Оптическая стойкость прозрачных материалов для мощных импульсных CO2-лазеров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.21, кандидат физико-математических наук Рогалин, Владимир Ефимович

• Рогалин, Владимир Ефимович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рогалин, Владимир Ефимович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОПТИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИМПУЛЬСНЫХ С02-ЛАЗЕРОВ.

ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ДЛЯ НИХМАТЕРИАЛОВ.

1.1. Общие сведения об импульсных СОг-лазерах и элементах их конструкции

1.2. Условия работы выходных зеркал и окон. Факторы, влияющие на их работоспособность

1.3. Оптические материалы для области спектра 10 мкм. Общие требования к материалам оптики мощных лазеров

Выводы

ГЛАВА 2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОРОГА ВОЗНИКНОВЕНИЯ ПЛАЗМЫ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА. МОРФОЛОГИЯ ВОЗНИКАЮЩИХ ПОВРЕЖДЕНИЙ

2.1. Экспериментальная установка и методика исследований

2.2. Особенности возникновения плазменного факела вблизи поверхности оптических материалов и его взаимосвязь с их реальной оптической стойкостью

2.3. Исследование морфологии объёмных и поверхностных повреждений в оптических материалах, возникающих в результате воздействия

2.4. Обсуждение полученных результаюв

Выводы.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЭФФЕКТА ПЛАЗМООБРАЗОВАНИЯ НА ПРОХОЖДЕНИЕ

ЛАЗЕРНОГО ИМПУЛЬСА ЧЕРЕЗ ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

3.1. Методика измерений

3.2. Прохождение импульса излучения С02-лазера через плазму низкопорогового оптического пробоя воздуха

3.3. Прохождение пиковой части лазерного импульса через оптические элементы

3.4. Возможные механизмы потерь излучения при прохождении через оптику .76 Выводы

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ

ИМПУЛЬСНОГО С02-ЛАЗЕРА С МОНОКРИСТАЛЛАМИ

ГЕРМАНИЯ

4Л. Методика эксперимента

4.2. Прохождение мощного лазерного импульса через кристаллы германия

4.3. Исследование морфологии повреждений германия

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптическая стойкость прозрачных материалов для мощных импульсных CO2-лазеров»

Создание мощных лазерных систем на С02, излучающих в области 10 мкм, является одним из основных направлений развития лазерной техники. С02-лазеры широко применяются для стимулирования химических реакций, лазерного термоядерного синтеза, разделения изотопов, в лазерных технологиях и т.д [1-18].

В этих лазерных системах зачастую необходимо применение выходного элемента -окна или полупрозрачного зеркала, разделяющего активное вещество и атмосферу. Одним из основных факторов, ограничивающих технические характеристики С02-лазеров, является недостаточно высокая лучевая стойкость выходной оптики. Так, предельно достижимая интенсивность излучения реальной лазерной системы в настоящее время определяется, как правило, оптической стойкостью выходного элемента. Поэтому весьма актуальной является задача исследования физики процесса взаимодействия мощного лазерного луча с прозрачным оптическим элементом.

Оптика диапазона 8-Н4 мкм развита намного слабее, чем оптика видимого диапазона, что в первую очередь вызвано дефицитом недорогих, но высококачественных оптических материалов. В этой области прозрачны лишь некоторые, в основном, монокристаллические материалы. Поэтому очень часто выходные параметры С02-лазеров ограничиваются свойствами применяемых в них ИК-матерпалов.

Настоящая диссертационная работа посвящена изучению процессов, определяющих оптическую стойкость прозрачных ИК-материалов к воздействию излучения мощного импульсного С02-лазера. Исследования проведены на 13 наиболее перспективных кристаллах. Была поставлена задача: сопоставить в одной серии экспериментов, в условиях, максимально приближённых к реальным, их оптическую стойкость. Также необходимо было выявить перспективы использования этих материалов для изготовления выходных элементов мощных импульсных С02-лазеров. Кроме того, в перечень поставленных задач исследования входило выяснение причин выхода из строя реальных оптических элементов и поиск путей их реставрации, а также определение технологических резервов улучшения качества материала.

Данные, полученные в работе, могут быть использованы при разработке мощных С02-лазеров, комплексов специального вооружения на их основе, в том числе, предназначенных для борьбы с высокоточным оружием. Кроме того, эти сведения могут быть использованы при разработке тепловизионных приборов и систем высокоточного оружия на их основе.

В первой главе кратко рассмотрены общие сведения о мощных импульсных CCV лазерах и элементах их конструкции, условия работы выходных лазерных зеркал и окон и факторы, влияющие на их работоспособность. Систематизированы данные об основных физико-химических свойствах оптических материалов для области спектра 10 мкм. На основе анализа их свойств рассмотрены и сформулированы.общие требования к материалам оптики мощных лазерных систем.

Во второй главе рассмотрены результаты исследования порога реальной оптической стойкости 11 кристаллов - NaCl, KCl, KBr, Rbl, AgCl, Csl, KPC-5, KPC-6, ZnSe, GaAs, Ge. Воздействие излучения импульсного СОг-лазера на эти материалы производилось в. условиях максимально приближенных к реальным. Излучение на образцы собиралось длиннофокусной линзой в пятно площадью 0,67 см2, то есть, во-первых, на мишень воздействовал почти параллельный лазерный луч, а во-вторых, такой эксперимент позволяет усреднять влияние отдельных мпкродефектов кристалла па его оптическую стойкость в целом. Проведён анализ морфологии повреждений, возникших в образцах в результате воздействия. По результатам, приведённым в данной главе, а также после анализа совокупности физико-химических свойств, обсуждавшихся в главе 1, выбраны два перспективных материала. Для оптики импульсных С02-лазеров представляют интерес: NaCl - материал, обладающий лучшими оптическими свойствами на длине волны генерации, и германий (Ge) - материал, механические и физико-химические свойства которого позволяют изготавливать из него высокоточные оптические детали, способные без катастрофического разрушения выдерживать значительные лучевые перегрузки. Кроме того, Ge является основным оптическим материалом, применяемым в ТВП диапазона 8-44 мкм [19]. Поэтому особенности поведения германия в поле мощного лазерного излучения интересны при разработке методов борьбы с системами высокоточного оружия.

В третьей главе исследованы особенности прохождения излучения импульсного С02-лазера сверхпороговой интенсивности через 13 оптических кристаллов - BaF2, NaCl, KCl, KBr, Rbl, AgCl, Csl, KPC-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs, Ge. Эксперимент проводился в условиях, моделирующих реальные условия эксплуатации. Показано, что излучение пиковой части импульса нелинейно поглощается генерируемыми в поле лазерного излучения неравновесными носителями заряда, в соответствии с экспериментально полученной зависимостью потерь от ширины запрещённой зоны кристалла. Излучение «хвостовой» части импульса поглощается в плазме низкопорогового оптического пробоя воздуха вблизи поверхности образца. Изучено влияние плазмообразования перед поверхностью оптического элемента на прохождение через него лазерного импульса.

В четвёртой главе изложены экспериментальные результаты исследования морфологии повреждений в монокристаллах германия после воздействия излучением мощного импульсного излучения С02-лазера. Исследования проводились как на серийно выпускаемых промышленностью монокристаллах марки ГМО (германий монокристаллический оптический), обработанных по технологии, применяемой в ошической промышленности, так и на специально выращенных образцах бездпслокациониых кристаллов, поверхнос1ь которых полировалась химически.

Воздействие лазерного излучения с плотностью мощности более 4х107 Вт/см2 приводит к возникновению лавинного пробоя в приповерхностном слое германия глубиной 1н-3 мкм. Поглощение на неравновесных носителях заряда приводит к выделению большей части энергии лазерного импульса в этом слое, что предохраняет объём оптического элемента от поражения излучением сверхпороговой интенсивности. Благодаря этому эффекту детали из германия повреждаются излучением лишь частично, что позволяет полностью восстанавлива гь их после переполировки.

На основе полученных экспериментальных результатов разработаны, изготовлены и испытаны окна из монокристаллов германия диаметром 420 мм для 4-х лучевого мощного импульсного ССЬ-лазера.

В пятой главе изложены экспериментальные результаты исследования морфологии повреждений, возникающих в щёлочно-галоидных монокристаллах NaCl, KCl, КВг и Rbl в результате воздействия излучением мощного импульсного излучения ССЬ-лазера. Исследования проводились как на серийно выпускаемых монокристаллах, так и на специально выращенных образцах с контролируемым уровнем примесей и структурных дефектов. Эксперименты проводились на оптически полированных образцах, а также на образцах, выкалываемых непосредственно перед воздействием по плоскостям спайности {100}. Эти поверхности соприкасались с лабораторным воздухом не более 1 мин, что во многом снижало влияние атмосферной влаги на результаты.

