздействия в несколько десятков микрометров.

4. В результате изучения кинетики процесса накопления лазерного повреждения кристаллов КС1 оптоакустическим методом, полученных зависимостей акустического отклика от количества импульсов облучения при постоянной интенсивности лазерного излучения для различных значений интенсивности допорогового лазерного воздействия длиной волны 1,06 мкм, показано, что накопление лазерного повреждения начинает проявляться при интенсивности света 0,4 1пор ( где 1шр - порог лазерного разрушения с одного импульса ), а число импульсов, которое образец выдерживает до разрушения, N ~ I"4 .

5. Обнаружен гистерезисный характер зависимости акустического отклика от интенсивности лазерного излучения при облучении одного и того же объема кристалла, обусловленный накоплением лазерного повреждения.

6. Обнаружены и исследованы оптоакустическим методом процессы релаксации дефектов, наведенных лазерным излучением 1,06 мкм в облучаемом объеме.

7. Обнаружены изменения в спектрах оптического поглощения и ЭПР -спектрах после многократного облучения лазерными импульсами допороговой интенсивности длиной волны 1,06 мкм, позволяющие оценить размеры коллоидных частиц, образующихся в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности (до 100 нм в нелегированных и 400-500 нм в легированных щелочноземельными примесями).

Научная и практическая ценность работы . Исследования в области лазерного разрушения щелочногалоидных кристаллов имеют не только научное, но и практическое значение в связи с применением этих кристаллов в лазерной технике. Одним из факторов, ограничивающих применение оптических материалов в квантовой электронике, является процесс накопления лазерного повреждения, протекающий в оптических материалах, подвергающихся в процессе работы лазерному облучению. Накопление дефектов приводит к снижению оптической стойкости материалов и в конечном итоге к разрушению. Поэтому исследование эффекта накопления лазерного повреждения имеет практическое значение.

В работе предлагается метод неразрушающего контроля оптического качества кристаллов, основанный на измерении зависимости акустического отклика от интенсивности лазерного излучения при облучении одного и того же объема материала А(1). Сравнение оптического качества кристаллов при этом проводится не по пороговым значениям интенсивности, а по

значениям, соответствующим выходу на нелинейный участок зависимости А(1).

Объекты исследования работы:

Кристаллы хлористого калия (KCl) из класса щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК), представляющие практический интерес для лазерной техники (активные кристаллические среды твердотельных перестраиваемых по частоте квантовых генераторов видимого и ближнего ИК-диапазона, проходная оптика мощных газовых лазеров ).

На защиту выносятся следующие положения:

1. Пороги оптического разрушения кристаллов KCl определяются не общей концентрацией примеси, а состоянием, в котором находится примесь. Кристаллы, в которых примесь находится в состоянии твердого раствора, имеют высокие пороги разрушения, сравнимые с порогами разрушения нелегированных кристаллов.

Коагуляция примеси приводит к снижению порогов оптического разрушения на порядок по сравнению с чистыми кристаллами.

2. Пороги лазерного разрушения кристаллов KCl определяются главным образом наличием примесных коагулянтов, слабо зависят от их концентрации и размеров в пределах наблюдающегося изменения этих параметров, и не зависят от их преимущественной ориентации относительно главных кристаллографических направлений.

3. Полученные экспериментальные результаты для нелегированных кристаллов KCl и легированных кристаллов, содержащих примесь в состоянии твердого раствора, не противоречат лавинной модели оптического разрушения диэлектриков.

4. При многократном воздействии лазерного излучения (А, = 1,06 мкм, т «10~8 с, dk ~ 60 мкм) допороговой интенсивности происходит накопление лазерного повреждения в кристаллах КС 1, которое проявляется в увеличении поглощения света в облучаемом объеме. Увеличение поглощения света является обратимым. Накопившиеся изменения

полностью релаксируют за время порядка суток при комнатной температуре и естественном освещении.

5. Процессы накопления лазерного повреждения протекают более эффективно в легированных щелочноземельными примесями кристаллах КС 1.

6. Полученные экспериментальные данные по эффекту накопления лазерного повреждения и изучению природы дефектов, образующихся в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности в кристаллах KCl, методами оптической и ЭПР-спектроскопии не противоречат фотохимической модели процесса накопления лазерного повреждения.

Публикации и апробация работы. По результатам работы опубликовано 11 статей и тезисов выступлений на конференциях [186196], в том числе 4 в центральной научной печати в журналах "Кристаллография" и Известия ВУЗов (Сер. "Материалы электронной техники").

Результаты проведенных исследований докладывались на:

- VII и VIII конференциях по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом ( Ленинград, 1988, 1992 ),

- Федоровской сессии ( Ленинград, 1982, 1985, 1986 гг. ),

- VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск,

1988),

- Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П. Шаскольской (Москва, 1998 ),

- научных конференциях профессорско-преподавательского состава Московского института стали и сплавов и Волгоградской государственной архитектурно-строительной академии (1982-1998),

- научных семинарах кафедры кристаллофизики МИСиС и кафедры физики ВолгГАСА.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Диссертация изложена на 183

стр. текста, содержит 50 рисунков, 3 таблицы и библиографию из 196 наименований.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием в работе современных, хорошо апробированных физических методов исследования и статистической обработки экспериментальных результатов, непротиворечивостью выводов исследования основным физическим закономерностям и теоретическим моделям. Исключение влияния случайных факторов обеспечивается одинаковыми условиями выращивания кристаллов из одной партии сырья и приготовления образцов, контролем концентрации и состояния примеси в образцах, надежной повторяемостью экспериментальных результатов.

Личный вклад автора. Автор диссертации принимал непосредственное участие в создании экспериментальной установки для исследования эффекта накопления оптоакустическим методом. Автором самостоятельно получено и обработано большинство приводимых экспериментальных результатов, включая выращивание кристаллов, кроме оптических и ЭПР измерений, в обработке и обсуждении которых автор принимал непосредственное участие. Анализ и обобщение данных осуществлены совместно с научным руководителем и соавторами публикаций.

Содержание работы. Во введении_обосновывается выбор темы диссертации, ее актуальность, цель, новизна, практическое значение и формулируются защищаемые в ней положения.

В главе 1 (литературный обзор) рассматриваются теоретические модели механизмов оптического пробоя и накопления лазерного повреждения в твердых прозрачных диэлектриках, обсуждаются экспериментальные результаты по оптическому пробою и влиянию примесей на пороги оптического пробоя, а также по эффекту накопления в твердых прозрачных диэлектриках.

Отмечается, что влияние примесей на оптическое разрушение, а также эффекты накопления при многократном воздействии лазерного излучения для щелочно-галоидных кристаллов изучены недостаточно.

Поскольку накопление лазерного повреждения в ЩГК может быть связано с образованием структурных дефектов, проводится обзор литературы по вопросам образования первичных дефектов под действием лазерного излучения, а также по вопросам влияния дефектов типа центров окраски на пороги лазерного разрушения кристаллов ЩГК.

В главе 2 описаны методики, применяемые для исследований в данной работе.

Кристаллы КС1 с примесями щелочноземельных металлов Бг, Са, Ва, РЬ и без примесей выращивались методом Киропулоса на воздухе из одной партии сырья марки ос.ч.

Для оценки однородности распределения примеси в выращенных кристаллах применялся метод индентирования на микротвердомере ПМТ-3 и метод избирательного травления для изучения звезды фигур травления и дислокационной структуры выращенных кристаллов.

Концентрация примеси в образцах определялась методом атомной абсорбции и фотометрии пламени, который позволяет определять содержание примеси с точностью до 10 "4 мол% .

Для исследования процессов сегрегации примеси и контроля состояния примеси в кристалле применялся метод рассеяния света. Для измерения порогов оптического разрушения и изучения взаимодействия оптического излучения допороговой интенсивности с веществом оптоакустическим методом была создана экспериментальная установка. Источником излучения служат оптические квантовые генераторы на рубине и на монокристалле алюмоиттриевого граната, легированного неодимом, работающий в режиме с модуляцией добротности.

Для исследования природы дефектов, возникающих в объеме кристалла, облученном лазерными импульсами допороговой интенсивности, изучались спектры оптического поглощения на спектрофотометре КСВУ-2 и спектры

электронного парамагнитного резонанса на ЭПР-спектрометре ЕЯ-20(Ж фирмы "Брукер".

В главе 3 излагаются результаты исследования влияния состояния щелочноземельной примеси в кристалле, на пороги оптического пробоя хлористого калия.

Приведены характеристики выращенных кристаллов КС1 с щелочноземельными примесями. Получено распределение плотности дислокаций в поперечном сечении кристалла, а также результаты измерения микротвердости и длины лучей звезды фигур травления..

