Управление спектральными и временными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.21, кандидат наук Сироткин, Анатолий Андреевич

• Сироткин, Анатолий Андреевич
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Сироткин, Анатолий Андреевич

Оглавление

Введение

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Твердотельные лазеры на кристаллах ванадатов с полупроводниковой накачкой

1.2. Лазерные среды на основе кристаллов ванадатов. Ортованадаты редкоземельных элементов: кристаллохимия и структура соединений

1.3.Физико-химические свойства кристаллов ванадата

1.4. Спектроскопические параметры кристаллов ванадатов

1.4.1. Спектры поглощения кристаллов ванадатов

1.4.2. Спектры люминесценции кристаллов ванадатов

1.4.3 Спектральные и генерационные характеристики смешанных ванадатов

1.5. Нелинейные параметры кристаллов ванадатов

1.5.1 ВКР лазеры на кристаллах ванадатов

1.5.2 Керровская нелинейность

1.6. Двухчастотные лазеры

1.7. Методы управления временными параметрами лазеров

1.8. Медицинские приложения

Выводы к Главе 1

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-УГЛОВЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ ВАНАДАТОВ Ш3+:УУ04, Ш3+:0ёУ04, Ш3+:С(11.ХУХУ04 И Ш3+:8с,.хУхУ04 НА ПЕРЕХОДАХ

4Ез/2-41П/2 И 4РЗ/2-4 19/2

2.1. Поляризационно- угловые спектральных параметры кристаллов ванадатов на переходах 4Рз/2-41ц/2 иона неодима

2.2. Методы формирования новых активных сред лазеров на основе кристаллов ванадатов

2.3.1. Методы формирования новых активных сред лазеров на комбинации разнотипных кристаллов ванадатов

2.3.2. Методы формирования новых активных сред лазеров на кристаллах смешанных ванадатов

2.4 Перестройка частоты лазеров на кристаллах ванадатов

2.4.1. Лазерная генерация на кристаллах ванадатов, вырезанных вдоль оси а для а - поляризации излучения

2.4.2. Лазерная генерация на кристаллах ванадатов, вырезанных вдоль оси с

2.4.3. Лазеры на кристаллах ванадатов, вырезанного под углом (0 = var, ф=0)

2.5. Лазеры с диодной накачкой на основе кристалла Nd:GdV04

2.6. Высокоэффективные лазеры на кристаллах смешанных ванадатов Nd:Gd 1-xYx VO4 с диодной накачкой

2.6.1. Лазерная генерация на кристаллах смешанных ванадатов Nd:Gdi.xYxV04 на переходах 4F3/2-4l9/2

2.6.2. Лазерная генерация на переходах ^т-^-хт

2.7. Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

л |

2.8. Кристаллы смешанного иттрий-скандиевого YxSci.xV04:Nd ванадата

Выводы к Главе 2

ГЛАВА 3. ДВУХЧАСТОТНАЯ ГЕНЕРАЦИЯ ДЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ

3.1. Методы получения двухчастотной генерации излучения с использованием кристаллов ванадатов

3.1.1. Исследования двухчастотной генерации излучения с внесением дополнительных спектральноселективных потерь

3.1.2. Исследования двухчастотной генерации излучения с управлением усилением активной среды

3.1.3 Исследования двухчастотной генерации с поляризационным разделением излучения

3.2. Двухчастотные лазеры с взаимно ортогональной и параллельной поляризацией излучения в непрерывном, нано- и пикосекундными режимах лазерной генерации

3.2.1.Исследование непрерывной двухчастотной генерации в кристаллах ванадатов

3.2.2.Пассивный и активной режимы модуляции добротности двухчастотных лазеров

3.2.3. Комбинированный режим работы двухчастотных лазеров с активной синхронизацией мод

3.3. Усилитель двухчастотных импульсов с взаимно ортогональной и параллельной поляризацией излучения на основе кристаллов ванадатов

3.3.1 Усилитель с продольной накачкой

3.3.2 Усилитель на слэбе скользящего падения с поперечной накачкой

3.4. Генерация терагерцового THz излучения с использованием разностной частоты двухчастотного лазера в нелинейных кристаллах GaSe

3.5 Выводы к Главе 3

Глава 4. УПРАВЛЕНИЕ ВРЕМЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ЛАЗЕРОВ НА КРИСТАЛЛАХ ВАНАДАТОВ

4.1. Исследования нелинейно-оптические свойства полимерных пленок, содержащих одностенные углеродные нанотрубки

4.1.1 Спектры поглощения нанотрубок

4.1.2 Исследование насыщения поглощения в нанотрубках методом фемтосекундной лазерной спектроскопии «возбуждения-зондирования»

4.2. Пассивная синхронизации мод в твердотельных лазерах на кристаллах ванадатов с насыщающимися поглотителями на основе нанотрубок

4.3. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gdo.7Y0.3V04 лазере с диодной, накачкой

4.4. Режим пассивной синхронизации мод с помощью стекол с квантовыми точками PbS

4.4.1 Модуляция добротности на кристаллах ванадатов с пассивной синхронизацией мод с помощью стекол с квантовыми точками PbS

4.4.2 Пикосекундный лазер на кристаллах ванадатов с пассивной синхронизацией мод с помощью стекол с квантовыми точками PbS

4.5 Фемтосекундный лазер на кристаллах ванадатов

4.6. Выводы к Главе 4

Глава 5. ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ ВАНАДАТОВ С ПАССИВНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ДОБРОТНОСТИ НА ЗАТВОРАХ Cr4+:YAG И V3+:YAG. МЕДИЦИНСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ

5.1. Исследования генерационных свойств активных сред на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси а для о - поляризации излучения

5.2. Пассивная модуляция добротности лазеров на на основе композитных кристаллов ванадатов Nd:YV04 - YV04, вырезанных вдоль оси а, для g - поляризации

5.3. Nd3 +: GdV04 -лазер на основе кристаллов, вырезанных под углом (0= 25 ф = 0) с пассивной модуляцией добротности с затворами Cr4+:YAG

5.4. Лазер с ВКР самопреобразованием на композитных кристаллах иттриевого Nd:YV04, гадолиниевого Nd:GdV04 в режиме модуляцией добротности на пассивном затворе Cr4+:YAG

5.4.1 Исследования ВКР лазера на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси а для а- поляризации

5.4.2 Исследования ВКР лазера на основе кристаллов ванадатов, вырезанных, под углом (0 = 25 ф = 0), в режиме пассивной модуляции добротности с затворами Cr4+:YAG

5.5 Многоволновая лазерная установка бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний на основе композитных кристаллов Nd:YV04 - YV04 ванадатов

5.5.1. Nd3 YV04 - YV04- лазер на основе композитных кристаллов, вырезанных под углом (0= 25 ф = 0) с пассивной модуляцией добротности с затворами Cr4+:YAG

5.5.2. Преобразование частоты лазеров на основе на основе композитных кристаллов ванадатов Nd:YV04 - YV04, вырезанных вдоль оси а, для g - поляризации

5.5.3. Системы генератор-усилитель на основе на основе кристаллов ванадатов

5.7. Лазерная медицинская установка на основе на основе композитных кристаллов ванадатов Nd:YV04 - YV04

5.8. Выводы к главе 5

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

Заключение

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ источников

251

АББРЕВИАТУРЫ, использованные в тексте диссертации:

ВКР - вынужденное комбинационное рассеяние

ИК - инфракрасный

УФ - ультрафиолетовый

YAG - иттрий алюминиевый гранат

FWHM - полная ширина на полувысоте

УКИ - ультракороткие импульсы

АОМ - акустооптический модулятор

СМ - режим синхронизации мод

KJICM - синхронизация мод на керровской нелинейности ФП - эталон Фабри-Перо

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Управление спектральными и временными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов»

Введение

Актуальность работы. Разработка высокоэффективных твердотельных лазеров нового поколения, расширение их функциональных возможностей и методов управления режимами их генерации позволяет обеспечить прогресс в развитии оптической связи, навигационных систем, лазерной медицины, биотехнологий, мониторинга окружающей среды и в других направлениях. Развитие современной лазерной физики для решения многих научных и практических задач требует разработки и создания полностью твердотельных, компактных, высокоэффективных источников лазерного излучения, работающих в новых спектральных диапазонах в непрерывном и импульсных (нано-, пико- и фемтосекундных) режимах. Поэтому разработка новых подходов к созданию источников когерентного лазерного излучения, поиск новых активных лазерных сред, получение генерации на новых длинах волн с использованием уже известных лазерных материалов, создание новых матриц, активированных традиционными ионами редкоземельных элементов, является актуальной задачей современной лазерной физики, как с научной, так и с практической точки зрения.

Основной прогресс в создании эффективных полностью твердотельных лазерных систем в новых спектральных областях связан с использованием диодной накачки.

Кристаллы ванадатов Ш3+:УУ04 , Ш3+:Сс1У04, Ш3+:ЬиУ04, Ш3+:ЬаУ04, и смешенных ванадатов типа N(1 :Сс11.хУхУ04 и N<1 :8с1_хУхУ04 - лучшие материалы для создания лазеров с диодной накачкой. Они обладают большими сечениями поглощения и вынужденного излучения, широкими линиями поглощения излучения накачки. Кристаллы ванадатов являются хорошими ВКР преобразователями, обладают высокими значениями двулучепреломления и нелинейными (керровскими) коэффициентами. Сочетание спектральных, нелинейных и механических свойств этих кристаллов приводит к высокой эффективности лазеров, работающих в непрерывном и импульсном режимах. Анизотропия кристаллической решётки ванадатов позволяет получать поляризованное излучение, а высокая

теплопроводность способствует лучшему охлаждению активной среды. Преобразование длины волны излучения путем параметрической генерации, ВКР преобразований, генерации гармоник, а также суммарных и разностных частот позволяет использовать уже имеющиеся источники лазерного излучения для расширения спектрального диапазона.

Большинство известных работ посвящено использованию кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси а для я- поляризации (ЕII с) лазерного излучения поскольку в этом случае наблюдается наибольшее усиление. На основе таких кристаллов ванадатов реализовано большое количество лазерных систем с рекордными энергетическими параметрами.

С другой стороны, большое сечение вынужденного излучения для ж-поляризации является серьёзным недостатком для работы в режиме пассивной модуляции добротности с широко используемыми насыщающимися поглотителями на кристаллах Сг4+:УАО и У3+:УАО. Высокое усиление активной среды в этом случае ограничивает накопление инверсии, что приводит к малой энергии генерируемого импульса и низкой пиковой мощности.

Широкое использование анизотропных свойств ванадатов требует уточнения их спектральных свойств. Приводимые в литературе спектры люминесценции для кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси а, на переходе 4Р3/2-41|1/2 для а -поляризации значительно отличаются друг от друга. Характерной особенностью многих из них является положение абсолютных максимумов в спектрах люминесценции на переходе 4Рз/2~41ц/2 для л- и о-поляризаций. Различие свойств кристаллов ванадатов вдоль разных кристаллографических осей позволяет при необходимости выбирать направления, вдоль которых изменяются сечения усиления. Однако детальных исследований поляризационно-угловых зависимостей усиления на различных участках спектра проведено не было.

Экспериментальные исследования поляризационно-угловых спектральных

3+ 3+ 3+

параметров кристаллов ванадатов N(1 :УУ04, N(1 :СёУ04, N(1 :0с11_хУхУ04 и №3+:8с1.хУхУ04 на переходах 4Рз/2-41ц/2 и 4Р3/2—41д/2 в зависимости от направления регистрации по отношению к кристаллографическим осям, использование этих

зависимостей для создания на их основе новых активных сред является актуальной задачей как с точки зрения расширения фундаментальных представлений о динамике излучения в кристаллической решетке кристаллов ванадатов, так и с точки зрения создания новых источников лазерного излучения с расширенными спектральными и временными возможностями.

Целью диссертационной работы являлось исследование поляризационно-угловых зависимостей спектральных параметров в кристаллах ванадатов на переходах 4Р3/2-41ц/2 и ^ж-Ьп ионов неодима, разработка методики создания высокоэффективных активных сред на их основе, исследование процессов управления временными параметрами для получения лазерного излучения в различных спектральных диапазонах в непрерывном и импульсных режимах.

В рамках этого направления решаются следующие основные задачи:

1. Исследование поляризационно-угловых спектральных параметров кристаллов ванадатов Ш3+:УУ04, Ш3+:0ёУ04 и Ш3+:ЬиУ04 на переходах 4Р3/2-41п/2 и 4Р3/2-419/2 ионов неодима в зависимости от направления регистрации по отношению к кристаллографическим осям.

2. Исследование поляризационно-угловых спектральных параметров

Л I О I

кристаллов смешанных ванадатов N(1 :0с11_хУхУ04 и N<1 :8с1_хУхУ04 на переходах 4Р3/2—4111/2 и 4Р3/2-419/2 ионов неодима в зависимости от направления регистрации по отношению к кристаллографическим осям.

3. Создание методик формирования высокоэффективных активных сред на основе поляризационно-угловых спектров люминесценции кристаллов ванадатов и смешанных ванадатов. Исследование влияние расщепления уровней ионов неодима на форму спектров люминесценции смешанных ванадатов. Управление коэффициентами усиления и длинами волны генерации для различных направлений среза кристаллов.

4. Разработка методик получения двухчастотной генерации лазеров на кристаллах ванадатов Ш3+:УУ04, Ш3+:0с1У04, Ыс13+:0с11.хУхУ04 и Ш3+:8с,.хУхУ04 с взаимно параллельной и ортогональной поляризацией излучения.

5. Получение терагерцового THz излучения с использованием разностной частоты двухчастотного лазера в нано- и пикосекундными режимах лазерной генерации в нелинейных кристаллах GaSe.

6. Исследование генерационных и спектральных параметров лазеров на кристаллах ванадатов Nd3+:YV04, Nd3+:GdV04 и Nd3+:LuV04 и смешанных ванадатов Nd3+:Gdi.xYxV04 и Nd3+:Sci.xYxV04 на переходах 4F3/2—4Ii 1/2 и 4F3/2—4l9/2 ионов неодима с управлением длиной волны генерации.

