Технология, свойства и применение кристаллов на основе диоксида циркония тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Ломонова, Елена Евгеньевна

• Ломонова, Елена Евгеньевна
• доктор технических наук
• 2001

Оглавление диссертации доктор технических наук Ломонова, Елена Евгеньевна

основе диоксида циркония (обзор литературы).

1.1 .Методы синтеза материалов на основе диоксида циркония.

1.1.1. Спеченые материалы

1.1.2.Плавленые материалы. 1В 1.1.2.1,Основы метода прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере.

1.1.2.2.Развитие теории индукционной плавки оксидных материалов.

1.1.2.3.Выращивание монокристаллов направленной кристаллизацией расплава в холодном контейнере

1.1.2.4.Технологическое оборудование для выращивания кристаллов.

1.2.Структура и физико-химические свойства материалов.

1.2.1.Кристаллохимические свойства и структура 2Юг

1.2.2.Диаграммы состояния Zf02-R20з( где ]1-У, Сс1, Ей, УЬ).

1.2.3.Кристаллохимия твердых растворов на основе диоксида циркония.

1.2.3.1.Стабилизация кубической фазы.

1.2.3.2.Переход "порядок - беспорядок" в системах Zr02-R20з

1.2.3.3. Стабилизация тетрагональной структуры. 53 1.2.3.4.Особенности фазообразования и структуры твердых растворов на основе диоксида циркония, полученных направленной кристаллизацией расплава.

1.2.4.Некоторые физические и химические свойства материалов на основе диоксида циркония. 64 1.2.6.Современные представления о механизме упрочнения в частично стабилизированном диоксиде циркония (ЧСЦ).

1.3.Выводы.

Глава 2.Разработка высокопроизводительной безотходной технологии монокристаллов на основе диоксида циркония с использованием прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере.

2.1.Технологическая схема 76 2.1.1 .Приготовление шихты.

2.1.1.1 .Характеристики исходных веществ.

2.1.1.2.Химический анализ компонентов исходного сырья.

2.1.2.3агрузка холодного контейнера.

2.1.3. Стартовое плавление и дозагрузка контейнера.

2.1.4. Выращивание кристаллов. 86 2.1.5.0собенности технологии пленкообразующих материалов на основе диоксида циркония.

2.2. Экспериментальное изучение процессов плавления и кристаллизации материала в холодном контейнере при прямом высокочастотном нагреве.

2.2.1. Контроль состояния ванны расплава. 88 2.2.1.1 .Метод контроля состояния системы генератор-нагрузка. 91 2.2.1.2.Практическое использование метода контроля генератор — нагрузка.

2.2.2.Исследование процесса плавления при прямом ВЧ- нагреве в холодном контейнере. 101 2.2.2.1. Сравнение результатов экспериментального исследования с теоретической моделью плавления пористого диэлектрика при прямом ВЧ- нагреве. 108 2.2.2.2.Экспериментальньгй контроль за направлением распространения расплава. 111 2.3.0собенности выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава в холодном контейнере. 118 2.3.1. Распределение температур при выращивании кристаллов направленной кристаллизацией расплава в холодном контейнере

2.3.2.Процессы зарождения и вырождения при кристаллизации в холодном контейнере.

2. ^Зависимость размеров кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония от состава исходного расплава.

2.5.Выводы.

Глава 3. Исследование фазового состава и однородности кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония. 148 3.1.Определение химического состава выращенных кристаллов. Эффективный коэффициент распределения стабилизирующего оксида.

3.2. Фазовый анализ кристаллов Zf02-R203 161 3.2.1 .Кристаллооптический анализ.

3.2.2.Рентгенофазовый анализ.

3.2.3.Исследование кристаллов ZrC^-l^C^ методом комбинационного рассеяния света (обзор литературы).

3.2.4. Фазовая устойчивость кристаллов Zr02-R

3.3.Исследование дефектов монокристаллов ZrC^-I^O^.

3.3.1.Слои роста

3.3.2.Ячеистая структура.

3.3.3.Включения посторонних фаз.

3.4.Напряжения в кристаллах. Отжиг. 193 ЗЛВыводы.

Глава 4. Разработка технологии кристаллов С-ОХ и их свойства.

4.1.Выращивание и свойства кристаллов Zr02-R203- Pf203 (R-Y, Yb, Lu;).

4.2.Влияние состава и термообработки на зарядовые состояния собственных и примесных дефектов в твердых растворах Zr02-Y

4.3.Переходы Со2+ <-»Со3+ в кристаллах Zr02-Y203 при отжиге на воздухе и в вакууме.

4.4.Некоторые практические применения кристаллов С-ОХ.

4.5.Выводы.

Глава 5. Разработка технологии кристаллов частично стабилизированного диоксида циркония(ЧСЦ) и их свойства.

5.1.Выращивание кристаллов ЧСЦ.

5.2. Определение химического состава и исследование распределения стабилизирующего оксида по длине кристаллов ЧСЦ, выращенных направленной кристаллизацией в холодном контейнере.

5.3. Фазовые переходы в кристаллах ЧСЦ. 229 5.3.1.Фазовые превращения в материалах на основе Zr02(oбзop литературы).

5.3.1.1Некоторые кристаллографические и энергетические аспекты мартенситных превращений.

5.3.1.2.Фазовые превращения в твердых растворах диоксида циркония, полученных направленной кристаллизацией расплава.

5.3.2.Экспериментальное исследование фазовых переходов в кристаллах ЧСЦ

5.4.Фазовый состава кристаллов ЧСЦ.

5.5.Микроструктура кристаллов ЧСЦ.

5.5.1. Морфология поверхности кристаллов после роста. 251.

5.5.2.Исследование микроструктуры методом химического травления.

5.5.3.Исследование доменной структуры кристаллов.

5.6.Механические свойства кристаллов.

5.6.1.Методики определения некоторых механических характеристик.

5.6.2.Деформирование и прочность кристаллов ЧСЦ на изгиб.

5.6.3.Прочыость на сжатие.

5.6.4.Трещинностойкость и микротвердость кристаллов ЧСЦ.

5.6.4.1.Трещинностойкость (обзор литературы).

5.6.4.2.Микротвердость (обзор литературы). 271 5.6.4.3.0пределение микротвердости и трещинностойкости в кристаллах ЧСЦ.

5.6.5.Влияние третьих примесей и условий выращивания на механические свойства кристаллов ЧСЦ.

5.7.Некоторые практические применения кристаллов ЧСЦ.

5.8.Выводьг. 299 Заключение. 303 Литература. 308 Приложение 1.Данные РФА 341 Приложение 2.Некоторьге свойства кристаллов ЧСЦ

2.1 .Износостойкость и обрабатываемость кристаллов ЧСЦ.

2.2.Теплофизические свойства кристаллов ЧСЦ.

2.3.Термостойкость.

2.4.Тенлопроводность. 349 ПриложениеЗ.Актьг о использовании результатов работы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология, свойства и применение кристаллов на основе диоксида циркония»

Развитие многих отраслей современной науки и техники тесно связано с созданием новых материалов. Разработка современных передовых технологий способствует получению материалов с принципиально новыми свойствами.

Материалы на основе диоксида циркония известны давно. Они нашли применение в производстве огнеупоров, в керамической и стекольной промышленности, в электронике и радиоэлектронике, и т.д. [1-3]. Развитие в середине 60-х годов двадцатого века новых методов синтеза особо тугоплавких материалов с температурами плавления выше 2000°С — прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере, горячего прессования, изостатического прессования и т.д.- привело к созданию на основе этого оксида целого комплекса материалов с новыми интересными свойствами. Это были и монокристаллы кубических твердых растворов на основе диоксида циркония —фианиты, и высокопрочная, высоковязкая керамика —частично стабилизированный диоксид циркония (ЧСЦ)[4-5].

Одним из наиболее важных достижений в области технологии особо тугоплавких оксидных материалов явилась разработка метода прямого высокочастотного плавления неметаллических материалов в холодном контейнере и его использование, в частности, для получения монокристаллических материалов. В конце шестидесятых годов в Физическом институте АН СССР были созданы основы нового метода [6-8], а в 1971 году получены первые монокристаллы кубических твердых растворов на основе диоксидов циркония и гафния[8], получившие позднее название фианитов. Они были выращены из холодных контейнеров малых диаметров (60-90мм), на экспериментальных установках для прямого ВЧ-плавления, сконструированных сотрудниками лаборатории [6-9].

Исследования некоторых свойств этих монокристаллов[7-12] показали, что они обладают уникальными оптическими, механическими и электрическими характеристиками: это — изотропная оптическая среда с высоким показателем преломления (2,15-2,2) и широкой спектральной областью пропускания (250-7500 нм), обладающая большой твердостью (8,5 по Моосу), тугоплавкостью (2700-2800°С), ионной проводимостью при температурах выше 300°С (достигающей при температуре "¿000°С значений ~1ом"1.см"1). Благодаря возможности широкого варьирования состава расплава разнообразны спектроскопические свойства этих кристаллов: они активируются редкоземельными элементами в трех- и четырехвалентном состояниях, а также переходными металлами и другими химическими элементами.

Первое практическое применение монокристаллы нашли как ювелирный материал. Высокий показатель преломления фианитов, близкий к алмазу и большая его дисперсия создают особую игру света при различных условиях освещения. Эти свойства делают его одним из лучших имитаторов алмаза. Возможность придания разнообразной окраски кристаллам позволяет имитировать и другие природные драгоценные камни, а также создавать новые - оригинальные по цвету. Именно это применение дало огромный толчок созданию промышленного производства этого материала. Первоначально такое производство было создано непосредственно в Физическом институте на базе экспериментальных установок спустя всего 2-3 года после получения первых кристаллов. Совместно с ВНИИ ТВЧ (г. Ленинград) были спроектированы первые промышленные установки «Кристалл-401-Фианит», которые после разработки на них промышленной технологии роста кристаллов и модернизации отдельных узлов были пущены в серийное производство. Технология монокристаллов была внедрена нами на ряде предприятий Советского Союза (ВДГМК г. Вольногорск, заводы «Эмитрон», «Победа» г.Москва и др.). Высокая технологичность метода и замечательные свойства этих монокристаллов привели к широкому распространению их по всему миру.

Уникальное сочетание свойств сделало фианиты перспективным материалом и для многих областей, техники и промышленности: оптики, электроники, приборостроения, высокотемпературной техники.

Начиная с 1971 года автор принимал участие в разработке технологии и исследовании свойств различных высокотемпературных материалов, в том числе монокристаллов полностью и частично стабилизированного диоксида циркония. В 70-х годах нами проводились эксперименты по выращиванию кристаллов на основе диоксида циркония с использованием различных стабилизирующих оксидов в широком диапазоне их концентраций от 0 до 33 мол%. Основное внимание в то время уделялось получению оптически однородных монокристаллов полностью стабилизированного диоксида циркония. При выращивании концентрационных серий были получены и исследованы кристаллы диоксида циркония частично стабилизированного оксидами У, Ей, Ос1, УЬ. Отмечались их высокие механические характеристики, но подробно к этому вопросу вернулись уже позднее в конце 80-х начале 90-х годов. В это же время были получены пленкообразующие материалы на основе оксидов циркония, иттрия, гафния и титана путем направленной кристаллизации расплава в холодном контейнере. Эти материалы предназначались для нанесения оптических покрытий в приборах специального назначения. Плавленые пленкообразующие материалы на основе диоксида циркония (а также оксиды иттрия, гафния, титана) превосходят таблетированные пленкообразующие материалы по чистоте, а покрытия их них отличаются повышенной радиационной стойкостью, механической прочностью, высокими оптическими характеристиками.

По мере расширения областей практического использования кристаллов на основе диоксида циркония все более актуальными становились вопросы, связанные с их размерами, качеством, целенаправленным изменением физико-химических свойств и стабильностью этих характеристик в широком интервале температур в течение длительного времени. Эти проблемы требовали как понимания природы твердых растворов и влияния на их свойства состава и условий синтеза, так и совершенствования технологии роста кристаллов для получения крупных кристаллов необходимого качества и требуемых свойств.

Цель работы — разработка технологии тугоплавких кристаллических материалов на основе диоксида циркония с использованием метода прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере и исследование их свойств, в том числе:

-высокопроизводительной, безотходной технологии на установках большой мощности(«Кристалл-403» мощностью 160КВт) кристаллов кубических твердых растворов на основе диоксида циркония Zr02-(8-20)мoл%Y20з(фиaнитoв) больших размеров с высокой степенью оптического совершенства;

-технологии новых кристаллов «Си-окс» (С-ОХ), представляющих твердые растворы на основе диоксида циркония с повышенным содержанием оксидов иттрия и редкоземельных элементов (РЗЭ) правой части ряда (от Сс1 до Ьи) (20-40мол%); -технологии кристаллов частично стабилизированного диоксида циркония (ЧСЦ)-нанокристаллического материала с высокими механическими характеристиками; -исследование структуры, фазового состава и физико-химических свойств кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония, полученных путем направленной кристаллизацией расплава в «холодном» контейнере и их зависимости от состава и условий синтеза.

