Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Кижаев, Сергей Сергеевич

• Кижаев, Сергей Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кижаев, Сергей Сергеевич

страница

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ИСТОЧНИКИ СПОНТАННОГО И КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ДЛЯ СПЕКТРАЛЬНОГО

ДИАПАЗОНА З-г-5 мкм (ОБЗОР).

Предварительные замечанния.

§1.1. Области применения источников излучения с длиной волны в диапазоне 3*5 мкм.

§1.2. Полупроводниковые материалы для изготовления излучателей.

§1.3. Светодиоды.

§1.4. Лазеры.

Общие замечания о лазерах для спектрального диапазона 3*5 мкм.

1.4.1. Лазеры на основе соединений А4Вб.

1.4.2. Лазеры на основе соединений А В.

1.4.3. Лазеры на основе соединений А В.

1.4.4. Лазеры на основе соединений А3В6/А2В6, А3В5/А4В6.

§ 1.5. Методики получения полупроводниковых структур А3В обзор технологии роста кристаллов).

1.5.1. Жидкофазная эпитаксия.

1.5.2.Хлоридно-гидридная эпитаксия.

1.5.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

1.5.4. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

1.5.5. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений применительно к системе Ш-Ав-БЬ-Р.

Выводы.

Постановка задачи.

ГЛАВАII. ВЫРАЩИВАНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПШ^СШШМЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ.

Предварительные замечания.

§ 2.1. Технологическое оборудование и материалы для выращивания структур методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.

§ 2.2. Выращивание слоев арсенида индия.V,.

2.2.1. Выращивание слоев арсенида индия в реакторе планетарного типа.

2.2.1. Выращивание слоев арсенида индия в изготовленном реакторе горизонтального типа.

§ 2.3. Выращивание слоев InAsSb.

§ 2.4. Выращивание слоев InAsSbP.

§ 2.5. Исследование резкости гетерограниц в многослойных структурах.

Выводы.

ГЛАВА III. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ

АРСЕНИДА ИНДИЯ.

Предварительные замечания.

§ 3.1. Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства преднамеренно нелегированных структур.

3.1.1. Исследование преднамеренно нелегированных слоев арсенида индия.

3.1.2. Фотолюминесцентные свойства преднамеренно нелегированных слоев InAsSb.

3.1.3. Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства преднамеренно нелегированных слоев InAsSbP.

§ 3.2. Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства структур, легированных цинком и магнием.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений»

Актуальность темы.

В настоящей диссертации изложены результаты разработки технологии получения методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) гетероструктур ХпАэЗЬЛпАзЗЬР, методы создания светодиодов на их основе и исследования фотолюминесцентных, электрических свойств выращенных структур, а также электролюминесцентные характеристики светодиодов.

Одно из возможных применений содержащих сурьму узкозонных твердых растворов и гетероструктур на их основе - источники спонтанного и когерентного излучения для диапазона длин волн 3 + 5 мкм. Освоение этой области инфракрасного спектра исключительно важно для решения задач экологического мониторинга и медицинской диагностики. В настоящее время для создания источников спонтанного и когерентного излучения в средней инфракрасной области спектра используются как соединения типа А3В5, так и соединения на основе солей свинца (А4В6), и узкозонных твердых растворов Ь^СсГГе (А2В6). Однако, соединения А2В6 и А4В6 обладают низкой теплопроводностью, что делает крайне трудным изготовление светодиодов и лазеров с высокими значениями оптической мощности излучения. Кроме того, по сравнению с соединениями А3В5, материалы А2В6 и А4В6 обладают низкой механической прочностью. Вдобавок, в настоящее время для полупроводников А3В5 существуют подложки высокого качества. По указанным причинам л е соединения типа А В предпочтительны для производства инфракрасных излучателей.

Для создания светодиодных структур, излучающих в диапазоне длин волн 3+5 мкм, главным образом, используются гетероструктуры 1пАб8Ь/1пА58ЬР [1-3]. Существование обширной области спинодального распада твердых растворов ¡пАвБЬР и ограничение по условию молекулярности для состава жидкой фазы в системе ЬьАз-БЬ-Р [4] затрудняет достижение эффективного ограничения для носителей заряда в активной области излучающих структур, создаваемых методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Методом МОГФЭ возможно получение слоев InAsSbP как в области существования твердых растворов, так и в области составов, недоступной при кристаллизации методом ЖФЭ, что позволяет увеличить высоту барьеров для носителей заряда в гетероструктуре InAsSb/InAsSbP.

Согласно литературным источникам, значительное количество проведенных исследований было посвящено разработке лазеров на основе структур различных типов, полученных методами МОГФЭ и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Применение квантовых ям и сверхрешеток, в сравнении с объемными структурами, позволило существенно улучшить характеристики источников когерентного излучения. Применение квантово-каскадных структур позволило сделать качественный рывок и получить генерацию когерентного излучения в области длин волн А, > 5 мкм [5] при комнатной температуре; однако, такие структуры не позволяют создавать лазеры эффективно работающие в спектральном диапазоне 3*5 мкм при комнатной температуре. Ведутся также работы по созданию лазеров на основе структур с квантовыми точками [6]. Для практических приложений необходима устойчивая работа источника излучения при комнатной температуре. Лазерные диоды в диапазоне длин волн 3*5 мкм работают устойчиво только при криогенных температурах (температуры жидких гелия и азота). По сравнению с лазерами светодиоды работают надежно вплоть до 180 °С [7] и менее чувствительны к колебаниям температуры. Исследованию светодиодов уделялось внимание значительно меньше. Обнаружено незначительное количество работ, посвященных выращиванию методами МЛЭ светодиодных структур, излучающих в указанном диапазоне. Еще реже для этой цели применялся метод МОГФЭ [8]. Данная работа посвящена проблеме создания светодиодов на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом МОГФЭ, для спектрального диапазона 3.3 +4.5 мкм.

Целью данной работы являлась разработка технологии эпитаксиального синтеза узкозонных полупроводниковых гетероструктур InAsSb/InAsSbP методом МОГФЭ и создание на их основе светодиодов, работающих в диапазоне длин волн 3.3 *4.5 мкм при комнатной температуре.