7. Исследование поляризационных зависимостей генерации Nd3+:YV04, Nd3+:GdV04, Nd3+:Gd].xYxV04 и Nd3+:Sci_xYxV04 лазеров в режиме пассивной модуляции с затворами на кристаллах Cr4+:YAG и V3+:YAG.

8. Создание лазеров высокой пиковой мощности на базе композитных кристаллов Nd:YV04 -YV04 с пассивной модуляцией добротности для о-поляризации (Е 1 с) излучения и для кристаллов под различными углами среза в режиме пассивной модуляции с затворами Cr4+:YAG и V3+:YAG.

9. Реализация высокоэффективных лазеров с ВКР самопреобразованием на кристаллах ванадатов в режиме пассивной модуляции с затворами Cr4+:YAG и V3+:YAG.

10. Исследование нелинейных параметров одностенных углеродных нанотрубок, стекол с квантовыми точками PbS и Керровской нелинейности для пикосекундной генерации Nd3+:YV04, Nd3+:GdV04, Nd3+:Gdi_xYxV04 и Nd3+:Sc1.xYxV04 лазеров в режиме пассивной и гибридной синхронизации мод.

11. Оптимизация формы спектров люминесценции для работы фемтосекундного лазера на основе композитного кристалла иттриевого ванадата Nd:YV04-YV04 с полупроводниковым зеркалом SESAM.

12. Создание многоволновой лазерной установки бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний на основе композитных кристаллов Nd:YV04 - YV04 ванадатов, вырезанных вдоль оси а, для g- поляризации и для кристаллов под различными углами среза 0 = 25°, <р = 0 в режиме модуляцией добротности на пассивном затворе Cr4+:YAG.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Впервые проведены экспериментальные исследования поляризационно-угловых зависимостей спектральных параметров кристаллов ванадатов N<1 :УУ04, Ш3+:0с1У04 и смешанных ванадатов Ш3+:С<11.ХУХУ04 и Ш3+:8с1_хУхУ04 при комнатной и криогенной (азотной) температурах. Показано, что спектры люминесценции ионов Ш3+ на переходе 4Рз/2-41ц/2 в кристаллах ванадатов имеют ярко выраженные угловые зависимости от направления регистрации и поляризации по отношению к кристаллографическим осям.

Установлена поляризационная зависимость излучения Штарковских уровней в спектрах люминесценции ионов №3+ на переходе 4Рз/2_41ц/2 в кристаллах ванадатов. Показано, что штарковские переходы излучаются в ортогональных поляризациях.

Впервые показано, что использование поляризационно-угловых зависимостей спектров люминесценции позволяет управлять формой спектров люминесценции, коэффициентами усиления лазеров на основе кристаллов ванадатов, длиной волны генерации и поляризацией излучения.

Предложены способы оптимизации формы широких равномерных спектров люминесценции для пико- и фемтосекундных лазеров, а также и для перестройки длины волны излучения.

Экспериментально продемонстрировано, что расщепление верхнего 4Р3/2 и нижних 41ц/2 и 419/2 уровней^иона неодима в смешанных ванадатах (Ш3+:Сё1_хУх или Кё3+:8С|.ХУХ) зависит от соотношений концентраций У, Сё и Бс. Изменение соотношения (Ос11.хУх или 8С]_ХУХ) с использованием угловых зависимостей обеспечивает контролируемую трансформацию контура усиления. При этом в смешанных ванадатах меняются форма спектра и длины волн люминесценции как для ж- так и для а- поляризации.

Впервые предложено и реализовано использование активной среды на основе комбинации двух кристаллов (Ъ1с13+:УУ04+ Кё3+:вё,_х Ух У04) и (ТЫ(13+:0(11.ХУХУ04 и Ыё3+:8с1.хУхУ04), откорректированных по угловым зависимостям, с целью получения максимально широких линий с формой близкой к прямоугольной для фемтосекундных приложений.

Впервые исследованы генерационные и спектральные параметры лазеров на кристаллах смешанных ванадатов Ш3+:0(11_хУхУ04 и Ыё3+:8с1_хУхУ04 на переходах 4Рз/2-41ц/2 и 4Р3/2-419/2 ионов неодима, работающие по четырёх- и квазитрёхуровневой схемам с управлением формы спектра люминесценции и длиной волны генерации.

Исследованы способы получения двухчастотной генерации для кристаллов иттриевого Ш:УУ04, гадолиниевого Ш:СёУ04 и смешанных Ш:6(1о.7Уо.зУ04 и Кс1:8с1_хУхУ04 ванадатов с использованием методик: а) внесение дополнительных спектральноселективных потерь; б) управление усилением активной среды и в) поляризационное разделение излучения.

Получены двухчастотные режимы генерации с взаимно ортогональной и параллельной поляризацией излучения в непрерывном и импульсных режимах, с модуляцией добротности и синхронизацией мод.

Предложены и реализованы схемы усилителей двухчастотных импульсов с взаимно ортогональной и параллельной поляризацией на основе кристаллов ванадатов.

Получена генерация терагерцового ТНг излучения с использованием разностной частоты двухчастотного лазера в нелинейных кристаллах СаБе для нано-и пикосекундного режимов лазерной генерации.

Исследованы поляризационные зависимости генерации 1Чс1:УУ04, N(1:0(11. хУхУ04 и Кс1:8с1_хУхУ04 лазеров в режиме пассивной модуляции с затворами Сг4+:УАО и У3+:УАО. Показано, что наилучшие характеристики достигнуты для лазера с использованием а - поляризации.

Впервые предложены методы управления усилением активной среды и продемонстрирована эффективная работа лазера на основе кристаллов ванадатов (Ш3 +:УУ04 , Ш3 +:0сГУ04 ), вырезанных под углами (0= 25 ф = 0), с пассивной модуляцией добротности с затворами и У3+:УАО. Показано, что данные

лазеры работают на длинах волн, которые совпадают с длиной волны в к-поляризации, где усиление в среде максимально. Это позволяет создавать эффективные системы генератор-усилитель для дальнейшего нелинейного преобразования частоты.

Предложены подходы к получению эффективного ВКР самопреобразования на кристаллах иттриевого Nd:YV04, гадолиниевого Nd:GdV04 ванадатов, вырезанных вдоль оси а, для а - поляризации и для кристаллов под различными углами среза в режиме модуляции добротности на пассивном затворе Cr4+:YAG.

Методом спектроскопии «возбуждения-зондирования» («pump-probe») с фемтосекундным временным разрешением определены характерные времена релаксации и величина кубической нелинейности в полимерных пленках, содержащих одностенные углеродные нанотрубки.

Реализованы режимы пассивной и гибридной синхронизации мод с помощью полимерных пленок с одностенными углеродными нанотрубками, стекол с квантовыми точками PbS и керровской нелинейности для пикосекундной генерации Nd3+:YV04, Nd3+:GdV04, Nd3+:Gd1.xYxV04 и Nd3+:Sc,.xYxV04^a3epoB.

На основе поляризационно-угловых зависимостей спектральных параметров оптимизирована форма спектра люминесценции кристаллов иттриевого ванадата для получения лазерной генерации с фемтосекундной длительностью импульсов.

В качестве практического приложения результатов исследований создана многоволновая (работающая в инфракрасном, видимом и ультрафиолетовом диапазонах длин волн) лазерная установка бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний на основе композитных кристаллов иттриевого Nd:YV04 - YV04 ванадата в режиме модуляции добротности на пассивном затворе Cr4+:YAG.

Научная и практическая значимость работы:

Установленные поляризационно-угловые зависимости спектральных параметров в кристаллах ванадатов на переходах 4Рз/2-41ц/2 и 4F3/2—41э/2 ионов неодима открывают новые возможности в разработке методов создания высокоэффективных активных сред и новых лазерных систем для получения лазерного излучения с управляемыми параметрами на их основе и расширения спектра их практического применения. Настоящие исследования позволяют использовать уже существующие разработанные кристаллы ванадатов для получения новых функциональных возможностей лазерных систем на их основе.

Результаты данных исследований можно расширить и на другие кристаллические среды, поскольку аналогичные зависимости наблюдаются и в других одноосных и

о I <з_|_

двуосных кристаллах (N(1 УЫ7 или аллюминат иттрия N(1 :УА1203).

Проведенные исследования процессов управления временными параметрами позволяют на основе кристаллов Ш3+:УУ04, Ш3+:Сс1У04, Ш3+:0с11_хУхУ04 и N(1 :8с1.хУхУ04

реализовать схемы высокоэффективных лазерных систем, работающие в непрерывном, фемто-, пико- и наносекундном импульсном режимах, которые могут быть использованы для преобразования в ультрафиолетовый, видимый, ИК и терагерцовый диапазон длин волн.

Созданная многоволновая лазерная установка бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний (на основе композитных кристаллов Кё:УУ04 - УУ04 ванадатов в режиме модуляцией добротности на пассивном затворе Сг4+:УАв) прошла клинические испытания и в настоящее время широко используется в ЦНИИ Туберкулеза, НИИ Пульмонологии РАМН в Москве, Санкт-Петербургском НИИ фтизиопульмонологии, в 23-й Городской больнице г.Москвы.

Достоверность полученных результатов обеспечивается высоким уровнем экспериментальной техники, сопоставлением данных, полученных различными методами, применением современных теоретических представлений и методов обработки при анализе данных, сравнением с имеющимися литературными данными.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту;

1. Спектральные параметры кристаллов 1Чс13+:УУ04, Ш3+:СсГУ04 и

Ш3+:ЬиУ04-

ванадатов и смешанных ]Чс13+:0с11_хУхУ04 и 8с |_хУхУ04-ванадатов на переходах 4/гз/2—4/11/2 и 4/7з/2~4^9/2 ионов неодима имеют ярко выраженные поляризационно-угловые зависимости по отношению к кристаллографическим осям.

2. Управление длиной волны генерации в лазерах на кристаллах ванадатов на переходах 4/г3/2—4/! т и ионов неодима достигается ориентацией кристаллов и варьированием состава смешанных ванадатов (Ос11_хУх и 8С].ХУХ).

3. Двухчастотная генерация лазеров на кристаллах ванадатов Nd3+:YV04,

I -> I Л I

Nd :GdV04, Nd :Gdi.xYxV04 и Nd :Sci_xYxV04 с взаимно параллельной и ортогональной поляризацией излучения создается методами внесения дополнительных спектрально-селективных потерь, управлением усиления активной среды и методом поляризационного разделения излучения.

4. Терагерцовое излучение реализуется при использовании разностной частоты двухчастотного лазера на кристаллах ванадатов в нелинейных кристаллах GaSe для нано- и пикосекундных режимов лазерной генерации.

5. Нелинейные параметры одностенных углеродных нанотрубок, стекол с квантовыми точками PbS и керровская нелинейность позволяют реализовать режимы пассивной и гибридной синхронизации мод для пикосекундной генерации Nd3+:YV04, Nd3+:GdV04 и Nd3+:Gdi.xYxV04 лазеров.

6. Импульсы фемтосекундной длительности достигаются при оптимизации угла среза кристаллов иттриевого №3+:У\Ю4-ванадата.

7. Высокая пиковая мощность излучения реализуется методами управлением усиления при использовании поляризационно-угловых зависимостей спектральных параметров кристаллов ванадатов в режиме пассивной модуляции добротности с затворами на кристаллах Cr4+:YAG и V3+:YAG.

8. Эффективное ВКР-самопреобразование на кристаллах ванадатов достигается выбором ориентации кристаллов ванадатов в режиме пассивной модуляции с затворами на кристаллах Cr4+:YAG.

9. Многоволновая лазерная установка бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний разработана на основе композитных кристаллов Nd:YV04-YV04 ванадатов под различными углами среза в режиме модуляцией добротности на пассивном затворе Cr4+:YAG и последующим преобразованием излучения в видимый и УФ диапазоны длин волн.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на научных семинарах Института общей физики им. A.M. Прохорова РАН (Москва, Россия), физического факультета Бернского университета (Берн, Швейцария), Института Кристаллографии РАН (Москва, Россия).

Материалы диссертации обсуждались на международных конференциях: International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT'98), International Conference on Lasers and Electro-Optics Europe, 2003. CLEO/Europe , International Conference on Nonlinear Optics, ICONO/LAT 2005 (Санкт Петербург), International Conference «Laser Optics 2004» (L0-04) 2004, International Conference on Lasers, Applications, and Technologies LAT 2005, St.Petersburg, Russia, International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO 2007) collocated with International Conference on Lasers, Applications, and Technologies (LAT 2007), Minsk, Belarus, «Вторая Всероссийская школа по лазерной физике и лазерным технологиям», 22-25 апреля, г. Саров (2008), The 17 International Laser Physics Workshop,LPHYS'08, June 2008, Trondheim, Norway, International Conference on «Laser Optics 2008» (L0-08) 2008, St.Petersburg, Russia, International Conference on Advanced Laser Technologies - ALT-08», 2008, Siofok, Hungary, International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials, 7-14 March 2009, Kirchberg, Austria, International Workshop "Nanocarbon Photonics and Optoelectronics", 2008, Holiday Centre Huhmari, Polvijarvi, Finland, International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT'09), XXIII International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials, 7-14 March 2009, Kirchberg, Austria, International Conference on Advanced Laser Technology, ALT'10, 2010, Egmond an See, the Netherlands, The Second International Workshop "Nanocarbon Photonics and Optoelectronics" 2010, Koli, Finland, International Conference «Laser Optics 2010» (LO-IO) 2010, St.Peterburg, Russia, International Conference "Fundamentals of Laser Assisted Micro- and Nanotechnologies" (FLAMN-10), International Conference on Advanced Laser Technologies - ALT'11, Golden Sands, Bulgaria, 2011, International Conference «Laser Optics 2012» (LO-12) 2012, St.Peterburg, Russia, International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT'12), Thun, Switzerland, 2012, International Conference "Modern Laser Applications" INDLAS-2013, Bran, Romania, International Conference on Nonlinear Optics, ICONO/LAT 2013 (Москва), International Conference on Advanced Laser Technologies ALT' 13, Budva, Montenegro.

