Ионно-лучевой синтез тонких пленок в неметаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Петухов, Владимир Юрьевич

• Петухов, Владимир Юрьевич
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Петухов, Владимир Юрьевич

СОДЕРЖАНИЕ

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ЭФФЕКТЫ, ВОЗНИКАЮЩИЕ ПРИ ВЫСОКОДОЗНОЙ

И ВЫСОКО ИНТЕНСИВНОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ .25 1.1. Нагрев образца при квазинепрерывной ионной

имплантации

1.1.1. Расчет температурных полей в образце при сканирующей ионной имплантации

1.1.2. Компьютерное моделирование тепловых полей

1.2. Аномально высокое радиационное распухание (свеллинг)

1.2.1. Модель вакансионного радиационно-стимулиро-ванного распухания

1.2.2. Экспериментальные зависимости вакансионного распухания от режимов и условий имплантации

для различных исходных матриц

1.3. Изменение микрорельефа и оптических свойств.

Эффект почернения

1.3.1. Трансформация микрорельефа поверхности в процессе ионной имплантации

1.3.2. Изменение коэффициента отражения полупроводников, имплантированных ионами с большой дозой

Выводы по Главе I

ГЛАВА II. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ: ФОРМИРОВАНИЕ СИЛИЦИДОВ 31) - МЕТАЛЛОВ В КРЕМНИИ

2.1. Структура и фазовый состав ионносинтезированных

силицидов в кремнии

2.1.1. Дозовая зависимость фазового состава. Минимальная доза начала ионного синтеза

2.1.2. Влияние плотности потока ионов и температуры образца

на фазовый состав ионносинтезированных силицидов

2.1.3. Фазовый состав мезотаксиальных слоев силицидов

2.1.4. Влияние постимплантационных обработок

A. Термический отжиг

Б. Лазерная обработка

B. Быстрый термический отжиг

2.2. Ионный синтез при одновременной имплантации

2.2.1. Синтез сложных силицидов

2.2.2. Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Fe и Со в кремний

2.3. Ионно-лучевой синтез тонких ферромагнитных пленок в кремнии

2.3.1. Изменение магнитных свойств кремния при имплантации Зс1-элементов с малыми дозами

2.3.2. Образование ферромагнитного слоя при имплантации

ионов Fe+ в Si

Особенности ФМР в тонких пленках

1. Одноосная анизотропия

2. Одноосная анизотропия в плоскости пленки

3. Магнитокристаллическая анизотропия

A. Поликристалл. Модель независимых зерен

B. Гранулярная тонкая магнитная пленка. Несферические частицы

2.3.3. Зависимость магнитных свойств от режимов имплантации

2.3.4. Структура тонких ферромагнитных пленок Суперпарамагнетизм ионносинтезированных тонкой ферромагнитной пленки

2.3.4.1. Суперпарамагнитное поведение тонкой гранулярной ферромагнитной пленки

2.3.4.2. Размер и форма суперпарамагнитных частиц

ГЛАВА III. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ В ДИЭЛЕКТРИКАХ И

ПОЛИМЕРАХ

3.1. Имплантация ионов Зс1-металлов в полиметилметакрилат

3.1.1. Структура и фазовый состав

3.1.2. Магнитные и магнитооптические свойства

3.1.3. Электрические свойства

3.1.4. Влияние постимплантационных энергетических обработок

3.2. Особенности ионного синтеза ферромагнитных пленок в полиэтилентерефталате

3.3. Ионно-лучевой синтез в кварце

Выводы по Главе III

ГЛАВА IV. ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СИНТЕЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ

4.1. Ионно-лучевой синтез ВТСП пленок при бомбардировке керамики ЕГ2О3 - ВаО ионами Си+

4.2. Тетра-орто переход, индуцированный имплантацией ионов

галогенов в несверхпроводящую керамику УВагСщОб

4.3. Получение тонких эпитаксиальных высокотемпературных УВагСизОу пленок методом ионно-лучевого синтеза

4.3.1. Проблемы и особенности, возникающие при имплантации ионов в тонкие монокристаллические слои типа "1-2-3"

4.3.2. Имплантация ионов кислорода

Выводы по Главе IV

ГЛАВА V. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ И ОСОБЕННОСТИ

ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ

МАТРИЦАХ

5.1. Механизмы ионно-лучевого синтеза

5.1.1. Зарождение новой фазы

5.1.2. Первая зарождающаяся фаза

5.1.3. Рост новой фазы. Кинетический механизм роста

5.2. Фазовый состав ионносинтезированных пленок

5.2.1. Влияние температуры образца во время имплантации и плотности потока ионов на фазовый состав первой зарождающейся фазы

5.2.2. Изменение фазового состава по мере набора дозы

5.2.3. Влияние последующих энергетических обработок

5.3. Мелкодисперсность ионносинтезированных слоев

5.3.1. Формирование наноструктур и сверхрешеток

5.3.2

ионносинтезированных пленок

5.4. Влияние ионного распыления на процессы ионно-лучевого синтеза

5.4.1. Изменение микрорельефа поверхности при ионно-лучевом синтезе

5.4.2. Ограничения по концентрации синтезированной фазы вследствие ионного распыления

5.4.3. Изменение оптических свойств

5.5. Ионно-лучевой синтез мезотаксиальных гетероструктур

ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

АВТОРСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

А - параметр обменного взаимодействия A (r,t) - функция потерь энергии а, Ь, с - постоянные решетки С - теплоемкость

С(х) - концентрация атомов (ионов )

Сп - слоевая концентрация внедренных атомов

D - коэффициент диффузии

AD - разность размагничивающих факторов для эллипсоида вращения в

направлениях малой и большой полуоси d - толщина имплантированного слоя

d30 - глубина десятикратного ослабления рентгеновского пучка

Е - энергия ионов

Ed - пороговая энергия смещения

Ек - энергетический барьер комплексообразования

Ещ - энергия миграции вакансий

AEg- ширина запрещенной зоны

8Ек-калибровочный множитель в ОРР

(dE\

— - максимальное значение потерь энергии на ядерные л,max

столкновения на единицу пути AEq - квадрупольное расщепление 5Е - изомерный сдвиг f - частота сканирования пучка ионов G - электропроводность G(F,/) - функция источника энергии G( х, t) - скорость генерации вакансий g - g-фактор

Н - коэффициент, характеризующий тепловой поток из пластины в

подложку На - внутреннее поле анизотропии Нс- коэрцитивная сила Hi - внутреннее магнитное поле на ядре Н0 - резонансное магнитное поле

На - величина выхода в канале для ионов, рассеянных на атомах (Si) Нэфф - эффективное поле анизотропии АН - ширина линии магнитного резонанса

h - величина ступеньки на границе облученной и необлученной части образцов

j - плотность ионного тока (плотность потока ионов) Ка - константа одноосной магнитной анизотропии

Ki - кинетический коэффициент образования вакансионного комплекса

из (i + 1) вакансии к - постоянная Больцмана L - амплитуда сканирования пучка

Ьу - длина диффузии вакансий

1 - ширина пучка ионов

I - размер неоднородностей

Мл - масса бомбардирующего иона

Мв - намагниченность насыщения

Мэфф - эффективная намагниченность насыщения

N1,- концентрации элементарных точечных дефектов - компонентов пар Френкеля

N1 - концентрация комплекса из ¡-вакансий

Кто - число вакансионных комплексов из т-вакансий, отнесенных к единице

площади поверхности Кх, N2 -размагничивающие факторы п -коэффициент преломления Я - нормаль к поверхности Р - мощность

Я - коэффициент отражения

Яр, АЯр - средний проецированный пробег ионов и стандартное отклонение Яв - слоевое сопротивление

Б - коэффициент распыления (ионного травления)

- скорость поверхностной аннигиляции вакансий Т - температура

Тк -температура Кюри

Тс - температура сверхпроводящего перехода Тв - температура образца во время имплантации Тотж - температура отжига АТс - ширина сверхпроводящего перехода I - время

- характеристическое время измерения V - объем частицы

- плотность энергии

Ха, АХ а - среднее значение и стандартное отклонение профиля

распределения вакансий XI - "выключатель" пучка ионов х - относительная концентрация

а - температурный коэффициент сопротивления ар - Фарадеевский угол вращения поляризации

(3- угол скольжения рентгеновского пучка относительно поверхности

образца у - гиромагнитное отношение е - излучательная способность

- эффективное поперечное сечение

г| - коэффициент ослабления рентгеновского пучка 9 - угол между М5 и Я

Он - угол между Н0 и Я

А/г - коэффициент теплопроводности

А, - длина волны света

/л - магнитный момент частицы

- отношение малой оси эллипсоида вращения к большой vs - поверхностная плотность частиц р- плотность

ре - удельное сопротивление о - постоянная Стефана-Больцмана

asi - дифференциальное сечение рассеяния для атомов (Si) г - время тепловых флуктуаций

Тс - характеристическое время комплексообразования XD- время диффузии

ту - время жизни неравновесных вакансий Ф - доза имплантации Фа - доза аморфизации

ф - угол между fi и Н

Xmin - минимальный выход обратнорассеянных каналированных ионов со - круговая частота СВЧ колебаний

а -аморфная

БИС - большая интегральная схема

БТО - быстрый термический отжиг

ВТСП - высокотемпературный сверхпроводник

ДТМА - дифференциальный термомагнитный анализ

ИИ - ионная имплантация

ИК - инфракрасный

ИЛС (ИС) - ионно-лучевой (ионный) синтез КРТ - твердый раствор кадмий-ртуть-теллур

МСКЭ - мессбауэровская спектроскопия конверсионных электронов

ОРР - обратное резерфордовское рассеяние

ОЦК - объемноцентрированная кубическая

ПММА - полиметилметакрилат

ПЭТФ - полиэтилентерефталат

р - поликристаллическая

РФА - рентгеновский флюоресцентный анализ

с - монокристаллическая

СБИС - сверхбольшие интегральные схемы

СКВИД - сверхпроводящий квантовый магнитометр

ТО - термический отжиг

ТМП - тонкая магнитная пленка

ТФП - тонкая ферромагнитная пленка

ФМР - ферромагнитный резонанс

ЭПР - электронный парамагнитный резонанс

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ионно-лучевой синтез тонких пленок в неметаллах»

ВВЕДЕНИЕ

Ионный или ионно-лучевой синтез ШЛС) - это процесс формирования с применением ионной имплантации (ИИ) новых фаз, отличных от исходной мишени по структуре и составу и состоящих из атомов матрицы и (или) внедренных атомов [1-4].

Первой опубликованной работой по ИЛС, по нашему мнению, следует считать статью М.И.Гусевой и Б.В.Александрия [5] (1961г.), где было показано, что при внедрении ионов и Ag+ с энергией 20 кэВ в медные подложки образуются новые фазы - тонкие слои, состоящие из атомов кремния и серебра, а также включений оксидов: БЮг, Ag20 и СиО. Позже появились работы М.Ватанабе [6] (1966), П.В.Павлова [7] (1967), А.Е.Городецкого [8] (1968) и другие. Однако до начала 80-х годов работ по ИЛС было не слишком много, и главная причина этого заключалась в отсутствии достаточно мощных ионных ускорителей.

Обычно, при ионном синтезе энергия внедряемых ионов составляет от десятков кэВ до единиц МэВ, доза - более 1016ион/см2 (когда концентрация внедряемых ионов становится достаточной для формирования необходимого количества новой фазы), температура мишени при облучении может быть как повышенной (до ~1000°С), так и комнатной или ниже, а плотность потока ионов обычно находится в пределах 1013 - 101бион/см2с.

Синтезируемые фазы формируются в тонком приповерхностном слое (< 1 мкм) в аморфном или кристаллическом состоянии непосредственно в процессе имплантации. Часто для кристаллизации и улучшения структуры синтезируемого соединения или для проведения последующих химических реакций используют постимплантационный термический или импульсный световой, электронный, ионный и другие виды отжига.

Так как ИЛС основан на использовании ионной имплантации, то можно было ожидать, что, благодаря некоторым уникальным особенностям ИИ, удастся реализовать ряд существенных преимуществ метода по сравнению с традиционными технологиями получения тонких пленок. Среди таких особенностей ИИ следует отметить следующие [1-4, А1]:

• чистота процесса;

• возможность получения однородной атомной смеси строго контролируемого состава;

• высокая воспроизводимость результатов;

• возможность получения заглубленных слоев и многослойных систем, что позволяет управлять различными химическими и механическими свойствами приповерхностных слоев;

• возможность проведения имплантации в широком интервале температур, включая как высокие, так и предельно низкие;

• высокая адгезия имплантированных слоев к подложке;

• возможность внедрения ионов на локальных участках мишени.

Метод ионного синтеза перспективен для решения как прикладных, так и чисто научных задач. В промышленности метод уже успешно используется в микроэлектронике (получение различных диэлектрических и полупроводниковых слоев), металловедении - для модификации физических и физико-химических свойств поверхности (увеличение износостойкости, микротвердости, коррозионной и термической стойкости и т.п.), магнитооптике, оптоэлектронике и многих других областях науки и техники.

Интерес с научной точки зрения обусловлен тем обстоятельством, что метод ионного синтеза позволяет изучать термодинамику неравновесных процессов, а также механизмы зарождения и роста новых фаз в различных твердых телах в зависимости как от состояния и структуры исходной матрицы (монокристаллы, поликристаллы, аморфные матрицы, полимеры и т.п.), так и от режимов и условий синтеза. При этом имеются уникальные возможности прецизионной доставки необходимой компоненты к области синтеза, а также проведения химической реакции при низких температурах всего образца.