Для достижения намеченной цели решались следующие промежуточные задачи: создание технологического оборудования для выращивания гетероструктур 1пАз ЗЬЛпАбЗЬР из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений триметилиндия, триметилстибина, диэтилцинка и бисциклопентадиенил магния и гидридных газов арсина и фосфина; разработка технологии выращивания бинарного соединения 1пАз, тройных (1пАз8Ь), и четверных (1пАз8ЬР) твердых растворов и исследование их свойств в зависимости от условий выращивания;

- разработка методики легирования акцепторными примесями (цинком и магнием) слоев 1пАз, ЬьАзЗЪР и создание р-п-перехода в эпитаксиальных структурах; исследование фотолюминесцентных и электрических свойств эпитаксиальных слоев ЬгАэ, 1пАз8Ь, ЬгАэЗЬР и гетероструктур на их основе;

- разработка постростовой технологии изготовления светодиодных и лазерных чипов (фотолитографический процесс, изготовление омических контактов); исследование электролюминесцентных свойсв и ватт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе гомоструктур и гетероструктур; исследование когерентной люминесценции в светодиодных гетероструктурах.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. На основе модели регулярных растворов проведены комплексные термодинамические расчеты элементного состава твердого раствора 1пА81х8Ьх в зависимости от соотношения компонентов в газовой фазе и температуры роста. Проведено сравнение расчетов с экспериментальными данными при температуре роста 600 °С и при более низких температурах (в интервале 540 < Т < 600 °С) в условиях неполного разложения арсина.

2. Методом МОГФЭ получены слои 1пА8].х.у8ЬхРу как в области существования твердых растворов, так и в области составов, недоступной при кристаллизации в условиях, близких к равновесным. Разработана технология легирования слоев 1пАз1ху8ЬхРу акцепторными примесями (цинком и магнием). Измерены спектры фотолюминесценции преднамеренно нелегированных и легированных акцепторными примесями слоев 1пАз1.х.у8ЬхРу, и проведен их рентгено-структурный анализ.

3. Впервые исследовано легирование магнием слоев 1пАв и 1пАз8ЬР методом МОГФЭ и проведено комплексное исследование их гальваномагнитных свойств.

4. Разработана методика создания р-п-перехода методом МОГФЭ в узкозонных гетероструктурах 1пАз8Ь/1пА58ЬР.

5. Впервые на основе узкозонных гетероструктур ХпАзЗЬЯпАзБЬР с барьерными слоями 1пАз8ЬР, выращенными в области составов, недоступной для метода ЖФЭ, изготовлены светодиодные структуры, перекрывающие спектральный диапазон 3.3 *4.5 мкм.

Научная и практическая значимость работы заключается в следующем:

1. Разработана методика выращивания методом МОГФЭ гетероструктур 1пАз8Ь/1пАз8ЬР, включая область составов, недоступную при кристаллизации в условиях, близких к равновесным.

2. Разработана технология легирования магнием методом МОГФЭ слоев ХпАб и ГпАбЗЬР и проведено комплексное исследование электрических свойств выращенных слоев.

3. Разработана постростовая технология изготовления светодиодных чипов, включающая в себя процесс стандартной фотолитографии, вакуумное напыление омических контактов, и сборку чипов на стандартном корпусе ТО -18.

-94. На основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP с барьерными слоями InAsSbP, выращенными в области составов, недоступной для метода ЖФЭ, изготовлены светодиодные структуры, перекрывающие спектральный диапазон 3.3+4.5 мкм. Были достигнуты следующие значения оптической мощности излучения светодиодов с плоской геометрией в импульсном режиме при токе 1.3 А: 1.2 мВт (А,= 3.45 мкм), 0.6 мВт (X = 3.95 мкм), 0.3 мВт (к = 4.25 мкм), 0.1 мВт (X = 4.5 мкм).

5. На основе светодиодной гетероструктуры InAs/InAsSbP создан источник когерентного излучения с длиной волны А,= 3.0+3.1 мкм при Т = 77 К, работающий в импульсном режиме.

Научные положения, выносимые на защиту.

I. Термодинамические расчеты, выполненные на основе модели регулярных растворов, позволяют предсказывать состав твердых растворов InAsixSbx, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием триметилиндия, арсина, триметилстибина при температурах роста, близких к 600 °С. Расхождение между экспериментальными и расчетными значениями мольной доли сурьмы в твердых растворах InAsi.xSbx не превышает величину 0.02. С понижением температуры роста необходимо вводить поправки, учитывающие неполное разложение арсина на отдельные компоненты.

П. Слои InAs^x.ySbxPy кристаллизуются как в области существования твердых растворов (0<у<0.39), так и в области составов, недоступной при выращивании в условиях, близких к равновесным (0.39<у<0.5), за счет неравновесного характера процессов кристаллизации методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.

III. При слабом уровне легирования магнием (количество вводимого Mg ~ 0.068 мкмоль/мин) во время роста методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений кристаллизуются слои InAs п-типа проводимости с большей подвижностью за счет связывания нейтральных примесей магнием. При увеличении концентрации магния в газовом потоке от 0.068 до 3.223 мкмоль/мин) кристаллизуются сильно компенсированные слои InAs (степень компенсации варьируется от 0.2 до 0.66) с предельной концентрацией дырок р ~ 2*1018 см"3 и с низкой подвижностью носителей заряда (ji ~ 50 см2/^ - с) при Т = 300 К).

IV. Квантовая эффективность излучательной рекомбинации в светодиодах с плоской геометрией, изготовленных на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP с эмиттерными слоями, выращенными в области составов, недоступной при кристаллизации в условиях, близких к равновесным (InAso.27Sb0.23Po.5 - при комнатной температуре Eg = 640 мэВ), увеличивается в 2.5 раза по сравнению с диодами, содержащими предельный для жидкофазной эпитаксии элементный состав барьерных слоев InAso.53Sbo.15Po.32 (Eg = 565 мэВ).

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы Кижаева С.С. были представлены как на отечественных, так и международных конференциях: 1-я Городская студенческая научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (Санкт-Петербург, 1997); Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Second International Conference (Prague, Czech Republic, 1998); II Городская научная конференция студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (Санкт-Петербург, 1998); Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Fourth International Conference (Montpellier, France, 2001)? 11th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Berlin, Germany, 2002), а также на научных семинарах лаборатории инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН.

Публикации.

Основное содержание диссертационной работы представлено в 16 печатных работах, из них 11 научных статей и 5 работ в материалах конференций, список которых приведен в конце данной работы.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 260 страниц, из них 150 страниц текста, 70 страниц с рисунками и 11 таблиц. Список цитируемой литературы включает в себя 228 наименований и занимает 29 страниц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Кижаев, Сергей Сергеевич

Основные результаты диссертационной работы могут быть выражены следующим образом.

• Создано технологическое оборудование и разработана технология выращивания гетероструктур InAsSb/InAsSbP из газовой фазы с использованием металл оорганических соединений триметилиндия, триметилстибина и гидридных газов арсина и фосфина.