Обнаружено, что в ЩГК, выращенных в атмосфере воздуха, в результате воздействия излучением импульсного С02-лазера с плотностью мощности 10б-Н07 Вт/см возникают микропоры размером до 3(Н100 мкм. Объёмная плотность этих с полостей достигает ~ 10 см" . Проанализирована статистика распределения пор по размерам в зависимости о г условий воздействия. Исследовано влияние на процесс порообразования различных факторов - параметров кристаллической решётки, примесного состава, структуры точечных дефектов, варьируемой путём воздействия ионизирующей радиации и последующего отжига.

Поры возникают вследствие оптического пробоя на поглощающих микронеоднородностях, которые, вероятнее всего, являются результатом коагуляции посторонних примесей. Размеры и концен фация пор, возникших при воздействии излучением длительностью до 1 мкс, прошедшем через плазму оптического пробоя воздуха, идентичны в NaCl. KCl, КВт и Rbl. В среднем они составляют, соответственно, ~ 20 мкм и ~ Зх 104 см"3. Размеры пор в ЩГК, возникших при воздействии излучением длительностью до 5 мкс, определяются свойствами материала и подчиняются экспериментально найденной зависимости среднего значения массы материала, вынесенного из полости (в сферическом приближении), от энергии кристаллической решётки. Для такого режима воздействия характерно наличие максимального размера пор, увеличить который путем роста плотности энергии излучения, выделившегося на дефекте, не удаётся, вследствие развития из него магистральных трещин и последующего катастрофического разрушения образца. Анализ экспериментальных данных позволяет считать, что в момент образования полости в ней создаётся плазменное образование со средней температурой Тп ~ 5500 К и давлением ~ 3 О4 кг/см2. Формирование поры происходит, в основном, во время действия импульса излучения за счёт двух основных процессов - испарения на фронте волны поглощения (скорость волн поглощения ~ 5 м/с) и пластической деформации. Эти данные численно согласуются с известными теоретическими расчётами. Микрополости являются центрами значительных внутренних напряжений, выявляемых по розеткам двойного лучепреломления, имеющим размер до ~ 1 мм.

Исследована кинетика отжига микропор при предплавильной температуре (на образцах из кристалла KCl). Показано, что полости частично залечиваются в процессе отжига при атмосферном давлении внешней среды. На основе этого явления предложен метод реставрации элементов лазерной оптики из ЩГК.

Впервые изучено влияние ионизирующей радиации на процесс объёмного порообразования в ИаС1 при поражении импульсом излучения мощного СОг-лазера. Показано, что ни Б-, ни М- центры сами по себе не способствуют возникновению пор, но при отжиге радиационно окрашенных кристаллов эти центры коагулируют с образованием коллоидальных частиц металла, которые резко снижают порог оптического пробоя и инициируют порообразование. Полученные данные необходимо учитывать при разработке электроионизационных лазеров, а также других генераторов, использующих для накачки ионизирующее излучение.

Заключение диссертации по теме «Лазерная физика», Рогалин, Владимир Ефимович

Выводы

1. В щёлочно-галоидных монокристаллах, выращенных в атмосфере воздуха, в результате воздействия излучения импульсного С02-лазера с плотностью мощности 10б-Н07 Вт/см2 возникают микропоры размером до 30—100 мкм. Объёмная плотность этих полостей достигает 105 см"3. Исследована статистика распределения пор по размерам в зависимости от условий воздействия.

2. Поры возникают вследствие оптического пробоя на поглощающих микронеоднородностях, которые, вероятнее всего, являются результатом коагуляции посторонних примесей, преимущественно анионных, причём природа этих примесных центров сходна в NaCl, KCl, КВг и Rbl.

3. Фотоионизация примесных центров коротковолновой составляющей излучения плазменного факела заметно снижает порог пробоя на этих микронеоднородностях.

4. Размеры и концентрация пор, возникших при воздействии излучением длительностью до 1 мкс, прошедшем через плазму оптического пробоя воздуха, идентичны в NaCl, KCl, КВт и Rbl. В среднем они составляют, соответственно, ~ 20 мкм и ~ 3 х 104 см"3.

5. Размеры пор в ЩГК, возникших при воздействии излучением длительностью до 5 мкс, определяются свойствами материала и подчиняются экспериментально найденной зависимости от энергии кристаллической решётки. Для такого воздействия характерно наличие максимального размера пор, увеличить который путём роста плотности энергии излучения, выделившейся на дефекте, не удаётся вследствие развития из него магистральных трещин и последующего катастрофического разрушения образца.

6. Анализ экспериментальных данных позволяет считать, что в момент образования полости в ней создаётся плазменное образование со средней температурой Тп ~ 5500 К и давлением порядка 104 кг/см2. Формирование поры происходит, в основном, во время действия импульса излучения за счёт двух основных процессов - испарения на фронте волны поглощения и пластической деформации. Эти данные численно согласуются с известными теоретическими расчётами. При обработке экспериментальных результатов определена скорость волн поглощения ~ 5 м/с, что соответствует теоретическим данным.

7. Микрополости являются' центрами значительных внутренних напряжений, выявляемых по розеткам двойного лучепреломления, имеющим размер до ~ 1 мм.

8. Исследована кинетика отжига микропор при предплавильной температуре (на образцах из кристалла KCl). Показано, что полости залечиваются в процессе отжига при атмосферном давлении внешней среды благодаря действию полей внутренних напряжений, локализованных вокруг них. На основе этого явления предложен метод реставрации элементов лазерной оптики из ЩГК.

9. Впервые изучено влияние ионизирующей радиации на процесс объёмного порообразования в NaCI при поражении импульсом излучения мощного С02-лазера. Показано, что ни F-, ни М- центры сами по себе не способствуют возникновению пор, но, при отжиге радиационно окрашенных кристаллов, эти центры коагулируют с образованием коллоидальных частиц металла, которые резко снижают порог оптического пробоя и инициируют порообразование. Полученные данные необходимо учитывать при разработке электроионизационных лазеров, а также других генераторов, использующих для накачки ионизирующее излучение.

10. В кристаллах NaCI и KCl, специально очищенных от посторонних примесей путём выращивания в атмосфере фосгена (содержание как анионных, так и катионных примесей не превышало 10"6 вес. %), следы объёмного пробоя отсутствовали и при заметном превышении порога образования плазменного факела перед поверхностью образца (при плотности энергии до « 50 Дж/см ).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе впервые удалось получить в одном эксперименте данные о реальной оптической стойкости 13 кристаллов, прозрачных в области 10 мкм, - BaF2, NaCl, KCl, KBr, Rbl, AgCl, Csl, KPC-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs и Ge. Эксперимент проводился в условиях, максимально приближенных к реальным условиям эксплуатации силовой оптики мощных импульсных С02-лазеров. Была разработана < методика исследований, основанная на измерении параметров прошедшего через образец лазерного импульса при апертуре луча, сопоставимой с размерами образца. Лазерные измерения сочетались с исследованиями структурных изменений в кристаллах методами физики твёрдого тела, для чего использовались как образцы кристаллов, серийно выпускаемых промышленностью, так и специально изготовленные образцы с заранее заданными свойствами. Полученные данные сопоставлены с фундаментальными свойствами материала - шириной запрещённой зоны кристалла и энергией кристаллической решётки. Соответствующие экспериментальные зависимости подтверждены теоретическими расчётами.

Развёрнутые выводы по результатам исследований приведены в конце каждой главы, а здесь кратко резюмированы основные результаты работы.

1. Впервые в одном эксперименте при апертуре луча, сопоставимой с размерами образца, сравнивается реальная оптическая стойкость основных материалов -претендентов на использование в С02-лазерах, а именно: BaF2, NaCl, KCl, KBr, Rbl, AgCI, Csl, KPC-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs и Ge. Показано, что для большинства этих кристаллов основным поражающим фактором является плазма низкопорогового пробоя воздуха у поверхности оптического элемента.

2. Впервые экспериментально сопоставлены нелинейные потери в 13 кристаллах

7 8 2 при прохождении излучения с плотностью мощности 1044 х10 Вт/см . Хвостовая часть импульса практически полностью поглощается плазмой пизкопорогового пробоя воздуха, а пиковая, частично, - «горячими» неравновесными носителями заряда, причём потери экспоненциально зависят от ширины запрещённой зоны материала. Эта зависимость получена впервые экспериментально и подтверждена теоретически.

3. Впервые исследованы особенности поражения монокристаллов германия излучением мощного импульсного С02-лазера. Показано, что поражается только приповерхностный слой, лавинный пробой которого приводит к генерации неравновесных носителей. Этот слой является как бы нелинейным фильтром, предохраняющим объём кристалла от повреждения. Обоснована возможность реставрации германиевых окон и зеркал путём переполировки.

