Спектральная зависимость показателя преломления новых материалов для лазерной, волоконной и интегральной оптики тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Назарьянц, Виталий Олегович

• Назарьянц, Виталий Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Назарьянц, Виталий Олегович

Введение.

Глава 1.

Обзор некоторых методов измерения ПП твердотельных материалов в области их высокой прозрачности.

Методы, основанные на измерении коэффициента отражения.

Определение ПП по абсолютному значению пропускания.

Определение ПП по контрасту модуляции.

Определение ПП с использованием огибающих спектров пропускания тонких плёнок.

Определение ПП по расстоянию между экстремумами модуляции.

Метод наименьшего отклонения.

Измерение ПП с помощью интерферометров.

Глава 2.

Разработка прецизионной методики определения спектральной зависимости показателя преломления оптических материалов из спектров пропускания.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спектральная зависимость показателя преломления новых материалов для лазерной, волоконной и интегральной оптики»

Методика расчёта спектральной зависимости ПП из измеренных спектров пропускания образцов.29

Однослойная структура.37

Численные расчёты.38

Зависимость модуляции пропускания от ПП (без учёта его дисперсии и поглощения). 39

Зависимость модуляции от толщины непоглощающей пластинки.40

Зависимость модуляции от однородного (не зависящего от длины волны) поглощения

41

Изменение модуляции пропускания из-за неоднородности пластины по толщине.42

Зависимость модуляции пропускания от угла падения плоскопараллельного пучка на образец.44

Зависимость модуляции пропускания от угловой апертуры сходящегося пучка, падающего на образец.45

Расчёт ПП пластинки из спектра пропускания, полученного с учётом дисперсии ПП (в отсутствие поглощения).48

Полоса поглощения.49

Зависимость от температурного коэффициента ПП.51

Влияние точности определения номеров максимумов, их положения и толщины образцов на расчёт спектральной зависимости ПП.53

Точность определения положения максимума.54

Точность измерения толщины.55

Определение номеров максимумов.55

Описание методики экспериментальных исследований.57

Глава 3.59

Результаты измерений спектральной зависимости показателя преломления высокопрозрачных оптических материалов.59

Фторид кальция.60

Кварцевое стекло.64

Арсенид галлия [36].68

Новые фосфатные стёкла с примесью редкоземельных элементов [45].75

Теллуритные стёкла [49].82

СУБ-гпБ.85

СУБ-гпБе [62].90

71].96

Заключение.109

Благодарности.113

Литература.114

Введение

В последние годы всё большее число исследователей, занимающихся разработкой методов изготовления и изучением свойств волоконных световодов, переключается на новые оптические материалы, позволяющие значительно расширить как спектральный диапазон использования волоконно-оптических устройств, так и создавать на их основе более эффективные и компактные устройства, в частности — волоконные лазеры и усилители, источники широкополосного излучения, датчики различных физических полей и многое другое. Продолжается совершенствование и разработка новых методов изготовления широко используемых в интегральной оптике материалов, таких, например, как кремний и арсенид галлия, а также материалов для окон мощных газовых лазеров — в первую очередь, селенида и сульфида цинка.

Для оценки качества получаемых материалов и перспективности использования новых устройств на их основе необходимы знания многих физико-химических характеристик материалов, в частности спектральной зависимости их коэффициента поглощения и показателя преломления (ПП).

К настоящему времени разработано несколько методик, позволяющих с достаточной точностью измерять коэффициент поглощения твердотельных материалов вплоть до уровня в 1 дБ/км (2.3-10"6 см"1). Существенно хуже развиты методы прецизионных измерений спектральной зависимости ПП, особенно в среднем ИК диапазоне, для которого имеется малое количество мощных монохроматических источников и высокочувствительных приёмников излучения. Наиболее часто используемый для прецизионных измерений ПП метод наименьшего отклонения требует изготовления призм довольно больших размеров, достигающих 5-6 см, что не всегда возможно в процессе разработки новых, особенно высокочистых материалов. Кроме того, многие новые материалы имеют ПП, превышающий 2, что не позволяет использовать хорошо развитые рутинные методики измерения, требующие иммерсирования поверхности исследуемых образцов.

