Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Стоянов Николай Деев

• Стоянов Николай Деев
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Стоянов Николай Деев

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Гетеропереходы II типа в системе СаБЬ-ЕпАв. Светодиоды и фотодиоды для среднего ИК диапазона на их основе.

1.1. Гетеропереходы II типа в системе ОаБЬ-ЬгАэ.

1.1.1. Материалы, образующие гетеропереходы II типа.\ \

1.1.2. Свойства бинарных соединений ваБЬ и ЬхАэ.

1.1.3. Зависимость основных параметров зонной структуры твердых растворов Оа1пАз8Ь и АЮаАзБЬ, изопериодных к подложке ваБЬ, от состава.

1.2. Электрические свойства гетероструктур. Механизмы протекания токов.^

1.2.1. Основные механизмы протекания тока в гетеропереходах.

1.2.2. Особенности электрических свойств разъединенных гетеропереходов II типа. 1.3. Люминесцентные свойства гетероструктур.

1.3.1. Фотолюминесценция изотипных ступенчатых р-ОаЬгАзЗЬ/Р-ОаБЬ гетероструктур II типа.

1.3.2. Фотолюминесценция п-Оа1пА88Ь/Ы-Оа8Ь гетероструктур.

1.3.3. Электролюминесценция М-п-Р и М-р-Р структур ОаБЬ/ СаГо^Ь/СаБЬ.

1.3.4. Подавление оже-рекомбинации на гетерограницах II типа.

1.4. Светодиоды и фотодиоды для спектрального диапазона 1.6-5.0 мкм.

1.4.1. Светодиоды для спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм.

1.4.2. Светодиоды для спектрального диапазона 2.7-5.0 мкм.

1.4.3. Фотодиоды для спектрального диапазона 2.7-4.6 мкм.

1.5. Выводы к I главе.

ГЛАВА 2. Методика эксперимента.

2.1. Предварительные замечания.

2.2. Выбор гетероструктур для создания светодиодов и фотоприемников в средней ИК области.

2.3. Выбор конструкции светодиодов и фотодиодов для средней ИК области

-32.4. Установка для измерения спектральных характеристик светоизлучающих и фото чувствительных приборов.

2.5. Описание методики определения полной мощности на основе спектральных измерений.

2.6. Особенности измерения спектральной плотности мощности. Коррекция формы спектра.

2.7. Выводы к II главе.

ГЛАВА 3. Мощные светодиоды для спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/GalnAsSb (Xjn<28%).

3.1. Предварительные замечания. ^

3.2. Расчеты зонных диаграмм и параметров исследуемых гетероструктур GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb.

3.3. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в гетероструктурах.

3.4. Спектральные и мощностные характеристики светодиодов для диапазона 2.0-2.4 мкм.

3.5. Спектральные и мощностные характеристики светодиодов для диапазона 1.6-2.0 мкм. gg

3.6. Увеличение квантового выхода 1.85 мкм светодиодов GaSb/ Gao.945lno.o55AsSb/Alo.34Gao.66AsSb за счет введения буферного слоя.

3.7. Применение светодиодных гетероструктур тиристорного типа n-GaSb/ p-GaSb/n-GalnAsSb/P-AlGaAsSb для увеличения квантового выхода 1.95 мкм светодиодов.

3.8. Высокоэффективные светодиодные структуры n-AlGaAsSb/ n-(Al)Ga(As)Sb/p-AlGaAsSb для спектрального диапазона 1.65-1.75 мкм.

3.9. Выводы к III главе.

ГЛАВА 4. Новый подход к созданию высокоэффективных светодиодов для спектрального диапазона 3.4-4.4 мкм на основе твердых растворов InGaAsSb (Xi„>80%) , изопериодных к подложке GaSb.

4.1. Предварительные замечания.