Однако, несмотря на большой научный и практический интерес к ионному синтезу, за исключением обзорных докладов на научных конференциях и симпозиумах, обобщающих работ и монографий в этой области до сих пор практически нет. Между тем многие важные аспекты этого сложного физического процесса к моменту начала данной

диссертационной работы оставались либо не изученными, либо дискуссионными. В частности, авторы некоторых работ (см., например, [1]) высказывали предположение, что наблюдение новых фаз можно наблюдать в широком интервале доз, включая и достаточно малые (~1014-1015ион/см2), когда средняя концентрация внедренной компоненты далека от стехиометрической, однако достаточных экспериментальных результатов, подтверждающих это высказывание не было.

Целью данной диссертационной работы являлось комплексное экспериментальное исследование процессов зарождения и роста новых фаз в различных неметаллических матрицах, протекающих при имплантации быстрых ионов в режиме ионного синтеза, для установления основных закономерностей и особенностей этого неравновесного физического процесса, а также изучение возможностей применения ионного синтеза для формирования тонких субмикронных слоев различных химических соединений для микро- и наноэлектроники, оптики, магнитооптики и других областей науки и техники.

В данной работе мы ограничились изучением основных закономерностей и особенностей ИЛС лишь в неметаллических матрицах. Причина этого заключается в том, что поведение металлов под воздействием ИИ существенно отличается от такового для неметаллических материалов. В частности, в случае металлов, в отличие от полупроводников и диэлектриков, количество экспериментально наблюдаемых дефектов значительно меньше предсказываемого в рамках теории линейных каскадов. Можно отметить также, что коллапсирование дефектной области в аморфную зону в полупроводниках и в вакансионную петлю в металлах отражают существенно различную эффективность миграции точечных дефектов, а также влияние типа межатомных связей ( в частности, их направленность ) в этих материалах [9]. Все это приводит к различному характеру процессов, происходящих при ионном синтезе в этих материалах, и поэтому нам представляется неправомерным переносить экспериментально установленные закономерности и предложенные механизмы ионного синтеза в неметаллических матрицах на металлы.

Большинство приведенных в данной работе оригинальных результатов по ИЛС относится к диапазону малых и средних энергий ионов (< ЮОкэв). В тех случаях, когда энергия заметно влияет на результаты ИС в конкретных условиях, в тексте диссертации приведены соответствующие замечания.

Для достижения поставленной в работе цели автор избрал в диссертации индуктивный метод изложения: вначале, в первых четырех главах, детально изучены процессы формирования новых фаз и соединений в различных неметаллических матрицах, а также некоторые отличительные эффекты, характерные для высокодозной и высокоинтенсивной ИИ, а затем в Главе V проведен обобщающий анализ полученных результатов и определены основные закономерности и особенности процесса ИЛС в неметаллических матрицах. Выбор различных типов мишеней (кристаллы, аморфные структуры, полимеры) в качестве примеров обусловлен не только целями обобщения результатов исследования, но и потенциальными возможностями практического применения синтезированных структур в науке и технике.

Структурно диссертация состоит из введения, пяти оригинальных глав, выводов и заключения, авторского списка литературы, списка цитированной литературы и приложения.

Во введении дано определение ионно-лучевого синтеза, раскрыты потенциальные возможности данного метода, показана актуальность настоящих исследований и определена главная цель работы.

В последующих пяти оригинальных главах в начале каждой главы дается краткое изложение состояния проблемы на момент написания, а затем приводятся результаты исследований и их обсуждение.

Обычно ионный синтез проводится в режиме имплантации с высокими дозами и часто при повышенных плотностях потока ионов. Поэтому в первой главе изучены эффекты, сопутствующие высокодозной и высокоинтенсивной ионной имплантации и существенным образом влияющие на процесс ионного синтеза.

В первом параграфе этой главы рассмотрены процессы нагрева поверхности и приповерхностного слоя мишени при сканирующей ионной

имплантации, имеющей место в большинстве ионных ускорителей. Так как аналитический расчет температурных полей в образце при рассматриваемых условиях невозможен, проведено компьютерное моделирование процесса.

Во втором параграфе данной главы изучен эффект аномально высокого радиационно-стимулированного распухания (свеллинг) в полупроводниках. Для анализа зависимостей свеллинга от режимов ИИ рассмотрена модель вакансионного распухания и механизм коагуляционного порообразования, учитывающие генерацию точечных дефектов по гауссовскому закону по глубине, аннигиляцию, диффузию и коагуляцию их в более сложные вакансионные комплексы. На основе полученных аналитических зависимостей величины распухания от режимов и условий имплантации дано объяснение экспериментально наблюдаемым результатам.

В третьем параграфе первой главы приведены результаты исследований трансформации микрорельефа поверхности полупроводников и образования, в конечном итоге, колончатой структуры и объяснен экспериментально обнаруженный нами эффект значительного уменьшения коэффициента отражения (эффект почернения). На основе предложенной модели проведен расчет коэффициента отражения в видимом и ближнем ИК диапазонах длин волн света и дано сравнение с экспериментальными результатами.

Во второй главе диссертации приведены результаты по исследованию процессов ионного синтеза в полупроводниках на примере формирования силицидов при имплантации ионов переходных Зс1-металлов в кремний.

В первом параграфе этой главы изучено влияние режимов и условий имплантации и различных постимплантационных обработок на структуру и фазовый состав ионносинтезированных силицидов в кремнии. В этом же параграфе приведены результаты по изучению влияния различных видов постимплантационной обработки на фазовый состав и структуру ионносинтезированных силицидов.

Во втором параграфе второй главы рассмотрены примеры одновременной имплантации ионов двух различных элементов, впервые предложенной нами для ИЛС сложных многокомпонентных силицидов в

кремнии. Изучены и объяснены зависимости фазового состава синтезированных пленок от соотношения интенсивностей ионов в пучке для различных комбинаций 3d-элементе в.

В третьем параграфе данной главы приведены результаты по ионно-лучевому синтезу тонких ферромагнитных пленок в кремнии. При имплантации в кремний ионов Зс1-металлов с малыми дозами изменения магнитных свойств сводятся, по данным ЭПР, к появлению парамагнитных радиационных центров, таких как A-, E-, VV - центры. При больших дозах облучения кремния ионами железа в спектре магнитного резонанса наблюдается интенсивная широкая линия поглощения, обязанная ферромагнитному резонансу. Для объяснения наблюдаемой угловой зависимости спектров рассмотрены особенности ФМР в тонких пленках для различных возможных причин анизотропии. Из сравнения теории с экспериментом сделан вывод о том, что наблюдаемый спектр ФМР принадлежит тонкой гранулярной пленке, причем отдельные частицы представляют собой сплюснутые эллипсоиды вращения с большой осью, лежащей в плоскости пленки, а весь ансамбль частиц проявляет суперпарамагнитные свойства. Показано влияние метода исследования на проявление суперпарамагнитных свойств синтезированных пленок.

Третья глава диссертации посвящена рассмотрению ионно-лучевого синтеза в диэлектриках, в большей степени в полимерах.

В первом параграфе приведены результаты по исследованию ионного синтеза при имплантации ионов Зс1-металлов в полиметилметакрилат (ПММА). При дозах имплантации выше, чем 1017 ион/см2, в полимере появляются мелкодисперсные частицы вторичной фазы. Рентгенострук-турные, электронографические и мессбауэровские измерения показали, что основной фазой, образующейся при высокодозной имплантации ионов железа в ПММА в исследованных диапазонах плотностей ионного тока и температур образца во время облучения, являются частицы металлического a-Fe. Плотность ионного тока и температура образца при имплантации в случае ПММА обычно ограничена сверху значениями 4мкА/см2 и 80°С из-за возможной деструкции полимера. Форма синтезированных частиц, также

как и в случае ИЛС силицидов в кремнии, - сплюснутые эллипсоиды вращения с максимальными размерами частиц до ~ 100 нм. При этом на гистограмме объемного распределения синтезированной фазы по размерам частиц имеется два максимума: первый относится к малым частицам (до 20 нм), второй - к крупным с диаметром в плоскости пленки 60-100 нм. Изучено влияние мелкодисперсности пленки на магнитные и электрические свойства синтезированной системы. Установлена взаимосвязь эффективной намагниченности насыщения пленки с изменением параметра эллиптичности частиц в результате их коалесценции в размягченном во время действия лазерного пучка полимере.

Во втором параграфе третьей главы показаны особенности ионного синтеза ферромагнитных пленок в другом полимере - полиэтилентерефталате (ПЭТФ). Данный полимер отличается от предыдущего высокой степенью кристалличности, сравнительно высокими температурами плавления и разложения. Отличительными особенностями ИЛС в ПЭТФ является существенно меньшая пороговая доза формирования ферромагнитной фазы

в 2 раза) и вдвое большее значение эффективной намагниченности насыщения по сравнению с пленками в ПММА. Такие отличия связаны со структурой и строением ПЭТФ.

В третьем параграфе данной главы рассмотрены структура и свойства ионносинтезированных слоев в плавленом кварце. Относительно невысокая электропроводность полученной пленки по сравнению с обычными значениями для ансамбля металлических частиц в диэлектрических матрицах объясняется достаточно высоким коэффициентом ионного распыления для использованной в данном эксперименте исходной матрицы, что приводит к образованию ультрадисперсных частиц металла малого размера (порядка

о

50 А ). При этом объемная концентрация металла в максимуме распределения по глубине не превышает 25 %, что с учетом квазидвумерности системы не обеспечивает эффективного действия перколяционного механизма в электропроводности синтезированной пленки.

Глава IV диссертации посвящена исследованию модификации физических свойств высокотемпературных сверхпроводников методом ионной имплантации.

В первом параграфе приведены результаты по ИЛС ВТСП слоев путем имплантации ионов меди в несверхпроводящую керамику Ег203 - ВаО. Было установлено, что при некоторой пороговой дозе имплантации (Ф ~ 1017 ион/см2) имплантированный слой приобретает сверхпроводящие свойства. Температура сверхпроводящего перехода Тс сильно зависит от плотности потока ионов, увеличиваясь с ее ростом. Увеличения Тс можно добиться также имплантацией при повышенной температуре мишени. Однако переход в сверхпроводящее состояние оказывается сильно затянутым во всех случаях, что является следствием большого числа радиационных нарушений, а также многофазности синтезированного слоя.

Во втором параграфе четвертой главы изучено влияние имплантации ионов галогенов на фазовый переход исходной тетрагональной керамики состава УВа2Си30б в сверхпроводящее соединение с орторомбической структурой. Было установлено, что внедрение ионов хлора в кислороднодефицитную керамику при определенных условиях приводит к фазовому тетра - орто переходу, сопровождающемуся синтезом соединения УВа2Си30хС1у, обладающего сверхпроводящими свойствами. Для успешного проведения синтеза необходимого соединения имплантация должна проводиться в предварительно нагретую мишень. В этом случае имеет место диффузионное уширение профиля распределения имплантированных ионов, причем большая часть радиационных дефектов отжигается, а кристаллическая структура улучшается.

Третий параграф данной главы посвящен вопросу изучения процесса ИЛС тонких эпитаксиальных УВа2Си307 пленок в различных несверхпроводящих монокристаллах.

ИЛС тонких монокристаллических ВТСП пленок требует решения ряда сложных проблем, основной из которых является аморфизация бомбардируемого слоя с соответствующей деградацией сверхпроводящих свойств. Для предотвращения этого эффекта нами использовались режимы

«горячей» имплантации и самоотжиговый режим. Эти режимы позволяют предотвратить аморфизацию исходной мишени. Однако в случае тонкопленочных образцов, вследствие высокой радиационноускоренной диффузии и наличия близких мощных стоков (поверхность и задняя граница пленки), происходит эффективный уход атомов кислорода и обеднение им бомбардируемого слоя, что делает невозможным достижение необходимого стехиометрического состава. Поэтому нами предложено высокодозную имплантацию проводить через тонкие антидиффузионные защитные покрытия. При выполнении указанных условий был определен достаточно узкий диапазон оптимальных значений основных параметров и режимов имплантации (температура, доза, энергия, плотность ионного тока, состав и толщина защитных покрытий).

В главе V исследованы основные закономерности ионно-лучевого синтеза в неметаллических матрицах.

В первом параграфе рассмотрены механизмы ионно-лучевого синтеза. Изучение механизма ИЛС требует решения двух основных проблем: установление механизмов зарождения (нуклеации) и последующего роста новой фазы. Отмечено, что при ИЛС преимущественно реализуется гетерогенный механизм зарождения, причем центрами нуклеации обычно являются микропоры. Тип и структура первой зарождающейся и растущей фазы определяется величиной свободной энергии системы, которая зависит от соответствия кристаллической структуры исходного материала и синтезируемой фазы, доставки необходимого "строительного материала", соотношения между поверхностной и объемной энергиями при изменении размеров кристаллитов синтезированной фазы, наличия и типа радиационных нарушений, состояния исходной матрицы, температуры образца и др. С учетом этого первой зарождающейся фазой при ИЛС могут быть либо соединения, содержащие атомы мишени и имплантированные атомы, либо фазы, целиком состоящие из атомов имплантированного элемента, причем в первом случае основной синтезируемой фазой будет соединение, построенное на базе структуры исходной мишени и являющееся структурно наиболее близким к ней. Процесс роста новой фазы при ИЛС не ограничен ни

диффузией, ни необходимой энергией для протекания межфазной реакции, и поэтому он определяется кинетическим механизмом, согласно которому синтез нового соединения идет полностью во время операции по ионному внедрению в результате твердофазной химической реакции, а количество образующейся новой фазы пропорционально дозе имплантации.