При разработке новых видов как волоконных, так и планарных световодов, особенно микроструктурированных, требуется знание ПП во всей области прозрачности материала с точностью не хуже 1-10"3 — 1-10"4, что позволяет, в частности, рассчитывать многие дисперсионные характеристики разрабатываемых световодов. Знание значений ПП на различных длинах волн необходимы также для расчёта характеристик приборов широкого диапазона применения, включая медицинские системы визуализации, фотографию, производство высококачественных оптических линз для фотолитографии, а также многолинзовых объективов и систем различного функционального назначения [1]. Так, при изготовлении оптических приборов ПП должен бьггь известен с погрешностью 5-10"4, а его дисперсия — до 5-Ю5. Поэтому в процессе изготовления оптических систем рекомендуется применять методы контроля ПП, обеспечивающие точность (1-^2)-10~5, а в ответственных случаях — до 5-10"6 (когда нужно выдерживать фокусные параметры системы с точностью до сотых долей процента) [2].

Постановка задачи исследований

В данной работе была поставлена задача разработки и использования прецизионной методики измерения показателя преломления твердотельных материалов в области их высокой прозрачности с точностью 1-Ш3 — 1-1СГ4 в ближнем и среднем инфракрасном диапазонах (от 0.8 до 25 мкм) и измерение ПП как новых материалов, так и уже используемых в волоконной и интегральной оптике, но получаемых в более чистом виде, таких как теллуритные стекла, селенид и сульфид цинка, арсенид галлия, кремний и другие.

Измеренные значения ПП необходимо было приблизить плавной аналитической кривой, что позволяет с хорошей степенью точности рассчитывать дисперсию ПП материала, его материальную дисперсию и её наклон, длину волны нулевой материальной дисперсии и многие другие характеристики материалов и устройств на их основе. Поскольку новые материалы изготавливаются сначала в малых объёмах, методика должна обладать высокой чувствительностью при использовании образцов малой толщины (около 1-2 мм).

Анализ существующих методов показал, что для решения поставленной задачи наилучшим образом может подойти методика интерференционной рефрактометрии, которую необходимо было усовершенствовать и использовать для измерений ПП изготавливаемых в настоящее время оптических материалов. До начала выполнения данной работы эта методика ввиду своей сложности использовалась довольно редко и применялась для уточнения спектральной зависимости ПП уже хорошо изученных материалов, при этом обязательно использовались значения ПП на отдельных длинах волн, полученные другими прецизионными методиками, или известный ход дисперсии ПП. Необходимо было разработать самостоятельную методику, не требующую никаких дополнительных измерений.

Научная новизна

• Проведён анализ влияния различных факторов на измерение спектров пропускания высокочистых материалов в области их прозрачности, изготовленных в виде плоскопараллельных пластинок высокого оптического качества. Найдены оптимальные условия измерения спектров пропускания с помощью используемого нами фурье-спектрометра для определения спектральной зависимости ПП с точностью не хуже 10"4 — 10"5. При высоком качестве изготовления и однородности образцов методика позволяет определять ПП с точностью 10"5 (для материалов с небольшим ПП) - 10"4 (для материалов с большим ПП), что, как правило, либо на порядок лучше известных нам литературных данных, либо находится в соответствии с наилучшими измерениями, выполненными методом наименьшего отклонения и дающими гораздо меньший объём данных по спектральной зависимости ПП.

• Показано, что при наличии в спектре пропускания полос поглощения на уровне 1^-30 см"1 данная методика позволяет зарегистрировать соответствующие им смещения в ПП на уровне 10"4 - 10"5. Впервые измерено смещение в спектральной зависимости ПП в области слабой линии поглощения интенсивностью 1,7 см"1.

Впервые методом интерференционной рефрактометрии измерены спектральные зависимости ПП кристаллов СаАэ, фосфатных стёкол с добавкой редкоземельных элементов, теллуритных стёкол систем Те02-Ш0з-Ьа203 и Те02-\У03-Ьа20з-В120з, изготовленных по новой технологии монокристаллов моноизотопов кремния 2851, 2951, 3051, а также материалов, изготовленных по усовершенствованным методикам — СУГ^пБ и СУО-гпБе.

• Аппроксимация измеренных значений ПП дисперсионной функцией Коши для всех исследованных материалов позволила уточнить спектральные зависимости первой производной ПП и материальной дисперсии, а также определить значения длины волны нулевой материальной дисперсии, необходимые для расчётов различных оптических характеристик и геометрических параметров проектируемых на их основе волоконных и планарных световодов.

На защиту выносится

1. Разработка прецизионной методики определения спектральной зависимости ПП высокопрозрачных твердотельных материалов в ближнем и среднем ИК диапазоне.