В научных статьях, авторских свидетельствах и патентах, полученных по материалам предлагаемой работы отражены как новизна, так и практическая полезность предложенных решений. Научная новизна работы:

- Показано, что в процессе формирования первоначального объема расплава в холодном контейнере объем и форма ванны образующегося расплава, величина выделяющейся в расплаве мощности, величина перегрева расплава, а также мощность тепловых потерь загрузки зависят от направления распространения расплава на начальном этапе плавления.

- Выявлено влияние технологических условий при направленной кристаллизации расплава в условиях многоцентрового зарождения и чистоты исходных оксидов на размеры и качество кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония. Это позволило создать высокопроизводительную технологию крупных однородных кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония.

- Определены фазовые соотношения, структура и физико-химические свойства кристаллов на основе диоксида циркония в зависимости от условий синтеза и последующей термообработки в диапазоне концентраций стабилизирующего оксида от 0 до 40мол % Я203 (й-У, Се, Рг,Ш, Ей, Сё, У).

- Установлено поведение дополнительно вводимых ионов ряда переходных и редкоземельных элементов в кубические твердые растворы на основе диоксида циркония в зависимости от концентрации стабилизирующего оксида и условий термообработки. Показано, что увеличение концентрации стабилизирующего оксида выше определенных значений (например, для У2Оэ > 20мол%) приводит к изменению локального окружения примесных катионов, хотя при этом кристаллы сохраняют кубическую структуру типа флюорита. Таким образом получена новая оптическая матрица - монокристаллы С-ОХ, исследования которой показали существенное отличие оптических характеристик, в частности при легировании ее ионами ряда переходных металлов.

- Продемонстрировано влияние технологических условий на рост из расплава кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония с фазовыми превращениями, температуры которых достаточно близки к температуре плавления, для того чтобы влиять на процесс кристаллизации. Это позволило определить условия синтеза, оптимизировать составы и разработать технологию новых материалов на основе диоксида циркония — кристаллов ЧСЦ. Фактическую основу работы составили результаты почти 30-летних исследований автора в области роста кристаллов различных классов неорганических оксидных соединений с использованием метода прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере.

Экспериментальные исследования, анализ наблюдаемых закономерностей проведены автором самостоятельно и совместно с аспирантами, сотрудниками НЦЛМТ ИОФРАН и других научно-исследовательских организаций. Постановка задачи осуществлена автором. В ходе исследований использован широкий спектр экспериментальных и теоретических методов и различные методологические подходы: комплексное исследование многокомпонентных систем, включающее изучение различных кристаллических фаз и их стабильности, фазовых превращений в зависимости от условий кристаллизации и термообработки, анализ структурных особенностей конечных продуктов кристаллизации, исследование физико-химических свойств полученных материалов. Для решения поставленных задач использовались разнообразные современные методы исследования (рентгенофазовый анализ, рентгеноструктурный анализ, электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ, оптическая микроскопия, химический анализ, ДТА, оптическая спектроскопия в широком диапазоне длин волн и др.)

Результаты, полученные в работе имеют как научное, так и практическое значение. Практическая значимость определяется следующими факторами: -Создан ряд новых промышленных технологий материалов на основе диоксида циркония: высокопроизводительная практически безотходная технология оптически однородных крупных кристаллов фианитов; технология кристаллов «СОХ», технологий кристаллов ЧСЦ; технология плавленых пленкообразующих материалов.

-Результаты работы расширили понимание особенностей плавления и кристаллизации расплава при прямом ВЧ-нагреве в холодном контейнере и заложили основу дальнейшего развития этого метода, и в частности, метода роста монокристаллов направленной кристаллизацией расплава при многоцентровом зарождении.

-Разработаны требования, предъявляемые к исходным материалам для производства ювелирных кристаллов, пленкообразующих плавленых материалов, подложечных материалов для микроэлектроники, оптически однородных кристаллов для оптической промышленности. По нашим рекомендациям в ИРКА и ИОНХ РАН разработаны такие марки шихты как «Ч-для монокристаллов», «ОСЧ-ПОМ». -Исследованы физико-химические свойства широкого спектра кристаллических материалов на основе диоксида циркония с различными оптическими, механическими, электрическими характеристиками. Результаты исследований могут служить справочными данными по этим материалам при использовании их в различных областях науки и техники. Увеличение размеров кристаллов фианитов и улучшение их качества расширяет использование их в качестве: подложек в микроэлектронике для эпитаксии полупроводниковых структур и пленок сверхпроводников; оптических сред с высоким показателем преломления для медицинских эндоскопов. Пленкобразующие материалы используют для создания износостойких отражающих покрытий металлических медицинских зеркал, кристаллы ЧСЦ- как конструкционный материал, кристаллы С-ОХ —в качестве новых ювелирных материалов и т.д. На подложках из крупных высококачественных кристаллов фианитов получены эпитаксиальные структуры «81 на фианите», «СаАэ — на фианите» «СаЫ-на фианите» и другие. Проводятся работы по созданию на их основе полупроводниковых приборов с высокими характеристиками. В качестве основных защищаемых положения на защиту выносятся: 1 .Высокопроизводительные безотходные промышленные технологии высококачественных кристаллов фианитов, плавленых пленкообразующих материалов, монокристаллов С-ОХ, кристаллов ЧСЦ.

2. Составы, условия получения, установленные характеристики новых кристаллических материалов на основе диоксида циркония:

3.Механизмы процессов плавления и направленной кристаллизации расплава этих материалов при прямом высокочастотном нагреве в холодном контейнере.

4.Влияние концентрации стабилизирующих оксидов, дополнительных примесей, чистоты исходных материалов на размер, качество, фазовый состав, микроструктуру и физико-химические свойства кристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония, в том числе на структуру локального окружения примесных катионов в кубических твердых растворах.

Работа проводилась в соответствии с планами научно-исследовательских работ ИОФАН по госбюджетной теме Физика твердого тела (1.3.3.1, 1.3.3.3, 1.3.3.5., 1.3.5.6, 1.3.5.7, 1.3.11.1, 1.3.11.3, 1.4.4.4, 1.4.4.3, 1.4.5.1., 1.3.7.4) «Создание и исследование кристаллических материалов для микро и оптоэлектроники и новых технических применений», в качестве личной инициативы, а также в рамках проектов, 1995-1998 года по подпрограмме «Перспективные технологии и устройства микро- наноэлектроники» Госкомитета по науке и технологиям по проекту № 03904 144/57/1 —« Создание эпитаксиальных структур полупроводник на фианите».

Основные результаты работы опубликованы в двух обзорах, 42 статьях в ведущих научных журналах, 18 авторских свидетельствах и патентах, докладывались на Международных конференциях по росту кристаллов (ICCG-6, Москва, СССР, 1980; ICCG-11, Нидерланды, 1995), на V Всесоюзном Совещании по физико-химическому анализу, Москва, 1976; на Всесоюзных Совещания по росту кристаллов, (V - Тбилиси, 1977; VI -Цехкадзор, 1985; VII-Москва; 1988; VIII-Харьков,1992); на Всесоюзном семинаре по радиационным эффектам в кислородсодержащих кристаллах и стеклах, Самарканд, 1979; на Всесоюзном Совещания «Реальная структура неорганических жаропрочных и жаростойких материалов», Первоуральск, 1979, на X Всесоюзном совещании «Получение, структура, физические свойства и применение монокристаллов тугоплавких и редких металлов», М., 1981; на Всесоюзных Совещаниях «Высокотемпературная химия силикатов и оксидов» ( V —Ленинград, 1982; VI — Москва, 1988); на II Всесоюзной конференции по росту кристаллов «Состояние и перспективы развития методов получения монокристаллов», Харьков, 1982; на 1-ом Всесоюзном Семинаре «Физика электронных структур на основе высокотемпературной сверхпроводимости», 1989; на 10-th General Conf. of Cond.Mater. Devision. Lisbon, Portugal, 1990; на The Eur. East-West Symp. on Mater. And Processes, "Mattech'90" and "Mattech'91"( 1-Хельсинки, Финляндия 1990, 2-там же 1991); на First and Sec. Soviet-Indian Symposiums on cryst. Growth and characterization, ( 1-Дели, Индия, 1987, 2-Moscow, СССР,1991); на 5-th Inter. Conf. on Defect Recognition Processing on Semiconductors.and Devices, Santander, Spain; на MRS'98, Spring Meeting, April 13-17, Sanfracisko, California, USA, 1998; на 2 Всероссийском Совещании «Нитриды галлия, алюминия и индия. Структуры и приборы» Санкт-Петербург.; 1998; на 5А International workshop «АРСОМ'99» (Applied Physics of condensed matter), June 23-25,

1999, Kocovce, Slovak; на SSI-12 Extended Abstracts of the 12th International conference «Solid State Ionics» Halkidiki, 1999.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов, заключения, списка литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Ломонова, Елена Евгеньевна

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Создана промышленная технология крупных (до 60мм в поперечном сечении и до 150мм длиной) кристаллов фианитов высокого качества на базе установок большой мощности (например, установка «Кристалл —403» с колебательной мощностью 160КВт и диаметром холодного контейнера 400мм). Основными элементами этой технологии являются: система кольцевой загрузки контейнера, система тепловой экранировки расплава, метод контроля системы генератор — нагрузка, технология повторного использования кристаллических отходов, методика выращивания кристаллов из расплава в холодном контейнере на затравках. Технология позволяет обеспечить стабильное и воспроизводимое формирование первоначального объема расплава, рост и сохранение без растрескивания крупных единичных монокристаллов весом до 2-3 кг; уменьшить содержания ряда микропримесей по сравнению с исходными реактивами за счет многократной очистки, .снизить себестоимость продукции за счет высокой производительности, меньших энерго- и трудозатрат на единицу продукции и практически безотходности производства кристаллов.

2.Разработана технология производства кристаллов «си -оке» (С-ОХ) - новой оптической матрицы, кристаллов 2Ю2 кубической структуры с высоким содержанием стабилизирующего оксида от 20 до 40мол%И203 (И-У, СсЗ-Ьи). Установлено, что для получения крупных однофазных монокристаллов С-ОХ необходимо значительно снижать скорости выращивания (до 1-2мм/час ) и использовать ряд технологических приемов, способствующих росту крупных единичных монокристаллов при направленной кристаллизации расплава в холодном контейнере в условиях многоцентрового зарождения: использовать холодные контейнеры больших диаметров (400-500мм), тепловую экранировку расплава, подбор режима, обеспечивающего малый перегрев расплава и плоский или слегка выпуклый фронт кристаллизации.

3.Разработана технология кристаллов частично стабилизированного диоксида циркония Ь нанокристаллического материала с высокой прочностью, большой вязкостью разрушения, значительной твердостью и химической инертностью, которые сохраняются в окислительной атмосфере в широком температурном интервале. Характерными особенностями технологии этих кристаллов при выращивании из расплава является использование эффективного теплоизолирующего экрана между расплавом и охлаждаемым дном холодного контейнера, уменьшающего тепловые градиенты в твердой фазе, а также высокие скорости роста (10-20мм/час).

4.Создана технология высокочистых плавленых пленкообразующих материалов на основе оксидов циркония и иттрия.

5.Установлены механизмы процессов плавления и направленной кристаллизации этих материалов при прямом высокочастотном нагреве в холодном контейнере. Показано, что процесс формирования исходного объема расплава, задающий условия последующей кристаллизации, в сочетании с тепловыми условиями в холодном контейнере и режимом кристаллизации определяют размеры и качество полученных кристаллов.

6.Разработаны требования, предъявляемые к исходным материалам для производства разработанных кристаллов.

7.Проведено комплексное исследование фазового состава, структуры, физико-химических свойств кристаллов на основе диоксида циркония в диапазоне составов от 0 до 40мол%11203 (К-У, Се, Рг, N¿1, Ей, Ос1, УЬ) в зависимости от вида и концентрации стабилизирующего оксида, условий выращивания, наличия третьих примесей , термо- и механической обработки образцов.

В. Определен характер и механизм образования дефектов в монокристаллах твердых растворов на основе 7л02, - полос роста, включений посторонних фаз и ячеистой структуры. Исследовано влияние посторонних примесей (51, Т1, А1) и технологических параметров на их возникновение. Установлено, что полосы роста определяются в основном небольшими ~ 0,5-1 мол% колебаниями концентрации стабилизирующего оксида, вызванными эффектом концентрационного переохлаждения расплава. С этим эффектом связано также образование ячеистой структуры и включений. Показано, что уменьшение скорости роста до 1-2 мм/ч и введение принудительного перемешивания расплава (возвратно — вращательное движение холодного контейнера с расплавом) приводит к значительному улучшению оптической однородности монокристаллов.

Синтезированные кристаллы обеспечили получение принципиально новых результатов в области исследования структуры и различных физических свойств твердых растворов на основе диоксида циркония. Исследования наших кристаллов, использование их для разного рода научных разработок осуществлялось не только в России (МГУ, ГОИ, Государственный Университет Санкт-Петербурга, НПО Оптика, ЛЗОС, Институт ядерных исследований), но и за рубежом (Испания, Университет г. Сарагоса, Институт физики Словацкой Академии наук; Украина — Институт сверхтвердых материалов, Институт Проблем Прочности).

