Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Климов, Кирилл Игоревич

• Климов, Кирилл Игоревич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Климов, Кирилл Игоревич

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПУТИ СОЗДАНИЯ ОДНОЧАСТОТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ.

I 1.1 Общие положения и требования к полупроводниковым лазерам

I от условия их применения.

1.1.1 Одночастотный режим генерации полупроводникового лазера.

1.1.2 Полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью

РОС) и распределенным брэгговским отражателем (БРО):.

1.1.3 Полупроводниковые лазеры с внешним дисперсионным I отражателем.

1.2 Полупроводниковые лазеры с волоконно-брэгговскойфешеткой

ВБР).

I 1.2.1 Волоконно-брэгговские решетки и их взаимодействие с лазерным диодом:.

1.2.2 Режим одномодовой генерации лазера с ВБР.

1.2.3:Режим синхронизации мод. 29* ф 1.2.4 Режим разрушения когерентности.

1.3 Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. СОЗДАНИЕ ОДНОЧАСТОТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ С ВОЛОКОННО-БРЭГГОВСКОЙ РЕШЕТКОЙ.

2Л Эпитаксиальные структуры.

2.1.1 Конструктивные особенности волноводного слоя полупроводникового лазера.

2.1.2 Способы формирования эпитаксиальных структур.

2.U3 Исходные материалы и оборудование, используемые в работе.

2.1.4 Эпитаксиапьные структуры, используемые в работе.

2.2: Лазерные диоды.

2.2:1 Классификация процессов изготовления лазерного диода.

2.2.2 Нанесение диэлектрических покрытий и фотолитографическое травление мезаполосковых структур;.

2.2.3 Заращивание мезаполосковых структур и нанесение отражающих и просветляющих покрытий.49^

2.3 Волоконно-брэгговские решетки:.

2.3.1 Формирование волоконно-брэгговских решеток.

2.3^ Формирование микролинз на торцах оптических волокон;.

2.3;3 Эффективность согласования лазерного диода с волоконнобрэгговской решеткой:.

2.4 Принципы конструирования лазера с волоконно-брэгговской решеткой;.

2:5 Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ОДНОЧАСТОТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ с ВОЛОКОННО-БРЭГГОВСКОЙ РЕШЕТКОЙ;.

Ф 3.1 Ватт-амперные характеристики полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой.

3.2: Пороговый ток.

3.3 Модовый состав излучения;.

3.4 Спектры излучения;.

3.5 Ресурс работы.

3.6 Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ПЕРЕДАЮЩИЕ ОПТИЧЕСКИЕ МОДУЛИ С ВБР.

4:1 Конструкция передающих оптических модулей с ВБР:.

4.2 Передающий оптический модуль ПОМ-21.

63 67 71:

4.3 Передающий оптический модуль ПОМ-22.

4.4 Передающий оптический модуль ПОМ-23.

4.5 Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой»

Общая характеристика:работы.

Актуальность проблемы.

Полупроводниковые лазеры, представляют наиболее динамично развивающуюсяjчасть физики и технологии полупроводников, а взаимосвязь, фундаментальных иг прикладных исследований в i этой области представляет прогресс мировой оптоэлектронной промышленности.

Одним из наиболее важных применений полупроводниковых лазеров является волоконно-оптическая связь. Здесь предъявляются взаимосвязанные требования* к волоконным? световодам: и источникам излучения; таким как полупроводниковый лазер, для повышения основного параметра линий связи - пропускной^ способности. Существенными характеристиками: волоконного световода являются потери пропускания и хроматическая дисперсия. В* настоящее время, когда в волоконных световодах достигнут теоретический предел потерь пропускания, больше внимания уделяется хроматической дисперсии; При этом взамен традиционных лазеров, использующих резонатор Фабри-Перо и обладающих широким спектром; генерации в режимах прямой модуляции с высокой скоростью, потребовались новые источники излучения; К таким;устройствам относятся; динамически одночастотные лазеры, которые устойчиво работают в режиме генерации1 одной продольной моды даже при высокочастотной прямой; модуляции.

В г работе представлены последовательные этапы создания и исследования динамически одночастотных полупроводниковых лазеров.

Первые одночастотные лазеры с коротким резонатором на длине волны 840 нм на основе арсенида галлия появились в начале шестидесятых годов.

В 1978 году появились первые работы о создании полупроводниковых лазеров на основе твердых растворов InGaAsP с длиной волны излучения 1300 нм [1,2]. Однако для получения высокоэффективных приборов; работающих в одночастотном режиме генерации на длине волны 1550 нм, потребовались десятилетия [3,4].