2. Критерий однозначного определения порядка интерференционных максимумов в спектрах пропускания плоскопараллельных пластин для расчёта спектральной зависимости ПП.

3. Спектральные зависимости пропускания и ПП нескольких составов фосфатных стёкол с добавкой редкоземельных элементов, теллуритных стёкол систем ТеСЬ-^/Оз-ЬагОз и Те02^0з-Ьа20з-В120з, полученных по усовершенствованной методике СУБ-ЕпБ и СУБ^пБе.

4. Спектральные зависимости пропускания и ПП монокристаллов высокочистого близкого к природному составу и моноизотопного кремния 2851, 2951 и 3051, полученных по новой технологии.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Разработана интерференционная методика измерения спектральной зависимости ПП твердотельных материалов в области их высокой прозрачности (коэффициент поглощения менее 20 см"1) с точностью 1*10"3 - 1-Ю"5 в зависимости от качества изготовления образцов и однородности материала, из которого они изготовлены. Для этого используются две или более плоскопараллельные пластины из исследуемого материала (или одна пластина с последовательно уменьшаемой между измерениями толщиной). Отличие разработанной методики от традиционной интерференционной рефрактометрии состоит в том, что в ней впервые предложено использовать критерий, позволяющий однозначно определить номер максимумов интерференции в спектрах пропускания пластин и затем рассчитать значения ПП материала во всем диапазоне измерений, при этом методика не требует дополнительных данных по ПП, полученных другими прецизионными методами.

2. Показано, что при наличии в спектре пропускания полос поглощения данная методика позволяет зарегистрировать соответствующие им смещения в ПП на уровне 10"4 - 10~5. Впервые измерено смещение в спектральной зависимости ПП в области слабой линии поглощения интенсивностью 1,7 см"1.

3. Впервые определены спектральные зависимости ПП ряда новых лазерных фосфатных стёкол (в области длин волн от 0,8 до 4 мкм) и теллуритных стёкол 69Те02-23\\Юз-8Ьа20з и 68Те02-22\У03-8Ьа203-2ВЬ03 (в области длин волн от 0,9 до 5,45 мкм), на основе которых разрабатываются волоконные световоды, перспективные для создания лазеров на вынужденном комбинационном рассеянии, усилители и преобразователи излучения ближнего и среднего ИК диапазонов.

4. Измерена спектральная зависимость ПП полуизолирующего кристаллического СэАб, используемого в качестве подложек в микроэлектронике, в диапазоне длин волн от 0,9 до 18,6 мкм с точностью не хуже 5-10*4, превышающей примерно на порядок точность имеющихся табличных данных.

5. Измерена спектральная зависимость ПП структурно однородных пластин поликристаллических СУТЭ-гпБе (в диапазоне длин волн от 0,9 до 22 мкм) и СУБ-гпБ (от 0,8 до 13,4 мкм), изготавливаемых в Институте химии высокочистых веществ РАН (г. Нижний Новгород). Показано, что изменение (в процессе выращивания) температуры подложки по определённому закону приводит к более однородному распределению размера зёрен, общий уровень ПП оказывается выше, чем при выращивании при постоянной температуре. Это говорит о более высокой плотности и, следовательно, о более высоком оптическом качестве получаемых образцов селенида и сульфида цинка.

6. Впервые измерены спектральные зависимости ПП монокристаллов моноизотопных 2851, 2931 и 3051 высокой степени чистоты, изготовленных в Институте химии высокочистых веществ РАН (г. Нижний Новгород). Диапазон длин волн измерений составил от 1 до 25,5 мкм. Показано, что с ростом атомной массы изотопа спектральная зависимость ПП сдвигается в область меньших значений, что может быть объяснено классической моделью решётки осцилляторов с дипольным взаимодействием.

7. Для всех исследованных материалов измеренные значения ПП аппроксимированы функцией Коши, уточнены спектральные зависимости первой производной ПП и материальной дисперсии, определены значения длины волны нулевой материальной дисперсии, необходимые для расчётов различных оптических характеристик и геометрических параметров проектируемых на их основе устройств, волоконных и планарных световодов.

Структура работы

Результаты работы представлены в виде введения, трёх глав и заключения.

Во введении изложена постановка задачи и основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе приведён обзор некоторых наиболее распространённых методов определения ПП твердотельных материалов в области их высокой прозрачности.

Во второй главе описана разработка прецизионной методики определения спектральной зависимости ПП оптических материалов из спектров пропускания, представлена модель пропускания плоскопараллельной пластинки и произведён анализ влияния различных факторов на расчёт спектральной зависимости ПП на основе этой модели.