Полученные закономерности, методики и данные о свойствах исследованных материалов могут быть использованы в научно-исследовательских и производственных центрах, занимающихся вопросами синтеза особо тугоплавких оксидных материалов, выращиванием кристаллов с использованием прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере, выращиванием сиктстттчсскк:-: ювелирных кристаллов на основе диоксида циркония и разработкой новых видов огранки; на предприятиях оптического приборостроения, где требуются материалы с широкой полосой пропускания и высокими показателями преломления, в медицинских научных учреждениях как химически и биологически инертные материалы, а также во многих других учреждениях, которые могут использовать их для создания новых приборов, устройств, инструментов или технологий.

В настоящее время кристаллы фианиты получили широкое распространение как подложечный материал для полупроводниковых и сверхпроводниковых пленок. В последние годы ведутся интенсивные исследования таких структур и создание приборов на их основе. Показана перспективность их практического использования для наукоемких технологий, что требует создания надежной технологии подложек из фианита высокого качества и большого размера - до 100мм диаметром. Выращивание кристаллов фианитов такого размера и сохранение их при охлаждении в холодном контейнере возможно с использованием основных элементов технологии, разработанных в настоящей работе, но необходимым условием является создание технологического оборудования - установок с диаметром холодного контейнера не менее 1м и мощностью 500-100§кВт.

Технология плавленых пленкообразующих материалов на основе диоксида циркония и других тугоплавких оксидов и их соединений, разработанная нами с использованием метода прямого ВЧ -плавления в холодном контейнере, является одной из составляющих новой технологической базы пленкообразующих материалов, созданной у нас в России после распада СССР в рамках межведомственного коллектива «Спектр». За разработку технологии плавленых особо чистых пленкообразующих материалов автор в составе коллектива сотрудников ИОФАН, ИОНХ, ГОИ и ряда предприятий оптической промышленности получила в 1990 году Премию Совета Министров СССР.

Создание новой оптической матрицы - монокристаллов С-ОХ, локальное окружение примесных ионов в которой отличается от их локального окружения в фианитах, позволило получить новый ювелирный материал широкой сине-зеленой цветовой гаммы. Однако свойства этих монокристаллов с различными активаторами еще полностью не исследованы, как и возможности использования этих кристаллов в технике.

Несмотря на большой объем исследований физико-механических характеристик кристаллов ЧСЦ, до сих пор многие вопросы остаются открытыми. Такие факторы, как: (1)многофазность состава, точные количественные границы которых не установлены до сих пор даже для равновесных фаз; (2)разная степень метастабильности фаз в зависимости и условий синтеза; (3)сложная микроструктура материала, обусловленная доменной структурой тетрагональной фазы, на формирование и кристаллографическую ориентацию которой относительно исходной кубической флюоритовой структуры могут оказывать влияние условия роста в разных частях контейнера и поля напряжений в процессе остывания - все это приводит к большому разбросу в характеристиках свойств кристаллов. Но те обстоятельства, что:(1)-эти материалы по ряду своих характеристик существенно превосходят многие неметаллические неорганические материалы; (2)-меняя режим роста и тепловые условия можно эффективно управлять размерами кристаллов, фазовым составом и характером распределения компонентов; (3) -введение некоторых дополнительных примесей способно существенно изменить, а в ряде случаев — улучшить механические характеристики; (4)—дополнительная термообработка также дает возможность модифицировать свойства материала, изменяя фазовый состав, микроструктуру материала, отстаточные напряжения в нем; - делают перспективным дальнейшую разработку как новых составов этого класса материалов, так и совершенствование их технологии методом направленной кристаллизации расплава в холодном контейнере с использованием прямого ВЧ-нагрева.

За последние годы нами был проведен ряд испытаний, связанных с возможными применениями кристаллов ЧСЦ и показана их перспективность в качестве: материала для режущего инструмента по тканям, вязким металлам (медь, алюминий, золото, серебро), конструкционного (подшипники, валки для сверхтонкой фольги, нитеводители, призмы поверочных весов, ступки для размола), ювелирного поделочного камня, материала для медицины —скальпелей и имплантатов.

К настоящему времени на базе созданных нами кристаллов ЧСЦ разработан совместно с ООО «Научно-производствееный центр Мединком» медицинский инструмент (несколько типов скальпелей), который получил сертификат соответствия и уже сейчас используется в ряде медицинских учреждений нашей страны. Скальпели были отмечены в 1998 году серебряной медалью на международной выставке «ЕиИЕКА'98» в Брюсселе, а в 1999 году —в Москве( см. приложение диссертации).

Автор глубоко благодарен академику В.В.Осико, чьи идеи и поддержка способствовали постановке и проведению ряда исследований. Искреннюю признательность автор ныражает к.т.н. В.И.Александрову, д.ф.м.н. Ю.К. Воронько, д.т.н. Г.АГогоци, к.т.н.М.А.Борику, В.Ф.Калабуховой, М.А.Вишняковой, к.ф.м.н. С.Х.Батыгову, В.АМызиной, С.В.Лаврищеву, к.ф.м.н. А.А.Соболю, за полезные дискуссии и помощь в работе. Огромная благодарность всем сотрудникам лаборатории ФИАНИТ — В.П.Войцицкому, Н.И.Маркову, А.Н.Смирнову, В.АПанову, Д.Л.Пенязю, принимавшим участие в проведении исследование, предложенных в этой работе на разных ее этапах, и благодаря труду которых стало возможным создание этих новых технологии и новых материалов.

Заключение.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Ломонова, Елена Евгеньевна, 2001 год

1. У.ДКингери, Введение в керамику., М.,Стройиздат., 1967, 490с

2. N.Claussen, Microstructure Design of Zirconia- Toughened Ceramics (ZTC), Adv. In Ceramics, v.24, Science and Technology of Zirconia, The Amer. Cer.Soc., ed.

3. A.H.Heuer and L.W.Hobbs, Columbus, Ohio, Copyright, III, 325-351,1988.

4. R.Stevens, Zirconia and Zirconia ceramics, Magnesium Electron Publication, 113, 7-51, 1987.

5. R.C.Garvi, RH.Hannink, R.T.Pascoe, Ceramic Steel?., Nature, 258, 703 1975.

6. Т.К.Gupta, F.E.Lange and J.H.Bechtold, Mechanisms of Toughening Partially Stabilized Zirconia (PSZ), J.Amer.Cer.Soc., 60,183, 1977.

7. В.И.Александров, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, Синтез лазерных материалов из расплава методом прямого ВЧ-плавления в холодном контейнере., Отчет ФИАН, 3-51, М., 1968.

8. В.И.Александров, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, Плавление тугоплавких диэлектрических материалов высокочастотным нагревом., Приборы и техника эксперимента, 5,222-225,1970.

9. В.И.Александров, В.В.Осико, А.М.Прохоров, В.М.Татаринцев., Получение высокотемпературных материалов методом прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере., Успехи Химии, X, VII, 3, 385-427, 1978.

10. В.И.Александров, Е.Е.Ломонова, А.А.Майер, В.В.Осико, В.М.Татаринцев,

11. B.Т.Удовенчик., Физические свойства монокристаллов двуокиси циркония и двуокиси гафния., Краткие сообшения по физике (ФИАН), 11, 3-7,1972.

12. В.И.Александров, Ю.К.Воронько, В.Г.Михалевич, В.В.Осико, А.М.Прохоров, В.М.Татаринцев, В.Т.Удовенчик, Г.П.Шипуло, Спектроскопические свойства и генерация Nd3+ в кристаллах Zr02 и НЮ2, ДАН СССР, 199,1282-1283,1971.

13. В.И.Александров, С.ХБатыгов, Ю.К.Воронько, Б.И.Денкер, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев., Центры окраски в монокристаллах кубической Zr02., Изв.АН СССР, сер.Неорг.Матер. 11, 4, 664-667,1975.

14. В.И.Александров, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев., Влияние примесей и условий отжига на оптические свойства монокристаллов Zr02 и НЮ2, Изв.АН СССР, Неорг.Матер. 13,12, 2196-2197,1977.

15. M.E.Mashburg, W.E.Coblenz, Reactio-fomied ceramics., Am.Cer.Soc. 67, 2, 356-363, 1988.

16. В J.Curtis, J. A. Wilkinson, Preparation of mixed oxide crystals by chemical transport., J.Am.Cer.Soc., 48, 1, 49-50,1965.

17. V.A.Kuznetzov, Crystallization of titanium, zirconium and hafnium oxide and some titanate and zirconate compounds under hydrothermal conditions., J.Cryst. Growth, 34, 405-410,1968.

18. В.А.Кузнецов, О.В.Сидоренко, Кристаллизация Zr02 и НЮ2 в гидротермальных условиях., Кристаллография 13,4, 748-749,1968.

19. А.М.Anthony, V.Loc., Preparation de monocristaux de zircone pure monoclinique., C.R.Acad. Sci., 260, 9,1383-1385,1965.

20. V.Loc, A.Anthony, R.Bouariz, Preparation de monocristaux d'oxide d'hafnium par la methode des sels todus., C.R. Acad.Sci., A-B, 262, 26,1715-1717,1966.

21. A.B.Chase, J.A.Osmer., Growth and preferential doping of zircon and thorite., J.Electrochem. Soc., ИЗ, 2,198-199,1966.

22. A.B.Chase, J.A.Osmer., Growth of single cryxstals of Zr02 and НЮ2 from PbF2., Am.Mineral., 51,11-12,1811-1888, 1966.

23. W.Kleber, LJckert, J.Doerschel, Ein Beitrag zum Wachstum von Zirconium-dioxid-Einkristallen aus Schmelzenlosungen., Kristall und Technik, 1,2, 237-248, 1966.

24. W.Kleber, J.Doerschel, Untersuchungen uber Kristall der Zusammensetzung Zr02x2Mo03, Z.Anorg.Allg.Chemie, 347, 289-293,1966.

25. W.H.Grodkiwicsz, D.J.Nitti, Oxide growth by flux evaporation, J.Amer.Cer.Soc. 49, 10, 576,1966.

26. C.J.Goldsmith, M.Hopkins, M.Kestigian A high intensity carbon-arc image furnace and its application to single crystal growth of refractory oxides, J.Electrochem. Soc., Ill, 2, 260-262,1964.

27. T.B.Reed, Growth of refractory crystals using the induction plasm torch., J.Appl.Phys., 32,12,2534-2535,1961.

28. F.Tromble, M.Foex, Sur lutilisation des techniques de chauftage solarre pour la preparation d'oxides purs, Bull.Soc. Chim.France, 4,1070-1081,1965.

29. A.Saiki, N.Ishizawa, N.Mizutani, M.Kato, Directional Crystal Growth of Yttria-stabilized Zirconia by the Arc Image Floating — Zone Method, J.Mat.Sci.Lett., 6, 568570,1987.

30. Т.Ласло., Оптические высокотемпературные печи. 54, M., Мир, 1968.

31. C.Deportes, L.Bernard, V.Gerrard, О улучшении процесса бестигельной плавки огнеупорных окислов. Изготовление плотных гомогенных образцов стабилизированной Zr02, C.R.Acad.Sci.,C, 2,2,159-161,1965.

32. D.Michel, M.Perez-j-Jorba, R Collogues, Sur l'élaboration de monocristaux de zircone stabiliseret sur certaines proprieles de la solution solide cubique Zr02-Ca0. C.R.Acad.Sci.C.266, 23, 1602-1604, 1968.

33. D.Michel, M.Perez j Jorba, R. Collogues, Growth from Skull-Melting of Zirconia Rare Earth Oxide Crystals, J.Cryst.Growth 43, 4, 546-48,1978.

34. A.M.Anthony and RCollongues, Modem Methods of Growing single crystals of High-Melting Point Oxides, pp.147-249 in Preparative Methods in Solid State Chemistry, ed. by P.Hagenmuller, Acad. Press, New York, 1972.

35. D.Michel, Defect Ordering in Crystals of Refractory Oxides Involving Zr02 or A1203., (in Fr) Rev. IntHautes Temp. Refract, 9, 225-42,1972.

36. R.P.Ingel, D.Lewis, B.A.Bender, P.W. Rice Temperature dependence of strength and fracture Toughnes of Zr02 Single Crystals., Comm. Of Amer. Ceram. Soc. 65, 9, CI 50-C152, 1982.

37. RP.Ingel, D.Lewis, B.A.Bender, P.W. Rice, Room Temperature Strength and Fracture of Zr02-Y203 Single Crystals., J.Amer.Ceram.Soc., 65, 7, C108-C109,1982.

38. H.F.Sterling, R. W.Warren, Высокотемпературная плавка без загрязнения в холодных тиглях, Metallurgia, 67,104, 301,1965.

39. А.Е.Слухоцкий, С.Е.Рыскин, Индукторы для индукционного нагрева машиностроительных деталей. М-Л, Машгиз, 1954, 315с.

40. А.М.Вайнберг Индукционные плавильные печи. М-Л, Госэнергоиздат, 1960, 456с.

41. Ж.Гуде. Промышленнная электроника, М-Л., Госэнергоиздат, 1960, 46с.

42. Бабат Г.И. Индукционный нагрев металлов., М-Л, Энергия, 1965, 552с.