Публикации. По материалам диссертации опубликованы 54 работы (выделены жирным шрифтом в списке литературы), список которых приведен ниже, из которых 23 работы опубликованы в ведущих рецензируемых научных журналах, определенных ВАК [30, 70, 71, 75, 76, 176, 183, 184, 187, 224-226, 235, 244, 245, 248250, 256, 267, 268, 280, 305]; получено 4 патента [293-296]; 27 работ опубликованы в материалах всесоюзных, всероссийских и международных конференций [246, 247, 251-255, 258-266, 269, 281, 289, 290, 297-301, 303-305].

Личный вклад автора.

Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, правильно отражают личный вклад автора. Все основные результаты работы получены автором лично, либо при его непосредственном участии. Часть экспериментальных исследований по нелинейно-оптическим свойствам полимерных пленок, содержащих одностенные углеродные нанотрубки, выполнена совместно с н.с. Образцовым П.А.. Часть работ по изучение структурного несовершенства кристаллов рентгеновскими методами была выполнена совместно с н.с. Орловой Г.Ю.. Основные работы выполнены в соавторстве с сотрудниками Института общей физики РАН, а также в творческом содружестве с зарубежными коллегами, которые принимали участие и оказывали помощь в проведении отдельных исследований. Во всех случаях использования результатов других исследований в диссертации приведены ссылки на источники информации.

Диссертационная работа выполнена в лаборатории Физики роста кристаллов Научного центра лазерных материалов и технологий Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН. Работа выполнялась в рамках проектов РФФИ грант 05-02-17330-а, РФФИ грант 06-02-08057-офи, ОФИ грант 07-02-12109, а также при частичной финансовой поддержке Минобрнауки РФ (Госконтракт 02.445.11.7154 от 05 сентября 2005 и Госконтракт 02.445.11.7395 от 09 июня 2006 г.), договор НИР № 2001/И0ф (186/06) между ИОФАН и ИКАН, Программа фундаментальных исследований РАН «Лазерные системы, основанные на новых активных материалах и оптика структурированных материалов», Программа фундаментальных исследований Президиума РАН «Фемтосекундная оптика и новые оптические

материалы», грант CRDF № 76448 with Brookhaven National Laboratoiy «Development of a laser ultrasonic device for residual stress measurement in welded structure», грант 7 IP 62635 - Совместный проект Института обшей физики РАН с Бернским университетом (Швейцария): «Crystals and optical fiber for novel diode-pumped femtosecond laser systems and applications in nano-processing of advanced materials», «Разработка лазерного медицинского аппарата для лечения гнойно-воспалительных заболеваний мягких тканей и деструктивных форм туберкулеза легких» (государственный контракт №9597р/1627 от 12.08.2011).

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов, заключения и списка цитированной литературы. Общий объем диссертации составляет 282 страницы, включая 126 рисунков, 10 таблиц и библиографию из 308 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цель и задачи работы, представлена научная новизна и практическая значимость полученных результатов. Кратко изложены основные научные положения, выносимые на защиту. Приведены сведения об апробации работы, личном вкладе автора, структуре и объеме диссертации.

Первая глава является обзорной. В ней дана краткая историческая справка о развитии кристаллов ванадатов и лазерных систем на их основе. Отмечены достоинства кристаллических сред на кристаллах ванадатов, в частности, высокие значения сечений люминесценции, широкие полосы поглощения, хорошие теплофизические свойства. Приведены спектры поглощения и люминесценции, нелинейные параметры для различных схемных решений твердотельных лазеров с диодной накачкой. В главе обосновывается основная цель настоящей работы -исследование новых высокоэффективных активных сред на основе кристаллов Nd3+:YV04, Nd3+:GdV04, Nd3+:Gdi_xYxV04 и Nd3+:Sc,.xYxV04 ванадатов с помощью предложенных методов управления спектральными и временными параметрами для создания лазерных систем на их основе.

Вторая глава посвящена исследованию поляризационно-угловых зависимостей спектральных параметров в кристаллах ванадатов на переходах 4Р3/2-41п/2 и 4Р3/2-41с>/2 ионов неодима, разработке методик создания высокоэффективных активных сред на их основе, и реализации новых лазерных систем для получения лазерного излучения в различных спектральных диапазонах в непрерывном и импульсных режимах.

Проведены экспериментальные исследования спектров люминесценции кристаллов ванадатов Ш3+:УУ04, Ш3+:0ёУ04 , Ш3+:0с1,.хУхУ04 и Ш3+:8с,_хУхУ04 при переходе от ж- поляризации (Е // с, 0=0°) к а- поляризации (Е 1 с, £2=90°) или от угла 9 между осью наблюдения и осью с (9=уаг, ср=0) для комнатной и азотной температур (£2 - угол между вектором электрического поля Е и осью кристалла с).

Показано, что форма спектров люминесценции на переходе 4Р3/2-41ц/2 для кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси а, для а - поляризации совпадает с формой спектров для кристаллов, вырезанных вдоль оси с (Е 1 с). При переходе от я- к с - поляризации положения абсолютных максимумов в спектрах люминесценции смещаются в длинноволновую область. Поэтому и длины волн генерации в лазерах на этих кристаллах для о - поляризации отличаются от длин волн излучения лазеров, работающих в п - поляризации.

Были получены зависимости интенсивностей излучения штарковских переходов от угла поворота кристаллов. Полярные диаграммы зависимости интенсивностей излучения штарковских переходов показали, что часть штарковских переходов излучается в одной поляризации, а остальные - в ортогональной.

Таким образом, вырезая кристаллы под тем или иным углом, можно в широком диапазоне управлять коэффициентом усиления лазеров, изменять форму спектров люминесценции, поляризацию и длины волн излучения.

В работе исследовались генерационнные параметры кристаллов Ыс13+:УУ04, Ш3+:0с1У04, ванадатов и смешанных Ш3+:0<1о,7Уо,3У04, Ш3+:Оё0,9Уо, 1У04 и Кс13+:Уо,97$Со,оз^^04 ванадатов по трех- и четырехуровневых схем.

Отмечена корреляция между структурным несовершенством кристаллов и формой спектров люминесценции.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Сироткин, Анатолий Андреевич, 2014 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ источников

1. Справочник по лазерам, под ред. R.J.Pressley (перевод под ред. A.M. Прохорова)// М.:Советское радио, т.1, 503, (1978)

2. Koechner W., Solid-State Laser Engineering // New York, "Springer-Verlag" (1996)

3. Weber, Marvin J. Handbook of lasers I I Vol. 18. CRC press (2001).

4. F.Y. Fan, R.L. Byer, Diode laser-pumped solid-state lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol.24 (6), 895 - 91(1988)

5. H.B. Кравцов. Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой.// Квантовая электроника, т. 31, №8. с 661 - 677 (2001)

6. Fan T.Y., Pump source requirements for end-pumped lasers // IEEE J.of Quantum Electron, v.26, No.2, p.311-314 (1990).

7. G. M. Zverev , I. I. Kuratev and A. V. Shestakov, Solid-state micro lasers based on crystals with a high concentration of neodymium ions // Bull. Acad. Sci. USSR Phys. Ser., vol. 46, № 8, pp. 108-112 (1982)

8. В.И. Чижиков. Твердотельные лазеры с диодной накачкой // Соросовский образовательный журнал, 7. - №8. с. 103-107 (2001).

9. Белостоцкий Б.Р., Любавский Ю.В., Овчинников В.М., Основы лазерной техники // М., «Советское радио» (1972)

10. Мак А.А., Соме Л.Н., Фромзель В.А., Яшин В.Е., Лазеры на неодимовом стекле //М., «Наука» (1990)

11. А.Е. Siegman, Lasers // University Science Books (1986).

12. O'Connor J.R. Unusual crystal-field energy levels and efficient laser properties of YV04:Nd // Appl. Phys. Lett., v.9, pp. 407-409 (1966)

13. А.И. Загуменный, В.Г. Остроумов, И.А. Щербаков, Т. Йесен, Д.П. Мейн, Г. Хубер .Кристаллы GdV04 : Nd - новый материал для лазеров с диодной накачкой.// Квантовая Электроника, 19(12), 1149-1150 (1992).

14. Багдасаров Х.С., Богомолова Г.А., Каминский А.А., Попов В.И., Поглощение, люминесценция и индуцированное излучение кристаллов YV04-Nd3+.// Доклады Академии наук СССР, т. 180, №6,1347 (1967)

15. Каминский А.А., Богомолова Г.А., Ли. И., Поглощение, люминесценция индуцированное излучение и кристаллическое расщепление уровней ионов Nd3+ в кристалле YV04.// Неорганические материалы, т. 5, №4, (1969).

16. A.A. Kaminskii, High-Temperature spectroscopic investigation of stimulated emission from laser based on crystals activated with Nd3+ ions.// Physica Status solidi (a), 1(3), 573 (1970).

17. Yaney P.P. and DeShazerL. G., Studies and analysis of the laser states of Nd3+in YV04// JOSA, v. 66, №12, pp. 1405-1414 (1976)

18. Bass M.; DeShazer L. G.; Yaney P. P., Evaluation of Nd:YV04 and Ho:Er:Tm:YV04 as Pulse Pumped Q-Switched Lasers.// Semiannual technical report, University of Southern California, Los Angeles (USA), №. AD/A-000911; ECOM-74-0104-1 (1974).

19. Fields, R. A., Birnbaum, M. Fincher, C. L., High efficient Nd:YV04 diode-laser end-pumped laser // Applied Physics Letters , v. 51, Dec. 7, p. 1885- 1886(1987)

20. W. Ryba-Romanowski, YV04 crystals - puzzles and challenges.// Crystal Research and Technology, v. 38, 4, p. 225-236 (2003)

21. A. Sato, A. Kazuhiro , and K. Mizutani, Lasing characteristics and optimizations of a diode-side-pumped Tm, Ho:GdV04 laser //Optics Letters, Vol. 29, Issue 8, pp. 836838 (2004)

22. B.Q. Yao, F. Chen, C.T. Wu, Q. Wang, G. Li, C.H. Zhang, A comparative study on diode-pumped continuous wave Tm:Ho:YV04 and Tm:Ho:GdV04 lasers.// Laser Physics, v. 21, _3, pp 468-471 (2011)

23. N. A. Tolstik, A. E. Troshin, S. V. Kurilchik, V. E. Kisel, N. V. V. N. Kuleshov, M. I. Kupchenko, Spectroscopy, continuous-wave and Q-switched diode-pumped laser operation of Er3+, Yb3+: YV04 crystal //Applied Physics B. v. 86. - №. 2. - p. 275-278 (2007).

24. C. Maunier, J. L. Doualan, R. Moncorge', A. Speghini, M. Bettinelli, E. Cavalli. Growth, spectroscopic characterization, and laser performance of Nd:LuV04, a new infrared laser material that is suitable for diode pumping // JOS A B, 79(8), 17941800. (2002)

25. Lizhen Zhang, Zushu Hu, Zhoubin Lin, Guofu Wang. Growth and spectral properties of Nd3+:LaV04 crystal // Journal of Crystal Growth 260(3) 460-463(2004)

26. V.G. Ostroumov , G. Huber , A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev , P.A. Studenikin , I.A. Shcherbakov , Spectroscopic properties and lasing of Nd:Gd0.5La0.5VO4 crystals, // Optics Communications 124(1), p. 63-68 ( 1996)

27. Qin L., Meng X., Du Ch., Zhu L., Xu B., Shao Z., Liu Zh., Fang Q., Cheng R. Growth and properties of mixed crystal Nd: YGdV04.// Journal of Alloys and Compounds, 354 ,259-262(2003)

28. Z. Zhuo, S.G. Li, T. Li, J. M. Jiang, C. X. Shan, J. Li, B. Zhao and J.Z Chen, Study of the laser performance of a novel mixed Nd:Yo.8Luo.2V04crystal // Laser Phys. Lett. 1 (2), 116(2010)

29. H. Yu,Y. Yu., Huaijin Z., Z/ Wang, J/ Wang, X/ Cheng, Z. Shao, M. Jiang. Growth and laser characterization of mixed Nd:LuxGdi_xV04 laser crystals // Journal of Crystal Growth 293(2) 394-397 (2006)

30. Zagumennyi A.I., Kutovoi S.A., Sirotkin A.A., Kutovoi A.A., V.I. Vlasov V.I., Iskhakova L.D., Zavartsev Y.D., Luthy W., Feurer T., Spectroscopy and lasing of new mixed Nd-doped (Sc,Y)V04 crystals //Appl Phys B ,99: 159-162(2010)

31. J. Liu, Zh. Wang, X. Meng, Z. Shao, B. Ozygus, A. Ding, H. Weber, Improvement of passive ^-switching performance reached with a new Nd-doped mixed vanadate crystal Nd:Gd0.64Y0.36vo4 11 °Pt- Lett- 28> 2330-2332 (2003)

32. J.Liu, Z.Wang, X.Meng, Z.Shao, M.Jiang, B.Ozygus, A.Ding, H.Weber, Pulse energy enhancement in passive Q-swithing operation with a class of Nd:GdxY].xV04' // Appl.Phys.Lett., v.83, No.7, pp. 1289-1291(2003).

33. A. A. Kaminskii, K. Ueda, H. J. Eichler, Y. Kuwano, H. Kouta, S. N. Bagaev, T. H. Chyba, J. C. Barnes, G. M. A. Gad, T. Murai, and J. Lu, Tetragonal vanadates YV04

and GdV04 - new efficient x(3)-materials for Raman lasers // Opt. Commun. 194(1-3), 201-206 (2001).

34. Kaminskii, A. A., Rhee, H., Eichler, H. J., Ueda, K., Oka, K., & Shibata, H., New % (3)-nonlinear-laser manifestations in tetragonal LuV04 crystal: more than sesqui-octave Raman-induced Stokes and anti-Stokes comb generation and cascaded self-frequency tripling //. Applied Physics B, 93(4), 865-872 (2008).