Во втором параграфе пятой главы изучен вопрос о фазовом составе ионносинтезированных пленок. Показано, что при не слишком высоких дозах фазовый состав помимо сходства со структурой исходной мишени зависит также и от режимов имплантации и, в первую очередь, от температуры образца и от плотности потока ионов, в то время как доза имплантации на начальных этапах практически на него не влияет. Однако при больших дозах и малых коэффициентах ионного распыления возможно образование сплошной пленки новой фазы и внедрение в нее дополнительных ионов. Результатом такой имплантации может быть формирование новых соединений, по составу более обогащенных внедренными атомами, Последующие постимплантационные энергетические обработки приводят, обычно, к той же последовательности фазовых и структурных превращений, что и для обычных систем "пленка/подложка", однако фазовые превращения в ионносинтезированных структурах происходят при заметно более низких температурах.

В третьем параграфе рассмотрена весьма важная, особенно с практической точки зрения, особенность формируемых тонких пленок - их мелкодисперсный характер. Эта особенность обусловлена гетерогенным механизмом зарождения и доставкой строительного материала имплантацией непосредственно к центрам нуклеации. При малых размерах частиц в начале роста форма частиц близка к сферической, однако по мере роста частицы становятся сплюснутыми эллипсоидами вращения. Такая форма частиц обусловлена самим характером ионной имплантации: профилями распределения внедренных ионов и радиационных нарушений. Размер синтезированных частиц определяется несколькими факторами: количеством центров нуклеации, растворимостью внедренных ионов, дозой и коэффициентом ионного распыления. В некоторых случаях распределение

количества синтезированной фазы по размерам частиц имеет двугорбый вид. Форма, размер и распределение частиц по размерам определяют магнитные и электрические свойства ионносинтезированных структур. Так, в случае синтеза ферромагнитных гранулярных пленок формирование сплюснутых эллипсоидов вращения обусловливает квазидвумерный характер ферромагнитного резонанса, а малый размер слабо взаимодействующих однодоменных частиц - их суперпарамагнитное поведение. Мелкодисперсность синтезированных металлических пленок в полупроводниках и диэлектриках определяет перколяционный характер электропроводности пленок. В случае имплантации ионов 3<1-металлов в полимеры из-за бимодального распределения частиц по размерам наблюдается необычный характер температурной зависимости проводимости. Мелкодисперсность синтезированных фаз имеет важное практическое значение с точки зрения формирования различных наноструктур и сверхрешеток.

В четвертом параграфе просуммированы результаты по влиянию ионного распыления на процессы ионного синтеза. Большие значения параметра Б накладывают ограничения на величину максимально достижимой концентрации внедренных ионов в мишени, что в некоторых случаях делает практически невозможным получение сплошной пленки. При больших дозах имплантации, когда ионносинтезированный слой "выходит" на поверхность, распыление далее идет селективно, что приводит к формированию сильно развитого микрорельефа. Появление колончатой микроструктуры приводит к существенному уменьшению (до 2-5%) коэффициента отражения в видимом и ближнем ИК областях оптического излучения, что визуально проявляется как почернение поверхности образца.

В пятом параграфе рассмотрены примеры ИЛС мезотаксиальных гетероструктур. Отмечено, что сам механизм зарождения новой фазы при ИЛС предполагает, что ее рост должен происходить, согласуясь со структурой исходной мишени. При этом зародыши новой фазы в принципе должны быть когерентно встроенными в матрицу. Для устранения радиационных дефектов и недопущения аморфизации имплантированного слоя в данной работе

использовался метод горячей имплантации. Таким образом были синтезированы мезотаксиальные силициды Сс^г и №812, а также мезотаксиальные слои орторомбического сверхпроводника УВа2Си307 в тетрагональной пленке УВа2СизОб.

В заключении подытожены основные результаты работы и сформулированы общие выводы по диссертации.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем.

1. Установлены и систематизированы основные закономерности и особенности ионно-лучевого синтеза в неметаллических матрицах.

2. Впервые методом ионного синтеза в неметаллах сформированы тонкие ферромагнитные пленки с высокой температурой Кюри.

3. Впервые предложен и изучен ионный синтез сложных силицидов при одновременной имплантации различных ионов в кремний.

4. Исследовано влияние формы синтезированных частиц новой фазы и их распределения по размерам на магнитные и электрические свойства полученных пленок.

5. Методом ИЛС без какой-либо дополнительной энергетической обработки получены высококачественные мезотаксиальные слои силицидов в кремнии.

6. Получены методом ионного синтеза и исследованы тонкие эпитаксиальные ВТСП пленки УВа2Си307.

7. Обнаружен и объяснен эффект аномального распределения атомов железа при одновременной имплантации ионов Со+ и Ре+ в кремний.

8. Для кремния, бомбардированного ионами с массой М^ > 30, обнаружено явление аномально высокого распухания, обусловленное радиационно -стимулированным порообразованием.

9. Обнаружен и объяснен эффект значительного уменьшения коэффициента отражения света в видимом и ближнем ИК диапазоне для некоторых полупроводников и диэлектриков.

Практическая ценность работы заключается в изучении и установлении оптимальных режимов и условий ионного синтеза различных соединений в неметаллических матрицах. Тонкие ионносинтезированные слои могут быть

использованы в различных областях науки и техники: в микро- и наноэлектронике для создания контактов и проводящих дорожек, для магнитной и магнитооптической записи и хранения информации, для получения антиотражающих покрытий в оптике, для формирования полупроводниковых структур с переменной и регулируемой шириной запрещенной зоны и т.п. На основании проведенных исследований получено шесть авторских свидетельств на новые способы получения тонких пленок в неметаллах. Кроме того, практической ценностью данной работы является включение материала некоторых глав в специальный курс лекций по «Радиационной физике твердого тела», читаемый автором в течение ряда лет на физическом факультете Казанского государственного университета.

Ряд результатов исследований, проведенных в рамках диссертационной работы и посвященных получению методом ИЛС и изучению тонких пленок ферромагнитных силицидов в кремнии, были включены в Перечень важнейших достижений по АН СССР в области естественных наук.

Основные результаты диссертации отражены в публикациях [А1-А63]. Результаты работы докладывались на следующих Международных конференциях: Рабочих совещаниях по ионной имплантации (Прага, 1981; Балатоналига, 1985); 7-й конференции по ионной имплантации в полупроводниках и других материалах (Вильнюс, 1983); Советско-немецких симпозиумах по микроэлектронике (Москва, 1984; Минск, 1988); Конференции по модификации материалов энергетическими и импульсными пучками частиц (Дрезден, 1987); Советско-Венгерской научной сессии по микроэлектронике (Будапешт, 1988); Конференции по ионной имплантации (Люблин, 1988); 3-й конференции ЕРМ'89 (Дрезден, 1989); Конференции по ионной имплантации и ионно-лучевому оборудованию (Элените, 1990); Конференции MRS-93 (Бостон, 1993); Симпозиуме по теоретической физике «Коуровка-94» (Коуровка, 1994); XXVII Конгрессе AMPERE (Казань, 1994); 14-м Коллоквиуме по магнитным пленкам и поверхностям (Дюссельдорф, 1994); Конференции MRS-95 (Сан-Франциско, 1995); X Конференции IBMM-96 (Альбукерк, 1996); 5-й Конференции по материалам и механизмам сверхпроводимости и высокотемпературным сверхпроводникам (Пекин, 1997).

На Всесоюзных и Всероссийских конференциях: XI, XII, XIII, XVIII, XIX, XX, XXI Совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1981, 1982, 1983, 1988, 1989, 1990, 1991); VI, VII, IX Конференциях по взаимодействию атомных частиц с твердым телом (Минск, 1981; Минск, 1984; Москва, 1990); V Отраслевой научно-технической конференции по тонким пленкам в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (Нальчик, 1983); Конференции по магнитному резонансу в конденсированных средах (Казань, 1984); Конференции по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Ташкент, 1984); VII Конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986); XIII Семинаре по радиационной физике полупроводников (Новосибирск, 1987); Конференции по ионно-лучевой модификации материалов (Черноголовка, 1987); I Конференции по физическим и физико-химическим основам микроэлектроники (Вильнюс, 1987); XII Научной конференции по микроэлектронике (Тбилиси, 1987); I Совещании по высокотемпературной сверхпроводимости (Харьков, 1988); Конференции по ионно-лучевой модификации материалов (Каунас, 1989); V Семинаре по методам получения силицидов и материалов на их основе (Чернигов, 1989); Конференции по электронной микроскопии (Суздаль,. 1990); Конференции по прикладной мессбауровской спектроскопии (Казань, 1990); Конференции по ионно-лучевой модификации полупроводников и других материалов (Новосибирск, 1991); X Конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 1991); I, II, III Семинарах по физико-химическим основам ионно-лучевой модификации твердых тел (Нижний Новгород, 1992, 1993, 1996); I Конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993); Конференции Микроэлектроника-94 (Звенигород, 1994); Второй научно-технической конференции по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники (Дивноморское, 1995); Научной конференции по структуре и свойствам кристаллических и аморфных материалов (Нижний Новгород, 1996), а также на различных региональных конференциях.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Фазовый состав и кристаллическая структура ионносинтезируемых пленок определяются в значительной степени сходством со структурой исходной матрицы. Наибольшее влияние на ионный синтез оказывают температура образца во время имплантации и плотность потока ионов, меньшее - энергия и доза.

2. Имплантацией ионов Зё-металлов в неметаллические матрицы при определенных режимах могут быть синтезированы тонкие ферромагнитные слои. Фазовый состав ферромагнитных пленок определяется режимами имплантации и исходной мишенью, они могут состоять как из ферромагнитных химических соединений (например, некоторые силициды в кремнии), так и из частиц внедренного металла (например, a-Fe, Со в полимерах и SÍO2).

3. Ионносинтезированные фазы формируются в мелкодисперсном виде. Форма, размер и распределение частиц по размерам определяют магнитные (суперпарамагнетизм, анизотропия сигнала ФМР) и электрические (аномальная температурная зависимость проводимости) свойства синтезированных пленок.

4. Одновременная имплантация ионов Зс1-металлов с близкими массами позволяет сформировать твердые полупроводниковые растворы с регулируемой шириной запрещенной зоны.

5. Аномальное (бимодальное) распределение атомов железа по глубине при одновременной "имплантации ионов Fe+ и Со+ в кремний с преобладанием кобальта обусловлено разницей в энергии образования силицидов Со и Fe, большей концентрацией атомов Со, высокой скоростью диффузии атомов Зё-элементов в кремнии и наличием эффективных стоков на передней и задней границах профиля распределения.

6. При ИС ВТСП соединений типа «1-2-3» нанесение тонкого антидиффузионного защитного покрытия позволяет достичь стехиометрического состава и синтезировать в определенном узком температурном диапазоне орторомбическую эпитаксиальную сверхпроводящую пленку.

7. Аномально высокое распухание неметаллических мишеней при высокодозной имплантации обусловлено образованием крупных радиационных вакансионных комплексов (вплоть до микропор).

8. Формирование сильно развитого колончатого микрорельефа поверхности при больших дозах облучения и связанное с этим существенное уменьшение коэффициента отражения в видимом и ближнем ИК диапазоне обусловлено совместным действием ионного распыления, вакансионного порообразования и синтеза мелкодисперсных вторичных фаз.

Исследования по теме данной диссертационной работы выполнялись в лаборатории Радиационной физики (зав. лаб. чл.-корр. РАН И.Б.Хайбуллин) Казанского физико-технического института КНЦ РАН согласно утвержденному плану научно-исследовательских работ по темам «Поиск и создание новых регистрирующих сред на основе полупроводников, полимеров и диэлектриков для магнитной и магнитооптической записи информации с использованием пучков быстрых ионов и мощных импульсов электромагнитного излучения» (Per. № 01.9.70 0 05239), «Исследование воздействия быстрых ионов и мощных энергетических импульсов на состав, кристаллическую структуру и фундаментальные свойства твердых тел (физические основы микро- и наноэлектроники)» (Per. № 01.9.70 0 05240), «Разработка новых методов формирования субмикронных слоев сложных силицидов для приборов микро- и наноэлектроники с использованием специальных режимов йонной имплантации» (Per. № 01.9.70 0 05254).

В последние годы отдельные этапы исследований были частично поддержаны Международными и отечественными грантами: Грант Миннауки и технической политики № 5-066/1-93 (1993-1994 гг.); Проект Министерства РФ по науке и технологиям № 142/57/2 (1995-1997 гг.); Гранты фонда Сороса NNV000( 1994-1995 гг.) и NNV300 (1995 г.); Грант Международного научно-технического центра N 130 (1995-1997 гг.); Проект АН Татарстана «Полимер» (1993-1997 гг.).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Петухов, Владимир Юрьевич

ВЫВОДЫ

В результате проведенных в данной диссертационной работе экспериментальных исследований были установлены основные закономерности и особенности ионно-лучевого синтеза в неметаллических матрицах, а также изучены возможности практического применения ионного синтеза для формирования тонких субмикронных слоев различных химических соединений для микро- и наноэлектроники, оптики, магнитооптики и других областей науки и техники. Основные результаты сводятся к следующему.

1. Изучено влияние режимов имплантации на фазовый состав и структуру ионносинтезированных пленок в различных неметаллических матрицах. При ИЛС могут формироваться как соединения, содержащие атомы мишени и имплантированные ионы, так и фазы, целиком состоящие из атомов имплантированного элемента. В первом случае основной синтезируемой фазой будет соединение, построенное на базе структуры исходной мишени и являющееся наиболее структурно близким к ней.