• На основе модели регулярных растворов рассчитаны зависимости состава твердого раствора InAsj.xSbx от соотношений между компонентами в газовой фазе. При температуре 600 °С результаты расчетов и экспериментальные данные отличаются на величину Дх<0.02. С понижением температуры необходимо ввести поправки, учитывающие неполное разложение арсина на отдельные компоненты.

• Были получены изопериодные с InAs слои InAsj.x.ySbxPy как в области существования твердых растворов (0<у<0.39), так и в области составов, недоступной при кристаллизации в условиях, близких к равновесным (0.39<у<0.50). При этом слои были зеркально-гладкие, а содержание фосфора в твердой фазе составляло до 50 %.

• Сужение спектров фотолюминесценции слоев InAs и суперлинейный рост интенсивности излучения с увеличением мощности возбуждения свидетельствует о достаточно высоком качестве материала. Исследования фотолюминесцентных свойств слоев InAsSb указывают на возможность создания на основе твердых растворов InAsi„xSbx (0<х<0.15) светодиодов для спектрального диапазона (3.3+4.5 мкм). Низкая интенсивность фотолюминесценции в слоях InAsSbP говорит о нецелесообразности применения твердых растворов InAsixySbxPy в качестве активной части светоизлучающей структуры.

• Установлено, что при слабом уровне легирования магнием (количество вводимого в реактор Mg ~ 0.068 мкмоль/мин) во время роста методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений кристаллизуются слои InAs n-тапа проводимости с большей подвижностью за счет связывания нейтральных примесей магнием. При сильном уровне легирования магнием (количество вводимого в реактор Mg ~ 3.223 мкмоль/мин) кристаллизуется сильно компенсированный p-InAs (степень компенсации 0.45) с предельной концентрацией дырок р ~ 2»1018 см'3 и с низкой подвижностью носителей заряда (ц ~ 50 см^/(В • с) при Т = 300 К).

• Получена генерация лазерного излучения в светодиодной гетероструктуре InAsAnAsSbP с толстой активной областью (^ 3 мкм) и проанализирован модовый состав спектра.

• На основе выращенных структур изготовлены светодиоды с плоской геометрией, обладающие следующими значениями оптической мощности излучения в импульсном режиме при токе 1.3 А: 1.2 мВт (Х,=3.45 мкм), 0.6 мВт (Х,=3.95 мкм), 0.3 мВт (Х=4.25 мкм), 0.1 мВт (Х,=4.5 мкм).

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев, InAs фотодиодные структуры, полученные методом эпитаксии из металлоорганических соединений // Тезисы докладов 1-ой Городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 28 ноября 1997 г., с. 33-34.

2. С.С. Кижаев, М.П. Михайлова, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Выращивание InAs фотодиодных структур из металлоорганических соединений // Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, вып. 7, с. 1-7.

3. S. Kizhayev, S. Molchanov, N. Zotova, М. Mikhailova, N. Stoyanov, A. Usikov, Y. Yakovlev. Characterization of InAs films grown by MOCVD at low temperatures // Abstracts of Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Second International Conference, Prague, Czech Republic, 26-27 March, 1998, p. 32.

4. С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. Люминесцентные свойства слоев InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Тезисы докладов П-ой Городской научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 10-11 декабря 1998 г., с. 31.

5. Т.Н. Воронина, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. Люминесцентные свойства слоев InAs и р-п-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений //ФТП, 1999, т. 33, вып. 10, с. 1168-1172.

6. Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.Б. Попова, Ю.П. Яковлев, Длинноволновые светодиоды (Я, = 3.4 - 3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии // ФТП, 2000, т. 34, вып. 12, с. 1462-1467.

7. Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев, InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии // ЖТФ, 2001, т. 71, вып. 9, с. 58-60.

8. С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.В. Зотова, Е.А. Гребенщикова, Ю.П. Яковлев, Е. Hulicius, Т. Simicek, К. Melichar, J. Pangrac. Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAsi.xSbx (0^ х < 0.18) // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, вып. 22, с. 66-72.

9. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, and Yu. P. Yakovlev. High power InAsSbP/InAsSb light emitting diodes grown by MOVPE // Abstracts of Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Fourth International Conference, Montpellier, France, 1-4 April, 2001, p. 106.

10. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, and Y. P. Yakovlev, High power mid-infrared light emitting diodes grown by MOVPE /ЛЕЕ Proc. - Optoelectron., 2002, v. 149, No. l,p. 36-39.

11. S.S. Kizhayev, S.S. Molchanov, N.V. Zotova, B.V. Pushnyi, Yu. P. Yakovlev. Powerful InAsSbPAnAsSb light emitting diodes grown by MOVPE // Abstracts of 11th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Berlin, Germany, 3-7 June, 2002, p. 125.

12. S.S. Kizhayev, S.S. Molchanov, N.V. Zotova, B.V. Pushnyi, Yu. P. Yakovlev. Powerful InAsSbP/InAsSb light emitting diodes grown by MOVPE // J. Cryst. Growth, 2003, v. 248, p. 296-300.

13. H.B. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.Н. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из меташюорганических соединений // ФТП, 2003, т. 37, вып. 8, с. 980-984.

14. Т.Н. Воронина, Т.С. Лагунова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // ФТП, в печати.

- 23115. А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. Одновременная интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре ¡пАзЛпАбЗЬР, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Письма в ЖТФ, в печати.

16. А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре ЬгАзЛпАвЗЬР, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // ФТП, в печати.

В итоге желаю выразить свою признательность моим научным руководителям Яковлеву Юрию Павловичу и Пушному Борису Васильевичу за постоянное внимание к моей работе, техническую помощь и ценные рекомендации во время ее проведения.

Я также глубоко благодарен Зотовой Нонне Вячеславовне за помощь в исследованиях люминесцентных свойств и внимание к работе на всех ее этапах. Выражаю свою благодарность Ворониной Тамаре Ивановне и Лагуновой Тамаре Степановне за помощь в исследованиях гальваномагнитных свойств; Яговкиной Марии Александровне, Поповой Татьяне Борисовне, Берту Борису Яковлевичу за измерения, соответственно, дифракционных кривых качания, элементного состава эпитаксиальных слоев и распределения элементов по толщине эпитаксиальных структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии; Соловьеву В.А. за помощь в исследованиях положения р-п-перехода в светодиодных структурах, Ильинской Наталье Дмитриевне и Гребенщиковой Елене Александровне за их деятельность по посгростовой обработке эпитаксиальных структур; Именкову Альберту Николаевичу, Михайловой Майе Павловне, Астаховой Анастасии Павловне, Стоянову Николаю за полезные консультации; Молчанову Сергею Сергеевичу, Романову Вячеславу Витальевичу и Калюжному Николаю за моральную поддержку, а также всем сотрудникам лаборатории инфракрасной оптоэлектроники, кто проявлял внимание к данной работе.

