Влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства наноструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми точками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Балагула Роман Михайлович

• Балагула Роман Михайлович
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Балагула Роман Михайлович

Введение

Глава 1 Взаимодействие излучения инфракрасного диапазона с наноструктурами с квантовыми точками GeSi/Si

1.1 Введение (обзор литературы)

1.2 Описание экспериментальных образцов

1.3 Методика экспериментальных исследований

1.4 Результаты и обсуждение

1.4.1 Внутризонное поглощение

1.4.2 Фотоиндуцированное поглощение

1.4.3 Латеральная фотопроводимость

1.4.4 Фотоиндуцированная фотопроводимость

1.4.5 Динамика фотоиндуцированного поглощения

1.5 Основные результаты первой главы

Глава 2 Взаимодействие излучения инфракрасного диапазона с наноструктурами с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильных электрических полях

2.1 Введение (обзор литературы)

2.2 Описание экспериментальных образцов

2.3 Методика экспериментальных исследований

2.4 Результаты и обсуждение

2.4.1 Туннельно-связанные квантовые ямы в продольном электрическом поле

2.4.1.1 Фотолюминесценция

2.4.1.2 Равновесное поглощение света

2.4.1.3 Модуляция поглощения продольным электрическим полем

2.4.1.4 Показатель преломления

2.4.1.5 Двулучепреломление

2.4.2 Туннельно-связанные квантовые ямы в поперечном электрическом поле

2.4.2.1 Фотолюминесценция

2.4.2.2 Равновесное поглощение света

2.4.2.3 Модуляция поглощения поперечным электрическим полем

2.4.2.4 Показатель преломления

2.5 Основные результаты второй главы

Заключение

Список публикаций автора

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства наноструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми точками»

Введение

Актуальность темы. Оптоэлектронные приборы среднего инфракрасного диапазона имеют перспективы широкого применения в различных областях. Ряд оптоэлектронных приборов с новыми характеристиками может быть создан на базе наноструктур с квантовыми ямами (КЯ) и квантовыми точками (КТ). Работа многих оптоэлектронных приборов, таких как лазеры, детекторы и модуляторы излучения, происходит в неравновесных условиях, создаваемых, например, разогревом носителей заряда электрическим полем или оптическим возбуждением. Исследование оптических свойств наноструктур в таких неравновесных условиях необходимо для разработки оптоэлектронных приборов на новых физических принципах и для понимания физических процессов, протекающих в приборных структурах.

Структуры с квантовыми точками могут быть использованы для создания детекторов и матриц детекторов излучения среднего инфракрасного диапазона, структуры с квантовыми ямами - для разработки быстродействующих модуляторов излучения среднего инфракрасного диапазона, лазеров с частотной модуляцией и других приборов. Изучение неравновесных оптических процессов и свойств наноструктур является необходимым этапом создания приборов на основе этих наноструктур. Отметим, что рассматриваемые в представленной работе оптические свойства наноструктур связаны с внутризонными переходами носителей заряда, что определяет их применимость для создания приборов среднего инфракрасного диапазона.

При разработке детекторов излучения на основе квантовых точек основное внимание традиционно уделяется системам на базе материалов А3В5. Тем не менее, квантовые точки GeSi/Si также представляют значительный интерес, поскольку эта система материалов может быть совместима с существующей хорошо развитой полупроводниковой кремниевой технологией [1]. Важным позитивным (с точки зрения эффективности детекторов излучения) свойством

структур с КТ GeSi/Si является и тот факт, что коэффициент внутризонного поглощения света в этих структурах выше, чем в квантовых точках InAs/GaAs. Помимо практического применения структур с КТ для создания фотоприемников следует отметить привлекательность таких объектов для экспериментального подтверждения фундаментальных основ квантовой теории взаимодействия частиц. Квантовые точки до некоторой степени являются аналогом примесных центров, однако возможность менять количество дырок, локализованных в квантовых точках, путем изменения уровня легирования или межзонной подсветкой позволяет исследовать многочастичные взаимодействия в этих структурах, в том числе применимость к ним обобщенной теоремы Кона [2].

Гетероструктуры с туннельно-связанными ассиметричными квантовыми ямами благодаря возможности перераспределения носителей заряда в реальном пространстве под действием внешних факторов, например, электрического поля, являются хорошей основой для создания как фазовых, так и амплитудных модуляторов лазерного излучения. Выбор системы с туннельно-связанными КЯ GaAs/AlGaAs предполагает возможность встраивания слоев с управляемым показателем преломления в структуру, например, квантово-каскадного лазера, что позволит осуществлять модуляцию частоты излучения и повысить чувствительность приемо-передающих систем по сравнению с модуляцией интенсивности излучения лазера [3]. В туннельно-связанных квантовых ямах в поперечном электрическом поле могут наблюдаться различные физические явления, например, обладающий новыми особенностями квантово-размерный эффект Штарка [4], квантовая интерференция света [5], перераспределение носителей заряда в реальном пространстве, влияющее на оптические свойства наноструктур [6], что также объясняет интерес к изучению электрооптических эффектов в туннельно-связанных КЯ.

Основной целью диссертационной работы является экспериментальное исследование внутризонных оптических явлений в неравновесных условиях в наноструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми

точками, направленное на изучение процессов, протекающих в приборах оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона. В связи с этим решались следующие задачи:

1. Изучение и анализ спектров внутризонного поглощения света и латеральной фотопроводимости структур с квантовыми точками GeSi/Si с разным уровнем легирования в широком температурном и спектральном диапазонах как в равновесных условиях, так и при возбуждении неравновесных носителей заряда внешним излучением.

2. Определение на основе комплексного анализа экспериментальных данных энергетического спектра дырок в квантовых точках GeSi/Si и степени заполнения состояний дырками в разных условиях.

3. Исследование процессов релаксации заселенности состояний носителей заряда в квантовых точках GeSi/Si при оптическом возбуждении неравновесных носителей заряда.

4. Исследование модификации спектров межподзонного поглощения в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при изменении температуры и под действием продольного и поперечного электрического поля.

5. Анализ вклада в модуляцию интенсивности излучения, прошедшего через структуру с квантовыми ямами в электрическом поле, изменения показателя преломления и коэффициента экстинкции. Определение механизмов модуляции.

Научная новизна.