2. Изучены механизмы зарождения и роста новой фазы при ионном синтезе. Показано, что мелкодисперсный характер синтезированных фаз обусловливает проявление ряда особенностей в магнитных, электрических и оптических свойствах полученных пленок. В частности, бимодальное распределение количества синтезированной фазы по размерам частиц объясняет сочетание ферромагнитного и суперпарамагнитного поведения пленок и необычный характер температурной зависимости электропроводности при низких температурах. Форма ферромагнитных частиц в виде сплюснутых эллипсоидов вращения определяет анизотропию магнитных свойств в синтезированных ферромагнитных пленках.

3. Получены зависимости влияния плотности потока ионов и температуры образца во время облучения на структуру и степень совершенства кристаллической структуры синтезируемого соединения для различных мишеней. Установлены режимы ионного синтеза, приводящие к формированию высококачественных кристаллических соединений непосредственно в процессе имплантации без каких-либо дополнительных энергетических обработок. В случае близкого структурного подобия с материалом мишени возможно образование мезотаксиальных гетероструктур.

4. Показано, что формирование новой фазы при ионном синтезе носит пороговый характер по дозе. Минимальная доза, при которой детектируется появление новой фазы, зависит при фиксированных режимах имплантации от типа мишени и определяется при гетерогенном зарождении концентрацией центров нуклеации.

5. Впервые методом ионного синтеза получены тонкие ферромагнитные пленки в неметаллических матрицах. Изучены магнитные свойства ионносинтезированных тонких гранулярных пленок.

6. Впервые предложено использовать одновременную имплантацию ионов различных химических элементов для ионного синтеза многокомпонентных химических соединений за одну операцию по ионному внедрению. Получены полупроводниковые твердые растворы состава (Те1-хСох)812 с регулируемой в зависимости от х шириной запрещенной зоны.

7. Показано, что импульсные энергетические обработки ионносинтезированных слоев обусловливает проявление ряда отличительных особенностей по сравнению с обычными термическими:

• при определенных режимах лазерного отжига, сопровождаемого очень высокой скоростью диффузии имплантированных в кремний ионов 3(1-металлов, образуются ячеистые структуры;

• кристаллизация аморфных ионносинтезированных слоев происходит в случае лампового БТО при температурах на ~10% меньших, чем при обычных стационарных термических обработках:

• в полимере постимплантационные импульсные обработки могут приводить к заметной диффузии макрочастиц, приводя к их коалесценции и образованию лабиринтных структур.

8. Показано, что имплантацией определенного типа ионов в несверхпроводящую керамику или монокристаллические слои типа "1-2-3" можно синтезировать пленку, проявляющую сверхпроводящие свойства. Изучено влияние имплантации ионов кислорода или галогенов на фазовый переход исходно тетрагональной керамики или монокристаллической пленки состава УВагСизОб в сверхпроводящее соединение с оргоромбической структурой. Определены оптимальные режимы ионного синтеза ВТСП пленок, позволяющие избежать аморфизацию ионносинтезированного слоя и предотвращающие процессы сегрегации и диффузии из пленки ее компонентов.

9. Обнаружен эффект аномально высокого радиационного распухания в кремнии при высокодозной и высокоинтенсивной ИИ. Модифицирована коагуляционная модель порообразования и получено аналитическое выражение, качественно описывающее экспериментальные зависимости величины радиационно-стимулированного распухания от режимов имплантации.

10. Обнаружен эффект значительного уменьшения коэффициента отражения в видимом и ближнем ИК диапазонах света у ряда полупроводников и диэлектриков (эффект почернения), связанный с формированием на поверхности облучаемого материала сильно развитого микрорельефа колончатого типа. Предложена модель компьютерного расчета коэффициента отражения, удовлетворительно описывающая экспериментальные зависимости.

11. Проведено компьютерное моделирование тепловых полей при сканирующей ИИ. Показано, что в случае высоких плотностей ионного тока в тонких пленках полимеров возможен значительный перегрев локальных областей при сканировании ионного пучка, который, безусловно, должен учитываться при отработке оптимальных режимов иле.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Петухов, Владимир Юрьевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Akimchenko I.P., Krasnopevtsev V.V. Synthesis of Compounds by Ion Implantation: Reality and Prospects.- Proc. Of the First USA-USSR Seminar on Ion Implantation. Albany, USA, 1977.- P.31-54.

2. Pavlov P.V. The peculiarities of synthesis of chemical compounds in semiconductor and dielectric materials at ion implantation.- Труды 2-го советско-американского семинара по ионной имплантации, 1979.-С.251-267.

3. Вопросы радиационной технологии полупроводников/ Под ред. проф. Л.С.Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1980.- 296с.

4. Майерс С.М. Имплантационная металлургия равновесных сплавов.- В кн.: Ионная имплантация / Под ред. Дж.К.Хирвонена.- М.: Металлургия, 1985,- С.47.

5. Гусева М.И., Александрия Б.В. Влияние плотности ионного тока на структуру и концентрацию изотопных мишеней, приготовленных в электромагнитном сепараторе.- ЖТФ.- 1961.-Т.31, N 7,- С.867-875.

6. Watanabe М., Tooi A. Formation of Si02 Films by Oxigen Ion Bombardment.- Japan J. Appl. Phys.- 1966.- V.5, N 8,- P.737-738.

7. Павлов П.В., Шитова Э.В. Структура окисных пленок, полученных бомбардировкой поверхности кремния.- Докл. АН СССР.- 1967,- Т. 172, N 3.- С.538-590.

8. Городецкий А.Е., Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов Л.С. О возможности получения тонких слоев полупроводниковых соединений методом ионной бомбардировки.- ФТП.- 1968.- Т.2, вып.1.- С.136-137.

9. Ионно-лучевая модификация материалов. Аналитический обзор/ Под ред. Ч.В.Копецкого.- М.: МНТИ, 1987,- 284с.

10. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. - М.: Высшая школа, 1984.- 320 с.

11. Lindhard J., Scharf М., Schiott Н. Range concepts and heavy ion ranges. -Mat.Phys.Medd.Dan.Vid.Selsk.- 1963.- V.33, N14.- P. 1-42.

12. Schiott H.E. Approximations and Interpolation Rules for Ranges and Range Stragglings.- Rad.Eff.- 1970.- V.6.- P.107-113.

13. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов/ Пер. с англ.- М.: Атомиздат, 1979.- 296 с.

14. Томсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах/ Пер. с англ. под ред. В.Е.Юрасовой.- М.: Мир, 1971.- 366 с.

15. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизм образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981.- 368 с.

16. Пранявичус JL, Дудонис Ю. Модификация твердых тел ионными пучками. - Вильнюс: Мокслас, 1980.- 242 с.

17. Болотов В.В., Васильев А.В. Высокотемпературное облучение кремния и германия. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках/ Под ред. Проф. Л.С.Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1979.- С.61-77.

18. Лежейко Л.В., Любопытова Е.В., Герасименко Н.Н. Об условиях образования структурно совершенных слоев при внедрении ионов в кристаллические мишени.- Mater. Int. Meeting on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials.- Praque, 1981.- P. 177-178.

19. Parry P.D. Target Heating During Ion Implantation.- J.Vac.Sci. and Technol.- 1976.- V.13, N2,- P.622-629.

20. Wada Y., Usui H., Ashikawa M. Substrate Temperature Measurement during Ion Implantation. Japan J.Appl.Phys.- 1975.-V.14, N9,- P.1351-1356.

21. Furukawa S., Inoue O., Ishiwara H. Experimental Simulation on Ion Beam Heating Effects in Ion Implantation Technique.- Japan J.Appl.Phys.- 1973.-V.12, N7.- P.1075-1076.

22. Rose P.H. Application of mechanical scanning to ion implantation. Rad.Eff.- 1979.- V.44, N1-4,- P.137-144.

23. Keller J.H., Coultas D.K., Hicks W.W., Winnard J.R. High current electrostatic deflector and scanner. Nucl.Instr. and Meth.- 1976.- V.139.-P.41-45.

24. Keller J.H. Beam scanning-electrostatic. Rad.Eff.- 1979.- V.44, N1-4,- P.71-80.

25. Bruel M., Berthet В., Floccari M., Michaud J.F. Target heating during ion implantation and related problems.- Rad.Eff.- 1979.- V.44, N1-4.- P.173-180.

26. Самарский A.A. Теория разностных схем. -M: Наука, 1983.- 616 с.

27. Brodsky М.Н. Relations between Structure and Optical and Electrical Properties of Amorphous Si and Ge Films.- J.Vac.Sci.Technol.- 1971.- V.8.-P.125-134.

28. Whan R.E., Arnold G.W. Lattice expansion and strain in ion-bombarded GaAs and Si.- Appl.Phys.Lett.- 1970,- V.17, N 9.- P.378-380.

29. Tu K.N., Chaudhari P., Lai K., Gowder B.L., Tan S.I. X-ray topographic determination of the absence of lateral strains in ion-implanted silicon. -J.Appl.Phys. - 1972. - V.43, N 10. - P.4262-4263.

30. Romanov S.I., Smirnov L.S. Voids in ion-implanted silicon.- Rad.Eff.-1978.-V.37,N 1-2,-P.121-126.

31. Destefanis G.L., Gaillard J.P. Very efficient void formation in ion implanted InSb.- Appl.Phys.Lett.- 1980.- V.36, N 1.- P.40-42.

32. Павлов П.В., Данилов Ю.А., Туловчиков B.C. Морфологические и структурные изменения InSb при ионной бомбардировке.- Докл. АН СССР.- 1979,- Т.248, № 5.- С.1111-1114.

33. Данилов Ю.А., Туловчиков B.C. Аномальное радиационное разупорядочение антимонида индия при ионной имплантации.- ФТП.-1980.-Т. 14, № 1.-С. 197-200.

34. Закиров Г.Г., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Трансформация структуры и оптических свойств германия при бомбардировке тяжелыми ионами,- Поверхность. Физика, химия, механика.- 1985,-№10.- С. 137-143.

35. Палатник Л.С., Чермский П.Г., Фукс М.Я. Поры в пленках.- Москва: Энергоиздат.- 1982.-215с.

36. Ахиезер И.А., Давыдов Л.Н. Введение в теоретическую радиационную физику металлов и сплавов. Киев: Наукова Думка.- 1985,- 142 с.

37. Bullough R., Lindiord А.В. Voids. Comments on Solid State Phys.- 1972.-V.4, N 3,- P.69-77.

38. Bonse U., Hart M., Schwuttke G.H. X-ray Investigation of Lattice Deformations in Silicon Induced through High-Energy Ion Implantation.-Phys.Stat.Sol. - 1969. - V.33, N1. - P.361-374.

39. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И., Павлов П.В., Зорин Е.И. Диффузионно-коагуляционная модель накопления радиационных дефектов при ионной имплантации.- ФТП.- 1975.- Т.9, вып. 12.- С.2292-2295.

40. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V., Zorin E.I. The Calculation of Secondary Defect Formation at Ion Implantation of Silicon.- Phys. Stat. Sol. (a).- 1976.-V.37, N1.-P.57-64.

41. Баранов А.И. Накопление дефектов и процессы аморфизации при бомбардировке полупроводников ионами.- В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках/ Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука.- 1979.- С.23-60.

42. Brice D.K. Spatial distribution of ions incident on a solid target as a function of instaneos energy.- Rad.Eff.- 1971,- V.l 1, N 3-4.- P.227-240.

43. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация,- M.: Наука, 1983.- 360 с.

44. Minear R.L., Nelson D.G., Gibbons J.F. Enhanced diffusion in silicon and Ge by light ion implantation.- J.Appl.Phys.- 1972.- V.43, N 8.- P.3468-3480.

45. Strack H. Ion Bombardment of Silicon in a Glow Discharge.- J.Appl.Phys.-1963.- V.34, N 8.- P.2405-2409.

46. Плешивцев H.B. Катодное распыление.- M.: Атомиздат, 1968.- 343 с.

47. Sigmund P. Theory of sputtering.- 1. Sputtering yield of amorphous and . polycrystalline targets.- Phys.Rev.- 1969,- V.184, N 2.- P.383-416.

48. Данилин B.C., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур.- М.: Сов.радио, 1979,- 104 с.

49. Maby E.N., Magee C.W., Morewood J.H.. Volume expansion of ion-implanted diamond.- Appl.Phys.Lett.-1981,- V.39, N 2,- P.157-158.

50. Aseheron C., Schindler A., Otto G. A Study of Proton Bombardment induced swelling of GaP single crystals. Phys.Stat.Sol.(a).- 1985.- V.92, N1. - P.169-176.

51. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой/ Под ред. Р.Бериша. Вып.1.- М.: Мир.- 1984.- 336 с.

52. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой/ Под ред. Р.Бериша. Вып.2.- М.: Мир- 1986,- 488 с.

53. White Т.К. Theoretical Treatment of the Kinetics of Diffusion-Limited Reactions.- Phys.Rev.- 1957,- V. 107, N 2.- P.463-470.

54. Панов В.И., Смирнов JI.С. О роли коллективных процессов при образовании первичных радиационных дефектов.- ФТП.- 1973,- Т.7, вып.1.- С.212-215.

55. Майер Дж., Эриксон А., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников.- М.: Мир.- 1973.- 296 с.

56. Гегузин Я.Е. Макроскопические дефекты в металлах.- М.: Гос. научно-техн. изд-во литературы по черной и цветной металлургии.- 1962,- 252с.

57. Физическое металловедение: Сб. статей/ Под ред. Р.Кана, вып.З,- М.: Мир, 1968.- 484 с.

58. Емцев В. В., Маш овец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках.- М.: Радио и связь, 1981,- 248 с.