- 232

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кижаев, Сергей Сергеевич, 2003 год

1. Для получения контактов высокого качества целесообразнее применение многослойных систем. Примером таких систем может быть контакт типа

2. Рисунок IV. 1.1. Светодиод в виде чипа квадратной формы с точечным контактом на лицевой стороне и сплошным контактом на тыльной стороне.

3. В. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus, V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. InAsSbP/InAs LEDs for the 3.3-5.5 fim spectral range // IEE Proc. Optoelectron., 1998, v. 145, № 5, p. 254-256.

4. А.А. Попов, M.B. Степанов, B.B. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. 3.3 jum светодиоды для измерения метана // Письма в ЖТФ, 1997, т.23, № 21, с. 24-31.

5. Н.Н. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. InAsSb/InAsSbP light emitting diodes for the detection of CO and C02 at room temperature // J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, v. 32, p. 1768-1772.

6. A.H. Баранов, Б.Е. Джуртанов, A.M. Литвак, H.A. Чарыков, А.Г. Чернявский, B.B. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Об ограничениях на получение А3В5 твердых растворов // ЖНХ, 1990, т. 35, вып. 12, с. 3008-3012.

7. С. Sistori, J. Faist, F. Capasso, A.Y. Cho. The quantum cascade laser. A device based on two-dimensional electronic subbands // Pure Appl. Opt. 1998, v. 7, p. 373-381.

8. R.M. Biefeld, А.А. Allerman, S.R. Kurtz, K.C. Baucom. Progress in the growth of mid-infrared InAsSb emitters by metal-organic chemical vapor deposition//J. Cryst. Growth, 1998, v. 195, p. 356-362.

9. R.H. Pierson, A.N. Fletcher, and E.S.C. Gantz. Catalog of infrared spectra for qualitative analysis of gases // Anal. Chem., 1956, v. 28, p. 1218-1239.

10. P.T. Moseley, and Tofield. Solid State Gas Sensors. Bristol: Hilger, 1987.

11. M. Razeghi. Optoelectronic Devices Based on III-V Compound Semiconductors Which Have Made a Major Scientific and Technological Impact in the Past 20 Years // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, v. 6, № 6, p. 1344-1354.

12. R.W. France, S.F. Carter, J.R. Williams, K.J. Beales, and J.M. Parker. OH-Absoiption in Fluoride Glass Infra-red Fibres // Electron. Lett., 1984, v. 20, №14, p. 607-608.

13. Н.П Есина, H.B. Зотова и Д.Н. Наследов. Исследование электролюминесценции р-п переходов в арсениде индия // ФТТ, 1967, v. 9, №5, с. 1324-1324.

14. Н.П. Есина, Н.В. Зотова и Д.Н. Наследов. О механизме излучательной рекомбинации р-п переходов в арсениде индия // ФТП, 1968, v. 2, №3, с. 370-373.

15. Н.П. Есина, Н.В. Зотова и Д.Н. Наследов. Электролюминесценция р-п переходов в арсениде индия // ФТП, 1969, v. 3, № 9, с. 1370-1373.

16. Krier A. Room temperature InAsxSbyPi.x.y light-emitting diodes for C02 detection at 4.2 цт // Appl. Phys. Lett, 1990, v. 56, № 24, p. 2428-2429.

17. Н.В. Зотова, Н.П. Есина, Б.А. Матвеев, Н.М.Стусь, Г.Н. Талалакин, Т.Д. Абишев. Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAsi.x.ySbxPy // Письма в ЖТФ, 1983, v. 9, № 7, с. 391-395.

18. M.K. Рапу, A. Krier. Efficient 3.3 цт light emitting diodes for detecting methane gas at room temperature // Electron. Lett., 1994, v. 30, № 23, p. 1968-1969.

19. Y. Mao, A. Krier. InAsSb p-n junction light emitting diodes grown by liquid phase epitaxy // J. Phys. Chem. Solids, 1995, v. 56, № 5, p. 759-766.

20. Y. Mao, A. Krier. Uncooled 4.2 цт light emitting diodes based on InAso.91 SboWGaSb grown by LPE // Opt. Mater., 1996, v. 6, p. 55-61.

21. Y. Mao, A. Krier. Efficient 4.2 цт light emitting diodes for detecting CO2 at room temperature // Electron. Lett., 1996, v. 32, № 5, p. 479-480.

22. A.A. Попов, M.B. Степанов, B.B. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Светодиоды на основе InAsSb для детектирования СО2 (А,=4.3 jim) // Письма в ЖТФ, 1998, v. 24, № 15, с. 34-41.

23. Н.Н. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. InAsSbAnAsSbP light emitting diodes for the detection of CO and CO2 at room temperature // J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, v. 32, p. 1768-1772.

24. A.A. Popov, V.V. Sherstnev, Y.P. Yakovlev, A.N. Baranov, C. Alibert. Powerful midinfrared LEDs for pollution monitoring // Electron. Lett., 1997, v. 33, p. 86-87.

25. Г.А. Сукач, П.Ф. Олексенко, А.Б. Богословская, Ю.Ю. Бшганец, В.Н. Кабаций. Тепловые и оже-процессы в р-п-переходах на основе гетероструюур GalnAs/InAs и InAsSbP/InAs // ЖТФ, 1997, т. 67, №9, с. 68-71

26. V.V. Sherstnev, A.M. Monahov, A. Krier, G. Hill. Superluminescence in InAsSb circular-ring-mode light-emitting diodes for CO gas detection // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 77, № 24, p. 3908-3910.

27. G.A. Sukach, A.B. Bogoslovskaya, P.F. Oleksenko, Yu. Yu. Bilynetz, V.N. Kabacij. Effect of Auger recombination on thermal processes in InGaAs and InAsSbP IR-emitting diodes // Infrared Phys. Technol., 2000, v. 41, p. 299-306.

28. A. Krier, V.V. Sherstnev, H.H. Gao. A novel LED module for the detection ofH2S at 3.8 pm// J. Phys. D: AppL Phys., 2000, v. 33, p. 1656-1661.

29. A. Krier, V.V. Sherstnev. LEDs for formaldehyde detection at 3.6 pm // J. Phys. D: Appl. Phys., 2001, v. 34, p. 428-432.

30. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs // ФТП, 2001, т. 35, №3, с. 335-338.

31. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus. Current crowding in InAsSb light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett., 2001, v. 79, № 25, p. 4228-4230.

32. H Mani, A. Joullie, J. Bhan, C. Schiller, J. Primot. The influence of supercooling on the liquid phase epitaxial growth of InAsi.xSbx on (100) GaSb substrates // J. Electroa Mater., 1987, v. 16, p. 289.