Третья глава посвящена результатам экспериментальных исследований различных оптических материалов — БЮг (марок КУ-1 и КС4В), СУТЭ-гпБ, СУО-гпБе, СэАб, СаБг, теллуритных стёкол систем Те02-\\Ю3-Ьа203 и Те02-\У0з-Ьа20з-В120з, фосфатных стёкол различных составов с добавками редкоземельных элементов, монокристаллов близкого к природному составу и моноизотопов 2851,2Э51 и 305Ь

В заключении сформулированы итог работы и основные положения, выносимые диссертантом на защиту.

Всего 120 страниц, 67 рисунков, 17 таблиц, 84 ссылки. По результатам работы опубликовано 5 статей.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Назарьянц, Виталий Олегович

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Разработана интерференционная методика измерения спектральной зависимости ПП твердотельных материалов в области их высокой прозрачности (коэффициент поглощения менее 20 см"1) с точностью 1-Ю"3 - 1-105 в зависимости от качества изготовления образцов и однородности материала, из которого они изготовлены. Для этого используются две или более плоскопараллельные пластины из исследуемого материала (или одна пластина с последовательно уменьшаемой между измерениями толщиной). Отличие разработанной методики от традиционной интерференционной рефрактометрии состоит в том, что в ней впервые предложено использовать критерий, позволяющий однозначно определить номер максимумов интерференции в спектрах пропускания пластин и затем рассчитать значения ПП материала во всем диапазоне измерений, при этом методика не требует дополнительных данных по ПП, полученных другими прецизионными методами.

2. Показано, что при наличии в спектре пропускания полос поглощения данная методика позволяет зарегистрировать соответствующие им смещения в ПП на уровне 10"4 -10"5. Впервые измерено смещение в спектральной зависимости ПП в области слабой линии поглощения интенсивностью 1,7 см"1.

3. Впервые определены спектральные зависимости ПП ряда новых лазерных фосфатных стёкол (в области длин волн от 0,8 до 4 мкм) и теллуритных стёкол 69Те02-23\У0з-8Ьа20з и 68Те02-22\ЛЮ3-8Ьа203-2ВЬ03 (в области длин волн от 0,9 до 5,45 мкм), на основе которых разрабатываются волоконные световоды, перспективные для создания лазеров на вынужденном комбинационном рассеянии, усилители и преобразователи излучения ближнего и среднего ИК диапазонов.

4. Измерена спектральная зависимость ПП полуизолирующего кристаллического СаАэ, используемого в качестве подложек в микроэлектронике, в диапазоне длин волн от 0,9 до 18,6 мкм с точностью не хуже 5-10"4, превышающей примерно на порядок точность имеющихся табличных данных.

5. Измерена спектральная зависимость ПП структурно однородных пластин поликристаллических СУБ-ЕпБе (в диапазоне длин волн от 0,9 до 22 мкм) и СУБ-гпБ (от 0,8 до 13,4 мкм), изготавливаемых в Институте химии высокочистых веществ РАН (г. Нижний Новгород). Показано, что изменение (в процессе выращивания) температуры подложки по определённому закону приводит к более однородному распределению размера зёрен, общий уровень ПП оказывается выше, чем при выращивании при постоянной температуре. Это говорит о более высокой плотности и, следовательно, о более высоком оптическом качестве получаемых образцов селенида и сульфида цинка.

6. Впервые измерены спектральные зависимости ПП монокристаллов моноизотопных 28Б1, 2951 и :!051 высокой степени чистоты, изготовленных в Институте химии высокочистых веществ РАН (г. Нижний Новгород). Диапазон длин волн измерений составил от 1 до 25,5 мкм. Показано, что с ростом атомной массы изотопа спектральная зависимость ПП сдвигается в область меньших значений, что может быть объяснено классической моделью решётки осцилляторов с дипольным взаимодействием.