4. Впервые исследованы особенности процесса объёмного порообразования в щёлочно-галоидных монокристаллах в результате воздействия лазерного импульса при апертуре луча, сопоставимой с размерами образца. Впервые исследована статистика распределения пор по ^размерам-в NaCl, KCl, КВг и Rbl. Исследовано влияние на процесс порообразования различных факторов - параметров кристаллической решётки, примесного состава, структуры точечных дефектов, варьируемой путём воздействия ионизирующей радиации и последующего отжига. Выявлена зависимость размера пор от условий воздействия, параметров воздействующего лазерного импульса, энергии кристаллической решётки.

5. Впервые исследовано влияние конгломератов точечных дефектов, полученных путём воздействия ионизирующей радиации, а также благодаря целенаправленному введению в кристалл различных примесей, на процесс порообразования. Впервые изучена кинетика отжига этих пор и предложен механизм их залечивания.

Полученные результаты нашли практическое применение при разработке и создании крупногабаритных оптических элементов ряда мощных импульсных С02 лазеров, часть из которых показана на рис. 31-33. Впервые разработаны, изготовлены и успешно испытаны монокристаллические германиевые окна диаметром 420 мм. Окна были использованы в составе лазерного комплекса,

В заключение выражаю признательность научному руководителю М.И. Крымскому за проявленное внимание и ценные замечания.

Глубоко признателен P.E. Ровинскому и М.П. Шаскольской, осуществлявшим фактическое руководство на различных этапах работы.

Приятно вспомнить полезные дискуссии с Г.Г. Долговым-Савельевым, Б.Т. Федюшиным, A.A. Бакеевым, а также с сотрудниками руководимых ими подразделений.

Очень признателен сотрудникам Запорожского титано - магниевого комбината, Харьковского ВНИИ Монокристаллов, Тверского ГУ, предоставившим уникальные образцы монокристаллов для проведения работы.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность Ю.М. Васьковскому, E.H. Линину, Й.С. Цениной, М.И. Жаворонкову, Т.И. Самойловой, H.A.

Тшценко, Д.И. Левинзону, Е.П. Рыкун, А.Л. Трайнину, Э.Г. Шейхету за творческое участие при выполнении совместных работ.

Рис. 31. Общий вид экспериментальной установки стенда 7Д01

Рис. 32 Лазерные кюветы с окнами Брюстера из монокристаллов ЫаС1 диаметром 300мм

Рис.33. Блок выходных окон из монокристаллов ве диаметром 420 мм лазерного комплекса г

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рогалин, Владимир Ефимович, 2010 год

1. Звелто О. Физика лазеров. Пер. с англ. - М.: Мир, 1979. - 558 с.

2. Виттеман В. С02-лазер. Пер. с англ. -М.: Мир, 1990. 360 с.

3. Месяц Г.А., Осипов В.В., Тарасенко В.Ф. Импульсные газовые лазеры. М.:1. Наука, 1991.-272 с.

4. Месяц Г.А., Тарасенко В.Ф. Мощные импульсные лазеры на плотных газах // Квантовая электроника: 2003. - Т. 33; №-7. - G. 568-580г - - - - —

5. Баранов Г.А., Кучинский A.A. Мощные импульсные С02-лазеры высокого давления и их применения // Квантовая электроника. 2005. - Т. 35, № 3. - С. 219-229.

6. Абильсиитов Г.А., Велихов Е.П., B.C. Голубев и др. Мощные газоразрядные С02-лазеры и их применение в технологии. М.: Наука, 1984. - 108 с.

7. Летохов B.C., Устинов Н.Д. Мощные лазеры и их применение. М.: Советское радио, 1980.- 112 с.

8. Дацкевич Н.П., Карлова Е.К., Карлов Н.В. и др. Мощный импульсный С02-лазер с неустойчивым резонатором // Квантовая электроника. 1977. - Т. 4, № 2. - С. 457 - 460.

9. Бычков Ю.И., Карлова Е.К., Карлов Н.В. и др. Импульсный С02-лазер с энергией излучения 5 кДж // Письма в ЖТФ. 1976. - Т. 2, № 5. - С. 212216.

10. Ашурлы З.И., Васьковский Ю.М., Гордеева И.А., Малышев Л.В., Ровинский P.E., Холодилов A.A. Электроразрядный импульсный С02-лазер для исследовательских целей // Квантовая электроника. 1980. - Т. 7, № 7. - С. 14561460.

11. Долгов-Савельев Г.Г., Ипатов В.А., Корнишин B.C., Перебейнос В.В., Столбов B.C. Широкоапертурный С02-лазер с накачкой объёмным несамостоятельным разрядом при коротком импульсе ионизации // Квантовая электроника. 1991. -Т. 18, № 1.-С. 15-19.

12. Бабаев И.К., Синайский В.В., Финогенов А.И. Мощные С02- и СО-лазеры // в н. техн. сб. Лазерные и оптические системы. -М.: ГНЦ НПО Астрофизика, 1994.-С. 64-71.

13. Павловский А.И., Басманов В.Ф., Босамыкин B.C., Горохов В.В., Карелин В.И., Репин П.Б. Электроразрядный С02-лазер с объёмом активной области 0,28 м3 // Квантовая электроника. 1987. - Т. 14, № 2. - С. 428-430.

14. Ананьев Ю.А. Оптические резонаторы и лазерные пучки. М.: Наука, 1990. - 263 с.

15. Польский Ю.Е. Оптические резонаторы мощных газовых лазеров. // в сб. Итоги науки и техники, сер. Радиотехника. М.: ВИНИТИ, 1980. - Т. 21. -С.118-232.

16. Быков Г.П., Силичев О.О. Лазерные резонаторы. М.: Физматлит, 2003. -383 с.

17. Свечников М.Б. Лучевая прочность диэлектрических покрытий в диапазоне длин волн 0,25-1,06 мкм. Санкт-Петербург.: ВНЦ ГОИ им. С.И. Вавилова, 1992.-213 с.

18. Ллойд Дж. Системы тепловидения. Пер. с англ. М.: Мир, 1978. - 416 с.

19. Шмаков В.А. Силовая оптика. М.: Наука, 2004. - 318 с.

20. Sparks М., Chow Н.Е. High-power 2-to-6 |im window materials figures of merit with edge cooling and surface absorption included // Appl. Phys. -1974. V. 45, № 4. - P. 1510-1517.

21. Sparks M. Recent developments in high-power infrared window research // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder. Colorado, 1972.-P. 172- 175.

22. Sparks M., Gottis. M. Pressure-induced optical distortion in laser windows // Appl. Phys. 1973. -V. 44, № 2. -P. 787 - 794.

23. Bennett H.E. Thermal distorsion thresholds for optical trains handling high pulse powers // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1976. P. 11 - 24.

24. Deutsch T.F. Laser window materials on overview // J. of Electronic Materials. -1975.-V. 4,№4.-P. 663 - 719.

25. Bendow В. Optical properties of infrared transmitting materials // J. Electron. Mater. 1974.-V. 3, № l.-P. 101 - 135.

26. Newman B.F. Optical materials for high-power lasers: recent achievements // Laser Focus. 1982. - V. 18, № 2. - P. 53 - 56.

27. Patel B.S. Optical suitability of window materials for C02-lasers // Appl. Opt. 1977. -V. 16, №5.-P. 1232- 1235.

28. Marsh J., Savage J. Infrared optical materials for 8-13 pm // Infrared Phys. 1974'. -V. 14, № 12.-P. 85-91.

29. Бронников А.Д, Вальковский C.H., Горбунов A.B. и др. Проходные оптические элементы для технологических С02-лазеров. // Известия АН СССР, сер. Физическая. 1983. - Т. 47, № 8. - С. 1527 - 1532.

30. Карлов Н.В., Сисакян Е.В. Оптические материалы для СОг-лазеров // Известия АН СССР, сер. Физическая. 1980. - Т. 44, № 8. - С. 1631 - 1638.

31. Sparks M. Temperature and frequency dependence of infrared absorption as a diagnostic tool // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 23, № 7. - P. 368 - 369.

32. Sparks M., Duthler С.J. Theory of infrared absorption and material failure in crystals containing inclusions // Appl. Phys. 1973. - V. 44, № 7. - P. 3038 -3045.

33. Sparks M., Sham L.J. Theory of multiphonon absorption in insulating crystals // Phys. Rev. B. 1973. - V. B8, № 6. - P. 3037 - 3048.

34. Sparks M., Sham L.J. Temperature dependence of multiphonon infrared absorption // Phys. Rev. Lett. 1973. - V. 31, № 1Î. - P. 714 - 717.

35. Hardy J.R., Agrawal B.S. Determination of the origin of the 10,6 pm absorption in C02-laser window materials // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 22, № 5. - P. 236 - 237.