59. Закиров Г.Г. Модификация структуры, оптических и электрических свойств германия ионными и лазерными пучками.- Диссертация канд. физ.-мат.наук.- Казань, 1985.- 168 с.

60. Sigmund P., Sanders J.B. Spatial distribution of energy deposited by ionic bombardment.- Proc.Int.Conf.Appl.Ion Beams Semiconductor Technology. Grenoble, 1967,-P.215-237.

61. Hosokawa H., Matsusaki R. and Asamaki T. HF sputter-etching by fluoro-hydrocarbon gases. Jap.J.Appl.Phys.Suppl.2.- 1974.- V.2, pt 1.- P.435-438.

62. Somekh S. Introduction to ion and plasma etching.- J. Vac.Sci. and Technol. - 1976.-V.13, N 5,-P.1003-1007.

63. Andrews A.E., Hasseltine E.H., Olson N.T., Smith H.P. Cesium Ion Sputtering of Aluminium.- J.Appl.Phys.- 1966.- V.37, N 9.- P.3344-3347.

64. Глазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.- М.: Наука, 1967.- 372 с.

65. McCracken G.M. The behaviour of surfaces under ion bombardment. -Rep. on Progr. in Phys.- 1975,- V.38, N 2,- P.241-327.

66. Молчанов B.A., Тельковский В.Г. Изменение коэффициента катодного распыления в зависимости от угла падения ионов на мишень.- Докл. АН СССР.- 1961,- Т.136 , № 4.- С.801-802.

67. Anciello С. A critical analysis on the origin, stability, relative sputtering yield and related phenomena of textured surfaces under ion bombardment.-Rad.Eff.- 1982.- V.60, N 1-4,- P. 1-26.

68. Stewart A.D.G. and Thompson M.W. Microtopography of surfaces eroded by ion bombardment.- J.Mater.Sci.-1969.- Y.4.- P.56-60.

69. Gvozdover R.S., Efremenko P.K., Shelyakin L.B., Urasova V.E. Cone formation during sputtering: Review.- Rad.Eff.- 1976.- V.27, N 3-4.- P.237-244.

70. Alexander V., Lippold H.-J. and Niedrig H. Relations between the orientations of the bombarded single crystals, resulting surface structure and sputtered spot patterns.- Rad.Eff.- 1981,- V.56, N 3-4,- P.241-250.

71. Pivin J.-C. Review. An overview of ion sputtering physics and practical implications.- J.Mater.Sci.- 1983.- Y.18, N 5.- P. 1267-1290.

72. Golanski A. and White C.W. Radiation induced effects in ion beam synthesis of erbium silicide.- Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res.- 1992,- V. В63,- P.384-390.

73. Van Ommen A.H., Ottenheim J.J.M., Theunissen A.M.L. and Mouven A.G. Synthesis of heteroepitaxial Si/CoSi2/Si structures by Co implantation into Si.- Appl.Phys.Lett.- 1988.- V.53, N 8.- P.669-671.

74. Stephens R.B., Cody G.D. Optical reflectance and transmission of a textured surface.- Thin Solid Films.- 1977.- V.45, N 1,- P. 19-29.

75. Ritchie I.T., Window B. Applications of thin graded-index films to solar absorbers.- Appl.Opt.- 1977.- V.16, N 5.- P. 1438-1443.

76. Maxwell-Garnett J.E. Colours in metal glasses in metallic films and in metallic solutions.- Phil.Trans.- 1906.- V.205.- P.237-288.

77. Wood D.M., Ashcroft N.W. Effective medium theory of optical properties of small particle composites.- Phil.Mag.- 1977.-V.35, N 2,- P.269-280.

78. Соболев В.В., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса-Кронига.-Кишинев: Штиница, 1976.- 124 с.

79. Справочник по специальным функциям с формулами, графиками и математическими таблицами/ Под ред. М.Абрамовича и М.Стиган.-М.: Наука, 1.979.- 832 с.

80. Гусев В.М., Гусева М.И., Куринный В.И., Титов В.В., Цыпленков B.C., Баранова E.H., Стрельцов JI.H. Исследование свойств и применение для защиты р-п - перехода окисной пленки, полученной путем бомбардировки кремния атомарными ионами кислорода.-Радиотехника и электроника.- 1971.- Т.16, вып.З,- С.1462-1467.

81. Астахов В.П., Карашев Т.Б., Аранович P.M. О механизмах прохождения тока и свойства ионно-внедренных слоев SÍ3N4 на кремнии,- ФТП.- 1970.- Т.4, вып. 11.- С.2128-2132.

82. Демьянов Э.А., Качурин Г.А., Кузнецов О.Н. Свойства нитрида кремния, полученного ионным внедрением.- Электронная техника. Серия 2. -1973,- Вып.9 (81).- С.26-28.

83. Borders J.A., Picraux S.T., Bezhold W. Formation of SiC in Silicon by Ion Implantation.- Appl. Phys. Lett.- 1971,-V. 18, N 11,- P.509-511.

84. Баранова E.H., Демаков К.Д., Старинин K.B., Стрельцов JI.H., Хайбуллин И.Б. Исследование монокристаллических пленок SiC, полученных при бомбардировке ионами С+ монокристаллов Si. Докл. АН СССР.-1971.-Т.200, вып.4.-С.117-118.

85. Городецкий А.Е., Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов JI.C. О возможности получения тонких слоев полупроводниковых соединений методом ионной бомбардировки.- ФТП.- 1968.- Т.2, вып.1.- С. 136-137.

86. Гершинский А.Е., Ржанов A.B., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике.- Микроэлектроника.- 1982.- Т.11, вып.2,-С.83-94.

87. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС.- М.:Мир.- 1986.- 176 с.

88. Майер Дж., Эриксон А., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников.- М.:Мир.- 1973.- 296 с.

89. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников.- М.:Энергия,- 1975.- 128 с.

90. Евстратенко Л.П., Поздеева Т.В., Ташлыков И.С. Применение резерфордовского обратного рассеяния ионов в исследованиях имплантации фосфора в арсенид галлия.- Труды X Всес. совещ. по физике взаимод.заряж.частиц с кристаллами.- М.: 1981.- Ч.2.- С.327-332.

91. Andersen Н.Н., Bay H.Z. Heavy-ion Sputtering Yield of Silicon.- J. Appl. Phys.- 1975,- V.46, N 5.- P.1919-1921.

92. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные дефекты в твердых телах.- М.: ИЛ.- I960.- 243 с.

93. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.- М.: Физматгиз.- 1961.- 864 с.

94. Fanciulli М., Weyer G., von Kanel Н., Onda N. Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy Study of Iron Silicide Films Grown by MBE.-Phys. Scr.- 1994.- V.T54.- P. 16-19.

95. Sanchez F.H., Fernandez van Raap M.B., Desimoni J. Structural Composion Dependence of Amorphous Silicon-Iron Prepared by Ion Implantation and by Coevaporation: A Mossbauer Study.- Phys. Rev. B.-1991.- V.44, N 9.- P.4290-4295.

96. Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды.- М.: Металлургия, 1979. -272с.

97. Merli P.G., Zignani F.Self annealing of ion implanted silicon: Suggestion for an experiment.-Rad. Eff. Lett.- 1980,- V.50, N 3-6.- P. 115-118.

98. Александров П.А., Баранова E.K., Демаков К.Д., Комаров Ф.Ф., Новиков А.П, Ширяев С.Ю. Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования.- ФТП.- 1986.- Т.20, вып. 1.- С.149-152.

99. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П. Новые методы ионно-лучевой обработки полупроводниковых кристаллов// В кн.: Итоги науки и техники.- М.: ВИНИТИ.- 1989,- Т.5.- С.113-161.

100. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Garno J.P., Gribson J.M. Mesotaxy: Single crystal growth of buried CoSi2 layers.- Appl. Phys. Lett.- 1987.- V.50, N 2.- P.95-97.

101. Lindner J.K.N., te Kaat E.H. Synthesis of NiSi2 by 6 MeV Ni implantation into silicon.- J.Mater. Res.- 1989.- V.3, N 6,- P. 1238-1243.

102. Meekison C.D., Booker G.R., Reeson K.J.,SpraggsR.S., Gwilliam R.M., Sealy B.J. Microstructural studies of epitaxial CoSi2 layers on silicon produced by ion beam synthesis and rapid thermal annealing.- J.Appl.Phys.-1993,- V.74, N12,- P.7129-7133.

103. Палатник JI.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки.- М.: Наука.-1971,- 480 с.

104. Ту К., Мейер Дж. Образование силицидов/ В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейер.

- М.: Мир, 1982,- С.361-407.

105. Radermacher К., Mantl S., Diecker Ch., Luth H., Freiburg С. Growth kinetics of iron silicides fabricated by solid phase epitaxy or ion beam synthesis.- Thin Solid Films.- 1992.- V.215.- P.76-83.

106. ASTM Powder Diffraction File, Inorganic Compounds. Published by the JCPOS.- Pensylvania, USA.- 1977.

107. Sharma S.K., Geserich H.P., Theiner W.A. Amorphous-to-Crystalline Transformation in Evaporated FeSi Films. - Phys. stat. sol. (a). - 1975.- V32, N2. - P.467-474.

108. Marchal G., Mangin Ph., Janot Chr. Magnetism in amorphous Fe-Si alloys.

- Solid State Commun.- 1976.- V.18, N 6.- P.739-742.

109. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M., Аганов Р.В. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения.- Казань.- 1974.- Деп. в ВИНИТИ, 1974. -N2661-2674.

110. Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов Л.С. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением.- ФТП,- 1975.- Т.9, N 7,-С. 1428-1429.

111. Bullis W.M., Brewer F.H., Kolstad C.D., Swartzendruber. Temperature coefficient of resistivity of silicon and germanium near room temperature. Solid State Electronics.- 1968,- V.ll, N7.- P.639-646.

112. Nishida I., Sakata T. Semiconducting properties of pure and Mn-doped chromium disilicides.- J. Phys. Chem. Solids.- 1978.- V.39, N5.- C.499-505.

113. Мустафин Т.Н., Качурин Г.А., Попов В.П., Придачин И.Б., Серяпин В.Г., Смирнов JI.C. Диффузия цинка при лазерном отжиге имплантированных слоев кремния. ФТП.- 1978,- Т.12, N7.- С. 1312-1317.

114. Петров Ю.И. Физика малых частиц.- М.: Наука, 1982.- 360 с.

115. Baeri P., Foti G., Poate J.M., Cullis A.G. Phase Transition in Amorphous Si: Produced by Rapid Heating.- Phys. Rev. Lett.- 1980.- V.45, N 25.-P.2036-2039.

116. Hezel R., Streb W. Characterization of silicon oxynitride films prepared by the simultaneous implantation of oxygen and nitrogen ions into silicon.-Thin Solid Films.- 1985.- V.124, N 1.- P.35-41.

117. Борун А.Ф., Данилин А.Б., Иванов В.В., Мордкович В.Н., Темпер Э.М. Ионный синтез при одновременной имплантации азота и кислорода в кремний.- Поверхность. Физика, химия, механика.- 1988.-N3,-С. 143-144.

118. Дрексгейдж М.Г., Мойнихэн К.Г. Инфракрасные волоконные светододы.- В мире науки.- 1989.- N 1.- С.56-62.

119. Panknin D., Eichorn F., Wieser E., Skorupa W., Henrion W., Albrecht J. Electrical and optical properties of |3-FeSi2 after Co implantation and annealing. -Nucl. Instr. and Meth. B. - 1993. - V.80/81. - P.867-870.

120. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Gibson J.M., Hull R. Synthesis of buried silicon compounds using ion implantation- Mater. Res. Soc. Symp. Proc.- 1988.-P.3-15.

121. Wu M.F., Vantomme A., Langouche G., Maex K., Yanderstracten H., Bruynseracde Y. Strain and orientation in epitaxial CoSi2(lll) layers formed by ion implantation. - Nucl. Instr. and Meth. В.- 1991.- V.54, N4.-P.444-452.

122. Wu M.F., De Wachter J., Hendrickx P., Van Bavel A.-M., Pattyn H., Langouche G., Vanhellemont J., Bender H., Maenhoudt M., Bruynseraede Y. Simultaneous ion synthesis of well-separated buried and surface silicides using a single ion implanted step.- Appl. Phys. Lett.- 1993.- V.63, N 4.-P.542-544.

123. Tavares J., Bender H., Wu M.F., Vantomme A., Langouche G., Lin C. Ion Beam Synthesis of ternary phase CoFe - silicide in (111) silicon.- Appl. Phys. Lett.- 1995,-V.67, N 7.-P.986-988.

124. Tisch U., Hollander В., Hacke M., Mesters St., Michelsen W., Guggi D., Mantl S., Kabius B. Formation of ternary Coi-xPdxSi2 on Si (100) by Pd ion implantation in CoSi2/Si (100) heterostructures.-Abstr. of IBMM-96.-Albuquerque, 1996,- P.Thl5.

125 Radermacher K., Mantl S., Dieker Ch., Holzbrecher H., Speier W., Luth H. Growth of ion implanted buried FeSi2 on Si(lll) and Si(100).- Proc. of MRS.- 1992.- V.235.- P.273-278.

126. Глазов В. M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.- М.: Наука, 1967.- 372 с.

127. Винецкий B.JL, Холдарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. - Киев: Наукова думка, 1979.

128. Seshan К., Washburn J. A three-stage model fo the development of secondary defects in ion-implanted silicon.- Rad. Effects.- 1978.- V.37, N 34.- P.147-153.