35. Kaminskii A. A., Eichler H. J., Rhee H. New nonlinear-laser effects in GdV04-host-

■5 1

crystal for Ln lasants //Crystal Research and Technology .v.. 43. №. 11, p. 1117-1125 (2008).

36. Y. F. Chen, "Efficient 1521-nm Nd:GdV04 Raman laser," Opt. Lett. 29, 2632-2634 (2004).

37. Chen, X. H., Zhang, X. Y., Wang, Q. P., Li, P., & Cong, Z. H. Diode-pumped actively Q-switched c-cut Nd: YV04 self-Raman laser. Laser Physics Letters, 6(1), 26 (2009).

38. A. J. Lee, H. M. Pask, P. Dekker, and J. A. Piper, "High efficiency, multi-Watt CW yellow emission from an intracavity-doubled self-Raman laser usingNd:GdV04.," Opt. Express 16(26), 21958-21963 (2008).

39. J. A. Piper, and H. M. Pask, Crystalline Raman Lasers // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 13(3), 692-704(2007).

40. Lagatsky A. A., Sarmani A. R., Brown C. T. A., Sibbett W., Kisel V. E., Selivanov, A. G.,Kupchenko, M. I. Yb3+-doped YV04 crystal for efficient Kerr-lens mode locking in solid-state lasers. // Optics letters, 30(23), 3234-3236 (2005).

41. Selivanov, A. G., Denisov, I. A., Kuleshov, N. V., & Yumashev, K. V. Nonlinear refractive properties of Yb3+-doped KY (W04)2 and YV04 laser crystals // Applied Physics B, 83(1), 61-65 (2006).

42. Lagatsky, A. A., Sarmani, A. R., Brown, C. T. A., Sibbett, W., Kisel, V. E., Selivanov, A. G., Kupchenko, M. I. Yb3+-doped YV04 crystal for efficient Kerr-lens mode locking in solid-state lasers // Optics letters, 30(23), 3234-3236. (2005).

43. Rivier S., Mateos X., Liu J., Petrov V., Griebner U., Zorn M., Jiang M. Passively mode-locked Yb:LuV04 oscillator // Opt. Express, 14(24), 11668-11671(2006).

44. Сутримин, А. М., Воробьев, В. А., Манаширов, О. Я. Синтезирование многофункциональных ИК-люминофоров на основе орто-ванадата иттрия.//Министерство образования и науки РоссийскойФедерации ФГБОУ ВПО города Ставрополя, 58 (2001).

45. DeShazer, L. G., & Maunders, Е. A. Laser mode selection by internal reflection prisms // Applied optics, 6(3), 431-435 (1967).

46. B.C. Chakoumakos, M.M. Abraham, L.A. Boatner. Crystal Structure Refinements of Zircon-Type Mi/ V04 ( Mi= Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Tb, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) // Journal of Solid State Chemistry, 109(1), 197-202 (1994).

47. 47. J.A. Baglio, G. Gashurov. A refinement of the structure of yttrium vanadate. //Acta Cryst. B24, 292 (1968)

48. Фотиев А. А., Шульгин Б. В., Москвин А. С. Ванадиевые кристаллофосфоры // М.: Наука, 1976.

49. А.И. Загуменный, П.А. Попов, Ю.Д. Заварцев, С.А. Кутовой, И.А. Щербаков, Теплопроводность лазерных кристаллов ванадатов // Квантовая электроника, 38 (3), 227-232 (2008).

50. Yoichi Sato, Takunori Taira. The studies of thermal conductivity in GdV04, YV04, and Y3AI5O12 measured by quasi-one-dimensional flash method // Opt. Express, 14(22), 10528-10536 (2006).

51. L.J.Qin, X.L.Meng, H.Y.Shen, L.Zhu, B.C.Xu, L.X.Huang, H.R.Xia, P.Zhao,

G.Zheng, Thermal conductivity and refractive indices of Nd:GdV04 crystals.//Crystal Research and Technology 38, 793(2003).

52. В. H. T. Chai, G. Loutts, J. Lefaucheur, X. X. Zhang, P. Hong, M. Bass, I. A. Shcherbakov, A. I. Zagurnennyj. Comparison of Laser Performance of Nd-Doped YV04, GdV04, Ca4(P04)3F, Sr5(P04)3F and Sr5(V04)3F // OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers. Vol. 20. c. 41-52 (1994)

53. Y.Cheng, H.J.Zhang, Y.G.Yu, J.Y.Wang, X.T.Tao, J.H.Liu, V.Petrov, Z.C.Ling,

H.R.Xia, M.H. Jiang, Thermal properties and continuous-wave laser performance of Yb:LuV04 crystal // Applied Physics B86, 681(2007).

54. X.Wang, I.Loa,K.Syassen, M.Hanfland, B.Ferrand, Structural properties of the zircon-and scheelite-type phases ofYV04at high pressure //Physical Review B70 064-109(2007).

55. Zhang, H. J., Zhu, L., Meng, X. L., Yang, Z. H., Wang, C. Q., Yu, W. Т., Lu, M. K. Thermal and Laser properties of Nd:YV04 Crystal // Crystal Research and Technology, 34(8), 1011-1016(1999).

56. Peng, X., Asundi, A., Chen, Y. Xiong, Z. Study of the Mechanical Properties of Nd: YV04 Crystal by use of Laser Interferometry and Finite-Element Analysis // Applied optics, 40(9), 1396-1403(2001).

57. Zhang, H., Meng, X., Zhu, L., & Yang, Z. Growth and thermal properties of Nd: GdV04 single crystal // Materials research bulletin, 34(10), 1589-1593(1999).

58. Zhang, S., Zhou, S., Li, H., & Li, L. Investigation of thermal expansion and compressibility of rare-earth orthovanadates using a dielectric chemical bond method // Inorganic chemistry, 47(17), 7863-7867(2008).

59. Jin, В. M., Erdei, S., Bhalla, A. S., & Ainger, F. W. Raman study of oxygen deficient YV04 single crystals // Materials research bulletin, 30(10), 1293-1300(1995).

60. P.G.Zverev, The influence of temperature on Raman modes in YV04 and GdV04crystals.//Journal of Physics: Conference Series v.. 92, No.l, p. 012073 (2007).

61. Jandl S., Levesque Y., Nekvasil V., Bettinelli M. Crystal-field study of Yb3+ doped Lu04 // Journal of Applied Physics, 103(11), 113102-113102(2008).

62. Barnes N.P., Gettemy D.J., Esterowitz L., Allen R.E., Comparison of Nd 1.06 and 1.33 jim Operation in Various Hosts // IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. QE-23, No.9, p.1434-1439 (1987).

63. Зверев Г.М., Голяев Ю.Д., Лазеры на кристаллах и их применение, М.: Радио и связь, 311 с. (1994).

64. Czeranowsky С., Resonatorinterne Frequenzverdopplung von diodengepumpten Neodym-Lasern mit hohen Ausgangsleistungen im blauen Spektralbereich //

Dissertation zur Erlangung des Doktorgrades des Fachbereichs Physik der Universität Hamburg, (2002).

65. Peterson R. D., Jenssen H. P., Cassanho A. Investigation of the spectroscopic properties ofNd: YV04 //Advanced Solid-State Lasers , v.68 (2002).

66. Jensen Т., Ostroumov V. G., Meyn J.-P., Huber G., Zagumennyi A. I., Shcherbakov I.A., Spectroscopic characterization and laser performance of diode-laser-pumped Nd: GdV04 // Appl. Phys. В 58, 373-379 (1994).

67. Sato Y. and Taira Т., Spectroscopic properties of neodymium-doped yttrium orthovanadate single crystals with high-resolution measurement // Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5999-6002 (2002).

68. Sato Y., Pavel N., and Taira Т., Spectroscopic properties and near quantum-limit laser-oscillation inNd:GdV04 single crystal // OSA TOPS on Advanced Solid-State Photonics, Vol. 94,405-409 (2004).

69. Turri G., Jenssen H. P., Cornacchia F., Tonelli M., and Bass M., Temperature-dependent stimulated emission cross section in Nd3+: YV04 crystals .//J. Opt. Soc. Am. В 26, 2084-2088 (2009)

70. В.И. Власов, C.B. Гарнов, Ю.Д. Заварцев, А.И. Загуменный, С.А. Кутовой, A.A. Сироткин, И.А. Щербаков, Новые возможности кристаллов ванадатов с неодимом как активных сред лазеров с диодной накачкой // Квантовая электроника, 37 (10), 938-940 (2007).

71. A. A. Sirotkin, S. V. Garnov, А. I. Zagumennyi, Yu. D. Zavartsev, S. A. Kutovoi,V. I.Vlasov, L. Di Labio, W, Lüthy, T. Feurer, and I. A. Shcherbakov, New Lasers Based on c-Cut Vanadat Crystals. // Laser Physics, Vol. 19, No. 5, pp. 1083-1091(2009).

72. A. Minassian, В. A. Thompson, G. Smith, and M. J. Damzen. High-power scaling (>100 W) of a diode-pumped TEM00 Nd:GdV04 laser system // IEEE Journal Of Selected Topics In Quantum Electronics, v.l 1. №3. c. 621 - 625 (2005).

73. Alan J. Kemp, Gareth J. Valentine, David Burns. Progress towards high-power, high-brightness neodymium-based thin-disk lasers// Progress in Quantum Electronics. 28. c. 305-344 (2004).

74. Krennrich, D., Knappe, R., Henrich, В., Wallenstein, R., & L'huillier, J. A. A comprehensive study of Nd: YAG, Nd: YA103, Nd: YVO4 and Nd: YGdV04 lasers operating at wavelengths of 0.9 and 1.3 jxm. Part 1: cw-operation // Applied Physics B, 92(2), 165-174(2008).

75. Ю.Д. Заварцев, А.И. Загуменный, Ю.Л. Калачев, С.А. Кутовой, В.А. Михайлов,

В.В. Подрешетников, А.А. Сироткин, И.А. Щербаков, Р. Реннер-Эрни, В. Люти,

->1

Т. Ферер. Квазитрехуровневый Nd :Gdo,7Y0,3V04 - лазер с диодной накачкой на длине волны 913 нм // Квантовая электроника, 37. №5. с. 440 - 442(2007.).

76. Ю.Д. Заварцев, А.И. Загуменный, Ю.Л. Калачев, С.А. Кутовой, В.А. Михайлов, А.А. Сироткин, И.А. Щербаков, Р. Реннер-Эрни, В. Люти, Т. Ферер. Активная и пассивная синхронизация мод в Nd:Gdo,7Yo,3V04 - лазере с диодной накачкой. Квантовая электроника. 37. №4. с. 315 - 318(2007)

77. Junhai Liu, Xianlin Meng, Zongshu Shao, Minhua Jiang. Pulse energy enhancement in passive Q-switching operation with a class of Nd:GdxYi_xV04 crystals// Applied Physics Letters. 83. №7. p. 1289 - 1291(2003)

78. J. Liu, Zh. Wang, X. Meng, and Z. Shao. Improvement of passive Q-switching performance reached with a new Nd-doped mixed vanadate crystal Nd:Gd0,64Y0,36VO4 // Optics Letters, 28. №23. p. 2330 - 2332(2003)

79. Wei Xionga, Peizhi Yanga, Jingying Liaoa, Shukun Linb. Growth and spectral properties of Yb3+/Ho3+ co-doped Gd0.9La0,iVO4 crystal // Journal of Crystal Growth. 280. с 212-216(2005)

80. Woodbury, E. J., & Ng, W. K. Ruby laser operation in the near IR. // Proc. IRE, 50(11), 2367(1962).

81. Kaminskii, A. A., Eichler, H. J., Rhee, H., & Ueda, K. New manifestations of nonlinear % (3)-laser properties in tetragonal YV04 crystal: many-phonon SRS, cascaded self-frequency' tripling", and self-sum-frequency generation in blue spectral range with the involving of Stokes components under one-micron picosecond pumping. //Laser Physics Letters, 5(11), 804(2008).

82. Basiev, T. T., Sobol, A. A., Zverev, P. G., Osiko, V. V., & Powell, R. C. Comparative spontaneous Raman spectroscopy of crystals for Raman lasers // Applied optics, 38(3), 594-598(1999).

83. Zverev, P. G., Karasik, A. Y., Sobol, A. A., Chunaev, D. S., Basiev, T. T., Zagumennyi, A. I., Shcherbakov, I. AStimulated Raman scattering of picosecond pulses in GdV04 and YV04 crystals. //Advanced Solid-State Photonics. Optical Society of America, (p. TuB10).(2004).

84. Kaminskii, A. A., Lux, O., Rhee, H., Eichler, H. J., Ueda, K., Yoneda, H., Zhang, J. New manifestations of % (3)-nonlinear laser interactions in tetragonal LuV04 and YbV04 crystals attractive for SRS-converters and self-Raman lasers // Laser Physics Letters, 9(12), 879(2012).

85. Kaminskii, A. A., Bagayev, S. N., Eichler, H. J., Rhee, H., Ueda, K., Takaichi, K., & Matsumoto, Y. Steady-state picosecond stimulated Raman scattering in two host-crystals for Ln3+ and Ln2+ lasant // Laser Physics Letters,3(8), 385-391(2006).

86. Panchal V., Manjon F. J., Errandonea D., Rodriguez-Hernande, P., Lopez-Solano J., Munoz A. Tyagi A. K. High-pressure study of ScV04 by Raman scattering and ab initio calculations // Physical Review B, 83(6), 064111(2011).

87. Kaminskii, A. A., Lux, O., Rhee, H., Eichler, H. J., Yoneda, H., Shirakawa, A., ... & Zhang, J. Crystal-host GdO. 5Lu0. 5V04 for Ln3+-lasants: a new high-gain many-phonon i (3)-active tetragonal vanadate—SRS spectroscopy and nonlinear-laser effects // Applied Physics B, 109(4), 649-658 (2012).

88. H. M. Pask, P. Dekker, R. P. Mildren, D. J. Spence, and J. A. Piper, Wavelength-versatile visible and UV sources based on crystalline Raman lasers // Prog. Quantum Electron. 32(3-4), 121-158 (2008).