36. Bois D., Leyral P., Schiller C. Free carrier absorption at 10,6 pm in GaAs // J. Electron. Mater. 1976. - V. 5, № 2. - P. 275 - 286.

37. Klein P.H., Davisson J.W., Harrington J.A. Potassium bromide for infrared laser window crystal growth, chemical polishing and optical absorption // Mat. Res. Bull. -1976,-V. 11,№ 10.-P. 1335- 1342.

38. Duthler C. J. Extrinsic absorption in 10,6 prn laser window materials due to molecular ion impurities // Appl. Phys. - 1974. - V. 45, № 6. - P. 2668 - 2671.

39. Patten F.W., Garney R.M., Hass M. Impurity induced infrared absorption in alkali halide C02-laser windows"//Mat. Res. Bull. - 1971. - V. 6, № 12. - P. 1321 - 1324.

40. Magee T.J., Johnson N.M., Peng J. The effect of illumination on the 10,6 jam absorption coefficient of electron irradiated single crystal KC1 // Phys. Status Solidi A. - 1976. - V. 33, № 1. - P. 415 - 419.

41. Flannery M., Marburger J. Diffraction theory of absorbing windows // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1974. P 31 -38.

42. Namjoshi K.V., Mitra S.S. Infrared absorption due to multiphonon processes on the transparent regime of solids // Phys. Rev. B. 1974. - V. B9, № 2. - P. 815 - 822.

43. Bendow B., Lipson H.G., Yukon S.P. Multiphonon absorption in highly transparent semiconducting crystals // Phys. Rev. B. 1977. - V. B16, № 6. - P. 2684 - 2693.

44. Hordvik A. Measurement techniques for small absorption coefficients: recent advances // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11. - P. 2827 - 2833.

45. Flannery M., Sparks M. Extrinsic absorption in infrared laser window materials // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. -Washington: NBS Spec. Publ., U.S. Government Printing office, 1977. № 509. - P. 3 - 23.

46. Bennett H.S., Forman R.A. Absorption coefficients of highly transparent solids: photoacoustic theory for cylindrical configurations // Appl. Opt. 1976. - V. 15, № 5. -P. 1313 - 1321.

47. Harrington J.A., Hass M. Temperature dependence of multiphonon absorption // Phys. Rev. Lett. 1973.-V. 31, № 11. - P. 710 - 714.

48. Hass M., Bendow B. Residual absorption in infrared materials // Appl. Opt. 1977. -V. 16, № 11.-P. 2882-2890.

49. Bendow B., Lipson H.G., Yukon S.P. Residual lattice absorption in semiconducting crystals: frequency and temperature dependence // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11.-P. 2909-2913.

50. Duthler C.J., Sparks M. Extrinsic absorption in laser window materials // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1974.-P. 219-226.

51. Hordvik A., Bendow B. Lipson H.G., Skolnik L.H., Brown R.N. Studies of absorption in MID IR laser window materials // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1976. P. 50 - 57.

52. Boyer L.L., Harrington J.A., Hass M., Rosenstock H.B. Multiphonon absorption in ionic crystals // Phys. Rev. B. 1975. - V. B11, № 4. - P. 1665 - 1680.

53. Deutsch T.F. Absorption coefficient of infrared laser window materials // J. Phys. Chem. Solids. 1973. - V. 34, № 12. - P. 2091 - 2104.

54. Deutsch T.F. The 10,6 pm absorption of KC1 // Appl. Phys. Lett. 1974. - V. 25, № 2. - P. 109- 112.

55. Mills D.L., Maradudin A.A. Theory of infrared absorption by in the high frequency wing of their fundamental lattice absorption // Phys. Rev. B. - 1973. - V. B8, № 4. - P. 1617 - 1630.

56. Bendow В., Ying S.C., Yukon S.P. "Theory of multiphonon absorption due to angarmonicity in crystals // Phys. Rev. B. 1973. - V. B8, № 4. - P. 1679- 1689.

57. Hass M., Bendow B. Residual absorption in infrared materials // Appl. Opt. 1977. -V. 16, № 11.-P. 2882-2890.

58. Rosenstock H.B., Gregory D.A., Harrington J.A. Infrared bulk and surface absorption by nearly transparent crystals // Appl. Optics. 1976. - V. 15, № 9. - P. 2075 - 2079.

59. Hass M., Harrington J.A., Gregory D.A., Davisson J.W. Infrared absorption limits of HF and DF laser windows //Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 28, № 10. - P. 610 - 611.

60. Оксман Я.А., Семёнов A.A. Измерение поверхностного ИК-поглощения полупроводниковых кристаллов // Письма в ЖТФ. 1976. - Т. 2, № 4. - С. 165 -169.

61. Крутякова В.П., Оксман Я.А. Измерение поглощения широкозонных полупроводниковых материалов в области 10 мкм по их температурному излучению // ОМП. 1976. - № 4. - С. 65 - 68.

62. Rosenstock Н.В., Hass M., Gregory D.A., Harrington J.A. Analysis of laser calorimetric data // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11. - P. 2837 - 2842.

63. Harrington J.A., Braunstein M., Rudisill J.E. Measuring the infrared absorption in the film coatings // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11. - P. 2843 - 2846.

64. Rockwell D.A., Parks J.H. Theory of acoustic surface-wave detection of radiative absorption // Appl. Phys. 1976. - V. 47, № 7. - P. 2889 - 2897.

65. Rockwell D.A., Parks J.H. Studies of radiative absorption at KC1 surfaces using acoustic techniques // Appl. Phys. 1976. - V. 47, № 9. - P. 4213 - 4216.

66. Miles P.A. Static profile calorimetry of laser materials // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11. - P. 2897-2901.

67. Weil R. Calculation of small optical absorption coefficients from calorimetric data // Appl. Phys. 1970. - V. 41, № 7. - P. 3012 - 3014.

68. Bernai E.G. Heat flow analysis of laser absorption calorimetry // Appl. Opt. 1975. -V. 14, №2.-P. 314-321.

69. Lipson H.G., Skolnik L.H., Stierwalt D.L. Small absorption coefficient measurement by calorimetric and spectral emittance techniques // Appl.Opt. 1974. - Y7 13, № 8. -P. 1741 - 1744.

70. Hass M., Davisson J.V., Rosenstock H.B., Babiskin J. Measurement of very low absorption coefficients by laser calorimetry // Appl.Opt. 1975. - V. 14, № 5. - P. 1128 - 1130.

71. Hordvik A., Skolnik L.H. Photoacoustic measurements of surface and bulk absorption in HF/DF laser window materials // Appl. Optics. 1977. - V. 16, № 11. -P. 2919-2924.

72. Franlce J., Meja P., Reisse G. Photoacoustic characterization of optical laser components for 10,6 pm // in proceedings of symposium Laser Induced Damage in Optical'Materials. Boulder, Colorado, 1994. P. 92 - 100.

73. Bennett H.S., Forman R.A. Photoacoustic spectroscopy: a measurement technique for low absorption coefficients // Appl. Opt. 1977 - V. 16, № 11. - P. 2834 - 2836.

74. Skolnik L.H., Hordvik A., Kahan A. Laser Doppler interferometry for measuring small absorption coefficient // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 23, № 8. - P. 477 - 479.

75. Allen S.D., Rudisill J.E. Bulk and surface calorimetric measurements at CO wavelengths // Appl. Optics. 1977. - V. 16, № 11. - P. 2914 - 2918.

76. Сисакян E.B., Гинзбург М.И., Гришин В.П., Миленин Э.С. Поглощение излучения 10,6 мкм высокочистым германием // ОМП. 1980. - № 7. - С. 29-31.

77. Bishop P.J., Gibson A.F. Absorption coefficient of Ge at 10,6 pm // Appl. Opt. -1973.-V. 12, № 11.-P. 2549 -2550.

78. CopronE.D., Brill O.L. Absorption coefficient as a function of resistance for optical germanium at 10,6 pm // Appl. Opt. 1973. - V. 12, № 3. - P. 569 - 572.

79. Гравель Jl.А., Новиков Ю.Б., Джарашииели Ю.Г. Инфракрасное поглощение полуизолирующего арсенида галлия // ФТП. 1976. - Т. 10, № 12. - С. 2261 -2265.

80. Дарвойт Т.И., Карлова Е.К., Карлов Н.В., Кузьмин Г.П., Лисицкий И.С., Сисакян Е.В. Исследование некоторых свойств кристаллов КРС в 10-микронной, области спектра // Квантовая электроника. 1975. - Т. 2, № 4'. - С. 765 - 772.

81. Lipson H.G. Impurity absorption in CVD ZnSe // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11. -P. 2902 - 2908.

82. Rowe J.M., Harrington J.A. Temperature dependence of surface and bulk absorption in NaCl and KC1 at 10,6 pm // Phys. Rev. B. 1976. - V. В14, № 12. - P. 5442 - 5450.