4.2. Спектральные и ватт-амперные характеристики светодиодных pPnN гетероструктур GaSb/AlGaAsSb/InGaAsSb/AlGaAsSb. Ill

4.3. Исследование токовой зависимости максимума спектров излучения в длинноволновых светодиодах 3-4 мкм на основе nNnP гетероструктур л GaSb/AlGaAsSb/InGaAsSb/AlGaAsSb.

-44.4. Анализ измеренных спектральных зависимостей.

4.5. Использование двойных гетероструктур с разъединенными гетеропереходами II типа GaSb/InGaAsSb. ^^

4.6. Выводы к IV главе.

ГЛАВА 5. Создание и исследование фотодиодов для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм, на основе разъединенных гетеропереходов в системе GaSMnGaAsSb, работающих при комнатной температуре.

5.1. Предварительные замечания.

5.2. Фотодиодные гетероструктуры на основе InGaAsSb.

5.3. Вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики фотодиодов.

5.4. Исследование и анализ спектральных характеристик.

5.5. Основные характеристики фотодиодов для диапазона 1.5-^-4.8 мкм, работающих при комнатной температуре.

5.6. Выводы к V главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs»

Актуальность создания высокоэффективных светодиодов и фотодиодов для спектрального диапазона 1.6-5.0 мкм

Известно, что характеристические полосы поглощения целого ряда важных химических соединений лежат в средней ИК области спектра. Среди них вода и ее пары (1.94 мкм, 2.75-2.85 мкм), метан (1.65 мкм, 2.3 мкм, 3.3 мкм), двуокись углерода (2.65 мкм, 4.27 мкм), окись углерода (2.34 мкм, 4.67 мкм), ацетон (3.4 мкм), аммоний (2.25 мкм, 2.94 мкм), окислы азота (4.08-4.44 мкм) и многие другие неорганические и органические вещества. Сенсоры природного газа (метана), концентрации двуокиси углерода, окиси углерода и других загрязнителей нужны практически в каждом доме, каждом помещении.

Новым перспективным направлением использования оптических сенсоров является создание приборов неинвазивной (бесконтактной) медицинской диагностики. В них, как правило, используется линейка источников, излучающих на разных длинах волн в инфракрасной области.

На данный момент существует быстроразвивающийся рынок оптических газоанализаторов, в которых используются тепловые источники инфракрасного излучения. Из широкого спектра излучения черного тела с помощью оптических фильтров вырезается нужный спектральный диапазон. Несмотря на определенный прогресс в развитии химических и адсорбционных газовых сенсоров, оптические сенсоры обладают бесспорными преимуществами, такими как высокая селективность, устойчивость к агрессивной внешней среде, высоким быстродействием.

Создание достаточно эффективных светодиодов, перекрывающих диапазон 1.6-5.0 мкм дает ряд бесспорных преимуществ создателям оптических газоанализаторов. Светодиоды обладают на три порядка более высоким быстродействием, миниатюрными размерами, низкой потребляемой электрической мощностью, простотой конструкции (не нужны фильтры и вакуум вокруг проволочки), обладают существенно большим временем жизни, при массовом производстве их себестоимость ниже.

Последние десятилетия в ФТИ им. А.Ф. Иоффе активно исследовались четверные твердые растворы в системе СаБЬ-ЬгАэ, выращиваемые на подложках ваБЬ или 1пАз, с целью создания излучателей и приемников ИК излучения для диапазона 1.6-5.0 мкм. Подобные исследования проводятся так же в Ланкастерском Университете, Англия, Университете в Монпелье, Франция, центральной исследовательской лаборатории фирмы Хамаматсу, Япония и в ряде других научных групп. Но разработанные до сих пор светодиоды данного спектрального диапазона обладали рядом недостатков, затрудняющих их использование в системах газоанализа и медицинской диагностики.