7. Для всех исследованных материалов измеренные значения ПП аппроксимированы функцией Коши, уточнены спектральные зависимости первой производной ПП и материальной дисперсии, определены значения длины волны нулевой материальной дисперсии, необходимые для расчётов различных оптических характеристик и геометрических параметров проектируемых на их основе устройств, волоконных и планарных световодов. Значения длины волны нулевой материальной дисперсии До и показателя преломления на этой длине волны п(Д0) для всех изученных в данной работе материалов приведены в следующей Таблице:

Материал Àq, mkm n(Á o)

CaF2 1,55 1,4261

КС4В (Si02) 1,27 1,4485

КУ-l (Si02) 1,29 1,4485

GaAs 6,61 3,2957

6,25K20-6,25Na20-6,25Ba0-6,25Ca0-7,81Yb203-3,13B203-6,25Si02-57,81P205 1,43 1,5135

8Na20-4Ca0-16Yb203-12Si02-8B203-48P205 1,45 1,5304

9Li2C03-4,5Al4B209-5H20-5Yb203-4YbF3-22BP04-55,3P2Os 1,31 1,5226

17LÍF-6A1203-10Y(P03)3-54P205-12B203-1BÍ203 1,38 1,5304

68Te02-22W03-8La203-2Bi203 2,22 2,0656

69ТеОг-2 3 W03-8La203 2,22 2,0567

CVD-ZnSe 4,84 2,4313

CVD-ZnS 3,64 2,2549

Благодарности

Автор выражает глубокую признательность своему научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Плотниченко Виктору Геннадиевичу за постоянное внимание, всестороннюю поддержку и плодотворное обсуждение результатов.

Выполнение данной работы было бы невозможно без сотрудничества с ИХВВ, РАН, предоставлявшим образцы материалов для исследований. Автор выражает глубокую благодарность коллективу оптического участка НЦВО РАН за изготовление образцов плоскопараллельных пластин высокого качества, сотрудникам лаборатории спектроскопии НЦВО РАН Крюковой Е.Б. (за измерение спектров пропускания с помощью фурье-спектрометра), Колташеву В.В. (за измерение спектров комбинационного рассеяния) и Соколову В.О. (за объяснение сдвига спектральных зависимостей ПП кремния в зависимости от массы изотопа). Также автор признателен Пыркову Ю.Н. за измерения ПП материалов методом наименьшего отклонения.

Неоценимую помощь при работе с литературой оказали Исхакова Л.Д. и Полякова Т.А. Автор благодарит Яценко Ю.П. за критическую рецензию работы при подготовке диссертации к защите.

Глубокая благодарность выражается сотрудникам ЛГИИС ПИЯФ им. Б.П. Константинова и лично Турухано Б.Г. за помощь в работе с голографическим длиномером.

Автор выражает признательность директору НЦВО РАН академику Дианову Е.М. за постановку интересной задачи исследования оптических свойств новых материалов, перспективных для применения в волоконной и интегральной оптике; постоянный интерес, поддержку, плодотворную критику и внимание к работе.

Заключение

Таким образом в данной работе разработана прецизионная методика определения спектральной зависимости ПП оптических материалов во всей области их прозрачности из интерференционных спектров пропускания пластин толщиной до 1 -1,5 мм. Рассмотрено влияние различных факторов на спектры и последующий расчёт спектральной зависимости ПП. Проанализированы и указаны условия, накладываемые на качество образцов и измерение их спектров пропускания, при которых спектральная зависимость ПП может быть определена с точностью не хуже 1-10"4 - 1-10"5 во всей области прозрачности материала. Основным преимуществом данного метода по сравнению с другими является его высокая чувствительность, широкий диапазон длин волн, и при этом высокое разрешение (большой набор данных). Кроме того, не требуется наличия монохроматических источников излучения и однородных образцов больших размеров. Предложен новый критерий однозначного выбора номеров максимумов в методике расчёта спектральной зависимости ПП и применён для определения спектральной зависимости ПП различных оптических материалов, применяющихся в лазерной, волоконной и интегральной оптике, в области их высокой прозрачности в среднем и ближнем ИК диапазоне (СаБг, СаАБ, кварцевое стекло КС4В и КУ-1, СУБ-гпБ и СУБ^пБе). Спектральные зависимости ПП новых материалов (фосфатных и теллуритных стёкол приведённых выше составов, монокристаллов 28Б1, 2951 и 3051) измерены впервые.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Назарьянц, Виталий Олегович, 2010 год

1. Gupta and S.G. Kaplan, "High accuracy ultraviolet index of refraction measurements using a Fourier transform spectrometer J. Res. Natl. 1.st. Stand. Technol. 108, 429-437 (2003)

2. Порохова Т.Г. Оптические измерения. Часть 2. ЛИТМО, Ленинград, 1976

3. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика (Том 2. Теория поля)

4. Т. Е. Jenkins, I. L. Morris and S. R. Goodes, "A simple method for the measurement of the refractive index of a transparent solid", Phys. Educ., 27 (1992) 27-31