83. Rowe J.M., Harrington J.A. Extrinsic absorption in KC1 and KBr at C02-laser frequencies // Appl. Phys. 1976. - V. 47, № 11. - P. 4926 - 4929.

84. Lipson H.G., Larkin J.J., Bendow В., Mitra S.S. Molecular-impurity absorption in KC1 for infrared laser windows // J. Electron. Mater. 1975. - V. 4, № 1. - P. 1 - 26.

85. Harrington J.A., Gregory D.A., Otto W.F. Infrared absoiption in chemical laser window materials // Appl. Opt. 1976. - V. 15, № 8. - P. 1953 - 1959.

86. Hass M., Daviss'on J.V., Klein P.H., Bouer L.L. Infrared absorption in low-loss KC1 single crystals near 10,6 pm // Appl. Phys. 1974. - V. 45, № 9. - P. 3959 - 3964.

87. Lipson H.G., Ligor P.A. Round robin on calorimetric measurement of 10,6 pm absorption in KC1 // Elect.-Opt. System. Design. 1978. - № 11. - P. 56 - 62.

88. Спицин В.И., Рябов А.И., Стельмах H.C., Пирогова Г.Н. Влияние радиации на оптические свойства высокоомных монокристаллов Ge, GaAs и ZnSe // Изв. ATI СССР, сер. Неорг. Матер. 1977. - Т. 13, № 1. - С. 27 - 30.

89. Miles Р.А. Temperature dependence of multiphonon absorption in zinc selenide // Appl. Opt. 1977. -V. 16, № 11. - P. 2891 -2896.

90. McGill T.C., Hellwarth R.W., Mangir M., Winston H.W. Infrared absorption in ionic insulators due to multiphonon processes // J. Phys. Chem. Sol. 1973. - № 34. - P. 2105-2115.

91. Pohl D. W., Meir P.F. Multiphonon absorption in NaF // Phys. Rev. Lett. 1974. - V. 32, №2. -P. 58-61.

92. Posen H., Klausutis N., Bruce J., Adamski J.A., Weiner J.R., Kulin S.A. Double-doped alkali halide laser window // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1976. P. 82 - 86.

93. Артюшенко В.Г., Бочкарёв Э.П., Воронина С.А., Главин Г.Г., Голованов В.Ф., Дарвойт Т.И., Дианов Е.И., Кормилицин Ю.В. Кристаллы галогенидов таллия с малыми оптическими потерями // Квантовая электроника. 1980. - Т. 7, № 8. - С. 2037-2039.

94. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. М.: Мир, 1973.-456 с.

95. Зеегер К. Физика полупроводников. Пер. с англ. М.: Мир, 1977. - 615 с.

96. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. Пер. с англ. М.: ИЛ, 1961. — 420 с.

97. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1971.-480 с.

98. Ильин В .В., Клейменов А.С., Первеев А.Ф. Ионная бомбардировка диэлектриков и её применения в оптической технологии // ОМП. 1972. - № 12. -С. 53 - 58.

99. House R.A., Bettis F.R., Guenther А.Н. Efficacy of ion polishing optical surfaces // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 6. - P. 1486 - 1488.

100. Cormer J.I., Collins C.V. Effect of ion beam polishing on alkali-halides laserwindow materials // Mat. Res. Bull. 1974. - V. 9, № 4. - P.l 531 - 1542.

101. Алешин И.В., Александрова Л.В., Бонч-Бруевич A.M. и др. Влияние химической обработки на порог оптического пробоя поверхности стекол // ЖТФ. 1975.-Т. 45, № 1.-С. 200-203.

102. Алексеев В.А., Нарусбек Э.А., Ямпольский В.И. Силовая лазерная оптика // в н-техн. сб. Лазерные и оптические системы. М.: ГНЦ НПО Астрофизика, 1994. - С. 124 - 130.

103. Davisson J.W. Surface finishing of alkali halides // J. Mat Sci. 1974. - № 9. -P. 1701 - 1704.

104. Воробьёв А.А. Центры окраски в щёлочно-галоидных кристаллах. -Томск: издат. ТГУ, 1968. 265 с.

105. Schulman J.H., Compton W.S. Color centers in solids. -New York: Pergamon Press, 1963. 368 p.

106. Apostol I.D., Cojocary E., Griordancscu V., Mihailescu I.N., Nistor L.C., Teodorescu V. Absorption coefficient measurements of KC1 by using a pulsed C02-laser radiation source // Rev. Roum. Phys. 1977. - V. 22, № 8. - P. 881 - 883.

107. Meja P., Reisse G., Franke J. Locally resolved absorption measurements on laser-pulse-damaged NaCl at 10,6 pm // in proceedings of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1994. P. 200 - 207.

108. Бломберген H. Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения // Квантовая электроника. 1974. - Т. 1, № 4. - С. 786 - 805.

109. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Эффективность различных механизмов лазерного разрушения прозрачных твёрдых тел // Квантовая электроника. 2002. - Т. 32, № 7. - С. 623 - 628.

110. Колдунов М.Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Механическое разрушение прозрачных твёрдых тел лазерными импульсами разной длительности. // Квантовая электроника. 2002. - Т. 32, № 4. - С. 335 - 340.

111. Епифанов A.C., Маненков A.A., Прохоров А.М. Теория лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием электромагнитного поля // ЖЭТФ. 1976. - Т. 70, № 2. - С. 728 - 734.

112. Меднис П.М., Файн В.М. Возбуждение лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием импульса света // ЖЭТФ. 1972. - Т. 62, №.2. -С. 812-819.

113. Власов P.A.", Григорьев К.П., Канторович И.И. и др. О механизме ударной ионизации при световом пробое прозрачных диэлектриков // ФТТ. -1973. Т. 15, № 2. - С. 444 - 448.

114. Епифанов A.C. Процесс развития лавинной ионизации в твердых прозрачных диэлектриках под действием импульсов мощного лазерного излучения // ЖЭТФ. 1974. - Т. 67, № 5 (1-1). - С. 1805 - 1817.

115. Захаров С.И. О лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках при интенсивности оптического излучения, близкой к порогу пробоя // ЖЭТФ. -1975. Т. 68, № 6. - С. 2167 - 2176.

116. Епифанов A.C., Маненков A.A., Прохоров А.М. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля // Письма в ЖЭТФ. 1975. - Т. 21, № 8 . - С. 483 - 486.

117. Епифанов A.C., Маненков A.A., Прохоров А.М. Теория лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля // Труды ФИАН. 1978. - Т. 101. - С. 87 - 129.

118. Yablonovitch E. Optical dielectric strength of alkali-halide crystals obtained by laser-induced breakdown // Applied Physics Letters. 1971. - V. 19, № 11. - P. 495 - 497.

119. Горшков Б.Г, Даниленко Ю.К., Епифанов A.C. и др. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов // Препринт ФИАН № 174. -1976.

120. Горшков Б.Г. Исследование механизмов разрушения ионных кристаллов под действием импульсного лазерного излучения наносекундного диапазона // в сб. Труды ФИАН. М.: Наука, 1982. - Т. 137. - С. 81 - 134.

121. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С. и др. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов // ЖЭТФ. 1977. - Т. 72, № 3. - С. 1171-1181.

122. Медведев Ю.А., Метелкин E.B. О влиянии рекомбинационных процессов на развитие лавинной ионизации вещества под действием интенсивного светового излучения // ЖТФ. 1979. - Т. 49, № 2. - С. 323 - 332.

123. Воробьёв А.А., Воробьёв Г.А. Электрический пробой и разрушение твёрдых диэлектриков. М.: Высшая школа, 1966. - 224 с.

124. Zeitz F. On the theory of electron multiplication in crystals // Physical Review. -1949. V. 76, № 9. - P. 1376 - 1393.

125. Дацкевич Н.П., Карлов H.B., Кузьмин Г.П. и др. Оптическая прочность ИК-материалов для импульсных СОг-лазеров при больших пятнах облучения // Краткие сообщения по физике. 1983. - № 6. - С. 3 - 7.

126. Казанцев С.Г. Разработка способов повышения оптической стойкости ИК-материалов и создание окна ввода-вывода излучения мощного широкоапертурного TEA С02 -лазера. // Дис. канд. техн. наук. М.: 1984. - 189 с.

127. Казанцев С.Г. Лазерная стойкость перспективных материалов силовой оптики // Изв. ВУЗов. Физика. 1998. - № 10. - С. 68 - 84.

128. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Маненков А.А. и др. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения ЩГК на длине волны 10,6 мкм // Квантовая электроника. 1981. - Т. 8, № 1. - С. 148 - 154.

129. Горбунов А.В. Исследование процессов воздействия импульсного С02-лазера на ионные кристаллы. // Дис. канд. физ. мат. наук. - Черноголовка, 1984. - 120 с.