33. H.B. Зотова, И.Н. Яссиевич. Оже-рекомбинация в p-InAs и твердых растворах GaxInixAs // ФТП, 1977, т. 11, № 10, с. 1882-1887.

34. Колчанова Н.М., Попов А.А., Сукач Г.А., Богословская А.Б. Тепловые процессы в светодиодных гетероструктурах на основе GalnAsSb // ФТП, 1994, т. 28, № 12, с. 2065-2072.

35. J.R. Lindle, J.R. Meyer, С.А. Hoffman, F.J. Bartoli, G.W. Turner, H.K. Choi. Auger lifetime in InAs, InAsSb, and InAsSb InAlAsSb quantum wells // Appl. Phys. Lett, 1995, v. 67, p. 3153-3155.

36. K.L. Vodopyanov, H. Graener, C.C. Philips. Mid infrared picosecond spectroscopy of MBE indium arsenide epilayers at 300 К // Semicond. Sci. Technol., 1993, v. 8, p. s300-s304.

37. S. Kim, M. Erdtmann, D. Wu, E. Kaas, H. Yi, J. Diaz, M. Razeghi. Photoluminescence study of InAsSb/InAsSbP heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, № 11, p. 1614-1616.

38. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, and D.R. Wright. Bulk and surface recombination in InAs/AlAso.i6Sbo,84 3.45 цт light emitting diodes // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, № 8, p. 943-945.

39. Landolt-Bomstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology: Volume 17a Physics of Group IV elements and Ш-V Compounds. Berlin: Springer, 1982.

40. A.R. Beattie. Quantum efficiency in InSb // J. Phys. Chem. Solids, 1962, v. 23, p. 1049-1056.

41. K.L. Vodopyanov, H. Graener, C. Philips, T.J. Tate. Picosecond carrier dynamics and studies of Auger recombination processes in indium arsenide at room temperature // Phys. Rev., 1992, B46, p. 13194-13200.

42. Н.П. Есина, H.B. Зотова. Механизмы рекомбинации избыточных носителей тока в арсениде индия и твердых растворах на его основе // ФТП, 1980, т. 14, № 2, с. 316-322.

43. M.E. Flatte, J.T. Olesberg, S.A. Anson, T.F. Boggess, T.C. Hasenberg, R.H. Miles, C.H. Grein. Theoretical performance of mid-infrared broken-gap multilayer superlattice lasers // Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, № 24, p. 3212-3214.

44. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Philips. GalnSb/InAs/AlGaAsSb "W" quantum-well light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett., 2001, v. 79, №25, p. 4073-4075.

45. R.Q, Yang. Infrared Laser Based on Intersubband transitions in quantum wells // Superlatt. Microstruct., 1995, v. 17, № 1, p. 77-83.

46. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D. L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. High power mid-infrared {X ~ 5 pm) quantum cascade lasers operating above room temperature // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 26, p. 3680-3682.

47. R.Q. Yang, B.H. Yang, D. Zhang, C.H. Lin, S.J. Murry, H. Wu, S.S. Pei. High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, № 17, p. 2409-2411.

48. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, and A.Y. Cho: "Short wavelength (A,~3.4 pm) quantum cascade laser based on strained compensated InGaAs/AlInAs // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, №6, p. 680-682.

49. Н.Г. Басов, Б.М. Вуль, Ю.М. Попов. Полупроводниковый квантово-механический генератор и усилители электромагнитных осцилляций // ЖЭТФ, 1959, т. 37, с. 587-588.

50. Н.Г. Басов, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов. // ЖЭТФ, 1961, т. 40, с. 1879-1880.

51. Б.М. Вуль, А.П. Шотов, B.C. Багаев. Излучательная рекомбинация в вырожденном InSb // ФТТ, 1962, т. 4, с. 3676-3677.

52. Д. Наследов, А.А. Рогачев, С.М. Рыбкин, Б.В. Царенков. Излучательная рекомбинация в GaAs // ФТТ, 1962, т. 4, с. 1062-1065.

53. R.H. Hall, С.Е. Fenner, J.D. Kingsley, T.J. Soltys, and R.O. Carlson. Coherent light emission from GaAs p-n junction // Phys. Rev. Lett., 1962, v. 9, p. 366-378.

54. MI. Nathan, W.P. Dumke, G. Burnus, E.H. Dill, GJ. Lasher. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n junction // Appl. Phys. Lett., 1962, v. 1, p. 62-64.

55. N. Holonyak, Jr., and S.F. Bevacqua. Coherent (visible) light emission from GaAsi-xPx junction // Appl. Phys. Lett., 1962, v. 1, p. 82-83.

56. B.C. Багаев, Н.Г. Басов, Б.М. Вуль, Б.Д. Копиловский, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов, Е.М. Маркин, А.Н. Хвощев, А.П. Шотов. Полупроводниковый квантовый генератор на основе р-n перехода в GaAs // Доклады Академии Наук СССР, 1963, т. 150, с. 275-278.

57. И.И. Засавицкий, Б.Н. Мадионашвили, В.И. Погодин, А.П. Шотов. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров РЬ^п^е // ФТП, 1974, т. 8, № 4, с. 732-736.

58. НИ. Засавицкий, Б.Н. Мадионашвили и А.П. Шотов. Инжекционный лазер непрерывного действия на основе РЪ8е // Письма в ЖТФ, 1975, т. 1,№7, с. 341-343.

59. А.П. Шотов, О.И. Даварашвили, А.Б. Бабушкин. Лазерные гетероструктуры на основе твердых растворов Pbi.xSnxSei.yTey // Письма в ЖТФ, т. 5, с. 1488-1492.

60. А.П. Шотов, А.А, Синятынский. РЬ81.х8ех лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1983, т. 9, № 14, с. 881-884.

61. К.В. Вякин, А.П. Шотов. Оптические свойства эпитаксиальных пленок РЬ8е // ФТП, т. 14, № 7, с. 1331-1334.

62. А.А. Синятынский, А.П. Шотов. Оптические свойства эпитаксиальных пленок РЬБ^ех // ФТП, 1982, т. 16, № 12, с. 2187-2190.

63. Tarry H.A. Infra-red electroluminescense from CdxHgi.xTe diodes // Electron. Lett., 1986, v. 22, № 8, p. 416-418.

64. Zucca R, Bajaj J and Blazejewski E. R. Light emission from HgCdTe diodes // J. Vac. Sei. Technol., 1988, A 6, p. 2728-2731.

65. Bouchut P., Destefanis G., Chamonal J. P., Million A., Pelliciari B, Piaguet J. High-efFiciency infrared light emitting diodes made in liquid phase epitaxy and molecular beam epitaxy HgCdTe layers // J. Vac. Sei. Technol., 1991, B 9, p. 1794.