Впервые исследована динамика фотоиндуцированного внутризонного поглощения в структурах с квантовыми точками GeSi/Si, определяемая релаксацией концентрации неравновесных дырок, локализованных в квантовых точках. Экспериментально и теоретически показана возможность термического опустошения квантовых точек GeSi/Si в неравновесных условиях при комнатной температуре. Проведено комплексное исследование поглощения поляризованного света и фотопроводимости в спектральной области внутризонного поглощения в

квантовых точках в широком диапазоне концентраций дырок. Анализ спектров поглощения в терагерцовом диапазоне позволил выявить экспериментальные проявления обобщенной теоремы Кона в системах с КТ GeSi/Si.

Исследовано влияние разогрева носителей заряда в продольном электрическом поле на коэффициент поглощения и показатель преломления в туннельно-связанных КЯ GaAs/AlGaAs. Наблюдалось полное опустошение основного состояния системы туннельно-связанных КЯ GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле.

Практическая значимость.

В работе представлены результаты исследований особенностей заполнения состояний в квантовых точках GeSi/Si носителями заряда в различных условиях, что дает возможность оптимизировать параметры детекторов излучения на основе таких структур. Наблюдавшиеся при относительно невысоких температурах опустошение состояний КТ и температурное гашение внутризонной фотопроводимости важно учитывать при оценке диапазона рабочих температур детекторов. Исследования структур с туннельно-связанными квантовыми ямами в электрическом поле позволяют создать малоинерционные фазовые и амплитудные модуляторы излучения среднего инфракрасного диапазона. В целом, проведенные исследования позволят прогнозировать характеристики приборов, создаваемых на базе изученных структур с КЯ и КТ.

Методология и методы исследования:

При решении поставленных задач положение и заселенность уровней в квантовых точках GeSi/Si изучались путем исследования внутризонных поглощения и фотопроводимости. Перераспределение электронов между квантовыми ямами в паре туннельно-связанных КЯ наблюдалось путем исследования эволюции межподзонного поглощения с температурой и при приложении электрического поля. Исследования оптических свойств наноструктур проводились с использованием вакуумного фурье-спектрометра

Bruker Vertex 80v, установки для исследования фотолюминесценции на базе решеточного монохроматора Horiba Jobin Yvon FHR640 и ПЗС-матрицы. Для исследований при криогенных температурах использовались оптические криостаты, в т.ч. криостат замкнутого цикла. Обработка результатов проводилась в программных пакетах OPUS и Origin.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Внутризонное поглощение поляризованного света в легированных структурах с квантовыми точками GeSi/Si демонстрирует различную зависимость от уровня легирования в средней и дальней инфракрасной областях спектра.

2. Наличие барьера для дырок на гетероинтерфейсе квантовых точек GeSi/Si приводит к экспоненциальному спаду с ростом температуры латеральной внутризонной фотопроводимости и медленной компоненты релаксации фотоиндуцированного поглощения излучения среднего инфракрасного диапазона.

3. Локализация неравновесных дырок в квантовых точках GeSi/Si при наличии потока биполярной диффузии в подложку возможна только при низких температурах.

4. Отсутствие влияния уровня легирования на поглощение света дальнего инфракрасного диапазона в квантовых точках GeSi/Si обусловлено тем, что кулоновское взаимодействие не приводит к сдвигу нижних возбужденных состояний в квантовых точках экстремальной геометрии.

5. Продольное и поперечное электрическое поле индуцирует изменение спектра внутризонного поглощения поляризованного света туннельно-связанными квантовыми ямами в области межподзонных переходов электронов, вызванное перераспределением электронов в реальном пространстве.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на XVIII - XXI Международных Симпозиумах "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2014 - 2017), International Conference on the Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN16,

Medellin, Colombia, 2016), XII и XIII Российских конференциях по физике полупроводников (Ершово, 2015; Екатеринбург, 2017), 22th - 24th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2014 - 2016), 33st International Conference on the Physics of Semiconductors (Beijing, China, 2016).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 статей в ведущих рецензируемых российских и зарубежных научных изданиях и 14 тезисов докладов на российских и международных конференциях. Список публикаций приведен в соответствующем разделе.

Личный вклад автора заключается в проведении экспериментальных исследований, анализе и обсуждении результатов исследований, представлении результатов на конференциях и семинарах, подготовке статей к публикации.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, двух глав, заключения, списка публикаций автора и списка литературы. Объем работы составляет 153 страницы, в том числе 49 рисунков. Список литературы включает 128 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении указана актуальность темы диссертации, определены цели работы, научная новизна и практическая значимость полученных в работе результатов, сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

В первой главе приводятся результаты исследований взаимодействия излучения среднего и дальнего инфракрасного диапазонов со структурами с квантовыми точками GeSi/Si в равновесных условиях и при возбуждении неравновесных носителей заряда непрерывным и импульсным межзонным излучением.

В первой части главы 1 описываются возможные применения структур с квантовыми точками, указываются преимущества структур с квантовыми точками на основе твердого раствора GeSi. Также в этой части кратко описаны результаты

исследований оптических и фотоэлектрических свойств, в том числе поглощения, фотопроводимости, фотолюминесценции структур с КТ российскими и зарубежными научными коллективами. Формулируется задача исследований, описанных в главе 1.

Во второй части главы 1 представлено описание экспериментальных образцов с квантовыми точками GeSi/Si, в том числе методики их роста, формы и размеров КТ, геометрии образцов с КТ для оптических и фотоэлектрических исследований.

Третья часть первой главы посвящена описанию методики экспериментальных исследований равновесного поглощения излучения среднего и дальнего инфракрасного диапазонов в легированных структурах, а также фотоиндуцированного поглощения в нелегированных структурах. Представлены детали эксперимента по исследованию фотоиндуцированной и равновесной фотопроводимости в легированных структурах. Подробно описана методика исследований динамики релаксации фотоиндуцированного поглощения после короткого импульсного фотовозбуждения неравновесных носителей заряда межзонным излучением.

Четвертая часть первой главы диссертации содержит результаты проведенных экспериментальных исследований, их анализ и интерпретацию. Представлены спектры равновесного внутризонного поглощения поляризованного света среднего инфракрасного диапазона в легированных структурах с КТ, демонстрирующие наличие пиков, связанных с межуровневыми переходами для излучения ^-поляризации, и пиков, связанных с переходами с основного и возбужденного уровней размерного квантования в сплошной спектр состояний для излучения ^-поляризации. Наблюдается линейный рост величины поглощения с ростом уровня легирования структур акцепторами. Спектры фотоиндуцированного поглощения в нелегированных структурах в среднем инфракрасном диапазоне демонстрируют наличие аналогичных пиков поглощения, при этом за счет достаточно большой интенсивности накачки

наблюдается более четкое проявление пика поглощения, вызванного переходами дырок из возбужденного состояния.