43. Высокочастотная электротермия., Под редакцией В.ЛДонского, М-Л., Машиностроение, 1965, 564с.

44. А.М.Вайнберг Индукционные плавильные печи., М., Энергия, 1967, 415 с.

45. ЛЕ.Слухоцкий, С.Е.Рыскин, Индукторы для индукционного нагрева. Л., Энергия, 1974,264 с.

46. F.RMonforte, F.W.Swanekamp and Van Uitert, Radio Frequency Technique for Pulling Oxide Crystals, J.Appl.Phys, 32,5,959-960,1961 .

47. G.W.Clark, A.T.Chapman, Int. Sym. "Reinstoffe in Wissenschaft und Technik", Dresden, 3, 6, 1967.

48. R.Collongues, M.Perez j Jorba, Sur le chauffage et la fusion sans creuset par induction haute frequence de la zircone stabilisée., C.R.Acad.Sci. C., 257, 5,1091-1093,1963.

49. B.Gayet, J.Holder, G.Kurka, Fusion du Bioxyde d'Uraniuum parlnduction de la Haute Frequence, Rev. Haut. Temp. etReftact, 1, 2,153-157,1964.

50. M.Perez-j-Jorba, R.Collogues Sur le chauffage et la fusion sans creuset par induction haute frequence de quelques oxydes refractaires., Rev. Haut. Temp, et Reftact, 1, 1, 2125,1964.

51. С.Déportés, B.Lorang, G.Vitter Sur une amelioration du procédé de fusion en autocreuset des oxydes refractaires, Rev. Haut. Temp, et Reftact, 2, 2,159-161,1965.

52. R.Goton, J.Recasena, G.Chaudron., Determination des changements de phase au cours de la solidification des oxydes refractaires fondus., C.R.Acad.Sci.C., 263, 2,137-140, 1966.

53. Y.Roulin, G.Vitter, C.Deportes Nouveau dispositif de fusion en autocreuset. Fusion d'oxydes refractaires dans une enceinte multitubulaire., Rev.intrn. hauttemp. et refract., 6, 3, 153-158,1969.

54. B.Gayet, J.Holder, G.Kurka, J.Reboux, J.Trouve, Perfectionnements apportes aux procédés et dispositifs pour fondre des matériaux par induction., Pat. 923-938(France); French patent No.l, 358, 438 (31.1.63).

55. Ю.Б.Петров, Э.А.Безрукова «Выращивание монокристаллов иттриевого феррограната» Изв.АН СС CP, сер. Неорг. Материалы, 4, 7, 1152-1155,1968.

56. V.I.Aleksandrov, V.V.Osiko, A.V.Prokhorov, Y.M. Tatarintsev, "Synthesis and crystal growth of refractory materials by RF melting in a cold container", Curr.Top.Mater. Sci., Amsterdam, e.a. 421-480,1978.

57. В.И.Александров, В.В.Осико, А.М.Прохоров, В.М.Татаринцев «Новый метод получения тугоплавких монокристаллов и плавленых керамических материалов», Вест. АН СССР, 12, 29-36,1973.

58. Ю.Б.Петров, Индукционная плавка окислов, Л., Энергоатомиздат, 1983,104с.

59. Ю.Б.Петров, И.А.Канаев Индукционные печи для плавки оксидов. Библ. Электротермиста, 5, А., Политехника, с.3-56, 1991.

60. Физико-химические свойства окислов. Справочник под ред. Г.В.Самсонова, М., Метгалургия, 472с., 1978.

61. М.А.Маурах, Б.С.Митин, Жидкие тугоплавкие окислы, М.Металлургия, 288с.,1979.

62. А.Г.Мержанов, В.В.Барелко, И.И.Курочка, КГ.Шкадинский О распространении фронта гетерогенно-каталитической реакции. ДАН СССР, 221,5,1114-1117,1975.

63. А.Г.Мержанов, В.А.Радучев, Э.Н.Руманов Тепловые волны плавления и кристаллизации диэлектриков, ДАН СССР, 253,2,330-334,1980.

64. АГ.Мержанов, Э.Н.Руманов, Горение без топлива, М., Знание, 64с., 1978.

65. А.Г.Мержанов, Э.Н.Руманов, Тепловые процессы типа горения в физике. В сб. Горение и взрыв (Материалы 4 Всесоюзного симпозиума по горению и взрыву, Черноголовка,! 974), М., Наука, 149-163,1977.

66. В.АРадучев, Тепловые режимы плавления и кристаллизации диэлектриков при джоулевом нагреве. Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд .физ-.мат. наук, Черноголовка, ОИХФ АН СССР, 21с., 1990.

67. Э.Н.Руманов, Волна плавления пористого вещества. Препринт ОИХФ АН СССР, Черноголока, 20с., 1982.

68. Ю.Б.Петров, А.В.Шкульков, В.В.Неженцев, И.А.Канаев, Анализ энергетических характеристик индукционных печей в холодном тигле для плавки оксидных материалов, Электротехника, 8,16-19,1982.

69. В.В.Неженцев Ю.Б.Петров, А.В.Шкульков, Исследование математической модели плавки оксидов в индукционной печи с холодным тиглем, Изв.Ленингр.Электротех. Ин-та, 299,14-20,1981.

70. Применение токов высокой частоты в электротермии. Под редак. АЕ.Слухоцкого, А, Машиностроение, 280с., 1973.

71. R.F.Sekerka, R.A.Hartzell, B.J.Farr Instability phenomena during the RF-heating and melting of ceramics, J.Cryat. Growth, 50, 4, 738-806, 1980.

72. R.A.Hartzell, R.F.Sekerka, Mathematical modeling of internal centrifugal zone growth of ceramics and ceramicmetal composites, J.Crys. Growth, 57, 1, 27-42,1982.

73. В.М.Бындин, И.АКанаев, В.И.Добровольская, Ю.Б.Петров и др, Промышленное высокочастотное оборудование для индукционной плавки в холодном контейнере, Огнеупоры, 2, 41-45,1983.

74. J.McCullough and K.Trueblood, The Crystal Structure of Baddeleyite (Monoclinic Zr02) and its Relation to the Polymorphism of Zr02-Acta Crystallogr., 18, 6, 983991,1965.

75. Г.Б. Бокий Кристаллохимия., M., Наука, с.127,1971.

76. А.А.Воронков, Н.Г.Шумяцкая, Ю.А.Пятенко Кристаллохимия минералов циркония и их искусственных аналогов., Наука, М., 181с, 1978.

77. Н.В.Белов Очерки по структурной минералогии. Сб.Львовск.геол.об-ва при универ., 4,21,1950.

78. G.Teufer, Crystal Structure of Tetragonal Zr02., Acta Crystallogr., 15,11, 1187,1962.

79. Ю.М.Полежаев Высокотемпературная кубическая и тетрагональная форма Zr02., Ж.Физ.Хим., 41, И, 2958-2959,1967.

80. C.T.Lunch, F.W.Vachidick, L.A.Robinson, Monoclinic-Tetragonal Transition of Zirconia., J.Amer.Ceram.Soc., 44, 3,143-147,1961.

81. Л.М.Комиссарова, Ю.П.Симонов, З.АВладимиров, О некоторых свойствах кристаллических модификаций Zr02., ЖНХ, 5, 7,1413-1415,1960.

82. R.Cupres, R.Wollast., Polymorphism Conversion of Pure Zirconia., Ber. Deut. KeramGes. 40, 9, 527-532,1963.

83. D.K.Smith, and H.W.Newkirk, Crystal structure of Baddelyite (Monoclinic Zr02) and its Relation to the Polirphism of Zr02., Acta crystallogr., 18, 6, 983-991,1965.

84. Н.В.Белов Кристаллографическая структура бадделеита., Кристаллография, 5,3, 460-461,1960.

85. М. Перец-и-Жорба «Исследования при высоких температурах», 337, «Мир», 1967.

86. Н.G.Scott, Phase relationships in the zirconia-yttria system, J.Mater. Sci., 10, 15271535,1975.

87. V.S.Stubican and J.R.Hellman, "Phase Equilibria in Some Zirconia System, pp.25-37 in Advances in Ceramics, vol.3. Edited by A. H. HEUER and L.W. Hobbs. The American Ceramic Society, Columbus, OH, 1981.

88. D.K.Smith and C.F.Cline, «Verification of Existence of Cubic Zirconia at High Temteratures»,J.Am.Ceram. Soc., 45, 5, 249-50,1962.

89. C. Delamarre «Existens and Structure of a new Compound of Formula M7012 in Zirconia-Magnezia and Hafnia —Magnezia System» C.R. Acad.Sci.,C269, 113-115 (1965).

90. H.J. Rossell and R.H.J. Hannink, The Phase Mg2Zr5012 in MgO Partiali Stabilised Zirconia, pp.139-51 in Advances in Ceramics, Vol.12. Editedby N. Claussen, M. Ruhle, and A.H. Heuer. The Americfy Ceramics Society, Cjlumbus, OH, 1984.

91. J.R. Hellman and V.S.Stubican., The Existence and Stability of Ca6Zr19044 Compound in the System Zr02-Ca0., Mater. Res. Bull., 17, 459-65 (1982).

92. R.Ray and V.S.Stubican, Fluorite Related Ordered Compounds in the Zr02-Ca0 and Zr02-Y203 System., Mater.Res.Bull., 12, 5, 549-556,1977.

93. H.G. Scott, The Yttria-Zirconia d-Phase, Acta CrystaHogr., B33,1, 281-282(1977).

94. V.S.Stubican, R.C. Hink, and S.P.Ray, Phase Equilibria and Orderingin the system

95. Zr02-Y203.,J. Am. Cer. Soc., 61,1-2, 17-21, 1978.

96. Ruff and F.Ebert, Ceramics of Heigh Refractory Materials :1.Forms of Zirconium Dioxide., Z.Annorg.Allgem.Chem., 180,19-41,1929.

97. V.S.Stubican, G.S.Gorman, J.RHellman, and G.Senft, Phase Relationships in Some

98. Zr02 System, pp. 96-106 in Advances in Ceramics, Vol.l2.Edited by N. Claussen, M. Ruhle, and A.H. Heuer. The Americfy Ceramics Society, Columbus, OH, 1984.

99. H.G.Scott, Phase Relationships in the Yttria-rich Part of the Yttria —Zirconia System, J. Mater.Sci., 12,2,311-316, (1977).

100. C.Pascual, and P.Duran, Subsolidus Phase Equilibria and Ordering in the System Zr02-Y203., J.Amer.Ceram. Soc., 66,1, 23-27,1983.

101. C.A.Anderson, J Greggi. and Т.К. Gupta, Diffusionless Transformations in Zirconia Alloys.,p.78-85, Advances in Ceramics Vol.12, Science and Technology of Zirconia II. The Am. Ceram. Soc., Columbus. Ohio, 1983.

102. RRuh, K.S.Mazdiyasni, P.G.Valentine, and H.O.Bielstein, Phase Relations in the System Zr02-Y203 at Low Y203 Content, J.Amer.Ceram.Soc., 67, 9, C190-C192, 1984.

103. А.И.Белов, Т.А.Семенов, Масс-спектроскопическое исследование процессов испарения высокоогнеупорных твердых растворов Zr02-Nd203., Изв.АН СССР, сер. Неорг. Матер. 13,10,1817-1821,1977.

104. И.А. Давтян, В.Б.Глушкова, Э.К.Келлер, Влияние добавок окиси европия на полиморфизм двуокиси циркония., Изв. АН СССР, сер. Неорг. Мат,. 2,5,890-895, 1966.

105. С.С.Кипарисов, Р.А.Беляев, А.И.Беляков,В.В. Бондаренко, В.А.Вьгскобов, В.Г. Козлов, С.А.Кузнецов, А.Н.Мелехов, Диаграмма состояния Zr02-Eu203, Изв. АН СССР, сер. Неорг. Мат.,12, 9,1693-1694,1976.

106. J.Lefevre, Fluorite-Type Structural Modifications in System Having a Zirconium and Hafnium Oxide Base., Ann. Chem., 8,1-2,117-149, 1963.

107. M. Perez-y- Jorba, Contribution alTetude des systèmes zircone-oxydes de terres rares., Ann. Chem. 7, 479-511,1962.

108. M. Perez-y-Jorba, R-Collongues and J.Lefevre, Sur.l'existence d'une transition continue de la structure quadratique alla structure cubique dans les system zircone-oxydes de terre rare., C.R. Acad. Sri., 219, 22, 2329,1959.

109. F.Sibieude et A.Rovanet, Application a Interhretation des diagrammes d'équilibré des systèmes Zr02-Ln203 et Th02-Ln203 Collogue International du C.N.R.S.etude-des Transformation Cristallines a haute temperature., C.R. Acad. Sci., 205, 459-468, 1972.

110. M.R.Thomberm, D.G.Bevan, E.Sommerville, Mixed of the type (Fluorite)-MO., J.Solid State Chem. 11,3-4, 536-544, 1970.

111. KS.Mazdiysni and L.M.Brown, Preparation and Characterization of Submicron Hafnium Oxide., J.Amer.Ceram. Soc., 54,1, 43-45,1970.