66. Harman T.C. Optically pumped LPE grown Hgi.xCdxTe lasers// J. Electron. Mater., 1979, v. 8, № 2, p. 191-202.

67. Giles N.C., Han J.W., Cook J.W. and Schetzina J.F. Stimulated emission at 2.8 pm from Hg-based quantum well structures grown by photoassisted molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett., 1989, v. 55, p. 2026-2028.

68. Mahavadi K.K, Lange M.D., Faurie J.P., J. Nagle. Photoluminescence CdTe/HgiyCdyTe/HgixCdxTe separate confinement heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1989, v. 54, p. 2580-2582.

69. H.Q. Le, J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, Y.-Z. Liu. High-power diodelaser pumped midwave infrared HgCdTe/CdZnTe quantum-well lasers // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 7, p. 810-812.

70. J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh. HgCdTe infrared lasers grown by MBE // Semicond. Sei. Technol., 1993, v. 8, p. S255 S260.

71. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Когерентное излучение 3.9 мкм в р-п структурах на основе 1пАз8ЬР // Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, вып. 23, с. 1444-1447.

72. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в р-п структурах на основе 1пА81х8Ьх Н Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, вып. 6, с. 329-331.

73. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Инжекционное когерентное излучение в ДГС ЬхА^ЬРЯпАбЛпАбЗЬР // Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, вып. 9, с. 563-565.

74. М.Ш. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Стимулированное излучение (3 3.3 мкм, 77 К) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС ЬАзБЬРЛпАз // Письма в ЖТФ, 1988, т. 14, вып. 17, с. 1617-1620.

75. A.H. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Длинноволновые лазеры на основе InAsSbP/InAsSb для спектроскопии метана // Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, выл. 22, с. 6-10.

76. V.V. Sherstnev, A. Krier. Tuning characteristics of InAsSb continuous-wave lasers // Appl. Phys. Lett., 2002, v. 30, № 20, p. 3676-3678.

77. N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus, G.N. Talalakin, M.A. Remennyi. Tunable mid-IR diode lasers based on InGaAsSb/InAsSbP DH // Spectroch. Acta Part, 1996, A 52, p. 857-862.

78. D.S. Cao, Z.M. Fang, G.B. Stringfellow. Organometallic vapor-phase epitaxial growth of AlxGai.xSb and AlxGaixAsySbi„y // J. Ciyst. Growth, 1991, v. 113, p. 441-448.

79. E.T.R. Chidley, S.K. Haywood, R.E. Mallard, N.J. Mason, R.J. Nicholas, P. J. Walker, R.J. WarBurton. GaSb Heterostructures grown by MOVPE // J. Cryst. Growth, 1988, v. 93, p. 70-78.

80. H.K. Choi, S.J. Eglash, and G.W. Turner. Double-heterostructure lasers emitting at 3 pm with a metastable GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 19, p. 2474-2476.

81. S.J. Eglash, and H.K. Choi. InAsSb/AlAsSb double-heterostructure diode lasers emitting at 4 jim // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, p. 833-855.

82. H.K. Choi, G.W. Turner, and Z.L. Liau. 3.9-pm InAsSb/AlAsSb double-heterostructure diode lasers with high output power and improved temperature characteristics // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 18, p. 2251-2253.

83. D. Wu, B. Lane, H. Mohseni, J. Diaz, M. Razeghi. High power asymmetrical InAsSb/InAsSbP/AlAsSb double heterostructure lasers emitting at 3.4 pm // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 9, p. 1194-1196.

84. J.T. Olesberg, M.E. Flatte, BJ. Brown, C.H. Grein, T.C. Hasenberg, S.A. Anson, and T.F. Boggess. Optimization of active regions in midinfrared lasers // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 2, p. 188-190.

85. G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers. -New York: Van Nostrand Reinhold, 1986.

86. H.K. Choi, G.W. Turner, and H.Q. Le. InAsSb/InAlAs strained quantum-well lasers emitting at 4.5 pm // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, №26, p. 3543-3545.

87. H.K. Choi and G.W. Turner. InAsSb/lnAJLAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9 p.m // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 3, p. 332-334.

88. S.R. Kurtz, R.M. Biefeld, L.R. Dawson, K.C. Baucom, and A.J. Howard. Midwave (4 pm) infrared lasers and light-emitting diodes with biaxially compressed InAsSb active regions // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 7, p. 812-814.

89. B. Lane, D. Wu, A. Rybaltowski, H. Yi, J. Diaz, and M. Razeghi. Compressively strained multiple quantum well InAsSb lasers emitting at36 pm grown by metal-organic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, № 4, p. 443-445.

90. B. Lane, Z. Wu, A. Stein, J. Diaz, and M. Razeghi. InAsSb/fnAsP strained-layer superlattice injection lasers operating at 4.0 pm grown by metal-organic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, №23, p. 3438-3440.

91. Lane, S. Tong, J. Diaz, Z. Wu, M. Razeghi. High power InAsSb/InAsSbP electrical injection laser diodes emitting between 3 and 5 pm // Materials Science and Engineering, 2000, B74, p. 52-55.

92. H.K. Choi, G.W. Turner, M.J. Manfra, M.K. Connors. 175 K continuous wave operation of InAsSb/InAlAsSb quantum-well diode lasers emitting at 3.5 pm// Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, p. 2936-2938.

93. Wilk, M. El Gazouli, M. El Skouri, P. Christol, P. Grech, A.N. Baranov, A. Joullie. Type-II InAsSb/InAs strained quantum-well laser diodes emitting at 3.5 pm // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 77, № 15, p. 2298-2300.

94. F. Capasso, C. Gmachl, D.L. Sivco, A.Y.Cho. // Phys. World, 1999, v. 12, p. 27

95. J.R. Meyer, C.A. Hofman, F.J. Bartoli, L.R. Ram-Moham. Type-II quantum-well lasers for the mid-wavelength Infrared // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, p. 757-759.

96. R.Q. Yang. Mid-infrared interband cascade lasers based on type II heterostructures // Microelectron. J., 1999, v. 30, p. 1043-1056.

97. R. Kohler, C. Gmachl, A. Tredicucci, F. Capasso, D.L. Sivco, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Single-mode tunable, pulsed, and continuous wave quantum-cascade distributed feedback lasers at X = 4.6-4.7 pm // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, № 9, p. 1092-1094.

98. J.T. Olesberg, M.E. Flatte, T.C. Hasenberg, C.H. Grein. Mid-infrared InAs/GalnSb separate confinement heterostructure laser diode structure // J. Appl. Phys., 2001, v. 89, № 6, p. 3283-3289.