Спектры равновесного поглощения в терагерцовом диапазоне спектра содержат пик поглощения с энергией около 30 мэВ, связанный с межуровневыми переходами дырок, причем его положение и величина не зависят от уровня легирования. Данный экспериментальный факт был предсказан обобщенной теоремой Кона для квантовых точек с экстремальной геометрией. Насколько известно автору, это первое экспериментальное подтверждение этой теоремы. Независимость поглощения от уровня легирования связана с влиянием многочастичных взаимодействий на положение энергетических уровней и с особенностями распределения равновесных дырок по многочастичным состояниям ансамбля КТ. При этом спектры фотоиндуцированного поглощения терагерцового излучения исходно нелегированных образцов аналогичны спектрам равновесного поглощения легированных образцов. Однако спектры фотоиндуцированного поглощения терагерцового излучения исходно легированных образцов показывают смещение в коротковолновую область благодаря термическому распределению неравновесных дырок по ансамблю КТ за счет неизменности зарядового состояния КТ при одновременном захвате электрона и дырки, и, следовательно, заполнению точек меньшего размера.

Проведен анализ температурной зависимости фотоиндуцированного поглощения света при переходах дырок из основного состояния КТ в сплошной спектр, продемонстрирована возможность термического опустошения основного состояния КТ благодаря высокой плотности состояний в сплошном спектре. Иными словами, нелегированные квантовые точки GeSi на подложке чистого высокоомного кремния не работают как ловушки для фотовозбужденных дырок при температурах выше 200 К благодаря наличию потока биполярной диффузии в подложку. В этой части приводятся и спектры внутризонной фотопроводимости, вызванной излучением, поляризованным вдоль оси роста структуры, и связанной с выбросом дырок из основного состояния КТ в сплошной спектр. Анализ

температурной зависимости фотопроводимости позволил определить величину потенциального барьера для дырок, формирующегося на гетерогранице GeSi/Si:

58 = 71 мэВ. Проведен анализ зависимостей фотоиндуцированной внутризонной

фотопроводимости от уровня межзонной накачки и от температуры. Приводится полученная в результате обобщения экспериментальных результатов энергетическая диаграмма валентной зоны КТ, содержащая 4 наблюдавшихся уровня размерного квантования.

Отдельным пунктом представлены результаты исследования динамики релаксации фотоиндуцированного внутризонного поглощения при разных температурах и уровнях накачки, проведен теоретический анализ кривых релаксации, содержащих быструю и медленную компоненты, которые определяются процессами рекомбинации (прямой и непрямой в реальном пространстве) в квантовой точке и уменьшением концентрации дырок в матрице кремния, соответственно. Полученная экспериментально и теоретически температурная зависимость характерных времен релаксации позволила независимо определить высоту потенциального барьера на гетероинтерфейсе

GeSi/Si (58 = 70 мэВ), хорошо согласующуюся с величиной 58, полученной из

анализа температурной зависимости фотопроводимости, и энергетический зазор между локализованными состояниями электронов на гетероинтерфейсе

(Д8 = 25 мэВ).

Во второй главе приведены результаты экспериментальных исследований влияния электрического поля различных конфигураций на оптические свойства туннельно-связанных КЯ GaAs/AlGaAs в среднем инфракрасном диапазоне спектра.

В первой части второй главы поясняется цель проводимых исследований, кратко описываются эффекты, которые можно наблюдать при приложении электрического поля к структурам с квантовыми ямами, подчеркиваются

преимущества выбора туннельно-связанных КЯ для проведения исследований влияния электрического поля на оптические свойства структуры. Проводится анализ основных работ, посвященных подобным исследованиям как в продольном, так и в поперечном электрическом поле. Описываются работы, посвященные исследованию влияния электрического поля как на межподзонное поглощение, так и на показатель преломления излучения среднего инфракрасного диапазона. Приводятся результаты исследования индуцированного электрическим полем двойного лучепреломления в структурах с квантовыми ямами. Ставится задача исследований, описанных в главе 2.

Во второй части главы 2 описаны исследовавшиеся в работе образцы с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, приведены подробности роста и постростовой обработки этих структур, описана использовавшаяся при исследованиях геометрия образцов. Также эта часть содержит результаты расчета энергетического спектра структур с туннельно-связанными КЯ, проведенного с использованием метода матриц переноса с учетом непараболичности в модели Кейна.

В третьей части второй главы описана применявшаяся в работе методика экспериментальных исследований межзонной фотолюминесценции и ее модуляции продольным электрическим полем, методика изучения равновесного межподзонного поглощения поляризованного излучения среднего инфракрасного диапазона и модуляции межподзонного поглощения приложенным импульсным электрическим полем разных конфигураций, а также методика изучения равновесного и индуцированного электрическим полем двулучепреломления. Подробно описана применявшаяся методика фазовой коррекции фурье-спектров модуляции поглощения.

Первый пункт четвертой части второй главы посвящен исследованию влияния разогрева носителей заряда сильным продольным электрическим полем на спектры межзонной фотолюминесценции и спектры поглощения излучения в туннельно-связанных квантовых ямах.

Представлены спектры фотолюминесценции при разных температурах решетки, полученные для характеризации структур и проверки правильности проведенного расчета энергетического спектра. В продольном электрическом поле исследована модуляция фотолюминесценции, связанная с разогревом носителей заряда и вызванным им перераспределением электронов между уровнями туннельно-связанных КЯ. Проведена оценка степени разогрева носителей заряда, согласно которой при температуре решетки Т = 77 К в поле напряженностью Е = 700 В/см электронная температура составила Те = 105 К.

Продемонстрирована температурная эволюция спектров межподзонного поглощения, свидетельствующая о перераспределении электронов между подзонами размерного квантования. Проведена теоретическая оценка соотношения концентраций на уровнях размерного квантования, результаты которой хорошо согласуются со значениями концентраций электронов, полученными путем анализа экспериментальных данных. Представлены спектры изменения межподзонного поглощения в продольном электрическом поле при температуре Т = 77 К, демонстрирующие уменьшение величины поглощения в области переходов е1-е3 и появление пика, соответствующего переходам электронов с первого возбужденного состояния е2 в состояние е3. Наблюдаемая модификация спектров поглощения вызвана переходами носителей заряда из основного состояния системы КЯ е1 на вышележащие состояния при разогреве носителей заряда под действием продольного электрического поля. Анализ спектров модуляции поглощения позволил определить значение электронной температуры, достигнутое в эксперименте, согласующееся со значением, полученным из анализа модуляции фотолюминесценции продольным электрическим полем.