129. Bulle-Lieuwma C.W.T., Van Ommen A.H., Van Ijzendoorn L.J. Microstructure of heteroepitaxial Si/CoSi2/Si formed by Co implantation into (100) and (111) Si.- App. Phys. Lett.- 1989,- V.54, N3.- P.244-246.

130. Namavar F., Kalkhoran N.M., Manke J.M., Luo L., McGinn J.T. Dependence of buried CoSi2 resistivity on ion implantation and annealing conditions.- Proc. Mater. Res. Soc.- 1992.- V.235.- P.285-292.

131. Watkins G.D. A Review of EPR Studies in Irradiated Silicon.- In: Radiation Damage in Semiconductors/ Ed. by P.Baruch. Paris: Dunod, 1965.- P.97-113.

132. Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов Jl.С. Исследование дефектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР. -ФТП,- 1971.- Т.5, вып.9,- Р.1700-1705.

133. Feher G. ESR - experiments on Donors in Silicon. 1. Electronic Structure of Donors by the ENDR Technique.- Phys.Rev.- 1959 - V.114, N 5.- P. 12191244.

134. Хохлов А.Ф., Павлов П.В. Ферромагнетизм кремния, обусловленный радиационными дефектами.- Письма в ЖЭТФ.- 1976,- Т.24, N 4.- С.238-240.

135. Kittel С. Interpretation of Anomalous Larmor Frequencies in Ferromagnetic Resonance Experiment.- Phys.Rev.- 1947.- V.71, N 4.-P.270-272.

136. Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках.

- М.: Наука, 1973.- 591 с.

137. Kittel С. Excitation of Spin Waves in a Ferromagnet by a Uniform of Field.

- Phys.Rev.- 1958,- V.110, N 6,- P. 1295-1297.

138. Artman J.O. Ferromagnetic Resonance in Metal Single Crystals. -Phys.Rev.- 1957.- V.105, N 1.- P.74-84.

139. Малек Э., Шюппель В. Магнитокристаллическая и наведенная анизотропия / В кн.: Тонкие ферромагнитные пленки. Под общ. ред. Телеснина Р.В.- М.: Мир, 1964,- С.61-104.

140. Osborn J.A. Demagnetizing Factors of the General Ellipsoid.- Phys.Rev.-1945,- V.67, N 11-12,- P.351-357.

141. Azarov I., Zhikharev V. FMR in thin ferromagnetic granular film.-Appl.Magn.Res.- 1995,-V.9.-P. 165-171.

142. Ван Флек Д. К теории ферромагнитного резонансного поглощения /В сб.: Ферромагнитный резонанс/ Под ред. С.В.Вонсовского.- М.: ИЛ, 1952.- С.56-71.

143. Фрайт 3. Ферромагнитный резонанс /В кн.: Тонкие ферромагнитные пленки/ Под общ. ред. Телеснина Р.В.- М.: Мир,- 1964.- С.254-312.

144. Shinjo T., Nakamura Y., Shikazono N. Magnetic Study of FesSi and FesSi3 by Mossbauer Effect.- J.Phys.Soc.Japan.- 1963,- V.18, N 6.- P.797-801.

145. Mangin Ph., Marchal G. Structural and magnetic properties in FexSii-x amorphous alloys.- J.Appl.Phys.- 1979.- V.49, N 3, pt. 2.- P.1709-1711.

146. Буров В.В., Ясонов П.Г. Введение в дифференциальный термомагнитный анализ горных пород,- Казань: Изд-во Каз.ун-та, 1919.- 160 с.

147. Marchal G., Mangin Ph., Janot Chr. Magnetism in amorphous Fe - Si alloys.- Solid State Commun.- 1976,- V.18, N 6,- P.739-742.

148. Ивановский В.И., Черникова JI.A. Физика магнитных явлений,- М.: Изд-во Моск. ун-та, 1981.- 288с.

149. Амулявичус А.П., Суздалев И.П. Исследование суперпарамагнитных свойств ультрамалых частиц железа с помощью мессбауэровский спектроскопии.- ЖЭТФ.- 1973.- Т.64, N 5.- С. 1702-1711.

150. Aharoni A. Effect of Magnetic Field on the Superparamagnetic Relaxation Time.- Phys.Rev.- 1969.- V.117, N 2.- P.793-796.

151. Гусева М.И. Ионная имплантация в полупроводниковые материалы.-Итоги науки и техники. Физические основы лазерной и пучковой технологии.- 1989,- Т.5.- С.5-54.

152. Delin Т.А., Tichenor D.A., Barsis Е.Н.- Volume, index-of-refraction, and stress changes in electron-irradiated vitreous silica.- J.Appl.Phys.- 1977.-V.48, N3,- P.l 131-1138.

153. Hines R.L,.Arndt R. Radiation Effects of Bombardment of Quartz and Vitreous Silica by 7.5 - keV to 59 keV Positive Ions.- Phys.Rev.- 1960.-V. 119, N 2,- P.623-633.

154. Standley D., Gibson W.M., Rodgers J.W. Properties of Ion-Bombarded Fused Quartz for Integrated Optics.- Appl.Optics.- 1972.- V.ll, N 6.-P.1313-1316.

155. Бухараев A.A., Казаков А.В., Манапов P.А., Хайбуллин И.Б. Магнитные и оптический свойства поверхностных слоев Si02, содержащих малые ферромагнитные частицы a-Fe, полученные ионной бомбардировкой.- ФТТ.- Т.ЗЗ, N 4,- С. 1018-1026.

156. PicrauxS.T. Implantation metallurgy.- Inst.Phys.Conf.- 1976,- Ser. N 28,-P.183-195.

157. Venkatesan Т., Dynes R.C., Wilkens В., White A.E., Gibson J.M., Hamm R.. Comparison of conductivity produced in polymers and carbon films by pyrolysis and high energy ion implantation.- Nucl.Instr.and Meth.in Phys.Res. В.- 1984,- V. 1- P.599-604.

158. Venkatesan T. High energy ion beam modification of polymer films.-Nucl.Instr.and Meth.in Phys.Res. В.- 1985.- V.7-8, pt.2.- P.461-467.

159. Dresselhaus M.S., Wasserman В., Wnek G.E.. Ion implantation in polymers. Mat.Res.Soc.Symp.Proc.- 1984.- V.27.-P.413-422.

160. Wasserman B.,.Braunstein G., Dresselhaus M.S., Wnek G.E.. Implantation - induced conductivity of polymers.- Mat.Res.Soc.Symp.Proc.- 1984.- V.27.-P.423-428.

161. Marietta G., Pignataro S., Oliveri C.. Reflection electron energy loss spectroscopy (REELS) of conductive polymers obtained by keV. bombardment.- Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res.- 1989.- V.B39.- P.773-777.

162. Ежов В.К., Гусева М.И.и др. Применение ионной имплантации для модификации газоразделительных полимерных пленок.- Поверхность. Физика, химия, механика.- 1988.- N 1.- Р. 128-132.

163. Noda J., Saku Т., Uchida N. Fabrication of optical waveguiding layer in LiTaCb by Cu diffusion.- Appl.Phys.Lett.- 1974.- V.25, N5,- P.308-313.

164. Zhang L., Townsend P.D., Chandler P.J., Kulisch J.R.. Ion implanted -waveguides in polymethylmethacrylate.- J.Appl.Phys.- 1989.- V.66, N9.-P.4547-4548.

165. Ruck D.M., Brunner A., Tinschert K., Frank W.F.X.. Production of buried waveguides in PMMA by high energy ion implantation.- Nucl.Instr.and Meth. in Phys.Res.- 1995,- V. B106.- P.447-451.

166. Pehrsson P.E., Weber D.C., Koon N., Campan J.E., Rose S.L.. Chemical and physical interactions in covalent polymers implanted with transition metals. Mat.Res.Soc.Symp.Proc.- 1984.- V.27.- P.429-434.

167. Koon N.C., Weber D., Pehrsson P., Schindler A.I.. Magnetic properties of iron implanted polymers and graphite.- Mat.Res.Soc.Symp.Proc.- 1984.-V.27.- P.445-448.

168. Scher H., Zallen R.. Critical density in percolation processes.- J.Chem.Phys.-1970.-V.53, N 9.-P.3759-3761.

169. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. М.: Энергоатомиздат, 1990.- 320 с.

170. Kryder М.Н. Magnetic thin films for data storage.-Thin Solid Films.- 1992 -V.216,- P.174-180.

171. Воронкова E.M., Гречушников Б.А., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники.- М.: Наука, 1965.336 с.

172. Иванов В.Ш., Брытов Н.А., Кораблев В.В. Атлас оже-спектров химических элементов и их соединений. М.: МХТИ, 1986.

173. Handbook of Chemistry and Physics. The Chemical Rubber Co. 51-st Edition.- 1970,- 1971.

174. Соколов A.B. Оптические свойства металлов.- M.: Физматгиз, 1961.462 с.

175. Abeles В., Ping Sheng, Coutts M.D. Structural and electrical properties of granular metal films.- Advance in Physics.- 1975.- V.24, N 3.- P.407-461.

176. Ping Sheng, Klafter J.Fabricationof optical waveguiding layer in ЫТаОз.Ьу ■ Cu diffusion.- Phys.Rev. В.- 1983.- V.27, N 4,- P.2583-2586.

177. Adkins C..J. Microscopic aspects of conduction in discontinuous metal systems.- J.Phys.C: Solid State Phys.- 1982.- V.15, N35.- P.7143-7155.

178. Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.С. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние, проблемы и нерешенные вопросы.- ФТП.- Т. 19, N4,- С.569-591.

179. Горварикер В.Р., Висванатхан Н.В., Шридхар Дж. Полимеры/ Пер. С англ.- М.: Наука,- 1990.- 396 с.

180. Аппен А.А. Химия стекла.- Л.: Наука.-1974.

181. Perkins J.G. Conduction properties and microstructure of metal/SiO cermet thin films produced by recoil atom implantation.- J. Non.-Cryst.Solids.-1972.- V.3.- P.349-364.

1

182. Neugebauer C.A., Rairden J.R. Compt.Rend.Conf.Int. Couches Minces.-Cannes, 1970.-P.331.

183. Collver M.M., Hammond R.H. Superconductivity in «Amorphous» Transition-Metal Alloy Films.- Phys.Rev.Lett.- 1973.- V.30, N 3. -P.92-95.

184. Soeder J.M., Stritzker B. Experiments on the formation of the A15-compounds N 6-Sn and N 6-Ge by ion implantation.- J.Nucl.Mater.- 1978.-V.72, N 1-2,- P.270-274.

185. Lamoise A.M., Chaumont J., Lalu F., Meinier F., Bernas H. Enhancement of the superconducting transition temperatures in ion-implanted aluminium alloys. J.Phys.Lett.- 1976.-V.37, N 11.-P.287-289.

186. Mayer O. Ion Implantation in Superconductors.-Rad.Eff.- 1980:-V.48, N1-4.-P.51-62.

187. Geerk J., Heim G., Kessler J. Residual resistivity of Pb films after implantation of Mn ions.- Z.Phys.- 1971.-V.242, N 1.-P.86-92.

188. Stritzker В., Buckel W. Superconductivity in the palladium-hydrogen and. palladium-deuterium systems.- Z.Phys.- 1972.- Y.257, N 1.- P. 1-8.

189. Geerk J., Langguth K.-G. Implantation and diffusion of carbon into niobium carbide single crystals.- Solid State Commun.- 1977. V.23, N 1,-P.83-87.

190. Bednorz J.G., Muller K.A. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system.- Z.Phys.B.- 1986.- V.64, N 2,- P.189-193.

191. Geerk J., Linker G., Meyer O., Politis C., Ratzel F., Smithey R., Strehlau В., Xiong G.C.- Thin Film Synthesis and the Influence of Irradiation-Induced Defects on the Superconductivity of Lai.8Sro.2Cu04.- Z.Phys.B.-1987.- V.67.- P.507-511.

192. Антоненко C.B., Безотосный И.Ю., Григорьев А.И. и др. Влияние ионного облучения на свойства оксидных высокотемпературных сверхпроводников.- Письма в ЖЭТФ.- 1987,- Т.46, вып.9,- С.362-364.

193. White А.Е., Short К.Т., Garno J.P., Valles J.M.,Dynes R.C., Schneemeyer L.F., Waszczak J. Levi A.F.J., Anzlowar M., Baldwin K.W. Implantation, damage, and regrowth of high Tc superconductors.- Nucl.Instr. and Meth.-1989.- V.B37/38.- P.923-929.

194. Аброян И.А., Величко В .Я.. Влияние ионного облучения на свойства высокотемпературных сверхпроводников.- Изв. АН СССР. Сер. физ.-1990.-Т.54, №7.-С.1396-1403.

195. Wang G., G.Pang, C.Luo, S.Yang, Y.Li, Z.Ji, Z.Sun. Modification of YBaCuO superconducting films by hydrogen implantation.- Phys.Letters A. - 1988.-V.130, N 6,7.-P.405-410.

196. Gupta R.P., Khokle W.S., Pachauri J.P., Tripathi C.C., Pathak B.C., Virdi G.S. Fluorine-implanted bismuth oxide superconductors.- Appl. Phys. Lett. -1989.- Y.54, N6.- P.570-571.

197. Shiraishi K., Itoh H., Yoda O. Ion irradiation effect on Ba2YCu307 superconductor.- Japan J.Appl.Phys.- 1989,- V.28, N.3.- P. L409-L411.

198. Rauschenbach В., Hohmuth K.. Thin superconducting Y-Ba-Cu oxide films formed by ion beam mixing.- Z.Phys.B.- Cond.Matt.- 1989.- V.74.- P.155-163.