Целью данной диссертационной работы Целью данной диссертационной работы являлось исследование люминесцентных свойств гетероструктур П типа в4 системе СаЬгАзЗЬ/СаБЬ и создание на их основе светодиодов с улучшенными мощностными и спектральными характеристиками и высокоэффективных фотодиодов, работающих при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.6-5-4.8 мкм.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- создание и исследование широкого класса высокоэффективных светодиодных гетероструктур П типа для спектрального диапазона 1.6-5-2.4 мкм с четверным твердым раствором ОаЬгАзЗЬ (0<Хы<0.28) в активной области; разработка светодиодных тиристорных гетероструктур для спектрального диапазона 1.6-5-2.4 мкм с целью преодоления утечки дырок через гетеропереход П типа;

- применение нового подхода к созданию длинноволновых (3-5-4 мкм) светодиодных гетероструктур, выращенных на подложке ваБЬ, с использованием узкозонных четверных твердых растворов ЬЮаАзЗЬ (Хь!>70%) в качестве активной области и широкозонных твердых растворов АЮаАзЗЬ для ограничения носителей заряда.

- исследование электрических и фотоэлектрических свойств разъединенных гетероструктур СаЗЬЛпСаАзЗЬ/СаЗЬ и создание на их основе фотодиодов с диапазоном чувствительности 2.0-5-4.8 мкм, работающих при комнатной температуре.

Научная новизна:

1) Исследованы э л ектро люминесцентные характеристики, а так же их температурные зависимости (-20°С<Т<80°С) для светодиодных гетероструктур П типа с четверным твердым раствором Оа1пАз8Ь (0<Хы<0.28) в активной области, перекрывающим спектральный диапазон 1.6-2.4 мкм. Определены факторы, ограничивающие квантовый выход.

2) Созданы и исследованы светодиодные тиристорные гетероструктуры п-ваБЬ/ р-ОаЗЬ/п-ЬЮаАзЗЬ/Р-АЮаАзЗЬ, в которых достигнуто увеличение квантового выхода за счет эффективного удержания дырок в области гетерограницы П типа р-СаЗЬ/п-СаЬгАБЗЬ.

3) Созданы длинноволновые (3.6-5-4.4 мкм) многослойные светодиодные гетероструктуры ОаЗЬ/АЮаАзЗЬЛпСаАзЗЬ/АЮаАзБЬ пМпР и рРпЫ типа, в которых узкозонный активный слой зажат между двумя широкозонными слоями АЮаАзБЬ, а так же структуры СаЗЬ/АЮаАзЗЬ/СаЗМпСаАзЗЬ/ОаЗЬ/АЮаАзЗЬ аМгшрР и рРрппЫ типа, с разъединенными гетеропереходами СаЗМпОаАзБЬ с двух сторон активной области.

Обнаружены и исследованы два канала излучательной рекомбинации в этих структурах при Т=300 К с энергиями переходов 0.295 эВ (межзонный) и 0.331 эВ (интерфейсный).

4) Предложен новый подход к созданию длинноволновых фотодиодных гетероструктур на основе разъединенных гетеропереходов П типа GaSb/InGaAsSb (0.03<Хса<0.12) с диапазоном чувствительности при комнатной температуре 2.0-^4.8 мкм. Исследованы их электрические и фотоэлектрические характеристики. На основе анализа результатов выбрана оптимальная фотодиодная конструкция P-GaSb/p-InGaAsSb/ n-InGaAsSb/P-GaSb.

Практическая ценность работы:

1) Созданы высокоэффективные светодиодные гетероструктуры, излучающие на восьми разных длинах волн в спектральном диапазоне 1.6-5-2.4 мкм. Достигнуты значения средней оптической мощности до 3.5 мВт и пиковой оптической мощности до 180 мВт.

2) Впервые созданы светодиоды, излучающих на длинах волн 3.75 мкм и 4.2 мкм на основе изопериодных к подложке GaSb твердых растворов InGaAsSb (Хь,>80%). Пиковая оптическая мощность светодиодов с максимумом излучения в районе 3.75 мкм достигала 2.8 мВт.