С использованием соотношения Крамерса-Кронига из спектров межподзонного поглощения света определен спектр показателя преломления, связанного с вкладом межподзонных переходов электронов. Аналогичным

образом проведен расчет изменения показателя преломления в электрическом поле.

Представлены результаты экспериментального исследования равновесного и индуцированного электрическим полем двойного лучепреломления в структурах с туннельно-связанными КЯ путем анализа эллиптичности световой волны, прошедшей через образец, с использованием исчисления Джонса. Полученные спектральные зависимости равновесных и индуцированных полем изменений коэффициента экстинкции и показателя преломления находятся в удовлетворительном согласии с полученными из экспериментальных спектров поглощения величинами.

Наблюдаемые особенности в поглощении света и фотолюминесценции в электрическом поле можно объяснить перераспределением носителей заряда между туннельно-связанными квантовыми ямами и изменением объемного заряда, вызванными разогревом носителей заряда сильным продольным электрическим полем. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о возможности использования структур с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами для фазовой модуляции излучения среднего ИК диапазона благодаря существенному изменению электронного вклада в показатель преломления в сильном продольном электрическом поле вблизи энергии межподзонных переходов

Второй пункт четвертой части второй главы содержит результаты исследования влияния поперечного электрического поля на спектры поглощения излучения в структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами. Представлены спектры фотолюминесценции при разных температурах решетки, полученные для характеризации структур и проверки правильности проведенного расчета энергетического спектра.

Приведены спектры межподзонного поглощения поляризованного излучения среднего инфракрасного диапазона при температурах вплоть до комнатной, связанного с переходами с первого уровня размерного квантования.

Показано, что в структуре при температуре Т = 4,2 К наблюдается полная ионизация примеси, что соответствует металлической стороне перехода Мотта. Красный сдвиг пика межподзонного поглощения, связанного с переходами с первого уровня размерного квантования на третий уровень, объясняется в первую очередь изменением глубины КЯ за счет разной температурной зависимости ширин запрещенной зоны материалов ямы и барьера. Небольшой вклад также вносит изменение деполяризационного сдвига с температурой.

Представлены спектры модуляции межподзонного поглощения поперечным электрическим полем. При приложении напряжения и = 20 В изменение коэффициента поглощения, связанного с переходами электронов с первого уровня размерного квантования на третий уровень, сопоставимо с коэффициентом поглощения в равновесных условиях, то есть наблюдается полное опустошение первого уровня размерного квантования за счет переходов электронов на второй уровень. Такое перераспределение электронов связано с изменением профиля потенциала в поперечном электрическом поле.

С использованием соотношения Крамерса-Кронига из спектров межподзонного поглощения света в электрическом поле определен спектр показателя преломления, связанного с вкладом межподзонных переходов электронов. Величина показателя преломления структуры в электрическом поле изменяется примерно на 10% от полного показателя преломления GaAs на оптическом пути длиной Ь = 6,28 мкм, что говорит о возможности создания эффективного электрооптического модулятора излучения среднего инфракрасного диапазона.

В заключении сформулированы основные результаты работы:

1. Исследованы спектры равновесного и фотоиндуцированного поглощения поляризованного излучения среднего инфракрасного диапазона, а также равновесной и фотоиндуцированной фотопроводимости в структурах с квантовыми точками GeSi/Si. Показано, что для излучения р-поляризации наблюдаемые в этом диапазоне оптические и фотоэлектрические свойства

определяются переходами дырок с основного и возбужденного состояний в квантовой точке в надбарьерные состояния сплошного спектра. Поглощение я-поляризованного света определяется внутризонными переходами дырок между локализованными состояниями в КТ.

2. Получены спектры равновесного и фотоиндуцированного поглощения излучения терагерцового диапазона, демонстрирующие влияние многочастичного взаимодействия дырок и особенностей их распределения по ансамблю КТ на оптические свойства структур с линзообразными КТ GeSi/Si.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Балагула Роман Михайлович, 2017 год

Список литературы

[1] SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics / Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D. N. Lobanov et al. // Semiconductor Science and Technology. — 2010. — Vol. 26, no. 1. — P. 014029.

[2] Peeters, F.M. Magneto-optics in parabolic quantum dots / F.M. Peeters // Physical Review B. — 1990. — Vol. 42, no. 2. — P. 1486.

[3] Luryi, S. Feasibility of an optical frequency modulation system for free-space optical communications / S. Luryi, M. Gouzman // International journal of high speed electronics and systems. — 2006. — Vol. 16, no. 02. — Pp. 559-566.

[4] Efficient infrared electroabsorption with 1 V applied voltage swing using intersubband transitions / P. Holmstrom, P. Jânes, U. Ekenberg, L. Thylén // Applied Physics Letters. — 2008. — Vol. 93, no. 19. —P. 191101.

[5] Quantum interference versus stark intersubband electro-optical modulation in asymmetrical quantum wells / A. Segev, A. Sa'ar, J. Oiknine-Schlesinger, E. Ehrenfreund // Superlattices and microstructures. — 1996. — Vol. 19, no. 1. — Pp. 47-54.

[6] Phase and amplitude modulation based on intersubband transitions in electron transfer double quantum wells / E. Dupont, D. Delacourt, V. Berger et al. // Applied physics letters. — 1993. — Vol. 62, no. 16. — Pp. 1907-1909.

[7] Nanosensors. Wang, Wayne. US Patent App. 11/629; publ. 2005. — P.722.

[8] Ng, J. Improvements of stacked self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures for 1.3 mu m applications / J. Ng, M. Missous // Microelectronics journal. — 2006.

— Vol. 37, no. 12. — Pp. 1446-1450.

[9] Wavelength controlled InAs/InP quantum dots for telecom laser applications / S. Anantathanasarn, R. Notzel, P.J. van Veldhoven et al. // Microelectronics journal.

— 2006. — Vol. 37, no. 12. — Pp. 1461-1467.

[10] Midinfrared photoconductivity of Ge/Si self-assembled quantum dots / N. Rappaport, E. Finkman, T. Brunhes et al. // Applied Physics Letters. — 2000. — Vol. 77, no. 20. — Pp. 3224-3226.