Приведены зависимости интенсивности рассеяния света от температуры для кристаллов с щелочноземельными примесями, которые имеют вид кривых с максимумом. С увеличением содержания примеси максимум на температурной зависимости становится выше и смещается в область более высоких температур, что объясняется процессами термоактивационного образования и растворения примесных ассоциаций.

Для серии кристаллов КС1:8г с содержанием примеси в равновесном состоянии от 10"3 до 10"1 мол% приведена концентрационная зависимость порога оптического пробоя и интенсивности рассеяния света. В области концентраций выше предела растворимости ( С > 10"2 мол%) наблюдается резкое снижение порога оптического пробоя на порядок по сравнению с нелегированным кристаллом и увеличение интенсивности рассеяния света. Наблюдается некоторое снижение порога оптического пробоя с ростом размеров рассеивающих примесных центров и тенденция к снижению порога разрушения с ростом концентрации рассеивающих примесных цешро». Концентрация рассеивающих центров, оцененная по измерениям диаграмм рассеяния света, совпадает с концентрацией инициирующих разрушение дефектов, оцененной по экспериментальной зависимости вероятности пробоя от интенсивности лазерного излучения Р(1ЛПОр). Для легированных кристаллов КСЛ.Бг, закаленных от предплавильных температур, в которых примесь находится в неравновесном состоянии твердого раствора и мелких примесно-вакансионных комплексов,

наблюдается увеличение порога оптического пробоя с ростом концентрации примеси от 10"3 до 10"1 мол%, в отличие от кристаллов с равновесным состоянием примеси. Делается заключение, что оптическая прочность кристалла зависит от того, находится ли примесь в состоянии твердого раствора или примесных выделений, и что примесные рассеивающие центры являются дефектами, инициирующими оптический пробой в КС1 в данных условиях облучения..

В главе 4 приведены результаты исследования процессов накопления лазерного повреждения в кристаллах КС1.

Приведены зависимости амплитуды акустического отклика А от номера импульса облучения N и от интенсивности лазерного излучения I. Для интенсивностей света, превышающих 0,4 1шр, где 1шр - порог оптического пробоя при разрушении с одного импульса, наблюдается эффект накопления лазерного повреждения. Зависимость числа импульсов, которое образец выдерживает до разрушения Нф , от интенсивности лазерного излучения I длиной волны 1,06 мкм аппроксимируется степенной функцией NkP ~1 *4.

Гистерезисный характер зависимости А(1) объясняется накопительными процессами, происходящими в облучаемом объеме под действием лазерного излучения. Коэффициент поглощения света при обратном проходе зависимости А(1) больше, чем при прямом проходе линейного участка, о чем свидетельствуют разные наклоны этих участков.

В условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля или ультрафиолетовой подсветки нелинейный участок зависимости А(1) смещается в область меньших интенсивностей света. К такому же смещению приводит и легирование кристалла хлористого калия примесью стронция. Это свидетельствует о том, что процессы накопления лазерного повреждения в этих случаях протекают более эффективно.

Накопившиеся изменения вещества полностью релаксируют за время порядка суток при комнатной температуре и естественном освещении. К

ускорению процесса релаксации приводит облучение зеленым светом длиной волны 0,53 мкм.

Приведены результаты исследования природы структурных дефектов, образующихся под действием лазерного излучения допороговой интенсивности, методами избирательного травления, оптической и ЭПР-спектроскопии.В спектре оптического поглощения облученных кристаллов наряду с общим увеличением поглощения в области частот 600-800 нм наблюдаются слабые максимумы при 670 и 730 нм. Полосу поглощения 670 нм (Ri-полоса) дают агрегаты из трех F-центров (Из-центр). R2-nonoca при 720 нм перекрывается Х-полосой 730 нм, принадлежащей коллоидам щелочного металла.

В спектре ЭПР, измеренном при 100 К, после облучения появляется широкая линия симметричной формы в нелегированных и асимметричной формы в легированных щелочноземельными примесями кристаллах KCl. Асимметричное поглощение характерно для коллоидных частиц, размеры которых достигают микроволновой глубины скин-слоя. Частицы, размеры которых меньше микроволновой глубины скин-слоя, дают меньшие времена релаксации и симметричную форму линии. Размеры частиц, оцененные по форме линии, а также по измерению времени релаксации электронов, которое определялось из ширины линии, и сдвигу g-фактора, достигают 100 нм в нелегированных и 400-500 нм в легированных щелочноземельными примесями кристаллах хлористого калия.

В главе 5 проводится обсуждение полученных экспериментальных данных.

Рассмотрены возможные причины влияния щелочноземельной примеси, находящейся в состоянии твердого раствора замещения, на пороги оптического пробоя в рамках механизма лавинной ударной ионизации.

Совокупность экспериментальных данных по эффекту накопления структурных дефектов в хлористом калии под действием многократного лазерного облучения допороговой интенсивности интерпретируется с точки зрения фотохимической модели.

1.Литературный обзор.

1.1. Механизмы разрушения прозрачных диэлектриков мощным лазерным излучением.

Под предельными, или собственными, механизмами лазерного разрушения прозрачных диэлектриков понимаются механизмы разрушения, развивающиеся в бездефектной матрице кристалла. Наиболее вероятными механизмами разрушения предельно чистых материалов, по крайней мере свободных от поглощающих включений инородной примеси, считаются механизмы лавинной ударной ионизации и многофотонной ионизации [ 1 ].

Теоретическое рассмотрение лавинной ударной ионизации основывается на модели Зейтца [ 2 ] для электрического пробоя в постоянном поле, когда электроны зоны проводимости набирают энергию, достаточную для ионизации, и нарастание числа электронов в зоне проводимости происходит лавинообразно. Развитие электронной лавины в приближении уравнения Фоккера-Планка было впервые рассмотрено в [ 3 ], где принято, что электрон проводимости набирает энергию, достаточную для ионизации, в серии столкновений фотон - электрон -фонон, избыточный импульс сбрасывается электроном в столкновении с акустическими фононами. В [4] предлагаются альтернативные механизмы набора энергии электроном зоны проводимости: за счет многофотонного перехода электрона с участием фононов в состояние с энергией, большей энергии ионизации, и за счет электрон-электронных соударений с

одновременным многофотонным переходом. В [5] проведено рассмотрение для очень сильных электромагнитных полей, в [6] рассмотрение проводится уже с учетом энергетических потерь носителей при внутризонном рассеянии на фононах, но оценки [ 4 - 6 ] дают завышенные значения пробойных интенсивностей.

Наиболее полное рассмотрение развития лавинной ионизации проведено в [ 7 - 11]. Решение квантового кинетического уравнения [11] в диффузионном приближении дает пороговые поля для случая низких температур:

Ekp2=[A0mvs(2m)1/2y2e2](Q2+2I/5mlacü2) (1.1)

Ло"1=(1/15) ki(to/156) и дня случая высоких температур:

Ekp2=(AIm2vs2/2kTe2) [QVi/mJac2] (1.2)

Л"1=(1/12) ln(to/156) ~ 1 где I - потенциал ионизации,

m , е - масса и заряд электрона,

Q - частота света,

vs - скорость звука в кристалле,

1 ас - длина пробега электрона при рассеянии на акустических фононах.

Поскольку длина свободного пробега электронов при рассеянии на акустических фононах в высокотемпературном приближении, I ас ~ Та при рассеянии на акустических нулевых колебаниях i ас0 не зависит от температуры, то зависимость критических полей от температуры будет

различной при частотах электромагнитного поля больших или меньших частот электрон-фононных столкновений: в высокотемпературном приближении

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Васильева, Лидия Анатольевна

Выводы.

1. Теоретические модели лазерного разрушения - лавинная и многофотонная - в отдельности недостаточно согласуются с экспериментальными данными для ЩГК, а комбинированная лавинная и многофотонная модель лучше согласуется с экспериментальными данными.

2. Влияние примесей на лазерное разрушение ЩГК неоднозначно и зависит от вида и состояния, в котором находится примесь, но систематических исследований этой проблемы не проводилось и причины неоднозначного влияния примесей на лазерное разрушение неясны.

3. Эффекты многократного воздействия лазерного излучения связываются либо с вероятностным характером лазерного разрушения либо с накоплением лазерного повреждения. Второе может быть связано либо с накоплением микроразрушений вокруг поглощающих включений либо с образованием поглощающей неоднородности под действием лазерного излучения в результате протекания химических реакций.

4. Протекание фотохимических реакций под действием лазерного излучения хорошо изучено для воздействия ультрафиолетового лазерного излучения на ЩГК, но иногда появление окрашивания наблюдается и при облучении лазерным излучением видимой области спектра. Наличие в ЩГК центров окраски приводит к снижению лазерной прочности.

2. Методы экспериментов.

2.1. Выращивание кристаллов и приготовление образцов.