99. P. Christol, M.E1 Gazouli, P. Bigenwald, A. Joullie. Performance simulation of 3.3 pm interband laser diodes grown on InAs substrate // Physica E 14,2002, p. 375-384.

100. Z. Shi. GaSb-PbSe-GaSb double heterostructure midinfrared lasers // Appl. Phys. Lett, 1998, v. 72, № 11, p. 1272-1274.

101. Tietjen J.J., Amick J.A. The Preparation and Properties of Vapor-Deposited Epitaxial GaAsixPx Using Arsine and Phosphine // J. Electrochem. Soc., 1966, v. 113, № 7, p. 724-728.

102. Davey J.E., Pankey T.J. J. Epitaxial GaAs Films Deposited by Vacuum Evaporation//Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 1941-1948.

103. Arthur J.R. J. Interaction of Ga and As2 molecular beams with GaAs surfaces // Appl. Phys., 1968, v. 39, № 8, p. 4032-4034.

104. Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates // Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, № 4, p. 156-159.

105. Y. Seki, K. Tanoo, K. Iida, E. Ichiki. Properties of Epitaxial GaAs Layers from a Triethyl Gallium and Arsine System // J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, p. 1108-1112.

106. G.B. Stringfellow. Thermodynamic aspects of organometallic vapor phase epitaxy // J. Cryst Growth, 1983, v. 62, № 2, p. 225-229.

107. R. Hovel, N. Brianese, A. Brauers, P. Balk, M. Zimmer, M. Hostalek, L. Pohl. Growth of InP with novel In and P precursors // J. Cryst. Growth, 1991, v. 107, pp. 355-359.

108. G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice. Boston: Academic Press, 1989.

109. B.J. Baliga and S.K. Ghandhi. Heteroepitaxial InAs Grown on GaAs from Triethylindium and Arsine // J. Electrochem. Soc., 1974, v. 121, №12, p. 1642-1650

110. M.J. Chemg, H.R. Jen, C.A. Larsen, G.B. Stringfellow, H. Lundt and P.C. Taylor. MOVPE Growth of GalnAsSb // J. Crystal Growth, 1986, v. 77, p. 408-417

111. S.K. Haywood, R.W. Martin, N.J. Mason and P.J. Walker. Growth of InAs by MOVPE: A comparative study using arsine, tertiarybutylarsine, and phenylarsine // J. Cryst Growth, 1989, v. 97, p. 489-496.

112. S.K. Haywood, R.W. Martin, N.J. Mason and P.J. Walker. Growth of InAs by MOVPE using TBAs and TMIn // Journal of Electronic Materials, 1990, v. 19, № 8, p. 783-788.

113. M. Masi, H, Simka, K.F. Jensen, T.F. Kuech, and R. Potemski. Simulation of carbon doping of GaAs during MOVPE // J. Cryst. Growth, 1992, v. 124, p. 483.

114. R.J. Egan, T.L. Tansley, V.W.L. Chin. Growth of InAs from monoethylarsine // J. Cryst. Growth, 1995, v. 147, p. 19-26.

115. D.M. Speckman and J.P. Wendt. Vapor deposition of high-purity GaAs epilayers using monoehyl arsine // Appl. Phys. Lett., 1990, v. 56, p. 1134-1136.

116. S.J. Bass. Silicon and Germanium doping of epitaxial gallium arsenide grown by the trimethylgallium-arsine method // J. Cryst. Growth, 1979, v. 47, p. 613-618.

117. C.H. Chen, G.B. Stringfellow and R.W. Gedridge. Triisopropylindium: decomposition study and use for low temperature growth of InAs // J. Cryst. Growth, 1993, v. 126, p. 309-316.

118. K.T. Huang, Yu Hsu, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. OMVPE growth of InAsSb using novel precursors // J. Cryst. Growth, 1995, v. 156, p. 311-319.

119. Y. Iwamura, H. Shigeta, N. Watanabe. In-Depth Profile of Electrical Property of InAs Epitaxial Layer Grown on Semi-Insulating GaAs by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v. 32, p. L368-L370.

120. S. P. Watkins, C. A. Tran, R. A. Ares, G. Soerensen. High mobility InAs grown on GaAs substrates using tertiarybutylarsine and trimethylindium // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, № 7, p. 882-884.

121. S. P. Watkins, C. A. Tran, G. Soerensen, H. D. Cheung, R. A. Ares, Y. Lacroix, M. L. W. Thewah. Characterization of Very High Purity

122. As Grown Using Trimethylindium and Tertiaiybutylarsine // J. Electronic Materials, 1995, v. 24, № ll,p. 1583-1590.

123. Y. Lacroix, C. A. Tran, S. P. Watkins, M. I. W. Thewalt Low-temperature photoluminescence of epitaxial InAs // J. Appl. Phys., v. 80, №11, p. 6416-6424.

124. Y. Lacroix, S. P. Watkins, C. A. Tran, M. L. W. Thewalt. Sharp excitonic photoluminescence from epitaxial InAs // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, №9, p. 1101-1103.

125. G. Nataf, C. Verie. Epitaxial Growth of InAs^Sbx alloys by MOCVD // J. Ciyst. Growth, 1981, v. 55, № 1, p. 87-91.

126. P.K. Chiang, S.M. Bedair. Growth of InSb and InAs^Sb* by OM-CVD // J. Electrochem. Soc. : Solid-State Science AND Technology, 1984, v. 131, №10, p. 2422-2426.

127. T. Fukui, Y. Horikoshi. Qrganometallic VPE Growth of InAsi„xSbx // Jap. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, № 1, p. L53-56.

128. R. Biefeld. The preparation of InSb and InAsixSbx by metalorganic chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth, 1986, v. 75, p. 255-263.

129. K. T. Huang,Yu Hsu, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. OMVPE growth of InAsSb using novel precursors // J. Cryst Growth, 1995, v. 156, p. 311-319.

130. W.J. Duncan, A.S.M. Ali, E.M. Marsh, P.C. Spurdens. Metalorganic vapor phase epitaxy growth of InPAsSb alloys lattice matched to InAs // J. Cryst. Growth, 1994, v. 143, p. 155-161.

131. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наукова Думка, 1975

132. У.М. Кулиш. Рост и электрофизические свойства пленок полупроводников (жидкофазная эпитаксия). Элиста: Калмыцкое книжное издательство, 1976.

133. S. Glasstone. Textbook of Physical Chemistry. New York: Second Edition, Fifteenth Printing, VanNostrand Co., 1965, p. 642-643.