112. В.П.Горелов, С.Ф.Пальгуев, Проверка модели кислородных вакансий для твердых растворов в системе Zr02- У203.,Изв. АН СССР, сер. Неорг. Матер., 13,1, 181-182,1977.

113. H.-H.Mobius., Состав и систематика твердых электролитов с проводимостью кислорода., Z.Chemie, 4,3, 81-94,1964.

114. И.И.Вишневский, А.Г.Гавриш, Б.Я.Сухаревский, О возможном механизме стабилизации Zr02., Сб. Науч. Трудов украинского научно-исслед. Ит.-та огнеупоров., LIII, 6, 74,1962.

115. RCollongues Явление порядок-беспорядок в неорганической химии., Ann. Chem. 8,7-8, 395-408,1963.

116. R.S.Roht, Pyrochlore-type Compounds containing double oxide of trivalent and tetravalent ions., J.Res. Nat, Bureu, 56, 17-25, 1956.

117. Ю.А.Пятенко, О кристаллохимии и некоторых особенностях минералов группы пирохлора., Кристаллография, 4, 2, 204-208,1959.

118. Ю.А.Пятенко, О некоторых количественных соотношениях в структурах производных типа флюорита., Ж.Струк.Химии, 4, 5, 708-713,1963.

119. E.Alechin, R.Roy, Кристаллохимия пирохлора., J.Amer.Ceram. Soc., 45, 1, 18-25, 1962.

120. Р.Коллонг, Нестехиометрия., М., Мир, 58-88,1974.

121. Т.К.Gupta, J.H.Bechtold, RC.Kuznickie, L.H.Cadoff and B.RRossing, Stabflisation of Tetragonal Phase in Polycristalline zirconia., J.MatSci, 12, 2421,1977.

122. T.K.Gupta Sintering of tetragonal zirconia and its characteristics., Science of Sintering, 10,205,1978.

123. C.AAndersen and T.bCGupta, Phase stability and transformation toughening in zirconia., Adv. In Ceram., V.3, Sience and Technology of Zirconia, The Amer. Ceram. Soc., Columbus, Ohio, p.184,1981.

124. F.F.Lange, Transformation Toughness, Part I: Size Effects Associated with the Thermodynamics of Constrained Transformation, J.Mater. Sci., 17,10,225-34,1982.

125. V.Lantery, A.H.Heuer, T.E.Mitchell, Tetragonal Phase in the System Zr02-Y203., ppl 18-130, in Adv. In Ceram., v.12, Sci. and Techn. II, The Amer. Ceram. Soc., Columbus, OH, 1984.

126. T.Yagi, ASaiki, N.Ishizava, N,Mizutani, and M.Kato, Analytical Electron Microscopy of Yttria Partitioning in the Yttria-Partially-Stabilized Zirconia-Crystal., J.Amer.Ceram, Soc., 69,1, C3-C4,1986.

127. D.Michel, L.Mazerolles, M.Perez у Jorba, Fracture of metastable tetragonal zirconia crystals., J.Mater.Sce., 18, 2618-2628,1983.

128. Ю.КВоронько, А. А. Соболь, Л.И.Цымбал, Особенности фазовых превращений в твердых растворах систем Zr02- Ln203 и НЮ2- Ln203, Неорг. Матер., 34, 4, 439-443,1998.

129. Ю.КВоронько, М.А.Зуфаров, Б.В.Игнатьев, В.В.Осико, Е.Е.Аомонова, А.А. Соболь Комбинационное рассеяние света в монокристаллах Zr02-Gd203 и Zr02-Eu203 с тетрагональной структурой., Оптика испектроскопия, 51,4, 569-571, 1981.

130. D.Baither, B.Baufeld, U.Messerschmidt, F.H.Foitzik, M.Ruhle Ferroelasticity of t'~ Zirconia: 1, High Electron Microscopy Studies of the Microstructure in Polydomain Tetragonal Zirconia., J. Am.Cer.Soc. 80,1691-98,1997.

131. K.M.Prettyman, J.-F. Jue, A.V.Virkar, C.R.Hubbard, O.B.Cavin, and M.K.Ferber, Hysreresiity Effects in 3mol% Yttria-doped Zirconia (t'-Phase)., J. Mater. Sci. 27, 416774,1992.

132. D.Baither, B.Baufeld and U.Masserschmidt, Morfology of Tetragonal Precipitates in Y203-Stabflized Zr02 Crystals., Phys. Status Solidi(a) 137, 569-76,1993.

133. AH.Heuer, V.Lanteri, A.Dominguez-Rodriguez, High-Temperature Precipitation Hardening of two Phase Y203-Partially-Stabilized Zr02 Single crystals: A First Report. J.Amer. Ceram.Soc, 69, 3, 285-287, 1986.

134. B.Baufeld, D.Baither, U.Messerschmidt, and Bartsch, High volttage Electron Microscopy in sutu Study on the Plastic Deformation of Partially Stabilized Tetragonal Zirconia., Physics Status Solidi(a), 150,1297-306, 1995.

135. A.N.Heuer, and V.Lantery, ADominguez-Rodriguez, High-Temperature Precipitation Hardening of Y2Os Partially-Stabilized ZrOz (Y-PSZ) Single Crystals., Acta Metall. 37, 2, 559-567,1989.

136. AN.Heuer, R.Chaim, and V.Lantery, The Displasive Cubic—»Tetragonal Transformation in Zr02 Alloys, Acta Metall. 35, 3, 661-666,1987.

137. AG.Kachaturyan, Theory of Structural Transformation in Solids. Chapter 8, Wiley New York, 1983.

138. V.Lantery, T.E.Mitchell, and AN.Heuer, Morfology of tetragonal Precipitates in Partially stabilized Zr02, J.Am.Ceram.Soc., 69, 7, 564-569,1986.

139. N.Ishizava, ASaiki, T.Yagi, N.Mizutani, and M.Kato, Twin-Related Tetragonal Variants in Yttria Partially Stabilized Zirconia., J.Amer.Ceram.Soc., 69, C-18 C-20, 1986.

140. M.Stadtwald-Klenke Elkectonenmicrokopische Untersuchungen an Inneren Grenzflechen in Verschidenen mit Y203 Dotierten Zr02-Keramiken., PH.D Dissertation., Stuttgart University, 1994.

141. В.И.Александров, Ю.К.Воронько, Б.ИИгнатьев, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, А.А. Соболь, Исследование структурных превращений! в твердых растворах на основе двуокиси циркония и гафния методом комбинационного рассеяния света., ФТТ, 20, 2, 528-534,1978.

142. V.V.Osiko, Yu.K.Voron'ko, AASobol Spectroscopic Investigation of Defects Structure and Structure Transformations in Ionic Crystals., Cryst. Springer. 10, 37-86, 1984.

143. J. Martinez-Fernandez, MJimenez-Melendo, A.Dominguez-Rodriguez «Microstructural Evalution and Stability of Tetragonal Precipitates in Y203 -Partially Stabilized Zr02 Single Crystals» Acta MetalLMater., 43, 2, 593-601,1995.

144. T.Noma, M.Yoshimura, M.Kato, M,Shibato, N.Seto, and S.Somiya, Microstructural Evolution in Rapidly Quenched Zr02-3mol%Y203 by Annealing., J.Ceram. Soc. Jpn., 94, 8, 887-90,1986.

145. В.И.Александров, В.Ф.Китаева, Г.В.Козлов, В.В.Осико, Н.Н.Соболев, В.М.Татаринцев, И.Л.Чистый Мандельштамм-брюллюэноское рассеяние и упругие свойства Zr02-Y203., ФТТ, 16, 8,1456-1459,1975.

146. В.И.Александров, В.Ф.Китаева, В.В.Осико, Н.Н.Соболев, В.М.Татаринцев, И.Л.Чистый Зависимость свойств монокристаллов твердых растворов от концентрации Y203., Кр.Сооб. по Физ., 3, 21-27,1975.

147. I.L.Chistyi Экспериментальное изучение свойств Zr02-Y203 и Hf02-Y203 твердых растворов., J.Raman. Spectroscop., 6, 4,183-192,1977.

148. RP.Ingel, D.Lewis III, Lattice Paramerters and Density for Y203-Stabilized Zirconia., J. Am.Cer,Soc 69, 4, 325-32, 1986.

149. R.P.Ingel, D.Lewis III Elastic Anisopropy in Zirconia Single Crystals., J. Am.Cer,Soc 71,4,265-71,1988.

150. N.G.Pase Elastic Constans and Interatomic Binding in Yttria-Stabilized Zirconia., J.Mat. Sci., 4, 1106-1119, 1969.

151. RH.J.Hannink, K.A.Johnston, R.T.Pascoe, and R.C.Garvie :pp,116-36 in Adv. In Ceram., v.3, Ed. By A.H Heuer and L.W. Hobbs. The Amer. Ceram. Soc. Columbus, OH, 1981.

152. I.L.Chistyi, I.L.Fabelinskij, V.F.Kitaeva, V.V.Osiko, Yu.V. Pisalevskij, I.M.Sil'vestrova, and N.N.Soboltv, Experimental Study of the Properties of Zr02-Y203 and Hf02-Y203 Solid Solution., J.Raman Spectrosc. 6, 4,183-92,1977.

153. H.M.Kandil, J.D.Greiner, and J.F.Smith, Single-Crystal Elastic Constants of Yttria-StaMized Zirconia in the Range 20 to 700°C., J.Am.Cer.Soc., 67, 5, 341-46,1984.

154. D.-W.Liu, Spectroscopy Studies of Phonons in Zirconia- Yttria Mixed Crystals at Elevated Temperatures", Ph.D.Thesis, Norheastem University, Boston, MA, 1984.

155. A.Fainburg and C.H.Perry, "Structurel Disorder and Phase Transitions in Zr02-Y203 System" J.Phys. Chem.Solids, 42, 513-518, 1981.

156. N.G. Pace, G.A.Saunders, Z.Sumengen, andJ.S.Thorp "The Elastic Constants and Interatomic Binding in Yttria-Stabilized Zirconia", J.Mater. Sci., 4,1106-10,1969.

157. J.M.Farley, J.S.Thorp, J.S.Ross, and G.A.Saunders "Effect of Current Blackering on the Elastic Constants of Yttia-Stabilized Zirconia" J.Mater.Sci Lett. 7, 475 -476,1972.

158. A.Baermann, W.Guse and H.Saalfeld Characterisation of different (Me,Zr)02 Single Crystals Grown by «Skull-Melting» Technique, J.Cryst.Growth, 79, 331-335, 1986.

159. C.J.Chan, F.F.Lange, M.Ruhle, J.F.Jue, A.V.Virkar, Ferroelastic Domain Switching in Tetragonal Single Crystals-Microstructural Aspects., J.Am.Cer.Soc.,74, 8, 807-813,1991.

160. F.Sanchez-Bajo, Isidro Cachadina, Luan de Dios Solier, Fernando Guiberteau,and Francisco I.Cumbrera Differetiatijn between Pseudocubic and Cubic Phases in Y-Zr02 Using Rietveld Analysis. J.Amer.Ceram. Soc., 80,1, 232-36 (1997).

161. A.V.Virkar and L.K.Vatsumoto V.K.Wadhan, Ferroelasticity and Related Properties of Crystals; pp.3-103, in Phase Transitions, vol.3 Gordon and Breach Science Publishers, New York, 1982.

162. J.F.Jue, AV.Vikar, Fabrication, Microstructural Characterization, and Mechanical Properties of Polycristalline t'-Zirconia, J.Am.Cer.Soc., 73, 3650-57,1990.

163. M.G. Gain, M.H.Lewis, Eevidence of Ferroplasticity in Y-tetragonal Zirconia polycrystals, Mat.Lett., v.9, 9, 309-312,1990.

164. A.Foitzik, M. Stadtwald-Klenke, and M.Ruhle, Ferroelasticity of t'-Zr02., Z.Mettallkd., 84, 397-404,1995.

165. J.L.Arem, Man-made Crystals, Smithsonian Press, Washington, 1973.

166. D.Ewell, H.J.Scheel, Crystal Growth from High-Temperature Solutions, Academic Press, London, 1975.

167. В.И.Александров, С.Х.Батыгов, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Аомонова, В.В.Осико, В.М.Татариндев, Способ получения монокристаллов на основе твердых растворов тугоплавких окислов., АС N1048857 14.07.1981 (15.06.1983).

168. В.И. Александров, М.А.Вишнякова, В.П.Войцицкий, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Аомонова, В.В.Осико, В.Т.Удовенчик Способ получения монокристаллов на основе стабилизированного диоксида циркония., АС N1365739 от 02.01.1986 (08.09.1987).

169. В.И.Александров, М.А.Вишнякова, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, Способ получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов (его варианты)., АС 1086833 от 23.12.1983.

170. В.И.Александров, М.А.Вишнякова, В.П.Войцицкий, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.Т.Удовенчик, Способ получения кристаллов диэлектриков, АС 1549123 от 16.09.1988 (08.11.1989).

171. В.И.Александров, М.А.Вишнякова, В.П.Войцицкий, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Способ получения монокристаллов стабилизированного диоксида циркония, АС 1568585 от 24.06.1988 (01.02.1990).