Кристаллы КС1 с примесями щелочноземельных металлов Бг, Са, Ва, РЬ и без примеси выращивались методом Киропулоса на воздухе из сырья марки ос.ч. в алундовых тиглях. Легирующая примесь добавлялась в шихту перед выращиванием в виде порошков соответствующих хлоридов. Для удаления воды шихта высушивалась в течение нескольких часов в сушильном шкафу при температуре 150° С.

После выращивания кристаллы подвергались медленному отжигу в ростовой печи для уменьшения внутренних напряжений, для чего температура печи медленно снижалась и кристалл остывал вместе с печью со скоростью 30 град/час.

Все исследуемые кристаллы, как с примесями, так и беспримесные, были выращены из одной партии сырья в одинаковых условиях, что позволяет сравнивать пороги оптического разрушения этих кристаллов между собой, не опасаясь влияния случайных факторов.

Общее содержание неконтролируемых примесей в сырье 10"4 мол%. Образцы для исследований выкалывались из центральной части були. Концентрация примеси в образцах определялась методом атомной абсорбции и фотометрии пламени.

Для исследований выбирались образцы с одинаковой плотностью дислокаций 10 4 см"2. Плотность дислокаций в образцах определялась на свежем сколе методом избирательного травления в насыщенном растворе

РЬС1г в этиловом спирте в течение 15-30 с с последующей промывкой в бутиловом спирте.

2.2. Метод измерения рассеяния света.

Для исследования процессов сегрегации примеси и контроля состояния примеси в кристалле применялся метод рассеяния света, удобный для регистрации примесных выделений, размер которых соизмерим с длиной волны рассеиваемого света.

Измерялись температурные зависимости интенсивности рассеяния света образцом, которые позволяют установить области температур, при которых происходит изменение состояния (образование или растворение) примесных ассоциаций, являющихся центрами рассеяния света в кристалле [151]. Температурные зависимости использовались для выбора режимов термообработки, фиксирующей определенное состояние примеси в кристалле. Термообработка проводилась следующим образом: образцы размером 10 х 10 х 10 мм3 медленно нагревали до определенной температуры и отжигали при данной температуре 1,5-2 часа, затем подвергали закалке на воздухе до комнатной температуры. В процессе термообработки состояние примеси контролировалось методом рассеяния света. На этих образцах измеряли диаграммы рассеяния света -зависимости интенсивности рассеянного света от угла поворота образца 1Р (ф) при фиксированном направлении падающего луча и направлении наблюдения, которые позволяют получить информацию о форме, ориентации и размерах центров рассеяния [147].

Установка для изучения рассеяния света (рис. 1) включает источник света, термокамеру для измерения температурной зависимости рассеяния света, камеру для измерения диаграмм рассеяния в иммерсионной жидкости, а также приборы для измерения и автоматической записи регистрируемых сигналов. Оптическая схема установки решена таким образом, что поворотом оптической скамьи

Рис. 2.1. Блок-схема установки для исследования образцов методом рассеяния света:

1 - лазер ОКГ-12,

2 - термокамера или камера для измерения диаграмм рассеяния,

10,11 -12

63, фотодиоды, потенциометр ПП

3 - образец,

4 - термопара,

13 - ВС-23,

14 делитель напряжения,

5 - фотоэлектронный умножитель

ФЭУ-51,

6 - усилитель У2-6,

16 - стабилизатор СН-500,

15 - автотрансформатор,

7 - преобразователь напряжения В9- 17- модулятор, 2

8 - самописец КВТ,

18- источник света.

9 - самописец КСП, можно направить луч света на исследуемый образец, помещенный в одну из камер.

В качестве источника света применяется гелий-неоновый лазер ОКГ-12, дающий плоско поляризованный свет мощностью 12 мВт длиной волны 6328 А. Световой пучок отклоняющим зеркалом направляется к входному отверстию одной из камер через механический модулятор. Модулирование падающего светового пучка применяется для устранения влияния постороннего излучения. Частота модуляции 1,5 кГц. Для обеспечения постоянной скорости вращения модулятора, приводящий его в движение электродвигатель Г-31 А питается стабилизированным напряжением от стабилизатора напряжения СН-500. Термокамера представляет собой вертикальную электрическую печь сопротивления, закрытую с торцов асбестовыми крышками. Для уменьшения тепловых потерь в печи установлены два отражательных экрана. Корпус термокамеры имеет четыре окна, расположенных на одном уровне под углом 90° друг к другу. Одно окно служит для установки образца в рабочую зону термокамеры. Через противоположное окно на образец падает пучок света. Под углом 90° расположены окна для выхода рассеянного излучения и для подведения к образцу хромель-алюмелевой термопары, которая фиксируется у поверхности образца стопорным винтом. Как падающий, так и рассеянный свет ограничиваются двумя щелевыми диафрагмами сечением 1 х 3 мм2.

Мощность нагревателя термокамеры 250 Вт. Температура в рабочей зоне камеры изменяется от комнатной до 800°С, градиент температуры в образце 0,3 - 0,5 град/см. Исследуемые образцы имеют форму куба размером 10 х 10 х 10 мм3.

В камере для измерения диаграмм рассеяния расположена кювета с иммерсионной жидкостью. Крепление образца в кювете осуществляется цанговым зажимом, который обеспечивает не только крепление, но и центровку образца. Вращение штока, на котором цангой закреплен образец, осуществляется от электродвигателя Д-218 через редуктор со скоростью 1 об/мин.

Исследуемый образец изготовляется в форме цилиндра высотой 10 -15 мм и диаметром 8 - 10 мм. Чтобы исключить влияние качества обработки поверхности образца на результаты измерений, образец помещается в иммерсионную жидкость, те есть жидкость, коэффициент преломления которой равен коэффициенту преломления исследуемого кристалла. Для подбора иммерсионной жидкости были взяты касторовое масло (п = 1,479) , машинное масло (п = 1,5083), кедровое масло (п = 1.5123 ) и глицерин (п = 1,4744). Путем смешения и добавления того или иного компонента была получена иммерсионная жидкость с нужным коэффициентом преломления.

Рассеянный в образце свет попадае-г на фотокатод фотоэлектронного умножителя ФЭУ-51 и регистрируется самописцем через блоки синхронного детектора.

Диаграммы рассеяния света измерялись при радиальном освещении образца. Обработка диаграмм рассеяния проводилась по методике описанной в [147], где проведен расчет диаграмм рассеяния для выделений, имеющих форму стержня и пластины. Интенсивность света I, рассеянного на оптической неоднородности, связана с интенсивностью падающего света 10 соотношением

I = Я2 (у,ф) 10 где К (у,ф) - фазовая функция рассеяния,

2.1) у - угол рассеяния, ф - угол поворота образца. Для радиального освещения для осевого освещения

В таблице 1 даны положения максимумов диаграммы рассеяния по отношению к направлению [ 100 ] и минимальный размер рассеивающего центра а mm, соответствующий появлению данного максимума в кубических кристаллах для частиц в форме стержней .

Заключение

1. Пороги оптического разрушения кристаллов КС1 в данных условиях облучения (Я=0,69мкм, т=10"8с, острая фокусировка) определяются не общим содержанием щелочноземельной примеси, а состоянием, в котором находится примесь в кристалле. Кристаллы, в которых примесь находится в состоянии твердого раствора, имеют высокие пороги разрушения, сравнимые с порогами разрушения нелегированных кристаллов. Коагуляция примесей кристалла приводит к снижению порогов оптического разрушения в несколько раз (до порядка величины) по сравнению с нелегированным кристаллом.

2. Пороги оптического разрушения кристаллов KGI, содержащих относительно крупные примесные коагулянты, размером до 0.4мкм, определяются главным образом наличием примесных коагулянтов, слабо зависят от их концентрации и размеров и не зависят от их ориентации относительно главных кристаллографических направлений. Наличие в легированных кристаллах центров Нв(Ме2+)-типа (ион щелочноземельного металла с катионной вакансией, захвативший С\{ -центр), обнаруженные методом электронного парамагнитного резонанса, позволяют заключить, что основой примесных коагулянтов являются частицы второй фазы МеСЬ.

3. Экспериментальные результаты для нелегированных кристаллов КС1 и легированных щелочноземельными примесями, содержащих примесь в состоянии твердого раствора, интерпретируются в рамках лавинной модели оптического разрушения диэлектриков, учитывающей энергетические потери и потери электронов на ловушках [8]. Экспериментальные результаты для легированных кристаллов KCl, содержащих примесь в виде относительно крупных примесных коагулянтов, интерпретируются в рамках модели разрушения на слабопоглощающем включении.

4. При многократном воздействии лазерного излучения допороговой интенсивности происходит накопление структурных дефектов в кристаллах KCl, которое проявляется в увеличении коэффициента поглощения света в облучаемом объеме. Накопление лазерного повреждения начинает проявляться при интенсивности света ~0,4 1пор (где 1пор - порог лазерного разрушения с одного импульса), а число импульсов, которое образец выдерживает до разрушения, N ~ I" 4 при частоте следования импульсов 12,5 Гц.