134. E. Woelk, H. Jurgensen, R. Rolph, T. Zielinski. Large scale production of indium antimonide film for position sensors in automobile engines // J. Electron. Mater., 1995, v. 24, № 11. p. 1715-1718

135. M.B. Panish, M. Ilegems. Phase equilibria in ternary III-V systems. -New York: Progress in Solid State Chemistry./Eds. H. Reiss, J.O. McCaldin Pergamon, 1972, v. 7. p. 39-83.

136. G.B. Stringfellow. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams // J. Ciyst. Growth, 1974, v. 27, p. 21-34.

137. G.B. Stringfellow, M.J. Cherng. OMVPE growth of GaAs^Stv. solid composition.// J. Cryst. Growth. 1983, v. 64, № 2, p. 413-415.

138. D.R. Stull, G.C. Sinke. Thermodynamic Properties of the elements. -Washington: American Chemical Society, 1956.

139. K. Kajiyama. Vapor Pressure Dependence of the Relative Composition of III-V Mixed Crystals in Vapor Phase Epitaxy // J. Electrochem. Soc., 1976, v. 123, № 3, p. 423-425.

140. L.D. Landau, E.M. Lifshits. Elasticity. Oxford: Pergamon, 1972.

141. Handbook of Electronic Materials. New York: IFI, 1971, v. 2.

142. B.B. Романов, Э.В. Иванов, A.H. Именков, H.M. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Светодиоды на основе твердых растворов InAsSbP предельного состава для спектрального диапазона 2.6-2.8 цт // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, № 14, с. 80-87.

143. Koukitu, Н. Seki. Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of quaternary III-V alloy semiconductors , J. Cryst. Growth, 1986, v. 76, p. 233-242.

144. R.M. Biefeld, C.R. Hills, S.R. Lee. Strain relief in compositionally graded InASxSbix/InSb strained-layer superlattices grown by MOCVD // J. Cryst. Growth, 1988, v. 91, p. 515-526.

145. О. А. Аллаберенов, H.B. Зотова, Д.Н. Наследов, JI.Д. Неуймина. Фотолюминесценция n-InAs // ФТП, 1970, т. 4, вып. 10, р. 1939-1942.

146. Н. Ito and Т. Ishibashi. Impurity, Defects, and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures // Mater. Res. Soc. Symp.

147. Proc. (Boston, MA: Materials Research Society, 1989), v. 163, p. 887 /edited by D.J. Wolfbrd, J. Bernholc, and E.E. Haller.

148. C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.C. Tan, P.K. Chu. High oxygen and carbon contents in GaAs epilayers grown below a critical substrate temperature by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, №6, p. 841-843.

149. J.W. Huang, J.M. Ryan, K.L. Bray, and T.F. Kuech. Controlled Oxygen Incorporation in Indium Gallium Arsenide and Indium Phosphide Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy // J. Electron. Mater., 1995, v. 24, №11, p. 1539-1546.

150. Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. Photoluminescence of InSb, InAs, and InAsSb grown by organometallic vapor phase epitaxy // J. Appl. Phys., 1990, v. 67, № 11, p. 7034-7039.

151. Y. Iwamura, K. Masubuchi, M. Noya, and N. Watanabe // Abstracts of Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices Second International Conference, Prague, Czech Republic, 26-27 March, 1998, p. 10.

152. M. Kondo, C. Anayama, H. Sekiguchi, T. Tanahasni. Mg-doping transients during metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs and AlGalnP // J. Ciyst. Growth, 1994, v. 141, p. 1-10.

153. A.W. Nelson, L.D. Westbrook. A study of p-type dopants for InP grown by adduct MOVPE // J. Ciyst. Growth, 1984, v. 68, p. 102-110.

154. R. Winterhoff, P. Raisch, V. Frey, W. Wagner, F. Scholz. Control of dopant distribution profiles in GalnP laser diodes with Mg- and Se-doped AllnP cladding layers // J. Ciyst. Growth, 1998, v. 195, p. 132-137.

155. G.J. Bauhuis, P.R. Hageman, P.K. Larsen. Heavily doped p-type AlGalnP grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. Ciyst. Growth, 1998, v. 191, p. 313-318.

156. M. Ohkubo, J. Osabe, T. Shiojima, T. Yamaguchi, T. Ninomiya. Magnesium-doped InGaAs using (CsHsCsH^Mg: application to InP-based HBTs // J. Ciyst. Growth, 1997, v. 170, p. 177-181.

157. L.R. Weisberg. // J. Appl. Phys., 1962, v. 33, № 5, p. 1817.

158. H.F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors. New York: Wiley-Interscience, 1971.

159. M.H. Cohen, J. Jortner. Effective Medium Theory for the Hall Effect in Disordered Materials. // Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, № 15, p. 696-698.

160. С.Г. Конников, B.A. Соловьев, B.E. Уманский, A.A. Хусаинов, B.M. Чистяков, И.Н. Яссиевич. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 1987, т. 21, р. 1648-1653

161. Алферов Ж.И., Халфин В.Б., Казаринов Р.Ф. Об одной особенности инжекции в гетеропереходе // ФТТ, 1966, т.8, № 10, с. 3102.

162. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах // ФТП, т. 38, вып. 3, стр. 374-381.

163. М Р С М Krijn. Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys // Semicond. Sci. Technol., 1991, v. 6, p. 27-31.

164. T. Fukui, Y. Horikoshi. Organometallic VPE Growth of InAsi.x.ySbxPy on InAs // Japan. J. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 3, p. 587-591.

165. Т.Н. Glison, J.R. Hauser, M.A. Littlejohn, C.K. Williams. // J. Electron. Mater., 1978, v. 7, p. 1.

166. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. Appl. Phys., 2001, v. 89, № 11, p. 5815-5875,

167. Н.П. Есина, H.B. Зотова. Механизмы рекомбинации избыточных носителей тока в арсениде индия и твердых растворах на его основе // ФТП, 1980, т. 14, вып. 2, с. 316-322.

168. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions, Phys. Rev., 1958, v. 109, p. 603.

169. Rhoderick B.H. Metal-Semiconductor Contacts. London: Oxford, 1980.

170. A. Krier, V.V. Sherstnev. Powerful interface light emitting diodes for methane gas detection // J. Phys. D: Appl. Phys., 2000, v. 33, p. 101-106.

171. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, A.A. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе // ФТП, 1986, т. 20, вып. 12, с. 2217.

172. Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм. Часть I. // ФТП, 2000, т. 34, вып. 11, с. 1396-1403.

173. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице Ii-типа в системе p-GalnAsSb/p-InAs // ФТП, 1998, т. 32, № 2, с. 215-220.

174. Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Поляризацияизлучения лазеров на основе двойной гетеростру ктуры ТпАзЗЬЛп/^ЬР // ФТП, 1995, т. 29, вып. 9, с. 1604-1609.