89. E. Mimoun, L. De Sarlo, J. J. Zondy, J. Dalibard, and F. Gerbier, Sum-frequency generation of 589 nm light with near-unit efficiency // Opt. Express 16(23), 1868418691 (2008).

90. Y. F. Lu, S. Y. Xie, Y. Bo, Q. J. Cui, N. Zong, H. W. Gao, Q. J. Peng, D. F. Cui, and Z. Y. Xu, A high power quasi-continuous-wave yellow laser based on intracavity sum-frequency generation // Acta Phys. Sin. 58, 970-974 (2009)

91. J. A. Piper, and H. M. Pask, Crystalline Raman Lasers // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 13(3), 692-704 (2007).

92. A. J. Lee, H. M. Pask, P. Dekker, and J. A. Piper, High efficiency, multi-Watt CW yellow emission from an intracavity-doubled self-Raman laser using Nd:GdV04.,// Opt. Express 16(26), 21958-21963 (2008).

93. Y. F. Chen, Compact efficient all-solid-state eye-safe laser with self-frequency Raman conversion in aNd:YV04 crystal // Opt. Lett. 29(18), 2172-2174 (2004).

94. Y. F. Chen, Efficient 1521-nm Nd:GdV04 Raman laser // Opt. Lett. 29(22), 26322634 (2004).

95. Y. T. Chang, K. W. Su, H. L. Chang, and Y. F. Chen, Compact efficient Q-switched eye-safe laser at 1525 nm with a double-end diffusion-bonded Nd:YV04 crystal as a self-Raman medium // Opt. Express 17(6), 4330^335 (2009).

96. A. Kaminskii, M. Bettinelli, J. Dong, D. Jaque, and K. Ueda, Nanosecond Nd3+:LuV04 self-Raman laser // Laser Phys. Lett. 6(5), 374-379 (2009).

97. Rivier S., Mateos X., Liu J., Petrov V., Griebner U., Zorn M., Jiang, M. Passively mode-locked Yb: LuV04 oscillator // Opt. Express, 14(24), 11668-11671(2006).

98. Kisel, V. E., Troshin, A. E., Shcherbitsky, V. G., Kuleshov, N. V., Matrosov, V. N., Matrosova, T. A., Keller, U. Femtosecond pulse generation with a diode-pumped Yb3+: YV04 laser // Optics letters, 30(10), 1150-1152(2005).

99. Spence, D. E., Kean, P. N., Sibbett, W. 60-fsec pulse generation from a self-mode-locked Ti: sapphire laser // Optics letters, 16(1), 42-44(1991).

100. Major A., Aitchison J. S., Smith P. W., Druon F., Georges P., Viana B., Aka G. P. Z-scan measurements of the nonlinear refractive indices of novel Yb-doped laser crystal hosts // Applied Physics B, 80(2), 199-201(2005).

101. A. A. Lagatsky, A. R. Sarmani, C. T. Brown, W. Sibbett, V. E Kisel, A. G. Selivanov, M. I. Kupchenko, Yb3+-doped YV04 crystal for efficient Kerr-lens mode locking in solid-state lasers. //Optics letters, 30(23), 3234-3236(2005).

102. Rivier S., Mateos X., Liu J., Petrov V., Griebner U., Zorn M., Jiang M. 58 fs pulses from a mode-locked Yb: LuV04 laser // Advanced Solid-State Photonics Conference Program and Technical Digest (Optical Society of America), paper WA3 (2007).

103. I. Vodchits, V. A. Orlovich, and P. A. Apanasevich, Nonlinear refractive index of vanadate crystals in the near IR region // Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 78, No. 6, 977-980 (2012).

104. Lagatsky A. A., Sarmani A. R., Brown C. T. A., Sibbett W., Kisel V. E., Selivanov A. G., Kupchenko M. I. Yb3+-doped YV04 crystal for efficient Kerr-lens mode locking in solid-state lasers // Optics letters, 30(23), 3234-3236 (2005).

105. Liu J., Petrov V., Mateos X., Zhang H., Wang J., Jiang M., Noack F. Continuous-wave diode-pumped Yb: LuV04 lasers // Lasers and Applications in Science and Engineering International Society for Optics and Photonics, pp. 64511B-6451 IB (2007).

106. Greene B. I., Saeta P. N., Douglas R. D., Chuang S. L. Far-infrared light generation at semiconductor surfaces and its spectroscopic applications //IEEE J Q.E., V. 28, P. 2302-2312(1992).

107. Planken P.C., Nuss M.C., Knox W.H., Miller D.A., Goossen K.W. THz pulses from the creation of polarized electron-hole pairs in biased quantum wells //Appl. Phys. Lett., V. 61, P. 2009-2011 (1992).

108. Benicewicz P.K., Roberts J.P., Taylor A.J. Scaling of teraherz radiation from large aperture biased photoconductors // J. Opt. Soc. Am. B., V. 12, P. 2533-2546 (1994).

109. MclntoshK. A., BrownE. R., Nichols K. B., McMahon O. B., DiNatale W. F., Lyszczarz T.M. Teraherz photomixing with diode lasers in low-temperature-grown GaAs //Appl. Phys. Lett., V. 67, P.3844-3846 (1995).

110. Sarukura N., Ohtake H., Izumida S., Liu. Z. High average-power THz radiation from femtosecond laser-irradiated InAs in a magnetic field and its elliptical polarization characteristics //J. Appl. Phys., V. 84, P. 654-656 (1998).

111. M. Hyodo, M. Tani, S. Matsuuro, N. Onodera, and K. Sakai, Generation of millimetre-wave radiation using a dual-longi- tudinal-mode microchip laser // Electron. Lett. 32, 1589-1591 (1996).

112. Ding Y.J.High-power tunable terahertz sources based on parametric processes and applications // IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, vol. 13(3), p. 705-720 (2007).

113. U. Wilier,_R. Wilk,W. Schippers, S. Bottger, D. Nodop, T. Schossig, W. Schade, M. Mikulies, M. Koch, M. Walther, H. niemann, B. G Uttler, A novel THz source based on a two-color Nd:LSB microchip-laser and a LT-GaAsSb Photomixer // Appl. Phys. B 87, 13-16 (2007).

114. C. G. Bethea, Megawatt power at 1.318jim in Nd3+:YAG and simultaneous oscillation at both 1.06 and 1.318nm // IEEE. J. Quantum Electron 9, 254-254 (1973).

115. M. B. Danailov and I. Y. Milev, Simultaneous multiwavelength operation of Nd:YAG laser // Appl. Phys. Lett. 61, 746-748 (1992).

116. H. Y. Shen, R. R. Zeng, Y. P. Zhou, G. F. Yu, C. H. Huang, Z. D. Zeng, W. J. Zhang and Q. J. Ye, Simultaneous multiple wavelength laser action in various neodymium host crystals // IEEE. J. Quantum Electron 27, 2315-2318 (1991).

117. H. Y. Shen, R. R. Zeng, Y. P. Zhou, G. F. Yu, C. H. Huang, Z. D. Zeng, W. J. Zhang and Q. J. Ye, Comparison of simultaneous multiple wavelength lasing in various neodymium host crystals at transitions from 4F3/2-4Ii 1/2 and 4F3/2-4113/2 // Appl. Phys. Lett. 56, 1937-1938 (1990).

118. C. H. Huang, G. Zhang, Y. Wei, L. X. Huang, H. Y. Zhu, A Q-switched Nd:YA103 laser emitting 1080 and 1342nm // Opt. Commun. 281, 3820-3823 (2008).

119. H. H. Yu, H. J. Zhang, Z. P. Wang, J. Y. Wang, Y. G. Yu, Z. B. Shi, X. Y. Zhang, and M. H. Jiang, Highpower dual-wavelength laser with disordered Nd:CNGG crystals // Opt. Lett. 34, 151-153 (2009).

120. W. Vollmer, M. G. Knight, G. A. Rines, J. C. MeCarthy, E. P. Chicklis, Five-color Nd:YLF laser // Digest of Conference on Lasers and Electro-Optics, Paper THM 2, Optical Society of America, Washington, DC, 188 (1983).

121. Y. F. Chen, Cw dual-wavelength operation of a diode-end-pumped Nd:YV04 laser // Appl. Phys. B 70, 475- 478 (2000).

122. R. Zhou, B. G. Zhang, X. Ding, Z. Q. Cai, W. Q. Wen, P. Wang and J. Q. Yao, Continuous-wave operation at 1386nm in a diode-end-pumped Nd:YV04 laser.// Opt. Express 13, 5818-5824 (2005).

123. R. Zhou, E. B. Li, B. G. Zhang, X. Ding, Z. Q. Cai, W. Q. Wen, P. Wang, and J. Q. Yao, Simultaneous dual-wavelength CW operation using 4F3/2-4113/2 transitions in Nd:YV04 crystal," Opt. Commun. 260, 641- 644 (2006).

124. Y. Y. Lin, S. Y. Chen, A. C. Chiang, R. Y. Tu, and Y. C. Huang, Single-longitudinal-mode, tunable dualwavelength, CW Nd:YV04 laser // Opt. Express 14, 5329-5334 (2006).

125. J. L. He, J. Du, J. Sun, S. Liu, Y. X. Fan, H. T. Wang, L. H. Zhang, and Y. Hang, High efficiency singleand dual- wavelength Nd:GdV04 lasers pumped by a fiber-couple diode // Appl. Phys. B 79, 301-304 (2004).

126. K. Lunstedt, N. Pavel, K. Petermann, and G. Huber, Continuous-wave simultaneous dual-wavelength operation at 912nm and 1063nm in Nd:GdV04 // Appl. Phys. B 86, 65-70 (2007).

127. R. Zhou, B. G. Zhang, X. Ding, Z. Q. Cai, W. Q. Wen, P. Wang, and J. Q. Yao, Continuous-wave operation at 1386 nm in a diode-end-pumped Nd:YV04 laser // Opt. Express, 13(15), 5818-5824(2005).

128. H. H. Yu, H. J. Zhang, Z. P. Wang, J. Y. Wang, Y. G. Yu, Z. B. Shi, X. Y. Zhang, and M. H. Jiang, High-power dual-wavelength laser with disordered Nd:CNGG crystals // Opt. Lett. 34(2), 151-153 (2009).

129. H. H. Yu, H. J. Zhang, Z. P. Wang, J. Y. Wang, Y. G. Yu, X. Y. Zhang, R. J. Lan, and M. H. Jiang, Dual-wavelength neodymium-doped yttrium aluminum garnet laser with chromium-doped yttrium aluminum garnet as frequency selector // Appl. Phys. Lett.94(4), 041126 (2009).

130. W. Shi, Y. J. Ding, N. Fernelius, and K. Vodopyanov, Efficient, tunable, and coherent 0.18-5.27-THz source based on GaSe crystal // Opt. Lett. 27(16), 1454-1456 (2002).

131. J. B. Baxter and G. W. Guglietta, Terahertz spectroscopy // Anal. Chem. 83(12), 4342-4368 (2011).

132. J. F. Federici, B. Schulkin, F. Huang, D. Gary, R. Barat, F. Oliveira, and D. Zimdars, THz imaging and sensing for security applications—explosives, weapons and drugs // Semicond. Sci. Technol. 20(7), S266-S280 (2005).

133. С. В. Reid, Е. Pickwell-MacPherson, J. G. Laufer, A. P. Gibson, J. C. Hebden, and V. P. Wallace, Accuracy and resolution of THz reflection spectroscopy for medical imaging // Phys. Med. Biol. 55(16), 4825-4838 (2010).

134. S. L. Zhang, Y. D. Tan, and Y. Li, Orthogonally polarized dual frequency lasers and applications in self-sensing metrology, Meas. Sci. Technol. 21(5), 054016 (2010).

135. G. Fei and S. L. Zhang, The discovery of nanometer fringes in laser self-mixing interference // Opt. Commun. 273(1), 226-230 (2007).

136. B. Wu, P. P. Jiang, D. Z. Yang, T. Chen, J. Kong, and Y. H. Shen, Compact dual-wavelength Nd:GdV04 laser working at 1063 and 1065 nm // Opt. Express 17(8), 6004-6009 (2009).

137. C. Ren and S. L. Zhang, Diode-pumped dual-frequency microchip Nd:YAG laser with tunable frequency difference // J. Phys. D Appl. Phys. 42(15), 155107 (2009).

138. X. P. Yan, Q. Liu, H. L. Chen, F. Xing, M. L. Gong, and D. S. Wang, A novel orthogonally linearly polarized Nd:YV04 laser // Chin. Phys. В 19(8), 084202 (2010).

139. Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки // М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, (2006) 663 с.

140. Garnov S.V., Konov V.I., Kononenko Т., Pashinin V.P., and Sinyavsky M.N., Microsecond Laser Material Processing at 1.06 (im // Laser Physics 14, №6, 910-915(2004)

141. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов: Пер. с англ.-М.: Мир. с. 504(1986)

142. Арзамасов Б.Н., Макарова В.И., Мухин Г.Г. Материаловедение 3-е издание. // М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана, (2001).

143. Румянцева, О. А. Некоторые проблемы рефракционной и эксимерлазерной хирургии. Факторы риска и причины развития осложнений. // Рус. мед. журн, 2(3), 14-25(2001).

144. Тарасов Л. В. Физика процессов в генераторах когерентного оптического излучения. - М.: Радио и связь, 440(1981).

145. Звелто О., Физика лазеров, М.:Мир, 373 с. (1979)

146. Ярив А., Введение в оптическую электронику, М.: Высшая школа, 398 с.(1983)

147. Кузьмин О.В., Михайлов В.А., Пак С.К., Эффективные режимы генерации ИСГГ:Сг,Ш - лазера с модулятором НПВО и КПД (4.8 - 7.6)%, Препринт ИОФРАН №5, М., 6 с. (1993)

148. Т. Dascalu, G. Phillips, Н. Weber, Investigation of a Cr4+:YAG passive Q-switch in CW pumped Nd:YAG lasers // Optics and Laser Techology, V. 29, No. 3, pp. 145149, (1997).