5. Т. E. Jenkins, "Errors in the refractive indices of solids measured using a 45° an-gle-of-incidence technique ", Meas. Sci. Technol. 11 (2000) 828-832

6. Morris I L and Jenkins T E 1989 A semi-automatic method for the determination of the refractive index of solids J. Phys. E: Sci. Instrum. 22 27-30

7. D. Poelman and Ph. F. Smet, "Methods for the determination of the optical constants of thin films from single transmission measurements: a critical review ", J. Phys. D: Appl. Phys. 36 (2003) 1850-1857

8. Thomas C. Paulick, "Inversion of normal-incidence (R,T) measurements to obtain n + ik for thin films Appl. Opt., 25, No. 4 (1986) 562-564

9. R Swanepoel, "Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon", J. Phys. E: Sci. Instrum. 16 (1983) 1214-1222

10. D. A. Minkov, "Singularity of the solution when using spectrum envelopes for the computation of the optical constants of a thin dielectric layer," Optik (Stuttgart) 90(2), 80-84 (1992)

11. D. A. Minkov and R. Swanepoel, "Computerization of the optical characterization of a thin dielectric film," Opt. Eng. 32, 3333-3337 (1993).

12. A G Sisonyuk, "A posteriori error of the transmission interference method of thin film refractive index calculation", J. Phys. D: Appl. Phys. 29 (1996) 1068-1070

13. Juan-María González-Leal, Rafael Prieto-Alcón, José-Andrés Angel, Dorian A. Minkov, and Emilio Márquez, "Influence of Substrate Absorption on the Optical and

14. Geometrical Characterization of Thin Dielectric Films," Appl. Opt. 41, 7300-7308 (2002)

15. Гребенщиков И. В., Власов А. Г., Непорент Б. С., Суйковская Н. В. Просветление оптики. Уменьшение отражения света поверхностью стекла / Под ред. акад. И. В. Гребенщикова M.-JL: ОГИЗ. 1946. 212 с.

16. J. Alonso and Е. Bernabeu, "A method for the measurement of the refractive index of dielectric cylinders", Pure Appl. Opt., 6 (1997) 147-152

17. S.Y. El-Zaiat, "Measuring the thickness and refractive index of a thick transparent plate by an unexpanded laser beam", Optics & Laser Technology, 29, No. 2, (1997) 63-65

18. M.T. Tavassoly, "A simple method for measuring the refractive index of a plate ", Optics and Lasers in Engineering 35 (2001) 397-402

19. D. Tentori and J.R. Lerma, Refractometry by minimum deviation: accuracy analysis, Opt. Eng. 29 (1990) 160-168

20. Debenham M., "Refractive indices of zinc sulfide in the 0.405 13-pm wavelength range," Appl. Opt. 23 (1984) 2238-2239

21. J. Zhang, J.Q. Xu, Ch.Y. Gao, Sh.Ch. Si "Modified Michelson interferometer for probing refractive index of birefringent crystal CSBN50 " Opt. Laser Eng. 47 (2009) 1212-1215

22. H. El-Kashef, G. E. Hassan, and I. El-Ghazaly "Mach-Zehnder optical system as a sensitive measuring instrument", Appl. Opt. 33, 16, (1994) 3540-3544

23. S. De Nicola, P. Ferraro, A. Finizio, G. Pesce and G. Pierattini "Reflective grating interferometer for measuring the refractive index of transparent materials" Opt. Comm. 118, 5-6 (1995) 491-494

24. Васильев A.B., Войцеховский В.В., Плотниченко В.Г. Измерение спектральной зависимости показателя преломления твердотельных материалов в области их высокой прозрачности // Высокочистые вещества. 1991. № 3. С. 39-49.

25. Гребенщиков И. В., Власов А. Г., Непорент Б. С., Суйковская Н. В. Просветление оптики. Уменьшение отражения света поверхностью стекла / Под ред. акад. И. В. Гребенщикова М.-Л.: ОГИЗ. 1946. 212 с.

26. Фирсов И.Г., Плотниченко В.Г., Васильев О.А., «Расчёт коэффициентов Сел-мейера для высокопрозрачных твёрдотельных материалов», М. 1990

27. Н.Н. Li, "Refractive index of ZnS, ZnSe, and ZnTe and its wavelength and temperature derivatives," J. Phys. Chem. Ref. Data 13,1 (1984).