172. В.И.Александров, С.Х.Батыгов, М.А.Вишнякова, В.Ф.Калабухова, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, А.А.Яковлев, Способ получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов (его варианты)., АС N1112821 09.02.1983.(08.05.1984).

173. В.И.Александров, Ю.К.Воронько, Ж.А.Ежова, В.В.Кирилленко, Е.В.Кралин, Е.Е.Ломонова, Н.Н.Кулов, В.П.Орловский, В.В.Прокопьев, Л.А.Райнина, Г.В.Родичева, В.И.Соколов, И.В.Тананаев, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, АС 327363 от 03.06.1991.

174. В.М.Бындин, В.И.Добровольская, Д.Г.Ратников, Индукционный нагрев при производстве особо чистых материалов., Л., Машиностроение, 64с., 1980.

175. Ю.Б.Петров, АЕ.Слухоцкий, А.В.Шкульков, Использование индукционной плавки в холоных тиглях при получении огнеупорных электротехнических материалов для электротермии., Электротехника, 5, 55-59, 1981.

176. Ю.Н.Смирнов, А.В.Шкульков, И.А.Канаев, Температура расплава оксида в стационарном режиме плавки в индукционных печах с холодным тиглем., Изв. ВУЗов, Электромеханика, 9, 69-74, 1984.

177. J.Reboux, High Frequence Induction currents and their Utilization in the Field of Very High Temperatures., Steel, 156, 8, 8-14,1965.

178. М.А.Борик, Разработка технологии и исследование оксидных стекол для электронной техники., Диссер. на соиск. уч. степ, канд.тех. наук, М., ИОФАН, 227, 1985.

179. Н.П.Ханеев, Разработка метода контроля и исследование процессов прямого высокочастотного плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере., Диссерт. на соискание уч. степени ктн, М., ИОФ РАН, 1994.

180. Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.П.Ханеев, А.А.Яковлев Методика исследования процессов плавления и кристаллизации материалов в холодном контейнере с использованием прямого высокочастотного нагрева., Препринт ИОФАН N16, М., Юс, 1988.

181. В.И.Александров, В.ПВойцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.ПХанеев, Экспериментальное изучение процессов теплопереноса при плавлении диэлектриков с помощью прямого ВЧ-нагрева в холодном контейнере., Препринт ИОФАН N74, М., 16с. 1989.

182. В.И.Александров, В.ПВойцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.П.Ханеев, Метод исследования процессов плавления и кристаллизации материалов в холодном контейнере при прямом ВЧ-нагрева., Препринт ИОФАН N83, М., 13с. 1990.

183. В.И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.ПХанеев, Контроль направления распространения расплава на начальном этапе прямого ВЧ- плавления в холодном контейнере., Препринт ИОФАН N5, М., 14с. 1991.

184. В.И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.ПХанеев, Метод исследования процессов плавления и кристаллизации материалов вхолодном контейнере при прямом ВЧ-нагрева., Приборы и техника эксперимента, 3., 231-234,1991.

185. В.И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.ПХанеев, Изучение плавления диэлектриков при прямом высокочастотном нагревании в холодном контейнере., Изв.АН СССР, Неорг. матер. 27, 5, 983-987,1991.

186. В.И.Александров, В.ПВойцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.П.Ханеев, Исследования процессов плавления и кристаллизации материалов в холодном контейнере при прямом ВЧ-нагрева., Изв.АН СССР, Неорг. матер. 27, 10, 21672171,1991.

187. В.И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.ПХанеев, Изучение процесса направленной кристаллизации в холодном контейнере при прямом ВЧ-нагрева., Расширенные тезисы 8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов., Харьков, 3,1,156,1992.

188. В.И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.ПХанеев, Способ контроля направлений распространения расплава на начальном этапе прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере., Приборы и техника эксперимента., 4, 212-217,1992.

189. В.И.Александров, В.П.Войцицкий, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Н.П.Ханеев, Контроль направления распространения расплава на начальном этапе прямого ВЧ- плавления в холодном контейнере., Журнал технической физики., 62, 8, 180186,1992.

190. Б.Я.Авдеев, Е.М.Антонюк, Е.М.Душин, ШЮ.Исмаилов, И.АКарабанов, Д.Н.Мокиенвко, А.А.Преображенский, Е.АСтаросельцева, АВ.Фремке, Э.И.Цветков, Е.АЧернявский. Основы метрологии и электрические измерения. Учебник для ВУЗов, Л., Энергоатомиздат, 1987, 480с.

191. С.С.Кутателадзе, В.М.Боришанский, Справочник по теплопередаче. Л., Госэнергоиздат, 414 с,1959.

192. В.И. Александров, ААБлинов, М.А.Борик, В.В.Осико, Исследование температурных полей в вязких оксидных расплавах при синтезе материалов методом прямого ВЧ-плавления в холодном контейнере., Изв.АН СССР6 Неорг.Матер., 19, 3, 443-447,1983.

193. Е.Я.Литовский Интерполяционная формула для выражения зависимости теплопроводности от пористости твердых материалов, Изв. АН СССР, Неорг. Мат. 1980,16, 3, 559-562.

194. В.И.Александров, С.Х.Батыгов, В.Ф.Калабухова, С.В.Лаврищев Е.Е.Ломонова, В.АМызина, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, Распределения иттрия и неоднородности в кубических кристаллах Zr02-Y20з., Изв.АН СССР, 16, 1, 99104, 1980.

195. А.А.Чернов, Е.И.Гиваргизов, Х.С.Багдасаров,В.А.Кузнецов, Л.Н.Демьянец,А.Н.Лобачев Современная кристаллография.(в четырех томах), т.З Образование кристаллов, с54~57, М., Наука, 407с. ,1980.

196. Р.Лодиз, Р.Паркер, Рост монокристаллов», М., Мир, 540с, 1974.

197. К.-Т.Вильке Выращивание кристаллов., А., Недра, 259, 600, 1977.

198. О.Г.Козлова, Рост и морфология кристаллов. Изд .Московского Университета, М., 83с, 304с., 1972г.

199. Gross R, Moller H. Uber das Kristallwachtum in Rohrenformigen НоЫгаишеп., Zeitschrift fur Physik., B.19, AbtP.S. 375-387,1937.

200. А.В.Шубников, Г.Г.Леммлейн, Об ортотропизме роста кристаллов, ДАН СССР, А.Т.4.С.61-64, 1927.

201. Г.Г.Леммлейн, Об ориентировке кристаллов кварца в альпийского типа жилах на Приполярном Урале, ДАН СССР, Т.22,1, 42-44, 1939.

202. Г.Г.Леммлейн, Процесс геометрического отбора в растущем агрегате кристаллов, ДАН СССР, Т 48, 3, 177-180,1945.

203. А.В.Шубников, О законе геометрического отбора при образовании кристаллического агрегата, ДАН СССР, Т.51, 9, С.679-681,1946.

204. А.Н.Колмогоров К вопросу о «геометрическом отборе» кристаллов , ДАН СССР, Т. 65, 5, С. 681-684,1949.

205. B.Chalmers Melting and Freezing-J.Metais, 6, 5, 519-533,1954.

206. G.Tamman Die Entstehuhg der Gubstruktur, Z. fur Metallkunde, 21, 277-282, 1929.

207. A.J. Gross Heat flow and the growth of metal single crystals from the melt., The Proceedings of the Physical Society. Section A., V.175, p.100-110,1940.

208. Чалмерс Б. Теория затвердевания: Пер. с англ., М., Металлургия, 288с, 1968.

209. G.Tamman, KX.Dreyer Die Wachstumsformen von Metallkristallen. Z. anorag. und allgem.Chem., 205,1-2, 77-80,1932

210. A.Hellawell, P.M.Herbert The development of preferred orientations during the freezing of metals and allooys., Proc.Roy.Soc., A, 269,1339, 560-573,1962

211. B.Chalmers Some crystal-boundary phenomena in metals., The Proceedings of the Royal Society . Section A., v. 196, hp. 64-73, 1949.

212. B.Chalmers The Preparation of single crystals and bicrystais by the controlled solidification of molten metals, Canadian Journal of Physics., У.31, p.132-146,1953.

213. K.V.Gow, B.Chalmers The Preparation of high melting point metal single crystals and bicrystais with pre-determined crystallographic orientation.-BritJ.Appl.Phys., 2, 10, 300-393, 1951.

214. W.A.Tiller Preferred growth direction of metals., J. of Metals, v.9. 845-855,1957.

215. A.Rosenberg, W.A.TiUer, The relationship between growth forms and the preferred direction of growth., Acta Metallurgica, v.5,p.565-573, 1957.

216. W.A.Tiller, K.A.Jackson, J.W.Rutter B.Chalmers, The redistribution of solute atoms during the solidification of metals., Acta Metallurgica, v.l, p.428-437, 1953.

217. W.A.Tiller, W.C.Winegard, Grain-boundary segregation, Acta Metallurgica, v.3, p.208-209,1955.

218. W.A.Tiller, Solute segregation during ingot solidification, J. of Iron and Steel Institute, v.215, No.3, p. 447-457,1959.

219. Б.Хонигман, .Рост и форма кристаллов., Изд. Иностранной литературы, Москва, 225с, 1961.

220. П.Кюри. Избранные труды. Серия «Классики науки». Наука, М.-Л., с.101,1966.

221. D.Michel, Relation Between Morphology and Structure for Stabilized Zirconia Crystals., Advances in Ceramics, Vol. 24: Sience and Technology of Zirconia 111. Copyright ©, The American Ceramic Society, Inc., pp 455-461, 1988

222. P.Hartman, W.G.Perdok, On the Relations Between Structure and Morphology of Crystals., Acta Crystailogr., 8, 49, 531-525,1955.

223. P.Hartman, W.G.Perdok, Uber die Beziehungen zwischen Morfologie und struktur des Cuprit., Neues J. Mineralog. Mh.,5, 976,1955.

224. H.J.Rossell, Ordering in Anion-Defiient Fluorite-Related Oxides, pp.47-63 in Advances in Ceramics, v.3, Edited by A.H.Heuer and L.W.Hobbs The American Ceramic Sosiety, Clumbus, OH, 1981.

225. D.Michel and A.Kahn, Structure of Indium Tungstate In6W012: Its Relation with the Fluorite Structure., Acta Crystallogr.SectB,38,1437-41 (1982).

226. G.M. Wolten Direct high-temperature single-crystal observatin of orientation in zirconia phase transformation., Acta crystailogr., v.17, 6, p.763,1964.

227. В.М.Вигдорович, А.Е.Вольпян, Г.М.Курдюмов Направленная кристаллизация и физико-химический анализ., М., «Химия»., 1976, 200с.

228. К.Д.Термонд, Полупроводники., Пер. с англ. под ред. Н. Б.Хеннея, .М., Издатинлит, 1962, с.140-170.

229. В.А.Тиллер, В кн. «Теория и практика выращивания кристаллов», М., Металлургия,.1968, с. 294-350.

230. Дж.Бартон, Р.Прим, В.Слихтер, В кн. «Германий», Пер. с англ. под ред. Д.А.Петрова., М., Издатинлит, 1955, с. 74-81.235. .Г.Пфанн. Зонная плавка., Пер. с англ. под ред. В.Н. Вигдоровича., М., Мир, 1970, 368с.

231. Р.Стройберг, С.Морзе , Определение кристаллов под микроскопом., М., Мир, 1974, с.107.

232. Х.Хаяси, О.Скамоти., Изучение огнеупоров из плавленой двуокиси циркония., Нагоя Коге, гиороцу сикэнсехокону, 3, 6, 238-348,1964, (Пер. ВИНИТИ 58806/69.

233. S.T.Buljan, H.A.Mckinstry and V.S.Stubikan, Optical and X-Ray Single Crystals Studies of the Monoclinic Tetragonal Zr02.,J. Amer.Cer. Soc., 59, 7-8, 351-354, 1976.

234. Б.Я.Сухаревский, Б.Г.Алапин, А.М.Гавриш, «Об особенностях кинетики полиморфных превращений двуокиси циркония при охлаждении», ДАН СССР, 156, 3, 677-680,1964.

235. В.ПГорелов, С.Ф.Пальгуев., Проверка модели кислородных вакансий для твердых растворов в системе Zr02-Y203. Изв. АН СССР6 Неорг. Мат., 13, 1, 181182,1977.

236. F.Hund, Фазы флюорита в системе Zr02-Ca0., Z.Physikal Chem. 199, 1-3, 142151,1952.

237. В.И.Александров, Ю.К. Воронько, Б.И.Игнатьев, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико А.А.Соболь., Исследование структурных превращений в твердых растворах на основе двуокиси циркония и гафния методом комбинационного рассеяния света., ФТТ, 20, 3, 528-533,1978.

238. D. Michel, M.Perez-Y Jorba, RCollonques., Study by Raman Spectroscopy of Order-Disorder Phenomena Occurring in Some Binary Oxides with Fluorite-Related Structures., J.Raman Spect., 5,2, 163-180, (1976)

239. C.H.Perry, D.W.Liu, RP.Ingel Phase Characterization of partially stabilized Zirconia by Raman Spectroscopy., J.Am.Ceram.Soc., 68, 8,184-187, (1985).