130. Алёшин И.В., Анисимов С.И., Бонч-Бруевич A.M., Комолов B.JI. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности // ЖЭТФ. 1976. - Т. 70, № 4, - С. 1214 - 1218.

131. Горбунов А.В. Пространственное и размерное распределение неоднородностей, инициирующих оптический пробой ЩГК на 10,6 мкм // Письма в ЖТФ. 1982. - Т. 8, вып. 13. - С. 792 - 795.

132. Крутикова В.П., Смирнов В.Н. Сопоставление кинетики роста,рассеяния и вспышек свечения в щёлочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения С02-лазера // ЖТФ. 1979. - Т. 49, № 12. - С. 2647 - 2651.

133. Apostol I.D. et al. Studiul comporturii haloge-nurilog alkaline ca materiale pentru componente optice passive ale laserilor cu C02 de putere // Studii si cercedri de fisica. 1978. - V. 30, № 6. - P. 601 - 618.

134. Apostol I.D., Arsenovici L.C., Mihailescu I.N., Popescu I.M. Pulsed C02-laser irradiation of KC1 crystals // Rev. Roum. Phys. 1975. - V. 20, № 7. - P. 655 -659.

135. Apostol I.D., Arsenovici L.C., Mihailescu I.N., Tatu V.S., Teodorescu V.S. Optical microscopy study of damages produced by TEA C02-laser irradiation // Rev. Roum. Phys. 1976. - V. 21, № 7. - P. 671 - 676.

136. Данилейко Ю.К. Статистические закономерности лазерного разрушения оптических материалов с дефектами. // Препринт ФИАН № 55, М. 1989. 25 с.

137. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. и др. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением //ЖЭТФ. 1972. - Т. 63, № 3. - С. 1030 - 1035.

138. Bennett H.S. Inclusion in laser materials // J. Res. Nat. Bur. Stand. 1971. - V. A75, № 4. - P. 247-252.

139. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. О механизме лазерного разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей // Квантовая электроника. 1978. - Т. 5, № 1.-С. 194-195.

140. Косолобов С.Н., Соколовский Р.И., Тюрин Е.Л. Ударный механизм диссипации энергии лазерного излучения в прозрачном диэлектрике, содержащем микровключения и примеси // ЖТФ. 1987. - Т. 48, № 9. - С. 1986 -1987.

141. Данилейко Ю.К., Сидорин А.В. Связь статистики лазерного разрушения твердых прозрачных материалов со статистикой структурных дефектов // Квантовая электроника. 1979. - Т. 6, № 12. - С. 256 - 259.

142. Сидорин А.В. Исследование процессов объёмного разрушения полупроводников под действием импульсного лазерного излучения инфракрасного диапазона: Дис. . .канд. физ. мат. наук, Москва, 1979. - 146 с.

143. Hopper R.W., Uhlman D.R. Mechanism of inclusion damage in laser glass // Appl. Phys. 1970. - V. 41, № 10. - P. 4023 - 4037.

144. Алешин И.В., Анисимов С.И., Бонч-Бруевич A.M. и др. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности // ЖЭТФ. 1976. -Т. 70, №4. -С. 1214- 1224.

145. Blombergen N. Role of cracks pores and absorption inclusions on laser induced damage threshold at surfaces of transparent dielectrics // Appl. Optics. -1973. V. 12, № 4. - P. 661 - 664.

146. Анисимов С.И., Макшанцев Б.И. Роль поглощающих неоднородностей в оптическом пробое прозрачных сред // ФТТ. 1973. - Т. 15, № 4. - С. 1090 -1095.

147. Арбузов В.И., Волынкин В.М., Лунтер С.Г. и др. Крупногабаритные дисковые активные элементы из неодимового фосфатного стекла для мощных высокоэнергетических лазеров // Оптический журнал. 2003. - Т. 70, № 5. - С. 68 -78.

148. Воробьев А.А., Мурашко Л.Т. Образование полостей при пробое ионных кристаллов // ФТТ. 1972. - Т. 14, № 1. - С. 256 - 259.

149. Ковалев В.И. Исследование механизма пробоя на поверхности материалов ИК-оптики под действием излучения импульсного С02-лазера. // в сб. Труды ФИАН. М.: Наука, 1982. - Т. 136. - С. 51 - 117.

150. Ковалёв В.И., Морозов В.В., Файзуллов Ф.С. Возникновение непрозрачности и разрушение оптических материалов под действием импульсного лазера на двуокиси углерода // Квантовая электроника. 1974. - Т. 1, № 10.-С. 2172-2177.

151. Ковалёв В.И., Файзуллов Ф.С. Влияние коротковолнового поглощения на порог объёмного разрушения кристаллов излучением, импульсного С02-лазера // Квантовая электроника. 1977. - Т. 4, № 2. - С. 455 - 457.

152. Ковалёв В.И., Файзуллов Ф.С. Влияние адсорбированной воды на лучевую стойкость элементов ИК-оптики // Квантовая электроника. 1977. - Т. 4, №3.-С. 587 - 595.

153. Ковалёв В.И. Исследование механизма пробоя на поверхности материалов ИК-оптики под действием излучения импульсного С02-лазера. // Автореф. дис. канд. физ. мат. наук, Москва, 1978. - 20 с.

154. Дарвойт Т.И., Ковалёв В.И., Лисицкий И.С., Миронов B.C., Файзуллов Ф.С. Исследование стойкости кристаллов КРС-5 и КРС-6 к воздействию излучения импульсного С02-лазера // Квантовая электроника. -1978. Т. 5, № 5.- С. 1043 1047.

155. Fradin D.W., Bass М. Comparison of laser-induced surface and bulk damage // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 22, № 4. - P. 157 - 159.

156. Crisp M.D., Boling N.L., Dube G. Importance of Frenel reflections in laser surface damage of transparent dielectrics // Appl. Phys. Lett. 1972. - V. 21, № 8. - P. 364 - 366.

157. Crisp M.D. Laser-induced surface damage of transparent dielectrics // IEEE J. Quant. Electron. 1974. - V. QE-10, № 1. - P. 57 - 62.

158. Boling N.L., Crisp M.D., Dube G. Laser-induced surface damage // Appl. Opt.- 1973. V. 12, № 4. - P. 650 - 660.

159. Boling N.L., Dube G., Crisp M.D. Morphological asymmetry in laser damage of transparent dielectric surface // Appl. Phys. Lett. 1972. - V. 21, № 10. - P. 487 -489.

160. Барчуков А.И., Бункин Ф.В., Конов В.И., Любин А.А. Исследование низкопорогового пробоя газов вблизи твёрдых мишеней излучением С02-лазера // ЖЭТФ. 1974. - Т. 66, № 3. - С. 965 - 982.

161. Голубев B.C., Киселевский Л.И., Снопко В.Н. Плазмообразование при прохождении излучения С02-лазера через прозрачные диэлектрики // Квантовая электроника. 1977. - Т. 4, № 10. - С. 2120 - 2124.

162. Конов В.И. Оптический пробой газов вблизи поверхности твёрдых тел // Автореф. дис. .докт. физ. мат. наук, М., 1982.

163. Алиханов А.Н., Бакеев А.А., Васьковский Ю.М., Поташкин М.Н., Ровинский Р.Е., Яковлев В.И. Воздействие лазерного излучения на конструкционные материалы // в н-техн. сб. Лазерные и оптические системы. -М.: ГНЦ НПО Астрофизика, 1994. С. 136 - 156.

164. Финкель В.М. Физика разрушения. М.: Металлургия, 1970. - 376 с.

165. Догадов В.В., Смирнов В.Н. Исследование плазмы оптического пробоя и её воздействия на поверхность кристаллов NaCl и КС1 // ЖТФ. 1977. - Т. 47, № 2.-С. 448 -450.

166. Наумова Н.Н., Пухов A.M., Смирнов В.Н. Растрескивание поверхности ЩГК под действием излучения сильноточного импульсного разряда // ОМП. -1989.-№9.-С. 15 17.

167. Milam D., Bradbury R.A., Picard R.H., Bass M. Method and apparatus for determining the mechanism responsible for laser induced damage // Пат. США, кл. 356-239/G01№21/16/, № 3999865, заявл. 09.12.74, опубл. 28.12.76.

168. Блистанов А.А., Бондаренко B.C., Переломова Н.В., Стрижевская Ф.Н., ,Чкалова В.В., Шаскольская М.П. Акустические кристаллы. Справочник. Под ред. Шаскольской М.П. М.: Наука, 1982. - 632 с.

169. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976. - 376 с.

170. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М.: Наука, 1965. -335 с.