Для i создания физико-технологических основ динамически одночастотных полупроводниковых; лазеров- для волоконно-оптических линий; связиiсо спектральным уплотнением каналов требовалось понимание: фундаментальных: физических и технологических процессов в лазерах с: волоконно-брэгговскими решетками [5]. Таким образом*, диссертационная? работа, посвященная созданию» технологии; изготовления? hi исследованию1 динамически^ одночастотных полупроводниковых лазеров3 с волоконно-брэгговской решеткой, является актуальной как: с научной;, так и с практической точек зрения.

Цель работы

Основная цель работы состояла в исследовании свойств, разработке физических основ и технологии получения! динамически; одночастотных: полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой.

Для достижения: поставленной цели решался следующий комплекс задач:

- Расчет и конструирование: одночастотного полупроводникового лазера с внешним! дисперсионным резонатором на основе волоконно-брэгговской решеткш

- Разработка физико-технологических основ создания одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткош

- Исследование основных электрофизических и? оптических характеристик одночастотных лазеров с волоконно-брэгговской решеткой.

Научная новизна.

1. Рассчитаны и определены условия работы динамически одночастотных полупроводниковых лазеров с внешним! дисперсионным резонатором на основе волоконно-брэгговской решетки.

2. Предложена и реализована конструкция и базовая технология изготовления одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой.

3; На» основе разработанной технологии! созданы динамически стабильные одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брэгговской решеткой в диапазоне длин? волн 980:.1550 нм с шириной линии излучения менее 1 МГц:

Достоверность и обоснованность полученных результатов? подтверждается! удовлетворительным согласием: теоретических оценок и экспериментальных результатов.

Представленные результаты, по которым сформулированы! научные положения, получены впервые.

На защиту выносятся:

1. Результаты исследования процессов создания; одночастотных полупроводниковых лазеров на основе InP и GaAs и условий i получения динамически одночастотного режима генерации полупроводникового лазера с внешним резонатором на основе волоконно-брэгговской решетки.

2. Конструкция: одночастотного полупроводникового лазера с внешним селективным резонатором на основе волоконно-брэгговской? решетки, включающая:

- активный элемент лазерного диода;

- одномодовый волоконный световод с волоконно-брэгговской решеткой и со сферической линзой на конце;

- микроохладитель (элемент Пельте);

- микропечь;

- фотодиод обратной связи;

- корпус типа 14 pin DIL или "Баттерфляй''.

У. Промышленная технология изготовления одночастотного полупроводникового лазера с внешним селективным резонатором на основе волоконно-брэгговской решетки.

4. Создание ряда одночастотных полупроводниковых лазеров на основе волоконно-брэгговской решетки с длиной волны излучения 980 нм, 1064 нм, 1300 нм, 1550 нм.

5. Исследования одночастотных полупроводниковых лазеров с ВБР на длинах волн 980.1550 нм. Найдено, что генерация происходит на длинах волн в узком спектральном интервале менее 1 МГц, задаваемом спектральной селективностью брэгговских волоконных решеток (~1 - ЗА).

6. Результаты исследований, показывающих, что при настройке лазера на максимум мощности линия генерации! сужается, и спектр генерации становится одночастотным со степенью подавления боковых мод более 30 дБ.

7. Результаты исследований, показывающих, что спектр генерации у лазера с волоконно-брэгговской решеткой; остается одночастотным; в широком интервале изменения температуры и тока накачки, как в непрерывном, так и в импульсном режиме работы.

Практическая ценность работы.

Полученные лазеры нашли широкое применение в различных отраслях науки и техники и особенно в волоконно-оптических линиях связи (BOJIC) со спектральным уплотнением информационных каналов (WDM и DWDM).

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на всероссийских, международных конференциях и симпозиумах. В частности: - IX Международная научно-техническая конференция "Высокие технологии в промышленности России", г. Москва, сентябрь 2003 г.;

- Пятый Всероссийский симпозиум по прикладной и промышленной математике, г. Кисловодск, 2004 г.

Передающие оптические модули ПОМ-21, ПОМ-22, ПОМ-23 демонстрировались на международных выставках:

- Лазер-2001, Лазер-2003, г. Мюнхен, ФРГ;

- "Связь-Экспоком", г. Москва, 2002, 2003, 2004 г.г.