[11] Band-edge alignment of SiGe/Si quantum wells and SiGe/Si self-assembled islands / M. El. Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman, P. Boucaud // Physical Review B. — 2006.

— Vol. 73, no. 19. — P. 195327.

[12] Фотолюминесценция GeSi/Si (001) самоорганизующихся наноостровков различной формы / Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов и др. // Физика твердого тела. — 2004. — Т.46, №1. — С.63-66.

[13] Room-temperature light emission from a highly strained Si/Ge superlattice / N.D. Zakharov, V.G. Talalaev, P. Werner et al. // Applied physics letters. — 2003. — Vol. 83, no. 15. — Pp. 3084-3086.

[14] Self-assembled Ge nanostructures as field emitters / V.N Tondare, B.I. Birajdar, N. Pradeep et al. // Applied Physics Letters. — 2000. — Vol. 77, no. 15. — Pp. 23942396.

[15] Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector / A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, Y. Y. Proskuryakov // Journal of Applied Physics.

— 2001. — Vol. 89, no. 10. — Pp. 5676-5681.

[16] Levine, B.F. Quantum-well infrared photodetectors / B.F. Levine // Journal of applied physics. — 1993. — Vol. 74, no. 8. — Pp. R1-R81.

[17] Lateral intersubband photocurrent spectroscopy on InAs/GaAs quantum dots / L. Chu, A. Zrenner, G. Bohm, G. Abstreiter // Applied Physics Letters. — 2000. — Vol. 76, no. 14. — Pp. 1944-1946.

[18] Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой / А.В. Антонов, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов и др. // Физика и техника полупроводников. — 2012. — Т.46, №11. — С. 1444-1447.

[19] Intraband spectroscopy of excited quantum dot levels by measuring photoinduced currents / B. Eichenberg, S. Dobmann, H. Wunderlich et al. // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 2011. — Vol. 43, no. 6. — Pp. 11621165.

[20] Room temperature demonstration of GaN/AlN quantum dot intraband infrared photodetector at fiber-optics communication wavelength / A.Vardi, N. Akopian, G. Bahira et al. // Applied physics letters. — 2006. — Vol. 88, no. 14. — P. 143101.

[21] Normal incidence infrared photoconductivity in Si pin-diode with embedded Ge self-assembled quantum dots / A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Y. Y. Proskuryakov et al. // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75, no. 10. — Pp. 1413-1415.

[22] Giant mesoscopic photoconductance fluctuations in Ge/Si quantum dot system / N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii et al. // Applied physics letters. — 2011. — Vol. 98, no. 14. — P. 142101.

[23] Талочкин А.Б. Спектр электрон-дырочных состяний структуры Si/Ge с квантовыми точками Ge / А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин // Журнад экспериментальной и технической физики. — 2011. — Т. 140, № 3. — С.583-589.

[24] Talochkin, A.B. An electron-hole spectrum of Ge/Si structures with Ge quantum dots: photoconductivity measurements / A.B. Talochkin, I.B. Chistokhin, V.A. Markov // Nanotechnology. — 2009. — Vol. 20, no. 17. — P. 175401.

[25] Lateral photoconductivity and bound states of self-assembled ge/si quantum dots / S.W. Lee, T.G. Kim, K. Hirakawa et al. // Nanotechnology. — 2007. — Vol. 18, no. 10. — P. 105403.

[26] Effect of overgrowth temperature on the mid-infrared response of Ge/Si (001) quantum dots / A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, V.A. Timofeev et al. // Applied Physics Letters. — 2012. — Vol. 100, no. 5. — P. 053507.

[27] Influence of delta-doping on the performance of Ge/Si quantum-dot midinfrared photodetectors / A.I. Yakimov, V.A. Timofeev, A.A. Bloshkin et al. // Journal of Applied Physics. — 2012. — Vol. 112, no. 3. — P. 034511.

[28] Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands / A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, A.A. Bloshkin et al. // Applied Physics Letters. — 2015. — Vol. 106, no. 3. — P. 032104.

[29] Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots / A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister et al. // Applied Physics Letters. — 2015. — Vol. 107, no. 21. — P. 213502.

[30] Intra-valence band photocurrent spectroscopy of self-assembled Ge dots in Si / C. Miesner, O. Rothig, K. Brunner, G. Abstreiter // Applied Physics Letters. — 2000. — Vol. 76, no. 8. — Pp. 1027-1029.

[31] Intraband absorption and photocurrent spectroscopy of self-assembled p-type Si/SiGe quantum dots / T. Fromherz, W. Mac, A. Hesse et al. // Applied physics letters. — 2002. — Vol. 80, no. 12. — Pp. 2093-2095.

[32] Ge/Si (001) heterostructures with dense arrays of Ge quantum dots: morphology, defects, photo-emf spectra and terahertz conductivity / V. A. Yuryev, L. V. Arapkina, M. S. Storozhevykh et al. // Nanoscale research letters. — 2012. — Vol. 7, no. 1. — P. 414.

[33] Photoconductive gain and quantum efficiency of remotely doped Ge/Si quantum dot photodetectors / A.I Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister et al. // Materials Research Express. — 2016. — Vol. 3, no. 10. — P. 105032.

[34] Influence of delta-doping on the hole capture probability in Ge/Si quantum dot mid-infrared photodetectors / A. Yakimov, V. Kirienko, V. Timofeev et al. // Nanoscale research letters. — 2014. — Vol. 9, no. 1. — P. 504.

[35] Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si / А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2017. — Т.105, №.7. — С. 419-423.

[36] Infrared spectroscopy of intraband transitions in self-organized InAs/GaAs quantum dots / S. Sauvage, P. Boucaud, F. H. Julien et al. // Journal of Applied Physics. — 1997. — Vol. 82, no. 7. — Pp. 3396-3401.;

[37] Intraband absorption in n-doped InAs/GaAs quantum dots / S. Sauvage, P. Boucaud, F. H. Julien et al. // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 71, no. 19. — Pp. 2785-2787.

[38] Intraband light absorption in InAs/GaAs quantum dots covered with InGaAs quantum wells / L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin et al. //

Semiconductor Science and Technology. — 2006. — Vol. 21, no. 9. — Pp. 13411347.

[39] Near-and mid-infrared spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum dot structures / V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, A.V. Glukhovskoy et al. // Nanotechnology. — 2001. — Vol. 12, no. 4. — P. 447.