28. Smith D Y, Inokuti M and Karstens W 2001 J. Phys.: Condens. Matter 13 3883

29. I. H. Malitson, "A redetermination of some optical properties of calcium fluoride," Appl. Opt. 2,1963 1103-1107.

30. Masahiko Daimon and Akira Masumura "High-accuracy measurements of the refractive index and its temperature coefficient of calcium fluoride in a wide wavelength range from 138 to 2326 nm " Appl. Opt. 41, 25, (2002) 5275-5281

31. H. H. Li "Refractive index of alkaline earth halides and its wavelength and temperature derivatives" J. Phys. Chem. Ref. Data 9,161 (1980)

32. Malitson, I. H., J. Opt. Soc. Am., 55, 1205, 1965.

33. Hertzberger, M. and Salzberg, C. D., J. Opt. Soc. Am., 52, 420, 1962.

34. Rodney, W. S. and Spindler, R. J. "Index of refraction of fused quartz glass for ultraviolet, visible, and infrared wavelengths" J. Opt. Soc. Am. 44 (1954) 677; J. Res. Natl Bur. Stand. 53 (1966) 185.

35. Ajoy Ghatak, K. Thyagarajan Introduction to fiber optics, Cambridge Univ. Press, 1998

36. Kimura T. (1986). Basic concepts of the optical waveguide. Optical fiber transmission. Ed. K. Noda. North Holland Studies in Telecommunications, 6, North Holland, Amsterdam

37. V G Plotnichenko, V О Nazaryants, E В Kryukova and E M Dianov «Spectral dependence of the refractive index of single-ciystalline GaAs for optical applications» J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 10, 105402 (2010)

38. A. Gallian, V. V. Fedorov, J. Kernal, J. Allman, S. B. Mirov, E. M. Dianov, A. O. Zabezhaylov, I. P. Kazakov, «Spectroscopic studies of molecular-beam epitaxiallygrown Cr2+-doped ZnSe thin films», Appl. Phys. Lett. 86, 091105 (2005)

39. Swanepoel R., «Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon», J. Phys. E: Sci. Instrum., 16,1214 (1983)

40. R. Ramponi, R. Osellame, M. Marangoni, G. Sorbello, P. Laporta, S. Jiang, Y. Hu, N. Peyghambarian, «New Er-doped phosphate glass for ion-exchange active waveguides: accurate determination of the refractive index », Opt. Materials 14, 291 (2000)

41. Marple D.T.F., «Refractive Index of GaAs», J. Appl. Phys. 35, 1241 (1964)

42. Piriou В., Cabaner F., Compt. Rend. 255, 2932 (1962)

43. Marvin J. Weber, Handbook of Optical Materials, CRC Press, (2002)

44. Moriaki Wakaki, Keiei Kudo, Takehisa Shibuya, Physical Properties and Data of Optical Materials, CRC Press, (2007)

45. Karlsson G., Laurell F., Tellefsen J., Denker В., Galagan В., Osiko V., Sverchkov S. Development and characterisation of Yb-Er laser glass for high average power laser diode pumping И Appl Phys. B. 2002. V. 75. P. 41-46.

46. Denker В., Galagan В., Osiko V., Sverchkov S., Dianov E. Luminescent properties of Bi-doped boro-alumino-phosphate glasses // Appl. Phys. B. 2007. V. 87. P. 135137.

47. J. Goela and R. L. Taylor "Monolithic material fabrication by chemical vapor deposition", J. Mater. Sci., 23, 4331-4339 (1988).

48. Klein C.A., DiBenedetto В., Pappis J. "ZnS, ZnSe and ZnS/ZnSe windows: their impact on FLIR system performance" Opt. Eng., 25, 519-531 (1986).

49. Goela J.S., Salihbegovic Z."Low scatter, high quality water clear zinc sulfide". US Pat. # 6083561. (2000).

50. E. M. Gavrishchuk and Ё. V. Yashina "Zinc sulfide and zinc selenide optical elements for IR engineering" Journal of Optical Technology, 71, 822-827 (2004)

51. G. G. Devyatykh, E. M. Gavrishchuk, and E. V. Yashina "Effect of Deposition Conditions on the Microstructure of CVD ZnS" Inorganic Materials, 32,589-591 (1996)

52. H.H. Li, "Refractive index of ZnS, ZnSe, and ZnTe and its wavelength and temperature derivatives," J. Phys. Chem. Ref. Data 13,1 (1984).

53. A. Feldman, D. Horowitz, R.M. Waxier, and M.J. Dodge, "Optical materials characterization," Natl. Bur. Stand. (U.S.) Tech. Note 993, 63 (1979).