3) Созданы фотодиоды для спектрального диапазона 1.5-^-4.8 мкм, работающие при комнатной температуре, на основе разъединенных гетеропереходов П типа GaSb/InGaAsSb. Обнаружительная способность при Т=77 К достигала D3-8*=4.4*1010 cm.Hz"1/2/W, а при Т=300К D4.7*=4.1*108 cm.Hz-1/2/W. Данное значение увеличивается до D4.5*=2*109cm.Hz"1/2/W, при использовании термоэлектрического охлаждения.

4) Разработана конструкция светодиодов и фотодиодов с встроенным миниатюрным термохолодильником и термосенсором, которая позволяет улучшить существенно параметры приборов, за счет охлаждения структуры, а так же стабилизировать параметры при неглубоком охлаждении, что очень важно с учетом применений светодиодов и фотодиодов в приборах экологического мониторинга и медицинской диагностики. Были так же созданы светодиодные многоцветные матрицы, позволяющие сканировать определенный спектральный диапазон.

На защиту выносятся следующие научные положения: 1. В источниках спонтанного излучения на основе изопериодных гетероструктур с четверным твердым раствором GalnAsSb (0<Хы<0.20) в активной области и двухсторонним AlGaAsSb (Xai=0.64) широкозонным ограничением носителей заряда в квази-непрерывном режиме получены значения внутреннего квантового выхода в диапазоне 40-60% за счет эффективного удержания носителей при высоких уровнях инжекции. В импульсном режиме достигнуто значение пиковой оптической мощности 180 мВт. Главным фактором, ограничивающим квантовый выход, является утечка дырок через гетеропереход П типа.

2. Светодиодная гетероструктура тиристорного типа n-GaSb/p-GaSb/ n-GalnAsSb/p-AlGaAsSb обеспечивает эффективную локализацию дырок и электронов с двух сторон гетерограницы П типа p-GaSb/n-GalnAsSb, что создает оптимальные условия для излучательной рекомбинации и увеличивает предельно достижимую оптическую мощность почти в два раза по сравнению с аналогичной гетероструктурой диодного типа.

3. В длинноволновых светодиодах на основе симметричных изопериодных гетероструктур GaSb/AlGaAsSb/InGaAsSb/AlGaAsSb (nNnP и pPnN типа проводимости) с содержанием галлия в активной области 0.03<Хоа<0.15 при низких уровнях инжекции наблюдаются межзонные излучательные рекомбинационные переходы с энергией фотонов hv=0.295 эВ (к=4.2 мкм), а при увеличении уровня инжекции часть инжектированных •»дырок локализуется вблизи потенциальной ямы для электронов на гетерогранице N-AlGaAsSb/n-InGaAsSb и излучательно рекомбинирует с энергией hv=0.331 эВ, (А.=3.75 мкм), соответствующей переходу электронов с уровня Ферми в потенциальной яме на потолок валентной зоны.

4. На основе разъединенных гетероструктур П типа P-GaSb/ p-InGao.o9AsSb/n-InGao.o9AsSb/P-GaSb созданы фотодиоды, работающие при комнатной температуре, с широким диапазоном чувствительности 2.0-4.8 мкм. В этих фотодиодах р-п переход в активной области обеспечивает эффективное разделение генерированных носителей, а разъединенный гетеропереход n-InGaAsSb/P-GaSb выполняет роль омического контакта между активной областью и широкозонным окном.

Апробация работы: Результаты работы докладывались на следующих международных конференциях и семинарах: Наноструктуры: Физика и технология (Санкт-Петербург, Россия, 1996); Международный симпозиум по полу-проводниковым приборам ISDRS (Шарлоттесвил, США, 1997); Международная конференция по тонким слоям и поверхности ICSFS IX (Копенгаген, Дания, 1998); Материалы и приборы для средней ИК оптоэлектроники MIOMD Ш (Аахен, Германия, 1999); XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 2000); Материалы и приборы для средней ИК оптоэлектроники MIOMD V (Монпелье, Франция, 2001);Международная выставка-семинар LED Expo (Сеул, Корея, 2003); Материалы и приборы для средней ИК оптоэлектроники MIOMD VI (Санкт

Петербург, Россия, 2004); Международная выставка-семинар LED Expo (Сеул, Корея, 2004).