149. Yumashev, К. V., Kuleshov, N. V., Malyarevich, A. M., Prokoshin, P. V., Shcherbitsky, V. G., Posnov, N. N., Sandulenko, V. A. Ultrafast dynamics of excited-state absorption in V3+: YAG crystal // Journal of applied physics, 80(8), 4782-4784 (1996).

150. J.J. Zayhowski, Passively Q-Switched Microchip Lasers and Applications // Rev. Las. Eng., 26, 841,(1998).

151. Volk, Y. V., Malyarevich, A. M., Yumashev, К. V., Matrosov, V. N., Matrosova, T. A., Kupchenko, M. I. Anisotropy of nonlinear absorption in Co : MgAl204 crystal // Applied Physics B, 88(3), 443-447 (2007).

152. J.J. Zayhowski and C. Dill III, Diode-pumped passively Q-switched picosecond microchip lasers. Opt. Lett., 19(18), 1427 (1994).

153. H. Sakai, H. Kan, and T. Taira, >1 MW peak power single-mode high brightness passively Q-switched Nd3+:YAG microchip laser // Optics Express 16, 19891-19899 (2008).

154. J. J. Zayhowski, Microchip lasers // Optical Materials 11, 255-267 (1999).

155. Huang, Y. P., Chiang, P. Y., Huang, Y. J., Su, K. W., Chen, Y. F. Huang, K. F. High-repetition-rate megawatt millijoule pulses from a Nd:YV04 laser passively Q-switched by a semiconductor saturable absorber // Applied Physics B, 103(2), 291-294 (2011).

156. Y. F. Chen and Y. P. Lan , Comparison between c-cut and a-cut Nd:YV04 lasers passively Q-switched with a Cr4+:YAG saturable absorber // Appl. Phys. В 74, 415 (2002)

157. A. Agnesi and S. Dell'acqua, "High-peak-power diode-pumped passively Q-switched Nd:YV04 laser," Appl. Phys. B76, 351-354 (2003)

158. J. Liu, Zh. Wang, X. Meng, Z. Shao, B. Ozygus, A. Ding, H. Weber , Improvement of passive Q-switching performance reached with a new Nd-doped mixed vanadate crystal Nd : Gd 0.64 Y 0.зб VO 4", Opt. Lett. 28, 2330 (2003)

159. Keller U., Weingarten K. J., Kartner F. X., Kopf D., Braun В., Jung I. D. Aus der Au J. Semiconductor saturable absorber mirrors (SESAM's) for femtosecond to nanosecond pulse generation in solid-state lasers // Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2(3), 435-453 (1996).

160. А.А. Онущенко, M.C. Гапоненко, B.B Голубков, А.А. Жилин, A.M. Маляревич, Г.Т. Петровский, Э.Л. Раабен, К.В. Юмашев, Наноструктурированные стеклокристаллические материалы с сульфидом свинца для пассивной модуляции добротности ИК лазеров // Оптический журнал, т. 73, № 9, с. 4-12 (2006).

161. S. Iijima, Т. Ichinashi ,Single-shell carbon nanotubes of 1-nm diameter.// Nature 363, 603-605 (1993).

162. S. Y. Set, H. Yaguchi, Y. Tanaka, M. Jablonski, Y. Sakakibara, A. Rozhin, M. Tokumoto H. Kataura, Y. Achiba, K. Kikuchi, Mode-locked fiber lasers based on a saturable absorber incorporating carbon nanotubes // Optical Fiber Comm. Conference'03 Tech. Digest, no.PD44, (2003).

163. F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, A. C. Ferrari. Graphene Photonics and Optoelectronics // Nature Photonics 4, 611-622 (2010).

164. T. Hasan, Z. Sun, F. Wang, F. Bonacrosso, P. H. Tan, A.G. Rozhin, A.C. Ferrari, Nanotube-Polymer Composites for Ultrafast Photonics.// Adv. Mat. 21, 3874-3899 (2009).

165. W.B. Cho, J.H. Yim, S.Y. Choi, S.Lee, A. Schmidt, G. Steimeyer, U. Griebner, V. Petrov, D.I. Yeom, K.Kim, F. Rotermund, Boosting the Non Linear Optical Response of Carbon Nanotube Saturable Absorbers for Broadband Mode-Locking of Bulk Lasers //Adv. Func. Mat. 20, 1937-1943 (2010).

166. H. Zhang, D. Tang, R.J. Knize, L. Zhao, Q. Bao, K.P. Loh, Graphene Mode Locked, Wavelength-Tunable, Dissipative Soliton Fiber Laser // Appl. Phys. Lett. 96, 111112-111112-3(2010).

167. Kang I., Wise F.W., Electronic structure and optical properties of PbS and PbSe quantum dots // JOSA. В, V. 14, P. 1632-1646 (1997).

168. Malyarevich, A. M., Gaponenko, M. S., Yumashev, К. V., Lagatsky, A. A., Sibbett, W., Zhilin, A. A., & Lipovskii, A. A. Nonlinear spectroscopy of PbS quantum-dot-doped glasses as saturable absorbers for the mode locking of solid-state lasers // Journal of applied physics, 100(2), 023108-023108(2006).

169. Malyarevich, A. M., Savitski, V. G., Prokoshin, P. V., Posnov, N. N., Yumashev, K. V., Raaben, E., & Zhilin, A. A. Glass doped with PbS quantum dots as a saturable absorber for 1-pm neodymium lasers // JOSA B, 19(1), 28-32(2002).

170. A.A. Lagatsky, C.G. Leburn, C.T.A. Brown, W. Sibbett, A.M. Malyarevich, V.G. Savitski, K.V. Yumashev, Raaben, A.A. Zhilin, Passive mode locking of a Cr4+:YAG laser by PbS quantum-dot-doped glass saturable absorber // Optics Communications 241(4), 449-454(2004).

171. U. Keller, Ultrafast all-solid-state laser technology // Appl. Phys. В 58, 347(1994).

172. Spence D.E., Kean P.N., Sibbett W., 60-fsec pulse generation from a self-mode-locked Ti:sapphire laser // Optics Letters 16(1), 42(1991).

173. Morgner U, Kartner F.X., Cho S.H., Chen Y, Haus H.A., Fujimoto J.G., Ippen E.P., Schneuer V., Angelov G., Tshudi Т., Sub-two-cycle pulses from a Kerr-lens mode-locked Ti:sapphire laser // Optics Letters 24(6), 411(1999).

174. Каминский А. А. Оптический квантовый генератор с комбинированной активной средой //Comptes rendus (doklady) de l'academie des sciences de l'urss. v. 180.№. lp. 59(1968)

175. Ross I. N., Trentelman M., Danson C. N. Optimization of a chirped-pulse amplification Nd: glass laser // Applied optics, 36(36), 9348-9358(1997).

176. A.A. Сироткин, В.И.Власов, А.И. Загуменный, Ю.Д. Заварцев, С.А. Кутовой, И.А. Щербаков, Управление спектральными параметрами лазеров на кристаллах ванадатов // Квантовая электроника, 44 (1), 7-12 (2014).

177. Fan Т. Y., Byer R. L. Continuous-wave operation of a room-temperature, diode-laser-pumped, 946-nm Nd: YAG laser //Optics letters, v. 12, №. lO.p. 809-811(1987).

178. Zarrabi J. H., Gavrilovic P., Singh S. Intracavity, frequency-doubled, miniaturized Nd: YAIO 3 blue laser at 465 nm //Applied physics letters, v. 67. №. 17. p. 2439-2441(1995).

179. Сычугов, В. А., Михайлов, В. А., Кондратюк, В. А., Лындин, Н. М., Фрам, Ю., Загуменный, А. И., Студеникин, П. А. (2000). Коротковолновый (к= 914 нм) микролазер на кристалле YV04: Nd3+.// Квантовая электроника, 30(1), 13-14.

180. Schmidt, М., Heumann, Е., Czeranowsky, С., Huber, G., Kutovoi, S., & Zavartsev, Y. Continuous wave diode pumped Nd: GdV04 laser at 912 nm and intracavity doubling to the blue spectral range.// OSA Tops, 50, 471-475. (2001).

181. Wang, C. Q., Reekie, L., Chow, Y. Т., & Gambling, W. A. (1999). Efficient blue light generation from a diode laser pumped Nd: YAG laser // Optics communications, 167(1), 155-158.

182. Zhou R., Zhang Т., Li E., Ding X., Cai Z., Zhang В., Yao J. 8.3 W diode-end-pumped continuous-wave Nd: YAG laser operating at 946-nm // Optics Express, 13(25), 10115-10119(2005).

183. Г.Ю. Орлова, В.И. Власов, Ю.Д. Заварцев, А.И. Загуменный, И.И. Калашникова, С.А. Кутовой, B.C. Наумов, А.А. Сироткин, Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой // Квант, электроника, 2012, 42 (3), 208-210

184. G.Yu. Orlova, V.I. Vlasov, Yu.D. Zavartsev, A.I. Zagumennyi, I.I. Kalashnikova, S. A. Kutovoi, V. S. Naumov and A. A. Sirotkin, The Investigation of the Laser Properties of a New Class of the Mixed YxSci _ jrV04:Nd3+ Crystals.// Laser Physics, v. 22, No. 8, pp. 1-4(2012).

185. З.Г. Пинскер. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1982.

186. В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978.

187. В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1978.

188. Chakoumakos, В. С., Abraham, М. М., Boatner, L. A. Crystal Structure Refinements of Zircon-Type M V04(M= Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Tb, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) // Journal of Solid State Chemistry, 109(1), 197-202(1994).

189. Chen Y. F. Cw dual-wavelength operation of a diode-end-pumped Nd: YV04 laser //Applied Physics B. v. 70, №. 4. p. 475-478(2000).

190. Huang Y. P., Cho C. Y., Huang Y. J., Chen Y. F. Orthogonally polarized dual-wavelength Nd: LuV04 laser at 1086 nm and 1089 nm // Optics Express, 20(5), 5644-5651(2012).

191. Демтредер В. Лазерная спектроскопия: Основные принципы и техника эксперимента. - Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985.

192. Evans J. W. The birefringent filter //JOSA. v. 39. №. 3. p. 229-237(1949).

193. Sinha N. K. Normalised dispersion of birefringence of quartz and stress optical coefficient of fused silica and plate glass //Physics and Chemistry of Glasses, v. 19. №. 4. p. 69-77(1978).

194. Wang X., Yao J. Transmitted and tuning characteristics of birefringent filters //Applied optics, v. 31. №. 22. p. 4505-4508 (1992).

195. Bloom A. L. Modes of a laser resonator containing tilted birefringent plates //JOSA. .v. 64. №. 4. p. 447-452(1974).

196. Walther H., Hall J. L. Tunable dye laser with narrow spectral output //Applied Physics Letters, v. 17. №. 6. p. 239-242(1970).

197. J. E. Bernard and A. J. Alcock, High-efficiency diode-pumped Nd:YV04 slab laser // Opt. Lett. 18,968-970 (1993).

198. J. E. Bernard and A. J. Alcock, High-repetition-rate diode-pumped Nd:YV04 slab laser// Opt. Lett. 19, 1861-1863 (1994).

199. M. J. Damzen, M. Trew, E. Rosas, and G. J. Crofts, Continuous-wave Nd:YV04 grazing-incidence laser with 22.5 W output power and 64% conversion efficiency // Opt. Comm. 196, 237-241 (2001).

200. Y. Ojima, К. Nawata, and T. Omatsu, Over 10-watt picosecond diffraction-limited output from a Nd: YV04 slab amplifier with a phase conjugate mirror // Opt. Express 13(22), 8993-8998 (2005).

201. Hebling J., Yeh K. L., Hoffmann M. C., Bartal В., Nelson, K. A. Generation of high-power terahertz pulses by tilted-pulse-front excitation and their application possibilities // JOSA B, 25(7), B6-B 19(2008).

202. Vodopyanov K. L., Kulevskii L. A. New dispersion relationships for GaSe in the 0.65-18 pm spectral region // Optics communications, 118(3), 375-378(1995).

203. Ding Y. J., Shi W. Widely-tunable, monochromatic, and high-power terahertz sources and their applications //Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials, v. 12. №. 04. p. 557-585(2003).

204. Shi W., Ding Y. J. Tunable coherent radiation from terahertz to microwave by mixing two infrared frequencies in a 47-mm-long GaSe crystal //International journal of high speed electronics and systems, v. 16. №.2. p. 589-595(2003).

205. Shi W., Leigh M., Zong J., Jiang S. Single-frequency terahertz source pumped by Q-switched fiber lasers based on difference-frequency generation in GaSe crystal // Optics letters, 32(8), 949-951(2007).

206. Geng Y., Tan X., Li X., Yao J. Compact and widely tunable terahertz source based on a dual-wavelength intracavity optical parametric oscillation //Applied Physics B, 99(1-2), 181-185(2010).

207. Zhao P., Ragam S., Ding Y. J., Zotova I. B. Compact and portable terahertz source by mixing two frequencies generated simultaneously by a single solid-state laser // Optics letters, 35(23), 3979-3981(2010).

208. Keller U. Ultrafast solid-state lasers //Progress in Optics, v. 46. p. 1-115(2004).

209. Кравцов H. В. Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой //Квантовая электроника, 31(8), с.661-677(2001).

210. Н.Н. Ильичев, Е.Д. Образцова, С.В. Гарнов, С.Е. Мосалева, Нелинейное пропускание одностенных углеродных нанотрубок в тяжелой воде на длине волны 1.54 мкм; получение режима самосинхронизации мод в лазере на стекле с

ЕгЗ+ с помощью пассивного затвора на основе этих нанотрубок // Квантовая Электроника, 34, 572-574 (2004).

211. S. Y. Set, Н. Yaguchi, Y. Tanaka, М. Jablonski, Y. Sakakibara, A. Rozhin, M. Tokumoto H. Kataura, Y. Achiba, K. Kikuchi, Mode-locked fiber lasers based on a saturable absorber incorporating carbon nanotubes // Optical Fiber Comm. Conference'03 Tech. Digest, no.PD44 (2003).

212. S.Y. Set, H. Yaguchi, Y. Tanaka, M. Jablonski, Laser Mode Locking Using a Saturable Absorber Incorporating Carbon Nanotubes // J. Lightwave Tech. 22, 51-56 (2004).