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 8 научных работах, в том числе в 5-ти тезисах, в 1-м докладе в материалах научно-технической конференции: и 2-х научно- технических отчетах.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка* литературы. Работа содержит 106 страниц, включающих 3 таблицы и 42 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Климов, Кирилл Игоревич

Основные результаты диссертационной работы можно обобщить в виде следующих положений:

Г. В результате комплексного теоретического^ и экспериментального» исследования обоснована актуальность создания и производства! полупроводниковых лазеров i с волоконно-брэгговской решеткой,, сформулированы основные направления; исследований! и обобщений? физических основ конструирования» полупроводниковых лазеров с ВБР, разработок конструкций и технологий излучателей и передающих оптических модулей. Количественно обоснованы системы оптических m электрических параметров полупроводниковых лазеров с ВБР: Сформулирована номенклатура полупроводниковых; лазеров # с ВБР,5 необходимая для создания на их основе волоконно-оптических линий связи локальных и магистральных систем.

2. В? области физических основ конструирования; полупроводниковых лазеров с ВБР проведены исследования и обобщения, позволившие:

- обосновать базовую конструкцию активного элемента на? основе1 зарощеной мезаполосковош конструкции; и гребневидной мезаполоски, обеспечивающие малые размеры тела свечения; (Г. .2 мкм), малые токи накачки, одномодовый режим генерации, линейность ватт-амперных характеристик, стабильное пространственное распределение поля излучения, хорошии теплоотвод, надежность и долговечность;

- установить количественные зависимости плотности порогового тока, квантовой эффективности и угла расходимости лазерного излучения от геометрии активного элемента;

- обосновать условия получения непрерывного режима генерации, в том числе одномодового; показано, что ширина мезаполоски при одномодовом режиме генерации составляет не более 3 мкм при толщине активной области 0,1мкм.

3. Разработана технология изготовления полупроводникового лазера с ВБР с высокими технико-экономическими показателями в условиях производства.

4. Проведен комплекс исследований основных характеристик разработанных полупроводниковых лазеров с ВБР:

- получено минимальное значение порогового тока 20 мА при ширине мезаполоски 3 мкм;

- максимальное значение мощности излучения в непрерывной генерации составило 20 мВт, в импульсном режиме 75 мВт;

- типичное значение мощности излучения составило 5.10 мВт при токе накачки 50.70 мА;

- спектр генерации соответствует динамически одночастотному лазеру и имеет одну продольную моду.

5. Основными отличительными свойствами одночастотных лазеров явилась малая (менее 1 МГц) ширина спектра генерации,, стабильность, спектра, в. динамическом режиме генерации.

6. Проведены; исследования ресурса работы лазеров. Гарантированная минимальная наработка выпускаемых лазеров с ВБР составляет 50 тыс.ч, расчетное значение среднего ресурса работы достигает 105 ч.

7. В результате проведенной работы решена научно-техническая задача по созданию и организации выпуска передающих оптических модулей ПОМ-21, ПОМ-22, ПОМ-23, имеющих характеристики на уровне лучших, а по некоторым параметрам и превышающих лучшие зарубежные образцы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Климов, Кирилл Игоревич, 2005 год

1. Алферов; Ж.И., Гарбузов Д.З., Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Миловидский M.F. Многокомпонентные полупроводниковые; твердые растворы и их применение в оптоэлектронике. // Вестник АН СССР; 1978, с.31-36.

2. Алферов; Ж.И., Гореленок А.Т., Колышкин В.Н., Коньев П.Е., Мндивани В.Н., Тарасов И.С., Тибилов В.К., Усиков А.Р. Инжекционные гетеролазеры в системе InGaAsP волны излучения 1,3 1,5 мкм. // Письма ЖТФ, 1978; т.4 В.22-С, 1329-1333.

3. Голикова Е.Г., Дураев В.П., Козиков С.А., Кригель В.Г., Лабутин О.А., Швейкин В.И. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями.// "Квантовая электроника", 22, N2, 1995, с.105-107.

4. Дураев В.П., Неделин Е.Т., Недобывайло Т.П., Сумароков М.А., Шишков В.В. Одночастотный полупроводниковый лазер на X = 1,06 мкм с распределенным брэгговским зеркалом в волоконном; световоде. // "Квантовая электроника", 1998, т.25, N40, с.301-302.

5. Дианов ЕлМ. На пороге тераэры. // "Квантовая электроника", 2000, г.ЗО, N8, с.11-21.

6. Вавилова Л.С., Иванова А.В., Капитонов В.А., Марашова А.В., Пихтин Н.А., Фалеев Н.Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP.// ФТП, 1998, N8, с.11-21.