171. Pastor R.C., Pastor А.С. Crystal growth in reactive atmosphere // Mat. Res. Bull. 1975.-V. 10, №2.-P. 117- 124.

172. Allen S.D., Braunstein M., Giuliani C., Wang V. Pulsed C02-laser damagestudies of RAP grown KC1 // proc. of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1974. P. 66 - 75. .

173. Вальковский C.H., Горбунов A.B., Ерофеев B.H. Влияние примесей на свойства ЩГК, используемых в конструкционной оптике ИК-диапазона. // Препринт ИФТТ АН СССР, Черноголовка, 1983. 33 с.

174. Блистанов А.А., Тагиева М.М., Шаскольская М.П. Зависимость напряжения течения ЩГК от концентрации примесей // сб. Дефекты в оптических монокристаллах. Науч. тр. МИСиС. М.: Металлургия, 1976. - № 88.-С. 4- 10.

175. Armington A.F., Rosen Н., Lipson Н. Strengthening of halides for infrared windows // Elect. Mat. 1973. - V. 2, № 2. - P. 127 - 135.

176. Becher P.F., Rice R.W. Strengthening effect in press forged KC1 // Appl. Phys. 1973. - V. 44, № 6. - P. 2915 - 2916.

177. Bowen N.K., Singh R.N., Kulin S.A. Polycrystalline alkali halides // Mat. Res. Bull. 1973. - V.8, № 12. - P. 1389 - 1399.

178. Лапинер Х.З. Моделирование условий разрушения кристаллических окон С02-лазеров и разработка методов повышения их оптической стойкости. // Дис. канд. физ.-мат. наук, Москва, 1987. 236 с.

179. Рогалин В.Е., Шалимова А.В., Шаскольская М.П. Моделирование процессов проскальзывания на границе на бикристаллах хлористого серебра // Известия АН СССР, сер. Физическая. 1976. - Т. 41, № 7. - С. 1537 - 1541.

180. Лисицкий И.С., Толсторожев М.Н., Каневский И.Н., Озерецкий С.Н., Белоусов А.П., Иванычев В.В. Механические свойства монокристаллов КРС-5 и КРС-6 // ОМП. 1976. - № 4. - С. 41 - 44.

181. Young P.A. Thin films for use on sodium chloride components of carbon dioxide lasers // Thin Solid Films. 1970. - V. 6. - P. 423 - 441.

182. Природные алмазы России. Научно-справочное изд. Под ред. Кваскова В .Б. М.: Полярон, 1997. - 304 с.

183. Douglas-Hamilton D., Hoad E.D., Seitz J.R.M. Diamond as a high-power laser window // J. Opt. Soc. Amer. 1974. - V. 64, № 1, - P. 36 - 39.

184. Harris D.C. Diamond optics: status for infrared applications // proc. of third* intern, conf.: Application of diamond films and related materials. 1995. - P. 539 -546.

185. Wild C. CVD diamond for optical windows // Low-pressure synthetic diamond. Berlin, Heidelberg.: Springer Verlag, 1998. - P. 189 - 206.

186. Klein C.A. Diamond windows and domes: flexural strength and thermal shock // Diamond and related materials. 2002. - V. 11. - P: 218 - 227.

187. Smith J.L. Effects of laser flux on GaAs //proc. of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1973. P. 103 - 106.

188. Воздействие лазерного излучения на облучённые образцы и па образцы -свидетели из тех же кристаллов проводилось по- методике, описанной в главе 2.

189. Воздействие лазерного излучения на облучённые образцы и на образцы -свидетели из тех же кристаллов проводилось по методике, описанной в главе 2.

190. Николаев И.В., Коблова М.М. Модуляция оптического излучения на длине волны 10,6 мкм // сб. Квантовая электроника. 1971. - № 2. - С. 57 -64.

191. Технологические лазеры. Справочник в 2-х томах. Под ред. Абельсиитова Г.А. М.: Машиностроение, 1991. - Т. 1. - 431 с. - Т. 2. - 543 с.

192. Петровский Г.Т., Бороздин С.Н., Демиденко В.А. и др. Оптические кристаллы и поликристаллы // Оптический журнал. 1993. - № 11. - С. 77 - 93.

193. Носов В.Б. и др. Устойчивость безкислородных халькогенидных стекол к непрерывному излучению С02-лазеров // ВОТ. 1981. - Серия X. - № 154. -С. 16 - 19.

194. Фирцак Ю.Ю., Баран Н.Ю., Курочкина Т.Н., Тарнай A.A. Диэлектрические покрытия для стабилизации параметров металлических отражателей: Тез. докл. IV Всесоюз. конф.: Оптика лазеров. JI - д, ГОИ, 1983. -С.273 - 274.

195. Панасенко В.В., Гайнутдинов И.С., Залилова Н.Е., Сапелкин В.А., Нурумова B.C. Оптические покрытия для С02-лазеров: Тез. докл. IV Всесоюз. конф.: Оптика лазеров. JI - д, ГОИ, 1983. - С. 275.

196. Волынец Ф.К. Способы изготовления, структура и физико-химические свойства оптической керамики // ОМП. 1973. - № 9. - С. 48-61.

197. Сонин A.C., Василевская A.C. Электрооптические кристаллы. М.: Атомиздат, 1971. - 327 с.

198. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. Кикоина И.К. М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.

199. Plass W., Giesen А., Hügel Н. Temperature dependence of reflectance and transmittance of C02-laser optics // proc. of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1994. P. 186 - 196.

200. Воробьёв A.A. Механические и тепловые свойства щёлочно-галоидных монокристаллов. М.: Высшая школа, 1968. - 269 с.

201. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: Металлургия, 1973. - 496 с.

202. Feldman A.F., Malitson I., Horowitz D., Waxier R.M., Dadge M. Characterization of infrared laser window materials in National Bureau of Standards // proc. of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. Boulder, Colorado, 1974. -P. 141 148.

203. Redinoff M.E., Braunstein M., Statsudd O.M. Refractive indices of infrared materials: 10,6 pm ellipsometer measurements // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11.-P. 2849 -2857.

204. Feldman A., Horowitz D., Waxier R.M. Photoelastic constants of potassium chloride at 10,6 pm // Appl. Opt. 1977. - V. 16, № 11. - P. 2925 - 2930.

205. Можлевский Б.М., Тумпурова В.Ф., Чудновский А.Ф. и др. Теплопроводность фторидов щелочноземельных металлов // ИФЖ. 1976. - Т. 30, № 2. - С. 322 - 327.

206. Klein С.А., Willingham С.В. Elastic properties of chemically vapor-deposited ZnS and ZnSe. // proc. of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. -Washington: NBS Spec. Publ., U.S. Government Printing office, 1985. № 697. - P. 137- 140.

207. Simmons Ed. G., Wang H. Single Crystal Elastic Constants and Calculated aggregate properties: a handbook. -London: M.I.I. Press, 1979. 370 p.

208. Klein C.A. Stress-induced birefringence, critical window orientation and thermal lensing experiments // proc. of symp. Laser Induced Damage in Optical Materials. -Washington: NBS Spec. Publ., U.S. Government Printing office, 1981. -№620.-P. 117- 128.

209. Tsay Y., Bendow В., Mitra S.S. Theory of the temperature derivative of the refractive index in transparent crystals // Phys. Rev. B. 1973. - V. B8, № 6. - P. 2688 - 2696.

210. Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения на вещество. Пер. с англ. М.: Мир, 1974. - 472 с.

211. Райзер Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов. М.: Наука, 1974.-308 с.

212. Зайончковский Н.В., Носов В.Б., Сержантова М.В. Поглощение и лучевая прочность на длине волны 10,6 мкм моно- и поликристаллического ZnSe // ВОТ.-1988. Серия X., № 7. - С. 24 - 30.150 *

213. Hasime H., Massayoshi U., Takashi J., Osamu F., Shichiro M. Photon drag effect in germanium // Jap. J. Appl. Phys. 1972. - V. 11, № 11. - P. 1663 - 1669.

214. Al-Watban F.A., Harrison R.G. Experimental measurements of the spectral responsively of the phonon drag detectors // J. Phys. D: Appl. Phys. 1977. - V. 10. -P.L249-L251.

215. Агафонов В.Г., Валов П.М., Рыбкин Б.С., Ярошецкий И:Д. Фотоприёмники на основе эффекта увлечения светом носителей тока в полупроводниках // ФТП. 1973. - Т. 7, № 12. - С. 2316 - 2325.

216. Ярошецкий И.Д. Некоторые нелинейные и неравновесные явления в полупроводниках при высоких уровнях оптического возбуждения // Автореф. дис.докт. физ. мат. наук, Л - д, 1971.

217. Алимпиев С.С., Валов П.М., Ярошецкий И.Д. Спектральная зависимость фоточувствительности фотоприёмников на эффекте фотонного увлечения // Письма в ЖТФ. 1978. - Т. 4, № 3. - С. 146 - 148.