213. T. Hasan, Z. Sun, F. Wang, F. Bonacrosso, P. H. Tan, A.G. Rozhin, A.C. Ferrari, Nanotube-Polymer Composites for Ultrafast Photonics // Adv. Mat. 21, 3874-3899 (2009).

214. W.B. Cho, J.H. Yim, S.Y. Choi, S.Lee, A. Schmidt, G. Steimeyer, U. Griebner, V. Petrov, D.I. Yeom, K.Kim, F. Rotermund, Boosting the Non Linear Optical Response of Carbon Nanotube Saturable Absorbers for Broadband Mode-Locking of Bulk Lasers // Adv. Func. Mat. 20, 1937-1943 (2010).

215. M.C. Travers, J. Morgenweg, E.D. Obraztsova, A.I. Chernov, E.J.R. Kelleher, S.V. Popov, Using the E22 Transition of Carbon Nanotubes for Fiber Laser Mode-Locking // Las. Phys.Lett. 8, 144-149 (2011).

216. K. Siebert, G.C. Cho, W. Kiitt, H. Kurz, D.H. Reitze, J.I. Dadap, H. Ahn, M.C. Downer, A.M. Malvezzi, Femtosecond Carrier Dynamics in Graphite // Phys. Rev. В 42,2842-2851 (1990).

217. S. Yamaguchi, H.O. Hamaguchi, Convenient Method of Measuring the Chirp Structure of Femtosecond White-Light Continuum Pulses // Appl. Sectroscopy 49, 1513-1515 (1995).

218. A. Rice, Y. Jin, X. F. Ma, X.-C. Zhang, D. Bliss, J. Larkin, M. Alexander Terahertz Optical Rectification From <110> Zinc-Blende Ciystals // Appl. Phys. Lett. 64, 1324-1327(1994).

219. O.J. Korovyanko, C.X. Sheng, Z.V. Vardeny, A.B. Dalton, R.H. Baughman, Ultrafast Spectroscopy of Excitons in Single-Walled Carbon Nanotubes // Phys. Rev. Lett 92, 017403-017407 (2004).

220. C. Manzoni, A. Gambetta, E. Menna, M. Meneghetti, G. Lanzani, G. Cerullo, Intersubband Exciton Relaxation Dynamics in Single-Walled Carbon Nanotubes // Phys. Rev. Lett. 94, 207401-207405 (2005).

221. S. Tatsuura, M. Furuki, Y. Sato, I. Iwasa, M. Tian, and H. Mitsu, Semiconductor Carbon Nanotubes as Ultrafast Switching Materials for Optical Telecommunications // Adv. Mater. 15, 534-537 (2003).

222. Z. Zhu, J. Crochet, M.S. Arnold, M.C. Hersam, H. Ulbricht, D. Resaco, T. Hertel, Pump-probe Spectroscopy of Exciton Dynamics in (6,5) Carbon Nanotubes // J. Phys. Chem. С 111,3831-3835 (2007).

223. V.A. Margulis, Т.A. Sizikova, Theoretical study of third-order nonlinear optical response of semiconductor carbon nanotubes // Physica В 245, 173-189 (1998).

224. Garnov S.V., Solokhin S.A., Obraztsova E.D., Lobach A.S., Obraztsov P.A., Chernov A.I., Bukin V.V., Sirotkin A.A., Zagumennyi A.I., Zavartsev Y.D., Kutovoi S.A., Shcherbakov I.A., Passive mode-locking with carbon nanotube saturable absorber in Nd:GdV04 and Nd:Yo.9Gdo.iV04 lasers operating at 1.34 |im // Laser Physics Letters 4, 648-651 (2007).

225. Obraztsov P.A.; Garnov S.V.; Obraztsova E.D.; Sirotkin A.A.; Lyashenko D.A.; Svirko Y.u.P. Passive Mode-Locking of Diode-Pumped Nd:YAG Solid State Laser Operated at X, = 1.32 pm Using Carbon Nanotubes as Saturable Absorber // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics,4 (2), 227-231 (2009).

226. Obraztsov P.A., Sirotkin A.A., Obraztsova E.D.,Svirko Y.P.,Garnov S.V. Carbon-nanotube-based saturable absorbers for near infrared solid state lasers // Optical Review, 17 (3) 290-293(2010).

227. А.Д. Андреев, A.A. Липовский, Влияние анизотропии зонной структуры на оптические переходы в сферических квантовых точках на основе сульфида свинца и селенида свинца // Физика и техника полупроводников, т. 33, вып. 12 с. 1450-1455 (1999).

228. P.T. Guerreiro,S. Ten, N.F. Borelli, J. Butti, G.E. Jabbour, N. Peyghambarian, PbS quantum-dot doped glasses as saturable absorbers for mode locking of a Cr:forsterite laser // Appl. Phys. Lett. 71 (12), p.1595-1597 (1997).

229. A.A. Lagatsky, C.G. Leburn, C.T.A. Brown, W. Sibbett, A.M. Malyarevich, V.G. Savitski, K.V. Yumashev, Raaben, A.A. Zhilin, Passive mode locking of a Cr4+:YAG laser by PbS quantum-dot-doped glass saturable absorber // Optics Communications, 241(4), 449-454(2004).

230. Guerreiro P. T., Ten S., Borrelli N. F., Butty J., Jabbour G. E., Peyghambarian N. PbS quantum-dot doped glasses as saturable absorbers for mode locking of a Cr: forsterite laser// Applied physics letters,71(12), 1595-1597(1997).

231. Wundke K., Potting S., Auxier J., Schulzgen A., Peyghambarian N., Borrelli N. F. (2000). PbS quantum-dot-doped glasses for ultrashort-pulse generation // Applied Physics Letters, 76(1), 10-12(2000).

232. Philipps J. F., Topfer T., Ebendorff-Heidepriem H., Ehrt D., Sauerbrey R. Spectroscopic and lasing properties of Er3+: Yb3+-doped fluoride phosphate glasses // Applied Physics B, 72(4), 399-405(2001).

233. Bilinsky I. P., Prasankumar R. P., Fujimoto J. G. Self-starting mode locking and Kerr-lens mode locking of a Ti: A1203 laser by use of semiconductor-doped glass structures // JOS A B, 16(4), 546-549( 1999).

234. A.M. Malyarevich, V.G. Savitski, P.V. Prokoshin, N.N. Posnov, K.V. Yumashev, E. Raaben, A.A. Zhilin, Glass doped with PbS quantum dots as a saturable absorber for 1 Mm neodymium lasers // J. Opt. Soc. Am. B 19, 28 (2002).

235. A.A. Sirotkin, S.A. Kutovoi, Yu.D. Zavartsev, V.A. Mikhailov, A.I. Zagumennyi, Yu.L. Kalachev, I.A. Shcherbakov,R. Renner-Erny, W. Luthy, T. Feurer. Hybrid mode-locked, diode-pumped Nd:Gd0.7Y0.3VO4 laser. // Laser Phys. Lett. v.4(9), p.652-655 (2007)

236. E. Sorokin, I. Sorokina, E. Winter, A.I. Zagumennyi, I.A. Shcherbakov, CW passive mode-locking of a new Nd:GdV04 laser // OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers 15,238(1993).

237. C.Honninger, R. Paschotta, F.Morier-Genoud, M.Mozer, and U.Keller. Q-switching stability limits of continuous-wave passive mode locking // J. Opt.Soc.Am.B 16, 46 (1999).

238. Schibli T. R., Thoen E. R., Kartner F. X., Ippen E. P. Suppression of Q-switched mode locking and break-up into multiple pulses by inverse saturable absorption // Applied Physics B, 70(1), S41-S49 (2000).

239. E.P. Maldonado, N.D. Vieira Jr. Hybrid active and Kerr-lens mode locking of a diode-end-pumped Nd:YLF laser // Revista de Fisica Aplicada e Instrumenta^ao 12 (3), 102-105 (1997)

240. A.Sorokin, I. Sorokina, E. Winter, A.I. Zagumennyi, I.A. Shcherbakov, CW Passive Mode-Locking of a New Nd3+:GdV04 Crystal Laser // Opt. Soc. Am. OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers, v.15, 238-241 (1993).

241. J. Liu, Z. Wang, X. Meng, Z. Shao, B. Ozygus, A. Ding, H. Weber. Improvement of passive Q-switching performance reached with a new Nd-doped mixed vanadate crystal Nd:Gdo.64Yo.36V04 // Opt. Lett., 28 (23), 2330-2332 (2003).

242. J. Liu, X. Meng, Z. Shao, M. Jiang, B. Ozygus, A. Ding, H. Weber, Pulse energy enhancement in passive Q-switching operation with a class of Nd:GdxYi_xV04 crystals // Appl. Phys. Lett. 83 (7) 1289-1291 (2003)

243. J. He,Y. Fan, J.Du, J. Wang, S. Liu, H, Wang, L. Zhag, Y. Hang, 4 ps passively mode-locked Nd: Gd0.5Y0.5VO4 laser with a semiconductor saturable absopbed mirror // Optics Letters, 29,(24), 2803-2805 (2004).

244. A. I. Zagumennyi, V. A. Mikhailov, V. I. Vlasov, A. A. Sirotkin, V. I. Podreshetnikov, Yu. L. Kalachev, Yu. D. Zavartsev, S. A. Kutovoi, and I. A. Shcherbakov, Diode-Pumped Lasers Based on GdV04 //Crystal Laser Physics, Vol. 13, No. 3, pp. 311-318(2003).

245. Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ф. Зерроук, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, В. В. Подрешетников, А. А. Сироткин, И. А. Щербаков, Квазитрехуровневый Nd:GdV04-лазер на X = 456 нм с диодной накачкой.// Квантовая Электроника, Том 33, Номер 7, с. 651-654(2003).

246. А.А. Sirotkin, V.I. Vlasov, A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev, S.A. Kutovoi, Brendel V.A., Garnov S.V., I.A. Shcherbakov. Methods control of spectral parameters in vanadate lasers .// International Conference on Advanced Laser Technologies ALT'12, Thun, Switzerland, Book of Abstracts, Paper MO-4C-7-RO, p. 132(2012)

247. A.A. Sirotkin, V.I. Vlasov, A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev, S.A. Kutovoi, I.A. Shcherbakov, Active vtdia formation in vanadate lasers.// The 21th International Conference on Advanced Laser Technologies ALT'13 Budva, Montenegro, Book of Abstracts, Paper LS-O-3, p. 139(2013)

248. A.A. Сироткин, C.B. Гарнов, А.И. Загуменный, Ю.Д. Заварцев, С.А. Кутовой,

B.И. Власов, И.А. Щербаков, Двухчастотные лазеры с диодной накачкой на основе кристаллов ванадатов, вырезанных вдоль оси с.// Квантовая электроника, 39 (9), 802-806(2009).

249. А.А. Сироткин, С.В. Гарнов, В.И. Власов, А.И. Загуменный, Ю.Д. Заварцев,

C.А. Кутовой, И.А. Щербаков, Двухчастотные лазеры на кристаллах ванадатов со взаимно параллельной и ортогональной поляризациями генерируемого излучения// Квантовая электроника, 42 (5), 420-426(2012).

250. А.А. Сироткин, С.П.Садовский, С.В. Гарнов, Двухчастотный пикосекундный лазер на кристаллах ванадатов с сигма-поляризацией излучения // Квантовая электроника, 43,№7, 600-602 (2013)

251. А.А. Sirotkin, S.V. Garnov, A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev, S.A. Kutovoi, V.I. Vlasov, I.A. Shcherbakov, THz source based on two-color diode-pumped C-cut vanadat lasers and GaSe nonlinear crystal.// International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT'09), Book of Abstracts, p. 99 (2009).

252. S.V. Garnov, V.V.Bukin, A.I.Ritus, A.AJSirotkin, T.V.Shirokich and A.G.Stepanov, "High-intensity terahertz pulses: methods of generation and applications.// International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT'09), Book of Abstracts, p. 169 (2009).

253. A.A. Sirotkin, S.V. Garnov, A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev, S.A. Kutovoi, V.I. Vlasov, I.A. Shcherbakov, Two-color diode-pumped vanadate lasers for THz

sources.// International Conference "Fundamentals of Laser Assisted Micro- and Nanotechnologies" (FLAMN-10), Book of Abstracts, W2-3, p. 134(2010)

254. A.A. Sirotkin, S. Garnov, A. Zagumennyi, Yu. Zavartsev, S. Kutovoi, V. Vlasov,I. Shcherbakov, THz sources by deferens frequency generation and two color vanadate lasers.// International Conference on Advanced Laser Technologies - ALT' 11, Golden Sands, Bulgaria, Book of Abstracts, I-3-TH, p. 101(2011)

255. S.P. Sadovskiy, A.A. Sirotkin, S.V. Garnov , Tunable two-frequency o-polarized ND:YV04 -YV04.// The 21th International Conference on Advanced Laser Technologies ALT'13 Budva, Montenegro, Book of Abstracts, Paper LS-P-15, р.159(2013)

256. Solokhin S.A., Sirotkin A.A., Garnov S.V. Diode pumped Nd:YAG laser with active Q-switching and mode locking for hole drilling. //Laser Phys., 21, p.l 145(2011).

257. АЛ. Sirotkin , L. Di Labio , A.I. Zagumennyi , Yu.D. Zavartsev , S.A. Kutovoi, V.I. Vlasov , W. Ltithy , T. Feurer , A.A. Onushchenko , I.A. Shcherbakov. "Mode-locked diode-pumped vanadate lasers operated with PbS quantum dots". // Appl Phys В ,v.94, 375-379 (2009).

258. AAJSirotkin, S.V.Garnov, A.I.Zagumennyi, Y.D. Zavartsev, S.A.Kutovoi, I.A.Shcherbakov, S.A.Solokhin, Novel applications of GaAs crystal for solid state laser mode-locking, // Technical Digest of International Conference on Lasers, Applications, and Technologies (LAT 2007), Belarus, Minsk, paper L01/1-5, p.62(2007).