240. Ю.К. Воронько, М.А.Зуфаров, , В.В.Осико А. А. Соболь Фазовые превращения в твердых растворах на основе диоксида циркония. Препринт N 64., М., ФИАН, 1983.

241. Ю.К. Воронько, А.А.Соболь, С.Н. Ушаков, Л.И.Цымбал, Формирование тетрагональной структуры в частично стабилизированном диоксиде циркония Неорг. Мат. 30, 6, 803-808,1994.

242. Ю.К. Воронько, АВ.Горбачев, А.А.Соболь, Комбинационное рассеяние света и строение кубических твердых растворов нв основе лиоксидов циркония и гафния., ФТТ, 37, 7, 1939-1952,. 1995.

243. Е.Е.Ломонова Выращивание и исследование монокристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония и гафния., Диссер. на соиск. уч. степ, канд.тех. наук, М., ФИАН, 227,1980.

244. Ю.М.Шашков, Г.М.Степанова, Колобания фронта кристаллизации при выращивании кремния методом Чохральского., ДАН СССР, 179, 4, 840-846, 1968.

245. Ю.М.Шашков, В.П.Гришин, О осевых градиентах температуры при выращивании монокристаллов методом Чохральского.; ДАН СССР, 179, 2, 404406, 1978.

246. Б.М.Туровский, М.Г.Мильвидский, Особенности роста кристаллов из расплава при выращивании их по методу Чохральского., ФТТ, 3, 9, 3519-2524,1961.

247. J. R Carmthtrs, K.E.Benson, Solute Striations in Czochralskigrowth Silicon Crystals, Effect of Crystal Rotation and Growth Rates., Appl. Phys. Let., 2, 6,100-102, 1963.

248. K.Morizane, A.Witt, H.C. Gatos, Impurite Distribution in Single Crystals. III. Impuity Heterogeneoties in Single Crystals Rotated During Pulling from the Melt. J.Electrochem. Soc., 114, 7, 738-742, 1967.

249. Н.Я.Шушлебина, Ю.М.Шашков, Б.Я.Сахаров., О типах примесных полос в монокристаллах кремния., Изв. АН СССР, сер. Неорг. Мат., 5, 4, 712-716,1969

250. Veda Hiroshi, Resistivity Striations in Germanium single crystals. J. Phys. Soc. Jap. 16,1, 61-66,1966.

251. Д.А.Петров, О реальном распределении примесей в кристаллах получаемых методом вытягивания из расплава и о возможностях развития этого метода., ЖТФ, 30,1,50-56,1956.

252. М.Г.Мильвидский, Пульсация скорости роста кристалла и их влияние на структуру и свойства материала, полученного методом Чохральского., Кристаллография, 6, 2, 249-255, 1961.

253. В.В.Воронков, Неустойчивочть кристаллизации при больших тепловых потоках., ФТТ, 7, 3, 899-902, 1965.

254. W.A.Tiller, In the Art and Sience of Growth Crystals, 267, N.Y. 1963.

255. V.I.Aleksandrov, M.A.Vishnyakova, V.F.Kalabuchova, E.E.Lomonova, and V.APanov, Growth of Zirconia Sinngle Crystals by Direct Crystallization an a Cold Container., Proc.Indian Natn. Sci.Acad., A, No.2,133-144,1991.

256. В.Г.Фомин, М.Г.Мильвидский, О.Г.Столяров, А.В.Беркова., Дислокации в сильнолегированных монокристаллах кремния, ФТТ, 6, 3259-3262, 1964.

257. Б.ДЛайнер, В.В.Раков, М.Г.Мильвидский, О кристаллизации галлия., Изв. АН СССР, сер. Неорг. Мат. 5, 8,1370-1372,1969.

258. J.S.Hirschhom, R.A.Gredy, On thee theorie of cellular precipitation., Acta Metall. 12,1,120-122,1964.

259. M.Bardsley, W.A. Cockayne, Growth and perfection of high melting point oxides-crystal growth. Proc. Inter. Conf. Boston, 1966, Oxford, 109-113,1967.

260. C.F.Bolling, W.ATiller, Growth from the melt. II. Cellular interface morphology., J.Appl. Phys. 31,11, 2040-2045,1960.

261. В.Г.Фомин, М.Г.Мильвидский, Р.С.Белецкая, Исследование сильнолегированных монокристаллов кремния с ячеистой структурой., Кристаллография, 13,1,172-173,1968.

262. А.Я. Губенко, Л.И.Жесткова, Исследование кисталлов германия сильно легированных мышьяком сурьмой и галлием., Изв. АН СССР, сер. Неорг. Мат, 4, 598-599, 1968.

263. Ф.АГимельфарб, Б.Г.Гирич, М.Г.Мильвидский, О.В.Пилевин, В.И.Фистуль, Некоторые особенности выделения второй фазы в арсениде галлия, легированном хромом, ФТТ, И, 2000-2002,1969.

264. АН.Киргинцев, АИ.Исаенко, В.АИсаенко, Распределение примеси при направленной кристаллизации., 168-200, Наука, Новосибирск, 1977.

265. Д.А.Петров, Б.АКолачев, Перераспределение примесей при кристаллизации и формы проявления этого процесса в структуре кристалла., Рост кристаллов, т.1, 159-169, Наука, М., 1957.

266. Проблемы изоморфных замещений атомов в кристаллах., под ред. АП.Виноградова, с. 12-31, Наука, М., 1971.

267. Е.С. Макаров , Изоморфизм атомов в кристаллах, с.89-106, Наука, М., 1978.

268. Н.А.Торопов, В.ПБарзаковский, В.В.Лапин, Н.НКурцева, Диаграммы состояния силикатных систем., Справочник, т.1, А, Наука, 1969, 824с.

269. А.А.Каминский, Лазерные кристаллы., с.26, М., Наука, 1975.

270. К.С.Шифрин «Рассеяние света в мутной среде»., с.26, Наука, М., 1975.

271. Процессы реального кристаллообразования. Под ред. Н.В.Белова, 78-95, 46-50, М., Наука, 1977.

272. С.П.Гришина, М.Г.Мильвидский, В.Б.Освенский Превращения в сильнолегированном арсениде галлия при термообработке., Физ. и техн.полупроводников, 4,2, 294-298,1970.

273. В.И.Александров, С.Х.Батыгов, В.Ф.Калабухова, С.В.Лаврищев Е.Е.Ломонова, В.АМызина, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, Влияние 8Ю2 на рост и совершенство стабилизированного 7лОг., Изв.АН СССР, 16, 1, 99-104,1980.

274. Н.М.Меланхолин, С.В.Грум-Гржимайло, Методы определения оптических свойств кристаллов., М., Изд.-во АН СССР, с.170,1954.

275. С.В.Грум-Гржимайло, Приборы и методы оптического исследования кристаллов., М., Наука, с.66,1972.

276. П.А.Тихонов, А.К.Кузнецов, Э.К.Келер, Восстановление двуокиси циркония и твердых растворов на основе Zr02 Ж.физ.хим, 1979, 48, 3, 643.

277. А.К.Кузнецов, П.А.Тихонов Э.К.Келер, Восстановление двуокиси циркония и твердых растворов на ее основе., Сб. Электронное строение и и физические свойства твердого тела., ч.2, Киев, Наукова думка, с 31,1972.

278. Л.А.Красиков, В.Е.Швайко-Швайковский, Изменение плотности кубической Zr02 под влиянием анионных вакансий., ФТТ, 18, 12, 3704, 1976.

279. Yoshimura Masahiro, Sata Toshiyuki, Phase studies on the system Zr02-Ce203 from 1350°C to 1900°C., Bull. Tokyo Inst.Technol., 108, 25-32,1972.

280. Note de M.A.Rovanet, Presentee par M.G.Chaudron, Etude a haute temperature du systeme Zircone-sesquioxide de neodime., C.R.Sci.Paris., 270, C, 802-805,1970.

281. Д.Т.Свиридов, P.K.Свиридова, Ю.Ф.Смирнов, Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах., М.,Наука, 168-173,179-180,1976.

282. Ф.Крегер. Химия несовершенных кристаллов., М. Мир, 654с, 1969.

283. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. Т.1, М., ИЛ., 415с, 1962.

284. E.M.Akul'onok, V.A.Khaimov-Mal'nikov, V.Ya.Danileiko, A.A.Manenkov, V.S.Nechitailov, T.P.Lebedeva J.Sol. St. Chem. 26,1,17-25,1978.

285. Y. Sakka., Y Oishi., К Ando, Cation Interdiffusion in Poly crystalline Fluorite Cubic Mg-Zro2 Solid Solution., Bull.Chem. Soc. Jpn. 55, 420-422,1982.

286. N.Yoshikawa, H.Sato, Transformation Behavior of Y203-PSZ Investigation by Thermal Dilatometry., J.Jap.Inst.Metals.,v.50,108-113,1986.

287. R.A.Miller, J.L.Smilek, RG.Garlich, Phase Stability in Plasmesparayed Partially Stabilized Zirconia-Yttrya., Adv. in Cer. V.3.,Ed. By A.H.Heuer and et. al Columbus The Am.Cer. Soc., 108-113,1981.

288. Курдюмов Г.В., Несовершества кристаллического строения и мартенситные превращения. Сб. Статей.-М.Наука, с.273, 1972.

289. А.Г.Хачатурян, Теория фазовых превращений и структура твердых растворов., М., Наука, 1974, 383с.

290. T.Mitsuhasni, Phase Transition of Monoclinic Zr02 Single Crystala., J.Am.Cer.Soc., 48, 493,1973.

291. Ю.К. Сиротин, М.П.Шаскольская, Основы кристаллофизики., М., Наука, с.640, 1979.

292. Варлимонт X., Мартенситные превращения в сплавах на основе меди, серебра, золота., М. Наука,162 с, 1974.

293. Б.Я.Сухаревский, А.М.Гавриш, О особенностях полиморфного превращения кристобаллита., ДАН СССР, 155, 2, 438-441,1964.

294. HS.Maiti, K.V.G.K.Gokhale and E.C.Subbarao, Kinetics and Burst Phenomenon in Zr02 Transformation., J.Amer.Cer.Soc., 55, 6, 317-322,1972.

295. I.T.Dailey, D.Levis, Z.M.Librantand, L.I.Porter, Phase Transformation in Milled Zirconia., Trans.J.BritCeram. Soc. 71,1, 25-30,1972.

296. V.Ali, S.G.H. Bukhari, K.F. Shoaib and F.H.Hashmi, Фазовый переход моноклинная-тетрагональная фаза в монокристаллах Zr02., Phys.Stat.Sol. (а), 35,181-184, 1976.

297. T.Mitsuhashi, Y.Fujiki, Phase Transformation of Monoclinic Zr02 Single Crystals. J.Amer.Ceram.Soc., 56, 9, 493,1972.

298. R.Stevens, Zirconia and Zirconia Ceramics., Magnezium Electron LTD., 12-336, 1987.

299. А.Ф.Щуров, И.Ф.Перевозщиков, Механические свойства кристаллов стабилизированного диоксида циркония. Неорг.Матер., 33, 9,1087-1092, 1997.

300. К.Сангвал, Травление кристаллов . Теория. Эксперимент. Применение., М.Мир. 1990.

301. Ю.П.Пшеничнов Выявление тонкой структуры кристаллов., М.,. Металлургия, 1974.

302. Robert RHughan and Richard H-J.Hannink, Precipitation During Controlled Cooling of MPSZ., J. Am.Cer. Soc. 89, 7, 556-563, 1986.

303. Arthur H.Heuer, Indentation Induced Crackes and the toughness Anisotropy of 9,4 mol % Yttria-stabilised Cubic Zirconia Single Crystals., J.Am. Cer. Soc. 74 (4) 855-862, 1991.

304. T.Eris, F.Gustetean and A.Domingo-Rodriguez, High-temperature plastic deformation ofY2Orstabilised Zr02 single crystals., Phil. Mag. V.60,1, 107-121,1989.

305. Yamakawa et.al.,Growth of Yttria Stabilized Zirconia Crystals., J.Cryst. Growth, 75, 623-679,1986.

306. A.H. Heuer, Transformation Toughening in Zr02-Contanining Ceramics., J. Cer. Soc. 70,10, 689-698,1987.

307. RRHughan and RH.J.Hannink, Precipitation during Controlled Cooling of MPSZ., J.Ceram. Soc., 89, 7, 556-563,1986.

308. R.G.Hoagland, C.W.Marshall, W.M.Duckworth, Reduction of errors in ceramic bend test, J.Am.Cer. Soc., 59, 5/6 189-192,1976.

309. F.J.Barettta, Requrement for flexure testing of brittle materials., In "Methods for assessing the structuralreliability of brittle materials., ed. S.Freimann and C.Hudson. ASTM STP 844,194-222,1984.

310. G.D.Quinn, F.J.Baretta., J.H.Conway, Commentary of Army Standart Test Method for Flexural stregth of high performance ceramics at ambient temperature., US Army Materuals and Mechanics Research Center.- AMMRG TR 85-21. August, 11,1985.

311. Quinn G.D., Baretta F.J. Flexure date can it be used for ceramics pert design? MTS System Corporation, 1986, h.5 (Reprinted from "Adv. Mater. And Proces" December 1985).