5. Частичная релаксация структурных дефектов происходит за время между импульсами, полная релаксация при комнатной температуре и естественном освещении происходит за время порядка суток и объясняется рекомбинацией дефектов и их миграцией из облучаемого объема.

6. Процессы накопления структурных дефектов протекают более эффективно в легированных щелочноземельными примесями кристаллах KCl. Изучение природы дефектов, образующихся в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности, методами оптической и ЭПР-спектроскопии, показало наличие частиц коллоидного калия, имеющих размеры до 100 нм в нелегированных и 400-500нм в легированных щелочноземельными примесями кристаллах KCl.

7. Полученные экспериментальные данные по эффекту накопления при допороговом лазерном воздействии в кристаллах KCl интерпретируются фотохимической моделью [13], согласно которой под действием лазерного излучения происходит ионизация электронной подсистемы анионов с образованием экситонов, распадающихся на пары F- и Н- центров, часть которых остается в виде стабильных дефектов с последующей агрегацией F-центров и их коагуляцией в коллоиды. Щелочноземельная примесь оказывает катализирующее действие на эти процессы.

В заключение автор выражает благодарность проф. Шаскольской М.П., заинтересовавшей автора темой взаимодействия лазерного излучения с веществом, своему научному руководителю проф. Блистанову A.A., сотрудникам и преподавателям кафедры кристаллофизики Московского института стали и сплавов Кугаенко О.М. за постоянную помощь в работе, Гераськину В.В. за помощь в создании экспериментальной установки, Козловой Н.С. за измерения спектров оптического поглощения, Горну И.А. за измерения спектров ЭПР, Антипову В.А. за помощь при выращивании кристаллов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Васильева, Лидия Анатольевна, 1999 год

Литература

1. Бломберген Н. Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения/ЛСвант. электроника. 1974. т. 1. 4. с. 786805.

2. Zeitz F. On the theory of Electron Multiplication in Crystals/ZPhysical Review. 1949. v. 76. № 9. p. 1376-1393.

3. Молчанов А.Г. Развитие лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием импульса света//ФТТ. 1970. т. 12. № 3. с. 954956.

4. Меднис П.М., Файн В.М. Возбуждение лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках сильным переменным электромагнитным полем//ЖЭТФ. 1972. т. 62. вып. 2. с. 812-819.

5. Рубинштейн А.И., Файн В.М. К теории лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием сильного электромагнитного поля//ФТТ. 1973. т. 15. № 2. с. 470-478.

6. Власов P.A., Григорьев К.П., Канторович И.И. ,Романов Г.С. О механизме ударной ионизации при световом пробое прозрачных диэлектриков//ФТТ. 1973. т.15. № 2. с. 444-448.

7. Епифанов A.C. Процесс развития лавинной ионизации в твердых прозрачных диэлектриках под действием импульсов мощного лазерного излучения//ЖЭТФ. 1974. т. 67. вып.5 (И), с.1805-1817.

8. Захаров С.И. О лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках при интенсивности оптического излучения, близкой к порогу пробоя//ЖЭТФ. 1975. т. 68. выл. 6. с. 2167-2176.

9. Епифанов A.C., Маненков A.A., Прохоров А.М. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под

действием электромагнитного поля // Письма в ЖЭТФ.1975. т. 21. № 8. с. 483-486,

10. Горшков Б.Г. ,Данилейко Ю.К., Епифанов А.С., Лобачев В.А., Маненков А.А., Сидорин А.В. Лазерное разрушение шелочногалоидных кристаллов. Физич. ин-т им. И.Н. Лебедева АН СССР. 1976. Препринт № 174. ^ .

11. Епифанов А.С. ,Маненков А.А., Прохоров A.M. Теория лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля//Труды ФИАН. М.: Наука, т. 101. 1978. с. 87-129.

12. М. Bass and Н.Н. Barrett. Lazer-Induced Damage Probability at 1,06 pin and 0,69 jum //Applied Optics. 1973. v. 12. № 4. p 690-699.

13. Алешкевич B.A., Ахманов С.А., Жданов Б.В., Ковригин Д.И., Кузнецов В.И., Сухоруков А.П.// Исследование частотных характеристик оптического пробоя твердых прозрачных диэлектриков в поле наносекундных лазерных импульсов//ЖТФ. 1976. т.46. вып.8. с. 1693-1699

14. Yablonovitch Е. Optical Dielectric Strength of Alkali-Halide Crystals Obtained by Laser-Induced Breakdown //Applied. Physics Letters. 1971. v. 19. №11. p. 495-497.

15. Bass M., Barrett H.H. Avalanche Breakdown and the Probabilistic Nature of Laser-Induced Demage // IEEE J. Quant. Electr. 1972. v. QE-8. № 9. p. 338-343.

16. Bass M., FradinD.W. Surface and Bulk Laser-Damage Statistics and the Identification of Intrinsic Breakdawn Process//IEEEJ. Quant. Electr., 1973. v. QE-9. № 9. p. 890-896.

17. FradinD.W., Bloembergen N., Lettelier J.P. Dependence of Laser-Induced Breakdown field strength of pulse direction //Appl. Phys. Lett. 1973. v. 22. № 12. p. 635-637.

18. Fradin D.W., Yablonovitch E., Bass M. Confirmation of an Electron Avalanch Causing Laser-Induced Bulk Damage at 1,06 jLun. //Appl. Opt. 1973. v. 12. №4. p. 700-709.

19. Fradin D.W., Bass M. Electron Avelanche Breakdown Induced by Ruby Laser Light//Appl. Phys. Lett. 1973. v.22. № 5. p.206-208.

20. Leung K.M., Bass M., Balbin-Yillaverde A. Damage to 10.6 pm. Window Materials Due to CO 42 0-TEA Laser Pulses//Laser Induced Damage in Optical Materials: 1975. Proc. of Symp./NBS Spec. Publ. № 435. Wash., D.C., 1975.

21. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов A.C., Лобачев В.А., Маненков А.А. К механизму лазерного разрушения шелочно-галоидных кристаллов: исследование температурной зависимости порогов разрушения//Письма в ЖТФ. 1976. т. 2. вып. 6. с. 284-287.

22. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С., Лобачев В.А., Маненков А.А., Сидорин А.В. Лазерное разрушение щелочногалоидных кристаллов //ЖЭТФ. 1977. т. 72. № 3. с. 1171-1181.

23. Алешин И.В., Бонч-Бруевич A.M., Зинченко В.И., Имас Я.А., Комолов В.Л. Влияние на развитие оптического пробоя прозрачных диэлектриков распределения поглощающих неоднородностей в пределах облучаемого пятна //ЖТФ. 1973. т. 43. № 12. с. 2625-2629.

24. M.J. Soilean, М. Bass. Optical Breakdown in NaCl and KC1 from 0.53 to 10.6 7m 0m //Appl.Phys Lett. 1979. v.35. № 5. p.370-371.

25. Митропольский M., Хотеенков B.A., Ходаков Г.С. О лавинном пробое и вероятностной природе лазерного разрушения //Оптикомех. пром-ть. 1976. № 6. с. 18-20.

26. Гомелаури Г.В., Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохоров А.М. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонных

диэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов//ЖЭТФ. 1980. т. 79. № 6. с. 2356-2363.

27. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Маненков А.А.,Прохоров A.M., Сидорин А.В. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочногалоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм.// Квант, электр. 1981. т. 8. № I.e. 148-154.

28. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохоров А.М., Сидорин А.В. Влияние УФ подсветки на пробой щелочногалоидных кристаллов излучением СО2 - лазера // Квант, электр. 1981. т. 8. № I.e. 155-156.

29. Sparks М., Holstein Т., Warren R., Mills D.L., Maradudin A.A., Sham L. J., Loy E., King J.F. Theory of electron-avalanche breakdawn in solids //Laser-Induced Damade in Optical Materials. Tenth Anniversay ASTM Symposium. 1979.

NBS Spec. Pabl. № 568. Boulder Colorado. 1980. p. 457-466.

30. Vaidyanathan A., Walker T.W., and Guenther A. H., Mitra S.S., Narducci L.M. Competing Mechanisms in Laser-Induced Damage //Laser-Induced Damage in Optical Materials. Tenth Anniversay ASTM Symposium. 1979. NBS Spec. Publ. Boulder Colorado. 1980. p. 457-466.

31. Келдыш Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны //ЖЭТФ. 1964. т. 47. вып. 5 (11). с. 1945-1957.

32. Логвинов И.Н., Перельман Н.Ф. Теория многофотонных переходов в диэлектрических кристаллах //ФТТ. 1980. т. 22. вып. 2. с. 631-633.