[40] Interband light absorption and Pauli blocking in InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs quantum wells / L.E. Vorobjev, N.K. Fedosov, V.Y. Panevin et al. // Semiconductor science and technology. — 2007. — Vol. 22, no. 7. — P. 814.

[41] Intersubband absorption in boron-doped multiple Ge quantum dots / J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin et al. // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 74, no. 2. — Pp. 185-187.

[42] Observation of intersublevel transitions in modulation-doped Ge quantum dots / J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin et al. // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75, no. 12. — Pp. 1745-1747.

[43] Depolarization shift of the inplane polarized interlevel resonance in a dense array of quantum dots / A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov // Phys. Rev. B. — 2000. —Oct. — Vol. 62, no. 15. — Pp. 9939-9942.

[44] Interlevel optical transitions and many-body effects in a dense array of Ge/Si quantum dots / A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov // Thin Solid Films. — 2000. — Vol. 380, no. 1. — Pp. 82- 85.

[45] Szmulowicz, Frank. Derivation of a general expression for the momentum matrix elements within the envelope-function approximation / Frank Szmulowicz // Physical Review B. — 1995. — Vol. 51, no. 3. —P. 1613.

[46] Interband absorption in charged Ge/Si type-II quantum dots / A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii et al. // Physical review B. — 2001. — Vol. 63, no. 4.

— P. 045312.

[47] Intersubband transitions of boron-doped self-assembled Ge quantum dots / T. Fromherz, W. Mac, C. Miesner et al. // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 2002. — Vol. 13, no. 24. — Pp. 1022 - 1025.

[48] Comparative analysis of photoluminescence and electroluminescence of multilayer structures with self-assembled Ge(Si)/Si (001) island / Y.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev et al. // Semiconductors. — 2008. — Vol. 42, no. 3.

— Pp. 286-290.

[49] Intense photoluminescence from Ge(Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer / A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy et al. // Semiconductor science and technology. — 2006. — Vol. 22, no. 1. — P. S29-S32.

[50] Photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer / M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy et al. // Applied Physics Letters. — 2006. — Vol. 88, no. 1. — P. 011914.

[51] Photoluminescence investigation of strictly ordered Ge dots grown on pit-patterned Si substrates / M. Brehm, M. Grydlik, T. Tayagaki et al. // Nanotechnology. — 2015. — Vol. 26, no. 22. — P. 225202.

[52] Photoluminescence of dome and hut shaped Ge(Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer / M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy et al. // Applied Physics Letters. — 2007. — Vol. 91, no. 2. — P. 021916.

[53] Coexistence of fast and slow luminescence in three-dimensional Si/Si1- xGex nanostructures / B.V. Kamenev, L. Tsybeskov, J-M. Baribeau, D.J. Lockwood // Physical Review B. — 2005. — Vol. 72, no. 19. — P. 193306.

[54] Growth-temperature-dependent band alignment in Si/Ge quantum dots from photoluminescence spectroscopy / M. Larsson, A. Elfving, W-X. Ni et al. // Physical Review B. — 2006. — Vol. 73, no. 19. — P. 195319.

[55] Luminescence decay dynamics of self-assembled germanium islands in silicon / B. Julsgaard, P. Balling, J.L. Hansen et al. // Applied Physics Letters. — 2011. — Vol. 98, no. 9. — P. 093101.

[56] Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy / A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister et al. // Physical Review B. — 2014. — Vol. 90, no. 3. — P. 035430.

[57] Schmidt, O.G. Strain and band-edge alignment in single and multiple layers of self-assembled Ge/Si and GeSi/Si islands / O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Rau // Physical Review B. — 2000. — Vol. 62, no. 24. — P. 16715.

[58] Ge/Si (100) quantum dots grown via a thin Sb layer / A. Tonkikh, N. Zakharov, V. Talalaev, P. Werner // Physica status solidi (RRL)-Rapid Research Letters. — 2010. — Vol. 4, no. 8-9. — Pp. 224-226.

[59] Sb-modified growth of stacked Ge/Si (100) quantum dots / A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, E. Pippel, P. Werner // Thin Solid Films. — 2011. — Vol. 519, no. 11.

— Pp. 3669-3673

[60] Akbar, S. Electron-electron interactions in square quantum dots / S. Akbar, I.-H. Lee // Physical Review B. — 2001. — Vol. 63, no. 16. — P. 165301.

[61] Mendl, C.B. Wigner localization in quantum dots from Kohn-Sham density functional theory without symmetry breaking / C. B. Mendl, F. Malet, P. Gori-Giorgi // Physical Review B. — 2014. — Vol. 89, no. 12. — P. 125106

[62] Jauregui, K. Wigner molecules in nanostructures / K. Jauregui, W. Hausler, B. Kramer // EPL (Europhysics Letters). — 1993. — Vol. 24, no. 7. — P. 581.

[63] Kohn, W. Cyclotron resonance and De Haas-Van Alphen oscillations of an interacting electron gas / W. Kohn // Physical Review. — 1961. — Vol. 123, no. 4.

— P. 1242.

[64] Говоров, А.О. Магнитопоглощение в квантовых точках / А.О. Говоров, А.В. Чаплик // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 1990. — Т.52, №1. — С.681-683.

[65] Maksym, P.A. Quantum dots in a magnetic field: role of electron-electron interactions / P.A. Maksym, T. Chakraborty // Physical review letters. — 1990. — Vol. 65, no. 1. — P. 108.

[66] Hayrapetyan, D.B. On the possibility of implementation of Kohn's theorem in the case of ellipsoidal quantum dots / D.B. Hayrapetyan, E.M. Kazaryan, H.A. Sarkisyan // Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences). — 2013. — Vol. 48, no. 1. — Pp. 32-36.

[67] Hayrapetyan, D.B. Implementation of Kohn's theorem for the ellipsoidal quantum dot in the presence of external magnetic field / D.B. Hayrapetyan, E.M. Kazaryan, H.A. Sarkisyan // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 2016. — Vol. 75. — Pp. 353-357.

[68] Галицкий В.М., Карнаков Б.М., Коган В.И. Задачи по квантовой механике. М.: Наука, 1981. 648 с.

[69] Heterogeneous nucleation of oxygen on silicon: hydroxyl-mediated interdimer coupling on Si (100)-(2x 1) / A. B. Gurevich, B.B. Stefanov, M. K. Weldon et al. // Physical Review B. — 1998. — Vol. 58, no. 20. — P. R13434.