259. S.V.Garnov, E.D.Obraztsova, A.AJSirotkin, V.V.Bukin, P.A.Obraztsov, A.I.Zagumennyi, Y.D.Zavartsev, S.A.Kutovoi, I.A.Shcherbakov, S.A.Solokhin, A.S.Lobach, Passive mode-locking of 1.34 pm Nd:GdV04 and Nd:Y0.9Gdo.iV04 lasers using carbon nanotubes as a saturable absorber. // Technical Digest of International Conference on Lasers, Applications, and Technologies (LAT 2007), Belarus, Minsk, paper L01/II-5, p.70(2007).

260. Солохин C.A., Образцов П.А., Сироткин A.A., Гарнов С.В., Образцова Е.Д., Букин В.В. Пассивная синхронизация мод в твердотельных лазерах с

использованием одностенных углеродных нанотрубок и GaAs в качестве насыщающихся поглотителей.//Сборник докладов II Всероссийской школы для студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов по лазерной физике и лазерным технологиям. ВНИИЭФ, ИЛФИ, г. Саров, с.218-228(2008).

261. Solokhin S.A., Sirotkin А.А., Garnov S.V., Gavrilov A.V., Shcherbakov I.A. Picosecond Nd:YAG diode pumped laser for hole drilling.// Technical program of International Conference «Laser Optics 2008» St.Peterburg, Russia, p.42(2008).

262. Solokhin S.A., Sirotkin A.A., Garnov S.V., Bukin V.V., Obraztsov P.A., Obraztsova E.D., Shcherbakov I.A. Hybrid Q-switched Nd:YAG laser mode-locked with carbon nanotubes as a saturable absorber. Book of abstracts of International Conference «Advanced Laser Technologies - ALT-08», 2008, Siofok, Hungary, p.143(2008).

263. Obraztsov P.A., Garnov S.V., Obraztsova E.D., Lobach A.S., Sirotkin A.A., Svirko Yu.P., Carbon Nanotube Containing Medium as a Saturable Absorber for Diode-Pumped YAG:Nd Solid State Laser Operated at Wavelength 1.32 /mi. // Proceedings of XXIII International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials, 7-14 March, Kirchberg, Austria, p. 113(2009).

264. Obraztsov P.A., Garnov S.V., Sirotkin A.A., Bukin V.V., Passive mode-locking of Nd-doped solid state lasers operated at 1.3 //m using carbon nanotubes as a saturable absorbers.//Proceedings of International Workshop "Nanocarbon Photonics and Optoelectronics", Holiday Centre Huhmari, Polvijarvi, Finland, p.49(2008).

265. Solokhin S.A., Sirotkin A.A., Garnov S.V., Bukin V.V., Obraztsov P.A., Obraztsova E.D., Shcherbakov I.A. Hybrid Q-switched Nd:YAG laser mode-locked with carbon nanotubes as a saturable absorber. Book of Abstracts of International Conference «Advanced Laser Technologies - ALT-08», Siofok, Hungary, p. 143(2008).

266. Solokhin S.A., Sirotkin АЛ., Garnov S.V., Gavrilov A.V., Shcherbakov I.A. Picosecond Nd:YAG diode pumped laser for hole drilling.//Technical program of International Conference «Laser Optics 2008» (L0-08), St.Peterburg, Russia, p.42(2008).

267. А.А. Sirotkin , L. Di Labio , A.I. Zagumennyi , Yu.D. Zavartsev , S.A. Kutovoi, V.I. Vlasov , W. Liithy , T. Feurer , A.A. Onushchenko , I.A. Shcherbakov. "Mode-locked diode-pumped vanadate lasers operated with PbS quantum dots". // Appl Phys В ,v.94: 375-379, (2009).

268. A.F. Bunkin, M A Davydov, A Yu Ivochkin, S M Pershin, A A Sirotkin and V N Strel'tsov, Four-wave mixing spectroscopy of the photo-elastic scattering resonance in Nd:YV04 crystal // Laser Physics, Vol. 23 (1), (2013)

269. A.A. Sirotkin, V.I. Vlasov, A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev, S.A. Kutovoi, Brendel V.A., Garnov S.V., I.A. Shcherbakov, Spectral parameter control in diode-pumped vanadate lasers // International Conference «Laser Optics 2012» (LO-12), St.Peterburg, Russia, Book of Abstracts, 0352(2012).

270. Chun-Yong L., Ping-Xue L., De-Hua L., Bao-Hua F., Pan-Ming F., Zhi-Guo Z., Shi-Wen Z. Diode-Pumped Self Q-Switched and Mode-Locking Nd3+, Cr4+: YAG Laser // Chinese Physics Letters, 21(2), 313(2004).

271. R. Conroy, Microchip lasers // PhD Thesis, University of St. Andrews, 1998.

272. J J. Degnan, Optimization of passively Q-switched lasers // Quantum Electronics (1995), V. 31, issue 11. 1890-1901

273. T. Dascalu, G. Phillips, H. Weber, Investigation of a Cr4+:YAG passive Q-switch in CW pumped Nd:YAG lasers // Optics and Laser Techology, V. 29, No. 3, pp. 145149, (1997).

274. H.H Ильичев, A.B. Кирьянов, П.П. Пашинин, B.A. Сандуленко, A.B. Сандуленко, C.M. Шпуга, Анизотропия нелинейного поглощения в кристалле ИАГ: V3+ // Квантовая электроника, 22, № 12, 1199-1202(1995).

275. Yumashev К. V., Kuleshov N. V., Malyarevich А. М., Prokoshin P. V., Shcherbitsky V. G., Posnov N. N., Sandulenko V. A. Ultrafast dynamics of excited-state absorption in V3+:YAG crystal // Journal of applied physics, 80(8), 4782-4784(1996).

276. Chen Y. F., Lan Y. P. Comparison between c-cut and a-cut Nd: YV04 lasers passively Q-switched with a Cr4+:YAG saturable absorber // Applied Physics B, 74(4-5), 415-418(2002).

277. Liu J., Yang J., He, J. Diode-pumped passively Q-switched c-cut Nd: GdV04 laser // Optics communications, 219(1), 317-321(2003).

278. S.P. Ng, D.Y. Tang, L.J. Quin, X.L. Meng, High power passively Q-switched Nd: GdV04 lasers // Optics Communications, 229, 331-336, 2004].

279. Xiao, G., Bass, M. A., A generalized model for passively Q-switched lasers including excited state absorption in the saturable absorber // IEEE Journal of Quantum Electronics, 33(1), 41-44(1997).

280. А. А. Сироткин, В. И. Власов, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, С. А. Кутовой, Лазеры на кристаллах ванадатов с о-поляризацией генерируемого излучения // Квантовая Электроника, 41, № 7, 584-589 (2011).

281. А Л. Sirotkin, D.V. Sizmin, S.V. Garnov, "Polarization-resolved study of passively Q-switched diode-pumped Nd:YV04 lasers with Cr4+:YAG and V3+:YAG saturable absorbers // International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT'09), Book of Abstracts, p.98 (2009).

282. F. Hanson, Improved laser performance at 946 and 473 nm from a composite Nd:Y3Al5012 rod // Appl. Phys. Lett. 66, 3549-3551 (1995).

283. Z. Zhuo, T. Li, X Li, and H. Yang, Investigation of Nd:YV04/YV04 composite crystal and its laser performance pumped by a fiber coupled diode laser // Opt. Commun. 274, 176-181 (2007)

284. Lupei, V., Pavel, N., & Taira, T. Highly efficient laser emission in concentrated Nd: YV04 components under direct pumping into the emitting level // Optics communications, 201(4), 431-435(2002).

285. Lu Y. F., Xia J., Zhang X. H. Quasi-three-level Nd: LuV04 laser under diode pumping directly into the emitting level // Laser Physics Letters, 7(2), 120-123(2010).

286. Huang Y. J., Chen Y. F. High-power diode-end-pumped laser with multi-segmented Nd-doped yttrium vanadate // Optics express, 21(13), 16063-16068(2013).

287. А.А. Sirotkin, Многоволновая УФ—ИК лазерная установка на основе композитных кристаллов ванадатов Nd:YV04-YV04 вырезанных вдоль оси а, для а- поляризации излучения // Квантовая электроника, 42 (6), 524-527(2012)

288. P.G. Zverev, A.Y. Karasik, А.А. Sobol, A. A., Chunaev, D. S., Basiev, Т. Т., Zagumennyi, А. I., Shcherbakov, I. A. Stimulated Raman scattering of picosecond pulses in GdV04 and YV04 crystals // Advanced Solid-State Photonics Optical Society of America p.TuB 10 (2004).

289. A.A. Sirotkin, V.I. Vlasov, A.I. Zagumennyi, Yu.D. Zavartsev, S.A. Kutovoi, S.V.Garnov, I.A. Shcherbakov, Spectral parameters control in vanadate lasers // International Conference ICONO-LAT-2013 (Moscow), Technical digest LAT-01, P.25, (2013)

290. A.A. Sirotkin, High power passively Q-switched vanadate lasers // International Conference ICONO-LAT-2013(Moscow), Technical digest LAT-01, P. 117-118, (2013)

291. Prokhorov A.M., Kuzmin G.P., A.V. Kisletsov, V.P. Zakharov and Dobkin V.G., //Laser Physics,6 , 420-422 (1996).

292. Конев С. В., Волотовский И. Д. Фотобиология //Минск: Изд-во БГУ, 1979.

ч

293. В.В. Аполлонов, В.Г. Добкин, К.В. Константинов, Т.П. Кузьмин, М.Н. Ночевник, A.M. Прохоров, А.А. Сироткин, В.В. Усов. Способ лечения деструктивных форм туберкулеза легких методом эндокавитарного облучения ультрафиолетовым излучением и устройство для его осуществления. Патент RU, 2141859, С1 от 22.09.98 . Положительное решение от 29.07.1999.

294. М.И. Перельман, М.Н. Ночевник, В.П. Стрельцов, М.М. Рившин, Г.И. Семенов, А.А. Сироткин, Способ лечения гнойно-воспалительных процессов в мягких тканях и внутренних органах с помощью лазерного излучения и установка для его осуществления // патент RU № 2234349 С1, от 20.08.2004.

295. Сироткин А. А., Калачев Ю. Л., Кузьмин Г. П., Многоволновая лазерная установка бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний.// Патент на полезную модель RU 98928 U1, 2010

296. Сироткин А. А., Калачев Ю. JI., Кузьмин Г. П., Многоволновая лазерная установка бактерицидного и терапевтического действия для лечения инфекционных заболеваний .//Патент RU 2448746, 2010.

297. Apollonov V.V., Konstantinov K.V., Sirotkin А.А. Uv Diode-pumped solid state laser for medicine application.// SPIE Vol. 3829-0277-786X, pp.135-140 (1999).

298. G.P.Kuzmin, A.G.Kuzmina, O.V.Lovacheva, A .A .Sirotkin, Multiwave medical device on the diode pumped solid state laser for the microbe nature desease treatment.// International Conference on Advanced Laser Technologies - ALT'11, Golden Sands, Bulgaria, Book of Abstracts, O-4-BP, p.33(2011)

299. A.A. Sirotkin, UV-VIS-IR passively Q-switched a-polarization composite YV04 -Nd:YV04 laser for medicine applications. // International Conference on Advanced Laser Technologies - ALT'11, Golden Sands, Bulgaria, 2011, Book of Abstracts, P-1-LD, p. 120(2011)

300. A.A. Sirotkin, Novel UV passively Q-switched Nd:GdV04 laser for medicine applications.// International Conference on Advanced Laser Technologies ALT'12, Thun, Switzerland, Book of Abstracts, PaperWE-P03-LSM-07, р.132(2012)

301. A.A. Sirotkin , The high peak power passively Q-switched YV04-Nd3+:YV04 laser for medicine.// The 21th International Conference on Advanced Laser Technologies ALT'13 Budva, Montenegro, Book of Abstracts, 2013, Paper LS-P-16, p. 160(2013)

302. Zhuang, F., Ye, N., Huang, C., Zhu, H., Wei, Y., Chen, Z., Zhang, G. Multi-reflected enhancement of fourth harmonic DUV laser generation at 266 nm // Optics express, 18(24), 25339-25345(2010).

303. S.P.Sadovskiy, A.A. Sirotkin, S.V.Garnov,Two-frequency o-polarized Nd3+:YV04 -YV04 laser // International Conference ICONO-LAT-2013(Moscow), Technical digest LAT-01, P. 106-107 (2013)

304. S.V. Garnov S.V.Bukin V.V., Ritus A.I., Sirotkin АЛ., I.A. Shcherbakov, Stepanov A.G., Two-color diode-pumped vanadate lasers for THz sources.// International Conference "Fundamentals of Laser Assisted Micro- and Nanotechnologies" (FLAMN-10), Book of Abstracts, PL2-4, p.21(2010)

305. G. P. Kuzmin, A. G. Kuzmina, О. V. Lovacheva and A. A. Sirotkin, Multiwave medical device on the diode pumped solid state laser for microbe nature disease treatment .// Journal of Innovative Optical Health Sciences, Vol. 5, No. 2, 24-28(2012)

306. P. Nikolaev, M.J. Bronkiowski, R.K. Bradley, F. Rohmund, D.T. Colbert, K.A. Smith, R.E. Smalley, Gas-phase Catalytic Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes From Carbon Monoxide.// Chem. Phys. Lett. 313, 91-95 (1999).

307. M.J. Bronkiowski, P.A. Willis, D.T. Colbert, K.A. Smith, R.E. Smalley Gas-phase Production of Carbon Single-Walled Nanotubes From Carbon Monoxide via the HiPco process: A Parametric Study // J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1800-1805 (2001).

308. А.Г. Кузьмина, В.И. Хрупкин, Г.П. Кузьмин, В.П. Курилов, А.В. Нефедов, А.А. Сироткин, С.В. Урсов, Применение многоволновой лазерной медицинской установки «Ливадия» для лечения гнойных осложнений мягких тканей в абдоминальной хирургии // Научно-практическая конференция «Частные вопросы клинической хирургии»,Тезисы докладов, 53-55 (2013).