33. Brounstain R. Nonlinear Optical Effects //Phys. Rev. 1962. v. 125. № 2. p. 475-477.

34. Brounstain R. and Ockman N. Optical Double-Photon Absorption in CdS //Phys.Rev. 1964. v. 134. № 2A. p. A 499-A 507.

35. Виноградов Ан. В., Файзулов Ф.С. Роль многофотонной и ударной ионизации при пробое диэлектриков наносекундным лазерным импульсом // Квант, электр. 1977. т. 4. с. 1144-1146.

36. Manenkov А.А. New results on avalanche ionisation as a laser damage mechanism in transparent dielectrics //Laser Induced Damage in Optical Materials. 1977. NBS Spesial Publication № 509. 1977. p. 455-464.

37. Kelly P.J.,Ritchie, Braunlich P.F., Schmid A. and Bryant G.W. Deformation of Intense Laser Beams Tightly focuced Inside NaCl; a comparison of the Multiphoton-Polaron an Avalanche Models of Optical Breakdown //IEEEJ of Quantum Electronics. 1981. v. QE -17 № 10. p. 20272033.

38. Волкова H.B., Горшков Б.Г., Епифанов A.C., Маненков А.А. Исследование вариаций порогов разрушения в NAC1 //Квант, электр. 1979. т. 6. № 5. с. 1075-1076.

39. Fradin D.W., Bua D.P. Laser-Induced Damage in ZnSe // Appl. Phys. Lett. 1974. v. 24. p. 555-557.

40. Tang C.C., Leung K.M., Bass M. Re-examination of Laser Induced breakdown in the alkali halides at 10,6 jum //Laser-Induced Damage in Optical Materials: Proc. of Symp./NBS Spec. Publ. N 462. Wash. 1976. D C., p. 346-349.

41. Бессараб А.Б., Кормер С.Б., Павлов Д.Б. и др. Лучевая прочность некоторых оптических материалов при больших размерах пятна воздействия //Квант, электр. 1977. т. 4. № 2. с. 436-438.

42. Soilean M.J., Bass М., Van Stryland E.W. Freguency dependence of Breakdown fields in singlecrystal NaCl and KCl-In //Laser-Induced Damage in Optical Materials: Proc. of Symp./NBS Spec. Publ. № 541. Wash. D.C. 1978. p. 309-317.

43. Данилейко Ю.К., Сидорин A.B. Связь статистики лазерного разрушения твердых прозрачных материалов со статистикой структурных дефектов//Квант, электр. 1979. т. 6. № 12. с. 2590-2596.

44. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Маненков A.A. и др. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм //Квант, электр. 1981. т. 8. № 1. с. 148-156.

45. Данилейко Ю.К., Минаев Ю.П., Николаев В.Н. и др. Определение характеристик микродефектов по статистическим закономерностям лазерного разрушения твердых прозрачных материалов //Квант, электр. 1981. т. 8. № 11. с. 2362-2370.

46. Бебчук A.C., Колдунов М.Ф., Уланов С.Ф., Хапланова Н.Е. Оптический пробой кристаллов KCl и NaCl при высоких температурах// ФТТ.1981. т. 23. вып. 6. с. 1859-1861.

47. Bennet H.S. Proc. of a Symposium on Damage in Laser Materials. NBS Spec. Publ. № 341. 1970. p. 51.

48. Hopper R.W., Uhlmann B.R. Mechanism of Inclusion Damage in Laser Glass Iß. Appl. Phys. 1970. v. 41. № 10. p. 4023-4037.

49. Данилейко Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C., Прохоров A.M., Хаимов-Мальков В.Я. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением//ЖЭТФ. 1972. т. 63. вып. 3 (9). с. 1030-1035.

50. Анисимов С.И., Макшанцев Б.И. Роль поглощающих неоднородностей в оптическом пробое прозрачных сред //ФТТ.1973. т. 15. вып. 4. с. 1090-1095.

51. Алешин И.В., Анисимов С.И., Бонч-Бруевич А.М., Имас Я.А., Комолов В.Л. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности//ЖЭТФ. 1976. т. 70. вып. 4. с. 1214-1224.

52. Данилейко Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C. О механизме лазерного разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей/ЯСвант. электр. 1978. т. 5. № 1. с. 194-195,

53. Трибельский М.И. Об установившемся движении волны непрозрачности при оптическом пробое конденсированных прозрачных сред// ФТТ. 1976. т. 18. вып. 5. с. 1347-1350.

54. Поюровская И.Е., Трибельский М.И., Фишер В.И. О волне ионизации, поддерживаемой мощным лазерным излучением //ЖЭТФ. 1982. т. 82. вып. 6. с. 1840-1852.

55. Рудин Г.И. О роли ультрафиолетового излучения в формировании волны поглощения при воздействии ОКГ на прозрачный диэлектрик //ЖТФ. 1984. т. 54. вып. 12.

56. Макшанцев Б.И., Леонов Р.К., Ямпольский П.Я. О разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением //Письма в ЖЭТФ. 1971. т. 14. вып. 3. с. 175-178.

57. Макшанцев Б.И., Кондратенко П.С., Гандельман Г.М. Роль поглощающих неоднородностей в развитии лавинной ионизации //ФТТ. 1974. т. 16. вып. I.e. 173-179.

58. Макшанцев Б.И., Ковалев A.A. О воздействии излучения ОКГ на твердые прозрачные диэлектрики //Квант, электр. 1975. т.2. № 7. с. 15521554.

59. Hellwarth R.W. Damage in Laser Materials NBS Spec. Publ. № 341. 1970. p. 67.

60. Горбунов A.B. Исследование процессов воздействия импульсного С02 -лазера на ионные кристаллы: Дисс. канд. физ.-мат. наук Черноголовка. 1984.

61. Nath G., Walda G. Strong reduction of Laser Produced Damage in Sapphire and Ruby by Doping with TiO// Zeit fur Naturforshung. 1968. v. 23a. №4. p. 624-625.

62. Ашкинадзе Б.М., Волкова H.B., Лихачев В.А., Рывкин С.М., Салманов В.М., Ярошедкий И.Д. Оптическая прочность прозрачных диэлектриков //ФТТ. 1967. т. 9. вып. 2. с. 476-479.

63. Блистанов А.А., Кугаенко О.М., Тагиева М.М. и др. Разрушение легированных кристаллов под действием импульсного лазерного излучения. В кн: Физика разрушения. Киев, ИПМ, 1980, ч. 2.

) с. 252-254.

64. Вальковский С.Н., Горбунов А.В., Ерофеев В.Н. Влияние примесей на свойства ШГК, используемых в конструкционной оптике ИК-диапазона. Ин-т физики тверд, тела АН СССР, Черноголовка, 1983, Препринт, 33 с.

65. Волкова Н.В., Цирульник П.Н. Влияние растворимых примесей на оптическую прочность фтористого лития//Оптико-мех. пром-ть.1972. № 12. с. 35-36.

66. Faizullov F.S., Kovalev V.I., Janszky J., Voszka R. The role of Ca and Pb dopants in pulsed 10,6 7m 0m Bulk damage of superpure NaCl and KC1 Crystals. Academy of Sciences of the USSR, P.N. Lebedev Physical Institute, preprint №178.

M. 1983, 11 c. 1

67. Шаскольская М.П., Добржанский Г.Ф., Кугаенко O.M., Тагиева М.М., Сойфер Л.М., Уланов С.Ф. Влйяние состояния примеси на морфологию лазерного разрушения КС1:РЬ //ФТТ. 1981. т. 23. № 6. с. 1834-1837. '

68. Уланов С.Ф., Шаскольская М.П. Оптический пробой кристаллов КС1:РЬ при различных температурах //ФТТ. 1981. т. 23. вып. 4. с. 1242-1243.

69. Акуленок Е.М., Данилейко Ю.К., Маненков A.A. и др. К механизму разрушения кристаллов рубина лазерным излучением //Письма в ЖЭТФ. 1972. т. 16. № 6. с. 336-339.

70. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Николаев В.Н., Сидорин A.B. Эффект многократного воздействия в лазерном разрушении оптических материалов //Квант, электр. 1983. т.Ю. № 3. с. 640-643.

71. Giuliano C.R. Laser-Induced Damage in Transparent Dielectrics:the Relationship Between Surface Damage and Surface Plasmas //IEEEJ Quantum Electronics. 1972. v.QE-8. №9. p. 749-754.

72. Данилейко Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C. Предпороговые явления при лазерном разрушении оптических материалов //Квант, электр. 1976. т. 3. № 2. с. 438-441.

73. Малдутис Э.К. Эффекты необратимых изменений в стеклах под действием оптического излучения и их влияние на лучевое разрушение //Известия АН СССР. сер. физ. 1983. т. 47. № 1. с. 196-201.