199. Lilienfeld D.A., Borgesen R.. High - dose Oxygen Implantation of Multilayered Thin Films for the Formation of High-temperature Superconductors: A Feasibility.- Mater.Sci.- 1991.- V.B7, N 4,- P.261-266.

200. Nastasi M., Tesmer J.R., Hollander M.G., Smith J.F., Maggiore C.J. Formation of УВагСизО? superconducting films by ion implantation.-App.Phys.Lett.- 1988.- V.52, N 20,- P.1729-1731.

201. Rubin M., Brown I.G., Yin E., Wruck D. Ion implantation of sputtered Y-Ba-Cu-O films.- J.Appl.Phys.- 1989.- V.66, N 8.- P.3940-3942.

202. Hubbard K.M., Bordes N., Nastasi M., Tesmer J.R. Superconducting YBaCuO thin films by Си - ion implantation.- J.Appl.Phys.- 1991.- V.69, N4.- P.2397-2404.

203. McCallum J.C., White C.W., Boatner L.A. Ion implantation and thermal annealing of single crystals of the type УВагСизОх.- Mater.Lett.- 1988.-V.6,-N 11,12.-P.374-378.

204. He Q.J., Lin F., Chang D.,.Eschwei M, Wang W.C. Transforming non-superconducting, tetragonal phase YBaCuO films into superconductors by ion implantation.- Physica C.-1991.- V.184.- P.295-298.

205. White C.W., McCallum J.С., Boatner L.A.. Ion Implantation and Thermal Annealing of High - Tc Single Crystals of YBa2Cu30x.- Mater. Sci.Eng.-1989,- V. A199.- P.311-315.

206. Roth R.S., Davis K.L., Dennis J.R. Phase equilibria and crystal chemistry in the system Ba-Y-Cu-O.- Adv.Ceram.Mater.- 1987,- V.2, N3B.-P.303-312.

207. Антипов E.B. О новых фазах в системах Ba0-Ln203.- Ж.Неорг.Химии.-1984,-Т.29, № 6.-С. 1624-1625.

208. Li Q., Xi Х.Х., Wu X.D., Inam A., Vadlamannati S., McLean W.L., Venkatesan Т., Ramesh R., Hwang D.M., Martinez J.A., Nazar L. Interlayer Coupling Effect in High-Tc Superconductors Probed by YBa2Cu307-x/PrBa2Cu3C>7-x Superlattices.-Phys.Rev.Lett.- 1990.- V.64, N25. -P.3086-3089.

209. Venkatesan Т.. Epitaxial metal oxide films, a leading candidate for 21st Century thin film technology.- Thin Solid Films.- 1992,- V.216.- P.52-58.

210. Инюшкин A.B., Ожогин В.И. Изотопический эффект в высокотемпературных сверхпроводниках.- Обзоры по высокотемпературной сверхпроводимости.-1990.-Вып.1.-С.39-80.

211. Farneth W.E., Bordia R.K., McCarron III E.M., Crawford M.K., Flippen R.B. Influence of oxygen stoichiometry on the structure and superconducting transition temperature of YBa2Cu30x.- Sol.St.Commun.-1988,- V.66, N 9.- P.953-959.

212. Hyland G.J. On the fluorination dependence of Tc in YBa2Cu307-s. Jap.J.Appl.Phys.- 1988,- V.27, N4.- P. L 598-599.

213. Davies R.K., Stuart J.A., White D., Lee C., Chaikin P.M., Naughton M.J., Yu R.C., Ehrenkaufer R.L.- Fluorination of superconducting Ba2YCu309-g. Sol.St.Comm.- 1987.- V.64, N 12. -P. 1441-1444.

214. Осипьян Ю.А., Жариков O.B., Новиков Г.В., Сидоров Н.С., Кулаков В.И., Сипавина Л.В., Николаев Р.К., Громов A.M.- Наблюдение сверхпроводимости в Y-Ba-Cu-O керамике, допированной бромом и йодом,- Письма в ЖЭТФ.- 1989.- Т.49, вып.1,- С.61-64.

215. Осипьян Ю.А., Жариков О.В., Сидоров Н.С., Кулаков В.И., Могилянский Д.Н., Николаев Р.К., Шехтман В.Ш., Колегова О.А.,

Романенко И. M. Наблюдение сверхпроводимости в соединении УВа2Си3ОбС1х.-Письма в ЖЭТФ,- 1988,- Т.48, вып.4.- С.225-227.

216. Ovshinsky S.R., Yung R.T., Allred D.D., De Maggio G., Van der Leeden G.A. Superconductivity at 155K.- Phys.Rev.Lett.- 1987.- V.58, N24.-P.2579-2581.

217. Gasparov V.A., Huguenin R., Pavuna D., Van der Maas J. Radio frequency penetration depth in HTSC ceramic samples.- Sol.St.Comm,- 1989.- V.69, N."12.- P. 1147-1151.

218. Штыпуляк Н.И., Якимов И.И., Литвинцев В.В. Рентгенодифракто-метрические исследования структуры приповерхностных слоев в параллельных скользящих лучах.- ПТЭ,- 1988.- N 5.- С.181-184.

219. Clark G.J., Marwick A.D., Koch R.H., Laibowitz R.B. Effects of radiation damage in ion-implanted thin films of metal-oxide superconductors.-Appl.Phys.Lett.- 1987.- V.51, N 2..-P. 139-141.

220. Ion Implantation and Beam Processing / Ed. By J.S.Williams, J.M.Poate.-Academic Press.- 1984.

221. Данилов А.Б. Модель гетерогенного фазообразования в процессах создания слоистых структур методом ионной имплантации. -Поверхность. Физика, химия, механика.- 1989.- N 5,- С. 132-136.

222. Hemment P.L.F.,Reeson K.J., Kilner J.A., Chater R.J., Marsh С., Booker G.R., Celler G.K., Stoemenos J. Ion beam synthesis of thin buried layers of Si02 in silicon.- Vacuum.- 1986.- V.36, N11-12,- P.877-881.

223. Павлов П.В. Структурные переходы в твердых телах при ионной имплантации,- Тезисы докл. 7 Межд; конф. по ионной имплантации в полупровод, и др. материалы.- Вильнюс, 1983.- С.3-4.

224. Walser R.M., Bene R.W. First phase nucleation in silicon-transition- metal planar interfaces.- Appl. Phys. Lett.- 1976,- V.28, N 10.- P.624-625.

225. Cohen M.N., Turnbull D. Composition requirements for glass formation in metallic and ionic systems.-Nature.- 1961,- V.189, N 4759.- P.131-132.

226. Ту К., Мейер Дж. Образование силицидов./В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции./ Под ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера. - М.: Мир,- С.361-407.

227. Тетельбаум Д.И. Вторичные процессы при ионной имплантации полупроводников,- Автореферат докт. дисс.- Ленинград, 1987.

228. Tan Zheng-quan, Budnick J.I., Sanchez F.H., Tourillon G., Namavar F., Hay den H. С. Silicide structural evolution in high-dose cobalt-implanted Si(100) crystals.- Phys.Rev.B- V.40, N9.- P.6368-6373.

229. Гдадышевский Е.И. Кристаллохимия силицидов и германидов.- M.: Металлургия, 1971.- 296 с.

230. Абдуллин С.Н., Степанов А.Л., Хайбуллин Р.И., Валеев В.Ф., Осин Ю.Н., Хайбуллин И. Б. О механизмах формирования тонкой металлической пленки в эпоксидном композите, имплантированном ионами кобальта.- ФТТ.- Т.38, N 8.- С.2574-2581.

231. Von Allmen M.F., Lau S.S. Silicides and Metastable Phases. In: Laser Annealing of Semiconductors.- Acad. Press.- 1992.- P.439-478.

232.. Lau S.S., Feng S.- J., Olowolafe J.O. and Nicolet M.-A. Iron silicide thin film formation at low temperatures.- Thin Solid Films.- 1975.- V.35, N 2.-P.415-422.

233. Radermacher K., Mantl S., Kohlhof K., Jager W. Temperature and energy dependence of ion-beam synthesis of epitaxial Si/CoSi2/Si heterostructures.-J.Appl.Phys.- 1990,- V.68, N6.- P.3001-3008.

234. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников.-М.: Высшая школа, 1982.-528с.

235. Muller G., Klingelhofer G., Schwalbach P., Kankeleit E. High dose iron implantation into silicon and metals.- Hyperfine Interactions.- 1990.- V.56, N1-4.- P.1627-1636.

236. Namavar F., Sanchez F.H., Budnick J.I., Fasihuddin A.H. and Hayden H.C. Systematic of silicide formation by high dose implantation of transition metals into Si.-Mater. Res. Symp. Proc.- 1987,-V.74.- P.487-492.

237. Oostra D.J., Vandenhoudt D.E.W., Bulle-Lieuwma C.W.T. and Naburgh E.P. Ion beam synthesis of a Si/(3-FeSi2/Si heterostructure.- Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.59, N 14.- P.1737-1739.

238. Tan Z., Namavar F., Heald S.M., Budnik J.I., Sanchez F.H. Silicide formation in high-dose Fe-implanted silicon.- Mater. Res. Soc. Symp. Proc.-1992.- V.235.- P.267-272.

239. Модифицирование и легирование поверхности лазерными , ионными иэлектронными пучками/ Под ред. Дж.М.Поута и др.- М.: Машиностроение, 1987.- 424с.

240. McCracen G.M. The behaviour of surface under ion bombardment.- Rep. On Progr. In Phys.- 1975,- Y.38, N2,- P.241-327.

241. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Garno J.P., Gibson J.M. Mesotaxy: Single -crystal growth of buried CoSi2 layers.- Appl.Phys.Lett.- 1987.-V.50, N2.-P.95-97.

242. White A.E., Short K.T., Hcieh Yong-Fen, Hull R., Osenbach J.W., Praefcke H.C. Amorphization and regrowth in Si/CoSi2/Si heterostructures.-Appl.Phys.- 1990.- V.68,N11.- P.5641-5647.

243. Валиев K.A., Лебедев О.И., Орликовский A.A., Шиловский А.Н. Труды ФТИАН. Проблемы микроэлектронной технологии.-Исследование закономерностей ионного синтеза скрытых слоев CoSi2 в кремнии.- 1994,- Т8.- С. 102-110.

АВТОРСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

А1. Петухов В.Ю. Исследование кремния, имплантированного большими дозами ионов переходных элементов группы железа. - Дисс. канд. физ,-мат. наук - Казань, 1985. - 176 с.

А2. Научно-технический отчет АН Татарстана по теме "Поиск и создание новых сред на основе полимеров для магнито-оптической записи информации с использованием пучков быстрых ионов и лазерного излучения"// Авт.: Хайбуллин И.Б., Петухов В.Ю. и др.- Казань,1995,-22 с.

A3. Khaibullin I.B., Petukhov V.Yu., Zakirov G.G., Ibragimova M.I. Pore formation and swelling in semiconductors stimulated by ion implantation.-Abstr. of Int. Conf. IIIB, 24-28 Sept. 1990.- Bulgaria, Elenite.- P.26.

A4. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов M.M. Кинетика фазовых переходов в кремнии при бомбардировке ионами железа.- Казань,

1980. Деп. ВИНИТИ, № 4697-80 Деп.- 31 с.

А5. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Структурные и фазовые превращения в кремнии при бомбардировке большими дозами ионов железа.- Матер. VI Всесоюз.конф. по взаимод. ат. с тв. телом.- Минск: Изд-во МРТИ.-

1981.- С.109-111.

А6. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Образование ферромагнитного слоя при ионной имплантации больших доз железа в кремний.- Труды XI Всесоюз. Совещ. по физике взаим. заряж. частиц с крист. М.: Изд-во МГУ,- 1982.- С.461-465.

А7. Закиров Г.Г., Ибрагимова М.И., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Процессы распыления и порообразования в полупроводниках при ионной имплантации.- Матер. 10 Всесоюз. конф. по взаимод. ионов с поверх. M.- 1991,- Т.1.- С.142-144.

А8. Ибрагимова М.И., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Радиационное распухание и распыление CdxHgi-xTe при ионной имплантации ионов в больших дозах.- ФТП.- 1993.- Т.27, вып.4,- С.560-566.

А9. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Изменение микрорельефа и оптических свойств кремния при бомбардировке ионами переходной группы железа.- Матер. VII Всесоюз.конф. по взаимод. ат. частиц с тв. телом.- Минск: Изд-во Минск, радиотех. инта,- 1984,- 4.2.- С.29-30.

А10.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni.- Поверхность. Физика, химия, механика,- 1985.- № 2.- С.104-107.

АП.Бухараев A.A., Назаров A.B., Петухов В.Ю., Салихов K.M. Исследование поверхности имплантированного кремния с помощью сканирующего туннельного микроскопа.- Письма в ЖТФ.- 1990.- Т. 16, вып.6.- С.8-11.

А12.Бухараев A.A., Назаров A.B., Петухов В.Ю., Салихов . K.M. Исследование с помощью сканирующего туннельного микроскопа образования колончатых структур на поверхности кремния после ионной бомбардировки.- Матер. XX Всесоюз.совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами.- М.: Изд-во Моск. ун-та.- 1991.-С. 146-148.

А13.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М., Манапов P.A. Магнитные свойства кремния, имплантированного ионами железа.-ФТТ. -1984. - Т.26," вып.5. - С.1392-1397.

А14.3арипов М.М., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Применение ионной имплантации для синтеза тонких пленок силицидов.- Электронная промышленность.- 1985,- Вып.2 (140).- С.37-39.

А15. Khaibullin I.B., Petukhov V.Yu. Study of silicon implanted by high dose of iron group transition metals.- Phys.Res.- 1988.- V.8.- P.29-38.