7. Jour, of Lightwave Technol., 1997, VI5, N8, pp.1263-1276.

8. Corrett I. Review Components and Sistem for Longwove Length Monomode Fiber Transmission.// Optical and Qvantum Elektronics, 1982, v. 14, N2 p.95.

9. Белов A.B., Гурьянов А.И., Девятых F.F., Дианов Е.М., Прохоров A.M. Стеклянный волоконный световод; с потерями менее 1 дб/км. // "Квантовая электроника", 1977, т.4, N10, с.2041.„

10. Лившиц Д.А., Егоров АЛО., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантдатов В.М., Леденцов Н,Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощныехарактеристики на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур.// ФТП, 2001, т.35, в.З -с.380-384.

11. Elektron.Lett, 2002,V38,N25,pp.l676-1677.

12. Proc.GLEO CPD12-1-2,Baltimore, MO,USA,2001. 13i Electron.Lett, 2002, V38,N23, pp.1441-1443.14: IEEE J: Selekt.Top. Quant. Electron,2001, 7, pp.152-158. 15; 27 th ECOC, Amsterdam, 2001, Tu.B; 1.6.

13. Ellectron. Lett., 1994, V30, pp.496-499.

14. IEEE Photon. Technol. Lett., 1999, VI1, N1, pp. 15-17. 181 Europhotonics, 2002, V7, pp.36-37.

15. J. Appl. Phys. 1993, VI6, pp.33-40.

16. Appl. Phys. Lett., 1978, V32, pp.647-649;

17. J. Appl. Phys. 1994, V76, pp.73-80.

18. C.A. Васильев, О.И. Медвсдков, И.Г. Королев, Е.М. Дианов. Фотоиндуцированные волоконные решетки показателя преломления и их применения. // Спецвыпуск «Фотон-Экспресс-Наука 2004».

19. Ellectron. Lett., 2002, V38, N24, рр.1555-1556.

20. Ellectron. Lett., 1991, V27, pp.1115-1116.

21. Appl. Phys. Lett., 1994, V64, pp.2634-2636.

22. Ellectron. Lett., 1988, V24, pp.1439-1441. 27: Ellectron. Lett., 1992, V28, pp.561-562:

23. Ellectron. Lett., 1994, V30, pp.2147-2148:

24. Appl. Opt., 1995, V34, pp.6859-6861.

25. IEEE Phot. Tech.Lett. 1993, V5, pp.628-630.

26. Proc.21st Turopean Conf. Opt. Comm.(ECOC 95) Brussels, 1995, paperTu.P.26, pp.477-480.

27. Electron. Lett, 1996, V32, pp.119-120.33. CLE097, paper CMG1

28. Electron. Lett, 2002, V38, N24 pp.1535-1537.

29. J. Lightwave Technol., 1986, V4, pp. 1655-1661.

30. IEEE Photon. Technol. Lett., 1994, V6, pp.907-909;

31. Electron. Lett., 1994, V30, pp.2147-2148;38: Fiber Comm. Conf (OFC 96) SanJose, CA, 1996,paper ThG3 pp 229-230.39: Electron. Lett., 1996, V32, pp.561-563.

32. Дианов E.M. и др. // "Квантовая электроника'', 23, 1059 (1996).41 .Васильев М.Г.,Дураев В.П.,Лосякова JI.C.,Неделин Е.Г.,Швейкин В.И., Шелякин Л.А. Инжекционный лазер на основе InP-GalnAsP. // Электронная? промышленность, 1981, в.5-6.

33. Authony P.L., Pawlib J.R., Saminathap V., Tsang W.T. Reduced Threshold! Current Temperature Dependenct in Double Heterostructure Lasers Due to Separate p-n and Heterojunctions. // IEEE J.Quantum Electronics, 1983, v.QE-19, N6, pp.1030-1034.

34. Dan Botez. InGaAsPAnP Double-Heterostructure Lasers Simple Expressions for Wave Confinement Beamwidth and Threshold Current over Wide Ranges in Wavelength (1,1-1,65 mm). // IEEE J.Quantum Electronics, 1981, N2, pp.178

35. Елисеев П:Г. Введение в физику инжекционных лазеров. // М., "Наука", 1983.

36. Камия Т. Физика полупроводниковых лазеров.// Москва, "Мир', 1989:

37. Wille W., Ng and Dapkus P.D. Growth and Characterization of 1,3 Mm CW GalnAsP/InP Lasers by Liguid-Phase Epitaxy. // IEEE J.Quantum Electronics, 1981; v.QE-17, N2, pp. 193-198.