74. Еронько С.Б., Журков С.Н., Чмель А. Кинетика накопления повреждения в прозрачных диэлектриках при многократном лазерном облучении //ФТТ. 1978. т. 20. № 12. с. 3570-3574.

75. Журков Н.С., Еронько С.Б., Чмель А. Температурно-временная зависимость лучевой прочности прозрачных твердых тел //ФТТ. 1982. т. 22. вып. 10. с. 3040-3046.

76. Журков Н.С., Еронько С.Б., Чмель А. Термофлуктуационная природа лучевой прочности прозрачных диэлектриков //ФТТ. 1982. т. 24. вып. 3. с. 733-739. .

77. Кытина И.Г., Кинбер Б.Е. Об усталостном разрушении стекол при лазерном облучении //Квант, электр. 1980. т. 7. № 11. с. 2427-2431.

78. Балицкас С.К., Малдутис Э.К. Объемное разрушение оптических стекол многократным лазерным излучением //Квант, электр. 1981. т.8.№ 4. с. 902-903.

79. Демочко Ю.А., Азаров В.В., Богданова Т.И., Усольцев И.Ф. О кинетике накопления лазерных повреждений в прозрачных диэлектриках //Квант, электр. 1983. т. 10. № 5. с. 1041-1042.

80. Генкин В.И., Миллер A.M., Всесоюзн. конф. Использование современных физических методов в неразрушающих исследованиях и контроле. Тезисы докл. ч.1, Хабаровск, 1981, с.76.

81. Бабин A.A., Беляева H.H., Бредихин В.И. и др. Старение кристаллов а-ЫЮз при лазерном облучении. Тез. докл.У Всесоюзн. совещ. по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 1981. с. 114-115.

82. Беляева H.H., Бредихин В.И., Рубаха В.И., Фрейдман Г.И. Старение кристаллов а-1ЛОз при лазерном облучении//ЖЭТФ. 1982. т. 83. вып. 3(9). с. 1065-1071.

83. Беляева H.H., Бредихин В.И. О роли самофокусировки в лазерном старении кристаллов КДР и a-LiI03 //Квант, электр. 1984. т. 11. №3.

84. Беляева H.H., Бредихин В.И. Морфология лазерного старения монокристаллов a-LiI03//Квант, электр. 1985. т.12. № 4. с.854-857.

85. Владимирцев Ю.В., Глебова H.H., Голенищев-Кутузов В.А. и др. Кинетика оптического пробоя иодата лития //Письма в ЖТФ. 1984. т. 10. вып. 14. с. 840-843.

86. Владимирцев Ю.В., Глебова H.H., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев С.А., Рез И.С. Кинетика и механизмы оптического пробоя в

ниобате и иодате лития //Тезисы VI Всесоюзи. конф. по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Вильнюс. 1984. с. 164-165.

87. Swain J.,Stokowski S.,Milam D.,Rainer F. Improving the bulk laser damage resistence of potassium dihydrogen phosphate crystals by pulsed laser irradiation//Appl. Phys. Lett. 1982. v.40. № 4. p. 350-352.

88. Swain J.,Stokowski S.,Milam D.,Kennedy G.C. The effect of balking and pulsed Laser irradiation on the bulk laser damage threshold of potassium dihydrogen phosphate//Appl.Phys.Lett. 1982 v.41. № 1. p. 12-14.

89. Бутенин A.B., Коган Б.Я. Механизм разрушения проз рачных полимерных материалов при многократном воздействии импульсного лазерного излучения //Квант, электр. 1976. т.З. № 5. с. 1136-1138.

90. Либенсон М.Н. Плазменно-химическая модель оптического пробоя прозрачных диэлектриков//Письма в ЖТФ. 1977. т.З. с.446-450

91. Оксман Я.А., Семенов А.А. Лучевая эррозия полуизолирующего арсеняда галлия //Письма в ЖТФ. 1977. т.З. № 16. с: 838-841.

92. Либерман М.А., Трибельский М.И. Роль химических реакций в лазерном разрушении прозрачных полимеров //ЖЭТФ.1978. т.74. с. 194.

93. Маненков А.А., Нечитайло B.C. Роль поглощающих дефектов в лазерном разрушении прозрачных полимеров //Квант, электр. 1980. т. 7. № 3. с. 616-619.

94. Битюрин Н.М. Начальный этап развития светотермохимической неустойчивости в твердых прозрачных диэлектриках//Квант. электр. 1983. т. 10. №9. с. 1934-1936.

95. Ковалев А.А., Макшанцев Б.И., Пилипецкий И.Ф., Сидорин Ю.В., Стоник О.Г. Эффекты накопления и временная зависимость порога оптического пробоя твердых прозрачных диэлектриков при

воздействии когерентного излучения //Квант, электр. 1980. т.7. № 6. с. 1287-1293.

96. Нестеров JI.A., Поплавский A.A., Ферсман И.А., Хазов Л.Д. Зависимость порога разрушения прозрачного диэлектрика от длительности импульса лазера //ЖТФ. 1970. т. 40. вып. 3. с. 651-653.

97. Бужинский И.М., Поздняков А.Е. О связи между порогами разрушения стекла лазерными импульсами различной длительности //Квант, электр. 1975. т. 2. № 7. с. 1550-1552.

98. Агранат М.Б., Красюк И.К., Новиков Н.П., Перминов В.П., Юдин Ю.И., Ямпольский П.Я. //ЖЭТФ. 1971. т. 60. с. 1748.

99. Маненков A.A., Матюшин Г.А., Нечитайло B.C., Прохоров A.M., Цаприлов A.C. О природе эффекта накопления в лазерном разрушении оптических материалов//Квант, электр. 1983. т. 10 с. 2426.

100. Маненков A.A., Нечитайло B.C., Цаприлов A.C. Анализ механизма лазерного разрушения прозрачных полимеров, связанного с их вязкоупругими свойствами //Квант, электр. 1981. т.8. № 4. с.838-843.

101. Дюмаев K.M., Маненков A.A., Маслюков А.П., Матюшин Г.А., Нечитайло B.C., Цаприлов A.C. Влияние вязкоупругих свойств матрицы и типа пластификатора на лазерную прочность прозрачных полимеров //Квант, электр. 1982. т. 9. № 7. с. 1318-1322.

102. Нечитайло B.C. Механизмы лазерного разрушения прозрачных полимерных материалов //Изв. АН СССР, сер. физ. 1982. т.46. № 6. с. 1194-1199.

103. Дюмаев K.M., Маненков A.A., Маслюков А.П., Матюшин Г.А., Нечитайло B.C., Прохоров A.M. Прозрачные полимеры - новый класс оптических материалов для лазеров //Квант, электр. 1983. т. 10. № 4. с. 810-818.

104. Маненков A.A., Матюшин Г.А.,Нечитайло В.С.Даприлов A.C. К механизму эффекта накопления в лазерном разрушении полимеров: возникновение макроразрушения вследствие ионизационной волны поглощения //Квант, электр. 1984. т. 11. № 4. с. 839-841.

105. Битюрин Н.М., Генкин В.Н., Соколов В.В. Эволюция наведенного поглощения в полимерах при различных механизмах фотостарения //Высокомолекулярные соединения А. 1982. т. 24. № 4. с. 748-754.

106. Битюрин Н.М., Генкин В.Н., Соколов В.В. Особенности динамики и пространственной структуры поглощения на фотохимической стадии деструкции диэлектриков//Изв. АН СССР, сер. физ. 1982.Т.46. № 6. с. 1052-1057.

107. Бункин Ф.Б., Кириченко H.A., Лукьянчук Б.С. Термохимическое действие лазерного излучения//УФН. 1982. т. 138. вып.1. с.45-94.

108. Wu S.-T., and Bass М. Laser induced irreversible absorption changes in alkali halides at 10,6 pm //Applied Physics Letters. 1981. v. 39. № 2. p. 948-950.

109. Крутякова В.П., Смирнов B.H. Эмиссия электронов при воздействии импульсов излучения СО2 -лазера на щелочно-галоидные кристаллы//ЖТФ. 1979. т. 49. № 9. с. 1928-1932.

110. Беликова Т.П., Савченко А.Н.,Свириденков Э.А. Поглощение света рубином в предпробойном состоянии //ЖЭТФ. 1970. т.58. вып.6. с. 1899-1903.

111. Глебов Л.Б., Ефимов С.М., Петровский Г.Т., Роговцев П.Н. Оптический пробой силикатных стекол в условиях двухфотонного поглощения лазерного излучения //Квант, электр., 1983. т. 10. № 7. с. 1490-1492.

112. Беликова Т.П., Свириденков Э.А. Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновым ОКГ//Письма в ЖЭТФ. 1966. т.З. с.394-398.