[70] Characterization of low-temperature wafer bonding by infrared spectroscopy / A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller et al. // Journal of Vacuum Science & Technology B: Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. — 2000. — Vol. 18, no. 3. — Pp. 1392-1396.

[71] Temperature dependence of intersublevel absorption in InAs/GaAs self-assembled quantum dots / F. Bras, P. Boucaud, S. Sauvage et al. // Applied physics letters. — 2002. — Vol. 80, no. 24. — Pp. 4620-4622.

[72] (NSM Archive - Physical properties of semiconductors. URL: http://www. ioffe. ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/index.html).

[73] Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy / A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov et al. // Physical Review B. — 2006. — Vol. 73, no. 11. — P. 115333-115340.

[74] Morin, F.J. Electrical properties of silicon containing arsenic and boron / F.J. Morin, J.P. Maita // Physical Review. — 1954. — Vol. 96, no. 1. — P. 28.

[75] Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при различных степенях заполнения состояний точек / М.С. Аникеева, М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов и др. // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета. Физико-математические науки. —2012. — №158. — С.9-15.

[76] Theory of interband Auger recombination in n-type silicon / D.B. Laks, G.F. Neumark, A. Hangleiter, S.T. Pantelides // Physical review letters. — 1988. — Vol. 61, no. 10. — P. 1229.

[77] Type II band alignment in Si1- xGex/Si (001) quantum wells: the ubiquitous type I luminescence results from band bending / M.L.W. Thewalt, D.A. Harrison, C.F. Reinhart et al. // Physical Review Letters. — 1997. — Vol. 79, no. 2. — P. 269.

[78] Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 c.

[79] Recent progress in quantum cascade lasers and applications / C. Gmachl, F. Capasso, D. L. Sivco, A. Y. Cho // Reports on progress in physics. — 2001. — Vol. 64, no. 11. — P. 1533.

[80] Sa 'ar, Amir. Quantum interference, Stark, and carrier density infrared electrooptical modulation based on intersubband transitions in asymmetrical quantum wells / A. Sa'ar, R. Kapon // IEEE journal of quantum electronics. — 1997. — Vol. 33, no. 9. — Pp. 1517-1526.

[81] Holm, D. A. Infrared phase modulators with multiple quantum wells / D. A. Holm, H. F. Taylor // IEEE Journal of Quantum Electronics. — 1989. — Vol. 25, no. 11. — Pp. 2266-2271.

[82] Direct measurement of the intersubband electro-optic coefficient in asymmetric multiple quantum wells / A. Harwit, R. Fernandez, W.D. Eades et al. // Superlattices and microstructures. — 1996. — Vol. 19, no. 1. — Pp. 39-45.

[83] Electroabsorption and retardation due to intersubband transitions in coupled quantum wells / R. Kapon, N. Cohen, A. Sa'ar et al. // Applied physics letters. — 1999. — Vol. 75, no. 11. — Pp. 1583-1585.

[84] Electrically tunable, high performance quantum cascade laser / A. Bismuto, R. Terazzi, M. Beck, J. Faist // Applied Physics Letters. — 2010. — Vol. 96, no. 14. — P. 141105.

[85] Voltage tunability of quantum cascade lasers / Y. Yao, Z. Liu, A. J. Hoffman et al.

// IEEE Journal of Quantum Electronics. — 2009. — Vol. 45, no. 6. — Pp. 730736.

[86] Widely tunable type-II interband cascade laser / S. Suchalkin, M.V. Kisin, S. Luryi et al. // Applied physics letters. — 2006. — Vol. 88, no. 3. — P. 031103.

[87] Electrical modulation of the complex refractive index in mid-infrared quantum cascade lasers / J. Teissier, S. Laurent, C. Manquest et al. // Optics express. —

2012. — Vol. 20, no. 2. — Pp. 1172-1183.

[88] Kisin, M. V. Proposal for electrically tunable quantum-cascade laser / M.V. Kisin, S. Suchalkin, G. Belenky // IEEE Photonics Technology Letters. — 2007. — Vol. 19, no. 6. — Pp. 426-428.

[89] High-speed Stark wavelength tuning of mid-IR interband cascade lasers / S. Suchalkin, M.V. Kisin, S. Luryi et al. // IEEE Photonics Technology Letters. — 2007. — Vol. 19, no. 5/8. — P. 360.

[90] Optically tunable long wavelength infrared quantum cascade laser operated at room temperature / S. Suchalkin, S. Jung, R. Tober et al. // Applied physics letters. —

2013. — Vol. 102, no. 1. — P. 011125.

[91] Hayes R. R. Analog intersatellite communication with frequency-modulated light. Part 1. Noise theory / R.R. Hayes // Applied optics. - 2001. - Vol. 40, no. 35. -Pp. 6445-6465.

[92] Free-space optical transmission of multimedia satellite data streams using mid-infrared quantum cascade lasers / R. Martini, C. Bethea, F. Capasso et al. // Electronics Letters. — 2002. — Vol. 38, no. 4. — Pp. 181-183.

[93] Бычковский, Д.Н. Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре. / Д.Н. Бычковский, Т.П. Воронцова, О.В. Константинов // Физика и Техника Полупроводников. — 1992. — Т.26, №12. — С. 2118-2128.

[94] Stark effect in GaAs/AlxGa1- xAs quantum wells: Light scattering by intersubband transitions / K. Bajema, R. Merlin, F.-Y. Juang et al. // Physical Review B. — 1987. — Vol. 36, no. 2. — Pp. 1300-1302.

[95] Модуляция оптического поглощения квантовых ям GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле / Л.Е. Воробьёв, Е.А. Зибик, Д.А. Фирсов и др. // Физика и Техника Полупроводников. —1998. —Т.32, № 7. — С.849-851.

[96] Kuo, D. M.-T. Intersubband electroabsorption spectra of semiconductor quantum wells / D. M.-T. Kuo, Y.-C. Chang // Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 87, no. 6. — Pp. 2936-2940.

[97] Karunasiri, R.P.G. Tunable infrared modulator and switch using Stark shift in step quantum wells / R.P.G. Karunasiri, Y.J. Mii, K. L. Wang // IEEE electron device letters. — 1990. — Vol. 11, no. 5. — Pp. 227-229.

[98] Room-temperature quantum well infrared modulator using a Schottky diode / V. Berger, N. Vodjdani, D. Delacourt, J.P. Schnell // Applied physics letters. — 1996. — Vol. 68, no. 14. — Pp. 1904-1906.