218. Протокол совместных испытаний приёмников на основе эффекта увлечения носителей тока фононами в полупроводниках, проведённых организациями ЦКБ «Луч» и ЛФТИ им. Иоффе от 19.05.75.

219. Блох Л.С. Практическая номография. М.: Высшая школа, 1971. - 328 с.

220. Румшиский Л.З. Математическая обработка результатов эксперимента. -М.: Наука, 1971.- 192 с.

221. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. Пер. с англ. М.: Мир, 1970. - 384 с.

222. Шейхет Э.Г., Шкот В.Я., Волков В.И. Рентгеновская сканирующая камера для использования эффекта Бормана // Зав. Лаб. 1969. - Т. 35. - С. 370 -371.

223. Мамедов М.Г. Исследование электрического пробоя в полупроводниках. Махачкала, 1967. 154 с.

224. Файнштейн С. М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов, М., Энергия, 1970. 296 с.

225. De Kock. // Phil. Res. Repts., Suppl. -1973. -V. 1. -P. 1.

226. Дицман C.A., Куприянова T.A., Селезнёва M.A. // Неорг. Матер. 1975. -Т. 11. - С. 537.

227. Генкин В.Н., Соустов JI.B., Яхно В.Г. О низкочастотном нелинейном отклике n-Ge в поле излучения СОг-лазера // ФТП. 1975. - Т. 9, № 8. - С.1445 . 1449.

228. Данилейко Ю.К., Маненков A.A., Сидорин A.B. Фотопроводность германия, возбуждаемая излучением импульсного СОг-лазера // ФТП -1978. Т. 12, № Ю. -С. 1938 - 1941.

229. Голубев B.C., Снопко В.Н. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием излучения С02-лазера// ФТТ. 1977. - Т. 19, № 1. - С. 293 - 296.

230. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Исследование природы свечения щёлочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с X = 10,6 мкм // Письма в ЖТФ. 1976. - Т. 2, вып. 24. - С. 1111 - 1113.

231. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Исследование природы свечения поверхности щёлочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с X = 10,6 мкм // Письма в ЖТФ. -1977. Т. 3, вып. 22. - С. 1190 - 1193.

232. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Эмиссия электронов с поверхности кристаллов хлористого натрия под действием импульсов излучения ССЬ-лазера // Письма в ЖТФ. 1978.-Т. 4, вып. 19. - С. 1163 - 1167.

233. Смирнов В.Н., Смирнов Вл.Н. Анализ характера напряжённого состояния прозрачного диэлектрика, обусловленного нагревом поглощающих включений импульсами оптического излучения // ЖТФ. 1978. - Т. 48, № 4. - С. 860- 863.

234. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Свечение щёлочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с X = 10,6 мкм // ЖТФ. -1978. Т. 48, № 4. -С. 844 - 852.

235. Догадов В.В., Смирнов В.И. Воздействие плазмы оптического пробоя на кристаллы NaCl и KCl // ЖТФ. 1976. - Т. 46, № 10. - С. 2225 - 2227.

236. Блистанов A.A., Кугаенко О.М., Тагиева М.М. и др. Разрушение легированных кристаллов под действием импульсного лазерного излучения: Тез. докл. IV Всесоюз. конф. по физике разрушения, Киев. 1980. - Т. 2. - С. 252 - 254.

237. Voszka R., Raksanyi К., Foldvari F. // Krist. Tech. 1976. - V. 8. -P. 1347.

238. Савостьянова М.В.О природе окрашенной каменной соли // Изв. Физ. мат. ин-та им. Стеклова В.А. АН СССР. 1929. - № 3. - С. 169.; Z. Physik. - 1930. - № 64. - С. 262.

239. Йыги Х.Р.-В. Электронно-микроскопическая оценка числа точечных дорадиационных и радиационных дефектов в кристаллах КС1 и КВг высокой степени чистоты // Труды ин-та физики АН Эст. ССР. 1977. - Т. 47. - С. 195 -202.

240. Бауманис Э.А., Плаудис А.Э., Аболиныи Я.Я., Миллере Д.К. Накопление и разрушение F-центров в КС1 и КВг // сб. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1977. - вып. 66. - С. 90 - 102.

241. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Чернов С.А. Процессы генерации и разрушения F-центров в кристалле KCI при импульсном облучении // ФТТ. -1977.-Т. 19, №4.-С. 1198 1199.

242. Cape J.A. Photochemically produced color centers in KCI and KBr // Phys. Rev. 1961. -V. 122, № 1. - P. 18-25.

243. Altukhov V.I., Kvachadze V.G. Phonon scattering on small-radius colloids in KCI crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. - V. 85. - P. 769 - 775.

244. Nierzewski K.D., Todorov Т., Georgiev M. Room temperature F-F' conversion in crystals of various purity and method of coloration // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. - V. 86. - P. 697 - 704.

245. Corradi G., Voszka R., Gomaa I.M. On radiolysis in NaCl at room temperature // Acta Phys. Academ. Scient. Hung. 1975. - V. 38, № 3. - P. 243 - 252.

246. Гегузин Я.Е., Коноиеико В.Г. Дислокационный механизм изменения объёма поры в монокристалле под влиянием всестороннего давления // ФТТ.s 1973. Т. 15, № 12. - С. 3550 - 3557.

247. Подстригач Я. С., Шевчук П.Р., Онуфрик Т.М. Диффузионное залечивание под напряжением дефектов типа упругих сферических макровключений // Физ.-хим. механика материалов. -1975. Т. 11, № 1. - С.19 -24.

248. Кононенко В.Г., Кийбак Б. Исследование начальной стадии формирования дислокационного ансамбля вблизи поры, залечивающейся под давлением // Украинский физический журнал. 1977. - Т. 22, № 10. - С. 1596 -1601.

249. Гегузин Я. Е. Физика спекания. М. Наука, 1967. - 360 с.

250. Косевич A.M., Танатаров JI.B. О возможности образования каверн в твёрдом теле при локальном плавлении // ФТТ. 1960. - Т. 2, № 12. - С.3012 -3016.

251. Лебедева Н.И., Несмелов Н.С. Образование центров свечения в неактивированных щёлочно-галоидных кристаллах в сверхсильных электрических полях // ФТТ. 1972. - Т. 14, № 4. - С. 1282 - 1283.

252. Трибельский М.И. Об установившемся движении волны непрозрачности при оптическом пробое конденсированных прозрачных сред // ФТТ. 1976. - Т. 18, №5.-С. 1347- 1350.

253. Поюровская И.Е., Трибельский М.И. Фишер В.И. О волне ионизации, поддерживаемой мощным лазерным излучением // ЖЭТФ. 1982. - Т. 82, Вып. 6. - С. 1840- 1852.

254. Поюровская И.Е. Структура волны поглощения при оптическом пробое твёрдых прозрачных диэлектриков // ФТТ. 1977. - Т. 19, №10. - С. 2876 - 2878.

255. Айрапетов А.Ш., Дудникова В.Б., Лебедева В.II., Розин K.M. Шаскольская М.П. Распад твердого раствора в системе КС1:РЬ // Неорганические материалы. 1978. - Т. 14, № 6. - С. 1074 - 1078.

256. Горбунов A.B., Классен Н.В. Периодическое повреждение поверхности прозрачных диэлектриков импульсом С02-лазера // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. - № 4. - С. 96 - 99.

257. Gorbunov A.V., Nadgornyi E.M., Val'kovskii S.N. Laser pulse induced dislocation structure in ionic crystals. I. Bulk damage of NaCl // Phys. Stat. Sol.(a). -1981,-V. 66.-P. 53 63.

258. Erofeev V.N., Gorbunov A.V., Val'kovskii S.N. Special features of optical strength change in melt-grown NaCl crystals // Crystal Res. & Technol. 1983. - V. 18, №2. - P. 209-212.

259. Gorbunov A.V., Nadgornyi E.M., Val'kovskii S.N. Laser pulse induced dislocation structure in ionic crystals. II. Surface damage of NaCl and MgO // Phys. Stat. Sol.(a). 1981. - V. 66. - P. 455 - 462.

260. Вальковский C.H., Горбунов A.B., Надгорный Э.М. Дислокационнаягструктура, обусловленная действием лазерного импульса на ионные кристаллы: Препринт ИХФ АН СССР, Черноголовка, 1982. -24с.

261. Смирнов В.Н. Кинетика вспышек свечения, сопровождающих образование микроразрушений в щёлочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов излучения С02 лазера // ЖТФ, 1997, т. 67, №8, С.79 82

262. Shapurko A.V., Kukushkin S.A. The evolution of vacant porosity in alkali halide single crystals // J. of Phys. and Chem. of Solids, 1992, V. 53, P. 841-845.