113. Казанцев С.Г. Оптическая стойкость материалов окон широкоапертурных импульсно-периодических С02 -лазеров"Квантовая электроника"//1998.т.25.№6.с.555-557.

114. Крутякова В .П., Смирнов В.Н. Свечение щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с X =10,6 мкм. //ЖТФ. 1978. т. 48. № 4. с. 844-855.

115. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Сопоставление кинетики роста рассеяния и вспышек свечения в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения СОг -лазера //ЖТФ. 1979. т. 49. № 12. с. 2647-2651.

116. Рогалин В.Е., Самойлова В.И., Тищенко H.A., Шаскольская М.П. О порообразовании в щелочно-галоидных монокристаллах под действием импульса электромагнитного излучения //ФТТ. 1980. т. 22. № 12. с. 3549-3553.

117. Рогалин В.Е., Самойлова Т.И., Шаскольская М.П. Кинетика отжига пор, возникающих при точечном микровзрыве в объеме кристалла//Кристаллография. 1980. т. 25. вып. 5. с. 1097-1098.

118. Bass М., Leung K.M. The Dependence of the Pulsed 10,6 jum Laser Damage Threshold on the Manner in Which a Sample is Irradiated illEEEJ of QE. 1976. v. 12. № 1. p. 82-83.

119. Литвиненко А.Г., Осадчиев B.M. Предпороговые лазерные импульсы и эффекты накопления в диэлектрике. //Влияниеионизирующих излучений на свойства диэлектриков и полупроводников. Сб. науч. тр. вып. 1. под ред. Рязанова М.И. МИФИ. / Атомиздат. 1979. с.76-84.

120. Набатов В .В., Беляев Л.М., Дыменко Н.Н. Окрашивание кристаллов КС1, КВт и К1 при их разрушении лазерным излучением //Тезисы докл. VII Всес. конф-и по когерентной и нелинейной оптике. Тбилиси. 1976. с. 127.

121. Казанцев С.Г. Акустические и электромагнитные эффекты, возникающие при короткоимпульсном облучении материалов проходной ИК оптики//Тезисы докл. Международной конференции по росту и физике кристаллов, поев. Памяти М.П. Шаскольской. М.1998. с.263.

122. Волкова Н.В., Лихачев В.А., Степанов М.И., Шестопалов Л.М. Исследование механизма оптического разрушения монокристаллов фтористого лития//ФТТ. 1967. т. 9. с. 778.

123. Блистанов А.А., Казанцев С.Г., Кугаенко О.М. Перспективные материалы ИК-оптики мощных импульсных СО2 -лазеров и пути повышения их лучевой прочности//Тезисы докл. Международной конференции по росту и физике кристаллов, поев. Памяти М.П. Шаскольской. М.1998. с.252.

124. Набатов В.В., Беляев Л.М., Дыменко Н.Н. Природа окраски, возникающей при разрушении кристаллов КС1, КВг и KI излучением рубинового лазера //ФТТ. 1981. т. 23. вып. 3. с. 933-935.

125. Bradford J.N., Williams R.T., and Faust W.L. Study of F-center formation in KC1 on a picosecond time scale //Phys. Rev. Lett., 1975. v. 35. p. 300-303.

126. Suzuki Y.and Hirai M. Formation of self-trapped excitons and F-centers in picosecond rand in KJ crystals //J. Phys. Soc. Japan. 1977. v. 43. p. 1679-1685.

127. Williams R.T., Bradford J.N. and Faust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KC1, and NaBr //Phys. Rev. B. 1978. v. 18. p. 7038-7058.

128. Suzuki Y., OkumuraM., Hirai M. Relaxation of 2p Excitons and F-Center Formation in Picosecond Range in RbBr, Rbl and KBr// J. Rhys. Soc. Japan. 1979. v. 47. №l.p 184-192.

129. D'hertoghe J. and Jacobs G. Self-trapped Exciton and F-Center Formation by Picosecond Laser Pulse in Alkali Bromides and Iodides //Pliys. Stat. Sol. 1979. v. 95. № 1. p. 291-300.

130. Ortega J.M. Study of the Self-trapped Exciton and F-Center Formation on a Picosecond time scale in KBr //Phys. Rev. B. 1979. v. 19. № 6. P. 3222-3229.

131. Ken-Ichi Kan'no and Yoshio Nakai. Defect Fonnation with UV-Laser Irradiation in Alkali Halides //Semiconductors and Insulators. 1983. v. 5. p. 493-504.

132. Баранов П.Г., Данилов В.П., Жеков В.И., Мурина Т.М., Нагли Л.Е., Прохоров A.M. Оптическое поглощение кристаллов KI-T1, наведенное интенсивным УФ лазерным излучением //ФТТ.1980. т.22. № 9. с. 2790-2796.

133. Баранов П.Г., Данилов ВН., Жэков В.И., Мурина Т.М., Нагли Л.Е., Прохоров A.M., Романов Н.Г. //Тез. докл. 27 совещ. по люминесценции (кристаллофосфоры), Рига, Ин-т физики АН Лат. ССР. 1980. с. 101.

134. Баранов П.Г., Данилов В.П., Жеков В.И., Мурина Т.М., Прохоров А.М., Образование центров окраски в кристаллах KClTn и NaCkln под действием интенсивного ультрафиолетового лазерного излучения//ФТТ. 1981. т. 23. вып. 6. с. 1829-1831.

135. Горшков Б.Г., Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А. Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой УФ лазерным излучением//ЖЭТФ. 1981. т. 81. вып. 4 (10). с. 1423-1434.

136. Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А., Шахвердиев Э.М. Кинетический анализ УФ лазерной фотопроводимости в ЩГК//Тезисы докл. VI Всес. конф. по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Вильнюс. 1984. с. 190-191.

137. Yasojima Y., Inuiski Y. Effects of F-centers on Laser-Induced Breakdown in KC1 Single Crystals //Phys. Lett. 1971. v. 34A. № 2. p. 129131.

138. Бессонова Г.С.,Данилейко Ю.К.,Николаев В.Н.,Сидорин А.В. О лазерной прочности кристаллов LiF //Квант. электр. 1981. т. 8. № 10. с. 2262-2264.

139. Lipson H.G., Ligor P., Martin J.J. The effect of Ionizing Radiation on the 10,6 7m 0m Absorption of KC1 and NaCl //Phys. Stat. Sol. 1976. v. 37. № 2. p. 547-552.

140. Гектин A.B., Чаркина Т.А., Ширан H.B. Влияние у-облучения на коэффициент поглощения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны излучения С02 -лазера //Квант, электр. 1981. т. 8. № 10. с. 2237-2239.

141. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Влияние центров окраски на оптические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов С02 -лазера //Оптико-мех. пром-ть. 1984. № 2. с. 23-26.

142. Виноградов Ан. В., Трибельский М.И. Роль коллоидных частиц в оптическом пробое щелочно-галоидных кристаллов //Письма в ЖТФ. 1979. т. 5. № 10. с. 595-598.

143. Kuzmany Н., Ritter G.J.Interaction of High-Power Ruby Laser Light Pulses with Metal Colloids in Transparent Crystals. // J. Appl. Phys. 1970. v. 41. №4. p. 1682-1689.

144. Рогалин В.Е., Тищенко H.A., Шаскольская М.П. О взаимодействии импульса ИК-излучения с центрами окраски в NaCl //ЖТФ. 1980. т. 50. вып. 5. с. 1077-1078.

145. Демочко Ю.А., Азаров В.В., Сидорюк O.E. и др. Полимодальные распределения лазерной прочности материалов //Изв. АН СССР. 1982. сер. физ.т. 45. №6. с. 1075-1080.

146. Peter F. Bräunlich, George Brost, Ansgar Schmid and Paul J. Kelly. The Role of Laser-Induced Primary Defect Formation in Optical Breakdown of NaCl //EEEEJ of Quantum Electronics. 1981. v. QE-17. № 10. p. 2034-2041.

147. Блистанов A.A., Кугаенко O.M., Чуб Ф.С. Определение геометрических параметров примесных центров методом рассеяния света //Кристаллография. 1979. т. 24. вып. 2. с. 310-314.

148. Генкин В.Н., Миллер A.M., Соустов JI.B. Динамика лазерного разрушения кристаллов КОР//ЖЭТФ. 1980, т. 79. вып. 5(11). с.1880-1887.

149. Лямшев JI.M., Седов JÏ.B. Оптическая генерация звука в жидкости. Тепловой механизм (обзор) // Акуст. журн. 1981. т. XXVII. вып. I. с. 25-29.

150. Лямшев Л.М., Наугольных К.А. Оптическая генерация звука. Нелинейные эффекты (обзор) //Акуст. журн. 1981. т. XXVII. вып. 5. с. 641-668.

151. Бектурганов К., Блистанов A.A., Шаскольская М.П. Рассеяние света кристаллами хлористого калия //ФТТ. 1974. т. 16. № 4. с. 1036-1038.