38. Васильев М.Г.,Долбнев В.П.,Дураев В.П.,Неделин E.F., Швейкин В.И., Шелякин Л.А. Способ получения инжекционного гетеролазера. // Авторское свидетельство №175625 от 1.09.1981.

39. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Вавилова JI.C., Гарбузов Д.З., Тулашвили Э.В. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0,83-0,79 мкм. // ФТП, 1984, в.1.

40. Научно-технический отчет №Ф 16007, Mi, ЦНИИ "Электроника", 1983.

41. Дураев В.П. Инжекционные лазеры (обзор). // Электронная техника. Сер Л1. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1980, вып.1(11), с.3-10.

42. Научно-технический отчет №Х08272. MJ, ЦНИИ "Электроника", 1980.

43. Дураев В.П. Инжекционные лазеры с длиной'волны излучения 1,3-1,55 мкм (обзор). // Электронная техника; СерЛ 1. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1984, вып.3(29), с.13-27.

44. Дураев В.П. и др. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP зарощенные методом МОС-гидридной эпитаксии. // Письма в ЖТФ, 1982,т.8, в.11*, с.680.

45. Bouley J.C., Chaminant G., Charil J., Devoldere P., Gilleron M. Aschottky-barrierdefm Lated Stripe Structure for a GalnAsP-InP CW Laser. // Appl. Phys. Lette. 1981, v.38,Nl 1, pp.845-847.

46. Nishi B.H., Yano M., Hori K. Self-Aligued Structure InGaAsP/InP DH Laser.//Fuyitsu Sei; Tech. J., 1982, v. 18, N2, pp.287-305.

47. Logan R.A., Henry C.H., Vander Ziel J.P., Temkin H. Low-Threshold; GalnAsP/InP Mese Laser.// Electronics Letters, 1982, v.18, N18, pp.782-783;

48. Ю.В. Гуляев, В.П. Дураев и др. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP зарощенные методом МОС-гидридной эпитаксии: // «Письма в. ЖТФ, 1982 т.8, выпуск 11, с.680.

49. Васильев М.Г., Горбылев В.А., Дураев В.П. Основные характеристики инжекционных лазеров на основе InGaAsP/InP. // Тезисы докладов 111 Всесоюзной конференции по BOJIC, М., 1981.

50. Nelson R.J.,Dutta N.K. Colculated Auger rates and Temperature Dependen-se of Threshold for Semiconductor Lasers Emitting at 1,3 and 1,55 mkm. // J.Appl. Phys., 1983, v.6, N54, p.2923.

51. Toshio Kunibira Iwamota, Raya Long. Dominance of Auger Recombination in InGaAsP/InP Light Emitting diode current. // IEEE Trans, on Electron De-vices, 1988, v.ED-30,N4, pp.316-319.

52. Adame A.R, Asada Mi, Suematsu Y., Arai S. The Temperature Dependence of the Effieiency and Threshold; Current of UIni.xGaxAsyP).v Lasers Related to intervalence Band Absorption.//Jap.J. Appl. Phys., 1980, v. 19, N10, pp.L621-L624

53. Алешков A.A., Дураев В.П., Елисеев П.Г., Неделин Е.Г., Швейкин В.И., Шевченко Е.Г., Долгинов JI.M. Авт. свидетельство №175856, приоритет от 28.9.81.

54. Дураев В.П. Патент №1348536, приоритет от 30.4.1971, (Англия).

55. Дураев В.П. Патент №88365, приоритет от 30.04.1970, (ГДР).

56. Дураев В.П., Неделин Е.Г. и др. Одночастотный полупроводниковый? лазер на к= 1,06 мкм с распределенным брэгговским зеркалом в волоконном световоде. // "Квантовая электроника", 25, N4, (1998).

57. М.И. Беловолов, Е.М. Дианов, В.П. Дураев и др. Полупроводниковые лазеры с гибридным резонатором на ВБР. // «Предпринт №6, 2002 г. ИОФРАН».

58. Лускинович П.И; Расчет эффективности ввода излучения из п/п излучателей. // Всесоюзная конференция по ВОЛС.М;, 1981г.73; Ввод лазерного излучения в одномодовый световод с ВБР. // НТО «Клад», М;, АОЗТ «Новая лазерная техника», 2004 г.