[99] Triple quantum well electron transfer infrared modulator / V. Berger, E. Dupont, D. Delacourt et al. // Applied physics letters. — 1992. — Vol. 61, no. 17. — Pp. 2072-2074.

[100] Electron transfer infrared modulator (ETIM) / V. Berger, N. Vodjdani, B. Vinter et al. // Intersubband transitions in quantum wells. — Springer. — Luxembourg, 1992. — Pp. 133-140.

[101] A two-dimensional hot electron electro-optic effect in GaAs/(Al,Ga)As multiple quantum wells / E. Towe, D. Sun, L.E. Vorobjev et al. // Superlattices and microstructures. — 1995. — Vol. 17, no. 2. — Pp. 129-133.

[102] Двулучепреломление и поглощение света при межподзонных переходах горячих электронов в квантовых ямах / Л.Е. Воробьёв, И.И. Сайдашев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 1997. — Т.65, №7. — С.525-530.

[103] Межподзонное поглощение света в селективно легированных асимметричных двойных туннельно-связанных квантовых ямах / В.Л. Зерова, В.В. Капаев, Л.Е. Воробьев и др. // Физика и Техника Полупроводников. — 2004. — Т.38, №12. — С. 1455-1462.

[104] Модуляция межподзонного поглощения света в электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах / В.Л. Зерова, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, Э. Тове // Физика и Техника Полупроводников. — 2007. — Т.41, №5. — С.615-624.

[105] Optical phenomena connected with intraband carrier transitions in quantum dots and quantum wells / L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, A.V. Gluhovskoy et al. // Nanotechnology. — 2001. — Vol. 12, no. 4. — P. 462.

[106] Межподзонное поглощение света в гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs / Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов и др. // Физика и Техника Полупроводников. — 2005. — Т.39, №1. — С.49-52.

[107] Shah, J. Spectroscopy of nonequilibrium electrons and phonons, ed. by C.V. Shank, B.P. Zakharchenya. Amsterdam-London-N.Y.-Tokyo: Elsevier, 1992. Ch. 2, pp. 57 - 112.

[108] Carrier heating in quantum wells under optical and current injection of electron-hole pairs / L.E. Vorobjev, M. Y. Vinnichenko, D.A. Firsov et al. // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, no. 11. — Pp. 1402-1405.

[109] Kaufman, D. Anisotropy, birefringence, and optical phase retardation related to intersubband transitions in multiple quantum well structures / D. Kaufman, A. Sa'ar, N. Kuze // Applied physics letters. — 1994. — Vol. 64, no. 19. — Pp. 2543-2545.

[110] Vurgaftman, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan // Journal of applied physics. — 2001. — Vol. 89, no. 17. — P. 5815-5875.

[111] Interband critical points of GaAs and their temperature dependence / P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, M Cardona // Physical Review B. — 1987. — Vol. 35, no. 17. — P. 9174.

[112] Band discontinuity for GaAs/AlGaAs heterojunction determined by c-v profiling technique / M.O. Watanabe, J. Yoshida, M. Mashita et al. // Journal of applied physics. — 1985. — Vol. 57, no. 12. — Pp. 5340-5344.

[113] Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. New York: John Wiley and Sons, 1990. 357 p.

[114] Firsov, D.D. Photomodulation Fourier transform infrared spectroscopy of semiconductor structures: features of phase correction and application of method / D.D. Firsov, O.S. Komkov // Technical Physics Letters. — 2013. — Vol. 39, no. 12. — Pp. 1071-1073.

[115] Крылов А.С., Втюрин А.Н., Герасимова Ю.В. Обработка данных инфракрасной фурье-спектроскопии: Методическое пособие. Красноярск: Институт физики СО РАН, 2005. 48 с.

[116] Mertz, L. Auxiliary computation for Fourier spectrometry / L. Mertz // Infrared Physics. - 1967. - Vol. 7, no. 1. - P. 17-23.

[117] Ярив А., Юх П. Оптические волны в кристаллах. М.: Мир, 1987. 616 с.

[118] Charge-carrier concentration and temperature in quantum wells of laser heterostructures under spontaneous-and stimulated-emission conditions / L.E. Vorob'ev, V.L. Zerova, K.S. Borshchev et al. // Semiconductors. — 2008. — Vol. 42, no. 6. — Pp. 737-745.

[119] Influence of optical interference on quantum well infrared photodetectors in a 45 waveguide geometry / H. Schneider, C. Schonbein, M. Walther et al. // Applied physics letters. — 1999. — Vol. 74, no. 1. — Pp. 16-18.

[120] Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 368 с.

[121] Jones, R.C. A new calculus for the treatment of optical systems, description and Discussion of the Calculus calculus / R. C. Jones // Journal of the Optical Society of America. — 1941. — Vol. 31, no. 7. — Pp. 488-493.

[122] Kyazym-Zade, A. G. Criteria for a Mott transition in two-dimensional lattices/ A.G. Kyazym-Zade // Semiconductors. - 1995. - Vol. 29. - P. 1001.

[123] Origin of the blueshift in the intersubband infrared absorption in GaAs/Al0.3Gao.7As multiple quantum wells / M.O. Manasreh, F. Szmulowicz, T. Vaughan et al. // Physical Review B. — 1991. — Vol. 43, no. 12. — P. 9996.

[124] Temperature dependence of intersubband transitions in InAs/AlSb quantum wells / D.C. Larrabee, G.A. Khodaparast, J. Kono et al. // Applied physics letters. — 2003. — Vol. 83, no. 19. — Pp. 3936-3938.

[125] Liu H.C., Capasso F. Intersubband Transitions in Quantum Wells: Physics and Device Applications. New York: Academic Press, 1999. 309 p.

[126] Heberle, A.P. Tunneling through single AlGaAs barriers / A.P. Heberle, W.W. Ruhle, K. Kohler // Physica status solidi (b). — 1992. — Vol. 173, no. 1. — Pp. 381-388.

[127] Nonthermal occupation of higher subbands in semiconductor superlattices via sequential resonant tunneling / H.T. Grahn, H. Schneider, W.W. Ruhle et al. // Physical review letters. — 1990. — Vol. 64, no. 20. — P. 2426.

[128] Blakemore, J. S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide / J.S. Blakemore // Journal of Applied Physics. - 1982. - Vol. 53, no. 10. -Pp. R123-R181.