152. Обухова О.В., Тагиева М.М., Шаскольская М.П. Влияние состояния Примеси РЬ на механические свойства кристаллов KCl и NaCl //Кристаллография. 1969. т. 14. вып. 5. с. 948-951.

153. Лифшиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов //ЖЭТФ. 1958. т. 35. вып. 2(8). с. 479-492.

154. Айрапетов А.Ш.,Дудникова В.Б.,Лебедева В.Н.,Розин К.М., Шаекольская М.П. Распад твердого раствора в системе КС1:РЬ//Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1978. т. 15. № 6. с.1074-1078.

155. Дудникова В.Б., Лебедева В.Н., Розин К.М., Шаскольская М.П. Оптические исследования распада твердого раствора КС1:РЪ //Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1979. т. 15. № 10. с. 1782-1786.

156. Бебчук А.С., Уланов С.Ф. Оптический пробой кристаллов КС1 на локализованных состояниях //ЖТФ. 1981. т. 51. №> 10. с. 2198-2200.

157. Парфианович И.А., ПензинаЭ.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск. Вост.-сиб. кн. изд-во. 1977. 208 с.:ил.

158. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М. Наука. 1982.

159. Киреев П.С. Физика полупроводников . М. "Высшая школа". 1975.

160. Акустические кристаллы, под ред. Шаскольской М.П. М. Наука. 1982.

161. Suzuki. X-ray Studies оп Precipitation of Metastable Centers in Mixed Crystals NaCl-CdCb //J. of the Physical Society of Japan. 1961. v. 16. № 1: p. 67-78.

162. Джиджоев M.С., Попов В.К., Платоненко В.Т., Чугунов А.В. Зависимость параметров оптоакустического сигнала от радиуса возбуждаемой области//Квант, электр. 1984. т. 11. № 2. с. 414-416.

163. Hughes А.Е., Jain S.C. Metal colloids in ionic crystals. //Adv. Phys. 1979. v. 28. № 6. p. 717-828.

164. Buttet Т., Carr R., Myles C.W. Sise dependence of the conduction-electron spin-resonance g-shift in a small sodium particle. Orthogonalized standing-ware calculations //Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1982. v. 26. №5. p. 2414-2431.

165. Webb R.H. Electron-spin-resonance line shape in spherical metal particles//Phys. Rev. 1967. v. 158. № 2. p. 225-233.

166. Edmonds R.N., Edwards P.P., Cuy S.C., Johnson D.C. Electron Spin Resonance in Small Particles of Sodium, Potassium, and Rubidium Metalls //J. Phys. Chem. 1984. v. 88. p. 3764-3771.

167. Дж. Вертц, Дж. Болтон. Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир. 1975. 548 с.

168. Kawabata A. Electronic properties of line metallic particles. П1. E.S.R. absorption line shape //J. Phys. Soc. Japan. 1970. v. 29. № 4. p. 902911.

169. Лутцик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик H.E. и др. Электронные возбуждения и радиационные - эффекты в кристаллах НаВг//Электронные возбуждения ионных кристаллов. Труды ин-та физики АН ЭССР, Тарту, 1975. т. 44. № 1. с. 3-43.

170. Ботаки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М. Атомиздат, 1980.

171. Кугаенко О.М., Малинкович М.Д. Влияние растворенных двухвалентных примесей на порог оптического пробоя кристаллов КС1//Тезисы докл. Международной конференции по росту и физике кристаллов, поев. Памяти М.Ц. Шаскольской. М.1998. с.266.

172. Днепровский B.C., Клышко Д.Н., Пенин А.Н. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера

с

//Письма в ЖЭТФ. 1966. т. 3. с. 385-389.

173. Catalano I.M., Cingolani A., Minafra A. Multiphoton conductivity in KBr //Opt. Commun. 1972. vol. 5. № 3. p. 212-214.

174. Catalano I.M., Cingolani A., Ferrara M., Lugara M. Multiphoton cross-section determination by means of luminescence experiments //Opt. Acta. 1980. v. 27. p. 625-635.

175. Баев В.М., Савченко А.Н., Свириденков Э.А. Исследование пробоя рубина цугом и одиночными ультракороткими импульсами //ЖЭТФ. 1974. т. 66. с. 913-919.

176. Виноградов A.B., Файзулов Ф.С. Роль многофотонной и ударной ионизации при пробое диэлектриков наносекундным лазерным импульсом //Квант, электр. 1977. т. 4. с. 1144-1146.

177. Schmid А., Bräunlich P., Rol P. Multiphoton-induced directional emission of halogen atoms from alkali halides //Phys. Rev. Lett. 1975. v. 20. p. 1382-1385.

178. Бычков Ю.А., Дыхне A.M. Пробой полупроводников в переменном электрическом поле //ЖЭТФ. 1970. т. 58. с. 1734-1743.

179. Larson L.A., Oda Т., Braunlich P., Dickinson J.T. Emission of CI atoms fromNaCl during Vk -center decomposition //Solid State Commun. 1979. v. 32. p. 347-351.

180. Павлов A.H., Седов B.B., Коренчук А.Ф. О механизме светочувствительности в кристаллах с квазиметаллическими центрами //Журн. научной и прикл. фотографии и кинематографии. 1985. № 1. с. 33-37.

181. Удод В.В. Фотохимические реакции в окрашенных кристаллах CsBr //ФТТ. 1968. т. 10. № 1. с. 183-187.

182. Adlhart W., Bock W., Genrer G.and Wolfram.EPR of Ionized Z-Centers in KCl.Sr // Phys. stat. sol. 1969. v.34. № 2. p.kl43-kl47.

183. H.J. Paus and K.M. Strohm. ESR on the triplet state of Fz centers in potassium chloride crystals doped with strontium//J.Phys. С : Solid St. Phys. 1980. v. 13. №1. p. 57-69.

184. W. Hayest and G.M. Nicholst. Paramagnetic Resonance and Optical Absorption of a V Center //Phys. Rev. 1960. v. 117. № 4. p. 993-998.

185. W.V. Püymbroeck and D. Schoemaker. Electron-spin-resonance study of complex interstitial halogen Hd -type defects in KCl doped with divalent cations//Phys. Rev. 1981. v.23. № 4. p.1670-1684.

186. Блистанов A.A., Васильева JI.A., Кугаенко O.M., Шаскольская М.П. Влияние /Электрического поля на процессы образования и термоактивационного растворения примесных центров в ионных кристаллах //Кристаллография. 1986.т.31. вып.3. с.505-509.

187. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Кугаенко О.М., УлановС.Ф., Шаскольская М.П. Влияние примесей Sr, Ca, Ва на пороги оптического разрушения кристаллов хлористого калия //Кристаллография. 1986.Т.31 .вып. 1 .с. 120-125.

188. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Горн И.А., Кугаенко О.М., Козлова Н.С. Лазерное старение кристаллов хлористого калия. Деп. В ВИНИТИ 3.09.87 №6474-6487.

189. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Горн И.А. Кугаенко О.М. Накопительный эффект в щелочногалоидных кристаллах при лазерном облучении/ЛГезисы докладов 7 Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 1988.С.124.

190. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Кугаенко О.М., Малинкович М.Д., Тагиева М.М. Влияние примесных дефектов на концентрационную зависимость оптического пробоя и эффект накопления лазерных повреждений // Тезисы докл. 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков. Томск. 1988.

191. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Горн И.А., Кугаенко О.М. Допороговые эффекты в кристаллах хлористого калия // Тезисы докл. Всесоюзн. конф. по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1990.

192. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Кугаенко О.М. Влияние примесных дефектов на оптический пробой кристаллов хлористого калия. Деп. в ВИНИТИ 25.07.95 № 2296-В95

193. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Кугаенко О.М. Накопление лазерного повреждения в кристаллах KCl // Тезисы докл. Международной конф. по росту и физике кристаллов, поев, памяти М.П. Шаскольской. Москва. 1998. С.251.

194. Блистанов A.A., Васильева Л.А., Горн И.А., Кугаенко О.М. Природа дефектов, возникающих под действием лазерного облучения допороговой интенсивности в кристаллах хлористого калия // Тезисы докл. Международной конф. по росту и физике кристаллов, поев, памяти М.П. Шаскольской. Москва. 1998. С.250.

195. Блистанов A.A., Кугаенко О.М., Васильева Л.А. Накопление лазерного повреждения в хлориде калия // Известия ВУЗов. Сер. Материалы электронной техники. №3. 1998. С.39-43.

196. Блистанов A.A., Кугаенко О.М., Горн И.А., Васильева Л.А. Природа дефектов, возникающих при допороговом лазерном облучении в KCl // Известия ВУЗов. Сер. Материалы электронной техники. (Принято к публикации).