Образцы созданных светодиодов и фотодиодов для средней ИК области представлялись на международных выставках "Российский Промышленник" и "Высокие технологии", Санкт-Петербург с 1998 по 2004 гг. Данные экспозиции были награждены шестью дипломами и золотой медалью ("Высокие технологии-2002").

Публикации: По материалам диссертации опубликовано 14 работ, список которых приведен в конце диссертации. Работа "Высокоэффективные светодиоды на 3.4-4.4 мкм на основе p-AlGaAsSb/n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb, работающие при комнатной температуре" получила премию МАИК "Наука/интерпериодика" за 2001 год как лучшая публикация в журналах издательства в области физики и математики.

Структура диссертации: Диссертация состоит из введения, пяти глав, приложения и заключения. Она содержит 172 страниц текста, 110 рисунков, 9 таблиц и список литературы из 117 работ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Стоянов Николай Деев

Основные результаты данной работы представлены в следующих публикациях:

1. М.П. Михайлова, С.В. Слободчиков, Н.Д. Стоянов, Н.М. Стусь и Ю.П. Яковлев "Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP/InAs для спектрального диапазона 3-5 мкм" // Письма в ЖТФ, 1996, том 22, стр. 63-66.

2. A.G. Gorbatyuk, М.Р. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, N.D. Stoyanov, O.V. Andreychuk and Yu.P. Yakovlev "Negative differential resistance and radiative recombination in type П broken-gap p-GalnAsSb/n-InAs single heterojunctions // Proc. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 1996, pp.62-65.

3. M.P. Mikhailova, B.E. Zhurtanov, K.D. Moiseev, O.G. Ershov, T.I. Voronina, O.V. Andreychuk, N.D. Stoyanov and Yu.P. Yakovlev "Mid-infrared electroluminescence and lasing in AlGaAsSb/InGaAsSb double heterostructures with asymmetric band offset confinements" // Proceedings ISDRS, Charlottesville 1997, pp.563-566.

4. C.C. Кижаев, М.П. Михайлова, C.C. Молчанов, Н.Д. Стоянов и Ю.П. Яковлев "Выращивание InAs фотодиодных структур из металлорганических соединений" // Письма в ЖТФ, 1998, том 24, №7, стр. 1-7.

5. M.Maksjutenko, A.Maksyutenko, V.Tolstinskiy, M.Mikhailova, V.Sherstnev, A.Astakhova, N.Stoyanov and Yu.P.Yakovlev "Application of 3.23 цш LEDs in Portable Gas Analyser for CH4 detection" // Proceeding MIOMD III Aachen 1999

6. Б.Е. Журтанов, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Т.Н. Воронина, Н.Д. Стоянов и Ю.П. Яковлев "Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре П типа AlGaAsSb/InGaAsSb" // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.З стр.357-361.

7. K.D. Moiseev, М.Р. Mikhailova, B.E. Zhurtanov, T.I. Voronina, O.V. Andreychuk, N.D. Stoyanov and Yu.P. Yakovlev "Electroluminescence and lasing in type II Ga(Al)Sb/InGaAsSb heterostructures in the spectral range 3-5 цт" // Applied Surface Science, 1999, Vol.142, pp.257-261.

8. Н.Д. Стоянов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, О.В. Андрейчук, И.А. Андреев, М.А. Афраилов и Ю.П. Яковлев "Неохлаждаемые фотодиоды для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм на основе гетеропереходов П типа в системе GaSb/GalnAsSb" // XVI Международная конференция по фотоэлектрике и приборам ночного видения, Москва, 2000, Тезисы докладов стр. 112-113.

9. В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов и Ю.П. Яковлев "Светодиоды для диапазона 2.6-2.8 мкм на основе твердых растворов InAsSbP предельного состава" // Письма в ЖТФ, 2001, том 27, №14, стр. 80-87.