A16. Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Zaripov M.M., Groetzschel R., Voelskow M., Klabes R. Investigation of Silicides obtained by Fe+ Implantation into Silicon.- Phys. stat. sol.(a).- 1986,- V.96.- P.463-468.

A17. Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Шустов B.A., Хайбуллин И.Б., Вагизов Ф.Г. Исследование влияния плотности ионного тока на фазовый

состав и структуру силицидов, синтезированных методом ионной имплантации.- Неорганич.матер.- 1997.- принято в печать.

А18. Петухов В.Ю., Пономарев Ю.В., Савельев А.Б., Хайбуллин И.Б. Локальный атомарный порядок силицидов, полученных ионной имплантацией в кремний.- Материалы 9 Всес. конф. по взаимод. атомных частиц с тв. телом.- Москва, 1989.- Т.2.- С.228-230.

А19. Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Шустов В.А. Влияние плотности потока ионов на структуру и фазовый состав слоев, полученных имплантацией Со+ в Si. - Матер. XX Всес. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами,- Изд-во Моск. ун-та, 1991.- С.149-151.

A20.Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Zaripov M.M., Wieser E., Groetzschel R. Formation of epitaxial NiSi2 layer by high dose ion implantation and rapid thermal annealing.- Phys. Res.- 1988.- Y.8.- P.341-343.

A21.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Визер Э., Гретчел Р. Образование эпитаксиального слоя NiSi2 в имплантированном никелем кремнии. -Поверхность . Физика, химия, механика.- 1989,-N 10.- С. 105-109.

А22.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Курбатова Н.В. Влияние лазерного отжига на электропроводность кремния, имплантированного ионами хрома с высокой дозой.- Приложение к тезисам докл. Первой Всес. конф. по физическим и физ.-хим. основам микроэлектроники (Вильнюс, 1987).- Москва, 1987.- С. 12-13.

A23.Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Kurbatova N.V., Wieser E., Groetzschel R. Electrical resistivity of silicon implanted by high dose Cr+-ions after laser annealing.- Phys.Res.-1988.- V.8.- P.350-353.

А24.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов M.M. Исследование пленок силицидов, выращенных с применением ионных и световых пучков.-Тезисы докл. XII Всесоюз. научн. конф. по микроэлектронике.-Тбилиси, 26-28 окт. 1987г.- 4.VII.- С. 119-120.

A25.Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Kurbatova N.V., Groetzschel R. Laser induced modification of silicon implanted by high dose Ti+ ions.- Abstracts of Int. Conf. on Ion implantation in semiconductors and other materials,

Lublin, Poland, 12-17 Sept. 1988.- Inst, of Phys. Marie Curie-Sklodowska University, Lublin, Poland, 1988.- P. 136.

A26.Способ получения мезотаксиальных слоев дисилицида кобальта в кремнии/ Авт.: Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Гумаров Г.Г. / Положит, решение патентной экспертизы на заявку № 4826971/25 055638 от18.05.90г.

А27.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Ионный синтез и термический отжиг силицидов железа.- Тезисы докл. 7-й Межд. конф. по ионной имплантации в полупров. и др. материалы. Каунас, изд-во КПИ, 1983,- С.301-302.

А28.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М., Гретцшел Р., Вельсков М., Клабес Р. Исследование силицидов, полученных имплантацией железа в кремний.- В кн.: Симпозиум по микроэлектронике ( в рамках двухстороннего сотрудничества АН СССР и АН ГДР) / Сб. тезисов докладов. М.: МЦНТИ, 1984.- С. 13-16.

А29.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Визер Э., Гретчел Р. Исследование эпитаксиального роста силицидов никеля, стимулированного ионными и световыми пучками.- Тезисы докл. Симпозиума по микроэлектронике (в рамках двустороннего сотрудничества АН СССР и АН ГДР).- Москва, 1988.- С.47-48.

A30.PetukhovV.Yu., Khaibullin I.B., Zaripov М.М., Wieser Е., Groetzschel R., Bartsch H. Formation of epitaxial NiSi2 by high dose implantation and rapid thermal annealing.- Phys.stat. sol.(a).-1990.- V.117, N2.- P.477-484.

АЗТ.Петухов В.Ю., Хайбуллин И. Б., Зарипов М.М. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni.- Тезисы докл. XIII Всесоюз. совещ. по физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами. Москва, Изд-во Моск. ун-та, 1983.- С. 104.

A32.Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Gumarov G.G. Formation of silicides under simultaneous implantation of Fe+ and Co+ ions into silicon.-Abstracts of 1993 Fall Meeting MRS.- Boston, Nov.29-Dec.3.- P.45.

АЗЗ.Петухов В.Ю., Гумаров Г.Г., Хайбуллин И.Б., Шустов В.А., Панкнин Д. Фазовый состав тонких пленок силицидов, полученных

одновременной и пошаговой имплантацией ионов Fe+ и Со+ в кремний.- Тезисы докл. Российской конф. "Микроэлектроника-94", Москва, 1994,-Ч.1.- С.263-264.

А34.Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Шустов В.А., Хайбуллин И.Б. Температурная зависимость ионно-лучевого синтеза силицидов при одновременной имплантации ионов Fe+ и Со+ в Si.- Высокочистые вещества.- 1995,-№2.-С.94-97.

А35.Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Особенности распределения по глубине атомов Fe и Со при их одновременной имплантации в кремний.- Труды второй Всероссийской научно-технической конференции по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники. - Таганрог, 1995.- С.22-24.

АЗб.Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Маковский В.Ф., Хайбуллин И.Б. Распределение атомов Fe и Со при их одновременной имплантации в Si.- Материалы конф. по физике и технике плазмы.- Минск, 1994.- Т.1.-С. 197-200.

А37.Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Жихарев В.А., Шустов В.А., Хайбуллин И.Б. Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Со+ и Fe+ в кремний.- ФТПг 1997.-Т.31, №6.- С.719-721.

А38.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Способ получения черни для поглотителей излучения.- А.С. №1162341 (СССР) с приоритетом от 17 февраля 1984г.

A39.Petukhov V.Yu., Zhikharev V.A., Zheglov E.P., Azarov I., Khaibullin I.B. Ferromagnetic resonance of granular thin films created in polymers by ion implantation.- Ext. abstracts of the XXVIIth Congress Ampere on Magnetic resonance and related phenomena. Kazan, August 21- 28, 1994. V.l- P.370-371.

А40.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Изменение структуры, магнитных и оптических свойств кремния при имплантации больших доз ионов железа.- Материалы Международного рабочего совещания

по ионной имплантации в полупроводники и др. материалы.- Прага, 1981.- С.31-32.

А41.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М., Манапов Р.А. Магнитные свойства и структура тонкой магнитной пленки, синтезированной при ионной имплантации больших доз железа в кремний. - Тезисы докл. XII Совещания по физике взаимодействия заряж.частиц с кристаллами.-Москва, 1982.-С. 137.

A42.Petukhov V.Yu, Ilaldinov I.Z., Khaibullin I.B., Wollschlager К.. Study of electrical and optical properties of fused quartz implanted by high dose Cr+ and Fe+ ions - Phys.Res.- 1988.- V.8.- P.387-389.

А43.Хабибуллина H.P., Петухов В.Ю. Исследование магнитных свойств и структуры тонких пленок, полученных имплантацией ионов железа в полиметилметакрилат. -Матер.конф. молодых ученых КФТИ-90. -Препринт,- Казань, 1990,- С.27-31.

А44.Петухов В.Ю., Жихарев В.А., Хабибуллина Н.Р., Хайбуллин И.Б. Магнитные свойства и структура поверхностных слоев, полученных в ПММА имплантацией ионов Fe+.- Высокочистые вещества.- 1993.- N3.-С.45-48.

A45.Petukhov V., Zhikharev V., Makovskii V., Zheglov E., Ibragimova M., Khaibullin I.B. Phase composition of thin ferromagnetic films obtained by ion implantation in PMMA. - Proc. of 14-th Inter. Colloqium on Magnetic Films and Surfaces, 29 Aug. - 2 Sept. 1994. Dusseldorf, Germany.- P.363-364.

А46.Базаров В.В., Жихарев В.А., Петухов В.Ю., Осин Ю.Н., Хайбуллин И.Б. Проводимость ПММА, имплантированного ионами железа.-Тезисы докл. Российской конф. «Микроэлектроника - 94», Москва, 1994. - 4.1. -С.149-150.

А47.Петухов В.Ю., Жихарев В.А., Маковский В.Ф., Осин Ю.Н., Митряйкина М.А., Хайбуллин И.Б., Абдуллин С.Н. Структура и фазовый состав тонких пленок, полученных имплантацией ионов железа в полиметилметакрилат. - Поверхность. Физика, химия, механика.- 1990.- N 4.- С.27-33.

A48.Bazarov V.V., Petukhov V.Yu., Zhikharev V.A., Khaibullin I.B. Conductivity of the granular metal films obtained by high dose ion implantation into PMMA.- Proc.Mater.Res.Soc.- 1995,- P.417-421.

A49.Petukhov V., Zhikharev V., Ibragimova M., Zheglov E., Bazarov V., Khaibullin I. Ion synthesis of thin granular ferromagnetic in polymethylmethacrylate.- Solid State Communications.- 1996.- У.91, N 5.-P.361-364.

А50.Петухов В.Ю., Ибрагимова М.И., Осин Ю.Н., Хайбуллин И.Б. Структура и фазовый состав тонких пленок, полученных имплантацией ионов Со+ в ПММА.- Тезисы докл. Всеросс. конф. по структуре и свойствам крис. И аморф. матер.- Нижний Новгород, 12-14 марта 1996.-С.81-82.

А51.Способ получения тонких магнитных пленок в полимерах /Авт.: Петухов В.Ю., Ибрагимова М.И., Хайбуллин И.Б.- Заявка на изобретение N97101227, с приоритетом от 29.01.97.

А52.Поиск и создание новых регистрирующих сред на основе полимеров для магнито - оптической записи информации с использованием пучков быстрых ионов и лазерного излучения/ Хайбуллин И.Б., Петухов В.Ю. и др.- Отчет КФТИ КНЦ РАН по договору N 04-10/95.-Казань, 1995.- 28 с.

A53.Petukhov V.Yu., Ibragimova M.I., Zheglov E.P., Khaibullin I.B. Ferromagnetic thin films in polymethylmethacrylate implanted iron.- Abstr. of X Inter. Conf. IBMM'96.- Albuguerque, USA, September 1-6, 1996.- P. F 43.

A54.Петухов В.Ю., Григорьев JI.С., Куковицкий Е.Ф., Хайбуллин И.Б. Ионный синтез тонких сверхпроводящих слоев Er-Ba-Cu-O.- Тезисы докл. I Всес. Совещ. По высокотемпературной сверхпроводимости. Харьков, 1988,- Т.З.- С.68-69.

А55.Способ получения тонких сверхпроводящих пленок/ Авт.: Петухов В.Ю., Григорьев Л.С., Куковицкий Е.Ф., Хайбуллин И.Б.- А.С. №1572359 (СССР) с приоритетом от 25 сентября 1988г.

A56.Petukhov V.Yu., Grigoriev L.S., Kukovitskii E.F., Khaibullin I.B. Formation of thin superconducting films by Cu+ implantation.- Phys.Res.-1990.- V.13.- P.495-496.

А57.Григорьев Л.С., Петухов В.Ю., Таланов Ю.И., Тейтельбаум Г.Б., Хайбуллин И.Б., Шустов В.А., Ионов A.M. Влияние имплантации ионов хлора на свойства тетрагональной керамики Y-Ba-Cu-O.-Сверхпроводи-мость: физика, химия, техника.- 1991.- Т.4, N 4.- С.797-800.

A58.Bazarov V.V., Petukhov V.Yu., Faizrakhmanov I.A., Gumarov G.G., Shustov V.A., Zheglov E.P., Zhikharev V.A., Khaibullin I.B. Formation of thin superconducting YBaCuO layers by oxygen implantation.- Physica C.-1997.- V.282-287.- P.589-590.

A59. Bazarov V.V., Petukhov V.Yu., Faizrakhmanov I.A., Gumarov G.G., Shustov V.A., Zheglov E.P., Zhikharev V.A., Khaibullin I.B. Formation of Thin Superconducting YBaCuO Layers by Oxygen Implantation.- Abstr. of 5 Int.Conf.M2S-HTSC-V.- Beijing, China, 1997,- P.45.

A60.Петухов В.Ю., Таланов Ю.И., Тейтельбаум Г.Б., Хайбуллин И.Б., Шустов В.А. Формирование тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника имплантацией ионов хлора в тетрагональную керамику Y-Ba-Cu-O.- Тезисы докл. III Всес. конф. по ионно-лучевой модификации полупроводников и др. матер, микроэлектроники. -Новосибирск, 4-6 июня 1991.- С. 135.

A61.Petukhov V.Yu., Khaibullin I.B., Gumarov G.G. Groetzschel R. Formation of mesotaxial CoSi2 layer at high dose ion Co+ implantation ito silicon.-Abstr. of Int. Conf. IIIBE, 24-28 Sept. 1990.- Bulgaria, Elenite.- P.8.

А62.Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Способ получения тонких магнитных пленок в полупроводниках.- А.С. №1114246 (СССР) с приоритетом от 23 июля 1982г.

А63. Gumarov G.G., Petukhov V.,Shustov V.A., Khaibullin I. Effect of ion current density on the phase composition of ion beam synthesized iron silisides in Si(100).- Nucl.Instr.& Meth.inPhys.Res. В.- 1997,- V. 127/128,- P.321-323.