54. Debenham M., "Refractive indices of zinc sulfide in the 0.405- 13-pm wavelength range," Appl. Opt 23,2238-2239 1984.

55. Czyzak, S. J., Baker, W. M., Crane, R. C., and Howe, J. В., "Refractive Indexes of Single Synthetic Zinc Sulfide and Cadmium Sulfide Crystals," J. Opt. Soc. Am., 47, 240-242 (1957)

56. Kodak Publication U-72, (1971).

57. Handbook of optical constants of solids Edited by E.D. Palik Academic Press, 1985

58. Bieniewski, Т. M. and Czyzak, S. J., "Refractive Indexes of Single Hexagonal ZnS and CdS Crystals," J. Opt. Soc. Am., 53,496-497 (1963).

59. Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, JI.A. Кузнецов, СМ. Мазавин. Выращивание структурно однородных пластин CVD-ZnSe в условиях длительных экспериментов. Неорганические материалы. 2009. В печати.

60. A Feldman, D. Horowitz, R.M. Waxier, and MJ. Dodge, "Optical materials characterization," Nad. Bur. Stand. (U.S.) Tech. Note 993,63 (1979).

61. H.H. Li, "Refractive index of ZnS, ZnSe, and ZnTe and its wavelength and temperature derivatives," J.'Phys. Chem. Ref. Data 13,1 (1984).

62. A R Hilton, and С. E. Jones, "The thermal change in the non-dispersive infrared refractive index of optical materials" Appl. Opt., 6,1513, (1967).

63. Kodak Publication U-72, (1971).

64. В.Г. Плотниченко, B.O. Назарьянц. Е.Б. Крюкова, B.B. Колташев, B.O. Соколов,

65. A.В. Гусев, В.А. Гавва, М.Ф. Чурбанов, Е.М. Дианов «Показатель преломления монокристаллов моноизотопных ^Si, ^Si и ^Si в ближнем и среднем ИК-диапазонах» Квантовая электроника, 40,9 (2010) С. 753-755

66. Р. Т. Greenland, S. A. Lynch, A. F. G. van der Meer, В. N. Murdin, С. R. Pidgeon,

67. B. Redlich, N. Q. Vinh, G. Aeppli "Coherent control of Rydberg states in silicon" Nature 465,1057-1061 (2010)

68. David F. Edwards and Ellen Ochoa, "Infrared refractive index of silicon," Appl. Opt. 19, 4130-4131 (1980)

69. Bradley J. Frey, Douglas B. Leviton, Timothy J. Madison "Temperature-dependent refractive index of silicon and germanium" Proc. SPIE, Vol. 6273,62732J (2006)

70. H.H. Li "Refractive index of silicon and germanium and its wavelength and temperature derivatives" J. Phys. Chem. Ref. Data 9,561 (1980)

71. C. D. Salzberg and John J. Villa, "Infrared Refractive Indexes of Silicon Germanium and Modified Selenium Glass," J. Opt. Soc. Am. 47,244-246 (1957)

72. H. B. Briggs, "Optical effects in bulk silicon and germanium," Phys. Rev. 77, 286-287

73. U.Fano Normal modes of a lattice of oscillators with many resonances and dipolar coupling. Phys. Rev. 1960, Vol. 118, N° 2, P. 451^55

74. В.М.Агранович, В.Л.Гинзбург Кристаллооптика с учётом пространственной дисперсии и теория экситонов. М.: Наука, 1979. — С. 348—362

75. M.Cardona Isotopic effects in the phonon and electron dispersion relations of crystals, phys. stat. sol. (b), 2000, Vol. 220, N° 1, P. 5-18

76. L.F.Lastras-Martmez, T.Ruf, M.Konuma, M.Cardona, D.E.Aspnes Isotopic effects on the dielectric response of Si around the El gap. Phys. Rev. B, 2000, Vol. 61, N° 19, P. 12946- 12951

77. A.K.Ramdas, S.Rodriguez, S.Tsoi, E.E.Haller Electronic band gaps of semiconductors as influenced by their isotopic composition. Solid State Communications, 2005, Vol. 133, N° 11, P. 709-714

78. C.P.Herrero Dependence of the silicon lattice constant on isotopic mass. Solid State Communications, 1999, Vol. 110, N° 5, P. 243-246

79. K.Winer, M.Cardona Theory of infrared absorption in silicon. Phys. Rev. B, 1987, Vol. 35, N° 15, P. 8189-81951950)