10. Б.Е. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.Е. Розов, Н.Д. Стоянов и Ю.П. Яковлев "Высокоэффективные светодиоды на 3.4-4.4 мкм на основе p-AlGaAsSb/n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb, работающие при комнатной температуре" // Писма в ЖТФ, 2001, том 27, вып.5 стр. 1-7.

11. Н.Д. Стоянов, М.П. Михайлова, О.В. Андрейчук, К.Д. Моисеев, И.А. Андреев, М.А. Афраилов и Ю.П. Яковлев "Фотодиоды на основе гетеропереходов П типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм" // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.4 стр.467-473.

12. M.P.Mikhailova, N.D.Stoyanov, O.V.Andreychuk, K.D.Moiseev, LA.Andreev, Yu.P.Yakovlev and M.A.Afrailov "Type II GaSb based photodiodes operating in spectral range 1.5-4.8 jim at room temperature" // IEE Proc.-Optoelectron. 2002, Vol.149, pp. 4144.

13. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков и Ю.П. Яковлев "Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга" // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 стр.996-1009.

14. А.П. Астахова, А.Н. Баранов, А. Висе, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Н.Д. Стоянов, А. Черняев, Д.А. Яреха и Ю.П. Яковлев "Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2.02.4 мкм" // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.4 стр.502-507.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Стоянов Николай Деев, 2005 год

1. АлферовЖ.И. Физикам жизнь//Изд.2-е, М.; СПб.: Наука, 2001

2. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Гетеропереходы AlxGai.xAs-GaAs // Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов, отв.ред. Рыбкин С.М., Шмарцев Ю.В., Л., 1969 стр.260-267

3. Milnes A. and Feucht D.L. "Heterojunctios and Metal-Semiconductor Junctions" // New York: Academic, 1972

4. Pearsall T.P. (ed) "GalnAsP Alloy Semiconductors" // New York: Willey, 1982

5. Haase M., Emanuel M.A, Smith S. C., Coleman J.J. and Stillman G.E. "Band discontinuities in GaAs/AltGai-xAs heteroj unction photodiodes" // 1987 Appl. Phys.Lett. vol.50, p.404

6. Esaki L. "A bird's-eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells" //1986 IEEE J. Quantum.Electron. vol.22, p.1611-1624

7. Sai-Halasz C.A.H., Esaki L. and Harrison W. "InAs-GaSb superlattice energy structure and 1st semiconductor semimetal transition" // 1978 Phys.Rev. Vol.18 No6, p. 2812

8. Munekata H., Mendez E.E., lye Y. and Esaki L. "Densities and mobilities of coexistingelectrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantum wells" // Surf.Sci.,1986,Vol.l74, p.449

9. Kroemer H. and Griffiths G Electron Device Lett. // 1983, Vol.4 , p.20

10. Wilson В IEEE J.Quantum Electron. "Carrier dynamics and recombination mechanisms in staggered-alignment heterostructures" // 1988, Vol.24 p. 1763-1777

11. Melnikova Yu. S. Fiz.Tekh.Poluprovodn. // 1980, Vol.14, p.1763

12. Dohler G "Electron-hole subbands at the GaSb-InAs interface" // Surf.Sci. 1980, Vol.98. pp.108-116

13. Caine E.Y., Subbana H., Kroemer H., Metz Y.L. and Cho A.Y. "Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable below-gap radiation: Experimental verification" // Appl.Phys.Lett. 1984, Vol.45, p.l 123

14. Титков A.H., Чебан B.H., Баранов A.H., Гусейнов А.А. и Яковлев Ю.П. "Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур П типа GalnAsSb/GaSb" // ФТП, 1990, том 24, стр.1056-1061

15. Baranov A.N., hnenkov A.N., Mikhailova М.Р., Rogachev A.A., Titkov A.N. and Yakovlev Yu.P. "Staggered-lineup heteroj unction in the system of GaSb-InAs" // Superlatt. Microstruct. 1990, Vol.8 No4, p.37518.