312. Г.А.Гогоци, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, Изучение механических характеристик монокристаллов диоксида циркония, предназначенных для конструкционых применений., Огнеупоры, 8, 14-17, 1991.

313. Г.А.Гогоци, ДЮ.Островой, Е.Е.Ломонова, Деформационные особенности кубических монокристаллов Zr02. Огнеупоры, 3, 15-19,1992.

314. Г.АГогоци, В.И.Галенко, Б.АОзерский, Е.Е.Ломонова, В.А.Мызина, В.Ф.Калабухова, Прочность и трещинностойкость кристаллов диоксида циркония с оксидами иттрия и тербия., Огнеупоры, 6, 2-8, 1993.

315. G.AGogotsi, E.E.Lomonova, V.G.Pejchev, Strength and Fracture Toughness of Zirconia crystals., J.Eur. Cer.Soc., 11,123-132, 1993.

316. G.AGogotsi, E.E.Lomonova, Yu.Furmanova, and I.M.Savitskaya, Zirconia Crystals Suitable for Medicine: 1.Implants., Ceramics Internationale, 20, 343-348, 1994.

317. S.N.Dub, G.A.Gogotsi, E.E.Lomonova, Hardness and fracture toughness of tetragonal zirconia single crystals., J.MatSci.Lett 1, 446-49,1995.

318. Д.Ю. Островой, Деформирование и прочность керамики при различных температурно -скоростных воздействиях., Дисс. На соиск.уч.ст. к.т.н., Киев, И1111 АНУ, 1993.

319. Г.АГогоци, Проблема атгесттации машиностроительной керамики по показателям прочности., Вестник машиностроения., 27-33,1989.

320. Г.АГогоци, А.В.Дроздов, В.Г.Пейчев Механическое поведение кристаллов диоксида циркония, частичностабилизированного оксидом иттрия., Проблемы прочности, 1, 73-77,1991.

321. A.Domingues-Rodriguez, K.P.D.Lagerlof, A.H.Heuer, Plastic Deformation and Solid Solution Hardening of Y203-stabilized Zr02., J.Am.Cer. Soc., 69, 3, 281-284, 1986.

322. G.Quin, Flexure Testing of Advanced Ceramics, Br.Ceram. Trans.J., 88-94,1989.

323. Г.А.Гогоци, К вопросу классификации малодеформирующихся материалов по особенностям их поведения при нагружении., Проб.прочности, 1, 77-87,1977.

324. Н.Н.Малинин, Прикладная теории пластичности и ползучести., М., Машиностроение, 400с, 1968.

325. К.Дж.Филлипс, Разрушение., Т.7, Разрушение неметаллов и композиционных материалов., Ч.1., Неорганические материалы., Под редакцией Г.Аибовица; М., Мир, 19-26,1976.

326. E.Fries, F.Guiberteau, ADominguez-Rodriguez, High Temperature Plastic Deformation of Y203- stabilized Zr02 Single Crystals. I.Origin of the Yield Drop and associated Glide Polygonization., J Philosofical Magazine A, 60,1,.107-121,1989.

327. J.Lankford, R.A.Page, L.Rabenberg, Deformation Mechanisms in Yttia-stabilized zirconia., J. Mat. Sci. .23, 4144-4156,1988.

328. Ю.С.Боярская, О.З.Грабно, Физика процессов микроиндентирования., Кишинев, Штинда, 1-170, 1986.

329. К.Мията, «Обзор по механике разрушения керамических материалов» Сэрамикуусу, 20,1, 3-11,1985.

330. Г.П.Черепанов, Механика хрупкого разрушения., М., Наука, 640с, 1974.

331. В.И.Трефилов, Ю.В.Мильман, И.В.Гриднева, Механические свойства ковалентных кристаллов., Изв.АН СССР, Неорг.Матер., 20, 6, 958-966,1984.

332. Г.А. Гогоци, АВ.Башта, Исследование керамики при внедрении алмазной пирамиды Виккерса, Проблемы прочности, 9,49-55,1990.

333. Л.М Бринкевич, Исследование микротвердости образцов в ЧСЦ с различным содержанием Y203., Неорг.Матер.,30, 5, 592-602,1994.

334. Модель для оцеки вязкости разрушения.,Rudorsko-Metalurski zbornik, 34, 3-4, 389-399,1984.

335. G.R.Anstis, P.Chanticul, B.R.Lawn, and D.B.Marshall A Critical, Evaluation of Indentation Techniques for Measuring fracture toughness: I.Direct Crack measurements., J.Amer.Cer.Soc., 64, 533-538, 1981.

336. KNiihara, R.Morena, and D.F.H.Hasselman, Evaluation of Klc of Brittle Solids by the Indentation Method with Low Crack to Indent Rations., J.Mater.Sci.Lett., 1, 13-16, 1982.

337. R.F.Cook and G.M.Pharr, Direct Observation and Analysis of Indentation Cracking in Glasses and Ceramics., J.Amer.Cer.Soc., 73, 4, 787-817,1990.

338. Z.Li, AGhost, AS.Kobayaashi, R.C.Brabt, Indentation Fracture toughness of sintered silicon carbide in the Palmqvist crack regime., J. Amer.Ceram.Soc., 72, 6., 904911,1989.

339. M.V.Swain, Inelastic Deformation of Mg-Psz and Its Significance for Strengh — Toughness Relationship of Zirconia Toughness Ceramics., Acta Metall., 33, 11, 20832091, 1985.

340. M.J.Reece, P.L.Tetlow and C.Galiotis, Phase Transformation around indentations in Zirconia., J.Mater.Sci.Lett., 11, 575-577,1992.

341. J.Martines-Fernandez, MJimenez-Melendo, ADomiguez-Rodriguez and A.H.Heuer, Microindentation-Induced Transformation in 3,5mol% Yttria-Partially-Stabilized Zirconia Single Crystals., J.Amer.Ceram.Soc., 74, 5,1071-1081,1991.

342. D.Holmes, A.H.Heuer and P.Pirouz, Dislocation structure around Vickers indents in 9,4mol% Y203-stabilized cubic Zr02 single crystals., Philosophical Magazine A, 67, 2, 325-342,1993.

343. A.Pajares, F,Guiberteau, A,Dominduez-Rodriguez, A.H.Heuer, Indentation-Induced Cracks and the Toughness Anisotropy of 9,4mol% Yttria-Stabilized Cubic Zirconia Single Crystals., J.Amer.Ceram.Soc., 74, 4, 859-862,1991.

344. Г.АГогоци, Б.И.Озерский, Д.Ю,Островой, Сопротивление индентированию керамики и кристаллов из диоксида циркония., Огнеупоры, 3,2-12,1996.

345. G.N.Mosrcher, P.Pirouz, A.HHeuer Temperature dependence of hardness in yttria-stabilized zirconia single crystals., J.Am.Cer.Soc., 74, 3, 491-500, 1991.

346. Ю.С.Боярская, О.З.Грабно, Физика процессов микроиндентирования., Кишинев, Штинда, 170с.,1986.

347. К.Мията., Обзор по методикам разрушения керамических материалов., Сэрамикуусу, 20,1, 3-11, 1985.

348. Ю.А.Концевой, Ю.М.Литвинов, Э.А.Фаттиков, Пластичность и прочность полуповодниковых матриалов и структур., М., Радио и связь, 150с., 1982.

349. A.Saiki, N.Jshizawa, N.Mizutani, K.Masanori, SEM Observation of the Stress Induced transformation by Vickers Indentation Y-PSZ Crystals., Ниппон сэрамикуусу кекай чакудзюцу рамбунси, J.Ceram. Soc Jap. Int.Edn., 89,1, 41-46,1989.

350. A.Pajares, F.Guiberteau, A.Dominduez-Rodriguez, A.H.Heuer, Microhardness and Fracture Toughness Anisotropy in Cubic Zirconum Oxide Single Crystals., J.Amer.Ceram.Soc., 71, 7, 332-333, 1988.

351. В.И.Карбань, Ю.И.Борзаков, Обработка кристаллов в микроэлектронике., М., Радио и связь, 104с, 1988.

352. Z.Li, Y.Li, Y.Fang, M.V.Nevitt, Microhardness Anisotropy of m-Zr02 Single Crystal., -Ith IntCeram. Sci. andTechnol. Congr. Anaheim., Oct 31, v.3, 45,1989.

353. K.Tanaka, Elastic/Plastic Indentation in Ceramics: a Fracture Toughness: the Inclusion Core Ratios., J.MatSci.Lett., 22, 1501-5, 1982.

354. A.K.Toernlund, L.Hermanson, W.Arvidson and R.Sovemark, Bioimplantant Materials Hot Isostatically Pressed Alumina and Zirconia, Mechanical Properties and Bicompatibility., Sci.Ceram., 14, 799-804,1987.

355. Г.А.Гогоци , МВ.Свейн, Дж. Дэвис, Частично стабилизированная керамика из Zr02 и ее поведение при нагружении., Огнеупоры, 1, 2-5,1991.

356. P. Lawn, D.B.Marschall, P.Chautikul, G.R.Antstis Indetation fracture: Application in the Assessment of Strength of Ceramics., J. Austr. Ceram. Soc., 16, 4-9,1980.

357. D.J.Green, RH.Hannink, M.V.Swain, Transformation Toughening of Ceramics., Boka Raton, Florida:CRC Press. Inc., 232, 1989.

358. RD.Shennon,Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides., Acta Cryst., v.A32, p.751-767, 1976

359. I Inasaki, High-Efficiency grinding of Advanced Ceramics., CIRP, 361, 211-214, 1986.

360. D.C.Zipperian, Preparation of Ceramic Materials for Surface Characterization., Amer. Ceram. Soc. Bull., 68, 5,1196-1201,1989.

361. F.Wakai, Y.Kodama, T.Naganj, P.G.F.Descaps, H.Okamura, Effects of additives and impurities on superplasticity of Y-TZP., I-st Int. Ceram. Sci and Tech. Condr. Anaheim, Calif., Oct31 Nov.3,1989, Meet Abstr./Columbus(Ohio)/, p.52,1989.

362. L.Zhang, Z.Y.Mao, T.K.Li, Z.J.Shen., Erosion of TZP and ZTA by Solid Particle Implant., 1st Int. Ceram. Sci and Tech. Condr. Anaheim., Calif., Oct.31 Nov.3, 1989, Meet. Abstr. /Columbus(Ohio)/, 1989, p.43.

363. R.Lorcher, R.Telle, G.Petrow, Influence of mechanical properties on the wear bechaviour of advanced ceramics., Sci. Ceram. 14, Proc. 14th Int. Conf. Canterbury., Sept7-9th, 1987, Stokeon-Trent, 1988. 787-792.

364. T.E.Fisher, M.P.Anderson, S.Jahannir, Influence of fracture toughness on the wear resistance of yttria-doped zirconium oxide., J.Amer,Ceram, Soc., 72, 2,252-257,1989.

365. О.Н.Григорьев, Г.С.Кривошей, Р.А.Стельмашенко, В.И.Трефилов, Ф.И.Шевченко, Фазовые превращения при механической обработке и свойства поверхностных слоев в керамике из диоксида циркония., Порошковая металлургия, 56, 30-33,1991.

366. Т.К. Gupta, Role of stress-induced phase transformationin enhancing strength and toughness of zirconia ceramics in fracture Mechanics of Ceramics. Ed. by R.C.Brandt, D.P.H.Hasseman, F.F.Lange, Nev York-London: Pienum Press, 4, 877-890, 1978.

367. Х.Хасерава, Фазовое превращение и изменение механических свойств двуокиси циркония в результате механического полирования., Нихон киндзаку гаккайси, 50, 22,1109-1115,1986.

368. Wirtschaffliche Bearbcituhg technischer Keramik., Chem.-Techn. (BRD), 18, 1, 3133,1989.340

369. J.Huber, J.Heinrich, Ceramics in internal combustion engines., 2hd Eur.Sym,Eng.Ceram., London, 23-24 Nov., Proc. London; New York, 1989,203-228, 1987.

370. K.Wolf, Th.Holschujer, Zirconoxid ein neuer Werkstoff fur den Pumpenbau in der chemiescher Industrie., Chem-Techn. (BDR), 17, 8,24-25,1988.

371. T.Nomura, N.Nishimura, T.Hyodo, Direct Measuring Method of Water Vapor Content at High Temperature Using Zr02-Mg0 Ceramic Body., Mem. Fac. Eng.Ogaka City Univ., 28, 9-13,1987.

372. В.Г.Пейчев, С.Ю.Плинер, Повышение прочности керамики из диоксида циркония за счет эвтектоидного распада твердых растворов в системе Zr02-M0., Огнеупоры, 2,12-14,1987.

373. T.Motoxupo, "Стареющая" керамика.Требуемые материалы для замены твердых тканей организма, Серамикуусу, cer.Jap. 23, б, 25-26,1988.

374. P.Christel, AMeunir, M.Heller, Y.P.Torre, C.N.Peille, Mechanical Properties and Short-Term in Vivo Evaluation of Yttrium Oxide-Partially-Stabilized Zirconia., J .Biomed.Mater.Res., 23,1, 45-61,1989.