59. Дураев В.П;,Елисеев П.Г. и др. Ввод в волоконный световод излучения t зарощенных мезаполосковых лазеров; работающих в диапазоне 1,2-1,6 мкм."Квантовая электроника", 10, N3; (1983), 633;

60. П.Г. Елисеев. Влияние режима работы инжекционного лазера и способа согласования на эффективностью ввода излучения в м/м световод. // Предпринт ФИАН, М„ 1978, N177.

61. Hi Kuwahara/ // Аррк/ Optics, 19,2578; (1980).

62. Дураев В.П. и др. // Патент, №8175; Лазерный; инжекционный излучатель. 1998 г.

63. В.П. Дураев, Е.Т. Неделин, Т.П. Недобывайло, М.А. Сумароков; К.И; Климов. Полупроводниковый лазер с волоконно-брэгговской; решеткой; и; узким спектром генерации на длинах волн 1530-1560 нм. //"Квантовая» электроника", 31, N6, (2001), с.529-530.

64. В.П. Дураев, К.И; Климов, Е.Т. Неделин, Т.П. Недобывайло, М:А. Сумароков. Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой на длину волны 1553,6 нм. // «Лазерные новости», Lazer News, 4/2001, с.53.

65. Дураев В.П. //Докторская диссертация, Москва, 1989 г, НИИ "Полюс".

66. Gascy Н.С. Temperature Dependens of Thres-Hold Current Density in InGaAs/InP (k= 1,3 mkm) DHL. // J.Appl. Phys., 1984, v.7, N56, pp. 1959-1964.

67. Дураев; В.П,. Шейченко B.A. и др. Температурная зависимость гетеролазеров.// Тезисы; докладов 111 Всесоюзной? конференции по ВОЛС, М, 1981.

68. Moser A., Romanova K.M;, Schmid W., Pilkumt M.H., Schlosser E. Evidence fon Auger and free-Carrier Losses in GalnAsP-InP Lasers;Spektroscopy of a Short Wavelength Emission.//Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, N10; pp.964-966.

69. Дураев В.П., Неделин Е.Г. Зависимость порогового тока от ширины мезаполоски зарощенных мезаполосковых лазерных структур.// Электронная-техника. Cep. l 1. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1983!, в.4(26), с.107.

70. Дураев В.П. Лазеры и приемники для ВОЛ С.//Москва, 2001, НТО, АОЗТ "Нолатех".

71. В.П, Дураев, К.И. Климов. Оптоэлектронные компоненты для современных ВОЛС. // Обозрение прикладной и промышленной математики, том 11, выпуск 3, 2004. С.543.

72. В.П.Дураев, К.И. Климов, Квантово-размерные слои AlInGaAs/InP и лазеры иа их основе. // Высокие технологии в промышленности России. Материалы IX Международной научно-технической конференции, сентябрь 2003г. Москва, Россия.

73. В.П. Дураев, К.И. Климов, Е.Т. Неделин, М.А. Сумароков. Полупроводниковые оптические усилители. // « Лазерные новости», Lazer News, 1-2/2004, с.87.

74. К.И. Климов. Научно-технический отчет «Кипр», инв.№300/380. Создание одночастотных лазеров с ВБР с длиной волны 1300 и 1550 нм; 2002.

75. Adachi S. Rafrective Indices of 111-Y Conponnds Key Properties of InGaAsP Relevasid to Device Desing. //J.Appl. Phys. 1982, v.53, N8, p.5863.

76. Дураев В.П., Елисеев П.Р., Неделин Е.Г., Швейкин В.И; Одномодовые инжекционные лазеры с длиной волны излучения 1,3 мкм.//Электронная промышленность, 1983, вып.4(12), с.ЗЗ.

77. Технические условия. ВАНЕ.433796.013ТУ. Москва, 2001, АОЗТ "Нолатех".

78. Технические условия. ВАНЕ.433796.021ТУ. Москва, 2001, АОЗТ "Нолатех".

79. Патент №2019013 от 30.Х.1994 г. "Оптический передающий модуль". Авторы Дураев В.П. и др.

80. Патент №2022429 от 30.08.94. "Способ сборки передающих оптических модулей". Авторы Дураев В.П. и др.

81. К.И. Климов. Научно-технический отчет, инв. №380/03, 2003 г. Передающий оптический модуль, ПОМ-21, ПОМ-22, ПОМ-23. Технические условия ВАНЕ 413769.019ТУ, 2003.

82. Авторское свидетельство №8175 от 16.X. 1997 г. Дураев В.П.